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PSI 2223 Introduo Eletrnica

Programao para a Terceira Prova


21 Aula:
O MOSFET como Amplificador
Ao final desta aula voc dever estar apto a:




- Explicar a utilizao do MOSFET como amplificador quando opera na
regio de saturao

- Empregar o Modelo para pequenos sinais para calcular o ganho de
tenso em amplificadores como MOSFET

Caractersticas de Corrente-Tenso do NMOSFET Tipo
Enriquecimento
Equaes de I
D
=f(V
GS
, V
DS
) de 1
a
Ordem
Regio Triodo: 0< v
DS
s v
GS
-V
t
( )
2
2
DS
D n GS t DS
v W
i k v V v
L
(
'
=
(

Regio de Saturao: 0< v
GS
-V
t
s v
DS
( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

'
=
onde
ox n
ox
ox n
.C
x

= =
'
n
k
(Parmetro de Transcondu-
tncia do processo [A/V
2
])
NMOSFET
Regio de Corte: v
GS
s V
t
ou v
GS
-V
t
s0
i
D
=0
1
( )
( )
D n ox GS t DS
DS n ox GS t
W
i C v V v
L
W
r C v V
L

~
=
Linear ( se v
DS
<< v
GS
-V
t
) Parablica
Regio de Saturao

V
DS
> V
GS
V
t
Limiar entre triodo e saturao: v
DS
= v
GS
- V
t
NMOS
( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

'
=
MOS saturado!
Exemplo 4.4 Como operar em saturao?
Fazer
V
DS
V
GS
V
t
ou V
GS
V
DS
+ V
t

[ v
GS
s v
DS
+V
t
]
Operando na Regio de Saturao
[ v
GS
s v
DS
+V
t
]
O DS I GS
v v e v v = =
DD D D DS
V R i v = +
( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

' =
1
DD
D DS
D D
V
i v
R R
=
carga passiva
Operando na Regio de Saturao
carga passiva
v
i
v
o
[ v
GS
s v
DS
+V
t
]
DD
D
V
R
1
DD
D DS
D D
V
i v
R R
=
Operando na Regio de Saturao
v
I
v
O
DD
D
V
R
1
DD
D DS
D D
V
i v
R R
=
( )
( )
i t DS t
saturao
v entre V e v V +
i t
v V <
( )
( )
i DS t
v v V
triodo
> +
v
O
O MOSFET como Amplificador

Como amplificador o MOSFET utilizado na regio de saturao
carga passiva
[ V
GS
s V
DS
-V
t
]
Ser que podemos analisar esse comportamento
matematicamente na regio de saturao?
( )
2
GS t
D
V
W
k
L 2
n
v
i

'
=
D
GS
D d
GS gs
i I i
v V v
= +
= +
Regio de Saturao: Modelo para grandes sinais

( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

'
=
GS t
DS GS t
v V
v v V
>
>
Sofisticando o Modelo na Regio de Saturao

( )
2
1
2
( . )
GS t
D n DS
v V
W
i k v
L

'
= +
( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

'
=
A
V
onde
1
=
V
A
GS t
DS GS t
v V
v v V
>
>
Modelo de circuito equivalente para grandes sinais de
um NMOSFET operando em saturao incorporando r
0

A D
o
V
onde
I
r
1 1
= =

Regio de Saturao: Modelo para grandes sinais



O MOSFET como Amplificador

Como amplificador o MOSFET utilizado na regio de saturao
carga passiva
( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

'
=
[ V
GS
s V
DS
-V
t
]
O MOSFET como Amplificador

Falamos que como amplificador o MOSFET utilizado na regio de saturao
. .( )
GS GS
D
GS
v V
m n GS t
i
v
W
g k V V
L
=
c
c
'
= =
( )
2
2
GS t
D n
v V
W
i k
L

'
=
gs m d
v g i =
inclinao
(aproximao)
Modelos Equivalentes de Circuitos
. .( )
DS
m n GS t
GS
i W
g k V V
v L
c
'
= =
c
Pequenos Sinais
Grandes Sinais
d
i
g
i
gs m d
v g i =
Modelos Equivalentes de Circuitos para
Pequenos Sinais
D
A
o
I
V
r ~
. .( )
DS
m n GS t
GS
i W
g k V V
v L
c
'
= =
c
Pequenos Sinais
d
i
g
i
gs m d
v g i =
Pequenos Sinais com r
o
d
i
g
i
) // // (
L o D m
gs
d
V
R r R g
v
v
A = =
Ganho de Tenso
Modelos Equivalentes de Circuitos para
Pequenos Sinais
/ / / / ) (
d m gs L D o
v g v R r R =
At onde vale o Modelo Equivalente
para Pequenos Sinais?
2
2
( )
GS gs t
D n
V v V
W
i k
L
(
+

'
=
(saturao)
( ) ( )
2
2
1 1
2 2
D n GS t n GS t gs n gs
W W W
i k V V k V V v k v
L L L
' ' '
= + +
v
GS
>>
( )
2
1
2
n gs n GS t gs
W W
k v k V V v
L L
' '
<<
( )
2
GS t
V V
gs
v <<
Pequenos Sinais!

PSI 2223 Introduo Eletrnica
Programao para a Terceira Prova
21 Aula Parte II:
O MOSFET como Amplificador II
Ao final desta aula voc dever estar apto a:


- Empregar o Modelo para pequenos sinais para calcular o ganho de
tenso em amplificadores como MOSFET

- Identificar a condio em que se considera um sinal como de
pequena amplitude

Operando na Regio de Saturao
[ V
GS
s V
DS
-V
t
]
carga passiva
Modelos Equivalentes de Circuitos para
Pequenos Sinais
limite com o corte
limite com a triodo
Limite com o corte:
| |
2
0
2
( )
GS t t
GS t D n
v V V
W
v V i k
L
=
' = = =
Limite com o triodo:
| |
2
0
2
max
( )
DS t t
GS DS t D n
v V V
W
v v V i k
L
+
' = + = =
2
2
DS
D n DD DS D D
v W
i k e V v R i
L
' = = +
0
max
( )
DS DD D
v V i = =
2
2
DS
DD DS D n
v W
V v R k
L
| |
' = +
|
\ .
2
0
2
min min
'

D DS DS DD
k W
R v v V
L
+ =
Modelos Equivalentes de Circuitos para
Pequenos Sinais
.
L
W
. k g
n m D
I
'
= 2
g
m
t GS
D
V V
I

=
2
) V V .(
L
W
. k
V
I
g
t GS n
GS
DS
m

'
=
c
c
=
D
A
o
I
V
r ~
( )
t GS
V V << 2
GS
v
Pequenos Sinais!
Outras maneiras de expressar g
m
Ex. 4.10: Amplificador MOSFET fonte comum empregando um resistor
de realimentao dreno-porta: Qual o ganho de tenso? Qual a
resistncia de entrada? Qual o maior sinal possvel na entrada?
I
D
=
1
2
0, 25(V
GS
1, 5)
2
V
D
= 15 R
D
I
D
= 15 10I
D

I
D
= 1,06 mA e V
D(S)
= V
G(S)
= 4,4 V
Calcular POLARIZAO (= I
D
, V
DS
, V
GS
)
Calcular PEQ. SINAIS (= A
v
, R
in
, R
out
)
FET:
Reta de Carga:
O papel do resistor de realimentao R
G

entre dreno e porta
I
D
mais constante
carga passiva
Saturao: V
DS
> V
GS
V
t
V
DS
= V
DD
R
D
I
D
OU
V
DD
= V
GS
+ R
D
I
D
Se I
D
tende a aumentar, V
GS
diminui,
forando I
D
a diminuir. E vice-versa
( )
2
V V
L
W
k I
2
t GS
D

'
=
n
R
G
garante saturao, pois V
DS
= V
GS
!!!
FET:
Reta de Carga:
Ex. 4.10: Qual o ganho de tenso?
V / mA 725 , 0
) 5 , 1 4 , 4 ( 25 , 0
) (
=
=
=
'
t GS n m
V V
L
W
k g
O = = = k 47
06 , 1
50
D
A
o
I
V
r
) / / / / (
o L D gs m o
r R R g v v ~
i
G
0
V / V 3 , 3 ) 47 / / 10 / / 10 ( 725 , 0
) / / / / (
= =
=
o L D m
i
o
r R R g
v
v

Ex. 4.10: Qual a resistncia de entrada?
i
G
0 mas no desconsideramos neste caso!!!
G o i i
R i / ) ( v v =
i
i
in
i
R
v
=
O = = = M ,
,
M ,
33 2
3 4
10 3 4
in
G
i
i
R
R
i
v
| | ) , ( 3 3 1
1
=
|
|
.
|

\
|
=
G
i
i
i
o
G
i
i
R
i
R
i
v
v
v v
Ex. 4.10: Qual o maior sinal possvel na entrada?
Devemos manter o MOSFET na saturao:

v
DS
v
GS
V
t

t i GS i v DS
V v V v A V A + = A
v
DSmin
= v
GSmax
V
t

5 1 4 4 3 3 4 4 , , , , A + = A
i i
v v
V v
i
34 0, = A
22 Aula:
O MOSFET como Amplificador II
Ao final desta aula voc dever estar apto a:


- Identificar as configuraes bsicas de amplificadores MOSFET
empregados em Circuitos Integrados

- Explicar a necessidade de polarizar para I
D
constante

- Determinar o ganho de tenso nas configuraes fonte comum,
porta comum e dreno comum