EJERCICIOS RESUELTOS

1. Dado el circuito de la figura determine en que zona de trabajo se encuentra el transistor ( =100).




2. Un transistor BJ T del tipo NPN se encuentra en un circuito electrnico y presenta las siguientes
tensiones entre sus terminales: UEB=-0.7 V y UCB=-0.7 V. En estas condiciones, en qu zona est
trabajando el transistor?.

3. Un transistor BJT de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente manera: la base se conecta al
terminal positivo de una pila de 5 V a travs de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta
al terminal positivo de otra pila de 10 V a travs de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta
a los terminales negativos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector.



4. Un transistor BJT del tipo NPN con =100, se conecta a una pila de 30 V de la siguiente manera: el
colector se conecta al terminal positivo de la pila a travs de una resistencia de 330 ohmios . La base
tambin se conecta al mismo terminal positivo de la pila a travs de una resistencia de 560 kohmios. El
emisor de conecta directamente al terminal negativo de la pila. Calcule la tensin entre colector y
emisor.




5. Un transistor NPN funciona en zona activa cuando su base se conecta al terminal positivo de una
fuente de tensin de 5 V a travs de una resistencia de 10 kohmios, su colector se conecta al terminal
positivo de una fuente de 20 V a travs de una resistencia de 100 ohmios y el emisor se conecta a los
terminales negativos de ambas fuentes. Si =100, calcule la corriente que circula por el colector.



6. Si =100 y UCC=20 V cul es la zona de trabajo del circuito de la figura?


7. El transistor de la figura, de parmetro =100, alimenta una carga de 1kohmio a partir de una batera
de 15V. Calcular la potencia disipada por el transistror en los dos casos siguientes: a) UE=0 V
b)UE=30 V.




8. En el circuito de la gura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con 1 = 50 y 2 = 20,
determinar:
a) Punto de funcionamiento (IC , VCE) de cada uno de los transistores para Vi =10V .
b) Valor mnimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este
caso de T1 y T2.



SOLUCION
a) Punto de trabajo.
Thevenin en la base de T1


Entonces el circuito queda de la forma.

Malla de la base de T1

0,8V
i
=IB
1
R
T
+V
BE1
+(I
E1
+I
C2
)R
C
=I
B1
R
T
+V
BE1
+ ((1 +
2
)I
B1
+
1

2
I
B1
)R
C


Como es un Darlington
=
1

2

Como Vi=10v


Malla de colector de T2


b) Valor de Vi que satura a los transistores

Malla de Colector de T1





9. Para el circuito que se muestra a continuacin realice el anlisis DC y calcula la Ganancia de Voltaje.
Considere VBE=0,7.





Anlisis DC
Considerando que los condensadores a bajas frecuencias se comportan como un circuito abierto, se
obtiene:
Del circuito, se deduce:

E c B
I I I mA = + = 5 . 0 (1)
( ) V mA R I R V
E E
5 . 0 5 . 0
1 1
= = = (2)
V V V
E B
2 . 1 5 . 0 7 . 0 7 . 0 = + = + = (3)
V I R V I R V
B B B C
2 . 1
2 2
+ = + = (4)
Del Transistor Bipolar, se tiene que:
c B
I I = (5)

Si se sustituye la ecuacin 5 en la ecuacin 1, resulta:

1
5 . 0
+
=

mA
I
B
(6)
Al reemplazar la ecuacin anterior en la ecuacin 4, se obtiene:
V V
mA
R V
B C
7 . 1
1
5 . 0
2
+

+
=

(7)
Finalmente,
V V V V
E c CE
2 . 1 5 . 0 7 . 1 = = = (8)
Anlisis AC
be L
gmV R R Vo ) // (
2
=
50
) // (
2
+

=
Rin
gmRin R R
Vin
Vo
L
Vin
Rin
Rin
Vbe
50 +
=
Considerando que los condensadores se comportan como un corto circuito y la fuente de corriente
DC se comporta como un abierto, se obtiene:




Al sustituir el Transistor Bipolar por su modelo en pequea seal:




Si suponemos que ro tiende a infinito y aplicamos el teorema de Blackesley, resulta:



Finalmente, se obtiene:

Del circuito se deduce:
(9)
(10)
(11)
Si se sustituye la ecuacin 11 en la ecuacin 9 se obtiene la ganancia:
(12)

1
1
// //

= gm r R Rin

10. Para el circuito de la figura.
a) Determine re
b) Encuentre Zi (con ro=)
c) Calcule Zo (con ro=)
d) Determine Av (con ro=)
e) Determine Ai (con ro=)
f) Repita los pasos si Ro=50K

Solucin
Anlisis en dc

Anlisis en ac

11. Para el circuito de la figura.
a) Determine re
b) Encuentre Zi
c) Calcule Zo (con ro=)
d) Determine Av (con ro=)
e) Determine Ai (con ro=)
f) Repita los pasos si Ro=50K

Solucin.
a) Calculo en dc
Verificando R
E
>10R2
(90)(1.5K)>10(8.2K)
135K>82K


b) Circuito equivalente en ac.




12. Para el circuito de la figura.

a) Determine re
b) Encuentre Zi
c) Calcule Zo (con ro=)
d) Determine Av (con ro=)
e) Determine Ai (con ro=)
f) Repita los pasos del b al e con Ro=25K
y compare los resultados.










Solucin
Calculo en dc


Calculo en ac







13. Para el circuito de la figura.
Determine.
a) Determine re
b) Encuentre Zi
c) Calcule Zo
d) Determine Av
e) Determine Ai

Solucin.
Circuito en ac





) 1 (
A
V
+ + +

=

EE b
c
R R r
gmr R
) + ( + =

1 r R
int

R
1
) 1 (
) 1 (
A
V

+ + +
+
=

E b
E
R R r
R
PROBLEMAS PROPUESTOS
Problema 1: Para el circuito adjunto se tiene que Q
1
=Q
2
, adems de que todos los Transistores Bipolares
cumplen con las siguientes caractersticas:
=100, V
ce
(sat)=0V, V
be
(on)=0.7V, V
a
=100V y T=300K.
Halle:
a) Puntos de polarizacin
b) V
o
/V
in

c) Z
in
, Z
out







Problema 2: Demuestre las siguientes afirmaciones:

a) ] ) + = gm

//r (R [1 r R
EE o out
b)








1
) (
// R
out
+
+
=

b
E
R r
R
))] //( ( 1 [ R
out b EE o
R r R gm r + + =

c) d)