TRANSISTOR BIPOLAR

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis

parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres
tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de
circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un
circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas,
existirn unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por
completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que
relacionan VBE con IBy VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son
facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base
IB. Estas grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de
transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un
diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern
de gran ayuda para localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede
aplicarse dado que la unin base - emisor, es una pn normal, igual que
la de diodo, y al polarizarla, seguir el mismo comportamiento que
aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas VCE-IC
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector,
ya que son las correspondientes a la tensin e intensidad del colector.
En la siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector
para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende
exclusivamente de la de base, a travs de la relacin IC=+IB. Por lo
tanto, en el plano VCE-IC la representacin estar formada por rectas
horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en
este caso se ha representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no
emborronar el grfico. Para IB=0, la corriente de colector tambin debe
ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por
contra, para VCE=0 el transistor entra en saturacin, luego esta regin
queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar,
la realidad es un poco ms compleja, y las curvas quedarn como
representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente
independiente de la tensincolector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para VCE=0, sino
que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una
tensin de saturacin comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento
del transistor. Se puede comprobar que, para una tensin constante de
colector-emisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente de
base (del orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente de
colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce
la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy
poco a la corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por
encima de VCEO), la unin del colector entra en la regin de ruptura y
ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin VCE es muy
pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy
dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin,
para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de corriente,
la tensin de polarizacin inversa VCE debe mantenerse por encima de
0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.
Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una
determinada resistencia de carga y averiguar el punto de
funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del
transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn),
podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de
carga RL. La tensin aplicada a esta resistencia se corresponder con la
tensin total aplicada por la fuente VCC menos la cada de tensin que se
produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la recta de
carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay
que hacer es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector,
obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de
carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales:
puntos de corte, punto de saturacin, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva
correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa
polarizacin directa a que queda sometido el diodo de emisor-base, la
corriente que aparece por el colector es prcti-
camente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga ICEO).
Haciendo una aproximacin, se puede decir, sin equivocarse mucho,
que el punto de corte se da en la interseccin de la recta de carga con el
eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la
intensidad de base de saturacin. En este punto, la corriente de colector
es la mxima que se puede dar para la operacin de transistor, dentro
de los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se
puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la
recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce
tambin el efecto de saturacin en el transistor.

El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma
normal y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de
saturacin. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para
una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de
interseccin de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha
corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un
transistor, se tiene que procurar que el transistor nunca opere por
encima de la curva de potencia mxima. Esto se consigue eligiendo
valores adecuados de la tensin de fuente VCC y de la resistencia de
carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores,
est siempre por debajo de la curva de potencia mxima. En la figura
siguiente, es esquematiza esta situacin: