C.F.G.S.

MANTENIMIENTO ELECTRNICO
EQUIPOS MICROPROGRAMABLES
MEMORIAS
Los biestables y los registros son los dispositivos digitales ms
elementales capaces de almacenar informacin en forma binaria
que ya han sido estudiados en el tema de circuitos secuenciales.
Las memorias son dispositivos capaces de almacenar grandes
cantidades de informacin debido a que internamente estn
constituidos por un determinado nmero de registros que utilizan
unas entradas y unas salidas comunes para acceder a todos ellos.
Una unidad de memoria, formada por uno o ms circuitos
integrados, es bsica en un sistema programable. Adems estos
dispositivos pueden ser utilizados, por s solo, para implementar
circuitos combinacionales y circuitos secuenciales.
C.F.G.S. MANTENIMIENTO ELECTRNICO
EQUIPOS MICROPROGRAMABLES
La informacin se almacena en las memorias en forma de palabras
formadas normalmente por 8 bits (1 byte). Cada palabra se almacena en
una posicin que se identifica con una determinada direccin de memoria
expresada numricamente en sistema hexadecimal.
Caractersticas generales
Caractersticas generales
Capacidad de memoria: es el nmero total de bits que puede almacenar una
memoria. =N posiciones x N bits de cada posicin N =m x n
1 Byte =8 bits 1 Kbit=1024 bits 1 Kbyte =1024 bytes
Ejemplo 1: Una memoria de 1 Kbyte cuntos bits tiene?
1 Kbyte =1024 bytes =1024 x 8 bits =8192 bits
Ejemplo 2: Una memoria con 4 Kbytes cuntos bits tiene?
4 Kbytes =4 x 1024 bytes =4096 bytes =4096 x 8 bits =32768 bits
DIRECCION
FFF Posicin 4095(111111111111)
002 Posicin 2 (000000000010)
001 Posicin 1 (000000000001)
000 Posicin 0 (000000000000)
Caractersticas generales
Caractersticas generales (II)
Tiempo de acceso: Es el tiempo que tarda la memoria
desde que se establece la direccin de la palabra que se
quiere leer y el momento que se obtiene la informacin
que hay en esa direccin. Esto sucede en el caso de un
proceso de lectura. En el proceso de escritura el tiempo
de acceso es el transcurrido desde que se da la
direccin hasta que el dato quede registrado.
Volatilidad: consiste en la capacidad que tiene una
memoria para perder sus datos, bien por falta de
alimentacin o por las caractersticas de los elementos
que forman la memoria.
Segn la volatilidad las memorias se pueden clasificar en dos
grandes grupos:
Las memorias voltiles retienen sus datos almacenados solamente
mientras permanecen alimentadas elctricamente.
Las memorias no voltiles retienen sus datos almacenados con
alimentacin elctrica o sin ella.
Caractersticas generales (III)
Modo de acceso: es el mtodo que emplea la memoria
para acceder a la informacin almacenada dentro de
ella. Existen varios modos de acceso:
Acceso aleatorio: Con este tipo de acceso se puede ir a
cualquier posicin directamente, sin tener que pasar por las que
se encuentran delante de ella.
Acceso secuencial: En este tipo de acceso para acceder a una
determinada posicin es necesario recorrer previamente todas
las posiciones anteriores.
Acceso cclico: En las memorias con este tipo de acceso el
modo de acceder es una combinacin entre el aleatorio y el
secuencial. Los dispositivos de memoria que utilizan este tipo de
acceso son los discos duros, en los cuales la informacin viene
grabada en pistas concntricas. La cabeza de lectura/escritura
accede, de forma aleatoria, para localizar la pista, y dentro de
ella, de forma secuencial para buscar el sector o posicin
deseada.
Tipos de memorias
RAM (RandomAccess Memory): Memoria de Acceso Aleatorio
Son memorias voltiles ( La inf. Se pierde sin alimentacin.
En ellas se puede leer y escribir.
SRAM ( Esttica, sin refresco) / DRAM (Dinmica)
ROM (Read Only Memory): Memoria de Solo Lectura
Son memorias no voltiles ( la info. No se pierde al desconectar)
En ellas solo se puede leer
El proceso de grabado es ms complejo y se realiza,
normalmente, fuera del sistema.
Tipos de memorias RAM
SRAM Sistemas de almacenamiento tipo Flip-flop
Ms rpidas? - Si, acceso a dato ms rpido.
Ms caras por unidad de informacin (al ser ms complejas)
Capacidades de almacenamiento menores
DRAM Guarda el dato en forma de carga de un
condensador
La informacin desaparece tras un perido de tiempo.
Debe ser refrescada, o lo que es lo mismo, reescrita / recargada
Condensador que retiene carga
Un transistor actua como puerta
Sin carga, almacena un 0, con carga 1
Se lee cerrando la puerta
La lectura es destructiva
Cuando una clula se lee, pierde carga
Debe ser restaurada despus de una lectura
Refresco
Tambin hay prdidas de carga por fugas
La carga debe ser restaurada peridicamente
Tamao muy pequeo de clula o unidad de memoria
Tipos de memorias ROM
Segn la forma en que se procede a grabar los datos, las memorias ROM se
clasifican en:
ROM (programable por mscara): Los datos se graban en la memoria
durante el proceso de fabricacin. Estos datos son indelebles y nunca se
podrn borrar.
PROM (Programable Read Only Memory) (ROM programable): Pueden
ser grabadas o programadas por el usuario una sola vez. El fabricante
suministra las pastillas en estado virgen, con todos sus bits puestos a 0 o a
1, segn los tipos. El proceso de grabado se realiza con un programador de
PROM con los datos que se desean grabar.
EPROM (Erasable Programable Read Only Memory) (ROM programable y
borrable por luz ultravioleta): Son similares a las PROM pero el proceso
de grabacin no es destructivo como en el caso de aquellas. La grabacin
se realiza mediante un programador de EPROM y a partir de ese momento
los datos permanecen inalterables. Es posible devolver la EPROM a su
estado original, es decir, borrar la memoria, sometindola a la accin de
rayos ultravioleta.
Sustituidas por:
EAROM (ROM alterable elctricamente)
EEPROM(ROM borrable elctricamente): Son memorias no voltiles cuyo
contenido puede ser alterado sobre el sistema definido, sin necesidad de extraer
el chip y sin usar una instrumentacin especfica. (Se borran con tensiones
especiales)
FLASH : programador integrado en el chip. * Permite escrituras de memoria
Tipos de memorias ROM (II)
Tipos de memorias ROM (III)
FLASH
Organizacin General de una memoria
Bus de control:
CS Selector de Chip (Chip Select)
WR Escribir (Write) RD Leer (Read)
Generalmente se pone la lectura y escritura el la misma lnea, siendo normalmente el 0 para la escritura y el 1 para la
lectura. ( )
Bus de direcciones (n) (A0, A1, A2,..., An-1):
Son unidireccionales, son entradas.
Sirven para poder leer o escribir en cada una de las posiciones de la memoria.
Su nmero est en relacin directa con el nmero de posiciones que contiene la pastilla.
Bus de datos (m) (D0, D1, D2,..., Dm-1)
Son bidireccionales, es decir en procesos de lectura se comportan como salidas y en el proceso de escritura se comportan
como entradas.
Su nmero est relacionado con la organizacin interna de la memoria. Cada posicin puede contener tpicamente 1, 4, 8
o 16 bits. Cada bit es almacenado en una celda o clula elemental.
W / R
Organizacin General de una memoria (II)