1

Corroso mida
Microfabricao em Substrato - I 4
2
Microfabricao em Substrato - I 4
O principio bsico de funcionamento da maioria dos sensores e transdutores baseados
em MEMS est relacionado existncia de estruturas auto sustentadas que podem
executar algum tipo de movimento. Estas de estruturas so produzidas pelas chamadas
Tcnicas de Microfabricao, que de forma no muito rigurosa, podem ser
classificadas em Microfabricao em Substrato e Microfabricao em Superfcie.
Na tcnica de Microfabricao em Substrato as diversas estruturas auto sustentadas
so produzidas atravs da remoo parcial ou total, pela frente ou pelas costas, do
substrato de Si.
Na Microfabricao em superfcie as estruturas auto-sustentadas so obtidas atravs
da deposio de camadas sucessivas e alternadas de materiais estruturais (do qual
feita a microestrutura) e sacrificiais (que devem ser removidos para liberar as regies
auto sustentadas).
Em qualquer caso, o processo bsico envolvido a corroso, seja de lminas de c-Si,
ou de filmes dos mais diversos materiais. Portanto, nosso estudo das tcnicas de
microfabricao ser iniciado com um estudo detalhado das tcnicas de corroso.
3
Corroso
Corroso MIDA do Si ( Wet etching )
Corroso mida Isotrpica
Corroso mida Anisotropica
EPD
KOH
TMAH
! Mecanismos de interrupo da corroso
Cristalografia do Si
Compensao de cantos
Corroso SECA (por plasma) do Si ( Dry etching )
4.1
Nesta
aula
4
Corroso do Si 4.1
3.1 Corroso do Si
A corroso do Si pode ser Isotrpica ou Anisotrpica e ser efetua
por via mida ou seca (travs de processos a plasma)
5
3.1 Corroso do Si
Corroso de Si
ndice
KOH,
EDP (Ethylene diamina pirocatenol +gua)
TMAH (Tetra methyl ammonium hydroxide)
NaOH ,
Plasma
Corroso Anisotrpica
HNA (Ntrico + HF + Actico)
Plasma
Corroso Isotrpica
6
ndice
Alguns fatos importantes sobre a corroso mida :
Em geral, a corroso mida do Si realizada em processos de
limpeza, polimento, afinamento e tambm para revelar
caractersticas estruturais e de composio.
Processos de corroso mida so em geral mais seletivos e
rpidos que os processos de corroso a seco :
Corroso isotrpica mida : dezenas de m/min
Corroso isotrpica a seco : alguns m/min
Corroso anisotrpica mida : ~ 1 m/min
Corroso anisotrpica a seco : ~0,1 m/min
Processos de corroso mida envolvem :
(1) transporte dos reagentes ate a superfcie
(2) reao superficial
(3) transporte, para longe da superfcie, do resultado da corroso
3.1 Corroso do Si
Corroso mida do Si
7
ndice
Em geral os processos de corroso mida envolvem :
(1) Transporte dos reagentes at a superfcie
(2) Reao superficial
(3) Transporte, para longe da superfcie, do resultado da corroso
Assim :
Quando a taxa de corroso dominada por (1) ou (3), dizemos que a
corroso limitada por DIFUSO, e portanto, depende da agitao da
soluo, sendo relativamente insensveis temperatura.
Quando a taxa de corroso dominada por (2), dizemos que a corroso
limitado por REAO, e portanto, depende fortemente da temperatura,
do material sendo corrodo e da composio da soluo corrosiva
3.1 Corroso do Si
Corroso mida do Si
Mais fceis de controlar
8
3.1 Corroso do Si
Corroso mida do Si
Fatores importantes que devem ser considerados na escolha e
utilizao dos processos de corroso mida :
(1) Taxa de Corroso
(2) Seletividade (existncia de um bom material de mascaramento)
(3) Rugosidade resultante
(4) Existncia de um etch stop
(5) Compatibilidade com a tecnologia de fabricao de ICs
(6) Facilidade de uso (manuseio)
(7) Toxicidade
(8) Descarte
9
Soluo mais comum :
HNA
( HNO
3
+ HF + CH
3
COOH )
! Temperatura ambiente
! Corroso de polimento
! Remoo superfcies danificadas
! Arredondamento de bordas
abruptas deixadas pela corroso
anisotrpica
! Delineamento de junes e defeitos
! Afinamento de estruturas
monocristalinas
HNO
3
oxida o Si
HF remove o xido e forma H
2
SiF
6
(solvel )
CH
3
COOH previne a dissociao do HNO
3
em
NO
3
_
ou NO
2
_
Corroso mida e Isotrpica
3.1 Corroso do Si
10
Volta
HNA
( HNO
3
+ HF + CH
3
COOH )
Corroso mida e Isotrpica
3.1 Corroso do Si
Note que :
As mximas taxas de corroso ocorrem
para concentraes relativas de HF:HNO
3

de 2:1 (30% HF e 70%HNO
3
)
Taxas mximas ~200 um/min : 200 vezes
maiores que as obtidas na corroso
anisotrpica !
Condies usuais de uso :
250ml HF : 500ml HNO
3
: 800 ml Ac.Actico
(30% HF+70% HNO3) : 52% Ac. Actico
taxas de 4 a 20 um/hr
11
Mascaramento com HNA :
Corroso mida e Isotrpica
3.1 Corroso do Si
Solues cidas como o HNA so muito
agressivas. Por isso no fcil encontrar
materiais de mascaramento.
A taxa de corroso do SiO
2
bastante
alta, entre 30 a 40 n/min
Mesmo assim, o SiO
2
utilizado para
corroses rasas, que no exigem longos
temos de corroso
Para corroso mais profundas, so
necessrios outros materiais de
mascaramento, como :
Si
3
N
4
, principal (10 - 100 A/min)
Au e Cr/Au,
Apiezon black wax.
12
Envolve
4
processos
Volta
1. Injeo de lacunas no Si
2. Captura de HO
_
nos Si positivos
3. Reao dos radicais Si-H da superfcie
com os reagentes da soluo
4. Dissoluo dos produtos da reao na
soluo corrosiva

A soluo corrosiva deve
fornecer :
lacunas e HO
_

Corroso Isotrpica em HNA
3.1 Corroso do Si
13
Corroso mida e Anisotrpica
3.1 Corroso do Si
Apesar de apresentar uma srie de desvantagens, que tm impulsionado as
pesquisas por mtodos alternativos (particularmente processos a plasma) a
corroso anisotrpica por via mida ainda a tcnica mais utilizada para
se produzir microestruturas de Si.
Ela se baseia no fato de que, em certas solues, a taxa de corroso do Si
depende da orientao cristalogrfica dos planos expostos soluo :
algumas orientaes so corrodas muito mais rpido do que outras.
A geometria final que resulta da corroso numa certa regio de Si
determinada pelos planos com menor taxa de corroso.
Vantagens : facilidades para produzir superfcies muito lisas, com ngulos
bem definidos e fceis de prever.
Desvantagem : as microestruturas produzidas apresentam ....geometrias
limitadas a aquela permitidas pela ....cristalografia do Si.
14
3.1 Corroso do Si
A corroso mida e anisotrpica do Si conhecida desde a dcada dos 60s, a
partir dos trabalhos em Microeletrnica. Vrias solues tem sido utilizadas para
produzir este tipo de corroso, mas todas so solues bsicas :
Hidrazina, (N
2
H
4
) + pirocatecol, C
6
H
4
(OH)
2
+ gua (Crishal et. al., 1962)
EDP, Etilenodiamina, NH
2
-[CH2]
2
-NH
2
+ pirocatecol, C
6
H
4
(OH)
2
+ gua
(R.M. Fine and D.L. Klein, 1967)...... ..
NaOH,
LiOH,
KOH
NH
4
OH QAH
Corroso mida e Anisotrpica
Mais
USADAS
Em todas essas solues o plano cristalogrfico do Si que no corri (ou corri
menos) o plano (111)
TEAH, hidrxido de tetrahetilamnio, (C
2
H
5
)
4
NOH
TMAH, hidrxido de tetrametilamnio, (CH
3
)
4
NOH
15
Corroso Anisotrpica em EDP
16
Comportamento :
Sem pirocatecol h corroso pirocatecol no essencial
Com pirocatecol a corroso aumenta : ~ 3 vezes, mas o efeito satura
Sem gua no h corroso a gua essencial
Etilenodiamina + pirocatecol + gua
3.1 Corroso do Si
Corroso Anisotrpica em EDP
Os primeiros trabalhos sobre corroso anisotrpica de Si envolveram
solues de EDP (R.M.Fine and D.L.Klein, 1967). Esses trabalhos mostraram :
Altas taxas de corroso e boa relao entre as taxas dos planos (110):
(100):(111) 17:10:1
Gera poucas bolhas
Pode utilizar o silcio B
+
como etch stop
Excelente seletividade em relao ao SiO
2
no corrodo
Mascaramento com SiO
2
e Si
3
N
4
O EDP txico

17
3.1 Corroso do Si
Corroso Anisotrpica em EDP
Influencia dos aditivos e outros efeitos (A. Reisman et. al., 1979):
EDP degrada com a presena de oxignio, o que implica na necessidade de purgar a
soluo com gs inerte
Pequenas quantidades de pirazina (C
4
H
4
N
2
) aumentam a taxa de corroso, mas o efeito
satura
Receitas :
F : altas taxas de corroso (t
x
)
S : baixas t
x
e temperaturas
T : Fine& Kline
B: Bassous (1975)
Outros efeitos :
Formao de precipitados de SiO
2
em solues saturadas :
10 gr de Si 1 para cada litro de soluo F ou B (a 100 oC) (Wu et. al., 1985).
A taxa de corroso depende fortemente da agitao da soluo. Portanto, o processo
controlado por Difuso. (Abu-Zeid et. al., 1985).
18
Taxa de corroso dos planos
(100), (110) e (111) em soluo de
EDP (tipo S) em funo da
temperatura
Note que :
A taxa de corroso
ativada termicamente !
Grande diferena na
taxa de corroso entre
planos
3.1 Corroso do Si
Corroso Anisotrpica em EDP
Em 1990 H. Seidel faz o 1
o
tralho sistemtico com EDP e KOH :
Anisotropic Etching of Crystalline Silicon in
Alkaline Solutions,
H. Seidel et.al., J. Electrochem .Soc., Vol.
137, No 11 (1990) 3612
19
3.1 Corroso anisotrpica de Si em EDP
(110) : (111)
150 : 1
(100) : (111)
100 : 1
50
o
C
(100) : (111)
e
(110) : (111)
30 : 1
100
o
C
Seletividade entre
os planos
(110):(100):(111)
30 : 30 : 1
Anisotropia
(110):(100):(111)
150 : 100 : 1
Anisotropia
20
Corroso Anisotrpica em
KOH
21
Corroso Anisotrpica em KOH
3.1 Corroso do Si
Os primeiros estudos sistemticos envolvendo KOH so da dcada dos 70s
(J.B Price,1973) e, devido aos problemas apresentados pelas solues de
EDP e TMAH, tem adquirido grande importncia.
No momento solues de de KOH so as mais utilizadas para realizar a
corroso anisotrpica do Si,
Vantagens :
O processo de corroso em KOH bem conhecido, fcil de
implementar e relativamente barato.
Apresenta altas taxas de corroso altas (~1 !m/min)
Exibe boa anisotropia. Por exemplo, para KOH 40% em peso e 80 C :
Taxa de corroso dos plano (100) ~ 1 !m/min
Taxa de corroso dos plano (111) ~ 0,02 !m/min
Existem bons materiais de mascaramento (Si
3
N
4
, SiO
x
N
y
, etc.)
Pode-se utilizar o silcio tipo-p+ como etch stop
Hidrxido de Potssio, KOH
22
Corroso Anisotrpica em KOH
Taxa de corroso de Si (100) em funo
da concentrao de KOH (a 72
o
C)
Note que :
entre 10 e 25 % a taxa de corroso (R)
no varia significativamente,
a taxa mxima de corroso (~0,9 um/min),
se obtm para uma concentrao de KOH
de ~20% (em peso),
acima de 25 % a taxa de corroso cai
rapidamente (R~[H
2
O]
4
),
E. Peeters, (1994)
Efeito da Concentrao :
H. Seidel et.al., J. Electrochem. Soc., (1990)
23
3.1 Corroso do Si
Grfico de Arrhenius da taxa de corroso vertical
da superfcie (100) do Si em solues de EDP e
KOH
Efeito da Temperatura e
Comparao com EDP :
H. Seidel et.al., J. Electrochem. Soc., (1990)
Corroso Anisotrpica em KOH
Note que :
A taxa de corroso termicamente
ativada,
As energia de ativao so maiores do
que com EDP, portanto o efeito da
temperatura mais acentuado com
KOH,
a energia de ativao no muda com a
concentrao
Superfcie (100)
24
Corroso Anisotrpica em KOH
Grfico de Arrhenius da taxa de corroso do Si
(100) e (110) para solues de KOH 20%, com e
sem lcool isopropanol
Note que :
a energia de ativao na corroso
dos planos (100) e (110) a mesma,
menor seletividade na corroso dos
planos (100) e (110), quando
comparada corroso em EDP.
~86 um/min
~133 um/min
Seletividade entre os planos :
H. Seidel et.al., J. Electrochem. Soc., (1990)
Ex.: p/ 80
o
C : (Ver Apndice Seidel 1990)
(110):(100) = 133 : 86 ~ 1,5 : 1
o lcool isopropanol reduz
significativamente a taxa de corroso
dos planos (110)
25
3.1 Corroso do Si
Corroso Anisotrpica em KOH
Corroso dos planos (111) :
H. Seidel et.al., J. Electrochem. Soc., (1990)
Taxa de corroso do Si na vizinhana dos
planos (111) em solues de KOH e EDP
Note que :
A taxa de corroso do na vizinhana dos
planos (111) menor em KOH
Na vizinhana dos planos (111) a taxa de
corroso varia de forma considervel com
a orientao,
~0,15 um/min
Para ambas solues a taxa de
corroso dos planos (111) de
~0,15 um/hr
H. Seidel et.al., J. Electrochem. Soc., (1990)
26
3.1 Corroso do Si
Corroso Anisotrpica em KOH
(110):(100):(111)
~450 : ~250 : ~9
50 : 30 : 1
Anisotropia 100
o
C
(110):(100):(111)
4 : 2,5 : 0,025
160 : 100 : 1
Anisotropia 25
o
C
Seletividade entre os planos :
H. Seidel et.al., J. Electrochem. Soc., (1990)
Dados :
Ea(111) = 0,7 eV
Tx (44
o
C) ~ 0,15 um
27
3.1 Corroso do Si
Com taxas de ~ 1 um/min, a fabricao de estruturas profundas (em especial quando
atravessam toda a espessura da lmina de Si) exigem vrias horas de corroso, da a
importncia de materiais de mascaramento resistentes ao KOH e EDP
Corroso Anisotrpica : Mascaramento
A taxa de corroso do SiO
2
em KOH no
desprezvel, portanto o SiO
2
pode no ser
um bom material de mascaramento em
processos longos,
A presena de pinholes no SiO
2
agrava o
problema : mesmo filmes com 1,5 um no
so suficientes para permitir a corroso de
uma lamina com 360 um de espessura (6
hrs de corroso)
A corroso do SiO
2
tambm depende de
fatores como a geometria do recipiente e
envelhecimento da soluo
Para corroso mais longas, so requeridos
outros materiais de mascaramento, como :
Si
3
N
4
,
SiO
x
N
y

Cr
Taxa de corroso do SiO2 em
solues ca concentrao de KOH
28
3.1 Corroso do Si
Mascaramento com SiO
2

Taxa de corroso do SiO
2
em solues
de EDP e KOH
Razo entre as taxas de corroso
do Si (100) e do SiO
2
em solues
de EDP e KOH
Corroso Anisotrpica : Mascaramento
Seletividade
Si/SiO2
~200
29
Corroso Anisotrpica em KOH
Rugosidade
E. Peeters, Ph.D. Thesis, Catholic Univ. of Louvain, Belgium, in
MEMS Design and Fabrication, Mohamed Gad-el-Hak, 2nd Ed.,
CRC, 2006
Note que :
A rugosidade superficial mdia (R
a
) decresce
com a concentrao de KOH
Como a taxa de corroso varia pouco com a
concentrao, em geral so preferidas
solues levemente concentradas (30 a
40%) que diminuem a rugosidade
Exceto para altas concentraes, as
superfcies (100) corrodas se tornam
rugosas aps longos tempos de corroso
(bolhas de H
2
)
A rugosidade diminui com a agitao devido
remoo das bolhas de H
2
. O uso de
ultrasom praticamente elimina a rugosidade.
Si (100)
E. Peeters, Ph.D. Thesis, Catholic Univ. of Louvain, Belgium,
in MEMS Design and Fabrication, Mohamed Gad-el-Hak, 2nd
Ed., CRC, 2006
30
Corroso Anisotrpica em KOH
3.1 Corroso do Si
Si + 2OH
-
Si(OH)
2
+ 2e
-
(oxidao) (1)
Si(OH)
2
Si(OH)
2
++
+ 2e
-

(ionizao) (2)
Si(OH)
2
++
+ 2OH
-
Si(OH)
4
+ H
2
KOH
(1)
(2)
O enfraquecimento das ligaes Si-Si
corresponde a uma diminuio da energia
de ligao dos e
-
, que so termicamente
excitados Banda de Conduo,
O OH enfraquece as ligaes Si-Si que
ligam o Si na superfcie ao corpo do
slido. Os eltrons ficam na superfcie
do Si !!
31
3.1 Corroso do Si
Corroso Anisotrpica : Efeito da Dopagem
Taxa de corroso de Si (100) em funo da
dopagem de Boro para varias solues de KOH
(a 60
o
C)
Taxa de corroso relativa do Si (100) em funo da
dopagem de Boro para varias solues de KOH
(a 60
o
C)
KOH :
32
Corroso Anisotrpica em
TMAH
33
Corroso Anisotrpica em solues de NH
4
OH
3.1 Corroso do Si
Outra alternativa para se obter corroso anisotropica do Si so as
solues de hidrxido de amnia, NH
4
OH, que apresentam como
principal vantagem a compatibilidade como os processos CMOS.
Os primeiros trabalhos com NH
4
OH so do incio da dcada de 90
(Schnakenberg et.al., 1990 e 1991).
maior
taxa
melhor
resultado
rugosidade
34
Corroso Anisotrpica em solues de NH
4
OH
3.1 Corroso do Si
Portanto, NH
4
OH apresenta :
Boa seletividade entre os planos cristalogrficos :
A 75
o
C : (110):(100) " 10:30 e (111) : (100) " 1:30
Excelente seletividade em relao ao SiO
2
(1:8400)
silcio dopado B
+
funciona como etch stop
O SiO
2
e Si
3
N
4
so bons materiais de mascaramento
Alumnio no corrodo em solues com pequenas concentraes de Si
compatvel com processos CMOS
O NH
4
OH voltil, o que
faz variar a concentrao
da soluo durante os
processos de corroso
Taxa de
corroso muda
no tempo !!
35
Corroso Anisotrpica em solues de NH
4
OH
3.1 Corroso do Si
Porm, o NH
4
OH apresenta algumas desvantagens :
Taxas de corroso um pouco menores que as obtidas com EDP ou
KOH
Tendncia a formar superfcies muito rugosas
Composto voltil que exige cuidados especiais e aditivos para
estabilizar a soluo.
Uma alternativa ao NH
4
OH so as soluo quaternrias de
hidrxido de amnia (QAH), em particular o hidrxido de
tetraetilamnio (TEAH) e o hidrxido de tetrametilamnio
(TMAH).
TEAH, hidrxido de tetraetilamnio, (C
2
H
5
)
4
NOH (Tabata et.al. 1990)
TMAH, hidrxido de tetrametilamnio, (CH
3
)
4
NOH (Tabata et.al. 1992)
36
Corroso Anisotrpica em TMAH
Tetra Metil Hidrxido de Amnia (TMAH)
O TMAH um composto orgnico utilizado nas solues de revelao de fotoresiste. Por isso
livre de contaminantes metlicos alcalinos e totalmente compatvel com processos CMOS.
Alm disso, estvel (decompe para T>130
o
C), no caro nem txico nem inflamvel.
Uma portanto de fcil manuseio
3.1 Corroso do Si
Taxa de corroso do Si (100) em
rugosidade
aumenta !
Taxa de corroso do Si (110) em
funo da concentrao de TMAH
e da temperatura.
Taxa de corroso do Si (100) em
funo da concentrao de TMAH
e da temperatura.
rugosidade
aumenta ! (Tabata et.al. 1992)
37
Corroso Anisotrpica em TMAH
3.1 Corroso do Si
Taxa de corroso do SiO
2
trmico em
funo da concentrao de TMAH e
da temperatura
Razo entre a taxa de corroso dos
planos (111) e (100) em funo da
concentrao de TMAH
Anisotropia e Mascaramento : (Tabata et.al. 1992)
SiO
2

38
Corroso Anisotrpica em TMAH
3.1 Corroso do Si
Taxa de Corroso (22% e 60
o
C) :
(110) = 0,50 m/min = 30 m/hr
(100) = 0,25 m/min = 15 m/hr
(111) = 0,01 m/min = 0,6 m/hr
(110):(100):(111)
50 : 25 : 1
(Tabata et.al. 1992)
Rugosidade
Anisotropia
39
40
Resumo e Comparao entre as solues
3.1 Corroso do Si
Deficincias das soluo anisotricas :
A dependncia entre a geometria das microsestruturas e os planos cristalograficos
do Si restringe a liberdade de desenho das geometria que podem ser obtidas.
Devido inclinao das paredes laterais, as cavidades consomem muito espao, o
que compromete a densidade de integrao.
Taxas de corroso relativamente altas mas ainda insuficientes para alguns
processos de corroso, que podem exigir varias horas. Isso encarece o processo
industrial e compromete a integridade dos materiais de mascaramento
EDP : Vantagens :
Altas taxas de corroso e boa relao entre as taxas dos planos :
(110):(100):(111) ... at 150 : 100 : 1 (para 50
o
C)
Excelente seletividade em relao ao SiO
2

Pode-se utilizar o silcio B
+
como etch stop
Paredes de cavidades muito planas e baixa formao de bolhas
EDP : Desvantagens :
extremamente txico Difcil manuseio
Degrada em presena de oxignio
Gera precipitados na soluo
41
Resumo e Comparao entre as solues
3.1 Corroso do Si
KOH : Vantagens :
O processo de corroso em KOH bem conhecido, fcil de implementar e
relativamente barato
Apresenta altas taxas de corroso altas (~1 !m/min)
Exibe boa anisotropia. Por exemplo, para KOH 40% em peso e 80 C
Taxa de corroso dos plano (100) ~ 1 !m/min
Taxa de corroso dos plano (111) ~ 0,02 !m/min
(110):(100):(111) ... at 160 : 100 : 1 (para 25
o
C)
Existem bons materiais de mascaramento (Si
3
N
4
, SiO
x
N
y
, etc.)
Pode-se utilizar o silcio tipo-p+ como etch stop
KOH : Desvantagens :
Menor seletividade na corroso entre Si e SiO2, quando comparado ao EDP
(KOH ataca SiO
2
100 vezes mais rpido que o EDP)
O uso de KOH no compatvel com os processos CMOS. Ou seja, uma lmina
de Si submetida corroso em KOH no pode entrar numa linha de processos
CMOS.
Isto tem sido contornado fazendo com que os processos de corroso em KOH
sejam feitos no final do processo, uma vez concludos todos os processos CMOS.
42
Resumo e Comparao entre as solues
3.1 Corroso do Si
TMAH : Vantagens :
compatvel com processos de microeletrnica
No txico nem inflamvel,
Alta seletividade na corroso do Si em relao ao SiO
2

Pode-se utilizar o silcio B
+
como etch stop
O Al no corrodo em solues com Si dissolvido
TMAH : Desvantagens :
Taxas de corroso menores que as obtidoas com KOH e EDP
Reage com o CO
2
da atmosfera e deve ser manipulado com cuidado,
Tendncia a produzir rugosidade (hillocks)
Planos lisos s para concentraes > 20%, onde a taxa de corroso
relativamente baixa (~0,25 um/min)
43
Mecanismos de Etch Stop 3.2
Microfabricao em
Substrato
Alm da corroso em si, do ponto de vista tecnolgico tambm
necessrio dispor de mecanismos que permitam interromper a
corroso no momento que for necessrio.
Basicamente, existem 4 mecanismos para interromper a corroso
(etch stop) :
Por tempo (Time etch stop)
Por camada dopada tipo P
+ (
B
+
etch stop )
Interrupo por Filmes finos
Parada eletroqumica (Eletrochemical etch stop)
ndice
44
3.2 Mecanismos de Etch Stop
Time Etch Stop
O mtodo mais simples de se controlar a corroso mida do Si
atravs do tempo de corroso. Porm, o mtodo menos confivel,
sendo eficiente apenas quando as estruturas corrodas envolvem
planos {111} que se encontram.
Os principais fatores que tornam pouco confivel o controle da
corroso atravs do tempo de corroso so :
Espessura das lminas de Si : dentro de um mesmo lote, a espessura das
laminas varia entre 5 e 10%. Isto torna impossvel (em processos de
corroso pelas costas) controlar a espessura de membranas de Si com um
erro menor que 10% da espessura da lmina.
A taxa de corroso depende de parmetros como agitao e formao de
bolhas. Isto torna pouco repetitivos os processos de corroso realizados
pela frente das lminas.
A qualidade das superfcies corrodas pode se apresentar bastante rugosa.
45
3.2 Mecanismos de Etch Stop
Time Etch Stop
Interferograma de membrana obtida
em soluo de EDP tipo-S
Aspecto da base de membranas de Si obtidas em processos de corroso
interrompidos pela simples remoo da lmina de Si da soluo corrosiva.
Imagem SEM de membrana obtida
em soluo de KOH (25%, 72
o
C)
46
3.2 Mecanismos de Etch Stop
B
+
Etch Stop
# Um outro mtodo bastante utilizado para interromper a corroso mida
do Si atravs do uso de camadas dopadas tipo P
++
(ou B
++
etch
stop).
# Este mtodo foi primeiramente estudado por H. Seidel et.al. em 1990 e
se baseia no fato de que nveis suficientemente altos dopagem tipo P
podem fazer decrescer a taxa de corroso em at 2 ordens de
grandeza (H. Seidel et.al., J. Electrochem .Soc., Vol. 137, No 11 (1990) 3626.)
# O mtodo funciona com qualquer uma das solues alcalinas antes
mencionadas e independente da orientao cristalina da lmina de
Silcio,
# O limiar de dopagem ao redor de 2 a 3 x 10
19
cm
-3
,
# Na pratica, a mxima profundidade de dopagem da ordem de 15 um
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3.2 Mecanismos de Etch Stop
B
+
Etch Stop
EDP tipo-S KOH
48
Bibliografia
Fundamental of Microfabrication, Marc Madou,
CRC Press, 2a Ed. 2002
An Introduction to Microelectromechanical Systems
Engineering, 2a Ed., Nadim Maluf, Kirt Williams, Ed.
Artech House, Inc., 2004.
Silicon Micromachining, editado por M. Elwenspoek e
H. Jansen, Cambridge University Press, 1998
Propriedades
para MEMS
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(1) Pesquisar e entregar na prxima aula um resumo de 1 pagina sobre a
corroso isotrpica do Si destacando qual a principal soluo, suas
caratersticas, materiais de mascaramento, vantagens e limitaes, etc.
(2) Utilizando como referencia o trabalho de Seidel. et. al., encontre a
seletividade entre os planos (110), (100) e (111) na corroso do Si em
EDP (tipo S) a 50
o
C.
(3) Utilizando como referencia o trabalho de Seidel. et. al., encontre a
seletividade entre o SiO2 e do Si (100) na corroso em KOH 40% em
peso e a 50
o
C.
(4) Dentre as 3 principais solues estudadas (EDP, KOH e TMAH) qual
delas a mais apropriada para fazer a corroso anisotrpica do Si em
processos de microfabricao. Justifique a sua resposta.
Trabalho 5