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UNIVERSIDADTECNOLGICADELPER

VicerrectoradodeInvestigacin

ElectrnicaAnalgicaII

TINSBsicos

FacultaddeIngenieraElectrnicayMecatrnica

TEXTOSDEINSTRUCCINBSICOS(TINS)/UTP

LimaPer

ElectrnicaAnalgicaII
DesarrolloyEdicin:VicerrectoradodeInvestigacin
ElaboracindelTINS:
Ing.MoissLeureyrosPrez
Ing.JosAndresSandovalValencia
DiseoyDiagramacin:JuliaSaldaaBalandra
Soporteacadmico:InstitutodeInvestigacin
Produccin:ImprentaGrupoIDAT
Quedaprohibidacualquierformadereproduccin,venta,comunicacinpblicaytransformacinde
estaobra.
3

El presente material contiene una compilacin de obras de Electrnica


Analgica I, publicadas lcitamente, resmenes de los temas a cargo del
profesor;constituyeunmaterialauxiliardeenseanzaparaserempleadoen
eldesarrollodelasclasesennuestrainstitucin.

stematerialesdeusoexclusivodelosalumnosydocentesdelaUniversidad
Tecnolgica del Per, preparado para fines didcticos en aplicacin del
Artculo 41 inc. C y el Art. 43 inc. A., del Decreto Legislativo 822, Ley sobre
DerechosdeAutor.
4
5
Presentacin

El presentetextoelaboradoen el marcodedesarrollodelaIngeniera,esunmaterial de
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniera Electrnica y Mecatrnica para la
Asignatura de Electrnica Analgica II en el sptimo y sexto ciclo de estudios
respectivamente.

Plasmalainiciativainstitucionaldeinnovacindelaprendizajeeducativouniversitarioque
en acelerada continuidad promueve la produccin de materiales educativos, actualizados
enconcordanciaalasexigenciasdeestostiempos.

Estaprimeraedicinapropiadamenterecopilada,dediversasfuentesbibliogrficas,deuso
frecuente en la enseanza de la Electrnica Analgica, est ordenada en funcin del
sillabusdelaasignaturaarribamencionada.

La conformacin del texto refleja la meritoria experiencia profesional y acadmica de los


Profesores: Ing. Moiss Leureyros Prez y Jos Andrs Sandoval Valencia; contiene los
siguientescaptulos:

Elprimercaptulo:Amplificadoresdeaudio;seestudialosamplificadoresdepotenciade
audio, configuraciones comnmente usadas, parmetros caractersticos y aplicaciones,
mtodosdeanlisisydiseo.

En el segundo captulo: Realimentacin; proceso que consiste en la transferencia de


energa presente en la salida de un sistema a la entrada del mismo (o a otras entradas
internas o subsiguientes). Estudio de los diferentes tipos de realimentacin en circuitos
electrnicos.

En el tercer captulo: Amplificador Diferencial; amplificador importante en Electrnica,


comnmente recibe dos seales de entrada y su salida puede ser balanceada o
desbalanceada.Susalidaesproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada.Esparte
fundamentaldelAmplificadorOperacional,queseestudiaenuncaptuloposterior.

En el cuarto captulo: Respuesta en frecuencia; se estudia la respuesta en estado


estacionario (rgimen permanente) de un amplificador ante una entrada sinusoidal, se
vara la frecuencia de la sinusoide de entrada dentro de un determinado rango de
frecuenciasyseobtienelarespuestaresultante.Estemtodonospermitehacerelanlisis
ydiseodelcircuito.

Al cerrar estas lneas de presentacin, el reconocimiento institucional a los Ing. Moiss


LeureyrosPrezyJosAndrsSandovalValenciaporsuconstanciaenlacompilacindel
presentetexto.
Ing.LucioH.HuamnUreta
VicerrectoradodeInvestigacin
6

7
ndice

Capitulo1
Introduccin ...................................................................................................................... 11
Elsonido ............................................................................................................................ 11
Transductores.................................................................................................................... 12
Elconceptodeestereofonia ............................................................................................. 13
Formasdeacoplodeamplificadoresdebajafrecuencia.................................................. 16
Controlesdevolumenydetono....................................................................................... 19
Amplificadoresdepotencia .............................................................................................. 21
Disipadoresdecalor .......................................................................................................... 81
Problemaspropuestos ...................................................................................................... 83
AmplificadoresClaseByAB.............................................................................................. 91
DiversosesquemasdeamplificadoresenPUSHPULL...................................................... 120
Amplificadorescuasicomplementarios ............................................................................ 123
Proteccincontracortocircuitos...................................................................................... 128
Amplificadoresencircuitointegrado................................................................................ 135
Circuitointernoequivalente ............................................................................................. 141

Capitulo2
Realimentacin................................................................................................................. 149
Introduccin ...................................................................................................................... 149
Sistemarealimentado ....................................................................................................... 152
Aplicacindecristales ....................................................................................................... 218

Capitulo3
Amplificadordiferencial .................................................................................................... 221
Introduccin ...................................................................................................................... 221
Anlisisdelamplificadordiferencial ................................................................................. 223
Transformacindeimpedancias ....................................................................................... 228
AnlisisenAC .................................................................................................................... 230
Gananciaenmododiferencial .......................................................................................... 233
Problemapropuestos........................................................................................................ 242
AmplificadoresOperacionales ......................................................................................... 249
Principiodefuncionamiento............................................................................................. 276
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 295
Aplicacioneslinealesdelamplificadoroperacional .......................................................... 303
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 327
Aplicacionesnolinealesdelamplificadoroperacional ..................................................... 332
Filtrosactivos..................................................................................................................... 342
8
Polosdelosfiltrospasabajonormalizados ...................................................................... 347
Amplificadoresoperacionalesespeciales ......................................................................... 358

Captulo4
Respuestaenfrecuencia ................................................................................................... 373
Introduccin ...................................................................................................................... 373
Respuestaenfrecuenciadelosamplificadores................................................................ 374
Puntosdemediapotenciayanchodebanda................................................................... 375
Mtodosderespuestaenfrecuencia ............................................................................... 375
Respuestaenbajafrecuencia ........................................................................................... 387
Problemas.......................................................................................................................... 391
CalculodelarespuestaenfrecuenciausandoMATLAB................................................... 395
CircuitoRLCparalelo....................................................................................................... 404
CircuitoLCyCondensadorconperdidas ......................................................................... 406
Controldegravesyagudos ............................................................................................... 408
Seriedeproblemas............................................................................................................ 409
DiagramadeBode............................................................................................................. 415

Bibliografa........................................................................................................................ 417

9
DistribucinTemtica

Clase
N
Tema Semana Horas
1
UNIDADTEMATICA1.Anlisisydiseodeamplificadores
de potencia de audio. Amplificadores de potencia. Clases
de operacin. Amplificador clase A. Mtodo de anlisis:
Rectas de carga esttica, dinmica, de mxima excursin
simtrica. Tipos de amplificadores clase A.
Especificaciones. Amplificador clase A con resistencia en
colector.
1 02
2
Amplificador clase A con choke en colector.
Transformador ideal. Amplificador clase A con acoplo por
transformador.Distorsinarmnicatotal(THD).
2 02
3
Amplificadores clase B y AB. Amplificador PushPull.
Amplificadoresdesimetracomplementaria.Distorsinde
cruce.Formasdeevitarlaycompensarlatrmicamente.
3 02
4
Transistor Darlington. Transistor PNP simulado.
Amplificador de simetra cuasi complementaria.
Amplificadores de potencia con circuitos integrados.
Especificaciones.
4 02
5
UNIDAD TEMATICA 2. Realimentacin. Tipos de
amplificadores. Estabilidad. Modelos matemticos.
Sistema lineal y sistema no lineal. Funcin de
transferencia. Accin de control. Tipos de controles
bsicos.Conceptoderealimentacin.Tipos.Efectossobre
las ganancias e impedancias. Efectos sobre la distorsin,
ruido, ancho de banda, sensibilidad a las variaciones de
loscomponentes.
5 02
6
Criterio de Barkhausen. Tipos de amplificadores. Mtodo
de anlisis de los amplificadores realimentados con
pequea seal. Formas de realimentacin. Mtodos de
clculodegananciaseimpedancias.
6 02
7
Osciladores sinusoidales. Oscilador de rotacin de fase.
Oscilador puente de Wien. Obtencin de la ganancia de
bucle.AplicacindelcriteriodeBarkhausen.
7 02
8
Reguladores de tensin con circuitos integrados.
Limitacin de corriente. Limitacin tipo foldback.
Limitadordepotencia.Reguladoresflotantes.
8 02
10

Clase
N
Tema Semana Horas
9
UNIDAD TEMATICA 3.Amplificador diferencial y
Amplificador operacional.Amplificador diferencial. A.D.
balanceado. Fuente de corriente DC. Modo diferencial.
Modocomn.ElA.D.conpequeaseal.ElA.D.congran
seal. Ganancia e impedancia en modo diferencial.
Gananciaeimpedanciaenmodocomn.
9 02
10 EXAMENPARCIAL 10 02
11
El amplificador operacional ideal. Caractersticas. El
amplificador operacional real. Parmetros. Modelo
circuital
11 02
12
Aplicaciones lineales del amplificador operacional.
Sumador.Restador.Adaptadordeimpedancia.Derivador.
Integrador. Convertidores de impedancia positiva y
negativa. Fuente de tensin de referencia. Fuente de
corriente.
12 02
13
Aplicaciones no lineales del amplificador operacional.
Comparadores. Tipos. Limitadores. Rectificadores.
Generadoresdefuncin..Amplificadorlogartmico.
13 02
14
Amplificadorantilogartmico.Multiplicadoranalgico.
14 02
15
Filtros activos. Pasa bajo. Pasa alto. Pasa banda. Notch.
Pasatodo.
15 02
16
Aplicaciones especiales del amplificador operacional.
Amplificador de transconductancia. Amplificador norton.
Amplificador tipo chopper. Amplificador de aislamiento.
Amplificadordeinstrumentacin.Circuitosdemuestreoy
retencin.
16 02
17
UNIDAD TEMATICA 4. Respuesta en frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Tipos de representacin.
Diagramas de Bode. Criterios de estabilidad Diagrama
polar o de Nyquist. Criterio de Nyquist. Margen de fase.
Margendeganancia.Lugargeomtricodelasraces.
17 02
18
Anlisis de la respuesta en frecuencia de amplificadores
realimentados.Compensadores.
18 02
19 EXAMENFINAL 19 02

ElectrnicaAnalgicaII
11
CAPTULO1

INTRODUCCION
En este captulo estudiaremos los amplificadores de potencia de audio. Veremos
las configuraciones ms usadas, as como sus parmetros caractersticos y
aplicaciones. Sus mtodos de anlisis apoyados por programas de clculo y
simulacin.Complementaremoslosconceptosconproblemasdeanlisisydiseo.

Elsonido:
El sonido es originado por vibraciones peridicas de un cuerpo con frecuencias
comprendidasentre1620Hzy20KHz.

Para la produccin de un sonido no es suficiente un cuerpo que vibre, sino que,


adems, debe estar dentro de un medio material adecuado para que las ondas
puedan propagarse. Depende tambin del medio, la velocidad de propagacin del
sonido.Porejemplo:

Enelairea0C,lavelocidades331m/s
Enelairea20C,lavelocidades343m/s
EnHidrgenopuroa0C,lavelocidades1290m/s
Enaguadulce,lavelocidades1450m/s
Enaguademar,lavelocidades1504m/s

Losdiversossonidospuedendistinguirseportrescaractersticasprincipales:

Intensidad:Estdeterminadaporlaamplituddelavibracin.Estrelacionadacon
la energa que transporta la onda. Para medir la mnima potencia que puede
detectarunodonormal,seusalafrecuenciade1KHzysereducelapotenciahasta
el mnimo capaz de provocar sensacin auditiva. Se ha determinado que este
mnimo, a 1KHz, es: Wo = 10
16
W/cm
2
y recibe el nombre de umbral auditivo.
Cuandoseaumentalapotenciaparaduplicarlasensacinauditiva,(osea,2Wo)se
ha medido que se requiere elevar 10 veces la potencia; para elevarla al triple (o
sea, 3Wo), se requiere elevar 100 veces la potencia; y as sucesivamente. Esto
demuestraqueelodorespondeenformalogartmicaalasvariacionesdepotencia
y, por ello, los potencimetros usados para ajustar el volumen son de tipo
logartmico.

Adicionalmente,silarelacinentrelapotenciafinalylainicialesde10(=10
1
),se
dicequeestarelacincorrespondea1Bel;silarelacinentrelapotenciafinalyla
ElectrnicaAnalgicaII
12
inicial es de 100 (= 10
2
), se dice que esta relacin corresponde a 2 Bel, y as
sucesivamente. Debido a que el odo puede captar diferencias de potencias
inferiores a 1 Bel, se acostumbra usar una unidad diez veces menor, el decibel.
Cuando tenemos una medida en decibeles, basta dividirla por 10 para tener su
expresinenBel.

Tambinseempleanotrasunidadesendecibeles:
dbw: La letra W se refiere a que se usa como referencia 1 vatio. Es decir, la
potenciadeunvatioequivalea0dbw.
dbm: La letra m se refiere a que se usa como referencia 1 mili vatio. Es decir, la
potenciadeunmilivatioequivalea0dbm.
dbu: LaletraUserefiereaqueseaplicaunapotenciade1milivatioaunacarga
de 600. Para producir esa potencia, la resistencia debe recibir 0.775
voltioseficaces.

Tono:Estdeterminadoporlafrecuenciadelsonidooporlafrecuenciadelsonido
fundamental en caso que no sea puro. El odo no puede detectar la frecuencia
absolutaconprecisin,perospuedenotardiferenciasdefrecuenciaconbastante
exactitud. Por esta razn, en la msica se habla de intervalos o relaciones de
frecuencias,comoporejemplo:

do re mi fa sol la si do
1 9/8 5/4 4/3 3/2 5/3 15/8 2

Alintervalodevalor2seledaelnombredeoctava

Timbre: Est determinado por el nmero e intensidad de las componentes
armnicas que acompaan alsonido fundamental.Lossonidosrealessiempre van
acompaados de un cierto nmero de armnicos. Dos instrumentos diferentes
pueden producir la misma nota, pero las diferenciamos debido al contenido de
armnicos,quesondistintivosdeltipodeinstrumento.

Transductores:
Debido a que los amplificadores electrnicos funcionan con electricidad, para
amplificar un sonido es necesario convertirlo en una variacin elctrica
directamente proporcional. El dispositivo que realiza esta operacin es un
transductorquerecibeelnombredemicrfono.

Una vez que la seal ha sido amplificada con la potencia requerida, se hace
necesario convertirla nuevamente en sonido; para ello usamos otro transductor
querecibeelnombredeparlanteoaltavoz.
ElectrnicaAnalgicaII
13
Debenotarsequeestostransductoresdebenserlomslinealesposibleentodoel
rangodetrabajoparaimpedirquelossonidosseanalteradosconrespectoalos
originales

Elconceptodeestereofona:
El odo humano es capaz de determinar la direccin en la que le llega el sonido.
Paraelloesnecesariopoderescucharconambosodos.

Supongamos que, como se muestra en la Fig. 0.1, una persona A escucha por su
odo izquierdo, B, y su odo derecho, C, el sonido de una fuente puntual, D, que
estsituadaalfrenteyligeramenteasuizquierda.EnlaFig.0.1sepuedenotarque
el recorrido desde D hasta B es ms corto que el de D hasta C. Por ello, el sonido
llegamsrpidoyconmayorintensidadalodoB.

Los sonidos recibidos por B y C son ligeramente diferentes aunque poseen el


mismo contenido de informacin. Ellos son conducidos por medio del tmpano,
huesos del odo y nervios auditivos a la zona del cerebro que recibe las seales
generadas por estmulos sonoros. Estas seales son analizadas por el cerebro, el
cual transforma la diferencia entre ellas en una indicacin de la direccin de la
fuente de sonido. Se ha comprobado que la forma del pabelln de la oreja ejerce
un cierto efecto sobre la determinacin de la procedencia del sonido y, adems
que la precisin con que se hace dicha determinacin se reduce apreciablemente
cuandolossonidossondebajafrecuencia.
C B
A
D

Fig.0.1:Audicindeunafuentepuntualdesonido

ElectrnicaAnalgicaII
14
Cuando se comprendi el mecanismo fisiolgico que permita determinar la
procedencia de un sonido, se pens que este conocimiento podra aplicarse en su
registroyreproduccin.

Paraobtenerunafielreproduccin,laimagendelsonidodebeserdeterminadaen
el espacio. Un procedimiento adecuado para conseguirlo consiste en reproducir
dos seales transmitidas, por medio de dos parlantes, E y F, separados una cierta
distancia, como se indica en la Fig. 0.2. Las distancias a los parlantes son iguales
paracualquierobservadorqueseencuentreenlalneaPQ.Elobservadoroirpor
tanto el sonido de ambos parlantes con intensidades y diferencias de tiempos de
propagacin que estn en la misma relacin con los sonidos que recibira si
estuvieraenellugardondeseencuentralafuentedesonido.

Sinembargo,elodoizquierdonoslorecibeelsonidodelparlanteizquierdo,sino
tambineldelderecho.Algosimilarocurreenelododerecho.Adems,cuandoel
observador no se encuentra en la lnea PQ aparecern diferencias de intensidad y
de tiempos de propagacin que no se correspondern con los originales. En la
prctica, el efecto de estos dos factores es pequeo en una amplia zona de
audicin y, en ella, se consigue una buena estereofona. Esta zona se encuentra
esquematizadaenlaFig.0.2.

E
Q
P
F

Fig.0.2:Ubicacindelosparlantesparareproduccinestereofnica

Otromtododeaproximacinaunefectoestereofnicoseobtienesi,porejemplo,
secolocaunapantallaquetengavariosmicrfonosalfrentedeunaorquesta.Cada
ElectrnicaAnalgicaII
15
micrfono se conecta a un parlante que ocupa una posicin similar en una
habitacin para audiciones existente en cualquier otro sitio. Esta disposicin se
indica en la Fig. 0.3. Una persona en esta habitacin obtendr una buena imagen
espacial de la orquesta; en ella todos los instrumentos se oirn en su posicin
correcta.

Las pruebas que se han efectuado han permitido demostrar que esta disposicin
puede ser reducida a otra en la que slo existan dos micrfonos separados una
cierta distancia y, en la habitacin para audiciones, dos parlantes conectados a
dichosmicrfonos.

Cmosedeterminalazonadeaudicin?
Dicha zona se determina experimentalmente, de manera que en todos los puntos
se tenga la misma sensacin de ubicacin de la fuente de sonido. Dicha zona es
funcindelaseparacinentrelosparlantes,desudistanciaalasparedeslaterales,
delasdimensionesdelahabitacin.

Deloanteriorsededucequeslosenecesitandoselementosderegistroydosde
reproduccin para obtener una buena imagen sonora estereofnica. Esto quiere
decir que la informacin adecuada para estereofona puede transmitirse usando
solamentedosseales.

1212
ORQUESTA
12 1212

Fig.0.3:Transmisinestereofnicapormediodeunciertonmerodemicrfonosyparlantes.

ElectrnicaAnalgicaII
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FORMASDEACOPLODEAMPLIFICADORESDEBAJAFRECUENCIA
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor comn, que es el ms utilizado, son del
orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
amplificadoras produce prdidas considerables de potencia. Para evitarlo,
debemosadaptarlasimpedancias.

Para adaptar las impedancias de entrada y salida de dos etapas amplificadoras se


utilizandiversostiposdeacoplamiento:

Acoplo por transformador: Se muestra en el siguiente esquema. Es el que ofrece


mayor ganancia de potencia, pero no es muy utilizado porque su respuesta en
frecuencianoesmuyamplia.

R1
C2
R2
Q2
TR
1 5
4 8
C1
Q1
VCC

Fig.0.4Acoploportransformador

Si la impedancia de salida de Q1 es 20 K y la de entrada de Q2 es de 1 K, la


relacindetransformacin(n)deberser:

n=(20000/1000)
0.5
=4.47

Acoplo por autotransformador: Emplea un autotransformador en lugar de


transformador.Acontinuacinsemuestrandosformasdeusodeestemtodo:

ElectrnicaAnalgicaII
17
C4
R1
C3
R4
C1
Q2
VCC
T
R3
C2
Q1
R2

C4
R1
C3
R4
C1
VCC
T
C2
Q2
R3
Q1
R2

Fig.0.5Acoploporautotransformador

Acoplo por resistenciacapacidad: Este es uno de los ms usados y, aunque no


permiteacoplarperfectamentelasimpedanciasylagananciaesmenor,suprecioy
espacio ocupado es ms reducido. Permite tambin una buena respuesta en
frecuenciasiC1eslosuficientementeelevado.

Q1
R1
Q2
C1
VCC R2

Fig.0.6Acoploporresistenciacapacidad

Acoplodirecto:Esteestambinmuyusado,especialmenteencircuitosintegrados.
Debe tenerse cuidado con la estabilidad de los puntos de operacin debido a que
influyen de una etapa a otra. Permite una buena respuesta en baja frecuencia
(desdeDC).
ElectrnicaAnalgicaII
18
Q1
R1
C1
R2
R4
Q2
VCC
R3
R5

R2
Q1
R1
C1
R4
R6
Q2
VCC
R3
R5
R7

Fig.0.7Acoplodirecto

Acoplo directo complementario: Esta es otra forma de acoplo muy difundida que
permite muy buena respuesta en baja frecuencia (desde DC) y se caracteriza por
empleartransistoresNPNyPNP.

Cuandoseempleaacoplodirectoconunsolotipodetransistor,latensincontinua
desalidatiendea acercarse alvalor delafuentede alimentacin,restringiendoel
nivelmximodeamplificacin.Esteproblemaseevitaempleandolosdostiposde
transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestraacontinuacin:
ElectrnicaAnalgicaII
19
R2
Q1
R1
Q2
C1
R4
R6
VCC
R3
R5
R7

Fig.0.8Acoplodirectocomplementario

CONTROLESDEVOLUMENYDETONO
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro
queregulaelvolumensonoroproporcionadoporelamplificadordesdecerohasta
sumximapotencia.

Debesercolocadoenunaposicintalquenoafectelascorrientesdepolarizacin
nilasimpedanciasdecargadelostransistores.Tampocodebensercausaderuido,
locualpuedesucedercuandoselecoloca alaentrada,porqueser amplificadoy
se deteriorar la relacin seal/ruido. Si se le coloca en una etapa intermedia
puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por ello, su
ubicacin deber elegirse con cuidado para evitar estos efectos desfavorables.
Estos controles son hechos mediante potencimetros logartmicos debido a las
caractersticasdefuncionamientodelodohumano.

Acontinuacinsemuestranmtodosdeconexindelcontroldevolumen

ControldeGravesyAgudos
Estecontroldetonostienedospotencimetrosquepermitenajustarlapresencia
degravesyagudosenunasealdeaudio.
ElectrnicaAnalgicaII
20
10uF / 16v / NP
1K5
22K
50K
2K2
10K
10nF
56nF 100K
10K
22K
4K7
10K
20K
100K
56nF
2K2
+
-
NE5532
5
6
7
2K2
10nF
100pF
+
-
NE5532
3
2
1
+
2.2uF
10K

Se utiliza un circuito integrado de altas prestaciones para audio que contiene en su


pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/ 15V. El potencimetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsin o deformaciones en el audio disminuir ste
hasta lograr una reproduccin fiel. El potencimetro de 100K ajusta la cantidad de
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.

Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
ElectrnicaAnalgicaII
21
debeira+15V.Lamasadebecablearsea0V,queenintegradonoseconectamas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).

1.0. AMPLIFICADORESDEPOTENCIA
Los amplificadores de potencia, como su nombre lo indica, son los encargados de
entregarpotenciaalasealdeentradaEsteprocesolohacenelevandolatensin,
o elevando la corriente o elevando ambas, tensin y corriente. El mtodo que se
utilice depender bsicamente de las caractersticas de la carga y de la fuente de
alimentacinqueseemplee.

La potencia la sacan de la fuente de alimentacin y parte de ella, no toda, la


transfieren a la seal. La otra parte la disipan ellos mismos. Este comportamiento
se especifica con el parmetro denominado eficiencia (). Es muy importante que
esteparmetrosealomasaltoposible(idealmente,igualal100%).Losmodelosa
estudiar poseen mayor o menor eficiencia pero no llegan al mximo ideal y, por
ello, la eleccin del modelo a usar deber hacerse de manera que no influya
negativamenteenlaeficienciatotaldelsistema.

Actualmenteexistenamplificadoresdepotenciadealtaeficienciaymuycompactos
(como el amplificador clase D) que funcionan en el modo de conmutacin. El
control digital que poseen lo hacen muy susceptible a la programacin y control
por computadora. Sin embargo, no han logrado, en la actualidad, desplazar a los
amplificadores analgicos debido a que stos ofrecen una alta calidad de la seal
desalida,sonmssencillosynogenerandemasiadoruidoeinterferencia.

Para el estudio del amplificador de potencia son muy importantes los clculos de
potencia.Necesitamosconocerlasexpresionesdelapotenciapromedioentregada
a la carga, la potencia promedio que entrega la fuente de alimentacin y la
potencia promedio disipada por el mismo amplificador (transistores, resistores,
etc). Dado que queremos que el amplificador sea capaz de entregar la mayor
potencia posible, necesitamos ubicar el punto de operacin de manera de lograr
estecometido.Unavezdeterminadalaposicindelpuntodeoperacin,seeligela
reddepolarizacinparaconseguirlo.

Clasesdeoperacin:

ClaseA: Son amplificadores de baja eficiencia, pero de mayor linealidad. El


transistorsepolarizaenlazonaactivayconducecorrienteenlos360.
Seusaenaudioyenradiofrecuencia.

ElectrnicaAnalgicaII
22
ClaseB: Son amplificadores ms eficientes que los anteriores. Los transistores
sepolarizanenlazonadecorteysloconducencorrienteenunngulo
de180.

ClaseAB: Son amplificadores con eficiencia similar que clase B. Los transistores
se polarizan cerca a la zona de corte y conducen corriente ms de
180.Seusamuchoenaudioyenradiofrecuencia.

ClaseC: Sonamplificadoresdealtaeficiencia.Eltransistorsepolarizaenlazona
de corte y slo conducen corriente en un ngulo menor que 180. No
seusaenaudiosinoenradiofrecuencia.

ClaseD: Sonamplificadoresquetrabajanenconmutacin.Tienenaltaeficiencia
pero problemas de ruido, especialmente de conmutacin. Son usados
para audio en baja frecuencia (sub woofers). Se estn haciendo
avances para mejorar su respuesta en toda la gama de frecuencias de
audio,perotrabajandoafrecuenciasdeconmutacinmselevadas.

ClaseE: Se usa en amplificadores que trabajan con pulsos y presentan


rendimientoalto.Susalidasesintonizaaunadeterminadafrecuencia.
Es empleado en aplicaciones de radio cuando se trabaja a una sola
frecuencia o un margen muy estrecho de frecuencias. No se usa en
audio.

ClaseG: Sonamplificadoresdeconmutacinenlosqueseempleandosfuentes
dealimentacin.Lafuentedemenorvoltajeparalassealesdbilesy
lademayorvoltajeparalassealesfuertes.Deestamaneraseelevala
eficiencia, slo conmutando las fuentes de alimentacin. Pueden
producirmejorsonidoquelosdeclaseD.

ClaseH: Utilizan una fuente de alimentacin conmutada o se la construye


medianteunamplificadorclaseD.Asuvez,conestafuenteconmutada
se alimenta a un amplificador clase A o AB. Tienen muy buen
rendimiento y la calidad del sonido es similar a la de clase AB. Se
empleaenequiposprofesionales.

PARMETROSDELOSAMPLIFICADORESDEBAJAFRECUENCIA:
Los parmetros que debe tener un buen amplificador de audio estn regidos por
normas internacionales, como por ejemplo, la norma DIN 45 500. A continuacin
detallamoslosmsimportantes:

ElectrnicaAnalgicaII
23
Distorsinarmnica(HarmonicDistortion)
Es originada por la falta de linealidad de los circuitos electrnicos. Se presenta
cuandoenlasalidaaparecencomponentesarmnicasquenoestabanpresentesen
la entrada, lo cual constituye una deformacin. La norma mencionada exige que
estadistorsinseamenordel1%alapotencianominal.Losfabricantesespecifican
comnmenteladistorsinarmnicatotal(THD)

DistorsinporIntermodulacin(IntermodulationDistortion)
Este tipo de distorsin se presenta cuando la entrada presenta diferentes
componentes de frecuencia y el circuito introduce otras componentes con
frecuencias suma y diferencia, incluyendo mltiplos, de las de entrada. Este
parmetrosemideaplicandodosfrecuenciasquenoseanmltiplos,alaentrada,y
midiendoenqumedidalasuperioresafectadaporlainferior.Lanormaexigeque
estadistorsinseainferioral3%.

FactordeAmortiguamiento(DampingFactor)
Est relacionada con la impedancia de carga y la de salida del amplificador. Debe
expresarse para una impedancia determinada de carga (4, 8 16 ohmios) y una
frecuencia que comnmente es 1 KHz. La norma exige un factor de
amortiguamientosuperior3.

Impedancia(Impedance)
La impedancia de carga de un amplificador deber ser de igual valor que su
impedancia de salida para obtener el mximo rendimiento del conjunto. Se mide
en ohmios. La norma exige 4 u 8 ohmios de impedancia de salida para los
amplificadoresdebajafrecuencia.

Potencia(Power)
Eslaenergaporunidaddetiempoquepuedeentregarelamplificadoralparlante.
Puede ser expresada en diferentes formas, pero la manera correcta es en vatios
sobre una impedancia de carga nominal, sobre un rango de frecuencias
determinado y sin sobrepasar el porcentaje de distorsin armnica prefijado. La
normaestablecequelapotenciamnimaasuministrarporunamplificadordebaja
frecuenciaesde6W.

RelacinSeal/Ruido(SignaltoNoiseRatio)
Es la relacin entre la amplitud de la seal de audio y la amplitud de la seal de
ruido.Estarelacinesmsreducidaenlaetapapreamplificadoray,porello,estas
etapas deben estar ms protegidas y construidas con componentes de bajo ruido.
Se expresa en decibeles para una potencia de salida determinada. La norma exige
unarelacinseal/ruidosuperiora50dbpara50mWdesalida.
ElectrnicaAnalgicaII
24

RespuestadeFrecuencia(FrequencyResponse)
El amplificador debe reproducir fielmente todas las seales de baja frecuencia sin
aumentarnidisminuirsuganancia.Paraellosegraficalacurvaderespuestaconlas
frecuenciasdeaudioenelejexylagananciaexpresadaendecibelesenelejey.La
normaexigeunarespuestaenfrecuenciade4016,000Hzconvariacinde1.5
dbalapotencianominal.

1.1. AMPLIFICADORCLASEA
Enestetipodeamplificadorelpuntodeoperacinseubicaenlazonaactiva(para
el BJT) o en la regin de corriente constante (llamada tambin zona de saturacin
enlosFETs).Estaubicacindeberealizarsedemaneraquelasealcirculedurante
los360desuperodo.Cuandoestosucede,sedicequeelamplificadortrabajaen
claseA.

Para el anlisis y diseo de estos amplificadores es importante conocer los


conceptosderectasdecargaylaslimitacionesdeltransistordepotencia.

1.1.1. RECTASDECARGAESTATICAYDINAMICA
Enlamallacolectoremisordelcircuitodelafigura1.5podemosplantearlaleyde
tensionesdeKirchoff:

VCC=iC(RC+RE+RE/)+vCE (1.1)

Lacorrientetotaldecolectorsepuedeexpresarcomo:
iC=IC+ic (1.2)

Donde: iC=corrientetotaldecolector
IC=corrientecontinuadecolector
ic=corrientedesealdecolector

Cuando la corriente de colector aumenta, la tensin colectoremisor disminuye y


viceversa.Porello,podemosexpresarlosiguiente:
vCE=VCEvce (1.3)

Donde: vCE=tensintotalcolectoremisor
VCE=tensincontinuacolectoremisor
vce=tensindesealcolectoremisor

Reemplazando(1.2)y(1.3)enlaecuacin(1.1)obtenemos:
VCC+0=IC(RC+RE+RE/)+VCE+ic(RC+RE+RE/)vce (1.4)
ElectrnicaAnalgicaII
25
Debido a que la tensin de la fuente de alimentacin es constante, los trminos
con seal del lado derecho deben eliminarse entre s y podemos desdoblar la
ecuacin 1.4 en dos partes: Una, slo con los trminos de continua y la otra slo
conlostrminosdeseal.Esdecir:

VCC=IC(RC+RE+RE/)+VCE (1.5)

Laecuacin(1.5)recibeelnombrederectadecargaesttica.
0=ic(RC+RE+RE/)vce (1.6)

Laecuacin(1.6)recibeelnombrederectadecargadinmica.

Por lo anterior, podemos estudiar al amplificador analizndolo slo en continua y


luego slo con seal. Debemos indicar, sin embargo, que cuando las seales de
entrada son grandes, el transistor, como es un componente no lineal, producir
distorsineincluso,producirunniveldecontinua,originadoporelniveldeseal
deentrada,quealterarelpuntodeoperacin.Parareduciresteefectoydisminuir
las no linealidades de estos dispositivos se emplea la realimentacin negativa
(feedback),lacualseestudiarenelcaptulo2

Las ecuaciones 1.5 y 1.6 son vlidas para circuitos como el de la figura 1.5. Para
otras topologas, deber obtenerse sus rectas siguiendo las recomendaciones que
sedanacontinuacin:

RectaDC: Lascapacidadesseconsiderancircuitoabierto.
Lasbobinasseconsiderancortocircuitos(exceptocuandodeba
considerarsesuresistenciaenDC)
Lasfuentesdetensindesealsehacencero(cortocircuito)ose
reemplazanporsuresistenciainternaparaDC.
Lasfuentesdecorrientedesealsehacencero(circuitoabierto)o
sereemplazanporsuresistenciainternaparaDC.

RectaAC: Lascapacidadesgrandesseconsiderancortocircuitos.
Lasbobinasgrandesseconsiderancircuitosabiertos.
Lasfuentesdetensincontinuasehacencero(cortocircuito)ose
reemplazanporsuresistenciainternaparaAC.
Lasfuentesdecorrientecontinuasehacencero(circuitoabierto)o
sereemplazanporsuresistenciainternaparaAC.

ElectrnicaAnalgicaII
26
1.1.2. POTENCIAINSTANTNEAYPOTENCIAPROMEDIO
Si efectuamos el producto de la tensin y corriente totales en el transistor
obtenemoslosiguiente:

pce=vCEiC=(VCEvce)(IC+ic)=VCEIC+VCEicvceICvceic (1.7)

Laexpresin(1.7)representalaecuacindelapotenciainstantneadisipadaporel
transistor y las componentes de seal hacen que vare con el tiempo. En nuestro
estudionosinteresaprincipalmentelapotenciapromedio,lacualpuedeobtenerse
hallandoelvalorpromediodelapotenciainstantnea:
T
PC=(1/T)pcedt (1.8)
0

Trabajando con seales sinusoidales, la potencia promedio se puede expresar


como:

PC=VCEIC0.5VceIc (1.9)

Donde: Vce=tensinpicodesealsinusoidalcolectoremisor
Ic=corrientepicodesealsinusoidaldecolector
T=perododelaseal

Laecuacin1.9esvlidacuandoeltransistortrabajaenclaseA.

EltrminoVCEICcorrespondealapotenciapromedioproducidaporlosnivelesde
continuaeneltransistor(puntodeoperacin)

Eltrmino0.5VceIccorrespondealapotenciapromedioproducidaporlosniveles
de seal en el transistor. El signo negativo nos indica que cuando hay seal el
transistor disipa menos potencia. Si el nivel de seal aumenta al mximo, la
potencia promedio disipada por el transistor disminuye al mnimo. Si la seal se
hace cero, la potencia promedio que disipa el transistor alcanza su valor mximo.
Esto ltimo es importante porque nos informa que el amplificador clase A disipa
mxima potencia cuando no tiene seal de entrada. Observamos tambin que el
trmino 0.5 Vce Ic corresponde al producto de los valores eficaces de la tensin y
corrientesinusoidales.

Enlosequiposcomercialesseacostumbrahablardelapotenciarmsylapotencia
pmpo.
ElectrnicaAnalgicaII
27
El trmino potencia rms es un nombre comercial de la potencia promedio. En
realidad los valores eficaces (o rms) estn definidos para la tensin y corriente no
para la potencia; y, a partir de ellos, se obtiene la potencia promedio. Cuando
veamosqueenunequipocomercialdeaudiomencionaneltrminopotenciarms,
deberemosentenderqueserefierenalapotenciapromedio.

Enlosequiposcomercialestambinseacostumbrahablardelapotenciapmpo.La
potenciapmposerefiereaunapotenciamusicalpicoevaluadaenundeterminado
lapso (en esto se relaciona ms con la potencia instantnea) y no tiene relacin
directa con la potencia promedio, que es la que s nos indica la capacidad real del
equipo. Incluso, puede variar de un fabricante a otro con equipos similares. Su
valor es mucho ms alto que el de la potencia promedio. En los equipos
comercialesalcanzavaloresentre810vecesmsaltosquelapotenciapromedio.

1.1.3. LIMITESDELTRANSISTORBIPOLARDEPOTENCIA
La cantidad de potencia que se le podr entregar a una carga, tendr un lmite
establecido por los parmetros del transistor. De sus curvas caractersticas
podremosapreciardichaslimitaciones:

1. Limitaciones de carcter trmico: La mxima potencia promedio que el


transistor puede disipar est limitada por la temperatura que la juntura base
colector puede soportar. Por ello, todos los diseos de circuitos incluirn un
clculo delascondicionestrmicasparaasegurarque noseexcedala mxima
temperaturadejunturapermitida.

Pc(W)
- 1/Ojc
0 Tco
Pcmx
Tjmx

Fig.1.1

jceslaresistenciatrmicaentrejuntura(j)ylacpsula

La potencia promedio (Pc) disipada en el circuito de colector es igual al promedio


del producto de la corriente del colector por el voltaje colectorbase. La mxima
potenciapromediodecolectorpermitidaesespecificadaporlosfabricantes.
ElectrnicaAnalgicaII
28
En el grfico 1.1 observamos que el transistor puede disipar la potencia mxima
hasta la temperatura de la cpsula Tc0 (comnmente 25 C). Despus de ella la
disipacin de potencia debe ser reducida. La magnitud de la inversa de la
pendienterecibeelnombredeResistenciaTrmica,yesunparmetrodadoporlos
fabricantes. Con ella podemos calcular qu potencia puede disipar un transistor
cuandosutemperaturasuperaelvalorTc0.

Limitaciones de carcter elctrico: Relacionadas con la forma de las curvas, pues


cuandoqueremosamplificarunasealconlamenordistorsinposible,(claseA),se
debehacertrabajarelelementoactivoensuzonalineal(dondelascurvaspueden
considerarse lneas rectas, equidistantes y paralelas). De las curvas se aprecia las
limitacionesdecorrienteytensinenelfuncionamientodeltransistor.

a. BV
CEO
(Break down tensin de colector emisor base abierta): Para
grandestensionesdecolector,lascaractersticaspierdenlinealidaddebido
alarupturaenlaunindecolector(similaralefectoZeneroavalancha).En
transistoresdepotenciaestosvalorespuedenestarentre50y200voltios.
b. i
c
max(mxima corriente de colector) para grandes corrientes de colector,
las caractersticas quedan muy juntas, perdiendo linealidad y adems
sometiendoalasunionesadichascorrientes,sepuededaarfsicamenteal
transistor.
c. P
C
max:Enocasionesnohabrsealdeentradaenelamplificadoryluego,
elpuntodeoperacindebecorresponderaunadisipacindecolectorque
seasegura.Enlafigura1.2,podemosobservarotrasdoszonas:

ZONA DE SATURACION
2
Ib = 0.2A
Ic (A)
ZONA
SEGURA
PARA
110
GRADOS
25
6 Ib = 0.4A
4
Ib = 0.1A
Ib = 0.6A
Ib = 0.5A
Ib = 0.3A
5
Vce,sat
0
10 Vce (V)
Ib = 0A
ZONA DE CORTE
15 2
Pcmax = 40W a 110 grados
8
ZONA
DE
RUPTURA
Pcmax = 150W a 25 grados
ZONA
SEGURA
PARA
25
GRADOS
20

Fig.1.2

Saturacin: Para valores de V


CE
V
CE,
sat, se aprecia que Ic es muy grande
conlosresultadosconsideradosenicmax
ElectrnicaAnalgicaII
29
Sonvalorestpicospara:
Transistoresdebajapotencia(Pc<1w):=>Vce,sat=0.10.3v
Transistoresdepotencia(Pc>1w):=>Vce,sat=12v

Corte: Es el lmite inferior de la corriente del colector, donde las curvas


tambinpierdenlinealidad.Ennuestroestudionoseconsideraestazona.

d. Elconjuntodelasconsideracionesanteriores,vaalimitarensuinterior,la
llamada regin o zona activa, donde se obtendr amplificacin lineal.
Los lmites anteriores, comprenden las especificaciones del transistor, las
cuales sern proporcionadas por el fabricante en los manuales respectivos
y que debern ser tomadas en cuenta en el diseo para una operacin
adecuada.

Especificaciones:
i
cmx

BV
CEO
Pcmax=V
CEQ
I
CQ

Desdeluegotambinsedebeespecificarsu,f
T
,etc.

Sisegraficanlasespecificacionesanteriores(figura1.3):

ANTES DE CORREGIR POR TEMPERATURA


Vce
ZONA DE OPERACION SEGURA
PARA EL TRANSISTOR
BVceo
DESPUS DE CORREGIR POR TEMPERATURA
Ic

Fig.1.3

donde: Pcmax adopta la forma de una hiprbola (equiltera respecto al origen de


coordenadas), que representa el lugar geomtrico de todos los puntos de
operacinenloscualesladisipacinesexactamentePcmax.
ElectrnicaAnalgicaII
30
Hastaahora,enlasrelacionesdelanlisis,nosehantomadoencuentaloslmites
del transistor. La consideracin de estos lmites y especificaciones permitirn la
eleccincorrectadelpuntodeoperacin.

Debetenerseencuentalosiguiente:
1. De los grficos anteriores, se observa que para operacin segura, el punto de
operacin debe ubicarse debajo o en la hiprbola de disipacin mxima (la ya
corregidaportemperatura).
2. Adems, la lnea AC con pendiente (1/R
ac
), debe pasar a travs del punto Q e
intersectarelejeV
CE
aunvoltajemenorqueBV
CEO
y
3. Debeintersectarelejei
C
aunacorrientemenorquei
C
max

osea:2V
CC
BV
CEO
(1.10)
2I
CQ
i
C
max (1.11)

Observacin Importante: se debe tener presente que lo anterior es para


condiciones de mxima excursin simtrica, pues las rectas de alterna, podran
cortar los ejes, ms all de dichos lmites (desde luego en forma indeseable para
nuestrocaso).

La mxima excursin simtrica se obtiene trazando la recta mediana (figura 1.4).


Esta recta corta a la recta de carga dinmica en dos partes iguales. El punto de
cortedefinealpuntodeoperacinnecesarioparamximaexcursinsimtrica.

Larectamedianaodemximaexcursinsimtrica(M.E.S.)seobtienemediantela
recta de carga dinmica. Es prcticamente la misma ecuacin, slo que con
pendientepositivaytambincontienealpuntodeoperacin.

Luego, particularizando, para tener condiciones ptimas, si se desea mxima


excursinsimtrica,setendrquecumplir:

I
C0
=(1/R
L
)V
CEQ
ycon: Pcmax=V
CEQ
I
CQ

ElpuntoQser:
I
CQ
=(Pcmax/R
L
)
1/2
(1.12)
V
CEQ
=(Pcmax*R
L
)
1/2
(1.13)

SevequeenelpuntoQ.Lapendientedelahiprbolaes:
i
C
/VCE=I
CQ
/

V
CEQ
=

1/R
L

ElectrnicaAnalgicaII
31
Osea,lapendientedelalneaACeslamismaquelapendientedelahiprbolayla
lnea AC es tangente a la hiprbola en el punto Q cuando es lograda la mxima
excursinsimtrica(figura1.4).

Estasconsideracionessontilesparaelcasodediseo.

Finalmente, en el caso ms real y prctico, el otro lmite a considerar en los


clculos, es el impuesto por la regin de saturacin. En nuestra configuracin
circuital:V
CE,sat
.

LamayoradelosconceptosanteriorestambinsonaplicablesalosFETs.


recta dc
Vce
IcQ
Pcmax
Ic = Vce / RL
BVceo
Q
recta ac
VceQ
Ic

Fig.1.4

1.2. ESTUDIO DE DIVERSAS CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES DE


POTENCIADEAUDIOFRECUENCIAENCLASEA
Las ecuaciones que se van a deducir se aplican nicamente a las topologas
mostradas.Cuandosetengantopologasdiferentes,setendrquehacerelanlisis
respectivoparalaobtencindelasecuacionescorrespondientes.

1.2.1. AMPLIFICADORCLASEACONCARGAENCOLECTOR.
Enlafigura1.5semuestraunamplificadordeestetipo:
ElectrnicaAnalgicaII
32

R2
+
VBB
-
Rb
Q
R1
Rc Rc
RE
VCC VCC
RE
Q

Fig.1.5

Se puede hallar el circuito thevenin equivalente en la malla baseemisor, como se


muestra en la figura 1.5. Este circuito ser til para determinar los valores de R1,
R2yREquesonlosquepermitirnconseguirlacorrienterequeridaenelpuntode
operacin.

Rectadecargaesttica: VCC=IC(RC+RE+RE/)+VCE (1.14)

Si:>>1,laexpresinsereducea:
VCC=IC(RC+RE)+VCE (1.15)

Rectadecargadinmica: vce=ic(RC+RE) (1.16)

RectadeMximaExcursinSimtrica: vCE=iC(RC+RE) (1.17)

1.2.11.PUNTODEOPERACINPARAMXIMAEXCURSINSIMTRICA(IDEAL):
Comoenlaecuacin(1.17)seencuentraelpuntodeoperacin,secumplir:
VCEQ=ICQ(RC+RE) (1.18)

Reemplazando(1.18)en(1.15):
VCC=ICQ(RC+RE)+ICQ(RC+RE)

Dedonde: ICQ=VCC/[2(RC+RE)] (1.19)


Y: VCEQ=VCC/2 (1.20)

1.2.12.MXIMAPOTENCIADISIPADAPORELTRANSISTOR:
Cono se mencion anteriormente, cuando el transistor trabaja en clase A disipa
mximapotenciacuandonotienesealdeentrada.Entonces:
ElectrnicaAnalgicaII
33
PCmx=VCEQICQ (1.21)

1.2.13.MXIMAPOTENCIAENTREGADAALACARGA:
Silacargaeslaresistenciadecolector,lamximapotenciadesealquerecibela
cargaes:
PLmx=0.5(ICQ)
2
RC (1.22)

Enelcasoideallatensincolectoremisordesaturacinesceroylamxima
tensinpicodesealserigualaVCEQ;entonces:

PLmx=VCEQ
2
/2RC=VCC
2
/8RC (1.23)

1.2.14.MXIMAPOTENCIAENTREGADAPORLAFUENTE:
Lacorrientequeentregalafuenteestformadaporlacorrientetotalquevaporel
colectormslacorrientequevaporlareddepolarizacin(porR1).Esdecir:

pCC=VCC(iC+iR1)

Si trabajamos con seales sinusoidales, podemos hallar fcilmente la potencia


promedio(dadoqueelpromediodeunasinusoideescero):

PCC=VCC(ICQ+IR1) (1.24)

En los casos en que se cumpla: ICQ >> IR1, se puede hacer la siguiente
aproximacin:
PCC=VCCICQ (1.25)

EstoltimosepuedelograrfcilmenteenlosamplificadoresconFETdebidoaque
ellossecontrolancontensindeentradaytantoR1comoR2puedentenervalores
elevados.

1.2.15.PUNTODEOPERACINPARAMXIMAEXCURSINSIMTRICA(REAL):
En el caso real, la tensin colectoremisor de saturacin no es cero y ello obliga a
corregirlarectadeMximaExcursinSimtricaparaubicarelpuntodeoperacin
y obtener la mxima tensin y corriente pico de seal reales. Esto se consigue
desplazandolarectadeM.E.S.sobreelejedetensionesunacantidadigualaVCE,
sat:

RectacorregidadeMximaExcursinSimtrica:
vCE=iC(RC+RE)+VCE,sat (1.26)

ElectrnicaAnalgicaII
34
Elpuntodeoperacinrealser:
ICQ=[VCCVCE,sat]/[2(RC+RE)] (1.27)
VCEQ=[VCCVCE,sat]/2 (1.28)

Estosvaloresrealeslosutilizaremosparalosclculosdepotencia.

1.2.16.EFICIENCIA:
Laeficienciasedefinecomolarelacindelamximapotenciapromedioentregada
alacargadivididaporlamximapotenciapromedioentregadaporlafuente:
=PLmx/PCC (1.29)

ReemplazandolasexpresionesdePLmxyPCC,obtenemos:
=(0.5ICQ
2
RC)/(VCC(ICQ+IR1) (1.30)

Enelcasoidealsetiene:
VCE,sat=0,VCEQ=VCC/2,RE=0,ICQ>>IR1eICQ=VCC/[2(RC+RE)]

Conelloresulta:ideal=25% (1.31)

Enestetipo de amplificadoreslaeficiencia nopuede pasar del25% y, porello, de


cada 100 vatios que absorben de la fuente entregan menos de 25 a la carga y el
resto lo disipan ellos mismos. Esta baja eficiencia limita su uso a aplicaciones de
pequea potencia o como etapa previa de amplificadores de potencia ms
eficientes.SubajaeficienciasedebeaqueRCyRedisipanpotenciadecontinuay
desealalavez.

Una mejora se consigue evitando que la seal pase por Re y que la continua pase
porRC,locualselograconlassiguientesconfiguraciones.

1.2.17.FIGURADEMERITO:
Eslarelacinentrelamximapotenciadedisipacindecolectordeltransistor,ala
mximapotenciadisipadaenlacarga:

F=PCmx/PLmx (1.32)

ReemplazandolasexpresionesdePCmxyPLmxobtenemos:
F=VCCICQ/(0.5ICQ
2
RC)=(4(RC+RE)/RC (1.33)
Si:RE=0,lafigurademritollegaa F=4.0 (1.34)

ElectrnicaAnalgicaII
35
PROBLEMA 1.1:Parael siguientecircuito amplificadorcon resistenciaen colector,
determine:
a) Elpuntodeoperacin
b) Lamximaexcursinsimtricadelacorrientedelcolector;
c) Calculelaspotenciasyeficiencia.

Asuma:VCE,sat=0,silicio y=100

Rc = 1K
Ca1
VCC
ii
+
vce
-
Q
R2
VCC = 15 V
Rc
Re = 500
R1
Re

Fig.1.6

SOLUCION:
a) Aplicandola2leydekirchhoffalcircuitocolectoremisordelafigura1.6:
CircuitoenDC:LaecuacindelarectadecargaDC(figura1.7)
Re
VCC = VCE + Ic Rc + Ie Re
VCC
15 = Vce + Ic (1.5K) ......(a)
Si B >> 1, entonces Ie = Ic
Q
Luego: VCC = Vce + Ic (Rc + Re)
Rc

Fig.1.7

CircuitoenAC:LaecuacindelarectadecargaAC(figura1.8)
ElectrnicaAnalgicaII
36
Re
vce + ic Rc + ie Re = 0
vce = - ic (Rc + Re)
vce = - ic Rc - ie Re
Q
ie = ic
vce = - ic (1.5K) ......(b)
Rc

Fig.1.8

De(a)y(b)seobservaqueambasrectastienenlamismapendiente
(1/1.5kOhms)yquecoinciden(estnsuperpuestas).

Luego,graficando: i
c
maxocurrecuandov
CE
=0

En(a): i
c
max=15/1.5k=10mA

VCEQ
7.5
10
ICQ = 5
vCE
(V)
pendiente = - 1 / 1.5K
i C
(mA)
VCC
15

Fig.1.9

v
CE
maxocurrecuando: i
C
=0

En(a): v
CE
max=15v

Para lograr mxima excursin simtrica, se escoge el punto de operacin (a


partirdelcualseoriginanlasvariacionesdelasealqueocurrensobrelarecta
ElectrnicaAnalgicaII
37
AC y que en este caso coinciden con la DC), en el centro de la lnea de carga
dinmica.

Porlotanto I
CQ
=5mA
V
CEQ
=7.5v puntodeoperacin(puntoQ)

b) Y la mxima excursin simtrica de la corriente de colector (pico a pico), ser


de10mA(Lacorrientepicoser:Icm=5mA)
c) Clculodelaspotenciasyeficiencia.
Potencia proporcionada por la fuente DC (despreciando la corriente en el
circuitodebase):
De(1.25):P
CC
=V
CC
I
CQ
=15v(5x10
3
A)=75mW

Potenciasuministradaalacarga(R
C
)ycircuitodeemisor(RE):
Enestecaso:
( ) ( ) ( )
( ) ( )
E C
CM
CQ E L
T
E C C E C CQ E L
R R
I
I P P
dt R R i
T
R R I P P
+

+ = +
+ + + = +

2
1
2
2
0
2 2

Encondicionesdemximaexcursinsimtrica(Icm=ICQ)

Porlotanto max(P
L
+P
E
)=1.5k((5x10
3
)
2
+(5x10
3
)
2
/2)
max(P
L
+P
E
)=56.25mW

Potenciadisipadaeneltransistor:
T
PC=VCEQICQ+(1/T)vceicdt
0
Como:vce=ic(Rc+R
E
)
T
PC=VCEQICQ+(1/T)(Rc+R
E
)ic
2
dt
0
T
PC=37.5mW(1/T)(1.5K)ic
2
dt
0

PC=37.5mW750(Icm
2
)

ElectrnicaAnalgicaII
38
Se aprecia que la mxima disipacin de colector ocurre cuando no hay seal
ACenelcircuito,porlotanto
P
C
max=37.5x10
3
w

LamnimadisipacinocurrircuandoIcmseamxima,locualconIcm=I
CQ
=5
x10
3
Aporlotanto:

Pcmin=37.5x10
3
w(1500/2)(5x10
3
)
2

Pcmin=18.75x10
3
w

Eficiencia:de(37): =I
2
cm
Rc/(15v)(5x10
3
A)
=10
6
I
2
cm
/150

La eficiencia mxima ocurrir en este circuito cuando la potencia entregada a


lacargaseamxima,osea,cuando Icm=I
CQ
=5x10
3
A

Porlotanto
max
=16.7%<25%,queeslamximaobtenibleenestetipo
de circuito (resistencia en colector), pero que no se obtiene en este ejemplo
debidoaqueRenoesdespreciable.

GraficandolaanteriorenfuncindeIcm.

75
12.5
n max = 16.7%
ICQ
PLac
PC
18.75
P (mW)
PCC
Icm
n
37.5

Fig.1.10

PROBLEMA 1.2: Disee un amplificador clase A con carga en colector empleando


unMOSFETdeacumulacintipoIRF840.Lasealdeentradaesunasinusoidecon
frecuenciade1KHz.Serequiereunapotenciadesealenlacargade200mW.La
cargaesde100.
ElectrnicaAnalgicaII
39
SOLUCION:
Podemosemplearelesquemadelafigura1.11:
Q
IRF840
Vg
R2 Rs
Ca1
RL
100
Cs
VDD
R1

Fig.1.11

Delaecuacin1.22: PLmx=0.5(IDQ)
2
RL
Dedonde: IDQ=[2Plmx/RL]
1/2
=63.2mA

DelashojasdedatostcnicosdelMOSFETIRF840obtenemos:
Latensinumbralestcomprendidaenelrango: 2VVT4V

De las curvas caractersticas se observa que para VGS = 4.5V, ID = 1.2 A,


aproximadamente, en la regin de corriente constante. Con estos datos podemos
hallar la constante K del MOSFET, la que nos servir luego para determinar la
tensinVGSQnecesariaparanuestropuntodeoperacin.

K=ID/(VGSVT)
2

Como el fabricante no nos da un valor exacto de VT sino un rango, trabajaremos


conelvalorpromedioparahacerunaprimeraaproximacin:VT=(2+4)/2=3V

Luego:K=0.53A/V
2

ElectrnicaAnalgicaII
40
Obtenemos ahora la tensin VGSQ necesaria para lograr la corriente del punto de
operacinrequerido: VGSQ=(IDQ/K)
1/2
+VT=(63.2mA/0.53A/V
2
)
1/2
+3=3.34V
Rs se emplea para ayudar a estabilizar el punto de operacin. Un valor
recomendadoparaelloes: Rs=(VGSQ+VT)/IDQ=100.38

Tomaremoselvalorcomercialmscercano:Rs=100

Acontinuacinhallamoslatensinnecesariadelpuntodeoperacin:
De la ecuacin 1.26, adaptndola para el caso del MOSFET: VDSQ = IDQ (RL) +
VDSmn

No incluimos la resistencia Rs porque el condensador Cs acta como cortocircuito


paralasealylarectadeM.E.S.seobtieneapartirdelarectadecargadinmica.

Emplearemosunatensindrenadorfuentemnimade1V

Luego:VDSQ=IDQ(RL)+1=7.32V

Con estos valores determinamos la tensin necesaria para la fuente de


alimentacin,empleandolaecuacindelarectadecargaesttica:
VDD=IDQ(RL+Rs)+VDSQ=20V

El siguiente paso es determinar los valores de R


1
y R
2
para lograr el punto de
operacincalculado.

Latensinenelterminaldecompuertarespectoatierraes:VG=VGSQ+IDQRs=
9.32V

Como la corriente de compuerta es prcticamente cero, R


1
y R
2
pueden tener un
valor alto y bastar definir una mnima corriente que pase por ellas. Adems, los
valoresobtenidosdebenserlomscercanosposibleaunvalorcomercial

Sielegimos:R
2
=9.1K

Lacorrientequecirculeporellaser:IR2=9.32V/9.1K=1.024mA

Entonces:R
1
=(209.32)V/1.024mA=10K

Con estos valores procedemos ahora a simular el circuito en la computadora para


ajustarlosms.

ElectrnicaAnalgicaII
41
Losresultadosdelasimulacinencontinuanosdanlossiguientesvalores:
TensinenRe(nudoB):6.39V
Tensinenlacompuertarespectoatierra(nudoA):9.53V
Tensineneldrenadorrespectoatierra(nudoC):13.6V
Conestosvaloresobtenemos:IDQ=63.9mA,VDSQ=7.21V

Este punto de operacin es muy prximo al de diseo, por lo que no haremos


ajustes.

Encondicionesdinmicas,podemosobservar enlasfiguras1.12y1.13se observa


que la mxima excursin simtrica se logra con una tensin de entrada de 170
mVpico.Lamximatensinpicoenlacargaesde6.35V

Estevalorescercanoalvalorpicorequerido(6.63V),porloqueelsiguientepasoes
construirloenellaboratorioparaobtenerlosresultadosreales.

Q
IRF840
+
-
VDD
20V
1kHz
V1
-170m/170mV
Ca1
0.33uF
Cs
22uF
Rs
100
RL
100
R2
9.1k
R1
10k

Fig.1.12

ElectrnicaAnalgicaII
42
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
20.00 V
15.00 V
10.00 V
5.000 V
A: q_2

Fig.1.13

ObtencindeCs:
La resistencia aproximada que ve Cs es Rs. Como esta resistencia es
pequea,haremosqueCsdetermineellmiteregindebajafrecuencia.

Como la frecuencia de entrada es 1 KHz, haremos que Cs acte mucho ms


abajo.

Sifijamosestelmiteen100Hz,podemosigualar:
RsCs=1/[2(100)]=0.0016

Luego: Cs=16uF
Ypodemosemplearelvalorcomercialmscercano: Cs=22uF/10V

ObtencindeCa1:
LaresistenciaqueveCa1esmuchomsalta.HaremosqueCa1acteauna
frecuenciamuchomenorque100HzparaquenoinfluyaalavezqueCs.

Sifijamossuoperacinen10Hz,podemosigualar:
[R
1
//R
2
]Ca1=1/[2(10)]=0.016

Luego: Ca1=0.33uF

Ypodemosemplearelvalorcomercial: Ca1=0.33uF/16V

PROBLEMA 1.3: En el circuito de la figura siguiente: Ig(t) = 0.1 + 0.09 cos(wt)


amperios,hFE=20.Halle:
a)Lapotenciaentregadaporlabatera
b)Lapotenciaconsumidaenelresistorde3.
c)Lapotenciadisipadaporeltransistor
ElectrnicaAnalgicaII
43
SOLUCION:
a) Lacorrientedelgeneradoresigualalacorrientetotaldebase.
iB(t)=0.1+0.09cos(wt)
Lacorrientetotaldecolectores: iC(t)=hFE*iB(t)=2+1.8cos(wt)
Potenciapromedioentregadaporlabatera:

T
PCC=(1/T)VCCiC(t)dt
0
T
PCC=(12/T)[2+1.8cos(wt)]dt
0
PCC=12*2=24W
RL
3
Ig(t)
Q
VCC
12V

Fig.1.14

b) Lapotenciaconsumidaenelresistorde3.
T
PRL=(1/T)i
2
C(t)RLdt
0
T
PRL=(1/T)[2+1.8cos(wt)]
2
RLdt
0
T
PRL=(3/T)[5.62+7.2cos(wt)+1.62cos(2wt)]dt
0
PRL=3*5.62=16.86W
ElectrnicaAnalgicaII
44
c) Lapotenciadisipadaporeltransistor
T
PC=(1/T)v
CE
iC(t)dt
0
v
CE*
iC(t)
=
VCC*iC(t)i
2
C(t)RL
Reemplazando:
T
PC=(1/T)[VCC*iC(t)i
2
C(t)RL]dt=2416.86=7.14W
0

1.2.2. AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN EMISOR COMUN CLASE A CON


CHOQUEENCOLECTOR
El esquema del amplificador es el mostrado en la figura 1.15: L , rl 0, Ca2,
Ce

En este caso la bobina acta como una alta reactancia para la seal y como un
cortocircuitoparalacontinua.LacargaseacoplamedianteelcondensadorCa2(el
cual evita que pase corriente continua por la carga) y Re se desacopla de la seal
mediante un condensador de bypass Ce (para que no pase seal por ella). Estas
mejoraspermitenaumentarlaeficienciaylagananciadepotencia.

La resistencia r
L
es la que presenta el alambre de la bobina en continua y la cual
debeserpequea.

R2
Ig(t)
R1
RL
Re
L
rL
1
2
Ca2
Ce
Q
VCC

Fig.1.15
ElectrnicaAnalgicaII
45
1.2.21. Principio de funcionamiento: En el esquema, los resistores R1, R2 y Re
contribuyen a la polarizacin del circuito estableciendo el punto de operacin
adecuado(claseA,zonalineal)ymanteniendolaestabilidaddelmismo.As,R1yR2
forman un divisor de tensin a travs de la fuente V
CC
; este divisor proporciona
condicionesdepolarizacinalaunindeentrada(baseemisor),talesquelahacen
trabajarenformadirectayestandolaunindesalida(basecolector)polarizadaen
formainversa;eltransistor podrtrabajarenlazonaactiva y apto paraoperacin
enclaseA.

LaconfiguracinequivalentedeThevenindelcircuitoes:


L
rL
Ce
Ca2
Q
+
VBB
-
Rb
Re
VCC
Ca1
RL
ig

Fig.1.16

Dondelasrelacionescorrespondientesson:

V
BB
=V
CC
R
1
/(R
1
+R
2
)=V
CC
Rb/R
2
; Rb=R
1
R
2
/(R
1
+R
2
) (1.35)
R
2
=Rb(V
CC
/V
BB
) (1.36)
R
1
=Rb/(1(V
BB
/V
CC
)) (1.37)

Los transistores de potencia elevan su temperatura cuando estn en


funcionamiento y, debido a que los semiconductores son muy sensibles a la
temperatura, se alterar el punto de operacin. Por ello es necesario establecer
tcnicasdeestabilizacinycompensacindelpuntodeoperacin.

Una relacin importante a tener en consideracin en la estabilidad del punto de


operacineslaquehayentreRbyRe.As,paraeliminarvariacionesdelacorriente
deemisordebidoalasvariacionesenel(o)delostransistoresdelmismotipoy
que podran sacar al transistor del punto de trabajo inicial, llevndolo a zonas no
deseables(nolineales),setiene:
ElectrnicaAnalgicaII
46
Re>>(1)Rb Rb<<Re (1.38)

SepuedeemplearelsiguientevalorparaRb:
Rb=minRe/10 (1.39)

Adems,hayotrosfactoresqueintervienenenlavariacindelpuntodeoperacin
yquesedebenconsiderarenlaestabilizacin,comoseexplicaenseguida.

1.2.22.ESTABILIDADDELPUNTODEOPERACINDELTRANSISTORBIPOLAR
Lastcnicasquepermitenestabilizarelpuntodeoperacinpuedenclasificarseen
doscategoras:

1) Tcnicas de estabilizacin: Utilizan circuitos de polarizacin resistivos que


permitenquevareIBmanteniendoICrelativamenteconstanteantevariacionesde
ICBO,VBEy.
2)Tcnicasdecompensacin:Utilizandispositivossensiblesalatemperaturacomo
termistores, transistores, diodos, etc. que entregan corrientes y tensiones de
compensacinquemantienenalpuntodeoperacinprcticamenteconstante.

Tcnicasdeestabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la
tensinBaseEmisor(VBE)ydelaganancia().

La variacin de la corriente de colector debido a estos parmetros podemos


expresarlaaproximadamentepor:

IC=SIICBO+SVVBE+S (1.40)

SI=Factordeestabilidaddecorriente.
SV=Factordeestabilidaddetensin.
S=Factordeestabilidaddeganancia.
IC=Variacintotaldelacorrientedecolector.
ICBO=VariacintotaldelacorrienteICBO
VBE=VariacintotaldelatensinBaseEmisor
=Variacintotaldegananciadecorriente

Cadafactordeestabilidadpuededeterminarseasumiendoquelasdemsvariables
Semantienenconstantes.

ElectrnicaAnalgicaII
47
ElfactordeestabilidadSIseobtieneconlasiguienteecuacin:
SI=IC/ICBO, cuando:VBE=0y=0

MientrasmsgrandeesSI,elpuntodeoperacinesmsinestable.Elmnimovalor
posibledeSIes1.

LoscircuitosqueestabilizanelpuntodeoperacinrespectoavariacionesdeICBO,
tambin se comportan satisfactoriamente ante variaciones de VBE y . Por ello,
bastaobtenerunbuenfactordeestabilidadSI.

Laecuacingeneralquegobiernalacorrientedecolectordeltransistores:
IC=IB+(1+)ICBO (1.41)

DerivandorespectoaICobtenemos:
SI=(1+)/(1dIB/dIC) (1.42)

Deestaecuacinconcluimosqueparavaloresgrandesde,SIseaproximaala
unidad.

EltrminodIB/dICseobtieneapartirdelcircuitoqueutilicemos.Paraelclculo
deSIseconsideraqueVBEynovaran.

Tomemoscomoejemploelcircuitodelafigura1.7,cuyoequivalentedethevenin
seencuentraaladerecha:

EnlamallaBaseEmisorpodemosplantearlasiguienteecuacin:
VBB=IBRb+VBE+(IC+IB)Re

DerivandoestaecuacinrespectoaIC:
dIB/dIC=(Re/(Re+Rb))

ReemplazandoenlaecuacindeSIobtenemos:
SI=(1+Rb/Re)/(1+(Rb/(1+)Re)) (1.43)

Sihacemos:Rb=(1+)Re/10,tendremos:SI=(11+)/11

Para un valor de = 50 , se tiene: SI = 5.55; el cual es un buen factor, siendo 3 el


valorptimo.Tambinobservamosquesiesmsgrande,elfactordeestabilidad
empeora.Porejemplo,si:=100,SI=10.1.Enestecasoelfactordeestabilidadha
aumentado y tendremos que elegir otra relacin de Rb con Re para mantener SI
pequeo.
ElectrnicaAnalgicaII
48
Msadelanteveremoslastcnicasdecompensacin.

R2
+
VBB
-
Rb
Q
R1
Rc Rc
Re
VCC VCC
Re
Q

Fig.1.17

El condensador C
a1
sirve como acoplamiento de la seal de la fuente i
i
, con el
dispositivoamplificador.

Para consideraciones del anlisis matemtico se asume que las capacidades son
muy grandes (C ), de modo que las frecuencias de trabajo presentan una
reactancia muy pequea pudiendo considerrseles como cortocircuitos. En
consideraciones prcticas o reales, los valores a escoger deben cumplir con el
criterioanterior.As,porejemplo,elcondensadorCedebesertalquepresenteuna
reactanciaXcemuchomenorquelaimpedanciaqueve,lacualesReenparalelo
con la impedancia de entrada del transistor reflejada al emisor (se ver en
parmetros hbridos). Xce puede considerarse unas 10 a 100 veces menor, no
debiendo elegirse una capacidad excesivamente grande, pues pueden haber
problemasdetamao,transitorios,respuestadefrecuencia,corrientesdeperdida,
etc.

Sisetrabajanoenunafrecuencia,sinoenunrango(casodeAFde20Hza20KHz),
lareactanciasecalculaconlafrecuenciamsbaja.

ElectrnicaAnalgicaII
49
El inductor mostrado en el colector tiene por objeto aumentar la eficiencia del
circuito respecto al que emplea resistencia en colector. Adems, permite que la
tensincolectoremisoralcancedosveceselvalordelafuentedealimentacinV
CC
.
Esimportanterecalcarqueestoesparamximaexcursinsimtrica,sindistorsin,
pueslainductanciapuedehacerqueV
CE
seamayorque2V
CC
.

El valor de la inductancia es muy grande (L infinito) y se considera que su


resistencia es muy pequea (r
L
0). En la prctica se hacen consideraciones
anlogas a las de los condensadores. Los choques empleados en AF tienen ncleo
dehierro.

Enresumen:
Los condensadores se comportan como cortocircuitos a las frecuencias de
trabajodesealycomocircuitosabiertosparalacontinua.
Elinductorochoquesecomportacomocircuitoabiertoparalasealycomo
cortocircuitoparalacontinua.

Por otro lado, la configuracin de emisor comn proporciona adecuada ganancia


de potencia. Posteriormente se vern el empleo de las configuraciones en base
comnycolectorcomn.

1.2.23.Ubicacindelpuntodeoperacin:
Como se ver, el punto de operacin para este tipo de circuitos (gran seal), se
puede determinar en forma analtica o grfica a partir de las ecuaciones
descriptivas del comportamiento circuital. Las consideraciones a tener en cuenta
para la ubicacin del punto de operacin son las clases de operacin, lmites del
dispositivo y linealidad de la zona de trabajo, tratando de obtener la mxima
potenciadeseal.

Luego, para el circuito de la figura 1.8, aplicando la segunda ley de Kirchhoff


alrededordelcircuitocolectoremisor:

Encondicionesestticas(figura1.8),laresistenciadecargaDCesRe.

Ylarectadecargaestticaes:
VCC=VCE+ICRe (1.44)

Encondicionesdinmicas(figura1.9),laresistenciadecargaACesR
L
.

ElectrnicaAnalgicaII
50
Ylarectadecargadinmicaes:
vce+icRL=0 (1.45)
Apartirdelasexpresionesanteriores,sepodrdeterminarelpuntodeoperacin.
Sesabeque:v
CE
=V
CEQ
+v
ce
ei
C
=I
CQ
+i
c

Dedonde:(v
CE
V
CEQ
)=(i
C
I
CQ
)R
L
(1.46)

EstaexpresindelalneaACsepuedeescribircomo:
(i
C
I
CQ
)=(v
CE
V
CEQ
)/R
L
(1.47)

La cual es asimilable a la expresin de una lnea recta y luego graficarlo en las


curvascaractersticasdesalidadeltransistorenemisorcomn(i
C
v
s
v
CE
)de(1.3)el
mximovalordei
c
ocurrecuandov
CE
=0porlotanto:
i
C
max=I
CQ
+V
CEQ
/R
L
(1.48)

CircuitoenDC:ecuacindelalneadecargaDC
Q
Si: B >> 1, entonces Ie = Ic
+
Vce
-
Vcc = Vce + Ic Re
Re
Vcc = Vce + Ie Re
VCC
Ie
Ic

Fig.1.18

CircuitoenAC:ecuacindelalneadecargaAC

Q +
vce
-
vce = iL RL = - ic RL
vce + ic RL = 0
Re
RL
ie
iL
ic = -vce / RL
ic
ic = - iL

Fig.1.19
ElectrnicaAnalgicaII
51
Para obtener mxima excursin simtrica, el punto de operacin debe bisectar la
lneadecargaAC,detalmodoque:

i
C
max =2I
CQ
(1.49)

Sustituyendoen(1.48):
2ICQ=ICQ+VCEQ/RL

Portanto:I
CQ
=V
CEQ
/R
L
(1.50)

Enconsecuenciaelpuntodeoperacin(puntoQ)seencontrarenlarecta:
i
c
R
L
=v
ce
(1.51)

Esta recta pasa a travs del origen (pendiente positiva) y su interseccin con la
lnea DC determina el punto Q para mxima excursin simtrica (en el caso real
estarectanodebeiniciarseenelorigen,sinoenelpunto:Ic=0,Vce=Vce,sat).En
el caso de los FETs deber considerarse un voltaje mnimo drenadorfuente
(VDSmn) para evitar ingresar a la regin triodo (que es equivalente a la zona de
saturacindelBJT).

Sepuededemostrarquelalneai
c
R
L
=v
ce
bisectalalneaAC;enotraspalabras,que
representa el lugar geomtrico de los puntos medios a las rectas AC (recta
mediana).

EnlaexpresindelalneaDC(1.44)ycon:

I
C
=I
CQ
yV
CE
=V
CEQ
(puesnohayseal)

Queda: V
CC
=V
CEQ
+I
CQ
R
e
(1.52)
yde(1.50): V
CC
=V
CEQ
+V
CEQ
R
e
/R
L

V
CC
=V
CEQ
(1+R
e
/R
L
)

Portanto V
CEQ
=V
CC
/(1+R
e
/R
L
) (1.53)

Porlogeneral,R
e
seeligepequeaparaminimizarlasprdidasdepotencia.Luego,
si:R
L
>>R
e

V
CEQ
=V
CC
(1.54)

Ysisecumpleloanterior,laexpresin(1.50)seria
I
CQ
=V
CC
/R
L
(1.55)

ElectrnicaAnalgicaII
52
Elprocedimientoaseguirparalaconstruccingrficaes:
1. GraficarlalneaDC(de1.44)
2. Graficarlalneai
c
R
L
=v
ce
(rectamediana)atravsdelorigen
3. LainterseccinindicaelpuntoQ
4. LalneaACsedibujaatravsdelpuntoQyconpendientes1/R
L

Observaciones Importantes: Es de gran importancia tener en cuenta que hay, en


las expresiones anteriores, frmulas generales y otras obtenidas para casos
particulares,siguiendociertascondicionesprevias.Estoesdeconsiderarenlosdos
tipos de problemas, anlisis y diseo, en los que se calcular generalmente las
potencias,puntosdeoperacin,etc,queseentregaroenqueestafuncionandoel
circuito, limitado por los valores de los componentes ya fijados (anlisis), o en el
caso del diseo en que si habr mayor libertad y puesto que no hay mayores
limitaciones (si no las hubiera), nos permitir asumir las condiciones previas para
llegar a las frmulas particulares y ptimas. Esto se comprender mejor con
ejemplosilustrativosyconlaresolucindelosproblemaspropuestosenlaseccin
respectiva.

Por otro lado, an no se consideran los lmites del transistor y de la regin de


caracterstica lineal, esto con objeto de facilitar la comprensin del mtodo de
anlisisempleadoycuyaspautasnosservirnposteriormente.

1.2.24.CALCULODEPOTENCIAS:Elclculodepotenciasesmuyimportantepues
ademsdeproporcionarnosinformacinsobrelapotenciaquesepuedeentregara
la carga, nos permite apreciar si cumplimos con la capacidad de potencia que
puede disipar el transistor, si la fuente de alimentacin puede proporcionar la
potencia requerida, si los resistores empleados pueden soportar las potencias a
que sern sometidos, asimismo, para poder disear o elegir los disipadores
adecuados,etc.

En general, la potencia instantnea entregada o disipada por cualquier dispositivo


linealonolinealestdadpor:
p=V(t)I(t) (1.56)

donde:
V(t)eselvoltajetotalatravsdeldispositivo
V(t)=V
promedio
+v(t)
I(t)eslacorrientetotalquefluyeporeldispositivo
I(t)=I
promedio
+i(t)
i(t)yv(t)soncomponentesvariablesconeltiempo

ElectrnicaAnalgicaII
53
Enlaprctica,loquetienemayorimportanciaeselvalorpromediodelapotencia
instantnea ya que este valor nos indicar, por ejemplo, la cantidad de calor por
segundo que se disipar en una resistencia o la potencia mecnica que hay que
suministraraungeneradorquealimenteaunadeterminadacarga.

Estapotenciapromediosedenominaporestasrazones,lapotenciarealoactivay
suexpresines:
T
p=(1/T)V(t)I(t)dt (1.57)
0
Teselperiododecualquierparteperidicavariableconeltiempo,deV(t)oI(t)
Luego:
T
p=(1/T)(Vpr+v(t))(Ipr+i(t))dt (1.58)
0
T T T T
p=(1/T)VprIprdt+(1/T)Vpri(t)dt+(1/T)v(t)Iprdt+(1/T)v(t)i(t)dt
0 0 0 0

Sii(t)yv(t)tienevalorpromedioigualacero(casodelasondassinusoidales):
T T
(1/T)v(t)dt=(1/T)i(t)dt=0
0 0

T T
Entonces:p=(1/T)VprIprdt+(1/T)v(t)i(t)dt (1.59)
0 0

Estaecuacinexpresaquelapotenciamedia(opromedio)suministradaodisipada
porundispositivo,consistedelasumadelapotenciaentrminosDCylapotencia
entrminosAC.Luego,apartirdeloanterior:

1.2.25.POTENCIAENTREGADAALACARGA:Enlosclculosposterioresseasume
que las impedancias de carga son puramente resistivos y por tanto el factor de
potencia es la unidad. Para el circuito en estudio (figura 1) despreciando la
potencia disipada en la resistencia de emisor, las corrientes y voltajes de inters
son:
i
C
=I
CQ
+i
c
i
L
=i
c

i
fuente
=i
R2
+i
CHOKE
(1.60)
i
fuente
=i
R2
+(i
c
+i
L
)

ElectrnicaAnalgicaII
54
considerando despreciable i
R2
y como el choke tiene una inductancia muy
grande, no fluye corriente AC a travs de l y como la corriente i
L
es slo AC
(debido a C
a2
), luego se puede representar dicho choke por una fuente de
corrienteconstanteydevalorI
CQ

i
fuente
=I
CQ
(1.61)

adems:v
L
=i
L
R
L
=icR
L

Siconsideramosquelacorrientedesealessinusoidal:
i
L
=I
im
senwt i
c
=I
cm
senwt

De(1.60)y(1.61)se deducequeel mayor valor pico quepuedetenerla corriente


ACdecolector,esI
CQ

Porlotanto i
c
max=I
CQ
senwt

Locualimplicaque
I
cm
max<=I
CQ
(1.62)

Esto es para operacin en clase A, sin distorsin (en cuanto a mxima excursin
simtrica).

Ahoraseobtendrlaexpresindelapotenciamediadisipadaenlacarga(eneste
casoslohaycontribucindetrminosAC)
T T
PL=(1/T)(iL(t))
2
RLdt+(1/T)(i(t))
2
RLdt
0 0

SiiLessinusoidal:i
L
=I
LM
coswt
T T
PL=(1/T)R
L
(Icmcoswt)
2
dt+((RL(Icm
2
)/2T)(1+cos2wt)dt
0 0
PL=(ILm
2
R
L
)/2=(ICm
2
R
L
)/2 (1.63)

Se deduce que la potencia aumenta parablicamente con I


Lm
o I
Cm
. Luego, la
mxima potencia ser disipada en la carga cuando se logre el mayor I
CM
. Si la
corrientedelcolectordeoperacinsehaelegidoparamximaexcursin:

I
cm
max=I
CQ

porlotanto P
L
max=I
2
CQ
R
L
/2 (1.64)
ElectrnicaAnalgicaII
55
combinandocon(12):
P
L
max=V
2
CC
/2R
L
(1.65)

Observacin:Tenerpresentelasconsideracionesseguidasparaobtener(1.65),una
de las cuales era tener Re pequea. Respecto a cun pequea debe ser Re, de las
expresiones iniciales del thevenin equivalente se observa que al disminuir Re,
debemos disminuir Rb la cual resultara en un decremento de la ganancia de
corriente(comosedemuestraconelestudiodelosparmetroshbridos).Estosera
un lmite prctico en la eleccin del valor de Re para un valor dado de estabilidad
frenteavariacionesdeytemperatura.

1.2.26.POTENCIAPROMEDIOENTREGADAPORLAFUENTEDC
T
Pfuente=PCC=(1/T)VCCifuentedt
0
T
PCC=(1/T)VCCICQdt
0
P
CC
=V
CC
I
CQ
(1.66)

osinconsiderar(1.61)
T
PCC=(1/T)V
CC
iC(t)dt
0
ydespreciandoiR2: T
PCC=(1/T)V
CC
(ICQ+iC(t))dt
0
Coni
c
sinusoidal:
P
CC
=V
CC
I
CQ

La cual es constante e independiente de la potencia de seal para las condiciones


sin distorsin asumidas bajo estas condiciones y si I
CQ
se ha elegido para lograr la
mximaexcursin:
P
CC
=V
2
CC
/R
L
(1.67)
R
L
>>Re
I
CQ
=V
CC
/R
L

1.2.27. POTENCIA PROMEDIO DISIPADA EN COLECTOR: La potencia instantnea


disipadaenuntransistorbajocualquiercircunstanciaestdadapor:

p
T
=v
CB
i
C
+v
BE
i
E

ElectrnicaAnalgicaII
56
donde: v
CB
i
C
=p
C
,eslapotenciadisipadaenlaunidaddelcolector
v
BE
i
E
,eslapotenciadisipadaenlaunindeemisor

como:i
E
=i
C
+i
B
,entonces
p
T
=v
CE
i
C
+v
BE
i
B

Si el transistor no es excitado hasta la saturacin, la contribucin del segundo


trmino,v
BE
i
B
,esdespreciableysetendr:

p
T
=v
CE
i
C

Estaecuacinnosindicaquelapotenciadisipadaeneltransistoresprcticamente
lapotenciadisipadaenlaunindecolector: p
C
=v
CE
i
C

Lapotenciapromediodisipadaenelcolectores:
T
PC=(1/T)V
CE
iC(t)dt
0

Donde:v
CE
=V
CEQ
+v
ce
; i
C
=I
CQ
+i
c

Siv
ce
oi
c
sonsinusoidales:
T
P
C
=VCEQICQ+(1/T)vceicdt
0
Paramximaexcursinsimtrica:
Pc=V
CEQ
I
CQ
I
2
CQ
(R
L
+Re)/2

SiR
L
>>Re:
Pc=V
CEQ
I
CQ
I
2
CQ
R
L
/2=P
CC
P
L

Luego:
Pc
min
=V
2
CC
/2R
L

Sinseal:
Pc
max
=V
CC
I
CQ
=V
2
CC
/R
L

1.2.28. EFICIENCIA: Es un factor que indica la relacin de potencia de seal


entregadaalacargaalapotenciaentregadaporlafuente

ElectrnicaAnalgicaII
57
De(1.65)y(1.66):
=P
L
ac/P
CC
=I
2
cm(R
L
/2)/V
CC
I
CQ
(1.68)

encondicionesmximas[Icm=I
CQ
yde1.67]
mx==50% (1.69)

Lacualeslamximaeficienciaquesepodraobtenerdeestetipodeamplificadory
queeseldobledelqueseobtienesiseusaresistenciaencolector.Serecuerdaque
estos clculos se hacen con seal sinusoidal, pues en el caso de onda cuadrada la
eficienciamximaquesepuedealcanzaresel100%.

1.2.29.Figurademrito:Eslarelacinentrelamximapotenciadedisipacinde
colectordeltransistor,alamximapotenciadisipadaenlacarga.
F=P
C
max/P
L
max (1.70)

EnlascondicionesmximasF=2 (1.71)

Esta figura de mrito es la mxima que posee el amplificador con choke en


colector.

PROBLEMA1.4:Enelcircuitodelafigurasiguiente,calcule:
a)ElpuntoQparamximaexcursinsimtrica.
b)R1yR2
c)PLmx Eltransistoresdesilicio,con: =50
d)PCC CeyCa2tienenreactanciadespreciable
e)PCmx Ltienereactanciamuyalta.
f)Laeficiencia
g)Especifiqueeltransistor.
RL
100 Ig(t)
Q
Ca2
Re
11
L
rL = 14
R1
VCC
12V
R2 Ce

Fig.1.20
ElectrnicaAnalgicaII
58
SOLUCION:
a) Puntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica:
RectaDC: VCC=IC(rL+Re)+VCE=25IC+VCE

Laresistenciadelabobinaactaencontinuaydebesertomadaencuenta
RectaAC: vce=icRL=100ic
Rectademximaexcursinsimtrica:vCE=+iCRL

DebidoaquenonosespecificanelvalordeVCE,satasumimosqueescero
Comoestarectacontienealpuntodeoperacin,debecumplirse:VCEQ=+ICQ
RL
ReemplazandoenlarectaDC:VCC=25ICQ+ICQRL=125ICQ

Dedonde:ICQ=12/125=96mA
Luego: VCEQ=+ICQRL=9.6V

b) R1yR2:
Parabuenaestabilidaddelpuntodeoperacinobtenemos:
Empleamos:Rb=(1+)Re/10=56.1

Luego:V
BB
=IBRb+VBE+IEQRe=96mA(56.1/50)+0.7+96mA(11)=1.86V
De1.36: R
1
=Rb(V
CC
/V
BB
))=360
De1.37: R
2
=Rb/[1(V
CC
/V
BB
)]=66

c) ClculodeP
L
mx:
De1.64: P
L
max=I
2
CQ
R
L
/2=460.8mW

d) ClculodePCC:
De1.66: P
CC
=V
CC
I
CQ
=12*0.096=1.152W

e) ClculodePCmx:
EnclaseAsetiene:PCmx=VCEQICQ=9.6*0.096=921.6mW

f) Clculodelaeficiencia:
De1.68 =I
2
CQ(R
L
/2)/V
CC
I
CQ
=460/1152=39.9%

g) Especificacindeltransistor:
Lamximatensincolectoremisorquesoportares:2VCEQ
Entoncesdebecumplirse:BVCEO>19.2V
Lamximacorrientedecolectorqueconducires: 2I
CQ

Entoncesdebecumplirse:iCmx>192mA
ElectrnicaAnalgicaII
59
Lamximapotenciaquevaadisipares:921.6mW
Entonces debe elegirse un transistor que disipe ms de 921.6 mW a la
temperaturadetrabajo.

PROBLEMA 1.5: En el siguiente circuito, el transistor tiene las siguientes


especificaciones: iCmx = 300mA, BVCEO = 40V, PCmx = 1W, VCE,sat = 0.5V, =
50,silicio.Calcule:

a) ElpuntoQparamximaexcursinsimtrica.
b) Re,VCC,R1yR2
c) PLmx
d) PCC CeyCa2tienenreactanciadespreciable
e) PCmxyPCmn Ltienereactanciamuyalta.
f) Laeficiencia

SOLUCION:
a) Puntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica:
RectaDC: VCC=IC(Re)+VCE
RectaAC: vce=icRL=100ic
Rectademximaexcursinsimtrica:vCE=+iCRL+VCE,sat=100ic+0.5
Comoestarectacontienealpuntodeoperacin,debecumplirse:VCEQ=100
ICQ+0.5

ReemplazandoenlarectaDC:VCC=ReICQ+100ICQ+0.5
Paraelmximoaprovechamientodeltransistordebecumplirse:
PCmx=VCEQICQ

Conlasdosecuacionesanteriorespodemosobtenerunaecuacindesegundo
gradoparahallarICQ:
ICQ=(VCE,sat/2RL)+[(PCmx/RL)+(VCE,sat/2RL)
2
]
(0.5)

Reemplazandovaloresyefectuando: ICQ=97.5mA
ReemplazandoenlarectadeM.E.S.obtenemos:VCEQ=10.25V
ElectrnicaAnalgicaII
60
R2
RL
100
Ig(t)
R1
Re
L
1
2
Ca2
Ce
Q
VCC

Fig.1.21

b) ObtencindeRe,VCC,R1yR2
ParaquelasprdidasenRenoseanmuyaltas,elegimos:Re<<RL
Entonces: Re=RL/20=5

Delarectadecargaesttica:VCC=VCEQ+ICQRe=11V
ObtencindeR1yR2:

Parabuenaestabilidaddelpuntodeoperacinempleamos:
Rb=(1+)Re/10=25.5

Luego:V
BB
=IBRb+VBE+IEQRe=1.24V
De1.36: R
1
=Rb(V
CC
/V
BB
))=226
De1.37: R
2
=Rb/[1(V
BB
/VCC)]=28.7

c) ClculodeP
L
mx:
De1.64: P
L
max=I
2
CQ
R
L
/2=(VCEQVCE,sat)
2
/2RL=475mW

d) ClculodePCC:
De1.66: P
CC
=V
CC
I
CQ
=11*0.0975=1.0725W

e) ClculodePCmxyPCmn:
EnclaseAsetiene: PCmx=VCEQICQ=10.25*0.0975=1W
PCmn=VCEQICQPLmx=1W0.475W=525mW

f) Clculodelaeficiencia:
De1.68 =P
L
max/P
CC
=525/1072.5=48.95%

ElectrnicaAnalgicaII
61
PROBLEMA1.6:Enelsiguientecircuito,sedeseaobtener4Wenlacarga.VCE,sat
=1V,=50,silicio,VCC=12V.

a) DetermineelpuntoQparamximaexcursinsimtrica.
b) PCC CeyCa2tienenreactanciadespreciable
c) Laeficiencia Ltienereactanciamuyalta.
d) Indiquelasespecificacionesdeltransistor

SOLUCION:
a) DeterminacindelpuntoQparamximaexcursinsimtrica:
P
L
max=(VCEQVCE,sat)
2
/2RL=I
2
CQ
R
L
/2
Despejando:VCEQ=[2RLP
L
max]
1/2
+VCE,sat=8.94+1=10V

ICQ=[2P
L
max/RL]
1/2
=1A

b) ClculodePCC:
PCC=VCC*ICQ=12*1=12W


R2
RL
10
Ig(t)
R1
Re
L
1
2
Ca2
Ce
Q
VCC
12V

Fig.1.22

c) Clculodelaeficiencia: .
De1.68 =P
L
max/P
CC
=4W/12W=33.3%

d) Especificacindeltransistor:
Lamximatensincolectoremisorquesoportares:2VCEQ
Entoncesdebecumplirse:BVCEO>20V

ElectrnicaAnalgicaII
62
b) ClculodePCC:
PCC=VCC*ICQ=12*1=12W
Lamximacorrientedecolectorqueconducires: 2ICQ
Entoncesdebecumplirse:iCmx>2A
Lamximapotenciaquevaadisipares:4W

1.2.3.AMPLIFICADORDEPOTENCIAENEMISORCOMUNCLASEACONACOPLO
PORTRANSFORMADOR
Elfuncionamientodeestoscircuitosessimilaraldechokeencolector.Enestecaso
el primario del transformador hace el papel de la bobina de choke, pero se
aprovecha la propiedad de transformacin de impedancias de estos dispositivos.
Sinembargo,tambintienensuslimitacionesy,porello,haremosunbreverepaso
delosprincipiosfsicosinvolucradosensufuncionamiento.

1.2.31. TRANSFORMADORES: Se denomina as a un conjunto de bobinas


enrolladasenunmismoncleoyquetienenacoplomagntico.

1.2.311.CAMPOMAGNTICO
Lacreacindelasondaselectromagnticasporlacorrienteelctricaesuna delas
mltiples manifestaciones de la estrecha relacin que hay entre los fenmenos
elctricos y magnticos. Todo desplazamiento de electrones engendra en la
proximidadunestadoparticulardelespacioquesedenominaCAMPOMAGNTICO.
Laagujaimantadadeunabrjula,orientndoseperpendicularmentealconductor,
denota la presencia de un campo magntico creado alrededor de un conductor
recorrido por una corriente. Si se invierte el sentido de la corriente, la aguja gira
media vuelta, lo que demuestra que el campo magntico tiene una polaridad que
est determinada por el sentido de la corriente. El campo magntico de un
conductor se puede hacer ms intenso arrollando este conductor ( hilo metlico)
en forma de bobina. Los campos magnticos de las espiras se suman y la bobina
recorrida por la corriente acta a modo de un verdadero imn recto. La accin de
esteimnserefuerzaintroduciendounabarradehierroenelinteriordelabobina.
El hierro presenta a las fuerzas magnticas mayor PERMEABILIDAD que el aire.
Entonces el campo magntico se concentra en el NCLEO MAGNTICO as
constituido,yobtenemosunELECTROIMN.Sielncleoesdehierrodulce,pierde
su imantacin cuando se interrumpe la corriente (no conserva ms que una
pequeapartededichaimantacin).Siesdeacero,permaneceimantado.Poreste
procedimientosefabricanactualmentelosimanesartificiales.

1.2.312:INDUCCION
As como las variaciones de la corriente elctrica producen variaciones del campo
magntico que ha creado, inversamente, las variaciones del campo magntico
ElectrnicaAnalgicaII
63
engendran corrientes variables en los conductores. As es como aproximando o
alejando entre s un imn y una bobina hacemos aparecer en sta una corriente
peroslomientrassemuevaelimn,esdecirdurantelavariacindelcampo.Hay
que sealar que es la variacin y no la simple presencia de un campo lo que
engendralascorrientesenelconductor.Enlugardeunimn,sepuedeaproximar
un electroimn formado por una bobina recorrida por una corriente continua; el
resultado ser el mismo. Tambin se puede fijar esta bobina en la vecindad o
proximidaddelaotrayhacerquesearecorridaporunacorrientevariable;as,una
corriente alterna que recorra la primera bobina originar una corriente alterna en
la segunda. Estamos en presencia de los fenmenos de INDUCCIN. Sin que sea
necesario establecer un contacto material, hay un ACOPLAMIENTO MAGNTICO
entrelasdosbobinasenelconjunto,constituyendoasuntransformadorelctrico.

1.2.313:LEYDELENZ
Seobservaquelacorrienteinducidaseoponeencadainstantealasvariacionesde
la corriente inductora. Cuando esta aumenta, la corriente inducida circula en el
sentido opuesto. Y cuando la corriente inductora disminuye, la corriente inducida
circula en el mismo sentido. Los fenmenos de induccin obedecen segn esto a
unaley muygeneral delanaturaleza:ladela accinydelareaccin.Lacorriente
inducida depende de la velocidad de variacin de la corriente inductora as como
desuintensidad.

Fig.1.23

1.2.314:AUTOINDUCCION
Si la corriente que circula por una bobina, induce corrientes en otras bobinas
colocadas en su proximidad, con ms razn las induce en las propias espiras de la
bobina por la que circula. Este fenmeno de Autoinduccin est sometido a las
mismasleyesquelasquerigenlainduccin.Porconsiguiente,cuandolaintensidad
delacorrientequecirculaporlabobinatiendeaaumentar,seoriginaunacorriente
de autoinduccin en sentido opuesto, que retarda el aumento de la corriente
inductora. Por esta razn, si se aplica una tensin continua a una bobina, la
corriente que en ella se establece no puede alcanzar instantneamente su
intensidad normal; para esto necesita un cierto tiempo, tanto ms largo cuanto
ElectrnicaAnalgicaII
64
ms elevada es la autoinduccin de la bobina. Del mismo modo, cuando
aumentamos progresivamente la tensin en los extremos de la bobina, la
intensidaddelacorrienteseguiresteaumentoconunciertoretardo,actuandola
corriente deautoinduccinensentidoopuesto.Porelcontrario,sidisminuimosla
tensinaplicadaalabobina,tambinseproducirladisminucindeintensidadcon
un cierto retardo, circulando entonces la corriente de autoinduccin en el mismo
sentido que la corriente inductora y prolongndola en cierto modo. En el caso
extremo, cuando se suprime bruscamente la tensin aplicada a una bobina (
abriendo, por ejemplo, un interruptor), la variacin muy rpida de la corriente
inductora provoca una tensin inducida que puede ser de valor elevado y originar
unachispaquesalteentreloscontactosdelinterruptor

1.2.315:INDUCTANCIA
Cuando se aplica una tensin alterna a una bobina de autoinduccin, la corriente
alternaquecreaproduceuncampomagnticoalternoque,asuvez,mantieneuna
corriente de autoinduccin que se opone constantemente a las variaciones de la
corriente inductora y, en consecuencia, impide que sta alcance la intensidad
mxima que hubiera podido tener en ausencia de autoinduccin. No olvidemos
que, cuando la corriente inductora aumenta, la corriente inducida va en sentido
inversoy,porconsiguiente,deberserrestada.Esteefectoseentiendecomosila
resistencia normal (se dice hmica) del conductor se sumase a otra resistencia
debida a la autoinduccin. Esta resistencia de autoinduccin o INDUCTANCIA es
tanto ms elevada cuanto mayor es la frecuencia de la corriente (puesto que las
variaciones ms rpidas de la corriente inductora suscitan corrientes de
autoinduccinmsintensasypuestoquelapropiaautoinduccinesmselevada).
La autoinduccin de una bobina depende nicamente de sus propiedades
geomtricas, nmero y dimetro de espiras y su disposicin. Aumenta con el
nmero de espiras. La introduccin en ella de un ncleo de hierro intensifica el
campo magntico y eleva la autoinduccin en proporciones considerables. La
autoinduccindeunabobinaseexpresaenHENRIOS(H)oensubmltiplosdeesta
unidad,elMILIHENRIO(mH)queeslamilsimadelhenrioyelMICROHENRIO(H),
millonsimadelhenrio.

En la figura 1.24 se muestra la relacin entre la corriente inductora y la corriente


inducida: Arriba, la corriente alterna inductora. Abajo, la corriente inducida por la
corrienteinductora.

1. Lacorrienteinductoraaumentamuyrpidamente.Lacorrienteinducidaesde
sentidocontrario.
ElectrnicaAnalgicaII
65
2. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo. La corriente
inducidaesnula.
3. Lacorrienteinductoradisminuye.Lacorrienteinducidatieneelmismosentido.
4. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo. La corriente
inducidaesnula

Fig.1.24

1.2.316:ECUACIONESDELTRANSFORMADOR
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaplaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.

Fig.1.25

V1=sLpI1+sMI2 (1.72)
V2=sMI1+sLsI2 (1.73)

Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes

En forma anloga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos


que cumplan con las ecuaciones mostradas y todos ellos sern modelos del
transformador
ElectrnicaAnalgicaII
66
Unodesusmodelosmsusadoseselsiguiente:
Ldp
n:1
IDEAL
rp rs
Lm
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin

Fig.1.26

1.2.317:TRANSFORMADORIDEAL:
Elconceptodeltransformadoridealesunasimplificacinquepermiterepresentar
transformadores reales y puede ser utilizado como modelo inicial de un
transformador.

Si comparamos con el esquema de la figura 1.22, en el transformador ideal se


tiene:
rp=0,rs=0,Ldp=0,Lds=0yLm=

Adicionalmente, el transformador ideal puede trabajar a cualquier frecuencia y


manejarcualquierpotencia.Todalapotenciaquerecibeenelprimariolatransfiere
alsecundario(tieneeficienciadel100%)

Si: VpeIpsonlatensinycorrienteaplicadasalprimario,y
VseIssonlatensinycorrienteenelsecundario

Secumplir:
Vp*Ip=Vs*Is (1.73)

Sedefinelarelacindetransformacincomo:
n=Vp/Vs (1.74)

Reemplazando1.74en1.75obtenemos:
n=Is/Ip (1.75)

ElectrnicaAnalgicaII
67
Si dividimos Vp entre Ip obtendremos la impedancia (Zp) que se ve desde el
primario:
Zp=Vp/Ip=Vs*Is/Ip
2
=n
2
Vs/Is

DondeVs/Isrepresentalacargacolocadaenelsecundario:
Osea: RL=Vs/Is

Porello,llegamosalasiguienteexpresin:
Zp=n
2
RL (1.76)

Que es una expresin muy utilizada incluso en los transformadores reales y


representa la resistencia (o impedancia) reflejada al primario. En forma anloga
tambinsepuedeobtenerlaresistencia(oimpedancia)reflejadaalsecundario.

A pesar que estas relaciones se deducen para el transformador ideal tambin se


cumplenconbastanteaproximacineneltransformadorreal

A continuacin veremos su aplicacin en el amplificador clase A con acoplo por


transformador(figura1.23):
Ce
VCC
Vg
T
n:1
Q
Re
R1
R2
Ca1
RL

Fig.1.27

El mtodo de anlisis es similar al de choke en colector, considerndose el efecto


de conversin de impedancia que lleva a cabo el transformador y tambin su
eficiencia(eltransformadorrealpresentaprdidasenlosconductoresqueforman
ElectrnicaAnalgicaII
68
susbobinasyensuncleo,porloquesueficiencianoesdel100%).Paraunclculo
inicial,sepuedeusarelconceptodetransformadoridealyluegohacerlos ajustes
empleandolascaractersticasreales

1.2.32. POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: En este caso, la resistencia para


sealqueofreceelprimarioesdadaporlaecuacin1.76: Zp=n
2
RL

Empleandolaecuacin1.63:
PL=(I
2
Cm

n
2
RL)/2 (1.77)
Luego: PLmx=(I
2
CQ

n
2
RL)/2 (1.78)

1.2.33.POTENCIAPROMEDIOENTREGADAPORLAFUENTEDC
Empleandolaecuacin1.66:
P
CC
=V
CC
I
CQ

1.2.34. POTENCIA PROMEDIO DISIPADA EN COLECTOR: Empleando la ecuacin


1.21:
PCmx=VCEQICQ

1.2.35.EFICIENCIA:Aplicandolaecuacin1.68:
=I
2
CQ(n
2
RL

/2)/V
CEQ
I
CQ
(1.79)

encondicionesideales[VCEQ=VCCyde1.67]
mx==50%

1.2.36.FIGURADEMRITO:Aplicandolaecuacin1.70:
F=P
C
max/P
L
max

EnlascondicionesmximasF=2

Esta figura de mrito es la mxima para este circuito y es la mxima que posee el
amplificadorconacoploportransformador.

PROBLEMA1.7:Enelsiguientecircuitosetieneuntransistordesiliciocon=100
yademsPLmx=1W.Halle:

a) ElpuntoQ.
b) R1
c) PCCtotal
d) PCmxyPCmn
e) total
ElectrnicaAnalgicaII
69
Eltransformadoresideal.Lascapacidadestienenreactanciasdespreciables.

SOLUCION:
a) ClculodelpuntoQ:
Laresistenciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
RL=64
Como ya est definida la potencia de salida, usamos la ecuacin 1.78 para
calcularICQ:

PLmx=(I
2
CQ

n
2
RL)/2
Yobtenemos: ICQ=177mA

RectaDC: 12=VCE+2IE
Como:>>1entonces:IE=ICyobtenemos: 12=VCE+2IC

C1
12V
Re
2
Ce
T
2:1
1 5
4 8 R1
R2
22
Vg
RL
16
Q

Fig.1.28

LarectaDCcontienealpuntodeoperacinypodemosobtener:
VCEQ=11.64V

b) ClculodeR1:
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re) =
1.054V
LacorrientequecirculaporR2es: IR2=1.054/22=47.9mA

ConestosdatospodemoscalcularR1:
R1=(121.054)/(0.0479+0.177/100)=(10.946)(0.04967)=220.37

ElectrnicaAnalgicaII
70
c) ClculodePCCtotal:
PCCtotal=V
CC
(I
CQ
+IR1+IB)=12(0.177+0.0479+0.177/100)=2.72W

d) ClculodePCmxyPcmn:
El transistor en clase A disipa mxima potencia cuando no tiene seal de
entrada:

PCmx=VCEQ*ICQ=(11.64)(0.177)=2.06W

EltransistorenclaseAdisipamnimapotenciacuandotienemximasealde
entrada:
PCmn=VCEQ*ICQPLmx=2.061=1.06W

e) Clculodetotal
total=PLmx/PCC=1/2.72=36.8%

PROBLEMA1.8:Enelsiguientecircuito,halle:
a) ElpuntoQ
b) PLmx Eltransistoresdesiliciocon=100
c) PCC
d) total
Lascapacidadestienenreactanciadespreciable.

SOLUCION:
a) ClculodelpuntoQ:
RectaDC: 12=VCE+4IE
Como:>>1entonces:IE=ICyobtenemos: 12=VCE+4IC
Recta AC: La resistencia reflejada al primario por el transformador es: Rp =
n
2
RL=16

Luego: vce=18ic

Re1noescortocircuitadaporCeyporellotambinintervieneenlarectaAC.

Como R1 y R2 estn definidas, el punto de operacin lo determinan ellas y


debemoscalcularlo:
ElectrnicaAnalgicaII
71
C1
C
12V
Re2
2
RL
4
Ce
T
2:1
1 5
4 8 R1
470
R2
56
Vg
Re1
2
Q

Fig.1.29

Laresistenciadethevenines: Rb=470//56=50
Latensindethevenines: Vbb=(12*56)/(470+56)=1.28V

ParahallarICQplanteamoslaecuacinenlamallabaseemisor:
Vbb=IBRb+VBE+IE(Re1+Re2)=(50/101)IE+0.7+4IE
ResolviendoparaIEobtenemos: IE=IC=0.13A
ReemplazandoenlarectaDCobtenemosVCEQ:VCEQ=11.48V

b) ClculodePLmx
De1.78:PLmx=(I
2
CQ

n
2
RL)/2
Conviene usar la expresin en funcin de la corriente porque tambin hay
cada de seal en Re1. Si empleramos la ecuacin en funcin del voltaje,
tendramosqueaplicarlaecuacindeldivisordevoltajeparahallarlatensin
de seal que cae en el primario, que es lo que nos interesa para calcular la
potenciaquellegaalacarga.

Efectuando: PLmx=135.2mW

c) ClculodePCC:
Sabemosque: P
CC
=V
CC
I
CQ

Estaexpresinseusacuandosepuededespreciarlacorrientequecirculapor
R1. Cuando nos piden hallar la eficiencia total, significa que no debemos
despreciar IR1 Por esta razn la calcularemos para hallar un valor ms exacto
dePCC

Entonces: P
CC
=V
CC
(I
CQ
+IR1)
ElectrnicaAnalgicaII
72
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re1 +
Re2)=1.22V
Luego: IR1=(121.22)/470=23mA
Ahorapodemoscalcular: PCC=12(0.13+0.023)=1.836mW

d) Clculodetotal
total=PLmx/PCC=135.2/1836=7.36%
Observamos que al no tenerse el punto de operacin para mxima excursin
simtrica,ademsdeRe1eIR1,hacenquelaeficienciasemuybaja.

PROBLEMA 1.9: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador para


obtener una potencia de 0.5 W en una carga de 3 . La impedancia de salida del
transistoresde70.Asumaquelaresistenciadeldevanadoprimarioes12ydel
secundarioes0.6.AdemsVCC=12V./Seempleareltransistor AD161cuyos
datostcnicosson:

Tjmx = 100C, PCmx = 4 W, VCE,sat = 1 V, BVCEO = 20 V, iCmx = 1 A, 80


320,germanio.

SOLUCION:
Emplearemoselsiguienteesquemacircuital:

C1
12V
Re
Ce
T
n:1
1 5
4 8 R1
R2 Vg
RL
3
Q

Fig.1.30

ElectrnicaAnalgicaII
73
El primer paso es determinar el punto de operacin necesario para lograr la
potencia requerida en la carga, teniendo en cuenta que no deben excederse los
valoresdetensin,corrienteypotenciaespecificadosparaeltransistor.

Comoeltransistorsoportaunatensinmximade20V,elpuntodeoperacinno
debesermayorque10voltios,debidoaqueenestoscircuitoseltransistormaneja
unatensinmximaigual2VCEQ.Adems,porseguridadyporquelatensinde
saturacinesde1V,esconvenientequeelpuntodeoperacinseamenorque10
Vparanotrabajarenellmite.

Debido a que no est definida la relacin de transformacin, podemos calcularla


paralograrlapotenciarequeridaenlacarga.

RectaDC: 12=VCE+(12)IC+IERe

Como: >> 1 entonces: IE = IC . Adems, como tiene un rango, haremos los


clculosconsuvalorpromedio:=(80+320)/2=200

Acontinuacinobtenemos: 12=VCE+(12+Re)IC

Porlasconsideracionesanterioresemplearemos. VCEQ=8V

DeterminaremosICQenfuncindelapotenciarequeridaenlacarga:

Laresistenciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
(RL+rs)

Vemosquelaresistenciadeldevanadosecundariotambinsereflejaalprimarioy
consumirpotenciadeseal.

Lapotenciamximaquepuedeentregareltransistores:
PLmx=I
2
CQ

n
2
(RL+rs)/2

Comolacargadeberecibir0.5W,debecumplirse:
0.5=I
2
CQ

n
2
(RL)/2 yobtenemos:n
2
I
2
CQ

=1/3

Para que el transistor pueda transferir la mxima potencia posible a la seal, es


necesario que su impedancia de salida sea igual a la que le ofrece el primario del
transformador.Estaimpedanciaes:rp+n
2
(RL+rs)

Entonces: rp+n
2
(RL+rs)=70

ElectrnicaAnalgicaII
74
Deestaecuacinobtenemoselvalornecesarioden:n=4.01

AcontinuacinhallamosICQ: ICQ=144mA

Debido a que el transistor puede manejar una corriente de 1 A, el valor calculado


esseguro.

PodemosdeterminarahoraelvalordeReusandolaecuacindelarectaDC
12=8+(12)(0.144)+(Re)(0.144)

Dedonde: Re=16

ObtendremosahoralosvaloresnecesariosparaR1yR2

Latensinenlabasedeltransistorrespectoatierraes:VB=VBE+IE(Re)
Eneltransistordegermaniotenemosunvoltajebaseemisor:VBE=0.3V

Luego: VB=0.3+(0.144)(16)=2.6V
Lacorrientedebasees: IB=144mA/200=0.72mA

Paraquehayabuenaestabilidaddelpuntodeoperacinharemosquelacorriente
que circula por R2 sea mucho mayor que IB adems que el valor de R2 debe ser
comercial:

IR2=20IB=14.4mA

Entonces: R2=2.6V/14.4mA=180

Acontinuacin: R1=(122.6)V/(14.4+0.72)mA=620

Lapotenciamximaquedisipareltransistores:
PCmx=VCEQICQ=8*(0.144)=1.15W

Estapotenciaesinferioralamximaquepuedesoportareltransistor.

Elsiguientepasoessimularelcircuitoparaverificarsiesnecesariohacerajustesa
losvalorescalculados.

PROBLEMA 1.10: En el amplificador mostrado, el transformador tiene una


eficienciadel80%.Eltransistoresdesiliciocon=20,VCE,sat=2V,VBE=0.7V.
Determine:
ElectrnicaAnalgicaII
75
a) Elvalordenparaobtenermximapotenciaenlacarga
b) PLmx
c) PCmx
d) PCC
Cs 1
10V
3
Ca1
RL
8
T
n:1
1 5
4 8
17
Q
Vg

Fig.1.31

SOLUCION:
a) Clculodelvalordenparaobtenermximapotenciaenlacarga:
Laimpedanciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
(RL)=8n
2

El punto de operacin est definido por las resistencias de polarizacin. Por


ellolocalcularemos:

TensindeThevenin: Vb=10(3/(17+3)=1.5V
ResistenciadeThevenin: Rb=17//3=2.55

Planteandolaecuacinenlamallabaseemisor:Vb=IBRb+VBE+IERe
1.5=IEQ(2.55/21)0.7+IEQ=1.12IEQ0.7

Dedonde:IEQ=0.71A
Luego: ICQ=IEQ[/(1+)]=0.68A

RectaDC: VCC=VCE+IERe
10=VCEQ0.71
Dedonde:VCEQ=9.29V
Lamximatensinpicoquepuederecibireltransformadores:
Vp=9.292=7.29V


ElectrnicaAnalgicaII
76
Lamximacorrientepicoquepuederecibireltransformadores:Ip=0.68A
Laimpedanciareflejadaalprimarioser:Rp=Vp/Ip=10.72
Dedonde:n
2
=10.72/8=1.34 Luego: n=1.16

b) ClculodePLmx
Lamximapotenciaquepuederecibireltransformadores:Pp=7.29*0.68)/2
Pp=2.48W
Dado que la eficiencia del transformador es del 80%, la mxima potencia que
llegaalacargaes: PLmx=(0.8)(2.48)=1.98W

c) ClculodePCmx
Eltransistordisipamximapotenciacuandonotieneseal.Entonces:
PCmx=VCEQICQ=(9.29)(0.68)=6.32W

d) ClculodePCC
Debido a que las resistencias de polarizacin son pequeas, debemos
considerarlacorrientequecirculaporellas.Entonces: PCC=(10)(ICQ+IR1)

LatensinDCenlabasedeltransistorrespectoatierraes: VB = VBE + IEQ


Re=1.41V

Luego: IR1=[10(1.41)]/17=0.505A
Reemplazando: PCC=(10)(0.680.505)=13.05W

Observamos que en este caso la red de polarizacin disipa una potencia


considerable y afecta negativamente a la eficiencia del sistema. Para mejorar
la eficiencia es conveniente que las resistencias de polarizacin no tengan
valores pequeos, manteniendo, a la vez, la estabilidad del punto de
operacin.Unaformadelograrloesempleandotransistoresconaltaganancia
oconfiguracionestipoDarlington.

PROBLEMA 1.11: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador


empleandoelMosfetIRF840paraobtenerunapotenciade1Wenunacargade8
.Eltransformadordeaudioaempleartiene:n=2,rp=1,rs=0.5

SOLUCION:
Emplearemoselsiguienteesquemacircuital:
RectaDC: VDD=IDrp+VDS+IDRs
RectaAC: 0=id(rp+n
2
(RL+rs)+vds
RectadeM.E.S.: vDS1=iD(rp+n
2
(RL+rs)=35iD

ElectrnicaAnalgicaII
77
Obtencindelpuntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica:
Lamximapotenciaquerecibeelprimarioes: Pp=I
2
DQ(rp+n
2
(RL+rs)/2
Lapotenciaquellegaalacargadebeser1W:
PL=I
2
DQ(n
2
RL)/2=1
Dedonde:IDQ=0.25A
Luego: VDSQ=35IDQ+1=9.75V

rp
Vg
Cs
Q
IRF840
R2
VCC
Ca1
RL
8
Rs
T
2:1
1 5
4 8
R1
rs

Fig.1.32

ObtencindeVGSQparalograrlacorrientedelpuntodeoperacin:
EnelMOSFETsecumple:IDQ=K(VGSQVT)
2

Empleandolosdatosdelproblema1.2obtenemos:VGSQ=3.42V

ObtencindeRs: Paralograrbuenaestabilidaddelpuntodeoperacin
emplearemosunvalordeRs=(VGSQ+VT)/IDQ=25.7
Elvalorcomercialmscercanoes:Rs=27/2W
Obtencindelvoltajedelafuentedealimentacin:RectaDC:
VDD=IDrp+VDS+IDRs=(0.25)(1)+9.75+(0.25)(27)=17V

ObtencindeR1yR2:
Latensinenlacompuertarespectoatierraes:
VG=VGSQ+IDQRs=3.42+(0.25)(27)=10.17
Siempleamosunvalorcomercial: R1=15K/0.5W
PodemoscalcularR2: R2=(1710.17)/0.68=10K/0.5W

ObtencindeCs:
LaresistenciaaproximadaqueveCsesRs.Comoestaresistenciaes
pequea,haremosqueCsdetermineellmiteregindebajafrecuencia.
ElectrnicaAnalgicaII
78
Sifijamosestelmiteen100Hz,podemosigualar:
RsCs=1/[2(100)]=0.0016
Luego: Cs=58.9uF
Ypodemosemplearelvalorcomercialmscercano: Cs=68uF/10V

ObtencindeCa1:
LaresistenciaqueveCa1esmuchomsalta.HaremosqueCa1acteauna
frecuenciamuchomenorque100HzparaquenoinfluyaalavezqueCs.

Sifijamossuoperacinen10Hz,podemosigualar:
[R1//R2]Ca1=1/[2(10)]=0.016

Luego: Ca1=2.7uF
Ypodemosemplearelvalorcomercial: Ca1=2.7uF/16V

PROBLEMA1.12:DiseeelamplificadorclaseAmostrado,empleandoeltransistor
MPSW01 que tiene = 50 y VCE.sat = 2V, VBE = 0.7V. La potencia de salida debe
ser0.5W1KHz,encargade8.

SOLUCION:
RectaDC: VCC=8IC+VCE+IERE
Potenciaenlacarga: PL=0.5W=Vm
2
/2RL=Vm
2
/16
1kHz
V1
-300m/300mV
+
-
VCC
10V
+
C1
100uF
+
CE
220uF
Q1
MPSW01
R2
39
R1
96
RE
5.6
RL
8

ElectrnicaAnalgicaII
79
HallamosVm: Vm=2.8V

Latensindeoperacines: VCEQ=Vm+VCE,sat=2.8V+2V=4.8V=5V
Redondeamoselvoltajea5V.
Lacorrientedeoperacines: ICQ=Vm/RL=0.35A

Calculamoslareddepolarizacin:
Paramejorestabilidadelegimos: VE=IERE=2V

Obtenemos: RE=2V/0.35(1+1/50)A=5.6
DelaRectaDC: VCC=8(0.35)+5+2=10V

Hacemos: XCE<<5.61KHz CE<<28.4uF


Elegimos: CE=220uF

HacemosquelacorrienteenR2seamuchomayorqueladebase:
(2V+0.7V)/R2>>0.35A/50 R2<<2.7V/0.007=385.7
R2=39
CalculamosR1: R1=(10V2.7V)/(2.7V/39+0.35/50)=96
R1=96

Calculamoslacapacidaddeacoplodeentrada:
Hacemos: XC1<<(96)//(39)//(1+50)(5.6)1KHz C1<<6.3uF
Elegimos: C1=100uF

Conelprogramasimuladorajustamoselvoltajedesealdeentradaparaobtener
mximaexcursinenlasalida:

TENSINDESEALDESALIDACONEXCITACINPORFUENTEDETENSION:
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms
10.00 V
8.000 V
6.000 V
4.000 V
A: q1_1

Elvoltajepicoes2.84V

ElectrnicaAnalgicaII
80
TENSINDESALIDACONEXCITACINPORFUENTEDECORRIENTE:
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms
10.00 V
8.000 V
6.000 V
4.000 V
A: q1_1

Elvoltajepicoes2.84V

Observamosquelaformadeondamejora(menosdistorsin)cuandolasealde
entradaesdecorriente.

TENSINDESALIDACONEXCITACINPORFUENTEDECORRIENTEY
REALIMENTACINNEGATIVA:
Seobservaquelaformadeondaesmssimtricaacostadetenerqueelevarla
sealdeentrada.
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms
10.00 V
8.000 V
6.000 V
4.000 V
A: q1_1

Elvoltajepicoes2.80V

ElectrnicaAnalgicaII
81
1kHz
V1
-40m/40mA
+
-
VCC
10V
+
C1
100uF
+
CE
220uF
Q1
MPSW01
RE1
2.2
R3
10k
R2
39
R1
96
RE2
3.4
RL
8
A

DISIPADORESDECALOR(HEATSINKS)
Los disipadores de calor son componentes metlicos que utilizan para evitar que
algunos elementos electrnicos como los transistores se calienten demasiado y se
daen.

Elcalorqueproduceuntransistornosetransfiereconfacilidadhaciaelairequelo
rodea.

Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los que son metlicos
transfierenconmsfacilidadelcalorquegeneranhaciaelairequelorodeaysisu
tamaoesmayor,mejor.

Es importante aclarar que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la


envoltura de un pequeo "chip" que es el que hace el trabajo, al cual se le llama
"juntura"o"unin".

Lahabilidaddetransmitirelcalorsellamaconductanciatrmicayasurecprocose
le llama resistencia trmica (Rth) que tiene unidad de C / W (grado Centgrado /
Watt).
ElectrnicaAnalgicaII
82
Ejemplo:SielR
TH
deuntransistores5C/W,estosignifica,quelatemperaturasube
5CporcadaWattquesedisipa.

Ponindoloenformadefrmulaseobtiene:=T/P,Donde:
=resistenciatrmica
T=temperatura
P=potencia

Lafrmulaanteriorseparecemuchoaunafrmulaportodosconocida(Laleyde
Ohm).R=V/I.DondesereemplazaVporT,IporPyporR.

Analizandoelsiguientediagrama:

Donde:

TJ=Temperaturamximaenla"Juntura"(datolosuministraelfabricante)
TC=temperaturaenlaCarcasa.dependedelapotenciaquevayaadisiparel
elementoydeltamaodeldisipadorylatemperaturaambiente.
TD = Temperatura del disipador y depende de la temperatura ambiente y el
valorde
DA
(
D
)
TA=temperaturaambiente

JC
=ResistenciatrmicaentrelaJunturaylaCarcasa

CD
=ResistenciatrmicaentrelaCarcasayelDisipador(incluyeelefectodela
mica, si se pone, y de la pasta de silicona). Mejor si puede usar banda de
siliconaenlugardelamicaylapasta.Siseusamica,esmejorusarlaconpasta
silicona.

DA
= Resistencia trmica entre el Disipador y el Aire (Resistencia trmica del
disipador)(
D
)

Ejemplo: Se utiliza un transistor 2N3055 que produce 60 Watts en su "juntura".


Con los datos del transistor 2N3055, este puede aguantar hasta 200 Watts en su
"juntura"(mximo)ytieneunaresistenciatrmicaentrelajunturaylacarcasade:
1.5C/W (carcasa es la pieza metlica o plstica que se puede tocar en un
transistor)

Si la temperatura ambiente es de 23C, Cul ser la resistencia trmica del


disipadordecalorquesepondraltransistor?(R
DA
)

Con
JC
=1.5C/W(datodelfabricante),lacadadetemperaturaenestaresistencia
serT=xP=1.5Cx60Watts=90C(verfrmula)
ElectrnicaAnalgicaII
83
Con
CD
= 0.15C/W (se asume que se utiliza pasta silicona entre el elemento y el
disipador),lacadadetemperaturaenR
CD
esT=RxP=0.15x60Watts=9C.

Tomando en cuenta que la temperatura del aire (temperatura ambiente es de


23C),eldisipadordecalortienequedisipar:200C90C9C23C=78C.

Estosignificaquelaresistenciatrmicadeldisipadordecalorser:
DA
=78C/60
W=1.3C/Watt..Conestedatosepuedeencontrareldisipadoradecuado.

Importante:
Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya
contacto elctrico entre ambos. Se podra evitar esto con plstico o el aire, pero
son malos conductores de calor. Para resolver este problema se utiliza una pasta
especialqueevitaelcontacto.Lavirtuddeestapastaesqueesbuenaconductora
de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante
tambin tiene una resistencia trmica que hay que tomar en cuenta. Es mejor
evitar si es posible la utilizacin de la mica pues esta aumenta el
CD
. El contacto
directo entre el elemento y el disipador, contrario a lo que se pueda pensar,
aumentaelvalorde
CD
,asqueesmejorutilizarlapasta.

PROBLEMASPROPUESTOS

PROBLEMA P1.1: El siguiente circuito (figura 1.33) es un amplificador de potencia


claseA,halle:
a)Elpuntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica.
b)LosvaloresdeR1yR2paralograrelpuntodeoperacincalculadoen(a).
c)LamximapotenciadisipadaporRC.
Eltransistoresdesiliciocon=50
VCC = 15 V
VCC
Q
Rc
Rc = 1K
R2
Re = 500
R1
Re
+
vce
-
ii
Ca1

Fig.1.33
ElectrnicaAnalgicaII
84
PROBLEMA P1.2: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador,
comoelmostradoenlafigura1.34,paraobtenerunapotenciadesalidade0.5W
en una carga de 3. La impedancia reflejada al primario es 70. Asuma que la
eficienciadeltransformadores70%.

Datosdeltransistor: Vce,sat=1V;Tjmax=100C;Pcmax=4W(65C);B
VCEO
=
30V;icmax=1A;80320

+12V
Q
R2
R1
Ce
Vi
3 Ohmios
Re
n : 1
1 3
2 5
+
vce
-
C1

Fig.1.34

PROBLEMAP1.3:DiseeunamplificadorclaseAacopladoportransformadorpara
obtenerunapotenciade1Wenunacargade8.

Asumaqueeltransformadoresidealconn=2,VCC=12VyVce,sat=2V
Especifiquelascaractersticasdeltransistor.

PROBLEMA P1.4: Se desea entregar 1 W a una carga de 8 , mediante un


amplificadorclaseAacopladoportransformador.Sisedisponedeuntransistorcon
BVCEO=40V,=50yVCE,sat=2V.Laresistenciadeemisordebeser1.8

Asumaqueeltransformadoresidealconn=2.Halle:
a)ElvalordelafuenteDC(VCC).
b)Lapotenciaentregadaporlafuente..
c)Lapotenciamximaquedisipareltransistor.

PROBLEMAP1.5:Enelcircuitomostradoenlafigura1.35,=100,mn=50.
Halle:
a)Elpuntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica.
b)R1yR2
c)PLmx
d)PCC
e)PCmxyPCmn
ElectrnicaAnalgicaII
85
f)Laeficiencia
g)Especifiqueeltransistor

+
Vs
-
C
rs = 1
T2
4 : 1
1 5
4 8
Q
rp = 11
R1
RL
4
C
+12Vdc
RE
R2
Vg

Fig.1.35

PROBLEMAP1.6:Enelcircuitomostradoenlafigura1.36,.halle:
R1
c) PLmx
d) Pcc CS
b) R1 y R2
Asuma que las capacidades son muy grandes.
R2
RS
1
C1
f) La eficiencia total
4 : 1
1 3
2 5
IRF630/TO
rp = 11
Vg
e) Pcmx y Pcmn
+15V
a) El punto Q para mxima excursin simtrica
4 Ohmios
rs = 1

Fig.1.36

PROBLEMA P1.7: El amplificador mostrado en la figura 1.37 va a ser empleado


sobreelrangodetemperatura:25C75C.Elrangodeparaeltransistores:
100300.EltransistortieneICBO=0.1uAyVBE=0.7V,ambos25C.SiR1
// R2 1 K, calcule el mximo desplazamiento simtrico posible. Especifique R1,
R2yRE.Lascapacidadessonmuygrandes
ElectrnicaAnalgicaII
86
+
V s
-
C
Q 3

R 1
R C
1 K
C
+ 2 0 V d c
R E
R 2
V g

Fig.1.37

PROBLEMA P1.8: Un amplificador clase A es alimentado por una batera de 12V


concapacidadde4AmperiosHora.Sielamplificadorconsumeunapotenciade4W
entregando mxima potencia a la carga, Idealmente, cunto tiempo podr
alimentarlolabatera?

PROBLEMA P1.9: Un transistor bipolar de audio va a ser empleado en un


amplificador clase A. Si su punto de operacin es: VCEQ = 10V e ICQ = 100 mA,
Hasta qu temperatura (TC) podr subir su encapsulado si el fabricante da como
datos:Pcmx=2W(TC=25C),JC=62.5C/WyTjmx=150C.

PROBLEMA P1.10: Un transistor bipolar de audio va a ser empleado en un


amplificadorclaseAacopladoportransformador.Cuntaserlamximapotencia
que se pueda entregar a la carga, si las caractersticas del transistor son: Pcmx =
20W ( TC = 25C), JC = 5 C/W, = 40, BVCEO = 50 V, iC,mx = 3 A?. Se quiere,
adems,quelatemperaturadelacpsulanopasede60C

PROBLEMA P1.11: Un amplificador de potencia clase A, acoplado por emisor,


figura1.38,tieneuntransistordesilicioconPCmx=50Wy=40.Determine:
a)VBB,Rbynparaquesetransmitamximapotenciaalacarga.
b)PLmx
c)PCC
d)total
ElectrnicaAnalgicaII
87
T2
1:n
1 5
4 8
Q
RL
20
Rb
Ig
C
T1
1:1
1 5
4 8
12V
VBB

Fig.1.38

PROBLEMA P1.12: Se desea entregar, como mximo, 5 W a una carga de 8 ,


mediante un amplificador clase A con MOSFET, acoplado por transformador. Si se
disponedeuntransistorconBVdss=200V,IDmx=16A,Pcmx=20WyVDST=2
V.Laresistenciadefuentedebeser1.Asumaqueeltransformadoresidealcon
n=2
Halle:
a)ElvalordelafuenteDC(VCC).
b)Lapotenciaentregadaporlafuente.
c)Lapotenciamximaquedisipareltransistor.

PROBLEMAP1.13:Demuestrequelarectademximaexcursinsimtrica(M.E.S.)
cortaalarectadecargadinmicaendospartesiguales.Asumaelcasoideal.

PROBLEMA P1.14: Se quiere estabilizar el punto de operacin del amplificador


clase A mostrado, mediante un termistor del tipo NTC en contacto trmico con el
transistor, en el rango de 27C 70C. El termistor, vara su resistencia con la
temperatura,segnlaecuacin: R
T
=R
o

B(1/T1/To)

Donde:
R
T
=Resistenciadeltermistor
R
o
=Resistenciadeltermistora300K
B=Temperaturacaractersticadelmaterial
To=300K
T=temperaturaenK

Elpuntodeoperacindeltransistores:I
CQ
=805mAyV
CEQ
=6.44V27Cytiene:
V
BE
=0.7V,=100,V
CE,sat
=2V.Sisutensinbaseemisordisminuyeen2.5mVpor
cada C de aumento de la temperatura, determine el valor de Ro, B y el punto de
operacina50C.
ElectrnicaAnalgicaII
88

t
RT
NTC
+ 12 V
200
470uF
C
Vg
470uF
Q1
107
20
10

PROBLEMAP1.15:Respondalassiguientespreguntas:
a) PorquelamplificadorclaseAconacoplodecargaportransformadoresms
eficientequeelquetienecargaencolector?
b) PorquelamplificadorclaseBesmseficientequeelqueeldeclaseA?
c) Por qu no se usan parmetros hbridos en el anlisis del amplificador clase
A?
d) Qucaractersticaselctricassonimportantesenuntransistordepotencia?
e) Porquuntransistordepotenciadebeempleardisipador?
f) Por qu no debe desconectarse la carga en un amplificador con acoplo por
transformador,cuandoestfuncionando?

ElectrnicaAnalgicaII
89
BIBLIOGRAFIA

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MuhammadRashid
Editorial:InternationalThomsonEditores

2).MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
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Editorial:McGrawHillKogakusha,Ltd.

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Editorial:McGrawHillBookCompany

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ElectrnicaAnalgicaII
90
10).MANUALDEBAFFLESYALTAVOCES
FranciscoRuizVassallo
Editorial:EdicionesCEACBarcelona3da.Edicin1981

ElectrnicaAnalgicaII


91
1.3:AMPLIFICADORESCLASEBYAB
En este tipo de amplificador el punto de operacin se ubica en la zona de corte,
tanto para el BJT como para el FET. La seal circula durante 180 de su perodo.
Cuandoestosucede,sedicequeelamplificadortrabajaenclaseB.Paraamplificar
laondacompletaesnecesariousardosdeestosamplificadores.

Cuandoelpuntodeoperacinseubicaantesdelazonadecorte,demaneraquela
seal circule ms de 180 y menos de 360 de su perodo, se dice que el
amplificador trabaja en clase AB. Esto se hace para evitar la distorsin de cruce,
quesevermsadelante.Sinembargo,comoelpuntodeoperacinnormalmente
siguecercadelazonadecorte,selepuedeseguirtratandocomounamplificador
claseB

Acontinuacinestudiaremoslasconfiguracionesmsconocidas.

1.3.1:AMPLIFICADORDEPOTENCIACLASEB,ENSIMETRIACOMPLEMENTARIA
Este tipo de amplificador es uno de los ms utilizados y emplea dos transistores
complementarios (uno NPN y otro PNP) de manera que uno amplifica el semiciclo
positivo de la seal y el otro el semiciclo negativo. Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADORDESIMETRIACOMPLEMENTARIA.

Sedenominantransistorescomplementarios(oparmachadoomatchedpair)aun
par de transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancias, corrientes,
tensiones,potencias,etc.,sonigualesomuysimilares.

1.3.11:CIRCUITOBASICO

PARLANTE

V1 = VCC / 2
VCC
Q1
Vin
V2 = VCC / 2
Q2

Fig.1.39:Circuitobsicodeunamplificadordesimetracomplementaria.
ElectrnicaAnalgicaII

92

En la figura 1.39 vemos que la condicin que deben cumplir V


1
y V
2
es que
polaricen de tal modo a Q
1
y Q
2
que stos trabajen simtricamente y en clase B
(corrientesenreposocero).

Se hace V
2
=V
CC
/2conlafinalidadque: V
CEQ1
= V
CEQ2
= V
CC
/2 ylos dos transistores
estn al corte simultneamente (clase B). De lo contrario, si V
1
es mayor que V
2
,
entonces conducir Q
1
y se cortar Q
2
(I
CQ1
> 0, I
CQ2
= 0); y si V
1
es menor que V
2

entonces conducir Q
2
y se cortar Q
1
(I
CQ2
> 0, I
CQ1
= 0), lo cual no permite una
operacinsimtricadelosdostransistores.

Latensincontinuaenlaunindelosemisoresser:VE

=V
CC
/2

Sepuedeverconlascondicionesanterioresque:
V
BE1
=V
BE2
=0 e I
CQ1
=I
CQ2
=0

Podemos estudiar ahora qu ocurre cuando la tensin de seal V


in
toma valores
positivosynegativos:

Q
1
conduce,Q
2
cortado Q
2
conduce,Q
1
cortado
IL2
V1 = VCC / 2
IL1
Q1
Q2
Parlante
Q2
E
VCC
V2 = VCC / 2
E
RL
Parlante
E
+
Vin
-
RL
B B
E
V1 = VCC / 2
Q1
-
Vin
+
VCC
V2 = VCC / 2

Fig.1.40a.SemiciclopositivodeV
in
Fig.1.40b.SemiciclonegativodeV
in

En el semiciclo positivo de V
in
(figura 1.40a) la tensin en las bases se hace ms
positivaquelatensinenlosemisores:
V
B
>V
E

LocualhacequeQ
1
conduzcayQ
2
permanezcaencorte.

Elsentidodelacorrienteseindicaenlafigura.NtesequeI
L1
=iE
1

ElectrnicaAnalgicaII


93
Paraelsemiciclonegativo:
VB<VE

LocualcortaaQ1yhaceconduciraQ2.Elsentidodelacorrientesemuestraenla
figura1.40b,eIL2=iE2.

Deestemodo,lacargaestalimentadamediociclodeVinporQ1yelotromedio
cicloporQ2

1.3.12: DISTORSION DE CRUCE: Debido a quelascaractersticas deentrada base


emisor de los transistores reales (ver figura 1.41) es tal que para tensiones
pequeas baseemisor, el transistor prcticamente no conduce. Recin ste
comienzaahacerlocuandosesuperalatensindecodootensinumbral(V),que
es aproximadamente 0.2V para transistores de Germanio y de 0.6V para los de
Silicio.

0 0 . 1 0 . 2 0 . 3 0 . 4 0 . 5 0 . 6 0 . 7 0 . 8
0
0 . 5
1
1 . 5
2
2 . 5
3
3 . 5
4
4 . 5
5
x 1 0
- 9
C U R V A C A R A C T E R I S T I C A D E L A J U N T U R A B A S E - E M I S O R
V ( v o l t i o s )
I

(
a
m
p
e
r
i
o
s
)

Fig.1.41

Latensindesalidatienelaformaqueseobservaenlafigura1.42:

0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
6.300 V
6.100 V
5.900 V
5.700 V
VL

Fig.1.42

ElectrnicaAnalgicaII

94

Sepuedenotarenestafigura,queexisteciertazonaalrededordelospuntosVb=0,
para los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea una distorsin
enlaformadeondaenlasalida(proporcionalalaseali
B1
i
B2
),llamadadistorsin
por cruce (o de cross over). Esta distorsin se evita polarizando directamente las
junturasbaseemisordeQ1yQ2demodoqueexistaentreellasunatensiniguala
latensindecodo(V).

Una forma simple de lograr esto, es colocando una resistencia (de pequeo valor)
entrelas basesde Q1 y Q2 de modoqueseocasiona unacada detensinen ella
suficienteparatenerpolarizadosligeramentealostransistores(verfigura1.43).

R4
R
E
Ca1
VCC
+
Vin
- Q3
RL
C2
Q2
E
R2
+
Vrd
-
IL1
R1
Ird
VDD
RD
Q1
Parlante

Fig.1.43

Debecumplirse: Vrd=IrdR
D
=V
BE1
+V
EB2

RD se escoge de modo que cumpla con la anterior ecuacin y que: V


BE
1 = V
EB
2 =
0.2V(paraelGermanio)0.6V(paraelSilicio).

LaeleccindeR
D
parapolarizaradecuadamentelajunturabaseemisordeQ1yQ2,
esunpocodelicada,debidoaqueunapequeavariacindelatensinV
BE
provoca
grandes cambios de corriente de colector, por lo cual, con un valor demasiado
pequeo de V
RD
no se eliminar satisfactoriamente la distorsin de cruce. En
cambio,silatensinesdemasiadogrande,traecomoconsecuenciadistorsinpara
niveles grandes de seal, ya que cada transistor conducir ms de medio ciclo, lo
cual har que las corrientes de conduccin de un transistor se traslapen con las
corrientesqueconduceelotrotransistor.
ElectrnicaAnalgicaII


95
Prcticamente, entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero la
corriente de colector, para evitar la distorsin de cruce, es tan pequea que se
puede decir que su forma de trabajo es clase B. La polarizacin de las junturas
baseemisorsehaceparaquecumpladosfunciones:

a) Evitarladistorsindecruceocrossover.
b) EstabilizarlapolarizacindeQ1yQ2contravariacionesdetemperatura.

La forma ms simple de polarizar en clase AB es mediante una red resistiva. Este


esquemanoessatisfactoriodebidoaquesilapolarizacinespoca,ladistorsinde
cruce sigue siendo severa y, si es mucha, la corriente de colector ser alta, los
transistores disiparn ms potencia pudiendo destruirse o acortar drsticamente
su tiempo de vida y la eficiencia disminuir. Este tipo de polarizacin es ms
efectiva cuando la fuente de alimentacin es regulada pero no permite la
compensacinporvariacindetemperaturaenlasjunturasbaseemisor.

1.3.13: ESTABILIZACIN DE LA POLARIZACION CONTRA VARIACIONES DE


TEMPERATURA
Paraobtenermejorregulacinycompensacindetemperaturaconlaredresistiva,
se conecta uno o dos diodos entre las bases de ambos transistores. Estos diodos
deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta cada de voltaje necesaria.
Pero, si esta polarizacin cambia con la edad del equipo, la polarizacin tambin
sufrircambios.

Enlafigura1.43sepuedenotarquelatensinbaseemisordelostransistoresesta
determinada por la cada de tensin en la resistencia de polarizacin R
D
, lo cual
darunaciertacorrientedecolectorpequeaaQ1yQ2afindequeevitenelcross
over,elcual,comosemencion,debetenerunvalorptimoparaevitardistorsin.
Pero, si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente, calentamiento
deltransistor,etc.)latemperaturadeltransistorvara,estocausaunavariacinde
la tensin baseemisor (aproximadamente 2.5mV/C) como se ve en la figura
1.44,locualocasionarunavariacindelacorrientedecolectorquepuedellevara
clase C al amplificador (para bajas temperaturas) o a clase A (para altas
temperaturas)locualocasionargrandistorsiny/odisipacindepotencia.
ElectrnicaAnalgicaII

96


0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
x 10
292
C
V (voltios)
IE
(amperios)
T= 25grados
T = 50 grados
Fig.1.44

UnaformadeevitarestosefectosindeseableseshaciendoquelatensinV
RD
vare
de manera similar a la variacin de V
BE
con la temperatura, lo cual se logra
colocando,enlugardeR
D,
untermistorNTC(NegativeTemperatureCoefficient)de
similar coeficiente de temperatura que el diodo baseemisor. De esta forma la
tensin en el termistor disminuir del mismo modo como V
BE
disminuye
manteniendosiemprelacorrientedecolector(proporcionalalacorrientedebase)
enunvalorcasiconstante.

Lafigura1.45muestra4formastpicasdepolarizacin.Enlafigura1.45asecoloca
una resistencia en paralelo con el termistor con el fin de aproximar el coeficiente
detemperaturaequivalentealdeldiodobaseemisor.

Lasfiguras1.45bycmuestranlapolarizacinpordiodo,estostrabajanpolarizados
en sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondientealosdiodosbaseemisordelostransistores.En1.45b,Rdayudaa
conseguir la necesaria polarizacin de baseemisor y en 1.45c, Rd1 y Rd2 sirven
comodivisoresdetensincuandoV
D
esmayorquelanecesaria,parapolarizarlas
junturasbaseemisor.

Se aumenta mucho ms la estabilidad contra variaciones de temperatura


colocandoresistoresenlosemisoresdelostransistores(figura1.45d).

Las combinaciones de los casos a, b, c y d ofrecen una gran estabilidad de la


corriente de colector de los transistores contra variaciones de temperatura
(Puedenusarsevariosdeestosmtodosalavez).
ElectrnicaAnalgicaII


97
Rd1
(c)
VCC
Q1
D
VCC
Q1
Re
+
Vd
-
Q2
(a)
Rd
Q2
+
Vd
-
(b)
VCC
Q2
(e)
Q1
t
NTC
VCC
Q1
Rd2
Q2
Re
Rd

Figura1.45

Losproblemasanterioressoneliminadosenformamsefectivacuandoseemplea
untransistorregulador.Dadoqueelpuntodeoperacin,extremadamentecrtico,
es difcil de mantener, podemos usar un transistor regulador de voltaje y lograr
controlarfcilmentealpuntodeoperacinmedianteunpotencimetro.

En la figura 1.46, Q1 y Q2 forman el amplificador de simetra complementaria. El


transistorQ3seencargadecontrolarenformaprecisaelpuntodeoperacindeQ1
y Q2, actuando como regulador. Tambin compensa automticamente contra
variaciones de temperatura. El potencimetro permite ajustar el punto de
operacin.

Laentradaesaplicadamediantedoscondensadoresdeacoplo.

El empleo de dos fuentes de alimentacin simtrica evita el uso del condensador


desalida(C2enlafigura1.43).
ElectrnicaAnalgicaII

98

Q3
R1
- VCC
C
Entrada
Q1
P
R2
+ VCC
C
Q2
RL

Figura1.46

1.3.14:PUNTOSDEOPERACIN
Seaelcircuitodelafigura1.47:

Haremoslassiguientesaproximaciones(justificadasenlaprctica):
Re<<RL
Q1complementariodeQ2
1=2>>1

Silascondicionesanterioressecumplen,podemosafirmarque: iCiE

RECTASDECARGAESTATICA:
ComoVE=Vcc/2
ElectrnicaAnalgicaII


99
VCC
RL
Q1
Re
Entrada
C
Q3
E
VDD
R1
R3
R2
C1
Q2
Re
R4

Figura1.47

VCC=V
CE1
+VE (1.80)
VE=V
CE2
(1.81)

Ademslostransistoresestnpolarizadosalcorte:
ICQ1=ICQ2=0

Entonces:
RectadecargaDCparaQ1:

De(1.80)................. V
CEQ1
=Vcc/2 (1.82)

RectadecargaDCparaQ2:
De(1.81)................. V
CEQ2
=Vcc/2 (1.83)

Estarectaseilustraenlafigura1.48.DadoqueI
CQ1
=I
CQ2
=0,elpuntodeoperacin
yaestadeterminado.
ElectrnicaAnalgicaII

100

VCE
IC
VCE = VCC / 2 0

Figura1.48
RECTASDECARGADINAMICA:
Enelcircuitodelafigura1.47,paraa.c:
v
CE1
=i
C1
R
e
i
C1
R
L
=i
C1
(R
e
+R
L
) (1.84)
v
CE2
=i
C2
(R
e
+R
L
) (1.85)

ParapodergraficarestasrectasenelplanoIcVceesnecesariohacerelcambiode
coordenadasconayudadelassiguientesrelaciones:
i
C
=i
c
+I
CQ
(1.86)
v
CE
=v
ce
V
CEQ
(1.87)

Reemplazando(1.86)y(1.87)en(1.84):
v
ce1
V
CEQ1
=(i
c1
+I
CQ1
)(R
e
+R
L
)

Perocomo:
I
CQ1
=0yV
CEQ1
=Vcc/2

Setiene:
v
CE1
=(Vcc/2)i
c1
(R
e
+R
L
) (1.88)

Yenformaanloga:
v
ce2
=(Vcc/2)i
c2
(R
e
+R
L
) (1.89)

EnlapracticasehaceRL>>Reafindequenohayademasiadaprdidadepotencia
enRe.Entonces(1.88)y(1.89)seconviertenen:

ElectrnicaAnalgicaII


101
Rectadecargaa.c.paraQ1:
v
ce1
=(Vcc/2)i
c1
R
L
(1.90)

Rectadecargaa.c.paraQ2:
v
ce2
=(Vcc/2)i
c2
R
L
(1.91)

Estasrectasdecargaa.c.debernpasarporelpuntoQ,entoncesbastarbuscarel
otropuntodelarecta.Cuando:

v
ce1
=0 i
c1
=I
cmmx
=Vcc/2R
L
(1.92)
v
ce2
=0 i
c2
=I
cmmx
=Vcc/2R
L
(1.93)

Yvemosque: I
cm1mx
=I
cm2mx

Enlafigura1.49seobservanlasdosrectasdecargaparacadatransistor:
VCC / 2RL
AC
AC
DC
vEC2
vCE1
iC1
VCE = VCC / 2
iC2
VCC / 2RL
DC
VCC
0
Q

Figura1.49

Se puede ver en la figura 1.49 que Q1 conduce medio ciclo de corriente y en este
medio ciclo hay una tensin alterna entre Colector y Emisor de Q2 debida a la
tensin alterna en la carga. En el semiciclo en el cual Q1 esta abierto (i
c1
=0),
aparece una tensin v
CE1
, debida a la tensin que hay en RL por la corriente que
conduceQ2.Latensinpicoquesoportaeltransistorllegaatenerunvalorcercano
aldelafuente.
ElectrnicaAnalgicaII

102

Similar anlisis se hace para Q2: Cuando Q2 no conduce, v
CE2
se debe a la tensin
quecaeatravsdeR
L
porconduccindeQ1.Elotrosemicicloenlacargasedebea
laconduccindeQ1.

1.3.15:CLCULOSDEPOTENCIA
Comoyasevi,Q1yQ2trabajanenformasimtrica,demodoqueenlosucesivo
designaremosalasvariablessinsubndices.

1.3.16:POTENCIAENTREGADAALACARGA:P
L

LapotenciamximaenlacargaP
L
mxocurrecuandoI
cm
alcanzasumximo
valorterico:
I
cmmx
=Vcc/2R
L

Paraondasinusoidal:
P
L
max=(I
cmmx
)
2
R
L
/2

=V
2
cc
/8R
L
(1.94)

LapotenciaparacualquiervalordeIcmes:
P
L
=(i
L
eff)
2
R
L
=0.5(I
cm
/)
2
R
L

P
L
=(I
cm
)
2
R
L
/2 (1.95)

1.3.17:POTENCIAENTREGADAPORLAFUENTE:PCC
VCCentregacorrientesloduranteelsemiciclopositivodeVin.

iCC=corrientequeentregalafuente.
Icc=I
cm
/valormediodeicc

Luego:
Pcc=VCCIcc=VccIcm/ (1.96)

Lapotenciamximaentregadaporlafuenteocurrecuando:
I
cmmx
=VCC/2R
L

Reemplazandoen1.96:
P
CC
mx=V
2
CC/2R
L
(1.97)

1.3.18:POTENCIADISIPADAENCOLECTOR:PC
En la figura 1.47 se puede observar que Q1 y Q2 slo disipan potencia en el
semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de
ellosescero.Podemosplantearlosiguiente:Lapotenciadisipadaencadacolector
Pcesentonces:
PC=0.5(VCCIcm/(I
cm
)
2
R
L
/2) (1.98)

ElectrnicaAnalgicaII


103
Estemismoresultadosepudohaberobtenidoaplicandosumatoriadepotencia:
PCC=2PC+PL

VALORMXIMODEPC
Dado que la ecuacin de PC no es lineal (es una parbola cncava hacia abajo),
PCmxnotieneporquocurrirparaI
cmmx
.HallamosentonceselvalorIcmxparael
cualocurrelamximadisipacindecolector,derivandorespectoaIcmeigualando
acero:

(dPc/dI
cm
)=(Vcc/2)(I
cm
R
L
/2)=0

Obtenemos:
Icmx=Vcc/R
L
(1.99)

Reemplazandoen(1.98)obtenemos:
PCmax=V
2
cc
/4
2
R
L
(1.100)

1.3.19:EFICIENCIADELCIRCUITO:

=P
L
/Pcc=((I
2
cm
R
L
)/2)/(VccI
cm
/) (1.101)

Encondicionesmximas,cuando:Icmmx=Vcc/2R
L
:
Reemplazandoen(1.101)
mx=/4=0.785

Enporcentaje: mx=78.5%

1.3.110:FIGURADEMERITO:F

F=PCmax/PLmax (1.102)

(1.100)y(1.94)en(1.102)setiene:
F=1/5=0.2

EstosvaloresdeyF,sonlosmismosquesepuedenlogrartericamenteconlos
otrostiposdeamplificadoresclaseB,paraelcasoideal.

PROBLEMA 1.12: En el circuito mostrado en la figura 1.50, considere: Q1= AC127,


Q2=AC128,germanio,V
CE1sat
=V
EC2sat
=1V
Rcseajustademododeobtener:V
E
=Vcc/2=6V

ElectrnicaAnalgicaII

104

Determine:
a)PLmx b)PCCmx c)PCmx d)Laeficiencia e) La figura de
mrito
Q1
AC127
RL
81
Ca1
R2
Vin
Q2
AC128
Re
5.7
VDD
RC
E
Ca2
R1
Re
5.7
+ 12V
R3
Q3

Figura1.50

SOLUCION:
a) ClculodePLmx:
Rectadecargad.c.:
V
CE
=Vcc/2paraQ1yQ2
Como:I
CQ
=0(encorte)elpuntodeoperacinser:
V
CEQ
=Vcc/2 con:I
CQ
=0
Rectadecargaa.c.:

Se puede notar, que debido a V


CEsat
, i
C
slo podr excursionar hasta el valor Icm
dadopor:
Icm=((Vcc/2)V
CE,sat
)/(R
L
+Re)
Icm=(61)/86.7=57.7mA
Delaecuacin1.94,lamximapotenciaobtenibleenlacargaestadadopor:
P
Lmax
=I
2
cm
R
L
/2
P
Lmax
=(57.7)
2
x81/2
P
Lmax
=135mW

Como se puede comprobar, este valor est por debajo de su mximo valor ideal
queocurrecuandoIcm=69.2mA(osea,cuandoVCE,sat=0)
P
Lmax
ideal=(69.2)
2
x81/2=194mW
ElectrnicaAnalgicaII


105
b) ClculodePCCmx
Delaecuacin1.97,lamximapotenciaentregadaporVcces:
P
CC
max=VccIcm/=12Vx57.7mA/=220.3mW

Elvalormximoideales:
P
cc
ideal=12x69.2/=264.3mW

c) ClculodePCmx:
En la potencia disipada por cada transistor hay que distinguir entre dos
cosas:
1. Lapotenciadisipadaenelcolectornoesmximacuandolaexcursinenla
salidaesmxima,oseacuando:Icmmx=57.7mA.
Adems:P
Re
=

I
2
cm
R
e
/2=(57.7)
2
x5.7/2=9.49mW
Pc=(PccP
L
P
Re
)/2=(2201359.49)/2=37.76mw

Observamos que la potencia disipada en Re se puede despreciar en


comparacinconlasotrascuandosecumple:Re<<RL

2. LaPotenciamximadisipadaencolector,lacualcomosedemostren1.99,
ocurrecuando:Icmx=Vcc/[(RL+Re)]=12/[x(81+5.7)]=44.06mA
En el clculo anterior se incluye el efecto de Re, dado que no la estamos
despreciando.

Conestevaloryreemplazandoen(1.100)
P
cmax
=V
2
cc
/[4
2
(R
L
+Re)]=12
2
/[4
2
(86.7)]=42.1mW

d) Clculodelaeficienciamxima:
mx(en%)=(P
L
max/PCCmax)x100=
(135/220.3)x100=61.3%<
ideal
=78.5%

e) ClculodelaFiguradeMrito
F=P
c
max/P
L
max=42.1/135=0.312>F
ideal
=0.2
Lafigurademritodebeserlomenorposible.

PROBLEMA1.13:Enelcircuitodelafigura1.51,Q1yQ2sonunparmachadocon
=50yVCE,sat=0.5V.Determine:
a)PLmx,b)PCmx,c)PCCmx,d)Laeficiencia,e)Especifiquelostransistores
ElectrnicaAnalgicaII

106

R2
R1
Q1
Ca2
T1
Re = 0.5
R3
+ 12 V
Vin
R4
Re = 0.5
Q2
RL = 8

Figura1.51
SOLUCION:
a) ClculodePLmx:
Rectadecargad.c.:
V
CEQ
=Vcc/2 con:I
CQ
=0
Rectadecargaa.c.:

EnestecasonodespreciaremosReparamostrarlaformadeclculocuandodebe
sertomadaencuenta.

Sepuedenotar,quedebidoaV
CEsat
,i
C
slopodrexcursionarhastaelvalorI
cm
mx
dadopor:
I
cm
mx=((Vcc/2)V
CE,sat
)/(R
L
+Re)
I
cm
mx=(60.5)/8.5=647mA
Delaecuacin1.94,lamximapotenciaobtenibleenlacargaestadadopor:
P
Lmax
=I
2
cm
mxR
L
/2
P
Lmax
=(0.647)
2
x8/2=1.67W

ElectrnicaAnalgicaII


107
b) ClculodePCmx:
LaPotenciamximadisipadaencolector,lacualcomosedemostren1.99,
ocurrecuando:Icmx=Vcc/[(RL+Re)]=12/[x8.5]=449.4mA
Conestevaloryreemplazandoen(1.100)
P
cmax
=V
2
cc
/[4
2
(R
L
+Re)]=12
2
/[4
2
x8.5]=429mW.

c) ClculodePCCmx
Delaecuacin1.97,lamximapotenciaentregadaporVcces:
P
cc
max=VccIcm/=12x0.647/=2.47W

d) Clculodelaeficienciamxima:
mx(en%)=(P
L
max/PCCmax)x100=(1.67/2.47)x100=67.6%

e) Especificacindelostransistores:
La mxima tensin que soporta cada transistor es igual a la fuente de
alimentacin.Entoncesdebecumplirse:
BVCEO>12V

Lamximacorrientequeconducecadatransistores:Icmmx=0.647A
Entonces: iCmx>0.647A

Se ha calculado que la mxima potencia que disipa el transistor en el


circuitoes:PCmx=0.429W

Elegiremosuntransistorquecumplacon: PC>0.429Walatemperatura
detrabajo

1.3.111:ALGUNASOBSERVACIONESIMPORTANTESSOBREQ3:
Se habrn uds. Preguntando: Porqu no es conectada la resistencia del colector
de Q3(Rc) directamenteaVccenlugarde hacerloaV
DD
?La razneslasiguiente:
Refirindose al circuito de la figura 1.47, en las bases de Q1 y Q2 debe haber una
excitacin(seal)devalorligramentemayorquelatensindelosemisores(seal,
queeslamismaquehayenlacarga),yaquesondosseguidoresemisivos,comose
havistoanteriormente,latensindeV
CE
decadatransistorexcursionadesdevCE=
0VhastavCE=Vcc(estaeslamismaexcursinenRc),locualsignificaqueQ3debe
sercapazdedesarrollarunatensinencolectorqueoscileentre0VyVcc.

El lmite inferior es fcil de lograr, esto se consigue excursionando hasta casi la


saturacindeQ3(tensinV
CE3
=0V)ellmitesuperiornosealcanzarnuncasiV
DD

= Vcc ya que en Rc habr una cada de tensin debida a la corriente de base (en
ElectrnicaAnalgicaII

108

seal) de Q1, lo cual har que el mximo valor de tensin de V
CE3
sea menor que
VCC.

Esto har que Q3 no excite al mximo a Q1 y Q2 y por tanto no se podr lograr


mximaexcursinenlasalida.

Una forma de lograr una suficiente excitacin de Q1 y Q2 es conectando la


resistencia de colector Q3 a una tensin V
DD
> Vcc, suficiente para compensar la
cadaenRc.

Debidoaquenosiempreesposiblecontarcondosfuentesdiferentes,seutilizaun
artificio que se ve en la figura 1.52 en la cual al condensador C se le conecta el
terminalpositivodelafuenteatravsdeD1ylaresistenciadelcolectoralextremo
delacapacidadC,cuyatensinesigualaV
E
mslatensinalacualsehacargado
en DC el condensador. Como V
E
excursiona desde ms o menos 0 hasta VCC,
cuandollegaaVcc,latensinenelextremosuperiordeR
C
serVcc+tensinDCen
el condensador = 3Vcc/2 lo cual suministra una tensin de refuerzo a Q3 de
modo que ste pueda compensar suficientemente la cada en Rc. Otra forma de
lograrlo es reemplazando D1 por un resistor; la tensin de refuerzo ser menor
perosuficienteparapermitirlamximaexcursin.

Enelcircuitodelafigura1.52,Csuministraelefectomencionado,conlaventajade
tenerlacargaconectadaatierra.

Q1
AC127
RL
Ca1
R2
Vin
D1
Q2
AC128
C
Re
RC
E
Ca2
R1
Re
+ 12V
R3
Q3

Figura1.52

ElectrnicaAnalgicaII


109
1.3.112:AUTOESTABILIZACIONENDC:
Como se ha visto, es factor indispensable para evitar la distorsin y lograr la
mxima excursin simtrica, que la tensin DC en los emisores sea siempre
constanteeigualaVCC/2(funcionamientosimtricodelostransistores).Portanto,
hayqueestabilizaresttensinporlosefectosquepuedatenerenVL:Lavariacin
delatensindefuenteVCC,cambiodetransistores,temperatura,etc.Estoselogra
por ejemplo, en el circuito de la figura 1.53 polarizando a Q3 con la tensin
existenteentrelosemisores.

Veamos ahora cmo se logra la auto estabilizacin: Suponiendo que V


E
tiende a
disminuirpordebajodesuvalorptimoVCC/2,estoharquelacorrientedebase
yporlotantodelcolectordeQ3disminuya.Ladisminucinharquedisminuyala
cadadetensinenR
C
yporlotantolatensinenelcolectoraumentallevandoala
tensinV
E
asuvalororiginal.

SepuedeverqueigualcompensacinocurrecuandoV
E
tiendeaaumentar.

En los amplificadores comerciales se acostumbra emplear un amplificador


diferencial(estudiado enelcaptulo3)comoetapa de entrada,elcualtambinse
encargadequesecumpla:VE=VCC/2.

RL
Re
Re
RC
Q1
C3
Vin
Q2
C4
R3
R4
+ 12V
Ca1
R1
D1
R2
Ca2
Q3
E

Figura1.53

1.3.2:AMPLIFICADORPUSHPULLCLASEB
Este es otro tipo muy conocido de amplificador clase B. A pesar de haber sido
superado por los amplificadores de simetra complementaria y cuasi
complementaria (que se ver ms adelante) an es muy usado, por ejemplo, en
amplificadoresdeperifoneodebidoaquepermiteelacoplodelacargaytambin
ElectrnicaAnalgicaII

110

elevarlatensinparareducirlasprdidasenlosconductorescuandolosparlantes
estnalejados(comosucedeenlosedificiosyplantasindustriales)

1.3.21:CIRCUITOBASICO
En la figura 1.54 se muestra el circuito bsico con dos transistores NPN.
Observamos que la seal de entrada se acopla por un transformador de entrada
con una relacin tpica de 1:1; mientras que la carga es acoplada por el
transformadordesalidaconunarelacinn:1

Q1 y Q2 estn inicialmente en corte debido a que en las uniones baseemisor no


haypolarizacin

LosdevanadossecundariosdeT1sonidnticosparaevitarladistorsindelaseal
deentrada.

LosdevanadosprimariosdeT2sonidnticosparaevitarladistorsindelasealde
salida.

1.3.22:PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
Vemosqueenlostransformadoresestnmarcadoslospuntosdeigualpolaridad
Cuando Vin es positiva, el terminal 2 del transformador de entrada tendr
polaridadpositivarespectoalterminal11.
VCC
1:1
Vin
1:1
n:1 Q1
n:1
T2
2
7
5
8
11 6
RL
T1
2
7
5
8
11 6
Q2

Figura1.54

En los secundarios, el terminal 8 tendr polaridad positiva respecto al terminal 5


(polarizando directamente la unin baseemisor de Q1) y el terminal 7 tendr
polaridadpositivarespectoalterminal6(polarizandoinversamentelauninbase
emisordeQ2).EstoharqueQ1conduzcayQ2permanezcacortado
ElectrnicaAnalgicaII


111
En el transformador de salida (T2) circular la corriente de colector de Q1 por el
devanado primario superior, mientras que en el devanado inferior no habr
corrienteperoshabrtensininducidaporelflujomagnticooriginadoporQ1

Cuando Vin es negativa, el terminal 2 del transformador de entrada tendr


polaridadnegativarespectoalterminal11.

En los secundarios, el terminal 8 tendr polaridad negativa respecto al terminal 5


(polarizando inversamente la unin baseemisor de Q1) y el terminal 7 tendr
polaridadnegativarespectoalterminal6(polarizandodirectamentelauninbase
emisordeQ2).EstoharqueQ2conduzcayQ1quedecortado

En el transformador de salida (T2) circular la corriente de colector de Q2 por el


devanado primario inferior, mientras que en el devanado superior no habr
corrienteperoshabrtensininducidaporelflujomagnticooriginadoporQ2

Podemos observar que en ambos casos la fuente VCC entrega corriente en el


mismosentido,yaseaaldevanadosuperiorcomoalinferior.

Debidoaqueslofuncionaundevanadoprimarioalavez,laimpedanciareflejada
serRp=n
2
RL

1.3.23:PUNTOSDEOPERACIN
RECTADECARGAESTATICA:
Encontinuanohaycorrientedecolector.Porlotanto.
VCE1=VCC (1.103)
VCE2=VCC (1.104)

RECTASDECARGADINAMICA:
Enelcircuitodelafigura1.53,paraAC:
v
CE1
=VCCi
C1
n
2
RL (1.105)
v
CE2
=VCCi
C2
n
2
RL (1.106)

EstasrectasdecargaACdebernpasarporelpuntoQ;entonces,bastarbuscarel
otropuntodelarecta.Cuando:
v
CE1
=0 I
cm1mx
=Vcc/n
2
RL (1.107)
v
CE2
=0 I
cm2mx
=Vcc/n
2
RL (1.108)

Yvemosque: I
cm1mx
=I
cm2mx

Enlafigura1.55seobservanlasdosrectasdecargaparacadatransistor:
ElectrnicaAnalgicaII

112

VCC
vCE2
vCE1
2 VCC
AC
DC
IC1 e IC2
VCC / n2 RL
Q
0

Figura1.55

1.3.24:POTENCIAENTREGADAALACARGA:P
L

LapotenciamximaenlacargaP
L
mxocurrecuandoI
cm
alcanzasumximo
valorterico:
I
cmmx
=Vcc/n
2
RL

Paraondasinusoidal:
P
L
max=(I
cmmx
)
2
n
2
RL/2

=V
2
cc
/2n
2
RL (1.109)

LapotenciaparacualquiervalordeIcmes:
P
L
=(i
L
eff)
2
R
L
=(I
cm
/)
2
n
2
RL/2
P
L
=(I
cm
)
2
n
2
R
L
/2 (1.110)

1.3.25:POTENCIAENTREGADAPORLAFUENTE:PCC
iCC=corrientequecirculaporlafuente.
Icc=2I
cm
/valormediodeicc
Luego:
Pcc=VccIcc=2VccIcm/ (1.111)

Lapotenciamximaentregadaporlafuenteocurrecuando:
I
cmmx
=Vcc/n
2
R
L

Reemplazandoen1.96:
P
CC
mx=2V
2
cc/n
2
R
L
(1.112)

1.3.26:POTENCIADISIPADAENCOLECTOR:PC
En la figura 1.54 se puede observar que Q1 y Q2 slo disipan potencia en el
semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de
ellosescero.Podemosplantearlosiguiente:
ElectrnicaAnalgicaII


113
PCC=2PC+PL (1.113)
PC=0.5(PCCPL)=0.5(2VccIcm/(I
cm
)
2
n
2
R
L
/2) (1.114)

VALORMXIMODEPC
Dado que la ecuacin de PC no es lineal (es una parbola cncava hacia abajo),
PCmxnotieneporquocurrirparaI
cmmx
.

Hallamos entonces el valor Icmx para el cual ocurre la mxima disipacin de


colector,derivandorespectoaIcmeigualandoacero:

(dPc/dI
cm
)=(2Vcc/)(I
cm
n
2
R
L
)=0
Obtenemos:
Icmx=2Vcc/n
2
R
L
(1.115)

Reemplazandoen(1.114)obtenemos:
PCmax=V
2
cc
/
2
n
2
R
L
(1.116)

1.3.27:EFICIENCIADELCIRCUITO:

=P
L
/PCC=((I
2
cm
n
2
R
L
)/2)/(2VccI
cm
/) (1.117)

Encondicionesmximas,cuando:Icmmx=Vcc/n
2
R
L

Reemplazandoen(1.101)
mx=/4=0.785
Enporcentaje: mx=78.5%

1.3.28:FIGURADEMERITO:F

F=PCmax/PLmax (1.118)

(1.116)y(1.109)en(1.118)setiene:
F=2/
2
=1/5

Estos valores de y F, son los mismos que se pueden lograr tericamente para el
casoideal,conlosotrostiposdeamplificadoresclaseB.

1.3.29:COMPARACINENTREPUSHPULLYSIMETRACOMPLEMENTARIA.
a) Unaventajaenelusodelostransformadoresenpushpulleselpoderacoplar
impedanciasfcilmente,perotieneungrannmerodedesventajascomo:
ElectrnicaAnalgicaII

114

Bajo rendimiento: Es muy difcil conseguir un transformador de potencia
coneficienciamayorde80%.
Larotacindefaseintroducidaporlostransformadoresdificultaelempleo
detcnicasderealimentacinnegativa(paradisminuirladistorsin)yaque
correelriesgodeaparicindeoscilacionesparaalgunasfrecuencias.
El peso de los ncleos utilizados aumenta considerablemente el peso total
delosequipos.
El tamao de los transformadores evita poder construir equipos
compactos.
b)Unadelasventajasdelamplificadordesimetracomplementariaesqueestando
laetapaexcitadoraacopladadirectamente,larespuestaenfrecuenciamejora.
c)Una dificultad del amplificador en simetra complementaria consiste en lograr
obtener dos transistores apareados (machados) npn y pnp. Esto se hace ms
difcilconformeaumentalapotenciarequerida,demodotalqueprcticamente
estos amplificadores en simetra complementaria slo se usan para potencias
menores a 20W. Por arriba de estas potencias se utilizan los amplificadores
cuasi complementarios, los cuales utilizan el mismo principio, pero evitan el
empleodeunparmachadoenlaetapadesalida.

PROBLEMA 1.14: En el circuito de la figura 1.56, los transistores tienen las


siguientescaractersticas:Q1=Q2,silicio,VCE,sat=1V,=100,V=0.6V
Determine:
a)R1 b)PLmx c)PCC d)PCmx e)
Vi
VCC
12V
1:1
1:1
2 6
9
7
10 4
RL
8
Re
1
C
2:1
2:1
2 6
9
7
10 4 Re
1
Q1
Q2
R2
100
C es muy grande
R1

Figura1.56

ElectrnicaAnalgicaII


115
SOLUCION:
a) ClculodeR1:
ElamplificadortrabajaenclaseABparaevitarladistorsindecruce
Debecumplirse:VCCR2/(R1+R2)=V+IERe
Comosecumpleprcticamenteque: IE=0
PodemoshallarR1: R1=1900

b) ClculodePLmx:
Laimpedanciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
R
L
=32
RectaAC:v
CE
=VCCi
C
(n
2
RL+Re)=1233i
C

Como debe considerarse la regin de saturacin, el mnimo valor de v


CE
es
VCE,sat;enesecasoi
C
alcanzasuvalormximo: I
cmmx
=(121)/33=333mA
Asumiendo que el transformador es ideal, dado que no nos dan ms datos
sobrel,lapotenciamximaentregadaalacargaes: P
L
max=(I
cm mx
)
2
n
2
RL
/2

Reemplazandoyefectuando: PLmx=1.89W

c) ClculodePCC:
Lamximacorrientepromedioqueentregalafuentees: ICC=2I
cmmx
/
=212.2mA

Luego,de1.111: Pcc=VccIcc=2VccI
cmmx
/=2.55W

d) ClculodePCmx:
SinodespreciamoslapotenciadisipadaporRe,debemosplantearlasiguiente
ecuacin:

PCC=PL+2PC+Pe
DondePeeslapotenciadisipadaporlosdosresistoresdelemisor
ReemplazandolasexpresionesenfuncindeIcm:
2VccIcm/=I
2
cm

n
2
RL/2

+2PC+I
2
cm

Re/2
DerivandoPCrespectodeIcmeigualandoacerohallamoselvalordeIcmx:
Icmx=2Vcc/(n
2
R
L
+

Re)=231mA
Luego,PCmx=0.437W

e) Clculode:
Deladefinicindeeficiencia:=PLmx/PCCmx=74.1%

ElectrnicaAnalgicaII

116

PROBLEMA1.15:Enuncircuitosimilaraldelafigura1.54setiene:Q1=Q2,silicio,
VCE,sat = 1V, = 100, V = 0.6V, ICQ = 0. Si cuando VCC = 15V el circuito entrega
una potencia mxima a la carga de 6 W. Qu potencia mxima entregar a la
cargasisehaceVCC=12V?

SOLUCION:
Tenemos: P
L
max=(I
cmmx
)
2
n
2
RL/2

=(VCCVCE,sat)
2
/2n
2
RL=6
Dedonde: n
2
RL=(151)
2
/12=16.33
CuandoVCCdisminuyea12V: P
L
max=(121)
2
/(2*16.33)=3.7W

PROBLEMA 1.16: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 10 W.


Determine la potencia de salida mxima que puede obtenerse de un amplificador
push pull clase B, como el de la figura 1.54, usando dos de estos transistores.
Asumaquelaexcitacinessinusoidalyqueelamplificadortieneunaeficienciadel
75%.

SOLUCION:
Tenemos: P
L
max=(I
cmmx
)
2
n
2
RL/2

=(VCCVCE,sat)
2
/2n
2
RL
Adems: PCmax=VCC
2
/
2
n
2
R
L
=10
Entonces: VCC
2
=10
2
n
2
R
L

Comolaeficienciaesdadapor:=P
Lmx
/PCCmx=((I
cmmx
n
2
R
L
)/2)/(2Vcc/)=
0.75

Adems: I
cmmx
=(VCCVCE,sat)/n
2
R
L

Reemplazando: 0.75=[(VCCVCE,sat)/2]/(2Vcc/)
Dedonde: 3VCC/=(VCCVCE,sat)
ReemplazandoenPLmx:
P
L
max=9(VCC
2
)/2n
2
RL
2
=9(10
2
n
2
R
L
)/2n
2
RL
2
=9(10
2
)/2
2
=45W

PROBLEMA 1.17: Se desea entregar 10 W a una carga de 10 , mediante un


amplificador pushpull clase B, como el de la figura 1.54. Si se dispone de
transistoresquetienenBVCEO=40V,silicio,VCE,sat=2V,=50,V=0.6V;halle:

a)ElvalordelafuenteVCC
b)Elmximovalordenrequerido
c)PCmxdecadatransistor
ElectrnicaAnalgicaII


117
SOLUCION:
a) ClculodeVCC
Comolatensinderupturaes40Vyeltransistorenelamplificadorpushpull
soporta una tensin mxima igual 2 VCC, no se puede emplear una fuente
mayorde20V
Entonces,emplearemos:VCC=20V

b) Clculodelmximovalordenrequerido:
Tenemos: P
L
max=(VCCVCE,sat)
2
/2n
2
RL=10W
Reemplazandovalores:P
L
max=(202)
2
/2n
2
RL=10W
Dedonde:n
2
RL=16.2
Luego: n=1.27
Dado que hemos calculado n con la mxima tensin posible, dicho valor es el
mximo.

c) ClculodePCmxencadatransistor
Delaecuacin1.116: PCmax=V
2
cc
/
2
n
2
R
L
=2.5W

PROBLEMA 1.18: En un amplificador pushpull clase A se desea cambiar el


transformador de entrada por un circuito que emplee un transistor. Cul sera la
disipacindeestecircuito?Expliquesufuncionamiento.

SOLUCION:
Elcircuitodeentradadeunamplificadorpushpulldebesercapazdeentregardos
sealesconlamismaamplitud,perodesfasadas180.Comoelpushpulltrabajaen
clase A, sus dos transistores deben estar polarizados en la zona activa. A
continuacin se muestra, en la figura 1.57, un circuito que puede hacer dicha
operacin:
B
R
R
Vg
R2
A
Ca1
R1
Q
10V

Figura1.57
ElectrnicaAnalgicaII

118

Las resistencias de colector y emisor deben ser iguales para asegurar que los
nivelesdetensintambinseaniguales.Lasealenelcolectorestdesfasada180
respectoaladeemisor.

En los nudos A y B adems de seal tambin hay tensin continua, la cual puede
usarseparapolarizaralaetapadepotencia.

Esta etapa debe trabajar en clase A para que funcione en la forma requerida. En
estecaso,lamximadisipacindelcircuitoseproducirenelpuntodeoperacin,
cuandonohayasealdeentrada.

ESQUEMASDEAMPLIFICADORESDESIMETRACOMPLEMENTARIA

AmplificadordeaudioparatelevisorFapesa
65
100pF
1
640uF
t
130
NTC
Q4 12K
Q1
320uF
640uF
+12Vdc
15 100
320uF
10
Q3
680 5 Ohm
3K3
1
Q2
3K3
18K
40uF
4K7

Figura1.58

ElectrnicaAnalgicaII


119
AmplificadordeaudioparatelevisorPhilips
Q3
2SB156
200uF
4 Ohm
36
0.1uF
100
270
1
Q3
AC187
1K
500uF
100
+ 6Vdc
Q8
AC188
39K
130
+ 5Vdc
Q1
ED1402
Q2
ED1602
0.1uF

Figura1.59

1.3.210:PREGUNTASRELATIVASAAMPLIFICADORESPUSHPULL
1) Dibuje una configuracin bsica de un amplificador pushpull para que
funcioneenclaseA.Deduzcalasrectasdecargayrelacionesdepotencia.
2) Indique las ventajas y desventajas comparativas entre las tres
configuracionesbsicasenpushpull(operandoenclaseA,AB,B)
3) Para pushpull clase AB, se puede colocar un diodo zener para reducir el
crossover?Porqu?Sisepudiese,comosehara?Seraprcticohacerlo?
4) Enlapolarizacindeentradacmoyparaqu:
EmplearauntermistorNTC?
EmplearauntermistorPTC?
5) En el desfasador de entrada, se puede emplear la disposicin de un
transistor con salidas desfasadas en colector y emisor, para un pushpull
clase B? Porqu? En general, cmo intervienen las impedancias de salida
dedichodesfasador?
6) Si se emplean resistencias en emisores, para qu serviran? Se pueden
desacoplar con condensadores? Porqu? Se puede emplear una sola
resistenciaparaambosemisores?Cmo?
7) Es importante o no, considerar la regulacin de fuente DC en operacin
claseB?Porque?
8) El acoplamiento a la carga, se puede realizar con autotransformador?
Cmo? Qu ventajas y desventajas habra con respecto al que emplea
transformador?
ElectrnicaAnalgicaII

120

9) Si en vez de polarizar al corte para trabajo en clase B, se polariza en
saturacin,quocurrira?
10) Qu caractersticas deben tener los transformadores empleados en la
entradacomoenlasalidadelosamplificadorespushpull,claseA?yenclase
B?.Esindiferenteonoalaubicacindelospuntosdeigualpolaridad?
11) Del estudio del circuito bsico clase B, la tensin de seal en el primario (=
nVL),PuedesermayorqueVcc?PuedesermenorqueVcc?
12) En las relaciones deducidas, Interesa que el transformador sea
ideal?Intervendran en un caso real los parmetros reactivos del
transformador?
13) La recta de alterna puede cruzar la hiprbola de disipacin mxima del
transistor? Si se pudiese, cun alejada de ella? Y si la operacin es con
pulsos?
14) Paraevitaroreducirladistorsinporcrossoverentransistoresbipolares,es
mejor excitar con tensin o con corriente? Por qu? Cmo se logra lo
anterior?
15) La inductancia de dispersin del transformador de salida tendr influencia
apreciableenclaseB?
16) Las capacidades e inductancias del transformador Podran reducir la
distorsinporcrossover?Cmo?
17) Lafuente DCdeunPush Pullnecesitadeun mayoro menorfiltradoquelas
etapassimplesenclaseA?
18) Qu ocurre con la distorsin armnica en los Push Pull? Qu tipos de
distorsinpuedenpresentarseydebidoaqu?
19) SisetieneunamplificadorPushPullclaseBfuncionandoatodovolumenyse
desconectaelparlante,QuocurrerespectoalPushPullclaseA?Alsimple
claseAconchokeencolector?Yalacopladoportransformador?
20) Esindiferente,siempre,quelacargaseaflotanteoqueestpuestaatierra?

DIVERSOSESQUEMASDEAMPLIFICADORESENPUSHPULL

1. En la figura 1.60 se tiene un amplificador, con driver, clase A acoplado por


transformador, que puede entregar una potencia de 400mW con 10% de
distorsiny50mWcon3%dedistorsin;respuestaenfrecuencia:100Hz
5.5KHz
ElectrnicaAnalgicaII


121
Vin
Volumen
(audio)
T2
2
7
5
8
11 6
Q2
PARLANTE
T2
2
7
5
8
11 6
+VCC
+VCC
+VDD
Q3
-
+
1
3
4
2
5

Figura1.60

2. Clase B con salida en serie, sin


transformador de salida y con 2
fuentesdealimentacin.

3. Clase B con salida en serie, con1


fuente de alimentacin, sin
transformadordesalida.
Q1
C
Q2 Q2
T
2
7
5
8
11 6
VCC
VCC Q1
VCC
RL
T
2
7
5
8
11 6
RL

Figura1.61

4. En la figura 1.62 se tiene un Amplificador que puede entregar 600 mW


(mnimo).Empleadocomoamplificadorprevioysalidadeuntcasete.

R9
R
C1
10uF
R6
1K5
Q3
2SB475
C3
100uF
PARLANTE
4
C8
10nF
Q4
2SB475
C4
470uF
R3 120k
T
C2
33uF
R10 50k
2
7
5
8
11 6
R2
500
R1
33k
Q2
2SB175
C9
220uF
R4
560
-6V
R8
1K5
C7
10nF
Q1
2SB175
R7 50
R5 150

Figura1.62

ElectrnicaAnalgicaII

122

5. EtapadeaudiodetelevisorCROWN(modeloCTV12)

R7
1k2
C2
50uF
R2
68k
R10
R
R4
10
R3
1k
R11
2.2 R1
15k
+10.6V
PARLANTE
60 Ohm
2500
Ohm
T1
2
7
5
8
11 6
C3
10uF
C1
10uF
R5
1k2
Q1
2SB117
-11V
Q3
2SB77
R6
3k3
Q2
2SB77
R8
3k3

Figura1.63

6. Etapapushpullconsalidaacopladadirectamente:

R7 100
C2
100uF
R6 100
R2
10k
R1
62k
T1
2
7
5
8
11 6
R5
2k7
R4
10
R3
1k
R9
5
+4.5V
PARLANTE
36 Ohm
2500
Ohm
C1
10uF
R10
5
Q1
OC71
-4.5V
Q3
2SB77
Q2
2SB77
R8
2k7
Figura1.64

ElectrnicaAnalgicaII


123
AMPLIFICADORESCUASICOMPLEMENTARIOS
El inconveniente principal del amplificador de simetra complementaria es la
necesidad de dos transistores complementarios (NPN y PNP). Estos transistores
deben tener caractersticas elctricas idnticas. Esto hace difcil conseguir
transistores que cumplan dichos requisitos (par machado o matched pair) para
potenciasdesalidamayoresde30W.

Los amplificadores de simetra cuasicomplementaria resuelven este problema al


permitirquelostransistoresdepotenciaseandelmismotipo.

Estasetapassedenominanasporelhechodeestarconstituidasporunparpnpo
npn de salida, excitados por otro par del tipo complementario pnp o npn, como
podemosverenelsiguientecircuito.(Figura1.65)

V1 = VCC/2
Q2
Q1
Vin
Q3
VCC
V2 = VCC/2
Q4
RL

Figura1.65

Q3yQ4sonlostransistoresdepotenciaencargadosdealimentaralacarga,RL.
Q1yQ2sontransistoresdriversdemenorpotencia.
Q1yQ3formanunaconfiguracinDarlington.
Q2yQ4formanunaconfiguracinPNPsimulado.

En el esquema bsico de la figura 1.61, los transistores encerrados con la lnea


segmentada forman un excitador de simetra complementaria que proporciona la
excitacinylafasenecesaria.

Bsicamente un amplificador casi complementario consiste en considerar el


resultado de conectar un transistor pnp a un transistor de salida npn para alta
potenciacomovemosenlafigura1.65.Lacorrientedeltransistorpnpseconvierte
en la corriente de base del transistor npn. El transistor npn que funciona como
seguidordeemisorproporcionagananciaadicionaldecorrientesininversin.Sise
considera al emisor del transistor npn como colector efectivo del circuito
ElectrnicaAnalgicaII

124

compuesto, resulta evidente que el circuito equivale a un transistor pnp de alta
gananciayaltapotencia(figura1.66).

Q4
ie equiv.
ic equiv.
Qequiv.
Q2

Figura1.66

Consideremos que los transistores Q2 y Q4 tienen una relacin de corriente de


transferenciadirectapulsadaestticah
FE2
yh
FE4
respectivamente:
i
c
equiv.=i
e4

i
e
equiv=i
c4
+i
e2

i
c2
=i
b4

i
e4
=(h
FE4
+1)i
b4

i
c2
=h
FE2
i
b2

h
FE
equiv=i
c
equiv/i
b
equiv=i
e4
/i
b2
=(h
FE4
+1)i
b4
/i
b2
=(h
FE4
+1)i
c2
/i
b2

h
FE
equiv=(h
FE2
+1)i
c2
/i
b2
=(h
FE4
+1)h
FE2
i
b1
/i
b1
=h
FE2
(h
FE4
+1)
h
FE
equiv=h
FE2
(h
FE4
+1)si:h
FE4
>>1
h
FE
equiv=h
FE2
h
FE4

Laotraseccinessimplemente un Darlingtoncompuestode dostransistores npn,


(Figura 1.67) a continuacin hallaremos la ganancia equivalente, suponiendo que
lostransistoressonapareados(matched).

Tomemosh
FE1
paraQ1yh
FE3
paraQ3:
Q3
ic equiv.
ie equiv.
Q1

Figura1.67

ElectrnicaAnalgicaII


125
i
c
equiv=i
c1
+i
c3

ieequiv=i
e3

i
b
equiv=i
b1

i
e1
=i
b3

i
c1
=h
FE1
i
b1

i
c3
=h
FE3
i
b3

i
e3
=(h
FE3
+1)i
b3

h
FE
equiv=i
c
equiv/i
b
equiv=(i
c1
+i
c3
)/i
b1
=(h
FE1
i
b1
+h
FE3
i
b3
)/i
b1

h
FE
equiv=(h
FE1
ib1+h
FE3
ie1=(h
FE1
i
b1
+h
FE3
(h
FE1
+1)i
b1
)/i
b1

h
FE
equiv=h
FE1
+h
FE3
+h
FE1
h
FE3

si:h
FE1
>>1,h
FE3
>>1
h
FE
equivh
FE1
h
FE3

Lapreferenciaausarelparfinaldeltiponpnsedebealossiguientesmotivos:
1. A niveles de potencia superiores en los circuitos de simetra complementaria
se requiere un transistor excitador en clase A que pueda disipar considerable
calor, con la inconveniencia del uso de un disipador trmico relativamente
grande. Adems, el drenaje de corriente en reposo de la fuente de
alimentacin llega a ser importante y se requieren capacitores de filtro
excesivamentegrandesparamantenerbajoelniveldezumbido.

Por estas razones la potencia de salida mxima prctica para un verdadero


amplificadordesimetra complementariaseconsidera alrededor de20W, por
lo que para potencias mayores usamos el amplificador de simetra cuasi
complementaria.

2. El transistor pnp de potencia en el par complementario de salida es an ms


caroqueelnpnyengeneraltieneregmenesdeseguridadmsreducidosque
sucompaeronpn,comoelcontroldeladifusindebaseesmsdifcilenlos
dispositivos pnp el costo de estos transistores es generalmente 25% mayor
queeldelosnpncorrespondientes.

Los transistores de salida pnp de potencia para circuitos complementarios


generalmente son de germanio y se utilizan para potencias inferiores a los
30watts.

En general un circuito cuasi complementario es menos estable que uno de


simetra complementaria, pero con transistores de silicio no presenta
problemas.

Losresistoresdedrenaje(Rd)delafigura1.68proveenlassiguientesventajas:
ElectrnicaAnalgicaII

126

Q1
Q3
Rd
Re
Re
Rd
Q4
Q2

Figura1.68

1. Mejoradelarespuestaenaltafrecuencia
2. Mejora de la estabilidad del transistor de salida ya que se provee de una
derivacinparalacorrientedefugaI
CBO
.
3. Se aumenta el BV
CEO
poniendo al transistor en el modo V
CER,
que en los
transistores de silicio de potencia para una Rd igual a 100 ohmios en
generalproduceunaumentode10V.

En el circuito de la figura 1.68, se observan tambin los resistores puestos en


emisordelostransistoresdesalida(Re)quesirvenparaestabilizarelpuntode
operacin con respecto a la temperatura, en algunos circuitos se pone un
diodo para evitar las prdidas producidas en Rd y proveer mayor estabilidad,
ya que este diodo est acoplado mecnicamente al mismo disipador del
transistordesalida,mejorandoaslaestabilidadporrealimentacintrmica.

Como se indica en la figura 1.69, los circuitos de salida en serie puede


emplearse con fuentes positivas y negativas separadas; en este caso no se
necesitacapacitordesalidaenserie.

La eliminacin de este capacitor puede resultar una ventaja econmica aun


cuando se utilice una fuente de alimentacin adicional debido a que este
capacitor de salida necesario cuando se usa una sola fuente de alimentacin,
debe tener un alto valor para obtener un buen comportamiento a bajas
frecuencias (por ejemplo se requiere un capacitor de 2000F para
proporcionarunpuntode3db.20Hz.paraunaimpedanciadecargade4).
Sinembargo,lasfuentesdealimentacindivididasplanteanciertosproblemas
que no existen en el caso de una fuente: La salida del amplificador debe
ElectrnicaAnalgicaII


127
mantenerse a potencial cero como en condiciones de reposo para todas las
condicionesambientalesyvariacionesdelosparmetrosdeldispositivo.

Asimismo, la referencia de masa de entrada ya no puede estar en el mismo


punto A, porque este punto est al potencial negativo de la fuente en un
sistemadefuentedividida.

R8
R4
Q2
Q3
+ VCC
C4
C1
R12
D1
C3
R5
R10
R9
R7
Q1 Q4
Q6
- VCC
C2
R6
D3
R11
RL
R2
Q5
R3
D2
R1

Figura1.69

Si la referencia del punto a masa para la seal de entrada fuera un punto comn
entre las fuentes divididas, cualquier ondulacin residual presente en la fuente
negativa excitara efectivamente al amplificador a travs del transistor Q5, con el
resultadodequeestaetapafuncionaracomoamplificadordebasecomnconsu
baseconectadaamasaatravsdelaimpedanciaefectivadelafuentedesealde
ElectrnicaAnalgicaII

128

entrada. Para evitar esta condicin, el amplificador debe incluir un transistor
adicionalpnpcomoseveenlafigura1.69

Estetransistor(Q6)reducelosefectosdeexcitacindelaondulacinresidualdela
fuentenegativadebidoalaaltaimpedanciadecolector(1Moms)quepresenta
a la base del transistor Q1. En la prctica, puede ser reemplazado por un par
Darlingtonparareducirlosefectosdelacargaenelpreexcitadorpnp.

Se aplica realimentacin negativa de cc desde la etapa de salida a la entrada a


travs de R1, R2 y C1 de manera de mantener la salida a un potencial
aproximadamentecero.

En realidad, la salida se mantiene aproximadamente a la tensin baseemisor de


polarizacin directa del transistor Q6, lo que puede causar inconvenientes en
algunospocoscasos,peroellopuedeeliminarse.ElcapacitorC1derivalafuentede
alimentacinnegativadeccatodaslasfrecuenciasdelaseal.

PROTECCINCONTRACORTOCIRCUITOS
Un aspecto importante en el diseo de los amplificadores de alta potencia es la
aptituddelcircuitoparasoportarcondicionesdecortocircuito.

Unprimermtodoconsisteenelindicadoenlafigura1.70

R es un sensor de corriente, si se produce cualquier condicin que haga conducir


corrientedecargasuperioralanormal,losdiodosD1yD2conducenensemiciclos
alternados proporcionando una realimentacin muy negativa que reduce
eficazmente la excitacin de los amplificadores. Esta realimentacin no debe
exceder el margen de estabilidad del amplificador. Esta tcnica no afecta de
ningunamaneraalnormalfuncionamientodelamplificador.
ElectrnicaAnalgicaII


129
R
CR1
+ VCC
CR2
RL

Figura1.70

Un segundo mtodo para limitar la corriente est representado en la figura 1.71.


Enestecircuitoseusaunareddepolarizacindediodosparaestablecerunlmite
de corriente fijo a los transistores de excitacin y de salida. En condiciones
sostenidas de corto circuito, sin embargo, los transistores de salida deben tolerar
estelmitedecorrienteyunsemiciclodelatensindealimentacindeCC.


R
D1
D2
Re
R2
D3
Re
R3
R4
+ VCC
D4
R1
Rs

Figura1.71

En la figura 1.72 se ilustra la tcnica de limitacin de disipacin que proporciona


proteccinpositivaparatodaslascondicionesdecargalaaccinlimitadoradeeste
circuitoapareceenlafigura1.73.Estatcnicalimitadoradereasegurapermiteel
ElectrnicaAnalgicaII

130

usodetransistoresdeexcitacinysalidadebajadisipacinydisipadorestrmicos
mspequeosenlasetapasdesalida.

Elusodelosdisipadoresmsreducidosesposibleporqueladisipacinparaelpeor
de los casos es un funcionamiento normal a 4 en lugar de las condiciones de
cortocircuito.Graciasaestatcnica,lascargasmuyinductivasocapacitivasyano
constituyen un problema y son innecesarios los interruptores trmicos; adems la
tcnicaespococostosa.

Q5
Q2 RL
D2
R5
Q3
Q6
R6 R9
R2
R10
D1
R8
R2
R1
Q4
+ VCC
Q7
R3
Q1
R7
R4

Figura1.72

ElectrnicaAnalgicaII


131
Ic
Vce
LIMITE

Figura1.73

Otrotipodeproteccinusadaescondiodozenercomoloindicaenlafigura1.74.

Q3
D4
RL
D1
Q2
Q5
D3
D2
R6
R8
R7
R9
R1
R3
Q4
R4
+ VCC
Q1
R2 R5

Figura1.74

En la figura 1.75 se muestra la disposicin bsica de un circuito de simetra casi


complementaria, por lo general estos poseen transistores de salida npn de silicio
de tipo homotaxil (o difusin nica) que se caracterizan por su solidez y altas
corrientes. Estos transistores y los transistores excitadores para el amplificador
complementariofuncionanenclaseABenunadisposicinqueaseguraunpequeo
drenajedecorrienteconsealcero.Otrascaractersticasdelcircuitosonlasetapas
preamplificadorasypreexcitadoraacopladasdirectamenteylaproteccincontra
cortocircuitosolimitacindereasegura.Laetapapreamplificadorasecompone
ElectrnicaAnalgicaII

132

deuncircuitopuentebalanceadoQ1yQ2quemantieneunatensindereposode
CC cero en la salida. La realimentacin se acopla a travs del resistor R6 y se
proveereferenciademasaatravsdelresistorR2ydelcapacitorC2.

LosemisorescomunessonretornadosalafuentepositivaatravsdelresistorR3y
el diodo D1 y el resistor R5. El diodo D1 y el capacitor C4 reducen al mnimo los
transistores de apagado y proporcionan desacoplamientos de la fuente de
alimentacin. El circuito puente est acoplado directamente a una etapa pre
excitadora clase A (Q3), la que se acopla a los excitadores complementarios (Q4 y
Q5) a travs de R12. El circuito de proteccin para limitacin de disipacin esta
tambin conectado a este punto. El propsito de este circuito es, como ya se
mencion, impedir que la etapa de salida comience a conducir si se produce una
disipacinanormalmentealta.

El circuito limitador de disipacin proporciona una derivacin para la corriente de


excitacin desde el excitador asociado y los dispositivos de salida. El resistor R12
proporciona cierta limitacin de corriente que el transistor Q9 debe soportar
durante la sobrecarga. El capacitor C9 puentea a R12 para mejorar la respuesta a
transitorios. Los diodos D2, D3, D4 y el resistor R11 suministran una polarizacin
directacontroladaalosexcitadoresyalosdispositivosdesalida,demaneraquese
mantieneelfuncionamientoenclaseAB.
D6
R1
R13
R12
Entrada
de audio
R20
R8
D3
D8
C14
- VCC
C6
R17
Q8
Al parlante
R2
R14
R21
C8
+ VCC
Q7
Q2
R18
R6
D10
Q4
Q6
R4
R9
C12
C4
R3
C5
R13
D2
R22 R25
D7
C11
R15
R7
Q9
D9
C2
D1 R5
Q5
D4
C15
D5
R24
C10
Q3
R16
C16
R10
C1
D11
C9
Q1
C7
R23
R11
L1
10 uH

Figura1.75

ElectrnicaAnalgicaII


133
ElcapacitorbootstrapC6suministraelrefuerzodetensinadicionalnecesariapara
saturarelpardesalidasuperior(Q4yQ6)atravsdelosresistoresR8yR10.

El capacitor C7 proporciona una oscilacin de tensin controlada a travs de R9 y


R13 para superar las prdidas normalmente introducidas por el resistor R12. El
resistor R13 y el capacitor C8 proporcionan desacoplamiento a altas frecuencias
para la lnea de alimentacin negativa de CC. Los resistores R20 y R21, junto con
R22 y R23permitenla necesaria estabilizacin paralostransistores desalida Q6 y
Q7.LacorrientepasaatravsdelresistorR23paradetectarlosciclospositivosyse
acopla al transistor Q8 a travs del resistor R17. El resistor R14 y el diodo D6
proporcionaladeteccinsimultaneadetensin.Lacorrienteesdetectadaatravs
delresistorR22paralalimitacindelosciclosnegativos,acoplndosealtransistor
Q9atravsdelresistorR18.LadeteccindetensinmediantelosresistoresR15y
R16yeldiodoD7produceunavariacinenlapendientedelacurvadelimitacin.

LosresistoresR24yR25,loscapacitoresC13yC15yelinductorL1proporcionanla
reduccin de altas frecuencias, de manera que es posible mantener un buen
margen de estabilidad en cualquier condicin de carga C10, C11 y C12 proveen
estabilidad adicional durante la limitacin. Los diodos D5 y D8 impiden la
polarizacin directa de las junturas colectorbase de los transistores Q8 y Q7
durante los semiciclos alternados de la seal. Los capacitores C14 y C16 se
encargan de la supresin de parsitos. El diodo D9 y el resistor R18 aseguran la
adaptacin de transconductancias entre los pares Darlington superior e inferior
parareduciralmnimoladistorsinabajonivel.

LosdiodosD10yD11protegenlostransistoresdesalidadelospotencialesinversos
queseproducendurantelaconmutacinenelcasoqueseuseunacargaacoplada
portransformador.
ElectrnicaAnalgicaII

134

AMPLIFICADORESDEAUDIOCONCIRCUITODISCRETO
R20
0.39
R12
47
R22
22
R12
1K
-32Vdc
Q9
D5
1N4004
C5
20nF
+32Vdc
R7
18K
Q8
D8
1N4004
D1
1N4004
D2
1N4004
R1
1.8K
C3
47uF
R15 68
R4
15K
R8
390
D9
1N4004
D3
1N4004
Q1
C12
50nF
Q3
C4
47uF
R19
0.39
C1
4.7uF
C7
47uF
Q7
R9
2.2K
C13
20nF
Q2
R18
100
C11
50nF
D7
1N4004
R17 68
D9
1N4004
R6
180
R5
560
C8
20nF
R21
100
R14
100
L1
10uH
R11
270
Q5
R13
4.7K R16
68
C6
47uF
R23
22
C2
180pF
R2
18K
Q6
R3
680
Q4
D6
1N4004
R10
2.7K
C9
50nF
C10
50nF
Parlante
8 / 20W
D4
1N4004

Figura1.76

R19
2K2
D5
1N5395 Q5
D386
R29
0.22/5
Q2
BC549
POTENCIA DE SALIDA: 200W EN 4 OHMIOS
R10
2K2
Q8
2N3773
R28
0.22/5
R6
5K6
R3
2M2
C5
100/50
Q6
D1046
Q10
2N3773
R13
2K2
Q12
2N3773
C9
100/50
C2
0.2
R4
18K
D1
1N4004
Q4
B649 R9
15K
Q9
2N3773
R14
680
Q13
2N3773
R7
470K R18
1M
R15
270
Q1
BC549
Q11
2N3773
D3
1N4004
R25
0.22/5
R1
22K
R2
47K
C1
2.2/50
Q3
B649
C7
100/50
C4
330pF
AMPLFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO CON SIMETRIA CUASI COMPLEMENTARIA
R17
220K
R8
2K2
+ 45Vdc
R11
22K
Q7
D816
D4
1N5395
R26
0.22/5
R23
47/1
R20
1K5
RL
4 OHM
R21
12
C8
200pF
R5
270
R24
0.22/5
C3
10/50
C6
47K
C10
100pF
R16
4K3
R22
47/1
R12
270
D2
1N4004
R27
0.22/5
- 45Vdc

Figura1.77

ElectrnicaAnalgicaII


135
AMPLIFICADORESENCIRCUITOINTEGRADO
En la actualidad existen mdulos hbridos (porque combinan parte integrada y
partediscretaenelmismomdulo),conlosquepuedenconstruirseamplificadores
deaudiodediferentespotenciasconmuybuenarespuestaenfrecuencia.

1) A continuacin mostramos un modelo de baja potencia acoplado por


transformador,queempleaelintegradoCA3007:

3
1N4148
4K7
2N2102
1 5
6
4 8
16 OHM
4.7 uF
18
18
9Vdc
11
1
4.7uF
10K
1K8
9
10
2
4.7uF
12
7
2N2102
8
4.7uF
6
CA3007
1N4148

Figura1.78

2) STK084:AMPLIFICADORHBRIDODE50WPARAAUDIOFRECUENCIA.
Caractersticasmximas(temperaturaambientede25C)
Mximatensindealimentacin:50Vdc
Mximacorrientedecolector:7A
Resistenciatrmica(jc):1.7C/W(paraTc=25C)
Temperaturamximadecarcasa(Tc):85C
Condicionesdeoperacinrecomendadas:
Tensindealimentacin:35Vdc
Resistenciadecarga(RL):8
ElectrnicaAnalgicaII

136

Caractersticasdeoperacin(Ta=25C,Vcc=35Vdc,RL=8)
Corrientedepolarizacin:Icco=100mA
Potenciadesalida:Po=50Wmnimo(conTHD=0.2%y20Hzf20
KHz)
Respuestaenfrecuencia:10Hz100KHz(para:Po=1Wy01db)
Resistenciadeentrada:52K(para:Po=1Wyf=1KHz)

Diagramadelcircuitoyaplicacintpica:
10uF/50V
2
-35Vdc
Q5
1uF/63V
8
D2
6
R9
4
10uF/50V
D5
Q6
+35Vdc
R8
3
Q3
1K
7
Q7
10
Q8
2pF
Z1
Q10
R7
47
R3
Q9
R10
56K
R11
5
Q4
1
R6
R2
R1
47nF
D3
220uuF/50V
R4
100
C1
C
470pF
56K
2K7
Q2
100
R5
D4
D1
220uF/50V
9
Q1
47uF/16V
RL
8

Figura1.79

3) TBA820M(deTHOMSON)
Este es un amplificador de potencia de audio integrado monoltico, con las
siguientescaractersticasprincipales:

Tensindealimentacinde316V
Bajacorrientedepolarizacin:4mA(tpica),12mA(mxima)
Altaeficiencia(quelohaceaplicableaequiposporttilesconbatera)
Potenciadesalidahasta2W(tpica),sindisipadorexterno(medidaconRL
=8,Rf=120,f=1KHzydistorsintotalde10%)
Altaimpedanciadeentrada
Bajacorrientedepolarizacindeentrada:0.1uA(tpica)
Altorechazoalrizado
Notieneinestabilidadtrmica
ElectrnicaAnalgicaII


137
Notienedistorsindecruce
Requierepocoscomponentesexternos
EncapsuladoDILde8pines
Corrientepicodesalida:1.5A(mxima)
Temperaturadealmacenamiento:40+150C
Temperaturadejuntura:150C
Resistenciatrmica:80C/W
Sensitividaddeentrada:60mV(tpica,medidaconVCC=9V,PL=1.2W,RL
=8,Rf=120yf=1KHz)
Resistenciadeentrada:5M(tpica)
Respuestaenfrecuencia(3db):2520,000Hz(medidaconVCC=9V,RL
=8,Rf=120yCB=220pF)
Ganancia de tensin sin realimentacin: 75 db (tpica, medida con VCC =
9V,RL=8yf=1KHz)
Ganancia de tensin con realimentacin: 34 db (tpica, medida con VCC =
9V,RL=8,Rf=120yf=1KHz)
Voltajederuidodeentrada:3Vrms(tpico,medidoconVCC=9Vyancho
debanda(3db)de25Hz20KHz)
Corrientederuidodeentrada:0.4nA(tpico,medidoconVCC=9Vyancho
debanda(3db)de25Hz20KHz)
Relacinsealaruido:70db(tpica,medidaconVCC=9V,RL=8,Rf=120
,R1=100K,PL=1.2Wyanchodebanda(3db)de25Hz20KHz)
Rechazoalafuentedealimentacin(PSRR):42db(tpica,medidaconVCC=
9V,RL=8,Rf=120,C6=50Fyfrecuenciaderizadode100Hz)

CIRCUITOINTERNOEQUIVALENTE:
PodemosobservarqueQ2yQ5formanunamplificadordiferencialdeentradaQ1y
Q2 forman una etapa Darlington de entrada que permite elevar la resistencia de
entradaydisminuirlacorrientedepolarizacindebaseQ3yQ4formanunespejo
de corriente. Al actuar Q3 como fuente de corriente constante, puede presentar
unaaltaimpedanciaparasealalcolectordeQ2yellopermitequedichotransistor
logre mximaganancia detensin. Q6esuna fuente decorriente(formaparte de
unespejodecorrientemltipleintegradoademsporQ7,Q12yQ16)yseencarga
depolarizaralamplificadordiferencialasegurandounaltorechazoalmodocomn.
ElectrnicaAnalgicaII

138

Q4
R1
2K
Q14
Q6
D1
Q10
Q7
R5
6K
Q5
6
Q1
R2
5.9K
Q12
Q13
7
R4
2K
Q3
8
5
3
2
D6
D2
D9
Q17
Q11
Q16
1
Q9
Q8
R3
6K
R6
2K
Q2
Q15
4
Q18

Figura1.80

Q8, Q9 y Q10 se encargan de polarizar al espejo de corriente mltiple y ajustar la


polarizacindeQ5.

Q5estconectadoenDCyACdirectamentealasalidaparaasegurarqueelvoltaje
DCdesalidaestexactamentealamitaddelafuentedealimentacineintroducir
realimentacin negativa para ampliar el ancho de banda y reducir la distorsin.
Adicionalmente, se tiene acceso al lazo de realimentacin mediante el pin 2 para
poderajustarlarespuestaenfrecuencia.

Adicionalmente,atravsdelpin1hayaccesoalcircuitodeentradaparaintroducir
compensacinyevitarposiblesoscilaciones.

Al pin 8 se conecta una capacidad de filtro (C6) que permite mejorar el factor de
rechazo a la fuente. De esta manera el amplificador se hace menos sensible a las
variaciones del voltaje de la fuente, impidiendo que ello genere oscilaciones de
bajafrecuencia.

Al terminal 7 se conecta otro condensador de filtro para alimentar al circuito de


entradaconunatensinconstanteyligeramentemsaltaquelafuenteparapoder
lograr la mxima excursin simtrica. Este efecto se logra conjuntamente con un
resistorquesecolocaentrelospines6y7.
ElectrnicaAnalgicaII


139
Q11esunamplificadorclaseAqueseusacomodriverdelaetapadepotencia.El
transistor Q12 le permite actuar con su mxima ganancia permitiendo que el
circuitologrelagananciadetensinfinal.

Los diodos D1, D2, D3 y D4 permiten la compensacin trmica y estabilidad del


puntodeoperacindelaetapadepotencia.

LaetapadesalidaformadaporQ13,Q14,Q15,Q17yQ18formanunamplificador
de simetra cuasi complementaria, que es el encargado de dar prcticamente la
gananciadecorrientetotaldelcircuito.

CIRCUITOSDEAPLICACION:
a) Amplificadorconcargaconectadaalafuente:

C1
100uF
C3
0.22uF
C5
500uF
5
Rf
C2
100uF
7
6
TBA820M
C4
0.1uF
R2
1
RL
Vi
R1
10K
3
CB
1
+VCC
4
C6
50uF
8
2

Figura1.81


b) Amplificadorconcargaconectadaatierra:
C1
100uF
C3
0.22uF
C7
100uF
5
Rf
C2
100uF
6
TBA820M
C4
0.1uF
R2
1
R3
56
Vi
R1
10K
3
CB
8
RL
C6
50uF
1
+VCC
4
7
2

Figura1.82
ElectrnicaAnalgicaII

140


4) TDA2030(deTHOMSON)
Este es un amplificador de potencia de audio integrado monoltico, con las
siguientescaractersticasprincipales:

Tensin de alimentacin mxima simtrica de +/ 6V +/ 18V y puede


alimentarseconunasolafuentede+36V(mxima).
Corrientedepolarizacin:40mA(tpica),60mA(mxima)
Bajacorrientedepolarizacindeentrada:0.2uA(tpica),2uA(mxima)
Altacorrientedesalida(hasta3A),conproteccincontracortocircuito.
Potenciadesalida:18W(tpica,medidaconRL=4,Av=30db,f=1KHz,
TC=90Cydistorsinarmnicatotalde10%)
Incluyeunsistemadeproteccintrmica
Altaimpedanciadeentrada:5M(tpica)
Voltajeoffsetdeentrada:+/20mV(mximo)
Corrienteoffsetdeentrada:+/200nA(mxima)
Voltajeoffsetdesalida:+/22mV(mximo)
Muybajadistorsindecruce
Temperaturadealmacenamiento:40+150C
Temperaturadejuntura:40+150C
Resistenciatrmica:3C/W
Sensitividad de entrada: 215 mV (tpica, medida con Av = 30db, PL = 12W,
RL=4yf=1KHz)
Respuestaenfrecuencia(3db):10Hz140KHz(medidaconAv=30db,
RL=4,PL=12W)
Gananciadetensinsinrealimentacin:90db(tpica,medidaconf=1KHz)
Ganancia de tensin con realimentacin: 30 db (tpica, medida con f = 1
KHz)
Voltaje de ruido de entrada: 10 Vrms (mximo, medido con RL = 4 y
anchodebanda(3db)de10Hz25KHz)
Corriente de ruido de entrada: 200 pA (mximo, medido con RL = 4 y
anchodebanda(3db)de10Hz25KHz)
Temperaturadecpsula:110C(mnima,paraactivarlaproteccintrmica)
Rechazo alafuente de alimentacin(PSRR):50db (tpica, medidaconRL=
4, Av = 30db, RG = 22 K, Vrizado = 0.5 Vrms y frecuencia de rizado de
100Hz)

ElectrnicaAnalgicaII


141
CIRCUITOINTERNOEQUIVALENTE:

Q11
Q13
Q2
Q1
Q6
D3
R4
PROTECCION CONTRA
CORTOCIRCUITO
Y CORTE TERMICO
D2
Q15
D4
PROTECCION CONTRA
CORTOCIRCUITO
Y CORTE TERMICO
Q4
R7
2
D6
R5
Q7
Q16
Q17
Q10
Q3
3
Q9
R6
R2
D5
R3
4
Q5
D7
D1
1
Q14
Z1
5
Q12
R8
R1
Q8

Figura1.83

Podemos Observar que se trata de un amplificador de simetra cuasi


complementaria, donde Q14 y Q15 forman la etapa de salida NPN Darlington y
Q13,Q16yQ17formanlaetapadesalidaPNPsimulado.

Q1, Q2, Q4yQ5formanunamplificadordiferencialconetapasDarlington,locual


permiteelevarlaimpedanciadeentradayminimizarlacorrientedepolarizacinde
base.

R1 y R2 introducen realimentacin negativa en el amplificador diferencial a la vez


quecontribuyenaelevarmslaimpedanciadeentrada.

Q3yQ11formanunespejodecorrientepolarizadopormediodelatensinenD2
ylostransistoresQ7yQ8.LacorrienteessuministradaporQ8,elqueactacomo
fuentedecorrienteconstante.

ElMosfetQ7actatambincomofuentedecorrienteconstanteypolarizaalzener
Z1,elcualestencargadodemantenerconstantelacorrientedeQ8.

D3, D4 y D5 polarizan la etapa de potencia y dan estabilidad trmica al punto de


operacin
ElectrnicaAnalgicaII

142

Q6 acta tambin como fuente de corriente presenta una alta impedancia de
salida,paraseal,altransistorQ4,permitindoleunamximagananciadetensin.
Q12 forma la etapa amplificadora clase A, que es el driver para el amplificador de
potenciaylogramximagananciadetensindebidoaQ11queactacomofuente
decorrienteyleofrecealtaimpedanciaparaseal

CIRCUITOSDEAPLICACION:
A continuacin veremos algunas aplicaciones tpicas, en la que se incluye un
amplificador tipo puente que es una configuracin que permite cuadruplicar la
potenciadesalidaparalamismaresistenciadecarga.

a) Amplificadorconfuentesdealimentacinsimtricas:

C2
22uF
C7
0.22uF
4
C5
100uF
R2
680
D2
1N4004
5
D1
1N4004
TDA2030
C3
0.1uF
R4
1
R1
22K
Vi
-VCC
R3
22K
1
R5
C3
0.1uF
RL
C8
+VCC
3
C5
100uF
C1
1uF
2

Emplear:R5=3R2yC8=100pFparaanchodebandade20KHzyAv=38db
Figura1.84

b) Amplificadorconunasolafuentedealimentacin:
Para asegurar que la salida est a la mitad de la fuente y tener mxima
excursinsimtrica,debepolarizarseelterminal1,pormedioderesistores,a
lamitaddeVCC

c) Amplificadortipopuenteconfuentesdealimentacinsimtricas:
ElectrnicaAnalgicaII


143
22uF
1
22K
4
RL
8
C5
100uF
680
1N4001
5
TDA2030
1N4001
TDA2030
C3
0.1uF
0.22uF
22K
Vi
-VCC
3
0.22uF
22K
1
1
5
22K
D1
1N4001
C3
0.1uF
1
22K
R2
680
C2
22uF
2
4
+VCC
3
C5
100uF
1uF
D2
1N4001 2

Figura1.85

La seal de entrada es recibida por el amplificador de la izquierda. Su salida est


desfasada 180 respecto de la entrada. Esta seal es atenuada para luego ser
ingresadaalamplificadordeladerecha.Lasalidadeesteltimoestenfaseconla
entrada. Estohacequesilasalidaesdel amplificadoresVL,latensinenlacarga
es 2VL. Como la potencia de salida es proporcional al cuadrado del voltaje,
entonces dicha potencia es cuatro veces la que puede dar uno solo de los
amplificadores.Laresistenciadecargaefectivaquevecadaamplificadores4

PROBLEMASPROPUESTOS
PROBLEMA P1.13: En un amplificador de simetra complementaria, como el
mostrado,expliqueporqueelvoltajepicopositivo,desalida,nopuedellegaraser
igualalvoltajepiconegativo

+VCC
R
-VCC
RL

Figura1.86

ElectrnicaAnalgicaII

144

PROBLEMA P1.14: Se desea entregar 15W a una carga de 8, mediante un
amplificador pushpull clase B. Si se disponen de transistores que tienen BVCEO =
100Vcon=50yVCE,sat=2V.Halle:

a) ElvalordelafuenteDC(VCC).
b) Elmnimovalordelarelacindetransformacin(n)requerido.
c) Lapotenciamximaquedisiparcadatransistor.

PROBLEMA P1.15: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 40 W.


Determine la potencia de salida mxima que puede obtenerse de un amplificador
pushpullusandodosdeestostransistorescuandosonoperadosenclaseB.Asuma
quelaexcitacinessinusoidalylaeficienciadelamplificadoresde65%

PROBLEMAP1.16:Expliqueporqudelassiguientesafirmaciones:
a) Laresistenciatrmicalimitaladisipacindecalorenuntransistordepotencia.
b) Lamximadisipacindepotenciadeuntransistordependedelatemperatura.
c) Lazonadesaturacinrecortaelpiconegativodelasealdesalida.
d) EnunamplificadordepotenciaclaseB,laimpedanciadeentradaesnolineal.
e) La mxima disipacin de potencia en un transistor est representada por una
hiprbolaenelplanoIcvs.Vce.
f) Lostransistoresdepotenciaenunamplificadorpushpulldebenseridnticos.
g) Los transistores de potencia del amplificador de simetra complementaria
debentenerlasmismascaractersticaselctricas.
h) EnclaseBseproduceladistorsindecruce.

PROBLEMA P1.17: Se desea entregar 10 W a una carga de 8, mediante un


amplificadorPushPullclaseAB.SisedisponedetransistoresconBVCEO=80V,=
50yVCE,sat=2V.Asumaquelostransformadoressonideales,eldeentradaconn
=1yeldesalidaconn=3.Halle:
a) ElvalordelafuenteDC(VCC).
b) Lapotenciaentregadaporlafuente.

PROBLEMA P1.18: Disee un amplificador clase B de simetra complementaria


paraobtenerunapotenciadesalidade10Wenunacargade8.Especifique:
a)Lascaractersticasdelostransistores.b)Latensindealimentacin.c)La
potenciaentregadaporlafuente.

PROBLEMAP1.19:Enelcircuitomostrado,determine:
a)Lascorrientesdepolarizacindetodoslostransistoresb)PLmxc)PCCmxd)
PCmxe)Laeficienciatotalf)ParaqusirveQ1?

ElectrnicaAnalgicaII


145
Asuma:Quetodoslostransistoressondesiliciocon=50,VCE,sat=0.5V,C1yC3
sonmuygrandes

Q1
RL
40
R9
1.5K
R6
1K
D2
Q2
R7
22
R8
22
Q3
C1
Vg
R3
180K
R5
15K R4
33
+ 9 Vdc
Q4
R2
68K
D1
R1
68K
C2
100uF
C3

Figura1.87

PROBLEMAP1.21:Enelcircuitomostrado,hallelascaractersticasdecada
transistorydetermine:a)PCCb)PLmxc)PCmxd)Laeficienciatotal

Q8
2N3773
D3
1N4004
R29
0.22/5
R14
680
+ 45Vdc
R27
0.22/5
Q11
2N3773
R26
0.22/5
R17
220K
C7
100/50
Q7
D816
R22
47/1
R21
12
C1
2.2/50
- 45Vdc
Q2
BC549
R12
270
R19
2K2
R2
47K
R4
18K
R8
2K2
Q1
BC549
Q5
D386
R7
470K
Q3
B649
R11
22K
Q10
2N3773
R5
270
RL
4 OHM
R3
2M2
Q13
2N3773
R10
2K2
R25
0.22/5
R28
0.22/5
R15
270
C5
100/50
D4
1N5395
R23
47/1
R13
2K2
Q4
B649
C4
330pF
D1
1N4004
R20
1K5
R24
0.22/5
R18
1M R1
22K
R16
4K3
Q6
D1046
C8
200pF
R6
5K6
C10
100pF
R9
15K
Q9
2N3773
D2
1N4004
C6
47K
Q12
2N3773
C2
0.2
C9
100/50
D5
1N5395
C3
10/50

Figura1.88

ElectrnicaAnalgicaII

146

PROBLEMA P1.20: En el circuito mostrado es un amplificador push pull clase A,
determineexpresionespara:a)PCCb)PLmxc)PCmxd)Laeficienciatotale)La
figurademrito

VCC
Q2
T2
2
7
5
8
11 6
RL
R14
R
1:1
2
7
5
8
11 6
VBB
Q1
Ig
1:1
Ideal

Figura1.89

ElectrnicaAnalgicaII


147
BIBLIOGRAFIA



1).CIRCUITOSMICROELECTRONICOS:ANLISISYDISEO
MuhammadRashid
InternationalThomsonEditores

2).MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
MarkN.Horenstein
PrenticeHallHispanoamricaS.A.

3)ELECTRONICCIRCUITS:DISCRETEANDINTEGRATED
Schilling,DonaldL.
Belove,Charles
McGrawHillKogakusha,Ltd.

4)DISPOSITIVOSYCIRCUITOSELECTRNICOS
Millman,Jacob
Halkias,CristosC.
McGrawHillBookCompany

5).ANLISISYDISEODECIRCUITOSELECTRNICOSINTEGRADOS
PaulE.Gray
RobertMeyer
PrenticeHallHispanoamricaS.A.

6).COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
AddisonWesleyPublishingCompany

7).MANUALRCASC15

8).MANUALDEBAFFLESYALTAVOCES
FranciscoRuizVassallo
EdicionesCEAC

ElectrnicaAnalgicaII


149
CAPTULO2
REALIMENTACIN(FEEDBACK)

2.1. INTRODUCCION
MODELOSMATEMTICOS:
Sonladescripcinmatemticadelascaractersticasdinmicasdeunsistema.

Eldesarrollodelmodelomatemticoeslapartemsimportantedelanlisis.

Losmodelospuedentenermuchasformasyunarepresentacinmatemticapuede
sermsadecuadaqueotras.

Esdeseablehacerinicialmenteunmodelosimplificadoparatenerunaideageneral
delasolucinyluegosepuedehacerotromscompleto.

Un modelo de parmetros concentrados puede ser til en bajas frecuencias, pero


noenaltas.

2.1.1.SISTEMALINEAL:
Esaqulcuyaecuacindiferencialeslineal:

Ejemplo:d
2
y/dt
2
+ady/dt+by(t)=f(t)

Vemosquelafunciny(t)ysusderivadasestnelevadasalaprimerapotencia.

Respondenalprincipiodesuperposicin.

En general, los sistemas fsicos son lineales slo en un restringido rango de


operacin.

2.1.2.SISTEMALINEALINVARIABLEENELTIEMPO:Esaqulcuyoscoeficientesson
constantes. En la ecuacin diferencial anterior, los coeficientes a y b deben ser
constantesparaqueelsistemasealinealeinvariableeneltiempo.

2.1.3.SISTEMA LINEAL VARIABLE EN EL TIEMPO: Es aqul cuyos coeficientes son


slofuncionesdelavariableindependiente.Enlaecuacindiferencialanterior,los
coeficientes a y b deben ser funciones slo de t para que el sistema sea lineal y
variableeneltiempo.

ElectrnicaAnalgicaII



150
2.1.4.SISTEMANOLINEAL:
Esaqulcuyaecuacindiferencialesnolineal:

Ejemplo:
( ) ( ) t t
f by
dt
dy
a
dt
y d
= +

+
2
2
2

Vemosquelaprimeraderivadadey(t)estelevadaalcuadrado.

Norespondenalprincipiodesuperposicin.

En general, los sistemas fsicos son no lineales. Pueden considerarse lineales slo
enunrestringidorangodeoperacin.

Los procedimientos para hallar las soluciones de estos sistemas son muy
complicados. A menudo se encuentra necesario, para su estudio, el empleo de
sistemaslinealesequivalentesenreemplazodelnolineal.Enestecaso,lavalidez
ser slo en un restringido campo de accin y luego se pueden usar las
herramientas desarrolladas para sistemas lineales. A esto se le denomina: Tcnica
deLinealizacin.

2.1.5.FUNCIONESDETRANSFERENCIA:Esunacaracterizacindelarelacinentre
laentradaylasalidadeunsistemalineal.

Sloesaplicablealossistemaslinealesinvarianteseneltiempoyaciertossistemas
decontrolnolineales.

Con la finalidad de hacer ms simple su estudio, y poder trabajar slo con


polinomios, se emplea la transformada de La Place para su representacin,
considerandocerolascondicionesiniciales.

Relacionalaentradaconlasalida,peronodaninformacinrespectoalaestructura
fsicadelsistema.

Pueden haber diferentes sistemas fsicos cuyas funciones de transferencia son


idnticas.

2.1.6.LINEALIZACIONDEUNMODELOMATEMTICONOLINEAL:
SupongamoslaecuacindelacorrientedeunMOSFETincrementalenlareginde
corrienteconstante:
( )
2
TH GS D
V V K I =
ElectrnicaAnalgicaII


151
QueremoslinealizarloalrededordelpuntodeoperacinIDQ,VGSQ

PodemosusarlaseriedeTaylor:

( )
( ) ( ) L +

+ =
2
2
2
! 2
1
GSQ GS
V
GS
D
GSQ GS
V
GS
D
V D D
V V
V
I
V V
V
I
I I
GSQ GSQ
GSQ

LasderivadasdeIDsonevaluadasenVGSQ:
( )
TH GSQ
V
GS
D
V V K
V
I
GSQ
=

2
K
V
I
GSQ
V
GS
D
2
2
2
=

Si:(VGSVGSQ)espequea,sepuedendespreciarlostrminosdeordensuperior
yobtenemosunarelacinaproximada:

IDID
(VGSQ)
=ID=(dID/dVGS)(VGSVGSQ)

Observamosque:ID=(dID/dVGS)VGS

ComodID/dVGSesevaluadaenVGSQ,tieneunvalorconstanteenesepunto.

Entonces, la ecuacin anterior corresponde a la de una recta y el sistema se


comporta en forma lineal alrededor del punto (VGSQ, IDQ), teniendo en cuenta
que (VGS VGSQ) debe ser pequea. Este concepto nos permite utilizar los
modelos de cuadripolos lineales para representar al transistor cuando se emplean
sealespequeas.

El mismo procedimiento se aplica cuando el sistema depende de ms de una


variable.Enestecasointervendrnlasderivadasparciales.

2.1.7.DEFINICIN:
La realimentacin es, en general, un proceso que consiste en la transferencia de
energa presente en la salida de un sistema a la entrada del mismo (o a otras
entradasinternasosubsiguientes).Enelcasodeloscircuitoselectrnicos,consiste
entomarparteotodalasalidadecorrienteotensinquehayenlasalidayllevarla
alaentrada.
ElectrnicaAnalgicaII



152
Este proceso puede realizarse de una manera externa o producirse por efectos
internos de los dispositivos y componentes empleados en el circuito, como por
ejemplolascapacidadesparsitas.Esunprocesotanfundamentalenloscircuitos
electrnicos, como lo son la amplificacin y la rectificacin. Adems de estar
presente en muchsimos circuitos, es la base del funcionamiento de los sistemas
queempleanAmplificadoresOperacionales.

2.2.SISTEMAREALIMENTADO.DEFINICIONDETERMINOS:
Unsistemarealimentadosimple,sepuederepresentarpormediodediagramasde
bloques,comosemuestraenlafigura2.1:

K
Xc Xe
A
Xf
Xo
+/-
+
B
M
Xi

Fig.2.1

Donde:
A, B y K son las ganancias de transferencia directa de los bloques
respectivos.
Aeslagananciasinrealimentacinogananciadirecta.
Beslagananciadelsistemarealimentador.
K es la ganancia del bloque de accin de control, que procesa la seal de
error.
Af es la ganancia de transferencia directa del sistema realimentado
(gananciaconrealimentacinogananciadelazocerrado).
Xieslavariabledeentrada(tensinocorriente)delsistemarealimentado.
Provienedeunafuenteexterna.
Xoeslavariabledesalidadelsistemarealimentado(tensinocorriente).
Xfeslavariabledesalidadelsistemarealimentador.
XeeslavariabledecomparacinoerrorentrelavariablesXiyXf,lascuales
debenserdelmismotipo(ambascorrientesoambastensiones)
Xc es la seal de control (tensin o corriente) del sistema. Proviene del
bloquedeaccindecontrol.
M es el punto de muestreo de la variable de salida (punto de toma de la
variablearealimentar).
Teslagananciadebucleogananciadelazoabierto.(T=KAB)
ElectrnicaAnalgicaII


153
Eneldiagramaanterioresimportantetenerencuentaquesehaasumidoquelos
bloques son unilaterales en cuanto a sus entradas y salidas, las cuales tienen los
sentidosindicadosporlasflechas.

Delafigura2.1: Af=Xo/Xi (2.1)


Xe=XiXf (2.2)
Xo=KAXe (2.3)
Xf=BXo (2.4)

(2.2)en(2.3): Xo=KA(XiXf)
De(2.4): Xo=KA(XiBxo)
Xo=KAXiKABXo
Xo/+KABXo=KAXi
Xo(1/+KAB)=KAXi
Porlotanto: Xo/Xi=KA/(1/+KAB)

De(2.1):
T
KA
KAB
KA
A
f

= =
1 1m
(2.5)

Si:K,AyBsonfuncinesdelafrecuencia,laexpresin(2.5)seescribircomo:
De(2.1): ( )
( ) ( )
( ) jw T
jw A jw K
jw A
f

=
1
(2.6)

2.2.1.ACCIONESBASICASDECONTROL:
En el diagrama de bloques anterior vemos que un control automtico compara el
valorefectivodelasalidaconeldeseado,determinaladesviacinosealdeerror
(Xe) y produce una seal de control (Xc) que reduce la desviacin a cero o a un
valorpequeo.

Laformacomoelcontrolautomticoproducelasealdecontrolrecibeelnombre
deaccindecontrol.ElbloqueKseencargadeprocesarlasealdeerrorygenerar
lasealdecontrol(Xc).LafuncindetransferenciaquehayaenelbloqueKdefine
eltipodeaccindecontrol.

Lasaccionesbsicasdecontrolsonlassiguientes:

ElectrnicaAnalgicaII



154
2.2.1.1)Controlde2posicionesSINO(ONOFF):Elelementoaccionadortiene
slo dos posiciones fijas (figura 2.2). Es simple y econmico. En Electrnica, estos
controles son representados por comparadores sin histresis, comparadores con
histresis,interruptoresanalgicos,SCR,etc.

C(s) C(s)
-
+
Control SI - NO (ON - OFF)
con histeresis
-
E(s)
Control SI - NO (ON - OFF)
sin histeresis
E(s) +

Fig.2.2

2.2.1.2)Controlproporcional: En estetipo(figura2.3),lasealdeerrornopuede
ser cero, pero s se le puede reducir aumentando Kp; sin embargo, esto puede no
ser conveniente porque se hace inestable al sistema. Puede representarse
electrnicamenteporunamplificadorcongananciaajustableoconstante.

Xc(s) Xe(s)
Kp
Xc(s) = Kp Xe(s)
Xi(s)

Fig.2.3

2.2.1.3)Controlintegral:Estetipodecontrolactaenfuncindelahistoriadela
sealdeerror(Xe),porello,lasealdecontrol(Xc)puedenoserceroancuando
lasealdeerrorsescero.Noseleusasoloporqueempeoralaestabilidadrelativa
del sistema haciendo aumentar el sobre impulso e, incluso, volvindolo inestable.
Puede ser representado electrnicamente por un amplificador operacional
integrador.Seacostumbra usarlo acompaadoconotrotipo deaccin de control.
Lavelocidaddevariacindelasalidaesproporcionalalerroractuante.Siseduplica
Xe(t),entoncesXc(t)vara2vecesmsrpido.Sielerroractuanteescero,Xc(t)se
mantieneconstante.
ElectrnicaAnalgicaII


155
Xc(s) Xe(s)
A / s
Xc(s) = (A / s) Xe(s)
Control Integral
Xi(s)

Fig.2.4

R2
C(s)
R1 // R2
R1
-
+
C
E(s)

Fig.2.5

Lafuncindetransferenciadeestaetapaes:

C(s)/E(s)=(R1/R2)/[1+sCR1]

Sialafrecuenciadetrabajohacemosquesecumpla:wCR1>>1
Lafuncindetransferenciasereducea:C(s)/E(s)=1/[sCR2]
Comparandoconeldiagramadebloques:A=1/(CR2)
AlproductoCR2seledenominatiempodeintegracin.

2.2.1.4)Controlproporcionaleintegral:Estetipodecontrolcombinalasventajas
del control proporcional e integral juntos. El control proporcional permite
compensarlainestabilidadintroducidaporelcontrolintegral.Sediseademanera
ElectrnicaAnalgicaII



156
queelcerointroducidoestcercanoalorigenparaquesemantengaenloposible
el comportamiento del sistema original, con control proporcional. Puede ser
representado electrnicamente por un conjunto de amplificador, integrador y
sumador.


Xc(s) Xe(s)
A / s
Xc(s) = (Kp + A / s) Xe(s)
+
Control Proporcional e Integral
Xi(s)
Kp
+

Fig.2.6


+VCC
R1
C(s)
E(s)
3
2
7
4
6
+
-
V+
V-
OUT
OS1
OS2
-VCC
R2
C
R1//R2

Fig.2.7

Lafuncindetransferenciadeestaetapaes:
C(s)/E(s)=1+(R1/R2)/[1+sCR1]

Sialafrecuenciadetrabajohacemosquesecumpla:wCR1>>1
ElectrnicaAnalgicaII


157
Lafuncindetransferenciasereducea:C(s)/E(s)=1+1/[sCR2]

QuesecomportacomouncontrolproporcionaleintegralconKp=1

2.2.1.5)Controlderivativo:Estetipodecontrolactaenfuncindelavariacinde
lasealdeerror(Xe).Sielerroresconstante,nohaysealdecontrol(Xc).Tieneun
efecto de anticipacin, hace ms sensible al sistema y mejora la respuesta
transitoria aumentandolaestabilidadrelativa.Tiene elinconveniente que siacta
solo,elsistemanuncaalcanzarelestadoestacionarioy,porello,debecombinarse
siempreconotrotipodeaccindecontrol.

Xf(s)
Xe(s)
(Td) s
Xc(s)
Xi(s)
Xc(s) = (Td) s Xe(s)

Fig.2.8

2.2.1.6)Controlproporcionalyderivativo:Estetipodecontrolproporcionamayor
estabilidadrelativa,peropuedeproducirunarespuestaexcesivamentelenta.Debe
tenerseprecaucinenelmomentodeldiseoparalograrlarespuestatransitoria
deseada.
Xf(s)
Xe(s)
(Td) s
Xc(s)
+
Xi(s)
+
Xc(s) = (Td) s + Kp) Xe(s)
Kp

Fig.2.9

2.2.1.7) Control proporcional, derivativo e integral: Combina las tres formas de


accin bsica de control y permite anular el error estacionario, mejora la
estabilidad relativa permitiendo un pequeo sobre impulso. Para su realizacin se
ElectrnicaAnalgicaII



158
disea primero el control proporcional y derivativo para lograr la respuesta
transitoriadeseada,yluegosediseaelcontrolintegral.
Xf(s)
Xe(s)
(Td) s
Xc(s)
+
Xi(s)
+
(Ti)/s
Xc(s) = [(Ti )/s + (Td) s + Kp] Xe(s)
+
Kp

Fig.2.10

2.3.CLASESDEREALIMENTACION:
Selepuedeclasificarcomonegativaopositiva.

EspositivacuandolasealdeerrorseobtienedelasumadeXiconXfyXfesten
faseconXi(osiserestaXiconXfyXfestdesfasada180deXi)..

EsnegativacuandolasealdeerrorseobtienedelarestadeXiconXfyXfesten
faseconXi(osisesumaXiconXfyXfestdesfasada180deXi).

2.3.1.REALIMENTACINNEGATIVAODEGENERATIVA:
Ocurrecuandolaseal(ovariable)derealimentacinproduceunadisminucinde
lasealovariabledesalida.Laexpresindelagananciaofuncindetransferencia
es:
Af=KA/(1T); donde:T<0 (2.9)

EnestecasoseobservaqueAf<KA;esdecir,larealimentacinnegativadisminuye
laganancia.Adems,sisecumpleKAB>>1entonces:Af=1/Bylagananciacon
realimentacinsehaceindependientedelagananciasinrealimentacin.Siadems
sehaceaBindependientedelafrecuencia,Aftambinloser.

ElectrnicaAnalgicaII


159
2.3.2.REALIMENTACINPOSITIVAOREGENERATIVA:
Ocurre cuando la seal (o variable) de realimentacin produce un aumento de la
seal o variable de salida. La expresin de la ganancia o funcin de transferencia
es:
Af=KA/(1T); donde:T>0 (2.8)

EnestecasoseobservaqueAf>KA;esdecir,larealimentacinpositivaaumentala
ganancia.

CRITERIODEBARHAUSENESTABILIDAD:
Si se est llevando a cabo una realimentacin positiva, puede llegar a ocurrir la
siguientesituacin:

De(2.8)Si: 1T=0,entonces: Af=Xo/Xi=

LoanteriorsignificaqueelsistemapuedeentregarunasalidaXoancuandoXi=0
Cuandoelcircuitoactadeestamanera,recibeelnombredeoscilador.Engeneral,
A, K, Af, T y B pueden depender de la frecuencia. Usando la transformada de
Fourier,loanteriorpuedeexpresarsecomo: T(jw)=10

Entoncessi: T(jw)10 Oscila


(2.9)
T(jw)<10Estable

Otraformadeescribir(2.9)es:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0 1 0 1 Im Re j jw T jw T jw T + = = + =

PROBLEMA 2.1. La respuesta en frecuencia de la ganancia de un amplificador se


tabulaacontinuacin:

F(Hz) 20 60 100 200 500 1K 2K 5K 10K 20K 40K


A
40 100 340 700 940 1000 960 780 480 180 60
A
25 0 45 100 145 +/
180
155 120 80 30 0

Un circuito resistivo (que no introduce desfasaje a ninguna frecuencia), toma el


1.5%delasealdesalidallevndolaalaentrada.Halle:

ElectrnicaAnalgicaII



160
a) Lafrecuenciaalacualoscilarelamplificador.
b) Cmo debe alterarse el porcentaje de seal realimentada para que el
amplificadorseaestablealafrecuenciahalladaen(a)?

SOLUCION:
a) Comosedeseasabersioscilaraalgunafrecuenciayculessta,seaplicar
elcriteriodeBarkhausen:
T(jw)10

ComoBnodependedelafrecuencia,lafasedeTserigualalafasedeA.
Entonces:T=AB=0.015A
LafasedeAesceroalasfrecuencias: f=60Hz,con:A=100;y
f=40KHz,con: A=60
Luego: T(60Hz)=1.5>1;entonceselcircuitooscilara60Hz.
T(40KHz)=0.9<1;entonceselcircuitonooscilara40KHz.

Enconclusin,elcircuitoserinestableyoscilara60Hz.

b) Paraqueseaestable,Tdebesermenorque1alafrecuenciade60Hz.
Entonces: AB=100B<1
Luego: B<1%

Deberealimentarsemenosdel1%delasealdesalidaparaqueelcircuitosea
estable.

PROBLEMA2.2:SuponiendoqueAB=0, Datos: Vin=1mVpp

a) Oscilarelsistemamostrado?Porqu? A=10
b) QuamplituddesealsaledeB?
B=0.02

B
Vo
A
+
+
Vf = ?
Vin

Fig.2.11
ElectrnicaAnalgicaII


161
SOLUCION:
a) ParasabersiosciladebemosverificarsisecumpleelcriteriodeBarkhausen:
T(jw)=AB1
Reemplazandovalores:T=10x0.02=0.2<1;entonceselsistemanooscila.

b) HallamosAvf=Vo/Vin=A/(1AB)=10/0.8=12.5
Entonces: Vo=AvfVin=12.5mVpp
Luego: Vf=VoxB=(12.5mVpp)0.02=0.25mVpp

OBSERVACIONES:

1. Respecto al problema 1, es posible que un circuito oscile a ms de una


frecuencia a la vez. Si esto sucede, se le denomina ``squegging y tiene la
formadeunasealAM
2. Se puede observar en el mismo ejemplo que se producen realimentaciones
positivasynegativas,dependiendodelasfasesenlasdistintasfrecuencias.
3. UnaobservacinimportanteestenerenmentequeAvfpuededependerdela
frecuencia, como se ha visto, y, para un estudio ms detallado, pueden
emplearsetcnicasdeanlisiscomoelcriteriodeRouth,elcriteriodeNyquist,
el Lugar Geomtrico de las Races (Root Locus), los diagramas de Bode,
variables de estado, etc. Estas son tcnicas estudiadas en los cursos de
SistemasdeControlyquecontodavalidezpuedenserusadasenelanlisisde
circuitos. Actualmente contamos con herramientas de software que nos
facilitan el estudio de la estabilidad del sistema, como es el caso de Matlab
(que nos permite el estudio de sistemas ms complejos con menor esfuerzo).
Previamente debemos conocer los mtodos de anlisis para poder usar
eficientementeestasherramientas.

2.4.USOSDELAREALIMENTACIN
La realimentacin se puede emplear para aprovechar los siguientes efectos que
produce:

1.Alteralasgananciasdelamplificadoralqueseleaplique:
Yasehavistoquelagananciaconrealimentacinesdadaconlafrmula:

T
A
A
f

=
1

Donde: A=gananciasinrealimentacinogananciadirecta.
T=gananciadebucleogananciadelazoabierto.

Vemos que la ganancia sin realimentacin es dividida por la expresin (1 T)


producidaporellazoderealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII



162
2.Alteracindelasimpedanciasdeentradaysalida:Lasimpedanciasdeentraday
desalidasinrealimentacinsonafectadastambinporlaexpresin(1T).Pueden
ser multiplicadas o divididas por ella, segn la forma de realimentacin que se
utilice.

3. Reduccin de los disturbios internos: Esto puede notarse en el siguiente


diagramadebloquesdondeingresaundisturbioN(s)

B
Xo
A2
A1
+
+
+
Xf
+
Xi
N

Fig.2.12

Lafuncindetransferenciatotales:
Af=[A2/(1T)]N+[A1A2/(1T)]Xi;donde:T=A1A2B
Vemosqueeldisturbio,N,hasidoreducidoporelfactor(1T)
El disturbio interno puede ser producido por una fuente de alimentacin mal
filtrada.

4. Reduccin de la distorsin no lineal: Esta distorsin es introducida por los


dispositivos empleados. La reduccin se logra generalmente realimentando una
distorsincontrariaalaoriginaldetalmodoquetiendaaanularla.

5.Reduccindeladistorsindefrecuencia:Comnmentelagananciadisminuyeal
aumentar la frecuencia. Esto quiere decir que las componentes de mayor
frecuencia de la seal de entrada sern amplificadas en menor medida que las
bajas,producindoseladistorsindefrecuencia.Larealimentacinnegativatiende
auniformizarlagananciaparatodaslascomponentesdefrecuenciadelasealde
entrada,reduciendoestadistorsin.

6. Estabilizacin de la ganancia (sensitividad) : La funcin sensitividad representa


la fraccin o porcentaje de variacin producida en Af por la variacin fraccional o
porcentualdeunodesusparmetros(x):

ElectrnicaAnalgicaII


163
Af
S=[d(Af)/Af]/[d(x)/x]=[x/Af]/[d(Af)/dx]
x

Enelcasosiguiente,conrealimentacinnegativa:
Af=[A/(1T)]=A/(1+AB)

Tendremosque:
Af
S=[d(Af)/Af]/[d(A)/A]=1/(1+AB)=1/(1T)
A

Sepuede notar que al aumentarlarealimentacinnegativa, aumentala magnitud


deTysereducelasensitividaddeAfrespectoalasvariacionesdeA.

7. Modificacin del ancho de banda (respuesta en frecuencia): A manera de


ejemplo,suponiendounafuncindetransferenciasencilladeunsolopolo:
A=K/(s+p).Elpolosetienecuandos=p;yelanchodebanda(BW)esdefinido
porelpolo:BW=p.

Conrealimentacinnegativa:Avf=A/(1T)=A/(1+AB)=K/(s+(p+KB))

Vemosqueelnuevopolosehaincrementadoeneltrmino:KB;loquequieredecir
queelanchodebandahaaumentado.

8. Estabilizacin del punto de operacin: Si realimentamos negativamente las


variaciones del punto de operacin por efecto de la temperatura, dichas
variacionessernreducidasporlarealimentacin.

OBSERVACIONES:
En los circuitos electrnicos se emplea realimentacin positiva o negativa de
seal y / o de continua aplicndola a una o varias etapas en circuitos tales
como: Controles Automticos de Ganancia, fuentes de alimentacin
estabilizadas, amplificadores operacionales, osciladores, compensadores en
amplificadoresdevdeo,enamplificadoresdeaudiofrecuencia(realimentacin
selectiva),etc.
Uno de los efectos indeseables de la realimentacin inadecuadamente
aplicada o presente en forma parsita o imprevisible, es que a un circuito
diseado como amplificador lo convierta en oscilador a alguna frecuencia,
manifestndose dicha oscilacin como un tono en el altavoz, teniendo que
ElectrnicaAnalgicaII



164
usarse circuitos de neutralizacin para eliminarla. Esto es comn en
audiofrecuencia.
Otro ejemplo similar sera el caso de un receptor alimentado por pilas; stas,
conelusosedescargano,equivalentemente,aumentansuresistenciainterna,
lo cual hace que los puntos de alimentacin no estn puestos a masa
directamente sino a travs de dicha resistencia, pudiendo originarse una
realimentacin positivaentrelas etapas, dandolugar a unaoscilacin debaja
frecuencia llamada ``motor boating, lo cual obliga a emplear filtros de
desacoplamiento.

2.5.TIPOSDEAMPLIFICADORES
Antes de iniciar el anlisis de circuitos realimentados, indicaremos los tipos y
caractersticasdelosamplificadores.

a) AMPLIFICADORDETENSIN:Esunamplificadorquerecibetensinyentrega
tensin.Suimpedanciadeentradadebeserelevadaysuimpedanciadesalida
pequea. Su circuito de salida es mejor representado por un equivalente de
Thevenin.Lasalidaesunafuentedetensincontroladaportensin.

Vg
Av = Ganancia de tensin
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Zi >> RG
-
Zo
Zi
-
Av Vi
+
-
-
+
RG
RL
Zo << RL
Vi
+
Vo
+

Fig.2.13

b) AMPLIFICADOR DE CORRIENTE: Es un amplificador que recibe corriente y


entrega corriente. Su impedancia de entrada debe ser pequea y su
impedanciadesalidaelevada.Sucircuitodesalidaesmejorrepresentadopor
unequivalentedeNorton.Lasalidaesunafuentedecorrientecontroladapor
corriente.
ElectrnicaAnalgicaII


165
IL
Ig
Ai = Ganancia de corriente
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Zi << RG
Zo Zi
Ai Ii
-
+
RG RL
Zo >> RL
Vo
Ii

Fig.2.14

c) AMPLIFICADOR DE TRANSCONDUCTANCIA: Es un amplificador que recibe


tensin y entrega corriente. Su impedancia de entrada debe ser elevada y su
impedancia de salida tambin elevada. Su circuito de salida es mejor
representado por un equivalente de Norton. La salida es una fuente de
corrientecontroladaportensin.

-
-
+
Vo RL Zo Vi
RG
-
IL
+
Zi
Gm Vi
Gm = Transconducncia
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
+
Zi >> RG
Zo >> RL
Vg

Fig.2.15

d) AMPLIFICADOR DE TRANSRESISTENCIA: Es un amplificador que recibe


corrienteyentregatensin.Suimpedanciadeentradadebeserpequeaysu
impedancia de salida tambin pequea. Su circuito de salida es mejor
representado por un equivalente de Thevenin. La salida es una fuente de
tensincontroladaporcorriente.
ElectrnicaAnalgicaII



166
Ig
Rm = Transresistencia
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Zi << RG
Zo
Zi
-
Rm Ii
+
-
+
RG RL
Zo << RL
Vo
Ii

Fig.2.16

2.6.FORMASDEREALIMENTACIN
Acontinuacinrepresentaremoslosbloquesdelsistemarealimentadoenformade
cuadripolosparadescribirlasformascomopuedehacerselarealimentacin:

2.6.1.SERIEPARALELO(ERRORDETENSINYMUESTREODETENSION):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
tensindesalida,Vo,yentregalatensinVfparagenerarlatensindeerror,Ve,a
laentradadelbloqueA.Enestecaso,larealimentacinhacequeelcircuitotienda
a comportarse como un amplificador de tensin ideal, es decir, elevar la
impedanciadeentrada,reducirlaimpedanciadesalidaydisminuirlaganancia:

T
A
A
v
vf

=
1
; ( ) T Z Z
i if
= 1 ;
T
Z
Z
o
of

=
1

Donde:Av=gananciadetensinsinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.

ElectrnicaAnalgicaII


167
A
B
- - Vf +
+
Vg
+
Ve
-
RL
+
Vo
-

Fig.2.17

2.6.2.SERIESERIE(ERRORDETENSINYMUESTREODECORRIENTE):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
corrientedesalida,Io,yentregalatensinVfparagenerarlatensindeerror,Ve,
a la entrada del bloque A. En este caso, la realimentacin hace que el circuito
tienda a comportarse como un amplificador de transconductancia ideal, es decir,
elevar la impedancia de entrada, elevar la impedancia de salida y disminuir la
transconductancia:

T
G
G
m
mf

=
1
; ( ) T Z Z
i if
= 1 ; ( ) T Z Z
o of
= 1

Donde: Gm=transconductanciasinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.

A
B
+
Ve
-
+
Vg
-
- Vf +
RL
Io

Fig.2.18

ElectrnicaAnalgicaII



168

2.6.3.PARALELOSERIE(ERRORDECORRIENTEYMUESTREODECORRIENTE):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
corriente de salida, Io, y entrega la corriente If para generar la corriente de error,
Ie, a la entrada del bloque A. En este caso, la realimentacin hace que el circuito
tiendaacomportarsecomounamplificadordecorrienteideal,esdecir,reducirla
impedanciadeentrada,elevarlaimpedanciadesalidaydisminuirlaganancia:

Aif=Ai/(1T) ; Zif=Zi/(1T) ; ( ) T Z Z
o of
= 1

Donde:Ai=gananciadecorrientesinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.
A
B
If
Ie
Ig
RL
Io

Fig.2.19

2.6.4.PARALELOPARALELO(ERRORDECORRIENTEYMUESTREODE
TENSIN):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
tensindesalida,Vo,yentregalacorrienteIfparagenerarlacorrientedeerror,Ie,
a la entrada del bloque A. En este caso, la realimentacin hace que el circuito
tienda a comportarse como un amplificador de transresistencia ideal, es decir,
reducirlaimpedanciadeentrada,reducirlaimpedanciadesalidaydisminuirla
ganancia:

T
R
R
m
mf

=
1
; ( ) T Z Z
i if
= 1 ;
T
Z
Z
o
of

=
1

Donde:Rm=transresistenciasinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII


169
A
B
If
Ig
Ie
RL
+
Vo
-

Fig.2.20

2.7.ANLISISDEAMPLIFICADORESREALIMENTADOS
Entrelosmtodosdeanlisistenemos:

1. El mtodo general: Consiste en escribir las ecuaciones de mallas o de nodos


del circuito y luego reducirlas a una expresin que relacione las variables de
salidaconlasdeentradautilizandodeterminantes,laregladeCramer,etc.

2. Mtodo del flujo de seales: Este mtodo es til especialmente cuando el


circuito es complejo ya que dispone de la frmula de Mason para obtener la
funcin de transferencia con mayor rapidez. Este Mtodo se estudia en los
cursosdeControl.Paraello,
a).Seplanteanlasecuacionesdenodosodemallasdelcircuitoequivalente
b).Segraficanestasecuacionestomandolasvariablescomomallas.
c). Se obtiene la funcin de transferencia mediante reduccin o por las
frmulasdeMason.

3. Mtodossimplificadosaplicablesacasosparticulares:
TeoremadeMiller
Frmulasconparmetrosh.

4. Mtodogeneral decircuitosrealimentados:Consisteen hallarlasgananciase


impedancias sin realimentacin, luego hallar la ganancia de bucle y
reemplazarlos en las frmulas de las ganancias e impedancias con
realimentacin.

Este mtodo es til sobre todo para el diseo, porque pone de manifiesto las
propiedadesyefectosdelarealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII



170
Para verificar los resultados de este mtodo, se le compara con la solucin
obtenidaconelmtodogeneralbasadoenlasleyesdeKirchoff.

Adicionalmente tenemos los mtodos de anlisis de la respuesta en


frecuencia, variables de estado, etc., estudiados tambin en los cursos de
Control.

Los mtodos de nodos y mallas se han estudiado en los cursos de Circuitos


Elctricos.

ElmtododeflujodesealesseestudiaenloscursosdeControl.

Aqudaremoslosconceptosparaeltem3:CundoaplicaremoselTeoremade
Miller y/o los parmetros h, para luego hacer mayor nfasis en el tem 4 por
lasrazonesanteriormenteindicadas.

TEOREMADEMILLER:SeaelcasodeunaimpedanciaZcolocadaentrelosnudosA
yBdeunared:

LacorrientequesaledelnudoAhaciaBes:IA=(VAVB)/Z=VA(1K)/Z

Donde:K=VB/VA

Esdecir,quesiconocemoselvalordeKpodemosponerunaimpedanciaentreel
nudoAytierraconvalor:ZA=Z/(1K)ylacorrientequesalgadelnudoAserla
mismaIA.

Enformasimilar,lacorrientequesaledelnudoBhaciaAes:IB=(VBVA)/Z=VB
(11/K)/Z

Donde:K=VB/VA
Es decir, que si conocemos el valor de K podemos poner una impedancia entre el
nudoBytierraconvalor:ZB=ZK/(K1)ylacorrientequesalgadelnudoBserla
mismaIB.

ElectrnicaAnalgicaII


171

Z K / (K-1)
B
A
Z
Z / (1-K)
B
RED
A

Fig.2.21


ParapoderusarelTeoremadeMillerdebemosconocerpreviamentelarelacinde
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es til para determinar el polo
dominanteencircuitosconrealimentacincapacitiva.

PROBLEMA2.3.SisecumplequeXC>>RLhallelafuncindetransferenciadel
siguientecircuito:
+
Vi
-
C
+
VL
-
Si: Xc >> RL
Entonces: K = VL / Vi = - gm RL
Q
Rs
RL
Vs

Fig.2.22

Entonces,alcircuitoanteriorpodemosrepresentarloenlaformasiguiente:
ElectrnicaAnalgicaII



172
+
Vi
-
C
+
VL
-
Q
Rs
RL
C(1 + gm RL)
Vs

Fig.2.23

VemosqueporlaentradasevealacapacidadCaumentadaporelfactor(1+gm
RL),mientrasqueporlasalidaseleveprcticamenteconelmismovalor,sigm
RL>>1.

Empleando el circuito simplificado podemos hallar fcilmente la funcin de


transferencia:

( )
( ) ( ) ( ) ( )
L m ie s L
ie s
ie
L m
s
L
v
R g sC h R C sR
h R
h
R g
V
V
A
+ + +

= =
1 // 1 1

Observamosquetiene2polos:
C R
s
L
1
1

= y
( ) ( ) ( )
L m ie s
R g C h R
s
+

=
1 //
1
2

SiendoelpolodominanteelproducidoporlacapacidadMillerdeentrada.

Siempleamoselmtododenodosobtenemosdosecuaciones:
Vi=[hieVs+hieRsCsV
L
]/(Rs+hie+hieRsCs) y
Vi=[1+R
L
Cs]/(R
L
CsgmR
L
)

Conellashallamoslagananciadetensin:

V
L
(sR
L
CgmR
L
)(hie/(Rs+hie))
Av==
Vs (1+sR
L
C)+(hie//Rs)sC(1+sR
L
C+gmR
L
(R
L
/Rs)]
ElectrnicaAnalgicaII


173
Sienestaecuacinsecumple:
1/(sC)>>R
L
y R
L
=Rs

Avsesimplificaa:
(gmR
L
)(hie/(Rs+hie))]
Av=
(1+sR
L
C)(1+(hie//Rs)sC(1+gmR
L
)

Podemosverquehayunpoloen: s1=(1/RLC)

yotroen: s2=1/[(Rs//hie)C(1+gmRL)]

QuesonlosmismosobtenidosconelteoremadeMiller.

Podemos concluir que basta calcular la ganancia en frecuencias medias y cumplir


con las condiciones (1/(s C) >> R
L
y R
L
= Rs) para poder aplicar directamente el
teorema.

FORMULASCONPARMETROSH:
Este mtodo consiste en hallar los parmetros hbridos de determinadas
configuracionescontransistores,parausarlasluegoyhallarlagananciatotal.

PROBLEMA2.4.Determinelosparmetroshdelsiguientecircuito:
+
v1
-
i2
RE
+
v2
-
i1

Fig.2.24

Lasecuacionesdeparmetroshbridosquerigenenelcircuitoson:
v1=hii1+hrv2 y i2=hfi1+hov2

Representando al transistor por su modelo de parmetros hbridos, tendremos el


circuitoequivalente(figura2.25):
ElectrnicaAnalgicaII



174
RE
+
v2
E
+
hie
1/hoe
hfe ib
+
vce
-
i1 = ib i2 = ic
+
hre vce
-
v1
-
C B
-

Fig.2.25

Luegotenemos: i1=ib
Elparmetrohiloobtenemoshaciendov
2
=0: hi=v1/i1v2=0

Elparmetrohftambinloobtenemoshaciendov
2
=0: hf=i
2
/i
1
v2=0
Elmodeloparaestecasosemuestraenlafigura2.26:

Ypodemosplantearlassiguientesecuaciones:
v1=i1(hie)+hre(vce)+(1+hfe)i1(RE//(1/hoe))
Adems:vce=(1+hfe)i1(RE//(1/hoe))

Reemplazandoydespejandohi:

hie+(1hre)(1+hfe)RE
hi=
1+hoeRE
RE
E
+
hie
1/hoe
hfe ib
+
vce
-
i1 = ib i2 = ic
+
hre vce
-
v1
-
C B

Fig.2.26

Igualmente,delamismafiguraobtenemos:
i2=hfei1+hoevce
ElectrnicaAnalgicaII


175
Reemplazando la expresin de vce anteriormente hallada y despejando hf,
obtenemos:
hfehoeRE
hf=
1+hoeRE

Elparmetrohrloobtenemoshaciendoi1=0: hr=v1/v2i1=0

Alparmetrohotambinloobtenemoshaciendoi1=0: ho=i2/v2i1=0
Elmodeloparaestecasosemuestraenlafigura2.27:

RE
+
v2
E
+
hie
1/hoe
hfe ib = 0
+
vce
-
i1 = ib = 0 i2 = ic
+
hre vce
-
v1
-
C B
-

Fig.2.27

Ypodemosplantearlassiguientesecuaciones:
v2=i2(RE+1/hoe)=i2((hoeRE+1)/hoe)

Deaquobtenemos: hoe
ho=
1+hoeRE

Adems: v1=hrevce+i2RE
Tambin: vce=i2/hoe
Reemplazando:v1=hre(i2/hoe)+i2RE=i2((hre/hoe)+RE)
v1=v2(hoe/(1+hoeRE))((hre/hoe)+RE)

Despejandoysimplificando:
hre+hoeRE
hr=
1+hoeRE

ElectrnicaAnalgicaII



176
Siempre que veamos el circuito un transistor con resistencia en el emisor,
podremosreemplazaralconjuntoporsumodelodeparmetrosh

Sieltransistortuvieralossiguientesparmetroshbridosenemisorcomn:
hie=1.3K;hfe=90;hre=8x10
4
;hoe=125x10
6
mhoyR
E
=100

losparmetroshseran:
hi=10.3K;hf=90;hr=133x10
4
;ho=125x10
6
mho

Vemos que la configuracin mostrada eleva hi y hr, pero deja hf y ho


esencialmenteigualesalosdeltransistorsolo.

PROBLEMA2.5.DeterminelosparmetroshdelMOSFETencompuertacomn:
-
+
D
-
Modelo del Mosfet
G
+
S
gm Vgs
Vdg
rds
Id
Vgs
-
G
Vsg
+
Is

Fig.2.28

Reemplazamos al MOSFET por su modelo de pequea seal y planteamos las


ecuacionesdelcuadripoloconparmetroshbridos:

Vsg=Ishi+hrVdg
Id=Ishf+hoVdg

SienestasecuacioneshacemosIs=0,podemosobtener:
a) hr=Vsg/Vdg:Vdg=VsggmVgsrds=Vsg+gmVsgrds

Dedonde: 1 1
hr==
1+gmrds1+

ElectrnicaAnalgicaII


177
b) ho=Id/Vdg:ComoIs=0,entonces:Id=0
Dedonde: ho=0

SienestasecuacioneshacemosVdg=0,podemosobtener:

c) hi=Vsg/Is:Vsg=(Is+gmVgs)rds=IsrdsgmrdsVsg

Dedonde: rds rds


hi==
1+gmrds)1+

d) hf=Id/Is:Id=Is

Dedonde: hf=1

El modelo de parmetros hbridos en compuerta comn del MOSFET


resulta:
D S
Is
Vdg / (1 + u)
G G
rds / (1 + u)

Fig.2.29

METODOGENERALDEANLISISDECIRCUITOSREALIMENTADOS
Este mtodo consiste en asimilar el circuito a uno de las cuatro formas de
realimentacin. Empleando el Teorema de Sustitucin se hace un modelo
simplificadoyluegosehallanlasgananciaseimpedancias.
Lodescribiremosmediante4ejemplos,unoparacadacaso:

PROBLEMA2.6.Enelcircuitomostrado,determine:
a) Laformaderealimentacin.
b) Lagananciasinrealimentacin.
c) Lagananciadebucle.
d) Lagananciaconrealimentacin.
e) Laimpedanciadeentradaconrealimentacin.
f) Laimpedanciadesalidaconrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII



178
+
Vi
-
Is VCC
Zif
+
VL
-
Q
Rs
Zof
RL
Rf

Fig.2.30

SOLUCION:
a) Podemos observar que el nico elemento que une la entrada con la salida
esRf.Representamoselcircuitoparaseal:

+
Vi
-
Is
+
VL
-
Q
Rs
RL
Rf

Fig.2.31

Asimilamoselcircuitoaunadelas4formasderealimentacin:
ElectrnicaAnalgicaII


179
+
Vi
-
Is
+
VL
-
Q
A
Rs
RL
Rf
B

Fig.2.32

Podemosdecirquelaformaderealimentacinesparaleloparalelo

b) Para hallar las ganancias empleamos el teorema de sustitucin y


simplificamoselcircuito:
VL
+
VL
-
RL
+
A
Q
Rf
Rs
+
-
Is
+
Vi
-
-
Rf
Vi

Fig.2.33

Podemos plantear las ecuaciones de Kirchoff en este ltimo circuito y


veremos que son las mismas del circuito original. Por ello podemos decir
queesuncircuitoequivalente.

La fuente VL en la entrada representa el efecto de realimentacin


(feedback), mientras que la fuente Vi en la salida, representa un efecto
directodelaentradasobrelasalida(feedforward)

Debidoaquesemuestrealatensindesalidayenlaentradasecomparan
corrientes, la funcin de transferencia caracterstica del circuito ser la
Transrresistencia.
ElectrnicaAnalgicaII



180
Paracalcularlatransrresistenciasinrealimentacin,anulamos lafuenteVL
delaentradaylareemplazamosporuncortocircuito:

+
VL
-
RL
+
Q
Rf
Rs
Is
+
Vi
-
-
Rf
Vi

Fig.2.34

Reemplazamos al transistor por su modelo de parmetros hbridos


simplificado:
+
Vi
-
+
VL
-
Rs
RL
hfe ib
Rf
ib
Rf
Vi
Is hie

Fig.2.35

Enelcircuitodesalida: VL=Vi[RL/(RL+Rf)]hfeib[RL//Rf]
Debemosnotartambinque:Vi=ibhie

Simplificando: VL=ib[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe]

Enelcircuitodeentrada: ib=is[(Rs//Rf)/(hie+Rs//Rf)]

Finalmente:Rm=VL/is=(VL/ib)(ib/is)
Rm=[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs//Rf)/(hie+Rs//Rf)]

ElectrnicaAnalgicaII


181
Encasosecumpla: Rf>>R
L
, Rf>>hie y hie<<Rs//Rf
Rm=hfeRL
c) Parahallarlagananciadebucle,aplicamoselsiguientecriteriopartiendode
losdiagramasdebloques:

K
Xc Xe
A
Xf
Xo
+/-
+
B
M
Xi

Fig.2.36

Sabemosque: Af=(KA)/(1T)
Donde: T=KAB

T puede hallarse si abrimos el lazo, hacemos cero a Xi y ponemos en la


entradadellazounafuenteX,comosemuestraacontinuacin:

B
+
-
K A
Xo
X

Fig.2.37

El lazo puede abrirse en cualquier punto. Es conveniente abrirlo en una


zona donde nos facilite ms los clculos. Este artificio podemos aplicarlo a
nuestrocircuito:
ElectrnicaAnalgicaII



182

hfe ib
ib
+
hie
-
Rf
Rs
VL
+
Vi
-
+
VL
-
Rf
Vi
RL

Fig.2.38

Enloscircuitosellazodebeabrirseconservandolosefectosdecarga.Para
ellohacemosusodelteoremadesustitucin.

Lagananciadebuclelahallamosconlarelacin: T=VL/VL
Enelcircuitodesalida: VL=ib[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe]
EstaexpresineslamismaquesehallparaRm
Enelcircuitodeentrada: ib=[VL/(Rf+Rs//hie)](Rs/(hie+Rs)]
Finalmente: T=VL/is=(VL/ib)(ib/VL)

(RL//Rf)(hfehie/Rf)Rs
T=
(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)

Encasosecumpla: Rf>>RL, Rf>>hie y hie<<Rs//Rf

hfeRL
T=
Rf

ElsignonegativodeTnosindicaquelarealimentacinesnegativa.

d) La ganancia con realimentacin se puede hallar con la frmula general


correspondiente:
Rmf=Rm/(1T)
Donde:
Rmf=Transrresistenciaconrealimentacin.
Rm=Transrresistenciasinrealimentacin.
T=Gananciadebucle.

ElectrnicaAnalgicaII


183
Como ya se han obtenido Rm y T, los reemplazamos en la ecuacin para
hallarRmf

Rm(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs//Rf)/(hie+Rs//Rf)
Rmf==
1T 1(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]

Podemos verificar este resultado si planteamos directamente las


ecuacionesdeKirchoffenelcircuitodelafigura2.31:

VL(1/RL+1/Rf)+hfeibVi(1/Rf)=0
Vi=hieib
Is=Vi(1/Rs+1/Rf+1/hie)VL(1/Rf)

MedianteestasecuacionesobtenemosdirectamenteRmf:

(RLRs)[hiehfeRf]
Rmf=
(RLRs(1+hfe)+hie(RL+Rf+Rs)+RsRf

e) La impedancia de entrada con realimentacin podemos hallarla con la


frmulacorrespondiente:

Comoelerroresdecorriente,la realimentacinnegativa hardisminuirla


impedanciadeentrada;porello: Zif=Zi/(1T)

Donde:
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin
Zif=impedanciadeentradaconrealimentacin

Zilapodemoshallardelcircuitoequivalente,haciendolafuenteVL=0
Enestecasoobtenemos:Zi=Rs//Rf//hie

Luego: Rs//Rf//hie
Zif1=
1(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]

ComonospidenquehallemoslaimpedanciadeentradasinincluirRs,enla
expresinanteriorhacemos: Rs
ElectrnicaAnalgicaII



184
Conloqueobtenemos:
Rf//hie
Zif=
1[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][1/[(Rf+hie)]]

Con las mismas ecuaciones de Kirchoff podemos hallar directamente Zif,


haciendoRs:

Rf//hie
Zif=
1(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][1/(Rf+hie)]

f) Laimpedanciadesalidaconrealimentacinpodemoshallarlaconla
frmulacorrespondiente:

Comoelmuestreoesdetensin,larealimentacinnegativahardisminuir
laimpedanciadesalida;porello: Zof=Zo/(1T)

Donde:
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin
Zof=impedanciadesalidaconrealimentacin

Zolapodemoshallardelcircuitoequivalente,haciendolafuenteVL=0eIs
=0

Enestecasoobtenemos:Zo=RL//Rf
Luego: RL//Rf
Zof1=
1[(RL//Rf)[(hie/Rf)][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]

Como nos piden que hallemos la impedancia de salida sin incluir RL, en la
expresinanteriorhacemos: RL

Conloqueobtenemos:

Rf
Zof=
1[Rf[(hie/Rf)][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]
ElectrnicaAnalgicaII


185
PROBLEMA2.7.Enelcircuitomostrado,determine:
a)Laformaderealimentacin
b)Lagananciasinrealimentacin
c)Lagananciadebucle
d)Lagananciaconrealimentacin
e)Laimpedanciadeentradaconrealimentacin
f)Laimpedanciadesalidaconrealimentacin
Zof
+
VL
-
Rs
RC
RE
VCC
RL
RB
Vg
C
Zif
C
Q1

Fig.2.39

SOLUCION:
a) Hallandolaformaderealimentacin:
Vemosquehayunsoloelemento,RE,queunelasalidaconlaentrada.
Representamoselcircuitoparaseal:
Rs
+
VL
-
Vg
Q1
RE
RL RC
RB

Fig.2.40

Asimilamoselcircuitoaunadelas4formasderealimentacin:
ElectrnicaAnalgicaII



186
Rs
+
VL
-
B
Vg
Q1
A
RL RC
RB
RE

Fig.2.41

ObservamosquelaentradadelbloqueBestenserieconlasalidayquela
salida del bloque B est en serie con la entrada. Entonces, la forma de
realimentacin es serieserie y la funcin de transferencia caracterstica es
latransconductancia

b) Obtenemoslatransconductanciasinrealimentacin
Empleandoelteoremadesustitucinhallamosuncircuitoequivalente:
+
VL
-
ib
RB
RC
ib
Rs
iL1
RE
RE
B ib
Vg
iL1
hie
iL
RL

Fig.2.42

Podemosobservarquecuandolaconexinesserie,empleamoselteorema
desustitucinconfuentesdecorriente.Anlogamente,cuandolaconexin
esparalelo,lousamosconfuentesdetensin.Deestamaneraaseguramos
quelasecuacionesqueseobtengansernlasmismasdelcircuitooriginal.

Parahallarlatransconductanciasinrealimentacin,hacemoscerolafuente
iL1,enlaentrada.
Il iL iL1ib
Gm==()()()
VgiL1 ibVg
ElectrnicaAnalgicaII


187

Delcircuitodesalida: iL=iL1[RC/(RC+RL)]
iL1=ib

Delcircuitodeentrada:
ib=[Vg/[Rs+(RB//(hie+RE))]][RB/(RB+hie+RE)]

Finalmente:
RCRB
Gm=
(RC+RL)[Rs+(RB//(hie+RE))](RB+hie+RE)

c) Acontinuacinobtenemoslagananciadebucle:
Para ello, hacemos Vg = 0 y a la fuente iL1 la cambiamos por iL1 (figura
2.43)

Hallamoslagananciadebuclemediantelaecuacin:

iL1iL1 ib
T==()()
iLibiL1

Delcircuitodesalida: iL1=ib

Delcircuitodeentrada: ib=iL1[RE/(RE+hie+Rs//RB)]

Finalmente:
RE
T=
RE+hie+Rs//RB

+
VL
-
ib
RB
RC
ib
Rs
iL1
RE
RE
B ib
iL1
hie
iL
RL

Fig.2.43
ElectrnicaAnalgicaII



188
d) Obtenemosahoralagananciaconrealimentacin:
Gmf=Gm/(1T)
Reemplazando:
RCRB(RE+hie+Rs//RB)
Gmf=
(RC+RL)[Rs+(RB//(hie+RE))](RB+hie+RE)[(RE+hie+Rs//RB)+RE]

e) Obtenemoslaimpedanciadeentradaconrealimentacin

Comoelerroresdetensin,larealimentacinnegativaharqueaumente
laimpedanciadeentrada.Entonces: Zif1=Zi1(1T)

LaecuacinanterioresvlidadesdelaentradadelbloqueAhaciaadelante
(noincluyeRB)

Zi1eslaimpedanciadeentradasinrealimentacin.
Zi1=hie+RE

Luego:
RE
Zif1=(hie+RE)[1+]
RE+hie+Rs//RB
ComonospidenlaimpedanciadeentradasinincluirRs,peroincluyendo
RB,hacemos:
Rs0
Luego:
Zif=RB//[RE(1+)+hie]

f) Obtendremosahoralaimpedanciadesalidaconrealimentacin:
Como el muestreo es de corriente, la realimentacin negativa har que
aumentelaimpedanciadesalida.Entonces: Zof1=Zo1(1T)

La ecuacin anterior es vlida desde la salida del bloque A hacia atrs (no
incluyeRC)

Zo1eslaimpedanciadesalidasinrealimentacin.LahallamoshaciendoVg
=0

ComoiL1tambinescero(nohayrealimentacin):Zo1=(debidoaque
estamosusandoelmodelosimplificadodeltransistor).

ElectrnicaAnalgicaII


189
Luego: Zof1=
ComonospidenhallarZofincluyendoRC,sersimplemente: Zof =
RC

PROBLEMA2.8.Enelcircuitomostrado,determine:
a)Laformaderealimentacin
b)Lagananciasinrealimentacin
c)Lagananciadebucle
d)Lagananciaconrealimentacin
e)Laimpedanciadeentradaconrealimentacin
f)Laimpedanciadesalidaconrealimentacin
RE RL
RB
Rg
C
Zif
+
VL
-
Zof
Vg
C
VCC
Q

Fig.2.44

Asumaquelascapacidadessonmuygrandes
SOLUCION:
a) Hallandolaformaderealimentacin:
Vemosquehayunsoloelemento,RE,queunelasalidaconlaentrada.
Representamoselcircuitoparaseal:

Rg
RB
RL RE
+
VL
-
Q
Vg

Fig.2.45

ElectrnicaAnalgicaII



190
Asimilamoselcircuitoaunadelas4formasderealimentacin:

B
Rg
RB
RL
A
RE
+
VL
-
Q
Vg

Fig.2.46

Observamos que la entrada del bloque B est en paralelo con la salida y que la
salida del bloque B est en serie con la entrada. Entonces, la forma de
realimentacin es serieparalelo y la funcin de transferencia caracterstica es la
gananciadetensin.

b) Obtenemoslagananciadetensinsinrealimentacin
Empleandoelteoremadesustitucinhallamosuncircuitoequivalente:

ib
ib
RL
RE
Rg
hie
vL
Vg
RB
+
VL
-
RE
hfe ib

Fig.2.47

Para hallar la ganancia de tensin sin realimentacin, hacemos cero la


fuenteVL,enlaentrada.

Av=VL/Vg=(VL/ib)(ib/Vg)

Delcircuitodesalida: VL=(1+hfe)ib[RE//RL)]
Delcircuitodeentrada:

ib=[Vg/[Rg+RB//hie]][RB/(RB+hie)]
ElectrnicaAnalgicaII


191
Finalmente:
(1+hfe)(RE//RL)RB
Av=
[Rg+(RB//hie)](RB+hie)

c) Acontinuacinobtenemoslagananciadebucle:
Paraello,hacemosVg=0yalafuentevLlacambiamosporvL(figura2.48)


hie
VL
Rg
RL
+
VL
-
ib
ib
hfe ib
RE RE
RB

Fig.2.48

Hallamoslagananciadebuclemediantelaecuacin:T=VL/VL=(VL/ib)(ib/
VL)
Delcircuitodesalida: VL=(1+hfe)ib[RE//RL]
Delcircuitodeentrada: ib=VL/[(hie+Rg//RB)]
Finalmente:
(1+hfe)RE//RL
T=
hie+Rg//RE
d) Obtenemosahoralagananciaconrealimentacin:
Avf=Av/(1T)
Reemplazando:
(1+hfe)(RE//RL)RB[hie+Rg//RE]
Avf=
[hie+Rg//RE+(1+hfe)Rg//RE[Rg+(RB//hie)](RB+hie)

e) Obtenemoslaimpedanciadeentradaconrealimentacin
Comoelerroresdetensin,larealimentacinnegativaharqueaumente
laimpedanciadeentrada.Entonces: Zif1=Zi(1T)

NtesequenospidenlaimpedanciadeentradasinincluirRg
LaecuacinanterioresvlidadesdelaentradadelbloqueAhaciaadelante
(noincluyeRB)

ElectrnicaAnalgicaII



192
Zieslaimpedanciadeentradasinrealimentacin.
Zi=hie
Luego:
(hie)[hie+Rg//RE+(1+hfe)RE//RL
Zif1=
hie+Rg//RE
Como nos piden la impedancia de entrada sin incluir Rg, pero incluyendo
RB,hacemos:
Rg0
Luego:
Zif=RB//[hie+(1+hfe)RE//RL]

f) Obtendremosahoralaimpedanciadesalidaconrealimentacin:
Como el muestreo es de tensin, la realimentacin negativa har que
disminuyalaimpedanciadesalida.Entonces:Zof1=Zo/(1T)

La ecuacin anterior es vlida desde la salida del bloque A hacia atrs (no
incluyeRL)

Zoeslaimpedanciadesalidasinrealimentacin.Lahallamoshaciendo:Vg
=0ycerolafuenteVL,enlaentrada.

Zo = RE (debido a que estamos usando el modelo simplificado del


transistor).

Luego: Zof1=RE/(1T)

ComonospidenhallarZofsinincluirRL,hacemosRL

Entonces:
RE(hie+Rg//RE)
Zof=
hie+Rg//RE+(1+hfe)RE

PROBLEMA2.9.Enelcircuitomostrado,determine:
a)Laformaderealimentacin
b)Lagananciasinrealimentacin
c)Lagananciadebucle
d)Lagananciaconrealimentacin
e)Laimpedanciadeentradaconrealimentacin
f)Laimpedanciadesalidaconrealimentacin
ElectrnicaAnalgicaII


193
Asumaquelacapacidadesmuygrandeyempleeelmodelosimplificadodelos
transistorescon:hie1=hie2=2Kyhfe1=hfe2=90

VCC = +12V
Zif
Q1
Zof
R2
3k
R1
5.6k
C
R4
5.6k
+
vL
-
Q2
RL
1k
Ig
R3
330k

Fig.2.49

SOLUCION:
a) Hallandolaformaderealimentacin:
Vemosquehaydoselementos,R3yR4,queunenlasalidaconlaentrada.
Representamoselcircuitoparasealyloasimilamosaunadelas4formas
derealimentacin:

R3
RL
B
R1
Ig
A
Q1
R4
R2
+
VL
-
Q2

Fig.2.50
ElectrnicaAnalgicaII



194
ObservamosquelaentradadelbloqueBestenserieconlasalidayquela
salida del bloque B est en paralelo con la entrada. Entonces, la forma de
realimentacinesparaleloserieylafuncindetransferenciacaracterstica
eslagananciadecorriente.

b) Obtenemoslagananciadecorrientesinrealimentacin
Empleando el teorema de sustitucin hallamos un circuito equivalente
(figura2.51).
Para hallar la ganancia de corriente sin realimentacin, hacemos cero la
fuenteiL1,enlaentrada.
Ai=iL/Ig=(iL/iL1)(iL1/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)
R2
R3
R4
ib2
ib2
hfe2 ib2
iL
Vb1 = hfe1 ib1
hie2
R4
hfe1 ib1
hie1
R1
ib1
R3
Ig
iL1
iL1
RL
+
VL
-

Fig.2.51

Delcircuitodesalida: iL=iL1R2/(R2+RL)
iL1=hfe2ib2

Reemplazandovalores:
iL/iL1=0.75 iL1/ib2=90

Parasimplificarmselcircuito,usamosreflexindeimpedancias(figura
2.52)
ElectrnicaAnalgicaII


195
R2
R3
+
(1 + hfe2) R4
ib2
-
iL
Vb1 = hie1 ib1
hie2
ib2
R4
hfe1 ib1
hie1
R1
ib1 (1 + hfe2) R3
Ig
iL1
hfe2 ib2
RL
+
VL
-

Fig.2.52


Delcircuitocentralhallamoslarelacin: (ib2/ib1)

ib2=hfe1ib1[R1/[R1+hie2+(1+hfe2)(R3//R4)]]
[(hie1ib1)/[(1+hfe2)R3+((1+hfe2)R4)//(R1+hie2)]](1+hfe2)R4/(R1+
hie2+(1+hfe2)R4)

Reemplazandovalores:
ib2/ib1=0.992

Delcircuitodeentrada:
ib1=[Ig(R3+R4)/(hie1+R3+R4)+ib2(R4/(R3+R4+hie1))

Dividiendoporib1:
1=[(Ig/ib1)(R3+R4)/(hie1+R3+R4)+(ib2/ib1)(R4/(R3+R4+hie1))

Reemplazandovalores:
1=[(Ig/ib1)(0.994)+(0.992)(0.0166)

Ypodemosdespejarlarelacin(ib1/Ig):
ib1/Ig=0.978

Acontinuacin: Ai=iL/Ig=(0.75)(90)(0.992)(0.978)=65.487

c) Acontinuacinobtenemoslagananciadebucle:
Para ello, hacemos Ig = 0 y a la fuente iL1 la cambiamos por iL1 (figura
2.53)
Hallamoslagananciadebuclemediantelaecuacin:
T=iL1/iL1=(iL1/ib2)(ib2/ib1)(ib1/iL1)
ElectrnicaAnalgicaII



196
Delcircuitodesalida: iL1=(hfe2)ib2
Reemplazandovalores: iL1/ib2=90
Delcircuitocentralhallamoslarelacin: (ib2/ib1)
ib2=hfe1ib1[R1/[R1+hie2+(1+hfe2)(R3//R4)]]
[(hie1 ib1)/[(1 + hfe2)R3 + ((1 + hfe2)R4)//(R1 + hie2)]](1 +
hfe2)R4/(R1+hie2+(1+hfe2)R4)
Reemplazandovalores:
ib2/ib1=0.992
Delcircuitodeentrada: ib1=(iL1+ib2)[R4/(hie1+R3+R4)]
Dividiendoporib1: 1=(iL1/ib1+ib2/ib1)[R4/(hie1+R3+R4)]
Reemplazandovalores:
1=(iL1/ib10.992)[5.6/(2+330+5.6)]
ib1/iL1=0.016
Finalmente:
T=iL1/iL1=(90)(0.992)(0.016)=1.457

hfe2 ib2
hfe1 ib1
R4
Vb1 = hie1 ib1
ib1
ib2
RL
R2
ib2
(1 + hfe2) R4
R3
iL1
iL1
+
VL
-
hie2
+
hie1
-
R1
(1 + hfe2) R3
iL

Fig.2.53


d) Obtenemosahoralagananciaconrealimentacin:
Aif=Ai/(1T)
Reemplazandovalores:
Aif=65.487/(1+1.457)=26.65

e) Obtenemoslaimpedanciadeentradaconrealimentacin
Comoelerroresdecorriente,larealimentacinnegativaharque
disminuyalaimpedanciadeentrada.Entonces: Zif=Zi/(1T)
LaecuacinanterioresvlidadesdelaentradadelbloqueAhaciaadelante.
ElectrnicaAnalgicaII


197
Zieslaimpedanciadeentradasinrealimentacin.

Enelcircuitodeentrada:
ib1hie1=Vg (tensindeentradaenlafuentedecorriente)

Adems:ib1=Ig[(R3+R4)/(hie1+R3+R4)]+ib2[R4/(hie1+R3+R4)]
Dividiendoporib1:1=(Ig/ib1)[(R3+R4)/(hie1+R3+R4)]+(ib2/ib1)[R4/(
hie1+R3+R4)]

Reemplazandovalores:
1=(Ig/ib1)[(335.6)/(337.6)]+(ib2/ib1)[5.6/(337.6)]
1=(Ig/ib1)[0.994]+(0.992)[0.0166]
ib1/Ig=0.978

Multiplicandoporhie1: Zi=Vg/Ig=(0.978)(2K)=1.956K

Luego:
Zif=(1.956K)/(1+1.457)=796

f) Obtendremosahoralaimpedanciadesalidaconrealimentacin:
Como el muestreo es de corriente, la realimentacin negativa har que
aumentelaimpedanciadesalida.Entonces: Zof=Zo(1T)

La ecuacin anterior es vlida desde la salida del bloque A hacia atrs (no
incluyeRL)

Zoeslaimpedanciadesalidasinrealimentacin.LahallamoshaciendoIg=
0ycerolafuenteiL1,enlaentrada(figura2.54).

Comoenlaentradaanquedalafuenteib2,ib1noserceroytendremos
queplantearecuacionesparahallarZo.

Paraconservarelefectodelasfuentesdependientes,quetambininfluyen
en la impedancia, empleamos la fuente externa Vo; ella entregar la
corrienteIoyZosepuedehallarconlarelacin: Zo=Vo/Io

Enelcircuitodeentrada: ib1=ib2[R4/(hie1+R3+R4)]
Reemplazandovalores: ib1=ib2[5.6/(337.6]=0.0166ib2
Enelcircuitodesalida:
Io=Vo/R2+hfe2ib2
ElectrnicaAnalgicaII



198
hfe2 ib2
hfe1 ib1
R4
Vb1 = hie1 ib1
Io
Vo
ib1
ib2
R2
ib2
(1 + hfe2) R4
R3
-
+
hie2
+
hie1
-
R1
(1 + hfe2) R3

Fig.2.54


Luego: hfe2ib2=IoVo/R2
Enelcircuitodeentrada:ib1=ib2(R4/(R3+R4+hie1)

Entonces: ib1=(1/hfe2)(IoVo/R2)(R4/(R3+R4+hie1)=[0.184x10^(
3)][IoVo/R2]

Delcircuitocentralyasehahallado:ib2=0.992ib1=[0.1828x10^(3)][Io
Vo/R2]

ReemplazandoenIo: Io=Vo/R2hfe2ib2=Vo/R2(0.016)[IoVo/R2]
Despejando: Zo=Vo/Io=R2=3K
Finalmente: Zof=Zo/(1T)=3K/(1+1.457)=1.22K

OSCILADORESSINUSOIDALES
Los osciladores son circuitos que generan seales al aplicrseles el voltaje de
alimentacin,sinnecesidaddeingresarlesunasealexternadeentrada.

El mtodo que acabamos de estudiar tambin es til para el anlisis y diseo de


osciladoressinusoidales,debidoaquenospermitehallardirectamentelaganancia
de bucle y aplicarle el criterio de Barkhausen. A continuacin veremos cmo se
utilizaenunconjuntomuyconocidodeosciladoressinusoidales.

OSCILADORDEROTACINDEFASE:
Este es un oscilador de baja frecuencia que trabaja comnmente a frecuencias de
audio.
ElectrnicaAnalgicaII


199
En el siguiente grfico mostramos un oscilador de rotacin de fase tpico con
transistorbipolar:
R1
VCC
RC
Q

C
R2
R R
CE
P
C
RE
C

Fig.2.55

En este caso, el transistor trabaja en la configuracin de emisor comn. Como la


salida se toma en el colector, el circuito acta como amplificador inversor. Un
requisitoparaqueoscileesquelarotacindefasesea0ounmltiplode360.Ya
queelamplificadordesfasa180,esnecesarioquelaredRCdesfaseotros180.
Acontinuacinveremoscmosehallalagananciadebucleyseaplicaelcriteriode
Barkhausen:

Debido a que las oscilaciones comienzan con niveles de pequea seal, podemos
usarlosmodelosdecuadripololinealdeltransistor.

Eltransistorserreemplazadoporsumodelosimplificadoconparmetroshbridos
para analizarlo con pequea seal y determinar los requisitos que debe cumplir
paraqueseinicienlasoscilaciones.

Elmodeloequivalenteeselsiguiente:

hfe ib
C
ib
hie
C C
R P R RB RC

Fig.2.56
ElectrnicaAnalgicaII



200
Estemodeloserepresentaparahallarlagananciadebucle:

Aquellazosehaabiertoporlabasedeltransistordebidoaquenospermitehacer
unmodelomssimpleconservandolosefectosdecarga.
RB
C
+
xo
-
RB
P C

ib
hie RC
xo
R R
hfe ib
hie
C

Fig.2.57

Lagananciadebuclesehallaconlasiguienterelacin:
T=xo/xo

Efectuandoelanlisisconlateoradecircuitosobtenemos:

hfeRB/(RB+hie)
T(s)=
3+R/RC+4/RCs+6/RCCs+5/RRCCs
2
+1/R
2
RCC
3
s
3
]

AplicandoelcriteriodeBarkhausenenelestadoestacionarioobtenemos:
Igualandoacerolaparteimaginaria(lafasedeTdebesercero),obtenemosla
ecuacinparalafrecuenciadeoscilacin:

1/RC
wo=
(6+4RC/R)
1/2

Igualando a uno la parte real (la parte real de T debe ser uno), obtenemos la
condicindeganancia:

R/RC(hf23)/58+[((hf23)/58)
2
4/29]
1/2

Donde: hf=hfeRB/(RB+hie)>44.6
y RB=R1//R2

Las anteriores relaciones nos permiten hallar la frecuencia de oscilacin y el


requisitodegananciaparaqueseinicienlasoscilaciones

Estos resultados son aproximados debido a que slo se est considerando el


modelosimplificadodeltransistor.
ElectrnicaAnalgicaII


201

PROBLEMA 2.10. Disee el oscilador de rotacin de fase mostrado en la figura


2.58

Paraunafrecuenciaaproximadade60Hzyamplituddesalidaajustableentre0y5
Vpico.Empleetransistores2N2222.
C2
R2
Q1
2N2222
C5
R9
C1
+12Vdc
Q2
2N2222
R4
R1
R8
C4
C3
R3 R8
R5 R7 R6

Fig.2.58

SOLUCION:
La salida la sacaremos desacoplada de DC por medio del potencimetro R8 para
calibrarelniveldeseado.

La etapa de seguidor emisivo reduce la impedancia de salida y minimiza el efecto


decarga.

Para el estudio y diseo de osciladores sinusoidales se emplea el Criterio de


Barhausen:

T(jw)=10

Otraformadeescribirloanteriores:
T(jw)=Re(T(jw))+Im(T(jw))=1+j0

Aligualar 1la parte real dela ganancia de bucle,obtenemoslos requerimientos


quedebecumplirlagananciadelcircuitoparaqueseinicienlasoscilaciones.

Aligualar0laparteimaginariadelagananciadebucle,obtenemoslafrecuencia
alaqueoscilarelcircuito.

Enlasiguientefigura,eltransistorhasidoreemplazadoporsumodelosimplificado
de parmetros hbridos para analizarlo con pequea seal y determinar los
ElectrnicaAnalgicaII



202
requisitos que debe cumplir para que se inicien las oscilaciones. El modelo
equivalentees:

hfe ib
C
ib
hie
C C
R P R RB RC

Fig.2.59

Estemodeloseadaptaparahallarlagananciadebucle:
RB
C
+
xo
-
RB
P C

ib
hie RC
xo
R R
hfe ib
hie
C

Fig.2.60

Lagananciadebuclesehallaconlasiguienterelacin:
xo
T=
xo

Efectuandoelanlisisconlateoradecircuitosobtenemos:

hfeR
B
/(R
B
+hie)
T(s)=
3+R/R
C
+4/RCs+6/R
C
Cs+5/RR
C
C
2
s
2
+1/R
2
R
C
C
3
s
3

AplicandoelcriteriodeBarkhausenenelestadoestacionarioobtenemos:

wo=(1/RC)/(6+4RC/R)
1/2

R/RC(hf23)/58+[((hf23)/58)
2
4/29]
1/2

Donde:hf=hfeR
B
/(R
B
+hie)>44.6
y R
B
=R1//R2

Las anteriores relaciones nos permiten hallar la frecuencia de oscilacin y el


requisitodegananciaparaqueseinicienlasoscilaciones
ElectrnicaAnalgicaII


203
Elegiremos el punto de operacin del transistor en I
CQ
= 1 mA y V
CEQ
= 5V para
lograr fcilmente la ganancia requerida. El clculo se har considerando una
gananciamnimade80paraeltransistor.

Emplearemosunatensindealimentacinde12V.
MediantelasleyesdeKirchoffobtenemos:
R3+R4=7K

Para obtener buena estabilidad del punto de operacin y una ganancia alta,
elegimos:
R4=1K

Luego,emplearemoselvalorcomercialmscercanoparaR3:
R3=5.6K

Lacorrientedebasedeltransistorser:I
B
=1mA/80=0.0125mA

Para mejorar ms la estabilidad del punto de operacin, haremos que por


R2circule unacorriente aproximadamente10vecesla debase:I
R2
=0.125
mA

Como la tensin baseemisor es aproximadamente 0.7V, entonces la


tensinenR2seraproximadamente:1.7V

AplicandolaleydeOhm,obtenemos:R2=1.7V/0.125mA=13.6K

Emplearemoselvalorcomercialmscercano:R2=15K

LuegohallamosR1:
R1=(121.7)V/(1.7/15+0.0125)mA=89.8K

Igualmente,emplearemoselvalorcomercialmscercano:R1=91K

C
4
secalculademaneraquesureactanciaseapequeaencomparacincon
R
4
,paraquelaamplituddelaoscilacinnoseamuychica:
C
4
>>1/(2fR
4
)=2.65uF

Porello,elegimosunvalorcomercialmuchomayorqueelcalculado:
C4=100uF
Como: R
5
/R
3
(hf23)/58+[((hf23)/58)
2
4/29]
1/2

ElectrnicaAnalgicaII



204
Donde:hf=hfeRB/(RB+hie)>44.6
ComoRB=R1//R2=12.9K
Y:hie=80(26mV)/(1mA)=2.08K

Obtenemos: hf=68.9>44.6

Conelloaseguramosqueinicienlasoscilaciones

AcontinuacincalculamosR
5
: R
5
/R
3
=(45.9)/(58+(0.59))=0.782

Luego: R
5
=4.38K

Elvalorcomercialmscercanoes:R
5
=R
6
=R
7
=R=4.3K

Lafrecuenciaangulardeoscilacinesdadaporlaecuacin:
wo=(1/R
5
C1)/(6+4R3/R5)
1/2

Comoqueremos:wo=2(60)=377rad/s
Obtenemoselvalorde:C1=0.18F=180nF

Conlosvalorescalculadoshicimosunasimulacinporcomputadorayobtuvimos
lossiguientesresultados:
I
CQ
=0.963mA V
CEQ
=5.7V

Quesonvalorescercanosalosdediseo.

Lafrecuenciadeoscilacinresultantefue: 57 Hz, que tambin est en el rango


esperado.Elvoltajepicoobtenidoesde5V

LatensincontinuaenelcolectordeQ1esaproximadamente:6.66V
EnelemisordeQ2habrunatensindeaproximadamente6V
Empleando una corriente mayor para Q2 hacemos que su impedancia de salida
disminuya.SiusamosunvalorparaR
9
de: R
9
=180
LacorrientedeoperacindeQ2ser:I
CQ2
=33.3mA

ParaR
8
usamosunvalorrelativamentepequeoconlafinalidaddequenoalterela
corriente de Q2 y evitar que pueda haber una oscilacin adicional a la que
queremos: R
8
=1K

ElectrnicaAnalgicaII


205
OSCILADORCOLPITTS:
Este es otro de los osciladores sinusoidales ms conocidos. Se le emplea en alta
frecuencia.Susealdesalidatienemenordistorsinyesmsestablequeladelde
rotacin de fase. Se le puede mejorar ms cuando se le emplea con cristal
piezoelctrico(enestecasorecibeelnombredeosciladorPierce)

Enlafigura2.61semuestranvariantesdeestecircuito.

Podemos observar que los elementos que determinan la frecuencia de oscilacin


son dos condensadores y una bobina, los que forman el circuito tanque, que es el
encargadodedarlaselectividadnecesaria.

Debido a que las oscilaciones se inician en pequea seal, podemos utilizar los
modelos lineales del transistor para obtener la ganancia de bucle y hallar las
ecuaciones que nos darn la frecuencia de oscilacin y los requerimientos de
ganancia para que se inicien las oscilaciones. Las caractersticas no lineales del
transistordeterminarnlaamplituddesalida.

Analizaremos el circuito de la figura 2.61B utilizando el modelo simplificado de


parmetros pihbridos del transistor (debido a que estos osciladores trabajan en
alta frecuencia). Un criterio similar se puede emplear para el circuito de la figura
2.61A,teniendoencuentaqueestenlaconfiguracindebasecomn.

-VCC
RF CH
Q
Salida
RE
Q
RE
L
C1
C2
Q
C) Configuracin en emisor
comn con choke de RF
y alimentacin simple
+VCC
R2
+VCC
C1
RL
C3
RE
Salida
R1
RC
C2
R2
Salida
A) Configuracin en base
comn con alimentacin
simtrica
B) Configuracin en
emisor comn con
alimentacin simple
C3
R1
L
+VCC
C4
L
C4
C1
C2

Fig.2.61
ElectrnicaAnalgicaII



206

Elmodeloequivalenteparaseal,parahallarlagananciadebucle,eselsiguiente:

Q
Vbe
Rb
gm Vbe
R
+
Vbe
-
Rb rx C2
R = Rb // rx
RC
C3
C
C2
L L
RC
C = C3 + Cx

Fig.2.62

Aqu tambin es conveniente abrir el lazo por la zona de base para obtener un
modelomssencillo.

Apartirdelmodeloequivalentepodemosdeterminarlagananciadebucle:
T(s)=Vbe/Vbe
T(s)=(gmRCR)/[RRCCC2Ls
3
+L(RC+RCC2)s
2
+(L+RRCC2+RRCC)s+R+RC]

Enelestadoestacionario:
T(jw)=(gmRCR)/[R+RCL(RC+RCC2)w
2
+jw(L+RRCC2+RRCCRRCCC2Lw
2
)

AplicandoelcriteriodeBarkhausen:
L+RRCC2+RRCCRRCCC2Lw
2
=0
(gmRCR)/[R+RCL(RC+RCC2)w
2
)>1

Yobtenemoslaexpresinparalafrecuenciadeoscilacin:
wo=[(L+RRCC2+RRCC)/(RRCCC2L)]
1/2

yelrequisitodeganancia:
(gmRC//R)>[L(RC+RCC2)/(R+RC)]wo
2
1

PROBLEMA2.11.EnelosciladorColpittsmostradoenlafigura2.61A,determinela
frecuencia de oscilacin y el requisito de ganancia para que se inicien las
oscilaciones..Si:RL=10K,RE=20K,L=10H,C1=1013pF,C2=79nF,VCC=
10V.Eltransistoresdesiliciocon=100y=1.T=300K.

SOLUCION:
Determinamosprimeroelpuntodeoperacindeltransistor:

ElectrnicaAnalgicaII


207
Enlamallacolectoremisor: 10=VCEQ+IEQ(20K)10
Enlamallabaseemisor: 0=VBEQ+IEQ(20K)10=0.7+IEQ(20K)10

Luego:IEQ=0.465mA
Acontinuacin: VCEQ=10.3V
Latensincontinuadesalidaes: Vo=10V

Laresistenciadeentradaatemperaturaambientedeltransistores:
hib=VT/IEQ=26mV/0.465mA=56

Laconductanciadeentradaparapequeaseales: gin=1/hib=1/56
La transconductancia para pequea seal es: gm = gin = 1/56 = 17.86x10
3

siemens

Podemos hacer un modelo equivalente para pequea seal, despreciando las


capacidadesinternas,quenospermitahallarlagananciadebucle:

X1
RL
gm X +
Xo
-
RE X
hib
C1
hib
C2 L

Fig.2.63

Empleandoelmtododenudos: Xo(1/(RE//hib)+sC2Xo+sC1(XoX1)=0
Dedonde: X1=[(1/sC1)(1/(R
E
//hib)+s(C1+C2)]Xo

Adems: gmX+X1(1/sL)+X1(1/R
L
)+sC1(X1Xo)=0
gmX+X1[(1/sL)+(1/R
L
)+sC1]sC1Xo)=0

ReemplazandoX1:
gmX+[(1/sC1)(1/(R
E
//hib)+s(C1+C2)]Xo[(1/sL)+(1/RL)+sC1]sC1Xo)=0

Delaecuacinanteriorobtenemoslagananciadebucle:

s
2
C1gmR
L
L(R
E
//hib)
T(s)=
s
3
C
1
LR
L
[C1(RE//hib)+(RE//hib)(C1+C2)]+s
2
L[(RE//hib)(C1+C2)
2C
1
R
L
]+s[R
L
(RE//hib)(C1+C2)2L]2R
L

ElectrnicaAnalgicaII



208
Enelestadoestacionario: s=jw

Reemplazando:
w
2
C1gmR
L
L(R
E
//hib)
T(jw)=
jw
3
C
1
LR
L
[C1(RE//hib)+(RE//hib)(C1+C2)]w
2
L[(RE//hib)(C1+C2)
2C
1
R
L
]+jw[R
L
(RE//hib)(C1+C2)2L]2R
L

Laparteimaginariadebeserigualacero:
jw
3
C
1
LR
L
[C1(RE//hib)+(RE//hib)(C1+C2)]+jw[R
L
(RE//hib)(C1+C2)2L]=0

Dedondesededucelaexpresindelafrecuenciadeoscilacin:

R
L
(R
E
//hib)(C
1
+C
2
)2L
w
o
2
=
C
1
LR
L
[C
1
(RE//hib)+(RE//hib)(C
1
+C
2
)

Reemplazandovalores:
Lafrecuenciaangulares: wo=9.87x10^6rad/s
Lafrecuenciacclicaes: fo=1.57MHz

Laparterealdebesermayoroigualauno:

w
0
2
C1gmR
L
L(R
E
//hib)
1
w
0
2
L[(R
E
//hib)(C
1
+C
2
)2C
1
R
L
]2R
L

Reemplazandovalores: gm9.24x10
3
siemens

Latransconductanciadeltransistor,enpequeaseal,debesermayorqueelvalor
calculadoparaqueseinicienlasoscilaciones.

OSCILADORHARTLEY:
El oscilador Hartley es otro de los osciladores sinusoidales de alta frecuencia ms
conocidos.Acontinuacinsemuestranalgunasversionesdeestecircuito:
ElectrnicaAnalgicaII


209
L
Q
R2
Cb
L
Q
VCC
C
L
CH
R1
C
L
Cb
VCC
Cb
Rb

Fig.2.64


Acontinuacinharemoselanlisisdelqueempleatransformador:
El condensador Cb pone al transistor en base comn y Ce acopla la seal
realimentada.

Apartirdelmodeloequivalentepodemosdeterminarlagananciadebucle:

C Re
Q
gm Vbe
L rx
N2
T1
N1
T1
8 6
7 4
rx Re Cx
Vbe
N2
+
Vbe
-
Cx
Re
N1
C

Fig.2.65

Hemosempleadoelmodelodeparmetroshbridosdeltransistoryasumiremos
que el transformador no tiene prdidas, L es la inductancia del primario y la
relacindeespirases:n=N1/N2.

ElmodeloequivalentedeladerechanospermitehallarT:


Re
gm Vbe
n^2 rx L
r
n^2 Re Cx/n^2
Vbe +
Vbe/n
-
C
C

Fig.2.66

T(s)=Vbe/Vbe
ElectrnicaAnalgicaII



210
Llamaremos: R=n
2
(Re//r)y Ct=C+C/n
2

Luego:
T(s)=(ngmRLs)/[RLCts
2
+Ls+R]

Enelestadoestacionario:
T(jw)=(ngmRL)/[jRLCtw+LjR/w]

AplicandoelcriteriodeBarkhausen:
jwRLCtjR/w=0
(ngmRL)/L>1

Yobtenemoslaexpresinparalafrecuenciadeoscilacin:
wo=[1/(LCt)]
1/2

yelrequisitodeganancia:
n>1/(gmR)

SERIEDEPROBLEMASDEELECTRNICAANALGICAIIEA61

PROBLEMAP2.1.
a) MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b) Escriba las expresiones resultantes de la funcin de transferencia sin
realimentacinydeT

Asuma el modelo de parmetros hbridos simplificado del transistor y que las


capacidadessonmuygrandes

Zof
+
VL
-
RC
RE
VCC
RL
RB
Vg
C
Zif
C
Q1

Fig.2.67

ElectrnicaAnalgicaII


211
PROBLEMAP2.2.Enelcircuitomostrado,
a) MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarTylafuncindetransferencia
sinrealimentacin.
b) HalleT
c) HalleZiyZif.

Asumaelmodelodeparmetroshbridossimplificadodeltransistor
RL
RS C
VCC
RB
+
vL
-
RC
C
+
vg
-
Q
Rf

Fig.2.68

PROBLEMAP2.3.
a) MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b) HalleTsilasalidasetomaenR4
c) HalleZif

Asuma el modelo de parmetros hbridos simplificado del transistor y que ambos


tienenlasmismascaractersticaselctricas..
Zof
R2
R3
VCC
+
vL
-
R1
Q2
ig
Rg
Q1
R4
Zif

Fig.2.69

PROBLEMA P2.4. Muestre el esquema circuital que permita hallar la funcin de


transferenciasinrealimentacinyhallesuexpresin.

Hallelagananciadebucle

Asuma el modelo de parmetros hbridos simplificado del transistor y que todos


tienenlasmismascaractersticaselctricas.Lascapacidadessongrandes.
ElectrnicaAnalgicaII



212
Zof
RE
Q1
R4
VCC
+
vL
-
R2
Vg
Rg
C
Q1
R3
C
R1
C
Rf RL
Zif

Fig.2.70

PROBLEMA P2.5. Un amplificador de voltaje ideal est conectado en un lazo


realimentado.HallelagananciasinrealimentacinylagananciadelbloqueBsi:vi
=50mV,vf=45mVyvo=5V.

PROBLEMA P2.6. Un amplificador de tensin con Av = 10.000, Zi = 1K y Zo =


100 est conectado en un lazo con realimentacin negativa. Si la ganancia del
bloqueBes0,1ysuimpedanciadeentradaesifinitaysuimpedanciadesalidaes
cero,hallelagananciadetensinconrealimentacin,laimpedanciadeentradayla
impedanciadesalida.

Laformaderealimentacinesserieparalelo.

PROBLEMAP2.7.
a)MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b)Hallelaexpresindelagananciadebucle.
c)HallelaexpresindeZof(noconsiderarRL).

Asuma el modelo de parmetros hbridos simplificado del transistor y que todos


tienenlasmismascaractersticaselctricas.
ElectrnicaAnalgicaII


213

R6
R4
+
VL
-
Q1
RL
Vi
Rs
RE
Q3
R3
R7
R2
-VCC
Q4
Q2
R5
R1
+VCC

Fig.2.71

PROBLEMAP2.8.Enelcircuitodelafigura2.72:
a) Qutipodemuestreoyerrorhayenelcircuito?
b) Hallelagananciasinrealimentacin
c) Hallelagananciadebucle
d) Hallelaimpedanciadesalida

Asuma que la capacidad es muy grande. Emplee el modelo simplificado del


transistor.
R2
C8
+
VL
-
Q1
R1
Ig
VCC
R4
R3
Q2

Fig.2.72

ElectrnicaAnalgicaII



214
PROBLEMAP2.9.Enelcircuitodelproblema2.4:R
1
=10K,R
2
=5K,R
3
=680K,
R
4
=6K,R
E
=1,2K,Rg=2K,R
L
=1K,

HalleelvalordeRfparaquelagananciadetensinconrealimentacinseael25%
delagananciasinrealimentacin.

Losparmetrosdelosdostransistoresson:hfe=150,hre=0,hie=2K,hoe=0

PROBLEMA P2.10. Deduzca los parmetros hbridos de un MOSFET en fuente


comn.

PROBLEMAP2.11.DiseeunosciladorHartleyparaunafrecuenciade2MHz.

PROBLEMAP2.12.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2Aconcontrolproporcional.

PROBLEMAP2.13.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2AconcontrolPI.

PROBLEMAP2.14.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2AconcontrolPD.

PROBLEMAP2.15.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2AconcontrolPID.

PROBLEMAP2.16.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DC para obtener salidas de +30 VDC y 30VDC, 2 A con lmite de corriente
ajustable.

PROBLEMA P2.17. En el circuito de la figura 2.73, determine la impedancia de


entradaylagananciadetensin.
ElectrnicaAnalgicaII


215
82K
Las capacidades C son muy grandes
120K
680K
+
VL
-
1M
10K
C
1K
100K
Q1
BF245
C
24Vdc
C
Zif
2K2
Q2
2N2222
Vg

Fig.2.73


PROBLEMAP2.18.Elcircuitodelafigura2.74esunposibleoscilador.
a) Podrtrabajar?
b) Encasodequetrabaje,determinelafrecuenciayamplituddeVx.
c) Encasodequenotrabaje,expliqueporquno.

AsumaqueelcontrolautomticodevoltajenocargaaQ2yqueambos
transistoressondesiliciocon>>1

2K7
BT2
100pF
CONTROL
AUTOMATICO
DE VOLTAJE
Iy
1V
100uH
Iy(wo)
12V
Vx(wo)
Q1
+
Vx
-
12V
300uA
10V
2K7 20K
Q2
12V

Fig.2.74

PROBLEMAP2.19.
a) Determinelosparmetroshdelcircuitodelafigura2.75.
b) Sieltransistortuvieralossiguientesparmetroshbridosenemisorcomn:hie
= 1.3 K, hre = 8x10
4
, hfe = 90, hoe = 125x10
6
y R = 22 K Cules son los
valoresdelosparmetrosh?
c) Comparando los parmetros h con los del transistor, Qu conclusiones
obtiene?.
ElectrnicaAnalgicaII



216
I2
I1
Q
+
V2
-
+
V1
-
R

Fig.2.75

PROBLEMAP2.20:Respondalassiguientespreguntas:
a)Porquseemplearealimentacinnegativaenlosamplificadoresdeaudio?
b)Porqularealimentacinnegativatiendeadisminuirelruido?

ElectrnicaAnalgicaII


217
BIBLIOGRAFA

1).CIRCUITOSMICROELECTRONICOS:ANLISISYDISEO
MuhammadRashid
InternationalThomsonEditores
2).MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
MarkN.Horenstein
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
3)ELECTRONICCIRCUITS:DISCRETEANDINTEGRATED
Schilling,DonaldL.
Belove,Charles
McGrawHillKogakusha,Ltd.
4)DISPOSITIVOSYCIRCUITOSELECTRNICOS
Millman,Jacob
Halkias,CristosC.
McGrawHillBookCompany
5).COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
AddisonWesleyPublishingCompany
6).INGENIERIADECONTROLMODERNA
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
7).PROBLEMASDEINGENIERIADECONTROLUTILIZANDOMATLAB
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8).ANLISISYDISEODECIRCUITOSELECTRNICOSINTEGRADOS
PaulE.Gray
RobertMeyer
PrenticeHallHispanoamricaS.A.

ElectrnicaAnalgicaII



218
APLICACIONESDECRISTALES

Estavisindeldiseodeosciladoresacristaldepropsitogeneralbasadostanto
en componentes discretos como en compuertas lgicas satisface los
requerimientosdegeneracindefrecuenciasdesdelosKHz200MHz. Por
MartinEcclesAgostode1994

Los osciladores a cristal usados para temporizacin y frecuencia de referencia


combinan tres caractersticas clave Q extremadamente alto, tamao fsico
relativamente pequeo respecto a dispositivos de temporizacin alternativos con
las mismas caractersticas de funcionamiento y excelente estabilidad con los
cambiosdetemperatura.

La estabilidad de frecuencia de un cristal est limitada en el corto plazo por su


coeficientedetemperaturayenellargoplazoporelenvejecimientodelcristal.Los
cristales de cuarzo con corte AT generalmente tienen el mejor coeficiente de
temperatura y usualmente tienen tolerancias en la estabilidad de 0.0025%
0.005%desde55C105C.

Entre 1MHz y 200 MHz, normalmente son elegidos cristales con corte AT. Ellos
representanelmejorcompromisoentrelaestabilidaddetemperatura,laexactitud
de la frecuencia y la capacidad de corrimiento de frecuencia. Sin embargo, por
encima de los 27 MHz, los cristales AT slo estn disponibles para trabajar en el
mododesobretono.Estaesunarestriccindebidoaquelososciladoresensobre
tonosonmsdifcilesdedisearysonsusceptiblesarespuestasespreas.Fig.1

Recientemente se han desarrollado los cristales con corte BT para resolver el


problema del sobre tono. Estos operan en el modo fundamental hasta 46 MHz
cerca del doble de la frecuencia del corte AT alternativo.. Adems, el corte BT
puedetrabajarenelmododesobretono.

CAPACITANCIADECARGAYCORRIMIENTODEFRECUENCIA
Cercadelafrecuenciaderesonanciadelcristal,alreducirlacapacidaddecargaen
el dispositivo, se aumentan la salida y la frecuencia, Fig. 2. Adems de la carga
externa, el cristal posee su propia capacidad en paralelo, Co, la cual est
tpicamente entre 3 y 15 pF. Cuando se hacen los clculos, esta capacidad debe
agregarsealadecarga.

La Figura 3 muestra cunto se puede correr la frecuencia de un cristal tpico


cambiando la capacidad de carga. El grado de corrimiento para una configuracin
dadaseobtienepor:
ElectrnicaAnalgicaII



219
C
1
x10
6

2(C
L
+Co)
2

Donde:
C
1
eslacapacidadmotriz,
C
L
eslacapacidaddecargay
Coeslacapacidadenparalelo.

En la Tabla 1 se dan valores tpicos de la capacidad motriz y la capacidad en


paraleloinherente.

Frecuencia(MHz) MododeVibracin C
1
(fF) Co(pF)
12 fundamental 58 3
24 fundamental 612 3
46.5 fundamental 820 5
6.530 fundamental 1625 6
21150 3ersobretono 125 6
60150 5tosobretono <0.7 6
85210 7mosobretono <0.4 6

Todos los cristales operan con resonancia serie. El trmino resonancia paralelo se
usa a menudo para describir a un cristal diseado para manejar una alta
impedancia de carga a travs de sus terminales. La resonancia serie existe dentro
del cristal, mientras que la resonancia paralelo slo existe como un fenmeno de
medicindelcristal.

EMPLEODECRISTALESDECUARZO
Para que oscile un circuito, debe tener realimentacin positiva y ganancia de lazo
mayorquelaunidad.Sinotroselementossensiblesalafrecuenciaenelcircuitodel
oscilador, el cristal oscilar en su modo fundamental. Se necesitan agregar al
circuito elementos dependientes de la frecuencia para forzar al cristal para que
oscileenunsobretono.

ElectrnicaAnalgicaII


221
CAPTULO3
AMPLIFICADORDIFERENCIAL(A.D.)

3.1.INTRODUCCION:
Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador
diferencial.

Comnmente recibe dos seales de entrada y su salida puede ser balanceada o


desbalanceada. Se le denomina amplificador diferencial porque su salida es
proporcional a la diferencia de las seales de entrada. Es parte fundamental del
AmplificadorOperacional,queseestudiarenelsiguientecaptulo.

Acontinuacinsemuestraunesquemabsicoempleandotransistoresbipolares:
Vs1
C
V2
Rc
Io
VCC
Rb V1
Q2
Vs2
Q1.
C
Rb
Rc

Fig.3.1

Ioesunafuentedecorrienteconstantequedebeofrecerunaaltaimpedanciaala
seal. Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.

SilasalidasetomaentreVs1yVs2,sedicequelasalidaesbalanceada.
V
1
yV
2
sonlassealesdeentrada.

ElectrnicaAnalgicaII

222
Lasalidadebeserproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada,esdecir:
Vs=Ad(V
1
V
2
)

Adeslagananciaenmododiferencial

La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D.realespresentanunasalidadadaporlaecuacinsiguiente:

Vs=Ad(V
1
V
2
)+Ac(V
1
+V
2
)/2
Ac es la ganancia en modo comn y generalmente se busca que sea lo ms
pequeaposible.Idealmentedeberasercero.

Sedefine:
Mododiferencial=Vd=V
1
V
2

Modocomn=Vc=(V
1
+V
2
)/2

Debeindicarsequeelmodocomnnoestformadosolamenteporelpromediode
las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificadortenderaeliminarlasdesusalida.

Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las
sealesnodeseadasquesepresentenensusentradas.

Paraefectuarelanlisisdelcircuitoseexpresanlassealesdeentradamedianteel
modocomnyelmododiferencial.

V
1
=Vc+Vd/2
V
2
=VcVd/2

Cuando se analiza con pequea seal podemos utilizar los modelos de cuadripolo
lineal del transistor. Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la
caractersticanolinealdeltransistor(porejemplo,lasecuacionesdeEbersMoll).

FACTORDERECHAZOALMODOCOMUN(CMRR):
EsteesunparmetromuytilparasaberlacalidaddelA.D.Seledefinecomo:

CMRR=|Ad|/|Ac|

ElectrnicaAnalgicaII


223
Tambinseacostumbraexpresarloendecibeles:

CMRRdb=20log(|Ad|/|Ac|)

IdealmenteelCMRRdebeserinfinito.

EnunA.D.realconvienequesealomsaltoposible.

La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para conseguir una


ganancia en modo comn muy pequea y, por tanto, un alto factor de rechazo al
modocomn.

2.2.ANALISISDELAMPLIFICADORDIFERENCIAL
Enelesquemabsicopodemosplantearlassiguientesecuaciones:
iE1+iE2=Io

Adems:
V
1
VBE1=V
2
VBE2

Dedonde:
V
1
V
2
=VBE1VBE2

Si los transistores trabajan en la regin activa, podemos representar la


caractersticadetransferenciadeltransistormedianteunaecuacinsimilaraladel
diodosemiconductor:
iE=IES
VBE/VT

IC=IES
VBE/VT

Si ambos transistores tienen caractersticas elctricas muy similares, podemos


plantearlasiguienteecuacin:

IES
VBE1/VT
+IES
VBE2/VT
=Io
Adems:
iE1/iE2=
(VBE1VBE2)/(VT)

Sillamamos:z=(VBE1VBE2)/VT=(V1V2)/VT

Yutilizamoslaspropiedadesdelasproporciones,obtendremos:
iE1=Io/(1+
z
)
iE2=Io/(1+
z
)

ElectrnicaAnalgicaII

224
UtilizandoMATLABpodemosgraficarestasecuaciones:
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
0
0. 1
0. 2
0. 3
0. 4
0. 5
0. 6
0. 7
0. 8
0. 9
1
CURVAS CARACTERISTICAS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
z
C
o
r
r
i
e
n
t
e
ie1
ie2
Io = 1
Io/ 2

Fig.3.2

Podemosobservarque:
1. Cuandonohayseal(z=0)cadatransistorconducelamitaddelacorrienteIo.
2. La mxima corriente que puede conducir un transistor es Io y, por ello,
podemos evitar que llegue a la zona de saturacin, permitiendo que pueda
funcionarvelozmente.
3. Cuandountransistorconduce unacorriente:Io/2+i,elotroconduce Io/2
i para que la suma de ambas corrientes sean iguales a Io. Es decir, si un
transistoraumentasucorriente,elotrolareduceenlamismacantidad.
4. Paravaloresdezcomprendidosenelrango:1z+1,podemosdecirqueel
A.D.tendruncomportamientoaproximadamentelineal
5. Para un valor z = +5, el transistor Q2 conduce prcticamente la corriente Io y
Q1estprcticamenteencorte.Ocurrelocontrarioparaz=5.
6. Lasgrficastienensimetraimparrespectoalnivel:Io/2

Si el modo diferencial es representado por una seal, podemos hallar la


representacindelacorrientedesealdecadatransistorenlaformasiguiente:
ie1=iE1Io/2=(Io/2)(tanh(z/2))
ie2=iE2Io/2=(Io/2)(tanh(z/2))

ElectrnicaAnalgicaII


225
Lascorrientesdesealnormalizadassondadasporlasexpresines:
ie1/Io=(1/2)(tanh(z/2))
ie2/Io=(1/2)(tanh(z/2))

Nuevamente,empleandoMATLABpodemosgraficarestasecuaciones:

- 5 - 4 - 3 - 2 - 1 0 1 2 3 4 5
- 0 . 5
- 0 . 4
- 0 . 3
- 0 . 2
- 0 . 1
0
0 . 1
0 . 2
0 . 3
0 . 4
0 . 5
C O R R IE N TE S E N M O D O D IF E R E N C IA L
z

Fig.3.3

Conlasecuacionesanteriores,podemosexpresarlascorrientestotalescomo:
iE1=(Io/2)(1+tanh(z/2))
iE2=(Io/2)(1tanh(z/2))
Parapequeaseal(z<<1)podemosexpresarlascorrientestotalescomo:
iE1=(Io/2)+(gin/2)(V1V2)
iE2=(Io/2)(gin/2)(V1V2)

Donde:
gin=conductanciadeentradadeltransistorenpequeaseal
gin=Io/(2V
T
)

Latransconductanciadelamplificadordiferencialparapequeasealesdadapor
laecuacin:
gm=gin/2=Io/(4V
T
)

Sielmododiferencialesunasealsinusoidaldelaforma:
V1V2=Vcos(t)
ElectrnicaAnalgicaII

226
Entonces: z=(V1V2)/VT=(V/VT)cos(t)=xcos(t)

Lacorrientedesealser:
ie1=(Io/2)(tanh[(x/2)(cos(t)]
ie2=(Io/2)(tanh[(x/2)(cos(t)]

DesarrollandoenseriesdeFourierestascorrientes,obtenemossloarmnicas
impares:

ie=(Io)a(2n1)cos[(2n1)(t)]
n=1

ic=(Io)a(2n1)cos[(2n1)(t)]=I1cos(t)+I3cos(3t)+I5cos(5t)+...
n=1

Loscoeficientesdelaserieseobtienendelasiguienteecuacin:
+
a(2n1)=(1/)[0.5*tanh[(x/2)cos()]]cos(n)d

En la siguiente tabla se dan valores de los coeficientes para las tres primeras
armnicas:

x a1(x) a3(x) a5(x)


0.0 0.0000 0.0000 0.0000
0.5 0.1231
1.0 0.2356 0.0046
1.5 0.3305 0.0136
2.0 0.4058 0.0271
2.5 0.4631 0.0435 0.00236
3.0 0.5054 0.0611 0.0097
4.0 0.5586
5.0 0.5877 0.1214 0.0355
7.0 0.6112 0.1571 0.0575
10.0 0.6257 0.1827 0.0831
0.6366 0.2122 0.1273

Podemos observar que para x = 1 la distorsin de tercer armnico no llega al 2%


(0.0046/0.2356=1.95%)
ElectrnicaAnalgicaII


227
As como se defini la transconductancia para pequea seal, tambin podemos
definirlatransconductanciaparagranseal(Gm(x)):

Paralaprimeraarmnica:
Gm1(x)=I1/V=(Ioa1(x))/V=[4gmVT]a1(x)/V=gm[4a1(x)/x]

Conociendo: a1(x) / x (de la tabla) y gm, podemos saber el valor de la


transconductanciaparagranseal,Gm(x)

PROBLEMA3.1.SienelcircuitomostradoQ
1
=Q
2
,V
1
=175mVcos(wt),
V
2
= 50mVcos(wt), IES = 10
14
A, Io = 5 mA. Determine la distorsin de tercer
armnicoqueproduceelA.D.AsumaVT=25mV

Q2
RL
RC
Q1
VCC
RC
Io
V2 V1

Fig.3.4

SOLUCION:
Sabemosquex=V/VT=(17550)/25=5.0

Delatablaobtenemosparax=5.0:
a1
(5)
=0.5877
a3
(5)
=0.1214

Ladistorsindetercerarmnicosersimplemente:
D3=a3
(5)
/a1
(5)
=0.1214/0.5877=20.66%

2.3.ANALISISDELAMPLIFICADORDIFERENCIALCONPEQUEASEAL
Enestecasopodemosusarlosmodeloslinealesdeltransistor.
Aplicaremoselmtodoalcircuitodelafigura3.5
ElectrnicaAnalgicaII

228
Vs1
C
V2
Rc
Io
VCC
Rb V1
Q2
Vs2
Q1.
C
Rb
Rc

Fig.3.5

ANALISISENDC:
Obtendremoslasexpresionesdelospuntosdeoperacindelostransistores.

LostransistoresQ1yQ2sonigualesy,debidoaquesusredesdepolarizacinson
iguales,lascorrientesdeemisordeambostransistorestambinserniguales:

I
EQ1
=I
EQ2
=Io/2
Si: >>1 entonces: I
CQ1
=I
CQ2
=Io/2

Conociendolacorrientequeentregalafuentedecorrientepodemosconocerladel
puntodeoperacindecadatransistor.

LatensinDCenlosemisoresdelostransistoreses: V
E
=V
BE
Io(Rb/2)
Acontinuacin: V
CEQ1
=V
CEQ2
=V
CC
IoRc/2V
E

Enestecasolastensionescolectoremisorsonigualesdebidoaquetambinloson
lasresistenciasdecolector.

TRANSFORMACIONDEIMPEDANCIAS:
Este mtodo es aplicable cuando empleamos los modelos simplificados del
transistor bipolar. Para ello, aplicamos los conocimientos de circuitos elctricos y
partimosdelsiguienteesquemabsico,mostradoenlafigura3.6:
ElectrnicaAnalgicaII


229
(1 + hfe)ib
hfe ib
hie
ib
(1 + hfe)ib
ib
+
Ve
-
Ve = (1 + hfe)ib R + V1
hfe ib
+
V1
-
Ve
hie
R

Fig.3.6

LatensinVeenelnudoesdadapor:Ve=(1+hfe)ibR+V1

Esta tensin la podemos representar por una fuente de tensin ideal, como se
muestra en la figura 3.6. A continuacin podemos usar las propiedades de estas
fuentes para luego retroceder al modelo original, separando las ramas, como se
muestraenlafigura3.7:

hie
+
V1
-
hfe ib
hie
ib
(1+hfe)ib/(1+hfe)
hfe ib
R(1+hfe)
Ve
+
Ve
-
Ve
ib
R(1+hfe)/hfe
+
Ve
-
+
V1
-

Fig.3.7

Observamos que al retornar al modelo original separando las ramas, debemos


modificar los valores de las resistencias y corrientes; en cambio los voltajes
permanecenigual,ypodemosllegaralassiguientesreglasdeconversin:

Alreflejarhaciahie,multiplicamoslasresistenciaspor:(1+hfe)ydividimos
lascorrientespor(1+hfe)
Al reflejar hacia la fuente hfe ib, multiplicamos las resistencias por: (1 +
hfe)/hfeydividimoslascorrientespor(1+hfe)/hfe

Estasreglaslaspodemosaplicaracualquiercircuitolineal.

Deellonosvaldremosparaanalizaralamplificadordiferencialyhallarlasganancias
eimpedanciasconpequeaseal.
ElectrnicaAnalgicaII

230

ANALISISENAC:
Obtendremoslasexpresionesdelasgananciaseimpedanciasenmododiferencialy
en modo comn para pequea seal. Utilizaremos el modelo de parmetros
hbridossimplificado.Elcircuitoequivalenteeselmostradoenlafigura3.8

DebidoaqueIoesunafuentedecorrientecontnua,paraseallahacemosceroy
lo que queda es su impedancia para AC. En dicho esquema Z es la impedancia en
ACqueofrecelafuentedecorriente.

V2
Rc
Rb V1
Z
Vs2 Vs1
Rc
hie
hfe ib2
Rb
ib2
hfe ib1
ib1
hie

Fig.3.8

Parasimplificarelcircuitoutilizamoslastcnicasdetransformacindefuentesdel
anlisisdelateoradecircuitos,conloqueresultaelesquemadelafigura3.9:

Rc
ib1
+
V2
-
hfe ib2
Rb
hie
ib2
Vs1 Vs2
hie
hfe ib1
+
V1
-
Rb hfe ib1
Z
Ve
hfe ib2
Rc

Fig.3.9

ElectrnicaAnalgicaII


231
Podemosaplicarahorareflexindeimpedancias:
Haciaelladoizquierdovemoslascorrientesib1y(hfeib1)ypodemosreflejarun
circuitoconhieyotroconlafuente(hfeib),comosemuestraenlafigura3.10:

Rc
ib1
hie(1+hfe)/hfe
+
V2
-
Ve
hfe ib2/(1+hfe)
Rb
hie
ib2/(1+hfe)
+
V2
-
Rb(1+hfe)/hfe
Vs1 Vs2
hfe ib2(hfe/(1+hfe))
hie(1+hfe)
ib2(hfe/(1+hfe))
hfe ib1
+
V1
-
hfe ib1
Rb(1+hfe)
Z(1+hfe)
Ve
Z(1+hfe)/hfe
hfe ib2
Rc

Fig.3.10

Enlafigura3.10vemosqueelcircuitoinferiornonosaportainformacinadicional
y podemos prescindir de l, quedndonos slo con los esquemas de la parte
superior,comosemuestraenlafigura3.11:
ElectrnicaAnalgicaII

232
Rc
ib1
+
V2
-
hfe ib2/(1+hfe)
Rb
hie
ib2/(1+hfe)
Vs1 Vs2
hie(1+hfe)
hfe ib1
+
V1
- Rb(1+hfe)
Z(1+hfe)
Ve
hfe ib2
Rc

Fig.3.11

Hacia el lado derecho de la figura 3.11 vemos las corrientes ib2/(1+hfe) y (hfe
ib2)/(1+hfe) y podemos reflejar nuevamente un circuito hacia la resistencia
hie(1+hfe) y otro con la fuente (hfeib2)/(1+hfe) , como se muestra en la figura
3.12:
Rc
ib1/(1+hfe)
+
V2
-
Rb(1+hfe)
hie(1+hfe)
ib2/(1+hfe)
Vs1 Vs2
hie(1+hfe)
hfe ib1
+
V1
- Rb(1+hfe)
Z(1+hfe)(1+hfe)
Ve
hfe ib2
Rc

Fig.3.12

En esta figura ya hemos despreciado el circuito que se refleja con la fuente de


corriente porque no nos da informacin adicional. A continuacin, vemos que
todas las resistencias estn multiplicadas por (1+hfe) y las corrientes divididas por
(1+hfe). Al multiplicar las corrientes por las resistencias, el factor (1+hfe)
ElectrnicaAnalgicaII


233
desaparece del producto y podemos simplificar ms el circuito multiplicando las
corrientes por (1+hfe) y dividiendo las resistencias por (1+hfe). Eliminados estos
factores,podemosllegaralesquemadelafigura3.13:

Rc
Rb
ib2
-
Vd/2
+
Rb
hie
Vs1 Vs2
hie
hfe ib1
+
Vd/2
-
Z(1+hfe)
Ve
+
Vc
-
+
Vc
-
ib1
hfe ib2
Rc

Fig.3.13

Adicionalmente,sehanrepresentadolassealesdeentrada(V1yV2)medianteel
modocomn(Vc)yelmododiferencial(Vd).

Comoelmodeloeslineal,podemosaplicarsuperposicinyhallaremoslaganancia
en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn (Vc = 0); luego
hallaremoslagananciaenmodocomnhaciendocerolasealenmododiferencial
(Vd=0)

GANANCIA EN MODO DIFERENCIAL: Aplicando superposicin, se hace cero el


modocomn(Vc= 0) y, debido alasimetra,latensin Vees cero yeste nudose
comporta como tierra virtual (porque su voltaje es cero sin estar conectado a
tierra)

Paraelmododiferencial: ib1=Vd/(2hie)
Ib2=Vd/(2hie)

ElectrnicaAnalgicaII

234
1) Acontinuacin: Vs1=hfeRcib1=[(hfeRc)/(2hie)]Vd
Luego: Ad1=hfeRc/2hie
Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida
desbalanceada en el colector de Q1. Aqu la salida est desfasada 180
respectoalmododiferencial.

2) SitomamoslasalidadesbalanceadaenelcolectordeQ2:
Vs2=hfeRcib2=+[(hfeRc)/(2hie)]Vd
Luego: Ad2=+hfeRc/2hie
Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la
gananciaen modo diferencialcuandotomamoslasalidadesbalanceadaen
elcolectordeQ2.

3) SitomamoslasalidabalanceadaentreloscolectoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=hfeRcib1+hfeRcib2=[(2hfeRc)/(2hie)]Vd
Luego: Ad12=hfeRc/hie
AquvemosquelasalidaeseldoblequeenloscasosanterioresyAd12es
la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada
entreloscolectoresdeQ1yQ2.

IMPEDANCIADEENTRADAENMODODIFERENCIAL:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmododiferencial:
Zid=2(Rb//hie)

GANANCIA EN MODO COMUN: Aplicando superposicin, se hace cero el modo


diferencial (Vd = 0) y vemos que en este caso la tensin Ve no es cero (para el
modocomnnoestierravirtual)

Paraelmodocomn: ib1=Vc/(hie+2(1+hfe)Z)
Ib2=Vc/(hie+2(1+hfe)Z)

1) Acontinuacin: Vs1=hfeRcib1=[(hfeRc)/(hie+2(1+hfe)Z)Vc
Luego: Ac1=hfeRc/(hie+2(1+hfe)Z)
Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida
desbalanceadaenelcolectordeQ1.Vemosquedependeinversamentede
la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy
elevada,podemosminimizarlagananciaenmodocomn.
ElectrnicaAnalgicaII


235
2) SitomamoslasalidadesbalanceadaenelcolectordeQ2:
Vs2=hfeRcib2=[(hfeRc)/(hie+2(1+hfe)Z)Vc
Luego: Ac2=hfeRc/(hie+2(1+hfe)Z)

Aquvemosquelasalidaesigualenamplitudysignoqueenelcolectorde
Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la
gananciaenmodocomn.

3) SitomamoslasalidabalanceadaentreloscolectoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=hfeRcib1+hfeRcib2=0
Luego: Ac12=0
Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos
disminuirmslagananciaenmodocomn(idealmentesehacecero).

IMPEDANCIADEENTRADAENMODOCOMUN:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmodocomn:
Zic=(Rb//(hie+(1+hfe)Z)

VemosquesideseamostenerunaaltaimpedanciadeentradaenmodocomnRb
debeserelevadoonodebemoscolocarestaresistencia.

PROBLEMA3.2.Enelcircuitodelafigura3.14,halle:
a) Elpuntodeoperacindecadatransistor
b) Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn
c) Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.

Asuma:Q1=Q2=Q3con:hie=1K,=hfe=100,V
D
=V
BE
=0.7V,hob=10
6
S
ElectrnicaAnalgicaII

236
D
+ 6 V
100K
Q1
V1
1K5
V2
4K
C es muy grande
Q2
5K 5K
- 6 V
C
C
Q3
100K
C

Fig.3.14

SOLUCION:
a) Anlisis en DC: Obtendremos el punto de operacin de cada transistor.
Empezaremos hallando la corriente de la fuente de corriente formada por
Q3:I
CQ3
=Io
6V
5K
1.5K
Io
Q3
VBB
5K
1.5K
D7
6V
Q3
Io
RB
6V

Fig.3.15

ElectrnicaAnalgicaII


237
ParahallarlacorrienteIohllamoselcircuitotheveninequivalenteparaQ3,
comosemuestraenlafigura3.16.

Latensindetheveninsepuedehallarconlaecuacin:
V
BB
=(6+0.7)/2=2.65V

La resistencia de thevenin se puede hallar aproximadamente con la


ecuacin:
R
B
=5K//5K=2.5K
Acontinuacinplanteamoslaecuacinenlamallabaseemisor:
V
BB
+I
B
R
B
+V
BE
+I
E
(1.5)6=0
ExpresandoenfuncindeI
C
:
V
BB
+(I
CQ3
/)R
B
+V
BE
+((1+)/)I
CQ3
(1.5)6=0

Dedondeobtenemos:I
CQ3
=Io=2.65/(0.025+1.01(1.5))=1.72mAI
CQ3
=
Io=1.72mA

Debido a que las redes de poarizacin de base de Q1 y Q2 son iguales,


entoncessuscorrientesserntambiniguales:
I
CQ1
=Io/2=0.86mA e I
CQ2
=Io/2=0.86mA

A continuacin procedemos a hallar el voltaje de polarizacin de cada


transistor:

AMPLIFICADORDIFERENCIALCONFET
Enlafigura3.7semuestraunaversinqueempleaMosfets.Lafuentedecorriente
estformadaporunjfet

ElectrnicaAnalgicaII

238
RD
RG
RD
-VSS
V2
+VDD
Q3
Q2 Q1
RG V1

Fig.3.7

ANALISISENDC:
Obtendremoslasexpresionesdelospuntosdeoperacindelostransistores.

LostransistoresQ1yQ2sonigualesy,debidoaquesusredesdepolarizacinson
iguales, las corrientes de drenador (I
D
) de ambos transistores tambin sern
iguales.SemselJFETQ3trabajaconsucorrienteI
DSS
: Io=I
DSS3

Adems: I
DQ1
=I
DQ2
=Io/2

Conociendolacorrientequeentregalafuentedecorrientepodemosconocerladel
puntodeoperacindecadatransistor.

Como los fets deben trabajar en la zona de saturacin, podemos emplear su


ecuacinparaesaregin: I
D
=I
DSS
(1V
GS
/V
T
)
2

LatensinDCenlasfuentesdelostransistoreses: V
S
=V
GSQ

Acontinuacin: V
DSQ1
=V
DSQ2
=V
DD
IoR
D
/2V
E

En este caso las tensiones drenadorfuente son iguales debido a que tambin lo
sonlasresistenciasdedrenador.

ANALISISENAC:
Obtendremoslasexpresionesdelasgananciaseimpedanciasenmododiferencialy
en modo comn, para pequea seal. Utilizaremos el modelo de pequea seal y
bajafrecuenciadelfet.Elcircuitoequivalenteeselmostradoenlafigura3.8
ElectrnicaAnalgicaII


239
Endichoesquema,ZeslaimpedanciaenACqueofrecelafuentedecorriente.

Para analizar usamos la teora de circuitos, de los cuales resulta el esquema de la


figura 3.9. Adicionalmente, se han representado las seales de entrada (V1 y V2)
medianteelmodocomn(Vc)yelmododiferencial(Vd).

Comoelmodeloeslineal,podemosaplicarsuperposicinyhallaremoslaganancia
en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn (Vc = 0); luego
hallaremoslagananciaenmodocomnhaciendocerolasealenmododiferencial
(Vd=0)

RD
Z RG
rds
V2
rds
gm Vgs2 gm Vgs1
- Vgs2 +
RG
+ Vgs1 -
RD
V1

Fig.3.8
-
RD
Z
+
RG
rds
Vd/2
Vs1
rds
gm Vgs2
-
gm Vgs1
- Vgs2 +
+
Vc
+
+
Vs2
RG
+ Vgs1 -
RD
Vc
-
Vd/2
-

Fig.3.9

GANANCIAENMODODIFERENCIAL:(Sehaceceroelmodocomn:Vc=0)
Empleandosimetrapodemosconcluirqueelvoltajeenlosterminalesdefuentees
cero(tierravirtualparaelmododiferencial).
ElectrnicaAnalgicaII

240
Paraelmododiferencial: Vgs1=Vd/2
Vgs2=Vd/2

1) Acontinuacin: Vs1=[gm(R
D
//rds)]Vgs1
Luego: Ad1=gm(R
D
//rds)/2
Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida
desbalanceadaeneldrenadordeQ1

2) SitomamoslasalidadesbalanceadaeneldrenadordeQ2:
Vs2=[gm(R
D
//rds)]Vgs2
Luego: Ad2=+gm(R
D
//rds)/2

Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la
gananciaen modo diferencialcuandotomamoslasalidadesbalanceadaen
eldrenadordeQ2.

3) SitomamoslasalidabalanceadaentrelosdrenadoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=[gm(R
D
//rds)]Vgs1+[gm(R
D
//rds)]Vgs2=gm(R
D
//rds)Vd
Luego: Ad12=gm(R
D
//rds)

AquvemosquelasalidaeseldoblequeenloscasosanterioresyAd12es
la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada
entrelosenlosdrenadoresdeQ1yQ2.

IMPEDANCIADEENTRADAENMODODIFERENCIAL:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmododiferencial:
Zid=2R
G

GANANCIAENMODOCOMUN:(Sehaceceroelmododiferencial:Vd=0)
Empleandosimetrapodemosllegaralcircuitoequivalentedelafigura3.10
RD
2Z RG
RD
RG
-
Vs1
rds
-
2Z
Vc
gm Vgs1
+
gm Vgs2
Vs2
Vc
+
rds
+ Vgs1 - - Vgs2 +

Fig.3.10
ElectrnicaAnalgicaII


241
Paraelmodocomn: Vgs1=Vc[(2Zgmrds)/(2Z+rds+R
D
)]Vgs1
Vgs2=Vc[(2Zgmrds)/(2Z+rds+R
D
)]Vgs2

Dedonde: Vgs1=[(2Z+rds+R
D
)/(2Z(1+)+rds+R
D
)]Vc
Vgs2=[(2Z+rds+R
D
))/(2Z(1+)+rds+R
D
)]Vc
=gmrds

1) Acontinuacin: Vs1=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc
Luego: Ac1=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)
Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida
desbalanceadaeneldrenadordeQ1.Vemosquedependeinversamentede
la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy
elevada,podemosminimizarlagananciaenmodocomn.

2) SitomamoslasalidadesbalanceadaenelcolectordeQ2:
Vs2=Vs1=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc
Luego: Ac2=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)
Aquvemosquelasalidaesigualenamplitudysignoqueeneldrenadorde
Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la
gananciaenmodocomn.

3) SitomamoslasalidabalanceadaentrelosdrenadoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc+R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc=
0
Luego: Ac12=0
Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos
disminuirmslagananciaenmodocomn(idealmentesehacecero).

IMPEDANCIADEENTRADAENMODOCOMUN:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmodocomn:
Zic=R
G

VemosquesideseamostenerunaaltaimpedanciadeentradaenmodocomnR
G

debeserelevadoonodebemoscolocarestaresistencia.

MULTIPLICADORANALOGICO:
Elcircuitomostradoesunmultiplicadoranalgicode4cuadrantes,conocidocomo
celdadeGilbert.
ElectrnicaAnalgicaII

242
Q4
+
V2
-
Q2
Ik1
+ VL-
Q5
+ VCC
Q1
R
+
V1
-
Q3
Q6
R

Sabemos:

= =
2
1
2 1 1
ln
C
C
T BE BE
I
I
V V V V

PROBLEMASPROPUESTOS
PROBLEMAP3.1.Enelamplificadordiferencialmostrado,halle:
A) lospuntosdeoperacin
B) lagananciadetensin
1k
2k
Q1
1k
Q2
5 mA
+
Vo
-
-10v
+
Vi
-

ElectrnicaAnalgicaII


243
Q1=Q2,SILICIO,hie=1K,hfe=100,hre=0,hoe=0
Laresistenciaenacdelafuentedecorrientees1M

PROBLEMAP3.2.a)MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b)Hallelaexpresindelagananciadebucle.
c)HallelaexpresindeZof(noconsiderarRL).

Asuma el modelo de parmetros hbridos simplificado del transistor y que todos


tienenlasmismascaractersticaselctricas.

Re
R3
Q6
Rs
Q4
Q1
R2
RL
+
VL
-
R7
R6
-VEE
R5
Vg
R4
Q25
R1
+VCC

PROBLEMA P3.3. Disee un amplificador diferencial con mosfet el IRF840 para


obtenerunagananciaconsalidabalanceadade50.

PROBLEMA P3.4. En el siguiente circuito, halle el punto de operacin de cada


transistor.
Datos: V
BE1
=V
BE2
=V
BE3
=0.6V; 1=2=3=100

0K5
Q3
Q1
2K6
3K
60
1K
3K
60
Q2
1K
+9V

ElectrnicaAnalgicaII

244
PROBLEMA3:Enelsiguientecircuito,determinelaexpresindexdemaneraque
lacorrienteDCporlaresistenciaR
L
seacero.
Q1: V
BE1
,h
FE1
. Q2: V
BE2
,h
FE2

Q1
P
RL
X
R
Rb
R
+VCC
Rb
Re
-VEE
Q2

PROBLEMA P3.6. En el siguiente circuito, halle el punto de operacin de cada


transistorylamximaexcursinposible.

Paratodoslostransistores:V
BE
=0.7V,h
FE
=100

Q3
50
Q5
50
10K
Q2
100K
10K
1K3
+12V
Q1
2K9
100K
1K3
-VEE
Q4

PROBLEMAP3.7.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor
b)Vo(t);si:Vi(t)=10sen(wt)mV
Asuma:Q1=Q2con:hfb=0.98,hib=10,hfe=100,V
BE
=0.7V
Lasfuentessonideales.
ElectrnicaAnalgicaII


245
Vi(t)
5 mA
Q1 Q2
- 10V
2K
+
Vo(t)
-

PROBLEMAP3.8.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor.
b)Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn.
c)Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3con:hie=1K,hfe=100,V
BE
=0.7V

V1.
Q3
C
4K
Q2
100K
5K
+6V
V2
Q1
5K
100K
1K5
-6V
D1

PROBLEMAP3.9.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor
b)Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn
c)Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3=Q4con:hie=1K,hfe=100,V
BE
=0.7V
ElectrnicaAnalgicaII

246
Q3
2K8
2K
Q2
Q3
+12V
Q1
465K 465K

PROBLEMAP3.10.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor
b)Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn
c)Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3=Q4con:hie=1K,hfe=100,V
BE
=0.7V
i1
4K 2K
Q2
15K
i2
+12V
Q1
2K
15K
-41V

PROBLEMA3.11.SienunA.D.conMOSFET,V1=2sen(wt)+0.5sen(3wt),y
V2=sen(wt)+0.4sen(3wt)ysetiene:Ad(w)=100|180,Ad(3w)=50|210,Ac(w)
=1|180y Ac(3w)=0.2|270. Hallelaexpresin sinusoidaldelvoltaje desealde
salida.

ElectrnicaAnalgicaII


247
PROBLEMA3.12.EnunA.D.setiene:V1=1mvcos(wt)yV2=1mvsen(wt)
Sesabeque:CMRRdb=60dbyAc=1
a)Halleelvoltajedesealdesalida,Vs(t)
b)Suponiendoquelasgananciasdelamplificadornopuedenvariar,dequ
maneraeliminaralasealdesalidaenmodocomn?

PROBLEMA 3.13. En el circuito mostrado, determine la relacin que debe haber


entreRCyRLparaquelagananciadetensinsea:Avd=2gmdRC
Asuma:V1>V2
V2
Io
+VCC
V1
RC
Q1
RC
RL
Q2

PROBLEMA 3.14: En el circuito mostrado, asuma Q1 = Q2, silicio, = hfe >>1.


DetermineunaexpresinparahallarI
R
I
R4
R
Q2 Q1
VCC

PROBLEMA3.15:Enelcircuitomostrado,asumaQ1=Q2=Q3,silicio,=hfe>>1.
Determine:Lospuntosdeoperacin,lasgananciaseimpedanciasdeentradayde
salida.AsumaparaQ3:hob=10
6
s
ElectrnicaAnalgicaII

248
C2
100uF
R8
220K
C3
100uF
RC
1K
R4
220
R5
10K
RC
1K
R9
1K
R1
1K
+ 12 V
R6
4.7K
Q1
2N2222
R3
1K
Q3
2N2222
Q2
2N2222
C1
100uF
R7
220K
R2
100
Vg

PROBLEMA3.16:Respondalassiguientespreguntas:
a)Enquformassepuedereducirelmodocomn?
b)Porquseafirmaqueelruidoespartedelmodocomn?
c)PorquesconvenienteelempleodesalidabalanceadaenunAD?
d)PorqudebeemplearseunafuentedecorrienteconstanteconelA.D.?
e)Aquselellamatierravirtual?
f)Porqunohaytierravirtualconelmodocomn?
g)PorquelA.Dsloproducedistorsinconarmnicosimpares?
h)Paraqusirvelatransconductanciaparagranseal?
i)Cundosedicequeunasealesbalanceada?
ElectrnicaAnalgicaII
249
AMPLIFICADORESOPERACIONALES(OPAMPS)

4.1.INTRODUCCION
La designacin OPAMP originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analgicas. Estos
amplificadores fueron diseados para realizar operaciones matemticas aplicables
acomputacinanalgica(sumatoria,escalamiento,sustraccin,integracin,etc.)

En la actualidad, la disponibilidad de amplificadores operacionales en circuitos


integradoslohacentilcomoreemplazodecualquieramplificador,especialmente
en baja frecuencia. Incluso, se les usa formando parte de circuitos integrados ms
complejos.

4.2.SIMBOLODEUNOPAMP
Elsmboloaceptadoparaunopampesuntringuloylasalida,Vo,estrelacionada
conlasentradasV+yVcomosemuestraenlafigura4.1:

V-
-
+
+ SATURACION
- SATURACION
V+ Voffset
Vo
V+ - V-
Vo

Figura4.1 Figura4.2

Vb=V+seaplicaalaentradanoinversorayVa=Valaentradainversora.

ElectrnicaAnalgicaII

250
4.3.EJEMPLODELOPAMPLM741

-
Entrada inversora
A = 1000 A = 200 A = 1
Entrada no inversora
Salida
+
de polarizacin
Fuentes de corriente

Figura4.3

Como se puede ver, un ICOPAMP usa varias etapas en cascada, generalmente


amplificadores diferenciales, para suministrar un alto rechazo al modo comn y
granganancia.

Debidoaqueunamplificadordiferencialtienedosentradas,seevidenciaelhecho
de que la salida esta en fase con una de ellas (entrada no inversora) y desfasada
180gradosconlaotra(entradainversora).

EnlosusostpicosdeunOPAMPseemplealarealimentacin,lacual,deacuerdoal
uso dado, puede ser positiva (si la salida se conecta a la entrada no inversora) o
negativa (si la salida se conecta a la entrada inversora). La red de realimentacin
puede ser pasiva (usando redes R, L, C, RC, etc) o activa (con transistores, Fets,
otrosOPAMP,etc).

Debemostenerclaroelhechoquelavariacindefaseentrelasalidaylasentradas,
como se mencion (0 y 180) es vlida slo para un cierto rango de frecuencias
quevandesdeDChastaundeterminadovalor.Segnseincrementalafrecuencia,
comoencualquieramplificador,hayunavariacindelafaseentrelassalidasylas
entradasporencimaopordebajodesufaseinicial(0paralaentradanoinversora
y 180 para la entrada inversora); de modo que si se utiliza realimentacin
negativa, esta puede convertirse en positiva para ciertas frecuencias e introducir
inestabilidadytendenciaalasoscilaciones.

Esta situacin de variacin de fase con la frecuencia limita el ancho de banda del
OPAMP. Esta situacin puede ser compensada aadiendo una red desfasadora
(generalmente un simple capacitor) a uno de los amplificadores internos
(generalmentealdemayorganancia)oalaentrada.
ElectrnicaAnalgicaII
251
En la mayora de los casos el fabricante suministra terminales externos para la
conexinexteriordelasredescompensadoras.Enotroscasos,lacompensacinse
hace en forma interna (con condensadores integrados al OPAMP). A fin que el
OPAMP responda desde DC, se evita el uso de condensadores de acoplo en el
integrado.Lascapacidadesinternasdeloscomponentesdelintegradosonlasque
limitan el ancho de banda, de modo que la mejor performance de un OPAMP se
presentaenDC.

4.4.REQUISITOSBSICOSDEUNOPAMP

1. La ganancia de lazo abierto (ganancia sin realimentacin) debe ser muy


grande, idealmente infinita. En la prctica, los valores tpicos estn entre
10,000y200,000.
2. Elanchodebandadebeseramplio(idealmenteinfinito)conrespuestadesde
DC hasta cientos de KHz. Algunos OPAMPs usados como amplificadores de
vdeo(bandaancha)respondenhastalosMHz.
3. La caracterstica fase ganancia debe permitir amplificadores con fuerte
realimentacinnegativasinquesevuelvaninestables.
4. ElOPAMPdebetenerunaimpedanciadesalidamuybaja(idealmentecero).
Losvalorestpicosestnentre1y100.

La impedancia de entrada debe ser muy elevada (idealmente infinita). Los


valores tpicos estn entre 100K y 1000T, segn la tecnologa que se use
para su fabricacin. En este caso el OPAMP acta como amplificador de
tensin y es el ms popular. Tambin hay versiones que actan como
amplificador de corriente (tipo NORTON, con impedancia de entrada baja e
impedancia de salida alta); otros actan como amplificador de
transconductancia (con impedancias de entrada y de salida altas); y otros
como amplificador de transresistencia (con impedancias de entrada y de
salidabajas).

Posteriormente enumeraremos otras caractersticas que deben reunir los
OPAMPsparaquefuncioneneficientemente.

4.5.USOSDELOSOPAMP
Son muy variados y se puede clasificar en dos tipos de aplicaciones: Lineales y no
lineales.

APLICACIONESLINEALES
Entre ellas tenemos: amplificador inversor, no inversor, sumador, restador,
integrador,derivador,convertidordecorrienteatensin,convertidordetensina
ElectrnicaAnalgicaII

252
corriente, filtros activos, adaptador de impedancias, convertidor de impedancias,
amplificador de banda ancha, desfasador, amplificador de audio, regulador de
tensin,amplificadordeinstrumentacin,oscilador,etc.

APLICACIONESNOLINEALES
Entre ellas tenemos: Comparador, comparador con histresis, comparador de
ventana, circuito de muestreo y retencin (Sample & Hold), amplificador
logartmico, amplificador antilogartmico, multiplicador, modulador, demodulador,
rectificador de precisin, elevador al cuadrado, extractor de raz cuadrada,
generadordefunciones,etc.

4.6. CONFIGURACIONES BASICAS DE UN OPAMP COMO AMPLIFICADOR


REALIMENTADO
LagranutilidadquepresentaunOPAMPesjustamenteelactuarrealimentado,de
estemodo,eligiendoconvenientementelaredderealimentacionespuedeobtener
las mltiples aplicaciones de un OPAMP, tales como: Amplificador, integrador,
diferenciador, logaritmador, etc. Las configuraciones bsicas son dos: La del
amplificadorinversoryladelnoinversor.

En ambos casos: Se analiza primeramente considerando al OPAMP lo ms ideal


posible(queenlaprcticaesfcilmentesatisfecho.)y,posteriormenteseharel
anlisisconsiderandoelcarcterrealdeOPAMP.

AMPLIFICADORCONINVERSINCONSIDERANDOALOPAMPIDEAL
En la figura 4.4 se muestra la configuracin bsica. La seal se introduce por la
entrada inversora, es decir, la salida estar desfasada 180 de la entrada. El otro
terminal va a tierra a travs de la resistencia R, cuya misin es mantener
balanceada las dos entradas para DC; es decir, las dos entradas deben `` ver la
mismaresistenciaenDC.ElporqudemantenerbalanceadasenDClasentradasse
debe a que el OPAMP posee un amplificador diferencial de entrada y debe
mantenerseunflujodecorrientedeentrada(enlosBJTeslacorrientedebaseyen
los FET o MOSFET son corrientes de fuga). Por tanto, siendo estas corrientes de
entradacasiiguales,sedebedaruncaminoenDCatierraparareduciralmnimoel
OFFSETdecorriente,elcualgeneraunatensinDCenlasalidadiferentedecero.
ElectrnicaAnalgicaII
253
+VCC
-VCC
Zr
+
Vi
-
Zf
-
+
Ao(w)
1
2
4
3
5
R

Figura4.4

Al no considerar esta condicin, el voltaje OFFSET ( voltaje de error ), existente


entre las entradas se traducir en un cierto nivel en la salida ( ya que el OPAMP
respondedesdeDC)pudiendollegarhastalasaturacin.

Suponiendo que la impedancia de entrada del amplificador es muy grande, su


impedanciadesalidamuypequea,empleandoelteoremadesustitucinllegamos
alsiguientemodelo:


+VCC
-VCC
+
Vo
-
+
Vi
-
Zr
-
+
Ao(w)
1
2
4
3
5
R
+
Vi
-
Zr
Zf
Zf

Figura4.5

Aplicandolosmtodosvistosenanlisisdeamplificadoresconrealimentacin:

ElectrnicaAnalgicaII

254
CLCULODELAGANANCIADELAZOABIERTO:Av

(1)Av=Vo/ViV=0

(2)Ao(w)(V
b
V
a
)=V
0

(3)SilaimpedanciadeentradadelOPAMPesgrande:
r f
f
i a
Z Z
Z
V V
+
= y V
b
=0
(nohaysealenb)
(4)
r f
f
o v
Z Z
Z
w A A
+
= ) ( (4.1)

-
+
R
Zr
+
Vo
-
V-
V+
A(w)
Zf
+
Vi
-

Figura4.6

CLCULODELAGANANCIADEBUCLE:T
ParahallarlagananciadebuclehacemosVi=0ycambiamoselnombrealafuente
derealimentacinVoporVoytendremoselmodelosiguiente:

T=Vo/VVi=0
(5)V
0
=A
0(
w)(VaV
b
)
(6)TeniendoencuentalagranZ
i
delOPAMP

Va=V[Zr/(Zr+Zf) y V
b
=0 (nohaysealenb)

(7)Entonces:T=Vo/V=Ao(w)Zr/(Zr+Zf) (4.2)
ElectrnicaAnalgicaII
255

+
Vi
-
-
+
Zr
R
Zr
+
Vo
-
+
Vo
-
V-
V+
Zf
A(w)
Zf

Figura4.7

CLCULODELAGANANCIACONREALIMENTACIN

r f
f
Z Z
Z
Z Z
Z
L
V
f v
Z A Z
Z w A
A
A
A
A
A
f r
r
r f
f
) 1 (
) (
1 1
0
0
0
0
+ +

=
+

=
+
+


r f
f
f v
Z w A Z
xZ w A
A
) ) ( 1 (
) (
0
0
+ +

= (4.3)

Siademslagananciadelamplificadoresgrande:/(1+A
o
(w))Z
.........
>>Z
f

Entonces:
r
f
f v
Z
Z
A

= (4.4)

Paraquitarlarealimentacinhacemos0lafuenteVoenlaentradayconservamos
losefectosdecarga.

Sabemosque:
Vo=A(w)(VaVb) ....................................................................(4.5)
Adems:
Vb=Vi(Zf/(Zr+Zf))
Va=0(porquenohaysealaplicadaalaentradanoinversora)

Ganancia del amplificador Inversor



Considerando Z
i
= infinito
Z
o
= 0
Ganancia del amplificador Inversor

Considerando Z
i
= infinito
Z
o
= 0
A
o
= infinito
ElectrnicaAnalgicaII

256
Tenemos:
Av(w)=A(w)Zf/(Zf+Zr) .............................................(4.6)

Luego:
T(w)=Vo/Vo
Vi=0

Adems:
Vb=Vo(Zr/(Zr+Zf))
Va=0(porquenohaysealaplicadaalaentradanoinversora)
Tenemos:
T(w)=A(w)Zr/(Zf+Zr) ......................................................... (4.7)

Finalmente,
Avf=Av(w)/(1T(w)) ......................................................... (4.8)

Reemplazandoyefectuando:
Avf=A(w)Zf/[Zf+(1+A(w))Zr] . (4.9)

Sisecumple:
(1+A(w))Zr>>ZfyA(w)>>1 ............................................. (4.10)

Entonces:
Avf=Zf/Zr............................................................................ (4.11)
queeslagananciadelamplificadorinversorconOPAMPideal

DISCUSINDELAEXPRESINOBTENIDA:
La expresin anterior nos indica que la ganancia de tensin con realimentacin
puede hacerse independiente de los parmetros del OPAMP y de las desventajas
que ello conlleva, tal como dependencia de la frecuencia, temperatura, etc. En
cambio, ahora bastar con elegir las impedancias externas, Zr y Zf, tan precisas y
estables con las variaciones de las condiciones ambientales como requiera el
diseo.

Pero, para la validez de la ecuacin se han tomado varias suposiciones, las cuales
interpretaremosacontinuacin:

1.Vb=Vi(Zf/(Zr+Zf)) y Va=0

En la figura 4.6 puede verse que estas suposiciones son vlidas slo si la
impedanciadeentradadelOPAMPcumplecon:
ElectrnicaAnalgicaII
257
Zi>>Zr, Zi>>Zfy Zi>>R

Unarelacinde15vecessersuficienteparaaplicacionesdondesepuedaaceptar
unerrordel5%;encasocontrariolarelacindebersermayor.

Zr
+
Zf
Zo
r
a
A(w) (Va - Vb)
RL
-
+
vO
-
b
R
Zi

Figura4.8

2. Paraelclculodelagananciadebuclesesupuso:
Va=Vo(Zr/(Zr+Zf))y Vb=0

De la figura 4.8 se puede ver que estas relaciones slo son vlidas si se
cumplenlasmismasrelacionesqueen(1)

3. Paraobtenerlaexpresin(4.9)sehizolasuposicindeque:
(1+A(w))Zr>>Zf.(4.12)

Lo cual crea una verdadera restriccin a la ganancia que se puede obtener


directamenteeindependientementedelosparmetrosdelOPAMP.

Note que una vez elegido Zf << Zi , de acuerdo a la ganancia sin


realimentacin del OPAMP (A(w)), la ecuacin (4.8) restringe el mximo
valor se puede escoger para Zr y, como la ganancia del amplificador
dependedeZfyZr,lagananciatambinestarrestringidaaunmximoque
pueda tomar. Esta restriccin ser ms crtica cuando aumente la
frecuencia ya que A(w) disminuye. En la prctica estas restricciones se
conjugan para obtener generalmente amplificadores de banda ancha pero
conpocagananciaodegrangananciaybandarelativamenteestrecha.

ElectrnicaAnalgicaII

258
4. UnaobservacinesqueelfabricanteespecificaundeterminadoOPAMPen
cuanto a impedancias en un rango entre el cual vara. Es conveniente
considerar el peor de los casos para la verificacin de las restricciones
anteriormente descritas, considerando la mnima impedancia de entrada
delOPAMP.

5. Otra observacin es que en nuestros clculos nos hemos considerado la


impedancia de salida del OPAMP, pero en verdad que sta es la menos
restrictiva ya que muy fcilmente un operacional en el peor de los casos
tiene unaimpedancia de salida( Z
o
) de 100 ohms,conlocualbasta elegir
una carga ( dada por una carga externa o por la carga que impone la
impedancia de realimentacin Z
f
) mayor que 1 kohm para hacer
insignificanteesteefecto.

ANLISISCONSIDERANDOALOPAMPREALPARAAMPLIFICADORCONINVERSOR

Figura4.9
+
a
-
R
+
O
-
Zf
R
L
Zr
Vo
+
-
b
Vi
Zi +
Zo
[ ]
b a
V V w A ) (
0

ElectrnicaAnalgicaII
259
Elcircuitoquedaelsiguientemodo:

Figura4.10

Porcorrientedemallas

V
i
=(Z
r
+Z
i
+R)I
1
(Z
i
+R)I
2
(4.13)

A
o
(V
b
V
a
)(Z
i
+R)I
1
+

(R+Z
i
+Z
f
+Z
o
)I
1
=0

Pero:V
b
V
a=
Z
i
(I
2
I
1
) (4.14)

Entonces:
0=(A
0
Z
i
+Z
i
R)I
1
+(A
0
Z
i
+R+Z
i
+Z
f
+Z
o
)

I
2
(4.15)

Porelmtododedeterminantes,de(4.13)y(4.15)

) (
) (
) (
0
1
0 0 0
0 0
R Z R Z Z
Z Z Z R Z A R Z Z A
R Z V
Z Z Z R Z A
i i r
f i i i i
i i
f i i
I
+ + +
+ + + + +
+
+ + +
=

) ( ) ( ) ( ) (
) (
0 0 0
0 0
1
R Z R Z Z A Z Z Z R Z A R Z Z
Z Z Z R Z A V
I
i i i f i i i r
f i i i
+ + + + + + + + +
+ + + +
= (4.16)

-
+
Zi
b
Vi
+
-
Zout
R
Zf Zr
Zo
a
Zin
O
[ ]
a b
V V w A ) (
0
1
I
Z
I
ElectrnicaAnalgicaII

260
) (
0 0 1
Z Z Z R Z A
V
I
f i i
i
+ + + +

= (4.17)

) ( ) ( ) ( ) (
0 0 0
R Z R Z Z A Z Z Z R Z A R Z Z
i i i f i i i f
+ + + + + + + + + =

) (
0 0 ( 2
0
R Z Z A
V
I
i i
i
V R Z Z
R Z Z A
i i r
i i
+ +

= =
+ +
+ + (4.18)

GANANCIADETENSIN(A
vf
)DELAMPLIFICADORCONINVERSIN

)) ( ( ) ( ) (
0 0 0 0 1 2 0 0 2 0
Z Z
V
Z A R Z Z A Z
V
I I Z A Z I V
f
i
i i i
i
i
+

+ + +

= + =

)) ( ) ( (
1
0 0 0 0 0
Z Z Z A R Z Z A Z V V
f i i i i
+ + +

Entonces:

+ + +
=
) ( ) ( ) ( (
0 0 0 0
0
Z Z Z w A R Z Z A Z
V
V
f i i i
i

r i i f r O f i
f i i
i
Z Z W A R Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z w A R Z Z
V
V
+ + + + + + +
+
=
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
0 0
0 0
0
(4.19)

r i i f r O f i
f i i
i
f v
Z Z W A R Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z w A R Z Z
V
V
A
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
0 0
0 0
0
+ + + + + + +
+
= = (4.20)

Simplificaciones:

1. Lascondicionesmsusualesacumplirseenlaprcticason:

i
Z >>>R (a)
i
Z >>>
0
Z (b)

f
Z >>>
0
Z (c)
i
Z >>>
r
Z (d)

Aplicando(a),(b)y(c)ensucesivamentetenemos(4.21)

ElectrnicaAnalgicaII
261
Con(a):

r i i f r O f i
f i i
f v
Z Z w A Z Z Z Z Z Z Z
Z Z w A Z Z
A
) ( ) ( ) (
) ( ) (
0 0
0 0
+ + + + +

=

r i f
i
r
O f
f
f v
Z w A Z Z Z
Z
Z
Z Z
Z A Z
A
) ( ) (
0 0
0 0
+ + + + +

=
Ademscon(b)y(c):

r i f
i
r
f
f
r i f
i
r
f
f
f v
Z A Z Z
Z
Z
Z
Z w A
Z w A Z Z
Z
Z
Z
Z w A
A
0
0
0
0
) ( ) (
) ( ) (
) ( ) (
+ + +

=
+ + +

=
Siadems(c):
r f
f
f v
Z w A Z
Z w A
A
) ) ( 1 (
) ( ) (
0
0
+ +

= (4.21)

2. Siadems(1+
f r
Z Z w A >>> ) ) (
0
(oseaA
o
(w)grande)
Entonces:
r
f
f v
Z
Z
A = (4.22)

Estaltimaecuacinfueobtenidaconsiderandoelamplificadorcomoideal
(verecuacin4.4).

IMPEDANCIADEENTRADA(Zin)PARAELAMPLIFICADORCONINVERSIN
Delafigura(VI7) Zin=
1
I
V
i

Ydelaecuacin(VI14)

i f i
f i
r in
Z w A Z Z Z R
Z Z R Z
Z Z
) ( ) (
) ( ) (
0 0
0
+ + + +
+ +
+ = (4.23)

Simplificaciones

1. Loqueesmsfcildecumplirsees:
Z
i
>>Z
o
; Z
f
>>Z
o
; Z
i
>>>R

ElectrnicaAnalgicaII

262
ConlascualesZinseconvierteen:
f i
f i
r in
Z Z w A
Z Z
Z Z
+ +
+ =
) 1 ) ( (
.
0

2. PerogeneralmenteZ
i>
Z
f;
conmayorrazn(A
o
+1)Z
i
>>

Z
f

Entoncestendremos:

) 1 ) ( (
0
+
+ =
w A
Z
Z Z
f
r in
(4.24)

3. Si(A
0
(w)tiendeainfinito)(tierravirtualdelnodoa)

Entonces: Z
in=
Z
r
(4.25)

Esta ltima ecuacin es la ecuacin clsica para la impedancia de


entradadeunOPAMPcuandounarealimentacininversoraesusada.Est
ecuacin implica la existencia de uan condicin conocida como TIERRA
VIRTUAL en el modo a, es decir, este modo est a un potencial de tierra
ancuandonohayconexinelctricaentreestepuntoytierra.

El concepto de tierra virtual viene del hecho de que si la ganancia A


0
(w)
tiende a infinito, entonces la corriente de entrada en el terminal negativo
ser nulo ya que la tensin de entrada V
b
es cero ( A
0
(w) infinito )
mientrasquelaimpedanciadelterminalnegativo(Z
i
=Z
r
)noescero.De
esta forma, se logra una forma simple de anlisis de amplificadores
operacionalesINVERSORES.

Figura(411)

b
Rr
OVo
Zf
If
+
+
-
Zr
a
Ii
Vi
-
Ao(w)
ElectrnicaAnalgicaII
263
a. Comoelnodoaestatierravirtual,entonces:

f
f
r
i
i
Z
V
I
Z
V
I
0
= =

b. Como la corriente que circula por el terminal negativo del OPAMP es


nula,entonces:

f r
i
f i
Z
V
Z
V
luego I I
0
= =
Dedonde:

r
f
f v
i
Z
Z
A
V
V
= =
0
(4.26)
(VI16)eslaformaclsicayaanteriormenteusandootromtodo

IMPEDANCIADESALIDADELAMPLIFICADORCONINVERSOR(Zout)
En la figura (4.12b) se muestra el Thevenin equivalente hacia la salida del
amplificador.Deestecircuito esevidente quesi RLescero,entoncesla corriente
de cortocircuito que fluir estar determinada solo por la impedancia de salida
Zout.

Esdecir:
0
0
= =
L
out
out
R
I
V
Z (4.27)

DondeVoyafuedeterminado(verecuacin4.11)

LacorrientedesalidaconR
L
igualaceropuedehallarseconlafigura(4.12c)enla
cual se ha reemplazado R
L
por un cortocircuito, por tanto para esa condicin no
existirrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII

264

FIGURA(412a) FIGURA(412b)

FIGURA(412c)

CLCULODEIout/R
L
=0

R li li Z R Z Z
R Z Z
V V
a b a
r i f
i f
i a
+
=

+ +
+
=

;
) ( //
) ( //

i
i
i
i f
i f r
i
i
a b a
V
R Z
Z
x
R Z Z
R Z Z Z
R Z
Z
V V V .
) (
) (
1
1
+
+
+ +
+
=
+
=

) ( ) (
. .
R Z Z Z R Z Z
Z Z V
V V
i f r i f
i f i
b a
+ + + +
= (4.28)

Pero:

0
0
) ( ) (
0
Z
V V w A
R I
a b
L out

= =

Entonces:

) ( ) ( (
. . . ) (
0
0
0
R Z Z R Z Z Z Z
V Z Z w A
R I
i f i f r
i i f
L out
+ + + +
= = (4.29)
Iou
[ ]
a b
V V w Ao ) (
+
-
Vo
-
a
+
Zo
R
+
L
R
Zr
b
+
Vi
Zf
Iout
O Zi
-
+
L
Zout
O
- R
Vo=Avf
THEVENI
+
R
Vi
Zr
a
b
Zi
O
-
ElectrnicaAnalgicaII
265

De(VI21)y(VI11);tenemos:

)) ( ) ( (
) (
) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
0
0
0 0 0
0 0
R Z Z R Z Z Z Z
Z Z w A
Z Z A R Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z w A R Z Z
Z
i f i f r
f i
r i i f r f i
f i i
out
+ + + +

+ + + + + + +
+
=

[ ]
[ ]
r i i f r f i f i
f i r i f f i i
out
Z Z A R Z Z Z Z Z Z R Z Z Z w A
Z R Z Z R Z Z Z Z Z w A R Z Z
Z
0 0 0 0
0 0 0
) ( ) )( ( ) ) ( (
) ( ) ( ) )( ( ) (
+ + + + + + +
+ + + + + +
=
(4.30)

Simplificando:

1. Si el trmino que contenga a A


o
(w) es dominante ( A
o
(w) grande),
entonces:

r i
i f i f r
out
Z Z w A
R Z Z R Z Z Z Z
Z
) (
) ( ) ( (
0
0
+ + + +
= (4.31)

2. Para hallar la forma clsica de la impedancia de salida del amplificador


con inversin, suponemos que Z
i
prevalece sobre las dems resistencias,
entonces:

) (
0
0
w A
Z
Z Z
x Z Z
r
f r
out
+
=
) (
1
0
0
w A
Z
Z
x Z Z
r
f
out
+
= (4.32)

(4.2) AMPLIFICADORSINDISTORSIN

(4.2A) SUPONIENDO OPAMP DE IMPEDANCIA DE ENTRADA ALTA Y DE SALIDA


BAJA

ElectrnicaAnalgicaII

266

Figura(413a) Figura(413b)

Hallaremos la ganancia del amplificador, aplicando los mtodos utilizados en


amplificadorescnrealimentacin,tomandoTheveninenaybreemplazamos
Z
f
enlaentradaysalidarespectivamente,comoseveenlafigura.

Clculodelagananciasinrealimentacin(A
v
)

1. 0
0
0
= = e
e
e
A
i
v

2. PordefinicindelagananciadelOPAMP:
) ( ) (
0
w A e e e
a b
=

3. ConelsupuestodequelaimpedanciadeentradadelOPAMPesalta

0 = =
a i b
e y e e
i a b
e e e = (nohaysealena)

4. 0
0
0
= = e
e
e
A
i
v
(4.33)

i
O
0
b +
Zr
a
+
e
-
R
Zf
-
O
+
b
-
-
Ao(w)
e
-
0
-
0
Zr
+
-
-
Zr
O
f
+
e
+
Z e
i
b
R
e
Ao(w) Z
a
f
ElectrnicaAnalgicaII
267

Figura(414)

ClculodelagananciadeBucle(A
L
)

5. 0
0
0
= =
i L
e
e
e
A

6. ComolaimpedanciadeentradadelOPAMPesalta
0
0
=
+
=
b
r f
r
a
e y
Z Z
Z
e e

Figura(415)

0 0
) ( ) ( ) )( ( e
Z Z
Z
w A e e w A e
r f
r
b a
+
=

) ( ) ( w A
Z Z
Z
A
f r
r
L
+
= (4.34)

-
0
Zr
+
i
e
+
e
a
- -
+
O
R
e
b
Zf
Ao(w)
0
e -
O
+
e
Ao(w)
a
b
-
o
-
+
Zr
Zf
ElectrnicaAnalgicaII

268

GananciaconRealimentacin(Af),de(4.26)y(4.27)

[ ]
[ ]
r f
f r
f r
r
L
v
f
Z w A Z
w A
Z Z
Z Z
Z
w A
w A
A
A
A
1 ) (
) (
) ( 1
) (
1 + +
+ =
+
+
=

=
[ ]
[ ]
r f
f r
f
Z w A Z
Z Z w A
A
1 ) (
) (
+ +
+
=

(4.35) Ganancia de tensin para configuracin no inversora, con impedancia de


entradadel01altaydesalidabaja.

Como se observa de la relacin anterior, la ganancia no depende de R. En la


prctica esta resistencia se coloca solo para balancearlas entradas, para DC, es
decir, que las entradas vean la misma resistencia. Un mal balance har que la
entrada tenga mayor tensin DC que la otra lo que se traducir en cierto nivel de
salida(yaqueelOPAMP)respondedesdeDCloquepuedellegarasaturaralOP
AMP;esloquesellamaoffsetexterno.

SiademssuponemosqueA(w)esmuygrande(A(w) )(generalmentepara
frecuenciasbajaslaexpresindeA
f
seconvierteen:


+
= ) (w A
Z
Z Z
A
r
f r
f v
(4.35)Gananciadetensinno
inversoraconZ
i
alta,Z
o
bajayA(w)
grande.

Discusinsobrelarelacin(4.28)
Paralavalidezdelaecuacin(4.28)sehatomadovariassuposiciones:

1. Para el clculo de la ganancia sin realimentacin, ecuacin (4.26 ), se


suponequee
i
=e
b
.EstoesvlidosiemprequeR<<<Z
i
condicin(1).
Z
i
impedanciadeentradadelOPAMP(setomaZ
i
min.)

Unarelacinde15esmsquesuficienteparaaplicacionesdondesequiere
unerrornomayorde6%.
ElectrnicaAnalgicaII
269
2. EnelclculodelagananciadeBucleA
1
,sesupuso
f r
r
a
Z Z
Z
e e
+
=
0
locual
es vlido cuando Z
r
// Z
f
<<<< Z
i
condicin ( 2 ) donde tambin esta
condicindebeverificarseaZ
i
min.

Ahora, debido a que la ganancia del amplificador depende


directamente de ( Z
r
+ Z
f
)/Z
r
es conveniente que este sea lo mayor
posible, para conjugar la condicin ( 2 ) con la mayor ganancia posible se
puedeZ
f
<<<Z
i
yZ
f
tangrandecomogananciasedesee.

3. Alfindeobtener(4.28)apartirde(4.27)sesupusoZr(1+Z(w))>>>Z
f
,lacual
es la que verdaderamente impone restriccin a Z
f
y por lo tanto a la
gananciadadapor(4.28).

NtesequeunavezelegidoZ
r
<<<Z
i
,elvalordeZ
f
estrestringido(tieneun
mximovalorparaelcualesaproximadamentevlida(4.28)yporlotanto
lagananciatambinloest.

EstarestriccinesmayorconformeA(w)disminuye,oseacuandoaumenta
lafrecuencia.

(VI2B)ANLISISCONSIDERANDOALOPAMPPARAELAMPLIFICADORSIN
INVERSIN

Figura(416)

Zo
R
Zf
-
+
Zi
Vi
Va
L
+
i
Zr
Vb
Vo
-
-
o O +
o
R
) (
0 a b
A
ElectrnicaAnalgicaII

270
A diferencia de OPAMP con inversin, un amplificador operacional sin inversin
con realimentacin, requiere de una entrada diferencial debido a que si se desea
una realimentacin negativa, sta debe introducirse en la entrada negativa
(terminala)ylasealenelterminalb.

En cambio en el OPAMP con inversin la seal y la realimentacin puede


introducirse por el mismo terminal y la otra entrada no necesariamente se
requiere.

Elcircuitoanteriorpuedeponersedelsiguientemodo:

Figura(416)

Porcorrientedemallas:

2 1
) ( I Z I Z Z R V
r f i i
+ + = (4.37)

) )( ( ) (
0 2 0 1 a b f r r
V V w A I Z Z Z I Z O + + + + = (4.38)

Pero:
1
I Z V V
i a b
= (4.39)

Entonces:

) ) ( ) ) ( (
2 0 0 1 1
I Z Z Z Z w A Z I O
f r r
+ + + = (4.40)

Entonces:

Vi
-
Zo
a
V
Zf
+
-
Zi b
Vo
V
R
Zr
O
+
) (
0 a b
A

I1
I2
ElectrnicaAnalgicaII
271

+ +
= =
+ +
+ +

+ +
) (
0
) (
) ( ) (
) (
0
1
0 0
0
Z Z Z V
I
f r i
Z Z Z R
Z Z Z Z A Z
Z
Z Z Z
V
i r i
f r r i
r
f r
i
(4.41)

Donde:

) ) ( ( ) ( ) (
0 0 r i r f r r i
Z w A Z Z Z Z Z Z Z R + + + + + =
) ( ) ( ) ( ) (
0 0 0
w A Z Z Z Z Z Z Z Z Z R
i r f r f r i
+ + + + + + =
) ) ( (
0 2 r i
i
Z Z w A
V
I +

= (4.42)

GananciadeTensindelamplificadorsininversin

Delafigura(4.14)

V
o
=I
2
Z
0
+A
o
(w)Z
i
I
1

Yconlasrelaciones(VI33)(VI34)

+ +
=

+ + +
= =
) ( ) ( ) )( ( ) ) ( (
0 0 0 0 0 0
0
f r i r f r i i r
i
v
Z Z Z w A Z Z Z Z Z w A Z Z w A Z Z
V
V
A
(4.43)

Reemplazando

,obtendremos(4.30):

|
r i f r r f i
f r i r
f v
Z Z w A Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z Z w A Z Z
A
) ( ) ( ) )( (
) ( ) (
0 0 0
0 0
+ + + + + +
+ +
=

Simplificaciones:

1. LomscomnenlaprcticaesqueZ
i
,Z
f
>>Z
o,
conlocual:
r i f r r f i
f r i
f v
Z Z w A Z Z Z Z R Z
Z Z Z w A
A
) ( ) )( (
) ( ) (
0
0
+ + + +
+
= (4.44)

ElectrnicaAnalgicaII

272
2. SiademsZ
i
>>Rentonces:

r
f
i
r
r r f
f r
f v
Z
Z
Z
Z w A Z Z
Z Z w A
A
+ + +
+
=
) ( ) (
) )( (
0
0
(4.45)

3. SiZ
i
>>Z
r
entonces
r r f
f r
f v
Z w A Z Z
Z Z w A
A
) ( ) (
) )( (
0
0
+ +
+
= (4.46)

4. Si la ganancia A
o
(w) es tan grande que A
o
(w) Z
r
>> ( Z
f
+ Z
r
) tenemos la
clsicagananciadelAOidealnoinversor

r
f r
f v
Z
Z Z
A = (4.47)
Ganancianoinversora(OPAMP
IDEAL).

Eslamismagananciahalladoen(4.35)porotromtodo.

Impedanciadeentrada(Z
in
)delamplificador,sininversin

1
I
V
Z
i
in
= (4.48)

Dondelarelacin(4.1)
) ( / /
0 1
Z Z Z I V
f r i
+ + =

Reemplanzando

ysimplificando:

0
0 0 0
1
) ( ) ( ) ( ) ( ) (
Z Z Z
w A Z Z Z Z Z Z Z Z Z R
I
V
f r
i r f r f r i
i
+ +
+ + + + + +
=

0
0 0
) ) ( (
Z Z Z
Z w A Z Z Z
Z R Z
f r
i f r
i in
+ +
+ +
+ + = (4.49)

ElectrnicaAnalgicaII
273
Simplificaciones

1. CuandoalterminalZiesdominantesobretodaslasdemsyZoespequea

1
) (
0
+
+ + =
r
f
i
i in
Z
Z
Z w A
Z R Z (4.50)
2. AdemssilagananciaA
o
(w)esgrande
r f
i
in
Z Z
Z w A
Z
/ 1
) (
0
+
= (4.51)
el cual es la impedancia de entrada clsica para el amplificador sin
inversin,considerandoalOPAMPideal

IMPEDANCIADESALIDA(Z
out
)DELAMPLIFICADORSININVERSIN
DelmismomodoqueenelcasodehallarlaZ
out
inversora,tenemos:

0 /
/
0
0
=

=
L
L
out
R I
R V
Z (4.52)

DondeV
o
estdadoenlaecuacin(4.44)
ClculodeI
o
/R
1
=0

Para ste clculo empleamos el siguiente circuito ( similarmente como en


elcasodelamplificadorconinversin)

Figura(417)

( ) ( )
o
i o
o
a b o
o
Z
I Z w A
Z
w A
I
1
) ( ) (
=

Zf
-
Vo
b
+
a
V
Zr
Zi
O
V R
Zo
-
+
O
[ ]
a b
w A ) (
0
ElectrnicaAnalgicaII

274
Pero:
r f i
i
Z Z Z R
V
I
//
1
+ +
=

Entonces

) ( ) )( (
) (
) ( 0 /
0
0 0
f r f r i
f r
i
i L
Z Z Z Z Z R
Z Z
x
Z
Z
w A V R I
+ + +
+
= = (4.53)

Portantode(VI35)y(VI46)en(VI45)tenemos:

f r f r i
f r
i
r i f r r f i
f r i r
out
Z Z Z Z Z R
Z Z
x
Z
Z w A
Z Z w A Z Z Z Z Z Z x R Z
Z Z Z w A Z Z
Z
+ + +
+
+ + + + + +
+ +
=
) )( (
) (
) (
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) (
0
0
0 0 0
0 0

[ ] [ ]
[ ]
r i f r f r i f r i
f r f r i f r i r
out
Z Z A Z Z Z Z Z Z Z R Z Z Z w A
Z Z Z Z Z R Z Z Z w A Z Z Z
Z
0 0 0 0
0 0 0
) ( ) )( ( ) ( ) (
) )( ( ) ( ) (
+ + + + + + +
+ + + + +
=
(4.54)

O
O
Etapa de
Entrada
1
C
Compensacin
Driver
Fuente de
Polarizacin
+V
-V
O

ElectrnicaAnalgicaII
275

Simplificacin

1. SieltrminoquecontieneA
o
(w)esdominantesobrelosdems

[ ]
r i
f r i f r
out
Z Z w A
Z Z Z R Z Z Z
Z
) (
) )( (
0
0
+ + +
= (4.55)

2. SiademsZiessuficientementegrande

r
f r
out
Z w A
Z Z Z
Z
) (
) (
0
0
+
=

) (
/ 1
0
0
w A
Z Z
Z Z
r f
out
+
= (4.56)

ANLISISDELAMPLIFICADOROPERACIONALA714

DescripcinGeneral

El A 714 es un amplificador operacional nomoltico cuyas principales


caractersticasson:

Tienencompensacindefrecuenciainterna.
Tieneproteccincontracortocircuitosenlasalida..

DiagramaEsquemtico

Q3
R11
Q13
O
Q2
(50 )
Q14
R12
Q15
(50K)
Q18
R4
(75K)
O
Q1
(5K)
(45K)
-V
Q17
+V
Q16
R2
Q20
Q19
(1K)
(50 )
Q1
Q11
(1K)
O
O
R1
No
inverting
Q6
R5
Q9
Q5
(39K)
Q8
(25 )
Q7
Q12
O
O
Q4
Q10
O

ElectrnicaAnalgicaII

276
DiagramadeBloques

PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO

EtapadeEntrada
La etapa de entrada consta de un par diferencial trabajando como seguidores
emisivos(Q1yQ2)loscualesexcitanadostransistores(Q3yQ4).

LasalidadiferencialestomadaenelcolectordeQ4yva excitaraldriver.
Q5, Q6 y Q7 forman un espejo de corriente a fin de lograr que la corriente de
colector de Q3 y Q4 sean iguales, y la de Q1 igual a la de Q2 a fin de lograr un
funcionamientosimtrico.

La impedancia de salida de esta etapa es elevada ( salida por colector de Q4 ), lo


cualpermiteunpuntoidealparalarealimentacinnegativa(medianteC1)afinde
lograrunacompensacindefrecuenciadeloperacional.

DIVER
Consta de un amplificador CUASI DARLINGTON compuesto por Q16 y Q17 cuya
corrientedepolarizacinessuministradaporQ13.

La salida del driver tomada en colector de Q17 excita a la etapa de salida


compuestaporQ14yQ20.

O
O
Etapa de
Entrada
1
C
Compensacin
Driver
Fuente de
Polarizacin
+V
-V
O
ElectrnicaAnalgicaII
277
ETAPADESALIDA
Constadedosseguidoresemisivos(Q14yQ20)quetrabajaenparalelo,excitados
porlamismafuente(salidadeQ17).LasalidaenemisoresdeQ14yQ20permite
unabajaimpedanciadesalida(R
o
75 ).

CIRCUITOSDEPOLARIZAICNYDESPLAZAMIENTODENIVEL
Los circuitos de polarizacin y desplazamiento de nivel juegan un papel de suma
importanciaenlosamplificadoresoperacionalesporlossiguientesmotivos:

ElniveldeDCenlaentradayenlasalidadebeestaraOVcuandosetrabajen
confuentesdealimentacinsimtricas(VyV).
La polarizacin de las tres etapas del OPAMP debe ser bien estabilizadas a fin
de evitar desplazamientos de nivel de causa de perturbaciones tales como la
temperatura,ligerasdiferenciasentrelasfuentesVyV,resistenciasdecarga,
resistenciasinternasdelasfuentesdesealesyotros,esporestoquesesuele
encontrar OPAMPS son mayor cantidad de transistores ( aunque muchos de
ellos trabajan como diodos ) en el circuito de polarizacin que en las etapas
amplificadorasmismas.

La corriente de polarizacin ( DIAS ) principal del OPAMP est suministrada por la


corriente de circula a travs de Q12 y Q11, los cuales estn trabajando como
diodos.

De esa corriente, mediante espejos de corriente se refleja hacia la entrad


(mediante Q10, Q9 y Q8 ) para polarizar a la etapa de entrada, y hacia la salida
(medianteQ13)parapolarizaraldriveryalaetapadesalida.

Comoseveenelcircuito,latensinenelcolectordeQ17debeestarcasianivelde
tierra ( en realidad a 0.7v por debajo de l ) ya que se requiere que el nivel de la
salidaestaOV,estoquieredecirquelaentradadeldriverdebeestaraunnivelel
mspordebajodeOVafindequelostransistoresQ16yQ17estnpolarizadosen
suzonaactiva.

Lo anterior requiere que el nivel de salida del amplificador de entrada debe


suministrarelnivelrequeridoporeldriver,estoesrealizadoporQ4elcualbajael
nivel que tiene el emisor de Q2 ( que es aproximadamente 0.7V ya que las
entradas van a estar a OV ) hasta un nivel negativo adecuado para polarizar el
driver.

ElectrnicaAnalgicaII

278

CIRCUITOSDEPROTECCIN
Q15 y Q19 cumplen la misin de proteger a los transistores de salida y al driver
respectivamente contra las excesivas corrientes que puedan pasar por ellas. Esta
excesiva corriente puede ser debida a varias causas, entre ellas la variacin de las
tensionesdealimentacin,cortocircuitoalasalida,etc.

EncondicionesnormalesQ15yQ19estencortelacadadetensinenR9(25 )
yR11(50)soninsuficientes para hacerlosconducir, perocuandolascorrientes
que circulan por R9 y R11 aumentan por sobre determinado lmite, estos
transistores comienzan a conducir e inhiben ( llevan al corte ) a sus respectivas
etapas mediante sustraccin de la corriente de base de Q14 y Q16
respectivamente.

MISINDEQ18
Como se vio anteriormente en circuitos que trabajan con seales relativamente
grandes,erannecesarioscircuitosdepolarizacinquecompensaranlavariacinde
V
BE
delostransistoresinvolucradoscontralasvariacionesdelatemperaturaQ14y
Q20. La ventaja es que se usa un solo transistor en lugar de los tres transistores
(trabajandocomodiodos)queserequierenparapolarizarlauninbaseemisorde
Q14yQ20.

El funcionamiento es el siguiente: un aumento de temperatura trae consigo una


tendenciaaaumentarlacorrientedeQ14yQ20,ytambindeQ18,alaumentarla
corrientedeQ18disminuyelacorrienteprolasresistenciaR7yR8(yaquelasuma
deambascorrientesesproporcionadaprolafuentedecorrienteconstanteQ15).

Esto trae consigo una reduccin de la tensin de colectoremisor de Q18 y por


consiguiente la reduccin de la tensin baseemisor de q14 y Q19, disminuyendo
porlo9tantolacorrientedeQ14yQ20,deesemododelograunacompensacin,
mejorada por el hecho que estando Q18, Q14 y Q20 en un mismo sustrato,
cualquiervariacindetemperaturaafectaalostresenunmismogrado.

CAPACITORDECOMPENSACINC1
Para mejorar la respuesta en alta frecuencia del OPAMP y evitar la inestabilidad y
consecuente tendencia a oscilaciones en el circuito se coloca un capacitor de
realimentacin negativa generalmente en la etapa de mayor ganancia ( en este
casoeldriver).

ElectrnicaAnalgicaII
279
OFFSETNUBI
Estos terminales de acceso externo se utilizan, si es necesario para balacear las
corrientes de la etapa de entrada ( por ejemplo colocando un potencimetro
variableen paraleloconR2(oR11 )selogra ajustarlascorrientes de Q4 y Q2( o
Q3yQ1).

Este balance es importante ya que cualquier diferencia de corrientes de


polarizacin en la etapa de entrada ser amplificada por el OPAMP debido a que
sterespondedesdeDCypuedellevaralasaturacinalaetapadesalida.

Anlisisencontinua
A fin de lograr mejor compresin, lo haremos numricamente sea por ejemplo:
+V=15vyV=15v.Lasfuentesdealimentacindelamplificadoroperacional.

1. Corriente de BIAS principal, esta dado por la corriente que pasa por Q12 y
Q11.

1). Q11yQ12comoDiodos A
k
v
I
BIAS
733
39
7 . 0 7 . 0 30
=

=

2). Q10 y Q11 forman un espejo de corriente proporcional, en la cual I


c10

dependedeI
c11
Engenerallostransistoresbipolaressecumple:

T BE
V V
ES c
I I
/ +
=

C11
Q12
BIAS
Q10
R4(5K)
I
+15
I
C10
Q13
I
-15
Q11
R5 (39K )

ElectrnicaAnalgicaII

280

=
10
10
733
5
26
c
n c
I
A
L
k
mv
I

=
10
10
733
2 . 5
c
n
c
I
A
L
A
I


Dedonde

=
Es
c
n T BE
I
I
L V V

( ) 1 =
=
comn base en circuito corto en corriente de Ganancia
saturaci de emisor de corriente I
ES

Entonces:

11
10
10
4
BE
C
BE
V
I
R V = +

(2.1)

SiQ10=Q11
10 ES
I =
11 ES
I =
ES
I

Esdecir:

= +

Es
c
n T
c
Es
c
n T
I
I
L V R
I
I
I
L V

11
4
10 10
;dedondeobtenemos:

=
10
11
4
10
c
c
n T c
I
I
L V
R
I

(2.2)

Enestaltimarelacintenemoscomodato
: = = K R A I
C
5 ; 733
4 11

2
1 =


(
2.4)

De ( 2.3 ) hay que despejar I


c10
; lo cual se puede hacer mediante aproximaciones
porunmtodogrficotalcomosigue:
?? ; ) 25 ( 26
10
= =
C T
I C para v V
ElectrnicaAnalgicaII
281

Conesteprocedimientoseencontr: A I
C
20
10

3. EnlaetapadeentradaporformarQ8yQ9unespejodecorriente,
entonces:
o C C
I I I = =
9 8

A
I
c
2 . 5
10
( )
10
733
C
n
I
A
L

solucin
A 20
10 C
I
Q5
I
(50K)
Q3
o
+15V
o
R2=1K
-15V
Q7
Q8
I
R1=
I
Q9
Q1
Q6
R3
Q2
Q4
1K
C10
Q1
O O

ElectrnicaAnalgicaII

282
4 3 0 10 B B C
I I I I + + = (3.1)

Adems:
4 4
3 3
) 1 (
) 1 (
B E
B E
I I
I I

+ =
+ =

) )( 1 (
4 3 4 3
B B E E
I I I I + + = +

) )( 1 (
4 3 4 3
B B E E
I I I I + + = +

con(3.1)= ] )[ 1 (
10 o C
I I + (3.2)

0 2 1
] [
4 3
I I I I I
E E C C
= = + (3.3)

Luegocon(3.2)
) 1 ( 1
) 1 (
) )( 1 (
10
10



+ +
+
= + =
C
o o C o
I
I I I I

Si:

+
+
=
1
1
1
1
10
0
C
I
I (3.4)

Si:
10 0 C
I I >> A I 20
0
=

Transistores:Q1yQ2: A
I
I I
o
C C
10
2
2 1
= = =

Transistores:Q3yQ4: A I I I I
C C C C
10
2 1 4 3
= = = =

Transistores:Q5yQ6: A I I I
C CQ CQ
10
3 6 5
= = =

Transistores:Q7

LacadadetensinenR1yR2ser: mv A k V
R
10 ) 10 )( 1 (
2
= =

A
k
mv
I
R
2 . 14
50
10 7 . 0
3
=

+
=

ElectrnicaAnalgicaII
283
ComolascorrientesdebasedeQ5yQ6sonmuchomenorE
s
queI
R3
entonces:

A I
C
2 . 14
7
=

4. ETAPADESALIDAYDRIVER(CIRCUITO)

4.1 TransistorQ13comoQ12yQ13:Formanunespejodecorriente

Entonces: A I I I
BIAS C C
733
12 13
= = =

4.2 TransistoresQ16,Q17yQ18:Suponiendodespreciableslascorrientesde
basedeQ14yQ20entonces:
17 16 13 C C C
I I I = = pero
comoQ16yQ17formanunparCASIDARLINGTONentonces:

A I I I I
C C C C
733
13 17 17 16
= <<

-15V
Q13
75K
+15V
R9
50
50K
Q12
45K
Q14
Q16
R12
Q19
Q20
I
Q15
50
Q17
R11
25
BIAS
Q18
ElectrnicaAnalgicaII

284

K
K A
K
I V
I I
C BE
B C
50
) 050 (. 733 . 7 . 0
50
733
50
) 50 (
17
17 16
17
+
+ =
+
+ =

A I
c
30
16
=

4.3. TransistorQ19

mv mA I V
C R
6 . 36 ) 733 . 0 )( 50 ( ) )( 50 (
17
11
= = =
ElcualnoessuficienteparaponerenconduccinauntransistordeSiQ19
estaencorte

4.4 TransistorQ18:Enprimerainstanciasuponemos

A I I
C C
733
13 18
= =

A
K
v
I
R
33 . 9
75
7 . 0
8
= =

A I I I
B R R
24
50
733
33 . 9
18 8 7
= + = + =

A I
C
30 733 . 14 66 . 14
16
+ =
I
R8
R7
I
Q18
CE18
I
C13
I
C18
I
R7
=733 A
45K
75K
R8

ElectrnicaAnalgicaII
285
v I R I R V
R R Q CE
78 . 1
8 7 18
8
= + =

4.5. TransistoresQ14yQ20:TeniendoencuentaqueQ15estaabiertoyQ14
tenemos:

= =
= =
=
+ + + =
BE BE BE
C C C C C BE BE CE
V V V
I I I
Q Q
I I V V V
20 14
20 14 20 14 20 14 18
20 14
) 50 ( ) 25 (

C BE CE
I V V ) 75 ( 2
18
+ =

C
ES
C
T CE
I
I
I
Ln V V ) 75 ( 2
18
+ =

Dedonde:

) 26 ( 2
) ( 75
) 26 ( 2
78 . 1
2
) 75 (
2
18
mv
I
mv
v
V
I
V
V
I
I
Ln
C
T
C
T
CE
ES
C
=

{ mA en I I
I
I
Ln
C C
ES
C
: ) 44 . 1 ( 23 . 34 =

La anterior relacin puede resolverse grficamente o por tanteos conociendo el


valorI
ES
lacorrientedeemisordesaturacinI
ES
,entransistoresdeSiintegrados
esdeaproximadamente:2x10
16
A

Portanteossuponiendo
{ 20 21 ) 44 . 1 )( 10 ( 23 . 34
10 2
10
: 10
16
= =

mA
mA x
mA
Ln mA I
C

Porlotanto,conbastanteaproximadamentepodemosdecir:
mA I I
C C
20
20 14
= =

TransistorQ15:LacadadetensinenR9es:
mv mA I R V
C R
250 ) 10 )( 25 (
14
9 9
= = =

ElectrnicaAnalgicaII

286
EstatensinestambininsuficienteparahacerconduciraltransistorQ15portanto
encondicionesnormales
Q15estaencorte

CorrientedecolectordeQ14necesariaparadisparaalINHIBIDOR(Q15)

Suponiendoquelatensindebaseemisornecesariaparaqueempieceaconducir
eltransistorsea0.7v.

mA
v
I
C
28
25
7 . 0
14
=

Esta es la mxima corriente que podr circular por Q14, si una mayor corriente
pasaporQ14entoncesQ15noencenderyhardisminuirlacorrientedebasede
Q14pudindolollevaralcorte.

DEFINICIONESDELOSPARMETROSDEUNOPAMPYSUMEDICIN

QUSONLOSPARMETROSDEUNOPAMP?
AscomountransistorounFETtienenparmetrosquedefinensucomportamiento
en determinado circuito, de igual modo, un OPAMP tiene una gran variedad de
parmetrosquedefinensucomportamiento.Generalmente,cadafabricantetiene
supropiosistemadedatossobresuOPAMP;sinembargo,lashojasdedatostienen
dospuntosdbiles:

1.Nomuestrancmorelacionarlosparaunproblemadediseo
2. No describen la gran variedad de aplicaciones para las cuales puede
usarseelOPAMP.

Acontinuacindescribimoslosparmetrosmsimportantes:

1. GANANCIADELAZOABIERTO
EslagananciasinrealimentacindelOPAMP.Estdefinidacomolarelacin
del voltaje de seal de salida y el voltaje de seal entre sus terminales de
entrada. Esta ganancia se suele especificar en DC y generalmente en db.
Adems de ello, el fabricante especifica, mediante curvas, la dependencia
delagananciaconlafrecuencia.

A(jw) es una funcin de la resistencia de carga, temperatura, voltaje de


alimentacin, voltaje de modo comn, edad del OPAMP (debido a los
ElectrnicaAnalgicaII
287
cambiosdesuscomponentesconeltiempo)ydelafrecuencia,comoyase
dijo.

Circuitoparamedicindelaganancia(A):

Secumple: A=Vo/V

Pero: V=V1(Ry/(Rx+Ry))
Luego: A=(Vo/V1)((Rx+Ry)/Ry)
ParapodermedirsindificultadesV1,seeligeRx>>Ry

LafrecuenciadeVindebeestarenlaregindefrecuenciasmediasdeloperacional.
Rydebeserpequeoparaevitarcrearoffsetdecorriente.

Vcc
Variacin de la ganancia con el
voltaje de alimentacin
Variacin de la ganancia con la
frecuencia
105db
Vcc = +/- 15V
Ta = 25 C
A db
300 db
0 db
A(jw) db
30 f(Hz) 3M
110db
Ry
Ri
+
-
OUT
V-
Rf
Rx
+
V1
Vin
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaII

288
2.) VOLTAJEDEOFFSETDEENTRADA(E
os,
V
Io
)

(INPUTVOLTAJEOFFSET)
2.1 Se define como el voltaje DC que debe aplicarse en las entradas para
obtenerunvoltajedesalidadeOVDC.Sinsealdeentrada.

ParaunamplificadoridealE
os
escero
.
E
os
eslamayor

fuentedeerrorencircuitosdebajaimpedancia.

2.2.1 Representacin

2.3 E
os
estprincipalmentedeterminadaporeldesbalanceentrelasVBEenla
etapadiferencialdeentrada.

2.4 E
os
variaconlatemperatura,eltiempo,voltajedelafuentedealimentacin
y voltaje de modo comn. Menor problemacausalagradientetrmicaen
losdispositivosestadoslidoquecausandiferenciasdetemperaturaentre
las dos entradas del OPAMP. Si son dos transistores perfectamente
machados con una V
BE
/
T
= 2.4 mv/
0
C causar una E
os
de
aproximadamente

24 A si existe una diferencia trmica de 0.01


0
La luz
muestraunatpicavariacinE
os
/
AT,
sehacompensadoelOFFSETa25
0
C.

2.5 La variacin de E
os
con la temperatura es

generalmente dada en la cual


indica el grado de desbalance de la numerosas etapas de amplificador
tambinsepuededarcomounamximadesviacinsobreundeterminado
rangodetemperatura.

2.6 La variacin de E
os
con el tiempo se especfica a una temperatura cte. (
usualmente25
0
C).

+
-
OUT
Vos
ElectrnicaAnalgicaII
289

2.7 En la mayora de OPAMPS tienen terminarles externos con los cuales se


puedeajustarelFOCETAOVmedianteunpotencimetroexterno(TRIM).

CircuitodeMedicindeEos

3. CORRIENTEDEPOLARIZACINDEENTRADA(INPUTBIASCURRENT,I
BIAS
,I
i
)
YCORRIENTEOFFSETDEENTRADA(INPUTOFFSETCURRENT,I
OS
,I)

3.1 I
BIAS
eslacorrienteDCquefluyeencualquieradelosterminalescuandono
haysealdeentrada.EstacorrienteDCesnecesariayaquelostransistores
requieren corriente de base para su funcionamiento para entrada a FET y
MOSFET,estcorrienteesdebida acorrientedeescapeyes normalmente
3040vecesmenosquelacorrientedeBIASdeuntransistor.

3.2 Generalmenteseespecifican:I
BIAS
(+)+I
BIAS
()
2
CorrientesdeBIAS

I
OS
=I
BIAS
()

I
BIAS
(+)

+
=
f I
I
O OS
Z Z
Z
E E
O
Eo
-
+
Zf ZI
O
Temperatura
-1.2mv
E
os

+0.8 mv
25
O
C +70
O
C -5
O
C
ElectrnicaAnalgicaII

290

I
BIASY
I
OS
dependedelatemperatura,tiempo,V
alimentacin
yvoltajedemodo
comn.

3.3 La dependencia con la T se expresa generalmente con una misma


desviacin sobre un rango de temperatura determinada, en ( mA/
0
C ) o
mediantecurvas.

Sudependenciaconeltiemposedaaunatemperaturacte.(generalmente
a25
0
C).

3.4 CircuitosdePrueba

I
BIAS
+
=
E
0
-
E
0
R
Abierto S con E es E
I 0
1 /
0
O
-
+
O
Eo
R
I
S
R
E
I
R I E Pero
I I I
abierto S con E es E Donde
R
E E
I
OS
OS
BIAS BIAS OS
BIAS
0
0
) ( ) (
0
//
0
0
//
0 ) (
:
=
=
=

=
+

-
O
O
S
+
2
ElectrnicaAnalgicaII
291

4. IMPEDENCIADEENTRADA:DIFERENCIALZ
d
;MODOCOMNZ
cm

4.1 Z
deslaimpedancia
delazoabiertoentrelosterminalesdeentradadelOPAMPy
es especificado en la regin activa como una resistencia ( R
i
) en paralelo
conunacapacitancia(C
i
).

4.2 Z
cm
es la impedancia vista entre cualquiera de los terminales y tierra,
tambin se especifica como una resistencia en paralelo con una
capacitanciasesuponequeZ
cm
(+)yZ
cm
()sonreales.

4.3 Representacin:

4.4 Unvalortpicodelacapacitanciadeentradaes10p
F
.

4.5 Los amplificadores con entradas a FET y MOSFET generalmente tienen


impedanciasaltsimas(delrangode10
11
a10
14

)entradasconDarlinton
atransistoreslleganalgunasvecesde50ka500K.
Z
D
Z
cm

Z
cm
+

Eo
O
+
S
R
I
2
O
S
-
R
ElectrnicaAnalgicaII

292

ParaunA.0,conentradaaFET,laZ
cm
sereduceporunfactorde2porcada
10Cdeaumentodetemperatura.

4.6 Circuitodeprueba

DondeE
0
yesE
0
conS
1
ABIERTO

ParaZ
d

EstecircuitodepruebaslodebeusarseparaamplificadoresdebajoZ
d
(entradaa
transistores).

Z
d

=
( E
0
) -
R
G


E
0
- E
0

G
600
S
Eo
I
O
R
O
(10Hz)
-
+
Ein

cm G
cm cm
Z de menos al ser debe R
E E
R E
Z Z Para
10
1
:
/
0 0
0
/
0

=
ElectrnicaAnalgicaII
293
5. INPUTVOLTAJERANGE
5.1 Elmximovoltajedeentradadiferencialeselvoltajemximoabsoluto,el
cual puede aplicarse entre los terminales de entrada sin causar dao al A.
O. ( OBSOLUTE MAXIMUN DIFERENCIAL ). Esto es principalmente funcin
de los voltajes de ruptura de los transistores de entrada y de la disipacin
delajuntura.

5.2 Elmximovoltajedemodocomn(D.C),eselmximovoltajequepueda
aplicarseaambasentradassincausardaoalOPAMP.

5.3 Elvoltajeemodocomntileselmximovoltajequepuedeaplicarseentre
una entrada y tierra y que an permanezca en la regin activa de algunas
veces medida con un medidor de distorsin e incrementando el voltaje de
modo comn hasta que la distorsin armnica alcance un limite arbitrario
[1%a3%].

6. SLEWRATE(S)

Definelamximarazndcambiodelvoltajedesalidaparaunaentrada
quecambiabruscamentedeun.................aotro.
Sedageneralmenteenvol/se.
Paraamplificadoresdecircuitointegrado,estoesunafuncindirectala
compensacincapacitiva.

7. UNITYGAINBANDWIDTH(t)
Eslafrecuenciaalacuallagananciadelazoabiertoseamplificadores1(
odB),estoesparasealespequeasdebidoaqueconellasfrecuencias
no es posible detenerse grandes niveles de voltaje a la salida por la
distorsinproducidaporelSlewRate.

Paraamplificadoresconrespuestasimtricaenambasentradast
puedeobtenerseenambasconfiguraciones.

8. FRECUENCYFORFULLOUTPUT(FULLPOWERRESPONSE):
s,

p
Las caractersticas para pequea seal y gran seal de un A. O. Son
sustantivamentedistintas,engranseallarespuestaesmslentadebidoal
siewratequelimitalasalida.

ElectrnicaAnalgicaII

294
FULLLINEARRESPONSE(Q
2)
Es

lafrecuenciamximaparasalidasindistorsin(con3%a5%de
distorsin).

FULLPEAKRESPONSE
Es la frecuencia para una salida total pico pico normalmente medida con
unaondatriangular.

En estos ltimos amplificadores pueden proporcionar una mxima salida


muy por encima del full linear response ya que la forma de onda lineal no
esconsideracindeimportancia.

9. SETTLINGTIME(t
s
)[TiempodeRestablecimiento]
EseltiempoquedemoralasalidadelOPAMPentomarsuvalordeestado
estacionario [ dentro de determinado porcentaje de error ] desde la
aplicacindeunaentradaescaln.

Esta definicin ( t
s
) da el tiempo que tarda el OPAMP para dar una
respuestaprecisaalrespondersegnlarpidavariacindeentrada.

Generalmente(t
s
)seespecificaparamximasalida(RATEOUTPUT)enun
circuitodegananciaunitariayparaunabandadeerrorentre0.1%y0.01%
devalordeE
or

10. OVERLOADRECOVERY(TOL)
Eseltiemporequeridoporunamplificadorpararegresarasureginactivas
despusdehabrseleexcitadohastallevarlocompletamenteasaturacin.

( t
s
)
% ERROR
( 0.1% - 0.01% )
DE E
or

E
or

o

ElectrnicaAnalgicaII
295
Algunasvecesseleestipuladentrodeunporcentajedeerroraligualque
eneltiempoderestablecimiento.

11. CMRR:COMMONMODEREJECTIONRATIO

11.1) Un OPAMP ideal responde slamente a la diferencia de voltaje entre sus


terminales de entrada y no debe producir salida para voltaje de modo
comn.
Sinembargodebidoalasligerasdiferenciasdegananciasentrelasentradas
inversora y no inversora, las seales de entrada de modo comn no son
totalmenteexcluidasdelasalida.
Se define como la relacin del voltaje de modo comn de entrada al error
de voltaje ( voltaje diferencia producido entre las entradas debido a este
voltajedemodocomn).
Tambinalgunas vecessedefine comola relacinganancia diferencial ala
gananciaenmodocomn,expresadogeneralmenteendb.
11.2) ElCMRRseespecificageneralmentealD.C.yseespecificasudependencia
conlafrecuenciamedianteunascurvas.
El CMRR disminuye con el incremento de frecuencia se debe sealar
tambin que el CMRR es mayor cuando las impedancias de entrada de las
terminalessonlomsparecidosposibles.

SERIEDEPROBLEMAS

PROBLEMA1:Unamplificadoroperacionalconganancia:A=10000,esconectado
en la forma mostrada. El OPAMP tiene una impedancia de entrada en modo
diferencialde1M,resistiva.HalleelvoltajedesalidasiVi=1sen(wt)V.
2M
700K
+
Vs
-
1M
-
+
3
2
1
4
1
1
+Vcc
+
Vi
-
-Vcc
A

ElectrnicaAnalgicaII

296
PROBLEMA2:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halle:
a) Laexpresindelvoltajedesalida
b) LaexpresinparahallarR3

uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
L
1 2
+Vcc
R1
C
-Vcc
R2
+
Vo
-
+
Vi
-
R3

PROBLEMA 3: Se quiere obtener la siguiente forma de onda empleando


amplificadoresoperacionales.Diseeunposiblecircuitoquerealicedichafuncin.

Asumaque disponedeungeneradordeondacuadradaconfrecuencia de60Hzy


quelosoperacionalessonideales.

f = 60 Hz
T/4
T
+5V
3T/4
-5V
T/2
t
Vo

PROBLEMA4:Enelsiguientecomparadorconhistresis(schmitttrigger),hallelos
voltajesdeentradaalosqueconmutaelcircuito.
ElectrnicaAnalgicaII
297
R1 200K
R1
10K
V1
2 V
-
+
OP-11
3
2
1
4
1
1
+12Vdc
-12Vdc
+
Vi
-

PROBLEMA5:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:

20K
27K
20K
+
Vs
-
0.1uF
0.1uF 27K
-
+
3
2
1
4
1
1
+Vcc
-Vcc

PROBLEMA 6: Halle la tensin de salida en funcin de las entradas en el circuito


conOPAMPsmostrado.Quoperacinrealiza?.:
ElectrnicaAnalgicaII

298
R
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
+Vcc
R
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
-Vcc
+
V2
-
R
C
R
-Vcc
+Vcc
+
V1
-
+
Vo
-

PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelaimpedanciadeentrada:

R2
Zi
R1
C
+
Vs
-
-
+
3
2
1
4
1
1
+Vcc
+
Vi
-
-Vcc

ElectrnicaAnalgicaII
299
PROBLEMA8:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:

200K
19K
0.1uF
+
Vs
-
10K 0.1uF
-
+
3
2
1
4
1
1
+12Vdc
10K
-12Vdc
10K 10K
A
0.1uF

PROBLEMA9:ElOPAMPmostradoesrealyensusentradasrequiereunacorriente
de polarizacin Ibias = 10 nA. Cul debe ser el valor de R para que en la salida la
tensinDCseacero(nohayaoffsetdecorriente)?

R
+
Vs
-
+12Vdc
-12Vdc
A
10K
-
+
3
2
1
4
1
1
10K

ElectrnicaAnalgicaII

300
PROBLEMA10:Hallelaexpresindelagananciadetensin.ElOPAMPesideal.

+
Vs
-
+
Vi
-
+VCC
-
+A 1
2
4
3
5
R1
R3 R2
-VCC
R4

PROBLEMA11.Elcircuitomostradoactacomoderivador.Qurequisitosdeben
cumplirsuscomponentesparaquerealicelaoperacinindicada?

+VCC
U5
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
+
Vo
-
C1
C2
R2
+
Vi
-
-VCC
R3
R1

ASUMAQUEELOPAMPESIDEAL

PROBLEMA13:DiseeuncircuitoconOPAMPsquepuedaresolverlasiguiente
ecuacindiferencial:
dVs/dt+3Vs=5
Condicininicial:Ent=0.Vs=0
Vseslasealdesalida
ElectrnicaAnalgicaII
301

PROBLEMA14:Respondalassiguientespreguntas:
a) Porqusepresentaeloffsetenelamplificadoroperacional?
b) Por qu una onda sinusoidal de entrada puede volverse triangular a la
salidadeunOPAMPcuandoelevasufrecuencia?
c) Indique5aplicacioneslinealesy5aplicacionesnolinealesdelOPAMP.
d) QuventajasydesventajastieneelempleodelosdiagramasdeBodepara
elestudiodelarespuestaenfrecuenciadeunamplificador?
e) Dado un circuito amplificador, cmo determinara su respuesta en
frecuenciayanchodebanda?

PROBLEMA 15: El circuito con OPAMP mostrado es un filtro activo formado con
admitancias.Hallelafuncindetransferencia.
+
Vi
-
Y1
-
+
+
Vs
-
Y4
Y3
Y2

PROBLEMA16:EnelcircuitoconOPAMPsiguiente,demuestreque:
Vs=log
10
[((V
2
R
1
)/(V
1
R
2
)]
ElectrnicaAnalgicaII

302
R2
-
+
U2
V1
Q1
20K
20K
R1
-
+
U1
333K
+
Vs
-
333K
Q2
V2
-
+
U3
LM741

ElectrnicaAnalgicaII

303
APLICACIONESLINEALESDELAMPLIFICADOROPERACIONAL

1) AMPLIFICADORINVERSOR:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradainversora.
-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
R2
Ve
+
R1
-
I1
If
+
V-
-

Tenemos: I1=(VeV)/R1 If=(VVs)/R2


Adems: Vs=Av(V+V)

Como no hay seal aplicada a la entrada no inversora y la impedancia de entrada


deloperacionalesmuyalta: V+=0
Entonces: Vs=AvV
Dedonde: V=Vs/Av

Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av
Sededuce: V0

Ylaentradainversorasecomportaenestecasocomotierravirtual.

Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe


cumplirse:I1=If
Entonces: (Ve)/R1=(Vs)/R2
Finalmente: Avf=R2/R1

Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=Ve/I1=R1

NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):
ElectrnicaAnalgicaII

304
Avf=Z2/Z1
Zinf=Z1

2) AMPLIFICADORNOINVERSOR:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradanoinversora.

Tenemos: I1=(V)/R1 If=(VsV)/R2


Adems: Ve=V+ y Vs=Av(V+V)
Dedonde: V+V=Vs/Av

Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av
Sededuce: V+V0
Ysecumple: V+=V

Laentradadiferencialsecomportaenestecasocomocortocircuitovirtual.

Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe


cumplirse:I1=If
Entonces: (Ve)/R1=(VsVe)/R2
Finalmente: Avf=1+R2/R1

Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=R3

-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
Ve
R2
+
R1
-
I1
+
V-
-
If

NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):
Avf=1+Z2/Z1
ElectrnicaAnalgicaII

305
Zinf=Z3

3) SUMADORINVERSORDEENTRADASMULTIPLES:
Acontinuacinsemuestraunsumadorinversorcon3entradas.Losresultados
podrnampliarseamsentradas.

-
+
Av
ideal
Vs
R
V+
I1
V2
V3
Rf
I2
R2
R1
V1
R3
-
I3
+
V-
If

Delcircuitopodemosdecir: If=I1+I2+I3

Laentradainversorasecomportacomotierravirtual:
I1=V1/R1 I2=V2/R2 I3=V3/R3 If=Vs/Rf

Luego: Vs/Rf=V1/R1+V2/R2+V3/R3
Finalmente: Vs=(Rf/R1)V1(Rf/R2)V2(Rf/R3)V3

Enelcasoparticulardequesecumpla: R1=R2=R3=Rf
Obtendremos:Vs=V1V2V3

Esteresultadosepuedegeneralizarparaunmayornmerodeentradas.

Debenotarseque,alestarlaentradainversoraaunpotencialcercanoacero,las
fuentesdeentradanosecarganentres,evitandosedeestamaneraladiafona.

ElectrnicaAnalgicaII

306
4) SUMADORNOINVERSORDEENTRADASMULTIPLES:
Acontinuacinsemuestraelesquemadeuncircuitosumadorsininversin:
+
Vs
-
R1
V2
R4
R2
R3
V1
R5
Rn
V3
-
+
Vn

Estetipodeconfiguracintieneladesventajadequelasgananciasdelasdistintas
entradas no resultan independientes, lo cual es un inconveniente si alguna de las
fuentesdeentradatieneunaimpedanciainternavariableomaldefinida.

Analizaremos el efecto de cada una de ellas en la salida, aplicando superposicin.


InicialmenteconsideramossloaV
1
enelsiguienteesquema:

+
Vs1
-
R1
R4
R2
R3
V1
R5
Rn
-
+

Dedonde: Vs1=(1+R4/R5)V
1
[(R2//R3//Rn)/(R1+R2//R3//Rn)]

Esteresultadosedebeaqueenestecasonohaytierravirtual.

Enformaanloga,paralasdemstensionesdeentrada:
Vs2=(1+R4/R5)V
2
[(R1//R3//Rn)/(R2+R1//R3//Rn)]
ElectrnicaAnalgicaII

307
Vs3=(1+R4/R5)V
3
[(R1//R2//Rn)/(R3+R1//R2//Rn)]
Vsn=(1+R4/R5)V
n
[(R1//R2//R3)/(Rn+R1//R2//R3)]

Finalmente,Vs=Vs1+Vs2+Vs3+Vsn
Vs = (1 + R4/R5)[((R2//R3//Rn)/(R1 + R2//R3//Rn))V
1
+ ((R1//R3//Rn)/(R2 +
R1//R3//Rn))V
2
+ ((R1//R2//Rn)/(R3 + R1//R2//Rn))V
3
+
((R1//R2//R3)/(Rn+R1//R2//R3))V
n
]

5) SEGUIDORDETENSIN:
Esteesuncasoespecialdelamplifficadornoinversor,enelcualserealimentatoda
lasealdesalida.Seleutilizacomoseparadoroadaptadordeimpedancia

Sienelamplificadornoinversorhacemos: R1 y R20

Obtenemos: Vs=Ve

Ademslaimpedancia deentrada queseofrece alaseal Vees muyelevada yla


impedanciadesalidaseaproximaacero.

-
+
Av
ideal
Vs
V+
Ve
-
+
V-

6) INTEGRADORSIMPLE:
Enelsiguientecircuito:
+
Vi
-
+
Vs
-
Z2
-
+
Z1

ElectrnicaAnalgicaII

308
Vs=(Z2/Z1)Vi
SiZ1=R1 y Z2=1/sC
Obtenemos: Vs=(1/RC)Vi/s
Eneldominiodeltiempo: Vs(t)=(1/RC)Vidt

7) DISEODEUNINTEGRADORINVERSOR:
Diseeelsiguientecircuitointegradorparaf=1KHz,Vo=2Vpico,cuandoViesuna
ondacuadradade4voltiospico.

4V
t
R1
R3
+
Vo
-
+12V
-4V
-12V
0
U6
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
C
R2
+
Vi
-

Lafuncindetransferenciaeneldominiodelafrecuenciaes:
H(s)=(R2/R1)/(1+R2Cs)

Paraqueactecomointegradordebecumplirse: R2Cs>>1 ..........(1)

Bajoestacondicin,H(s)sesimplificaa:
H(s)=1/(R1Cs)
Luego: sVo(s)=(1/R1C)Vi(s)

Eneldominiodeltiempo:dVo(t)/dt=(1/R1C)Vi(t)
Integrando: Vo t
dVo=(1/R1C)Vi(t)dt
Vo(0) 0
Efectuando:
Vo(t)=(Vi/R1C)t+Vo(0)

En el estado estacionario, las ondas de entrada y salida deben ser como se


muestranacontinuacin:
ElectrnicaAnalgicaII

309
f = 1 KHz
+ 2V
+4V
Vo
- 2V
0 t
- 4V
Vi

Para:0t0.5ms Vi=4voltiosyVo(0)=2voltios

Entonces: Vo(t)=(4/R1C)t+2
Ent=0.5ms: Vo(0.5ms)=2voltios

Paraellodebecumplirse:R1C=0.5ms ..................(2)

ElegimosunvalorcomercialparaC: C=0.1uF

Conlaecuacin(2)calculamosR1: R1=5K

Alavezdebecumplirselacondicin(1),tambinenelestadoestacionario:R2Cw
>>1
w=2(1KHz)

Luego: R2>>1.6K
R2debeser,porlomenos,16K

ElegimosR2=33K
Parareducireloffsetdecorrientedebecumplirse:R3=R1//R2=4.3K
Podemos observar que si la seal de entrada tuviera un nivel de continua, por
ejemplo, de 1 voltio, este nivel aparecer amplificado en la salida a: (1)(33/5) =
6.6 V y la salida triangular variar alrededor de este voltaje (desplazada en 6.6
voltios)

ElectrnicaAnalgicaII

310
8) INTEGRADORDOBLE:
Estecircuitointegradosvecesconunsoloamplificador:

+
Vi
-
+
Vs
-
C2
C1
-
+
C2
R3
R1 R2

AplicandolatransformadadeLaplacehallamoslacorrientequecirculaporR2:
I
R2
=Vi/(R
1
+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)

EstacorrientetambincirculaporC2,conloqueelvoltajeenR3sepuedehallar:
V
R3
=I
R2
/(sC
2
)=Vi/((R1+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)C
2
s)

AcontinuacinpodemoshallarVs:
Vs=V
R3
(I
R2
V
R3
/R
3
)(1/(sC
2
))

Reemplazandotrminos:
Vs=Vi/((R1+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)C
2
s)[Vi/(R1+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)+(Vi/R
3
)((R1+R
2
+
R
1
R
2
C
1
s)C
2
2
s
2
)

Simplificando:
( )
2 2
2 3 1 2
1
2
1
2 3
1
2 1
s C R s C R
R
R
R
s C R V
V
i
s

+ +
+
=

Sihacemosquesecumpla: R
1
>>R
2
y R
2
C
1
=2R
3
C
2

Laexpresinsepuedeaproximara:
2 2
2 3 1
s C R R
V
V
i
s
=

ElectrnicaAnalgicaII

311
9) SUSTRACTORBASADOENELMODOCOMUN(Ver.1):
Elesquemasemuestraacontinuacin:

+
Vs
-
R3
V2
V1
R1
R2
-
+

Empleandosuperposicinyaplicandolasfrmulasparaelamplificadorinversory
noinversorobtenemos:

2
1
2
1
1
2
1 V
R
R
V
R
R
V
s

+ =

Comopodemosobservar,conningnvalordeR
1
yR
2
podemosobtenerunasalida
proporcionalaladiferencia:(V
1
V
2
)

10) SUSTRACTORBASADOENELMODOCOMUN(Ver.2):
Conlasiguienteconfiguracinpodemosobtenerunasalidaproporcionala(V
1

V
2
):
+
Vs
-
R1
V2
V1
R1
R2
R2
-
+

Latensinenlaentradanoinversoraes: V
+
=V
1
(R
2
/(R
1
+R
2
))
ElectrnicaAnalgicaII

312
Empleandosuperposicinyaplicandolasfrmulasparaelamplificadorinversory
noinversorobtenemos:

Vs=(1+R
2
/R
1
)V
1
(R
2
/(R
1
+R
2
))(R
2
/R
1
)V
2

Simplificando:
Vs=(R
2
/R
1
)(V
1
V
2
)

11) SUSTRACTORSINEMPLEARMODOCOMUN:
Cuando las seales tienen frecuencias comparables a la de corte del amplificador
operacional,elfactorderechazoalmodocomndisminuye.Esteproblemapuede
evitarseconelsiguientecircuito:

V2
V1
+
Vs
-
R3
+
Vs1
-
R1
R2
R4
R5
-
+
-
+

Vs1=(R
4
/R
3
)V
2
Vs=(R
2
/R
1
)Vs1(R
2
/R
5
)V
1
=(R
2
R
4
/R
1
R
3
)V
2
(R
2
/R
5
)V
1
Sihacemosquesecumpla: R
4
=R
3
y R
1
=R
5

Vs=(R
2
/R
1
)(V
2
V
1
)

12) AMPLIFICADORDEINSTRUMENTACION:
Este tipo de amplificador presenta alta impedancia de entrada, alto rechazo al
modocomnypuedetenergananciaelevadayajustable,porloqueesmuyusado.
Elesquemaeselsiguiente:
ElectrnicaAnalgicaII

313
V2
-
+
+
Vs
-
R3
+
Vs1
-
R4
R1
+
Vs2
-
V1
R4
R1
R2
-
+
R3
-
+

Latensindesalidasepuedehallarconlaecuacindelcircuito10:
( )
1 2
3
4
S S S
V V
R
R
V

LacorrientequecirculaporR
2
es:
2
2 1
2
R
V V
I
R

=

Luego:

+ = + =
2
1
2
2
1
1 1 1 2 1
1
R
R
V
R
R
V V R I V
R S

+ = =
2
1
1
2
1
2 1 2 2 2
1
R
R
V
R
R
V R I V V
R S

Reemplazando:
( )
1 2
2
1
3
4
2
1 V V
R
R
R
R
V
S

Observamos que disminuyendo R2 podemos elevar la ganancia en forma


apreciable.

ElectrnicaAnalgicaII

314
13) CONVERTIDORESDEIMPEDANCIANEGATIVA:
Sellamaconvertridordeimpedancianegativaaldispositivoquecambiaelsignode
suimpedanciadecargapudiendo,asmismo,modificarsumdulo.

Kn ZL Zin

Donde: Knesnegativo

14) CONVERTIDORDEIMPEDANCIANEGATIVAENTENSIN(Versin1):
Elesquemacorrespondientesemuestraacontinuacin:

R1
Ii
+
Vi
-
+
Vs
-
R2
-
+
ZL

Sabemosque: V
+
=V

=Vi
Luego: Vs=Vi+(R2/R1)Vi
Entonces: Ii=(ViVs)/Z
L
=Vi(11R2/R1)/Z
L
Finalmente:
Zi=Vi/Ii=(R1/R2)Z
L

ElectrnicaAnalgicaII

315
15) CONVERTIDORDEIMPEDANCIANEGATIVAENTENSION(Ver.2):
Elesquemacorrespondientesemuestraacontinuacin:
+
Vi
-
ZL
+
Vs
-
R1
-
+
Ii
R2

Sabemosque: V

=V
+
=Vi
Adems: V
+
=Vi=Vs(Z
L
/(R2+Z
L
))
Dedonde: Vs=Vi(1+R2/Z
L
)
Delcircuito: Vs=ViIiR1
ReemplazandoVs: Vi(1+R2/Z
L
)=ViIiR1

Finalmente:
Zi=Vi/Ii=(R1/R2)Z
L

16) CONVERTIDORDEIMPEDANCIANEGATIVAENCORRIENTE:
Elsiguienteesunesquemadeconvertidordeimpedancianegativaencorriente
mselaborado:
+
Vs2
-
ZL
I1
+
Vi
-
+
Vs1
-
I2
-
+
R
-
+
R R2
+
VL
-
R
Ii
R1
R

Enelesquemaobservamos: Ii=I1+I2
Adems: Vs1=(R/R)Vi=Vi
Tambin: I2=Vi/R e I1=(ViVs2)/R1

ElectrnicaAnalgicaII

316
Lacorrientequerecibeelamplificadordesalidaes: I=Vs1/R
Igualmentesecumple:I=V
L
/R osea: V
L
=IR
Tambin: Vs2=(IV
L
/Z
L
)R2+V
L
=(Vi/R+V
L
/Z
L
)R2+V
L
ReemplazandoV
L
: Vs2=(Vi/RIR/Z
L
)R2IR
ReemplazandoI: Vs2=(Vi/RVs1/Z
L
)R2Vs1
ReemplazandoVs1: Vs2=(Vi/R+Vi/Z
L
)R2+Vi
Acontinuacin: Ii=[Vi((Vi/R+Vi/Z
L
)R2+Vi)]/R1+Vi/R
Finalmente: 1/Zi=1/R(R2/R1)(1/R+1/Z
L
)

17) AMPLIFICADORACOPLADOPARAAC:
EnalgunasaplicacionessenecesitaunamplificadorparaAC,dondelaDCdebeser
bloqueada. Esto puede lograrse con un condensador de acoplo, como se muestra
enelsiguienteesquema:
-
+
R2
+
Vi
-
C
+
Vs
-
R1

Lasalidaesdadapor:
Vs=Vi(R
2
Cs)/(1+R
1
Cs)
Setieneunpoloen: s=1/(R
1
C)

Si trabajamos a una frecuencia mucho mayor que la del polo, la funcin de


transferenciasereducea:
Vs=(R
2
/R
1
)Vi

ElectrnicaAnalgicaII

317
18) FUENTEDEALIMENTACINDE12V5ACONREGULADORLM723

R1
2K2
R2
1K
Q2
2N3055
Rsc
0.856
SW
35V
T
SALIDA
+ 12 v
R5
1K
Q1
2N2222
C2
1uF
R4
430
F
7.5A
R3
1K5
R6
220
U1
LM723
10
7
1
2
1
1
6
5
13
4
3
2
VOUT
V-
V
+
V
C
VREF
IN+
COMP
IN-
ISENSE
ILIM
220Vac
15Vac
C3
1nF
P1
10K
C1
3300uF
-
+
B1
10A/200V

SeemplearelpotencimetroP
1
de10Kparapoderajustarlatensinocambiarla
aotrovalorqueserequiera.

El condensador de compensacin C3 tiene el valor de 1nF, siguiendo los ejemplos


recomendadosporelfabricante.

LosresultadostericossoncalculadosmedianteelprogramaCircuitMaker2000
La tensin del secundario del transformador ser de 15 Vac. Con este voltaje, a la
salida del filtro C
1
obtendremos una tensin continua de 15.29V 5 A. El rizado
picopicomximoesde7.5V.

R1yR2determinanlagananciadelamplificadoroperacionalinternodelLM723.
R3 , R4 y Rsc determinan la proteccin tipo foldback, mediante la cual, ante un
cortocircuitoenlasalidalacorrientesereduceaunnivelquenoseapeligrosopara
eltransistordepotencia,permitiendoquesudisipacinnoseaexcesiva.

El voltajeaproximadodesalidase puedecalcular conlaecuacin del amplificador


operacionalnoinversor: Vsalida=V
+
(1+R
1
/R
2
)

V
+
es el voltaje aplicado en la entrada no inversora del operacional (pin 5),
medianteelpotencimetroP
1
.

Latensindereferenciaqueproduceelintegradoesdeaproximadamente7.15Vy
laentregaporsupin6.EstevoltajeseempleaparaajustarlaentradaV
+
.

Podemoselegirvalorescomercialescontoleranciade5%paraR1yR2,teniendoen
cuentaquenodebensermuychicosparaevitarunconsumodecorrienteexcesivo.
ElectrnicaAnalgicaII

318
Tampoco deben ser muy grandes para que ello no nos impida usar las ecuaciones
delamplificadoroperacionalideal.

De las recomendaciones tcnicas que da el fabricante, podemos ver que las


resistencias no sobrepasan los 78K. Por ello elegiremos valores comerciales que
estndebajodeese.

Paraobtener12Venlasalidapodemosemplear: R
1
=2.2K y R
2
=
1K

ConestosvalorestendremosqueajustarV
+
3.75V.
Lacorrientemximaqueentregaelcircuitosedeterminaconlasiguienteecuacin:
Imx=Vo(R
3
/R
4
Rsc)+Vs(R
3
+R
4
)/R
4
Rsc

Ennuestrocasoqueremosquelacorrientemximasea5A.
Voeselvoltajedesalida.Ennuestrocasoes12V.

Vs es el voltaje de deteccin del limitador de corriente del integrado. Segn los


datosdelfabricantees0.67V,aproximadamente,atemperaturaambiente.

Si se hace un corto circuito en la salida, debe actuar la proteccin foldback y la


corrientedeberdisminuiraunvalorseguro.Haremosquelacorrientedisminuyaa
laquintapartedesuvalormximo:Isc=5A/5=1A

LaecuacinquedeterminaIsceslasiguiente: Isc=Vs(R
3
+R
4
)/RscR
4
Con estas ecuaciones podemos hallar las relaciones que deben cumplir los
componentes:

(R
3
+R
4
)/RscR
4
=1/0.67=1.49 y
0.417=(R
3
/R
4
Rsc)+0.056(R
3
+R
4
)/RscR
4
=(R
3
/R
4
Rsc)+0.056(1.49)

Dedonde: (R
3
/RscR
4
)=0.4170.056(1.49)=0.334
Adems: (R
3
+R
4
)/RscR
4
=1.49
Luego: (R
3
+R
4
)/RscR
4
=0.746/0.375=1.99
Finalmente, R
4
/RscR
4
=1.156=1/Rsc Rsc=0.865

Estevalorderesistenciarequiereconstruirlaconalambredenichromdebidoaque
la potencia que debe disipar es alto [Psc = (0.865) 5
2
= 21.65W] y la cada de
tensin que requiere, tambin [Vsc = 5(0.865) = 4.325V]. Ello obligar a
recalcularla,utilizandounaIscmsalta,paraobtenerunvalormenor.

ElectrnicaAnalgicaII

319
Acontinuacin: R
3
/R
4
=0.29
Paracumplirconestarelacin,elegiremoselvalorcomercial: R
4
=1.5K

Luego: R
3
=430
El siguiente paso es determinar las caractersticas del transistor de potencia
necesario:

Si elegimos un transistor con ganancia tpica de 50, el integrado deber entregar


unacorrientemximade5A/50=100mA.ElLM723puedeentregarhasta150mA,
sin embargo, para que trabaje slo regulando el voltaje y no caliente demasiado,
podemos utilizar un transistor buffer barato para que suministre dicha corriente,
talcomoel2N2222,haciendounarregloDarlingtonconeltransistordepotencia.

Latensinpromediodeentradaes15.29V5Aylatensindesalidaes12V.En
estecaso,eltransistordepotenciadeberdisipar: P=(15.2912)5=16.4W

Duranteuncortocircuito,todoelvoltajelosoportarentransistordepotenciaysu
consumoser: P=(15.29)(1)=15.29W

Si hacemos que la temperatura del transistor no sobrepase los 60C, debemos


elegiruntransistorquedisipemsde16.4Wadichatemperatura.Parahacerms
seguro el diseo, podemos emplear un transistor de potencia con mejores
caractersticasyqueseabarato.Esterequisitolocumpleel2N3055.

Al arreglo Darlington le agregaremos resistencias de drenaje para mejorar su


estabilidadtrmica.

El siguiente paso ser verificar el circuito en el laboratorio y hacer los ajustes que
pudierarequerir.

ElectrnicaAnalgicaII

320
19) DESFASADOR:
Emplearemos un desfasador con amplificador operacional como el mostrado a
continuacin.El desfasajelo ajustaremosconla resistenciaR3,adems de ajustar
elnivelalvalordeseadoconlaresistenciaR2.
-
+
R2
+
Vi
-
R3
R1
+
Vs
-
C1


Lafuncindetransferenciadelcircuitoeslasiguiente:
H(s)=R2/R1+[R3/(R3+1/sC1)][1+R1/R2]

Parasimplificar,podemosponerlasiguientecondicin:
R1=R2=R3

Entonces: H(s)=[1+R3C1s]/[1+R3C1s]
Enelestadoestacionario: s=jw

Ylamagnitudes: H(jw)=1
Lafasees: F(jw)=1802arctan(wR3C1)

Vemos que la magnitud es constante, pero la fase puede variarse cambiando el


valordeR.EstoseconsiguevariandolaresistenciaR3.

20) FILTROACTIVOPASABAJO:
Los filtros activos se caracterizan por tener la posibilidad de tener una ganancia
mayorquelaunidad,ademsdeseleccionarelrangodefrecuencias.

El amplificador operacional permite explotar ms fcilmente estas caractersticas,


ademsdeconseguirseuntamaoreducidodelfiltro.Conl,unmtododediseo
consiste en emplear simultneamente realimentacin negativa y positiva,
manteniendouncomportamientolineal.
ElectrnicaAnalgicaII

321
C
V
V+
R
-
+ 3
2
6
R2
Vi
+
Vo
-
C
R1
R

LatensindesalidalapodemoshallarenfuncindeV
+
empleandolaecuacinde
gananciadelamplificadornoinversor:

Vo=(1+R
2
/R
1
)V
+
=AV
+

A=(1+R
2
/R
1
)

continuacinhallamosVenfuncindeViyVo

EnelnudoV
+
:
(V
+
Vi)/R+sC(V
+
V)=0
Deaqu: V=[(1+RCs)/(ARCs)]VoVi/(RCs)

EnelnudoV:
(VV
+
)Cs+VCs+(VVo)/R=0
Deaqu: V(2RCs+1)=(RCs)V
+
+Vo

ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
A(1+2RCs)
H(s)=
R
2
C
2
s
2
+(3A)RCs+1

El denominador de la funcin de transferencia corresponde a la ecuacin


diferencialeneldominiodeltiempoypodemosidentificarlafrecuencianaturalyel
factordeatenuacin:
Frecuencianatural:
o
=1/RC
Factordeatenuacin: =(3A)/2RC

ElectrnicaAnalgicaII

322
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2

Si queremos una respuesta sub amortiguada con poco sobreimpulso, podemos


elegirunarelacindeamortiguacincercanaa0.7,requeriremosdeunaganancia
A=1.6

PROBLEMA:DiseeelsiguientecircuitocomofiltroButterworthparaobteneruna
frecuenciadecortede100Hz.

Dato:Lospolosnormalizadosson:p1,2=+/j=0.707+/j0.707
V
+
-
C2
R
+
-
R +
VL
-
C1
Vs

Hallamoslafuncindetransferenciadelfiltroapartirdelasecuaciones:
V
+
=V
L

(VsV)/R=(VV
+
)/R+(VV
L
)sC
1

(VV
+
)/R=V
+
sC
2

Luego: 1
H(s)=
(R
2
C
1
C
2
)[s
2
+(2/RC
1
)s+(1/R
2
C
1
C
2
)]

SiP
1
yP2sonlospolos,podemosexpresar:

1 1
H(s)==
(R
2
C
1
C
2
)(s+P
1
)(s+P
2
)(R
2
C
1
C
2
)(s
2
+(P
1
+P
2
)s+P
1
P
2
)

ElectrnicaAnalgicaII

323
Comparando:
P
1
+P
2
=2/RC
1

P
1
P
2
=1/R
2
C
1
C
2

Elfiltronormalizadosecalculaconunafrecuenciaangulardecortede1rad/sy
gananciaigual1.

Larelacindefrecuenciasdecortees:K=2(100)/1=628

Entonces:
(P
1
+P
2
)/K=2=2/KRC
1

(P
1
P
2
)/K
2
=
2
+
2
=1/K
2
R
2
C
1
C
2

Comop1,2=+/j=0.707+/j0.707

Luego:
2(0.707)=2/KRC
1
=1.414 RC
1
=2252us
(0.707)
2
+(0.707)
2
=1=1/K
2
R
2
C
1
C
2
R
2
C
1
C
2
=2.54us

Acontinuacinobtenemos. RC
2
=1126us
Finalmente: C
1
/C
2
=2
Elegimos: C
2
=0.1uF
Seobtiene: C
1
=0.2uF y R=11.26K

Acontinuacinsemuestraelcircuitofinal:
U1
IDEAL
1kHz
V1
-1/1V
C2
0.1uF
C1
0.2uF
R2
11.26k
R1
11.26k

Enelsiguientegrficoseobservalarespuestaenfrecuencia:
ElectrnicaAnalgicaII

324
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
0.200 V
0.000 V
A: c1_2

Podemosobservarquelafrecuenciadecorteesten100Hz.

21) FILTROACTIVOPASABANDA:
Este tipo de filtro deja pasar un rango de frecuencias alrededor de una frecuencia
central.
V
C
V+
R
-
+ 3
2
6
R2
Vi
+
Vo
-
C
R1
R

LatensindesalidalapodemoshallarenfuncindeV
+
empleandolaecuacinde
gananciadelamplificadornoinversor:

Vo=(1+R
2
/R
1
)V
+
=AV
+

A=1+R
2
/R
1

AcontinuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
(V
+
Vi)/R+sC(V
+
V)=0

ElectrnicaAnalgicaII

325
Deaqu: V=(1/A)[(1+RCs)/(RCs)]VoVi/(RCs)

EnelnudoV:
(VV
+
)Cs+(VVi)Cs+(VVo)/R=0
Deaqu: V(2RCs+1)=Vo[(RCs)/A+1]+Vi(RCs)

ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:

Vo A[R
2
C
2
s
2
+2RCs+1]
H(s)==
Vi R
2
C
2
s
2
+(3A)RCs+1

El denominador de la funcin de transferencia define la ecuacin diferencial en el


dominiodeltiempoypodemosidentificarlossiguientesparmetros:

frecuencianatural:
o
=1/RC
factordeatenuacin : =(3A)/2RC
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2

Lafrecuencianaturaldefinelafrecuenciacentraldesintonadelfiltro

Podemoshacermsselectivoalfiltroaumentandosufactordecalidad.Seconsigue
ellocuandoajustamoslagananciadelamplificadoraunvalorcercanoa3.

Elanchodebanda(enradianes/segundo)a3dbsepuedehallarconlarelacin:
BW=2=(3A)/RC

22) SEGUIDORDEVOLTAJEPARAAC:
ElseguidordevoltajeACesusadoparaproveeraltaimpedanciadeentrada,sobre
todo cuando se usa una fuente de seal con alta impedancia de salida y se desea
acoplaraunacargadebajaimpedancia,quepuedesercapacitiva.

Asumimos que C
1
y C
2
poseen reactancias pequeas a todas las frecuencias de
operacin.LasresistenciasR1yR2sonusadasparaproveeracoplamientoRCyun
caminoparalacorrientedebiasenlaentradanoinversora.
ElectrnicaAnalgicaII

326
R1
100K
+
Vs
-
R2
100K
-
+
U3 C1
10 nF
+
Vi
-
C2
2 uF

23) REGULADORLM317:
Esunreguladorvariablecontensindesalidapositiva.
Sudiagramasimplificadoesmostradoacontinuacin:

IN
ADJ
+
+
REFERENCIA
DE VOLTAJE
Vout
R1
+
-
RLIM.
CIRCUITO DE
PROTECCIN
-
-
OUT
P1
VCC

ElectrnicaAnalgicaII

327
SERIEDEPROBLEMAS

PROBLEMA1:Unamplificadoroperacionalconganancia:A=10000,esconectado
en la forma mostrada. El OPAMP tiene una impedancia de entrada en modo
diferencialde1M,resistiva.HalleelvoltajedesalidasiVi=1sen(wt)V.

+
-
700K
+
VL
-
+
Vi
-
2M
A
1M

PROBLEMA2:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halle:
a) Laexpresindelvoltajedesalida
b) LaexpresinparahallarR
3

+
-
L
R3
C
+
VL
-
+
Vi
-
R2
R1

ElectrnicaAnalgicaII

328
PROBLEMA3:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:
0.1uF
+
-
0.1uF
27K
27K
+
VL
-
20K
20K

PROBLEMA 4: Halle la tensin de salida en funcin de las entradas en el circuito


conOPAMPsmostrado.Quoperacinrealiza?.:
+
-
+
-
R
C
+
VL
-
+
V1
-
R
+
V2
-
R
R

PROBLEMA5:Enelcircuitomostrado,hallelaimpedanciadeentrada:
C
+
-
R1
+
VL
-
R2
+
Vi
-
Zi

ElectrnicaAnalgicaII

329
PROBLEMA6:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:
10K
0.1uF
10K
0.1uF 0.1uF
+
-
10K
+
VL
-
200K 10K

PROBLEMA7:DiseeuncircuitoconOPAMPsquepuedaresolverlasiguiente
ecuacindiferencial:
dVs/dt+3Vs=5
Condicininicial:Ent=0.Vs=0
Vseslasealdesalida

PROBLEMA8:ElOPAMPmostradoesrealyensusentradasrequiereunacorriente
de polarizacin Ibias = 10 nA. Cul debe ser el valor de R para que en la salida la
tensinDCseacero(nohayaoffsetdecorriente)?

+
-
10K
+
Vs
-
R
10K

PROBLEMA9:Hallelaexpresindelagananciadetensin.ElOPAMPesideal.
ElectrnicaAnalgicaII

330
+
Vs
-
+
Vi
-
+VCC
-
+A 1
2
4
3
5
R1
R3 R2
-VCC
R4

PROBLEMA10.Elcircuitomostradoactacomoderivador.Qurequisitosdeben
cumplirsuscomponentesparaquerealicelaoperacinindicada?Asumaqueelop
ampesideal
+
-
C2
R1
+
Vs
-
C1
R3
+
Vi
-
R2

PROBLEMA11:Respondalassiguientespreguntas:
a) Porqusepresentaeloffsetenelamplificadoroperacional?
b) Porquunaondasinusoidaldeentradapuedevolversetriangularalasalida
deunOPAMPcuandoelevasufrecuencia?
c) Indique5aplicacioneslinealesy5aplicacionesnolinealesdelOPAMP.
d) QuventajasydesventajastieneelempleodelosdiagramasdeBodeparael
estudiodelarespuestaenfrecuenciadeunamplificador?
e) Dadouncircuitoamplificador,cmodeterminarasurespuestaenfrecuencia
yanchodebanda?
ElectrnicaAnalgicaII

331

PROBLEMA 12: El circuito con OPAMP mostrado es un filtro activo formado con
admitancias.Hallelafuncindetransferencia.
+
Vi
-
Y1
-
+
+
Vs
-
Y4
Y3
Y2

ElectrnicaAnalgicosII


332
APLICACIONESNOLINEALESDELAMPLIFICADOROPERACIONAL

1) COMPARADORDELAZOABIERTO:
EsteCircuitopuedeserusadoparadetectarlapolaridaddelvoltajedeentrada,del
pasoporcero,convertirunaondadeentradaencuadradaopulsante,comoparte
delconvertidoranalgicodigital(CADoDAC),modulacindeanchodepulsos,etc.

+
-
3
2
6
7
4
VCC
+
Vr
-
Vin
- VCC
+
Vs
-


EnestecasoVINeslasealdeentradayVreslasealdereferencia.

En el siguiente grfico se observa su uso como modulador de ancho de pulso. La


seal de referencia es una onda diente de sierra y la de entrada una onda cuyo
nivelcambiaconeltiempo.

V in
t
V r
V s
t

2) COMPARADORCONHISTERESISOSCHMITTTRIGGER:
En el comparador anterior, apenas hay una diferencia e n la entrada, aparece la
salidarespectiva.Enelcomparadorconhistresislasalidasepresentasiempreque
ladiferenciaestfueradeunrango.
ElectrnicaAnalgicosII


333
+
-
3
2
6
7
4
R1
R2
VCC
- VCC
+
Vs
-
Vin

La tensin de referencia se toma de la salida y tambin puede incluirse una


referenciaexterna.

Obsrvesequeelcircuitoemplearealimentacinpositiva.

Cuandolasalidaestennivelalto(VH),elvoltajeenlaentradanoinversora
es:

+
=
+
2 1
1
R R
R
V V
H

Ylasalidaconmutaralnivelbajo(VL)cuandodecumpla:

2 1
1
R R
R
V V
H IN

Cuandolasalidaestennivelbajo(VL),elvoltajeenlaentradanoinversora
es:

+
=
+
2 1
1
R R
R
V V
L

Ylasalidaconmutaralnivelalto(VH)cuandodecumpla:

2 1
1
R R
R
V V
L IN

Como los niveles de referencia son diferentes, habr un rango en el cual la salida
nocambia.

ElectrnicaAnalgicosII


334
Problema:Enelcomparadordeventanamostrado,halle:
a)R
1
paraqueV
L
cambiea+12VcuandoVibaja1V
b)YqueV
L
cambiea12VcuandoVisube4.5V.
Dato:R
2
=26K
R1
+
VL
-
R2
+
Vi
-
+ 12V
3V
+
-
11
10
13
3
1
2
- 12V


a) Paraqueconmute+12V,esnecesarioquelasalidaesten12V
Enestecaso,latensinV
+
es:

+
=
+
K R
R
V
26
12 3
1
1

Cuando Vi llega a 1V, entonces el amplificador conmutar a +12V. En ese


instante,V
+
debersertambin1V.

Entonces:

+
= =
+
K R
R
V
26
12 3 1
1
1

DespejandoR
1
: = = K
K
R 2 . 5
5
26
1
R
1
=5.2K

b) Verificandocuandolasalidaesten+12V:
Enestecasosetiene:

+
+ = =
+
K R
R
V
26
9 3 5 . 4
1
1

DespejandoR
1
: = = K
K
R 2 . 5
5
26
1

Se comprueba que: R
1
= 5.2K es la nico valor que cumple con estos
requisitos.

3) RECTIFICADORDEMEDIAONDADEPRECISION:
Cuando se requiere rectificar seales pequeas, que no podra realizarse con un
rectificadorconvencional,podemosusaralopamp.

ElectrnicaAnalgicosII


335
Elesquemasiguientemuestrauncircuitodeestetipo:
Vin
+
-
3
2
6
R1
D1
R
D2


Enelgrficosiguienteseobservalaformadeondadesalidapara:
R1=1KyR2=2K:

La entrada es una sinusoide de 1 mVpico y la salida la onda rectificada con


amplitudde2mVpico

0.000ms 0.750ms 1.500ms 2.250ms


2.000mV
1.000mV
0.000mV
-1.000mV
A: d2_k
B: v1_1


5) AMPLIFICADORLOGARITMICO:
En la siguiente figura se muestra una versin de este circuito. Como su nombre lo
indica,suobjetivoesdarensusalidaellogaritmodelasealdeentrada.

IniciamoselanlisishallandolaexpresindelacorrientedecolectordeQ2:
ElectrnicaAnalgicosII


336
Vin
+
-
3
2
6
D1
R1
+
VL
-

Elvoltajedesalidaesdadopor:

=
O
IN
T
O
D
T L
I R
V
V
I
I
V V
1
ln ln

6) AMPLIFICADORLOGARITMICO(MEJORADO):

+15V Q1
2N2453
VREF = +15V
Q2
R2
1K
SALIDA
P1
10K
R17
R
-15V
+15V
-
+
A2
LF356 3
2
6
71
45
C2
0.1uF
P2
10K
P3
1K
C1
0.1uF
R12 10K
R1
15K
R16
R
I2
-
+
A1
LF356
3
2
6
71
45
C3
15nF
I1
IF
-15V

ElectrnicaAnalgicosII


337
La corriente I
2
es aproximadamente igual a la corriente de colector de Q2 si la
gananciadeltransistoreslosuficientementealta( 50),estenlazonaactiva y
sepuedeexpresarcomo:

( )
1
2 1
2
R
V V V
I
BE BE REF

=

Debidoaquelostransistoressonmuyparecidos,debecumplirse:

V
REF
>>V
BE2
V
BE1

Ypodemosdeciraproximadamente:
1
2
R
V
I
REF
=

LacorrientedecolectordeQ1esaproximadamenteigualalacorrientedesealde
entrada,I
F

Al hacer trabajar a ambos transistores en la zona activa, podemos tener las


siguientesrelaciones: I
F
=I
1
=I
ES
e
VBE1/VT
I
2
=I
ES
e
VBE2/VT

LasealqueingresaaloperacionalA2es: V
BE2
V
BE1

ExpresndolasenfuncindeI
F
eI
2
:
V
BE2
V
BE1
=V
T
ln(I
2
/I
ES
)V
T
ln(I
1
/I
ES
)=V
T
ln(I
2
/I
1
)=V
T
ln(V
REF
/R
1
I
F
)
V
BE2
V
BE1
=V
T
ln(R
1
I
F
/V
REF
)

EloperacionalA2estenlaconfiguracindeamplificadornoinversorysusalidaes
dadapor:
Vsalida=[1+R
13
/(R
3
+P
3
)](V
BE2
V
BE1
)

=[V
T
ln(R
1
I
F
/V
REF
)][1+R
13
/(R
3
+P
3
)]
Como:V
REF
=15V y R
1
=15K
Vsalida=[1+R
13
/(R
3
+P
3
)]=[V
T
ln(I
F
)][1+R
13
/(R
3
+P
3
)]

Para expresar la salida en funcin de logaritmo de base 10 debemos tener en


cuentaque.
Log(e
x
)=xlog(e)=0.4343x

Esdecir,sialasalidalaafectamosporelfactor0.4343,obtendremosellogaritmo
enbase10delasealdeentrada.Estosepuedehacerajustandoelpotencimetro
P
3
ytambinlaresistenciaR
12

ElectrnicaAnalgicosII


338
C
3
se emplea para reducir la respuesta en frecuencia del amplificador al rango de
intersenlasealdeentrada.

Algo caracterstico de los circuitos analgicos es que responden velozmente a


cualquiercambioensusentradas.Estoloshacesusceptiblesaserafectadosporel
ruido,lasvariacionesdelatensindealimentacin,loscambiosdetemperatura,el
envejecimiento de los componentes, etc. que obliga a calibrarlos cada cierto
tiempoparaquenopierdansuexactitud.

7) AMPLIFICADORANTILOGARITMICO:
En la siguiente figura se muestra una versin de este circuito. Como su nombre lo
indica,suobjetivoesdarensusalidaelantilogaritmodelasealdeentrada.

Vin
+
-
3
2
6
R1
D1
+
VL
-


Elvoltajedesalidaesdadopor:

= = =
T
IN
D
V
V
O
VT
V
O D L
I R I R R I V
1 1 1

8) OSCILADORDEONDACUADRADACONOPAMPLM741:
A continuacin se muestra un circuito oscilador de onda cuadrada de baja
frecuenciabasadoenuncomparadorconhistresis:
ElectrnicaAnalgicosII


339
C1
0.33uF
D1
3V9
+
U1
LM741
+
-
Vcc
9V
R5
1k
R4
27k
R3
5.6k
R2
12k
R1
470k

La resistencia R3 introduce realimentacin positiva produciendo una histresis al


comparador.

El diodo zener de 3.9V se emplea para que al encender el circuito, el integrado


reciba una tensin positiva que haga que su salida pase al nivel alto. De esta
manera, el condensador C1 comenzar a cargarse a travs de la resistencia R1.
CuandoC1elevesutensinporencimadelnivelumbraldefinidoporD1,R3yR4,la
salida del opamp conmutar al nivel bajo haciendo que se descargue el
condensador.Cuandosutensincaigapordebajodelnivelumbral,lasalidavolver
aconmutaralnivelalto,repitindoseelproceso.

El siguiente grfico muestra el resultado obtenido mediante el simulador Circuit


Maker2000,paralosvaloresmostradosenelcircuito:

10.00 s 10.20 s 10.40 s 10.60 s 10.80 s 11.00 s


9.000 V
7.000 V
5.000 V
3.000 V
1.000 V
- 1.000 V
A: u2_6

Podemosobservarqueelperododelaoscilacinesaproximadamentede480ms.
Lafrecuenciadeoscilacinesaproximadamente2Hz.

El circuito puede ser empleado como indicador o para verificar la ganancia del
operacional.
ElectrnicaAnalgicosII


340
En el siguiente esquema se muestra un circuito que puede indicar visualmente el
funcionamiento del operacional. Se ha agregado el transistor 2N2222 que trabaja
encorteysaturacin.
BAT.
9 VDC
R5
5K6
LD2
Rojo
R1
1K
Q1
2N2222
R2
470K
R10
1K
Z1
3.9V
R8
10K
LD1
Verde R11
1K
R4
27K R9
100K
R12
1K
-
+
U1
LM741
3
2
6
4
7
R7
1K
D2
1N4004
C1
0.33uF
R3
12K
D6
6.2V
D1
1N4004

SERIEDEPROBLEMAS

PROBLEMA1:Enelsiguientecomparadorconhistresis(schmitttrigger),hallelos
voltajesdeentradaalosqueconmutaelcircuito.
R1 200K
R1
10K
V1
2 V
-
+
OP-11
3
2
1
4
1
1
+12Vdc
-12Vdc
+
Vi
-

PROBLEMA2:EnelcircuitoconOPAMPsiguiente,demuestreque:
Vs=log
10
[((V
2
R
1
)/(V
1
R
2
)]
ElectrnicaAnalgicosII


341
R2
-
+
U2
V1
Q1
20K
20K
R1
-
+
U1
333K
+
Vs
-
333K
Q2
V2
-
+
U3
LM741

PROBLEMA 3: Se quiere obtener la siguiente forma de onda empleando


amplificadoresoperacionales.Diseeunposiblecircuitoquerealicedichafuncin.

Asumaque disponedeungeneradordeondacuadradaconfrecuencia de60Hzy


quelosoperacionalessonideales.

f = 60 Hz
T/4
T
+5V
3T/4
-5V
T/2
t
Vo

ElectrnicaAnalgicosII

342
FILTROSACTIVOS

Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango.Fueradeesterango,atenanlassealesosusarmnicas.

TIPOSDEFILTROS:
Podemos clasificarlos segn el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:

Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(f
L
wL)
H(jw)
wL
w

Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(f
H
wH)
H(jw)
wH
w

Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangodevalores
(f
L
wL)yf
H
wH))
H(jw)
wL
w
wH

Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn entre un
rangodevalores(f
L
yf
H
)
ElectrnicaAnalgicosII

343
H(jw)
wH
w
wL

Filtro pasa todo (o desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Seleempleacomodesfasador.
H(jw)
w
w
H(jw)

FAMILIASDEFILTROS:
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:

( )
( )
( ) s D
s N
s H =

N(s)yD(s)sonpolinomiosens
ElectrnicaAnalgicosII

344
Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una funcin de
transferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosdelafuncin
detransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.

Lamayorpartedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendo
cualquieradelassiguientesfamilias:

1) Butterworth: Sus polos caen dentro de una circunferencia de radio 1


dentro del plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen
caractersticas transitorias relativamente buenas. Su respuesta en
frecuencia es bastante plana y su atenuacin es con pendiente
relativamente acentuada. Se pueden disear con componentes de valores
prcticoscontoleranciaspococrticas
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajonotieneceros.Lamayoramplituddelrizohacequelaatenuacinsea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.
3) Bessel: Se emplean para la reproduccin fiel de la onda de entrada.
Ofrecen,paraello,unretardoconstanteenlabandapasante.Elfiltropasa
bajo no tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los
de las familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo
hacenmuytil.
4) Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto
permitequesupendientedeatenuacinseainclusomsagudaqueladela
familiaChebyshev,peropresentarizadotantoenlabandapasantecomoen
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.

PROBLEMA1:
a) Normalice el siguiente filtro
activo pasa bajo de primer
orden.
b) Halle sus componentes para
una frecuencia de corte de
200Hz.

R2
C
+
-
+
VL
-
+
Vg
-
R1
ElectrnicaAnalgicosII

345
Solucin:
a) Normaliceelsiguientefiltroactivopasabajodeprimerorden:
Hallamoslafuncindetransferencia: ( )
Cs R
R
R
s H
2
1
2
1+

=
Enelestadoestacionario:
( )
C R
w
R
R
A
w
w
j
A
C jwR
R
R
jw H
c
c
2
1
2
2
1
2
1
1
1
=
=
+
=
+

Elfiltrosenormalizahaciendo: wr=1 yA=1


Enelfiltronormalizadodebecumplirse: R1=R2yR2C=1
SielegimosR2=1 entonces: C=1F

b) Componentesparaunafrecuenciadecortede200Hz:
Siquisiramosquelafrecuenciadecortefuera200Hz,tendremos:
( )


400
1
1
400 200 2
2
2
=
= = =
C R
C R
w
c

ConestaltimaecuacinelegimosunvalordeR(C)ycalculamoselotro
componente.

Si:R2=10K,entonces: C=79.58nF

ElegimosR1=R2

Larespuestaenfrecuenciasemuestraacontinuacin:

0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz


1.050 V
0.950 V
0.850 V
0.750 V
0.650 V
0.550 V
A: c1_2

ElectrnicaAnalgicosII

346
Podemos ver que la frecuencia de corte (en el punto de media potencia)
esten200Hz.

Sielegimos:R2=2R1 R1=5K
Larespuestaenfrecuenciasemuestraacontinuacin:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
2.250 V
1.750 V
1.250 V
0.750 V
A: r1_2

Podemosobservarqueapesardehaberelevadolaganancia,lafrecuencia
decortesemantiene.

En base a lo anterior, podemos hacer una regla para convertir el filtro


normalizadoenelfiltroquequeremos:

1) Hallamoslarelacin(K)entrelafrecuenciadecortedelfiltrodeseadoyla
delfiltronormalizado:
( )
64 . 1256
/ 1
/ 200 2
= =
s rad
s rad
K


2) DividimosalcondensadordelfiltronormalizadoporelfactorK:
F
F
C 77 . 795
64 . 1256
1
= =
3) Comolaresistencianormalizadaesmuychica,lamultiplicamosporotro
factor(E)elegidoarbitrariamente,queelevesuvalorydividimosala
capacidadobtenidaporelmismofactorparallegaralosvaloresfinales:

Eligiendo: E=10000
( )
nF
F
C
K E R
58 . 79
10000
77 . 795
10 1
= =
= =


Quesonlosmismosvaloreshalladosanteriormente.

ElectrnicaAnalgicosII

347
POLOSDELOSFILTROSPASABAJONORMALIZADOS:
Lospolosestnindicadosenlaforma:p=j,queindicadospolosconjugados.

BUTTERWORTH BESSEL CHEBYSHEV0.1db


ORDEN j ORDEN j ORDEN j
2 0.7071 0.7071 2 1.1030 0.6368 2 0.6104 0.7106
0.5000 0.86660 1.0509 1.0025 0.3490 0.8684 3
1.0000
3
1.3270
3
0.6979
0.9239 0.3827 1.3596 0.4071 0.2177 0.9254 4
0.3827 0.9239
4
0.9877 1.2476
4
0.5277 0.3833
0.8090 0.5878 1.3851 0.7201 0.3842 0.5844
0.3090 0.9511 0.9606 1.4756 0.1468 0.9521 5
1.000

5
1.5069

5
0.4749
0.9659 0.2588 1.5735 0.3213 0.3916 0.2590
0.7071 0.7071 1.3836 0.9727 0.2867 0.7077 6
0.2588 0.9659

6
0.9318 1.6640

6
0.1049 0.9667
0.9010 0.4339 1.6130 0.5896 0.3178 0.4341
0.6235 0.7818 1.3797 1.1923 0.2200 0.7823
0.2225 0.9808 0.9104 1.8375 0.0785 0.9755

7
1.000

7
1.6853

7
0.3528
0.9808 0.1951 1.7627 0.2737 0.3058 0.1952
0.8315 0.5556 0.8955 2.0044 0.2592 0.5558
0.5556 0.8315 1.3780 1.3926 0.1732 0.8319

8
0.1951 0.9808

8
1.6419 0.8253

8
0.0608 0.9812
0.9397 0.3420 1.8081 0.5126 0.2622 0.3421
0.7660 0.6428 1.6532 1.0319 0.2137 0.6430
0.5000 0.8660 1.3683 1.5685 0.1395 0.8663
0.1737 0.9848 0.8788 2.1509 0.0484 0.9852
9
1.0000

9
1.8575

9
0.2790
0.9877 0.1564
0.8910 0.4550
0.7071 0.7071
0.4550 0.8910

10
0.1564 0.9877

PROBLEMA2:
a) Normaliceelsiguientefiltroactivopasabajodesegundoordencomofiltro
Butterworth.
b) Diseloparaunafrecuenciadecortede300Hz
ElectrnicaAnalgicosII

348
C1
R2
+
-
V
C2
+
VL
-
+
Vg
-
R1

Solucin:
Hallamoslafuncindetransferencia:
EnelnudoV: ( )( )
L
g
V V sC
R
V V
R
V V
+

+
1
2 1

Tambinsecumple: V
+
=VL
NudoV
+
: ( )
+
+
=

V sC
R
V V
2
2

Deestasecuacionesobtenemoslafuncindetransferencia:
( )
( )
2 1 2 1
2
2
2 1 2 1 2 2 1
1
1
1
C C R R
w
s C C R R s C R R
s H
c
=
+ + +
=

DelatabladelfiltronormalizadoButterworth,
( )
2
2 1
2 1
1
2
1
2
1
2
1
2
1
1
2
1
2
1
2
1
2
1
s s
j s j s
s h
j p j p
+ +
=

+ +
=
= + = L L L L

Comparandoconlafuncindetransferenciaoriginal,quedarnormalizado
sisecumple:
( ) 1 2
2 1 2 1 2 2 1
= = + C C R R C R R L L L

Comotenemos4incgnitasyslo2ecuaciones,podemoshacer:

R1 = R2 = 1 y hallamos C1 y C2 para obtener los componentes del filtro


normalizado.
ElectrnicaAnalgicosII

349
Luego:
( )
2 1
2
2
2 2
1 2 1
2 2
= =
= =
C C C
C C
L L L
L L L

b) Diseoparaunafrecuenciadecortede300Hz
1) Hallamoslarelacin(K)entrelafrecuenciadecortedelfiltrodeseadoy
ladelfiltronormalizado:
( )
96 . 1884
/ 1
/ 300 2
= =
s rad
s rad
K


2) DividimosalcondensadordelfiltronormalizadoporelfactorK:

= =
= = = =
1 1
13 . 375
96 . 1884
2
2
26 . 750
96 . 1884
2
2 1
2 1
R R
F C F C
L L L
L L L
3) Como las resistencias normalizadas son muy chicas y los
condensadores muy grandes, la multiplicamos por el factor E, que
elevesusvaloresydividimosalascapacidadesobtenidas,porelmismo
factorparallegaralosvaloresfinales:

Eligiendo: E=5600
( )
nF
F
C
nF
F
C
K E R R
67
5600
13 . 375
134
5600
26 . 750
6 . 5 1
2
1
2 1
= =
= =
= = =


Larespuestaenfrecuenciasemuestraacontinuacin:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
A: u1_6

Podemosobservarquelafrecuenciadecortees300Hz.

PROBLEMA 3: Convierta el circuito del problema 2 en pasa alto con frecuencia de


cortea200Hz.
Solucin:
Sepuederealizarunfiltropasaaltopartiendodelfiltropasabajonormalizado:
ElectrnicaAnalgicosII

350
1.4142F
+
-
Vg
+
VL
-
1
0.707F
+
-
1

Estecircuitoloconvertimosapasaalto:
Cambiando las resistencias por capacidades y ponindoles como valores en
faradios,lainversadelvalornormalizadodelaresistencia
Cambiandoloscondensadoresporresistenciasyponindolescomovaloresen
ohmios,lainversadelvalornormalizadodelacapacidad

+
-
Vg 1/0.707
+
VL
-
1F
1/1.4142
1F
+
-

Estefiltroespasaaltoconfrecuenciadecortea1rad/s
Convirtiendoelfiltronormalizadoenelfiltroquequeremos:
1) Hallamoslarelacin(K)entrelafrecuenciadecortedelfiltrodeseadoyladel
filtronormalizado:
( )
64 . 1256
/ 1
/ 200 2
= =
s rad
s rad
K


2) DividimosaloscondensadoresdelfiltronormalizadoporelfactorK:
F
F
C
F
F
C

77 . 795
64 . 1256
1
77 . 795
64 . 1256
1
2
1
= =
= =

ElectrnicaAnalgicosII

351
3) Comolaresistencianormalizadaesmuychica,lamultiplicamosporotrofactor
(E) elegido arbitrariamente, que eleve su valor y dividimos a las capacidades
obtenidasporelmismofactorparallegaralosvaloresfinales:

Eligiendo: E=10000
( )
nF
F
C C
K E R
K E R
58 . 79
10000
77 . 795
14 . 14
707 . 0
1
07 . 7
4142 . 1
1
2 1
2
1
= = =
=

=
=


Finalmenteelfiltropasaaltoes:

+
-
Vg 14.14K
+
VL
-
79.58nF
7.07K
79.58nF
+
-

Larespuestaenfrecuenciaes:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
0.200 V
0.000 V
A: u1_6

Observamosquelafrecuenciadecorteesten200Hz.

ElectrnicaAnalgicosII

352
PROBLEMA 4: Halle la funcin de transferencia del siguiente desfasador (o filtro
pasatodo):
-
+
R2
+
Vi
- R3
R1
+
Vs
-
C1

Solucin:
Lafuncindetransferenciadelcircuitoeslasiguiente:
( )
1
3
3
1
2
1
2
1
1
sC
R
R
R
R
R
R
s H
+

+
+ =
Parasimplificar,podemosponerlasiguientecondicin:
R1=R2=R3
Entonces: ( )
s C R
s C R
sC
R
R
s H
1 3
1 3
1
3
3
1
1
1
2
1
+
+
=
+
+ =
Enelestadoestacionario: s=jw

Ylamagnitudes: ( ) 1 = jw H

Lafasees: ( ) ( )
1 3
arctan 2 180 C wR jw H
o
=

Vemos que la magnitud es constante, pero la fase puede variarse cambiando el


valordeR3.

PROBLEMA 5: Halle la funcin de


transferencia del siguiente filtro
pasabajocongananciamayorque
1.

La tensin de salida la podemos


hallarenfuncindeV
+
empleando
C
V
V+
R
-
+ 3
2
6
R2
Vi
+
Vo
-
C
R1
R
ElectrnicaAnalgicosII

353
laecuacindegananciadelamplificadornoinversor:
1
2
1
2
1
1
R
R
A
AV V
R
R
V
O
+ =
=

+ =
+ +

continuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
( ) 0 = +

+
+
V V sC
R
V V
i

Deaqu:
RCs
V
V
ARCs
RCs
V
i
O

+
=
1

EnelnudoV:
( ) 0 =

+ +
+
R
V V
VCs Cs V V
o

Deaqu: ( )
o
V RCsV RCs V + = +
+
2 1

ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
( )
( )
( ) 1 3
2 1
2 2 2
+ +
+
=
RCs A s C R
RCs A
s H

El denominador de la funcin de transferencia corresponde a la ecuacin


diferencialeneldominiodeltiempoypodemosidentificarlafrecuencianaturalyel
factordeatenuacin:

frecuencianatural:
o
=1/RC
factordeatenuacin : =(3A)/2RC
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2

Si queremos una respuesta sub amortiguada con poco sobreimpulso, podemos


elegirunarelacindeamortiguacincercanaa0.7,requeriremosdeunaganancia
A=1.6

PROBLEMA6:DiseeelsiguientecircuitocomofiltroButterworthparaobtener
unafrecuenciadecortede100Hz.

Dato:Lospolosnormalizadosson:p1,2=+/j=0.707+/j0.707
ElectrnicaAnalgicosII

354
V
+
-
C2
R
+
-
R +
VL
-
C1
Vs

Hallamoslafuncindetransferenciadelfiltroapartirdelasecuaciones:
( )
s C V
R
V Vs
sC V V
R
V V
R
V Vs
V V
L
L
2
1
+
+
+
+
=

Luego: ( )

+ +
=
2 1
2
1
2
2 1
2
1 2
1
C C R RC
s
s C C R
s H

Sip
1
yp2sonlospolos,podemosexpresar:
( )
( )( ) ( ) [ ]
2 1 2 1
2
2 1
2
2 1
1
2 1 2
1
p p s p p s C C R p s p s C C r
s H
+ + +
=
+ +
=

Comparando:
2 1
2
1
2 1
1
2 1
2
C C R
p p
RC
p p = = + L L L

Elfiltronormalizadosecalculaconunafrecuenciaangulardecortede1rad/sy
gananciaigual1.

Larelacindefrecuenciasdecortees:K=2(100)/1=628

Entonces:
(P
1
+P
2
)/K=2=2/KRC
1

(P
1
P
2
)/K
2
=
2
+
2
=1/K
2
R
2
C
1
C
2

Comop1,2=+/j=0.707+/j0.707

ElectrnicaAnalgicosII

355
Luego:
2(0.707)=2/KRC
1
=1.414 RC
1
=2252us
(0.707)
2
+(0.707)
2
=1=1/K
2
R
2
C
1
C
2
R
2
C
1
C
2
=2.54us

Acontinuacinobtenemos. RC
2
=1126us
Finalmente: C
1
/C
2
=2
Elegimos: C
2
=0.1uF
Seobtiene: C
1
=0.2uF y R=11.26K

Acontinuacinsemuestraelcircuitofinal:
U1
IDEAL
1kHz
V1
-1/1V
C2
0.1uF
C1
0.2uF
R2
11.26k
R1
11.26k

Enelsiguientegrficoseobservalarespuestaenfrecuencia:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
0.200 V
0.000 V
A: c1_2

Podemosobservarquelafrecuenciadecorteesten100Hz.

ElectrnicaAnalgicosII

356
PROBLEMA7:Hallelafuncindetransferenciadelsiguientefiltropasa
banda.
V
C
V+
R
-
+ 3
2
6
R2
Vi
+
Vo
-
C
R1
R

LatensindesalidalapodemoshallarenfuncindeV
+
empleandolaecuacinde
gananciadelamplificadornoinversor:

1
2
1
2
1
1
R
R
A
AV V
R
R
V
O
+ =
=

+ =
+ +

AcontinuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
( ) 0 = +

+
+
i
i
V V sC
R
V V

Deaqu: 0
1 1
=

=
RCs
V
Vo
RCs
RCs
A
V
i

EnelnudoV:
( ) ( ) 0 =

+ +
+
R
V V
V V Cs V V Cs
o
i i

Deaqu: ( ) RCs V
A
RCs
V RCs V
i o
+

+ = + 1 1 2

ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
( )
( )
( ) 1 3
1 2
2 2 2
2 2 2
+ +
+ +
=
RCs A s C R
RCs s C R A
s H
ElectrnicaAnalgicosII

357
El denominador de la funcin de transferencia se relaciona con la ecuacin
diferencial en el dominio del tiempo y podemos identificar los siguientes
parmetros:

frecuencianatural:
o
=1/RC
factordeatenuacin : =(3A)/2RC
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2

Lafrecuencianaturaldefinelafrecuenciacentraldesintonadelfiltro.

Podemoshacermsselectivoalfiltroaumentandosufactordecalidad.Seconsigue
ellocuandoajustamoslagananciadelamplificadoraunvalorcercanoa3.

Elanchodebanda(enradianes/segundo)a3dbsepuedehallarconlarelacin:
BW=2=(3A)/RC

ElectrnicaAnalgicosII

358
AMPLIFICADORESOPERACIONALESESPECIALES

1) AMPLIFICADORDETRANSCONDUCTANCIA
Aplicacion del Amplificador Operacional de Transconductancia (OTA) a
AmplificadoresControladosporVoltajeyFiltrosActivos

por
w.grise@moreheadst.edu
DeparmentofIET
MoreheadStateUniversity
Morehead,KY40351
Traduccin:Ing.MoissLeureyros

Abstract
The application of the operational transconductance amplifier (OTA) in the design
of simple amplifiers with voltagecontrollable gain and to the design of firsorder
and secondorder active filters with controllable gains and controllable critical
frequenciesisdemonstrated.Atypicalbiasingschemeisalsoshownsothatreaders
canmoreeasilysetupthecircuitsthemselves.

Introduccin
Este artculo demuestra la utilidad del amplificador operacional de
transconductancia (OTA) como reemplazo del opamp convencional en filtros
activos de primer y segundo orden. Esta es una breve descripcin de lo que debe
conocer un estudiante de tecnologa acerca de los aspectos bsicos de operacin
delOTA,ascomodelusoprcticodelosactualesOTAscomerciales.

Laestructuradeesteartculoeslasiguiente:Primero,seexplicaelfuncionamiento
bsico del OTA, incluyendo la operacin con DC y AC. En esta seccin se
presentarn circuitos simples, como ejemplo, para demostrar las similitudes y
diferenciasentrecircuitosqueusanelOTAyelopampconvencional.Segundo,se
presentan y analizan circuitos de filtros activos con OTA. Se demostrar la riqueza
de posibilidades inherentes a los filtros de segundo orden. Finalmente, la ltima
seccin presentar las consideraciones prcticas que debern tomarse en cuenta
cuandoseuselapresentegeneracindeOTAs.

II. OperacinbsicadelOTA
1. OperacinDC
El OTA es un dispositivo de transconductancia, esto significa que el voltaje de
entrada controla la corriente de salida mediante la transconductancia del
dispositivo, indicada como g
m
. Esto hace del OTA una fuente de corriente
ElectrnicaAnalgicosII
359
controlada por tensin (VCCS), en contraste con el opamp convencional, que es
una fuente de voltaje controlada por voltaje (VCVS). Lo importante y til de la
transconductanciadelOTAesqueesteparmetroescontroladoporunacorriente
externa,lacorrientedebias,I
ABC
,delamplificador,detalformaqueobtenemos:

gm=I
ABC
/(2V
T
)=(20/V)I
ABC
(Ec.1)

Con esta transconductancia controlada externamente, la corriente de salida en


funcindeladiferenciadevoltajeaplicadoasuspinesdeentrada,indicadascomo
V
+
yV

,esdadapor:
Io=gm(V
+
V

) (Ec.2)

Claramente, el voltaje de salida puede hallarse con esta corriente poniendo


simplemente una carga resistiva. El circuito equivalente del OTA se muestra en la
Figura1.
V-
Iabc
gm
+
-
Io
gm Vdiff
+
V+
- V-
V+

Fig.1

Enestepunto,debentenerseencuentadosdiferenciasprincipalesentreelOTAy
el opamp convencional. Primero, siendo el OTA una fuente de corriente, su
impedancia de salida es alta, en contraste con la del opamp que es muy baja.
Debido a que una baja impedancia de salida es, a menudo, una caracterstica
deseable en los amplificadores con cargas resistivas, ciertos nuevos OTAs
comerciales, tales como el LM13600 de National Semiconductors, tienen dentro
del chip buffers con impedancia controlada. Segundo, es posible disear circuitos
con OTA que no empleen realimentacin negativa. En otras palabras, en lugar de
ElectrnicaAnalgicosII

360
usarrealimentacinparareducirlasensitividaddeuncircuitoalosparmetrosdel
dispositivo, la transconductancia es tratrada como un parmetro de diseo, as
comolosresistoresycapacitoressontratadosenloscircuitosbasadosenopamp.

La polarizacin de la circuitera interna del OTA es tal que la corriente total de


polarizacin que entrega la fuente [Soclof91] es dada por: I
SUPPLY
= 3I
ABC
. Esto
parece indicar que el OTA puede ser usado en aplicaciones de micropotencia,
reduciendoaI
ABC
=1 A.Sinembargo,lasprdidasenvelocidadyanchodebanda,
que son controladas finalmente por I
ABC
, pueden ser severas a tales niveles de
corriente.

2. AnlisisenACyRespuestaenFrecuencia
Muchasdelasdependenciasdelanchodebandayrespuestaenfrecuenciaenlazo
abiertoyenlazocerradodelOTAsonsimilaresalasdelopampconvencional.Para
uncircuitoconrealimentacinnegativa,existeunarelacinmuyimportanteentre
el ancho de banda en lazo cerrado, la corriente de bias del amplificador y la
gananciaenlazocerrado:

BW
CL
=[(20/V)I
ABC
]/[2C
NET
A
CL
(0)](Ec.3)

DondeC
NET
eslasumalacapacidaddelasjunturasdeldispositivoyladesalidadel
OTA y en caso se conecte una capacidad de carga al circuito C
NET
= C
O
+ C
L
. La
ecuacin (3) tiene la interesante consecuencia que ciertos tipos de redes activas,
talescomolosfiltrosactivos,puedentenersusfrecuenciascrticascontroladaspor
lacorrienteexterna,I
ABC
,laque,porsupuesto,puede,asuvez,sercontroladapor
unvoltajeexterno.

III. CircuitosconOTA
1. AmplificadoresdeVoltajeBsicos
Esta seccin discute un subconjunto de amplificadores de voltaje comunes, abos
con o sin realimentacin negativa. Para mayor informacin acerca de la gran
variedad de configuraciones de amplificadores disponibles usando OTA, la
referencia [Geiger85] es muy til. La Figura 2 muestra un amplificador inversor
realizado con un OTA el cual permite no slo ganancia controlable, sino tambin
usa realimentacin negativa para reducir la resistencia de salida. Con ello, la
resistencia de salida ahora se puede controlar mediante la transconductancia. La
gananciadetensinylaimpedanciadesalidasondadaspor:

Vo/Vi=(1gmR
2
)/(1+gmR
1
)(Ec.4)
Zo=(R
1
+R
2
)/(1+gmR
1
)(Ec.5)
ElectrnicaAnalgicosII
361
gm
+
- Vi
R1
Vo
R2
Iabc

Fig.2

La demostracin de la ecuacin (4) se presenta en el apndice para mostrar el


anlisis tpico necesario cuando se trabaja con circuitos basados en OTA. Para el
circuitoenlaFigura2,lasecuaciones(4)y(5)sereducenaformasaproximadas
enelcasoque:gmR1>>1;enestecasoobtenemos:

Vo/Vi=(R2/R1)(Ec.6)
Zo=(R1+R2)/(gmR1)(Ec.7)

Porsupuesto,laecuacin(6)noesnadamsqueladelamplificadorinversor.Esto
debeesperarsedadoqueunadelaspropiedadesdelarealimentacinnegativaes
lacasicompletadelagananciadelarelacinderealimentacin,slamente.

ElejemplofinaldeunbloquebsicodeamplificadorusandoOTAsemuestraenla
Figura3.EsteesunejemplodeunamplificadorsloconOTA,enelcuallaganancia
devoltajeylaimpedanciadesalidaestndadaspor:

Vo/Vi=(gm1)/(gm
2
)(Ec.8)
Zo=1/(gm
2
)(Ec.9)

+
-
+
-
gm1
gm2
Vi
Vo

Fig.3

Lagananciaylaimpedanciadesalidasoncompletamentefijadasporlascorrientes
externas,sincomponentespasivosexternosexceptolosnecesariosparagenerarla
corrientedeunafuentedetensinestndar.
ElectrnicaAnalgicosII

362
2. FiltrosActivosconOTA
Losfiltrosactivossonaplicacionesestndardelopamp,elcualpuedebeneficiarse
mucho de la controlabilidad del OTA [Geiger85]. La teora bsica y esquemas de
circuitos bsicos de filtros activos con opamps son presentados en muchos libros
detextoenusosobreTecnologaElectrnicaoenprogramasdeIngeniera[Floyd
96 and Sedra91]. Lo que hace al OTA tan atractivo en estos circuitos es su
habilidad para formar filtros con control por voltaje variable (por medio de la
entradaI
ABC
)sobreunconjuntodeparmetrosdefuncionamientoclavedelfiltro.

El parmetro controlado puede ser la ganancia en freuencias medias del circuito,


como se ha indicado con los circuitos simples de la seccin anterior.
Alternativamente, los filtros activos basados en OTA pueden usar la polarizacin
externaparacontrolarlaubicacindelasfrecuenciasdecorte,ofrecuenciasa3dB,
en ellos. El siguiente paso lgico es la controlabilidad de la entrega de ganancia
independiente y ubicacin de la frecuencia de corte. Otro filtros activos tambin
pueden construirse con OTA. Esto permite la habilidad no slo de cambiar las
frecuencias de corte, la ganancia, o ambas, sino tambin mantener la forma de la
respuesta. Por ejemplo, uno puede querer controlar la frecuencia de corte del
filtro, pero sin alterar el rizado en la zona de paso de banda. Tambin es posible
cambiar el tipo de respuesta de pasa bajo a pasa todo oa pasa alto mediante el
ajuste continuo de la transconductancia g
m
. Slo algunas de estas alternativas
serndesarrolladasenesteartculo.

Un ejemplo muy simple de filtro pasa bajo de primer orden (un polo
correspondiente a una pendiente de caida de 20 dB/decade vs. frecuencia) se
muestraenlaFigura4.Lagananciadevoltajeentodoelrangodefrecuencia,yla
frecuenciadecortea3dBesdadapor:
Vo/Vi=(gm)/(sC+gm)(Ec.10)
f
3db
=gm)/(2C)(Ec.11)

+
-
C
gm
gm2
Vi
Vo
+
-

Fig.4

ElectrnicaAnalgicosII
363
En este circuito el segundo OTA, indicado como "gm2", est configurado como
resistor variable con la tensin. El es el resistor variable que permite cambiar la
frecuenciadecorteenlaecuacin(11).

LaFigura5muestraunfiltrodesegundoordencontresterminalesdecontrolpor
voltaje. Dependiendo de cules dos de los tres terminales son puestos a tierra,
podemosrealizarunfiltropasabajo,pasaalto,pasabandaofiltronotch.Cadauno
de estos filtros tiene una frecuencia de corte o frecuencia central que puede ser
fiada variandola transconductancia,g
m
, delosdosOTA enelcircuito. Estosfiltros
se denominan de frecuencia ajustable y Q constante debido a que mantienen el
valor del Q mientras se varan las frecuencias de corte. La obtencin de las
ecuaciones generales entre el voltaje de salida y los tres terminales de voltaje de
controlseobtienenfcilmente:

Vc
C2
+
-
C1
gm1
+
-
gm2
Va Vb
Vo

Fig.5

Io
1
=gm
1
(V
1
+
V
1

)=gm
1
(VaVo
1
)
Vc
1
=Io
1
X
C1
+Vb=V
2
+
=(Io
1
/sC
1
)+Vb
Io
2
=gm
2
(V
2
+
V
2

)=gm
2
[((Io
1
/sC
1
)+Vb)Vo
1
]
Vo
1
=(Io
2
/sC
2
)+Vc

Luego,sustituyendolasecuacioneshalladasdeIo
1
eIo
2
,obtenemos:
Vo
1
=[gm
1
gm
2
(VaVo
1
)]/(s
2
C
1
C
2
)+(gm
2
/sC
2
)(VbVo1)Vc

Juntando los trminos que tienen Vo


1
y manipulando, llegamos finalmente a la
funcindetransferencia:

gm
1
gm
2
Va+sC
1
gm
2
Vb+s
2
C
1
C
2
Vc
Vo
1
=(Ec.12)
s
2
C
1
C
2
+sC
1
gm
2
+gm
1
gm
2

En las expresiones anteriores, s es la frecuencia compleja, s = j , adems I


01
e I
02

sonlascorrientesdesalidadelprimerysegundoOTArespectivamente.
ElectrnicaAnalgicosII

364
Un ejemplo de reduccin de la Ecuacin (12) a un tipo de filtro especfico se
obtieneaplicandolassiguientescondiciones:

HacerV
in
=V
A
;V
B
yV
C
atierra.
Hacerg
m1
=g
m2
=g
m
.
DividirtodoporC
1
C
2
tantoennumeradorcomodenominadorparaobtener
unaecuacinestndarbicuadrtica.

Elresultadoeslasiguientefuncindetransferencia:
Vo
1
/Va=(gm
2
/C
1
C
2
)/[s
2
+s(gm/C
2
)+gm
2
/C
1
C
2
(Ec.13)

Estaexpresintienelaformadelcircuitoestndarbicuadrtico[Sedra91]:
Vo
1(s)
/Va
(s)
=(w
o
2
)/[s
2
+s(w
o
/Q)+w
o
2
](Ec.14)

Entonces,elcircuitoconestosvaloresparticularesdelosvoltajesdecontrolesun
filtropasabajoconfrecuenciadecortedadapor:
fo=gm/[2(C
1
C
2
)
1/2
]

(Ec.15))

yunaconstante:Q=(C
2
/C
1
)
1/2

Enresumen,semuestranlassiguientesfuncionesdetransferenciaqueseobtienen
planteandolassiguientescondicionesalosvoltajesdecontrol:

V
in
=Vb;VayVcatierraFiltropasabanda.
V
in
=Vc;VayVbatierraFiltropasaalto.
V
in
=Va=Vc;Vb

atierraFiltronotch.

3. AlgunasCaractersticasNoLinealesdelOTA
Unodelosmayoresinconvenientesdelasprimerasversiones[Harris96,National
95] del OTA fue el limitado rango de excursin del voltaje diferencial de entrada.
Esta afirmacin puede explicarse en, por lo menos, dos formas. Primero, se tiene
una limitada excursin de tensin de entrada en el OTA slo si se emplea en lazo
abierto. En ese caso, si el voltaje diferencial excede alrededor de 25 mV, y la
resistenciadecargaesrelativamentebaja(oseaquelagananciadelazoabiertoes
relativamentebaja),entonces,elcircuitoyanooperarenlazonalineal.Estohace
que la seal de salida sea distorsionada debido a su funcin de transferencia de
tensin no lineal [Sedra91]. Por supuesto, para circuitos que emplean
realimentacin negativa, por ejemplo, que son operados en lazo cerrado, se
mantendrelcomportamientolineal.

ElectrnicaAnalgicosII
365
La segunda forma es que en las versiones ms recientes del OTA, tales como el
CA3280A de Harris, el LM13600 de National Semiconductors, y el NE5517 de
Philips, todos ellos usan diodos de linealizacin internos en el par diferencial de
entradadelOTA.EstohacequelacorrientedesalidadelOTAunafuncinlinealde
la corriente de bias del amplificador en un amplio rango de tensin diferencial de
entrada. La Figura 6 muestra un esquema de polarizacin tpico para un OTA
comercialgenrico.Elvoltajedecontrol,V
CTL
,seempleaparagenerarlacorriente
de polarizacin , I
ABC
, por medio del resistor R
ABC
. Los diodos de linealizacin que
estn incluidos en el chip en los OTAs comerciales indicados arriba, pueden ser
polarizados mediante la fuente de alimentacin positiva, +V
CC
. El anlisis del
circuito de linealizacin y su efecto en la corriente de salida puede hallarse en
[Soclof91] yen varias notas de aplicacin delos principalesfabricantes [National
95,Philips94].
- VCC
Vctl
+
-
Vo
Vin+
Vin-
Rabc
gm
5K
+ VCC

Fig.6

IV. Conclusin
Como conclusin, este artculo ha mostrado cmo el Amplificador Operacional de
Transconductancia (OTA) agrega controlabilidad a un conjunto de circuitos
comnmente construidos con el opamp convencional. En particular, se ha dado
una introduccin a la clase importante de filtros activos controlados por voltaje,
construidos con OTAs. Se ha incluido suficiente material, como seminario, para el
ElectrnicaAnalgicosII

366
estudiante de tecnologa y para que el instructor pueda usar el artculo para
investigacionesposteriores.

Apndice

TablaparaclculodecircuitosbasadosenOTA
Este apndice se encarga de demostrar, para los estudiantes en particular, cmo
usamos el circuito equivalente ideal del OTA para predecir el comportamiento de
circuitos basados en un solo OTA, en el laboratorio. Algunas aproximaciones
sugieren las hechas en el opamp estndar. En particular, el OTA ideal, tal como el
opamp ideal, tiene una resistencia de entrada casi infinita. Esto significa que no
ingresacorrienteenlospinesdeentradadelOTA,tantoinversorcomonoinversor.
Sin embargo, el OTA se usa a menudo en lazo abierto, y entonces es prudente
aprendercmotratarlosdospinesdeentradaindependientemente,dadoqueno
puedeasegurarseuncortocircuitovirtualenmuchasconfiguraciones.

Las ecuaciones que se demostrarn aqu son de la funcin de transferencia del


amplificadorinversor,Figura2.SeasumequelacorrienteI
ABC
seobtienededeun
circuito de polarizacin adecuado. Del comportamiento bsico del OTA como
fuentedecorrientecontroladaportensin,obtenemos:

Io=gm(V
+
V

)=gmV

AplicandoKVLalrededordelOTAda:
(ViV

)/R
1
=I
1
=I
2
=(V

Vo)/R
2

Pero: Io=I
1
=I
2

Reemplazandoprimero:Io=I
2
,obtenemos:
(V

Vo)/R
2
=(gmV

)=gmV

Intercambiandotrminos:
V

(1gmR
2
)=Vo;estoda:
V

=Vo/(1gmR
2
)

Luego,eliminandoV

,haciendoI
2
=I
1
ysustituyendoV

:
Vi/R
1
(1/R
1
)[Vo/(1gmR
2
)]=(1/R
2
)[Vo/(1gmR
2
)]Vo/R
2

PasandotodoslostrminosconVoalladoderecho:
Vi=Vo[1/(1gmR
2
)]+(R
1
/R
2
)[gmR
2
=Vo[1+gmR
1
)/(1gmR
2
)]

ElectrnicaAnalgicosII
367
Deestaltimaexpresinobtenemoslagananciadevoltaje:
Vo/Vi=(1gmR
2
)/(1+gmR
1
)

Estocompletalaobtencindelagananciadevoltajeparaesteamplificador.Eluso
repetido de las mismas asunciones nos darn las expresiones correspondientes
paralosdemscircuitosdiscutidosenlaparteprincipaldeltexto.

Referencias
- Floyd, T., Electronic Devices: ConventionalFlow Version, 4th Edition,
Chapter16.PrenticeHall,EnglewoodCliffs,N.J.,1996.
- Geiger, R. L. and SanchezSinencio, Edgar, "ActiveFilter Design using
Operational Transconductance Amplifiers: A Tutorial, " IEEE Circuits and
DevicesMagazine,Vol.1,Number2,pp.2032,March,1985.
- Harris Semiconductor, Application Notes 1174 (1996) and 6668 (1996),
AN1174,AN6668.
- Philips Semiconductor, Product Specification for NE 5517/5517A, "Dual
operationaltransconductanceamplifier",8/31/94.
- National Semiconductor, Application Note, "LM13600 Dual Operational
Transconductance Amplifiers with Linearizing Diodes and Buffers",
February,1995.
- Lenk, John D., Handbook of Practical Electronic Circuits, Chapter 10.
PrenticeHall,Inc.,EnglewoodCliffs,N.J.,1982.
- SanchezSinencio, E., RamirezAngulo, J., LinaresBarranco, B., and
RodriguezVazquez, A., "Operational Transconductance AmplifierBased
Nonlinear Function Syntheses," IEEE JSSC, Vol. 24, No. 6, pp. 15761586,
Dec.1989.
- Sedra, A.S., and Smith, K.C., Microelectronic Circuits, 3rd Ed., Chapter 6.
SaundersCollegePublishing,N.Y.,1991.
- Soclof, Sidney, Design and Applications of Analog Integrated Circuits,
Chapter9.3.PrenticeHall,Inc.,EnglewoodCliffs,N.J.,1991.

ElectrnicaAnalgicosII

368
2) AMPLIFICADORNORTON
A diferencia del operacional convencional, este amplificador recibe corriente y su
salidaesproporcionalaladiferenciadecorrientesdeentrada.

Suconstruccinsebasaenunespejodecorrienteenlaentradayunamplificador
cascode,elcuallepermitetrabajarbienafrecuenciaselevadas.

UnejemplodeestetipodeamplificadoreselLM359deNationalSemiconductor.
Elesquemabsicoeselsiguiente:
Q4
VCC
I
Cc : Condensador de compensacin externo
-
Ip
Q3 Is
Q2
Cc
+
Q6
Entradas
Salida
Q1
Q5
Vpol.
Ip e Is son programables externamente.

Aplicacincomointegradornoinversor:
-
+
Salida Vin
R
C
Cc

ElectrnicaAnalgicosII
369
3) AMPLIFICADORDEAISLAMIENTO
Este tipo de amplificador protege la salida de la entrada y viceversa. Hace que la
salida y la entrada estn aisladas galvnicamente (ausencia de camino directo de
corrienteDC).

En los amplificadores se requiere un CMRR alto, sin embargo hay un lmite del
voltajeenmodocomnquepuedesoportarelcircuito.Comnmente,estevoltaje
mximo no sobrepasa la tensin de la fuente. Si el voltaje en modo comn
sobrepasaelmximo,elcircuitoesdestruido.

Cuandoseusaelamplificadorenunsistemademedicinylareferenciadelaseal
estalejadadelareferenciadelsistemademedicin,seproduceunadiferenciade
potencial entre ambas referencias (lo que se conoce como lazo de tierra) y habr
unflujodecorrientequeproducirunerrordemedicin.

Enaplicacionesdemedicina,senecesitaaislaralpacientedeunaposibledescarga
elctricaporfalladelaparatodemedicin.

Enestoscasossehacenecesarioelusodelamplificadordeaislamiento.
UnejemplodeestoscircuitoseselISO213deBurrBrown.
Acontinuacinsemuestrasusmboloyprincipiodefuncionamiento:

Smbolo
-
+
-
Amp. de ganancia variable
Salida +
Aislamiento
Modulador
de AM
Demodulador
de AM
Salida
Entradas
Oscilador

Tiposdeaislamiento:
Inductivo:Enestecasoelaislamientosehacemediantepequeostransformadores
toroidales.

Ejemplo de este tipo es el ISO213 de Burr Brown que tiene una tensin de
aislamientode3000Veficacesyanchodebandaentre200Hzy1KHz.
OtromodeloeselAD208AYdeAnalogDevices.

Optico: En este caso el aislamiento se hace mediante diodo LED y fotodetector.


Presentan un mayor ancho de banda. Aqu el proceso de modulacin se hace
ElectrnicaAnalgicosII

370
digitalizando la seal, por lo que incorpora convertidores anlogo digital (ADC) y
digitalanlogo(DAC)
Ejemplo de este tipo es el ISO130 de Burr Brown. El ancho de banda llega hasta
85KHz.

Capacitivo: En este caso el aislamiento se hace mediante condensadores con


capacidadesdelordendelospicofaradios.

Aqu tambin el proceso de modulacin se hace digitalizando la seal, por lo que


incorporaconvertidoresanlogodigital(ADC)ydigitalanlogo(DAC)

Ejemplo de este tipo es el ISO175 de Burr Brown. El ancho de banda llega hasta
85KHz.

Para mantener el aislamiento es necesario que la entrada y la salida se alimenten


confuentesaisladasentres.

Aplicaciones:
Biometra
Controldemotores
Controldetiristores
Eliminacindelazosdetierra
Medidadecorrienteenmotores
Aislamientodesensores(termopares,RTD,puentesdeWheastone,etc.)
Sistemasdeadquisicindedatos.

4) AMPLIFICADORCHOPPER:
Sonamplificadoresdiseadosparaminimizareloffsetyeldrift(derivatrmica)

Su funcionamiento se basa en muestrear la tensin de entrada y recuperarla a la


salidalibredelosefectosdeloffset.

UnejemplodeestetipodeamplificadoreselAD8551deAnalogDevices.

Acontinuacinsemuestraelmodeloclsico:
ElectrnicaAnalgicosII
371
C2
+
Vi
-
CONTROL DE
INTERRUPTORES
C2
R1
C1
R3
S
Z R2
RL
S
Z +
VL
-
C4

CuandolosinterruptoresestnenlaposicinZ(autocero),loscondensadoresC2y
C3secarganconlosvoltajesoffsetdeentradaydesalidarespectivamente.

CuandolosinterruptoresestnenlaposicinS(muestreo),sehacelaconexinde
ViaVLmediantelarutaR1,R2,C2,amplificador,C2yR3

La frecuencia de muestreo est comnmente entre algunos cientos de Hz y varios


KHz.

Como este es un sistema de muestreo, debe tenerse en cuenta que la frecuencia


deentradadebesermuchomenorquelamitaddelafrecuenciademuestreo.Esto
permiteevitarerroresporelruidodeconmutacin(aliasing).

R1yC1sirvecomounfiltroantialiasing(contraelruidodeconmutacin).

Cuando se llega al estado estacionario, slo una pequea cantidad de carga es


transferidaencadaciclodeconmutacin.

ElcondensadorC4ylacargaRLdebenelegirsedemaneraquelasalidacaigamuy
pocoduranteelautocero.

5) CIRCUITOSDEMUESTREOYRETENCIN:
Son circuitos muy usados para iniciar la digitalizacin de la seal y explotar la
mximavelocidaddeconversindelADC.

Suprincipiodefuncionamientosebasaeninterruptorseguidodeuncondensador
encargado de retener la muestra de la seal y asociados a amplificadores
operacionales.

LosinterruptoresycondensadoressonconstruidosmedianteFET.
ElectrnicaAnalgicosII

372
Salida
Ch
SW
Vin
+
-
+
-

Conrealimentacin:
Salida
Ch
SW
Vin
+
-
+
-

Parmetros:
Tiempodeadquisicin:Eseltiemponecesarioparapasarderetencinamuestreo
dentrodeunmargendeerror.

Tiempodeapertura:Eseltiemponecesarioparaqueelinterruptorabra.

Inyeccindecarga:Carganodeseadaqueapareceenelcondensadorderetencin
producidaporefectoscapacitivosenelinterruptor.

Fugas: Prdidas de corriente debidas al dielctrico no perfecto del condensador y


porcorrientesenlasunionesPN.

ElectrnicaAnalgicosII

373
CAPTULO4
RESPUESTAENFRECUENCIA

4.1. INTRODUCCION
Hasta ahora hemos considerado que los parmetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la prctica, esto no es cierto. Dichos parmetros
dependendelospuntosdeoperacin,delatemperatura,delafrecuencia,etc.

A la respuesta en frecuencia se le entiende como la respuesta en estado


estacionario (rgimen permanente) de un amplificador ante una entrada
sinusoidal.Paraelestudiodelamplificador,sevaralafrecuenciadelasinusoidede
entradadentro de un determinado rango defrecuencias yseobtienela respuesta
resultante.Estemtodonospermitehacerelanlisisydiseodelcircuito.Adems
esmuysencilloderealizarenellaboratorio,dondelosinstrumentosbsicosquese
necesitansonungeneradorsinusoidaldefrecuenciavariableyunosciloscopio.

La teora de control, junto con los modelos del transistor nos dan todas las
herramientasnecesariasparaestudiarelcomportamientodeloscircuitosalvariar
lafrecuencia.

Actualmente, para un estudio ms detallado, contamos con programas de clculo


(como MATLAB y MATHEMATICA) y de simulacin (como SPICE, EMTP, CIRCUIT
MAKER,WORKBENCH,SIMCAD,TINA,etc.).

MATLABesunprogramadeclculo,muypopular,basadoenmatrices,queadems
permiteefectuarprogramacionesycuentaconpaquetesespecializados.

En el campo de los programas de descripcin de hardware analgico y de


simulacin, los ms populares son SPICE (Simulation Program with Integrated
Circuits Emphasis), que es un programa de uso general orientado a circuitos y
EMTP (Electro Magnetic Transients Program), desarrollado para la industria de
ElectrnicadePotencia.

Losprogramasdesimulacinsonmuytilesparaanalizarelcomportamientodeun
circuitoypermitentenerunlaboratoriovirtualconelcualpodemoshacerrpidos
ajusteshastalograrlarespuestadeseada,paraluegopasaralapruebadelcircuito
enellaboratorio.Tambinnossirvencomoherramientadeestudiopuespodemos
verificar nuestros clculos tericos y explorar lo que podra suceder sI se varan
determinadosparmetros.
ElectrnicaAnalgicosII


374
Unodelos mtodos msutilizados para estudiarlarespuestaenfrecuencia de un
amplificadorsonlosDiagramasdeBode(diagramaslogartmicosdelagananciayla
faseenfuncindelafrecuencia).Lafrecuenciaserepresentaenescalalogartmica
ylafaseygananciaenescaladecimal(engradosydecibeles,respectivamente).

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 2f1


recibe el nombre de octava de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rangoseexpresanendb/octava.

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 10f1


recibe el nombre de dcada de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rangoseexpresanendb/dcada.

Unapendientede20db/dcadaesprcticamenteequivalenteaunapendientede
6db/octava.

5.1. RESPUESTAENFRECUENCIADELOSAMPLIFICADORES
Enlneasgenerales,elestudiodelosamplificadoreseneldominiodelafrecuencia
(alexcitaralamplificadorconsealessinusoidales)sedivideentrespartes:

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA: Un amplificador puede variar su ganancia en


frecuencias bajas (desde frecuencia 0 ( DC) hasta una frecuencia fL) debido
principalmentealasreactanciasexternasdelcircuito(porejemplo,capacidadesde
acoplo y bypass). La frecuencia fL ( wL) recibe el nombre de frecuencia de corte
inferior.Aqu,pararealizarelanlisis,seutilizanlosmodelosdebajafrecuenciadel
transistorjuntoconlasreactanciasexternas,quenodebendespreciarse.

Unaexcepcineselamplificadoroperacional,quepuederesponderconsumxima
gananciadesdeDC.

RESPUESTAENFRECUENCIASMEDIAS:Enestareginelamplificadoractaconsu
mxima ganancia y sus parmetros pueden considerarse como nmeros reales.
Aqu se utilizan los modelos de baja frecuencia del transistor. Las reactancias
externas pequeas pueden ser consideradas como cortocircuitos y las reactancias
grandescomocircuitosabiertos.

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA: En esta regin el amplificador disminuye su


ganancia al aumentar la frecuencia (desde el valor fH). La frecuencia fH ( wH)
recibe el nombre de frecuencia de corte superior. Este fenmeno se debe a las
reactancias internas de los transistores. En general, el amplificador no puede
aumentar o mantener constante su ganancia indefinidamente al aumentar la
ElectrnicaAnalgicosII

375
frecuencia. Siempre habr alguna frecuencia alta a la cual la ganancia empieza a
disminuir. Esto nos indica que siempre habrn ms polos que ceros en su funcin
detransferencia

5.2. PUNTOSDEMEDIAPOTENCIAYANCHODEBANDA
ComnmentelasfrecuenciasfL(wL)yfH(wH),anteriormentemencionadas,se
determinan en los puntos en que la seal de salida posee la mitad de la potencia
que tiene en frecuencias medias. Cuando la ganancia se expresa en decibeles, los
puntos de media potencia se determinan restando 3 db a la ganancia en
frecuenciasmedias.

El ancho de banda de un amplificador se define como la diferencia entre las


frecuenciasdecortesuperiorydecorteinferior:
BW=fHfL(usandolafrecuenciacclica) (5.1)

BW=wHwL(usandolafrecuenciaangular) (5.2)

Haycasosenloscualeselanchodebandasedefinecondiferentecriterio,comoes
elcasodelosamplificadoresdevdeo,dondesedeterminarestandoslo1dbala
ganancia en la regin de frecuencias medias debido a que la vista puede detectar
variacionesmspequeasenlosnivelesdeiluminacin

5.3. METODOSDERESPUESTAENFRECUENCIA
Haytresmtodosderepresentacindefuncionesdetransferenciasinusoidales,los
cualesson:

DiagramasdeBode(diagramaslogartmicos)
DiagramapolarodeNyquist
Diagramadellogaritmodelaamplitudenfuncindelafase.

5.3.1.DIAGRAMASDEBODE:
Son diagramas logartmicos que representan la funcin de transferencia en el
estado estacionario con excitacin sinusoidal. Debido a que la funcin de
transferenciaeneldominiodelafrecuenciayenestadoestacionarioconpequea
seal, es un nmero complejo, tendr magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientesdelafrecuencia.

La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la dcima parte del Bel, una
unidaddepotenciasonora),lafaseengradossexagesimales;ambassegraficanen
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logartmico. El uso de los
ElectrnicaAnalgicosII


376
decibeles para la ganancia facilita la obtencin de los diagramas de sistemas ms
complejos debido a que los productos se convierten en sumas y las divisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representacin de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las grficas de sistemas ms
complejos.

Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores bsicos que pueden
intervenirenlafuncindetransferencia:

5.3.11. Factor ganancia (Ao): El factor ganancia es un nmero real. Cuando es


expresado en db, ser positivo si Ao es mayor que 1 y ser negativo
cuandoAoesmenorque1.LasecuacionesparasudiagramadeBodeson:

Lamagnitudendbes: Ao(db)=20log(Ao) (5.3)

Sitienesignopositivo,lafaseser0y,siesnegativo,lafaseser180.

Tantolamagnitudcomolafasesonconstantesconlafrecuencia.

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
f ( H z )
A
o
(
d
b
)
F a c t o r G a n a n c i a

Fig.5.1
5.3.12. Factoresintegralesyderivativos:Sondelaforma:
( )
( ) jw jw G
jw
jw G
=
=
1

5.3.121. Paraelfactorintegral:
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) w jw G log 20 =
(5.4)
Lafaseesconstante: ( )
0
90 = jw
ElectrnicaAnalgicosII

377
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = - 2 0 d b / d e c

Fig.5.2

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 9 1
- 9 0 . 8
- 9 0 . 6
- 9 0 . 4
- 9 0 . 2
- 9 0
- 8 9 . 8
- 8 9 . 6
- 8 9 . 4
- 8 9 . 2
- 8 9
F a s e d e l F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F a s e c o n s t a n t e = - 9 0 g r a d o s

Fig.5.3

5.3.122. Paraelfactorderivativo:
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) w jw G
db
log 20 =
(5.5)
Lafaseesconstante: ( )
0
90 = jw
ElectrnicaAnalgicosII


378
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
3 0
4 0
F a c t o r D e r i v a t i v o
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c

Fig.5.4

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
8 9
8 9 . 2
8 9 . 4
8 9 . 6
8 9 . 8
9 0
9 0 . 2
9 0 . 4
9 0 . 6
9 0 . 8
9 1
F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F
a
s
e F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g r a d o s

Fig.5.5

5.3.13)Factoresdeprimerorden:Sondelaforma:

( ) ( )
( )
jwT
jw G
jwT jw G
+
=
+ =
1
1
1
(5.6)

5.3.131)Cerodeprimerorden: ( ) ( ) jwT jw G + = 1
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) ( )
2
1 log 10 wT jw G
db
+ =
Lafasees: ( ) ( ) wT jw arctan =

Estas grficas se representan muchas veces por sus asntotas, las que la describen
en forma bastante aproximada, pudindose llegar con bastante precisin a la
ElectrnicaAnalgicosII

379
grficarealhaciendoalgunascorrecciones.EstasasntotasseobtienenparawT<<
1yparawT>>1:

Para:wT<<1,lamagnitudseaproximaa0db;porlotanto,laprimeraasntotaest
representadaporunarectahorizontalen0db.

Para: wT >> 1, la magnitud se aproxima a 20log(wT); por lo tanto, la segunda


asntotaserunarectaconpendiente=20db/dec(similaralfactorderivativo).

AmbasasntotasseencuentranenelpuntowT=1,completandolarepresentacin
asinttica.

ElmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaenwT=1.
En este caso el error es de: 3.03db. Este punto equivale al punto de media
potencia.

Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
4 5
C e r o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
jw
)
|d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c
C u r v a r e a l
G r a f i c a a s i n t o t i c a

Fig.5.6
ElectrnicaAnalgicosII


380

Fig.5.7

5.3.132)Polodeprimerorden: ( )
jwT
jw G
+
=
1
1
(5.7)

Lamagnitudendbes: ( ) ( ) ( )
2
1 log 10 wT jw G
db
+ =
Lafasees: ( ) ( ) wT jw arctan =

Estas grficas tambin se representan sus asntotas. Estas asntotas se


obtienenparawT<<1yparawT>>1:

Para:wT<<1,lamagnitudseaproximaa0db;porlotanto,laprimeraasntotaest
representadaporunarectahorizontalen0db.

Para: wT >> 1, la magnitud se aproxima a 20log(wT); por lo tanto, la segunda


asntotaserunarectaconpendiente=20db/dec(similaralfactorintegral).

AmbasasntotasseencuentranenelpuntowT=1,completandolarepresentacin
asinttica.

ElmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaenwT=1.
En este caso, el error es de: 3.03db. Este punto equivale al punto de media
potencia.

Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
ElectrnicaAnalgicosII

381
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db

1 0
- 2
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 5
- 3 0
- 2 5
- 2 0
- 1 5
- 1 0
- 5
0
P o l o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
C u r v a r e a l
G r f i c a a s i n t t i c a

Fig.5.8

Fig.5.9

Acontinuacindamoslatablaconlosfactoresdecorreccinparamagnitudyfase:

wT 0.1 0.5 1 2 10
|G(jw)|db +/0.0432 +/0.97 +/3.03 +/0.97 +/0.0432
Fase +/5.7 +/26.6 +/45 +/63.4 +/84.3

ElectrnicaAnalgicosII


382
5.3.14)Factorescuadrticos:
Sondelaforma:
( )

+ =
2
2 1
n n
w
jw
w
jw
jw G ( )
2
2 1
1

+
=
n n
w
jw
w
jw
jw G

(5.8)
wnrecibeelnombredefrecuencianatural
recibeelnombredefactordeamortiguamiento
Estosfactorestienen3tiposderespuesta:

Cuando>1, larespuestaessobreamortiguadaylasracessonreales.
Cuando=1, la respuesta es crticamente amortiguada y las races son reales e
iguales.
Cuando 0 < > 1, la respuesta es sub amortiguada y las races son complejas y
conjugadas.

La respuesta con que acte depende de los valores de y wn; stos a su vez
dependendelosvaloresdeloscomponentesdelamplificador.

5.3.141)Cerosdesegundoorden: ( )

+ =
2
2 1
n n
w
jw
w
jw
jw G (5.9)

Lamagnitudendbes: ( )

=
2
2
2
2
1 log 10
n n
db
w
w
w
w
jw G

Lafasees:
( )

=
2
1
2
arctan
n
n
w
w
w
w
jw


ElectrnicaAnalgicosII

383
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
it
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 2 0
0
2 0
4 0
M a g n i t u d
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = 4 0 d b / d e c

Fig.5.10

F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B ode Di agram s
0
10
20
30
40
50
Magnitud
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n= 1
F ac t or de at enuac i n= 1

Fig.5.11
ElectrnicaAnalgicosII


384
F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B ode Di agram s
0
2 0
4 0
6 0
8 0
10 0
Ma g n itu d
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
0
5 0
10 0
15 0
20 0
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n = 5
F ac t or de at enuac i n = 5

Fig.5.12

Observandolasgrficasdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia disminuye, la pendiente en esa regin es ms pronunciada (ms
selectiva),llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Cuando el sistema es crticamente amortiguado, ya no hay pico de resonancia, la


pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a una pendiente de
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Cuando el sistema es sobre amortiguado, tampoco hay pico de resonancia, la


pendienteinicialeslamsbaja(lamenosselectiva),subiendoa40db/dcadapara
frecuenciasaltas.

Podemos observar tambin que los ceros aumentan la magnitud (o ganancia) al


elevarlafrecuencia.

5.3.142)Polosdesegundoorden: ( )
2
2 1
1

+
=
n n
w
jw
w
jw
jw G


ElectrnicaAnalgicosII

385
Lamagnitudendbes: ( )

=
2
2
2
2
1 log 10
n n
db
w
w
w
w
jw G


Lafasees:
( )

=
2
1
2
arctan
n
n
w
w
w
w
jw


Observandolasgrficassiguientesdecadacaso,podemosdecirque:

Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia aumenta, la pendiente en esa regin es ms inclinada (ms selectiva),
llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Elpicoderesonanciasepresentaalafrecuenciaderesonancia
2
2 1 =
n r

Podemosobservarquerexistesloparavaloresde:0<<0.707

Elvalordelpicoderesonanciaesdadopor:
2
1 2
1

=
r
M
vlidoparavaloresdelarelacindeamortiguacin():0<<0.707
Paravaloresde:>0.707entonces:Mr=1
Paravaloresdequeseacercanacero:Mr=tiendeainfinito

Cuando el sistema es crticamente amortiguado, ya no hay pico de resonancia, la


pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a una pendiente de
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Cuando el sistema es sobre amortiguado, tampoco hay pico de resonancia, la


pendienteinicialeslamsbaja(lamenosselectiva),cayendoa40db/dcadapara
frecuenciasaltas.

Podemos observar tambin que los polos disminuyen la magnitud (o ganancia) al


elevarlafrecuencia.
ElectrnicaAnalgicosII


386
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 2 0
0
2 0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a t e e n u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a t e e n u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c

Fig.5.13

F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1

Fig.5.14
ElectrnicaAnalgicosII

387
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
Bode Diagrams
- 100
-80
-60
-40
-20
0
Polos de Segundo Orden
w/wn (frecuencia angular normalizada)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
- 200
- 150
- 100
-50
0
F
a
s
e
Pendient e = -40 db/ dec
Factor de atenuacin = 5
Factor de atenuacin = 5

Fig.5.14

5.5. RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor comn como el mostrado a
continuacin:

RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1

Fig.5.15

Para estudiar la respuesta en baja frecuencia hallaremos la funcin de


transferencia (ganancia de tensin) considerando slo las capacidades externas y
asumiremos que las capacidades internas del transistor son circuitos abiertos a
estasfrecuencias.

Acontinuacinrepresentamosalcircuitoconsumodeloparaseal:
ElectrnicaAnalgicosII


388
C1
CE
Rb
Q
Vg
RC
RE
C2
RL
+
Vo
-

Fig.5.16

Rb=R1//R2

A continuacin reemplazamos al transistor por su modelo simplificado para


pequea seal y baja frecuencia. Vemos que en este caso las capacidades de
desacoploybypassnosedesprecian.
RC
hie
RE
RL
C2
CE
Vg
C1
+
Vo
-
hfe ib
Rb
ib

Fig.5.17

PlanteamoslasecuacionesdeKirchoffparaobtenerlafuncindetransferencia:

Enelcircuitodesalida:
( )
( ) s C R R
i s R R h
V
L C
b L C fe
o
2
1 + +
=

Enelcircuitodeentrada:

( )( )
( ) ( ) ( )( ) ( )
b E E ie b E E b E fe
E E b
g
b
R s C R h s C R s C R s C R R h
s C R s C R
V
i
+ + + + + + +
+
=
1 1 1 1 1
1
1 1
1

ElectrnicaAnalgicosII

389
Finalmente:
( )
( )
( ) [ ]
( ) ( )

+ + +
+
+
+ + + + + +
+

=
E E b ie
E fe ie b
E ie
fe
b ie E E
L C
E E
E E ie
L C fe
V
C C R R h
R h h R
C h
h
C R C h C R
s s s C R R
s C R s
C R h
C R R h
s A
1 1 1
2
2
2 2
1 1
1 1 1
1
1

(5.13)

Hacer el clculo manual de una funcin como la mostrada (o de otras ms


complejas) es un trabajo largo y tedioso. Sin embargo, podemos observar la
funcin de transferencia y sacar algunas conclusiones que nos permitan obtener
unaideadelaformadelarespuestaenbajafrecuenciaconclculos mssencillos
aunqueaproximados.

Observamosqueestafuncindetransferenciatiene3ceros:

Dosenelorigen:s=0 y
Unoen:
E E
C R
s
1
=

Podemos decir que el cero producido por CE se obtiene multiplicndolo por la


resistencia que tiene en paralelo. Este producto es la constante de tiempo en el
emisor.

Observamos tambin que la funcin de transferencia en baja frecuencia tiene 3


polos:

Unoen:
( )
2
1
C R R
s
L C
+
=

Enestecasopodemosdecirqueelpolodesalidaseobtieneconlaresistenciaque
``veC2cuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitosyno
haysealdeentrada.

Los otros dos polos corresponden a un factor de segundo orden. Sin embargo, si
queremos que estos polos sean reales, podemos aplicar el criterio anterior para
determinaraproximadamentelosotrosdospolos:

Podemos hallar aproximadamente el polo introducido por C1 determinando la


resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se comportan como
ElectrnicaAnalgicosII


390
cortocircuito (o circuito abierto, segn la frecuencia empleada) y no hay seal de
entrada:

Segnesto,laresistenciaque``veC
1
es:Rb//hie

Luego,elpoloaproximadoproducidoporC1es:
( )
1
//
1
C h R
s
ie b
=
Al polo introducido por C
E
tambin podemos determinarlo aproximadamente
mediante la resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se
comportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada:

Segnesto,laresistenciaque``veCEes:RE//(hie/(1+hfe))=RE//hib

Luego,elpoloaproximadoproducidoporCEes:
E
fe
ie E
C
h
h R
s

+
=
1
//
1

Dondehibeslaresistenciadeentradadeltransistorenbasecomn.

Supongamosahoraquealafuncindetransferenciaanteriorpodemosfactorizarla
yexpresarlaenlaformasiguiente:
( )
( )
( )
( )

+
= =
2 1
2
1 1 1
1
p
s
p
s
p
s
z
s
s A
s V
s V
s A
E
E
O
i
O
V

Multiplicandoelnumeradoryeldenominadorpor:
3
2 1
s
p p p
E
ydesarrollando
Obtenemosenelestadoestacionario:

( )
( )
( )
3
2 1
2
2 1 2 1 2 1
2 1
1
1 1
jw
p p p
jw
p p p p p p
jw
p p p
z jw
p p p A
s V
s V
s A
E E E E
E
E O
i
O
V
+
+ +
+
+ +
+

+
= =

Si queremos determinar la frecuencia de corte inferior (wL), debemos notar que,


porlogeneral,p1,p2yp
E
sernmenoresquewL;entonces,afrecuenciascercanas
awLlostrminoscuadrticosycbicossernmschicosqueeltrminocon1/jw.
ElectrnicaAnalgicosII

391
Cumplindose lo anterior, podremos afirmar que la frecuencia de corte inferior
puedeserhalladaaproximadamenteporlaexpresin:

E L
p p p w + + =
2 1
(5.14)

A su vez, p1, p2, y pE se pueden hallar bajo el criterio anterior, determinando la


resistencia que ``ve cada condensador cuando los dems se comportan como
cortocircuitoylasealdeentradasehacecero.

PROBLEMA 5.1: En el circuito mostrado, determine el polo y el cero introducido


porC
1
cuandoC
2
yC
E
secomportancomocortocircuito

RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1

Fig.5.18

Elmodeloparaseal,conlascondicionesdadas,eselsiguiente:

hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
ib
Rb
C1
RL
Fig.5.19

Vo=hfe(RC///RL)ib
ib=(C1s)(Rb//hie)/[hie(Rb//hie)C1s]

Finalmente:
Vo(s) hfe(RC///RL)(Rb//hie)C1s
Av(s)==
Vg(s)hie(1+(Rb//hie)C1s)
ElectrnicaAnalgicosII


392
Podemosverqueapareceunceroenelorigenyunpoloens=1/(Rb//hie)C1

Rb//hieesjustamentelaresistenciaque``veC1cuandolosdemscondensadores
secomportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada.

PROBLEMA5.2:Repitaelproblemaanteriorhallandoelpoloyelcerointroducido
porCEcuandoC1yC2secomportancomocortocircuito

Elmodeloparasealenestecasoeselmostradoenelsiguientegrfico.
Igualmente:
Vo=hfe(RC///RL)ib
Adems:
ib=(C1s)(Rb//hie)/[hie(Rb//hie)C1s]

Finalmente:
hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
CE
ib
RE
Rb RL

Fig.5.20

Vo(s)hfe(RC///RL)(1+RECEs)
Av(s)==
Vg(s)hie+(1+hfe)RE+hieRECEs

Vemosquehayunceroen:s=1/RECE y
Unpoloen:s=(hie+(1+hfe)RE)/hieRECE=1/((hib//RE)CE)

Igualmente,podemosdecirqueelpoloseobtienepormediodelaresistenciaque
``ve CE cuando los dems condensadores se comportan como cortocircuito y no
hay seal de entrada. Podemos darnos cuenta fcilmente de ello si usamos el
modelodebasecomnparaeltransistor.

Lo anterior tambin nos da un mtodo de diseo para obtener los valores de los
condensadoresdeacoploybypass.

ElectrnicaAnalgicosII

393
PROBLEMA 5.3: En el circuito mostrado, determine C1, C2 y CE si se quiere una
ganancia igual a 100 en frecuencias medias y una frecuencia de corte inferior de
100Hz.
12Vdc
R1
10K
CE
C1
Rg
1K
RL
10K
Q
2N2222
Vg
RC
2K
C2
RE
820
R2
3k

Fig.5.21

ComoCEes elcapacitor queve la menor resistencia, haremos quesealel que


determinelafrecuenciadecorteinferior(100Hz).Paraquelosotrosdospolosno
afectenapreciablemente,haremosqueactenunadcadaantes(10Hz).

Bajoestascondiciones,cuandoactanC
1
yC
2
,C
E
annoactaypodemoshacerel
siguientemodeloparapequeaseal:
Vg
C2
RC
2K
C1
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820

Fig.5.22

LaresistenciaqueveC1es: RC1= Rg+Rb//[hie+(1+hfe)RE]

ElectrnicaAnalgicosII


394
Considerando para el transistor: hfe = 80 y hie = 1.3K, empleando el modelo
simplificado:

Reemplazandovalores: RC1=2.22K

Entonces:C1=1/2(10)(2.22K)=7.15uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C1=10uF
LaresistenciaqueveC2es: RC2= RC+RL=12K
Entonces:C2=1/2(10)(12K)=1.33uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C2=2.2uF

AlafrecuenciaqueactaC
E
,C
1
yC
2
yahanactuadoypodemosconsiderarquese
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguientemodeloparapequeaseal:

Vg
CE
RC
2K
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820

Fig.5.23

LaresistenciaqueveCEes: RCE= R
E
//[hib+(Rb//Rg)/(1+hfe)]
Reemplazandovaloresyefectuando:RCE= 820//[49.3]=46.5
Entonces:CE=1/2(100)(46.5)=34.2uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:CE=39uF
Conestosvalorespodemoshacerunasimulacindelarespuestaenfrecuencia:

ElectrnicaAnalgicosII

395
5.5. CALCULODELARESPUESTAENFRECUENCIAUSANDOMATLAB
Usaremoscomoejemploelcasodeunfiltroactivopasabajocomoelsiguiente:

Vi
C
0.1uF
R1
5.6K C
0.1uF
R1
5.6K
+ 12 V
R
10K
+
Vs
-
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R
10K
- 12 V

Fig.5.24

La funcin de transferencia, obtenida considerando caractersticas ideales del


OPAMPparasimplificarlaexpresineslasiguiente:

AV(s)=[2(1+2R1Cs)]/[1+R1Cs+R1Cs
2
]

Reemplazandolosvaloresdeloscomponentesobtenemos:
AV(s)=[2+0.00224s)]/[1+0.00056s+0.0000003136s
2
]

Conlafuncindetransferenciayadeterminada,ingresamosalprogramaMATLAB
Cuandoapareceelprompt(>>)deMATLABescribimos:

>>num=[00.002242] <enter>
>>den=[0.00000031360.000561] <enter>
>>bode(num,den) <enter>
>>title(RespuestaenFrecuenciadelFiltroActivoPasabajo) <enter>

Larespuestaenfrecuenciaempleandounsimuladornosdalagrficasiguiente:
ElectrnicaAnalgicosII


396
0.000 Hz 200.0 Hz 400.0 Hz 600.0 Hz 800.0 Hz
4.500 V
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
-0.500 V
A: u1_6

Fig.5.25

DISEODEFILTROSACTIVOSMEDIANTEAMPLIFICADORESOPERACIONALES
Entrelostiposdefiltrostenemos:

- Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(f
L
)
- Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(f
H
)
- Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangode
valores(f
L
yf
H
)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn
entreunrangodevalores(f
L
yf
H
)
- Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Selesempleacomodesfasador.

Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
H(s)=N(s)/D(s)

N(s)yD(s)sonpolinomiosens
Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
funcindetransferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosde
la funcin de transferencia definen por completo la respuesta del filtro. La mayor
partedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendocualquiera
delassiguientesfamilias:

1)Butterworth:Suspoloscaendentrodeunacircunferenciaderadio1dentrodel
plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen caractersticas
transitoriasrelativamentebuenas.Surespuestaenfrecuenciaesbastanteplana
y su atenuacin es con pendiente relativamente acentuada. Se pueden disear
concomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
ElectrnicaAnalgicosII

397
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa bajo
no tiene ceros. La mayor amplitud del rizo hace que la atenuacin sea ms
aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se localizan en
unaelipseenelplanocomplejo.
3) Bessel: Se emplean para la reproduccin fiel de la onda de entrada. Ofrecen,
paraello,unretardoconstanteenlabandapasante.Elfiltropasabajonotiene
ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las familias
anteriores,perosusexcelentespropiedadestransitoriaslohacenmuytil.
4) Funcinelptica:Sufuncin detransferenciaposeepolos yceros;esto permite
que su pendiente de atenuacin sea incluso ms aguda que la de la familia
Chebyshev, pero presenta rizado tanto en la banda pasante como en la
rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos secciones
paraunaatenuacindada.

Parafacilitareldiseoseempleanfiltrosnormalizados.
Porejemplo,paraunfiltronormalizadoButterworthdesegundoorden(n=2)es:
H(s)=1/[s
2
+1.414s+1]

Lospolosson: s
1
=0.707+j(0.707) y s
2
=0.707j(0.707)

La atenuacin es siempre 3 db 1 rad/s, excepto en los elpticos en los que la


atenuacina1rad/sesigualalrizadodelabandapasante.

Cuando se conoce la respuesta en frecuencia que debe tener el filtro, se le debe


normalizarparacompararloconlascurvasderespuestanormalizadasdelosfiltros,
para seleccionar el tipo. Los valores del filtro escogido debern desnormalizarse
para el intervalo de frecuencias de operacin. Este proceso puede requerir
transformacionessielrequisitocentralnoessloelfiltropasabajo.

Para el diseo se tienen grficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permitencalcularloscomponentesparalatopologaseleccionada

ElectrnicaAnalgicosII


398
PROBLEMA 5.4: Disee un filtro activo pasa bajo de segundo orden, tipo Bessel,
congananciaunitariayfrecuenciadecortede100Hz.

+
Vi
-
R
+
VL
-
-
+
C2
R
V1
C1

Solucin:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerandoeloperacionalideal:

(ViV
1
)/R=(V
1
V
L
)C
1
s+(V
1
V
L
)/R
Luego: Vi=V
1
(2+RC
1
s)(1+RC
1
s)V
L

Adems: (V
L
V
1
)/R+V
L
C
2
s=0
Luego: V
L
(1+RC
2
s)=V
1

Medianteestasecuacioneshallamoslafuncindetransferencia:
( )
1 2
1
2
2
2 1
2
+ +
=
s RC s C C R
s H

DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:

Polos: 1.1030j0.6368
Lascapacidadesnormalizadasson: C
1
=0.9060 C
2
=0.68
Lafrecuenciaangulardecortees: wc=2fc=628rad/s
ElegimosunvalorarbitrariodeR: R=43K

HallamoslosvaloresrealesdeC1yC2,demaneraqueseaproximenavalores
comerciales:

0.9060 0.68
C1==33.55nFC2==25.18nF
(628)(43K) (628)(43K)
ElectrnicaAnalgicosII

399
Laatenuacina500Hzser20.4db

PROBLEMA5.5:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaiguala2yfrecuenciadecortede100Hz.

R
+
Vi
-
+
VL
-
-
+
C
R2
R
R1
V1
C

Solucin:
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:

Polos: j=1.1030j0.6368

Elegimosunvalorarbitrariodelacapacidad,devalorcomercial: C=27nF
Lafrecuenciadecortees: fc=100Hz

Luego: 1
R
1
==26.67K R
2
==80.16K
4fcC fcC(
2
+
2
)

ACOPLOCONTRANSFORMADORESENBANDAANCHA:
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaPlaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.

Fig.5.26

ElectrnicaAnalgicosII


400
V1=sLpI1+sMI2
V2=sMI1+sLsI2 (5.15)

Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes.

Ademssecumpleque:
M=k(LpLs)
1/2
(5.16)

k=Factordeacoplo

En forma anloga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos


que cumplan con las ecuaciones mostradas y todos ellos sern modelos del
transformador

Unodesusmodelosmsutilizadossemuestraenlafigura5.27:
Ldp
n:1
IDEAL
rp rs
Lm
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin

Fig.5.27

Puedeexpresarse:
Ldp=(1k
2
)Lp ; Lm=k
2
Lp y n=k(Lp/Ls)
1/2
(5.17)

Cuando el factor de acoplo se acerca a la unidad, se puede hacer la siguiente


aproximacin:
n=(Lp/Ls)
1/2

Consideremos el caso siguiente, en el cual no tomaremos en cuenta otros efectos


de segundo orden que se presentan en el transformador, tales como las no
ElectrnicaAnalgicosII

401
linealidadesdelncleoylacapacidaddelosarrollamientos,comosemuestraenla
figura5.28:
rs
+
Vo
- RL
n:1
ideal
Rg
Lm
Ldp
Vg
rp

Fig.5.28

Rg=resistenciadelafuentedesealdeentrada
R
L
=resistenciadecarga

Podemosobtenerlafuncindetransferencia:

Vo(s) (nR
L
/Ldp)s
H(s)==(5.18)

Vi(s) s
2
+s(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)+RpRs/LdpLm

Donde: Rp=Rg+rp y Rs=n


2
(R
L
+rs)

Observamosque:
Albajarlafrecuencia,lafuncindetransferenciadisminuyedebidoaque
LdpyLmtiendenacomportarsecomocortocircuitos.
Alelevarlafrecuencia,lafuncindetransferenciatambindisminuye
debidoaqueLdpyLmtiendenacomportarsecomocircuitoabierto.
Lafuncindetransferenciatendrunvaloraltosloenlareginde
frecuenciasmedias;enella,Ldptenderacomportarsecomocortocircuito
yLmcomocircuitoabierto.

Enlaregindefrecuenciasmedias,lafuncindetransferenciaseconvierteen:
Vo(s) Rg+rp(nR
L
)
H(s)==
Vi(s) Rg+rp+n
2
(R
L
+rs)

DerivandoH(s)respectoden,eigualandoacero,podemosobtenerelvalorden
quehacemximaaH(s):
n
m
=[(Rg+rp)/(R
L
+rs)]
1/2
(5.19)

ElectrnicaAnalgicosII


402
ReemplazandoenH(s)obtenemos:
R
L

H
m
= (5.20)
2[(Rg+rp)(R
L
+rs)]
1/2

Loanteriorquieredecirquesiqueremosquelatensindesalidaseamximaenla
carga, debemos hacer que la relacin de transformacin sea dada por la ecuacin
5.19.

Las resistencias rp y rs de los devanados disminuyen la eficiencia del


transformador. El caso ideal se tiene cuando rp y rs valen cero y podemos definir
unaeficienciadeltransformador(
T
)comparndoloconelcasoideal:

P
L

T
= (5.21)
P
Lideal

Donde:
P
L
=(V
2
g/2R
L
)(R
2
L
/[4(Rg+rp)(R
L
+rs)]
Y P
Lideal
=(V
2
g/(8Rg))

Reemplazando:
T
=[Rg/(Rg+rp)][R
L
/(R
L
+rs)] (5.22)

Delaexpresinanteriorconcluimosque:

Paraelevarlaeficienciadebecumplirse: Rg>>rp y R
L
>>rs
Comnmente, los fabricantes de transformadores de audio indican los valores de
Rg y R
L
necesarios para que se cumpla esta condicin y, con la ecuacin (5.19)
podemoshallarlarelacindetransformacin.

Laecuacin(5.18)nosmuestraquehayunceroenelorigenydospolos.

Dependiendo de los valores de los parmetros, estos polos pueden ser reales o
complejos:

p
1
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]+0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2

p
2
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2

Sinembargo,enlostransformadoresdebandaanchasecumple: Lm>>Ldp
ElectrnicaAnalgicosII

403
Debido a ello, los polos estarn muy alejados uno del otro y podremos obtener
expresionesaproximadasparaellos:
p
1
=(Rp+Rs)/Ldp
p
2
=(Rp//Rs)/Lm

Sisecumple:Rp=Rs y Lm>10Ldp

Entonceslosvaloresaproximadosdelospolostienenunerrordentrodel5%

SisecumpleLm>100Ldp,elerrorbajaal1%paracualquierrelacinentreRpyRs

REDESLINEALESDESEGUNDOORDEN
Estetipoderedesposeendoselementosreactivosyrespondenalasiguiente
ecuacindiferencial:

d
2
y/dt
2
+2dy/dt+
o
2
y=f(t)(5.23)

Lasolucinparat>0esdelaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+yss(t)(5.24)

Los trminos: A
1
e
p1t
+ A
2
e
p2t
constituyen la solucin homognea, llamada
tambin respuesta natural o estado transitorio. Si los coeficientes p
1
y p
2
de los
exponentes (denominados polos) son negativos, las exponenciales sern
decrecientesydespusdeuntiempohabrndesaparecido,quedandosloyss(t).

Todo sistema estable debe tener un estado transitorio que desaparezca con el
tiempo. En caso contrario, si p
1
y p
2
son positivos, el estado transitorio nunca
desaparecersino queseincrementar permanentementeconelpasodeltiempo
yelsistemaserinestable

El trmino: yss(t) constituye la solucin particular, llamada tambin solucin


forzada o estado estacionario. Este trmino siempre tiende a ser del mismo tipo
quef(t).Sif(t)esdeformasinusoidal,yss(t)tambintenderasersinusoidal;Sif(t)
esdeformatriangular,yss(t)tambintenderasertriangular,etc.

Todo sistema estable debe siempre llegar al estado estacionario despus de un


determinadotiempo.

La estado transitorio puede llegar a tener, en este caso, varias formas,


dependiendodelosvaloresdey
o
.

ElectrnicaAnalgicosII


404
Sedenomina: =factordeamortiguacin

o
=frecuencianatural
Sedefinen:
Q=factordecalidad=
o
/2
=relacindeamortiguacin=/
o

BW=anchodebanda=2
Adems: p
1
=+(
2

o
2
)

(5.25)
p
2
=(
2

o
2
)

(5.26)
Cuando:
1. >
o
setieneestadotransitoriosobreamortiguado

Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucintomala
forma: y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+B

2. =
o
setieneestadotransitoriocrticamenteamortiguado

Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucintomala
forma: y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)+B

3. <
o
setieneestadotransitoriosubamortiguado

Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucintomala
forma: y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)

Donde:
d
=(
o
2

2
)


d
eslafrecuenciaamortiguada

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)+B

CIRCUITORLCPARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anterioresparaentenderelcircuito:
ElectrnicaAnalgicosII

405
I(t)
R
+
Vo
-
C L

Fig.5.29

Aplicandoelmtodode tensiones denodo podemoshallar laecuacin diferencial


paraelvoltajeVo:
d
2
Vo/dt
2
+(1/RC)dVo/dt+(1/LC)Vo=(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de


segundoordenyobtenemos:

=1/2RC

o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
RC=R(C/L)
1/2

Lospolosresultanteseneldominiodelafrecuenciaresultanser:
p1=+[
2

2
o
]
1/2
=+j[4Q
2
1]
1/2

p2=[
2

2
o
]
1/2
=j[4Q
2
1]
1/2

Podemos ver que para un valor de Q de 5 ms, los polos se pueden aproximar
conlasexpresiones:
p1=+j
o

p2=j
o

CIRCUITOLCYBOBINACONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.30.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,r,enserieconella:
+
Vo
-
I(t)
r
C
L

Fig.5.30
ElectrnicaAnalgicosII


406
Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtodode tensiones denodo podemoshallar laecuacin diferencial
paraelvoltajeVo:
d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de


segundoordenyobtenemos:

=r/2L

o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2

La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en


paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia
o

es:
Z
L
=r+j
o
L

Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)

Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r

Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q


2
r
Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:

+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L

Fig.5.31

CIRCUITOLCYCONDENSADORCONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.32.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,rc,enserieconella:
ElectrnicaAnalgicosII

407
+
Vo
-
I(t)
r
C
L

Fig.5.32

Obteniendolaecuacindiferencial:

Aplicandoelmtodode tensiones denodo podemoshallar laecuacin diferencial


paraelvoltajeVo:

d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de


segundoordenyobtenemos:

=r/2L

o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2

La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en


paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia
o

es:

Z
L
=r+j
o
L

Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)

Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q
2
r

Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
ElectrnicaAnalgicosII


408
+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L

Fig.5.31

CONTROLDEGRAVESYAGUDOS
Acontinuacinsemuestrauncircuitodecontroldetonosparaaudio.Estecontrol
de tonos tiene dos potencimetros que permiten ajustar la presencia de graves y
agudosenunasealdeaudio.

10uF / 16v / NP
1K5
22K
50K
2K2
10K
10nF
56nF 100K
10K
22K
4K7
10K
20K
100K
56nF
2K2
+
-
NE5532
5
6
7
2K2
10nF
100pF
+
-
NE5532
3
2
1
+
2.2uF
10K

Fig.5.32

Seutilizauncircuitointegradodealtasprestacionesparaaudioquecontieneensu
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/ 15V. El potencimetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsin o deformaciones en el audio disminuir ste
hasta lograr una reproduccin fiel. El potencimetro de 100K ajusta la cantidad de
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.
ElectrnicaAnalgicosII

409

Fig.5.33

Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
debe ir a +15V. La masa debe cablearse a 0V, que en integrado no se conecta mas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).

SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:UncircuitoparaleloRLC,comoelmostrado,seusacomofiltro
pasabanda.
C R L
1
2
Z(jw)

Fig.5.32

a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) SiR=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuenciasde:
50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250KHz
c) Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncinde
lafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.

PROBLEMA 2: Un circuito serie RLC, como el mostrado, se usa como filtro pasa
banda.
ElectrnicaAnalgicosII


410
L
1
2
C R
Z(jw)

a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) SiR=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuenciasde:
50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250khz
c) Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncinde
lafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.

PROBLEMA3:Eneltransformadormostradoenlafigura5.28,halle:
a) ElvalordeLsnecesarioparaacoplarunacargade8aunacuentecon3200
enelrangodefrecuenciasmedias...
b) Determine
L
y
H
paraestecaso
c) Laeficienciadeltransformador

PROBLEMA 4: Se van a transmitir 24 canales telefnicos con anchos de banda


individualesde300a3500hz.
a) Si estos canales se transmiten como banda lateral nica en multiplex por
distribucindefrecuencia,culeselanchodebandarequeridosiseasigna4
khzacadacanal?
b) CulseriaelanchodebandasisetransmitieraenAMnormal?

PROBLEMA 5: En el circuito del problema 4, halle el voltaje total de salida en el


drenadordelFET
Asuma:L=4H,C=2500pF,R=2K,o=10**(7)ym=10**(5)
LosparmetrosdelFETsonlosmismos.

PROBLEMA6:Unamplificadortienelasiguientegananciadevoltaje:
Av(s)=(100s)/[(1+s/100)(1+s/1000)]
a) TracelasgrficasdeBodedemagnitudyfaseenfuncindelafrecuencia.
b) Determine el margen de ganancia, el margen de fase y la frecuencia de
transicincuandolagananciasehaceiguala1.

PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelacorrientetotaldedrenador.
Elcircuitotanqueestsintonizadoalafrecuenciawo.
Cual debe ser la frecuencia wm para que el tanque slo deje pasar el rango de
frecuenciaswo+/wm?
ElectrnicaAnalgicosII

411
+10V
+
cos(wo t)
+
cos(wm t)
L
2uH
1
2
C2
10 uF
Idss = 4 mA
Vp = -4V
2V
Q1
JF1033B
1M
C
2.5nF
R
2K

PROBLEMA8:Enelsiguientecircuito,,medianteelanlisiseneldominiodela
frecuencia,determine:
a) Lafrecuenciadecorteinferior(fL)
b) Lafrecuenciadecortesuperior(fH)
c) Elanchodebanda
d) Lagananciaenfrecuenciasmedias
C1
20 pF
Ci
20 pF
gm Vi Co
10 pF Vs
+
Vo
-
+
Vi
-
Rs
1K
Ri
25K
+
gm = 15 mA/V
Ro
10K
RL
10 K
-

PROBLEMA9:DeterminelosDiagramasdeBodedelagananciadebucledeun
amplificadorrealimentado,siesdadapor:
T(jw)=2/(1+jw)**3
Determinetambinelmargendefaseyelmargendeganancia.

PROBLEMA10:DibujelosDiagramasdeBodeasintticosparalafuncinde
transferencia:
H(s)=10/[(1+s/25)(1+s/2500)(1+s/200000)]

PROBLEMA11:Diseeunamplificadorenemisorcomn,comoelmostrado,con
gananciaenfrecuenciasmediascomprendidaentre: 40|Ao|50
Frecuenciadecorteinferior:fL1KHz
ElectrnicaAnalgicosII


412
C2
RE2
RC
CE
C1
R2
R1
Rs
Q
2N2222
Vs RE1
+
Vo
-
RL
2K
VCC

Utiliceeltransistor2N2222(silicio,=100,VT=26mV,ICQ=2mA,VCEQ=5V)
VCC=12Vdc

PROBLEMA12:Diseeunamplificadordedrenajecomn,comoelmostrado,para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi 1 M, una
frecuenciadecorteinferior:fL1KHzyunafrecuenciadecortesuperior:fH=50
KHz

DatosdelMOSFET:Cds=1pF,Cgs=10pF,Cgd=10pF,ro=50K,gm=20mA/V,
Paraelpuntodeoperacin:IDQ=2mA,VGSQ=6VyVDSQ=10V

C4
CAP NP
RL
1K Vg
R2
Q
Rs
R1
15 V
C2
Rg
1K

ElectrnicaAnalgicosII

413

PROBLEMA13:Determinelarespuestaenfrecuenciadelsiguientecircuito.Asuma
queelOPAMPsecomportaenformaideal

R2
56.44K
RL
100K C3
CAP NP
Vs
1 Vpico
C1
47 nF
C2
47 nF
R3
28.22K
U7
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
R1
56.44 K
+ 15V
- 15 V

PROBLEMA 14: En el circuito mostrado halle las frecuencias de corte superior e


inferior.

+
Vi
-
gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
Cgd = 0
+
Vo
-
1k
10K
VCC
1uF
100uF
1M
RL
10K
1uF

PROBLEMA 15: Calcule los condensadores de acoplo y by pass en el siguiente


circuito, empleando la tcnica del polo dominante. Se requiere una frecuencia de
corteinferiorde100Hz.

Dadas las capacidades internas del MOSFET, determine la frecuencia de corte


superiorusandoelteoremadeMiller.
ElectrnicaAnalgicosII


414
3 K
+
Vi
-
rds = 100K
Co
gm = 0.002 s
+ 12 V
1 M
C3
Q1
10 M
5 M
Cgs = 2 pF
Cgd = 3 pF
10 K
Cs 1 K
+
Vo
-

PROBLEMA 16: Un cristal, empleado en un oscilador sinusoidal tiene un circuito


equivalentetalcomosemuestraacontinuacin:

2 MHz
CRISTAL
B
Cs
Rs
A
Co
A
Ls
B

Sisusparmetrosson:Rs=100, Cs=0.014pF Ls=0.45H Co=4pF


a) HallelaimpedanciaqueofreceentrelosterminalesAyB,emplendola
transformadadeLaplace
b) HallelagrficaasintticadeamplituddeBode.
c) Quanchodebandatieneelcristal?.

ElectrnicaAnalgicosII
415
DIAGRAMASDEBODE

RacesnormalizadasparafiltroBesseldesegundoorden:
S1=1.11030+j0.6388 S1=1.11030j0.6388

Funcindetransferencianormalizada:

1
H(s)=
s
2
+2.206s+1.6247

DiagramasdeBode:

Frequency (rad/sec)
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
Bode Diagrams
-40
-30
-20
-10
0
From: U(1)
10
-1
10
0
10
1
-200
-150
-100
-50
0
T
o
:

Y
(
1
)

ElectrnicaAnalgicosII
416
Circuitodefiltro:
C1
R1
R3
R2
+
Vo
-
+
Vi
-
C2

Funcindetransferencia:

1
H(s)=
(R
1
R
2
C
1
C
2
)s
2
+[R
1
C
1
+R
2
C
2
+R
1
R
2
C
1
/R
3
+R
1
C
2
].s+(1+R
1
/R
3
+R
2
/R
3
)

Luego,si: f
1
=1/R
1
C
1
f
2
=1/R
2
C
2
f
21
=1/R
2
C
1

f
31
=1/R
3
C
1
f
32
=1/R
3
C
2

f
1
f
2

H(s)=
s
2
+[f
1
+f
2
+f
21
+f
32
].s+(f
1
f
2
+f
2
f
31
+f
1
f
32
)

Paralafuncinnormalizada:
[f
1
+f
2
+f
21
+f
32
]=2.206
(f
1
f
2
+f
2
f
31
+f
1
f
32
)=1.6247

Elfactordeescalaes: F=(2x2x10
6
rad/s)/1rad/s=12.57x10
6


Entonces: [f
1
+f
2
+f
21
+f
32
]=2.206x12.57x10
6
=27.72x10
6

Y:
(f
1
f
2
+f
2
f
31
+f
1
f
32
)=1.6247x(12.57x10
6
)
2
=2.57x10
10

Tenemos:
C
2
=1.29nF R
2
=1.27 R
3
=100

Luego:
[1/R
1
C
1
+1/R
2
C
2
+1/R
2
C
1
+1/R
3
C
2
]=2.206x12.57x10
6
=27.72x10
6

Y: (1/(R
1
C
1
R
2
C
2
)+1/(R
2
R
3
C
1
C
2
)+1/R
1
R
3
C
1
C
2
)=2.57x10
10

Resolviendoestasecuacionessehallanlosvaloresde:R
1
yC
1

ElectrnicaAnalgicosII
417
BIBLIOGRAFA



1)MANUALDECIRCUITOSINTEGRADOS:SELECCIN,DISEOYAPLICACIONES
TOMO1
WILLIAMS,ARTHURB.
PrimeraEdicin1992
Colombia
MCGRAWHILL
2)COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
AddisonWesleyPublishingCompany
3)INGENIERIADECONTROLMODERNA
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
4)PROBLEMASDEINGENIERIADECONTROLUTILIZANDOMATLAB
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.