INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

Escuela Superior de Fsica y Matematicas

Practica 2
Brecha prohibida de un semiconductor
Alumno: Hector Hugo Carrillo Ibarra
Grupo: 6L2
Fecha de entrega : 15 de marzo de 2004
1. Objetivos
- Determinar la brecha de enrga prohibida para el silicio y el germanio.
2. Introduccion
Para entender lo que se hizo en esta practica primero expondremos algunos conceptos basicos de fsica
de los solidos y las diferecias entre los conductores, semiconductores y los aislantes.
2.1. Conductores.
Los solidos que tienen una resistividad electrica peque na a la temperatura ambiente se llaman conductores.
En este grupo estan incluidos la mayora de los metales corrientes como el cobre, el aluminio y la plata.
Para que tenga lugar la conduccon, ha de haber un movimiento de electrones. En la teora atmica se
explican las propiedades electricas de los elementos por el concepto de las bandas de energa. Los electrones
de lo orbita exterior de un atomo pueden ser desplazados de ella con la menor cantidad de energa y se llaman
electrones de valencia. Estos electrones tienen unos niveles o bandas de energa denidas y la conductividad
de un elemento esta determinada por la energia determinada por la energa necesaria para desplazar sus
electrones de valencia desde su nivel normal de energa, o banda de valencia, hasta el nivel mas elevado,
llamado banda de energa o de coduccion. La distancia que recorre un electron en su camino desde la banda
de valencia hasta la banda de conduccion vara con cada tipo de atomo esa separacion o laguna de enrga se
llama banda de energa prohibida. En un coductor las bandas de conduccion y de valencia estan solapadas
y los electrones de valencia son validos para la conduccion. Este comportamiento se muestra en la siguiente
gura.
Figura 1: Diagrama de badas de enrega en un coductor.
2.2. Aislantes.
Los solidos que tienen un resistividad electrica elevada a la temperatura ambiente sellaman aislantes.
La laguna de energa que separa que separa las bandas de conduccion y de valencia en un aislador es muy
grande, y es muy dicil para un electron de valencia el alcanzar la banda de conduccion. En la gura siguiente
se ilustra lo anterior.
Figura 2: Diagrama de badas de enrega en un aislante.
2.3. Semiconductores.
Los solidos que tienen un valor intermedio de resistividad entre la de los conductores y los aislantes
se llaman semiconductores. Su resistividad vara de forma no lineal con la temperatura y puede tener un
coeciente de temperatura positivo o negativo. Las caractersticas de la resistencia dependen mucho de
la cantidad de impurezas del material. Ejemplos de solidos de este grupo son algunos elementos como el
germanio y el silicio y algunos compuestos como el oxido de zinc y el oxido de cobre. En un semiconductor
la laguna de energa e muy peque na, y la energia termiva de los electrones de valencia a la temperatura
ambiente es suciente para permitir un conduccion apreciable. La siguiente gura muestra la estructura de
bandas.
Un semiconductor con una cantidad no despreciable de impuresas se le llama extrinseco y su conductividad
depende de estas impurezas. Cuando predominan los agujeros, el material se llama semiconductor tipo P o
positivo. Cuando predominan los electrones, el material se llama semiconductor tipo N o negativo. Cuando
la concentracion de partculas en un semiconductor dado es tal que existen electrones y agujeros en la misma
cantidad aproximadamente, el material se llama semiconductor intrnseco. Un semiconductor intrnseco puede
tener caracteristicas de tipo N o F por la adicion al material basico de diferentes sustancias llamadas
impuerezas, es decir, hacerlo extrinseco.
Figura 3: Diagrama de badas de enrega en un semiconductor.
2.4. La union PN o diodo
La conduccion puede tener lugar en un cristal por movimiento de electrones o de agujeros. En la conduc-
cion negativa los electrones uyen hacia el terminal positivo de la fuente de alimentacion, mientras que en
la conduccion positiva los agujeros uyen hacie el termnal negativo de la fuente de alimentacion.
Caracteristicas. Se forma un union PN cuando se ponen en contacto porciones de silicio de tipo P y
de tipo N, para dar lugar a un diodo de silicio (Figura 4). Los crculos con signo menos en el silicio tipo
P representan atomos aceptores. Los agujeros, creados por perdida de electrones en algunos pares de enlace
covalente, son cargas positivas y estan representadas por signos mas. Los crculos con signos mas en el silicio
tipo N representan atomos donadores. Los electrones libres, al ser cargas negativas, se representan por signos
menos.
Barrera de potencial. Los electrones libres de la porcion N seran atrados por los agujeros de la porcion
P, y veceversa. Sin embargo, tan pronto como los electrones procedentes de la parte N hayan cruzado la union
seran repelidos por la carga negativa de los atomos aceptores de la parte P. Del mismo modo, los agujeros de
P que crucen la union seran repelidos por la carga positiva de los atomos donadores de N. En consecuencia,
la barrera de potencial establecida inmediatamente en las dos supercies de la union impide un movimiento
elevado de electrones y agujeros a traves de dicha union. El potencial establecido en ella depende de la
cantidad de impurezas del cristal y es del orden de 0.1 a 0.3V. Este voltaje se llama barrera de potencial o
cresta de potencial, y su efecto es el mismo que si hubiera una batera conectada a la union como indica la
Figura 4.
Figura 4: Efecto del voltaje de polarizacion de la union. (a) Polarizacion cero o neutra. (b) Polarizacion
directa. (c) Polarizacion inversa. Las echas de linea continua indican la direccion de la corriente de agujeros,
y las echas de linea interrumpida indican la direccion de la corriente de electrones.
3. Desarrollo experimental.
En el experimento se utilizaron dos diodos, uno de silicio y otro de germanio y para ambos se hizo el
siguiente circuito:
Figura 5: Diagarama del circuito utilizado.
El experimento se dividio en dos partes:
a) La primera parte consto en medir la corriente y la diferencia de potencial en el diodo a temperatura
ambiente, esto se hace armando el circuito mostrado en la gura 5. Esta parte es para determinar la
corriente de saturacion I
0
y el coeciente , que mas tarde se explicaran con mas detalle.
b) En la segunda parte del experimento nos interesa conocer la dependencia del voltaje con la temperatura.
Para esto se dispuso del diodo junto a un termometro dentro de un tubo de ensaye que contena un
compuesto que era electronicamente aislante pero termicamente conductor. Esta vez la parte donde se
encuentra el diodo en el circuito de la gura 5 estara sumergio en agua en un vaso de precipitado junto
con el tubo de ensaye y el termometro a modo de ba no maria, y se calent

O con un mechero Bunsen.

De aqui se determina Eg. Los voltajes tpicos en estos experimentos son de 0.25 a 1 V y las corrientes
que se obtienen son de algunos mA.
4. Analisis y Resultados
Analicemos ahora la primera parte del experimento que se lleva a cabo a temperatura ambiente (T =
295K
o
). La caracterstica esencial de una union p-n (o diodo) es que funciona como un recticador, el cual
permite el ujo de carga en una direccion pero restringe el ujo en la direccion contraria. Este comportamiento
esta descrito por la ecuacion de Shockley:
I = I
0
[exp(
qV
kT
) 1] (1)
donde I
0
es la corriente inversa de saturacion, V el voltaje aplicado, q la magnitud de la carga electronica,
T la temperatura absoluta, k la constante de Boltzman y es una constante cuyo valor vara entre 1 y 2
dependiendo del material.
Para voltajes directos (a favor) donde V >
kT
q
, la ecuacion 1 se puede reescribir como:
ln(I) = ln(I
0
) + (
q
kT
)V (2)
Se puede mostrar tambien que
I
0
= BT
3
exp(
Eg

) (3)
donde B es una constante y Eg es el ancho de la brecha de energia prohibida. Ahora para la segunda
parte del experimento tenemos que sustituyendo la ec.3 en la ec.2 encontramos que V se puede expresar
como
V =
Eg
q
+
Tk
q
ln(
I
B
)
3kT
q
ln(T) (4)
La ec.4 permite determinar el valor de Eg, si uno mide la dependencia de V con la temperatura, mante-
niendo ja la corriente.
A continuacion se gracan los resultados de la mediciones de la primera parte del experimento para los
diodos de silicio y germanio, gracando V vs I y tambien V vs lnI, ademas de las gracas T vs V de la
segunda parte.
Ahora de acuerdo con la ecuacion 2 se tiene que
ln(I) = ln(I
0
) + (
q
kT
)V
con lo que ajustar linealmente la graca siguiendo la relacion ln(I) = mV +ln(I
0
), se obtiene la pendiente
m =
q
kT
y la corriente de saturacion I
0
, entonces para obtener a hacemos =
q
mkT
y tambien I
0
=
exp(ln(I
0
)), entonces para el silicio tenemos que:
=
q
mkT
=
1,6 10
19
(21,585)(1,3 10
23
)(295,15)
= 1,81989
donde a su vez puede calcularse I
0
:
I
0
= exp(ln(I
0
)) = exp(12,308) = 4,5154 10
6
A
y para el germanio tenemos que m = 12,73, y de acuerdo con la ecuacion 2,
=
q
mkT
=
1,6 10
19
(12,73)(1,3 10
23
)(295,15)
= 3,08581
En este caso el coeciente se sale de los valores esperados comprendidos en el intervalo [1,2], y entonces
la corriente I
0
.
I
0
= 4,7582 10
2
A
Ahora siguiendo con la segunda parte del experimento determinemos Eg, entonces de la relacion V =
mT + V
0
gracada en las ultimas dos gracas vemos que al comparar esa relacion con la ecuacion 4 y
despreciando el termino con ln(T) ya que es muy peque no, tenemos que
Eg
q
= V
0
, esto nos dice que V
0
es la
energa potencial por electron, entonces al hacer q = 1 tenemos que Eg = V
0
q = 1 V
0
Entonces tenemos que para el silicio:
Eg
Si
= 1,2143
y comparando con el valor teorico Eg
Si
t
= 1,14eV a 0
o
K, tenemos un error porcentual
E
%
(Eg
Si
) = 100
|Eg
Sit
Eg
Si
|
Eg
t
= 6,517 %
y para el germanio con valor teorico Eg
Ge
t
= 0,75eV tambien a 0
o
K, y valor practico de Eg
Ge
= 0,8551,
entonces el error porcentual es de:
E
%
(Eg
Ge
) = 100
|Eg
Ge
t
Eg
Ge
|
Eg
t
= 14,013 %
Que es un valor un poco mas disparejo.
5. Conclusiones
En general el objetivo se alcanzo, aunque los resultados para el elemento Germanio no fueron muy
satisfactorios como los del silicio, ya que el error porcentual de Eg
Ge
fue mas grande y el coeciente se
salio del intervalo de posibles valores, uno de los incovenientes en la primera parte fue que la fuente variaba
mucho y los valores no fueron muy precisos, a parte de no saber a que velocidad subir la corriente para tomar
los datos, eso fue una gran fuente de error.
Referencias
[-] Slurzberg y Osterheld Fundamentos de Electricidad-Electronica (Tercera Ed., 1970).
[-] Shalmova Fisica del estado solido(Limusa, Mexico, 1997).