HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

A lo largo de la historia, la humanidad, siempre ha tenido la necesidad de trabajar con datos. Por supuesto, el
mundo de la programacin en la computacin no poda ser menos. E igual que con todo, los comienzos
resultaron ser rudimentarios, cuando menos, teniendo que mover la informacin bit a bit. Mejorando esto,
pasamos a formar palabras, los bytes, automatizando el proceso. Derivado de estos comienzos, acabamos
con el diseo de la tabla ASCII, que asignaba 1 valor a cada una de las 256 posibles combinaci ones de una
red de 16x16 bytes.
Sin embargo, el proceso segua siendo demasiado lento, adems de poco productivo, pues los
programadores no vean los resultados "en pantalla", si no que tenan que imprimir el estado del programa.
Con el paso del tiempo, pasamos de depender de tarjetas perforadas a memorias de acceso secuencial, que
tenan que ser ledas de principio a fin. Y en diferencia con estas cintas de memoria, surgi nuestra RAM, o
"Memoria de Acceso Aleatorio" (Random Access Memory).

QUE ES LA MEMORIA RAM
Son las siglas de random access memory o memoria de acceso aleatorio, es un tipo de memoria que permite
almacenar y/o extraer informacin (Lectura/Escritura), accesando aleatoriamente; es decir, puede acceder a
cualquier punto o direccin del mismo y en cualquier momento (no secuencial).
La memoria RAM, se compone de uno o ms chips y se utiliza como memoria de trabajo para guardar o borrar
nuestros programas y datos. Es un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando el computador se
queda sin energa.





Tipos de memoria RAM
VRAM
Siglas de Vdeo RAM, una memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de
la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma
simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al
mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos
grficos aunque es ms cara que la una RAM normal.





SIMM
Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito
impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa
de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a
diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.
Hay de dos tipos de 30 y de 72 pines. Los de 30 vienen en capacidades de 256K y 1Mb y ya casi no se usan.
Los de 72 vienen en versiones de 4, 8, 16, 32. Su principal desventaja: trabajan en pares.

DIMM
Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito
impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa
generalmente un conector de 168 contactos. No se pueden mesclar DIMM y SIMM.

DIP
Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una
caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado.

RAM Disk
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de
un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son
aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para
aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.
Dado que estn constituidos por RAM normal. Los RAM disk pierden su contenido una vez que la
computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro real al
inicio de la sesin y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la mquina. Observe que en el caso de
fallo de alimentacin elctrica, se perdern los datos que hubiera en el RAM disk. El sistema operativo DOS
permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual
DISK, otro nombre de los RAM Disks.




Memoria Cach RAM Cach
Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de
la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos
de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una
memoria cach, llamada tambin a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria
RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como
memoria principal. La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los
mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta
DRAM.
Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach
juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por
cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las
estrategias para determinar qu informacin debe de ser puesta en el cach constituyen uno de los problemas
ms interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cach estn construidas en la
arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una cach L2 de 512
Kbytes.
El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de
alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha
accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa
necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya
estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que
acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco
duro.

SRAM
Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms
comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada
menos veces que la RAM dinmica.
Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las
RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10
nanosegundos.
Un bit de RAM esttica se construye con un como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un
lado a otro basndose en cul de los dos transistores es activado. Las RAM estticas no precisan de
circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan ms espacio y usan ms energa.
La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach.

DRAM
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente
refrescada (re-energizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para
representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener
las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM
(dinmica y esttica) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentacin. Contrasta con la RAM
esttica.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinmica se indica errneamente como un tipo de
encapsulado; por ejemplo se venden DRAMs, SIMMs y SIPs, cuando debera decirse DIPs, SIMMs y SIPs
los tres tipos de encapsulado tpicos para almacenar chips de RAM dinmica.
Tambin algunas veces el trmino RAM (Random Access Memory) es utilizado para referirse a la DRAM y
distinguirla de la RAM esttica (SRAM) que es ms rpida y ms estable que la RAM dinmica, pero que
requiere ms energa y es ms cara.

SDRAM
Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona. Este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y est
diseada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera
intermedios. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est
accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM
ms rpida. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM),
permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs.

FPM
Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El
acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado,
era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pgina, la fila se selecciona
solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La
memoria en modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM,
FPM DRAM. El trmino fast fue aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100
nanoseconds e incluso ms.

EDO
Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de
memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips
de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento
ser el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo
ciclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin
para las siguientes direcciones y un estado pipeline que solapa las operaciones.

PB SRAM
Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama pipeline a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso
simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo
datos o instrucciones en una tubera conceptual con todas las fases del pipe procesando simultneamente.
Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando, la computadora est decodificando la siguiente
instruccin. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones
de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.