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r
" 12.
Figura 1.4.3.1 a) antena de parche rectangular. b) Dimensiones del parche.
Hay diversas variantes constructivas de estas lneas y a modo de
ejemplo presentamos la configuracin clsica de la figura anterior.
Tambin se abarcan diseos con combinacin de formas fractales
como los que se muestran en Figura 1.4.3.2. No obstante, en el
captulo siguiente, hablaremos de las diferentes configuraciones
geomtricas y sus principales caractersticas.
Figura 1.4.3.2 Al lado izquierdo se encuentran las formas tpicas de los parches, mientras que
al derecho encontramos algunas formas fractales utilizadas como radiadores.
1.5 Configuraciones geomtricas de Antenas Microstrip
Las antenas microstrip se caracterizan por poseer un mayor nmero de
parmetros fsicos que los presentes en antenas de microondas convencionales
y a su vez, pueden fabricarse de variadas dimensiones y formas geomtricas.
Todas las antenas microstrip pueden dividirse en cuatro categoras bsicas:
Antenas de patch microstrip
Dipolos microstrip
Antenas de ranura impresa
Antenas microstrip de onda viajera
A continuacin, veremos las principales caractersticas de cada una.
1.5.1 Antenas de Patch Microstrip
Consiste de un patch conductivo de cualquier forma geomtrica
montado sobre una de las caras de un sustrato dielctrico y con un
plano a tierra en la cara opuesta. Las configuraciones bsicas usadas
en la prctica se muestran en Figura 1.5.1.1a. Sus caractersticas de
radiacin son similares a pesar de las diferencias en cuanto a las
formas geomtricas debido a que se comportan como un dipolo. Los
parches (o patchs) rectangulares y circulares son ampliamente usados
y aunque en particular la forma en anillo circular brinda un ancho de
banda superior, mayor ganancia y niveles de lbulos laterales para
modos de orden superior; como contrapartida se vuelve fsicamente
grande. Por lo general, una antena path posee una ganancia de entre 5
y 6 dB y presenta una apertura de haz de 3 dB, entre 70 y 90. El
resto de los parches mostrados en Figura 1.5.1.1b se emplean en
aplicaciones especiales. En el Captulo 5 de este trabajo, se tratar
individual y puntualmente el patch rectangular.
(a)
(b)
Figura 1.5.1.1 a) Formas de antenas bsicas de patch microstrip comnmente utilizadas en la
prctica. b) Otras geometras posibles para antenas patch microstrip.
Otra configuracin como la que se muestra en Figura 1.5.1.2,
corresponde a una antena microstrip hbrida, la cual se fabrica
partiendo de un parche que se cortocircuita a lo largo de un plano con
tensin nula. La impedancia y frecuencia de resonancia permanecen
iguales que si se tratase de un patch de tamao completo, pero para
sustratos cuyas constantes dielctricas son bajas, esta configuracin
incrementa el ancho de banda.
Figura 1.5.1.2 Antena microstrip hbrida o de patch cortocircuitado.
1.5.2 Antenas Microstrip o de Dipolo Impreso
La microtira (microstrip) o dipolo impreso, difieren
geomtricamente de las antenas de patch rectangular en la relacin
alto - ancho. El ancho de un dipolo es, por lo general, menor a
0
05 , 0 .
Los patrones de radiacin de un dipolo y de un patch son
similares debido a que poseen iguales distribuciones de corrientes
longitudinales. Sin embargo, la resistencia de radiacin, ancho de
banda y radiacin en polaridad cruzada difieren ampliamente. Los
dipolos microstrip, Figura 1.5.2.1a y b, son los elementos preferidos
por sus seductoras propiedades como reducido tamao y polarizacin
lineal. A dems son ideales para altas frecuencias en las que el
sustrato puede ser elctricamente denso y por lo tanto, poder alcanzar
un ancho de banda significante.
La eleccin del mecanismo de radiacin es otro punto muy
importante para tener en cuenta. Figura 1.5.2.1c, nos muestra un
dipolo plegado combinado con otro idntico (imagen de espejo) para
producir una estructura simtrica; aunque tambin puede concebirse
realizando un recorte en forma de H sobre un patch rectangular.
El ancho de banda para este dipolo con un valor de ROE = 2
(Relacin de Onda Estacionaria), puede ser de alrededor de un 16%.
(a)
(b)
Figura 1.5.2.1 Configuraciones de algunos dipolos microstrip e impresos. a) Dipolo strip con
acoplamiento de proximidad. b) Doble dipolo strip enfrentados y lnea de
alimentacin. c) Dipolo plegado impreso simtrico.
(c)
Figura 1.5.2.1 (Continuacin).
1.5.3 Antenas Impresas de Ranura
Estas antenas comprenden una ranura (o slot) en el plano a tierra
sobre el sustrato, la cual puede asumir, eventualmente, cualquier
forma.
Tericamente, la mayora de los patch mostrados en Figura
1.5.1.1 pueden realizarse mediante la tcnica de slot impreso, la cual
incluye al slot rectangular, slot anular, slot de anillo rectangular y slot
biselado, como se muestran en Figura 1.5.3.1. Al igual que las antenas
de patch microstrip, las ranuradas pueden alimentarse ya sea mediante
una lnea de microtira o por una gua de ondas co-planar (en el mismo
plano).
Generalmente, las antenas slot son radiadores bidireccionales, es
decir, irradian hacia ambos lados del slot, aunque si se prefiere
radiacin unidireccional, se puede obtener colocando un reflector en
uno de los lados de dicho slot.
Figura 1.5.3.1 Modelos bsicos de antenas impresas con slot y su correspondiente estructura
de alimentacin.
1.5.4 Antenas Microstrip de Onda Viajera
Estas antenas constan de conductores distribuidos
peridicamente en forma de cadena, aunque tambin puede
conseguirse con una larga lnea microstrip lo suficientemente ancha
como para soportar un modo TE.
El extremo de esta antena termina en una carga resistiva
macheada (o acoplada) para suprimir las ondas estacionarias y pueden
disearse de manera que el haz principal se site en cualquier
direccin desde el costado hasta el extremo distante. Figura 1.5.4.1
nos muestra varias configuraciones. La antena de slot biselado es una
antena de onda superficial, la cual irradia en la direccin del extremo
final.
Figura 1.5.4.1 Algunas configuraciones de antenas impresas microstrip de onda viajera.
Finalmente, Tabla 1.5.1 nos muestra un resumen comparativo de
las configuraciones de antenas descritas anteriormente, resaltando las
principales caractersticas de cada una y de acuerdo con Tabla 1.5.2,
observamos los diversos ensambles a los que se puede exponer una
antena microstip de patch rectangular. Se debe notar que en color gris
claro se indica a los sustratos mientras que con lneas negras se
muestras las partes de material conductor. La lnea microstrip en
comparacin con una lnea de transmisin, es un conductor y un plano
de tierra separados por un aislante.
Tabla 1.5.1 Comparacin de varios tipos de antenas impresas de perfil plano.
Caractersticas Antenas de
Patch Microstrip
Antenas
Microstrip de
Slot
Antenas de
Dipolo Impreso
Perfil Delgado Delgado Delgado
Fabricacin Muy fcil Fcil Fcil
Polarizacin Ambas, lineal y
circular
Ambas, lineal y
circular
Lineal
Operacin en doble
Frecuencia
Posible Posible Posible
Versatilidad de formas Cualquier forma En su mayora
rectangular o
circular
Rectangular y
triangular
Radiacin no deseada Existe Existe Existe
Ancho de banda 2 50% 5 30% ~30%
Tabla 1.5.2 Configuraciones geomtricas de patch microstrip.
1.6 Mecanismo de radiacin de Antenas Microstrip
Como se muestra en Figura 1.6.1, una antena microstrip en su
configuracin ms simple, consiste en un patch radiante sobre una cara del
sustrato dielctrico ( ) 10
r
y de un plano a tierra en la cara opuesta. El patch
director, comnmente de cobre u oro, puede asumir virtualmente cualquier
forma pero generalmente se emplean formas regulares para simplificar el
anlisis y las predicciones de eficiencia. Idealmente la constante dielctrica del
sustrato
r
, debera ser baja ( ) 5 , 2
r
con la intensin de incrementar los
campos adyacentes que atribuyen a la radiacin. Sin embargo, algunos
requerimientos de performance pueden exigir el empleo de sustratos cuyas
constantes dielctricas sean mayores que, por ejemplo, 4 (cuatro). Asimismo, se
han desarrollado varios tipos de sustratos que poseen un amplio rango de
constantes dielctricas y de valores de tangente de prdida.
Figura 1.6.1 Una configuracin simple de antena microstrip.
Sabemos que la radiacin de una lnea microstrip (estructura similar a una
antena microstrip), puede reducirse considerablemente si se emplean sustratos
delgados y con una relativamente alta constante dielctrica. La radiacin
proveniente de una antena microstrip en cambio, es estimulada para obtener
una mejor eficiencia de radiacin, por lo que necesariamente deben emplearse
sustratos gruesos y de baja permitividad.
Para determinar la radiacin de dichas antenas, es necesario conocer la
distribucin de campo entre el patch de metal y el plano a tierra. Pero como
solucin alternativa, tambin puede describirse la radiacin en trminos de
distribucin de corriente superficial sobre el patch de metal.
Consideremos una antena patch microstrip conectada a una fuente de
microondas. La excitacin del patch establecer una distribucin de cargas por
encima y por debajo del patch, como as tambin sobre la superficie del plano a
tierra. Esto se muestra en Figura 1.6.2 para un path rectangular. La naturaleza
ve y +ve de la distribucin de cargas se origina debido a que el patch es de
alrededor de media longitud de onda ( ) 2 / en el modo dominante.
La distribucin de las cargas se controla mediante dos mecanismos: uno
atractivo y el otro repulsivo. El mecanismo atractivo se encuentra entre las
h
Jb
W
Jt
correspondientes cargas opuestas en la parte inferior del patch, y tiende a
mantener la concentracin de cargas en esa zona. El mecanismo repulsivo se
produce entre cargas iguales por debajo del patch y tienden a presionar algunas
cargas desde esa zona, por sobre los bordes, hacia la parte superior del mismo.
El movimiento de esas cargas crea las correspondientes densidades
b
J
r
y
t
J
r
en
las partes superior e inferior del patch, respectivamente (Figura 1.6.2).
Suponiendo que la fuente de alimentacin se acopla a la antena mediante
un cable coaxial, podemos observar dos ventajas determinantes: por un lado se
pueden obtener las caractersticas deseadas de impedancia de entrada eligiendo
correctamente el punto de alimentacin, y segundo, el cable se puede colocar
debajo del plano de tierra disminuyendo el acoplamiento entre el alimentador y
el patch. Como contrapartida, este tipo de conexin hace que la estructura no
sea completamente monoltica y de difcil produccin. Esta problemtica se
elimina mediante la alimentacin por stripline, la cual, de todas maneras
introduce radiaciones propias no deseadas y posee menos flexibilidad en la
obtencin de la impedancia de entrada deseada.
Como para la mayora de las antenas microstrip la relacin alto - ancho
(h/W) es muy pequea, el mecanismo de atraccin es el predominante y la
mayor concentracin de cargas y de corriente de circulacin permanece debajo
del patch. Una pequea cantidad de corriente circula por sobre los bordes hacia
la superficie y es responsable por un dbil campo magntico tangencial a los
bordes. De todos modos, este flujo de corriente decrece a medida que la
relacin alto/ancho disminuye y en el limite, la corriente circulando hacia la
parte superior de la superficie se considera cero, lo cual idealmente no creara
ninguna componente de campo magntico tangencial a los bordes del patch.
Esto permitira que las cuatro paredes laterales se supongan son superficies
conductoras magnticas perfectas, las cuales idealmente no disturbaran al
campo magntico. Esta suposicin tiene gran validez para sustratos delgados
con una alta permitividad
r
. As mismo, como la altura de substrato es muy
pequea comparada con la longitud de onda dentro del dielctrico (h << ), las
variaciones de campo a lo largo del alto se consideran constantes y el campo
elctrico, casi normal a la superficie del patch. Es por esto que podemos
Figura 1.6.2 Distribucin de cargas y densidades de corriente en la antena microstrip.
modelar al patch como una cavidad cuyas caras inferior y superior son
elctricas (debido a que el campo elctrico es casi normal a la superficie del
patch) y cuyas cuatro paredes laterales son magnticas a lo largo de los bordes
(debido a que el campo magntico tangencial es muy dbil). Solamente se
considerarn configuraciones de campo TM dentro de esta cavidad. La
distribucin de campo elctrico para el modo dominante TM
100
de la cavidad,
se muestra en Figura 1.6.3.
Para comenzar el anlisis de radiacin, se definirn las densidades de
corriente que se producen en el patch cuando este se energiza.
Las cuatro paredes laterales del patch representan cuatro aberturas o
ranuras en las cuales tiene lugar la radiacin. Podemos modelar adems al patch
microstrip mediante una densidad de corriente equivalente
t
J
r
en la parte
superior del mismo, mientras que las cuatro ranuras se representan mediante las
densidades de corriente equivalentes
s
J
r
y
s
M
r
, que corresponden a los campos
magntico y elctricos
a
H
r
y
a
E
r
respectivamente. Las corrientes equivalentes
se muestran en Figura 1.6.4a y estn dadas por:
a s
H n J
r r
a s
E n M
r r
Para un sustrato con poco espesor, la corriente en la parte superior del
patch dada por
t
J
r
, es mucho menor que la corriente en la parte inferior
b
J
r
. En
este caso se considera su valor igual a cero para indicar que las radiaciones
producidas por las corrientes del patch son insignificantes. Del mismo modo,
los campos magnticos tangenciales a lo largo de los bordes del patch y las
densidades de corriente correspondientes
s
J
r
tambin se igualan a cero. Por lo
tanto, la nica densidad de corriente con valor distinto de cero, es la densidad
de corriente magntica equivalente
s
M
r
a lo largo de la periferia del patch. Esto
se muestra en Figura 1.6.4b. La presencia del plano de tierra se pone de
manifiesto porque duplica la densidad de corriente equivalente
s
M
r
de acuerdo
con la Teora de Imagen. Entonces, la radiacin del patch se debe a cuatro
corrientes magnticas a lo largo de la periferia radiando en el espacio libre,
como se muestra en Figura 1.6.4c. La nueva densidad de corriente, esta dada
por:
Figura 1.6.3 Distribucin del campo elctrico para el modo TM100 en la cavidad microstrip..
(1.6.1a)
(1.6.1b)
a s
E n M
r r
2
Jt
Js,Ms
J
s
,
M
s
Js = 0, Ms
J
s
=
0
,
M
s
Jt 0
Ms = -2nxEa
M
s
=
-
2
n
x
E
a
a) b)
c)
Figura 1.6.4 Densidades de corriente equivalentes en un patch rectangular. a) Js y Ms con plano de
tierra. b) Js = 0, Ms con plano de tierra. c) Ms sin plano de tierra
El campo elctrico
a
E
r
en la ranura para el modo dominante se muestra en
Figura 1.6.3 y se define como:
0
E z E
a
r
Para las ranuras de largo W y alto h. De manera similar, para las dos
ranuras restantes de largo L y alto h
( ) L x sen E z E
a
0
r
Las densidades de corriente equivalentes en las ranuras se muestran en
Figura 1.6.5.
(1.6.2)
(1.6.3)
(1.6.4)
z
y
x
E1
M1 M2
E2
n1
n2
L
W
a)
L
W
Ms
Ms
Ms
Ms
(b)
Figura 1.6.5 Patch rectangular con la distribucin de densidad de corriente magntica en las ranuras
para el modo TM100. a) Distribucin de corriente en las ranuras radiantes y b) distribucin
de corriente en las ranuras no radiantes
Cada ranura irradia el mismo campo que un dipolo magntico con una
densidad de corriente
s
M
r
. Las radiaciones producidas por las ranuras paralelas
al eje x son casi nulas debido a las distribuciones de corrientes iguales y
opuestas a lo largo de las mismas. De todos modos, las ranuras a lo largo del
eje y forman un arreglo de dos elementos con densidades de corriente de la
misma magnitud y fase separados por L, la longitud del patch. Por lo tanto, la
radiacin proveniente de un patch puede ser descrita en trminos de dos ranuras
verticales, pero debido a que estas son de difcil anlisis al encontrarse sobre
dielctricos no homogneos, son reemplazadas por dos ranuras planas
equivalentes como lo demuestra Figura 1.6.6.
(a)
Figura 1.6.6 Antena de patch microstrip rectangular con ranuras horizontales irradiantes equivalentes.
1.7. Radiacin de Campos
Como se plante anteriormente en Captulo 1.6, el campo de radiacin
proveniente de una antena microstrip, puede interpretarse como una corriente
magntica en forma de cinta presente en la periferia del patch y en una
alternativa pero rigurosa aproximacin, el campo de radiacin tambin puede
determinarse partiendo de las corrientes elctricas superficiales sobre el patch
conductor de dicha antena. Estas dos aproximaciones, similares y
conceptualmente simples, son tambin la base para un nmero de modelos
tericos de diseo y anlisis de antenas microstrip, los cuales sern descritos en
el Captulo 2.
Si observamos Figura 1.7.1 veremos que la emisin electromagntica
que produce una antena microstrip puede explicarse en trminos de radiacin
proveniente de una lnea microstrip de extremo abierto, cuyo patrn de
radiacin es similar al de un dipolo magntico hertziano. El anlisis hecho por
Sobol se bas en los campos electromagnticos que se presentan en el patch,
formados por el extremo abierto de la lnea microstrip y el plano a tierra. A
dems, el efecto de la radiacin sobre el factor Q del resonador, se describi
como una funcin con variables como dimensin, frecuencia de operacin,
constante dielctrica relativa y grosor del sustrato. Los resultados tericos y
experimentales mostraron que en altas frecuencias, las prdidas de radiacin
son mucho ms grandes que las prdidas por dielctrico y conductor. Tambin
se confirm que las lneas microstrip de circuito abierto irradian ms potencia
cuando se fabrican sobre sustratos gruesos cuyas constantes dielctricas son
bajas.
A continuacin emplearemos el vector de potencial para determinar el
campo de radiacin debido a corrientes superficiales.
Figura 1.7.1 a) Una fuente arbitraria de corriente M o J. b) Apertura de corriente magntica rectangular.
1.7.1 Potencial vectorial y Frmulas de campo irradiado
En primer lugar, asumiremos que solamente existen corrientes
magnticas. Los campos elctricos y magnticos en cualquier punto
( ) , , r P fuera de la antena microstrip pueden escribirse de la forma
(suprimiendo pero teniendo en cuenta la constante de tiempo
t j
e
)
( ) F r E
m
1
( ) ( ) F j F
j
r H
m
1
donde es la permitividad y la permeabilidad del medio; el
superndice m denota los campos debido a corrientes magnticas y
la frecuencia angular. El potencial vectorial elctrico F se define
como
( )
S d
r r
e
r M F
S
r r jk
0
4
donde k
0
es un nmero de onda en el espacio libre y ( ) r M es la
densidad de corriente magntica superficial desde el origen hasta un
punto r como muestra Figura 1.7.1a.
De manera similar, usando un vector de potencial magntico A ,
el campo inducido por una corriente elctrica se representa como:
(1.7.1.2)
(1.7.1.1)
(1.7.1.3)
( ) ( ) A j A
j
r E
1
l
( ) A r H
1
l
El potencial vectorial magntico A es dado por
( )
S d
r r
e
r J A
S
r r jk
0
4
El campo total debido a ambas fuentes de corriente elctrica y
magntica son:
( ) ( ) F A j A
j
E E r E
m
+
1 1
l
( ) ( ) A F j F
j
H H r H
m
+
1 1
l
Las nicas componentes de campo significantes en el campo
distante son aquellas transversales a la direccin de propagacin, esto
es, las componentes y . Considerando solamente las corrientes
magnticas, se obtiene
F j H y
F j H
y en el espacio libre
( ) ( )
F F j H H H r E
0 0 0
donde
0
es la impedancia en el espacio libre (120! ohms). De
manera similar, para corrientes elctricas aisladas,
A j E
A j E
y en el espacio libre
0
E
r H
(1.7.1.4)
(1.7.1.5)
(1.7.1.6)
(1.7.1.7)
(1.7.1.8)
(1.7.1.9)
(1.7.1.9)
(1.7.1.10)
(1.7.1.11)
(1.7.1.12)
El campo distante es trazado por la condicin r r >> o
0
2
2
L
r , donde L es el mayor largo de la apertura (o patch). As pues,
partiendo de (1.7.1.3) con cos r r r r en el numerador y
r r r en el denominador, podremos obtener
( )
S d e r M
r
e
F
S
r jk
r jk
cos
0
0
4
y partiendo de (1.7.1.6)
( )
S d e r J
r
e
A
S
r jk
r jk
cos
0
0
4
donde es el ngulo entre las direcciones r y r como muestra
Figura 1.7.1a.
A continuacin aplicaremos las ecuaciones obtenidas
anteriormente a los campos lejanos en un patch con distribucin de
corriente rectangular.
1.7.2 Campos lejanos de una fuente rectangular de corriente
magntica
Consideremos una apertura bidimensional de corriente
magntica rectangular y el sistema de coordenadas que se muestra en
Figura 1.7.1b. La expresin para el vector potencial de zona lejana
puede expresarse como (con sin sin cos sin cos y x r + )
( ) ( ) [ ]
+
2
2
2
2
0
0
sin sin cos sin exp ,
4
0
L
L
W
W
r jk
y d x d y x jk y x M
r
e
F
donde L y W son la longitud y el ancho del plano.
Para ( ) ( ) ( )y y x M x y x M y x M
y x
, , , + , la ecuacin (1.7.2.1) se
vuelve
( ) ( ) ( )
+
2
2
2
2
0
, ,
4
0
L
L
W
W
y x
r jk
y y x M x y x M
r
e
F
( ) [ ] y d x d y x jk + sin sin cos sin exp
0
y las componentes del vector potencial elctrico sern
(1.7.1.13)
(1.7.1.14)
(1.7.2.1)
(1.7.2.2)
( ) ( ) [ ]
+
2
2
2
2
0
0
sin sin cos sin exp ,
4
0
L
L
W
W
x
r jk
x
y d x d y x jk y x M
r
e
F
( ) ( ) [ ]
+
2
2
2
2
0
0
sin sin cos sin exp ,
4
0
L
L
W
W
y
r jk
y
y d x d y x jk y x M
r
e
F
0
z
F
Para cualquier vector T , la transformacin de coordenadas
rectangulares a esfricas puede obtenerse partiendo de la siguiente
matriz:
1
1
1
]
1
1
1
1
]
1
1
1
1
]
1
z
y
x r
T
T
T
T
T
T
0 cos sin
sin sin cos cos cos
cos sin sin cos sin
De esta manera, partiendo de (1.7.1.9) y (1.7.2.4), el campo
elctrico puede obtenerse en trminos de F
x
y F
y
:
( )
cos sin
0 y x
F F j E
( )
[V/m] y 0
y
E , en cuyo caso
0
x
M y
'
,
_
,
_
2
sin sin sin
2
cos sin sin
4
0 0 0
0
0
W k c h k c
r
e
W V F
r jk
y
Ahora empleando (1.7.2.5), obtenemos respectivamente
cos
2
sin sin sin
2
cos sin sin
4
0 0 0 0
0
,
_
,
_
W k c h k c
r
e
W V jk E
r jk
sin cos
2
sin sin sin
2
cos sin sin
4
0 0 0 0
0
,
_
,
_
W k c h k c
r
e
W V jk E
r jk
Las ecuaciones anteriores fueron usadas para determinar el
patrn de radiacin de un patch rectangular considerando al mismo
como si se tratase de un arreglo de dos fuentes de corriente magntica
rectangular. La expresin final para los patrones de radiacin ser
dada en Captulo 5. Las ecuaciones (1.7.2.8a) y (1.7.2.8b) revelan los
campos de radiacin de una antena de patch rectangular de un cuarto
de longitud de onda.
1.7.3 Clculo de parmetros caractersticos de una antena
microstrip
Partiendo del anlisis en la seccin precedente, resulta fcil
evaluar las caractersticas de los patrones de radiacin, ganancia y
ancho de banda en una antena microstrip. No obstante, para otras
caractersticas de antenas tales como prdidas, factor de calidad y
eficiencia, se necesitarn de otras ecuaciones, como las que
discutiremos a continuacin.
1.7.3.1 Potencia irradiada
La potencia irradiada por una antena puede calcularse
integrando el vector de Poynting sobre la apertura de
radiacin:
( )
apertura
r
S d H E P
*
Re
2
1
Para las antenas microstrip, el campo elctrico dentro
del parche es Normal al strip conductor y al plano de tierra,
por lo que el campo magntico de inters, es paralelo al
borde del strip. De manera alternativa, la potencia irradiada
(1.7.2.7)
(1.7.2.8a)
(1.7.2.8b)
(1.7.3.1.1a)
puede obtenerse de los patrones de radiacin empleando la
siguiente ecuacin:
( )
d d r E E P
r
sin
2
1
2
2
2
0
1.7.3.2 Potencia disipada
La potencia disipada en una antena microstrip est
compuesta por la prdida P
c
del conductor y por la prdida
P
d
del dielctrico. Este parmetro puede ser determinado
mediante la relacin P = I
2
R, integrando la densidad de
corriente sobre las reas del patch y del plano a tierra:
( )
S
s
c
dS j j
R
P
*
2
2
donde R
s
es la parte real de la impedancia de superficie del
metal y S el rea del patch. En (1.7.3.2.1) la densidad de
corriente superficial J se obtiene como la componente
tangencial del campo magntico.
Las prdidas por dielctrico pueden determinarse
integrando el campo elctrico sobre el volumen V de la
cavidad microstrip:
S V
d
dS E h dV E P
2 2
2 2
para sustratos delgados
donde es la frecuencia expresada en radianes; es la
parte imaginaria de la permitividad compleja del sustrato y
h el espesor del sustrato.
1.7.3.3 Energa almacenada
La energa total almacenada en una antena patch es la
suma de las energas magntica y elctrica, lo cual resulta
en
( )
+ +
V
m T
dV H E W W W
2 2
4
1
l
donde representa la permeabilidad del dielctrico.
Debido a que las energas magntica y elctrica son iguales
cuando el sistema entra en resonancia, (1.7.3.3.1) se
transforma en
(1.7.3.1.1b)
(1.7.3.2.1)
(1.7.3.2.2)
(1.7.3.3.1)
S
T
dS E W
2
2
1
para sustratos delgados.
1.7.3.4 Impedancia de entrada
Debido a que todas las antenas microstrip deben ser
macheadas (o acopladas) a la impedancia estndar o carga
del generador, el clculo de la impedancia de entrada para
antenas es particularmente importante. Las antenas
microstrip pueden ser alimentadas mediante una lnea
coaxial o microstrip, o bien por una gua de ondas co-
planar. Para una alimentacin por coaxial, la potencia a la
entrada puede calcularse como
V
c
in
dV J E P
*
donde J es la densidad de corriente elctrica [A/m
2
] en la
fuente de alimentacin coaxial. El subndice c denota al
alimentador coaxial. Si la corriente del coaxial se propaga
segn la direccin de z y se asume elctricamente delgada,
(1.7.3.4.1) se vuelve
( ) ( )
h
c
in
z d z I y x E P
0
*
0 0
,
donde ( )
0 0
, y x son las coordenadas del punto de
alimentacin. La impedancia de entrada puede calcularse
empleando la relacin
in in in
Z I P
2
en ecuacin (1.7.3.4.2)
( )
( )
h
in
in
z d z I
I
y x E
Z
0
*
2
0 0
,
Cuando
0
<< h , E y ( ) z I son constantes, por lo tanto
in
in
in
I
V
Z
donde
( ) ( )
0 0
0
0 0
, , y x hE z d y x E V
h
in
La aproximacin por alimentacin coaxial puede
usarse tambin para analizar la correspondiente a stripline.
Para esto, la densidad de corriente de alimentacin J en
(1.7.3.4.1) se obtiene partiendo del principio de equivalencia
y del campo magntico transversal en el plano donde la
(1.7.3.3.2)
(1.7.3.4.1)
(1.7.3.4.2)
(1.7.3.4.3)
(1.7.3.4.4)
(1.7.3.4.5)
lnea microstrip se une al patch. El ancho de las lneas de
corriente deberan ser tomadas iguales al ancho efectivo de
la lnea microstrip.
1.8 Tcnicas de Alimentacin
Como hemos visto hasta ahora, las antenas microstrip poseen elementos
irradiantes en una de las caras del sustrato dielctrico y para lograrlo, las
primeras antenas se alimentaban mediante una lnea coaxial o microtira a
travs del plano a tierra. Desde entonces un gran nmero de nuevas tcnicas
de alimentacin se han ido desarrollando, dividindose en dos grupos:
alimentacin por contacto y alimentacin sin contacto. En los mtodos por
contacto, la potencia de RF es transferida directamente al parche mediante
elementos conectivos, entre los cuales los ms comunes son la alimentacin
por acoplamiento coaxial y por lnea microstrip coplanar. Por otra parte, el
segundo grupo se compone de la alimentacin por acoplamiento de
proximidad, por acoplamiento de apertura y finalmente por gua de ondas
coplanar, donde la transferencia de potencia se lleva a cabo a travs del
acoplamiento entre campos electromagnticos.
Consideremos una configuracin microstrip bsica como la de la Figura 1.8.1,
donde el eje z es perpendicular al plano de la antena. Cuando las ondas
electromagnticas son guiadas a travs de una lnea coaxial o stripline,
se esparcen bajo el patch haciendo que ste se energice, produciendo que la
distribucin de las cargas se estabilice por encima y debajo del mismo, as
como tambin sobre la superficie del plano a tierra, como se vio anteriormente
en la seccin I, Figura 1.6.2.
Por otra parte, cabe destacar que el punto ms importante en la eleccin de la
tcnica de alimentacin, es lograr la mxima eficiencia en la transferencia de
potencia de la fuente hacia la antena (y viceversa si se trata de Rx), lo cual
implica directamente a la adaptacin de impedancias que garantice el menor
nivel de prdidas posible y no obstante, asociados a esta, tambin tenemos
transformadores de impedancia, curvas, stubs, empalmes, transiciones y
otros, que a su vez introducen discontinuidades, generando prdidas por
ondas superficiales y radiacin no deseada, la cual puede llegar a incrementar
los niveles de lbulos laterales y la amplitud de polaridad cruzada del patrn
de radiacin. Estos motivos son los que hacen necesarias las evaluaciones
ms adecuadas sobre las fuentes de alimentacin.
Otra consideracin a tener en cuenta es el alimentador ms conveniente para
emplear en arreglos. Algunos alimentadores son mejores que otros debido a
que poseen mayor nmero de parmetros.
h
z
x
y
L
S
U
S
T
R
A
T
O
P
L
A
N
O
D
E
T
IE
R
R
A
x0
y0
L
0
W
P
L
A
N
O
D
E
T
IE
R
R
A
S
U
S
T
R
A
T
O
W
0
x0
a) b)
Figura 2.2.2.1. Antena microstrip con alimentacin a) coaxial b) por lnea de micro tira
1.8.1 Alimentacin por contacto
1.8.1.1 Alimentacin por acoplamiento coaxial
El acoplamiento de potencia a travs de una sonda, es uno de los
mecanismos bsicos para la transferencia de seal de microondas. Dicha
sonda puede tratarse del conductor interno de una lnea coaxial que se
extiende a travs del dielctrico y se suelda al parche, mientras que el
conductor exterior es conectado al plano a tierra. Tambin puede emplearse
esta sonda para transferir potencia desde una stripline a una antena
microstrip. Esto puede apreciarse en la Figura 1.8.1.1.1a.
La localizacin del punto de alimentacin ser determinada por el modo dado,
de manera que se pueda lograr la mejor adaptacin de impedancia.
La excitacin del patch se produce principalmente a raz del acoplamiento de
corriente de alimentacin J
z
al campo E
z
de acuerdo con los modos del patch.
La constante de acoplamiento puede obtenerse de:
Acoplamiento ( )
V
z z
L x dv J E / cos
0
donde L es la longitud resonante del patch y x
0
es el offset entre el punto de
alimentacin y el borde del patch. Esta expresin demuestra que el
acoplamiento es mximo si el punto se encuentra en el borde radiante del
patch (x
0
= 0 L).
Figura 1.8.1 Patch microstrip alimentado mediante sonda coaxial (a) y por microtira (b).
(1.8.1.1.1)
(a) (b)
Figura 1.8.1.1.1 Alimentacin coaxial de una antena microstrip y su circuito equivalente: a) Alimentacin
por sonda coaxial de una antena comn. b) Forma bsica de dos planos paralelos gua de ondas,
alimentados por una sonda coaxial. c) Circuito equivalente. d) Modificacin de c).
Empleando el principio de Huygen, podemos modelar un alimentador coaxial
mediante una banda cilndrica de corriente elctrica fluyendo por el centro del
conductor desde la base hacia la superficie, junto con una lnea anular de
corriente magntica en el plano a tierra. Para determinar la impedancia de la
sonda para una antena microstrip, se plantea un modelo cannico que
consiste en una gua de ondas formada por dos placas metlicas paralelas
entre si y excitadas por una lnea coaxial (Figura 1.8.1.1.1b), la que a su vez
ha sido analizada empleando ecuaciones integrales para poder determinar la
impedancia de entrada.
En un anlisis aproximado, un campo de excitacin correspondiente a la
distribucin de campo TEM en el anillo que se forma alrededor de la sonda,
brinda resultados medianamente aceptables.
A su vez, la impedancia de entrada resultante puede modelarse como un
circuito equivalente, de acuerdo con la Figura 1.8.1.1.1c. Las expresiones para
los parmetros de dicho circuito, sern dadas en la Seccin 3.11.
Figura 1.8.1.1.1 (Continuacin)
La alimentacin coaxial tiene como ventaja la simplicidad de diseo, ya que
debemos limitarnos solamente a posicionar el punto de alimentacin de
manera que ajustemos el nivel de impedancia de entrada de la mejor manera
posible. De todos modos, tambin cuenta con algunas limitaciones. En primer
lugar, cuando se trata de arreglos alimentados por coaxial, ser necesario
realizar varios empalmes por soldadura, lo cual dificulta la fabricacin y
compromete la fiabilidad. En segundo lugar, cuando se emplean sustratos ms
gruesos con motivo de incrementar el ancho de banda del patch, se requerir
de sondas ms largas, lo cual da lugar a un incremento en la radiacin no
deseada proveniente del coaxial; incrementa la potencia de onda superficial y
la inductancia de alimentacin. No obstante, esta ltima puede compensarse
colocando capacitores en serie. Una de las formas de hacerlo es calando un
slot anular en el patch de metal alrededor del punto de alimentacin (Figura
1.8.1.1.2a), pero que a su vez, el campo elctrico presente en esa regin
introducir componentes de polaridad cruzada en el patrn de radiacin. Para
evitarlo, el modelo de la Figura 1.8.1.1.2a se ha modificado para obtener el de
la Figura 1.8.1.1.2b, donde puede obtenerse el valor de impedancia de
entrada deseada mediante el acoplamiento electromagntico entre el patch y
la sonda. De este modo la regin de acoplamiento abarcar una mayor rea a
travs de la sonda terminada en un disco y colocado por encima del patch o
por debajo del mismo (Figura 1.8.1.1.2c). La impedancia de entrada ahora
depender del tamao de tal disco, la distancia entre ste y el patch y la
posicin de la sonda.
Figura 1.8.1.1.2 a) Compensacin de la inductancia de entrada mediante un capacitor en serie en la
forma de un slot anular calado alrededor del punto de alimentacin. b) Compensacin de la inductancia
de entrada mediante un capacitor en serie formado por la sonda terminada en un disco ubicado por
encima del patch. c) Modificacin de b) mediante acoplamiento electromagntico. La sonda termina en
un disco para incrementar dicho acoplamiento.
1.8.1.2 Alimentacin por lnea microstrip coplanar
La excitacin de la antena microstrip mediante una lnea metlica plana
montada sobre el mismo sustrato, parece ser una eleccin natural ya que el
patch puede ser visto como una extensin de la misma stripline y ambos
fabricarse sobre la misma estructura de manera simultnea.
As mismo, esta tcnica cuenta con algunas limitaciones. El acoplamiento
entre la lnea microstrip y el patch puede ser mediante el ensamble en uno de
sus bordes (Figura 1.8.1.2.1a) o bien, dejando un pequeo intersticio entre
ambos (Figura 1.8.1.2.1b) con el objetivo de adaptar impedancias, de manera
que no se tengan que utilizar elementos adicionales para hacerlo. La
excitacin del patch mediante el acoplamiento de borde por medio de una
stripline puede explicarse en trminos de la densidad de corriente elctrica
equivalente J
z
asociada con el campo magntico H
y
de la lnea microstrip en la
frontera del empalme, como lo muestra la Figura 1.8.1.2.2. El ancho de esta
corriente determina el ancho efectivo de la lnea microstrip. La corriente J
z
se
acopla a los campos E
z
del patch y la magnitud de dicho acoplamiento se
determina mediante (1.8.1.1.1).
Figura 1.8.1.2.1 a) Patch microstrip alimentado por una lnea acoplada a uno de sus bordes (grfico y
circuito equivalente). b) Stripline acoplada a uno de sus bordes con slot entremedio (grfico y circuito
equivalente).
Figura 1.8.1.2.2 Representacin del campo magntico H tangencial a la interfase entre el patch y la
lnea de alimentacin, mediante una densidad de corriente equivalente Jz (lneas punteadas
corresponden al campo H y lneas continuas corresponden a la corriente).
Para la alimentacin por lnea microstrip deben tenerse en cuenta
fundamentalmente su ancho e impedancia de entrada al momento de hacer el
empalme. El circuito equivalente se muestra en la Figura 1.8.1.2.1a. De la
misma manera, el acoplamiento a travs del intersticio entre la lnea y el patch,
se representa mediante el circuito equivalente de la Figura 1.8.1.2.1b. El
efecto de radiacin directa desde el extremo abierto de la lnea microstrip
puede representarse mediante una conductancia a travs del capacitor de
descarga.
Sin embargo, este tipo de alimentacin padece de una desadaptacin de
impedancia debido a que la impedancia de entrada del patch en su borde
irradiante es demasiado alta comparada con los 50" de la lnea de
alimentacin. Por lo tanto, debe emplearse un circuito externo de adaptacin
pero, que a su vez, propicia la propagacin de radiacin no deseada y no se
los puede acomodar en arreglos debido a la escasa disponibilidad de espacio
fsico en el sustrato. Por otra parte, la lnea de alimentacin bloquea parte de
la radiacin proveniente de uno de los bordes del patch, lo cual se traduce en
una reduccin de ganancia, seria desventaja cuando se emplea este tipo de
alimentacin en frecuencias muy altas donde el patch radiador se compara en
ancho con la lnea que lo alimenta.
Por otra parte, la alimentacin mediante separacin lnea/patch, debe ser
pequea si se pretende un eficiente acoplamiento de potencia. Sin embargo,
una separacin, por ms pequea que sea, puede limitar la capacidad de la
antena de manipular la potencia entregada; sin perder de cuenta que una
lnea cuyo extremo permanece abierto, dara lugar a radiacin no deseada.
Pero una mejora en esta tcnica (Figura 1.8.1.2.3), aboli tales desventajas.
Consiste en insertar la stripline ms adentro del patch. La posicin se escoge
de tal manera que la impedancia de entrada de la antena sea de 50". El punto
resulta ser aproximadamente el mismo que para la alimentacin por coaxial.
Sin embargo, la seccin de lnea de transmisin de largo l insertada en el
patch, debera modelarse como una gua de ondas coplanar (en el mismo
plano) con plano a tierra de tamao finito y paredes conductoras.
Figura 1.8.1.2.3 Alimentacin por stripline inserta en el patch radiador y su correspondiente circuito
equivalente.
Figura 1.8.1.2.4 Alimentacin por stripline acoplada a uno de los bordes no irradiantes del patch.
En otra configuracin de este tipo de alimentacin, el punto de acoplamiento
ha sido elegido en uno de los bordes no radiantes del patch como lo muestra
la Figura 1.8.1.2.4. En este caso, la radiacin en polaridad cruzada ser alta,
pero puede minimizarse optimizando la relacin de aspecto W/L del patch, de
alrededor de 1,5. El circuito equivalente es el mismo que el de la Figura
1.8.1.2.3.
Para finalizar esta seccin, podemos decir que si bien la alimentacin por lnea
microstrip es fcil de disear y fabricar, tambin contribuye a la radiacin no
deseada y es por tal motivo que mayormente se implementa en aplicaciones
donde la demanda de performance no es crtica y por condiciones de espacio
fsico, la lnea debe encontrarse en el mismo plano que el patch. El ancho de
banda alcanzado va de un 3% a 5%.
1.8.2 Alimentacin sin contacto
1.8.2.1 Alimentacin por acoplamiento de proximidad
Tambin conocida como alimentacin por acoplamiento electromagntico,
emplea un sustrato de doble capa con una stripline sobre la inferior y la antena
patch encima de la superior. La lnea de alimentacin termina en extremo
abierto por debajo del patch. Una configuracin de este alimentador se
muestra en la Figura 1.8.2.1.1.
El acoplamiento entre el patch y la lnea es de naturaleza capacitiva. El circuito
equivalente que se muestra, consta de un capacitor de acoplamiento C
c
en
serie con el circuito resonante y en paralelo RLC, el cual representa al patch.
Este capacitor tambin puede disearse de manera que permita lograr una
adaptacin de impedancia como as tambin sintonizar el patch para mejorar
el ancho de banda. El extremo abierto de la lnea microstrip puede terminar en
un stub, de manera que variando sus parmetros, tambin se puede mejorar
el ancho de banda, logrando alcanzar hasta un 13%.
Adems, seleccionando adecuadamente los parmetros de las dos capas del
sustrato, podremos incrementar el ancho de banda del patch y reducir la
radiacin no deseada proveniente del extremo abierto de la stripline y para
lograrlo, la capa ms baja suele ser delgada.
Finalmente, su principal desventaja radica en la dificultad de construccin,
debido a que es multicapa, lo cual a su vez trae aparejado un aumento de
grosor de la antena.
Figura 1.8.2.1.1 Alimentacin por acoplamiento de proximidad.
1.8.2.2 Alimentacin por acoplamiento de apertura
Esta configuracin cuenta con dos caractersticas fundamentales: amplio
ancho de banda y el encapsulamiento de la radiacin proveniente del
alimentador hasta el patch irradiante. Esto puede observarse en la Figura
1.8.2.2.1 y como se ve, se emplean dos sustratos separados por un plano a
tierra en comn. Para lograr la excitacin, una stripline en el sustrato inferior
se acopla electromagnticamente al patch mediante una apertura en el plano
a tierra. Esta apertura o slot puede eventualmente tomar cualquier forma o
tamao, pero sern condicionantes fundamentales a la hora de mejorar el
ancho de banda.
Por otra parte, los parmetros de los sustratos para cada una de las capas, se
determinan independientemente uno del otro de manera que se puedan
mejorar u optimizar las funciones de alimentacin y radiacin. Por ejemplo, el
sustrato para la lnea de alimentacin suele ser delgado y de alta constante
dielctrica, mientras que para el patch, se emplea uno grueso y de baja
constante dielctrica.
Adems, la radiacin proveniente del extremo abierto de la stripline no
interfiere con los patrones de radiacin del patch debido al efecto de
encapsulamiento producido por el plano a tierra. Esto tambin da lugar a la
pureza de polarizacin: si el slot de acoplamiento no resuena, el lbulo
irradiado hacia atrs, permanecer de unos 15 a 20dB por debajo del haz
principal.
El slot de acoplamiento se encuentra medianamente centrado con respecto al
patch, donde el campo magntico es mximo. Esto se hace intencionalmente
para mejorar el acoplamiento con los campos magnticos del patch y la
corriente magntica equivalente cercana al slot. La amplitud de acoplamiento
se determina mediante la siguiente expresin:
Acoplamiento ( )
V
L x dv H M / sin
0
Donde x
0
es el offset del slot desde el borde del patch. El circuito equivalente
correspondiente a esta tcnica, se muestra a la par del esquema de antena.
En esta configuracin, la antena patch se coloca en serie con el alimentador
debido al acoplamiento del slot y este se representa como un inductor en serie
con la red RLC.
Los stubs de largo L
s
pueden reemplazarse por un capacitor de descarga C
s
de modo que ( )
s s
L Z C cot / 1
0
, Z
o
es la impedancia caracterstica y # la
constante de propagacin de la stripline.
En resumen, esta tcnica de alimentacin puede disearse de manera que se
permita aumentar el ancho de banda ajustando la forma y tamao del slot
junto con el ancho de la lnea y el largo del stub, permitiendo alcanzar anchos
de banda de impedancia de alrededor del 21%.
La mayor dificultad de esta tcnica es su construccin, ya que posee mltiples
capas y adems aumenta su grosor.
(1.8.2.2.1)
Figura 1.8.2.2.1 Alimentacin por acoplamiento de apertura.
1.8.2.3 Alimentacin por gua de ondas coplanar
Una gua de ondas coplanar (CPW, por sus siglas en ingles), es la lnea de
transmisin por excelencia para circuitos integrados monolticos de
microondas (MMICs). Ambos, la CPW y las antenas microstrip pertenecen a la
geometra plana, por lo tanto, para integrar antenas microstrip con MMICs, la
mejor opcin es alimentar dichas antenas mediante una CPW.
Esta tcnica de alimentacin se muestra en la Figura 1.8.2.3.1. Aqu, la CPW
se encuentra grabada sobre el plano a tierra de la antena. El acoplamiento se
realiza mediante un slot y se muestran tres formas de excitacin: en la Figura
1.8.2.3.1a, el conductor central de la CPW divide el slot de acoplamiento en
dos y en la Figura 1.8.2.3.1b, la CPW se transforma en un slot de largo L
s
. El
acoplamiento entre el patch y la CPW es inductivo para el primer circuito y
capacitivo para el segundo. Este arreglo es algo similar al de la seccin 1.8.2.2
pero con la salvedad de que en aquel, el slot del plano a tierra es alimentado
por una stripline.
Se ha determinado que el ancho de banda de 10 dB en prdidas por retorno,
es del 2,8% para el acoplamiento capacitivo y del 3,5% para el inductivo
alrededor de los 5 GHz sobre un sustrato con
r
= 2,2 y h = 1,58 mm. La
potencia irradiada hacia atrs es de alrededor de 10 dB por debajo del haz
principal, pero puede reducirse an ms si transformamos el slot lineal en un
loop circular, como lo muestra la Figura 1.8.2.3.1c, centrado por debajo del
patch.
Una ventaja de este tipo de alimentacin es que la radiacin que proviene de
la estructura de alimentacin es insignificante debido a que la gua de ondas
coplanar es excitada en el modo impar de la lnea slot acoplada y de esta
manera, la corriente magntica equivalente en los dos slots CPW, irradian casi
fuera de fase de manera que la radiacin del alimentador es insignificante.
Este tipo de alimentacin es muy til en el diseo de arreglos ya que se
minimiza el acoplamiento mutuo entre lneas adyacentes.
Finalmente y a modo de resumen, la Tabla 1.8.1 muestra una comparacin
entre las estructuras de alimentacin que fueron descritas.
Figura 1.8.2.3.1 Alimentacin por gua de ondas coplanar. a) Acoplamiento inductivo separando el slot
en dos mediante el CPW. b) Acoplamiento capacitivo entre el patch y el slot. c) Acoplamiento mediante
slot anular para reducir la radiacin hacia atrs.
Tabla 1.8.1 Comparacin de varios tipos de estructuras de alimentacin para Antenas Microstrip.
Tipos de Alimentacin Microstrip
Caractersticas
Alimentacin
por Coaxial
Acoplamiento
por Borde
Radiante
Stripline
Insertada
Acoplamiento
de
Proximidad
Acoplamiento
de Apertura
Alimentacin
por CPW
Configuracin No planar Coplanar Coplanar Planar Planar Planar
Radiacin no
deseada del
alimentador
Mucha Poca Mucha Mucha Mucha Poca
Pureza de
polarizacin
Pobre Buena Pobre Pobre Excelente Buena
Facilidad de
fabricacin
Se necesita
soldar y
perforar
Fcil Fcil
Se necesita
perfecta
alineacin
Se necesita
perfecta
alineacin
Se necesita
perfecta
alineacin
Fiabilidad
Pobre a
causa de las
soldaduras
Mejorada Mejorada Buena Buena Buena
Adaptacin de
impedancia
Fcil Pobre Fcil Fcil Fcil Fcil
Ancho de
banda (logrado
con la
adaptacin de
impedancia)
2 - 5% 9 - 12% 2 - 5% 13% 21% 3%
1.9 Caractersticas de los sustratos para Antenas Microstrip
El primer paso en el diseo de una antena microstrip es la eleccin del
sustrato adecuado, ya que proporciona el soporte mecnico al elemento, esto
significa que debe estar compuesto de un material dielctrico que puede
afectar su rendimiento, ya sea en una antena, en circuitos o lneas de
transmisin. Por lo tanto un sustrato debe satisfacer simultneamente los
requerimientos tanto mecnicos como elctricos, lo cual a veces es difcil
conseguir.
Para poder realizar una eleccin apropiada del sustrato, se deben considerar
muchas propiedades al mismo tiempo, a saber: constante dielctrica,
coeficiente de prdida y su variacin en funcin de la temperatura y de la
frecuencia, homogeneidad, isotropicidad, coeficiente trmico y rango de
temperatura, humedad, vida til y uniformidad del espesor. De la misma
manera, en la fabricacin deben considerarse aspectos importantes como la
flexibilidad, resistencia a los qumicos, resistencia a la tensin y a impactos.
El gran rango disponible de sustratos de PTFE (politetrafluoroetileno),
poliestireno, poliolefina, polifenileno, alumina, zafiro, cuarzo, materiales
ferromagnticos y semiconductores nos permiten disponer de una
considerable flexibilidad en la eleccin del dielctrico idneo. Debido a esto,
no existe el sustrato ideal, sino la eleccin por uno o por otro depender de
la aplicacin que lo requiera, por ejemplo: aplicaciones en baja frecuencia
implican utilizar un sustrato con alta constante dielctrica para poder mantener
el pequeo tamao, pero en el caso de antenas microstrip se suelen utilizar
sustratos con baja constante dielctrica.
Sustratos de Cermica
El sustrato cermico ms comnmente utilizado en la elaboracin de circuitos
microstrip es la almina u xido de aluminio (Al
2
O
3
), dado que posee bajas
prdidas y baja dispersin en frecuencia, las cuales constituyen caractersticas
muy importantes. A pesar de esto, se trata de un material duro y quebradizo,
por lo cual es muy difcil de trabajar manualmente, por ejemplo, al intentar
agujerear un sustrato de este material. Adems, su tamao mximo es
limitado por el proceso de fabricacin a 10 por 10 centmetros.
Siguiendo en la misma lnea, tambin contamos con el zafiro que es la forma
monocristalina de la almina, el cual presenta mejores caractersticas
elctricas que el primero, pero es de naturaleza altamente anisotrpica y por
supuesto, muy caro.
Podemos tambin encontrar un nmero importante de otros materiales
cermicos disponibles que presentan un rango de
r
de entre 20 y 150. Cabe
destacar que una constante elctrica elevada permite obtener reducciones
importantes de tamao a bajas frecuencias de microondas (< 1GHz).
El uso de materiales cermicos como sustratos se limita a circuitos en el rango
de las microondas debido a que no pueden fabricarse de grandes
dimensiones.
En la Tabla 1.9.1 se listan las caractersticas de la almina y el zafiro.
Sustratos semiconductores
Semiconductores de alta resistividad como el Si (silicio) o el GaAs (arseniuro
de galio) pueden ser empleados para circuitos pasivos o antenas. Sin
embargo, los tamaos disponibles para sus usos como sustratos, son
demasiado pequeos para antenas de microondas, pero con la ventaja de que
estas pueden integrarse en circuitos elctricos, creando una estructura
monoltica.
En la Tabla 1.9.1 se listan las caractersticas de estos elementos.
Sustratos Ferromagnticos
Actualmente, el uso de sustratos de ferrita se ha vuelto muy comn. Estos
sustratos son de naturaleza anisotrpicos (cambian con respecto a la
direccin). Tienen una permitividad relativa cuyo valor se encuentra en un
rango de entre 6 a 9 y generalmente con baja prdida dielctrica (para un
sustrato de ferrita a 10GHz, tan $ = 0,001). La frecuencia de resonancia de un
patch microstrip sobre un sustrato de ferrita depender del campo magntico
logrado. Por esta razn, en el 40% de los casos, la sintonizacin de bandas
angostas puede lograrse variando la tensin aplicada al material; sin afectar
seriamente las caractersticas de radiacin de la antena.
En la Tabla 1.9.1 se listan las caractersticas de estos elementos.
Sustratos Sintticos
Comnmente se puede encontrar cierta variedad de materiales orgnicos
utilizados como sustratos, entre ellos se hallan el PTFE o tefln, poliestireno,
poliolefina y polifenileno. Estos materiales poseen bajas prdidas y
permitividad, ideales para ser utilizados en antenas microstrip. No obstante,
son materiales blandos y sus propiedades mecnicas son inestables a medida
que aumenta la temperatura.
En la Tabla 1.9.1 se listan algunas de sus caractersticas.
Sustratos Compuestos
Esta denominacin surge de la mano de los fabricantes de sustratos al intentar
combinar las caractersticas de varios materiales para obtener ciertas
propiedades elctricas y mecnicas deseadas. Si se agregan adems fibra de
vidrio, cuarzo o cermica en la proporcin correcta, las propiedades
mecnicas se modifican, pudiendo a la vez ajustar la permitividad. Como
resultado, podemos encontrar hoy una gran variedad de productos con un
rango de permitividad que va desde los 2,1 a 10, con una tan de 0,0005 a
0,002 a una frecuencia de 10GHz. Algunos de estos materiales se listan en la
Tabla 1.9.1.
Todos estos sustratos estn disponibles en grandes tamaos (por encima de
1m) con buenas propiedades mecnicas que permiten el acoplamiento y
fabricacin de antenas mediante tcnicas estndar de circuitos impresos. Las
constantes dielctricas de algunos sustratos compuestos recomendables para
antenas microstrip se enumeran en la Tabla 1.9.2.
Tabla 1.9.1 Caractersticas de los sustratos expuestos a una frecuencia de 10GHz.
Sustrato
Constante
Dielctrica
Constante de
prdida
Estabilidad
Dimensional
Resistencia
Qumica
Rango de
Temperatura
Costo
Relativo
Sustratos de cermica
Almina 9,8 0,0004 Excelente Excelente hasta +1600 Medio a alto
Zafiro 9,4 ; 1,6 0,0001 Excelente Excelente -24 a +370 Muy alto
Sustratos semiconductores
GaAs (>10
3
-m) 13 0,0006 Excelente Excelente -55 a +260 Muy alto
Silicon (>10
3
-m) 11,9 0,0004 Excelente Excelente -55 a +260 Alto
Sustratos ferromagnticos
Ferrita 9,0 a 16,0 0,001 Excelente Excelente -24 a +370 Medio
Sustratos Sintticos
PTFE (Teflon) 2,1 0,0004 Pobre Excelente -27 a +260 Medio
Polipropileno 2,18 0,05 0,0003 Pobre Bueno -27 a +200 Medio
Polixido de Fenileno (PPO) 2,55 0,0016 Bueno Pobre -27 a +193 Medio
Poliestireno Cross-linked 2,54 0,0005 Bueno Bueno -27 a +110 Medio
Poliolefina irradiada 2,32 0,0005 Pobre Excelente -27 a +110 Bajo
Sustratos Compuestos
PTFE-vidrio, woven web 2,17 a 2,55 0,0009 a 0,0022 Excelente Excelente -27 a +260 Medio
PTFE-vidrio, random fiber 2,17 a 2,35 0,0009 a 0,0015 Regular Excelente -27 a +260 Medio a alto
PTFE-cuarzo, reforzado 2,47 0,0006 Excelente Excelente -27 a +260 Alto
PTFE-cermica, compuesto 10,2 0,002 Excelente Bueno -15 a +170 Alto
Poliestireno-vidrio Cross-linked 2,62 0,001 Bueno Bueno -27 a +110 Bajo
Poliestireno-cuarzo Cross-linked
2,6 0,0005 Bueno Bueno -27 a +110 Medio a Alto
Poliestireno-cuarzo Cross-linked
woven
2,65 0,0005 Bueno Bueno -27 a +110 Medio a Alto
Poliestireno-cermica Cross-
linked, powder filled
3 a 15 0,0005 a 0,0015
Regular a
Bueno
Fair -27 a +110 Medio a Alto
Teflon-vidrio, reforzado 2,55 0,0015 Bueno Excelente -27 a +260 Medio
Teflon-cermica, reforzado 2,3 0,001
Regular a
Bueno Excelente -27 a +260 Medio a Alto
Teflon-cuarzo, reforzado 2,47 0,0006 Bueno Excelente -27 a +260 Alto
Teflon-cermica, filled 10,3 0,002 Bueno Excelente -27 a +260 Bajo
Poliolefina irradiada - glass
reforzado
2,42 0,001 Regular Excelente -27 a +100 Medio
Poliolefina-ceramica, powder
filled
3 a 10 0,001 Pobre Excelente -27 a +100 Alto
Glass-bonded mica 7,5 0,002 Excelente Excelente -27 a +593 Medio a Alto
Silicon resin-ceramic, powder
filled
3 a 25 0,0005 a 0,004
Regular a
Bueno
Bueno -27 a +268 Medio
Poliester-ceramica powder
filled glass, reforzado
6 0,017 Excelente Excelente -27 a +205 Medio
Polymethacrylate foam 1,07 0,0009 --- --- --- ---
Sustratos de bajas prdidas y bajo costo
Tradicionalmente, las antenas microstrip a frecuencias de microondas utilizan
sustratos tales como PTFE o cuarzo ya que permiten obtener una buena
eficiencia de radiacin y ofrecen un rendimiento elctrico excelente. Sin
embargo, tienen un costo que a menudo es demasiado elevado para
aplicaciones comerciales o cotidianas, como pueden ser la transmisin de
datos, comunicaciones mviles, recepcin satelital directa por broadcasting,
etc., debido a que el costo de produccin masiva de antenas impresas est
directamente relacionado a los costos de sustratos y conectores. A raz de
este inconveniente, se comenzaron a utilizar materiales como el epoxy/vidrio
(FR4), ampliamente utilizado en circuitos digitales de baja frecuencia por sus
caractersticas de bajo costo, disponibilidad y facilidad de fabricacin, pero su
alto coeficiente de prdida y su constante dielctrica relativamente variable,
limitan su implementacin a frecuencias por debajo de 1GHz. Recientemente
los fabricantes de sustrato han introducido nuevos materiales que proveen
buen rendimiento elctrico a precios razonables.
En la Tabla 1.9.3 se listan algunos de estos nuevos sustratos, donde los
coeficientes de prdida se comparan con otros materiales estndar. Cabe
destacar que el costo de estos materiales es tres o ms veces menor al de los
tradicionales.
Tabla 1.9.2 Constantes dielctricas de algunos sustratos de material compuesto (f = 10GHz).
Material
tan Material
tan
RT/Duroid 5870 2,33 0,02 0,0012 Arlon DiClad 527 2,5 0,04 0,0019
RT/Duroid 5880 2,2 0,0009 Arlon DiClad 870 2,33 0,04 0,0012
RT/Duroid 6002 2,94 0,0012 Arlon DiClad 880 2,20 0,04 0,0009
RT/Duroid 6006 6,0 0,15 0,0019 Arlon DiClad 810 10,5 0,25 0,0015
RT/Duroid 6010,5 10,5 0,25 0,0024 Arlon Epsilam-10 10,2 0,25 0,002
Ultralam 2000 2,5 0,05 0,0022 Arlon Cuclad 250 2,4 - 2,6 0,0018
RD 3003 3,0 0,04 0,0013 Arlon Cuclad 233 2,33 0,02 0,0014
TMM-3 3,25 0,0016 Arlon Cuclad 217 2,17 0,02 0,0008
TMM-4 4,5 0,0017 Arlon IsoClad 917 2,17 0,02 0,0011
TMM-6 6,5 0,0018 Arlon IsoClad 933 2,33 0,02 0,0014
TMM-10 9,8 0,0017 Epoxy FR4 GE313 4,4 0,,01
Trans-Tech D-MAT 9,8 - 14 < 0,0002 Trans-Tech D-450 4,5 < 0,0004
Trans-Tech S-145 10 < 0,0002 Trans-Tech S8400 10,5 < 0,0001
Tabla 1.9.3 Sustratos de bajo costo para Antenas Microstrip en bajas frecuencias.
Material
Contante Dielctrica a 1
GHz
Constante de Prdida
a 1 GHz
Fabricante
R03003 3 0,0013 Rogers Corp
R03006 6,15 0,0013 Rogers Corp
R03010 10,2 0,0013 Rogers Corp
R04003 3,38 0,0022 Rogers Corp
TLC-32 3,2 0,003 Taconic Plastics
HT-2 4,3 0,0033 Hewlett-Packard
Polyguide 2,32 0,0005 Shawinigan Research
Epoxy/glass (FR4) 4,4 0,01 ---
Sustrato Anisotrpico
Anisotrpico se define como la intervencin de la constante dielctrica del
sustrato en la orientacin del campo elctrico aplicado. Para obtener estas
propiedades elctricas y mecnicas deseadas, generalmente se aaden
ciertas impurezas al sustrato durante el proceso de manufactura. Este relleno
tiende a asumir determinadas orientaciones, lo que da lugar al efecto
anisotrpico en alguno de los sustratos utilizados en la prctica.
El valor de la constante dielctrica proporcionado por el fabricante es por si a
caso el campo elctrico aplicado se encuentra a lo largo del ancho de la hoja,
lo cual es comnmente suficiente informacin como para que la mayora de
las antenas microstrip puedan trabajar. El diseador, por otro lado, suele
revisar cuidadosamente los efectos anisotrpicos en el sustrato y luego los
evala.
Matemticamente, la permitividad de un sustrato anisotrpico puede
representarse mediante un tensor de segundo orden o didico, de la siguiente
forma
,
_
zz zy zx
yz yy yx
xz xy xx
(1.9.1)
Para un sustrato anisotrpico biaxial, (1.9.1) se transforma en
mientras que para un sustrato anisotrpico uniaxial tenemos
donde la direccin de z se toma a lo largo del espesor del sustrato.
Muchos de los sustratos compuestos que se basan en PTFE son ligeramente
uniaxiales son
z
/
x
< 1. La relacin anisotrpica definida como (
x
+
y
) / 2
z
se
puede apreciar en la Figura 1.9.1 para sustratos PTFE de cristal tejido y no
tejido, como funcin del valor nominal de
r
. Este grfico muestra que una
estructura cualquiera de PTFE de microfibra de cristal (no tejido), es menos
anisotrpica que su par a base de cristal tejido.
La frecuencia de resonancia de los elementos de una antena puede ser
seriamente afectada si la anisotropa del dielctrico no se tiene en cuenta en
el diseo. Por ejemplo, la longitud de resonancia de un patch rectangular de
ancho 0,23
0
sobre un sustrato de Epsilam-10 con
x
= 13,0;
z
= 10,2 se
muestra en la Figura 1.9.2 versus el espesor del material. La curva para
x
=
10,2 en esta figura, es el resultado de suponer un sustrato isotrpico con
r
=
10,2. La curva para
x
= 13,0 se obtiene cuando se incluye el efecto de
anisotropa uniaxial.
Como puede verse, el efecto de anisotropa es el de decrementar la longitud
de resonancia o bien, incrementar la constante dielctrica efectiva del sustrato,
en este caso. El incremento en la longitud de resonancia se produce con el
incremento en el espesor del sustrato. Tambin, el cambio en la frecuencia de
resonancia debido a la anisotropa del sustrato, puede ser casi tan alta como
el ancho de banda de la antena. Esto implica que una antena diseada para
operar en una frecuencia especfica puede eventualmente resonar fuera del
rango de frecuencia deseada si el diseador falla a la hora de incluir los
efectos de la anisotropa del sustrato.
Las dimensiones del sustrato y constantes dielctricas son funciones de la
temperatura, por lo que el rango de temperatura bajo el cual se operar, debe
ser tambin considerado en el diseo. Por ejemplo, las variaciones de
r
y del
coeficiente de prdida (tan $) con la temperatura para el revestimiento de cobre
GX-060-45 (el cual es un laminado basado en PTFE), se muestra en las
Figuras 1.9.3 y 1.9.4, las cuales claramente muestran que si los cambios en
r
y en tan $ sobre el rango de temperatura operativa de la antena no se tienen
,
_
z
y
x
0 0
0 0
0 0
(1.9.2)
,
_
z
x
x
0 0
0 0
0 0
(1.9.3)
en cuenta en el diseo, la performance ser degradada debido al escueto
ancho de banda. Aplicaciones donde esto es tenido en cuenta, incluyen a
misiles de alta velocidad, cohetes y armamento.
La constante dielctrica y el coeficiente de prdida son a la vez, funciones de
la frecuencia. De este modo, los valores a 10 GHz mostrados en la Tabla 1.9.1
no pueden esperarse sean los mismos a 1 GHz o a 100 GHz. Para la mayora
de estos sustratos, los cambios son generalmente pequeos, del orden del
10% con el cambio ms importante en tan $, el que puede cambiar en el orden
de magnitudes.
Para algunas aplicaciones especiales, la estabilidad de la antena puede verse
afectada por factores ambientales como vibraciones, calor, vida til, absorcin
del agua y exposicin a radiacin ultravioleta. Sin embargo la mayora de los
sustratos listados en la Tabla 1.9.1 no se ven afectados por estos factores.
Figura 1.9.1 Relacin anisotrpica (
x
+
y
) / 2
z
v.s.
r
nominal para sustratos compuestos por cristal de
PTFE tejido y no tejido.
Figura 1.9.2 Efecto de la anisotropa sobre la longitud resonante de un patch microstrip rectangular.
Figura 1.9.3 Variacin de la constante dielctrica con la temperatura para el sustrato GX-060-45.
Figura 1.9.4 Variacin de la tangente de prdida con la temperatura para sustratos GX-060-45.