UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un
documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno.
Utiliza imgenes en tu explicacin.

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equili
brio_y_polarizada/Applet3.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/
Applet4.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmut
aApplet.html

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DIODO DE UNIN PN POLARIZADO
La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que
a la regin n. Para ello, tal y como se ve, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo
del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

Los applets son animaciones interactivas, para que puedas
visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com
EN ESTAS CONDICIONES PODEMOS OBSERVAR LOS SIGUIENTES EFECTOS:
Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el
campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona
de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo
elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en
el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin
p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.


LA LEY DE SHOCKLEY
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de
alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo
de tiristor.

La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la
III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el
diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende
bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin,
hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se
disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I(Punto A).


CONMUTACIN DEL DIODO
En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus
bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos
fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que
incluye una resistencia) y un diodo de unin.
Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre
tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la
aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel
superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos
editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF),
la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es
necesario pulsar el botn Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan
efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde
se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La
primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que
circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la
aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo.
Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha
conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las
ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran
las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de
los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se
muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la
simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por
parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo.
Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones
temporales.
























ALUMNO : JOSE ALONZO TACO MAMANI