Andrs Felipe Daz Nitola-261920

Jean Briham Pardo Baquero 261889

Diego Alejandro Delgadillo - 262107
La idea de la impurificacin de semiconductores
por bombardeo inico fue patentada por William
Shockley en 1954 en los laboratorios Bell. Ms
tarde, fue desarrollado el mtodo de la
implantacin inica que, en los ltimos aos se ha
convertido en una de las formas ms habituales de
introducir impurezas en los semiconductores.
La implantacin inica es un mtodo
de impurificacin tanto de Silicio
como de GaAs, implantando iones
de un material sobre la superficie de
otro

Es el mtodo dominante de dopaje
utilizado hoy da a pesar de sus
desventajas.

Es un proceso ms costoso y
complejo que la difusin y una
alternativa a la misma.
En la implantacin de iones se utiliza un haz de iones de energa muy
alta (30k - 100keV) que bombardea directamente el cristal. El potencial
de aceleracin controla la profundidad de implantacin. Este mtodo
proporciona un mejor control de la distribucin del contaminante y en
general, se emplea para producir uniones poco profundas
oSe dopa un substrato mediante un flujo de iones energticos de la
impureza (obtenidos de un plasma de la misma) que se proyectan contra
la oblea (blanco).

oLos iones de impurezas penetran en el substrato con una alta energa
(velocidad) y pierden su energa mediante colisiones con los ncleos y
los electrones que acaban detenindolos.

oLos iones quedan parados a una determinada distancia de la superficie
de la oblea formado un perfil de implantacin.
La profundidad a la que se localiza la impureza depende en la
energa (o velocidad) de los iones.

Las colisiones con los ncleos del blanco hacen que se modifique la
situacin de los iones de la red cristalina daando el substrato:

Si el tomo del semiconductor recibe en una colisin una energa
mayor que su energa umbral de desplazamiento provoca la
formacin de defectos (tpicamente defectos puntuales como
vacantes e intersticiales).
1. Fuente de Iones
2. Espectrgrafo
de masas
3.Columna de
Aceleracin
4. Zona de
focalizacin
5. Zona de
deflexin y
barrido
6. Cmara del
blanco

Fuente:ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf

Fuente:ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf
Los parmetros de proceso son controlados
La concentracin y temperatura no son
funciones complejas
1970 NMOS entre 6 y 8 implantes
2013 CMOS con memoria hasta 35 implantes
Requerimientos de
energa disminuyen
con el aumento de
escala
Dosis implantadas
mas altas :20 capas
atmicas.
Extrema sensibilidad
1keV-3000keV
Alta corriente
Hasta 25 mA
Inestabilidad en bajas dosis
1keV-100 o 200 keV
Media corriente
Mxima uniformidad y
repetitividad
Implantacin parcial
Menor costo en bajas energas
Alta Energa
Haces de MeV
Corrientes de ~1 mA
Hasta ~4000 keV y ~50 A

US $2-5 M
Procesadores modernos con
alta exactitud en dopaje 3
o 1,5 %
Repetitividad oblea a oblea:
3 o 3 %
Angulo fijo o 3 ~ 1.0 :
variaciones en el dopante
Reduccin de contaminacin
13 a 17 obleas por disco
6000 implantadores: 4000
en operacin



Rp (Rango de profundidad) depende de la
energa de implantacin: mayores
energas dan lugar rangos proyectados
ms profundos.

Para obtener una distribucin de
impurezas con un perfil profundo, se
requieren:
o Iones ligeros
o Energas de implantacin elevadas.
Introduccin controlada de grandes
dosis de impurezas en una regin
del semiconductor.

Proceso de NO EQUILIBRIO:
introduccin de dopantes a
concentraciones mayores que su
solubilidad slida de equilibrio.

Los perfiles de impurificacin
obtenidos por implantacin inica
son mucho ms precisos (errores de
1 %) y ms superficiales(< 1mm)
que los obtenidos por difusin.

Proceso en temperatura ambiente,
es posible una gran flexibilidad a la
hora de elegir las mscaras (Si3N4,
Al, Silica, SiO2)(incluso fotoresinas).

Fuente:ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf
Los dopantes no son elctricamente
activos dado que estn situados en
lugares intersticiales.

Aparece una reduccin en la
movilidad debido al dao
producido en el substrato.

Dao en la superficie del cristal
semiconductor por choques. Es
necesario un posterior recocido.

Equipos ms costosos


Fuente:ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf
[1] I. Jaramillo J., Tendencias en Diseo
Digital CMOS VLSI, 1 Ed, 2012, Bogot.
[2]. Puertlas Rfales, Tecnologa de
superficies en materiales, editorial Sntesis.
[3]. http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/materiales-
electronicos/contenido/MaterialesElectronico
s/Tema_5_Dopado.pdf
[4] L. Rubin and J PoateIon Implantation in
Silicon Technology The Industrial Physicist
Junio 2003