UNMSM

FACULTAD DE ING.
ELECTRONICA,
ELECTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES

MATRICULA
Gustavo noriega Javier
Chvez Lpez Richard Alfredo
Muoz Pescorn Carla
Zurita Curahua Anthony
13190155
13190081
13190016
13190066

CURSO

TEMA

Dispositivos electrnicos laboratorio

Diodo semiconductor (Si y Ge)

INFORMES

FECHAS

NOTA

Final

REALIZA

ENTREGA

NUMERO
08/05/14

22/05/14
3

GRUPO

PROFESOR


09

Ing. Luis Paretto Q.


UNMSM_FIEE. LABORATORIOS DE ING. ELECTRNICA EXPERIMENTO N 3 DE DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS


2
I. Tema: Caractersticas bsicas del diodo semiconductor
(Silicio y Germanio).
II. Objetivos: utilizar las caractersticas de operacin de los
diodos semiconductores.
III. Introduccin terica.
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica
direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de
dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy
pequea resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
DIODO PN UNIN PN:
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y
n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal,
el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los
dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J
e
).

Formacin de la zona de carga espacial
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ELECTRNICOS


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Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial,
de agotamiento, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin.
Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en
la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la
zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente
de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
0
) es de 0,7 V en el caso del silicio
y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,
tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que
no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la
letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C.


A (p)

C (n)
Representacin simblica del diodo pn
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo
est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
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POLARIZACIN DIRECTA:


En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que
la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres
del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal
p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.
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De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.
POLARIZACIN INVERSA:


En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a
la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y
una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes
de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
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electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos
huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en
su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en
iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)
denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie,
los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de
la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital
de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de
fugas es despreciable.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO:



Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial
inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor
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del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la
tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la
intensidad.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse
por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo
por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo,
con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa
de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el
diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante
hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan
pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la
tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su
vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de
valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando
el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser
grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
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IV. Materiales y equipos a utilizar:
1. Una fuente de corriente contina variable.

2. Un multmetro (fluke 87).

3. Un miliampermetro y un micro ampermetro (yokogawa).


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4. Un diodo semiconductor de Si y uno de Ge.

5. Un voltmetro de c.c... (yokogawa).

6. Resistencia de 100.










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7. Cables y conectores (cocodrilo- banano 10).

8. Un cordn de alterna para la fuente.

V. Procedimiento:
1. Usando el ohmmetro. Medir las resistencias directa e inversa del diodo.
Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y
el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2.(usar
miliampermetro).
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en la tabla 3.
(uso del micro ampermetro).
Tabla 1. (Si).
Rdirecta() Rinversa()
861
40M





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Vcc(v.) 0.51 0.54 0.59 0.67 0.79 0.92 1.22 1.56 1.76 1.98 2.3 2.82
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.3 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.488 0.51 0.543 0.576 0.61 0.634 0.667 0.389 0.70 0.70 0.71 0.73
Tabla 2.

Vcc(v.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0 1.979 3.937 5.93 7.92 9.87 11.87 14.84 19.82
Id(A.)
0 0 0 0 0 0 0 0 0
Tabla 3.

3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de
Germanio. Registrar los datos en la tabla 4.
Tabla 4.(Ge.)
Rdirecta()

Rinversa(M)

317.9 0.08114
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar
al paso 2; proceder a llenar las tablas 5 y6.

Vcc(v.) 0.18 0.22 0.26 0.32 0.46 0.58 0.9 1.26 1.49 1.6 2.04 2.6
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.160 0.188 0.21 0.238 0.276 0.303 0.35 0.39 0.417 0.43 0.45 0.48
Tabla 5.
Vcc(v.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v.) 0.014 0.98 1.97 3.957 5.93 7.93 9.86 11.87 14.82 17.82 19.81
Id(A.)
0 0.6 0.6 0.6 1 1 1.1 1.3 1.6 2 2.2

Tabla 6.

VI. Cuestionario final:
1. Construir el grafico id=F(vd)con los datos de la tabla 2 y 3.(Si). Calcular la
resistencia dinmica del diodo.

1
1

n d dn
n d dn
dn
I I
V V
r



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Calculando las resistencias dinmicas de la tabla 2.
rdn (m).
Para a.

Para b.

Para c.

Para d.

Para e.

Para f.

Para g.

Para h.

Para i.

Para j.

Para k.

Calculando las resistencias dinmicas de la tabla 3.

Para a.

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Para b.

Para c.

Para d.

Para e.

Para f.

Para g.

Para h.

2. Construir el grafico Id=f(vd) con los datos de las tablas 5 y 6.(Ge). Calcular
la resistencia dinmica del diodo.

1
1

n d dn
n d dn
dn
I I
V V
r


Calculando las resistencias dinmicas de la tabla 5. Rdn (
m
)

Para a.

Para b.

Para c.

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Para d.

Para e.

Para f.

Para g.

Para h.

Para i.

Para j.

Para k.

Calculando las resistencias dinmicas de la tabla 6. Rdn (

)

Para a.

Para b.

Para c.

Para d.

Para e.

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15
Para f.

Para g.

Para h.

Para i.

Para j.

3. Interpretar los datos obtenido en las tablas.
Para ambos casos (diodo de silicio y diodo de germanio) se dan dos
situaciones cuando se encuentran polarizados directamente e inversamente.

Cuando se encuentran polarizados directamente la resistencia
dinmica es pequea por lo que se comportara como un circuito
cerrado dejando que fluya la corriente.
Cuando se encuentran polarizados inversamente la resistencia
dinmica es grande por lo que se comportara como un circuito
abierto impidiendo el paso de la corriente.
4. Exponer sus conclusiones del experimento.
Un diodo permitir la conduccin de corriente cuando se encuentra
polarizado directamente. Se comportara como un circuito cerrado.
Un diodo impedir la conduccin de corriente cuando se encuentre
polarizado inversamente. Se comportara como un circuito abierto.
5. Explicar los controles de operacin de la fuente Dc utilizada.
Una fuente de tensin regulada utiliza normalmente un circuito
automtico de control que detecta, prcticamente de un modo
instantneo, las variaciones de la tensin de salida y las corrige
automticamente. En general, todo sistema de control requiere los
siguientes elementos bsicos:
Elemento de referencia: Para saber si una magnitud ha variado se
precisa una referencia, que deber ser lo ms estable posible.
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Elemento de muestra: Su misin es detectar las variaciones de la
magnitud en cuestin (tensiones, temperaturas, presiones, etc.).
Elemento comparador: Su finalidad es comparar, en todo
momento, la referencia con la muestra de la magnitud que
pretendemos controlar.
Amplificador de seal de error: La seal de error, que no es ms
que la diferencia entre la referencia y la muestra, puede ser de un
nivel tan bajo que no puedan accionar el elemento. En este caso,
debe amplificarse.
Elemento de control: Que interpretada la seal de error,
amplificada o no, de modo que contrarreste las variaciones
producidas en las magnitudes de salida.
Regulador De Voltaje.
En muchas ocasiones necesitamos una fuente de alimentacin que
nos proporcione ms de 1A y esto puede convertirse en un
problema que aumenta, si adems queremos, por seguridad, que
se pueda cortocircuitar. La solucin es dopar (aadir) un transistor
de potencia o los que sean necesarios para que nos proporcione la
corriente deseada.