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Casi todos los circuitos de microondas y radiofrecuencia utilizan alg no de estos tres dispositi alguno dispositivos: os: diodos de barrera Schottk Schottky, transistores de unin p-n o transistores de efecto de campo (FETs). Dentro de esta amplia gama hay varios tipos de dispositivos: gran variedad de diodos de barrera Schottky Schottky, transistores de unin bipolar (BJTs), de heterounin bipolar (HBTs), FETs con epitaxia metal semiconductor (MESFET), transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) transistores metal (HEMTs), metal-xido-semiconductor xido semiconductor (MOSFET) y transistores de unin FET (JFET). El presente captulo aporta una descripcin del modelo de los anteriores dispositivos en alta frecuencia. frecuencia
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 9:Dispositivos semiconductores en Microondas Microondas-9- 1
NDICE
ndice ndice. Introduccin a los dispositivos de estado slido. Diodos basados en dispositivos de barrera Schottky. Varactores. Transistores basados en uniones bipolares. T Transistores i basados b d dispositivos di ii de d efecto f de d campo. Ejemplo de tablas de caractersticas de dispositivos
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Rango de frecuencias
Desde RF a submilimtricas Varactor p-n p n hasta 50 GHz GHz, varactor Schottky hasta cientos de GHz, SRDs hasta 25 GHz. Normalmente hasta banda X
Caractersticas y aplicaciones
Mezcladores, moduladores, detectores y multiplicadores. Multiplicadores de frecuencia. frecuencia Los SRDs para generar pulsos rpidos y para multiplicadores de orden superior. Amplificadores de pequea seal (no de bajo ruido). Dispositivos rpidos digitales. Dispositivos de potencia. Osciladores con bajo ruido de fase (gracias al bajo 1/f) Amplificadores de potencia, osciladores con bajo ruido de fase (para amplificadores de bajo ruido son preferibles los MESFETs o HEMTs)
Bipolares BJT
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Rango de frecuencias
Slo hasta VHF o UHF
Caractersticas y aplicaciones
Aplicaciones de bajo coste y bajo ruido en amplificadores, mezcladores, osciladores y conmutadores. Amplificadores, osciladores, mezcladores, moduladores, multiplicadores Igual que los MESFETs.
MESFET (metal con semicoductor epitaxial) Transistores de alta movilidad HEMTs MOSFETs (metalxidosemiconductor)
Pueden trabajar hasta unos 30 GHz (a frecuencias superiores se prefieren los HEMTs) Es el dispositivo que llega a una frecuencia mayor, el lmite puede estar en los 300 GHz. Hasta la parte baja de la banda X, lo ms comn es 2-3 GHz.
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Efectos trmicos:
A mayor ancho de banda prohibida menores efectos trmicos (mejor AsGa que Si)
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AsGa
Concentracin intrnseca ms baja que el Si y mayor movilidad de electrones. Menor dependencia con la temperatura Tecnologa ms compleja y de mayor coste. coste Comportamiento deficiente en alta potencia.
PI
Caractersticas importantes en alta frecuencia pero todava no estn explotadas. explotadas
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En presencia de polarizacin:
La carga se mueve entre dos polos (nodo y ctodo) creando una capacidad no lineal. Si se aplica un voltaje positivo al nodo, disminuye la barrera y pueden pasar ms e- del sc al metal. Esta corriente es altamente no lineal.
Is corriente de saturacin, de valor muy pequeo de a 10-8 A; n es el factor de idealidad (cuanto ms ideal sea el diodo, ms prximo a 1); e es la carga del electrn (1.6 (1.6*10 10-19 C); k es la constante de Boltzmann (1.38 (1.38*10 10-23 J/K); T: temperatura absoluta en K
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g(Vj)
LS
RS Cp
Cj(Vj)
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Dispositivos:
Diodos de unin p-n por su capacidad no lineal. Diodos Schottky: slo cuando las capacidades de difusin son muy altas. SRD (step recovery diodes): son dispositivos de unin p-n pero que funcionan con polarizacin directa. p
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LS
RS Cf Cp
Rj Cj(Vj)
C j (V j ) =
C j0 Vj 1
Parmetros:
C j 0 : capacidad con V j = 0 V : polarizacin en inversa j : diferencia de potencial sc metal : engloba efectos de parmetros tecnolgic.
Voltaje de ruptura: mximo voltaje inverso antes de que se produzca disrupcin. 1 Frecuencia de corte en esttica: para una tensin de ruptura fija
fc =
Frecuencia de corte en dinmica: se mide en funcin de la variacin de la capacidad cuando fc = se aplica una tensin inversa al diodo
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2 Rs C jv
Operacin:
Como una unin p-n con un terminal adicional. La corriente en la unin p p-n est controlada p por VBE, p pero esta corriente se recoge g p por un tercer terminal: colector, con una amplificacin de dicha corriente:
IC IB
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VBC<0
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VBE>0.7
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I cf = I sf exp e p 1 kT
e VBE I exp = sf kT
e VCE 1 exp kT
El primer trmino establece el pico de la corriente de colector (VCE grande) El segundo modela la corriente en funcin de la VCE
La transconductancia ser:
IC
Aumento de Ib VCE
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Gm =
dI c dVBE
VCE >> kT e
e Ic kT
C jje =
C je 0 1 VBE
; C jjc =
C jc 0 1 VBC
BE
BC
Cbe ,
Capacidad total:
Frecuencia de corte para ganancia de corriente unidad: Frecuencia mxima (fmax) a la que el producto ganancia ancho de banda es 1.
Otros parsitos:
Resistencias en todos los terminales Capacidades asociadas a la unin colector-substrato
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO ( (www.avagotech.com) g ) AT32063: g grficas y tablas
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO (www.avagotech.com) AT32063: parmetros S (I)
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE AVAGO (www.avagotech.com) AT32063: parmetros S (II)
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Estructura:
Sustrato de baja conductividad de tipo p Se difunde un canal tipo n sobre dicho sustrato con regiones n+ en los extremos para realizar los contactos hmicos. Finalmente, se difunde una regin p+ en el canal n que constituir la puerta.
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Transconductancia: una alta transcontranscon ductancia es necesaria para conseguir alta ganancia en dispositivos de pequea seal
DS
Saturacin Lineal
dI ds Gm = dVgs
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Rg Vg
Rd Rds
Drenador
El tiempo de trnsito es elevado lo Rs que reduce el valor de la transconductancia Surtidor y la mxima frecuencia de utilizacin. La capacidad de puerta a canal es elevada lo que reduce la mxima frecuencia de utilizacin. Esta capacidad est compuesta de Cgd y Cgs y su aportacin depende de la regin de funcionamiento. El proceso de fabricacin es la difusin de dopantes lo que implica trabajar con Si que tiene caractersticas de movilidad menores que el AsGa o el InP. InP El proceso de difusin crea perfiles mucho menos abruptos. Se crea otra unin p-n entre canal y substrato
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Prestaciones:
Sobre las caractersticas del circuito en que se utiliza: Mnima figura de ruido para valores de Ids del 10 al 25% de Idss Mnima distorsin para valores de Ids en torno al 50% de Idss Mxima M i ganancia i para valores l de d Ids en torno t a Idss La impedancia de fuente que proporciona mnimo ruido es completamente diferente de la que proporciona la mejor ganancia. La ganancia y la distorsin son bastante insensibles a la impedancia de fuente. fuente
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Alta ganancia
VGS=0
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HOJAS DE CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MESFET AVAGO ATF34143: modelo no lineal y caractersticas de p potencia
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POLARIZACIN DE AMPLIFICADORES
Funciones:
Fija el punto de polarizacin del circuito: Circuito de polarizacin (fija Vg y Vd) (1) La seal RF no debe introducirse en el circuito DC (2) El circuito RF no debe verse afectado por el circuito DC: reduce el efecto de las descargas transitorias y garantiza un corto en RF (3) Los circuitos RF exteriores no deben verse afectados por la polarizacin del circuito i it en cuestin: ti asla l etapas t de d RF (4) (4) (2)
VG
VD
(1)
(3)
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EJEMPLO DE TRAZADO FSICO PARA UN RADIADOR ACTIVO EN RECEPCIN (AMPLIFICADOR SIN RED DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA
Red de polarizacin
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CONCLUSIONES
Se han presentado las caractersticas y aplicaciones de los dispositivos semiconductores para circuitos de microondas. microondas Son tres los dispositivos que, de forma general, se han presentado: diodos Schottky, transistor bipolar (normalmente de heteroestructura), transistores de tipo FET (normalmente HEMT y MESFET). Los diodos se utilizan para mezcladores, multiplicadores y moduladores. Los elementos bipolares se utilizan para aplicaciones de baja frecuencia (por debajo de 8 GHz, generalmente) y donde las especificaciones de ruido no son importantes. Tambin se utilizan para osciladores porque su ruido de fase es bajo. Los elementos de efecto de campo se utilizan en frecuencias mucho ms elevadas que los bipolares y donde las caractersticas de ruido han de ser bajas. Aplicaciones: p amplificadores p de bajo j ruido, , mezcladores y multiplicadores. p
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BIBLIOGRAFA
S. Maas, The RF and Microwave Circuit Design Cookbook, Artech House, 1998. 1998 S. Maas, Nonlinear microwave circuits, IEEE Press 1997. Collin, , Foundations for microwave engineering, g g , segunda g edicin, , Wiley y 1992.
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