UNVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

Andrs Felipe Daz Nitola

Jean Briham Pardo Baquero
Diego Alejandro Delgadillo



Implantacin Inica
1. Introduccin
La idea de la impurificacin de semiconductores por bombardeo inico fue
patentada por William Shockley en 1954 en los laboratorios Bell. Ms tarde, fue
desarrollado el mtodo de la implantacin inica que, en los ltimos aos se ha
convertido en una de las formas ms habituales de introducir impurezas en los
semiconductores.

2. Definicin
La implantacin inica es un mtodo de impurificacin tanto de Silicio como de
GaAs, implantando iones de un material sobre la superficie de otro. Es el mtodo
dominante de dopaje utilizado hoy da a pesar de sus desventajas. Es un proceso
ms costoso y complejo que la difusin y una alternativa a la misma.
En la implantacin de iones se utiliza un haz de iones de energa muy alta (30k -
100keV) que bombardea directamente el cristal. El potencial de aceleracin
controla la profundidad de implantacin. Este mtodo proporciona un mejor control
de la distribucin del contaminante y en general, se emplea para producir uniones
poco profundas.




3. Proceso
El equipamiento necesario para la implantacin de iones suele consistir en una
fuente de iones que produce los iones del elemento deseado, un acelerador donde
dichos iones son electrostticamente acelerados hasta alcanzar una alta energa,
y una cmara donde los iones impactan contra el objetivo. Cada ion suele ser un
tomo aislado, y de esta manera la cantidad de material que se implanta en el
objetivo es en realidad la integral respecto del tiempo de la corriente de ion. Esta
cantidad es conocida como dosis.

Se dopa un substrato mediante un flujo de iones energticos de la impureza
(obtenidos de un plasma de la misma) que se proyectan contra la oblea
(blanco).
Los iones de impurezas penetran en el substrato con una alta energa
(velocidad) y pierden su energa mediante colisiones con los ncleos y los
electrones que acaban detenindolos.
Los iones quedan parados a una determinada distancia de la superficie de la
oblea formando un perfil de implantacin.
La profundidad a la que se localiza la impureza depende en la energa (o
velocidad) de los iones.
Las colisiones con los ncleos del blanco hacen que se modifique la
situacin de los iones de la red cristalina daando el substrato:
Si el tomo del semiconductor recibe en una colisin una energa
mayor que su energa umbral de desplazamiento provoca la
formacin de defectos (tpicamente defectos puntuales como
vacantes e intersticiales).


4. Implantadores en la actualidad
Entre las tcnicas de procesamiento de semiconductores, la implantacin de iones
es casi el nico en el que los parmetros del proceso, tales como la concentracin
y la profundidad del dopante deseada, se especifican directamente en la
configuracin del equipo para la dosis y energa implante. Esto difiere de la
deposicin de vapor qumico, en el que parmetros como el espesor de la pelcula
y la densidad son funciones complejas de los parmetros sintonizables, estos
equipos incluyen la temperatura y la tasa de flujo de gas deseado. El nmero de
implantes necesarios para completar un IC ha aumentado a medida que la
complejidad de los chips ha crecido. Mientras que el procesamiento de un sencillo
MOS tipo n durante la dcada de 1970 puede haber requerido de 6 a 8 implantes,
un CMOS con memoria incorporada puede contener hasta 35 implantes.

La aplicacin de la tcnica requiere dosis y energas que abarcan varios rdenes
de magnitud. La mayora de los implantes caen dentro de una de las rangos en la
Figura 3, Los lmites de cada cuadro son aproximados; los procesos individuales
varan debido dependiendo de las diferencias en el diseo de cada solucin. Los
requerimientos de energa para muchas aplicaciones se han reducido con el
aumento de la escala del dispositivo. Un perfil dopante superficial ayuda a
mantener relaciones de aspecto ms o menos constante a medida que ms las
dimensiones del dispositivo se encogen. Como las energas caen, las dosis de
iones generalmente, pero no siempre, disminuyen tambin. La anchura de la
distribucin estadstica de los iones implantados disminuye con la energa , y esto
reduce la dosis requerida para producir un pico de concentracin dopante dado. El
resultado es las lneas inclinadas en la Figura 3. Implantacin es en realidad
extremadamente ineficiente en la modificacin de la composicin del material.
La dosis ms alta de iones implantados con un rendimiento econmico es sobre
10
16
/cm
2
, que corresponde a 20 capas atmicas. Slo la extrema sensibilidad en la
conductividad de semiconductores a la concentracin de dopante hace
implantacin de iones prctica.



5. Implantadores comerciales

Implantadores de alta corriente: producen las corrientes de haz ms altas, de hasta 25
mA. Para aplicaciones de alta dosis, mayor es la intensidad del haz, ms rpida ser la
implantacin, lo que significa que la salida de ms obleas por hora. Los Fabricantes del
implantador han invertido una gran cantidad de esfuerzo en la maximizacin de la
corriente de haz, especialmente en las energas ms bajas, donde el flujo de iones
extrables de una fuente se ve limitado. Aunque los implantadores de alta corriente
pueden producir haces en el rango de 10 A, la inestabilidades hace estos rayos no aptos
para aplicaciones de dosis bajas.
Implantadores de media corriente: estn diseados para una mxima uniformidad de
dosis y repetitividad. Sus corrientes de haz estn en el rango de 1 A a 5 mA, a energas
de 5 a ~ 600 keV . Las estaciones finales de procesamiento de oblea pueden implantar
iones en ngulos de hasta 60 de la perpendicular a la superficie de la oblea. Esto es
esencial para ciertas aplicaciones, tales como anti - perforar a travs de implantes, por
ejemplo , en la que los dopantes deben ser implantado parcialmente debajo de una
estructura de la puerta previamente formado. El menor costo operacional de los
implantadores media corriente cuando se utiliza para aplicaciones de dosis ms baja y su
capacidad de hacer implantes de alta inclinacin les distingan de implantadores de alta
corriente.
Implantador alta energa: generan haces de iones de mega-electrn-voltios.
Implantadores de alta energa comerciales producen corrientes de haz de iones cargados
individualmente hasta ~1 mA. Energas de iones mltiplemente cargados pueden ser de
hasta ~4000 keV , con corrientes de haz ~50 A . Implantadores de alta energa pueden
producir haces hasta 10 keV , que las hace adecuadas para muchas aplicaciones. Esta
funcionalidad adicional justifica el costo de capital de estas mquinas. Implantadores de
alta energa utilizando tanto RF aceleracin lineal y la aceleracin de corriente continua se
utilizan ampliamente hoy en da en la fabricacin de semiconductores.
Un dispositivo de implantacin inica moderno cuesta alrededor de $ 2-5 million,
dependiendo del modelo y el tamao de la oblea que procesa. De las tres clases de
implantadores, los aparatos de alta corriente han sido tradicionalmente el mayor mercado
en trminos de ingresos y el volumen de la unidad. Los ingresos est aumentando ms
rpido que la unidad de volumen debido implantadores han vuelto ms caros. Sin
embargo, los ingresos y el volumen estn sujetos a los severos ciclos de auge y cada
que han afectado a toda la industria de semiconductores de capital - equipo en la ltima
dcada, un patrn que es probable que contine.
6. Requisitos del proceso
Las dimensiones de los transistores diminutos que permiten la fabricacin de
microprocesadores con velocidades de reloj superiores a 3 GHz requieren estricta
exactitud dopaje. Para los dispositivos ms sensibles, la dosis implantada debe ser lo ms
uniforme posible. Tpicamente, una variacin de 3 desviaciones estndar () o 1,5 % es
el lmite superior aceptable. Esta uniformidad debe hacerse constantemente a travs de
las obleas del tamao de 300 mm de dimetro. La repetitividad oblea a oblea y de lote a
lote es igualmente crucial. La energa del haz de iones no debe exceder de una 3
variacin o de 3,0 % en todas las obleas. El ngulo del haz de iones a la oblea tambin
debe ser cuidadosamente controlada para evitar variaciones en la posicin de dopante en
el borde de las caractersticas del dispositivo. Las variaciones en la profundidad dopante
son tambin una preocupacin. Control del ngulo de implantes con una variacin de 3 ~
1.0 suele ser suficiente para crear las caractersticas elctricas del dispositivo
reproducibles.
Diseadores de implantadores modernos han alcanzado en gran medida de la dosis
deseada, la energa y la precisin angular. El mayor desafo restante es aumentar la
productividad de la corriente de haz a energas por debajo de 10 keV. Dispositivo de
escala ha aumentado en gran medida la demanda de implantes en este rango de energa.
Los diseadores tambin necesitan para reducir la contaminacin inducida implantador -
tanto como sea posible. Los tomos de dopantes implantados previamente pueden
bombardeo inico sobre la superficie de la oblea (contaminacin cruzada), o iones de la
especie correcta, pero la energa o carga de estado incorrecto pueden ser implantados
(contaminacin de energa) . Las partculas pueden ser depositados sobre la superficie de
la oblea, ya sea por el transporte de iones de haz o durante la manipulacin de la oblea .
Incluso las partculas tan pequeas como 120 nm pueden causar prdidas de
rendimiento. Por ltimo, los contaminantes metlicos pueden ser depositados sobre la
superficie de la oblea, por lo general de pulverizacin catdica de los componentes del
haz de lnea , o peor , implantado en la oblea (contaminacin metlica energtico) . Los
dispositivos modernos son tan sensibles a estos problemas que muchos clientes
demandan niveles de las partculas y la contaminacin metlica por debajo de los
detectados por el equipo de metrologa.
Estaciones finales modernos implante ya sea una oblea a la vez o un pequeo lote de
obleas - tpicamente 13 o 17 - montado en un disco que gira rpidamente. Slo las
estaciones finales de una sola oblea son capaces de implantes de gran inclinacin por las
complicaciones mecnicas de suministro de agua y otros artculos de primera necesidad a
un disco giratorio. Sin embargo, la capacidad de implantar mltiples obleas da
simultneamente las estaciones finales de lote una ventaja de productividad . En
consecuencia, las dos estaciones finales han encontrado nichos comerciales exitosas.
Casi todos los implantadores de mediano actuales dope una sola oblea a la vez, y
hojaldres proceso implantadores ms alta corriente y alta energa en lotes.




7. Implantador Inico
El implantador, cuyo esquema aparece en la figura1, consiste bsicamente de los
siguientes bloques:


Figrua 1. Esquema del implantador elctrico

Una fuente de iones: en la que se produce el plasma de la impureza, normalmente a
partir de una fuente gaseosa de la misma (BF3, AsH3, PH3, SiH4) aunque puede
producirse por evaporacin o por sputtering de una fuente slida. Mediante un ligero
potencial extractor y un diafragma, el flujo deseado de iones son encaminados al
espectrgrafo de masas.

Espectrgrafo de masas: que desva los iones por la aplicacin de un campo magntico
producido por las bobinas del espectrgrafo. Ajustando este campo se puede seleccionar
el ion que atraviesa el diafragma de salida.

Columna de aceleracin: Los iones seleccionados en el espectrgrafo de masas son
acelerados al atravesar diversos diafragmas de potenciales crecientemente negativos.
(Hasta unas energas mximas y tpicas de 300KeV (algunas aplicaciones se alcanzar
algunos MeV).

Zona de focalizacin: El haz de iones seleccionado y acelerado es focalizado mediante
las correspondientes lentes electromagnticas, que disminuyen su divergencia a valores
en torno al grado sexagesimal.

Zona de deflexin y barrido. Est formada, esencialmente, por placas de desviacin
electrosttica que permiten separar aquellos iones que han perdido energa en su camino
por colisiones con residuos de gas o las paredes del implantador, adems permite realizar
irradiacin uniforme de la oblea mediante un barrido de la misma por el haz.

8. La distribucin de iones en funcin de la profundidad

Los iones pesados (como el Sb) se frenan ms rpidamente que iones ligeros (como el
B). En media, la distribucin de iones muestra un mximo en una profundidad bajo la
superficie. Este pico define el parmetro de rango proyectado: Rp

Debido a la trayectoria aleatoria de los iones, algunos iones separan ms rpido y otros
iones tienen un viaje ms largo _ originan una distribucin de rangos proyectados que
presenta una cierta desviacin estndar: DRp.

En la primera aproximacin, el perfil de implantaciones puede ser descrito mediante un
distribucin Gaussiana con un mximo en Rp y una desviacin estndar: DRp

La distribucin Gaussiana es matemticamente sencilla, aunque en la realidad solamente
se ajusta en la regin del mximo.


Figura 2: Distribuciones de iones de Boro en Si para diferentes energas de implantacin
Rp depende de la energa de implantacin por lo tanto a mayores energas dan lugar a
rangos proyectados ms profundos


Para obtener una distribucin de impurezas con un perfil profundo, se requieren:

o Iones ligeros
o Energas de implantacin elevadas

9. VENTAJ AS
La implantacin inica presenta importantes ventajas:
Posibilita la introduccin controlada de grandes dosis de impurezas en una regin del
semiconductor, generando un proceso de NO EQUILIBRIO, siendo posible introducir
dopantes a concentraciones mayores que su solubilidad slida de equilibrio.

Permite realizar un control independiente del dopaje y de la profundidad (salvo en
algunos casos de acanalamiento).

Los perfiles de impurificacin obtenidos por implantacin inica son mucho ms
precisos (errores de 1 %) y ms superficiales (< 1mm) que los obtenidos por
difusin, teniendo grandes aplicaciones en procesos de fabricacin delicados como

o Ajuste del potencial umbral VT de conduccin de los MOSFET.
o Autoalineamiento de puerta de los mismos.
o Posibilidad de formacin de capas enterradas de colector en los BJTs.

La implantacin inica es un proceso que se lleva a cabo a temperaturas
relativamente bajas T , al poder realizarse a T ambiente, ambiente, es posible una
gran flexibilidad a la hora de elegir las mscaras (

, Al, Silica)(incluso fotoresinas).

Es posible realizar la implantacin inica a travs del xido de Si: SiO2 como
mscara.

10. DESVENTAJAS

La implantacin inica muestra ciertas desventajas:
Los dopantes no son elctricamente activos dado que estn situados en lugares
intersticiales

Aparece una reduccin en la movilidad debido al dao producido en el substrato

Debido a los choques internos en el semiconductor al realizar la implantacin, se
produce un dao en la superficie del cristal semiconductor:

o Es necesario un posterior recocido (anneal) (a T elevada) para reparar este efecto
_ Re-cristaliza.
_ Re-activa los dopantes.
o Este recocido es delicado en GaAs.

Tambin es un inconveniente la sofisticacin y altos costos de todo el equipo
Implantador.


Referencias
[1] I. Jaramillo J., Tendencias en Diseo Digital CMOS VLSI, 1 Ed, 2012,
Bogot.
[2]. Puertlas Rfales, Tecnologa de superficies en materiales, editorial Sntesis.
[3]. http://ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-
electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf
[4] L. Rubin and J PoateIon Implantation in Silicon Technology The Industrial
Physicist Junio 2003