SEP DGEST SNEST

INSTITUTO TECNOLGICO DE MATAMOROS

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Diodos y transistores
Practica 4,5 y 6:
configuraciones de transistores

Alumno(s): Nm. de control:
Mario Arturo Cruz Colunga 11260077
Miguel Angel Fierros Pea 11260081
Hermenegildo Martnez de la Cruz 11260095
Jorge Alejandro Reyes Torres 11260108
Rubn Saldivar Rodrguez 11260117
Profesor: Ing. Carlos Octavio De la Cerda




H. MATAMOROS, TAM. 15 de noviembre de 2013
1

Fierros pea Miguel Angel
Email:miguelnov09@hotmail.com
Cruz Colunga Mario Arturo
Email:mario_crcolunga@hotmail.com
Reyes Torres Jorge Alejandro
Email:Jorge_199315@live.com.mx
Martnez De La Cruz Hermenegildo
Email: golden_electronics80@hotmail.com
Saldivar Rodrguez Rubn
Email: saldivar-53@hotmail.com

Resumen
En esta prctica fueron implementados diferentes
configuraciones de polarizaciones de circuitos con
transistores en este caso fueron el 2N2222 Y el 2N3903
para el primer circuito fue utilizado la configuracin de
polarizacin fija con esta configuracin se realizaron
una serie de clculos y mediciones con el Primer
transistor (2N2222) ,despus se utiliz el 2do(2N390)
transistor con la misma configuracin y se realizaron
casi los mismos clculos, eso en la primera parte de la
prctica .Ya par la segunda parte de la prctica se
utiliz el circuito polarizado por emisor pero ahora en
lugar de utilizar el 2N2222 se utiliz 2N3904 primero,
en esta se menciona redisear el circuito para mover el
punto de operacin y tambin realizarlo con el otro
modelo de transistor (2N2222).Ya para la tercera parte
de la prctica se us el circuito polarizado por divisor de
tensin se utiliz ambos transistores haciendo los
clculos y mediciones con uno y cambindolo para
realizar las mediciones correspondientes


Palabras Clave
Configuracin, operacin, estabilidad,
Objetivos:
Observar la estabilidad de las diferentes
configuraciones con dos diferentes modelos de
transistores.

Introduccin
La polarizacin por medio de divisor de voltaje
proporciona buena estabilidad del punto Q con un
voltaje de fuente de polaridad nica. Es el circuito
de polarizacin ms comn.
La polarizacin del emisor en general proporciona
una buena estabilidad de punto Q pero requiere
voltajes de alimentacin tanto positivos como
negativos.
La estabilidad de la configuracin de circuito de
polarizacin de la base es deficiente porque su
punto Q vara ampliamente con Bcd.


Caractersticas Generales
Material y Equipo:
Multmetro digital
2 resistores de 2.2 k a W
1 resistor de 27k a W
1 resistor de510 a W
2 transistores (2N3904 y 2N2222)
1 resistor de 470k
1 resistor de 4.7k
1 resistor de 47
1 resistor de 1k
1 resistor de 1.5k
1Fuente de alimentacin de regulada




























1

Desarrollo
Practica 4
I. Circuito de polarizacin fija
Arme el circuito que aparece en la figura 1

Antes de iniciar la prctica determine las
ganancias () de cada transistor.

1. Coloque el transistor 2N2222 en el
circuito y obtenga la corriente de base IB
midiendo el voltaje que cae en la
resistencia de base (470K) y
dividindola entre el valor medido de la
resistencia de base. Mida el voltaje entre
las terminales de colector y emisor del
transistor y utilice la formula IC = (VCC
VCE)/RC para determinar la corriente
real del colector.

2. En base a estas dos corrientes determine
la ganancia en corriente directa (dc) de
cada transistor. dc T1 (2N2222):
______________ dc T2 (2N3904):
______________
3. Utilice el transistor 2N2222 y dibuje la
recta de carga del circuito.

4. Determine el punto de operacin Q.

5. Redisee el circuito de la figura 1 de tal
forma que el punto Q de operacin quede
colocado en el centro de la recta de
carga. Dibuje el diagrama del circuito
diseado.

6. Indique la potencia que se encuentra
disipando el transistor y la potencia
que est proporcionando la fuente de
tensin VCC.

7. Tome las siguientes mediciones y
compare y explique las diferencias con
los valores calculados: VB, VC, IC, IB,
VCE, VCB.
8. Repita el procedimiento anterior con el
transistor 2N3904.
Desarrollo
Practica 5.
2. Circuito polarizado en emisor.
Arme el siguiente circuito Figura2. Y
cumpla con los requerimientos de
prctica.

1. Mida los siguientes valores: VB, VC, VE,
IC, IB, VCE, VCB.
2. Indique donde se encuentra el punto de
operacin.
3. Redisee el circuito para mover el punto
de operacin a los siguientes valores:
VCE = 8V y IC = 3mA aproximadamente.
Qu cambios tuvo que realizar en el
circuito?
4. Mida los siguientes valores en el circuito
rediseado: VB, VC, VE, IC, IB, VCE,
VCB.
5. Ahora utilice el transistor 2N2222 y
realice las mismas mediciones. El
circuito es estable o no? Explique sus
conclusiones.
6. Incluya el diagrama esquemtico del
nuevo circuito.
7. Indique cual es la potencia que est
disipando cada elemento en el
Circuito.





2

Desarrollo
Practica 6.
Ensamble el circuito de la figura 3.

1. Determine el voltaje VCE del circuito.
Realice las mediciones necesarias y
compare los resultados obtenidos,
explique sus diferencias.
2. Determine la potencia que est disipando
el transistor e indique si est operando en
forma segura. (para esto tiene que
encontrar la potencia mxima a disipar
por el transistor en cuestin en su hoja
caracterstica).
3. Dibuje la recta de carga del circuito e
indique cual es la corriente de saturacin
ICsat y el voltaje de corte.
4. Aumente el valor de IC hasta el valor
calculado como la corriente de saturacin
e indique que elementos del circuito se
tuvieron que cambiar para lograrlo. Mida
los voltajes VBE:____, VCE:_____ y el
voltaje en VCB:_____. En qu regin se
encuentra operando el transistor?
5. Disminuya el valor de IC hasta que el
voltaje en VCE sea igual al voltaje de
corte. Mida los voltajes VBE: ____, VCE:
_____ y el voltaje en VCB: _____. En
qu regin se encuentra operando el
transistor?
6. Arme nuevamente el circuito de la figura
3, y mida los valores de IC y VCE para el
punto Q de operacin.
7. Cambie el transistor por el 2N2222 y
mida nuevamente los valores de IC y
VCE para el nuevo punto Q de operacin.
Existe mucha diferencia entre ambas
mediciones? Anote sus conclusiones.























































3

Practica 4
Clculos y mediciones para obtener la Beta del
transistor 2n2222A

(1)
Valor real de R de 470
465k
VRB=14.3V
Sustituyendo valores en Ec. (1)

(2)

Valor real de RC de 2.7k
2.7k
Voltaje colector-emisor
VCE=0.24v
Voltaje de la fuente
VCC =15v

Sustituyendo valores en Ec. (2)

(3)

Sustituyendo datos en Ec. (3)
=

=179.17

Clculos y mediciones para obtener la Beta del
transistor 2n3904

Cada de voltaje en RB
VRB=14.19V
Sustituyendo valores en Ec. (1)

Valor real de RC de 2.7k
2.7k
Voltaje colector-emisor
VCE=1.33v
Voltaje de la fuente
VCC =14.96v
Sustituyendo valores en Ec. (2)

Sustituyendo datos en Ec. (3)
=

=165.43

Clculos para graficar recta de carga del transistor
2n2222A Grafica 1

VCEcorte= 15.01v
ICSat=

(4)
Sustituyendo valores en Ec. (4)
ICSat=

=5.59mA






4

Rediseo del circuito para mover el punto de
operacin
Ubicacin del centro de la recta de carga
ICm=2.79mA
VCEm=7.55v
IB=

RB=

(5)
Sustituyendo valores en Ec. (5)
RB=

Diagrama del circuito rediseado Figura 4

Potencia disipada por el transistor
PT=VCEIC=(7.55)(2.79mA) = 21.06mW

Potencia suministrada por la fuente
PT =VF(IR+IC) =15.1c(15.57mA+2.79mA)
PT =42.36mW

Mediciones realizadas de VB, VC, IC, IB, VCE, y VCB.
VB=0.64
VC=7.41
VCE=7.41
VCB=6.31
IC=2.89
IB=15A
Clculos realizados de VB, VC, IC, IB, VCE, y VCB.

(6)
Sustituyendo datos en la Ec. (6)

(7)
Usando la Ec. (7)

(8)
Sustituyendo datos en Ec. (8)

(9)
Sustituyendo valores en Ec. (9)

Comparando los datos medidos y calculados de la
tabla 1. Se observan algunas diferencias pero la
mayora son causadas por el uso de datos
aproximados o ideales en los clculos.
Tabla 1
Dato medido Calculado
VB 0.64V 0.7V
VC 7.41V 7.548V
IC 2.89mA 2.76mA
IB 15uA 15.42uA
VCE 7.41V 7.548V
VCB -6.31V -6.848V
















R1
927.4k
R2
2.7k
Q1
2N2222A
VDD
15V
Administrador (2013-11-15):
f igura 4
5

Clculos para graficar recta de carga del transistor
2n3904 figura. Grafica 2

VCEcorte= 14.96v

Sustituyendo valores en Ec. (4)
ICSat=

=5.54mA

Rediseo del circuito para mover el punto de
operacin
Ubicacin del centro de la recta de carga
ICm=2.77mA
VCEm=7.48v
IB=

Sustituyendo valores en Ec. (5)
RB=

Diagrama del circuito rediseado Figura 5

Potencia disipada por el transistor
PT=VCEIC=(7.48)(2.77mA) = 20.72mW

Potencia suministrada por la fuente
PT =VF(IR+IC) =(14.96)(16.74mA+2.77mA)
PT =41.69mW

Mediciones realizadas de VB, VC, IC, IB, VCE, y VCB.
VB=0.68V
VC=7.17V
VCE=7.18V
VCB=7.64V
IC=2.9mA
IB=17A
Clculos realizados de VB, VC, IC, IB, VCE, y VCB.

Sustituyendo datos en la Ec. (6)

Usando la Ec. (7)

Sustituyendo datos en Ec. (8)

Sustituyendo valores en Ec. (9)

R1
852k
R2
2.7k
Q1
2N2222A
VDD
15V
f igura 5
6

Comparando los datos medidos y calculados de la
tabla 2. Se observan algunas diferencias pero la
mayora son causadas por el uso de datos
aproximados o ideales en los clculos ya que los
valores reales y medidos en las resistencias son
un tanto diferentes.
Tabla 2
Dato medido Calculado
VB 0.68V 0.7V
VC 7.17V 7.521V
IC 2.9mA 2.77mA
IB 17uA 16.74uA
VCE 7.18V 7.521V
VCB -7.64V -6.821V




















































7

Practica 5
Valores medidos de VB, VC, VE, IC, IB, VCE, VCB.
VCC=20.2v
VB=6.2v
VC=10.5v
VE=6.6v
VCE=3.9v
VCB=2.3v
IC=4.32mA
IB=25A

Clculos para indicar el punto Q de la Grafica3.

(10)
Dando valores a Ec. (10).

Clculos realizados para mover el punto de
operacin a

y 3mA aproximadamente.
RC= 2.2k
RE=1.49k
=165.93
RB=505k
VF=20.2v

IC =

IB =

RB =

RE (1+) = =

1.49k
(1+165.93)
RB = 748k
Se realiz el cambio de la resistencia de base
para mover el punto de operacin figura 6.

Valores medidos en el circuito rediseado
VCC=20v
VB=4.8v
VC=12.4v
VE=5.1V
VCE=7.4v
VCB=4.6v
IC=3.35mA
IB=20A

Mediciones realizadas en el circuito reemplazando
el transistor por el 2N2222A
VCC=20.2v
VB=5.2v
VC=11.8v
VE=5.6V
VCE=6.2v
VCB=3.7v
IC=3.74mA
IB=19A

R1
748k
R2
2.7k
Q1
2N2222A
VDD
15V
R3
1.5k
f igura 6
8

El circuito no es estable se notaron variaciones en
las mediciones al hacer el reemplazo.

VF=20v

PRB = IB
2
RB =()
2
(748k)
PRB = 287.06

PRc = Ic
2
Rc =(3.24mA)
2
(2.2k)
PRc =23.09mW

PRE = (IB + Ic)
2
RE=(3.24mA+ 19.59 A)
2
(1.49k)
PRE = 15.83mW

PQ = VCEIC= 8v (3.24mA)
PQ= 25.92mW




















































9

Practica 6
Clculos para determinar el VCE
IB =

VBB=

= 1.66664v

RB =

IC=IB=(165.43)(5.66A)= 936.55

VCE= Vcc Ic(RC+RE)= 18-(936.55 )(3.2k)
VCE=15V

Mediciones
VCE= 14.7v R1 = 46.5k R2 = 4.87k

Los dos valores fueron casi exactos, las
diferencias pudieron ser provocadas por valores
de resistencias.

Clculos de potencia que disipa el transistor
PTRAN =VCEIC =(936.55 )(15V)= 14.05mW

El transistor Opera de forma segura debido a que
la hoja de datos indica un mximo de 625mW a
25
o
C lo cual se encuentra demasiado lejos.

Clculos para determinar la recta de carga con los
puntos de saturacin y corte Grafica 7.
Icsat=

5.625mA
VCEcorte=Vcc=18V

Clculos para mover el punto de operacin a
saturacin

RB=0.1RE =0.1(165.43)(1k)= 16.54K


VBB=ICQ (

) VRL = 5.625mA(

) 0.7v
VBB =4.33V


R1=RB

= (16.54K) (

= 21.72k

R2= RB (

) = (16.54K) (

68.8k

Se realiz el cambio de R1 yR2.
Mediciones en region de saturacin:
VBE=0.7v
VCE=0.15v
Vcb=0.55v

Clculos para mover el punto de operacin a corte
R1=RB

=16.54k
R2 =RB

Mediciones en regin de corte
VBE=0v
VCE=17.9v
Vcb=17.6v

Mediciones del circuito original figura 3
2N3904
Vf=18V
VCE=14.7V
IC=1.04mA

2N2222
Vf=17.9V
VCE=14.6V
IC=1.08mA
En las dos mediciones casi son exactamente
iguales los dos valores, este circuito es muy
estable.










10

Conclusiones
Se Pudo comprobar como dependa
los circuitos de la ganancia de
corriente, el primero de en los fue el
circuito de polarizacin fija que es la
configuracin ms dependiente de los
cambios de beta, despus realizamos
de la configuracin de emisor el cual
llevaba una resistencia en emisor,
que gracias a ello el circuito no
dependa de la corriente de base sino
de la corriente de emisor, y de esta
manera el circuito ya no dependa de
beta, tambin se hizo un problema de
diseo con la configuracin de divisor
de tensin en el cual se modificaba
las resistencias y de esta manera
alcanzar el punto ms estable del
circuito.