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O MOSFET como um interruptor

Vimos anteriormente, que a N-canal, de modo Aperfeioamento MOSFET opera


com uma tenso de entrada positiva e tem uma resistncia extremamente
elevada de entrada (quase infinita) tornando possvel para fazer a interface com
quase qualquer porta lgica ou condutor capaz de produzir uma sada
positiva. Alm disso, devido a esta muito alto de entrada ( Porto resistncia)
podemos paralelo juntos muitas MOSFETs diferentes at atingir o limite de
corrente do necessrio.
Durante a conexo em conjunto vrios MOSFETs em paralelo pode nos permitir trocar
altas correntes ou cargas de alta tenso, isso torna-se caro e pouco prtico em ambos
os componentes e placas de circuito espao. Para superar este problema de
alimentao de Efeito de Campo Transistores ou FET de potncia foram
desenvolvidos.
Sabemos agora que existem duas diferenas principais entre os transistores de efeito
de campo, de modo a depleo apenas para JFET de ambos e aprimoramento de
modo e modo de depleo para MOSFETs. Neste tutorial, vamos olhar para usando
o MOSFET de modo Enhancement como um interruptor como esses transistores
exigem uma tenso de porta positiva para ligar "ON" e uma tenso zero a virar "OFF"
tornando-os facilmente entendida como interruptores e tambm fcil de interagir com
portas lgicas.
A operao do MOSFET de modo de melhoramento pode ser melhor descrito
utilizando as curvas caractersticas IV mostrados abaixo. Quando a tenso de entrada,
( V IN ) para a porta do transistor zero, o MOSFET realiza praticamente nenhuma
corrente e a tenso de sada ( V OUT ) igual tenso de alimentao V DD . Assim, o
MOSFET "totalmente OFF" e em sua regio de "cut-off".
Curvas Caractersticas MOSFET


O mnimo de ligao de estado de tenso porto necessrio para garantir que o
MOSFET permanece totalmente NO durante o transporte da corrente de dreno
seleccionado pode ser determinada a partir das curvas de transferncia de VI
acima. Quando V IN alta ou igual a V DD , o Q-MOSFET ponto move-se para o ponto A
ao longo da linha de carga. A corrente de dreno I D aumenta para o seu valor mximo,
devido a uma reduo na resistncia do canal. eu D torna-se um valor constante
independente de V DD , e depende apenas V GS . Portanto, o transistor se comporta
como uma chave fechada, mas o canal ON-resistncia no reduz completamente a
zero, devido ao seu R DS (a) valor, mas fica muito pequeno.
Da mesma forma, quando V IN est baixo ou reduzido a zero, o MOSFET movimentos
Q de ponto do ponto A ao ponto B ao longo da linha de carga. A resistncia ao
escoamento muito alto, ento o transistor funciona como um circuito aberto e no
passa corrente atravs do canal. Ento, se a tenso da porta do MOSFET alterna
entre dois valores, alto e baixo o MOSFET ir se comportar como um "single-plo
nico-throw" (SPST) detector de estado slido e esta ao definida como:
1. Cut-off Regio
Aqui as condies de operao do transistor so zero tenso da porta de entrada
( V IN ), zero corrente de dreno I D e tenso de sada V DS = V DD . Portanto, o MOSFET
ligado "Fully-OFF".
Cut-off Caractersticas

A entrada e Porto so
aterrados (0v)
tenso porta-fonte a menos de
tenso de limiarV GS <V TH
MOSFET "totalmente OFF"
(regio de corte)
no Esgoto fluxos de corrente
( I d = 0 )
V OUT = V DS = V DD = "1"
MOSFET opera como um
"interruptor aberto"

Ento, podemos definir a "regio de corte" ou "modo OFF" quando utilizar um
MOSFET como um interruptor como sendo, tenso de porta, V GS <V TH e eu D =
0 . Para um canal P MOSFET Aperfeioamento, o potencial de porta deve ser mais
positivo em relao fonte.
2. Saturao Regio
Na regio de saturao ou linear, o transistor vai ser pressionado de modo que o valor
mximo da tenso de porta aplicada ao dispositivo, que resulta no canal de
resistncia R DS (em ser to pequeno quanto possvel, com a corrente mxima de
drenagem que flui atravs do interruptor MOSFET. Portanto, o MOSFET ligado
"Fully-ON".
Caractersticas de saturao

A entrada ea porta esto
ligados a V DD
tenso porta-fonte muito
maior do que o limiar de
tenso V GS > V TH
MOSFET "totalmente ON"
(regio de saturao)
Max Escorra fluxos de corrente
( I D = V DD / R L )
V DS = 0V (saturao ideal)
resistncia canal Min R DS
(on) <0.1
V OUT = V DS = 0,2 V (R DS .
Eu D )
MOSFET opera como uma
"chave fechada"

Ento, podemos definir a "regio de saturao" ou "modo LIGADO" quando se usa um
MOSFET como um interruptor que a tenso porta-fonte, V GS > V TH e eu D =
Mximo . Para um canal P MOSFET Aperfeioamento, o potencial de porta deve ser
mais negativo em relao fonte.
Atravs da aplicao de uma tenso de accionamento apropriado para a porta de um
FET, a resistncia do canal dreno-fonte, R DS (a) pode ser variada de uma "OFF-
resistncia" de muitas centenas de kW de, efectivamente um circuito aberto, para uma
"EM-resistncia" de menos do que 1, efectivamente um curto circuito.
Quando se utiliza o MOSFET como um interruptor que pode conduzir a MOSFET para
"ligar" mais rpido ou mais lento, ou passam correntes elevadas ou baixas. Esta
capacidade de se transformar o MOSFET "ON" e "OFF" permite que o dispositivo para
ser utilizado como um interruptor muito eficiente com comutao velocidades muito
mais rpido do que os transistores de juno bipolar padro.
Um exemplo do uso do MOSFET como um interruptor

Neste arranjo de circuito de um
canal-N-MOSFET modo
Enhancement est sendo usado
para mudar uma lmpada simples
"ON" e "OFF" (tambm poderia ser
um LED). A tenso de entrada de
porta V GS feita para um nvel de
tenso positiva adequada para
ligar o aparelho e, por conseguinte,
a lmpada ou totalmente "ON",
(V GP = + ve ) ou a um nvel de
voltagem zero, que transforma o
dispositivo totalmente "OFF",
( V GS = 0 ).
Se a carga resistiva da lmpada
era de ser substituda por uma
carga indutiva, tais como uma
bobina, um solenide ou
retransmitir "dodo volante" deve
ser exigida em paralelo com a
carga a proteger o MOSFET de
qualquer auto-gerado volta emf.

Acima mostra um circuito muito simples para eltrica para cargas resistivas, como uma
lmpada ou LED. Mas quando se usa MOSFETs de potncia para mudar tanto de
cargas indutivas ou capacitivas alguma forma de proteo necessrio para impedir
que o dispositivo MOSFET de tornar-se danificado. Dirigindo uma carga indutiva tem o
efeito oposto de dirigir uma carga capacitiva.
Por exemplo, um condensador, sem uma carga elctrica um curto-circuito, o que
resulta numa "irrupo" elevado de corrente e quando se remove a tenso de uma
carga indutiva, que tm uma grande tenso reversa construir-se como o campo
magntico cai, resultando numa induzida volta-fem nos enrolamentos do indutor.
Para o MOSFET de energia para funcionar como um dispositivo de comutao
analgica, ele precisa ser alternado entre o seu "Regio Cut-off", onde V GS = 0 e sua
"Saturao Regio" foram V GS (on) = + ve. A potncia dissipada na MOSFET ( P D )
depende da corrente que flui atravs do canal I D em saturao e tambm o "ON-
resistncia" do canal de dados como R DS (em) . Por exemplo.
MOSFET como interruptor Exemplo No1
Vamos assumir que a lmpada avaliado em 6v, 24W e totalmente "ON", o
MOSFET padro tem um canal "ON-resistncia" ( R DS (a) ) valor de 0.1ohms. Calcula-
se a potncia dissipada no dispositivo de comutao MOSFET.
A corrente que flui atravs da lmpada calculada como:


Em seguida, a potncia dissipada no MOSFET ser dada como:


Voc pode estar sentado l pensando, bem assim que!, Mas ao usar o MOSFET como
um interruptor para controlar motores DC ou cargas eltricas com altas correntes de
ativao do "ON" resistncia Channel ( R DS (a) ) muito, muito importante. Por
exemplo, os MOSFETs que controlam os motores de corrente contnua, so
submetidos a uma corrente elevada em corrida, quando o motor comea a rodar
primeiro, porque os motores de corrente a partir s limitada pelo valor muito baixo da
resistncia dos enrolamentos de motores.
Em seguida, uma alta de R DS (em) o valor da resistncia do canal simplesmente resultar
em grandes quantidades de energia que est sendo dissipada e desperdiados dentro
do prprio, resultando em um aumento excessivo da temperatura, MOSFET, que se
no for controlada pode resultar na MOSFET se tornando muito quente e danificado
devido a uma trmica de sobrecarga.
Um valor mais baixo R DS (on) , por outro lado, tambm um parmetro desejvel, uma
vez que ajuda a reduzir os canais de tenso de saturao efetiva ( V DS (sat) = Eu D x
R DS (a) ) em todo o MOSFET.MOSFETs de potncia geralmente tm um R DS (a) valor
inferior a 0.01 .
Uma das principais limitaes de um MOSFET a corrente mxima que ele pode
manipular. Assim o RDS (a) um parmetro importante guia para a eficincia de
comutao do MOSFET e simplesmente a proporo de V DS / I D , quando o
transistor est ligado "ON".
Ao usar um MOSFET ou qualquer tipo de efeito de campo transistor para que o
assunto como um dispositivo de comutao de estado slido, sempre aconselhvel
para selecionar aqueles que tm um muito baixo R DS (a) valor ou, pelo menos, mont-
los em um dissipador de calor adequado para ajudar reduzir qualquer trmica em
fuga e danos. MOSFETs de alimentao usadas como um interruptor geral, tm
proteo contra surtos de corrente construdo em seu design, mas para aplicaes de
alta corrente do transistor de juno bipolar uma escolha melhor.
Power MOSFET Motor Control
Por causa da resistncia extremamente elevada entrada ou porto que o MOSFET
tem, suas velocidades de chaveamento muito rpido e a facilidade com que eles
podem ser acionados os torna ideais para a interface com op-amps ou portas lgicas
padro. No entanto, deve ser tomado cuidado para assegurar que a tenso de entrada
da porta-fonte correctamente escolhido porque quando se utiliza o MOSFET como
um interruptor do dispositivo deve obter um baixo R DS (a) a resistncia do canal
proporcionalmente a esta tenso da porta de entrada.
Poder MOSFETs tipo baixo limiar pode no exibir "ON", at um mnimo, ou 3V 4V tem
sido aplicado para a sua porta e se a sada da porta lgica apenas lgica de +5 V,
pode ser insuficiente para conduzir totalmente o MOSFET em saturao. Usando
MOSFETs limiar inferior projetado para interface com TTL e CMOS portas lgicas que
tm limites to baixos quanto 1,5 V a 2,0 V esto disponveis.
MOSFETs de potncia pode ser usado para controlar o movimento dos motores DC ou
motores brushless de passo diretamente da lgica do computador ou usando a
modulao por largura de pulso (PWM) tipo controladores. Como um motor de
corrente contnua apresenta um elevado binrio de partida e que tambm
proporcional corrente do induzido, interruptores MOSFET juntamente com um PWM
pode ser usado como um muito bom controlador de velocidade que proporcionam um
funcionamento suave do motor e tranquila.
Simples Power MOSFET Motor Controller


medida que a carga do motor indutivo, um diodo simples volante est conectado
atravs da carga indutiva para dissipar a f.e.m. de retorno gerado pelo motor quando o
MOSFET transforma "OFF". Uma rede de aperto formado por um diodo zner em srie
com o dodo, tambm pode ser utilizado para permitir a comutao mais rpida e um
melhor controlo da tenso de pico inverso e soltar-out.
Para aumentar a segurana de um silcio adicional ou diodo zener D 1 tambm pode
ser colocado em todo o canal de um interruptor MOSFET quando se utiliza cargas
indutivas, como motores, rels, solenides, etc, para suprimir sobre a tenso
transientes de comutao e de rudo dando proteo extra para o interruptor MOSFET,
se necessrio. resistor R 2 usado como uma suspenso resistncia para ajudar a
puxar a tenso de sada de TTL para baixo para 0V quando o MOSFET ligado
"OFF".
Interruptor MOSFET canal P
At agora vimos o MOSFET N-canal como um interruptor fosse o MOSFET colocada
entre a carga e ao solo. Isso tambm permite a movimentao da porta do MOSFET
ou sinal de comutao a ser referenciado ao terra (comutao de baixa lado).

Interruptor MOSFET canal P
Mas em algumas aplicaes que requerem o uso de canais P-MOSFET modo de
melhoramento foram a carga conectado diretamente ao solo. Neste caso, o
interruptor MOSFET conectado entre a carga eo trilho de alimentao positiva
(comutao do lado de alta), como fazemos com transistores PNP.
Em um dispositivo de canal P o fluxo convencional de corrente de dreno no sentido
negativo assim uma tenso de porta-fonte negativo aplicado para ligar o transistor
"ON".
Isto conseguido porque o MOSFET canal P "cabea para baixo" com seu terminal
de fonte ligada alimentao positiva + V DD . Ento, quando o interruptor vai LOW, o
MOSFET se transforma "ON" e quando o interruptor vai ALTA o MOSFET se
transforma "OFF".
Esta cabea para baixo a conexo de um interruptor MOSFET modo de melhoramento
de canal P nos permite conect-lo em srie com um N-channel MOSFET modo de
melhoramento para produzir um dispositivo de comutao complementar ou CMOS,
como mostrado atravs de uma oferta dual.
Complementar MOSFET Motor Controller


Os dois MOSFETs so configurados para produzir um interruptor bidirecional de uma
dupla de alimentao com o motor ligado entre a conexo de drenagem comum e
referncia de terra. Quando a entrada baixa, o MOSFET canal P est ligado-ON
como sua juno porta-fonte tendenciosa negativamente para que o motor gira em
uma direo. Somente o positivo + V DD trilho de alimentao usada para acionar o
motor.
Quando a entrada alta, o dispositivo muda-OFF-canal P eo dispositivo N-channel
interruptores-On como sua juno porta-fonte tendenciosa positivamente. O motor
agora roda na direco oposta por causa da tenso terminal motores foi invertida, uma
vez que agora fornecido pelo negativo -VDD trilho de alimentao. Em seguida, o
MOSFET canal P usado para ligar o positivo da alimentao ao motor para direo
de avano (comutao do lado de alta), enquanto o MOSFET N-canal utilizado para
mudar a alimentao negativa para o motor na direco regressiva (comutao do
lado de baixa) .
H uma variedade de configuraes para dirigir os dois MOSFET com muitas
aplicaes diferentes.Tanto o canal P e os dispositivos N-canal podem ser accionados
por um nico comando de porta de IC como mostrado. No entanto, para evitar
conduo cruzada com ambos os MOSFETs realizando ao mesmo tempo nas duas
polaridades da dupla de abastecimento, troca rpida de dispositivos so obrigados a
fornecer alguma diferena de tempo entre eles viragem "OFF" ea outra viragem
"ON".Uma forma de ultrapassar este problema dirigir ambos os portes MOSFETs
separadamente. Isso, ento, produz uma terceira opo de "STOP" para o motor
quando os dois MOSFETs so "OFF".
Complementar MOSFET Tabela de controle do motor
MOSFET 1 MOSFET 2 Funo Motora
OFF OFF Motor parado (OFF)
ON OFF Motor gira para frente
OFF ON Motor Gira Reversa
ON ON NO PERMITIDO
Por favor, note que importante que nenhuma outra combinao de entradas so
permitidos, ao mesmo tempo, pois isso pode fazer com que o fornecimento de energia
para ser curto-circuito, como ambos os MOSFETs, FET 1 e FET 2 pode ser ligado "ON"
em conjunto, resultando em: ( fusvel = bang!), ser avisado.

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