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1.

Cuntas entradas de direccin, entradas de datos y salidas de datos se requieren para


una memoria de 16k x 12?

2. Qu funcin tiene la entrada de R/^w?
Controla que operacin llevara a cabo la memoria: lectura o escritura.

3. Qu funcin tiene la entrada habilitacin de memoria?
Su funcin es mostrar una entrada activa en lo alto que habilita la memoria para operar en forma
normal cuando se mantiene en alto. Un estado bajo en esta entrada deshabilita la memoria de
modo que no responder a la direccin y a las entradas de R/^w.
4. Describa el procedimiento para leer la ROM
Solo puede leerse de la memoria
5. Qu significa quemar o programar una ROM?
Al proceso de grabar datos se le conoce como programacin de la ROM
6. Una MROM puede ser programada por el usuario?
Si

7. Cmo difiere una PROM de una MROM? Puede borrarse y reprogramarse?
Las PROM es muy costosa y tienen conexin de fusible y las MROM est fabricada con tecnologa
NMOS y CMOS, No se pueden borrar ni reprogramarse
8. Cmo se borra una EPROM?
Son borradas electrnicamente
9. Hay manera de borrar solo una parte de la memoria EEPROM?
Tienen la facilidad de borrar bytes individuales elctricamente
10. Qu funciones realizan los programadores de PROM y EEPROMS?

11. Cules son las principales desventajas de la EEPROM?
Son ms costosas y la materia es de menor densidad.
12. Qu tipo de ROM puede borrar un byte a la vez?
EEPROM
13. Cul es la principal ventaja de la memoria instantnea o rfaga sobra las EPROMS?

Que son sencillas de un solo transistor y es un poco mas grande , tiene una capa delgada de oxido
en la compuerta que permite borrar por medio de electricidad y tiene mas alta densidad.
14. De dnde viene la palabra instantnea o rfaga?
Se llaman as por sus muy cortos tiempos para borrar y escribir.
15. Para qu se necesitan vpp?

Vpp: es el voltaje de suministro y es necesario para las operaciones de borrar y programar.
16. Cul es la funcin del registro de comandos 28f256a?
Controlar las operaciones que ocurren dentro del microcircuito
17. Cul es la finalidad de un comando y orden para comprobar el borrado?

Para comprobar el borrado se debe efectuar en cada direccion de byte y para iniciarla se escribe
AO16 en el registro de comando, despues se efectua una operacin delectura en la operacin que
se va a comprobar y se comprueban los datos de salida para ver que sean iguales a FF16.
18. Cul es la finalidad del comando para probar el programa?
Para tener la certeza de que se ha programado exitosamente
19. Qu es el firmware?
Es el almacenamiento de datos y cdigos de programas que deben estar disponibles al conectar la
corriente elctrica en los sistemas basados en el microprocesador.
20. describa como la computadora utiliza el programa de arranque?
Lo utilizan para saber cundo encender y este se guarda en la ROM, cuando se enciende la
computadora esta ejecutara las instrucciones que se encuentran en el programa de arranque.
21. Qu es un convertidor de cdigo?

Convierte cdigo binario directo a BCD o depende a que cdigo deseemos para pasarlo para poder
usarlo.
22. Cules son los principales elementos de un generador de funciones?
Produce formas de ondas senoidales, diente de sierra, triangulares y cuadradas.
23. Por qu los mdulos de memoria instantnea son una opcin viable para el
almacenamiento auxiliar en disco?
Porque no son voltiles a su alta velocidad, bajo consumo de corriente y la ausencia de
piezas movibles.

24. Cul es la diferencia entra la arquitectura de un FPLA y la de los PROM y PALs?
Los PALs son arreglos lgicos programables, las prom tienen cuatro entradas y sus compuertas son
AND, las PLA combina la prom y las Pals para proporcionar un arreglo or y and, las plas son mas
difciles de programar, probar y fabricar.
25. Describa las condiciones de entrada que se necesitan para leer una palabra de una
localidad de direccin especfica de la RAM?
Operacin de lectura : para leer el contenido del registro seleccionado la entrada lectura/escritura
deber ser un 1. Y la cs = 0.

Operacin de escritura: para escribir una nueva palabra de 4 bits en el registro seleccionado se
requiere que R/*W = 0 y CS=0.
26. Porque algunos CI, RAM tienen terminales de EIS comunes
27. Cuatas terminales se requieren para la RAM MCM6209c de 64k x 4EIS comn y una
entrada cs?
28. Cual es la diferencia entre una celda RAM estatica y una celda RAM dinmica
29. En general que tecnologa de memoria consume menos potencia?
30. Que dispositivo es el que coloca los datos sobre el canal de datos durante un ciclo de
lectura?
31. Que dispositivo es el que coloca los datos sobre el canal de datos durante un ciclo de
escritura?
32. Que parmetros de la RAM determinaran su velocidad de operacin?
33. Un nivel BAJO en CE habilitara los buffers de salida de una MCM6264C siempre y cuando
ambos entradas del circuito se encuentre activo?

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