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Principios F sicos
Miguel Tardo Lpez
Miguel Tard o Lpez
Principios Fsicos
Principios F sicos
Miguel Tardo Lpez
Miguel Tard o Lpez
E0
E
E = E0+E
E --10
41-
V = cte .
nE
ld E
=0
C
ld E
= V
tE
= Et l + Enx + Et l + Enx
'
'
x 0
=0
Et l = 0 Et = 0
0 ld nE
ld E
VB VA = V = cte.
tE
=0 =
= (
NE
VB VA =
dl = 0
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ad n E
= E n A + (0) A =
En =
0
A
0
E n = E n( + ) E n( ) =
= n
0
0 =
0
0
= 0E n
E E
EFECTO PUNTAS
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q1 q 2
q
1 q
=
V = V1 = V2 =
=
r1
r2
4 0 r1 4 0 r2
1
Para el campo elctrico (suponiendo que las esferas estn lo suficientemente alejadas)
E1 =
q 1
1 q 2
=
E2 =
=
2
2
0
4 0 r2
0
4 0 r1
1
E1 1 r2
=
=
E 2 2 r1
r2
r2
1 = 2 ; << 1 1 << 2
r1
r1
es mayor en zonas con menor radio de curvatura (efecto punta). En las puntas
de un conductor hay mayor densidad de carga
campos elctricos ms intensos.
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=
n
0
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Qtot = Qe + Qi
1- Si no hay carga dentro de la cavidad, la carga del conductor slo se puede
distribuir sobre la superficie externa del conductor. sea cual sea la carga dentro o
fuera del conductor, como E=0 en el interior del conductor incluyendo su cavidad
entonces las cargas de un cuerpo neutro que se coloquen en dicha cavidad no se
vern afectadas; se dice que el cuerpo est apantallado. Adems V ser constante e
igual al potencial del conductor que envuelve el cuerpo.
= 0
ad
=0=
Qint = Qi + q = 0
0
+ q q en la cavidad
Qi = q Qe = Qtot Qi = Q + q
tni
tni
Superficie Gaussiana
Qint
induce
Qe = Q + q
Si Qtot = 0 Qe = + q (carga en la cavidad)
Campo elctrico
qint
S.G
r 3
= Q a
Q
1 Qr
4 a 3
0
E=
1 Q
4 0 r 2
E = E ( 4r 2 )
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ra
ra
r<a
r>a
Potencial elctrico
r
V1 ( r ) V1 ( ) =
Q
4 0 r
dr =
2
Q
4 0 r
=k
Q
r
Q
r2
Qr
3 2
V2 ( r ) V1 ( ) =
dr
dr =
2
3
4 0 r
4 0 a
8 0 a
a
a
a
CAPACIDAD. CONDENSADORES
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Q
V
culombio
C
1F = 1 faradio = 1
=1
voltio
V
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2) Condensador:
Q = C V
C es una medida de capacidad de almacenar carga elctrica a una diferencia
de potencial fija V.
Condensador no polarizado AC
Condensador polarizado DC
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Q 0 A
=
- La capacidad de un condensador se define como: C =
d
V
- C es tambin caracterstica del condensador, y slo depende de su
geometra y del medio aislante situado entre las placas de ste.
- Sin embargo, lo ms conveniente para calcular C es calcular V entre las
placas del condensador a partir de E:
V = V+ V =
placa +
placa
y calcular C usando: C =
E dl
Q
Q
=
V placa + E dl
placa
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S. gaussiana
Idealizacin.
Efecto borde
S.G
ad E
'
qenc
= EA ' =
A'
=
0
E=
0
V = V V+ =
ld E
= Ed
Camino de
integracin
0 A
Q
C=
=
V
d
Ntese que C slo depende del
factor geomtrico (A/d). Adems,
para un V fijo una placa de mayor
A almacena ms carga.
V = Ed
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+Q
+Q
S.G
ad E
= EA = E ( 2rl ) =
qenc
l
0
E=
2 0 r
b
Vab = -
rd )r(E
Vab = Vb Va =
b dr
=2 0 r
a
b
ln
2 0 a
2 0 L
Q
C=
=
V ln(a )
b
Ntese que C nuevamente slo
depende del factor geomtrico (a/b).
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Condensador esfrico
S. Gaussiana
= E r A = E ( 4r ) =
qenc
4 0 r 2
b
Vab = Vb Va =
a
V =
Er =
rd )r(E
S.G
ad E
=-
Q ba
4 0 ab
Q
ab
C=
= 4 0
V
ba
dr
4 0 r 2
a
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ASOCIACION DE CONDENSADORES
- El condensador es muy comn en los circuitos elctricos.
- En general, en un circuito dado, se suele tener varios condensadores
conectados entre s, formando un sistema o asociacin de condensadores;
stos son equivalentes a un condensador con una capacidad equivalente Ceq
que, al ser cargado a la misma diferencia de potencial, almacena la misma
carga.
La batera sostenida por una reaccin
qumica puede considerarse como una
bomba de carga que lleva una carga Q
desde el polo de menor potencial (-) al de
mayor potencial (+) para compensar la
prdida de carga que ha fluido a la placa
(+) del condensador.
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La capacidad equivalente es
la suma de las capacidades:
N
Ceq = C1 + C2 + ... + C N = Ci
i =1
C1 =
Q1
Q
C2 = 2
V
V
Q = Q1 + Q2 = C1 V + C2 V = (C1 + C2 ) V
Q
Ceq =
= C1 + C2
V
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La capacidad equivalente C
del sistema est dada por:
N
1
1
1
1
=
+ ... +
=
Ceq C1
C N i =1 C i
V1 =
Q
Q
V2 =
C1
C2
Q Q
V = V1 + V2 =
+
C1 C2
Q
Q Q
V =
=
+
Ceq C1 C2
1
1
1
=
+
Ceq C1 C2
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Capacidad equivalente
C12 = C1 + C2
1
1
1
=
+
C123 C12 C3
C123
(C1 + C2 )C3
C12C3
=
=
C12 + C3 C1 + C2 + C3
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