ELECTRNICA ANALGICA II

CAPITULO 1
INTRODUCCION
En este captulo estudiaremos los amplificadores de potencia de audio. Veremos las configuraciones ms
usadas, as como sus parmetros caractersticos y aplicaciones. Sus mtodos de anlisis apoyados por
programas de clculo y simulacin. Complementaremos los conceptos con problemas de anlisis y diseo.
El sonido:
El sonido es originado por vibraciones peridicas de un cuerpo con frecuencias comprendidas entre 16 20
Hz y 20 KHz.
Para la produccin de un sonido no es suficiente un cuerpo que vibre, sino que, adems, debe estar dentro de
un medio material adecuado para que las ondas puedan propagarse. Depende tambin del medio, la
velocidad de propagacin del sonido. Por ejemplo:
En el aire a 0C, la velocidad es 331 m/s
En el aire a 20C, la velocidad es 343 m/s
En Hidrgeno puro a 0C, la velocidad es 1290 m/s
En agua dulce, la velocidad es 1450 m/s
En agua de mar, la velocidad es 1504 m/s
Los diversos sonidos pueden distinguirse por tres caractersticas principales:
Intensidad: Est determinada por la amplitud de la vibracin. Est relacionada con la energa que transporta
la onda. Para medir la mnima potencia que puede detectar un odo normal, se usa la frecuencia de 1KHz y
se reduce la potencia hasta el mnimo capaz de provocar sensacin auditiva. Se ha determinado que este
mnimo, a 1KHz, es: Wo =10
-16
W/cm
2
y recibe el nombre de umbral auditivo. Cuando se aumenta la
potencia para duplicar la sensacin auditiva, (o sea, 2Wo) se ha medido que se requiere elevar 10 veces la
potencia; para elevarla al triple (o sea, 3Wo), se requiere elevar 100 veces la potencia; y as sucesivamente.
Esto demuestra que el odo responde en forma logartmica a las variaciones de potencia y, por ello, los
potencimetros usados para ajustar el volumen son de tipo logartmico.
Adicionalmente, si la relacin entre la potencia final y la inicial es de 10 (=10
1
), se dice que esta relacin
corresponde a 1 Bel; si la relacin entre la potencia final y la inicial es de 100 (=10
2
), se dice que esta
relacin corresponde a 2 Bel, y as sucesivamente. Debido a que el odo puede captar diferencias de
potencias inferiores a 1 Bel, se acostumbra usar una unidad diez veces menor, el decibel. Cuando tenemos
una medida en decibeles, basta dividirla por 10 para tener su expresin en Bel.
Tambin se emplean otras unidades en decibeles:
dbw: La letra W se refiere a que se usa como referencia 1 vatio. Es decir, la potencia de un vatio equivale a
0 dbw.
55
dbm: La letra m se refiere a que se usa como referencia 1 mili vatio. Es decir, la potencia de un mili vatio
equivale a 0 dbm.
dbu: La letra U se refiere a que se aplica una potencia de 1 mili vatio a una carga de 600. Para producir esa
potencia, la resistencia debe recibir 0.775 voltios eficaces.
Tono: Est determinado por la frecuencia del sonido o por la frecuencia del sonido fundamental en caso que
no sea puro. El odo no puede detectar la frecuencia absoluta con precisin, pero s puede notar diferencias
de frecuencia con bastante exactitud. Por esta razn, en la msica se habla de intervalos o relaciones de
frecuencias, como por ejemplo:
do re mi fa sol la si do
1 9/8 5/4 4/3 3/2 5/3 15/8 2
Al intervalo de valor 2 se le da el nombre de octava
Timbre: Est determinado por el nmero e intensidad de las componentes armnicas que acompaan al
sonido fundamental. Los sonidos reales siempre van acompaados de un cierto nmero de armnicos. Dos
instrumentos diferentes pueden producir la misma nota, pero las diferenciamos debido al contenido de
armnicos, que son distintivos del tipo de instrumento.
Transductores:
Debido a que los amplificadores electrnicos funcionan con electricidad, para amplificar un sonido es necesario convertirlo en
una variacin elctrica directamente proporcional. El dispositivo que realiza esta operacin es un transductor que recibe el
nombre de micrfono.
Una vez que la seal ha sido amplificada con la potencia requerida, se hace necesario convertirla
nuevamente en sonido; para ello usamos otro transductor que recibe el nombre de parlante o altavoz.
Debe notarse que estos transductores deben ser lo ms lineales posible en todo el rango de trabajo para
impedir que los sonidos sean alterados con respecto a los originales
El concepto de estereofona:
El odo humano es capaz de determinar la direccin en la que le llega el sonido. Para ello es necesario poder
escuchar con ambos odos.
Supongamos que, como se muestra en la Fig. 0.1, una persona A escucha por su odo izquierdo, B, y su odo derecho, C, el
sonido de una fuente puntual, D, que est situada al frente y ligeramente a su izquierda. En la Fig. 0.1 se puede notar que el
recorrido desde D hasta B es ms corto que el de D hasta C. Por ello, el sonido llega ms rpido y con mayor intensidad al odo
B.
Los sonidos recibidos por B y C son ligeramente diferentes aunque poseen el mismo contenido de informacin. Ellos son
conducidos por medio del tmpano, huesos del odo y nervios auditivos a la zona del cerebro que recibe las seales generadas
por estmulos sonoros. Estas seales son analizadas por el cerebro, el cual transforma la diferencia entre ellas en una indicacin
de la direccin de la fuente de sonido. Se ha comprobado que la forma del pabelln de la oreja ejerce un cierto efecto sobre la
determinacin de la procedencia del sonido y, adems que la precisin con que se hace dicha determinacin se reduce
apreciablemente cuando los sonidos son de baja frecuencia.
Fig. 0.1: Audicin de una fuente puntual de sonido
Cuando se comprendi el mecanismo fisiolgico que permita determinar la procedencia de un sonido, se
pens que este conocimiento podra aplicarse en su registro y reproduccin.
Para obtener una fiel reproduccin, la imagen del sonido debe ser determinada en el espacio. Un
procedimiento adecuado para conseguirlo consiste en reproducir dos seales transmitidas, por medio de dos
parlantes, E y F, separados una cierta distancia, como se indica en la Fig. 0.2. Las distancias a los parlantes
son iguales para cualquier observador que se encuentre en la lnea PQ. El observador oir por tanto el sonido
de ambos parlantes con intensidades y diferencias de tiempos de propagacin que estn en la misma relacin
con los sonidos que recibira si estuviera en el lugar donde se encuentra la fuente de sonido.
Sin embargo, el odo izquierdo no slo recibe el sonido del parlante izquierdo, sino tambin el del derecho.
Algo similar ocurre en el odo derecho. Adems, cuando el observador no se encuentra en la lnea PQ
aparecern diferencias de intensidad y de tiempos de propagacin que no se correspondern con los
originales. En la prctica, el efecto de estos dos factores es pequeo en una amplia zona de audicin y, en
ella, se consigue una buena estereofona. Esta zona se encuentra esquematizada en la Fig. 0.2.
Fig. 0.2: Ubicacin de los parlantes para reproduccin estereofnica
Otro mtodo de aproximacin a un efecto estereofnico se obtiene si, por ejemplo, se coloca una pantalla que tenga varios
micrfonos al frente de una orquesta. Cada micrfono se conecta a un parlante que ocupa una posicin similar en una
habitacin para audiciones existente en cualquier otro sitio. Esta disposicin se indica en la Fig. 0.3. Una persona en esta
habitacin obtendr una buena imagen espacial de la orquesta; en ella todos los instrumentos se oirn en su posicin correcta.
Las pruebas que se han efectuado han permitido demostrar que esta disposicin puede ser reducida a otra en la que slo existan
dos micrfonos separados una cierta distancia y, en la habitacin para audiciones, dos parlantes conectados a dichos
micrfonos.
Cmo se determina la zona de audicin?
Dicha zona se determina experimentalmente, de manera que en todos los puntos se tenga la misma sensacin de ubicacin de
la fuente de sonido. Dicha zona es funcin de la separacin entre los parlantes, de su distancia a las paredes laterales, de las
dimensiones de la habitacin.
De lo anterior se deduce que slo se necesitan dos elementos de registro y dos de reproduccin para obtener una buena imagen
sonora estereofnica. Esto quiere decir que la informacin adecuada para estereofona puede transmitirse usando solamente
dos seales.
Fig. 0.3: Transmisin estereofnica por medio de un cierto nmero de micrfonos y parlantes.
FORMAS DE ACOPLO DE AMPLIFICADORES DE BAJ A FRECUENCIA
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores transistorizados en montaje de
emisor comn, que es el ms utilizado, son del orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento
directo de dos etapas amplificadoras produce prdidas considerables de potencia. Para evitarlo, debemos
adaptar las impedancias.
Para adaptar las impedancias de entrada y salida de dos etapas amplificadoras se utilizan diversos tipos de
acoplamiento:
Acoplo por transformador: Se muestra en el siguiente esquema. Es el que ofrece mayor ganancia de potencia, pero no es
muy utilizado porque su respuesta en frecuencia no es muy amplia.
Fig. 0.4 Acoplo por transformador
Si la impedancia de salida de Q1 es 20 K y la de entrada de Q2 es de 1 K, la relacin de transformacin
(n) deber ser:
n =(20000/1000)
0.5
=4.47
Acoplo por autotransformador: Emplea un autotransformador en lugar de transformador. A continuacin
se muestran dos formas de uso de este mtodo:
Fig. 0.5 Acoplo por autotransformador
Acoplo por resistencia-capacidad: Este es uno de los ms usados y, aunque no permite acoplar
perfectamente las impedancias y la ganancia es menor, su precio y espacio ocupado es ms reducido.
Permite tambin una buena respuesta en frecuencia si C1 es lo suficientemente elevado.
Fig. 0.6 Acoplo por resistencia capacidad
Acoplo directo: Este es tambin muy usado, especialmente en circuitos integrados. Debe tenerse cuidado
con la estabilidad de los puntos de operacin debido a que influyen de una etapa a otra. Permite una buena
respuesta en baja frecuencia (desde DC).
Fig. 0.7 Acoplo directo
Acoplo directo complementario: Esta es otra forma de acoplo muy difundida que permite muy buena
respuesta en baja frecuencia (desde DC) y se caracteriza por emplear transistores NPN y PNP.
Cuando se emplea acoplo directo con un solo tipo de transistor, la tensin continua de salida tiende a
acercarse al valor de la fuente de alimentacin, restringiendo el nivel mximo de amplificacin. Este
problema se evita empleando los dos tipos de transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve
demasiado, como se muestra a continuacin:
Fig. 0.8 Acoplo directo complementario
CONTROLES DE VOLUMEN Y DE TONO
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro que regula el volumen sonoro proporcionado
por el amplificador desde cero hasta su mxima potencia.
Debe ser colocado en una posicin tal que no afecte las corrientes de polarizacin ni las impedancias de
carga de los transistores. Tampoco deben ser causa de ruido, lo cual puede suceder cuando se le coloca a la
entrada, porque ser amplificado y se deteriorar la relacin seal/ruido. Si se le coloca en una etapa
intermedia puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por ello, su ubicacin deber
elegirse con cuidado para evitar estos efectos desfavorables. Estos controles son hechos mediante
potencimetros logartmicos debido a las caractersticas de funcionamiento del odo humano.
1.0.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Los amplificadores de potencia, como su nombre lo indica, son los encargados de entregar potencia a la
seal de entrada Este proceso lo hacen elevando la tensin, o elevando la corriente o elevando ambas,
tensin y corriente. El mtodo que se utilice depender bsicamente de las caractersticas de la carga y de la
fuente de alimentacin que se emplee.
La potencia la sacan de la fuente de alimentacin y parte de ella, no toda, la transfieren a la seal. La otra
parte la disipan ellos mismos. Este comportamiento se especifica con el parmetro denominado eficiencia
(). Es muy importante que este parmetro sea lo mas alto posible (idealmente, igual al 100%). Los modelos
a estudiar poseen mayor o menor eficiencia pero no llegan al mximo ideal y, por ello, la eleccin del
modelo a usar deber hacerse de manera que no influya negativamente en la eficiencia total del sistema.
Actualmente existen amplificadores de potencia de alta eficiencia y muy compactos (como el amplificador
clase D) que funcionan en el modo de conmutacin. El control digital que poseen lo hacen muy susceptible a
la programacin y control por computadora. Sin embargo, no han logrado, en la actualidad, desplazar a los
amplificadores analgicos debido a que stos ofrecen una alta calidad de la seal de salida, son ms sencillos
y no generan demasiado ruido e interferencia.
Para el estudio del amplificador de potencia son muy importantes los clculos de potencia. Necesitamos
conocer las expresiones de la potencia promedio entregada a la carga, la potencia promedio que entrega la
fuente de alimentacin y la potencia promedio disipada por el mismo amplificador (transistores, resistores,
etc). Dado que queremos que el amplificador sea capaz de entregar la mayor potencia posible, necesitamos
ubicar el punto de operacin de manera de lograr este cometido. Una vez determinada la posicin del punto
de operacin, se elige la red de polarizacin para conseguirlo.
Clases de operacin:
Clase A:
Clase B:
Clase AB:
Clase C: Son amplificadores de alta eficiencia. El transistor se polariza en la zona de corte y slo conducen
corriente en un ngulo menor que 180. No se usa en audio sino en radiofrecuencia.
Clase D: Son amplificadores que trabajan en conmutacin. Tienen alta eficiencia pero problemas de ruido,
especialmente de conmutacin. Son usados para audio en baja frecuencia (sub woofers). Se estn haciendo
avances para mejorar su respuesta en toda la gama de frecuencias de audio, pero trabajando a frecuencias de
conmutacin ms elevadas.
Clase E: Se usa en amplificadores que trabajan con pulsos y presentan rendimiento alto. Su salida se
sintoniza a una determinada frecuencia. Es empleado en aplicaciones de radio cuando se trabaja a una sola
frecuencia o un margen muy estrecho de frecuencias. No se usa en audio.
Clase G: Son amplificadores de conmutacin en los que se emplean dos fuentes de alimentacin. La fuente
de menor voltaje para las seales dbiles y la de mayor voltaje para las seales fuertes. De esta manera se
eleva la eficiencia, slo conmutando las fuentes de alimentacin. Pueden producir mejor sonido que los de
clase D.
Clase H: Utilizan una fuente de alimentacin conmutada o se le construye mediante un amplificador clase
D. A su vez, con esta fuente conmutada se alimenta a un amplificador clase A o AB. Tienen muy buen
rendimiento y la calidad del sonido es similar a la de clase AB. Se emplea en equipos profesionales.
PARMETROS DE LOS AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA:
Los parmetros que debe tener un buen amplificador de audio estn regidos por normas internacionales,
como por ejemplo, la norma DIN 45 500. A continuacin detallamos los ms importantes:
Distorsin armnica (Harmonic Distortion)
Es originada por la falta de linealidad de los circuitos electrnicos. Se presenta cuando en la salida aparecen
componentes armnicas que no estaban presentes en la entrada, lo cual constituye una deformacin. La
norma mencionada exige que esta distorsin sea menor del 1% a la potencia nominal. Los fabricantes
especifican comnmente la distorsin armnica total (THD)
Distorsin por Intermodulacin (Intermodulation Distortion)
Este tipo de distorsin se presenta cuando la entrada presenta diferentes componentes de
frecuencia y el circuito introduce otras componentes con frecuencias suma y diferencia, incluyendo
mltiplos, de las de entrada. Este parmetro se mide aplicando dos frecuencias que no sean mltiplos, a la
entrada, y midiendo en qu medida la superior es afectada por la inferior. La norma exige que esta distorsin
sea inferior al 3%.
Factor de Amortiguamiento (Damping Factor)
Es la relacin entre la impedancia de carga y la de salida del amplificador. Debe expresarse para una
impedancia determinada de carga (4, 8 16 ohmios) y una frecuencia que comnmente es 1 KHz. La norma
exige un factor de amortiguamiento superior 3.
Impedancia (Impedance)
La impedancia de carga de un amplificador deber ser de igual valor que su impedancia de salida para
obtener el mximo rendimiento del conjunto. Se mide en ohmios. La norma exige 4 u 8 ohmios de
impedancia de salida para los amplificadores de baja frecuencia.
Potencia (Power)
Es la energa por unidad de tiempo que puede entregar el amplificador al parlante. Puede ser expresada en
diferentes formas, pero la manera correcta es en vatios sobre una impedancia de carga nominal, sobre un
rango de frecuencias determinado y sin sobrepasar el porcentaje de distorsin armnica prefijado. La norma
establece que la potencia mnima a suministrar por un amplificador de baja frecuencia es de 6W.
Relacin Seal/Ruido (Signal to Noise Ratio)
Es la relacin entre la amplitud de la seal de audio y la amplitud de la seal de ruido. Esta relacin es ms
reducida en la etapa pre amplificadora y, por ello, estas etapas deben estar ms protegidas y construidas con
componentes de bajo ruido. Se expresa en decibeles para una potencia de salida determinada. La norma
exige una relacin seal/ruido superior a 50db para 50 mWde salida.
Respuesta de Frecuencia (Frequency Response)
El amplificador debe reproducir fielmente todas las seales de baja frecuencia sin aumentar ni disminuir su
ganancia. Para ello se grafica la curva de respuesta con las frecuencias de audio en el eje x y la ganancia
expresada en decibeles en el eje y. La norma exige una respuesta en frecuencia de 40 16,000 Hz con
variacin de 1.5 db a la potencia nominal.
1.1.- AMPLIFICADOR CLASE A
En este tipo de amplificador el punto de operacin se ubica en la zona activa (para el BJT) o en la regin de
corriente constante (llamada tambin zona de saturacin en los FETs). Esta ubicacin debe realizarse de
manera que la seal circule durante los 360 de su perodo. Cuando esto sucede, se dice que el amplificador
trabaja en clase A.
Para el anlisis y diseo de estos amplificadores es importante conocer los conceptos de rectas de carga y las
limitaciones del transistor de potencia.
1.1.1.- RECTAS DE CARGA ESTATICA Y DINAMICA
En la malla colector emisor del circuito de la figura 1.5 podemos plantear la ley de tensiones de Kirchoff:
VCC =iC (RC +RE +RE / ) +vCE (1.1)
La corriente total de colector se puede expresar como:
iC =IC +ic (1.2)
Donde: iC =corriente total de colector
IC =corriente continua de colector
ic =corriente de seal de colector
Cuando la corriente de colector aumenta, la tensin colector-emisor disminuye y viceversa. Por ello,
podemos expresar lo siguiente:
vCE =VCE vce (1.3)
Donde: vCE =tensin total colector - emisor
VCE =tensin continua colector - emisor
vce =tensin de seal colector emisor
Reemplazando (1.2) y (1.3) en la ecuacin (1.1) obtenemos:
VCC +0 =IC (RC +RE +RE / ) +VCE +ic (RC +RE +RE / ) - vce (1.4)
Debido a que la tensin de la fuente de alimentacin es constante, los trminos con seal del lado derecho
deben eliminarse entre s y podemos desdoblar la ecuacin 1.4 en dos partes: Una, slo con los trminos de
continua y la otra slo con los trminos de seal. Es decir:
VCC =IC (RC +RE +RE / ) +VCE (1.5)
La ecuacin (1.5) recibe el nombre de recta de carga esttica.
0 =ic (RC +RE +RE / ) - vce (1.6)
La ecuacin (1.6) recibe el nombre de recta de carga dinmica.
Por lo anterior, podemos estudiar al amplificador analizndolo slo en continua y luego slo con seal.
Debemos indicar, sin embargo, que cuando las seales de entrada son grandes, el transistor, como es un
componente no lineal, producir distorsin e incluso, producir un nivel de continua, originado por el nivel
de seal de entrada, que alterar el punto de operacin. Para reducir este efecto y disminuir las no
linealidades de estos dispositivos se emplea la realimentacin negativa (feedback), la cual se estudiar en el
captulo 2
Las ecuaciones 1.5 y 1.6 son vlidas para circuitos como el de la figura 1.5. Para otras topologas, deber
obtenerse sus rectas siguiendo las recomendaciones que se dan a continuacin:
Recta DC: - Las capacidades se consideran circuito abierto.
- Las bobinas se consideran cortocircuitos (excepto cuando deba
considerarse su resistencia en DC)
- Las fuentes de tensin de seal se hacen cero (cortocircuito) o se
reemplazan por su resistencia interna para DC.
- Las fuentes de corriente de seal se hacen cero (circuito abierto) o
se reemplazan por su resistencia interna para DC.
Recta AC: - Las capacidades grandes se consideran corto circuitos.
- Las bobinas grandes se consideran circuitos abiertos.
- Las fuentes de tensin continua se hacen cero (cortocircuito) o se reemplazan por su
resistencia interna para AC.
- Las fuentes de corriente continua se hacen cero (circuito abierto) o
se reemplazan por su resistencia interna para AC.
1.1.2.- POTENCIA INSTANTNEA Y POTENCIA PROMEDIO
Si efectuamos el producto de la tensin y corriente totales en el transistor obtenemos lo siguiente:
pce =vCE iC =(VCE vce)(IC +ic) =VCE IC + VCE ic - vce IC - vce ic (1.7)
La expresin (1.7) representa la ecuacin de la potencia instantnea disipada por el transistor y las
componentes de seal hacen que vare con el tiempo. En nuestro estudio nos interesa principalmente la
potencia promedio, la cual puede obtenerse hallando el valor promedio de la potencia instantnea:
T
PC =(1/T) pce dt (1.8)
0
Trabajando con seales sinusoidales, la potencia promedio se puede expresar como:
PC =VCE IC 0.5 Vce Ic (1.9)
Donde: Vce =tensin pico de seal sinusoidal colector - emisor
Ic =corriente pico de seal sinusoidal de colector
T =perodo de la seal
La ecuacin 1.9 es vlida cuando el transistor trabaja en clase A.
El trmino VCE IC corresponde a la potencia promedio producida por los niveles de continua en el transistor
(punto de operacin)
El trmino 0.5Vce Ic corresponde a la potencia promedio producida por los niveles de seal en el transistor.
El signo negativo nos indica que cuando hay seal el transistor disipa menos potencia. Si el nivel de seal
aumenta al mximo, la potencia promedio disipada por el transistor disminuye al mnimo. Si la seal se hace
cero, la potencia promedio que disipa el transistor alcanza su valor mximo. Esto ltimo es importante
porque nos informa que el amplificador clase A disipa mxima potencia cuando no tiene seal de entrada.
Observamos tambin que el trmino 0.5Vce Ic corresponde al producto de los valores eficaces de la tensin
y corriente sinusoidales.
En los equipos comerciales se acostumbra hablar de la potencia rms y la potencia pmpo.
El trmino potencia rms es un nombre comercial de la potencia promedio. En realidad los valores eficaces
(o rms) estn definidos para la tensin y corriente no para la potencia; y, a partir de ellos, se obtiene la
potencia promedio. Cuando veamos que en un equipo comercial de audio mencionan el trmino potencia
rms, deberemos entender que se refieren a la potencia promedio.
En los equipos comerciales tambin se acostumbra hablar de la potencia pmpo. La potencia pmpo se refiere
a una potencia musical pico evaluada en un determinado lapso (en esto se relaciona ms con la potencia
instantnea) y no tiene relacin directa con la potencia promedio, que es la que s nos indica la capacidad
real del equipo. Incluso, puede variar de un fabricante a otro con equipos similares. Su valor es mucho ms
alto que el de la potencia promedio. En los equipos comerciales alcanza valores entre 8 10 veces ms altos
que la potencia promedio.
1.1.3.- LIMITES DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
La cantidad de potencia que se le podr entregar a una carga, tendr un lmite establecido por los parmetros
del transistor. De sus curvas caractersticas podremos apreciar dichas limitaciones:
1. Limitaciones de carcter trmico: La mxima potencia promedio que el transistor puede disipar est
limitada por la temperatura que la juntura base-colector puede soportar. Por ello, todos los diseos de
circuitos incluirn un clculo de las condiciones trmicas para asegurar que no se exceda la mxima
temperatura de juntura permitida.
Fig. 1.1
jc es la resistencia trmica entre juntura (j) y la cpsula
La potencia promedio (Pc) disipada en el circuito de colector es igual al promedio del producto de la
corriente del colector por el voltaje colector-base. La mxima potencia promedio de colector permitida es
especificada por los fabricantes.
En el grfico 1.1 observamos que el transistor puede disipar la potencia mxima hasta la temperatura de la
cpsula Tc0 (comnmente 25 C). Despus de ella la disipacin de potencia debe ser reducida. La magnitud
de la inversa de la pendiente recibe el nombre de Resistencia Trmica, y es un parmetro dado por los
fabricantes. Con ella podemos calcular qu potencia puede disipar un transistor cuando su temperatura
supera el valor Tc0.
Limitaciones de carcter elctrico: Relacionadas con la forma de las curvas, pues cuando queremos
amplificar una seal con la menor distorsin posible, (clase A), se debe hacer trabajar el elemento activo en
su zona lineal (donde las curvas pueden considerarse lneas rectas, equidistantes y paralelas). De las curvas
se aprecia las limitaciones de corriente y tensin en el funcionamiento del transistor.
1. BV
CEO
(Break down- tensin de colector emisor base abierta): Para grandes tensiones de
colector, las caractersticas pierden linealidad debido a la ruptura en la unin de colector (similar al
efecto Zener o avalancha). En transistores de potencia estos valores pueden estar entre 50 y 200 voltios.
2. i
c
max(mxima corriente de colector) para grandes corrientes de colector, las caractersticas quedan
muy juntas, perdiendo linealidad y adems sometiendo a las uniones a dichas corrientes, se puede daar
fsicamente al transistor.
3. P
C
max: En ocasiones no habr seal de entrada en el amplificador y luego, el punto de operacin debe
corresponder a una disipacin de colector que sea segura. En la figura 1.2, podemos observar otras dos
zonas:
Fig. 1.2
Saturacin: Para valores de V
CE
V
CE,
sat, se aprecia que Ic es muy grande con los resultados
considerados en icmax
Son valores tpicos para:
Transistores de baja potencia (Pc<1w): =>Vce,sat =0.1 0.3v
Transistores de potencia (Pc>1w): =>Vce,sat =1 2v
Corte: Es el lmite inferior de la corriente del colector, donde las curvas tambin pierden linealidad. En
nuestro estudio no se considera esta zona.
4. El conj unto de las consideraciones anteriores , va a limitar en su interior, la llamada regin o zona
activa, donde se obtendr amplificacin lineal.
Los lmites anteriores, comprenden las especificaciones del transistor, las cuales sern proporcionadas
por el fabricante en los manuales respectivos y que debern ser tomadas en cuenta en el diseo para una
operacin adecuada.
Especificaciones:
i
cmx
BV
CEO
Pcmax =V
CEQ
I
CQ
Desde luego tambin se debe especificar su , f
T
, etc.
Si se grafican las especificaciones anteriores (figura 1.3):
Fig. 1.3
donde: Pcmax adopta la forma de una hiprbola (equiltera respecto al origen de coordenadas), que
representa el lugar geomtrico de todos los puntos de operacin en los cuales la disipacin es exactamente
Pcmax.
Hasta ahora, en las relaciones del anlisis, no se han tomado en cuenta los lmites del transistor. La
consideracin de estos lmites y especificaciones permitirn la eleccin correcta del punto de operacin.
Debe tenerse en cuenta lo siguiente:
1. De los grficos anteriores, se observa que para operacin segura, el punto de operacin debe ubicarse
debajo o en la hiprbola de disipacin mxima (la ya corregida por temperatura).
2. Adems, la lnea AC con pendiente (-1/R
ac
), debe pasar a travs del punto Q e intersectar el eje V
CE
a
un voltaje menor que BV
CEO
y
3. Debe intersectar el eje i
C
a una corriente menor que i
C
max
o sea: 2V
CC
BV
CEO
(1.10)
2I
CQ
i
C
max (1.11)
Observacin Importante: se debe tener presente que lo anterior es para condiciones de mxima excursin
simtrica, pues las rectas de alterna, podran cortar los ejes, ms all de dichos lmites (desde luego en forma
indeseable para nuestro caso).
La mxima excursin simtrica se obtiene trazando la recta mediana (figura 1.4). Esta recta corta a la recta
de carga dinmica en dos partes iguales. El punto de corte define al punto de operacin necesario para
mxima excursin simtrica.
La recta mediana o de mxima excursin simtrica (M.E.S.) se obtiene mediante la recta de carga dinmica.
Es prcticamente la misma ecuacin, slo que con pendiente positiva y tambin contiene al punto de
operacin.
Luego, particularizando, para tener condiciones ptimas, si se desea mxima excursin simtrica, se tendr
que cumplir:
I
C0
=(1/R
L
)V
CEQ
y con: Pc max =V
CEQ
I
CQ
El punto Q ser:
I
CQ
=(Pc max/R
L
)
1/2
(1.12)
V
CEQ
=(Pc max * R
L
)
1/2
(1.13)
Se ve que en el punto Q. La pendiente de la hiprbola es:
i
C
/ VCE =- I
CQ
/ V
CEQ
=- 1 / R
L
O sea, la pendiente de la lnea AC es la misma que la pendiente de la hiprbola y la lnea AC es tangente a la
hiprbola en el punto Q cuando es lograda la mxima excursin simtrica (figura 1.4).
Estas consideraciones son tiles para el caso de diseo.
Finalmente, en el caso ms real y prctico, el otro lmite a considerar en los clculos, es el impuesto por la
regin de saturacin. En nuestra configuracin circuital: V
CE,sat
.
La mayora de los conceptos anteriores tambin son aplicables a los FETs.
Fig. 1.4
1.2.- ESTUDIO DE DIVERSAS CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO
FRECUENCIA EN CLASE A
Las ecuaciones que se van a deducir se aplican nicamente a las topologas mostradas. Cuando se tengan
topologas diferentes, se tendr que hacer el anlisis respectivo para la obtencin de las ecuaciones
correspondientes.
1.2.1.- AMPLIFICADOR CLASE A CON CARGA EN COLECTOR.
En la figura 1.5 se muestra un amplificador de este tipo:
Fig. 1.5
Se puede hallar el circuito thevenin equivalente en la malla base-emisor, como se muestra en la figura 1.5. Este circuito ser
til para determinar los valores de R1, R2 y RE que son los que permitirn conseguir la corriente requerida en el punto de
operacin.
Recta de carga esttica: VCC =IC (RC +RE +RE / ) +VCE (1.14)
Si: >>1, la expresin se reduce a:
VCC =IC (RC +RE) +VCE (1.15)
Recta de carga dinmica: vce =- ic (RC +RE) (1.16)
Recta de Mxima Excursin Simtrica: vCE =iC (RC +RE) (1.17)
1.2.1-1.- PUNTO DE OPERACIN PARA MXIMA EXCURSIN SIMTRICA (IDEAL):
Como en la ecuacin (1.17) se encuentra el punto de operacin, se cumplir:
VCEQ =ICQ (RC +RE) (1.18)
Reemplazando (1.18) en (1.15):
VCC =ICQ (RC +RE) +ICQ (RC +RE)
De donde: ICQ =VCC / [2(RC +RE)](1.19)
Y: VCEQ =VCC / 2 (1.20)
1.2.1-2.- MXIMA POTENCIA DISIPADA POR EL TRANSISTOR:
Cono se mencion anteriormente, cuando el transistor trabaja en clase A disipa mxima potencia cuando no
tiene seal de entrada. Entonces:
PCmx =VCEQ ICQ (1.21)
1.2.1-3.- MXIMA POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA:
Si la carga es la resistencia de colector, la mxima potencia de seal que recibe la carga es:
PLmx =0.5 (ICQ)
2
RC (1.22)
En el caso ideal la tensin colector-emisor de saturacin es cero y la mxima tensin pico de seal ser igual
a VCEQ; entonces:
PLmx =VCEQ
2
/ 2RC =VCC
2
/ 8 RC (1.23)
1.2.1-4.- MXIMA POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE:
La corriente que entrega la fuente est formada por la corriente total que va por el colector ms la corriente
que va por la red de polarizacin (por R1). Es decir:
pCC =VCC (iC +iR1)
Si trabajamos con seales sinusoidales, podemos hallar fcilmente la potencia promedio (dado que el
promedio de una sinusoide es cero):
PCC =VCC (ICQ +IR1) (1.24)
En los casos en que se cumpla: ICQ >>IR1, se puede hacer la siguiente aproximacin:
PCC =VCC ICQ (1.25)
Esto ltimo se puede lograr fcilmente en los amplificadores con FET debido a que ellos se controlan con
tensin de entrada y tanto R1 como R2 pueden tener valores elevados.
1.2.1-5.- PUNTO DE OPERACIN PARA MXIMA EXCURSIN SIMTRICA (REAL):
En el caso real, la tensin colector-emisor de saturacin no es cero y ello obliga a corregir la recta de
Mxima Excursin Simtrica para ubicar el punto de operacin y obtener la mxima tensin y corriente pico
de seal reales. Esto se consigue desplazando la recta de M.E.S. sobre el eje de tensiones una cantidad igual
a VCE,sat:
Recta corregida de Mxima Excursin Simtrica:
vCE =iC (RC +RE) +VCE,sat (1.26)
El punto de operacin real ser:
ICQ =[VCC - VCE,sat] / [2(RC +RE)](1.27)
VCEQ =[VCC - VCE,sat] / 2 (1.28)
Estos valores reales los utilizaremos para los clculos de potencia.
1.2.1-6.- EFICIENCIA:
La eficiencia se define como la relacin de la mxima potencia promedio entregada a la carga dividida por la
mxima potencia promedio entregada por la fuente:
=PLmx / PCC (1.29)
Reemplazando las expresiones de PLmx yPCC, obtenemos:
=(0.5 ICQ
2
RC) / (VCC (ICQ +IR1) (1.30)
En el caso ideal se tiene:
VCE, sat =0, VCEQ =VCC / 2, RE =0, ICQ >>IR1 e ICQ =VCC / [2(RC +RE)]
Con ello resulta: ideal =25% (1.31)
En este tipo de amplificadores la eficiencia no puede pasar del 25% y, por ello, de cada 100 vatios que
absorben de la fuente entregan menos de 25 a la carga y el resto lo disipan ellos mismos. Esta baja eficiencia
limita su uso a aplicaciones de pequea potencia o como etapa previa de amplificadores de potencia ms
eficientes. Su baja eficiencia se debe a que RC y Re disipan potencia de continua y de seal a la vez.
Una mejora se consigue evitando que la seal pase por Re y que la continua pase por RC, lo cual se logra con
las siguientes configuraciones.
1.2.1-7.- FIGURA DE MERITO:
Es la relacin entre la mxima potencia de disipacin de colector del transistor, a la mxima potencia
disipada en la carga:
F =PCmx / PLmx (1.32)
Reemplazando las expresiones de PCmx y PLmx obtenemos:
F =VCC ICQ / (0.5 ICQ
2
RC) =(4(RC +RE) / RC (1.33)
Si: RE =0, la figura de mrito llega a F =4.0 (1.34)
PROBLEMA 1.1: Para el siguiente circuito amplificador con resistencia en colector, determine:
a) El punto de operacin
b) La mxima excursin simtrica de la corriente del colector;
c) Calcule las potencias y eficiencia.
Asuma: VCE,sat =0 , silicio y =100
Fig. 1.6
SOLUCION:
a) Aplicando la 2ley de kirchhoff al circuito colector- emisor de la figura 1.6:
Circuito en DC: La ecuacin de la recta de carga DC (figura 1.7)
Fig. 1.7
Circuito en AC: La ecuacin de la recta de carga AC (figura 1.8)
Fig. 1.8
De (a) y (b) se observa que ambas rectas tienen la misma pendiente (-1/1.5kOhms) y que coinciden (estn
superpuestas).
Luego, graficando: i
c
max ocurre cuando v
CE
=0
En (a): i
c
max =15/1.5k =10mA
Fig. 1.9
v
CE
max ocurre cuando: i
C
=0
En (a): v
CE
max =15v
Para lograr mxima excursin simtrica, se escoge el punto de operacin (a partir del cual se originan las
variaciones de la seal que ocurren sobre la recta AC y que en este caso coinciden con la DC), en el centro
de la lnea de carga dinmica.
Por lo tanto I
CQ
=5mA
V
CEQ
=7.5v punto de operacin (punto Q)
b) Y la mxima excursin simtrica de la corriente de colector (pico a pico), ser de 10mA (La corriente
pico ser: Icm =5mA)
c) Clculo de las potencias y eficiencia.
Potencia proporcionada por la fuente DC (despreciando la corriente en el circuito de base):
De (1.25): P
CC
=V
CC
I
CQ
=15v(5x10
-3
A) =75mW
Potencia suministrada a la carga (R
C
) y circuito de emisor (RE):
En este caso:
T
PL +PE =(ICQ
2
)(R
C
+R
E
) +(1 / T) (ic
2
) (R
C
+R
E
) dt
0
PL +PE =((ICQ
2
) +(Icm
2
/ 2) (R
C
+R
E
)
En condiciones de mxima excursin simtrica (Icm =ICQ)
Por lo tanto max (P
L
+P
E
) =1.5k( (5x10
-3
)
2
+(5x10
-3
)
2
/2)
max (P
L
+P
E
) =56.25 mW
Potencia disipada en el transistor:
T
PC =VCEQ ICQ +(1 / T) vce ic dt
0
Como: vce =- ic (Rc +R
E
)
T
PC =VCEQ ICQ +(1 / T) - (Rc +R
E
) ic
2
dt
0
T
PC =37.5 mW - (1 / T) (1.5K) ic
2
dt
0
PC =37.5 mW 750 (Icm
2
)
Se aprecia que la mxima disipacin de colector ocurre cuando no hay seal AC en el circuito, por lo tanto
P
C
max =37.5 x 10
-3
w
La mnima disipacin ocurrir cuando Icm sea mxima, lo cual con Icm =I
CQ
=5 x 10
-3
A por lo tanto:
Pcmin=37.5 x 10
-3
w (1500/2)(5x10
-3
)
2
Pcmin =18.75 x 10
-3
w
Eficiencia: de (37) : = I
2
cm
Rc/(15v)(5x10
-3
A)
=10
6
I
2
cm
/150
La eficiencia mxima ocurrir en este circuito cuando la potencia entregada a la carga sea mxima, o sea,
cuando Icm =I
CQ
=5x10
-3
A
Por lo tanto
max
=16.7% <25%, que es la mxima obtenible en este tipo de circuito (resistencia en
colector), pero que no se obtiene en este ejemplo debido a que Re no es despreciable.
Graficando la anterior en funcin de Icm.
Fig. 1.10
PROBLEMA 1.2: Disee un amplificador clase A con carga en colector empleando un MOSFET de
acumulacin tipo IRF840. La seal de entrada es una sinusoide con frecuencia de 1 KHz. Se requiere una
potencia de seal en la carga de 200 mW. La carga es de 100 .
SOLUCION:
Podemos emplear el esquema de la figura 1.11:
Fig. 1.11
De la ecuacin 1.22: PLmx =0.5 (IDQ)
2
RL
De donde: IDQ =[2 Plmx/ RL]
1/2
=63.2 mA
De las hojas de datos tcnicos del MOSFET IRF840 obtenemos:
La tensin umbral est comprendida en el rango: 2V VT 4V
De las curvas caractersticas se observa que para VGS =4.5V, ID =1.2 A, aproximadamente, en la regin de
corriente constante. Con estos datos podemos hallar la constante K del MOSFET, la que nos servir luego
para determinar la tensin VGSQ necesaria para nuestro punto de operacin.
K =ID / (VGS VT)
2
Como el fabricante no nos da un valor exacto de VT sino un rango, trabajaremos con el valor promedio para
hacer una primera aproximacin: VT =(2 +4) / 2 =3V
Luego: K =0.53 A/V
2
Obtenemos ahora la tensin VGSQ necesaria para lograr la corriente del punto de operacin requerido: VGSQ =
(IDQ / K)
1/2
+VT =(63.2 mA/0.53 A/V
2
)
1/2
+3 =3.34 V
Rs se emplea para ayudar a estabilizar el punto de operacin. Un valor recomendado para ello es: Rs =(VGSQ
+VT) / IDQ = 100.38
Tomaremos el valor comercial ms cercano: Rs = 100
A continuacin hallamos la tensin necesaria del punto de operacin:
De la ecuacin 1.26, adaptndola para el caso del MOSFET: VDSQ =IDQ (RL) +VDSmn
No incluimos la resistencia Rs porque el condensador Cs acta como cortocircuito para la seal y la recta de
M.E.S. se obtiene a partir de la recta de carga dinmica.
Emplearemos una tensin drenadorfuente mnima de 1V
Luego: VDSQ =IDQ (RL) +1 =7.32 V
Con estos valores determinamos la tensin necesaria para la fuente de alimentacin, empleando la ecuacin
de la recta de carga esttica:
VDD =IDQ (RL +Rs) +VDSQ =20V
El siguiente paso es determinar los valores de R
1
y R
2
para lograr el punto de operacin calculado.
La tensin en el terminal de compuerta respecto a tierra es: VG =VGSQ +IDQ Rs =9.32V
Como la corriente de compuerta es prcticamente cero, R
1
y R
2
pueden tener un valor alto y bastar definir
una mnima corriente que pase por ellas. Adems, los valores obtenidos deben ser lo ms cercanos posible a
un valor comercial
Si elegimos: R
2
= 9.1K
La corriente que circule por ella ser: IR2 = 9.32V/9.1K = 1.024 mA
Entonces: R
1
=(20 9.32)V/1.024 mA = 10 K
Con estos valores procedemos ahora a simular el circuito en la computadora para ajustarlos ms.
Los resultados de la simulacin en continua nos dan los siguientes valores:
Tensin en Re (nudo B) : 6.39 V
Tensin en la compuerta respecto a tierra (nudo A): 9.53 V
Tensin en el drenador respecto a tierra (nudo C): 13.6 V
Con estos valores obtenemos: IDQ =63.9 mA, VDSQ =7.21 V
Este punto de operacin es muy prximo al de diseo, por lo que no haremos ajustes.
En condiciones dinmicas, podemos observar en las figuras 1.12 y 1.13 se observa que la mxima excursin
simtrica se logra con una tensin de entrada de 170 mVpico. La mxima tensin pico en la carga es de 6.35
V
Este valor es cercano al valor pico requerido (6.63V), por lo que el siguiente paso es construirlo en el
laboratorio para obtener los resultados reales.
Fig. 1.12
Fig. 1.13
Obtencin de Cs:
La resistencia aproximada que ve Cs es Rs. Como esta resistencia es pequea, haremos que Cs determine
el lmite regin de baja frecuencia.
Como la frecuencia de entrada es 1 KHz, haremos que Cs acte mucho ms abajo.
Si fijamos este lmite en 100 Hz, podemos igualar: Rs Cs =1 / [2 (100)] =0.0016
Luego: Cs =16 uF
Y podemos emplear el valor comercial ms cercano: Cs =22 uF / 10 V
Obtencin de Ca1:
La resistencia que ve Ca1 es mucho ms alta. Haremos que Ca1 acte a una frecuencia mucho menor que
100Hz para que no influya a la vez que Cs.
Si fijamos su operacin en 10 Hz, podemos igualar: [R
1
// R
2
] Ca1 =1 / [2 (10)] =0.016
Luego: Ca1 =0.33 uF
Y podemos emplear el valor comercial: Ca1 =0.33 uF / 16 V
PROBLEMA 1.3: En el circuito de la figura siguiente: Ig(t) =0.1 +0.09 cos(wt) amperios, hFE =20. Halle:
a) La potencia entregada por la batera
b) La potencia consumida en el resistor de 3.
c) La potencia disipada por el transistor
SOLUCION:
a) La corriente del generador es igual a la corriente total de base.
iB(t) =0.1 +0.09 cos(wt)
La corriente total de colector es: iC(t) =hFE * iB(t) =2 +1.8 cos (wt)
Potencia promedio entregada por la batera:
T
PCC =(1 / T) VCC iC(t) dt
0
T
PCC =(12 / T) [2 +1.8 cos (wt)] dt
0
PCC =12*2 =24 W
Fig. 1.14
b) La potencia consumida en el resistor de 3.
T
PRL =(1 / T) i
2
C(t) RL dt
0
T
PRL =(1 / T) [2 +1.8 cos (wt)]
2
RL dt
0
T
PRL =(3 / T) [5.62 +7.2cos (wt) +1.62cos (2wt) ] dt
0
PRL =3 * 5.62 =16.86 W
c) La potencia disipada por el transistor
T
PC =(1 / T) v
CE
iC (t) dt
0
v
CE *
iC (t)
=
VCC * iC (t) - i
2
C(t) RL
Reemplazando:
T
PC =(1 / T) [VCC * iC (t) - i
2
C(t) RL] dt =24 16.86 =7.14 W
0
1.2.2.- AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN EMISOR COMUN CLASE A CON CHOQUE EN
COLECTOR
El esquema del amplificador es el mostrado en la figura 1.15: L , rl 0, Ca2, Ce
En este caso la bobina acta como una alta reactancia para la seal y como un cortocircuito para la continua.
La carga se acopla mediante el condensador Ca2 (el cual evita que pase corriente continua por la carga) y Re
se desacopla de la seal mediante un condensador de bypass Ce (para que no pase seal por ella). Estas
mejoras permiten aumentar la eficiencia y la ganancia de potencia.
La resistencia r
L
es la que presenta el alambre de la bobina en continua y la cual debe ser pequea.
Fig. 1.15
1.2.2-1.- Principio de funcionamiento: En el esquema, los resistores R1, R2 y Re contribuyen a la
polarizacin del circuito estableciendo el punto de operacin adecuado (clase A, zona lineal) y manteniendo
la estabilidad del mismo. As, R1 y R2 forman un divisor de tensin a travs de la fuente V
CC
; este divisor
proporciona condiciones de polarizacin a la unin de entrada (baseemisor), tales que la hacen trabajar en
forma directa y estando la unin de salida (basecolector) polarizada en forma inversa; el transistor podr
trabajar en la zona activa y apto para operacin en clase A.
La configuracin equivalente de Thevenin del circuito es:
Fig. 1.16
Donde las relaciones correspondientes son:
V
BB
=V
CC
R
1
/(R
1
+R
2
) =V
CC
Rb/ R
2
; Rb=R
1
R
2
/(R
1
+R
2
) (1.35)
R
2
=Rb (V
CC
/V
BB
) (1.36)
R
1
=Rb/(1-(V
BB
/V
CC
)) (1.37)
Los transistores de potencia elevan su temperatura cuando estn en funcionamiento y, debido a que los
semiconductores son muy sensibles a la temperatura, se alterar el punto de operacin. Por ello es necesario
establecer tcnicas de estabilizacin y compensacin del punto de operacin.
Una relacin importante a tener en consideracin en la estabilidad del punto de operacin es la que hay entre
Rb y Re. As, para eliminar variaciones de la corriente de emisor debido a las variaciones en el (o ) de los
transistores del mismo tipo y que podran sacar al transistor del punto de trabajo inicial, llevndolo a zonas
no deseables (no lineales), se tiene:
Re >>(1- )Rb Rb <<Re (1.38)
Se puede emplear el siguiente valor para Rb:
Rb = min Re/ 10 (1.39)
Adems, hay otros factores que intervienen en la variacin del punto de operacin y que se deben considerar
en la estabilizacin, como se explica en seguida.
1.2.2-2.- ESTABILIDAD DEL PUNTO DE OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Las tcnicas que permiten estabilizar el punto de operacin pueden clasificarseen dos categoras:
1) Tcnicas de estabilizacin: Utilizan circuitos de polarizacin resistivos que permiten que vare IB
manteniendo IC relativamente constante ante variaciones de ICBO, VBE y .
2) Tcnicas de compensacin: Utilizan dispositivos sensibles a la temperatura como termistores, transistores, diodos, etc. que
entregan corrientes y tensiones de compensacin que mantienen al punto de operacin prcticamente constante.
Tcnicas de estabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la corriente inversa de la juntura
ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la tensin Base-Emisor (VBE) y de la ganancia ().
La variacin de la corriente de colector debido a estos parmetros podemos expresarla aproximadamente
por:
IC =SI ICBO +_SV VBE +S (1.40)
SI =Factor de estabilidad de corriente.
SV =Factor de estabilidad de tensin.
S =Factor de estabilidad de ganancia.
IC =Variacin total de la corriente de colector.
ICBO =Variacin total de la corriente ICBO
VBE =Variacin total de la tensin Base-Emisor
=Variacin total de ganancia de corriente
Cada factor de estabilidad puede determinarse asumiendo que las dems variables Se mantienen constantes.
El factor de estabilidad SI se obtiene con la siguiente ecuacin:
SI =IC / ICBO , cuando: VBE =0 y =0
Mientras ms grande es SI, el punto de operacin es ms inestable. El mnimo valor posible de SI es 1.
Los circuitos que estabilizan el punto de operacin respecto a variaciones de ICBO, tambin se comportan
satisfactoriamente ante variaciones de VBE y . Por ello, basta obtener un buen factor de estabilidad SI.
La ecuacin general que gobierna la corriente de colector del transistor es:
IC = IB +(1 +) ICBO (1.41)
Derivando respecto a IC obtenemos:
SI =(1 +) / (1 dIB / dIC) (1.42)
De esta ecuacin concluimos que para valores grandes de , SI se aproxima a la unidad.
El trmino dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el clculo de SI se considera que VBE
y no varan.
Tomemos como ejemplo el circuito de la figura 1.7, cuyo equivalente de thevenin se encuentra a la derecha:
En la malla Base-Emisor podemos plantear la siguiente ecuacin:
VBB =IB Rb +VBE +(IC +IB) Re
Derivando esta ecuacin respecto a IC:
dIB / dIC =- (Re / (Re +Rb))
Reemplazando en la ecuacin de SI obtenemos:
SI =(1 +Rb / Re) / (1 +(Rb / (1 +)Re)) (1.43)
Si hacemos: Rb =(1 +) Re / 10, tendremos: SI =(11 +) / 11
Para un valor de =50 , se tiene: SI =5.55; el cual es un buen factor, siendo 3 el valor ptimo. Tambin
observamos que si es ms grande, el factor de estabilidad empeora. Por ejemplo, si: =100, SI =10.1. En
este caso el factor de estabilidad ha aumentado y tendremos que elegir otra relacin de Rb con Re para
mantener SI pequeo.
Ms adelante veremos las tcnicas de compensacin.
Fig. 1.17
El condensador C
a1
sirve como acoplamiento de la seal de la fuente i
i
, con el dispositivo amplificador.
Para consideraciones del anlisis matemtico se asume que las capacidades son muy grandes (C ), de
modo que las frecuencias de trabajo presentan una reactancia muy pequea pudiendo considerrseles como
cortocircuitos. En consideraciones prcticas o reales, los valores a escoger deben cumplir con el criterio
anterior. As, por ejemplo, el condensador Ce debe ser tal que presente una reactancia Xce mucho menor que
la impedancia que ve, la cual es Re en paralelo con la impedancia de entrada del transistor reflejada al
emisor (se ver en parmetros hbridos). Xce puede considerarse unas 10 a 100 veces menor, no debiendo
elegirse una capacidad excesivamente grande, pues pueden haber problemas de tamao, transitorios,
respuesta de frecuencia, corrientes de perdida, etc.
Si se trabaja no en una frecuencia, sino en un rango (caso de AF de 20 Hz a 20 KHz), la reactancia se calcula
con la frecuencia ms baja.
El inductor mostrado en el colector tiene por objeto aumentar la eficiencia del circuito respecto al que
emplea resistencia en colector. Adems, permite que la tensin colector-emisor alcance dos veces el valor de
la fuente de alimentacin V
CC
. Es importante recalcar que esto es para mxima excursin simtrica, sin
distorsin, pues la inductancia puede hacer que V
CE
sea mayor que 2V
CC
.
El valor de la inductancia es muy grande (L infinito) y se considera que su resistencia es muy pequea (r
L
0). En la prctica se hacen consideraciones anlogas a las de los condensadores. Los choques empleados
en AF tienen ncleo de hierro.
En resumen:
Los condensadores se comportan como cortocircuitos a las frecuencias de trabajo de seal y como
circuitos abiertos para la continua.
El inductor o choque se comporta como circuito abierto para la seal y como cortocircuito para la
continua.
Por otro lado, la configuracin de emisor comn proporciona adecuada ganancia de potencia. Posteriormente
se vern el empleo de las configuraciones en base comn y colector comn.
1.2.2-3.- Ubicacin del punto de operacin:
Como se ver, el punto de operacin para este tipo de circuitos (gran seal), se puede determinar en forma
analtica o grfica a partir de las ecuaciones descriptivas del comportamiento circuital. Las consideraciones a
tener en cuenta para la ubicacin del punto de operacin son las clases de operacin, lmites del dispositivo y
linealidad de la zona de trabajo, tratando de obtener la mxima potencia de seal.
Luego, para el circuito de la figura 1.8, aplicando la segunda ley de Kirchhoff alrededor del circuito colector-
emisor:
En condiciones estticas (figura 1.8), la resistencia de carga DC es Re.
Y la recta de carga esttica es:
VCC =VCE +IC Re (1.44)
En condiciones dinmicas (figura 1.9), la resistencia de carga AC es R
L
.
Y la recta de carga dinmica es:
vce +ic RL =0 (1.45)
A partir de las expresiones anteriores, se podr determinar el punto de operacin.
Se sabe que: v
CE
=V
CEQ
+v
ce
e i
C
=I
CQ
+i
c
De donde : (v
CE
- V
CEQ
) =-( i
C
- I
CQ
)R
L
(1.46)
Esta expresin de la lnea AC se puede escribir como:
(i
C
- I
CQ
) =-(v
CE
V
CEQ
)/R
L
(1.47)
La cual es asimilable a la expresin de una lnea recta y luego graficarlo en las curvas
caractersticas de salida del transistor en emisor-comn (i
C
v
s
v
CE
) de (1.3) el mximo valor de i
c
ocurre
cuando v
CE
=0 por lo tanto:
i
C
max =I
CQ
+V
CEQ
/R
L
(1.48)
Circuito en DC: ecuacin de la lnea de carga DC
Fig. 1.18
Circuito en AC: ecuacin de la lnea de carga AC
Fig. 1.19
Para obtener mxima excursin simtrica, el punto de operacin debe bisectar la lnea de carga AC, de tal
modo que:
i
C
max =2 I
CQ
(1.49)
Sustituyendo en (1.48):
2ICQ =ICQ +VCEQ / RL
Por tanto: I
CQ
=V
CEQ
/R
L
(1.50)
En consecuencia el punto de operacin (punto Q) se encontrar en la recta:
i
c
R
L
=v
ce
(1.51)
Esta recta pasa a travs del origen (pendiente positiva) y su interseccin con la lnea DC determina el punto
Q para mxima excursin simtrica (en el caso real esta recta no debe iniciarse en el origen, sino en el punto:
Ic =0, Vce =Vce,sat). En el caso de los FETs deber considerarse un voltaje mnimo drenador-fuente
(VDSmn) para evitar ingresar a la regin triodo (que es equivalente a la zona de saturacin del BJ T).
Se puede demostrar que la lnea i
c
R
L
=v
ce
bisecta la lnea AC; en otras palabras, que representa el lugar
geomtrico de los puntos medios a las rectas AC (recta mediana).
En la expresin de la lnea DC (1.44) y con:
I
C
=I
CQ
y V
CE
=V
CEQ
(pues no hay seal)
Queda: V
CC
=V
CEQ
+I
CQ
R
e
(1.52)
y de (1.50): V
CC
=V
CEQ
+V
CEQ
R
e
/R
L
V
CC
=V
CEQ
(1+R
e
/R
L
)
Por tanto V
CEQ
=V
CC
/ (1 +R
e
/R
L
) (1.53) Por lo general, R
e
se elige pequea para minimizar las
prdidas de potencia. Luego, si: R
L
>>R
e
V
CEQ
=V
CC
(1.54)
Y si se cumple lo anterior, la expresin (1.50) seria
I
CQ
=V
CC
/ R
L
(1.55)
El procedimiento a seguir para la construccin grfica es:
1. Graficar la lnea DC (de 1.44)
2. Graficar la lnea i
c
R
L
=v
ce
(recta mediana) a travs del origen
3. La interseccin indica el punto Q
4. La lnea AC se dibuja a travs del punto Q y con pendientes 1/R
L
Observaciones Importantes: Es de gran importancia tener en cuenta que hay, en las expresiones anteriores,
frmulas generales y otras obtenidas para casos particulares, siguiendo ciertas condiciones previas. Esto es
de considerar en los dos tipos de problemas, anlisis y diseo, en los que se calcular generalmente las
potencias, puntos de operacin, etc, que se entregar o en que esta funcionando el circuito, limitado por los
valores de los componentes ya fijados (anlisis), o en el caso del diseo en que si habr mayor libertad y
puesto que no hay mayores limitaciones (si no las hubiera), nos permitir asumir las condiciones previas
para llegar a las frmulas particulares y ptimas. Esto se comprender mejor con ejemplos ilustrativos y con
la resolucin de los problemas propuestos en la seccin respectiva.
Por otro lado, an no se consideran los lmites del transistor y de la regin de caracterstica lineal, esto con
objeto de facilitar la comprensin del mtodo de anlisis empleado y cuyas pautas nos servirn
posteriormente.
1.2.2-4.- CALCULO DE POTENCIAS: El clculo de potencias es muy importante pues adems de
proporcionarnos informacin sobre la potencia que se puede entregar a la carga, nos permite apreciar si
cumplimos con la capacidad de potencia que puede disipar el transistor, si la fuente de alimentacin puede
proporcionar la potencia requerida, si los resistores empleados pueden soportar las potencias a que sern
sometidos, asimismo, para poder disear o elegir los disipadores adecuados, etc.
En general, la potencia instantnea entregada o disipada por cualquier dispositivo lineal o no lineal est dad
por:
p =V(t)I(t) (1.56)
donde:
V(t) es el voltaje total a travs del dispositivo
V(t)=V
promedio
+v(t)
I(t) es la corriente total que fluye por el dispositivo
I(t) =I
promedio
+i(t)
i(t) y v(t) son componentes variables con el tiempo
En la prctica, lo que tiene mayor importancia es el valor promedio de la potencia instantnea ya que este
valor nos indicar, por ejemplo, la cantidad de calor por segundo que se disipar en una resistencia o la
potencia mecnica que hay que suministrar a un generador que alimente a una determinada carga.
Esta potencia promedio se denomina por estas razones, la potencia real o activa y su expresin es:
T
p =(1 / T) V(t) I(t) dt (1.57)
0
T es el periodo de cualquier parte peridica variable con el tiempo, de V(t) o I(t)
Luego:
T
p =(1 / T) (Vpr +v(t)) (Ipr +i (t)) dt (1.58)
0
T T T T
p =(1 / T) Vpr Ipr dt +(1 / T) Vpr i (t) dt +(1 / T) v(t) Ipr dt +(1 / T) v(t) i (t) dt
0 0 0 0
Si i(t) y v(t) tiene valor promedio igual a cero (caso de las ondas sinusoidales):
T T
(1 / T) v(t) dt =(1 / T) i (t) dt =0
0 0
T T
Entonces: p =(1 / T) Vpr Ipr dt +(1 / T) v(t) i (t) dt (1.59)
0 0
Esta ecuacin expresa que la potencia media (o promedio) suministrada o disipada por un dispositivo,
consiste de la suma de la potencia en trminos DC y la potencia en trminos AC. Luego, a partir de lo
anterior:
1.2.2-5.- POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: En los clculos posteriores se asume que las
impedancias de carga son puramente resistivos y por tanto el factor de potencia es la unidad. Para el circuito
en estudio (figura 1) despreciando la potencia disipada en la resistencia de emisor, las corrientes y voltajes
de inters son:
i
C
=I
CQ
+i
c
i
L
=- i
c
i
fuente
=i
R2
+i
CHOKE
(1.60)
i
fuente
=i
R2
+(i
c
+i
L
)
considerando despreciable i
R2
y como el choke tiene una inductancia muy grande, no fluye corriente AC a
travs de l y como la corriente i
L
es slo AC (debido a C
a2
), luego se puede representar dicho choke por
una fuente de corriente constante y de valor I
CQ
i
fuente
=I
CQ
(1.61)
adems: v
L
=i
L
R
L
=-icR
L
Si consideramos que la corriente de seal es sinusoidal:
i
L
=I
im
sen wt i
c
=I
cm
sen wt
De (1.60) y (1.61) se deduce que el mayor valor pico que puede tener la corriente AC de colector, es I
CQ
Por lo tanto i
c
max=I
CQ
sen wt
Lo cual implica que
I
cm
max<=I
CQ
(1.62)
Esto es para operacin en clase A, sin distorsin (en cuanto a mxima excursin simtrica).
Ahora se obtendr la expresin de la potencia media disipada en la carga (en este caso slo hay contribucin
de trminos AC)
T T
PL =(1 / T) (iL(t))
2
RL dt +(1 / T) (i(t))
2
RL dt
0 0
Si iL es sinusoidal: i
L
=I
LM
cos wt
T T
PL =(1 / T) R
L
(Icm cos wt)
2
dt +((RL(Icm
2
) / 2T) (1 +cos 2wt) dt 0 0
PL =(ILm
2
R
L
) / 2 =(ICm
2
R
L
) / 2 (1.63)
Se deduce que la potencia aumenta parablicamente con I
Lm
o I
Cm
. Luego, la mxima potencia ser disipada
en la carga cuando se logre el mayor I
CM
. Si la corriente del colector de operacin se ha elegido para
mxima excursin:
I
cm
max =I
CQ
por lo tanto P
L
max =I
2
CQ
R
L
/ 2 (1.64)
combinando con (12):
P
L
max =V
2
CC
/ 2R
L
(1.65)
Observacin: Tener presente las consideraciones seguidas para obtener (1.65), una de las cuales era tener
Re pequea. Respecto a cun pequea debe ser Re, de las expresiones iniciales del thevenin equivalente se
observa que al disminuir Re, debemos disminuir Rb la cual resultara en un decremento de la ganancia de
corriente (como se demuestra con el estudio de los parmetros hbridos). Esto sera un lmite prctico en la
eleccin del valor de Re para un valor dado de estabilidad frente a variaciones de y temperatura.
1.2.2-6.- POTENCIA PROMEDIO ENTREGADA POR LA FUENTE DC
T
Pfuente =PCC =(1 / T) VCC i fuente dt
0
T
PCC =(1 / T) VCC ICQ dt
0
P
CC
=V
CC
I
CQ
(1.66)
o sin considerar (1.61)
T
PCC =(1 / T) V
CC
iC (t) dt
0
y despreciando i R2: T
PCC =(1 / T) V
CC
(ICQ +iC (t)) dt
0
Con i
c
sinusoidal:
P
CC
=V
CC
I
CQ
La cual es constante e independiente de la potencia de seal para las condiciones sin distorsin asumidas
bajo estas condiciones y si I
CQ
se ha elegido para lograr la mxima excursin:
P
CC
=V
2
CC
/R
L
(1.67)
R
L
>>Re
I
CQ
=V
CC
/R
L
1.2.2-7.- POTENCIA PROMEDIO DISIPADA EN COLECTOR: La potencia instantnea disipada en un
transistor bajo cualquier circunstancia est dada por:
p
T
=v
CB
i
C
+v
BE
i
E
donde: v
CB
i
C
=p
C
, es la potencia disipada en la unidad del colector
v
BE
i
E
, es la potencia disipada en la unin de emisor
como: i
E
=i
C
+i
B
, entonces
p
T
=v
CE
i
C
+v
BE
i
B
Si el transistor no es excitado hasta la saturacin, la contribucin del segundo trmino, v
BE
i
B
, es
despreciable y se tendr:
p
T
=v
CE
i
C
Esta ecuacin nos indica que la potencia disipada en el transistor es prcticamente la potencia disipada en la
unin de colector: p
C
=v
CE
i
C
La potencia promedio disipada en el colector es:
T
PC =(1 / T) V
CE
iC (t) dt
0
Donde: v
CE
=V
CEQ
+v
ce
; i
C
=I
CQ
+i
c
Si v
ce
o i
c
son sinusoidales:
T
P
C
=VCEQ ICQ +(1 / T) vce ic dt
0
Para mxima excursin simtrica:
Pc =V
CEQ
I
CQ
I
2
CQ
(R
L
+Re)/2
Si R
L
>>Re:
Pc =V
CEQ
I
CQ
I
2
CQ
R
L
/2 =P
CC
P
L
Luego:
Pc
min
=V
2
CC
/2R
L
Sin seal:
Pc
max
=V
CC
I
CQ
=V
2
CC
/R
L
1.2.2-8.- EFICIENCIA: Es un factor que indica la relacin de potencia de seal entregada a la carga a la
potencia entregada por la fuente
De (1.65) y (1.66):
=P
L
ac/P
CC
=I
2
cm (R
L
/ 2) / V
CC
I
CQ
(1.68)
en condiciones mximas [ Icm =I
CQ
y de 1.67 ]
mx = =50% (1.69)
La cual es la mxima eficiencia que se podra obtener de este tipo de amplificador y que es el doble del que
se obtiene si se usa resistencia en colector. Se recuerda que estos clculos se hacen con seal sinusoidal, pues
en el caso de onda cuadrada la eficiencia mxima que se puede alcanzar es el 100%.
1.2.2-9.- Figura de mrito: Es la relacin entre la mxima potencia de disipacin de colector del transistor,
a la mxima potencia disipada en la carga.
F =P
C
max/ P
L
max (1.70)
En las condiciones mximas F =2 (1.71)
Esta figura de mrito es la mxima que posee el amplificador con choke en colector.
PROBLEMA 1.4: En el circuito de la figura siguiente, calcule:
a) El punto Q para mxima excursin simtrica.
b) R1 y R2
c) PLmx El transistor es de silicio, con: =50
d) PCC Ce y Ca2 tienen reactancia despreciable
e) PCmx L tiene reactancia muy alta.
f) La eficiencia
g) Especifique el transistor.
Fig. 1.20
SOLUCION:
a) Punto de operacin para mxima excursin simtrica:
Recta DC: VCC =IC (rL +Re) +VCE =25 IC +VCE
La resistencia de la bobina acta en continua y debe ser tomada en cuenta
Recta AC: vce =- ic RL =-100 ic
Recta de mxima excursin simtrica: vCE =+iC RL
Debido a que no nos especifican el valor de VCE,sat asumimos que es cero
Como esta recta contiene al punto de operacin, debe cumplirse: VCEQ =+ICQ RL
Reemplazando en la recta DC: VCC =25 ICQ +ICQ RL =125 ICQ
De donde: ICQ =12 / 125 =96 mA
Luego: VCEQ =+ICQ RL =9.6V
b) R1 y R2:
Para buena estabilidad del punto de operacin obtenemos:
Empleamos: Rb =(1 +) Re / 10 =56.1
Luego: V
BB
=IB Rb +VBE +IEQ Re =96mA(56.1/50) +0.7 +96mA(11) =1.86V
De 1.36: R
1
=Rb(V
CC
/V
BB
)) =360
De 1.37: R
2
=Rb /[1 (V
CC
/V
BB
)] =66
c) Clculo de P
L
mx:
De 1.64: P
L
max =I
2
CQ
R
L
/ 2 =460.8mW
d) Clculo de PCC:
De 1.66: P
CC
=V
CC
I
CQ
=12 * 0.096 =1.152 W
e) Clculo de PCmx:
En clase A se tiene: PCmx =VCEQ ICQ =9.6*0.096 =921.6 mW
f) Clculo de la eficiencia:
De 1.68 =I
2
CQ(R
L
/ 2) / V
CC
I
CQ
=460/1152 =39.9%
g) Especificacin del transistor:
La mxima tensin colector emisor que soportar es: 2 VCEQ
Entonces debe cumplirse: BVCEO >19.2V
La mxima corriente de colector que conducir es: 2 I
CQ
Entonces debe cumplirse: iCmx >192 mA
La mxima potencia que va a disipar es: 921.6 mW
Entonces debe elegirse un transistor que disipe ms de 921.6 mW a la temperatura de trabajo.
PROBLEMA 1.5: En el siguiente circuito, el transistor tiene las siguientes especificaciones: iCmx =
300mA, BVCEO =40V, PCmx =1W, VCE,sat =0.5V, =50, silicio. Calcule:
a) El punto Q para mxima excursin simtrica.
b) Re, VCC, R1 y R2
c) PLmx
d)PCC Ce y Ca2 tienen reactancia despreciable
e) PCmx y PCmn L tiene reactancia muy alta.
f) La eficiencia
SOLUCION:
a) Punto de operacin para mxima excursin simtrica:
Recta DC: VCC =IC (Re) +VCE
Recta AC: vce =- ic RL =- 100 ic
Recta de mxima excursin simtrica: vCE =+iC RL +VCE,sat =100 ic +0.5
Como esta recta contiene al punto de operacin, debe cumplirse: VCEQ =100 ICQ +0.5
Reemplazando en la recta DC: VCC =Re ICQ +100 ICQ +0.5
Para el mximo aprovechamiento del transistor debe cumplirse:
PCmx =VCEQ ICQ
Con las dos ecuaciones anteriores podemos obtener una ecuacin de segundo grado para hallar ICQ:
ICQ =-(VCE,sat / 2RL) +[(PCmx/RL) +(VCE,sat / 2RL)
2
]
(0.5)
Reemplazando valores y efectuando: ICQ =97.5 mA
Reemplazando en la recta de M.E.S. obtenemos: VCEQ =10.25V
Fig. 1.21
b) Obtencin de Re, VCC, R1 y R2
Para que las prdidas en Re no sean muy altas, elegimos: Re <<RL
Entonces: Re =RL / 20 =5
De la recta de carga esttica: VCC =VCEQ +ICQ Re =11 V
Obtencin de R1 y R2:
Para buena estabilidad del punto de operacin empleamos:
Rb =(1 +) Re / 10 =25.5
Luego: V
BB
=IB Rb +VBE +IEQ Re =1.24V
De 1.36: R
1
=Rb(V
CC
/V
BB
)) =226
De 1.37: R
2
=Rb /[1 (V
BB
/VCC)] =28.7
c) Clculo de P
L
mx:
De 1.64: P
L
max =I
2
CQ
R
L
/ 2 =(VCEQ VCE,sat)
2
/2RL =475 mW
d) Clculo de PCC:
De 1.66: P
CC
=V
CC
I
CQ
=11 * 0.0975 =1.0725 W
e) Clculo de PCmx y PCmn:
En clase A se tiene: PCmx =VCEQ ICQ =10.25*0.0975 =1 W
PCmn =VCEQ ICQ PLmx =1 W 0.475 W =525 mW
f) Clculo de la eficiencia:
De 1.68 =P
L
max / P
CC
=525/1072.5 =48.95%
PROBLEMA 1.6: En el siguiente circuito, se desea obtener 4 W en la carga. VCE,sat =1V, =50, silicio,
VCC =12V.
a) Determine el punto Q para mxima excursin simtrica.
b) PCC Ce y Ca2 tienen reactancia despreciable
c) La eficiencia L tiene reactancia muy alta.
d) Indique las especificaciones del transistor
SOLUCION:
a) Determinacin del punto Q para mxima excursin simtrica:
P
L
max =(VCEQ VCE,sat)
2
/2RL =I
2
CQ
R
L
/ 2
Despejando: VCEQ =[2RL P
L
max]
1/2
+VCE,sat =8.94 +1 =10V
ICQ =[2 P
L
max / RL]
1/2
=1 A
b) Clculo de PCC:
PCC =VCC*ICQ =12*1 =12 W
Fig. 1.22
c) Clculo de la eficiencia: .
De 1.68 =P
L
max / P
CC
=4W/12W =33.3%
d) Especificacin del transistor:
La mxima tensin colector emisor que soportar es: 2 VCEQ
Entonces debe cumplirse: BVCEO >20V
b) Clculo de PCC:
PCC =VCC*ICQ =12*1 =12 W
La mxima corriente de colector que conducir es: 2 ICQ
Entonces debe cumplirse: iCmx >2 A
La mxima potencia que va a disipar es: 4 W
1.2.3.- AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN EMISOR COMUN CLASE A CON ACOPLO POR
TRANSFORMADOR
El funcionamiento de estos circuitos es similar al de choke en colector. En este caso el primario del
transformador hace el papel de la bobina de choke, pero se aprovecha la propiedad de transformacin de
impedancias de estos dispositivos. Sin embargo, tambin tienen sus limitaciones y, por ello, haremos un
breve repaso de los principios fsicos involucrados en su funcionamiento.
1.2.3-1.- TRANSFORMADORES: Se denomina as a un conjunto de bobinas enrolladas en un mismo
ncleo y que tienen acoplo magntico.
1.2.3-1-1.-CAMPO MAGNTICO
La creacin de las ondas electromagnticas por la corriente elctrica es una de las mltiples manifestaciones
de la estrecha relacin que hay entre los fenmenoselctricos y magnticos. Todo desplazamiento de
electrones engendra en la proximidad un estado particular del espacio que se denomina CAMPO
MAGNTICO. La aguja imantada de una brjula, orientndose perpendicularmente al conductor, denota la
presencia de un campo magntico creado alrededor de un conductor recorrido por una corriente. Si se
invierte el sentido de la corriente, la aguja gira media vuelta, lo que demuestra que el campo magntico tiene
una polaridad que est determinada por el sentido de la corriente. El campo magntico de un conductor se
puede hacer ms intensoarrollando este conductor ( hilo metlico) en forma de bobina. Los campos
magnticos de las espiras se suman y la bobina recorrida por la corriente acta a modo de un verdadero imn
recto. La accin de este imn se refuerza introduciendo una barra de hierro en el interior de la bobina. El
hierro presenta a las fuerzas magnticas mayor PERMEABILIDAD que el aire. Entonces el campo magntico
se concentra en el NCLEO MAGNTICO as constituido, y obtenemos un ELECTROIMN. Si el ncleo es de
hierro dulce, pierde su imantacin cuando se interrumpe la corriente(no conserva ms que una pequea
parte de dicha imantacin). Si es de acero, permanece imantado. Por este procedimiento se fabrican
actualmente los imanes artificiales.
1.2.3-1-2: INDUCCION
As como las variaciones de la corriente elctrica producen variaciones del campo magntico que ha creado,
inversamente, las variaciones del campo magntico engendran corrientes variables en los conductores. As es
como aproximando o alejando entre s un imn y una bobina hacemos aparecer en sta una corriente pero
slo mientras se mueva el imn, es decir durante la variacin del campo. Hay que sealar que es la variacin
y no la simple presencia de un campo lo que engendra las corrientes en el conductor. En lugar de un imn, se
puede aproximar un electroimn formado por una bobina recorrida por una corriente continua; el resultado
ser el mismo. Tambin se puede fijar esta bobina en la vecindad o proximidad de la otra y hacer que sea
recorrida por una corriente variable; as, una corriente alterna que recorra la primera bobina originar una
corriente alterna en la segunda. Estamos en presencia de los fenmenos de INDUCCIN. Sin que sea
necesario establecer un contacto material, hay un ACOPLAMIENTO MAGNTICO entre las dos bobinas en el
conjunto, constituyendo as un transformador elctrico.
1.2.3-1-3: LEY DE LENZ
Se observa que la corriente inducida se opone en cada instante a las variaciones de la corriente inductora.
Cuando esta aumenta, la corriente inducida circula en el sentido opuesto. Y cuando la corriente inductora
disminuye, la corriente inducida circula en el mismo sentido. Los fenmenos de induccin obedecen segn
esto a una ley muy general de la naturaleza: la de la accin y de la reaccin. La corriente inducida depende
de la velocidad de variacin de la corriente inductora as como de su intensidad.
Fig. 1.23
1.2.3-1-4: AUTOINDUCCION
Si la corriente que circula por una bobina, induce corrientes en otras bobinas colocadas en su proximidad,
con ms razn las induce en las propias espiras de la bobina por la que circula. Este fenmeno de
Autoinduccin est sometido a las mismas leyes que las que rigen la induccin. Por consiguiente, cuando la
intensidad de la corriente que circula por la bobina tiende a aumentar, se origina una corriente de
autoinduccin en sentido opuesto, que retarda el aumento de la corriente inductora. Por esta razn, si se
aplica una tensin continua a una bobina, la corriente que en ella se establece no puede alcanzar
instantneamente su intensidad normal; para esto necesita un cierto tiempo, tanto ms largo cuanto ms
elevada es la autoinduccin de la bobina. Del mismo modo, cuando aumentamos progresivamente la tensin
en los extremos de la bobina, la intensidad de la corriente seguir este aumento con un cierto retardo,
actuando la corriente de autoinduccin en sentido opuesto. Por el contrario, si disminuimos la tensin
aplicada a la bobina, tambin se producir la disminucin de intensidad con un cierto retardo, circulando
entonces la corriente de autoinduccin en el mismo sentido que la corriente inductora y prolongndola en
cierto modo. En el caso extremo, cuando se suprime bruscamente la tensin aplicada a una bobina
( abriendo, por ejemplo, un interruptor), la variacin muy rpida de la corriente inductora provoca una
tensin inducida que puede ser de valor elevado y originar una chispa que salte entre los contactos del
interruptor
1.2.3-1-5: INDUCTANCIA
Cuando se aplica una tensin alterna a una bobina de autoinduccin, la corriente alterna que crea produce un
campo magntico alterno que, a su vez, mantiene una corriente de autoinduccin que se opone
constantemente a las variaciones de la corriente inductora y, en consecuencia, impide que sta alcance la
intensidad mxima que hubiera podido tener en ausencia de autoinduccin. No olvidemos que, cuando la
corriente inductora aumenta, la corriente inducida va en sentido inverso y, por consiguiente, deber ser
restada. Este efecto se entiende como si la resistencia normal (se dice hmica) del conductor se sumase a
otra resistencia debida a la autoinduccin. Esta resistencia de autoinduccin o INDUCTANCIA es tanto ms
elevada cuanto mayor es la frecuencia de la corriente (puesto que las variaciones ms rpidas de la corriente
inductora suscitan corrientes de autoinduccin ms intensas y puesto que la propia autoinduccin es ms
elevada). La autoinduccin de una bobina depende nicamente de sus propiedades geomtricas, nmero y
dimetro de espiras y su disposicin. Aumenta con el nmero de espiras. La introduccin en ella de un
ncleo de hierro intensifica el campo magntico y eleva la autoinduccin en proporciones considerables. La
autoinduccin de una bobina se expresa en HENRIOS ( H) o en submltiplos de esta unidad, el MILIHENRIO
(mH) que es la milsima del henrio y el MICROHENRIO (H), millonsima del henrio.
En la figura 1.24 se muestra la relacin entre la corriente inductora y la corriente inducida: Arriba, la
corriente alterna inductora. Abajo, la corriente inducida por la corriente inductora.
- 1. La corriente inductora aumenta muy rpidamente. La corriente inducida es de sentido contrario.
- 2. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo. La corriente inducida es nula.
- 3. La corriente inductora disminuye. La corriente inducida tiene el mismo sentido.
- 4. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo. La corriente inducida es nula
Fig. 1.24
1.2.3-1-6: ECUACIONES DEL TRANSFORMADOR
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si utilizamos la transformada de
La place obtenemos las ecuaciones que describen su funcionamiento. En ellas estamos despreciando las
resistencias de los devanados.
Fig. 1.25
V1 =sLp I1 +sM I2 (1.72)
V2 =sM I1 +sLs I2 (1.73)
En consecuencia, todo circuito que tenga las mismas ecuaciones del transformador podr ser reemplazado
por l, sin que varen las tensiones ni corrientes
En forma anloga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos que cumplan con las
ecuaciones mostradas y todos ellos sern modelos del transformador
Uno de sus modelos ms usados es el siguiente:
Fig. 1.26
1.2.3-1-7: TRANSFORMADOR IDEAL:
El concepto del transformador ideal es una simplificacin que permite representar transformadores reales y
puede ser utilizado como modelo inicial de un transformador.
Si comparamos con el esquema de la figura 1.22, en el transformador ideal se tiene:
rp = 0 , rs = 0, Ldp = 0, Lds = 0 y Lm =
Adicionalmente, el transformador ideal puede trabajar a cualquier frecuencia y manejar cualquier potencia.
Toda la potencia que recibe en el primario la transfiere al secundario (tiene eficiencia del 100%)
Si: Vp e Ip son la tensin y corriente aplicadas al primario, y
Vs e Is son la tensin y corriente en el secundario
Se cumplir:
Vp * Ip =Vs * Is (1.73)
Se define la relacin de transformacin como:
n =Vp / Vs (1.74)
Reemplazando 1.74 en 1.75 obtenemos:
n =Is / Ip (1.75)
Si dividimos Vp entre Ip obtendremos la impedancia (Zp) que se ve desde el primario:
Zp =Vp / Ip =Vs * Is /Ip
2
=n
2
Vs / Is
Donde Vs / Is representa la carga colocada en el secundario:
O sea: RL =Vs / Is
Por ello, llegamos a la siguiente expresin:
Zp =n
2
RL (1.76)
Que es una expresin muy utilizada incluso en los transformadores reales y representa la resistencia (o
impedancia) reflejada al primario. En forma anloga tambin se puede obtener la resistencia (o impedancia)
reflejada al secundario.
A pesar que estas relaciones se deducen para el transformador ideal tambin se cumplen con bastante
aproximacin en el transformador real
A continuacin veremos su aplicacin en el amplificador clase A con acoplo por transformador (figura 1.23):
Fig. 1.27
El mtodo de anlisis es similar al de choke en colector, considerndose el efecto de conversin de
impedancia que lleva a cabo el transformador y tambin su eficiencia (el transformador real presenta
prdidas en los conductores que forman sus bobinas y en su ncleo, por lo que su eficiencia no es del 100%).
Para un clculo inicial, se puede usar el concepto de transformador ideal y luego hacer los ajustes empleando
las caractersticas reales
1.2.3-2.- POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: En este caso, la resistencia para seal que ofrece el
primario es dada por la ecuacin 1.76: Zp =n
2
RL
Empleando la ecuacin 1.63:
PL =(I
2
Cmn
2
RL) / 2 (1.77)
Luego: PLmx =(I
2
CQ n
2
RL) / 2(1.78)
1.2.3-3.- POTENCIA PROMEDIO ENTREGADA POR LA FUENTE DC
Empleando la ecuacin 1.66:
P
CC
=V
CC
I
CQ
1.2.3-4.- POTENCIA PROMEDIO DISIPADA EN COLECTOR: Empleando la ecuacin 1.21:
PCmx =VCEQ ICQ
1.2.3-5.- EFICIENCIA: Aplicando la ecuacin 1.68:
=I
2
CQ (n
2
RL / 2) / V
CEQ
I
CQ
(1.79)
en condiciones ideales [ VCEQ =VCC y de 1.67]
mx = =50%
1.2.3-6.- FIGURA DE MRITO: Aplicando la ecuacin 1.70:
F =P
C
max/ P
L
max
En las condiciones mximas F =2
Esta figura de mrito es la mxima para este circuito y es la mxima que posee el amplificador con acoplo
por transformador.
PROBLEMA 1.7: En el siguiente circuito se tiene un transistor de silicio con =100 y adems PLmx =1
W. Halle:
a) El punto Q.
b) R1
c) PCC total
d) PCmx y PCmn
e) total
El transformador es ideal. Las capacidades tienen reactancias despreciables.
SOLUCION:
a) Clculo del punto Q:
La resistencia reflejada al primario es: Rp =n
2
RL =64
Como ya est definida la potencia de salida, usamos la ecuacin 1.78 para calcular ICQ:
PLmx =(I
2
CQ n
2
RL) / 2
Y obtenemos: ICQ =177 mA
Recta DC: 12 =VCE +2 IE
Como: >>1 entonces: IE =IC y obtenemos: 12 =VCE +2 IC
Fig. 1.28
La recta DC contiene al punto de operacin y podemos obtener: VCEQ =11.64 V
b) Clculo de R1:
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB =VBE +IE (Re) =1.054 V
La corriente que circula por R2 es: IR2 =1.054 / 22 =47.9 mA
Con estos datos podemos calcular R1:
R1 =(12 1.054) / (0.0479 +0.177 / 100) =(10.946)(0.04967) =220.37
c) Clculo de PCC total:
PCC total =V
CC
(I
CQ
+IR1 +IB) =12 (0.177 +0.0479 +0.177 / 100) =2.72 W
d) Clculo de PCmx y Pcmn:
El transistor en clase A disipa mxima potencia cuando no tiene seal de entrada:
PCmx =VCEQ*ICQ =(11.64)(0.177) =2.06 W
El transistor en clase A disipa mnima potencia cuando tiene mxima seal de entrada:
PCmn =VCEQ*ICQ PLmx =2.06 1 =1.06 W
e) Clculo de total
total =PLmx / PCC =1 / 2.72 =36.8%
PROBLEMA 1.8: En el siguiente circuito, halle:
a) El punto Q
b) PLmx El transistor es de silicio con =100
c) PCC
d) total
Las capacidades tienen reactancia despreciable.
SOLUCION:
a) Clculo del punto Q:
Recta DC: 12 =VCE +4 IE
Como: >>1 entonces: IE =IC y obtenemos: 12 =VCE +4 IC
Recta AC: La resistencia reflejada al primario por el transformador es: Rp =n
2
RL =16
Luego: vce =- 18 ic
Re1 no es cortocircuitada por Ce y por ello tambin interviene en la recta AC.
Como R1 y R2 estn definidas, el punto de operacin lo determinan ellas y debemos calcularlo:
Fig. 1.29
La resistencia de thevenin es: Rb =470//56 =50
La tensin de thevenin es: Vbb =(12*56)/(470+56) =1.28V
Para hallar ICQ planteamos la ecuacin en la malla base-emisor:
Vbb =IB Rb +VBE +IE (Re1 +Re2) =(50/101) IE +0.7 +4 IE
Resolviendo para IE obtenemos: IE =IC =0.13 A
Reemplazando en la recta DC obtenemos VCEQ: VCEQ =11.48V
b) Clculo de PLmx
De 1.78: PLmx =(I
2
CQ n
2
RL) / 2
Conviene usar la expresin en funcin de la corriente porque tambin hay cada de seal en Re1. Si
empleramos la ecuacin en funcin del voltaje, tendramos que aplicar la ecuacin del divisor de voltaje
para hallar la tensin de seal que cae en el primario, que es lo que nos interesa para calcular la potencia que
llega a la carga.
Efectuando: PLmx =135.2 mW
c) Clculo de PCC:
Sabemos que: P
CC
=V
CC
I
CQ
Esta expresin se usa cuando se puede despreciar la corriente que circula por R1. Cuando nos piden hallar la
eficiencia total, significa que no debemos despreciar IR1 Por esta razn la calcularemos para hallar un valor
ms exacto de PCC
Entonces: P
CC
=V
CC
(I
CQ
+IR1)
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB =VBE +IE (Re1 +Re2) =1.22V
Luego: IR1 =(12 1.22) / 470 =23 mA
Ahora podemos calcular: PCC =12 (0.13 +0.023) =1.836 mW
d) Clculo de total
total =PLmx / PCC =135.2 / 1836 =7.36%
Observamos que al no tenerse el punto de operacin para mxima excursin simtrica, adems de Re1 e IR1,
hacen que la eficiencia se muy baja.
PROBLEMA 1.9: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador para obtener una potencia de
0.5 W en una carga de 3. La impedancia de salida del transistor es de 70 . Asuma que la resistencia del
devanado primario es 12 y del secundario es 0.6 . Adems VCC =12 V. /Se emplear el transistor AD161
cuyos datos tcnicos son:
Tjmx =100C, PCmx =4 W, VCE,sat =1 V, BVCEO =20 V, iCmx = 1 A, 80 320 , germanio.
SOLUCION:
Emplearemos el siguiente esquema circuital:
Fig. 1.30
El primer paso es determinar el punto de operacin necesario para lograr la potencia requerida en la carga,
teniendo en cuenta que no deben excederse los valores de tensin, corriente y potencia especificados para el
transistor.
Como el transistor soporta una tensin mxima de 20 V, el punto de operacin no debe ser mayor que 10
voltios, debido a que en estos circuitos el transistor maneja una tensin mxima igual 2VCEQ. Adems, por
seguridad y porque la tensin de saturacin es de 1 V, es conveniente que el punto de operacin sea menor
que 10 V para no trabajar en el lmite.
Debido a que no est definida la relacin de transformacin, podemos calcularla para lograr la potencia
requerida en la carga.
Recta DC: 12 =VCE +(12) IC +IE Re
Como: >>1 entonces: IE =IC . Adems, como tiene un rango, haremos los clculos con su valor
promedio: =(80 +320) / 2 =200
A continuacin obtenemos: 12 =VCE +(12 +Re) IC
Por las consideraciones anteriores emplearemos. VCEQ =8 V
Determinaremos ICQ en funcin de la potencia requerida en la carga:
La resistencia reflejada al primario es: Rp =n
2
(RL +rs)
Vemos que la resistencia del devanado secundario tambin se refleja al primario y consumir potencia de
seal.
La potencia mxima que puede entregar el transistor es: PLmx =I
2
CQ n
2
(RL +rs) / 2
Como la carga debe recibir 0.5 W, debe cumplirse:
0.5 =I
2
CQ n
2
(RL) / 2 y obtenemos: n
2
I
2
CQ =1 / 3
Para que el transistor pueda transferir la mxima potencia posible a la seal, es necesario que su impedancia
de salida sea igual a la que le ofrece el primario del transformador. Esta impedancia es: rp +n
2
(RL +rs)
Entonces: rp +n
2
(RL +rs) =70
De esta ecuacin obtenemos el valor necesario de n: n =4.01
A continuacin hallamos ICQ: ICQ =144 mA
Debido a que el transistor puede manejar una corriente de 1 A, el valor calculado es seguro.
Podemos determinar ahora el valor de Re usando la ecuacin de la recta DC
12 =8 +(12) (0.144) +(Re) (0.144)
De donde: Re =16
Obtendremos ahora los valores necesarios para R1 y R2
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB =VBE +IE (Re)
En el transistor de germanio tenemos un voltaje base-emisor: VBE =0.3 V
Luego: VB =0.3 +(0.144)(16) =2.6 V
La corriente de base es: IB =144 mA / 200 =0.72 mA
Para que haya buena estabilidad del punto de operacin haremos que la corriente que circula por R2 sea
mucho mayor que IB adems que el valor de R2 debe ser comercial:
IR2 =20 IB =14.4 mA
Entonces: R2 =2.6 V/ 14.4mA =180
A continuacin: R1 =(12 2.6)V / (14.4 +0.72)mA =620
La potencia mxima que disipar el transistor es:
PCmx =VCEQ ICQ =8 * (0.144) =1.15 W
Esta potencia es inferior a la mxima que puede soportar el transistor.
El siguiente paso es simular el circuito para verificar si es necesario hacer ajustes a los valores calculados.
PROBLEMA 1.10: En el amplificador mostrado, el transformador tiene una eficiencia del 80%. El
transistor es de silicio con =20, VCE,sat =- 2V, VBE =-0.7V. Determine:
a) El valor de n para obtener mxima potencia en la carga
b) PLmx
c) PCmx
d) PCC
Fig. 1.31
SOLUCION:
a) Clculo del valor de n para obtener mxima potencia en la carga:
La impedancia reflejada al primario es: Rp =n
2
(RL) =8 n
2
El punto de operacin est definido por las resistencias de polarizacin. Por ello lo calcularemos:
Tensin de Thevenin: Vb =-10(3/(17+3) =-1.5V
Resistencia de Thevenin: Rb =17//3 =2.55
Planteando la ecuacin en la malla base-emisor: Vb =IB Rb +VBE +IE Re
-1.5 =IEQ (2.55/21) 0.7 +IEQ =1.12 IEQ 0.7
De donde: IEQ =- 0.71 A
Luego: ICQ =IEQ [ /(1 +)] =- 0.68 A
Recta DC: VCC =VCE +IE Re
- 10 =VCEQ 0.71
De donde: VCEQ =- 9.29 V
La mxima tensin pico que puede recibir el transformador es: Vp =9.29 2 =7.29 V
La mxima corriente pico que puede recibir el transformador es: Ip =0.68 A
La impedancia reflejada al primario ser: Rp =Vp/Ip =10.72
De donde: n
2
=10.72 / 8 =1.34 Luego: n =1.16
b) Clculo de PLmx
La mxima potencia que puede recibir el transformador es: Pp =7.29*0.68)/2
Pp =2.48 W
Dado que la eficiencia del transformador es del 80%, la mxima potencia que llega a la carga es: PLmx =
(0.8)(2.48) =1.98 W
c) Clculo de PCmx
El transistor disipa mxima potencia cuando no tiene seal. Entonces:
PCmx =VCEQ ICQ =(-9.29)(-0.68) =6.32 W
d) Clculo de PCC
Debido a que las resistencias de polarizacin son pequeas, debemos considerar la corriente que circula por
ellas. Entonces: PCC =(- 10)(ICQ +IR1)
La tensin DC en la base del transistor respecto a tierra es: VB =VBE +IEQ Re =- 1.41 V
Luego: IR1 =[-10 - (-1.41)] / 17 =- 0.505 A
Reemplazando: PCC =(- 10)( - 0.68 - 0.505) =13.05 W
Observamos que en este caso la red de polarizacin disipa una potencia considerable y afecta negativamente
a la eficiencia del sistema. Para mejorar la eficiencia es conveniente que las resistencias de polarizacin no
tengan valores pequeos, manteniendo, a la vez, la estabilidad del punto de operacin. Una forma de lograrlo
es empleando transistores con alta ganancia o configuraciones tipo Darlington.
PROBLEMA 1.11: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador empleando el Mosfet
IRF840 para obtener una potencia de 1 W en una carga de 8 . El transformador de audio a emplear tiene: n
=2, rp =1 , rs =0.5
SOLUCION:
Emplearemos el siguiente esquema circuital:
Recta DC: VDD =ID rp +VDS +ID Rs
Recta AC: 0 =id (rp +n
2
(RL +rs) +vds
Recta de M.E.S.: vDS - 1 =iD (rp +n
2
(RL +rs) =35 iD
Obtencin del punto de operacin para mxima excursin simtrica:
La mxima potencia que recibe el primario es: Pp =I
2
DQ (rp +n
2
(RL +rs) / 2
La potencia que llega a la carga debe ser 1 W:
PL =I
2
DQ (n
2
RL) / 2 =1
De donde: IDQ =0.25 A
Luego: VDSQ =35 IDQ +1 =9.75 V
Fig. 1.32
Obtencin de VGSQ para lograr la corriente del punto de operacin:
En el MOSFET se cumple: IDQ =K(VGSQ VT)
2
Empleando los datos del problema 1.2 obtenemos: VGSQ =3.42 V
Obtencin de Rs: Para lograr buena estabilidad del punto de operacin emplearemos un valor de Rs =
(VGSQ +VT) / IDQ =25.7
El valor comercial ms cercano es: Rs =27 / 2W
Obtencin del voltaje de la fuente de alimentacin: Recta DC:
VDD =ID rp +VDS +ID Rs =(0.25)(1) +9.75 +(0.25)(27) =17 V
Obtencin de R1 y R2:
La tensin en la compuerta respecto a tierra es:
VG =VGSQ +IDQ Rs =3.42 +(0.25)(27) =10.17
Si empleamos un valor comercial: R1=15 K / 0.5 W
Podemos calcular R2: R2 =(17 10.17) / 0.68 =10 K / 0.5 W
Obtencin de Cs:
La resistencia aproximada que ve Cs es Rs. Como esta resistencia es pequea, haremos que Cs determine
el lmite regin de baja frecuencia.
Si fijamos este lmite en 100 Hz, podemos igualar: Rs Cs =1 / [2 (100)] =0.0016
Luego: Cs =58.9 uF
Y podemos emplear el valor comercial ms cercano: Cs =68 uF / 10 V
Obtencin de Ca1:
La resistencia que ve Ca1 es mucho ms alta. Haremos que Ca1 acte a una frecuencia mucho menor que
100Hz para que no influya a la vez que Cs.
Si fijamos su operacin en 10 Hz, podemos igualar: [R1//R2] Ca1 =1 / [2 (10)] =0.016
Luego: Ca1 =2.7 uF
Y podemos emplear el valor comercial: Ca1 =2.7 uF / 16 V
DISIPADORES DE CALOR (HEATSINKS)
Los disipadores de calor son componentes metlicos que utilizan para evitar que algunos elementos
electrnicos como los transistores se calienten demasiado y se daen.
El calor que produce un transistor no se transfiere con facilidad hacia el aire que lo rodea.
Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los que son metlicos transfieren con ms facilidad el
calor que generan hacia el aire que lo rodea y si su tamao es mayor, mejor.
Es importante aclarar que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la envoltura de un pequeo "chip"
que es el que hace el trabajo, al cual se le llama "juntura" o "unin".
La habilidad de transmitir el calor se llama conductancia trmica y a su recproco se le llama resistencia
trmica (Rth) que tiene unidad de C / W (grado Centgrado / Watt).
Ejemplo: Si el R
TH
de un transistor es 5C/W, esto significa, que la temperatura sube 5C por cada Watt que
se disipa.
Ponindolo en forma de frmula se obtiene: = T / P, Donde:
- =resistencia trmica
- T =temperatura
- P =potencia
La frmula anterior se parece mucho a una frmula por todos conocida (La ley de Ohm). R =V / I. Donde se
reemplaza V por T, I por P y por R.
Analizando el siguiente diagrama:
Donde:
- TJ =Temperatura mxima en la "J untura" (dato lo suministra el fabricante)
- TC =temperatura en la Carcasa. depende de la potencia que vaya a disipar el elemento y del tamao del
disipador y la temperatura ambiente.
- TD =Temperatura del disipador y depende de la temperatura ambiente y el valor de
DA
(
D
)
- TA =temperatura ambiente
-
JC
=Resistencia trmica entre la J untura y la Carcasa
-
CD
=Resistencia trmica entre la Carcasa y el Disipador (incluye el efecto de la mica, si se pone, y de la
pasta de silicona). Mejor si puede usar banda de silicona en lugar de la mica y la pasta. Si se usa mica, es
mejor usarla con pasta silicona.
-
DA
=Resistencia trmica entre el Disipador y el Aire (Resistencia trmica del disipador) (
D
)
Ejemplo: Se utiliza un transistor 2N3055 que produce 60 Watts en su "juntura".
Con los datos del transistor 2N3055, este puede aguantar hasta 200 Watts en su "juntura" (mximo) y tiene
una resistencia trmica entre la juntura y la carcasa de: 1.5C/W (carcasa es la pieza metlica o plstica que
se puede tocar en un transistor)
Si la temperatura ambiente es de 23C, Cul ser la resistencia trmica del disipador de calor que se pondr
al transistor? (R
DA
)
Con
J C
=1.5C/W (dato del fabricante), la cada de temperatura en esta resistencia ser T = x P =1.5C x
60 Watts =90 C (ver frmula)
Con
CD
=0.15C/W (se asume que se utiliza pasta silicona entre el elemento y el disipador), la cada de
temperatura en R
CD
es T =R x P =0.15 x 60 Watts = 9C.
Tomando en cuenta que la temperatura del aire (temperatura ambiente es de 23C), el disipador de calor
tiene que disipar: 200C 90C 9C 23C =78C.
Esto significa que la resistencia trmica del disipador de calor ser:
DA
=78C / 60 W =1.3C/Watt.. Con
este dato se puede encontrar el disipador adecuado.
Importante:
Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya contacto elctrico entre
ambos. Se podra evitar esto con plstico o el aire, pero son malos conductores de calor. Para resolver este
problema se utiliza una pasta especial que evita el contacto. La virtud de esta pasta es que es buena
conductora de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante tambin tiene una
resistencia trmica que hay que tomar en cuenta. Es mejor evitar si es posible la utilizacin de la mica pues
esta aumenta el
CD
. El contacto directo entre el elemento y el disipador, contrario a lo que se pueda pensar,
aumenta el valor de
CD
, as que es mejor utilizar la pasta.
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA P1.1: El siguiente circuito (figura 1.33) es un amplificador de potencia clase A, halle:
a) El punto de operacin para mxima excursin simtrica.
b) Los valores de R1 y R2 para lograr el punto de operacin calculado en (a).
c) La mxima potencia disipada por RC.
El transistor es de silicio con =50
Fig. 1.33
PROBLEMA P1.2: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador, como el mostrado en la
figura 1.34, para obtener una potencia de salida de 0.5W en una carga de 3. La impedancia reflejada al
primario es 70. Asuma que la eficiencia del transformador es 70%.
Datos del transistor: Vce,sat =1V; Tjmax =100C; Pcmax =4W ( 65 C); B
VCEO
=30V; icmax =1A; 80
320
Fig. 1.34
PROBLEMA P1.3: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador para obtener una potencia de 1W en una
carga de 8 .
Asuma que el transformador es ideal con n =2, VCC =12 V y Vce,sat =2V
Especifique las caractersticas del transistor.
PROBLEMA P1.4: Se desea entregar 1 W a una carga de 8 , mediante un amplificador clase A acoplado
por transformador. Si se dispone de un transistor con BVCEO =40 V, =50 y VCE,sat =2 V. La resistencia de
emisor debe ser 1.8
Asuma que el transformador es ideal con n =2. Halle
a) El valor de la fuente DC (VCC).
b) La potencia entregada por la fuente..
c) La potencia mxima que disipar el transistor.
PROBLEMA P1.5: En el circuito mostrado en la figura 1.35, =100, mn =50. Halle:
a) El punto de operacin para mxima excursin simtrica.
b) R1 y R2
c) PL mx
d) PCC
e) PCmx y PCmn
f)La eficiencia
g) Especifique el transistor
Fig. 1.35
PROBLEMA P1.6: En el circuito mostrado en la figura 1.36,.halle:
Fig. 1.36
PROBLEMA P1.7: El amplificador mostrado en la figura 1.37 va a ser empleado sobre el rango de
temperatura: - 25 C 75 C. El rango de para el transistor es: 100 300. El transistor tiene ICBO =0.1
uA y VBE = 0.7 V, ambos 25 C. Si R1 // R2 1 K, calcule el mximo desplazamiento simtrico posible.
Especifique R1, R2 y RE. Las capacidades son muy grandes
Fig. 1.37
PROBLEMA P1.8: Un amplificador clase A es alimentado por una batera de 12V con capacidad de 4
Amperios-Hora. Si el amplificador consume una potencia de 4W entregando mxima potencia a la carga,
Idealmente, cunto tiempo podr alimentarlo la batera?
PROBLEMA P1.9: Un transistor bipolar de audio va a ser empleado en un amplificador clase A. Si su
punto de operacin es: VCEQ =10V e ICQ =100 mA, Hasta qu temperatura (TC) podr subir su encapsulado
si el fabricante da como datos: Pcmx =2W ( TC =25 C), J C =62.5 C/W y Tjmx =150 C.
PROBLEMA P1.10: Un transistor bipolar de audio va a ser empleado en un amplificador clase A acoplado
por transformador. Cunta ser la mxima potencia que se pueda entregar a la carga, si las caractersticas
del transistor son: Pcmx =20W ( TC =25C), J C =5 C/W, =40, BVCEO =50 V, iC,mx =3 A?. Se
quiere, adems, que la temperatura de la cpsula no pase de 60C
PROBLEMA P1.11: Un amplificador de potencia clase A, acoplado por emisor, figura 1.38, tiene un
transistor de silicio con PCmx =50W y =40 . Determine:
a) VBB, Rb y n para que se transmita mxima potencia a la carga. b) PLmx c) PCC d) total
Fig. 1.38
PROBLEMA P1.12: Se desea entregar, como mximo, 5 W a una carga de 8 , mediante un amplificador
clase A con MOSFET, acoplado por transformador. Si se dispone de un transistor con BVdss =200 V,
IDmx =16A, Pcmx =20W y VDST =2 V. La resistencia de fuente debe ser 1 . Asuma que el
transformador es ideal con n =2
Halle:
a) El valor de la fuente DC (VCC).
b) La potencia entregada por la fuente.
c) La potencia mxima que disipar el transistor.
PROBLEMA P1.13: Demuestre que la recta de mxima excursin simtrica (M.E.S.) corta a la recta de
carga dinmica en dos partes iguales. Asuma el caso ideal.
PROBLEMA P1.14: Se quiere estabilizar el punto de operacin del amplificador clase A mostrado, mediante un termistor del
tipo NTC en contacto trmico con el transistor, en el rango de 27C 70C. El termistor, vara su resistencia con la
temperatura, segn la ecuacin: R
T
=R
o

B(1/T - 1/To)
Donde: R
T
=Resistencia del termistor R
o
=Resistencia del termistor a 300K
B =Temperatura caracterstica del material To =300K T =temperatura en K
El punto de operacin del transistor es: I
CQ
=805 mA y V
CEQ
=6.44V 27C y tiene: V
BE
=0.7V, =
100, V
CE,sat
=2V. Si su tensin base emisor disminuye en 2.5 mV por cada C de aumento de la
temperatura, determine el valor de Ro, B y el punto de operacin a 50C.
.
PROBLEMA P1.15: Responda las siguientes preguntas:
a) Por qu el amplificador clase A con acoplo de carga por transformador es ms eficiente que el que tiene
carga en colector?
b) Por qu el amplificador clase B es ms eficiente que el que el de clase A?
c) Por qu no se usan parmetros hbridos en el anlisis del amplificador clase A?
d) Qu caractersticas elctricas son importantes en un transistor de potencia?
e) Por qu un transistor de potencia debe emplear disipador?
f) Por qu no debe desconectarse la carga en un amplificador con acoplo por transformador, cuando est funcionando?
BIBLIOGRAFIA
1).- CIRCUITOS MICROELECTRONICOS: ANLISIS Y DISEO
Muhammad Rashid
Editorial: International Thomson Editores
2).- MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
Mark N. Horenstein
Editorial: Prentice Hall Hispanoamrica S. A.
3) MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
Sedra
Smith
Editorial: Oxford
4) ELECTRONIC CIRCUITS: DISCRETE AND INTEGRATED
Schilling, Donald L.
Belove, Charles
Editorial: Mc Graw-Hill Kogakusha, Ltd.
5) DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRNICOS
Millman, J acob
Halkias, Cristos C.
Editorial: Mc Graw-Hill Book Company
6).- ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS INTEGRADOS
Paul E. Gray
Robert Meyer
Editorial: Prentice Hall Hispanoamrica S. A.
7).- COMMUNICATION CIRCUITS: ANALYSIS AND DESIGN
Clarke, Kenneth
Hess T. Donald
Editorial: Addison-Wesley Publishing Company
8).- MANUAL RCA SC15
9).- MANUAL DE AMPLIFICADORES DE BAJ A FRECUENCIA TRANSISTORIZADOS
Francisco Ruiz Vasallo
Editorial: Ediciones CEAC Barcelona 2da. Edicin 1979
10).- MANUAL DE BAFFLES Y ALTAVOCES
Francisco Ruiz Vassallo
Editorial: Ediciones CEAC Barcelona 3da. Edicin 1981