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ndice Geral

Agradecimentos ..................................................................................................................... XV
Prefcio .............................................................................................................................. XVII
Sobre o livro .......................................................................................................................... XXI
Sobre os autores ................................................................................................................. XXVII

Captulo 1 Semicondutores ....................................................................................................... 1


1.1 Introduo ................................................................................................................................... 1
1.2 Semicondutores simples e compostos: Estrutura ......................................................................... 1
1.2.1 Semicondutores simples ............................................................................................... 2
1.2.2 Semicondutores compostos .......................................................................................... 5
1.3 Bandas de energia nos semicondutores ....................................................................................... 8
1.3.1 Massa eficaz ................................................................................................................ 12
1.3.2 Relao entre WG e a energia dos fotes ..................................................................... 16
1.4 Semicondutores compostos ternrios e quaternrios. Variao das propriedades ........................
com a composio ..................................................................................................................... 18
1.5 Semicondutores intrnsecos e extrnsecos em equilbrio termodinmico ................................... 22
1.5.1 Modelo das ligaes covalentes e das bandas de energia ............................................ 23
1.5.2 Semicondutores intrnsecos ........................................................................................ 24
1.5.3 Semicondutores extrnsecos ........................................................................................ 27
1.6 Gerao e recombinao ............................................................................................................ 34
1.6.1 Efeito fotoeltrico interno ........................................................................................... 37
1.7 Clculo de n e p em semicondutores no-degenerados ............................................................. 39
1.7.1 Eletro num poo de potencial de altura infinita ......................................................... 39
1.7.2 Densidade de estados em energia ............................................................................... 41
1.7.3 Densidade de estados em energia para os eletres num cristal ................................... 43
1.7.4 Estatstica de Fermi-Dirac ............................................................................................ 43
1.7.5 Clculo da densidade de eletres e buracos no semicondutor ..................................... 47
1.7.5.1 Localizao do nvel de Fermi no semicondutor intrnseco e extrnseco ...... 49
1.7.5.2 Densidade intrnseca variao com a temperatura .................................. 50
VII

VIII Fundamentos de Eletrnica

1.8

1.9
1.10
1.11

1.12
1.13

Conduo................................................................................................................................... 53
1.8.1 Resistncias de circuito integrado ................................................................................ 60
1.8.2 Termstor ..................................................................................................................... 62
1.8.2.1 Caracterstica I (U) ......................................................................................... 64
1.8.2.2 Anlise da estabilidade do ponto de funcionamento..................................... 66
Efeito de Hall ............................................................................................................................. 70
Difuso ...................................................................................................................................... 75
Equao da continuidade........................................................................................................... 77
1.11.1 Semicondutor homogneo do tipo-p, iluminado uniformemente ............................... 78
1.11.1.1 Evoluo da densidade de minorias aps o corte de iluminao ................ 78
1.11.1.2 Evoluo da densidade de minorias quando se estabelece a iluminao ... 81
1.11.2 Difuso com recombinao na situao estacionria................................................... 82
1.11.2.1 Cristal semi-infinito ................................................................................... 84
1.11.2.2 Cristal finito ............................................................................................... 85
Sntese....................................................................................................................................... 86
Exerccios propostos .................................................................................................................. 91

Captulo 2 Dodo de Juno p-n ......................................................................................... 97


2.1 Introduo ................................................................................................................................. 97
2.2 Trabalho de sada e afinidade eletrnica.................................................................................... 99
2.3 Juno p-n em equilbrio termodinmico ................................................................................ 103
2.4 Juno p-n com polarizao constante caracterstica estacionria I (U) ............................... 112
2.5 Disrupo por avalanche ......................................................................................................... 120
2.5.1 Disrupo por efeito de tnel ou Zener ..................................................................... 121
2.5.2 Efeito da temperatura .............................................................................................. 123
2.5.3 Generalizao da relao I (U) juno p-n de Si ..................................................... 124
2.6 Juno p-n em regime varivel ............................................................................................... 129
2.6.1 Regime quase-estacionrio ...................................................................................... 131
2.6.2 Regime incremental. Condutncia. Capacidades de transio e de difuso ............... 138
2.6.2.1 Condutncia incremental ......................................................................... 138
2.6.2.2 Capacidades diferenciais ........................................................................... 140
2.6.3 Regime de comutao .............................................................................................. 149
2.6.3.1 Transitrio de ligao ............................................................................... 149
2.6.3.2 Transitrio de corte ................................................................................... 151
2.7 Heterojunes ......................................................................................................................... 156
2.7.1 Heterojuno semicondutor-semicondutor .............................................................. 156
2.7.2 Heterojuno metal-semicondutor........................................................................... 162
2.7.2.1 Contacto retificador Dodo de Schottky.................................................. 162
Lidel-Edies Tcnicas

ndice Geral IX

2.8

2.9
2.10

2.7.2.2 Contacto hmico....................................................................................... 166


Exemplos de aplicao ............................................................................................................. 167
2.8.1 Retificador de meia-onda ......................................................................................... 168
2.8.2 Circuitos limitadores ................................................................................................. 169
2.8.3 Circuitos lgicos........................................................................................................ 169
Sntese..................................................................................................................................... 170
Exerccios propostos ................................................................................................................ 172

Captulo 3 Transstor Bipolar de Junes (TBJ) ....................................................................... 175


3.1 Introduo ............................................................................................................................... 175
3.2 Simbologia e zonas de funcionamento .................................................................................... 176
3.3 Transstor com polarizao constante equaes de Ebers-Moll............................................. 177
3.4 Montagem de emissor comum (EC) ......................................................................................... 192
3.4.1 Caractersticas de sada............................................................................................. 192
3.4.2 Caractersticas de entrada ........................................................................................ 195
3.4.3 Efeitos da temperatura ............................................................................................. 198
3.4.4 Zona de funcionamento seguro ................................................................................ 198
3.5 Transstor em regime varivel incremental .............................................................................. 204
3.5.1 Matriz de admitncias .............................................................................................. 205
3.5.2 Matriz de impedncias ............................................................................................. 210
3.5.3 Matriz de parmetros hbridos ................................................................................. 211
3.5.4 Modelo -hbrido ..................................................................................................... 214
3.5.5 Modelo T .................................................................................................................. 219
3.6 Aplicaes: circuitos amplificadores......................................................................................... 222
3.6.1 Circuitos de polarizao ............................................................................................ 222
3.6.2 Montagem de emissor comum (EC) .......................................................................... 226
3.6.3 Montagem de coletor comum (CC) ou seguidor de emissor ...................................... 231
3.6.4 Montagem de base comum (BC) .............................................................................. 233
3.7 Aplicaes: Circuitos inversores ............................................................................................... 241
3.8 Transstor bipolar de heterojunes (TBH) ............................................................................... 244
3.9 Transstor de radiofrequncia (RF) ........................................................................................... 248
3.10 Transstores de comutao ...................................................................................................... 251
3.11 Transstores de injeo de eletres quentes ............................................................................. 252
3.12 Transstores de base permevel ............................................................................................... 254
3.13 Dispositivos integrados............................................................................................................ 254
3.14 O modelo SPICE para o TBJ....................................................................................................... 255
3.15 Sntese..................................................................................................................................... 256
3.16 Exerccios propostos ................................................................................................................ 260
Lidel-Edies Tcnicas

X Fundamentos de Eletrnica

Captulo 4 Transstores de Efeito de Campo (FET) ................................................................... 267


4.1. Introduo ............................................................................................................................... 267
4.2. Transstores de efeito de campo considerados como resistncias............................................. 268
4.3. Regime dinmico..................................................................................................................... 271
4.4. MOSFET ................................................................................................................................... 274
4.5. Princpio de funcionamento..................................................................................................... 277
4.5.1. Modelo das bandas de energia na explicao do aparecimento do canal .................. 281
4.5.1.1. Introduo ............................................................................................... 281
4.5.1.2. Variao com x : aspetos qualitativos ....................................................... 281
4.5.1.3. Variao com x : aspetos quantitativos .................................................... 285
4.5.1.4. Variao com y......................................................................................... 292
4.5.2. Caracterstica estacionria ........................................................................................ 297
4.5.2.1. Corrente no canal..................................................................................... 297
4.5.2.2. Caracterstica estacionria na regio de inverso fraca ........................... 299
4.5.2.3. Caracterstica estacionria na regio de inverso forte............................. 300
4.5.2.4. Variao das caractersticas estacionrias com a temperatura ................. 307
4.5.2.5. Limitaes dos modelos........................................................................... 310
4.5.3. Caracterstica dinmica para sinais fracos ................................................................. 313
4.5.3.1. Introduo ............................................................................................... 313
4.5.3.2. Modelo incremental para baixas frequncias ........................................... 313
4.5.3.3. Modelo incremental para mdias frequncias ......................................... 316
4.6. Simbologia .............................................................................................................................. 318
4.7. Circuitos de aplicao do MOSFET o inversor......................................................................... 319
4.7.1. Inversor com carga passiva ....................................................................................... 319
4.7.2. Inversor CMOS .......................................................................................................... 322
4.7.3. A reduo das dimenses dos MOSFET (Scaling ) ...................................................... 329
4.8. Transstor de efeito de campo de juno (JFET)........................................................................ 332
4.8.1. Princpio de funcionamento ..................................................................................... 333
4.8.2. Caracterstica corrente-tenso do JFET ..................................................................... 336
4.8.3. Caracterstica de dreno ID (UDS ) para UGS constante ................................................... 338
4.8.4. Caracterstica de dreno ID(UGS) para UDS constante .................................................... 339
4.8.5. Influncia da temperatura ........................................................................................ 339
4.8.6. Regime dinmico ..................................................................................................... 340
4.8.6.1. Introduo ............................................................................................... 340
4.8.6.2. Modelo incremental para baixas frequncias ........................................... 340
4.9. Montagens amplificadoras bsicas com transstores de efeito de campo ................................. 342
4.9.1. Introduo ................................................................................................................ 342
4.9.1.1. Montagem de fonte comum .................................................................... 343
Lidel-Edies Tcnicas

ndice Geral XI

4.10.
4.11.

4.12.
4.13.

4.9.1.2. Montagem de dreno comum ................................................................... 344


4.9.1.3. Montagem de porta comum .................................................................... 346
4.9.1.4. Polarizao das montagens amplificadoras bsicas ................................. 347
MESFET .................................................................................................................................... 349
Transstor de efeito de campo de heterojuno (HEMT, TEGFET) .............................................. 351
4.11.1. Introduo ................................................................................................ 351
4.11.2. Princpio de funcionamento ...................................................................... 351
Sntese..................................................................................................................................... 354
Exerccios propostos ................................................................................................................ 360

Captulo 5 Dispositivos Semicondutores da Eletrnica de Potncia ......................................... 367


5.1 Introduo ............................................................................................................................... 367
5.2 Interruptores bsicos da EP...................................................................................................... 369
5.2.1. Comportamento no ideal dos interruptores em EP ................................................. 372
5.2.2. Eficincia de converso e potncia de perdas............................................................ 374
5.3 Tirstores.................................................................................................................................. 376
5.3.1. Estrutura bsica tpica de um SCR ............................................................................. 376
5.3.2. Caracterstica da estrutura p-n-p-n ........................................................................... 377
5.3.3. Dodo de Shockley ou dodo de quatro camadas ....................................................... 379
5.3.3.1 Estado de bloqueio ................................................................................... 379
5.3.3.2 Processo de transio bloqueio-conduo ................................................ 383
5.3.3.3 Estado de conduo .................................................................................. 386
5.3.4. O SCR (Retificador Controlado de Silcio)................................................................... 387
5.3.4.1 Caracterstica estacionria do SCR ............................................................. 388
5.3.4.2 Resistncia de contorno porta-ctodo ...................................................... 389
5.3.4.3 Comutao corte-conduo. O espalhamento do estado de conduo ...... 393
5.3.4.4 Comutao conduo-corte e a variao mxima temporal ............................
da tenso andica (dUA/dt)max.............................................................. 395
5.3.5. O GTO (Gate Turn-Off ) .............................................................................................. 396
5.3.5.1 Aspetos fsicos do modo de operao do GTO ............................................ 397
5.3.5.2 Comutao no GTO: Transio corte-conduo (turn-on) .......................... 400
5.3.5.3 Comutao no GTO: Transio conduo-corte (turn off ) .......................... 400
5.4 TRIAC (TRIode for Alternating Current ) .................................................................................... 402
5.5 DIAC (DIode for Alternating Current ) ....................................................................................... 404
5.6 MOSFET de potncia ................................................................................................................ 405
5.6.1. Estrutura bsica ........................................................................................................ 405
5.6.1.1 Transstor bipolar parasita n+-p-n .......................................................... 406
5.6.1.2 Dodo em antiparalelo .............................................................................. 407
Lidel-Edies Tcnicas

XII Fundamentos de Eletrnica

5.6.2.
5.6.3.

5.7

5.8
5.9

Caractersticas estticas do transstor MOS de potncia ............................................ 407


Caractersticas de comutao ................................................................................... 409
5.6.3.1 Modelos .................................................................................................... 409
5.6.3.2 Formas de onda para a comutao ........................................................... 410
5.6.3.3 Transitrio corte-conduo ....................................................................... 413
5.6.3.4 Transitrio conduo-corte ....................................................................... 415
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) ................................................................................. 416
5.7.1. Estrutura .................................................................................................................. 416
5.7.2. Funcionamento ........................................................................................................ 418
5.7.3. Regime transitrio: formas de onda na comutao................................................... 419
Sntese..................................................................................................................................... 421
Exerccios propostos ................................................................................................................ 423

Captulo 6 Dispositivos Optoeletrnicos ................................................................................. 431


6.1 Introduo ............................................................................................................................... 431
6.2 Noes de optoeletrnica ........................................................................................................ 431
6.3 Fotodetetores .......................................................................................................................... 435
6.3.1. Parmetros caractersticos dos fotodetetores ........................................................... 436
6.3.1.1 Rendimento quntico externo .................................................................. 436
6.3.1.2 Responsividade......................................................................................... 437
6.3.1.3 Largura de banda...................................................................................... 438
6.3.1.4 Relao sinal-rudo ................................................................................... 438
6.3.2. Fotorresistncias ...................................................................................................... 440
6.3.3. Fotododos ............................................................................................................... 443
6.3.3.1 Fotododo p-i-n......................................................................................... 447
6.3.3.2 Fotododo de avalanche............................................................................ 450
6.3.3.3 Resposta em frequncia............................................................................ 452
6.3.4. Fototransstores ....................................................................................................... 454
6.3.5. Fototirstores ............................................................................................................ 458
6.4 Clulas solares ......................................................................................................................... 458
6.4.1. Efeito fotovoltaico em junes p-n ........................................................................... 459
6.4.2. Efeito das resistncias srie e paralelo ...................................................................... 464
6.4.3. Efeito da temperatura .............................................................................................. 466
6.4.4. Clulas solares com rendimentos elevados ............................................................... 466
6.4.5. Juno Schottky e Metal-Isolante-Semicondutor (MIS) ............................................ 469
6.4.6. Painis solares .......................................................................................................... 471
6.5 Dodos emissores de luz (LED) ................................................................................................. 475
6.5.1. Princpio de funcionamento ..................................................................................... 476
Lidel-Edies Tcnicas

ndice Geral XIII

6.5.2. Propriedades eltricas .............................................................................................. 477


6.5.3. Propriedades ticas .................................................................................................. 480
6.6 Laser de semicondutor ............................................................................................................ 484
6.6.1. Princpio de funcionamento do laser ........................................................................ 485
6.6.2. Estruturas para os lasers ........................................................................................... 491
6.6.3. Caracterstica potncia luminosacorrente e emisso espetral dos lasers ................ 493
6.6.4. Regime dinmico ..................................................................................................... 496
6.7 Acopladores ticos ................................................................................................................... 497
6.7.1. Estrutura e princpio de funcionamento.................................................................... 497
6.7.2. Caracterstica ...
I C ( U CE ) I =C te ........................................................................................ 500
F
6.7.3. Caracterstica de transferncia IC (I
F )UCE =C te................................................................. 501
6.7.4. Influncia da temperatura na relao de transferncia de corrente .......................... 501
6.7.5. Influncia de uma resistncia externa REB entre o emissor e a base ........................... 502
6.8 Sntese..................................................................................................................................... 504
6.9 Exerccios propostos ................................................................................................................ 508

Lista de Acrnimos ............................................................................................................... 513


Lista de Constantes Fsicas .................................................................................................... 515
Lista de Smbolos ................................................................................................................. 517
Glossrio de termos correspondentes em portugus europeu e portugus do Brasil................ 525
Bibliografia .......................................................................................................................... 527
ndice Remissivo................................................................................................................... 529

Lidel-Edies Tcnicas

Sobre o Livro

Os dispositivos eletrnicos so por essncia um tema transversal maior parte das


engenharias, uma vez que todas estas recorrem cada vez mais a sistemas eletrnicos
sofisticados. Sendo assim, os semicondutores e os dispositivos eletrnicos de
semicondutor constituem atualmente temas relevantes na formao dos alunos nos cursos
de Engenharia Eletrotcnica a nvel de 1 ciclo (licenciaturas) e/ou de 2 ciclo (Mestrado
Integrado) em diversas instituies universitrias de renome internacional.
Este livro corresponde ao trabalho acumulado ao longo de mais de trs dcadas de
lecionao por um grupo de docentes do Instituto Superior Tcnico (IST) e constitui o
contedo programtico de disciplinas que se inserem hoje no 1 ciclo do Mestrado de
Engenharia Eletrotcnica e de Computadores (MEEC) e na Licenciatura de Engenharia
Eletrnica (LEE) do IST. A apresentao dos assuntos neste documento levou em
considerao o facto de os temas abordados constiturem, em termos sumrios, a ponte
que deve unir, ao nvel do 1 ciclo de um curso de Engenharia Eletrotcnica, uma unidade
curricular de mtodos de anlise de circuitos eltricos, situada a montante, s unidades
curriculares ligadas s aplicaes de dispositivos eletrnicos semicondutores, situadas a
jusante no processo de aprendizagem.
Basicamente, o livro pretende dotar os alunos de uma slida formao de base que
lhes permita acompanhar a evoluo dos conhecimentos e tecnologias ao longo de
toda a sua vida profissional. Mais especificamente, pretende-se fornecer aos alunos a
competncia para:

Utilizar dispositivos eletrnico bsicos em circuitos simples, com a compreenso


adequada do seu funcionamento interno;

Analisar, utilizar e desenvolver modelos bsicos de simulao.

So enfatizados neste projeto pedaggico os princpios fsicos subjacentes ao


funcionamento dos dispositivos semicondutores bsicos em aplicaes fundamentais,
quer em circuitos eletrnicos analgicos, quer em circuitos eletrnicos digitais. Por
questes pedaggicas, e no sentido de assegurar ao leitor uma melhor compreenso dos
assuntos expostos, so apresentados problemas de aplicao com a respetiva resoluo,
inseridos de forma conveniente ao longo do texto.
A transversalidade dos temas tratados salientada pelas reas que a eles recorrem,
importando referir:

O tratamento de materiais semicondutores no elementares, designados


genericamente por semicondutores compostos, uma vez que relevante em reas
XXI

XXII Fundamentos de Eletrnica

afins ao fabrico de dispositivos As facilidades associadas s tcnicas de fabrico


implicam falar, hoje em dia, de uma verdadeira engenharia da estrutura de
bandas e permitem aumentar as aplicaes dos dispositivos semicondutores a
um mundo inimaginvel ainda h poucos anos. A vasta aplicao dos materiais
semicondutores compostos num domnio atualmente to importante como a
Comunicao tica justificaria, por si s, a incluso destes assuntos na rea de
Telecomunicaes.

A crescente expanso da eletrnica de potncia no seio da Engenharia


Eletrotcnica A sua evoluo surge diretamente associada ao desenvolvimento
da tecnologia de fabrico de dispositivos semicondutores de potncia, que
possibilitou no s a obteno de dispositivos com melhores desempenhos e
limites de operao mais alargados, como tambm o aparecimento de novos
dispositivos totalmente comandados. A incluso de dispositivos de potncia
como os da famlia dos tirstores, desde as suas verses mais simplificadas (dodo
de quatro camadas) at s estruturas mais complexas (GTO, IGBT), assim como
o tratamento dos aspetos trmicos nos dispositivos, so questes que interessaro
particularmente aos alunos que pretendam formao na rea de Energia.

O estudo de diversos dispositivos baseados na interao luz-matria em materiais


semicondutores (LED, LASER, fotododos, foto-transstores, foto-tirstores,
clulas solares, painis solares, acopladores ticos), assim como a descrio do
efeito fotoeltrico interno So aspetos relevantes no sector da transduo tica e
permitem a aquisio de uma formao bsica numa rea (Optoeletrnica) que, a
nosso ver, to importante para o desenvolvimento tecnolgico deste sculo
como o foram o Eletromagnetismo e a Eletrnica no sculo XX.

A elevada sensibilidade dos materiais semicondutores temperatura, tornando-os


candidatos privilegiados como sensores de temperatura ou de grandezas que com
ela estejam direta ou indiretamente ligadas Deste modo, o estudo dos princpios
fsicos subjacentes transduo usando os materiais semicondutores abre as
portas ao domnio da Instrumentao, ao estabelecer um fio condutor entre o
sensor e o princpio de funcionamento que o rege.

Os progressos verificados nas ltimas dcadas no campo da Microeletrnica,


nomeadamente nas tcnicas de crescimento de cristais, que permitiram uma
crescente miniaturizao dos dispositivos A compreenso dos fenmenos
fsicos subjacentes ao transporte de carga nos dispositivos revela-se uma maisvalia inegvel no projeto e desenho de estruturas que solicitem solues mais
vantajosas para aplicaes especficas.

Lidel-Edies Tcnicas

Sobre o Livro XXIII

A existncia de poderosas ferramentas de simulao, das quais o SPICE


(acrnimo de Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis)
Constitui um benefcio indiscutvel no estudo do funcionamento de dispositivos
semicondutores. Contudo, a flexibilidade oferecida por esses meios de anlise s
reverter numa vantagem real para o utilizador, se este dominar os dados de
entrada, ou seja, se conhecer o significado dos parmetros descritivos dos
materiais e/ou dos dispositivos, a sua inter-relao e os seus domnios de
aplicao. S desta maneira se evita que se estudem situaes que no tenham
significado fsico, ou que possam resultar, por exemplo, de se variarem
independentemente parmetros que apresentam ligaes entre si ou ainda que se
imponham relaes que estejam fora do domnio de validade do fenmeno em
causa. Realamos esse aspeto, porque ele se revela frequentemente um dos
perigos da utilizao acrtica da flexibilidade oferecida por este tipo de
experimentao.

O texto principal do livro apresentado ao longo de 6 captulos (Semicondutores; Dodos


de Juno p-n; Transstor Bipolar de Junes; Transstor de Efeito de Campo;
Dispositivos Semicondutores de Eletrnica de Potncia; Dispositivos Optoeletrnicos).
No Captulo 1, Semicondutores, apresentada a teoria das bandas nos semicondutores e
o modelo das ligaes de valncia para os semicondutores elementares (Ge ou Si).
Obtm-se as equaes bsicas para os semicondutores em equilbrio termodinmico,
tendo em conta o equilbrio entre os ritmos dos mecanismos de gerao e de
recombinao, assim como as funes de distribuio e densidade de estados em energia,
a partir das quais se determinam as concentraes dos portadores de carga em
semicondutores intrnsecos ou extrnsecos. Atendendo sua importncia, so
apresentadas as principais propriedades eltricas e ticas dos compostos binrios,
ternrios e quaternrios. Seguem-se os aspetos relacionados com os principais
mecanismos de transporte de carga eltrica: a conduo e a difuso. Neste contexto so
apresentadas as noes de coeficientes de difuso, de mobilidades, de tempos de livre
percurso e de tempos de vida para os eletres e para os buracos, que conduzem
formulao das equaes da continuidade. So apresentados alguns casos particulares
com interesse prtico da equao da continuidade, nomeadamente: o transporte num
cristal homogneo e neutro e o transporte dominado pela difuso e pela recombinao. O
primeiro caso, importante para o caso da iluminao uniforme de cristais, permite a
descrio do efeito fotoeltrico interno, que ser tratado mais pormenorizadamente no
captulo 6, dedicado aos dispositivos optoelectrnicos. O segundo caso tem aplicao no
estudo do transporte nos dispositivos bipolares, onde a corrente comandada pela difuso
dos portadores de minoria, como, por exemplo, no estudo da juno semicondutora.
Como exemplos de dispositivos de semicondutores homogneos so descritas as
resistncias semicondutoras, quer intrnsecas, quer extrnsecas. Como exemplos prticos

Lidel-Edies Tcnicas

XXIV Fundamentos de Eletrnica

so considerados: os termstores, como sensores de temperatura, e a sonda de efeito de


Hall, para medidas de campo magntico.
No Captulo 2, Dodos de Juno p-n, so tratadas as heterogeneidades associadas s
estruturas do tipo metal-semicondutor (heterojuno) e semicondutor-semicondutor
(homo ou heterojuno). Para este ltimo caso, dado particular destaque s
homojunes p-n. descrita, pormenorizadamente, a juno em equilbrio
termodinmico e demonstrado o aparecimento da diferena de potencial de contacto
associado. Segue-se o estudo da caracterstica estacionria tenso-corrente do dodo, com
a descrio das vrias zonas de funcionamento e a apresentao dos modelos mais usuais,
desde o modelo exponencial aos modelos obtidos por linearizao por troos da
caracterstica. Em regime varivel, apresentam-se os modelos para sinais incrementais,
com as definies da condutncia incremental e das capacidades diferenciais de transio
e de difuso. So descritas algumas das aplicaes mais usuais dos dodos
semicondutores, nomeadamente: os circuitos retificadores, os circuitos limitadores e os
circuitos reguladores de tenso. So ainda abordados os aspetos trmicos, com o estudo
da influncia da temperatura nas caractersticas do dodo. Num grau de complexidade
crescente, so descritas as heterojunes retificadoras ou no retificadoras, atravs de
modelos das bandas simplificados, salientando-se os aspetos em que se distinguem das
junes convencionais e os domnios em que se apresentam vantajosas face quelas.
Ainda no mbito dos dispositivos bipolares, descreve-se no Captulo 3 o Transstor
Bipolar de Junes. Apresentam-se as vrias zonas de funcionamento em regime
estacionrio, nas montagens bsicas de emissor comum, coletor comum e base comum,
atravs das suas caractersticas de entrada e de sadas mais usuais. Apresentam-se os
modelos para sinais incrementais. So dadas as definies de ganhos de corrente, de fator
de transporte, de rendimento de injeo e de transcondutncia. Descreve-se e modeliza-se
o efeito de Early. Como aplicaes, so referidos os circuitos inversores, para o domnio
da eletrnica digital, e os circuitos amplificadores, na rea da eletrnica analgica. Na
parte final do captulo, so descritas, de forma sumria, algumas estruturas bipolares no
convencionais, nomeadamente: os transstores bipolares de heterojuno, num estudo
comparado face aos transstores convencionais, os transstores de radiofrequncia, os
transstores de comutao, os transstores de eletres quentes e os de base permevel.
No Captulo 4 analisado um dispositivo unipolar, o Transstor de Efeito de Campo
(FET). Estudam-se com algum detalhe os princpios de funcionamento de dois
dispositivos desta famlia: o FET de junes (JFET) e o de estrutura metal-xidosemicondutor (MOSFET). Apresentam-se as zonas de funcionamento, as vrias
montagens, as caractersticas estacionrias de corrente-tenso e os modelos para pequenos
sinais. Numa descrio sumria, so referidas outras estruturas desta famlia que, em
algumas aplicaes, apresentam mais-valias no seu desempenho em relao s estruturas
convencionais. Citam-se, por exemplo, os transstores MESFET e os de gs
bidimensional (designados por HEMT, MODFET ou TEG-FET), importantes para
frequncias elevadas, e os TFT, importantes na obteno de circuitos de grande rea
Lidel-Edies Tcnicas

Sobre o Livro XXV


baratos e fiveis, como os que existem nos ecrs de televiso. Referem-se as principais
aplicaes destes transstores em circuitos analgicos e em circuitos digitais e comparamse os seus desempenhos face aos dispositivos similares mas do tipo bipolar.
O Captulo 5, Dispositivos Semicondutores de Eletrnica de Potncia, engloba os
dispositivos genericamente designados por tirstores. Descreve-se, em modelos com base
fsica, a caracterstica estacionria corrente-tenso e apresentam-se as estruturas e os
princpios de funcionamento dos principais dispositivos desta famlia, designadamente: o
dodo de quatro camadas, o retificador controlado de silcio SCR e o GTO. Estruturas
mais complexas como o MOSFET de potncia e as hbridas como o IGBT so igualmente
descritas num estudo comparativo. Especial nfase dada aos aspetos trmicos, muito
importantes atendendo aos nveis de corrente normalmente envolvidos, e aos aspetos
dinmicos nas transies entre os estados de conduo e os de bloqueio direto e inverso.
O Captulo 6, Dispositivos Optoeletrnicos, dedicado aos dispositivos semicondutores
baseados no efeito fotoeltrico interno e, portanto, interao luz-matria. Aps uma
descrio das noes bsicas de optoelectrnica, d-se particular nfase aos fotodetetores
(foto-resistncias, fotododos, foto transstores e foto tirstores), aos conversores
fotovoltaicos (clulas solares), aos emissores de luz (LED e LASER) e aos acopladores
ticos.
Por ltimo, para apoio na leitura desta obra, inclumos ainda, no final do livro, Listas de
Acrnimos, Constantes e Smbolos que podero ser consultadas sempre que necessrio.

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16 Fundamentos de Eletrnica

Eletres quentes

(m

*
n2

> mn*1

)
mn*1

WC
WG
WV
p
Buracos pesados

(m

*
p2

> m*p1

Buracos leves

(m )
*
p1

Figura 1.10 Representao esquemtica da relao W(p) para o Si.

1.3.2 Relao entre WG e a energia dos fotes


Nos semicondutores de banda direta, as transies de eletres entre bandas envolvem
basicamente variaes de energia. Deste modo, quando um eletro transita da banda de
conduo para a banda de valncia, a energia fornecida sob a forma de um foto com
um valor prximo de WG. Por sua vez, um foto incidente com energia superior ou igual a
WG poder ser facilmente absorvido por um eletro de valncia, que transita depois para a
banda de conduo. Estes materiais so, portanto, os mais adequados no fabrico de
dispositivos emissores e detetores de luz. As transies nos semicondutores de banda
indireta envolvem energia e momento, o que conduz a rendimentos de emisso muito
baixos, e que, portanto, impedem na prtica a sua utilizao no fabrico de dispositivos
emissores de luz. Sob o ponto de vista da absoro de luz, estes materiais, embora menos
eficientes do que os de banda direta, podem ser utilizados com vantagens em
determinadas aplicaes, como o caso dos fotodetetores de Si. A altura da banda
proibida determina o comprimento de onda da radiao emitida e traduz a energia mnima
dos fotes absorvidos. A relao entre WG e o comprimento de onda parte da definio
da energia associada a um foto, dada por:
W fotao = hf

(1.7)

em que h a constante de Planck e f a frequncia da radiao. No vazio:

f =c/

(1.8)

em que c a velocidade de propagao da luz no vcuo (c  3 108 m / s ) e o


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134 Fundamentos de Eletrnica

O retificador de onda completa permite a passagem de corrente nos dois sentidos,


obrigando utilizao de circuitos com, pelo menos, dois dodos (Figura 2.23).
I
US

US

U
US

(a)

(b)

U, I

U M < U disr

Figura 2.23 Retificador de onda completa. (a) Circuito com transformador com ponto mdio;
(b) Circuito com ponte de dodos. A tenso est representada a tracejado e a corrente a trao contnuo.

Quando se pretende fazer uma anlise rpida e pouco precisa do PFR do dodo, tal como
nos casos dos exemplos dos circuitos retificadores, pode ser suficiente utilizar um modelo
simplificado para a caracterstica do dispositivo. Na polarizao inversa, o dodo possui
correntes muito baixas (da ordem dos 109 A para o Si) e pode ser aproximado por um
circuito em aberto. Atendendo a que as tenses de polarizaes direta no dodo so
relativamente baixas pode-se, numa primeira aproximao, desprez-las relativamente a
outras tenses na malha, se estas forem muito maiores. Neste caso o dodo pode ser
olhado como um curto circuito e designa-se por dodo ideal, e tem a caracterstica
representada na Figura 2.24(a).
I

(a)

(b)

UD

(c)

UD

Figura 2.24 Modelos simplificados para a caracterstica do dodo de juno. (a) Dodo ideal;
(b) Modelo de fonte de tenso; (c) Modelo de fonte de tenso mais resistncia.
Lidel-Edies Tcnicas

UD

Transstor Bipolar de Junes 241

3.7 Aplicaes: Circuitos inversores


Uma das grandes reas de aplicao dos TBJ a eletrnica digital, embora neste domnio o
seu uso tenha sido preterido em favor dos transstores de efeito de campo (Captulo 4). Na
eletrnica analgica (Seco 3.6), o que se pretende que a sada seja uma rplica
amplificada do sinal entrada, da que a linearidade seja condio a cumprir. Contudo, na
eletrnica digital essa condio no exigida, pretendendo-se a obteno de sinais de
amplitudes elevadas ou baixas, para que se possam definir os nveis lgicos 1 e 0 da
lgica binria. Nesse sentido, o transstor dever ser polarizado na zona de corte, onde se
definem nveis elevados de tenso, e na zona de saturao, onde as tenses em causa so
normalmente desprezveis. Outro dos requisitos importantes que as transies de uma para
a outra zona sejam rpidas, o que condiciona no s a escolha dos materiais, como tambm
das configuraes ou circuitos eletrnicos associados. Mais uma vez, a apresentao aqui feita
ser de circuitos exemplificativos muito simples com elementos discretos, embora, na
realidade, as aplicaes habituais recorram ao uso de integrao de maior ou menor escala, de
modo a garantir bons desempenhos traduzidos por diversos fatores de mrito (rapidez,
preciso, fiabilidade, repetibilidade, etc.).

Experincia 3.3

Considere o circuito da figura que corresponde a uma montagem EC com um circuito de polarizao como o da
Figura 3.33c.

+EC = 20 V
RC = 3.3 k

Osciloscpio
(canal 1)

Osciloscpio
(canal 2)

RB = 100 k
uI
vCE

B
E

A figura seguinte mostra as evolues temporais das tenses de entrada e de sada, respetivamente, ui ( t ) e

vCE ( t ) , para uma frequncia de 100 Hz.

(continua)

Lidel-Edies Tcnicas

242 Fundamentos de Eletrnica

(continuao)

Esta frequncia suficientemente baixa para que se possam usar as equaes de Ebers-Moll do transstor ou
as suas derivadas (situao quase-estacionria).
No meio ciclo negativo da tenso de entrada, o transstor est ao corte e, portanto, a sada igual a E C .
No meio ciclo positivo da tenso de entrada e acima de, aproximadamente, 0,6 V, o transstor entra na ZAD.
As leituras obtidas no osciloscpio mostram, no entanto, que para tenses de entrada acima de
aproximadamente 2 V o transstor satura.
Admitindo que na zona de saturao do transstor se verifica VBE on 0, 6V ; VCE sat 0, 2 V, tem-se uma

corrente de coletor dada por IC = E C VCE sat / RC 6 mA, ou seja, um ganho de corrente F = 428, o
que est de acordo com a gama de valores de catlogo para este transstor (BC547B).
Usando o osciloscpio no modo X-Y, visualiza-se a caracterstica de transferncia vCE ( ui ) .

(continua)

Lidel-Edies Tcnicas

Transstores de Efeito de Campo (FET) 327

Como evidente, precisa. A energia necessria para assegurar a comutao entre os


estados 0 e 1. Considere-se o circuito do inversor CMOS com uma capacidade de
carga (Fig 4.42(a)). Esta representa a capacidade das ligaes e de outros inversores ou,
em geral, de portas lgicas ligadas sada do inversor CMOS.
+VDD

+VDD

G
Qp

uI

iDp

D
iDn

Qn

uI

uo

uC

uI

uC

(a)

(b)

(c)

Figura 4.42 (a) Circuito CMOS com carga capacitiva; (b) Circuito CMOS quando se d a transio 0 1
(pull-down); (c) Circuito CMOS quando se d a transio 1 0 (pull-up).

No instante t = 0, a capacidade est descarregada (uo = 0 V) e o sinal uI posto a 0 V (0


lgico). Assim, o transstor de canal-n fica cortado e o transstor de canal-p vai conduzir,
carregando a capacidade at que a sua tenso atinja, aproximadamente, VDD.
A carga total fornecida pela fonte de tenso Q = CVDD e a energia posta em jogo no
processo W = Q uo, em que uo = VDD. A energia total fornecida pela fonte , portanto,
W = C V 2DD.
A energia total fornecida pela fonte parcialmente dissipada no transstor de canal-p. A
energia armazenada no condensador WC pode ser calculada, admitindo que o sinal uI
uma onda quadrada e que possui o valor de VDD durante metade do perodo da oscilao.
Sendo PC a potncia posta em jogo no condensador, tem-se:
PC = uC iC
T 2

WC =

P dt
C

WC = C

VDD

WC = C

2
VDD
2

(4.113)
uC duC

370 Fundamentos de Eletrnica

Tabela 5.1

Dispositivos semicondutores da EP mais usuais

Dispositivos

Smbolo

Caractersticas

Dodo p-i-n

Dispositivos bipolares. Correntes de conduo at 5000 A; tenses de


bloqueio at 10 kV. Tempos de recuperao da polarizao inversa (trc)
inferiores a 100 ns para dodos ultrarrpidos, mas de centenas de s para
dodos com comutao natural utilizados na retificao.

Dodo de
Schottky

Dispositivo unipolar. Mais rpidos que os p-i-n. Junes Si (n)-metal.


Correntes de conduo inferiores a 100 A; tenses de bloqueio inferiores a
100 V; tempo de recuperao de polarizao inversa, trc = 0. Dodos de
Schottky de SiC com tenses de bloqueio da ordem dos 1500 V, para
correntes inferiores a 50 A.

MOSFET
(Metal Oxide
Semiconductor
Field Effect
Transistor)

Dispositivo unipolar. Corrente de dreno controlada por terminal de porta.


Geralmente de enriquecimento e contendo um dodo na sua constituio.
Correntes de conduo inferiores a 100 A e tenses de bloqueio inferiores
a 1000 V. Tempos de comutao podem ser da ordem das dezenas de ns.

IGBT
(Insulated gate
bipolar
transistor)

Dispositivo hbrido constitudo por um transstor bipolar com comutao


controlada por uma estrutura MOSFET. Correntes de conduo da ordem
do kA e tenses de bloqueio que podem chegar a 2500 V. Tempos de
comutao inferiores aos dos transstores bipolares, mas acima do s.
Construo de mdulos de IGBT em paralelo permite lidar com
intensidades de corrente uma ordem de grandeza superior conseguida em
dispositivos isolados.

SCR
(Silicon
Controlled
Rectifier)

o dispositivo mais importante da famlia dos tirstores. Conduz e sai da


conduo como o dodo p-i-n e pode passar do corte para a conduo com
impulso de porta. Lida com correntes que podem atingir os 5000 A e
bloquear tenses at 8 kV. Em comutao forada, precisa de tempos da
ordem da centena de s para a recuperao do estado de corte. Montados
em srie, podem operar nas centenas de kV.

TRIAC
(TRIode for
Alternating
Current)

Por construo anlogo a dois SCR antiparalelos. Conduz nos dois


sentidos. Entrada em conduo pode ser comandada com um impulso de
porta com qualquer polaridade. Correntes da ordem das dezenas de
Ampre; bloqueia tenses que no ultrapassam 1 kV. Utilizado em
ferramentas eltricas de baixa potncia.

GTO
(Gate TurnOff)

Um tirstor cuja transio conduo-corte pode tambm ser controlada


pelo terminal de porta. Substitui o IGBT para elevadas potncias, uma vez
que possui caractersticas de conduo e de bloqueio semelhantes ao SCR.
Opera a frequncias que no ultrapassam 10 kHz.

IGCT
(Insulated
GateCommutated
Thyristor)

Anlogo ao GTO, mas com menos perdas e suportando tenses de


bloqueio superiores. Distingue-se pelo facto de as correntes de porta na
transio conduo-corte serem maiores do que as correntes de nodo, de
forma a cortar totalmente a injeo de ctodo. O terminal de porta dever
ter baixa indutncia, da que o circuito de controlo do terminal de porta
seja encapsulado juntamente com o dispositivo.

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Dispositivos Semicondutores de Eletrnica de Potncia 409

andica. Para que esta corrente cresa, campos eltricos intensos devero estar presentes
para levar saturao de velocidade de eletres e caracterstica de transferncia linear
indicada na Figura 5.25(b).
S-Fonte

G-Porta

S-Fonte

UGS
Rcanal Racumulao
n+
p
n

Acumulao
Rn

n+
D-Dreno
UDS

D-Dreno

Figura 5.26 Modelo para a resistncia dreno-fonte num transstor MOS de potncia funcionando na zona linear.

5.6.3. Caractersticas de comutao


5.6.3.1 Modelos

Os dispositivos MOS enquanto dispositivos unipolares no so governados por processos


de acumulao e de remoo de minorias no interior da estrutura. As cargas em
movimento so apenas as necessrias carga e descarga das capacidades associadas ao
xido e s zonas de carga espacial das diferentes junes. Estas capacidades podem ser
modeladas pelo circuito da Figura 5.27.
A capacidade Cgs resulta do paralelo de duas capacidades. Uma vez que a metalizao da
fonte cobre todo o dispositivo de potncia, haver uma capacidade Cg-metal entre a porta e
o metal da fonte. Esta capacidade dominante em Cgs e, por ser a capacidade de um
xido, no depende da polarizao. Para alm desta capacidade, h a considerar a
capacidade Cg-p, que constituda pela srie de duas capacidades: capacidade porta-canal
e capacidade canal-regio p. Quando existe canal, o contributo para Cgs dado
unicamente pela capacidade do xido porta-canal, que no depender da polarizao. Para
UGS inferior a Vt, a regio p na proximidade do xido estar depleta e a capacidade da
associao srie ser dominada pela capacidade de menor valor associada zona de carga
espacial.
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