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CAPTULO 15

MATERIAIS SEMICONDUTORES



Sumrio

Objetivos deste captulo..........................................................................................398
15.1 Introduo .......................................................................................................398
15.2 Semicondutores intrnsecos - transporte de cargas eltricas na rede cristalina
do Si, ou Ge, puros .................................................................................................400
15.3 Semicondutores extrnsecos...........................................................................402
15.3.1 Semicondutores extrnsecos tipo n ..............................................................402
15.3.2 Semicondutores extrnsecos tipo p ..............................................................403
15.4 Conceito de lacuna ou vacncia .....................................................................406
15.5 Mecanismo de conduo nos semicondutores ...............................................408
15.5.1 Mobilidade de carga em semicondutores.....................................................408
15.6 Materiais semicondutores ...............................................................................413
15.6.1 Estrutura cristalina........................................................................................415
15.7 Variao da mobilidade com a temperatura....................................................419
15.7.1 Efeito da temperatura na concentrao dos portadores livres.....................421
15.7.2 Efeito da temperatura na condutividade de semicondutores .......................425
15.7.3 Efeito da temperatura na semiconduo extrnseca tipo n ..........................427
15.7.4 Efeito da temperatura na semiconduo extrnseca tipo p ..........................430
15.8 Tcnicas de fabricao de semicondutores....................................................433
15.9 Tcnicas de dopagem.....................................................................................433
15.9.1 Durante o crescimento do cristal ..................................................................433
15.9.2 Por liga.........................................................................................................434
15.9.3 Por implantao inica.................................................................................434
15.9.4 Por difuso...................................................................................................434
15.10 Referncia bibliogrfica do captulo ..............................................................436
Exerccios................................................................................................................436


15 MATERIAIS SEMICONDUTORES



Objetivos deste captulo

Finalizado o captulo o aluno ser capaz de:
entender os mecanismos de conduo em semicondutores;
definir semicondutores intrnsecos e extrnsecos;
interpretar a variao da mobilidade com a temperatura.


15.1 Introduo

Semicondutores so materiais para os quais a 0 K (zero Kelvin), a banda de
valncia, BV, est totalmente preenchida e a banda de conduo, BC, totalmente
vazia, funcionando nessa condio como isolantes. Porm, como o intervalo de
energia proibido gap estreito, da ordem de 1,1 eV para o silcio e 0,72 eV para o
germnio, a temperatura ambiente alguns eltrons podem ser excitados
termicamente para a banda de conduo deixando na banda de valncia estados
vacantes (lacunas), que se comportam como partculas positivas. Deste modo, cada
excitao trmica que promove um eltron para a banda de conduo forma dois
portadores de carga: o eltron e a lacuna. Alm de energia trmica para provocar
esta excitao outros meios podem ser utilizados para bombardear-se o material,
como o uso de radiao: luz, raios , eltrons, etc.
A condutividade dos semicondutores no mais alta daquela dos condutores,
(metais), entretanto, eles tm algumas caractersticas eltricas que os tornam
especiais. As propriedades eltricas desses materiais so extremamente sensveis
presena de impurezas, mesmo em muito pequenas concentraes. Os
semicondutores intrnsecos so aqueles nos quais o comportamento eltrico est
baseado na estrutura eletrnica inerente do material puro, mas quando as
caractersticas eltricas so determinadas por tomos de impurezas, o semicondutor
extrnseco.
Observando a Tabela 15.1 possvel comparar algumas propriedades
eltricas entre um condutor e um semicondutor e na Tabela 15.2 so mostradas
propriedades de alguns semicondutores.

Tabela 15.1 - Algumas propriedades
a
eltricas

do cobre e do silcio.
Cobre Silcio
Tipo de condutor Metal Semicondutor
Densidade de portadores de cargas, n (m
-3
) 9x10
24
1x10
16b

Resistividade, (.m) 2x10
-8
3x10
3

Coeficiente de temperatura da resistividade, (K
-1
) 4x10
-3
-70x10
-3

a
Todos os valores temperatura ambiente.
b
Inclui tanto eltrons como buracos.

Por definio, semicondutores so um caso particular de materiais isolantes,
sendo a nica diferena a magnitude da banda proibida de energia. Se for menor ou
at da ordem de 3 eV semicondutor, enquanto que se for maior um isolante.
399

temperatura de 0 K, tanto o semicondutor como o prprio isolante sero
ambos isolantes. Eles no podero conduzir corrente eltrica, pois em ambos os
casos, as bandas de valncia encontram-se totalmente preenchidas.
Aumentando-se a temperatura, acima de 0 K, de um material semicondutor,
alguns poucos eltrons da banda de valncia adquirem energia trmica e podero
pular dos seus estados da banda de valncia para estados vazios da banda de
conduo, como mostrado no diagrama de bandas da Figura 15.1. Desta forma,
passamos a uma condio em que os eltrons, tanto da banda de valncia (banda
no mais totalmente preenchida) como da banda de conduo (apenas
parcialmente preenchida), podem conduzir corrente eltrica. A condutividade ser,
no entanto bem reduzida, tendo em vista o nmero reduzido de eltrons na banda
de conduo, bem como uma banda de valncia ainda quase preenchida.


Figura 15.1 - Diagrama de bandas de um semicondutor intrnseco.
Uma frao til dos eltrons de valncia pode saltar a descontinuidade de energia.
O eltron um transportador negativo na banda de conduo. O buraco eletrnico
um transportador positivo na banda de valncia.

So exemplos de materiais classificados pelas respectivas larguras da banda
proibida E
G
[eV] a 300 K como semicondutores: Ge 0,66, Si 1,12, GaAs 1,42 e
isolantes C (diamante), 5,47, SiO
2
9,0 e Si
3
O
4
5,0. Na Tabela 15.2 so apresentadas
as descontinuidade de energia em elementos semicondutores.
Nos semicondutor a resistividade se encontra entre os valores de 10
-4
e 10
-10

.cm, e apresentam, pelo menos em certo trecho um coeficiente de temperatura
1
da
resistividade com valor negativo e cujo valor pode ser reduzido sensivelmente pela
presena de impurezas ou de defeitos na estrutura da matria.

1
=
0
(1 + (T - T
0
) + ...

onde
0C
a resistividade eltrica a 0C,
T
o coeficiente de temperatura da resistividade, C
-1
e T a
temperatura do metal, C.
Tabela 15.2 - Descontinuidade de energia em elementos semicondutores.
A 20 C
Descontinuidade
de energia, Eg Elemento
(10
-18
J) (eV)
Frao de eltrons de
valncia com energia > Eg
Condutividad
e, (
-1
.m
-1
)
C (diamante) 0,96 ~6 ~1/30x10
21
<10
-16

Si 0,176 1,1 ~1/10
13
5x10
-4

Ge 0,112 0,7 ~1/10
10
2
Sn (cinzento) 0,016 0,1 ~1/5000 10
6


Deve-se relacionar aqui, principalmente a intensidade de ligao qumica com
o valor de energia da largura da banda proibida. Note-se o alto valor, 6 eV, para o
diamante (alto ponto de fuso, altamente covalente) e o valor j quase irrisrio para
o estanho, 0,1 eV (apresenta baixo ponto de fuso, ligao j praticamente
metlica). Conseqentemente, deve se observar as conseqncias para a
condutividade eltrica a temperatura ambiente.
Os elementos qumicos que apresentam semicondutividade so os elementos
do Grupo IV da tabela peridica, eles possuem a mesma estrutura cristalina,
nmero de coordenao igual a 4, e cada par vizinho de tomos compartilha um par
de eltrons (Figura 15.2).


Figura 15.2 - Representao bidimensional de alguns tomos no cristal de silcio.


15.2 Semicondutores intrnsecos - transporte de cargas eltricas na rede
cristalina do Si, ou Ge, puros

Nos semicondutor as ligaes so predominantemente covalentes, e em
conseqncia altamente direcionais. Os eltrons esto localizados entre os tomos
ao longo da direo da ligao, sendo impossvel se moverem atravs do cristal, a
menos que exista energia trmica suficiente para separa-los do seu estado ligado.
A ruptura de uma ligao de valncia entre dois tomos vizinhos da Figura
15.2 libera um eltron, o que corresponde no modelo de bandas, transferncia de
um eltron da BV para a BC. A lacuna ou buraco deixado na ligao rompida na BV
tambm pode contribuir para a conduo da seguinte maneira: um eltron mais
profundo (mais interno) de uma ligao vizinha da BV pode mover-se para aqueles
401

nveis vagos pode saltar para essa lacuna, o que equivalente transferncia de
carga positiva em sentido contrario ao deslocamento de eltron. Assim na conduo
eltrica num semicondutor como o silcio ou o germnio puros, tanto os eltrons
como os buracos atuam como transportadores de carga, movendo-se num campo
eltrico aplicado. Os eltrons de conduo tm carga negativa e so atrados para o
terminal positivo de um circuito eltrico. Os buracos, por seu turno, comportam-se
como cargas positivas e so atrados pelo terminal negativo de um circuito eltrico.
Um buraco tem uma carga positiva igual em mdulo carga do eltron. Na Figura
15.3 pode visualizar-se o movimento de um "buraco" num campo eltrico, E,
aplicado.


Figura 15.3 - (a) Quando se aplica um E na direo e sentido indicados exerce-se
uma fora nos eltrons de valncia do tomo B, e um dos eltrons associados ao
tomo B liberta-se do seu orbital ligante e move-se para o buraco no orbital ligante
do tomo A (ao qual falta um eltron de valncia). (b) O buraco est agora no tomo
B, e move-se, de fato, de A B no sentido do campo aplicado. (c) Por um
mecanismo semelhante, o buraco transportado do tomo B para o tomo C por
um eltron que se desloca de C B. O resultado global deste processo que h
transporte de um eltron de C A, isto , no sentido oposto ao E aplicado,
enquanto o buraco transportado de A C, no sentido do E aplicado.

Em resumo: durante a conduo eltrica num semicondutor puro como o Si,
os eltrons negativamente carregados movem-se no sentido oposto ao do campo
aplicado (sentido convencional da corrente) em direo ao terminal positivo, e os
buracos carregados positivamente movem-se no sentido do campo aplicado, para o
terminal negativo.
Na Figura 15.4 pode observar-se uma representao esquemtica da
semiconduo intrnseca do germnio.
402


Figura 15.4 - Semicondutor intrnseco (germnio). (a) Representao esquemtica
mostrando eltrons em suas ligaes covalentes (e suas bandas de valncia) a 0K.
(b) Par eltron-buraco eletrnico a T>0 K. (c) Descontinuidade de energia, atravs
da qual um eltron () deve ser elevado banda de conduo. Para cada eltron de
conduo h um buraco eletrnico (O) produzido entre os eltrons de valncia.


15.3 Semicondutores extrnsecos

Normalmente, amostras de Si e Ge apresentam condutividades, , muito
mais elevadas daquelas citadas anteriormente. Isto ocorre porque os
semicondutores tm extremamente sensveis presena de impurezas. Duas
amostras de um mesmo material semicondutor, com graus de impurezas diferentes
entre porcentagens to mnimas que nem possam ser detectadas por anlise
qumica convencional, podem apresentar condutividades centenas de vezes
diferentes entre si. Por este motivo, a tecnologia de semicondutores muito crtica
no que se refere medida e ao controle das concentraes de impurezas. No
processo de dopagem, os semicondutores so produzidos a partir de materiais que,
inicialmente, possuem pureza extremamente elevada, contendo geralmente teores
totais de impurezas da ordem de 10
7
%, ou seja, para cada 10
9
tomos do material
est presente, de maneira no proposital, um tomo de impureza [1].

15.3.1 Semicondutores extrnsecos tipo n

Considere por exemplo, uma amostra de Si contendo um tomo de arsnico,
As. O arsnico tem cinco eltrons de valncia enquanto que o silcio tem quatro. Na
Figura 15.5a, o eltron extra est presente independentemente dos pares de
eltrons que servem como ligao entre tomos vizinhos. Este eltron excludo da
ligao, uma vez que a estrutura est saturada quimicamente, atrado pela regio
positivamente carregada do tomo de impureza, permanecendo numa rbita prpria.
Este eltron possui energia de ligao muito menor que a dos eltrons instalados
nas rbitas de valncia podendo ser facilmente excitado por energia trmica para a
BC. Estas impurezas so chamadas doadoras. Este eltron pode transportar uma
carga no sentido do eletrodo positivo (Figura 15.5b).

403


(a) (b) (c)
Figura 15.5 - (a) Representao bidimensional do cristal de Si dopado com As. (b) e
(c) Diagrama de bandas do um semicondutor tipo n, mostrando o nvel doador.

Alternativamente na Figura 15.5c os eltrons extra o que no podem residir
na banda de valncia totalmente preenchida ficam localizados proximamente ao
topo da descontinuidade de energia. Desta posio denominada nvel doador Ed
os eltrons extra podem ser ativado facilmente a fim de alcanar a banda de
conduo. O nvel doador est situado a certa distncia energtica abaixo da banda
de conduo. Desta forma, necessria uma quantidade de energia pequena, Eg
Ed, para transferir o eltron do seu nvel orbital para a banda de conduo.
Conseqentemente, tomos do Grupo V (N, P, As e Sb) podem fornecer
transportadores de carga negativos, ou tipo n, a semicondutores. Semicondutores
deste tipo tm centenas de vezes mais eltrons na banda de conduo provenientes
das impurezas que eltrons dos tomos hospedeiros oriundos da banda de valncia.
Neste caso, sua condutividade se deve mais presena de impurezas que ao
processo intrnseco de ativao trmica.
Como h uma predominncia de eltrons em relao s lacunas, diz-se que
os portadores majoritrios so negativos. Por outro lado, no momento que o material
tipo n ativado termicamente, o eltron que no est efetivamente participando da
ligao covalente se liberta, o tomo de impureza fica com carga positiva (ionizado).
Com o cristal contendo ons, teremos assim, eltrons livres e ons participando da
conduo.
Quando aplicamos uma tenso num cristal do tipo n, os eltrons livres
presentes no estado vo permitir o fluxo de eltrons corrente eltrica. Os ons no
podem mover-se pois esto presos ao cristal, mas eventualmente pode ocorrer que
um dos eltrons venha ocupar sua posio inicial no tomo de impureza anulando
o on positivo. O efeito que aparece, de os ons estarem se deslocando dentro da
estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo de eltrons. Esse deslocamento de
ons na realidade imperceptvel. Lembre-se que as impurezas so adicionadas na
proporo 1:10 a 20 milhes de tomos de Ge ou Si.

15.3.2 Semicondutores extrnsecos tipo p

Os elementos do Grupo III (B, Al, Ga e In) tm somente trs eltrons de
valncia. Quando tais elementos so adicionados ao Si como impurezas, resultam
404

buracos eletrnicos. Como ilustrado nas Figuras 15.6a uma das ligaes covalentes
do Si com um tomo de boro ficar com falta de um eltron. Essa ausncia de um
eltron tambm se comporta como uma lacuna, porm, neste caso, essa lacuna no
se encontra na banda de valncia j que um eltron dessa banda precisa receber
uma certa energia para ocupar esse estado (o tomo de Boro rejeita um quarto
eltron nas suas vizinhanas). Deste modo, as lacunas provenientes das impurezas
ocupam um nvel de energia acima da banda de valncia, na banda proibida,
chamado nvel receptor, Er. Essa lacuna atua como carga positiva, atraindo
qualquer eltron que esteja perto, para completar sua ligao.
Essas impurezas so chamadas receptoras. Por outro lado o eltron de Si ou
Ge que no forma ligao covalente com a impureza, estar preso ao ncleo
apenas pela atrao inica, e com uma pequena quantidade de energia trmica
poder se libertar e circular pela estrutura. Sempre que um eltron se liberta,
deixar uma lacuna, na banda de valncia que poder participar do processo de
conduo na presena de um campo. Usamos de novo o modelo de bandas
esquematizado acima nas Figuras 15.6b e 15.6c.
Notamos que a diferena de energia para os eltrons se moverem da banda
de valncia ao nvel receptor, Er, muito menor que a descontinuidade de energia
total. Portanto, os eltrons so mais efetivamente ativados no mbito das posies
receptoras do que no mbito da banda de conduo. Os buracos eletrnicos que
permanecem na banda de valncia so aproveitveis como transportadores
positivos para semiconduo tipo-p.



(a) (b)
405


Figura 15.6 - (a) Representao bidimensional do cristal de Si dopado com B. (b)
Diagrama das bandas de energia para semicondutores extrnsecos do tipo p. Sob
temperatura finita, eltrons da banda de valncia so excitados para os buracos nos
nveis aceitadores e cada eltron excitado gera um respectivo buraco na banda de
valncia. Adicionalmente, eltrons da banda de valncia so excitados para a banda
de conduo e tambm deixam seus respectivos buracos. Assim os buracos na
banda de valncia esto em maior numero do que os eltrons na banda de
conduo. (c) O nvel de energia receptor, Er.

Na Figura 15.6c mostrada a localizao do nvel de energia receptor, Er, o
qual est um pouco acima do fundo da descontinuidade de energia.
Materiais com impurezas desse tipo, e que, possuem muito mais lacunas
provenientes das impurezas, que lacunas causadas pela ativao de eltrons que
saltaram regio de energia proibida, so semicondutores extrnsecos tipo-p. Neste
caso, onde existe uma predominncia de lacunas na banda de valncia sobre os
eltrons de banda de conduo, diz-se que os portadores majoritrios so positivos
e a impureza denominada receptora.
Na Tabela 15.3 so apresenta alguns elementos utilizados como impurezas
(dopantes) no Si.

Tabela 15.3 - Propriedades de dois semicondutores de silcio dopados.
Material original Silcio Silcio
Dopante Fsforo Alumnio
Tipo de dopante Doador Receptor
Valncia do dopante 5 (= 4 + 1) 3 (= 4 1)
Tipo de semicondutor Tipo n Tipo p
Lacuna de energia do dopante 45 meV 57 meV
Portadores majoritrios Eltrons Buracos
Portadores minoritrios Buracos Eltrons
Carga do on dopante + e - e

A concentrao de impurezas em semicondutores intrnsecos normalmente,
menor que 1 ppm. Os extrnsecos contem de 100 a 1000 ppm. A Tabela 15.4
mostra os elementos usados como impurezas e suas energias de ionizao (eV). As
impurezas da Tabela 15.4 so as mais utilizadas por produzirem nveis energticos
406

suficientemente prximos da banda de conduo e de valncia, respectivamente
produzindo concentraes de portadores significativas temperatura ambiente.

Tabela 15.4 - Elementos usados como impurezas e suas energias de ionizao
(eV).
Tipo Ge Si
B P 0,0104 0,045
Al P 0,0102 0,057
Ga P 0,0108 0,065
In P 0,0112 0,160
P N 0,0120 0,044
As N 0,0127 0,049
Sb N 0,0096 0,039

Metais de transio como o Fe, Ni, Co, Cu, quando agregados ao Ge e Si
produzem nveis profundos distantes das bordas das bandas. Imperfeies nos
cristais podem originar nveis de energia na banda proibida, mas esses nveis
funcionam normalmente como armadilhas (traps), aprisionando os portadores,
eltrons ou lacunas, e assim abaixam a condutividade.
Lembre-se que o processo intrnseco est sempre presente nos
semicondutores. Nos tipos n e p, temperatura ambiente, este processo superado
pela ao de doadores e receptores da produo de portadores livres para efeito de
condutividade. Devemos lembrar que esses processos so dinmicos. Em um tipo
n, os doadores de eltrons esto continuamente sendo ativados fornecendo eltrons
para a banda de conduo. Outros eltrons, com intensidade menor esto sendo
ativados, oriundos da banda de valncia. Todos esses eltrons na BC, por sua vez,
so continuamente recombinados, tanto com doadores j ionizados por ativao
anterior quanto com lacunas na BV. Cada um desses processos tem seu equilbrio
separado, correspondendo a uma dada temperatura a uma populao
estatisticamente estvel de eltrons na banda de conduo e lacunas na banda de
valncia.
Num semicondutor intrnseco, o nmero de lacunas igual ao nmero de
eltrons livres. Enquanto a agitao trmica continua produzindo novos pares,
eltron-lacuna, outros pares desaparecem, resultado da recombinao. Quando a
temperatura aumenta, mais eltrons ganham energia para saltar para a banda de
conduo liberando-se das ligaes inicas ou covalentes, um igual nmero de
lacunas deixado na banda de valncia, os eltrons da banda de conduo perdem
energia por meio de colises e voltam banda de valncia onde se recombinam
com as lacunas.
Uma condio de equilbrio atingida onde a taxa de gerao e
recombinao de pares eltron-lacuna so iguais. Este processo dinmico permite a
existncia de um nmero mdio de eltrons e lacunas em um semicondutor para T >
0 K, sendo que esse nmero mdio depende da temperatura e do material.


15.4 Conceito de lacuna ou vacncia

Lacunas referem-se a estados da banda de valncia vazios, no preenchidos
por eltrons. Elas so tambm chamadas por buracos ou holes em Ingls.
Veremos que a lacuna pode ser tratada como uma partcula de carga positiva, e que
407

esta sua caracterstica deve-se ao comportamento estranho dos demais eltrons da
banda de valncia onde se encontra a lacuna. Na realidade a lacuna no existe
como partcula ou como entidade isolada, mas ela uma conseqncia do
movimento de eltrons num potencial peridico. Assim, a lacuna livre no existe.
No possvel criar um canho de lacunas como existe para eltrons. Lacunas
resultam de um artifcio matemtico. Quando um eltron adquire energia suficiente
para passar da banda de valncia para a banda de conduo, ele deixa atrs de si
um estado vacante no topo da banda de valncia (novamente devemos lembrar que
isto significa que um eltron foi arrancado de uma ligao, e a falta desse eltron
produz esse estado vacante). Esta lacuna pode ser ocupada por um eltron de um
estado prximo (ou seja, o eltron de uma ligao vizinha), j que pouca energia
requerida para essa transio. Dessa maneira, tudo se passa como se a lacuna se
movesse dentro do cristal na banda de valncia do mesmo modo como o eltron na
banda de conduo. Na verdade, muitos eltrons so envolvidos no movimento de
uma nica lacuna, porm, ao invs de considerarmos o comportamento dos eltrons
consideraremos o da lacuna.
As lacunas comportam-se como as partculas com carga igual em magnitude
a do eltron, porm, de sinal oposto. Sob a ao de um campo eltrico, elas
movem-se na direo oposta quela dos eltrons. O mecanismo qualitativo pelo
qual a lacuna contribui para a condutividade o seguinte: quando uma ligao
incompleta (tal que existe uma lacuna) relativamente fcil de ser preenchida por
um eltron de valncia que deixa uma ligao covalente de um tomo vizinho, este
eltron ao sair da ligao covalente, deixa outra lacuna. Esta lacuna, nesta nova
posio, pode agora ser preenchida por um eltron oriundo de outra ligao
covalente, e a lacuna se mover na direo oposta ao movimento do eltron. Assim,
efetivamente, a lacuna se move na direo oposta direo do eltron. Temos
assim, um mecanismo de conduo de eletricidade que no envolve eltrons livres.
Este fenmeno ilustrado no esquema da Figura 15.7 onde um crculo com um
ponto representa uma ligao completa e um crculo vazio designa uma lacuna. Na
Figura 15.7a ilustra-se uma fileira de 9 ons, com uma ligao quebrada, ou lacuna,
no sexto on.


Figura 15.7 - Mecanismo o pelo qual uma lacuna contribui para a condutividade.

Um eltrons a partir do 7 on se move para a lacuna do 6 on, resultando na
configurao (Figura 15.7b) temos a impresso que a lacuna moveu-se para a
direita em (Figura 15.7b). Esta explanao mostra que o movimento da lacuna no
sentido indicado significa o transporte de carga negativa em igual distncia, mas em
sentido oposto ao transporte de carga positiva. Portanto, para o fluxo de portadores,
a lacuna comporta-se como uma carga positiva, igual em magnitude da carga do
eltron. Podemos ento considerar, que as lacunas so entidades fsicas cujo
movimento constitui uma corrente eltrica.
As propriedades das lacunas podem ser resumidas:
408

a) Comportam-se como partculas de igual carga quela do eltron, porm de
sinal oposto;
b) Sob a ao de um campo E, se movem a favor do campo eltrico (direo
oposta a dos eltrons);
c) Existem s no topo da banda de valncia, enquanto que os eltrons se
movem em sentido contrrio com energia no p da banda de conduo.
Entretanto, no devemos esquecer que, fisicamente, somente os eltrons se
movem na direo oposta ao campo. Um grupo deles, livres, e outro grupo, preso
pelas ligaes qumicas, saltando de lacuna em lacuna disponvel. Temos assim,
dois processos de conduo distintos, e como veremos, isto resultar em mobilidade
diferentes para cada um deles.


15.5 Mecanismo de conduo nos semicondutores

Consideremos um semicondutor com uma certa populao de eltrons na
banda de conduo. Essa populao depende, logicamente, da impureza existente
no material e da temperatura. Esses eltrons ocupam os nveis mais baixos da
banda de conduo, sujeito s condies restritivas de que no mais de dois
eltrons podem ocupar o mesmo nvel simultaneamente. Tal restrio na realidade
no tem sentido prtico, como analisaremos a seguir. Suponhamos que essa
populao de eltrons seja de 10
22
eltrons/m
3
. Eles se encontram nos estados
permitidos de energia localizados numa faixa de aproximadamente 0,04 eV (3/2 kT a
300 K) de energia a partir do extremo inferior da banda. Porm, nessa faixa de
energia, existem nveis suficientes para acomodar 10
4
vezes esse nmero de
eltrons. Deste modo, os eltrons presentes na banda de conduo tem um nmero
muito grande de nveis desocupados para os quais podem se transferir, quando
suas energias forem modificadas por um campo eltrico aplicado. Muito raramente a
ao de um eltron ficar limitada pela presena dos demais.
O mesmo raciocnio vlido para a populao de lacunas na banda de
valncia do material. Entretanto, nesse caso a faixa de energia ocupada medida
no sentido descendente, iniciando no topo da banda de valncia e terminando em
torno de 0,04 eV abaixo desse topo.
Podemos, ento, considerar esses eltrons e essas lacunas como
praticamente livres no material. So esses portadores os responsveis pelo
transporte de corrente no semicondutor quando sujeito a um campo eltrico, e
portanto, que determinam a condutividade do material a uma dada temperatura.

15.5.1 Mobilidade de carga em semicondutores

Um semicondutor tem transportadores de carga negativos e positivos. Os
eltrons que saltam para a banda de conduo so transportadores do tipo negativo
e a condutividade, , que eles produzem depende de sua mobilidade
n
atravs da
BC do semicondutor. Os buracos (lacunas) eletrnicos que so formados na banda
de valncia so transportadores do tipo positivo. A condutividade por eles produzida
depende da sua mobilidade
p
atravs da BV do semicondutor. Para um condutor
deduzimos que

=
2
ne
v m
med e
ou
e
m
e ne
=
.
(14.30)
409


Sendo o tempo de coliso (a media dos tempos entre duas colises
sucessivas), o percurso livre mdio (distncia mdia que um eltron percorre entre
duas colises sucessivas). Assim para um condutor:

=
e
d
m
e
v (14.28)

=
d
d
e
d
v
m
e
(14.33)

= n
n
. e .
n
(15.1)

A mobilidade de deslocamento sendo a relao entre a velocidade de
deslocamento por unidade de campo eltrico como estudado no Captulo 14. Esta
grandeza fornece uma medida da maior ou menor facilidade com que o eltron pode
deslocar-se atravs de um dado material e depende da T e do tipo de impureza
presente nesse material (depende da natureza do processo de espalhamento).
Para um semicondutor:

= n
n
. q .
n
+ n
l
. q .
l
(15.2)

onde n
e
e n
l
so, respectivamente, as concentraes de eltrons na banda de
conduo e de lacunas na banda de valncia,
e
e
l
so as mobilidades dos
eltrons e das lacunas, respectivamente. Em semicondutores intrnsecos n
e
= n
l
e
teremos:

) (
l e e
e n + = (15.3)

Do mesmo modo que para os condutores, o valor da mobilidade
influenciado (
e
e
l
) depende da estrutura e pureza do material e tambm pela
temperatura.
Podemos obter, tambm, as mobilidades pelas expresses:

*
e
e
e
m
e
= e
*
l
l
l
m
e
= (15.4)

onde
e
e
l
so os tempos de relaxao dos eltrons e das lacunas e
*
e
m e
*
l
m suas
respectivas massas efetivas. As lacunas so de fato eltrons no topo da banda de
valncia, cuja massa efetiva negativa e de mdulo menor que a massa real do
eltron. Por outro lado, eltrons no extremo inferior da banda de conduo possuem
massa efetiva positiva e menor que a massa real do eltron. Geralmente temos que
|
*
l
m | > |
*
e
m |. Alm disso, eltrons e lacunas podem sofrer diferentes nmeros de
espelhamentos, levando a diferentes tempos de relaxao, e consequentemente a
diferentes mobilidades.
Define-se a massa efetiva pela seguinte relao:

410

1
2
2
2
*

=
k
E
m (15.5)

Tanto a velocidade como a massa efetiva,
*
e
m , dependem das curvas E(k)
que descrevem a estrutura de bandas. Essa Equao 15.5 fornece o efeito das
foras internas, exercidas pelos ons da rede sobre o eltron, e esto contidas no
valor da massa efetiva e que pode ter valores bem diferentes da m
e
sujeito a fora
externa.
Podemos concluir que a conduo atravs dos eltrons, de uma banda de
valncia quase cheia de um cristal, equivalente conduo atravs de partculas
fictcias, correspondendo aos estados desocupados e de massa efetiva negativa
(m*), chamadas lacunas, as quais se comportam como se fossem partculas de
carga e massa de sinais positivos. Uma analogia corrente eltrica por lacunas o
caso de uma bolha caminhando na gua. A bolha uma ausncia de gua, sendo
que seu deslocamento corresponde na verdade ao movimento de gua em sentido
oposto. Embora seja a lacuna uma partcula fictcia que no existe na realidade, um
engenheiro pode adot-la como sendo uma partcula real para efeitos prticos, de
uso na anlise de dispositivos.
Quando um campo eltrico de intensidade aplicado um semicondutor,
surge uma densidade de corrente dada por:

+ = = ) (
l l e e
N N e J (15.6)

Em alguns casos, quando a densidade de portadores livres
predominantemente de um s tipo, ou quando a mobilidade de um deles muito
maior que a do outro, podemos desprezar a contribuio de um dos portadores na
densidade de corrente.
Tanto o eltron quanto a lacuna (buraco) transportam a mesma unidade de
carga bsica (1,6 x 10
19
C). Num semicondutor intrnseco h uma formao de
pares eltrons de conduo e de buracos eletrnicos, temos n
n
= n
p
. J para os
semicondutores extrnsecos n
n
n
p
, proporcional concentrao de eltrons
livres, n. Para um bom condutor, n muito grande (10
28
e/cm
3
); para um isolante, n
muito pequeno (~10
7
) e para um semicondutor, situa-se entre esses dois valores.
Os eltrons se valncia em um semicondutor no esto livres para se deslocarem
como se estivessem em um metal, mas encontram-se capturados em uma ligao
entre dois ons adjacentes.
A Tabela 15.5 apresenta as propriedades de alguns semicondutores
(intrnsecos e extrnsecos).
Tabela 15.5 - Propriedades de semicondutores comuns (20C).
Descontinuidad
e de energia, E
g

Mobilidades
(m
2
/V.s)
Material
(10
-18
J) (eV)
Eltron,

n

Buraco,

p

Condutividade
intrnseca
(
-1
.m
-1
)
Parmetro
celular, a
(nm)
Elementos
C
(diamente)
0,96 ~6 0,17 0,12 < 10
-6
0,357
Silcio 0,176 1,1 0,19 0,0425 5x10
-4
0,543
Germnio 0,016 0,7 0,36 0,23 2 0,566
Estanho
(cinzento)
0,016 0,1 0,20 0,10 10
6
0,649
Compostos
AlSb 0,26 1,6 0,02 - - 0,613
GaP 0,37 2,3 0,019 0,012 - 0,545
GaAs 0,22 1,4 0,88 0,04 10
-6
0,565
GaSb 0,11 0,7 0,60 0,08 - 0,612
InP 0,21 1,3 0,47 0,015 500 0,587
InAs 0,058 0,36 2,26 0,026 10
4
0,604
InSb 0,029 0,18 8,2 0,17 - 0,648
ZnS 0,59 3,7 0,014 0,0005 - -
SiC (hex) 0,48 3 0,01 0,002 - -
Obs.: nions, com eltrons extras, so do tipo-negativo e ctions, com deficincia
em eltrons, so do tipo-positivo.

Da Tabela 15.5 podemos tirar duas concluses:
A magnitude da descontinuidade de energia geralmente decresce quando
nos deslocamos das posies mais altas para as mais baixas na tabela
peridica (C Si Ge Sn), ou (GaP GaAs GaSb), ou (AlSb
GaSb InSb).
A mobilidade dos eltrons em um dado semicondutor muito maior que a
mobilidade de buracos (lacunas) eletrnicos no mesmo semicondutor. Isto
ser importante quando se considera o uso de semicondutores do tipo n em
contraste com os do tipo p.
Para concluir sobre semicondutores intrnsecos, o processo de transferncia
de eltrons da banda de valncia para a banda de conduo por energia trmica, se
repete continuamente, sempre que o cristal esteja a T > 0 K. O equilbrio resultante
entre o processo trmico de formao de pares eltron - lacuna e o processo natural
de recombinao, leva a uma concentrao mdia desses portadores, a qual
determina-se a condutividade eltrica intrnseca desses materiais naquela
temperatura. Um aumento de temperatura leva elevao dessa concentrao
mdia e a um aumento da condutividade por um comportamento inverso aos
condutores.
A Tabela 15.6 fornece como dado complementar os valores dos portadores
de carga por unidade de volume.
Tabela 15.6 - Propriedades eltricas de compostos semicondutores temperatura
de 300 K.
Grupo Material
Eg
(eV)

n

[m
2
/(V.s)]

p

[m
2
/(V.s)]
Parmetro
de rede
n
l

transportadores/m
3

14 Si 1,10 0,135 0,048 5,4307 1,50x10
16

Ge 0,67 0,390 0,190 5,257 2,4x10
19

13-15 GaP 2,25 0,030 0,015 5,450
GaAs 1,47 0,720 0,020 5,653 1,4x10
12

GaSb 0,68 0,500 0,100 6,096
InP 1,27 0,460 0,010 5,869
InAs 0,36 3,300 0,045 6,058
InSb 0,17 8,000 0,045 6,479 1,35x10
22

12-16 ZnSe 2,67 0,053 0,002 5,669
ZnTe 2,26 0,053 0,090 6,104
CdSe 2,59 0,034 0,002 5,820
CdTe 1,50 0,070 0,007 6,481

Exemplo 1: Para o silcio intrnseco temperatura ambiente, a condutividade
intrnseca 4 x 10
-4
( m)
-1
, a mobilidade dos eltrons e lacunas 0,14 e 0,048
m
2
/Vs, respectivamente. Calcule a concentrao de eltrons e lacunas a
temperatura ambiente.
n
n
= n
p
. = n |e| (
e
+
h
)
n = .
|e| (
e
+
h
)
n = 4 x 10
-4
.


(1,6 x 10
-19

C)(0,14-0,048 m
2
/ Vs)
n = 1,33 x 10
16
m
-3

Exemplo 2: O P adicionado ao silcio de alta pureza para dar uma concentrao
de 10
23
e/m
3
de portadores de carga temperatura ambiente. (a) Este material
tipo n ou tipo p? (b) Calcule a condutividade a temperatura ambiente assumindo que
a mobilidade de
e
e
h
a mesma que para o material intrnseco.
(a) Todos esses 10
23
so eltrons > 10
16
intrnsecos
(b) = n |e| = (10
23
m
-3
)(0,14 m
2
/Vs)(1,6 x 10
-19
C) = 2240 ( m)
-1


Voltando a Tabela 15.6 devemos destacar aqui a grande mobilidade
eletrnica e de buracos no GaAs comparada com os outros compostos e os
elementos puros Si e Ge. Sabemos que isto intrnseco estrutura de bandas do
GaAs, a qual permite a existncia de eltrons de conduo com massa efetiva
pequena (ver o artigo Gallium Arsenide Transistors, por W. R. Frensley, em
Scientific American, p. 68, August, 1987, v. 257, n. 2). Mais notvel ainda a
mobilidade dos eltrons no InAs e InSb. Estas grandes mobilidades resultam em
elevada condutividade eltrica.

15.6 Materiais semicondutores

Ser til lembrarmos a regio da tabela peridica que envolve os materiais
elementares ou compostos, semicondutores. A Tabela 15.7 abaixo mostra os
grupos II, III, IV, V e VI em termos de valncia, ou nmero de eltrons externos.

Tabela 15.7 - Elementos formadores dos compostos semicondutores: grupo,
smbolo, nome e nmero atmico.
II B (12) III A(13) IV A(14) V A(15) VI A(16)
B
Boro
5
C
Carbono
6
N
Nitrognio
7
O
Oxignio
8
Al
Alumnio
13
Si
silcio
14
P
Fsforo
15
S
Enxofre
16
Zn
Zinco
30
Ga
Glio
31
Ge
germnio
32
As
Arsnio
33
Se
Selnio
34
Cd
Cdmio
48
In
ndio
49
Sn
Estanho
50
Sb
Antimnio
51
Te
Telrio
52
Hg
Mercrio
80
Tl
Tlio
81
Pb
Chumbo
82
Bi
Bismuto
83
Po
Polnio
84

Nos compostos puros, semicondutores, o nmero mdio de eltrons de
valncia por tomo deve ser quatro (como para o Si e o Ge puros). Assim, combina-
se Ga (III) com As (V) ou Cd (II) com Te (VI).
H numerosos compostos de diferentes elementos que so semicondutores.
Um dos tipos principais de compostos semicondutores so os compostos MX, em
que M um elemento mais eletropositivo e X um elemento mais eletronegativo.
Dentre os compostos MX, os grupos mais importantes so os compostos 13-15 e
12-16, formados por elementos adjacentes ao grupo 14 da tabela peridica (Figura
15.8). Os compostos semicondutores 13-15 consistem num elemento M do grupo
13, como Al, Ga e In, combinado com elementos X do grupo 15, como P, As e Sb.
Os compostos 12-16 consistem num elemento M do grupo 12, como Zn, Cd e Hg,
combinado com elementos X do grupo 16, como S, Se e Te.

414


Figura 15.8 - Parte da tabela peridica que contm os elementos usados na
formao de compostos semicondutores 13-15 e 12-16 do tipo MX.

Observando a Tabela 15.6 podemos analisar algumas tendncias
observando-se essa tabela:
O aumento da massa de um composto dentro de uma famlia, que ocorre
descendo ao longo das colunas da tabela peridica, provoca a diminuio do
hiato de banda de energia, o aumento da mobilidade dos eltrons (excees
GaAs e GaSb) e o aumento do parmetro de rede. Os eltrons dos tomos
maiores e mais pesados tm, em geral, maior liberdade de movimento e
esto menos fortemente ligados aos respectivos ncleos, tendo por isso
tendncia a ter menores hiatos de banda e maiores mobilidades dos eltrons.
Se percorrermos a tabela peridica desde os elementos do grupo 14 at aos
materiais 13-15 e 12-16, o aumento progressivo do carter inico faz com
que aumentem os hiatos de energia e diminua a mobilidade dos eltrons. O
aumento da ligao inica provoca uma ligao mais forte dos eltrons aos
respectivos centros inicos positivos; por isso, os compostos 12-16 tm hiatos
de banda maiores do que os compostos 13-15. O arseneto de glio o mais
importante dos compostos semicondutores e utilizado em muitos
dispositivos eletrnicos. O GaAs tem sido usado desde h muito tempo para
componentes de circuitos de micro-ondas. Hoje em dia, muitos circuitos
integrados digitais so feitos de GaAs. Infelizmente, a maior limitao da
tecnologia GaAS que o rendimento de circuitos integrados complexos
muito menor do que com o silcio, devido sobretudo ao fato de o GaAs conter
mais defeitos no material de base do que o silcio. No obstante, a utilizao
de GaAs est aumentando e h muita investigao em curso nesta rea.

Exemplo 3: (a) Calcule a velocidade de arraste dos eltrons no germnio
temperatura ambiente e quando a magnitude do campo eltrico de 1000 V/m. (b)
Sob essas circunstncias, quanto tempo um eltron leva para se deslocar
transversalmente atravs de uma distncia de 25 mm de cristal?
(a) Com o uso da tabela 15.6, a mobilidade do eltron para o germnio de
s v m / 38 , 0
2

s m m v s v m E v
e d
/ 380 ) / 1000 )( / 38 , 0 (
2
= = =
(b)
5
3
10 58 , 6
380
10 25

= = = X
X
vd
S
t s
415


15.6.1 Estrutura cristalina

Os elementos qumicos puros mais usados como semicondutores em
dispositivos eletrnicos so o Si e o Ge, do grupo IV, apresentam estrutura cbica
cristalina do diamante que consiste em uma repetio tridimensional de uma clula
primitiva que um tetraedro. Devido a caracterstica covalente da ligao qumica, o
poliedro de ligao (de coordenao) tetradrico. A Figura 15.9 mostra este
arranjo atmico.


(a) (b)
Figura 15.9 - Estrutura cbica do diamante na qual se cristaliza o Si e o Ge. Em (a)
viso explodida, em perspectiva, destacando a coordenao tetradrica do tomo.
Em (b) esquematiza-se a projeo de todos os tomos sobre o plano da base na
qual os nmeros indicam as alturas dos tomos relativamente a altura do cubo.

Alguns compostos covalentes do grupo IV so semicondutores e outros
isolantes. O carbeto de silcio, SiC, acima de 500 C um semicondutor intrnseco,
quando puro. A adio de Al o converte em tipo-p e o N o torna tipo-n. O SiC
apresenta uma estrutura cristalina cbica similar aquela do diamante.
Os compostos formados entre os elementos dos grupos III e V como o GaAs,
apresentam estrutura cristalina cbica como o sulfeto de zinco, ZnS (esfalerita). Esta
estrutura similar aquela do diamante, sendo que o Zn entra no lugar dos quatro
carbonos interiores, ou seja, ocupando assim a metade dos lugares intersticiais
tetraedrais com relao rede do S. A Figura 15.10 mostra em projeo e em
perspectiva esta estrutura.

416


(a) (b)

Figura 15.10 - Estrutura cristalina da blenda de zinco ZnS (cbico): (a) perspectiva,
(b) projeo sobre o plano de base. Para o GaAs os tomos de glio correspondem
as esferas maiores (arsnio as menores). A estrutura similar aquela do diamante.

A Tabela 15.8 a seguir mostra alguns compostos e elementos de estruturas
semelhantes e que apresentam caractersticas tambm semelhantes, alm de que
os compostos apresentam intervalos de energia proibida maiores do que os
semicondutores elementares.

Tabela 15.8 - Comparao entre os compostos II-V e os semicondutores
elementares do ponto de vista estrutural.

Si AlP Ge GaAs
Sn
(cinza)
InSb
Parmetro de rede (
o
A )
5,42 5,42 5,62 5,63 6,46 6,48
Distncia interatmica (
o
A )
2,42 2,34 2,44 2,44 2,80 2,80
Largura da banda proibida (eV) 1,1 3,0 0,72 1,34 0,08 0,11

A vantagem das bandas proibidas largas que a conduo intrnseca (a qual
torna intil a aplicao do semicondutor) deslocada para temperaturas mais
elevadas. Por exemplo, o Ge se torna intrnseco a 100 C, o Si a 200 C, os
compostos de AlP e AsGa exigem temperaturas ainda maiores. Outro aspecto
importante que se deseja operar os semicondutores sempre na regio do patamar
da densidade de portadores, pois assim os dispositivos se tornam estveis com
relao temperatura. Intervalos de energia proibida estendem a regio do patamar
para temperaturas mais elevadas.
A adio de Ge ao GaAs pode gerar tanto um semicondutor tipo-p como tipo-
n, dependendo se o Ge substitui o As (V por IV) ou se substitui o Ga (III por IV),
respectivamente. Assim, a dopagem de compostos torna mais flexvel obteno de
tipos diferentes.
Outros compostos formados por elementos dos grupos II e VI podem gerar
isoladores assim como semicondutores. Os exemplos mais comuns so: CdS (Eg =
2,45 eV), CdSe (Eg = 1,8 eV) e CdTe (Eg = 1,45 eV). O CdTe apresenta a estrutura
417

cristalina da esfalerita (ZnS, cbico), a qual j vimos antes. O CdS e o CdSe se
cristalizam com a estrutura da wurtzita (ZnS, hexagonal). Nesta estrutura, o enxofre
ocupa os pontos de uma rede hexagonal compacta e o zinco ocupa a metade dos
lugares tetraedrais (coordenao 4), ou seja, ocupa, por exemplo, apenas os
tetraedros virados para cima. A Figura 15.11 a seguir mostra em projeo sobre o
plano basal as respectivas posies atmicas.


Figura 15.11 - Estrutura da wurtzita, ZnS (hexagonal).

Numa clula existe associado: 6
1
3
2
2
6
12
= + + pontos da rede 6 S;
12
3
12
1
8
= + lugares intersticiais tetraedrais dos quais 6 so orientados para cima e 6
para baixo. Portanto, o Zn pode ocupar, por exemplo, todos os tetraedros orientados
para cima 6 Zn. Ou seja, nas arestas verticais, na altura
8
5
2 Zn, no eixo do
prisma, na altura
8
5
1 Zn e nos vrtices de trs tringulos, na altura
8
1
3 Zn,
num total de 6 Zn.
No CdS, a largura da banda proibida corresponde a uma freqncia
tpica da regio do visvel no espectro eletromagntico
418

( = = =
o
14
A 5074 Hz 10 x 91 , 5 h. 2,45eV regio do verde). Assim este
semicondutor tem aplicaes importantes e teis com relao medio de luz, por
exemplo, j que fton com esse valor de energia podem provocar a transio de
eltrons da banda de valncia para a de conduo.
Em geral, compostos IV-VI, principalmente envolvendo S, Se e Te com o Pb
so teis como detectores de infravermelho j que os intervalos de energia proibida
so, respectivamente, de: 0,37, 0,27 e 0,33 eV.
Muitos xidos apresentam caractersticas semicondutoras. Um bom exemplo
o ZnO com banda proibida de 3,3 eV. A adio de Zn, por aquecimento em vapor
de zinco, cria excesso de zinco intersticial na rede do oxignio, que facilmente
ionizvel, injetando eltrons na banda de conduo e portanto tornando-o tipo-n.
Uma analogia a isto, de tipo-p, o caso do xido cuproso, Cu
2
O. A extrao
de um on de Cu arrasta consigo um eltron da banda de valncia (neutralidade) e a
ligao insaturada de oxignio funciona como um nvel receptor.
Assim, estes so dois exemplos de semicondutores cujo excesso de um dos
portadores conseguido por pequenos desvios da estequiometria. Pode-se
denominar como no caso do xido de zinco, como um semicondutor de excesso
(Zn
1+x
O) e no caso do xido cuproso, de semicondutores de dficit (Cu
2-x
O). Abaixo
so mostrados os correspondentes esquemas de energia.


(a) (b)
Figura 15.12 - Esquemas de energia (a) xido de zinco e (b) xido cuproso.
Simbologia: Mi intersticial metlico;
+
Mi - intersticial ionizado positivamente;
+
) Mi (
- intersticial com falta de eltron associado; V
M
valncia de metal; )' V (
M
+
- valncia
de on metlico com um eltron associado.

No caso de xidos de metal de transio, o problema mais complicado
devido aos nveis d semipreenchidos. Em principio, os xidos destes metais
deveriam ser isolantes, j que a banda 2p do oxignio se torna preenchida pela
transferncia de eltrons do elemento metlico. Assim em princpio ter-se-ia bandas
cheias e vazias, caracterizando um isolante. Sabe-se, porm que nos metais de
transio as bandas 3d e 4s se superpem e isto causa efeitos importantes.

419


Figura 15.13 Superposio de bandas 3d e 4s no xido de titnio

Assim, vejamos o caso dos xidos de titnio da Figura 15.13. O TiO
apresenta caractersticas de propriedade metlica, porque aqui o Ti apresenta
valncia +2 e assim os dois eltrons 3d so transferidos para a banda 2p do
oxignio. Assim, embora a banda 3d do Ti esteja vazia, esta se superpe com a 4s
do Ti. J no TiO
2
, a valncia do Ti +4, o que na transferncia da ligao inica, o
Ti doa todos os eltrons 3d e 4s para a banda 2p do oxignio. Agora temos a banda
2p do oxignio totalmente cheia e a banda superposta 3d-4s do Ti totalmente vazia,
o que o torna um isolante. Desvios na estequiometria ideal podem produzir buracos
na banda 2p do oxignio, ou eltrons de conduo na banda 3d do Ti, convertendo
o TiO
2
num semicondutor extrnseco.
Para concluir, observa-se caractersticas semicondutoras em hidrocarbonetos
aromticos, tal como no antraceno (C
6
H
4
:Cl:C
6
H
2
) e alguns polmeros de cadeia
longa. Neste caso necessrio que as molculas atuem umas sobre as outras
provocando a formao de bandas. As larguras de banda proibida dos
semicondutores orgnicos alcanam valores de at alguns poucos eltron-Volts. Em
alguns casos a condutibilidade quase metlica e as mobilidades bastante
pequenas.

Exemplo 4: Sabe-se que um semicondutor do tipo n possui uma concentrao
eletrnica de
3 18
10 3

m x . Se a velocidade de arraste do eltron de 100 m/s em um
campo eltrico de 500 V/m, calcule a condutividade do material.
s v m
E
v
d
e
= = = / 2 , 0
500
100
2

( )( )( )
1 2 19 3 18
) ( 096 , 0 / 20 , 0 10 602 , 1 10 3 | |

= = = m s v m C x m x e n
e



15.7 Variao da mobilidade com a temperatura

As mobilidades dos portadores nos semicondutores so influenciadas
principalmente pelas impurezas e pela temperatura. Impurezas ionizadas assim
como fnons alteram a periodicidade da rede e, deste modo, funcionam como
centro de espalhamento para os portadores. Um aumento de temperatura ocasiona
um nmero maior de espalhamento dos portadores pelos ftons e,
consequentemente, uma diminuio da mobilidade. Em baixas temperaturas, a
vibrao da rede (fnons) no suficientemente intensa para influenciar
O: 1s
2
2s
2
2p
4

Ti: [Ar] 3d
2
4s
2

420

significativamente no deslocamento dos portadores, e a principal causa limitadora
da mobilidade so os tomos das impurezas existentes no material. Esse efeito
tanto mais pronunciado quanto menor for a temperatura, visto que a probabilidade
de ocorrer espalhamento pelas impurezas ionizadas tanto maior quanto menor for
a velocidade do portador espalhado. Deste modo, o aumento da concentrao de
impurezas leva a uma diminuio na mobilidade a baixas temperaturas. A Figura
15.14 mostra a dependncia da mobilidade com a temperatura para trs amostras:
uma pura e duas com diferentes concentraes de impurezas.


Figura 15.14 - Mobilidade dos portadores em funo da temperatura. A amostra 1
pura (intrnseca) T
-3/2
, no se observando espalhamento pelas impurezas. As
amostras 2 e 3 no so puras, sendo que a 3 possui uma concentrao maior de
impurezas.

Pode-se observar que, a baixas temperaturas predomina o termo T
3/2
, cujas
responsveis so as impurezas. A altas temperaturas, a mobilidade varia com T
-3/2
,
devido aos espalhamentos causados pelos fnons. Para semicondutores
intrnsecos, ou muito puros, esse termo predomina em qualquer temperatura.
A resistividade total dos semicondutores pode ser obtida pela expresso:

) (
1 1
l l e e
n n e +
=

= (15.4)

Essa resistividade total a soma da resistividade por fnons e por impurezas,
tal como para os condutores (regra de Matthiessen).
421


15.7.1 Efeito da temperatura na concentrao dos portadores livres

Pode-se observar que a condutividade (ou resistividade) de um semicondutor
depende tanto das mobilidades dos portadores como da concentrao destes. Esta
concentrao, por sua vez, tambm dependente da temperatura, j que os
eltrons so excitados termicamente para a banda de conduo ou nveis de
impurezas. Com auxlio do conceito de nvel de Fermi, pode-se obter uma descrio
quantitativa dessa dependncia.
A Figura 15.15 mostra a concentrao de portadores em funo do inverso da
temperatura absoluta para trs semicondutores intrnsecos hipotticos com larguras
da banda proibida de 0,5, 1,0 e 2,0 eV. O eixo das coordenadas est representado
em escala logartmica.


Figura 15.15 - Variao da concentrao de portadores livres por metro cbico em
funo do inverso da temperatura absoluta, para trs valores de E
g
.

A variao da condutividade com a temperatura para um semicondutor
intrnseco, nos casos onde
e
e
l
se modificam lentamente com a temperatura,
deve ter um desenvolvimento semelhante ao da Figura 15.15. Essa variao, obtida
de dados experimentais reais, mostrada na Figura 15.16 para alguns
semicondutores intrnsecos. A mesma figura mostra tambm os resultados obtidos
para um metal (condutor), no caso a platina.

422


Figura 15.16 - Variao da condutividade com o inverso da temperatura absoluta,
para alguns semicondutores intrnsecos.

importante observar que no intervalo de temperatura onde a condutividade
do metal decresce por um fator 2, a condutividade do silcio cresce de 10
3
, a do
Cu
2
O de 10
4
e a do Fe
2
O
3
de 10
6
. Este resultado mostra claramente como a
condutividade dos semicondutores muitas vezes mais sensvel temperatura que
a dos metais.
A aplicao da estatstica de Fermi para o clculo da concentrao de
portadores em semicondutores tipo n e p exige uma anlise mais complicada porque
a posio do nvel de Fermi no diagrama de bandas de energia dependente da
temperatura. Consideremos, por exemplo, o diagrama de bandas de um material
tipo n, como mostra a Figura 15.17.

423


Figura 15.17 - Em um semicondutor tipo-n, a zero Kelvin, o nvel de Fermi se
encontra no centro da regio entre os nveis doadores e o extremo inferior da banda
de conduo. Com o aumento da temperatura, ele se desloca em direo ao centro
da banda proibida.

Para se ter uma idia da dependncia do nvel de Fermi com a temperatura,
observamos a Figura 15.18. Nela consideramos seis temperaturas, a partir do 0 K,
onde ocorrem processos comuns a todos os semicondutores tipo-n.


Figura 15.18 - Em semicondutores tipo-n, quando a temperatura se eleva a partir do
0 K, o nvel de Fermi se desloca em direo ao centro da banda proibida. Quando a
temperatura suficientemente alta o material torna-se intrnseco (
2
g
F
E
E = ).

Com a temperatura prxima do zero absoluto, o nvel de Fermi se encontra
na regio central do intervalo entre os nveis doadores e o extremo inferior da
banda de conduo. O material quase no tem portadores livres, se
comportando como isolante.
A uma temperatura T1 > 0 K, a funo de Fermi se amplia de modo a se
sobrepor aos nveis inferiores da banda de conduo. Eltrons so excitados
424

dos nveis doadores para a banda de conduo. A condutividade do material
se eleva e o nvel de Fermi se desloca em direo a E
d
.
temperatura T
2
> T
1
, metade dos nveis doadores esto ionizados (vazios).
Pela prpria definio, o nvel de Fermi a esta temperatura coincide com o
nvel dos doadores (E
F
= E
D
).
A temperatura suficientemente elevada, de modo a ionizar todos os
doadores e o nvel de Fermi est abaixo dos nveis doadores. Quando E
F
est
3kT abaixo de E
d
, os doadores j esto ionizados em mais de 95%.
Dependendo do grau de concentrao das impurezas doadoras, nesta
temperatura a condutividade de material pode ser razoavelmente alta.
Com o aumento da temperatura, o nvel de Fermi continua a se deslocar e a
funo de Fermi se alarga, at que seu limite inferior comea a penetrar
significantemente nos nveis superiores da banda de valncia. Quando isso
ocorre, os eltrons dessa banda comeam a ser ativados para a banda de
conduo, com conseqente produo de lacunas.
Elevando-se ainda mais a temperatura, cada vez mais eltrons so ativados
atravs da banda proibida, aumentando a concentrao de eltrons na banda
de conduo e de lacunas na banda de valncia. A uma temperatura
suficientemente elevada, quando o nmero de eltrons ativados a partir da
banda de valncia muito superior queles fornecidos pelos doadores, o
material torna-se intrnseco.
A concentrao de eltrons em funo do inverso da temperatura mostrada
na Figura 15.19, para um semicondutor hipottico do tipo-n tendo E
g
= 2,0 eV, E
d
=
1,8 eV e N
d
= 10
20
doadores/m
3
(concentrao de impurezas doadoras).
Na Figura 15.19 esto indicadas as temperaturas de I a VI, j discutidas, e
pode-se observar trs regies principais, identificadas por dominado por impurezas,
de transio e intrnseca. Pode-se observar que na regio de transio a
concentrao de eltrons praticamente permanece constante e igual a ND
d
. A
Figura 15.19 mostra como a extenso e a disposio dessas trs regies dependem
da concentrao de impurezas existente no semicondutor. Quando essa
concentrao elevada, a regio dominado por impurezas se alonga, a regio de
transio diminui em extenso e o incio do comportamento intrnseco deslocado
para temperaturas mais elevadas.

425


Figura 15.19 - Variao da concentrao de eltrons na banda de conduo para
um semicondutor tipo-n, com E
g
= 2,0 eV, E
d
= 1,8 eV e N
d
= 10
20
doadores/m
3
.

15.7.2 Efeito da temperatura na condutividade de semicondutores

Vimos que a condutividade dos condutores metlicos diminui com o aumento
da temperatura (Figura 15.20), contrariamente nos semicondutores, esta
incrementa. A causa dessa tendncia j foi explicada no item acima pela
dependncia do nmero de portadores com a forma da funo de Fermi Dirac.

426


Figura 13.20 - Grfico da resistividade do cobre versus temperatura.

A natureza precisa de condutividade dos semicondutores ser uma funo de
T, = (T) se deriva de que a produo de portadores um processo termicamente
ativado, para este mecanismo a densidade de portadores se incrementa
exponencialmente com a temperatura, isto ,

kT
E
g
e n
2

(15.6)

Aqui E
g
a separao entre as bandas e T a temperatura absoluta. Este
mecanismo representa outro fenmeno no qual a rapidez do processo apresenta
comportamento de Arrhenius. Observe o fator de 2 no expoente da Equao 15.6,
ele surge pelo fato que cada promoo trmica produz um par eltron-lacuna. J a
condutividade para um semicondutor foi dada na Equao 15.4.

= n
n
. q .
n
+ n
l
. q .
l
(15.4)

Assim (T) est determinada por n e
n
e
l
. Da mesma forma que para os
condutores, a mobilidade diminui com o aumento de T, mas o crescimento
exponencial de n domina a dependncia geral com a T o qual permite escrever,

kT
E
g
e
2
0

= (15.7)

O
a constante pr-exponencial do tipo associado s equaes de Arrhenius.
Fazendo o ln em ambos os lados da Equao acima:

kT
E
g
2
ln ln
0
= (15.8)

Segundo essa Equao, obtemos uma linha reta de ln vs T
-1
com inclinao
k
E
g
2

(ver Figura 15.21).

427


Figura 15.21 - Grfico de Arrhenius dos dados de condutividade eltrica para o
silcio.

Exerccio 1: Calcule a condutividade do germnio a 200C com os dados da Tabela
15.5.

15.7.3 Efeito da temperatura na semiconduo extrnseca tipo n

Como discutido acima, h duas possibilidades de semiconduo extrnseca,
tipo n e tipo p. Na Figura 15.22a mostrada uma pequena poro da tabela
peridica em torno do silcio para a produo de silcio extrnseco. Na Figura 15.23
mostrado o diagrama de nveis destacando-se a localizao do nvel doador, E
d
, no
caso do semicondutor tipo n. A comparao da funo de Fermi, f(e), com a
estrutura da banda de energia para um semicondutor tipo n dada na figura 15.24.
A barreira de energia que deve superar-se para formar um eltron de conduo (E
g
-
E
d
) substancialmente menor daquela do semicondutor intrnseco. J que os
portadores majoritrios so eltrons a condutividade pode expressa como:

e
nq = (15.9)

Aqui n o nmero de eltrons devido ao dopante dos tomos do grupo VA,
por exemplo. A semiconduo extrnseca tipo n outro processo termicamente
ativado e pode expressar-se segundo a Equao:

kT Ed Eg
e
/ ) (
0

= (15.10)

No h um fator de 2 no expoente porque neste caso a ativao trmica
produz um nico portador de carga.

428


Figura 15.22 - Uma pequena seo da tabela peridica. O silcio do grupo IVA,
um semicondutor intrnseco. Ao adicionar uma pequena quantidade de fsforo do
grupo VA surgem eltrons extras. O fsforo um dopante tipo n. Da mesma forma,
o alumnio um dopante tipo p por ter uma deficincia de eltrons de valncia.


Figura 15.23 - Estrutura da banda de energia de um semicondutor tipo n.


Figura 15.24 - Comparao da funo de Fermi, f(e), com a estrutura da banda de
energia para um semicondutor tipo n.
429


Aplicando o ln Equao 15.10 tem-se o grfico de Arrhenius da Figura
15.25. Entretanto a faixa de temperatura da semiconduo extrnseca tipo n
limitada, isso pode ser comprovado observando a Figura 15.26. Os eltrons de
conduo proporcionados pelos tomos do grupo VA so mais fceis de serem
produzidos termicamente do que os eltrons de conduo a partir do processo
intrnseco. Entretanto o nmero de eltrons extrnsecos pode no ser maior que o
nmero de tomos dopantes (1 eltron por tomo). Como resultado o grfico de
Arrhenius da Figura 15.26 tem um limite superior que corresponde a Temperatura
na qual todos os eltrons extrnsecos j foram promovidos para a banda de
conduo.


Figura 15.25 - Grfico de Arrhenius da condutividade eltrica para um semicondutor
tipo n.

Assim o processo apresenta um limite superior de temperatura para o
processo extrnseco, at atingir a faixa de esgotamento. O mesmo ilustrado na
fig. 15.26. A baixas temperaturas (valores grande de 1/T) domina o comportamento
extrnseco. A faixa de esgotamento uma regio quase horizontal na qual o nmero
de portadores de carga fixo (igual ao nmero de tomos dopantes). Conforme
continua elevando-se a temperatura, a condutividade devida ao material intrnseco
(silcio puro), chega a ser muito maior que a devida aos portadores de carga
extrnsecos (Figura 15.26). A faixa de esgotamento um conceito til para os
engenheiros que desejam minimizar a necessidade de compensao de
temperatura em circuitos eltricos. Esta faixa de condutividade quase constante
com a temperatura.

430


Figura 15.26 - Grfico de Arrhenius para a condutividade eltrica para um
semicondutor tipo n, numa faixa de temperatura superior aquela da Figura 15.25.

15.7.4 Efeito da temperatura na semiconduo extrnseca tipo p

Quando um tomo do grupo IIIA (por exemplo, o Al) se combina em soluo
slida com o silcio, tem apenas trs eltrons de valncia, um a menos do que o
necessrio para se ligar aos quatro tomos de silcio adjacentes. A Figura 15.27
mostra o resultado para a estrutura de banda de energia do silcio em um nvel
aceptor prximo da banda de valncia. Um eltron da banda de valncia do silcio
pode ser facilmente promovido a este nvel gerando um vacncia de eltron (um
portador de carga positiva). Assim como no material tipo n, a barreira de energia
para formar um portador de carga (E
a
) muito menor que no material intrnseco
(E
g
). A posio relativa da funo de Fermi se desloca para abaixo (Figura 15.28). A
equao de condutividade adequada

h
nq = (15.11)

onde n a densidade das lacunas de eltrons.

Figura 15.27 - Estrutura da banda de energia de um semicondutor tipo p.
431


Figura 15.28 - Comparao da funo de Fermi com a estrutura da banda de
energia para um semicondutor tipo p.

A equao de Arrhenius para os semicondutores tipo p

kT Ea
e
/
0

= (15.12)

onde os termos da Equao 15.10 se aplicam novamente e E
a
se define na Figura
15.27. Igual como na Equao 15.10, no h um fator 2 no expoente devido a que
se participa um s portador de carga (positiva). A Figura 15.29 mostra o grfico de
Arrhenius de ln versusl/T para um material tipo p. Isto totalmente similar a Figura
15.26 para os semicondutores tipo n. Essa poro na condutividade entre as regies
extrnseca e intrnseca chamada faixa de saturao para o comportamento tipo p
no lugar da faixa de esgotamento. A saturao se apresenta quando todos os nveis
aceptadores (igual ao nmero de tomos do grupo IIIA) tenham sido ocupados com
eltrons.


Figura 15.29 - Grfico de Arrhenius da condutividade eltrica para um semicondutor
tipo p.

432

Da semelhana entre as Figuras 15.26 e 15.29 surge uma pergunta bvia
quanto a como se sabe se um determinado semicondutor do tipo n ou do tipo p.
Essa diferenciao pode fazer-se convenientemente com um experimento clssico
que se conhece como uma medida de efeito Hall e que ilustrada na Figura 15.30.
Esta uma manifestao da relao ntima entre o comportamento eltrico e
magntico. Em particular, um campo magntico aplicado em ngulo reto em relao
ao fluxo de corrente causa uma deflexo lateral dos portadores de carga e uma
tenso subseqente gerada atravs do semicondutor. Para os portadores de
carga negativa (por exemplo, eltrons em metais ou semicondutores tipo n), a
tenso Hall (V
H
) positiva (Figura 15.30a). Para portadores de carga negativa (por
exemplo, vacncias de eltrons em um semicondutor tipo p), a tenso Hall
negativa (Figura 15.30b). A tenso Hall dada por

t
!H R
v
H
H
= (15.13)

onde R
H
o coeficiente de Hall (indicativo da magnitude e sinal do efeito Hall), I a
corrente, H a intensidade do campo magntico, e t a espessura da amostra.


Figura 15.30 - A aplicao de um campo magntico (com intensidade de campo H),
perpendicular a corrente I causa uma deflexo lateral dos portadores de carga e
uma voltagem resultante V
H
. Este fenmeno conhecido como efeito Hall. Para (a)
um semicondutor tipo n, a voltagem Hall positiva; para um semicondutor tipo p, a
voltagem Hall negativa.

Aqui conveniente fazer uma observao final sobre a comparao entre
semicondutores e metais. A composio e os efeitos da temperatura para os
semicondutores so opostos a dos metais. Para os metais, pequenas adies de
433

impurezas diminuem a condutividade. De modo similar, o incremento de
temperatura diminui a condutividade. Ambos os efeitos se deveram s redues de
mobilidade de eltrons como resultado das redues na ordem cristalina. Vimos que
para semicondutores, as impurezas apropriadas e o incremento de temperatura
aumentam a condutividade. Ambos os efeitos so descritos mediante o modelo de
banda de energia e o comportamento de Arrhenius.


15.8 Tcnicas de fabricao de semicondutores

O silcio comercial obtido a partir da slica de alta pureza em fornos de arco
eltrico reduzindo o xido com eletrodos de carbono numa temperatura superior a
1900 C:

SiO
2
+ C Si + CO
2


O silcio produzido por este processo denominado metalrgico
apresentando um grau de pureza superior a 99%. Para a construo de dispositivos
semicondutores necessrio um silcio de maior pureza, silcio ultra puro, que pode
ser obtido por mtodos fsicos e qumicos.
O Brasil um pas rico em minrios, e um dos mais abundantes o minrio
do silcio, porm no pas no existem empresas especializadas no seu tratamento,
como o seu crescimento e os processos de preparao de lminas de silcio para a
indstria de semicondutores. A maior parte da tecnologia utilizada para a fabricao
de semicondutores, se no toda ela, de origem estrangeira. Eles compram o
minrio de silcio do Brasil e depois revendem os semicondutores prontos. Algumas
dessas empresas j possuem filiais instaladas no Brasil.
Estes materiais podem ser crescidos por diversas tcnicas. As mais famosas
so a tcnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (MBE) e a tcnica de
crescimento epitaxial por metalorgnicos na fase gasosa (MOVPE).
Uma das grandes vantagens dos semicondutores o fato de sua
condutividade poder variar fortemente com as condies externas. Isto faz destes
materiais excelentes detectores de luz, presso e temperatura. Talvez o dispositivo
semicondutor mais famoso seja o transistor, pois a base no mundo atual e pode
ser encontrado dentro de brinquedos, celulares, liquidificadores e computadores.


15.9 Tcnicas de dopagem

A dopagem pode ser feita em quatro situaes, a saber:
durante o crescimento do cristal;
por liga;
por difuso;
por implantao inica.
Vejamos alguns comentrios sobre cada um dos processos indicados.

15.9.1 Durante o crescimento do cristal

O material de base sofre um aquecimento at se transformar em massa
cristalina fundente, estado em que se efetua o acrscimo do material de dopagem.
434

Durante esse processo trmico, o nosso cristal vai crescendo, posicionando-se os
tomos da dopagem na cadeia cristalina que se forma.

15.9.2 Por liga

O material de base levado fuso conjuntamente com o de acrscimo,
formando-se assim uma liga. Aps essa formao e esfriamento, os dois materiais
esto agregados entre si. A Figura 15.31 apresenta o caso de um transistor de
germnio (Ge) ao qual foram acrescentadas partculas de ndio (In).


Figura 15.31 - Semicondutores obtidos por liga.

15.9.3 Por implantao inica

tomos eletricamente carregados (com ons) de material dopante em estado
gasoso so acelerados por um campo eltrico e injetados na cadeia cristalina do
semicondutor. O mtodo da implantao inica (Figura 15.32) o mais preciso e o
mais sofisticado entre os mencionados, permitindo um timo controle tanto de
posicionamento quanto de concentrao da dopagem feita.


Figura 15.32 - Representao do processo de implantao inica.

15.9.4 Por difuso

Nesse processo, vrios discos do metal tetravalente bsico (por exemplo, o
silcio) so elevados a temperaturas da ordem de 1000 C e, nessas condies,
colocados na presena de metais em estado gasoso (por exemplo, boro). Os
tomos do metal em estado gasoso se difundem no cristal slido. Sendo o material
slido do tipo n, cria-se, assim, uma zona n. Sua representao feita na Figura
15.33.
435



Figura 15.33 - Representao do processo de difuso.


Figura 15.34 - Passos do processo fotolitogrfico. Por meio deste processo
possvel transferir um traado macroscpico feito numa fotomscara para uma
camada de material num circuito. A Figura mostra a impresso por ataque qumico
de um traado numa camada de xido de silcio na superfcie de uma bolacha de
silcio. A bolacha oxidada (1) , em primeiro lugar, revestida com uma camada de
material sensvel luz, designado por fotoresist (2); depois, exposta luz UV
atravs da fotomscara (3). A exposio torna a fotomscara insolvel num lquido
revelador, obtendo-se deste modo um traado de fotoresist nos locais onde a
mscara transparente (4). A seguir, a bolacha imersa numa soluo de cido
fluordrico, que ataca seletivamente o dixido de silcio, deixando inalterado o
desenho de fotoresist e o substrato de silcio (5). No final, o desenho de fotoresist
removido por meio de outro ataque qumico (6).

436


Figura 15.35 - Processos de dopagem seletiva de superfcies expostas de Si. (a)
difuso alta temperatura de tomos de impurezas; (b) implantao inica.


15.10 Referncia bibliogrfica do captulo

CALLISTER, W. D. Jr. Materials science engineering: an introduction. J. Wiley &
Sons, 1997.

MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Eletrnica: dispositivos e circuitos. So Paulo:
McGraw-Hill, 1981. V. 1.

RUNYUN, W. R.; WATELSKI, S. B.; HARPER, C. A . Handbook of materials and
processes for electronics. New York: McGraw-Hill, 1970.

VAN VLACK, L. H. Princpio de cincia dos materiais. Edgar Blucher.

WULFF, J.; MOFFAT, W. G.; HAYDEN, W. Structure and properties of materials.
J. Wiley & Sons, 1965. V. 3.


Exerccios

1.) a) Aproximadamente em que posio est a energia de Fermi de um
semicondutor intrnseco? b) Aproximadamente em que posio est a energia de
Fermi para um semicondutor do tipo n? c) Faa um grfico esquemtico da
energia de Fermi versus temperatura para um semicondutor do tipo n at a
temperatura em que se torna intrnseca. Anotar tambm nesse grfico
esquemtico o que corresponde ao topo da banda de valncia e ao fundo da
banda de conduo.

2.) Um semicondutor extrnseco pode se tornar intrnseco simplesmente pelo
aumento da temperatura?

437

3.) Porque muito mais difcil produzir Silcio intrnseco a temperatura ambiente do
que o germnio?

4.) Sabendo que a 300 K a condutividade intrnseca do Si de 1,6x10
-3
(ohm)
-1
,
determinar a concentrao de portadores por m
3
nesse material a essa temperatura.
(considerar
e
=0,13m
2
/vs e
p
= 0,048m
2
/vs).

5.) O silcio o material semicondutor base usado para quase todos os circuitos
integrados modernos. Entretanto o silcio tem algumas limitaes, quais so:

6.) Escreva e compare as propriedades e aplicaes (adicione tambm as
aplicaes potenciais) do semicondutor de silcio e de arsenato de glio.

7.) Especifique o tipo de impureza e concentrao necessrias para produzir um
semicondutor tipo-p que apresente resistividade eltrica a temperatura ambiente
igual a 1/50 ohm.m. Use a mobilidade eltrica de buracos e eltrons, e assuma que
as impurezas aceitadoras esto saturadas.

8.) Um semicondutor extrnseco pode ser tornar intrnseco apenas pelo aumento da
temperatura? Explique.

9.) Desenhe um diagrama de bandas par o silcio no caso do problema 10,
assumindo que o nvel de energia receptor se encontra a 0,01 eV .

10.) a) Com suas prprias palavras, explique como as impurezas doadoras nos
semicondutores do origem a eltrons livres em nmeros superiores queles que
so gerados pelas excitaes banda de valncia banda de conduo. b) Explique
tambm como as impurezas receptoras do origem a buracos em nmeros
superiores aos que so gerados pelas excitaes banda de valncia banda de
conduo.

11.) a) Explique por que nenhum buraco gerado pela excitao eletrnica
envolvendo um tomo de impureza doador. b) Explique por que nenhum eltron livre
gerado pela excitao eletrnica envolvendo um tomo de impureza receptor.

12.) Como um dos seguintes elementos ir atuar, como um doador ou receptor,
quando adicionado ao material semicondutor indicado? Considere que os elementos
de impurezas so substitucionais.

13.) a) Aproximadamente em que posio est a energia de Fermi de um
semicondutor intrnseco? b) Aproximadamente em que posio est a energia de
Fermi para um semicondutor do tipo n? c) Faa um grfico esquemtico da energia
de Fermi versus temperatura para um semicondutor do tipo n at a temperatura em
que se torna intrnseca. Anotar tambm nesse grfico esquemtico o que
corresponde ao topo da banda de valncia e ao fundo da banda de conduo.

14.) a) A condutividade eltrica temperatura ambiente de uma amostra de silcio
500(-m)
-1
. A concentrao do eltron 2.0x10
22
m
-3
. Usando a mobilidade do
eltron e do buraco para o silcio, estime a concentrao no buraco. b) Com base
438

nos resultados do item a, a amostra intrnseca, extrnseca do tipo n ou extrnseca
do tipo p? Por qu?

15.) Usando os dados da tabela 19.2, compute a mobilidade do eltron e do buraco
e as concentraes de eltrons e de buracos para o InSb intrnseco temperatura
ambiente.

16.) O germnio ao qual foram adicionados
3 22
10 5

m x tomos de Sb um
semicondutor extrnseco temperatura ambiente, e virtualmente todos os tomos de
Sb podem ser considerados como estando ionizados (isto , existe um portador de
carga para cada tomo de Sb). a) Esse material do tipo n ou do tipo p? b) Calcule
a condutividade eltrica desse material, considerando para os eltrons e para os
buracos mobilidades de 0,1 e 0,05 m
2
/V-s, respectivamente.

17.) As seguintes caractersticas eltricas foram determinadas para os fosfetos de
ndio (InP) intrnseco e extrnseco do tipo p temperatura ambiente:
(-m)
-1
n(m
-3
) P(m
-3
)
Intrnseco 2,5 x 10
-6
3,0 x 10
13
3,0 x 10
13
Extrnseco ( tipo n ) 3,6 x 10
-5
4,5 x 10
14
2,0 x 10
12
Calcule as mobilidades dos eltrons e dos buracos.

18.) Usando os dados fornecidos na Tabela 19.2, estime a temperatura na qual a
condutividade eltrica do GaAs intrnseco de 4x10
-4
(-m)
-1
.

19.) As condutividades eltricas intrnsecas de um semicondutor a 20 e 100 C (293
e 373K) so de 1 e 500 (-m)
1
, respectivamente. Determine a energia aproximada
para o espaamento entre bandas para esse material.

20.) Abaixo esto tabuladas as condutividades eltricas intrnsecas de um
semicondutor a duas temperaturas diferentes.
T (K) (-m)
1

450 0,12
550 2,25
Determine a energia do espaamento entre bandas (em eV) para esse material.
Estime a condutividade eltrica a 300K.

21.) De que maneira a adio de impurezas pode alterar a condutividade eltrica de
um material semicondutor?

22.) Usando os dados fornecidos na Tabela 19.2. calcule as concentraes de
eltrons e de buracos para o InSb intrnseco temperatura ambiente.

23.) O germnio ao qual foram adicionados
3 22
10 5

m x tomos de Sb um
semicondutor extrnseco temperatura ambiente, e virtualmente todos os tomos de
Sb podem ser considerados como estando ionizados (isto , existe um portador de
carga para cada tomo de Sb). (a) Esse material do tipo n ou do tipo p? (b)
Calcule a condutividade eltrica desse material, considerando para os eltrons e
para os buracos mobilidades de 0,1 e 0,05 m
2
/V-s, respectivamente.

439

24.) As seguintes caractersticas eltricas foram determinadas para os fosfetos de
ndio (InP) intrnseco e extrnseco do tipo p temperatura ambiente:
(-m)
-1
n(m
-3
) P(m
-3
)
Intrnseco 2,5 x 10
-6
3,0 x 10
13
3,0 x 10
13

Extrnseco ( tipo n ) 3,6 x 10
-5
4,5 x 10
14
2,0 x 10
12

Calcule as mobilidades dos eltrons e dos buracos.

25.) Para semicondutores intrinsecos , a concentrao de eletrons e de lacunas
dependem da temperatura atravs da equao:

kT
Eg
p n
2
exp , , ou usando logaritimos naturais ->
kT
Eg
p n
2
ln , ln
Assim, um grafico de ln n ( ou ln p) intrinsico versus 1/T (K) , deve ser linear e ter
uma inclinaao de Eg/2k. Usando essa informao e a figura 19.16, determine a
largura do gap de energia para o silicio. Compare esse valor com o da tabela 19.2



26.) Defina os seguintes termos, como eles pertencem a materiais semicondutores:
intrnseco, extrnseco, composto, elementar, e d um exemplo de cada.

27.) E possvel para materiais semicondutores combinados exibirem um
comportamento intrnseco? Explique.

28.) Para cada um dos seguintes pares de semicondutores decida qual ter a
menor largura do gap de energia E
g
, e cite a razo para sua escolha: (a) ZnS and
440

CdSe, (b) Si and C (diamante), (c) Al
2
O
3
and ZnTe, (d) InSb and ZnSe, and (e) GaAs
and AlP.

29.) (a) Com suas palavras, explique como impurezas doadoras em um
semicondutor do origem a eltrons livres em exceo das geradas por conduo
da banda de valncia banda excitao. (b) Tambm explique como um as
purezas receptoras do origem a lacunas com exceo das de valncia banda de
conduao e banda de excitao.
30.) (a) Explique porque nenhuma lacuna gerada pela excitao de um eltron
envolvendo uma impureza de um tomo doador. (b) Explique porque nenhum
eltron livre gerado pela excitao de um eltron envolvendo uma impureza de um
tomo receptor.

31.) Cada um dos elementos seguintes agir como um doador ou um receptor
quando adicionado ao material semicondutor indicado? Assuma que os elementos
de impureza so substitucionais.
Impureza Semicondutor
N Si
B Ge
Zn GaAs
S InSb
In CdS
As ZnTe

32.) (a) Para quais posies aproximadamente est a energia de Fermi para um
semicondutor intrnseco? (b) Para qual posio est a energia de Fermi para um
semincondutor tipo-n? (c) Plote a Energia de Fermi vs Temperatura para um
semicondutor tipo-n o qual se tornara intrnseco.

33.) a) A condutividade eltrica de uma amostra de silcio a temperatura ambiente
1 3
) ( 10

m . A concentrao de Lacunas da ordem de
3 23
10 0 , 1

m . Usando a
mobilidade de eltrons e de lacunas para o silcio da tabela 19.2, ache a
concentrao de eltrons. (b) Com base nos resultados obtidos em (a), essa
amostra de silcio do tipo intrnseco, tipo-n extrnseco, ou tipo-p extrnseco? Por
qu?

34.) Usando as informaes da tabela 19.2, determine a concentrao de eltrons
e de lacunas para um semicondutor intrnseco (InSb) a temperatura ambiente.

35.) adicionado 1 tomo de Sb para cada
3 22
10 5

m tomos de germnio na
temperatura ambiente e virtualmente todos os tomos de Sb podem ser
considerados ionizados a) Este material tipo-n ou tipo-p? b) Calcule a
condutividade eltrica desse material, assumindo a mobilidade dos eltrons e das
lacunas de 0.1 e 0.05 m/Vs, respectivamente.

36.) As seguintes propriedades eltricas foram determinadas para ambos intrnseco
e tipo-p fosfanato de ndio (InP) extrnseco para temperatura ambiente

441


1
) (

m ) (
3
m n ) (
3
m p
Intrinseco
6
10 5 , 2


13
10 0 , 3
13
10 0 , 3
Extrinseco (tipo-n)
5
10 6 , 3


14
10 5 , 4
12
10 0 , 2
Calcule as mobilidades dos eltrons e dos buracos.

37.) Compare a dependncia em relao temperatura para a condutividade nos
metais e nos semicondutores intrnsecos. Explique sucintamente a diferena de
comportamento.

38.) Usando os dados fornecidos na Tabela 19.2, estime a condutividade eltrica
do GaAs intrnseco a 150 C (423K).

39.) Explique sucintamente a presena do fator 2 no denominador do segundo
termo no lado direito da equao de condutividade em funo da temperatura para
semicondutor intrnseco.

40.) O germnio ao qual foram adicionados
3 22
10 5

m x tomos de Sb um
semicondutor extrnseco temperatura ambiente, e virtualmente todos os tomos
de Sb podem ser considerados como estando ionizados (isto , existe um portador
de carga para cada tomo de Sb). (a) Esse material do tipo n ou do tipo p? (b)
Calcule a condutividade eltrica desse material, considerando para os eltrons e
para os buracos mobilidades de 0,1 e 0,05 m
2
/V-s, respectivamente.



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