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INSTITUTO TECNOLOGICO
DE TUXTEPEC


CARRERA:

INGENIERIA ELECTROMECANICA

MATERIA:

ELECTRONICA ANALOGICA

CATEDRATICO:

ING. HUGO CASTELLANO MENESES

ESTUDIANTE:

VICTOR ALFARO PATRACA

TRABAJO:

TIRISTORES




SAN JUAN BAUTISTA, TUXTEPEC OAXACA A 2 MAYO DE 2014

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- Introduccin

Los tiristores constituyen una familia de dispositivos que pueden tomar
diferentes nombres y caractersticas, pero donde todos los elementos que
la componen se basan en el mismo principio de funcionamiento.
Constructivamente son dispositivos de 4 capas semiconductoras N-P-N-P y
cuya principal diferencia con otros dispositivos de potencia es que
presentan un comportamiento biestable. Su construccin se debe en su
origen a General Electric en 1957 y la comercializacin general comienza
hacia 1960.

Los tiristores pueden tener 2, 3 o 4 terminales, y ser de conduccin
unilateral (un solo sentido) o bilateral (en ambos sentidos). Ante una seal
adecuada pasan de un estado de bloqueo al de conduccin, debido a un
efecto de realimentacin positiva. El pasaje inverso, de conduccin a
bloqueo se produce por la disminucin de la corriente principal por debajo
de un umbral. Funcionan como llaves, presentando dos estados posibles
de funcionamiento: No conduccin (abierto), Conduccin (cerrado).

La estructura base comn consistente en mltiples capas P y N
alternadas, puede presentar algunas variaciones en los distintos el
miembros de la familia, particularizando su funcionamiento. La carga es
aplicada sobre las mltiples junturas y la corriente de disparo
es inyectada en una de ellas.

Los tiristores pueden tomar muchas formas y nombres, pero tienen en
comn que todos ellos son llaves de estado slido capaces de bloquear
tensiones directas e inversas hasta el momento que son disparados. Al
dispararlos se convierten en dispositivos de baja impedancia, conduciendo
la corriente que fije el circuito exterior, permaneciendo indefinidamente en
conduccin mientras la corriente no disminuya por debajo de un cierto
valor. Una vez disparado y establecida la corriente principal, la corriente
de disparo puede ser removida sin alterar el estado de conduccin del
tiristor. Anlogamente una vez recuperada la capacidad de bloqueo, sta
se mantiene sin otro requisito hasta la ocurrencia de un nuevo disparo.

Los dispositivos ms conocidos de la familia de los tiristores para
aplicaciones de potencia son:

SRC (Silicon Controled Rectifiers)
TRIACS
GTO (Gate Turn Off)



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Los primeros son unidireccionales diseados para conmutar cargas con
corrientes en un solo sentido, cubriendo desde aplicaciones de muy baja
potencia hasta las que requieren el control de miles de voltios y amperes.
Los TRIACS en cambio, son bidireccionales y permiten la circulacin de
corriente en ambas direcciones para aplicaciones de baja potencia.
Finalmente, los GTO (Gate Turn Off) al igual que los SCR son dispositivos
de 6 conduccin unidireccional pero con la particularidad de poder ser
apagados mediante una seal de compuerta. Su uso se encuentra en
aplicaciones de muy elevada potencia.

Principio de Funcionamiento

La estructura fsica base de los miembros de la familia de los tiristores
est formada por cuatro capas de semiconductores P y N como se ilustra
en la Figura, figura donde tambin se ha incluido el smbolo del SCR por
ser el dispositivo ms representativo de la familia...



Un tiristor puede encontrarse en uno de los siguientes estados:

Bloqueado con polarizacin inversa.
Bloqueado con polarizacin directa.
Conduccin.








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Curvas caractersticas y datos de manuales

En la figura, se representa la curva caracterstica de un tiristor (SCR) en la
que se aprecia la polarizacin directa e inversa de la tensin nodo-ctodo
VAK, con sus cuatro regiones respectivas. Para el primer cuadrante se han
incluido dos grficas, las correspondientes a una baja corriente de gate y a
corriente nula. En estado de conduccin directa, la caracterstica se
asemeja a una resistencia de bajo valor, mientras que con polarizacin
inversa, una eventual conduccin dara lugar a la destruccin del tiristor
en la regin de avalancha por tensin excesiva.




Se incluyen a continuacin los parmetros ms significativos, respetando
los subndices:

F: (Forward) Directo
R: (Reverse) Inverso


En todos los casos, para asegurar su vida til y una correcta operacin, es
indispensable no superar los valores mximos suministrados por el
fabricante.




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Veremos primero el circuito bsico y funcionamiento de rectificador
controlado de media onda.



En el dibujo se aprecia al SCR con sus tres terminales nodo, ctodo y
compuerta (gate). La corriente principal circula entre nodo y ctodo. La
tensin de disparo o control, se aplica entre la compuerta y el ctodo. Esta
ltima tensin, como veremos, es generalmente de tipo pulsante, generada
por un circuito electrnico especial, denominado circuito de disparo

Para interpretacin del funcionamiento, resulta conveniente graficar las
tensiones elctricas intervinientes en el circuito, en funcin del tiempo.

En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensin
positiva entre nodo y ctodo (directa), no conduciendo corriente, por lo
que: vL= 0 y vac= vs. En t1, el circuito de disparo aplica un pulso de
corriente a la compuerta, haciendo que el SCR pase al estado de
conduccin. La tensin vac cae a una valor prximo a 1 volt y aparece un
voltaje en la carga vL= vs- vac vs. Cuando la tensin de alimentacin
pasa por cero (t2) y si la corriente de carga est en fase, esta tambin cae a
cero, lo que hace que el SCR se apague y deje de conducir. La tensin en
sus extremos se eleva hacindose negativa y de valor vac = vs; vl = 0.
Posteriores disparos durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada
(t3), no logran encender al SCR. En el prximo semiciclo positivo, en t4, al
aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente el SCR comienza a
conducir corriente hasta el cruce por cero (t5).

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Caractersticas de los tiristores

Bsicamente estn formados por una estructura semiconductora de cuatro
capas pnpn con tres junturas J1, J2, J3, como muestra el siguiente
dibujo:


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Cuando al nodo se le aplica tensin positiva respecto al ctodo, las
junturas J1 y J3 se polarizan directamente y la juntura J2 inversamente.
Entre ambos terminales fluye una pequea corriente. Se dice que el tiristor
est en estado de bloqueo directo o desactivado. Si aumentamos la
tensin nodo-ctodo (vac), la juntura J2 entra en ruptura por avalancha
(vac = VBO), denominado voltaje de ruptura directo. Por el tiristor
circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al
circuito. Se dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o
activado. En esta condicin, vac1 volt. La corriente se mantendr
circulando, solo si esta supera un valor, denominado corriente de
retencin o enganche. Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo
respecto al ctodo, J1 y J3 se polarizan inversamente, y J2 se polariza
directamente. En esta condicin, las junturas J1 y J3, se comportan como
dos diodos conectados en serie, soportando una tensin inversa, por lo que
circulara una pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo (corriente
inversa). Se dice que en esta condicin, el tiristor est en estado de
bloqueo inverso, similar a un diodo polarizado inversamente.


Modelo del tiristor con dos transistores bipolares:

La accin regenerativa, por realimentacin positiva, que hace que el tiristor
pase del estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede
demostrar utilizando un circuito equivalente con dos transistores bipolares
como se muestra en la figura siguiente:







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A continuacin vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito bsico
formado por los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una
fuente de alimentacin.
Con este circuito, vamos a calcular analticamente la corriente de nodo
iA, en funcin de los parmetros elctricos de ambos transistores. Como
caso general, consideraremos dos puertas, una en la base del transistor
npn y la otra en la base del transistor pnp.




La corriente de colector IC, de un transistor bipolar, se relaciona en Gral.
Con la corriente de emisor IE y la corriente de fuga de la juntura colector-
base, ICBO como:

IC = IE + ICBO

Donde IC/ IE representa la ganancia de corriente en base comn
Para nuestro caso la corriente de colector IC1 del transistor Q1 resulta:

IC1 = 1IA + ICBO1 (1)
Donde 1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para
Q1. De la misma manera para Q2:

IC2 = 2IC + ICBO2 (2)
Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos:
IA = IC1 + IB1 (3)
IB1 = IC2 + IGN (4)
IC = IGP + IA - IGN (5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a
las corrientes salientes.
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Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de nodo,
resultando:

IA = [ICBO1 + ICBO2 + (1- 2) IGN + 2. IGP] / [1- (1+2)]

1) Si en la ecuacin anterior hacemos IGN = IGP = 0, es decir no hay
activacin por compuerta, la corriente de nodo vale:

IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso 1 =2 0 dado que IE 0

2) Si hacemos IGN = 0 e IGP 0 o sea tenemos activacin por la compuerta
del transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la
realimentacin interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector
de Q2 que a su vez es corriente de base de Q1 y por efecto de amplificacin
aumenta su corriente de emisor (corriente de nodo del tiristor); de la
misma forma aumenta la corriente de colector de Q1 y esta corriente
alimenta nuevamente la base de Q2 y as sucesivamente hasta que ambos
transistores pasan a la saturacin. En la formula el crecimiento de la
corriente de nodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los
transistores por efecto del aumento de las corrientes de emisor de los
transistores, segn la grafica:



Cuando 1 + 2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la
corriente del nodo del tiristor se hace infinita. En la prctica, queda
limitada por el circuito externo.

3) Si hacemos IGP = 0 e IGN 0 o sea tenemos activacin por la compuerta
del transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el
mismo efecto de realimentacin pero en este caso requerir mayor
corriente de compuerta dado que en la expresin de la corriente de nodo
el termino de IGN en el numerador, est afectado por (1-2).



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Condiciones transitorias en el tiristor:

Bajo condiciones transitorias de tensin en sus extremos principales, las
capacitancias de las junturas J1, J2, J3, influyen en el comportamiento
del tiristor.



Cj1 y Cj3 son capacidades de almacenamiento o difusin, para una
juntura polarizada directamente. Cj2, es la capacidad de la carga espacial
o de transicin, para una juntura polarizada inversamente. Si el tiristor
esta en bloqueo directo, un rpido crecimiento del voltaje aplicado entre
los extremos nodo-ctodo, provocar un flujo de corriente a travs de los
capacitores de las junturas... La corriente que pasa por el capacitor Cj2
Vale:

Ij2 = d (qj2) / dt = d (Cj2.Vj2) / dt = Vj2.dCj2/dt + Cj2.dVj2/dt


Como vemos, si dVj2/dt es grande, tambin lo ser Ij2, dando lugar a un
incremento de las corrientes de fuga ICBO1 y ICBO2 d la juntura J2 de los
transistores, provocando un incremento de la corriente de nodo y, por
realimentacin, 1 y 2 se incrementan, causando la conduccin del
tiristor en forma indeseable. Adems, si esta corriente capacitiva es muy
grande, puede destruirlo.




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Activacin del tiristor:

Los tiristores pueden activarse, o sea incrementar su corriente de nodo,
por diversas formas:

1) Accin trmica: Si la temperatura del tiristor es alta, se incrementan
las corrientes ICBO1 y ICBO2 por generacin de portadores minoritarios
(electrn-huecos), aumentando los valores de 1 y 2. Cuando 1 +2 = 1,
por accin regenerativa el tiristor se activa.
En consecuencia es necesario limitar la temperatura mxima de
funcionamiento para evitar esta condicin no deseada. Los fabricantes
suministran los valores mximos de temperatura de funcionamiento.

2) Accin de la luz: Si se permite que la luz llegue a las junturas del
tiristor (J2), aumentaran los portadores minoritarios electrn-huecos,
aumentando las corrientes = ICBO1 y ICBO2, hasta provocar la activacin.
Este mecanismo se utiliza para activar tiristores que trabajan en
convertidores para alta tensin, utilizando fibras pticas para su
activacin y aislamiento elctrico del circuito generador de los pulsos de
disparo. (Tiristores activados por luz LASCR).

3) Aumento de la tensin aplicada: Si la tensin directa aplicada Vac
(nodo-ctodo) resulta mayor que VBO, (tensin mxima de bloqueo
directo), por efecto avalancha, aumenta ICBO1 y ICBO2 hasta la activacin
por accin regenerativa, con probabilidad de destruccin. Esto limita la
mxima tensin directa aplicada.

4) Variacin de la tensin aplicada (dv/dt): Esta accin produce un
aumento de las corrientes capacitivas de las junturas del tiristor,
suficientes para activarlo. Un valor alto de estas corrientes, puede ser
destructivo. Los fabricantes establecen los lmites de dv/dt que pueden
soportar los tiristores.

5) Accin del transistor Q2 por corriente de compuerta: Es el mtodo
normal para activarlo; se logra aplicando un voltaje positivo a la
compuerta respecto al ctodo, que provocara la circulacin de la corriente
IGP, dando lugar a la accin regenerativa interna en el tiristor. La
activacin para el SCR se logra con voltajes de bloqueo directo (nodo
positivo respecto al ctodo).







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Caracterstica tensin-corriente entre nodo y ctodo para el SCR:




Se observa que en el primer cuadrante, tenemos las caractersticas
directas. Si aumentamos la tensin vac al principio la corriente directa es
insignificante. Cuando llegamos a la zona limite de bloqueo directo (VBO) la
corriente comienza a aumentar y la tensin a disminuir; en este momento
comienza la realimentacin interna del tiristor, donde se manifiesta una
caracterstica de resistencia negativa. Durante este periodo, el dispositivo
transita por esta zona , hasta llegar a una zona con caracterstica de
resistencia positiva, el tiristor podr quedar con determinados valores de
corriente y tensin, dependiente de la tensin externa de alimentacin y la
resistencia de carga. Esto se puede lograr, si la corriente andica supere el
valor mnimo de enganche o retencin (IL). Cuando la corriente andica
comienza a disminuir, a partir de un valor mnimo (iH), el dispositivo vuelve
al estado de bloqueo directo. Las caractersticas directas, se modifican
(lneas de trazos) de acuerdo con el valor de la corriente inyectada en la
compuerta. En este caso vemos que aumentando la corriente en la
compuerta, la tensin de bloqueo directo, disminuye.









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Caracterstica tensin- corriente en la compuerta del SCR:

Los tiristores tienen limitaciones en tensin, corriente y disipacin mxima
de compuerta. Veamos por ejemplo la caracterstica tensin corriente de
la compuerta del SCR:



La recta de carga, del circuito de disparo, debe ubicarse por debajo de la
hiprbola de mxima disipacin promedio, si se lo dispara con tensin
continua; si se lo dispara con pulsos, la recta de carga se podr ubicar
debajo de la mxima hiprbola de disipacin instantnea Por ejemplo si
PGpromedio=0,5 vatios y PGmax= 10 vatios, entonces se podr disparar al SCR
con pulsos con una potencia mxima de 10 watios con una duracin de
tp=0, 5 mseg., con un periodo de 10 mseg., dado que la potencia promedio,
no supera los 0,5 vatios.

En la zona rayada, no es conveniente que cruce la recta de carga del
circuito de disparo, dado que el encendido, depende de la temperatura lo
que lo hace inseguro.











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Caractersticas de activacin del SCR


Entre el momento de aplicacin del pulso de disparo en la compuerta del
tiristor, hasta que la corriente de nodo llegue a su valor final, establecido
por el circuito externo, se produce un retardo, denominado tiempo de
encendido (ton). Este tiempo, est definido como el intervalo de tiempo
que transcurre entre el 10% de la corriente de compuerta en estado estable
(0,1.IG) y el 90% de la corriente de nodo, en estado de encendido
(0,9IA).





td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.IG y 0,1.IA.

tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.IA y 0,9.IA.

ton = td + tr: tiempo de encendido.


Cuando se disea el circuito de control, se deben tener en cuenta, los
siguientes puntos:

1) Se debe eliminar la seal de compuerta una vez que el tiristor se activo;
con esto se logra disminuir la prdida de potencia en la compuerta.
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2) Cuando el tiristor esta con polarizacin inversa, no debe haber seal de
compuerta, dado que puede daarlo por aumento de la corriente de fuga.

3) El ancho del pulso de compuerta tp debe ser mayor que el tiempo
requerido para que el tiristor se active o sea que la corriente de nodo
llegue por encima de la corriente de enganche o retencin, tp > ton.


Caractersticas de desactivacin del SCR:

Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de nodo por
debajo de la de mantenimiento (IH). Esto se puede lograr en forma natural,
por el cambio de polaridad de la tensin externa de alimentacin, o por
mtodos de conmutacin forzosa, por medio de circuitos auxiliares. Una
vez lograda que la corriente este por debajo de la mnima de
mantenimiento, es necesario esperar un tiempo relativamente largo, de
manera tal que todos los portadores de carga en exceso, en las cuatro
capas se eliminen; caso contrario, el tiristor volver a activarse, cuando se
le aplique una tensin directa, sin necesidad de aplicar una seal de
compuerta. De ocurrir esto ltimo, por sobrepasarse la frecuencia de
conmutacin mxima del dispositivo, se pierde el control de la potencia
convertida.





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trr : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de las junturas J1 y
J3.

trc: Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de la juntura J2.

Qrr: Es la carga de recuperacin inversa durante el proceso de
desactivacin; representa el rea encerrada por la corriente (rea rayada).
Su valor depende del tipo de tiristor, de la corriente previa a la
conmutacin y de la velocidad de reduccin de la corriente.
Los fenmenos de activacin y desactivacin, producen perdidas de
potencia.



TRIAC

Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy
baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de
flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms
positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de
MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor
cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las
terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo
aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin
importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar
en conduccin directa.



El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en
Paralelo.

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Caracterstica tensin corriente



La FIG. describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la
corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los
nodos MT2 y MT1.
El punto VBD (tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo
pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs
del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.

El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por
debajo de la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la
disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en
conduccin, la compuerta no controla ms la conduccin, por esta razn
se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide
la disipacin de energa sobrante en la compuerta.







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Caractersticas elctricas de los triacs


Cuando un triac esta polarizado con un voltaje externo ms positivo en
MT2 (llamada polarizacin del terminal principal directa o positiva), por lo
general se activa mediante un flujo de corriente de la compuerta hacia
MT1. Las polaridades de los voltajes y la direccin de las corrientes de este
caso se muestran en la figura siguiente.




Cuando un triac esta polarizado como lo muestra la figura el disparo es
idntico al disparo de un SCR. La terminal G es positiva con respecto a
MT1, lo que ocasiona que la corriente de disparo fluya hacia el interior del
dispositivo en la terminal MT1 el voltaje de compuerta necesario para
disparar un triac se simboliza como VGT, la corriente de compuerta
necesaria para el disparo se simboliza como IGT. La mayora de los triacs de
tamao medio tienen un VGT de aproximadamente 0.6 a 2.0 V y un IGT de
0.1 a 20mA. Como es habitual, estas caractersticas varan bastante segn
los cambios de temperatura. Las variaciones tpicas en las caractersticas
elctricas con la temperatura s grafican en las hojas de especificacin del
fabricante.

Cuando el triac est polarizado mas positivamente en MT1 (llamada
polarizacin inversa o negativa de terminal principal), como muestra la
figura siguiente, a menudo el disparo se logra enviando la compuerta de
corriente al interior del triac a la terminal MT1 y fuera del triac en la
terminal G. El voltaje de compuerta ser negativo con respecto a MT1 para
lograr esto. Las polaridades de voltaje y direcciones de corriente para
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invertir la polarizacin de terminal principal se ilustran en la siguiente Fig.



Mtodos de disparos para triacs

Circuitos de control de compuerta RC

El circuito de disparo del triac ms simple se muestra en la siguiente
figura. En esta podemos observar que el capacitor C se carga a travs de
R1 y R2 durante la parte del ngulo de retardo de cada medio ciclo.
Durante un medio ciclo positivo, MT2 es positivo con respecto a MT1 y C
se carga positivo en su placa superior. Cuando el voltaje en C se acumula
hasta un valor suficientemente grande para suministrar suficiente
corriente de compuerta (IGT) a travs de R3 para disparar el triac, este se
dispara.


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Durante un medio ciclo negativo, C se carga negativo en su placa superior,
nuevamente cuando el voltaje a travs del capacitor es lo bastante grande
para suministrar la corriente suficiente de compuerta en la direccin
inversa a travs de R3 para disparar el triac, este se dispara.

El ritmo de carga del capacitor C se establece por medio de la resistencia
R2. Para una R2 grande, la velocidad de carga es lenta, lo que produce un
retardo de disparo largo y una corriente de carga promedio pequea.
Para una R2 pequea la velocidad de carga es rpida el ngulo de retardo
de disparo es pequeo y la corriente de carga es alta.


DIAC

Los DIAC son dispositivos de solo dos terminales, cuyo smbolo y
caractersticas se indican en la figura



Estos dispositivos pertenecen a la familia de los tiristores, se encuentran
construidos con las cuatro capas tpicas de la familia, pero con la
particularidad que su disparo no se produce por la inyeccin de portadores
en el terminal de compuerta, sino por tensin de ruptura. Forma de
disparo que generalmente resulta destructiva para la mayora de los
miembros de la familia de tiristores, pero que es la utilizada en los
DIAC.
Puede observarse de su caracterstica, que la zona de resistencia negativa
comienza al superarse la tensin de ruptura y luego permanece
permanentemente en esta zona, por lo que no existe un punto de valle.

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GTO

El interruptor de estado slido (Gate tum-off switch) (GTO) es de
construccin similar a la de un tiristor, tiene cuatro capas y tres
terminales, nodo, ctodo y puerta. Se conecta por flujo de corriente en el
terminal de puerta, como en el tiristor convencional, pero puede
desconectarse eliminando la corriente de la puerta, es decir, con corriente
de puerta negativa.



La mayora de las especificaciones y caractersticas de un GTO son las
mismas que las de un tiristor, excepto en lo siguiente:

El GTO tiene un alto rango de tensin de bloqueo directo,
comparable al que se puede conseguir en un tiristor, pero su rango
de tensin inversa es baja, entre 10 y 20V, y en este aspecto es
similar al transistor.
El GTO tambin tiene una mayor cada de tensin y una mayor
corriente de enclavamiento que el tiristor. Este ltimo parmetro
significa que en la conexin, el ataque de puerta tiene que
mantenerse durante un perodo mayor, para asegurar que se ha
alcanzado la corriente de enclavamiento.

Curva caracterstica V I del GTO.

Las curvas estticas para el GTO, mostradas en la figura, tambin son
similares a las del tiristor, una vez que se ha conectado por suficiente
corriente de puerta. A bajos niveles de corriente de puerta, funciona en la
regin del transistor, con una familia de curvas de ataques de puerta en
aumento.

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