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11/6/2014 Estrategias para resolver problemas de transistores

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EstrategiaspararesolverproblemasdeTransistores
jrodriguez@cervera.uned.es
Podemosclasificarlostransistoresen2grandesgrupos:BJTyFET.
BJT(deunindipolar)
Estnformadospordosunionespnyconstande3terminales(colector,baseyemisor),quesecorrespondencon
lastreszonasdematerialsemiconductor.Porelemisorentraunflujodeportadoresqueatravsdelabasellegaal
colector(lossentidosdelacorrienteestnindicadosenlafigura).
Lostransistoresbipolaressesuelenusarenconfiguracionesdeemisorcomn,parapodercontrolarlacorrientede
salidaconunapequeacorrientedebase.
zonasdefuncionamiento:ACTIVA(tramohorizontal:i
C
=i
B
),CORTE(i
C
=i
B
=0),SATURACIN(tramovertical:
U
CE
<500mV).
FET(deefectodecampo)
Losterminalesenestecasoson:fuente(FoS),drenaje(D)ypuerta(GoP).Cabedistinguirenestegrupodostipos
diferenciados:losJFET(deunin)ylosMOSFET(deltipometalxidosemiconductor).
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LostransistoresMOSFETenconfiguracindeemisorcomnpresentanunaimpedanciadeentradamuyelevada.
zonasdefuncionamiento:CORTE(U
PF
<U
T
(umbral)yi
D
=0),INTENSIDADCONSTANTE(i
D
=g(U
PF
U
T
),RESISTENCIA
(relacinlinealentretensinycorrientedesalida).
Modelodegranseal
Elanlisisdeuncircuitocontransistoressepuederealizarconelmodelodegranseal,vlidoparatransistores
bipolaresyMOSFETconectadosenemisorcomn.
CORTE:circuitoabiertoalasalidayalaentrada
ACTIVA:fuentedecorrientedevalori
B
alasalidayfuentedetensincontinuade0.7Valaentrada
SATURACIN:cortocicuitoalasalidayfuentedetensincontinuaalaentrada
INTENSIDADCONSTANTE:fuentedeintensidaddevalorg(U
PF
U
T
)alasalidaycircuitoabiertoalaentrada
RESISTENCIA:resistenciaReqalasalida,devalorinversamenteproporcionalalatensindecontrolycircuito
abiertoalaentrada
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EjemploTRAN1
UntransistorBJTdetiponpny=100seconectadelasiguientemanera:labaseseconectaalterminalpositivode
unapilade5Vatravsdeunaresistenciade100kohmioselcolectorseconectaalterminalpositivodeotrapila
de10Vatravsdeunaresistenciade100ohmioselemisorseconectaalosterminalesnegativosdeambaspilas.
Enestascondicionescalculelacorrientedecolector.
EjemploTRAN2
UntransistorBJTdeltipoNPNcon=100,seconectaaunapilade30Vdelasiguientemanera:elcolectorse
conectaalterminalpositivodelapilaatravsdeunaresistenciade330ohmios.Labasetambinnseconectaal
mismoterminalpositivodelapilaatravsdeunaresistenciade560kohmios.Elemisordeconectadirectamenteal
terminalnegativodelapila.Calculelatensinentrecolectoryemisor.
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EjemploTRAN3
UntransistorNPNfuncionaenzonaactivacuandosubaseseconectaalterminalpositivodeunafuentedetensin
de5Vatravsdeunaresistenciade10kohmios,sucolectorseconectaalterminalpositivodeunafuentede20V
atravsdeunaresistenciade100ohmiosyelemisorseconectaalosterminalesnegativosdeambasfuentes.Si
=100,calculelacorrientequecirculaporelcolector.
EjemploTRAN4
Si=100yU
CC
=20Vculeslazonadetrabajodelcircuitodelafigura?
EjemploTRAN5
Dadoelcircuitodelafiguradetermineenquezonadetrabajoseencuentraeltransistor(=100).
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EjemploTRAN6
UntransistorBJTdeltipoNPNseencuentraenuncircuitoelectrnicoypresentalassiguientestensionesentresus
terminales:U
EB
=0.7VyU
CB
=0.7V.Enestascondiciones,enquzonaesttrabajandoeltransistor?.
EjemploTRAN7
Eltransistordelafigura,deparmetro=100,alimentaunacargade1kohmioapartirdeunabaterade15V.
Calcularlapotenciadisipadaporeltransistrorenlosdoscasossiguientes:a)U
E
=0Vb)U
E
=30V.
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