Eletrnica Geral

OS SEMICONDUTORES
Nas lies precedentes estudamos alguns componentes denominados passivos porque
no aplicam nem geram sinais. Estes componentes bsicos como: resistores, capacitores e
transformadores, so muito importantes nos circuitos eletrnicos pois complementam a
funo de componentes denominados ativos como os transistores, circuitos integrados e
outros.
Na construo dos transistores e de um outro componente passivo importante que ! o
diodo, entram os c"amados materiais semicondutores que ! o assunto e#plorado nesta lio.
$eremos tamb!m o que ocorre quando estes materiais formam %unes e c"egaremos ao
primeiro componente semicondutor de nosso curso que ! o diodo. Nesta lio teremos ento
os seguintes itens:
a& materiais semicondutores
b& %unes 'N
c& o diodo semicondutor
d& tipos de diodo
e& o diodo (ener
f& o diodo emissor de lu( ou led
a) Materiais Semicondutores
E#istem materiais que podem condu(ir a corrente el!trica com facilidade como metais,
sendo denominados condutores. 'or outro lado, e#istem materiais em que a corrente el!trica
no pode passar, pois os portadores de carga no tem mobilidade e que so denominados
isolantes. )entre os isolantes temos alguns elementos que no so nem bons condutores e
nem ao menos isolantes. Estes elementos formam materiais semicondutores e dentre eles
destacam dois mais importantes que so o *erm+nio ,*e& e o -il.cio ,figura /&.
0ig. / 'osio relativa dos materiais em relao 1 2ondutividade el!trica.
/
Eletrnica Geral
E#istem outros elementos semicondutores igualmente importantes para a eletrnica mas
que s3 sero estudados futuramente como o -el4nio ,-e&, o *lio ,*a&, etc.
5 principal caracter.stica que nos importa no momento do -il.cio e o *erm+nio ! que
estes elementos possuem tomos com 6 el!trons na sua 7ltima camada e que eles se dispe
numa estrutura ordenada, conforme mostra a figura 8. *erm+nio e o -il.cio formam cristais
onde os tomos se unem compartil"ando os tomos de sua 7ltima camada.
-e o leitor consultar livros de qu.mica ver que os tomos dos diversos elementos que
e#istem na nature(a tem uma tend4ncia natural em obter um equil.brio quando sua 7ltima
camada adquire o n7mero m#imo de el!trons e este n7mero ! o 9.
5ssim, formando um cristal, tanto o *erm+nio como o -il.cio fa(em com que os tomos
compartil"em os el!trons "avendo sempre 9 deles em torno do n7cleo de cada um, o que
significa um equil.brio bastante estvel para o material.
)e fato, os el!trons ficam to firmemente presos aos tomos nestas condies, que no
tendo movimentao no podem funcionar como portadores de carga e com isso transmitir a
corrente el!trica.
0ig. 8 : Estrutura de uma rede cristalina.
'or este motivo o -il.cio e o *erm+nio puros, na forma cristalina, apresentam uma
resist4ncia muito alta, muito mais pr3#ima dos isolantes do que propriamente dos condutores,
se bem que numa fai#a intermediria. ,fig.;&
8
Eletrnica Geral
0ig. ; : 2ada tomo compartil"a 6 el!trons com os vi(in"os, de modo a "aver 9 el!trons em torno de cada
n7cleo.
Nesta forma cristalina de grande pure(a, o -il.cio e o *erm+nio no serve para
elaborao de componentes eletrnicos, mas a situao pode mudar com adio de certas
impure(as ao material.
Estas impure(as consistem na adio de algum elemento que ten"a um n7mero diferente
de 6 el!trons na sua 7ltima camada e se fa( em propores e#tremamente pequenas, da ordem
de / parte por mil"o.
<emos ento duas possibilidades de adio de impure(as:
Elementos com tomos dotados de = el!trons na 7ltima camada>
Elementos com tomos dotados de ; el!trons na 7ltima camada.
? primeiro caso, mostrado na fig. 6 ! do 5rs4nio ,5s&. 2omo os tomos vi(in"os s3
podem compartil"ar de 9 el!trons na formao da estrutura cristalina, sobra um que adquire
mobilidade para servir de portador no material.
0ig. 6 : @aterial semicondutor do tipo N.
? resultado ! que a resistividade ou capacidade do material de condu(ir se altera e o
*erm+nio ou -il.cio se torna um bom condutor de eletricidade.
;
Eletrnica Geral
2omo o transporte das cargas ! feito neste material pelos el!trons que sobram ou
el!trons livres, que so cargas negativas, o material semicondutor obtido desta forma, pela
adio deste tipo de impure(a, recebe o nome de semicondutor do tipo N ,N de negativo&.
Na -egunda possibilidade, acrescentamos uma impure(a cu%os tomos ten"am ;
el!trons na sua 7ltima camada, como por e#emplo o Andio ,Bn& obtendoCse ento uma estrutura
conforme a mostrada na figura =.
0ig. = : @aterial semicondutor do tipo '.
$e%a que, no local em que se encontra o tomo de Andio no e#istem 9 el!trons para
serem compartil"ados de modo que sobra uma vaga, ou lacuna.
Esta lacuna tamb!m funciona como um portador de cargas, pois el!trons que queiram se
movimentar atrav!s do material podem saltar de lacuna em lacuna obtendoCse um percurso
com pouca resist4ncia.
2omo os portadores de carga neste caso so lacunas, e a falta de el!trons, corresponde a
uma carga positiva, di(emos que o material semicondutor assim obtido ! do tipo P , P de
positivo&.
'odemos formar materiais semicondutores do tipo P e N tanto com elementos como o
*erm+nio, -il.cio e muitos outros que encontram muitos aplicaes na eletrnica.
Ligaes Covalentes
<endo em vista que as cargas el!tricas dos el!trons e dos pr3tons so opostas, e#iste
uma atrao m7tua entre estas part.culas, surge uma outra pergunta evidente: 'or que o
el!tron no cai sobre o n7cleoD ? motivo ! a e#ist4ncia de um fora centr.fuga que se
equilibra com a atrao nuclear, conforme representao da figura E.
6
Eletrnica Geral
0ig. EC Fepresentao esquemtica das foras sobre o el!tron
Gm fato muito importante ! que a 0.sica 5vanada informa que os raios das 3rbitas dos
el!trons, contam com valores discretos.
Gma representao orbital pode ser observada na figura H.
0ig. HC Fepresentao simb3lica das 3rbitas eletrnicas
<odos os valores de 3rbitas entre r
/
e r
8
so proibidos. 0oi verificado que os el!trons
esto distribu.dos em camadas em torno do n7cleo, sendo denominadas I, J, @, N, ?, ' e K.
5ssim por e#emplo, temos:
I L 8 I L8
Mtomo de -il.cio J L9 Mtomo de *erm+nio J L9
@L6 @ L/9
NL 6
Z=14 Z=32
-endo que o n7mero m#imo de el!trons por 3rbita ! de acordo com a figura 9.
=
Eletrnica Geral
0ig.9 C Nrbitas eletrnicas e n7mero m#imo de el!trons por 3rbita.
rbita N eltrons mximo
I 8
J 9
@ /9
N ;8
K ;8
' /9
K 9
?s el!trons das camadas mais internas esto rigidamente ligados ao n7cleo e
precisariam de uma elevad.ssima energia para que pudessem escapar do tomo. 5 medida que
as camadas vo se afastando do n7cleo, os el!trons vo ficando mais fracamente ligados ao
mesmo. -o e#atamente os el!trons da camada mais e#terna que normalmente tomam parte
nas reaes qu.micas, por serem facilmente deslocveis. Esta ltima camada ! c"amada de
camada de valncia, e os el!trons da mesma so c"amados de eltrons de valncia.
<anto o Si, quanto o e, t4m 4 eltrons de valncia.
5 0.sica 5vanada informa ainda, que os tomos visam ter 9 el!trons na camada de
val4ncia. )esta forma, os tomos de -i que so tetravalentes se combinam, visando ter 9
el!trons na camada de val4ncia. Bsto ! conseguido atrav!s do compartil"amento simult+neo,
por dois tomos, de um mesmo el!tron, conforme figura O.
E
Eletrnica Geral
0ig. OC Fepresentao esquemtica do compartil"amento de el!tron para o -i.
Este compartil"amento de el!trons ! denominado ligao covalente, de acordo com a
figura /P. Neste caso, el!trons no pertencem mais a um simples tomo.
0ig. /PC 0ormao da ligao covalente
No caso do sil.cio ou germ+nio, o arran%o dos tomos no espao obedece a uma
disposio sistemtica e ordenada ,distribuio c7bica&, denominada de cristal, conforme
figura //.
Na figura //, representamos uma c!lula unitria de -i que transladada nas tr4s direes,
reprodu( o cristal no espao.
H
Eletrnica Geral
0ig. //C 2!lula unitria do sil.cio
!"e#$a %e ligaes Covalentes & La'"nas
2onsideremos um cristal de sil.cio 1 temperatura de C8H;Q2 ,ou se%a, P Ievin&. Nessa
temperatura, as ligaes covalentes ficam intactas e o cristal se comporta como um material
isolante, uma ve( que no e#istem el!trons pass.veis de se deslocar no cristal. -e a
temperatura do material for aumentada, "aver um acr!scimo na energia cin!tica dos el!trons
de val4ncia, fa(endo com que se libertem de suas ligaes covalentes, de acordo com a figura
/8.
0ig. /8 : 0ormao de lacuna
Estes el!trons livres so capa(es de agir como portadores de corrente sob a ao de um
campo el!trico aplicado.
?bserve entretanto, que o el!tron abandonando a ligao, para todos os efeitos, fica um
saldo de carga positiva no local anteriormente ocupado pelo el!tron. Fepresentamos a
aus4ncia do el!tron por uma circunfer4ncia ,ou um trao simples&, conforme figura /8.
Esta ligao covalente incom!leta ! denominada la'"na.
5dmiteCse que as lacunas comportamCse como portadores de corrente adicionais,
carregados positivamente. Na figura /;, observaCse o deslocamento de uma lacuna num cristal
qualquer de um semicondutor.
9
Eletrnica Geral
0ig. /; C )eslocamento de uma lacuna
-upon"amos, na figura /;, que uma ligao covalente ! quebrada no tomo 6,
liberandoCse um el!tron livre.
)esta forma, ! muito fcil para um el!tron de uma ligao covalente do tomo ;
preenc"er a lacuna dei#ada pelo primeiro el!tron ,tomo 4&.
Kuando o el!tron abandona a ligao do tomo ;, a. dei#a uma lacuna que pode ser
preenc"ida por um el!tron de uma ligao do tomo 8, e assim sucessivamente. 5o mesmo
tempo em que os el!trons vo se deslocando para a direita, a lacuna vai se deslocando para a
esquerda.
Kuando o eltron !reenc"e uma lacuna e com!leta novamente a ligao covalente,
di(emos #ue "ouve uma recombinao.
2oncluiCse portanto, que em um semicondutor e#iste dois ti!os da corrente: a 'o$$ente
%e el(t$ons liv$es e a 'o$$ente %e la'"nas.
Este tipo de conduo, envolvendo a gerao de pares de eltrons$lacuna, !
denominada conduo intr%nseca.
R tem!eratura ambiente de &'(, a corrente que pode ser condu(ida ! pequena demais
para ser usada em aplicaes gerais. Nesta temperatura, um pedao de sil%cio no ! nem bom
isolante nem bom condutor. motivo pelo qual ! c"amado de semicondutor.
Se)i'on%"to$es %o*a%os
)opar um semicondutor significa adicionar tomos de impure(as ,tomos diferentes do
sil.cio& ao cristal, a fim de aumentar o n7mero de el!trons livres ou o n7mero de lacunasC
livres. Neste caso, o semicondutor ! dito semicondutor e#tr.nseco.
Se)i'on%"to$ ti*o N & Doa%o$es
'ode ser obtido pela adio de tomos pentavalentes como: 5rs4nio, antimnio ou
f3sforo ,doadores de el!trons&.
O
Eletrnica Geral
0ig. /6 C Efeito de impure(a tipo N
)e acordo com a figura /6, quatro dos cinco el!trons de val4ncia participaro das
ligaes covalentes com os tomos circundantes de -i. ? quinto el!tron de val4ncia,
fracamente ligado, fica sem lugar particular para ir. )evido a agitao t!rmica ou outras
causas quaisquer, o quinto el!tron pode abandonar o tomo doador, dei#ando no local um .on
positivamente carregado, conforme figura /=.
0ig. /= C Fepresentao do semicondutor tipo N
5 quantidade de impure(as que devem ser adicionadas ao semicondutor para que "a%a
um aprecivel efeito na condutividade ! muito pequena. 5 proporo de / parte em /P
9
,
aumenta a condutividade do germ+nio, a ;PQ2, cerca de /8 ve(es. 5trav!s do controle de
dopagem consegueCse uma modulao da condutividade do semicondutor e#tr.nseco.
Se)i'on%"to$ ti*o + & ,'eita%o$es
S obtido pela adio de impure(as trivalentes como: 5lum.nio, boro ou glio
,aceitadores de el!trons&.
0ig. /E : Efeito da impure(a tipo '
/P