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FABRCIO SILVEIRA CHAVES

AVALIAO TCNICA DO DESEMPENHO DA


COMPENSAO REATIVA SHUNT CAPACITIVA
APLICADA EXPANSO DE SISTEMAS ELTRICOS






Tese de Doutorado apresentada ao Programa de Ps-
Graduao em Engenharia Eltrica da Escola de
Engenharia da Universidade Federal de Minas Gerais

rea de Concentrao: Engenharia de Potncia
Linha de Pesquisa: Sistemas de Energia Eltrica


Orientadora: Prof
a
. Maria Helena Murta Vale









PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA - PPGEE
UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS - UFMG
BELO HORIZONTE
2007


i
























Dedico este trabalho a todos que entraram na minha histria de vida
e me ensinaram a crescer e a ser gente Deus, meus pais, minha irm,
Prof
a
. Maria Helena Murta Vale minha grande orientadora,
minha namorada Michelle,
meus amigos verdadeiros,
meus parentes,
meus professores de ontem e de hoje.




ii

AGRADECIMENTOS
Obrigado, Senhor!
Por ter permitido que fossem meus pais: Saturnino e Luciana, senhores de tanta
coragem, responsabilidade, energia e amor. Sem a dedicao deles no teria chegado onde
estou hoje.
Por ter dado minha me tamanha pacincia, habilidade e persistncia para me
ajudar em tudo de que precisei.
Por ter sido eu a prova mais concreta de tudo aquilo que meus pais plantaram.
Por ter sido eu alvo do incentivo e da alegria de minha irm Sabrina.
Por ter como namorada Michelle que suportou o estresse da finalizao da tese e,
com muita compreenso, esteve sempre ao meu lado.
Por ter colocado em meu caminho a professora Maria Helena Murta Vale que me
reergueu nos momentos difceis, nunca me abandonando mesmo em situaes
embaraosas, e me orientando para que eu conseguisse alcanar a glria.
Por ter sido propiciada por engenheiros da CEMIG a oportunidade de se fazer um
estudo dentro daquela empresa.
Por ter convivido com Francisco, Jos Roberto, Roberto Mrcio Coutinho, Sebastio
Otvio, Tiago, engenheiros da CEMIG que me esclareceram as dvidas e me ajudaram a
solucionar as dificuldades encontradas durante a pesquisa.
Por ter recebido o apoio dos meus amigos do LRC Alberto, Amilton, Cludia,
Fernando, Fuad, Luiz Mariano Jnior, Marcelo, Renato, Rosilene, Walmir, Werveson para
resolver problemas de ordem tcnica e burocrtica e tambm por terem tornado o doutorado
uma luta mais amena.
Por ter colocado a meu lado pessoas to especiais.
Por tudo enfim que tornou possvel eu ser digno desta grande vitria.

iii
RESUMO
Este trabalho apresenta uma Estratgia para definio da Compensao Reativa Shunt
Capacitiva aplicada s atividades de Expanso dos Sistemas Eltricos de Potncia. A
compensao reativa traz vrios benefcios para os sistemas eltricos dentre os quais
destacam-se: maior e melhor aproveitamento do sistema existente, equilbrio no balano
gerao/consumo de potncia reativa, fatores de potncia ajustados e perfil de tenso
adequado. Adicionalmente, constitui-se em alternativa bastante atrativa em termos
econmicos.
Controlar os sistemas eltricos de forma otimizada tem se configurado cada vez mais uma
tarefa no trivial, fato este que vem justificar o grande interesse do setor eltrico no
desenvolvimento de Estratgias de Controle. A definio da compensao reativa se torna
ainda mais complexa quando se deseja melhor qualidade de energia sem problemas de
colapso de tenso, sem sobretenses e sobrecorrentes e com o mnimo possvel de
distoro harmnica da tenso e da corrente.
O planejamento da expanso, no que concerne compensao reativa, composto por
quatro passos bsicos: (i) seleo do sistema a ser estudado; (ii) definio da compensao
reativa e controle de tenso; (iii) avaliao tcnica e econmica da alternativa; (iv)
estruturao do plano de expanso.
Neste trabalho so definidos e detalhados procedimentos relativos avaliao tcnica de
alternativas. Tal avaliao realizada por meio da anlise do comportamento do sistema
eltrico nos seguintes aspectos: estabilidade de tenso, atravs de curvas PV e QV;
transitrios eletromagnticos, onde so realizadas simulaes de manobra de capacitores
para barras crticas; harmnicos, em que se verificam as distores das formas de onda de
tenso e corrente amplificadas pelos capacitores sugeridos. A tese expe propostas de
alterao da compensao inicialmente indicada, caso os resultados da avaliao apontem
tal necessidade.
Trs procedimentos so apresentados: Individual, Global e Otimizado Expandido. Os
resultados da aplicao da metodologia proposta na tese em redes eltricas reais so
registrados, de maneira a demonstrar, detalhar e exemplificar os diversos passos dos
procedimentos para cada avaliao tcnica.

iv

ABSTRACT
This work presents a strategy for definition of the Capacitive Shunt Reactive Compensation
applied to Power Systems Expansion activities. The reactive compensation brings some
benefits for electrical systems: greater and better exploitation of the existing electrical
system, power factor correction and adequate voltage profile. Besides, this is an attractive
expansion alternative regarding economic aspects.
The problem involved with reactive compensation is not trivial and the expansion plan
preparation becomes a complex task, fact that justifies the great interest of the electric sector
in the development of Control Strategies. The definition of the reactive compensation
becomes still more complex when a better quality of energy is desired, without voltage
collapse, overvoltage and overcurrent problems and with small harmonic distortion of voltage
and current waves. These problems result in damage for energy companies, consumers and
electrical power system sector.
Expansion planning tasks considers the following steps: (i) Power System Diagnosis
Evaluation, in order to detect any deficiency; (ii) Reactive Compensation Equipment
Definition; (iii) Economical and Technical Evaluation of the alternatives; (iv) Selection of the
most adequate alternative and Preparation of the Expansion Plan.
In this work, the procedures related to the technical evaluation of alternatives are defined and
detailed. This evaluation is realized by the analysis of the electrical system behavior with
respect to the following aspects: voltage stability, by the use of PV and QV curves;
electromagnetic transient, where simulations of switching capacitors for critical buses are
done; harmonic, where the distortions of the voltage and current wave forms, amplified by
the suggested compensation, are verified. The thesis presents also specific procedures for
compensation alteration, if the evaluation step indicates this necessity.
Three procedures are detailed in this work: Individual, Global and Extended Optimized.
Application results of the proposed strategy in real electric networks are presented, in way to
demonstrate and illustrate the steps of the procedures.


v
SUMRIO
1. INTRODUO...................................................................................................................1
1.1. Consideraes Iniciais..............................................................................................1
1.2. Relevncia do Tema e Contribuies.......................................................................2
1.3. Motivao e Objetivo................................................................................................4
1.4. Estrutura do Trabalho...............................................................................................4

2. CONTEXTUALIZAO DO TEMA E CONCEITOS BSICOS............................. 6
2.1. Contextualizao do Tema.......................................................................................6
2.1.1. Compensao Reativa e Controle de Tenso....................................................... 6
2.1.1.1. Polticas, Critrios e Procedimentos para CR/CT.................................................... 9
2.1.2. Estabilidade de Tenso........................................................................................ 11
2.1.3. Transitrios Eletromagnticos.............................................................................. 13
2.1.4. Harmnicos .......................................................................................................... 15
2.2. Conceitos Bsicos e Literatura Tcnica Relevante ................................................16
2.2.1. Compensao Reativa Shunt Capacitiva ............................................................ 16
2.2.2. Estabilidade de Tenso........................................................................................ 18
2.2.3. Transitrios Eletromagnticos.............................................................................. 25
2.2.4. Harmnicos .......................................................................................................... 38
2.3. Consideraes Finais .............................................................................................54

3. AVALIAO DA COMPENSAO REATIVA
PROCEDIMENTOS INDIVIDUAIS....................................................................... 55
3.1. Consideraes Preliminares...................................................................................55
3.2. Estabilidade de Tenso..........................................................................................56
3.2.1. Questo a ser Solucionada.................................................................................. 56
3.2.2. Procedimento Proposto........................................................................................ 56
3.2.3. Aplicao do Procedimento Proposto.................................................................. 59
3.3. Transitrios Eletromagnticos ................................................................................78
3.3.1. Questo a ser Solucionada.................................................................................. 78
3.3.2. Procedimento Proposto........................................................................................ 78
3.3.3. Aplicao do Procedimento Proposto.................................................................. 85
3.4. Harmnicos ............................................................................................................95


vi
3.4.1. Questo a ser Solucionada.................................................................................. 95
3.4.2. Procedimento Proposto........................................................................................ 96
3.4.3. Aplicao do Procedimento Proposto................................................................ 105
3.5. Anlise dos Resultados dos Procedimentos Individuais ......................................115
3.6. Consideraes Finais ...........................................................................................118

4. PROCEDIMENTO GLOBAL PARA A AVALIAO TCNICA DA
COMPENSAO REATIVA...............................................................................119
4.1. Consideraes Iniciais..........................................................................................119
4.2. Procedimento Global para a Avaliao Tcnica...................................................120
4.3. Aplicao do Procedimento Global ......................................................................125
4.4. Procedimento Otimizado Expandido ....................................................................141
4.5. Consideraes Finais ...........................................................................................146

5. CONCLUSES E PROPOSTAS DE CONTINUIDADE......................................147

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.......................................................................149

APNDICE A ESTABILIDADE DE TENSO DEFINIES DE INTERESSE 159
A.1. Definies de Interesse...........................................................................................159
A.2. Anlise de Sensibilidade Barras Candidatas .......................................................161

APNDICE B TRANSITRIOS ELETROMAGNTICOS
ESTUDOS COMPLEMENTARES..................................................164
B.1. Definies de Termos Utilizados no Texto..............................................................164
B.2. Barras Crticas de Transitrios Eletromagnticos...................................................165
B.3. Simulaes de Chaveamento de Capacitores Resultados Adicionais.................172
B.4. Modelagem Utilizada na Simulao dos Transitrios .............................................178

APNDICE C ESTUDOS BSICOS SOBRE HARMNICOS ............................180

APNDICE D RESTRIES IMPOSTAS PELO SETOR ELTRICO ................190
D.1. Tenso em Regime Permanente ............................................................................190
D.2 Fator de Potncia .................................................................................................191
D.3. Distoro Harmnica...............................................................................................192
D.4. Recomendao IEEE para Prticas e Requisitos para Controle de Harmnicas
no Sistema Eltrico de Potncia: IEEE-519 .............................................................194


vii
Lista de Tabelas
Captulo 2
Tabela 2.1. Distoro da corrente de algumas cargas [Arentz 03]. ...................................................................... 44
Tabela 2.2. Comparao entre filtros ativos e passivos [Izhar 03]. ...................................................................... 53
Captulo 3
Tabela 3.1. Dados do sistema eltrico exemplo. .................................................................................................. 60
Tabela 3.2. Resultados do clculo do vetor tangente. .......................................................................................... 61
Tabela 3.3. Compensao reativa sugerida (Mvar) para cada ano de planejamento........................................... 64
Tabela 3.4. Fator de potncia das barras em cada ano de planejamento. ........................................................... 64
Tabela 3.5. Tenses das barras em cada ano de planejamento. ......................................................................... 64
Tabela 3.6. Parmetros de estabilidade de tenso da barra B12 em cada ano de planejamento........................ 66
Tabela 3.7. Compensao reativa necessria para se atingir a tenso desejada no ano 7. ................................ 67
Tabela 3.8. Compensao reativa necessria para se atingir o fator de potncia desejado no ano 7. ................ 68
Tabela 3.9. Alterao da compensao reativa no ano 7..................................................................................... 68
Tabela 3.10. Limites de compensao reativa para a alterao do ano 9............................................................ 69
Tabela 3.11. Alterao da compensao reativa no ano 9................................................................................... 69
Tabela 3.12. Limites de compensao reativa para a alterao do ano 10.......................................................... 70
Tabela 3.13. Alterao da compensao reativa no ano 10................................................................................. 70
Tabela 3.14. Nova compensao reativa (Mvar) e parmetros de estabilidade de tenso para cada ano de
planejamento. .................................................................................................................................... 71
Tabela 3.15. Resultados da anlise de sensibilidade do WANAREDE-GRF. ...................................................... 72
Tabela 3.16. Variao da tenso (em pu) das barras da primeira coluna com a alocao de 1 Mvar nas da
primeira linha. .................................................................................................................................... 72
Tabela 3.17. Parmetros de estabilidade de tenso no ano 10 para diferentes barras candidatas. .................... 73
Tabela 3.18. Escolha de B4 como barra candidata comparada seleo de B3 e B5. ....................................... 74
Tabela 3.19. Parmetros de estabilidade de tenso no ano 10 para vrias alternativas de CR. ......................... 74
Tabela 3.20. Resultados do clculo do vetor tangente para o ano 10.................................................................. 75
Tabela 3.21. Margem de potncia reativa, MET e TPC no ano 10 para vrias alternativas de CR...................... 75
Tabela 3.22. Perdas eltricas e carregamento de linhas para vrias alternativas de CR..................................... 77
Tabela 3.23. Coeficientes de reflexo e refrao do circuito da figura 3.12. ........................................................ 82
Tabela 3.24. Limites de sobretenso e sobrecorrente para 400 manobras por ano............................................. 84
Tabela 3.25. Dados do sistema eltrico exemplo. ................................................................................................ 86
Tabela 3.26. Dados dos nveis de carga (leve, mdia e pesada) e sua CR sugerida. ......................................... 86
Tabela 3.27. Dados de linha e carga do circuito simplificado da figura 3.16 para o clculo dos
coeficientes da tabela 3.28 ................................................................................................................ 87
Tabela 3.28. Coeficientes de reflexo e refrao do sistema eltrico exemplo. ................................................... 87
Tabela 3.29. Classificao das barras pelos ndices C
i total
................................................................................... 88
Tabela 3.30. Tenses e fatores de potncia nas barras com a compensao sugerida inicialmente e com a
modificada. ........................................................................................................................................ 95


viii
Tabela 3.31. Dados do sistema eltrico exemplo. ...............................................................................................106
Tabela 3.32. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites...........................................109
Tabela 3.33. Fatores de potncia das barras com a presena de harmnicos. ..................................................109
Tabela 3.34. Valores de r
lim
para cada barra na 5, 6 e 9 ordens harmnicas. .................................................110
Tabela 3.35. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites depois da alterao do
plano de expanso............................................................................................................................111
Tabela 3.36. Fatores de potncia das barras com a presena de harmnicos depois da alterao do
plano de expanso............................................................................................................................112
Tabela 3.37. Tenses e FP das barras com a CR sugerida inicialmente e com a modificada. ...........................113
Tabela 3.38. Resultados de compensao reativa dos procedimentos individuais. ............................................115
Tabela 3.39. Perdas eltricas para as CRs indicadas para cada avaliao tcnica e para a CR Final...............117
Captulo 4
Tabela 4.1. Dados iniciais e a CR sugerida pela alterao feita na avaliao tcnica de
estabilidade de tenso. .....................................................................................................................126
Tabela 4.2. Dados de entrada para a AVT. .........................................................................................................126
Tabela 4.3. Dados dos nveis de carga do sistema eltrico exemplo no ano 10 e sua CR Sugerida. .................127
Tabela 4.4. CR Modificada pela AVT que corresponde aos dados de entrada da AVH. .....................................131
Tabela 4.5. Dados de entrada da AVH. ...............................................................................................................131
Tabela 4.6. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites.............................................133
Tabela 4.7. Capacitores indesejados para cada conjunto de compensao reativa em carga mdia.................134
Tabela 4.8. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites para CR Mdia 1.................135
Tabela 4.9. Capacitores indesejados para cada conjunto de compensao reativa em carga pesada...............136
Tabela 4.10. Restries de mnimo (CRharm1) e mximo (CRharm2) de compensao reativa (em Mvar)
da AVH. ............................................................................................................................................139
Tabela 4.11. CR do passo ii para nveis de carga para o ano 10. .......................................................................139
Tabela 4.12. Compensaes reativas sugeridas para cada avaliao tcnica do passo ii para o ano 10. .........140
Tabela 4.13. Perdas eltricas e carregamento de linhas para as CR sugeridas aps as avaliaes tcnicas....140
Tabela 4.14. Restries de mximo e mnimo de compensao reativa (em Mvar) para cada
avaliao tcnica e para os limites resultantes.................................................................................143
Tabela 4.15. Restries de tenso mxima e mnima para cada barra...............................................................144
Tabela 4.16. Tenso e compensao reativa das barras aps a otimizao. .....................................................144
Tabela 4.17. Comparao das perdas eltricas e carregamento de linhas para as CR sugeridas neste texto. ..145
Tabela 4.18. CR OTM Final para nveis de carga para o ano 10. .......................................................................145
Apndice A
Tabela A.1. Resultados do exemplo da anlise de sensibilidade. .......................................................................162
Apndice B
Tabela B.1. Coeficientes de reflexo e refrao do circuito da figura B.1. ..........................................................169
Tabela B.2. Parmetros que atingem maiores valores de ST e SC. ...................................................................175
Tabela B.3. Resultados das simulaes descritas anteriormente. ......................................................................177


ix
Apndice D
Tabela D.1. Limites para os valores de tenso de nvel igual ou superior a 230 kV............................................190
Tabela D.2. Limites para os valores de tenso de nvel igual ou superior a 69 kV e inferior a 230 kV................191
Tabela D.3. Limites para os valores de tenso de nvel igual ou superior a 1 kV e inferior a 69 kV....................191
Tabela D.4. Fator de Potncia Operacional nos pontos de conexo...................................................................191
Tabela D.5. Limites globais de tenso expressos em porcentagem da tenso fundamental. .............................193
Tabela D.6. Limites individuais expressos em porcentagem da tenso fundamental..........................................193
Tabela D.7. Limites de distoro da corrente para sistemas de distribuio (120 V a 69 kV). ............................195
Tabela D.8. Limites de distoro da corrente para sistemas de sub-distribuio (69001 V a 161 kV). ...............195
Tabela D.9. Limites de distoro de corrente para sistemas de alta tenso (>161kV) e sistemas de gerao
e co-gerao isolados.......................................................................................................................195



x
Lista de Figuras
Captulo 2
Figura 2.1. Passos bsicos do procedimento. ...................................................................................................... 10
Figura 2.2. Curvas PV chaveamento de capacitores [Prada 06]. ...................................................................... 12
Figura 2.3. Circuito equivalente da equao 2.15. ............................................................................................... 28
Figura 2.4. Circuito exemplo para as equaes 2.17 e 2.18. ............................................................................... 31
Figura 2.5. Modelo do resistor de pr-inserso. ................................................................................................... 35
Figura 2.6. Ressonncia paralela (a) entre o sistema e o capacitor (X
S
= X
C
) e (b) entre a carga e o capacitor
(X
L
= X
C
) ............................................................................................................................................... 46
Figura 2.7. Ressonncia srie (a) entre o sistema e o capacitor (X
S
= X
C
) e (b) entre X
B
e o capacitor
(X
B
= X
C
). .............................................................................................................................................. 46
Figura 2.8. (a) Rede simplificada para a representao da impedncia prpria e (b) seu circuito equivalente. ... 47
Figura 2.9. (a) Harmnica de corrente inserida pela carga; (b) harmnica de tenso inserida pelo sistema. ...... 48
Figura 2.10. Ilustrao da ressonncia paralela e srie em um grfico de impedncia prpria versus
freqncia. ......................................................................................................................................... 49
Captulo 3
Figura 3.1. Fluxograma da avaliao tcnica de compensao reativa. .............................................................. 56
Figura 3.2. Fluxograma da avaliao tcnica de CR com relao estabilidade de tenso. ............................... 57
Figura 3.3. Sistema eltrico exemplo de 14 barras da regio Sudeste do Brasil. ................................................ 60
Figura 3.4. Curva PV da barra B12 sem e com a CR sugerida e com a modificao do tap. .............................. 62
Figura 3.5. Curva QV das barras de carga com a CR sugerida e alterao do tap.............................................. 62
Figura 3.6. Curva QV da barra B12 sem e com a CR sugerida e com a modificao do tap. .............................. 63
Figura 3.7. Curva PV da barra B12 com a instalao de diferentes capacitores durante o horizonte de
planejamento. ....................................................................................................................................... 65
Figura 3.8. Curva PV da barra B12 com a instalao dos novos montantes de CR durante os anos. ................. 71
Figura 3.9. Curva PV da barra B12 com a instalao de 17,7 Mvar em B4. ........................................................ 73
Figura 3.10. Curva QV da barra B7 para o ano 10 para vrias alternativas de CR. ............................................. 76
Figura 3.11. Fluxograma da avaliao tcnica de CR com relao a transitrios eletromagnticos. ................... 79
Figura 3.12. Circuito para o clculo dos coeficientes de reflexo e refrao e, conseqentemente, C
i total
. ......... 80
Figura 3.13. Sobretenses geradas nos pontos N
2
, N
3
, N
4
e N
5
do circuito da figura 3.12 quando so
consideradas as situaes: (a) os capacitores instalados e as reatncias so desprezadas; (b) so
includos os bancos de capacitores; (c) situao (b) com a considerao tambm das reatncias..... 82
Figura 3.14. Sobretenses e sobrecorrentes em funo do nmero de manobras e do tempo de ocorrncia
em segundos [Freire 01a] .................................................................................................................. 84
Figura 3.15. Sistema eltrico exemplo de 14 barras da regio Sudeste do Brasil................................................ 85
Figura 3.16. Circuito simplificado para se calcular os coeficientes de reflexo e refrao das matrizes C e D.... 87
Figura 3.17. Rede eltrica equivalente modelada para simular no ATPDraw a anlise 1 para
as barras B9 e B14. ........................................................................................................................... 88
Figura 3.18. Rede eltrica equivalente modelada para simular no ATPDraw a anlise 2 para B14..................... 89


xi
Figura 3.19. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra dos bancos das barras B9 e B14,
respectivamente. ............................................................................................................................... 89
Figura 3.20. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do segundo banco da barra B14. .............. 90
Figura 3.21. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do banco da barra B12 com a adio de
1,2 Mvar de B9. ................................................................................................................................. 92
Figura 3.22. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do segundo banco da barra B12 com a
adio de 6 Mvar de B14................................................................................................................... 93
Figura 3.23. Corrente do segundo banco da barra B14 com a utilizao de diferentes equipamentos de
manobra: (a) disjuntor comum; (b) reator de pr-insero; (c) resistor de pr-insero;
(d) chaveamento controlado. ............................................................................................................. 93
Figura 3.24. Rede eltrica equivalente modelada para simulao no ATPDraw da anlise 1 para B7. ............... 95
Figura 3.25. Fluxograma da avaliao tcnica da CR com relao aos harmnicos. .......................................... 96
Figura 3.26. Representao de Z
0
e Y
P
em um circuito simplificado. ................................................................... 97
Figura 3.27. Representao do lugar geomtrico de Y
0
, Y
m
e B
cm
. ...................................................................... 98
Figura 3.28. Exemplo de um capacitor cujo Z
P
menor que a impedncia prpria na ressonncia (Z
m
)............. 99
Figura 3.29. Representao de Y
lim
, Y
lim
, B
c
e B
c
para trs situaes: (a) Y
lim
< Y
0
; (b) Y
lim
= Y
0
;
(c) Y
lim
> Y
0
. .....................................................................................................................................101
Figura 3.30. Representao dos limites de fator de potncia e tenso. ..............................................................102
Figura 3.31. Representao de um mesmo capacitor em duas freqncias. ......................................................103
Figura 3.32. Alterao da admitncia de uma barra (Y
0
) ao se modificar o capacitor de outra. ..........................104
Figura 3.33. Sistema eltrico exemplo de 14 barras da regio Sudeste do Brasil...............................................106
Figura 3.34. Impedncia prpria das barras B7, B12 e B14 com capacitores que provocam ressonncia em,
respectivamente, 540, 300 e 360 Hz. ...............................................................................................107
Figura 3.35. Z
P
de B7, B12 e B14 com a CR selecionada pela otimizao e as CR da figura 3.34. ...................108
Figura 3.36. Distoro harmnica individual de tenso e de corrente das barras B7, B9, B12 e B14 com a
compensao reativa escolhida pela otimizao..............................................................................108
Figura 3.37. Grficos dos lugares geomtricos: (a) susceptncias de B12 na 5 e 6 ordens;
(b) representao dos limites para o B
c
da barra B12 e (c) da B7....................................................110
Figura 3.38. Distoro harmnica individual de tenso e de corrente das barras B7, B9, B12 e B14 com a
alterao da compensao reativa indicada pela otimizao...........................................................112
Figura 3.39. Impedncia prpria das barras B7, B12 e B14 aps a alterao da CR sugerida...........................112
Figura 3.40. Distoro harmnica de tenso da barra B7 para a CR sugerida e com alterao. ........................113
Figura 3.41. Variao da admitncia prpria de B14 com a mudana nos capacitores de outras barras. ..........114
Figura 3.42. Fluxograma da inter-relao entre os procedimentos individuais das avaliaes tcnicas. ............117
Captulo 4
Figura 4.1. Fluxograma do Procedimento Global da Avaliao Tcnica. ...........................................................121
Figura 4.2. Fluxograma detalhado do passo ii do procedimento global da avaliao tcnica. ............................124
Figura 4.3. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do banco de B14 em carga leve
no ano 10.............................................................................................................................................128
Figura 4.4. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do banco de B12 em carga leve
no ano 10.............................................................................................................................................128
Figura 4.5. Transitrios causados pela manobra do banco de B14 em carga mdia no ano 10 e com a
alterao sugerida. ..............................................................................................................................129
Figura 4.6. Transitrios causados, em B2 e em B9, pela manobra de 1,2 Mvar em B9 em carga mdia
no ano 10.............................................................................................................................................129


xii
Figura 4.7. Transitrios causados, em B3 e em B4, pela manobra de 12 Mvar em B4 em carga mdia
no ano 10.............................................................................................................................................130
Figura 4.8. Transitrios causados, em B14 e em B9, pela manobra de capacitores nas respectivas barras em
carga pesada no ano 10......................................................................................................................130
Figura 4.9. Impedncia prpria de B12 e de B14 com os capacitores indesejados e com a CR sugerida. .........133
Figura 4.10. Distoro Harmnica Individual de Tenso das barras candidatas CR antes da alterao. ........134
Figura 4.11. Impedncia prpria de B4 em carga pesada na configurao 2 para vrias CR alocadas. ............137
Figura 4.12. Impedncia prpria de B4 em carga mdia na configurao 2 para vrias CR alocadas. ..............137
Figura 4.13. Passos bsicos do Procedimento Otimizado Expandido.................................................................142
Apndice A
Figura A.1. Diagrama da anlise de sensibilidade utilizada em [Chaves 01]. .....................................................162
Apndice B
Figura B.1. Circuito simples analisado para o estudo dos coeficientes de reflexo e refrao. ..........................167
Figura B.2. Grfico das tenses provocadas em cada ponto do circuito da figura B.1........................................169
Figura B.3. Grfico das tenses provocadas em cada ponto do circuito da figura B.1 para igual a 1 s
na linha 4. ............................................................................................................................................169
Figura B.4. Grfico das tenses provocadas em cada ponto do circuito da figura B.1 para igual a 1 s
na linha 1. ............................................................................................................................................170
Figura B.5. Propagao de ondas atravs do circuito exemplo. .........................................................................172
Figura B.6. Sistema eltrico exemplo para simulao de chaveamentos de bancos de capacitores. .................173
Apndice C
Figura C.1. Circuito simplificado que representa Z
0
. ...........................................................................................181
Figura C.2. Circuito exemplo de quatro barras. ...................................................................................................182
Figura C.3. Distoro harmnica de tenso em B4 para diferentes fontes harmnicas. .....................................183
Figura C.4. Distoro harmnica individual de tenso em B4 para diferentes localizaes das
fontes harmnicas. ..............................................................................................................................183
Figura C.5. Variao da impedncia prpria de B4 devido s alteraes no capacitor alocado na barra. ..........184
Figura C.6. Variao da distoro harmnica de tenso e de corrente em B4 para diferentes
impedncias prprias...........................................................................................................................185
Figura C.7. (a) Impedncia prpria de B4 e (b) sua distoro harmnica de tenso para diferentes
configuraes. .....................................................................................................................................186
Figura C.8. Variao da impedncia prpria de B4 devido s alteraes dos parmetros das linhas (R e X). ...187
Figura C.9. (a) Variao do perfil da impedncia prpria e (b) da distoro harmnica de B4 devido
modificao do montante e da localizao da compensao reativa..................................................188
Figura C.10. Variao do perfil da impedncia prpria devido modificao do montante da
compensao reativa shunt capacitiva de B4. ..................................................................................189

Captulo 1 Introduo



1
1
Introduo
1.1. Consideraes Iniciais
Um amplo espectro de atividades necessrio para que os Sistemas Eltricos de
Potncia (SEP) cumpram seu objetivo de fornecer energia eltrica aos consumidores, dentro
de padres de qualidade, segurana e economia. Tais atividades englobam desde a
elaborao de planos de expanso eletro-energticos at a execuo de aes de controle
na operao em tempo real.
Dentre as atividades, encontra-se o Planejamento da Expanso Eltrica,
caracterizado pela preparao de planos relacionados com alteraes no SEP introduzidas
de forma que o mesmo atenda ao mercado futuro de energia. Os estudos so realizados
para horizontes com projeo de vrios anos frente. Na expanso eltrica so
considerados os horizontes de 5 anos determinativo e 10 anos indicativo.
As etapas clssicas da expanso eltrica partem do diagnstico atual e do
prognstico do comportamento futuro do SEP, para os mercados previstos no horizonte em
estudo. Detectado algum problema (tenses fora dos limites, sobrecarregamentos, perdas
elevadas etc.), os planejadores passam a analisar as diversas opes que lhes so
apresentadas para solucion-lo. Dentre elas, encontram-se a construo de novas linhas e
subestaes, a incluso de novos equipamentos de compensao e controle da rede, o
recondutoramento de circuitos e outras obras de reforo e reforma do sistema.
O tema deste doutorado se refere alternativa de expanso relacionada
Compensao Reativa Shunt Capacitiva (CR) e ao Controle de Tenso (CT) do sistema
eltrico. Conforme tratado no desenvolvimento deste texto, alm desta ser uma alternativa
das mais atrativas, sob o ponto de vista econmico, vrios benefcios podem ser obtidos
com a sua aplicao: melhor utilizao da rede, diminuio das perdas, ajuste de fator de
potncia, aumento do perfil de tenso, dentre inmeros outros.
Apesar de a Compensao Reativa e o Controle de Tenso j serem realizados no
setor, tarefa bastante complexa a criao de planos que atendam a todas as restries
impostas ao SEP tcnicas, econmicas, sociais, ambientais e de legislao.
Captulo 1 Introduo



2
Este tema tem sido objeto de intensa pesquisa por parte da equipe do LRC
1
,
incluindo vrias dissertaes de mestrado j defendidas, projeto P&D e diversas
publicaes. Tais pesquisas constituram os pilares deste doutorado. A partir delas, unindo
as experincias acadmica e prtica, foi possvel identificar as investigaes necessrias
realizao de uma estratgia completa de CR/CT. Com os estudos bsicos bem
fundamentados, observou-se que os procedimentos de CR/CT demandavam o
desenvolvimento de anlises mais especficas e aprofundadas sobre importantes questes
estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos nem sempre includas
no mbito da expanso e que influenciam significativamente o processo de deciso na
elaborao dos planos.
1.2. Relevncia do Tema e Contribuies
Por ser uma alternativa atrativa, a instalao de compensao reativa shunt
capacitiva tem aumentado, deixando, por vezes, os sistemas sobrecompensados fato que
pode trazer a tenso no ponto de colapso para nveis de operao normal. Nesta situao,
um pequeno aumento de carga pode levar o sistema instabilidade de tenso, sem que o
operador a perceba a tempo de evitar o problema. Tal condio precisa ser prevista e
evitada.
Devido tambm ao grande nmero de instalaes, o chaveamento de capacitores se
tornou uma das ocorrncias mais comuns em concessionrias de energia e,
conseqentemente, o nmero de sobretenses e sobrecorrentes transitrias que os
equipamentos vizinhos esto sujeitos aumentou significativamente. Dependendo da
magnitude destas grandezas, pode haver queima ou dano de dispositivos, fato que exige
decises para sua mitigao.
Alm dos impactos citados acima, verifica-se que a presena acentuada de cargas
que utilizam eletrnica de potncia associada aos capacitores capaz de elevar
expressivamente a distoro harmnica na onda de tenso e de corrente, prejudicando a
qualidade da energia entregue aos consumidores. Este impacto tambm precisa ser
investigado e minimizado.
Para se evitarem tais conseqncias prejudiciais ao sistema eltrico, prope-se que
seja feita uma avaliao tcnica criteriosa e detalhada de qualquer compensao reativa
que esteja sendo sugerida (sob anlise), j na etapa do planejamento. Neste trabalho, a

1
LRC Lightning Research Center Ncleo de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico em Descargas Atmosfricas
Convnio UFMG/CEMIG
Captulo 1 Introduo



3
estratgia proposta a realizao de uma avaliao tcnica relativa aos impactos da CR
nos trs aspectos apontados acima, a partir de uma soluo tima no sentido de
minimizao de Mvar instalados [Chaves 01], conforme salientado ao longo do texto. Tal
proposta pretende contribuir de forma significativa para a rea de sistemas eltricos de
potncia atravs da indicao de locais e montantes timos para se compensar a potncia
reativa do sistema eltrico que torna os perfis de tenso e os fatores de potncia mais
adequados e resulta em menor custo para a empresa com a diminuio das interrupes e
dos danos em equipamentos e a melhor qualidade da energia entregue aos consumidores.
O procedimento proposto para a avaliao tcnica de estabilidade de tenso
baseado na tradicional anlise de curvas PV e QV, trazendo, como inovao, a
preocupao, j no planejamento, com o mdulo da tenso no ponto de mximo
carregamento. A etapa de anlise de transitrios envolve modelagem de equipamentos do
sistema eltrico e simulaes de energizao de capacitores, medindo as sobretenses e
sobrecorrentes geradas. Tal simulao realizada para as denominadas barras crticas no
sentido do comportamento transitrio, cuja caracterizao indita na literatura. A avaliao
dos harmnicos amplificados pela compensao reativa sugerida efetuada utilizando uma
nova metodologia (lugar geomtrico) baseada no clculo das admitncias prprias das
barras para determinar os capacitores que no violam as restries de distoro harmnica.
A estratgia apresentada nesta tese tambm indica a seqncia ideal para acoplar
todas as avaliaes tcnicas relativas aos aspectos acima. Esta aplicada a um sistema
eltrico real, indicando como deve ser alterado o plano de expanso, se necessrio, a fim de
que sejam atendidas todas as restries.
Neste trabalho mostrada a evoluo da estratgia para avaliao tcnica da
compensao reativa desenvolvida na pesquisa do doutorado. Inicialmente, tais avaliaes
so realizadas de forma separada, por meio de Procedimentos Individuais, indicando a CR
mais adequada para cada aspecto estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e
harmnicos. Tal implementao originou o questionamento de qual seria a ordem mais
propcia para as anlises, gerando, assim, o denominado Procedimento Global.
Posteriormente, foi concebido o Procedimento Otimizado Expandido que leva em
considerao as restries de estabilidade de tenso, transitrios e harmnicos j na etapa
de otimizao. A utilizao destes procedimentos, individualmente ou de forma
complementar, visa obter maior confiabilidade do sistema eltrico.
Captulo 1 Introduo



4
1.3. Motivao e Objetivo
Esta tese de doutorado tem como objetivo propor procedimentos para se avaliar
tecnicamente a compensao reativa sugerida pelo plano de expanso com relao
estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos. Dando continuidade a
trabalhos anteriores do LRC, constitui avano significativo para as pesquisas da UFMG sob
a forma de uma estratgia bem caracterizada. Espera-se que a aplicao da metodologia
apresentada resulte em plano otimizado de expanso, atendendo s diversas restries
tcnicas impostas rede, partindo da escolha do SEP a ser analisado.
Alm da importncia acadmica, uma das grandes motivaes para a realizao
desta pesquisa a concreta possibilidade de sua aplicao prtica em redes do setor
eltrico. Os resultados positivos tm comprovado esta expectativa.
1.4. Estrutura do Trabalho
A presente tese de doutorado est estruturada da seguinte maneira: apresentao
do tema CR/TC, contextualizao do assunto em pauta, destaque de alguns conceitos
bsicos, citao de referncias relevantes para a pesquisa, apresentao de propostas de
procedimento especfico para cada avaliao tcnica da compensao reativa seguidas de
comentrio sobre a interao de tais anlises. Para se atingir a meta deste trabalho com
maior propriedade, o texto encontra-se dividido em cinco captulos.
O captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos foi desenvolvido
com a inteno de facilitar a compreenso dos captulos seguintes e caracterizar o presente
trabalho no contexto daqueles j desenvolvidos, com respeito aos procedimentos de
expanso de compensao reativa e controle de tenso. So transcritos alguns conceitos
bsicos importantes para melhor entendimento dos assuntos abordados nesta tese
estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos. Renem-se, neste
ponto, algumas referncias relevantes para complementar e enriquecer, com exemplos, as
definies expostas.
O captulo 3 contm a explicao detalhada dos Procedimentos Individuais propostos
para a avaliao tcnica da compensao reativa em relao estabilidade de tenso,
transitrios eletromagnticos e harmnicos. So apresentados os resultados obtidos com a
aplicao de cada uma das avaliaes em uma rede eltrica real e, ainda, feita uma
anlise da compensao reativa final, sugerida para o plano de expanso, aps a realizao
de todos os procedimentos.
Captulo 1 Introduo



5
No captulo 4 indicado como tais avaliaes devem se interagir. So propostos dois
mtodos denominados: Procedimento Global, que sugere uma seqncia das anlises, e
Procedimento Otimizado Expandido, que prope a realizao de uma avaliao tcnica
prvia antes do processo de otimizao da compensao reativa. Para ambos os
procedimentos so apresentados os resultados de suas aplicaes em um sistema eltrico
real.
No captulo 5, apresentada a concluso do trabalho e so apontadas as propostas
de continuidade. A seguir, so relacionadas as referncias bibliogrficas consultadas.
Este texto inclui ainda quatro apndices. O apndice A acrescenta ao trabalho
definies de interesse a respeito do assunto estabilidade de tenso e detalha a anlise de
sensibilidade empregada. O apndice B se dedica ao tema transitrios eletromagnticos,
reunindo os significados de termos utilizados no texto, explicaes sobre a indicao de
barras crticas e alguns resultados adicionais de simulaes. O apndice C registra
resultados de investigaes bsicas iniciais realizadas com relao ao tema harmnicos. O
apndice D indica as restries de tenso, de fator de potncia e de injeo de harmnicos
na rede impostas pelo setor eltrico.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



6
2
Contextualizao do Tema
e
Conceitos Bsicos
2.1. Contextualizao do Tema
Os desenvolvimentos propostos se inserem na pesquisa relativa expanso de
CR/CT de sistemas eltricos. Visando identificar com clareza o objetivo do trabalho, o
presente captulo o contextualiza dentro do procedimento geral de compensao reativa.
Para tal, so discutidos alguns aspectos relevantes sobre CR/CT e sumarizam-se as
Polticas, Critrios e Procedimentos que constituram ponto de partida da tese.
Os tpicos iniciais do captulo permitem identificar que o trabalho se dedica, de forma
mais especfica, etapa do procedimento que elabora a Avaliao Tcnica de Alternativas
de Expanso. Mostram, tambm, que os desenvolvimentos propostos envolvem anlises
que avaliam o impacto da CR no comportamento do sistema eltrico nos aspectos de
Estabilidade de Tenso, Transitrios e Harmnicos. A influncia da compensao reativa
enfatizada para cada um destes aspectos e registrada em itens especficos.
2.1.1. Compensao Reativa e Controle de Tenso
Controlar os sistemas eltricos tem se tornado cada vez mais uma tarefa no trivial,
fato que justifica o grande interesse do setor eltrico no desenvolvimento de Estratgias de
Controle, envolvendo as etapas desde o Planejamento da Expanso at a Operao em
Tempo Real. A complexidade decorre de inmeros fatores, dentre os quais destacam-se: a
atual filosofia de maior explorao dos recursos disponveis no Sistema Eltrico de Potncia;
o constante adiamento dos planos de investimento nas redes eltricas, acarretando
operao prxima aos limites; os padres preestabelecidos de qualidade de fornecimento de
energia cada vez mais exigentes; o ambiente competitivo, prprio do atual cenrio do setor;
restries tcnicas, ambientais e econmicas mais rgidas.
Nesta perspectiva, uma das principais questes envolvidas a determinao de
formas para se obter melhor aproveitamento dos recursos do sistema. A adequada
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



7
compensao reativa shunt capacitiva do SEP uma das alternativas nesta direo e pode
representar, alm de ganhos relativos facilidade de controle e qualidade da energia
entregue ao consumidor, grande economia de investimentos. Com uma compensao
reativa em pontos adequados do SEP, otimiza-se a circulao de potncia reativa, obtendo-
se os diversos ganhos decorrentes de sua minimizao. Alm da compensao do sistema,
faz-se necessrio o controle de tenso, para manter o perfil adequado de tenso nas suas
barras.
Conforme tratado em [Vale 00], a estratgia de CR/CT, para ser efetiva, deve ser
utilizada dentro de uma viso de controle sistmico de potncia reativa e de tenso e deve
ser elaborada considerando-se a integrao entre todas as atividades envolvidas com os
sistemas eltricos, desde a preparao dos planos de expanso at a operao em tempo
real.
Nesta referncia, so discutidas e apresentadas as diversas questes envolvidas na
concepo de estratgias filosofia de operao, variveis do sistema, tipos do controle e
condies de contorno, dentre outras. So analisados os conhecimentos relacionados s
diversas etapas, da expanso operao, mostrando-se que o enfoque varia de acordo
com os principais objetivos de cada uma delas, dentro de uma viso global. No contexto
deste trabalho, interessa o enfoque dado ao Planejamento da Expanso do SEP.
Dentro desta viso, uma compensao reativa adequada necessria, dentre outras
razes, para atingir as seguintes metas:
garantir maior e melhor aproveitamento do sistema eltrico existente;
propiciar equilbrio no balano gerao/consumo de potncia reativa;
ajustar fatores de potncia, tanto da carga quanto da rede, e mdulos de tenso;
eliminar o uso inadequado de equipamentos controlados como, por exemplo, a
utilizao de compensadores sncronos, atendendo potncia reativa da carga;
disponibilizar, para a operao, condio adequada de controle de tenso e,
principalmente, de atendimento ao sistema.

Alm dos inmeros ganhos citados acima a serem obtidos pela CR/CT, vrias
questes prticas apresentadas pelos sistemas das empresas de energia eltrica motivam o
desenvolvimento de polticas de compensao adequadas. Dentre elas, encontram-se:
redes prximas aos limites (carregamento, SIL Surge Impedance Loading, regulao de
tenso, colapso de tenso); perdas elevadas; altos valores de queda de tenso; restries
cada vez mais severas (legislao, qualidade de fornecimento); dificuldade de controle de
tenso.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



8
O problema bsico relacionado CR/CT, na expanso, a alocao de
equipamentos capacitores, reatores, compensadores sncronos e estticos a qual deve
ser feita de forma otimizada. O montante e a alocao tima dos componentes esto
relacionados aos diversos objetivos e restries impostas ao sistema eltrico. Deseja-se
obter maior e melhor aproveitamento dos recursos do SEP, atendendo s condies de
contorno impostas rede, a um custo mnimo. Isto leva a formulaes que buscam:
Minimizar o montante de injeo de potncia reativa (Mvar) a instalar;
Minimizar o fluxo de potncia reativa pela rede e as perdas ativas e reativas;
Minimizar os custos de aquisio, manuteno e operao dos equipamentos a
serem alocados, considerando-se inclusive o local de instalao dos mesmos, o
qual poder exigir desapropriao;
Atender a restries de ordem econmica, social e ambiental, s ditadas pela
segurana do sistema e de seus usurios e pelas exigncias da nova legislao
do setor, incluindo critrios impostos por padres de qualidade de suprimento de
energia. Tais restries incluem o atendimento aos limites:
mximos e mnimos de tenses e fatores de potncia nos barramentos;
mximos de fluxo de potncia ativa nos ramos;
posies mximas e mnimas dos taps dos transformadores;
valores relacionados estabilidade de tenso, penetrao harmnica e
efeitos transitrios ocorridos com a introduo dos equipamentos.
Proporcionar um controle de tenso eficaz; isto inclui a determinao do tipo de
compensao reativa (fixa/manobrvel) e do tipo da varivel que ser utilizada no
controle (tenso, corrente, etc.).

O tema Compensao Reativa Shunt Capacitiva / Controle de Tenso vem sendo
objeto de intensa investigao no LRC/UFMG. Diversos tm sido os trabalhos acadmicos
[Cardoso 99, Chaves 01, 02, 03, 04, 05a, 05b, Silveira 99, Vale 00 e 05b] e prticos [P&D
02, 04a e 04b, Valadares 01a e 01b, Vale 03, 04 e 05a] estes ltimos em conjunto com a
CEMIG Companhia Energtica de Minas Gerais
Em [Silveira 99] so discutidas estratgias globais de CR/CT e, em [Cardoso 99],
ferramentas aplicadas ao assunto so detalhadas. A referncia [Vale 00] trata do tema sob
uma viso sistmica e integrada entre as diversas atividades do SEP.
Partindo destas pesquisas, em [Valadares 01a] so propostas Polticas, Critrios e
Procedimentos para CR/CT aplicados preparao de planos de expanso. Os resultados
prticos de sua aplicao em sistemas eltricos reais se mostram extremamente eficientes,
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



9
culminando, inclusive, em um projeto de P&D [P&D 04a] em que uma ferramenta de apoio
ao planejador, denominada PlanEx, foi criada. Esta ferramenta detalhada nas referncias
[P&D 04b, Vale 03].
Tendo como base os procedimentos mostrados em [Valadares 01a e 01b], foi
proposto um procedimento otimizado para CR/CT na dissertao [Chaves 01]. A presente
tese de doutorado tem como ponto de partida tais realizaes, portanto torna-se importante
situ-la neste contexto.
2.1.1.1. Polticas, Critrios e Procedimentos para CR/CT
Este item mostra, de forma sucinta, as Polticas, Critrios e Procedimentos que
constituem os pilares deste trabalho. Todos os desenvolvimentos podem ser encontrados de
forma detalhada nas referncias [Chaves 01 e 02, Valadares 01a e 01b, Vale 05a].
Basicamente, a Poltica se relaciona com as diretrizes que orientam as atividades
(aes) de planejamento e de operao do sistema. Critrios so regras bsicas
estabelecidas que retratam os limites e restries a serem respeitados. Procedimentos so
passos a serem seguidos de acordo com a poltica proposta, respeitando-se os critrios
estabelecidos [Valadares 01a].
Poltica
A poltica trabalha a potncia reativa e o valor de tenso de forma integrada, visando
minimizar o fluxo de potncia reativa. Para alcanar o objetivo, realizam-se a compensao
reativa shunt capacitiva a partir das barras de carga em direo s tenses mais elevadas e
o controle de tenso ajuste do mdulo da grandeza para situaes de carga
leve/mdia/pesada da alta para a baixa tenso.
Critrios
Como critrios adotados nas pesquisas, em especial naquela de natureza aplicada,
relacionam-se [Valadares 01a e 01b]: anlise de contingncias (critrio N-1 para
transmisso e N para a subtransmisso); tipos de contingncias (sada das linhas mais
severas); transio de condio normal para emergncia (admitida apenas a atuao dos
compensadores sncronos e estticos, dos reguladores e dos LTC Load Tap Change);
transio da carga leve para mdia e pesada (permitida a manobra de bancos de
capacitores e de reatores); compensadores sncronos e estticos (em condio normal de
operao, devem gerar o mnimo possvel e no podem ser usados para atender
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



10
compensao de carga); limites de tenso (estabelecidos pela legislao em vigor);
manobras dos bancos (no podem provocar flutuaes de tenso maiores que 5%).
Os critrios acima citados referem-se a condies de contorno s quais o SEP deve
atender. Foram elaborados com base, principalmente, na experincia de planejamento das
equipes de expanso, podendo sofrer mudanas visando ao melhor comportamento do
sistema. A modificao dos critrios no implica alterao na estratgia proposta nesta
pesquisa de doutorado.
Procedimentos
Os procedimentos adotados podem ser resumidos em quatro passos bsicos
apresentados no fluxograma da figura 2.1.

Figura 2.1. Passos bsicos do procedimento.
Passo 1 Definio do Sistema e Deteco de Deficincias
definido o sistema a ser estudado cuja situao avaliada com relao
carncia ou excesso de potncia reativa.
Passo 2 Definio da Compensao Reativa / Controle de Tenso
So selecionadas as barras que podem receber equipamentos de compensao
reativa. A partir desta escolha so introduzidas as restries otimizao fator
de potncia desejado, limites mximos e mnimos de tenso, de fluxo de potncia
nas linhas e de tap dos transformadores. Como resultado da otimizao tem-se a
definio do montante e da localizao dos capacitores a serem alocados
[Chaves 01 e 02].
importante comentar que este passo foi estudado em [Chaves 01] de maneira
aprofundada, gerando resultados e anlises de tal forma positivos e promissores que
estimularam a continuao das pesquisas sobre este tema.
Definio da CR / CT
Avaliao Tcnica e Econmica
Plano de Compensao
Definio do Sistema e
Deteco de Deficincias
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



11
Passo 3 Avaliao Tcnica e Econmica
A proposta gerada no passo 2 analisada com relao aos aspectos tcnicos e
econmicos.
A avaliao tcnica da CR sugerida, muitas vezes, tem se resumido a simulaes de
fluxo de potncia convencional verificando valores de sobrecarga, mdulo de tenso,
perdas, etc. e de clculo de curto-circuito confirmando se a razo entre a potncia do
banco alocado e a de curto-circuito da barra menor que 5%.
Quanto avaliao econmica, a compensao sugerida e os equipamentos de
controle associados so analisados, considerando-se seus custos valores de instalao,
operao e manuteno e benefcios ganhos de atendimento adicional de mercado,
diminuio de perdas e reduo de energia no suprida, garantidos pela alocao da
compensao. Avalia-se ainda o benefcio da instalao, no caso de adiamento de obras
planejadas. Atualmente, tambm tm sido analisadas a indisponibilizao de equipamentos
e a tarifao da energia reativa.
A avaliao tcnica efetuada neste passo constitui o foco da pesquisa
desenvolvida nesta tese de doutorado. Os estudos especficos so realizados nos
regimes permanente e transitrio manobras de bancos de capacitores, penetrao
harmnica e estabilidade de tenso.

Passo 4 Plano de compensao
Passo final do procedimento, refere-se elaborao do plano final de
compensao.

Os resultados positivos obtidos pelas pesquisas anteriores apontaram para o
desenvolvimento deste trabalho, como direo promissora aos estudos. Por outro lado,
mostraram, tambm, que os avanos iriam requerer investigaes detalhadas sobre o
impacto da CR no comportamento do SEP e, principalmente, sobre a forma de consider-las
e integr-las ao procedimento de expanso. Tais questes so introduzidas a seguir e
detalhadas nos prximos captulos.
2.1.2. Estabilidade de Tenso
Um sistema de potncia mal compensado em termos de bancos de capacitores
shunt pode apresentar um baixo limite de carregamento, entretanto uma CR inadequada
pode levar o sistema a um ponto de operao instvel. Para que a compensao reativa
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



12
seja utilizada apropriadamente, necessrio compreender sua influncia na estabilidade de
tenso [Chaves 03 e 04, Vale 04 e 05b].
A anlise do problema causado pela sobrecompensao pode ser feita por meio da
figura 2.2, retirada de [Prada 06], a qual exibe curvas PV de uma barra cuja carga
compensada atravs de capacitores shunt variveis. Para se construrem tais curvas, adota-
se uma carga com fator de potncia unitrio e de modelo potncia constante alimentada por
um sistema radial. A faixa de tenso operacional (de 0,95 a 1,05 pu) destacada.


Figura 2.2. Curvas PV chaveamento de capacitores [Prada 06].
medida que a carga aumenta, o mdulo da tenso na barra diminui e, para mant-
lo dentro dos limites permitidos, so inseridos os capacitores. Com os bancos sendo
introduzidos, verifica-se um ganho no perfil de tenso da barra de carga e constata-se que o
valor de mximo carregamento se eleva. Este aspecto bastante positivo, fato que tem
justificado o uso deste tipo de equipamento como alternativa de expanso, postergando
obras mais dispendiosas.
Para cargas do tipo potncia constante, o ponto de mxima transferncia de potncia
tem sido considerado o de colapso de tenso. Logo, pela figura 2.2, v-se que, quanto mais
compensado o sistema, o valor de tenso do ponto de colapso mais se aproxima da faixa
operacional. Pode-se chegar a uma determinada compensao em que qualquer acrscimo
na carga leva o sistema a um ponto de operao instvel, configurando um grande risco
para a operao do SEP. A referncia [Vale 04] registra casos onde esta situao j
sentida na prtica.
Faixa de Tenso Operacional
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



13
A figura 2.2 exemplifica tal problema. As curvas PV so construdas considerando
um controle automtico de tenso por meio de capacitores de 8 Mvar para manter as
tenses dentro dos limites. Os equipamentos so programados para serem chaveados com
o aumento da carga, assim que a tenso atinge seu limite inferior. Caso no seja verificado
se o ponto de operao est prximo ao mximo carregamento, tais manobras podem
acelerar o processo de perda de estabilidade de tenso.
Caso o impacto da CR no SEP no seja avaliado na etapa de sua especificao,
provvel que ocorra o problema durante a operao do sistema. O operador, verificando a
diminuio de tenso, poder agir conectando mais bancos quando, na realidade, tal ao
seria mais prejudicial.
Por estas anlises conclui-se que, antes de se compensar um sistema, devem-se
avaliar os riscos para a operao no contexto de instabilidade de tenso. Em alguns casos,
pode-se constatar que a soluo construir uma nova linha, pois a sobrecompensao do
sistema no permite que sejam instalados mais capacitores.
2.1.3. Transitrios Eletromagnticos
O chaveamento de capacitores um evento dos mais comuns nas subestaes e
sua manobra pode produzir transitrios eletromagnticos oscilatrios que causam
sobretenses (STs) e sobrecorrentes (SCs). A suportabilidade dos equipamentos s
solicitaes de ST e SC depende do nmero de manobras realizadas. Quanto mais elevado
este nmero, mais restritivos devem ser os critrios para estabelecimento dos limites destas
grandezas transitrias.
As maiores sobretenses surgem na manobra de um nico banco e as mais
elevadas sobrecorrentes com o chaveamento de capacitores em paralelo, configurao
back-to-back. A desenergizao de bancos de capacitores s se torna um problema quando
ocorre o restrike. Tais manobras podem originar excesso de energia dissipada pelos pra-
raios.
Na ligao de capacitores a uma rede ocorre um processo transitrio severo at que
seja atingido o valor nominal de carga. Durante este processo, podem surgir picos de
corrente elevados (inrush), em freqncias na faixa de centenas at milhares de Hertz,
exigindo muito dos dispositivos de manobra. Os transitrios de corrente podem alcanar
valores superiores a dez vezes a corrente nominal do capacitor e com durao de vrios
milisegundos.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



14
So fatores determinantes para freqncia e amplitude das correntes de ligao: a
capacitncia dos bancos, reatncias do circuito e o valor instantneo de tenso. Vrios
parmetros podem interferir no valor da mxima corrente de inrush, dentre eles, destacam-
se: disperso dos plos, resistncia de amortecimento inserida no reator limitador de
corrente, freqncia natural, saturao do reator limitador de corrente [Coury 02].
Dentre os elementos que afetam a amplificao das tenses transitrias no
consumidor, durante o chaveamento de bancos de capacitores no sistema de distribuio
primrio, incluem-se: tipos de chaveamento, dimenses do sistema, valores das
capacitncias, a potncia do capacitor chaveado, a capacidade de curto-circuito no local da
manobra, a potncia do transformador abaixador do consumidor e as caractersticas da
carga do consumidor [Coury 02, Pamplona 02].
Apesar da ocorrncia de sobretenses na subestao onde o banco manobrado,
as maiores STs, em geral, surgem em barras adjacentes, principalmente no caso de linhas
radiais e com baixo nvel de carga no momento do chaveamento. Os efeitos na subestao
local incluem elevados nveis de sobretenso e de sobrecorrente, que estressam dieltrica e
mecanicamente o banco e demais equipamentos da subestao. Nas subestaes remotas,
as sobretenses so de at 4 pu e podem levar ao estresse e a danos de transformadores,
pra-raios e de outros equipamentos ligados em redes de mdia ou baixa tenso, como
dispositivos eletrnicos e de telecomunicao. Os transitrios rpidos de tenso podem se
propagar atravs de acoplamento capacitivo de transformadores e podem ter seus valores
amplificados nos secundrios na razo de 4 vezes.
As anlises de transitrios eletromagnticos so normalmente efetuadas apenas na
fase de especificao da alternativa de CR j selecionada (etapa de projeto), ao contrrio
dos estudos de regime permanente freqncia fundamental (fluxo de potncia, curto-
circuito e confiabilidade) conduzidos desde a fase de comparao de alternativas
(planejamento da expanso). So tcnicas disponveis, para atenuar sobretenses e
sobrecorrentes transitrias durante a manobra de bancos de capacitores: pr-insero de
reatores e resistores; chaveamento controlado; instalao de pra-raios de xido metlico.
A estratgia apresentada neste trabalho prope a incluso de tais anlises no
processo de escolha da compensao reativa mais adequada. A modificao do montante e
da localizao da CR investigada visando assegurar que no surjam solicitaes de
tenso ou corrente que venham a colocar em risco os diversos equipamentos da rede.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



15
2.1.4. Harmnicos
A preocupao em relao aos harmnicos no recente. No incio do sculo 20 j
se realizavam estudos sobre o terceiro harmnico gerado pela saturao do ferro do
transformador e do motor. Com o passar dos anos, a eletrnica de potncia se tornou de
fcil controle e muito eficiente, o que proporcionou aos dias de hoje sua grande proliferao
nos vrios nveis de tenso. Como conseqncia do elevado nmero de equipamentos que
utilizam diodos, retificadores, transistores, etc., aumentou-se significativamente a injeo de
harmnicos na rede eltrica, trazendo danos ao funcionamento normal de cargas sensveis
e outros dispositivos [Grady 01]. Este crescimento dos harmnicos no sistema, devido
eletrnica de potncia, tornou-se alvo de pesquisas que visam evitar os problemas
causados.
Atualmente, as cargas que mais prejudicam a qualidade de energia so as que
utilizam eletrnica de potncia presente em consumidores industriais (retificadores,
conversores, variadores de velocidade, etc.), residenciais e comerciais (lmpadas
fluorescentes com reatores eletrnicos, computadores, televisores, etc.). Em alguns casos, a
insero de harmnicos por tais cargas, com a presena de ressonncias, causa distores
de tenso a nveis inadequados, acima dos limites mximos. Em tal situao, necessrio
alterar-se a configurao do sistema para que o fluxo de harmnicos seja reduzido nas
barras mais sensveis e naquelas onde ocorreram as violaes dos limites. Esta mudana
pode ser realizada em vrios pontos da rede.
A soluo mais apropriada seria atuar no foco do problema: a fonte de harmnicos.
Tal medida requer que os consumidores, que distorcem as correntes, tornando-as no
senoidais, instalem filtros ou adquiram equipamentos que insiram menos harmnicos.
Ambos os recursos nem sempre so viveis, pois exigem altos investimentos do consumidor
que, se estiver respeitando a lei de injeo de harmnicos na rede, normalmente, no se
manifestar a favor da qualidade de energia. Resta empresa distribuidora de energia
resolver o problema.
A concessionria pode construir novas linhas ou instalar compensao srie para
diminuir a reatncia de determinada linha e, conseqentemente, sair da freqncia de
ressonncia perigosa, atenuando a distoro harmnica (DH). No entanto, esta opo
muito cara. Pode-se instalar, tambm, um grande resistor na linha, para aumentar o
amortecimento do sistema e reduzir a DH. Esta soluo eleva as perdas, o que no
desejado. Portanto, restam concessionria duas alternativas viveis: modificar o montante
e a localizao dos capacitores sugeridos ou indicar o uso de filtros passivos ou ativos.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



16
2.2. Conceitos Bsicos e Literatura Tcnica Relevante
Este item apresenta alguns conceitos bsicos relevantes ao trabalho e comenta
algumas referncias da literatura tcnica pertinente aos temas compensao reativa shunt
capacitiva, estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos. As
referncias exemplificam ou complementam os conceitos bsicos descritos. Procura-se
apontar artigos mais recentes que tratam dos temas especficos citados no texto. So
mostrados ndices adotados pela literatura, equaes utilizadas para se analisar o
comportamento do sistema, definies de alguns tpicos e algumas caractersticas tpicas
encontradas na prtica. A reviso bibliogrfica completa est registrada em [Chaves 04] e
[P&D 02].
2.2.1. Compensao Reativa Shunt Capacitiva
Conforme j citado, os capacitores shunt tm se mostrado a alternativa econmica
mais vivel para maximizar o carregamento das linhas, retardando os investimentos em
expanso. A identificao dos pontos mais adequados para a alocao destes
equipamentos de forma a otimizar o desempenho do sistema a questo a ser resolvida
pelos planejadores. Alm da localizao, necessrio conhecer o montante mnimo que
atende a este objetivo, obtendo o menor investimento com o melhor aproveitamento de seus
recursos de injeo de potncia reativa.
Em [Mohagheghi 05] feita uma comparao entre as alternativas de expanso com
o objetivo de aumentar o carregamento das linhas. Entre as opes so avaliadas as
compensaes reativa srie e shunt e um transformador regulador de tenso. mostrado
que a compensao reativa shunt na barra de carga pode obter ganhos no carregamento de
184% a 258% dependendo do fator de potncia da carga e da razo X/R da linha,
confirmando que, tecnicamente, uma alternativa muito atrativa.
Um dos estudos interessantes mostrados em [Mohagheghi 05] a verificao do
montante de compensao reativa shunt necessrio para alimentar uma carga fixa de 1 MW
variando a distncia da alocao da mesma. Como j era esperado, o menor montante
encontrado instalando-se o capacitor na prpria barra da carga. No exemplo do autor,
considerando a carga a uma distncia de 100 km da fonte, caso a CR fosse alocada a
aproximadamente 90 km da carga, o montante seria cerca de 6 vezes maior (2,5 Mvar) que
o mnimo, e as perdas aumentariam perto de 75% para este caso.
Em [Tinggren 99, Shwehdi 00], so descritas as vantagens de se instalar bancos de
capacitores no sistema eltrico, melhorando o fator de potncia e o perfil de tenso. feita
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



17
uma anlise geral dos possveis problemas gerados com tal instalao quanto ressonncia
harmnica e aos transitrios eletromagnticos. Tambm so apontados os fatores de
potncia comuns de vrios tipos de cargas, como: indstria qumica (0,65 a 0,75), hospital
(0,75 a 0,80), prdio de escritrios (0,80 a 0,90), motor de induo (0,70 a 0,80), lmpada
fluorescente (0,70), forno a arco (0,75 a 0,90), soldador (0,35 a 0,60) e outros.
Existem vrios artigos que tratam do problema da alocao tima de capacitores
shunt e indicam ndices para facilitar a resoluo do mesmo. A seguir so destacados os
principais pontos de alguns destes trabalhos.
O artigo [Yehia 98] apresenta duas maneiras para se encontrarem os capacitores a
serem alocados. O primeiro tem um enfoque econmico que aponta o menor custo para a
instalao, chegando a solues com menores perdas eltricas. O segundo tem o objetivo
de melhorar a qualidade da energia entregue ao consumidor, tendo um perfil de tenso mais
adequado, dentro dos limites desejados. O problema de alocao tima de capacitores no
uma tarefa trivial e envolve vrios objetivos. Na referncia, adota-se uma soluo
intermediria entre os enfoques econmico e tcnico, utilizando-se o conjunto de barras
candidatas de ambos os procedimentos.
Em [Momoh 98] proposto um ndice de anlise de sensibilidade (SM
i
) da potncia
reativa injetada em uma barra com relao tenso nas demais. O clculo de SM
i

realizado pela equao 2.1 onde V
j
(Q
i
) a tenso na barra j aps a alocao de Q
i
Mvar
na barra i e V
j
(0) a tenso antes da instalao do capacitor. Vale destacar que os termos
das equaes citadas a seguir no tm nomenclaturas idnticas quelas apresentadas nas
referncias. Tal mudana realizada para sintonizar estes termos com os j encontrados no
presente texto.

( ) ( ) [ ]
i
N j
j i j
i
Q
V Q V
SM

0

(2.1)

O ndice de anlise de sensibilidade relacionada com cada barra individualmente
(SM
ij
) calculado pela equao 2.2. A nica diferena entre as equaes 2.1 e 2.2 que, na
primeira, feito o somatrio das alteraes da tenso. A anlise de sensibilidade explicada
no apndice A segue o mesmo princpio aplicado em [Momoh 98].

( ) ( )
i
j i j
ij
Q
V Q V
SM


=
0
(2.2)

Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



18
Calcula-se a compensao reativa necessria (Q
n
) para se obter uma tenso
desejada (V
desej
) por meio da equao 2.3 citada em [Maheshwarapu 98]. O valor de
definido pela equao 2.4. O termo V
0
corresponde tenso na condio inicial do sistema,
e V
Yc
equivale tenso quando uma CR de valor igual a y
c
instalada, por exemplo, de
10 Mvar.
C
desej
n
y
V
V V
Q


=
0
0
(2.3)
1
0
=
V
V
Yc
i

(2.4)

Nesta tese de doutorado, adotam-se as equaes 2.3 e 2.4 para se encontrar o
montante mximo de compensao reativa que assegura o nvel de tenso que se manter
abaixo do limite relacionado estabilidade de tenso. O emprego deste ndice detalhado
no prximo captulo.
Neste trabalho, o montante de potncia reativa (q
Ci
) a ser injetado em uma barra para
que se alcance determinado fator de potncia calculado pela equao 2.5 [Shwehdi 00].
As variveis
a
e
d
so iguais, respectivamente, ao arco co-seno do fator de potncia atual
e do desejado (equao 2.6) e P
i
a potncia ativa da carga da barra i.

( )
d a i i C
P q = tan tan
(2.5)
( )
atual a
FP
1
cos

= e ( )
desejado d
FP
1
cos

= (2.6)

2.2.2. Estabilidade de Tenso
As pesquisas realizadas no LRC/UFMG relacionadas ao tema estabilidade de tenso
deram origem s dissertaes de mestrado [Cortez 01a] e [Lobato 98]. Nestes trabalhos, foi
realizada uma ampla reviso bibliogrfica a respeito do tema. Para complement-la,
efetuou-se nova pesquisa, registrada em [Chaves 04]. Neste item, so enfatizados trabalhos
desta reviso considerados relevantes para o desenvolvimento dos procedimentos de
avaliao tcnica de estabilidade de tenso. Destacam-se, tambm, as referncias [Kundur
94], [Miller 82] e [Taylor 94].
Os comentrios sobre os trabalhos esto estruturados da seguinte maneira: viso
geral sobre o tema; casos em que so observados colapsos de tenso; relao entre as
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



19
perdas eltricas e o colapso; ndices relacionados ao tema; incluso da estabilidade de
tenso nas restries do planejamento; critrios adotados nas anlises. Em cada tpico, so
apontadas as referncias mais relevantes.
Viso Geral
O artigo [Ajjarapu 98] merece ateno por apresentar ampla referncia bibliogrfica a
respeito do tema Estabilidade de Tenso, contendo 308 citaes agrupadas por categorias:
livros, relatrios, artigos expostos em congressos e peridicos.
Os conceitos bsicos abordados em [Cortez 01a e 01b, Kopcak 02, Martins 00] so
interessantes pela forma de tratar a margem de estabilidade de tenso (MET). O apndice A
resume os principais conceitos e definies a respeito de estabilidade de tenso.
Vrios autores debatem sobre as metodologias de anlise esttica [Garcia 99,
Lobato 98, Valle 01] e dinmica [Martins 00]. Outros fazem uma comparao entre as duas
metodologias [Cortez 01b, Ferreira 00, Garcia 99, Lachs 00, Mazoni 02]. Ainda com relao
parte bsica de estabilidade de tenso, citam-se as anlises sobre colapso de tenso
tratadas em [Cortez 01a, Crow 94, Freire 99, Pontes 01, Silva 99].
Em [Manzoni 02] apresentada uma anlise efetuada em um sistema reduzido
equivalente da regio Sul do Brasil. determinado o ponto em que o clculo de fluxo de
potncia no mais converge. Este comparado ao ponto em que ocorre a singularidade da
matriz Jacobiana (colapso de tenso). Os resultados encontrados, atravs da monitorao
do menor autovalor da matriz Jacobiana do fluxo de potncia, mostram que a diferena foi
muito significativa.
O modelo esttico suficiente quando se procura determinar a margem de
estabilidade de tenso e identificar a rea crtica para o colapso de tenso e quando o foco
da anlise a compensao de potncia reativa [Souza 04], principalmente no contexto do
planejamento da expanso onde as incertezas so expressivas.
As caractersticas das cargas e dos equipamentos de controle de tenso do sistema
esto entre os fatores mais relevantes no que se refere estabilidade de tenso. A
influncia de tais caractersticas foi investigada em [Aromataris 01, Coker 99, Lopes 02,
Martins 00] para os modelos de cargas e em [Begovic 95, Cortez 01c, Efthymiadis 96,
Ferreira 00, Lachs 00, Martins 02, Naturesa 02, Silva 99] para os equipamentos de controle
de tenso.
O artigo [Souza 04] cita que os controles geralmente empregados para melhorar a
estabilidade de tenso so: compensao reativa, transferncia de potncia ativa, corte de
carga, etc.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



20
As referncias [Begovic 95, Martins 00, Moura 03] ressaltam a importncia de serem
simuladas contingncias para se estudar o ponto de colapso e a margem de estabilidade de
tenso. Em [Moura 03, Poshtan 04], so sugeridas formas para se classificarem as
contingncias com o objetivo de reduzir o tempo gasto com as anlises. Em [Ferreira 99,
Venkatesh 02, Menezes 02a], verifica-se que as contingncias provocadas no sistema no
so as nicas a diminuir a MET; a otimizao do fluxo de potncia reativa tambm pode
reduzi-la, apesar do aumento na disponibilidade de potncia reativa.
Os artigos [Ferreira 99, Lachs 00, Kopcak 02, Menezes 02b, Silva 01, Soares 01]
abordam indicadores para o colapso de tenso e barras crticas. Em [Garcia 99, Musirin
02a], so apresentados mtodos para se encontrarem ramos crticos de um sistema eltrico.
Com relao aos critrios e metodologias adotadas para a anlise esttica da
estabilidade de tenso, na qual so utilizadas as curvas PV e QV, uma das ferramentas que
vem sendo utilizada no setor o ANAREDE Continuado [WANAREDE 03]. Informaes
especficas so encontradas em [Abed 99, CCPE 02, Cortez 01a, Lachs 00, ONS 04,
Takahata 00].
Colapso de Tenso
Em [Cortez 01a, Lachs 00, Kundur 94], so descritas situaes de um cenrio tpico
de colapso de tenso as quais so apontadas abaixo em ordem cronolgica:
redes de transmisso muito carregadas;
mltiplas contingncias;
distrbio rpido que eleva o carregamento em algumas linhas, aumentando
significativamente suas perdas de potncia reativa;
reduo de tenso abrupta em subestaes adjacentes a estas linhas;
potncia reativa de sada de geradores aumenta em resposta s baixas tenses;
fase lenta inicial, por alguns minutos, quando s uma regio limitada afetada;
protees convencionais no funcionam durante esta fase lenta;
rpida fase de distrbio, por alguns segundos, com tenses caindo e se
estendendo para todas as reas do sistema;
rels podem se abrir formando ilhas de reas.

As causas de um possvel colapso so discutidas em vrias referncias. Costuma-se
relacion-las reduo da margem de estabilidade de tenso a qual ocorre devido a vrios
fatores [Huang 01], tais como:
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



21
diminuio do valor a ser investido para gerao de energia eltrica: as empresas
optam por geradores de baixa capacidade de suporte de potncia reativa porque
possuem uma relao custo/benefcio maior por MW produzido;
reduo do pagamento de potncia reativa: os consumidores instalam bancos de
capacitores em excesso, evitando o uso de fontes reativas mais caras como
compensadores sncronos que tm respostas dinmicas mais rpidas;
distribuio desigual de potncia reativa pelo sistema eltrico, deixando reas
mais vulnerveis instabilidade de tenso;
crescimento das perdas de potncia reativa em redes de transmisso devido ao
aumento dos nveis de energia transferidas entre os subsistemas.

Em [Souza 04, Ajjarapu 94] descrito o funcionamento do fluxo de potncia
continuado, indicando os parmetros previsor e corretor utilizados para formar a curva PV
que identifica o ponto de mximo carregamento da barra e, conseqentemente, o colapso
de tenso. sugerida uma anlise de sensibilidade, baseada no vetor tangente, para
encontrar barras e ramos crticos (maiores valores do vetor tangente) e para apontar os
geradores mais eficientes para corrigir a tenso das barras crticas. Tais geradores so
aqueles que obtm a maior variao da tenso da barra crtica [Valle 01]. Selecionadas tais
barras, utilizado um processo otimizado que indica a instalao de capacitores nelas, a fim
de melhorar a margem de estabilidade de tenso.
O vetor tangente associado ao autovetor da matriz Jacobiana pode indicar o ponto
de colapso de tenso da rede. Em [Souza 97] feita uma reviso bibliogrfica das tcnicas
para se determinar o ponto de colapso, apresentando caractersticas, vantagens e
desvantagens em relao sua aplicabilidade. Comparando-se a tcnica do vetor tangente
com a do autovetor direita, observa-se que a primeira tem clculos mais simples, exigindo
menos do processo computacional. Em ambas as tcnicas encontram-se dificuldades para
inserir os limites de injeo de potncia ativa e reativa, o que reduz a preciso destes
mtodos, porm os resultados obtidos so bastante satisfatrios, at para grandes sistemas
eltricos.
Colapso de Tenso e Perdas Eltricas
Em [Ferreira 02] proposta uma metodologia que utiliza o FLUPOT, uma ferramenta
computacional desenvolvida pelo CEPEL, para aplicar uma otimizao baseada em pontos
interiores a qual indica as aes de controle requeridas para diferentes funes objetivo
empregadas: minimizao de perdas reativas; de fornecimento de potncia reativa por
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



22
geradores; e por compensadores sncronos. Tal metodologia sugere a aplicao do vetor
tangente para encontrar barras crticas em relao ao colapso de tenso e barras
candidatas para minimizar as perdas no sistema atravs da alocao de capacitores. Os
resultados obtidos em [Ferreira 02] mostram que problemas com o colapso de tenso
podem no estar diretamente relacionados a sistemas com altas perdas.
Em [Souza 04], proposta uma metodologia que otimiza trs funes objetivo
separadamente: minimiza as perdas ativas da rea crtica para o colapso de tenso;
maximiza o mdulo das tenses nas barras com perfis baixos; e maximiza o carregamento
do sistema. Destaca-se a forma de escolha das barras candidatas para alcanar tais
objetivos. observada qual a influncia da mudana das barras candidatas para cada
uma destas funes objetivo. Escolhem-se trs opes: (1) barras candidatas para a
reduo das perdas ativas; (2) barras com baixos mdulos de tenso; (3) barras crticas
para o colapso de tenso. A alternativa (1) indicada pela anlise de sensibilidade de
perdas, a (2), pelo fluxo de potncia e a (3), pelo clculo do vetor tangente. A opo (3)
obtm os melhores resultados, atingindo uma margem semelhante a das outras alternativas
com um montante menor de compensao reativa alocado, sendo, portanto, mais eficiente.
Em sntese, os artigos [Ferreira 02, Souza 04] apontam a importncia de se alocar
compensao reativa nas barras crticas, indicadas pelo vetor tangente, para melhorar o
sistema eltrico com relao estabilidade de tenso, como verificado nos pargrafos
anteriores. Tal estratgia tambm utilizada nos procedimentos da avaliao tcnica desta
tese de doutorado, como descrito no prximo captulo.
ndices de Estabilidade de Tenso
As referncias [Musirin 02a e 02b] aplicam um ndice de estabilidade de tenso
rpido (FSVI, sigla em ingls) e o comparam com o ndice L
mn
e com o fator de estabilidade
da linha (LQP), definidos pelas equaes 2.7, 2.8 e 2.9. Os termos Z
ij
e X
ij
representam a
impedncia e a reatncia da linha entre as barras i e j; V
i
e P
i
correspondem tenso e
potncia ativa em i; Q
j
a potncia reativa que chega em j; o ngulo da impedncia;
o ngulo entre as tenses das barras i e j.
ij i
j ij
ij
X V
Q Z
FSVI
2
2
4
= (2.7)
( ) [ ]
2
sin
4

=
i
ij j
mn
V
X Q
L
(2.8)
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



23

=
j i
i
ij
i
ij
Q P
V
X
V
X
LQP
2
2 2
4 (2.9)

Os resultados obtidos pelos autores para os trs ndices so semelhantes,
apontando as mesmas linhas como as mais crticas.
Em [Musirin 04], utiliza-se o ndice FVSI para selecionar dois conjuntos de reas
fracas: um composto por linhas sensveis para a anlise de estabilidade de tenso e outro
por linhas crticas que, ao sarem de operao, tornam o sistema vulnervel. Tais linhas
normalmente se encontram prximas da barra que tem seu carregamento aumentado.
Verifica-se que a maioria das linhas sensveis tambm so crticas.
Em [Rahman 95] indicado o ndice L
i
para apontar as barras crticas com relao
ao colapso de tenso estimado pela equao 2.10 onde o subscrito th representa a barra do
equivalente de Thvenin e L, a da carga (barra onde calculado L
i
). Para se encontrar tal
ndice para determinado local, preciso calcular o circuito equivalente de Thvenin para o
restante da rede. Quando L
i
maior que 1 significa que o sistema entra em colapso,
portanto as barras crticas so aquelas com valores de L
i
mais prximos de 1.

( ) ( ) ( )
2
2
2
cos cos 4
th
L th L L th L th
i
V
V V V
L

= (2.10)

Estabilidade de Tenso como Restrio do Planejamento
Em [Rosehart 03] proposta e comparada a implementao dos limites da
estabilidade de tenso na otimizao do fluxo de potncia de quatro maneiras: (1)
adicionando o mximo carregamento nas restries; ou (2) incorporando-o na funo
objetivo atravs de um peso; (3) utilizando uma combinao destas duas implementaes
antecedentes; (4) indicando pesos para o custo da potncia reativa em relao ao
melhoramento do fator de potncia e da estabilidade de tenso. O maior desafio deste artigo
selecionar os pesos ideais que no levem a otimizao do fluxo de potncia divergncia
e ainda atinja resultados favorveis para a estabilidade de tenso sem custos muito
elevados.
Em [Medeiros 03], afirma-se que normalmente o carregamento mximo em linhas
curtas (menores que 160 km) determinado por limites trmicos, em linhas mdias (entre
160 e 480 km), por limites de queda de tenso e em linhas longas (acima de 480 km), pela
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



24
instabilidade de tenso. Estes limites mximos so maiores para nveis de tenso mais
elevados.
Critrios para Estabilidade de Tenso
O artigo [Abed 99] apresenta os critrios para estabilidade de tenso, a estratgia de
corte de carga e a metodologia de monitoramento de reserva de potncia reativa adotados
pelo Western Electricity Coordinating Council (WECC), conselho muito conceituado da
regio Oeste da Amrica do Norte.
O trabalho [Cortez 00] prope critrios e procedimentos para avaliao de
estabilidade de tenso, subsidiando os estudos que foram desenvolvidos pela Fora Tarefa
Brasileira de Estabilidade de Tenso [CCPE 02], para aplicao no planejamento do sistema
eltrico brasileiro. So tratadas as metodologias e ferramentas utilizadas que mais
contribuem na formulao desses critrios e procedimentos, especialmente quanto a
margens de estabilidade. Tais critrios tambm so adotados nesta tese de doutorado.
As anlises, sob o ponto de vista do planejamento, utilizam mtodos estticos que
possibilitam grande varredura de situaes a que o sistema pode ficar submetido. Dentre as
metodologias analisadas pela Fora Tarefa, o levantamento de curvas PV se mostrou o
mais adequado para a determinao das MET. As metodologias QV e anlise modal so
importantes para subsidiar tomadas de deciso quanto a margens de potncia reativa e
locais apropriados para reforos no sistema.
A filosofia adotada em [Cortez 00] se fundamenta na segurana do sistema atravs
da determinao das MET, tanto para condio normal quanto em condies de
emergncias (contingncias simples). As margens mnimas so recomendadas como critrio
de segurana para a rede eltrica e se baseiam nos erros mdios histricos de previso de
carga, no mbito do planejamento, e no atraso de um ano nas obras.
Segundo o WECC, a margem de estabilidade de tenso em MW para o caso base do
sistema eltrico (condies normais de operao) tem que ser maior que 5% para permitir
imprevistos como aumento de carga ou fluxo entre subsistemas sem esquemas de ao que
seriam ativados durante condies de contingncia, mas no em condies normais [Abed
99]. Para o ONS, tal margem deve ser de 6% (taxa de crescimento mdio de 4,5% e erro
mdio da previso de carga 25%) mais a razo entre demanda mxima instantnea e a
integralizada em uma hora [CCPE 02, ONS 04].
A taxa mdia de crescimento anual (TMCA) do mercado de energia eltrica entre
1995 e 2000 da regio Sudeste foi de 4,5%, com crescimento mnimo de 2,2% e mximo de
6,2%, e a TMCA da regio Sul foi de 6%, sendo seu menor valor de 3,9% e o maior de 8%.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



25
O erro mdio da previso de mercado (diferena ente o valor previsto e o verificado) tem
sido de 20% no Sudeste e de 30% no Sul [Cortez 01a].
Anlises Finais
O sistema eltrico se encontra num cenrio de baixos investimentos no planejamento
da expanso, deixando as redes prximas aos limites. A compensao reativa uma
alternativa interessante, porm importante que os poucos investimentos sejam muito bem
empregados, escolhendo-se a soluo tima do montante e da localizao dos
equipamentos a serem instalados. , portanto, necessrio criar um procedimento que
atenda aos requisitos de compensao reativa e estabilidade de tenso, o qual proposto
no prximo captulo.
Atravs da pesquisa apresentada neste item, confirma-se que a anlise esttica
(curvas PV e QV), apesar de seu resultado menos preciso, bem aceita para se avaliar a
estabilidade de tenso no contexto do planejamento da expanso. Sendo assim, tal anlise
a utilizada nos procedimentos sugeridos no prximo captulo.
Verifica-se a necessidade de serem identificadas as barras crticas para se obterem
maiores margens de estabilidade de tenso. Para a anlise de sensibilidade e determinao
de tais barras crticas, indicado o uso do vetor tangente que eficaz neste propsito.
Os critrios adotados para a avaliao tcnica de estabilidade de tenso no contexto
nacional so baseados naqueles indicados pelo CCPE (Comit Coordenador do
Planejamento da Expanso dos Sistemas Eltricos) e ONS (Operador Nacional do Sistema
Eltrico) [CCPE 02, Cortez 00, ONS 04].
Com o estudo, foram adquiridas informaes fundamentais para: selecionar os
critrios a adotar; escolher a ferramenta a ser utilizada; determinar os tipos de anlises que
devem ser realizadas; decidir que resultados a se obter; indicar os limites a serem
estabelecidos para que o sistema no atinja o ponto de colapso de tenso; realizar anlises
de sensibilidade que apontam barras crticas; identificar possveis medidas a tomar, com
relao compensao reativa, para se evitar a instabilidade de tenso.
2.2.3. Transitrios Eletromagnticos
O estudo realizado sobre o tema Transitrios Eletromagnticos foi baseado nas
referncias: [Carvalho 95], [DAjuz 85 e 87], [Kizilcay], [Eletrobrs 85], [Naidu 85] e
[Greenwood 91]. A pesquisa completa sobre o tema est registrada em [Chaves 04]. O
presente item est estruturado da seguinte maneira: apresentao resumida de algumas
definies bsicas; descrio do fenmeno ocorrido ao se manobrar bancos de capacitores;
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



26
caracterizao do disjuntor; deteco das conseqncias dos transitrios eletromagnticos;
identificao das influncias do sistema eltrico e da compensao reativa no fenmeno;
apresentao de solues e estratgias adotadas; destaque das vantagens de cada
mecanismo mitigador; indicao das ferramentas computacionais existentes para a
realizao das simulaes. Nestes tpicos so apontadas as referncias estudadas mais
relevantes. A definio dos termos de transitrios eletromagnticos utilizados a seguir
mostrada no apndice B.
O chaveamento de um banco de capacitor est associado a trs parcelas de corrente
e tenso distintas:
regime permanente que est presente somente aps o trmino do transitrio;
transitrio que depende das constantes do circuito: R, L e C;
valor inicial da corrente e tenso.

Ao se ligar um capacitor descarregado, sua tenso no se altera instantaneamente,
levando a mesma para zero e oscilando at chegar no valor nominal de 60 Hz. O pico
terico alcanado pela sobretenso de 2 pu, mas normalmente tal valor menor devido ao
amortecimento (resistncias do sistema) [Grebe 96].
O fenmeno oscilatrio (transitrios eletromagnticos) conseqncia da troca de
energia entre os elementos indutivos (
2
2
1
LI ) e capacitivos (
2
2
1
CV ) do circuito. Quando
energizado apenas um capacitor a freqncia de oscilao baixa de 300 a 1000 Hz,
durando de 0,25 a 0,5 ciclo com sobretenses que variam entre 1,1 e 1,5 pu [Grebe 96,
Santoso 01]. Neste caso, o banco interage com a fonte. Quando chaveado um banco em
paralelo com um j existente (configurao back-to-back vide apndice B), a freqncia
de oscilao de 2 a 10 kHz. Dependendo da ressonncia do sistema, pode-se obter
sobretenses maiores que 2 pu [Coury 98, Santoso 01].
O maior valor inicial e conseqente maior sobretenso ocorre quando h um
carregamento prvio do banco de capacitor na polaridade inversa da forma de onda da
fonte no instante da manobra. Em [Blooming 05] descrito um caso real em que o banco e
seus fusveis falham devido ao carregamento prvio das unidades capacitivas.
As sobretenses e sobrecorrentes causadas pelos transitrios eletromagnticos
podem ser classificadas pela amplitude do pico, freqncia e durao.
Durante o chaveamento dos capacitores podem surgir picos de corrente elevados
(inrush) com durao de vrios milisegundos [Alves 99, Castro Jr. 03, Pamplona 02, Santos
02]. Ao se manobrar um nico banco de capacitor, a corrente inrush (apndice B) de
aproximadamente 5 pu com freqncia entre 200 e 600 Hz. Na configurao back-to-back,
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



27
tal sobrecorrente fica entre 40 e 100 pu com uma freqncia de oscilao de 5 a 20 kHz
[Castro Jr. 03].
A corrente inrush proporcional tenso inicial do capacitor e freqncia de
ressonncia. O valor mximo da corrente inrush depende da separao dos plos, do
amortecimento do resistor, da freqncia natural e da saturao da corrente limitadora do
reator [Coury 98]. Desprezando a parte resistiva, o pico da corrente inrush na energizao
de um nico banco de capacitor dada pela equao 2.11, onde V
L
a tenso de linha da
fonte, Z
0
a impedncia de surto (
eq eq
C L ). A freqncia da corrente inrush calculada
pela equao 2.12 [Das 92, McCoy 94].

0
3
2
3
2
max
Z
V
L
C
V
i
L
eq
eq
L
inrush
= = (2.11)
eq eq
C L
f

=
2
1

(2.12)

Uma outra forma de se calcular f pela equao 2.13, onde se tm os termos de:
freqncia da fonte (f
s
), reatncia equivalente do capacitor (X
Ceq
) e da indutncia (X
Leq
). O
aumento da tenso em regime permanente (V) pode ser determinado pela razo entre a
potncia trifsica do banco (MVAr) e a de curto-circuito (MVA
sc
), mostrado na equao 2.14
[Grebe 98].

V
f
MVAr
MVA
f
X
X
f f
s
sc
s
Leq
Ceq
s


1
(2.13)
% 100 =
sc
MVA
MVAr
V (2.14)

Na configurao back-to-back, caso no haja reatncias em srie com a
capacitncia, a indutncia da fonte (L
S
) pode ser desprezada, pois a corrente que flui para o
capacitor chaveado (I
C
) fornecida quase totalmente por aquele j em funcionamento, muito
pouco vem da fonte (I
S
). Nesta situao (mostrada na figura 2.3), nas equaes 2.11 e 2.12,
L
eq
a indutncia entre os capacitores e C
eq
, a capacitncia em srie destes equipamentos,
representada pela equao 2.15.

Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



28
2 1
2 1
C C
C C
C
eq
+
=
(2.15)


Figura 2.3. Circuito equivalente da equao 2.15.
A freqncia natural de cada circuito em paralelo (
n
) calculada pela equao 2.16,
onde n identifica o circuito correspondente de cada capacitor.

n n
n
C L
1
=
(2.16)

Para se evitarem altas sobretenses e sobrecorrentes, o instante timo para a
energizao do banco de capacitor descarregado quando a tenso atravessa o zero,
sendo o pior caso quando a tenso est em seu pico, porque a sobretenso atinge
teoricamente 2 pu.
Quando realizada a desenergizao, a corrente no circuito do capacitor
interrompida e uma carga eltrica armazenada na capacitncia. Como o disjuntor
interrompe a corrente em zero, a tenso est no valor de pico [Das 92].
Ao se desenergizar um capacitor pode ocorrer o restrike, tambm conhecido como
reacendimento (apndice B), caso os plos do disjuntor no tenham rigidez dieltrica
suficiente para suportar a tenso mxima imposta durante o perodo de interrupo. O
resultado uma oscilao de alta freqncia que sobreposta tenso de 60 Hz. Mltiplos
reacendimentos podem existir, tornando a tenso cada vez mais alta. Este fenmeno se
extingue com o aumento do comprimento entre os contatos do disjuntor e tambm quando
as resistncias do sistema conseguem amortecer as oscilaes [Das 92, Zalucki 00].
Na desenergizao sem restrike, normalmente no so verificados transitrios
[Santoso 01]. Considerando a incidncia de reacendimento, observam-se maiores
sobretenses e sobrecorrentes do que na energizao. Um capacitor com carga de 1 pu
alcana sobretenses de 2 pu de 1,5 ciclo e, com restrike no ponto mximo, atinge-se 3 pu
[Comit IEEE 96].
L
eq
C
2
CH
I
C
C
1
L
S

V
60
I
S
0
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



29
O reacendimento est diretamente relacionado com a Tenso de Restabelecimento
Transitria (TRT apndice B) que atravessa os contatos do disjuntor. A TRT inicia de um
baixo valor e pode atingir 2 a 3 pu aps meio ciclo. Este valor depende da configurao do
sistema: capacitor aterrado, fonte aterrada, presena de outras cargas, etc. [Das 92]. As
maiores TRT ocorrem nos capacitores no aterrados, sendo de 2,5 a 3 pu em 1,5 ciclo, e, s
vezes, at 4 pu [Comit IEEE 96].
A seguir so feitos comentrios sobre o disjuntor, equipamento que realiza as
manobras de capacitores (energizao e desenergizao) e sofre os fenmenos descritos
anteriormente (restrike e tenso de restabelecimento transitria) [Carvalho 95].
Atualmente, a maioria dos disjuntores instalados so os a vcuo. Este tipo de
dispositivo tem como vantagens o elevado nmero de ciclos permitidos na operao e o alto
valor de rigidez dieltrica entre seus contatos em um pequeno volume [Fugel 03], diminuindo
a ocorrncia de reacendimentos ou reignies. Segundo [Zalucki 00], at o ano 2000, tais
dispositivos se mostraram muito instveis, porm a tecnologia de interrupo a vcuo dos
disjuntores progrediu muito, tornando mais raros os restrikes, prestrikes (ou pr-ignio) e
correntes de chopping (apndice B) [Das 05].
O reacendimento e a reignio (apndice B) dependem dos parmetros da operao
de chaveamento. Quanto maior o nmero de operaes, mais alta a probabilidade de
ocorrer restrikes. Segundo [Dullni 06], 60% dos bancos de capacitores so chaveados 300
vezes por ano e 30%, 700 vezes por ano.
Ao se fechar a chave, ocorrendo uma pr-ignio (apndice B), o arco funde a
superfcie dos contatos localmente e quando feita sua abertura a fundio rompida e
fornece grandes possibilidades para um reacendimento [Dullni 06]. Um restrike ocorre num
perodo de tempo de algumas centenas de milisegundos enquanto o prestrike em algumas
centenas de microssegundos [Dullni 06].
Com relao ao aspecto de suportabilidade dieltrica do disjuntor, verifica-se que as
caractersticas da disperso de seus contatos e o comportamento da rigidez dieltrica entre
eles so muito importantes para o desempenho do chaveamento e determinam a mxima
tenso possvel entre os contatos. A ocorrncia de um arco eltrico depende da preciso
mecnica do equipamento e da tangente da curva de tenso do sistema no instante de
tenso zero [Rocha 97].
Revisadas as principais caractersticas e fenmenos das manobras de capacitores,
importante citar as conseqncias dos transitrios eletromagnticos para os
equipamentos do sistema eltrico. Elas so tratadas em diversas referncias: [Alves 99],
[Freire 01a e 01b] e [Leo 01], dentre outras. So principais conseqncias:
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



30
degradao do isolamento ou queima de fusveis internos de capacitores;
sobretenses elevadas que podem danificar transformadores e pra-raios e
causar rupturas em isoladores;
atuao indesejada de protees;
danos dieltricos e mecnicos em clulas de bancos de capacitores e em
disjuntores;
disparo de pra-raios convencionais sem resselagem ou dissipao de energia
elevada em pra-raios ZnO, causando degradao excessiva ou at danificao
destes dispositivos;
danificao de equipamentos, inclusive os de manobra, pelo reacendimento do
arco durante a desenergizao.

Em [Grijp 96], citado um exemplo prtico de manobras de bancos de capacitores
de 275 kV com o neutro no-aterrrado que tem provocado problemas como: exploso de
latas dos capacitores, exploso de cmaras de disjuntores devido ao restrike, acionamento
de abertura de disjuntores de barras adjacentes devido amplificao da tenso,
sobretenses severas em subestaes remotas resultando em falhas da isolao de
transformadores, entre outros efeitos.
Excessivos transitrios em tenses fase-fase e ressonncia nos enrolamentos de
transformadores so conseqncias provocadas pelo restrike. Como as freqncias deste
fenmeno so relativamente baixas, entre 300 e 1000 Hz, os transitrios passam para o
secundrio do transformador, sendo os equipamentos de baixa tenso os mais afetados
pelas sobretenses e perturbaes [Grebe 96].
As sobretenses so amplificadas pelos seguintes fatores: rede com baixa potncia
de curto-circuito; linha de transmisso longa conectada barra onde ocorre a energizao
do capacitor; sintonia entre a freqncia de ressonncia da linha e a da corrente inrush.
Alm destes fatores, podem-se citar: a caracterstica da carga; o tamanho do capacitor
energizado, do transformador do consumidor e da compensao reativa para correo de
fator de potncia; o sistema de amortecimento; a freqncia de oscilao de cada circuito
(
1
prximo de
2
) e a impedncia Z
2
maior que a Z
1
(equaes 2.17 e 2.18) [Coury 98,
McGranaghan 92]. Os subscritos de , Z, L e C, que possuem maior valor, pertencem a um
menor nvel de tenso. Por exemplo, para a figura 2.4, o subscrito 2 refere-se a 13,8 kV
enquanto o subscrito 1 est relacionado a 36 kV.

Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



31
1 1
1
1
C L
= e
1
1
1
C
L
Z = (2.17)
2 1
2 1
2
2
1
C C
C C
L
+
= e
( )
2 1
2 1 2
2
C C
C C L
Z
+
=
(2.18)


Figura 2.4. Circuito exemplo para as equaes 2.17 e 2.18.

As conseqncias de sobretenses muito elevadas so: distrbios, danos ou
falhas em equipamentos dos consumidores (particularmente os eletrnicos de baixa tenso),
parada de processos ou motores de velocidade controlada e problemas em redes de
computadores. Interrupes de uma hora no sistema eltrico podem gerar perdas da ordem
de centenas de milhares de dlares para consumidores comerciais e industriais [Coury 98].
Segundo [McGranaghan 92], os equipamentos de proteo atuam para sobretenses
maiores que 1,8 pu. Neste artigo constatado que os transitrios so amplificados para a
faixa de 2 a 3 pu quando ocorrem as piores condies possveis [Grebe 96]:
o tamanho do capacitor chaveado significativamente maior (mais de 10 vezes)
que o banco de correo de fator de potncia;
a freqncia de energizao e de ressonncia srie formada pelo transformador
e o banco de correo de fator de potncia esto prximas;
pequeno o amortecimento do sistema fornecido pela carga de baixa tenso, por
exemplo, uma planta industrial tpica composta principalmente de motores.

Atravs das afirmaes anteriores observa-se que as conseqncias dos transitrios
eletromagnticos esto fortemente relacionadas s caractersticas do chaveamento e do
sistema eltrico onde realizada a manobra. A seguir, descreve-se a influncia de cada
uma das diferentes caractersticas existentes.
C
2
L
2
CH

2
C
1
L
1

1
V
1
= 36 kV V
2
= 13,8 kV
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



32
Considerando o chaveamento de um capacitor conectado atravs de uma linha de
transmisso barra adjacente, a sobretenso depende do tempo de trnsito da onda
(comprimento da linha) e da freqncia de ressonncia causada pelas capacitncias e as
indutncias que compem o circuito. A sobretenso na barra adjacente atinge os maiores
picos para comprimentos de linha que tm o inverso do tempo de trnsito igual a 4 vezes a
freqncia de ressonncia do sistema. A variao do comprimento da linha exerce pouca
influncia no valor da tenso da subestao onde ocorre a manobra. Alm disso, quanto
maior o capacitor, mais elevada a sobretenso na barra adjacente [Bhargava 93].
Os resultados de [Jota 98] indicam que uma carga com maior fator de potncia
atinge valores menores de sobretenso. Em sistemas com pequeno amortecimento, que o
caso de consumidores com carga predominante de motores, a sobretenso pode chegar a
ser 0,3 pu maior que uma carga resistiva equivalente, segundo [McGranaghan 92].
Um ponto importante da pesquisa a influncia da CR/CT nos transitrios
eletromagnticos, j identificada no item 2.1.3, tratada em [Fernandez 97 e 04, Freire 01b,
Pamplona 02], entre outras referncias. Esta influncia se deve, principalmente, s
sobretenses e s sobrecorrentes provocadas, respectivamente, ao se manobrar um nico
capacitor e na configurao back-to-back.
Maiores montantes de compensao reativa e sistemas mais fracos tm mais
problemas com os transitrios gerados [Santoso 01]. Quanto menor o capacitor (em F),
maior a freqncia de oscilao (equao 2.12). Quanto mais perto da carga ou mais
longe da fonte estiver a compensao reativa, menor a freqncia de oscilao e as
sobretenses, porm a onda contm mais picos [Saied 04b].
Os artigos [Dunsmore 92, Jota 98, McGranaghan 92, Saied 04a] tratam de estudos
de sobretenses atingidas quando o sistema tem circuitos em paralelo formados por
capacitores e indutores (por exemplo, figura 2.4).
Em [Dunsmore 92], energizado um capacitor em uma subestao em 36 kV e
observadas as sobretenses causadas por este chaveamento. verificado que, quanto
menor o nvel de tenso, maiores so as sobretenses. Os artigos [Dunsmore 92, Jota 98]
apresentam grficos da sobretenso em funo da razo entre as freqncias naturais
(
2
/
1
, figura 2.4) dos circuitos em paralelo para diversas razes de capacitores (C
1
/C
2
,
figura 2.4). Na distribuio, o resultado generalizado alcanado : quanto maior C
1
/C
2
,
mais elevada a sobretenso, porm este valor tambm depende de
2
/
1
. Segundo
[Dunsmore 92], se as freqncias naturais so significantemente maiores que a fundamental
(
n
>>
0
), a sobretenso mxima ocorre quando as freqncias do nvel de alta e baixa
tenso so iguais (
1
=
2
).
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



33
O artigo [McGranaghan 92] mostra que as maiores sobretenses ocorrem com o
chaveamento de grandes bancos de capacitores (C
1
) ou com a presena de pequenos
montantes de compensao reativa para correo de fator de potncia (C
2
). Isto porque a
razo entre o banco manobrado e esta compensao (C
1
/C
2
) aumenta, confirmando o que
constatado em [Dunsmore 92, Jota 98]. Resultados semelhantes so gerados por [Saied
04a].
Em [Barbosa 05], apresentado um exemplo prtico de como o chaveamento da
compensao reativa em uma subestao da concessionria influencia os bancos de
capacitores e os disjuntores de uma indstria. Neste exemplo, as vrias manobras da
compensao reativa em nveis de tenso mais altos causaram sobretenses nos
equipamentos do consumidor, desgastando-os. A conseqncia disto foi a exploso de latas
de capacitores e de um disjuntor.
Foram pesquisadas as solues e estratgias adotadas para mitigar as
sobretenses e sobrecorrentes as quais so encontradas em [Alves 99, Castro Jr. 03, Freire
01a, Sabot 93] e outras referncias. Estas solues vm para estender a vida til dos
componentes dos bancos de capacitores e de equipamentos adjacentes.
Segundo [Grebe 96], medies em plantas industriais indicam transitrios
amplificados entre 2,0 e 4,0 pu, dependendo do montante da compensao reativa de baixa
tenso. As solues adotadas para minimizar estes transitrios so:
aplicao de pra-raios de alta energia (MOV) em sistemas de baixa tenso;
utilizao de filtros harmnicos para diminuir a freqncia de ressonncia;
instalao de resistores ou reatores de pr-insero ou chaveamento controlado;
emprego de reatores em srie com os motores para reduzir a probabilidade de
perturbaes;
uso de reatores fixos de algumas centenas de H para limitar a corrente inrush.

A eficcia dos equipamentos mitigadores depende do sistema eltrico onde estes
dispositivos esto localizados. Anlises detalhadas so necessrias para a escolha do
melhor tipo de mitigador. A seguir so descritas as caractersticas dos pra-raios, filtros
harmnicos, resistores e reatores de pr-insero e chaveamento controlado, sendo que
para os trs ltimos feita uma comparao.
O artigo [Paul 93] discorre sobre os pra-raios ZnO e SiC que so utilizados para
proteger os equipamentos do sistema. O ZnO mais atrativo para os modernos MOV (Metal
Oxide Varistor) por causa da sua baixa conduo de corrente em tenso nominal.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



34
A instalao de pra-raios em paralelo recomendada para ajudar a descarregar o
capacitor em situaes de aumento de energia causado por sobretenses no equipamento e
para limitar as TRT. Na desenergizao de capacitores, a anlise da ocorrncia de reignio
com freqncia e amplitude elevadas importante para determinar a energia que dever ser
dissipada pelos pra-raios durante tal distrbio. Os principais parmetros a serem
especificados para o pra-raios MOV so [Paul 93]:
tenso de operao contnua mxima (MCOV, sigla em ingls);
amplitude, forma de onda e durao da sobretenso;
energia absorvida se a sobretenso exceder a tenso mxima de operao.
A MCOV deve ser igual a, no mnimo, 125% da tenso de linha nominal. O limite
comum de sobretenso para o pra-raios de 2,0 pu, onde 1,0 pu corresponde equao
2.19.
3
2
N
V
(2.19)

A energia absorvida pelo pra-raios calculada pela equao 2.20, onde C a
capacitncia do banco, V
0
e V
1
so, respectivamente, tenso anterior e posterior manobra.

( ) [ ] J V V C E
2
1
2
0
2
1
= (2.20)

Quanto maior o capacitor chaveado, mais alta a taxa de energia absorvida pelo
pra-raios. Em nveis de baixa tenso, a taxa de energia absorvida pelos pra-raios costuma
ser alta, sendo necessrio verific-la para a escolha do equipamento ideal [McGranaghan
92].
Outra opo para minimizar os transitrios a utilizao de filtros harmnicos para
os capacitores de baixa tenso dos consumidores. Este dispositivo reduz a freqncia de
ressonncia para valores abaixo de 300 Hz, no havendo grande amplificao da tenso
porque os transitrios excitam freqncias entre 300 e 1000 Hz. As sobretenses diminuem
significativamente, chegando, em alguns casos, a 1,0 pu de reduo. Logo, para se chegar
a resultados mais precisos nas simulaes de transitrios, devem-se modelar tais filtros
[Grebe 98, McGranaghan 92].
Ainda hoje, o resistor de pr-insero est presente em grande nmero no sistema
eltrico como mitigador de transitrios. Tal resistor conectado rede atravs de um ramo
auxiliar que est em paralelo ao circuito principal, mostrado na figura 2.5. Primeiro, fecha-se
mecanicamente a chave do circuito auxiliar (CH
A
) e, aps um pequeno perodo de tempo, o
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



35
circuito principal (CH
P
) ligado rede. As duas manobras causam transitrios
eletromagnticos.

Figura 2.5. Modelo do resistor de pr-inserso.
O resistor de pr-insero reduz a sobretenso inicial e fornece um amortecimento
para o sistema. A eficcia deste equipamento depende do valor da resistncia (r
p
) e do
tempo de pr-insero (t
p
). A ocorrncia de transitrios no chaveamento do circuito auxiliar
inversamente proporcional a r
p
. Na energizao do circuito principal, a amplitude do
transitrio cresce com o aumento da resistncia e diminui com maior tempo de pr-insero.
Esta resistncia calculada pela equao 2.21, onde C a capacitncia do banco de
capacitor chaveado e o tempo de amortecimento do circuito. Considerando a potncia do
banco (Q
c
), a equao 2.21 se torna a 2.22. O termo V
N
corresponde tenso nominal da
barra e freqncia angular (2f).

C
r
p

= (2.21)
C
N
p
Q
V
r
2

= (2.22)

Para bancos de capacitores de elevado montante, onde o transitrio do chaveamento
do circuito principal se torna significativo, deve-se utilizar o reator de pr-insero com
baixa resistncia e, nos demais casos, com alta resistncia. Os reatores de pr-insero
alcanam maiores valores de impedncia durante os transitrios de elevada freqncia.
Desta forma, a impedncia deste equipamento diminui a sobretenso e limita a amplitude da
corrente inrush inicial [Adams 98].
Grandes reatores de pr-insero limitam a corrente inrush mas tambm podem
induzir ressonncias que amplificam os harmnicos presentes na rede eltrica. A vantagem
do reator de pr-insero o baixo custo e a reduo da corrente de curto-circuito na barra
do capacitor chaveado [Fernandez 04].
Uma das alternativas mais eficientes para mitigar as sobretenses geradas pela
manobra de capacitores o chaveamento controlado, que tem como funo comandar o
CH
P

CH
A

r
p

t
p

Circuito Principal
Circuito Auxiliar
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



36
fechamento ou a abertura de chaves em instantes timos. Estes equipamentos de controle
detectam a passagem por zero, calculam o tempo de atraso e, a partir destes dados, enviam
um sinal de potncia para a manobra [Fernandez 97 e 04, Piantino 99]. De forma terica
pode-se dizer que o chaveamento controlado utiliza a seguinte lgica:
para o capacitor aterrado descarregado: fechamento sucessivo das trs fases
quando a tenso fase-terra zera (60 de separao);
para o capacitor no-aterrado descarregado: fechamento simultneo de duas
fases quando a tenso entre elas zero e a prxima fase fecha 90 depois
(tenso fase-terra igual a zero).

O chaveamento controlado, geralmente, tem como meta energizar as trs fases
depois que a tenso passa por zero. Em situaes antes do zero, o desvio do fechamento
pode causar um prestrike prximo ao pico. Normalmente os instantes das manobras so
fixados em 0,5 ms ou 1 ms depois da passagem por zero. difcil manter o desvio em
1 ms. Na prtica, so observados desvios maiores que 2 ms. A sobretenso varia com este
erro no chaveamento controlado. Melhor preciso pode ser obtida por sofisticados
dispositivos eletrnicos de alto custo [Chang 00].
Para se detectar o momento exato de se manobrar o disjuntor, a fim de que a tenso
seja zero, determina-se o tempo de operao mecnica e o tempo eltrico que ajustado
para fazer o fechamento no instante esperado. O tempo de operao mecnica varia com a
freqncia de manobras, com a temperatura ambiente e com a tcnica de manuteno.
O chaveamento controlado trabalha para compensar o acmulo de operaes
consecutivas e melhora a confiabilidade de no ocorrncia de restrikes nos disjuntores. Este
equipamento possibilita uma grande reduo dos estresses eltricos e/ou mecnicos
oriundos dos transitrios de manobra de bancos de capacitores. Dentre estas vantagens e
benefcios destacam-se [Fernandez 04]:
a eliminao de cmaras auxiliares (com resistores de fechamento ou abertura)
em disjuntores, podendo reduzir em at 30% seu preo;
obteno de menores margens de dimensionamento de equipamentos, o que
traz como conseqncia a diminuio de custos de aquisio dos mesmos;
significativa reduo de custos de manuteno em disjuntores;
aumento da disponibilidade operativa;
melhoria da qualidade de energia fornecida, pela minimizao dos transitrios de
manobra e de seus efeitos indesejveis no sistema eltrico de potncia.

Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



37
Para concluir esta parte sobre os dispositivos mitigadores de sobretenses
realizada uma comparao entre eles.
O resistor de pr-insero menos eficiente que o disjuntor dotado de controlador e
introduz perdas momentneas no sistema. Alm disso, segundo [Filion 03], o seu
investimento e manuteno so mais elevados que os de chaveamento controlado, ainda
requerendo recondicionamento completo em menor tempo. Utilizando-se, ento, chaves
controladas, no s os bancos de capacitores so mais confiveis operativamente como
tambm reduzem significativamente os custos de aquisio dos disjuntores e de
manuteno/indisponibilidade do equipamento.
O reator de pr-insero uma alternativa mais barata em relao ao resistor de pr-
insero devido ao fato de no necessitar de uma manobra adicional. Entretanto, o reator
menos eficaz que os outros dois equipamentos mitigadores citados porque introduz no
sistema uma nova freqncia de ressonncia, causando oscilaes que podem limitar a
mitigao ou at mesmo amplificar os transitrios [Chang 00]. Com isto a diminuio da
sobretenso nem sempre significativa.
Se for adicionado um reator de pr-insero na manobra do capacitor, a freqncia
de ressonncia alterada e, conseqentemente, a sobretenso mxima ocorre para um
novo comprimento de linha. O valor do reator de pr-insero (indutor em mH) deve ser
analisado detalhadamente para no aumentar a sobretenso existente. Com o resistor no
ocorre tal problema, so alcanados melhores resultados que com o reator, se for
considerada a anlise da variao do comprimento da linha [Bhargava 93].
Conclui-se que, para se obter uma reduo de manuteno e custo final, a manobra
controlada a melhor opo, apesar de a aplicao de interruptores sob carga com
resistores e reatores de pr-insero alcanar resultados satisfatrios para a mitigao de
transitrios. importante avaliar cada caso para a escolha mais adequada do dispositivo
mitigador.
Para finalizar este item, so citadas algumas ferramentas computacionais e modelos
que so utilizados nas anlises de transitrios eletromagnticos: EMTP (Electromagnetic
Transients Program), o ATP (Alternative Transients Program), o RTDS (Real Time Digital
Simulator), o EMTDC ou MICROTRAN.
As simulaes digitais servem para, dentre outras questes, entender como os
distrbios se propagam na rede, determinar a distoro na forma de onda causada por
diferentes fontes, quantificar o impacto dos transitrios eletromagnticos, testar tcnicas de
atenuao de sobretenses e sobrecorrentes e avaliar o efeito da representao de cargas,
linhas de transmisso e pra-raios.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



38
Em [Castro Jr. 03, Fernandez 97, Martinez 05a, 05b e 05c, Meister 05, Pamplona
02], os autores tratam da modelagem dos equipamentos eltricos essenciais para o estudo
de manobras de capacitores.
Anlises Finais
Este item apresentou as caractersticas bsicas dos transitrios eletromagnticos
gerados pela manobra dos capacitores. Ficou claro que as sobretenses e as
sobrecorrentes obtidas esto fortemente relacionadas configurao do sistema eltrico e
da compensao reativa introduzida energizao e desenergizao de um nico banco ou
de dois em paralelo; confirmadas no apndice B. Abordam-se questes que ajudam o
planejador a identificar as configuraes do sistema as quais so mais susceptveis a
elevadas sobretenses e sobrecorrentes.
Foi mostrado atravs de citaes de exemplos prticos e constataes de algumas
referncias que sobretenses e sobrecorrentes geradas pelas manobras de capacitores
podem causar danos em equipamentos do SEP, entre outros efeitos indesejados. Este um
dos motivos que justificam a proposta de um procedimento para avaliar a compensao
reativa em relao aos transitrios eletromagnticos. Dentre as vantagens do procedimento,
podem-se destacar a facilidade de anlise para o planejador e a diminuio do nmero de
simulaes realizadas.
A pesquisa realizada, na etapa de estudos de transitrios decorrente de manobra de
capacitores, resumida neste item, serviu de subsdio para: identificar os modelos de
equipamentos eltricos necessrios nas simulaes, saber quais anlises devem ser
realizadas (energizao e desenergizao do primeiro e segundo bancos), descobrir quais
resultados precisam de avaliao (sobretenses, sobrecorrentes e energia no pra-raios) e
determinar quais implementaes so necessrias para a mitigao dos transitrios
eletromagnticos no planejamento da expanso. Concluindo, com os conhecimentos obtidos
foi possvel o desenvolvimento de uma proposta de procedimento para a avaliao tcnica
de transitrios eletromagnticos, descrito no item 3.3.
2.2.4. Harmnicos
Este item relembra algumas definies e conceitos bsicos acerca do tema
harmnicos retirados, principalmente, das referncias [IEEE 81, Dugan 03, Pomilio 97,
Rocha 99], visando introduzir aspectos relevantes ao desenvolvimento do trabalho. Um
resumo da extensa reviso bibliogrfica registrada em [Chaves 04] tambm includo,
destacando-se os principais pontos de interesse e as referncias atuais.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



39
So apresentadas as definies de fator de potncia (FP), distoro harmnica (DH)
e impedncia prpria da barra (Z
P
). Dentre os principais tpicos tratados encontram-se:
fontes harmnicas; efeitos dos harmnicos no SEP; desvantagens de um baixo FP e uma
alta DH; as ressonncias paralela e srie; influncia dos capacitores na DH; procedimentos
para mitigao dos harmnicos presentes no SEP; ferramentas computacionais aplicveis;
filtros passivos e ativos.
Harmnicos representam um fenmeno contnuo de longa durao e no devem ser
confundidos com os de curta durao que duram apenas alguns ciclos. Transitrios,
distrbios eltricos, picos de sobretenso e subtenso no so harmnicos. Tais
perturbaes podem normalmente ser eliminadas com a aplicao de filtros de linha,
entretanto eles no reduzem ou eliminam correntes e tenses harmnicas.
Existem dois tipos de harmnicos: os caractersticos ou inteiros e os no-
caractersticos. Os harmnicos inteiros cuja ordem igual a um mltiplo da freqncia
fundamental so produzidos por equipamentos semicondutores em operao normal. Os
no-caractersticos so mltiplos no inteiros e se dividem em sub-harmnicos mltiplos
menores que 1 e inter-harmnicos mltiplos maiores que 1. Tais harmnicos so
provenientes de operaes anormais do sistema uma rede com uma fonte desbalanceada,
por exemplo e so gerados por ciclo conversores [Keneschke 99]. Os procedimentos
propostos neste trabalho de doutorado consideram apenas a anlise dos harmnicos
inteiros.
A natureza e a magnitude dos harmnicos gerados por cargas no-lineares
dependem de cada carga especificamente, mas algumas generalizaes podem ser feitas:
os harmnicos que causam problemas geralmente so os mpares e a magnitude da
corrente harmnica diminui com o aumento da freqncia. As caractersticas que identificam
tais cargas so [Keneschke 99]:
quando conectada a um sistema de tenso senoidal, passa por ela uma corrente
no-senoidal;
as ondas de tenso e corrente no tm a mesma forma de onda, pois esto nelas
inseridas alguns harmnicos;
a fonte de tenso torna-se no-senoidal.

As cargas no-lineares, fontes de harmnicos, so dividas em trs grupos [Grebe
96, Pomilio 97]: dispositivos saturveis (ncleo do ferro de transformadores e mquinas
eltricas); equipamentos a arco (fornos a arco, mquinas de solda a arco, lmpadas
fluorescentes com reatores eletromagnticos); e equipamentos que utilizam eletrnica de
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



40
potncia. Estes ltimos renem o maior nmero de exemplos tanto em cargas industriais
(comutadores, reatores controlados a tiristores RCT, retificadores, inversores de
freqncia, conversores, variadores de velocidade) quanto em cargas residenciais e
comerciais (lmpadas fluorescentes com reatores eletrnicos, computadores, no-breaks,
monitores de vdeo, televises, fornos de microondas, etc.). Em [Abdel-Galil 01] so
representados modelos para alguns destes tipos de cargas e em [Arentz 03] so mostradas
as formas de ondas tpicas de alguns destes dispositivos eletrnicos.
Os efeitos dos harmnicos no SEP so diversos [Alegria 02, Charles 03, Gama 99,
Grady 01, Pomilio 97, Subjak 90]. Dentre eles, encontram-se:
reduo do fator de potncia;
aumento das perdas em equipamentos como transformadores, motores, cabos,
capacitores, etc.;
sobretenso devido circulao de correntes harmnicas;
estresse do isolamento devido ao de tenses harmnicas;
operao incorreta de dispositivos de controle e proteo;
erros em medidores de energia ativa, utilizados nas indstrias, comrcios e
residncias;
interferncia em sistema de comunicao.

A severidade dos problemas causados pela presena de harmnicos depende da
sensibilidade de cada carga e da amplitude da distoro. Por este motivo, importante a
anlise dos efeitos dos harmnicos em equipamentos especficos. Em motores e
geradores, o maior problema o aumento do aquecimento devido ao acrscimo das perdas
no ferro e no cobre (maior corrente) que, alm de diminuir a eficincia e a vida til da
mquina, provoca tambm variaes no torque e aumento de rudo. Nos transformadores e
nos cabos de alimentao, o pior efeito o aumento nas perdas, principalmente quando
ocorrem ressonncias, reduzindo sua capacidade de carregamento. Nos transformadores,
observada maior influncia das capacitncias parasitas, e nos cabos, com a presena de
ressonncias, podem aparecer elevadas sobretenses ao longo da linha.
Uma elevada distoro harmnica pode ocasionar a operao inadequada dos rels
de proteo, dos disjuntores e dos fusveis. As aferies incorretas em medidores,
interferncias em telefones, operaes errneas de acionamentos e de fontes ocorrem
devido s mltiplas passagens por zero. As falhas em motores, acionamentos, fontes ou o
simples repicar de disjuntores podem provocar a parada da produo de uma indstria,
trazendo enormes prejuzos mesma como perda de produtividade e de venda.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



41
Neste trabalho de tese, o efeito causado pelos harmnicos nos capacitores
utilizados na compensao reativa shunt merece destaque. As correntes harmnicas podem
trazer problema para os capacitores, pois, com um aumento da freqncia, a impedncia
deles diminui, aproximando cada vez mais de um curto-circuito e atraindo correntes
harmnicas de ordem elevada. Com o aumento do fluxo de corrente, o capacitor se
encontrar constantemente sobrecarregado e sujeito a aquecimento excessivo, podendo at
ocorrer uma atuao da proteo, sobretudo dos rels trmicos. Alm disto, os harmnicos
podem fazer fundirem fusveis, falharem as latas, e at provocarem rudo audvel no
equipamento. As sobretenses nos dieltricos e as descargas repetitivas provocadas pelos
harmnicos causam eroso e degradao da isolao do material podendo originar falhas
[Boonseng 01]. Estes efeitos, isolados ou em conjunto, resultam na diminuio da vida til
do capacitor.
Uma das funes dos capacitores corrigir o fator de potncia (FP). Para ondas
no senoidais, o FP representado pela equao 2.23 onde P a potncia ativa
instantnea mdia, S, a potncia aparente, T, o perodo da onda, v
i
(t) e i
i
(t) correspondem,
respectivamente, aos valores instantneos de tenso e de corrente, e V
RMS
e I
RMS
, aos
valores RMS da tenso e da corrente.
( ) ( )
RMS RMS
T
i i
I V
dt t i t v
T
S
P
FP


= =

0
1

(2.23)

Caso apenas a corrente no seja senoidal, o fator de potncia calculado pela
equao 2.24, onde I
1
o valor RMS da componente fundamental da corrente, I
RMS
, o valor
RMS da corrente total e cos

corresponde ao co-seno da defasagem entre a tenso e a


componente fundamental da corrente.

1
1
cos
RMS
I
I
FP =
(2.24)

Assim, o fator de potncia FP pode ser dividido em duas componentes:
fator forma relao entre as correntes:
RMS
I
I
Ff
1
=
(2.25)
fator de potncia de deslocamento termo em co-seno:
1
cos = Fd

(2.26)
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



42
muito importante ressaltar que, nesta tese de doutorado, o fator de potncia
(FP) considerado igual equao completa 2.24 apenas nos estudos de
harmnicos. Em todos os outros itens, onde a anlise considera o sistema
eltrico em regime permanente senoidal o FP torna-se igual ao fator de potncia
de deslocamento (cos ). Nesta situao, optou-se por utilizar o termo FP por
ser aquele adotado, tradicionalmente, pela rea de planejamento do SEP.

O valor RMS da corrente de entrada (I
RMS
) pode ser expresso em funo das
componentes harmnicas, pela equao 2.27, onde I
h
o valor da componente harmnica
de corrente de ordem h ( h f
h
= 60 ) e I
1
o valor da corrente fundamental.

=
+ =
2
2 2
1
h
h RMS
I I I (2.27)

A Distoro Harmnica Total de Corrente (DHT
I
) definida como sendo a relao
entre o somatrio dos valores RMS das componentes harmnicas (I
h
) e o valor RMS da
corrente fundamental (I
1
), representada pela equao 2.28. Considerando apenas tal
distoro, o FP pode ser reescrito como exposto na equao 2.29.

1
2
2
I
I
DHT
n
h
I

=
=
(2.28)
2
1
1
cos
I
DHT
FP
+
=


(2.29)

Supondo que o fator de potncia de deslocamento de uma dada carga seja 1,0 (valor
mximo de Fd) e sua distoro harmnica de 20%, pela equao 2.29, nota-se que o fator
de potncia de 0,98 e, para uma distoro de 32,87%, o FP igual a 0,95. Isto mostra que
uma carga puramente resistiva ou de FP unitrio com compensao reativa pode violar os
limites de fator de potncia impostos pelo ONS, dependendo do nvel de harmnicos que
circulam na carga. Uma das vantagens da correo do fator de potncia a reduo da
corrente que chega carga, diminuindo as perdas. No entanto, caso a distoro harmnica
total esteja alta, o fator de potncia diminui, aumentando as perdas, apesar de o fator de
potncia de deslocamento ter melhorado.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



43
Caso haja tambm uma distoro harmnica de tenso, a equao do FP se torna a
2.30, onde k
h
chamado de fator de potncia harmnico [Izhar 03] e igual a
( )( )
2 2
1 1
1
V I
DHT DHT + +
.

( )( )
1
2 2
1
1 1
=
+ +

= cos
cos
h
V I
k
DHT DHT
FP
(2.30)

A Distoro Harmnica Individual de Corrente (DHI
I
) definida como sendo a relao
entre o valor RMS da harmnica e o valor RMS da corrente fundamental (equao 2.31).

1
I
I
DHI
h
I
=
(2.31)

As principais desvantagens de um baixo fator de potncia e uma alta distoro
de corrente so a limitao da capacidade de transmisso e o aumento das perdas (efeito
pelicular). Alm disto [Pomilio 97]:
as harmnicas de corrente exigem um sobredimensionamento da instalao
eltrica e dos transformadores;
a componente de 3 harmnica da corrente, em sistema trifsico com neutro, pode
ser muito maior do que o normal;
o achatamento da onda de tenso, devido ao pico de corrente, e a distoro da
forma de onda podem causar mau funcionamento de equipamentos conectados
rede;
as componentes harmnicas podem excitar ressonncias no sistema eltrico,
levando a picos de tenso e de corrente, podendo danificar dispositivos
conectados linha.

A tabela 2.1, retirada de [Arentz 03], apresenta a distoro harmnica de corrente
provocada por algumas cargas presentes na rede.
Em sistemas de tenso regulada, a corrente das cargas no-lineares no afeta os
equipamentos vizinhos, porque estes compartilham a tenso e no a corrente. Correntes
no senoidais por si mesmas no geram problema para as cargas conectadas em paralelo.
A distoro harmnica de tenso a preocupao maior [Grebe 96].
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



44
Tabela 2.1. Distoro da corrente de algumas cargas [Arentz 03].
Tipo de Carga Distoro da Corrente
Alimentao monofsica 80% (3 harmnico elevado)
Semiconversor
2, 3 e 4 harmnicos elevados
quando carga parcial
Conversor de 6 pulsos,
sem indutncia srie
80%
Conversor de 6 pulsos,
indutncia srie maior que 3%
40%
Conversor de 6 pulsos,
com indutncia elevada
28%
Conversor de 12 pulsos 15%
Regulador de tenso CA Varia conforme o ngulo de disparo

A Distoro Harmnica Individual de Tenso (DHI
V
) e a Total (DHT
V
) so calculadas
de forma semelhante da corrente, sendo necessria s a substituio do valor da corrente
pelo da tenso. Para distores em valores percentuais, multiplicam-se por 100 as
equaes 2.28 e 2.31.
Em condio normal, sem ressonncias, a maioria das cargas no-lineares tem sua
corrente ou tenso fundamental muito maior que as parcelas harmnicas individuais e que a
soma das mesmas. O valor de DHI sempre muito menor que 100%. A DHT
I
no SEP varia
de pequenos valores a maiores que 100%, e a DHT
V
geralmente menor que 5% [Grady
01]. Valores de DHT
V
maiores que 10% so inaceitveis e causam problemas a
equipamentos e cargas sensveis.
Uma tenso harmnica de 10%, para qualquer harmnico acima do 3, aumenta o
pico da tenso em aproximadamente 10%, porque o pico da onda harmnica geralmente
coincide com o da tenso fundamental ou fica muito prximo a ele [Grady 01]. No capacitor,
as distores de tenso de 5 a 10% podem atingir facilmente de 10 a 50% da amplitude da
corrente fundamental. A maior distoro de tenso no circuito ressonante ocorre no banco
de capacitor.
Circuitos contendo capacitncias e indutncias tm uma ou mais freqncias de
ressonncia naturais. A ocorrncia de ressonncias nem sempre constitui problema nos
estudos de harmnicos. Entretanto, quando a freqncia de ressonncia (f
r
) igual dos
harmnicos (f
h
) introduzidos pelas cargas no-lineares no sistema, a distoro harmnica
amplificada, o que no desejado [Boonseng 01, Rocha 99]. A forma completa de se
calcular a freqncia de ressonncia indicada na equao 2.32, onde R a resistncia do
sistema, C, a capacitncia e L
eq
, a indutncia equivalente da rede.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



45

eq eq
r
L
R
C L
f
4
1
2
1
2

= (2.32)

Considerando-se a resistncia da rede muito menor que a reatncia (R << X
Leq
),
pode-se calcular a freqncia de ressonncia de forma simplificada atravs da equao 2.33
[Murthy 98], onde a indutncia, a reatncia e a capacidade de curto-circuito so
representadas, respectivamente, por L
sc
, X
SC
, MVA
SC
e a potncia reativa instalada, por
Mvar.
var
2
1
60
M
MVA
X
X
C L
h
h f
SC
SC
C
SC
r
r r
= =

=
=
(2.33)

Uma barra com capacidade de curto-circuito alta (ou impedncia equivalente do
sistema baixa) tem uma pequena distoro harmnica de tenso porque a corrente no
senoidal varia muito pouco a tenso da barra [Arentz 03].
A seguir so tratadas as diferenas entre a ressonncia paralela e a srie. Para
simplificar as anlises, a resistncia considerada muito pequena (R << X
Leq
).
A ressonncia paralela ocorre quando a reatncia indutiva equivalente da rede (X
S
)
ou da carga (X
L
) se iguala reatncia capacitiva da compensao reativa (X
C
). Deve-se
mencionar que X
S
se altera devido mudana da configurao do sistema e X
C
, devido
alocao de novos bancos de capacitores.
Na figura 2.6(a), mostrada uma rede eltrica simplificada que possui uma fonte de
tenso de 60 Hz alimentando uma carga no-linear atravs de uma linha e de um
transformador representados apenas por reatncias (X
LT
e X
T
, respectivamente). Com a
presena do capacitor instalado (X
C
) na barra de carga, ocorre uma ressonncia paralela
entre este equipamento e as reatncias do restante do sistema na freqncia da harmnica
injetada pela carga no-linear. A figura 2.6(b) apresenta um circuito simplificado onde
exibida a situao em que inserida uma corrente harmnica na rede, chegando carga
(X
L
) atravs de X
S
(reatncia do sistema). A ressonncia paralela acontece quando a
corrente harmnica vinda do sistema depara com uma carga cuja reatncia indutiva (X
L
)
igual reatncia capacitiva (X
C
) do shunt alocado, destacada na figura 2.6(b). Em ambos os
casos da figura 2.6, a corrente harmnica encontra uma impedncia prpria muito alta,
tendendo a um circuito aberto.


Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



46

(a) (b)
Figura 2.6. Ressonncia paralela (a) entre o sistema e o capacitor (X
S
= X
C
) e (b) entre a carga e o capacitor (X
L
= X
C
).
Na ressonncia srie, h uma combinao srie de bancos de capacitores e
indutncias das linhas ou transformadores que se constitui de um caminho de baixa
impedncia para as correntes harmnicas de freqncia igual de ressonncia, sendo
capaz de sobrecarregar tais equipamentos.
A figura 2.7(a) apresenta um circuito em que X
C
a reatncia do capacitor, X
T
, a do
transformador, X
LT
, a da linha de transmisso, e X
S
a soma destas duas ltimas. Uma
corrente harmnica vinda do sistema encontra a combinao X
C
e X
S
como uma
ressonncia srie quando tais reatncias so iguais em determinada freqncia.
Desconsiderando X
S
, a ressonncia srie, destacada na figura 2.7(b), tambm pode ser
observada na mesma barra onde est situada a fonte harmnica. Isto ocorre quando a
reatncia entre o capacitor e esta fonte (X
B
) se iguala a X
C
.


(a) (b)
Figura 2.7. Ressonncia srie (a) entre o sistema e o capacitor (X
S
= X
C
) e (b) entre X
B
e o capacitor (X
B
= X
C
).
Na freqncia de ressonncia, a impedncia total se reduz ao valor da componente
resistiva do sistema. Caso esta componente seja pequena, altas correntes harmnicas fluem
no circuito srie [Subjak 90]. O grau de amplificao da ressonncia srie limitado pelo
fator de amortecimento dado pela equao 2.34 [Murthy 98].
L
C R
2
(2.34)
X
C
I
h
X
T X
LT
V
60
X
S
X
C I
h
X
L
X
S
X
C
I
h
X
T X
LT
X
S
X
C
I
h
X
T X
LT
V
60
X
B
X
S
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



47
A figura 2.8(a) mostra uma rede simplificada com uma fonte de tenso de 60 Hz (V
60
)
conectada a uma barra atravs de uma linha de transmisso (R + j X
LT
) e um transformador
(X
T
). Nesta barra, existem um capacitor (X
C
) e uma fonte harmnica (I
h
). A impedncia
prpria (Z
P
) da barra representada no circuito equivalente da figura 2.8(b) e pode ser
calculada atravs da equao 2.35, onde X
Leq
a reatncia equivalente da rede.

( )
( )
R X X
R X X
Z
Leq C
Leq C
p
+ +
+
=
(2.35)


(a) (b)
Figura 2.8. (a) Rede simplificada para a representao da impedncia prpria e (b) seu circuito equivalente.
Na freqncia de ressonncia paralela, Z
P
toma a forma da equao 2.36, pois X
C

igual a X
Leq
com sinais opostos.

( )
( )
R
R X X
Z
Leq C
p
+
= (2.36)

Ainda considerando R << X
Leq
, a impedncia prpria se torna aproximadamente igual
equao 2.37, onde Q conhecido como fator de qualidade e igual razo entre a
reatncia e a resistncia da rede (equao 2.38). Este fator de qualidade pode ser menor
que 5 na distribuio e maior que 30 no lado da barra secundria do transformador [Santoso
05].
( )
C Leq
C
Leq
p
QX QX
R
X
R
X
Z = = =
2
2

(2.37)
R
X
R
X
Q
C
Leq
= = (2.38)

X
C
I
h
X
Leq
R
QI
h
Z
P
X
C
X
T
X
LT
R
X
Leq
V
60
I
h
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



48
A tenso (V
P
) que aparece na barra de carga, na ressonncia, calculada pela
equao 2.39, e a corrente (I
cap
) que flui no capacitor pela equao 2.40 (figura 2.7). Se Q e
X
Leq
forem grandes, mesmo uma pequena corrente harmnica pode elevar muito V
p
da barra
[Santoso 05].
h C h P P
I QX I Z V = = (2.39)
h cap
C
h C
C
p
cap
QI I
X
I QX
X
V
I = = = (2.40)

A impedncia prpria (Z
P
) alta para a freqncia de ressonncia paralela (equao
2.37), provocando uma alta distoro harmnica de tenso (equao 2.39) e uma
amplificao da corrente (equao 2.40) [Murthy 98]. O valor da resistncia corresponde ao
fator de amortecimento do sistema. Quanto menor a resistncia, maiores so a impedncia
prpria e as distores harmnicas.
A figura 2.9 mostra dois circuitos simplificados que representam situaes comuns
de ressonncias paralela e srie, considerando a resistncia. Na condio de ressonncia
paralela (X
Leq
= X
C
), representada na figura 2.9(a), a corrente harmnica inserida pela carga
que atravessa o capacitor (I
C
) calculada pela equao 2.41. Percebe-se que a corrente
harmnica no capacitor est limitada pelo valor da resistncia da rede (R), quanto menor for
R maior I
C
. A distoro harmnica de tenso (X
C
I
C
) tambm aumentada por ser
proporcional a I
C
.
( )
h
Leq
h
Leq C
Leq
C
I
R
X R
I
X X R
X R
I
+
=
+ +
+
=
(2.41)


(a) (b)
Figura 2.9. (a) Harmnica de corrente inserida pela carga; (b) harmnica de tenso inserida pelo sistema.
Na condio de ressonncia srie (X
Leq
= X
C
), representada na figura 2.9(b), a fonte
harmnica de tenso proveniente do sistema provoca um aumento na corrente do capacitor
(I
C
), verificado pela equao 2.42. A corrente harmnica no capacitor inversamente
X
C
I
h
X
Leq
R
I
S
I
C
X
C
X
Leq
R
I
C
V
h
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



49
proporcional resistncia da rede. Tambm, quanto menor for R, maior a distoro
harmnica de tenso, o que pode ser verificado pela equao 2.43.

( )
h h
Leq C
C
V
R
V
X X R
I
1 1
=
+ +
=
(2.42)
( )
h
Leq
h
Leq C
Leq
C
V
R
X R
V
X X R
X R
V
+
=
+ +
+
=
(2.43)

Na condio de ressonncia paralela, a impedncia prpria igual equao 2.37 e,
na srie, igual equao 2.44. Verifica-se que, na ressonncia paralela, Z
P
atinge um valor
alto (inversamente proporcional a R) e, na srie, um pequeno valor (igual a R). Tal
ocorrncia ilustrada pela figura 2.10.

R X X R Z
C Leq P
= + + =
(2.44)

A figura 2.10 apresenta um grfico do valor da impedncia prpria da barra com
relao freqncia (ordem dos harmnicos). A curva gerada possui quatro picos, em 276,
348, 408 e 600 Hz, e trs vales na 5, 6 e 9 harmnicas. Os picos destacados com um
crculo correspondem s ressonncias paralelas e os vales, s sries.

Ressonncias P aralela e Srie
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos

Figura 2.10. Ilustrao da ressonncia paralela e srie em um grfico de impedncia prpria versus freqncia.
Na ressonncia paralela, a maior distoro de tenso (DH
V
) na carga no-linear. J
na ressonncia srie, a maior DH
V
ocorre em um ponto distante (s vezes, at quilmetros
de distncia), ou em um alimentador adjacente conectado a um mesmo transformador
[Grady 01].
Z
p

(
p
u
)

Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



50
Do exposto, confirma-se que a instalao de capacitores tem grande influncia nos
nveis de distoro harmnica. Se no for feito um planejamento adequado de tais
equipamentos, todos os benefcios liberao do sistema para transmitir potncia ativa sem
novos investimentos, facilidade de controle de tenso, etc. sero anulados em funo dos
problemas de qualidade de energia que podem surgir [Gama 99], tais como:
amplificao do contedo harmnico presente no sistema bem como seus
malefcios sobre os diversos equipamentos;
estabelecimento de condies de ressonncia com conseqentes sobretenses
harmnicas;
queima prematura dos bancos de capacitores devido ao aquecimento das
unidades capacitivas sob condies harmnicas, etc.

Para se mitigar os harmnicos presentes no sistema eltrico devem ser adotados
alguns procedimentos. Dentre os artigos que tratam deste assunto encontram-se
[Atkinson-Hope 04, Corasaniti 03, Gama 99, Gonalves 00, Moor Neto 01]. Basicamente,
tem-se, como soluo para a melhoria da qualidade de energia, quatro importantes medidas
a serem tomadas [Gama 99]:
Pelo consumidor: instalao de filtros harmnicos;
Pela concessionria de energia: alterao em procedimentos de operao e na
rede configurao e localizao e montante de bancos de capacitores;
Pelos fabricantes: modificaes no projeto das cargas, tanto aquelas injetoras de
harmnicos quanto aquelas sensveis a eles;
Pelo rgo regulador de energia (ANEEL): implantao de regulamentaes que
garantam uma boa qualidade de energia, por meio de mudana tarifria ou
propondo limites rgidos, principalmente, de injeo de harmnicos no sistema, da
mesma forma como feito para o fator de potncia.

Dentre as ferramentas computacionais usadas para anlises de harmnicos, h o
HCONV, que calcula os harmnicos de corrente gerados por sistemas industriais com um ou
mais conversores de 6 pulsos, e o HARMZW [Harmzw 02], que calcula a impedncia prpria
e de transferncia em funo da freqncia, a distoro e o fluxo de harmnicos e outros
parmetros relacionados com interferncia. O HARMZW permite que o usurio defina
diversos modelos de correo das impedncias com a freqncia [Ross 97]. Alguns autores
utilizam outros programas para efetuar os clculos, por exemplo, o Matlab [Matlab 01].
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



51
O HARMZW utilizado para clculo do desempenho harmnico de um sistema a
partir das correntes injetadas nos locais onde existem cargas no-lineares. uma
ferramenta importante na anlise de qualidade de energia a qual ajuda a detectar, em fase
inicial, os principais pontos onde h a necessidade de medies e de mitigao do contedo
harmnico.
A instalao de filtros uma das opes para se mitigar os harmnicos inseridos na
rede. A pesquisa sobre filtros passivos incluiu, principalmente, o estudo das referncias
[Izhar 03, Moura 02, Pomilio 97, Quadros 01, Yousif 04] e sobre filtros ativos os trabalhos
[Pomilio 97, Rocha 99, Watanabe 02]. A instalao destes dispositivos na distribuio e
transmisso do SEP torna-se um problema mais complexo que em uma indstria pelos
seguintes motivos [Ortmeyer 96]:
necessidade de chaveamento dos capacitores, variando a freqncia de
ressonncia;
grandes distncias eltricas e diferentes relaes X/R;
maior nmero de bancos de capacitores envolvidos com mais de uma freqncia
de ressonncia;
larga variao da carga com informao limitada de suas caractersticas, sendo o
modelo adotado apenas aproximado;
uso dos capacitores para controlar a tenso e minimizar as perdas, alm de
corrigir o fator de potncia;
a excitao harmnica provm de vrias partes da rede e de distintas fontes.

Vrias configuraes devem ser analisadas para se determinar qual a localizao
onde o filtro mais eficiente, diminuindo a distoro harmnica o mximo possvel. Tal
eficincia depende da prpria localizao do filtro, do nvel de carga, do capacitor estar
conectado ou no, e do perodo de tempo em que a carga no-linear tem seu maior valor de
corrente [Abdel-Galil 01, Ortmeyer 96].
Os filtros passivos utilizam combinaes de capacitores, indutores e resistores.
Para diminuir os custos destes dispositivos, pode-se usar o prprio capacitor da
compensao reativa para a composio do filtro. Neste caso, deve-se analisar se as
manobras do capacitor no diminuiro a eficincia do filtro. Para equipamentos
manobrveis, tem-se como opo utilizar reatores (indutores) variveis, por exemplo, com
mudana de tap. H dois tipos de filtros passivos: sintonizados e amortecidos. Os
sintonizados (passa-faixa), alm de especficos para certas freqncias, tm um fator de
qualidade melhor que os amortecidos, que funcionam basicamente como um filtro passa-
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



52
alta. Eles so ligados em srie ou em paralelo dependendo do seu objetivo. Para solucionar
o problema da ressonncia paralela utiliza-se a ligao srie bloqueando o fluxo do
harmnico indesejado; no caso, a impedncia do circuito mxima na freqncia de
ressonncia (f
r
). Para resolver o problema da ressonncia srie usa-se a ligao paralela
(shunt) por onde circula o harmnico prejudicial aos equipamentos; o filtro projetado para
que, em f
r
, a impedncia do mesmo seja mnima [Izhar 03]. Os filtros mais encontrados so
os de configurao shunt. As desvantagens da ligao srie so: ter que suportar toda a
corrente da carga e sua isolao precisar ser projetada para a tenso de linha total. Estes
fatores tornam o filtro srie mais caro que o shunt que, alm de fornecer potncia reativa na
freqncia fundamental, por ele s passa uma frao da corrente da carga [Yousif 04].
Em [Yousif 04] so representadas as ligaes de vrios tipos de filtros passivos
shunt. O tipo mais comum e mais simples o RLC srie. Este filtro composto pelo prprio
capacitor, que faz a correo de fator de potncia, em srie com uma resistncia e uma
indutncia. Um outro filtro muito til o de dupla sintonia, que pode mitigar duas
componentes harmnicas simultaneamente. Ele formado por elementos LC srie e
paralelo para evitarem, respectivamente, as ressonncias srie e paralela.
Os filtros passivos tm como vantagens seu custo, facilidade de projeto e, para o de
ligao paralela, ainda fazem a compensao reativa da rede. No entanto, os filtros passivos
tm como principal desvantagem a introduo de novas freqncias de ressonncia, em
geral de ordem mais baixa que as j existentes na rede e que podem causar problemas
harmnicos adicionais. Alm disto, necessrio um filtro para cada freqncia harmnica;
ambas as correntes harmnica e fundamental passam pelo equipamento, sendo que seus
limites devem considerar esta condio; se houver um aumento da componente harmnica,
o filtro sobrecarrega [Izhar 03].
Um mtodo comum aplicado para se escolher o filtro passivo selecionar a mais
baixa freqncia harmnica gerada, que normalmente a 5. Caso os limites ainda sejam
violados, h a necessidade de mltiplos filtros, por exemplo, para 5 e 7 harmnicas.
importante verificar se o filtro projetado no leva a ressonncias prximas s freqncias
harmnicas geradas. Um filtro para 7 harmnica pode criar uma ressonncia na 5
harmnica [Grebe 96].
Os filtros ativos tm uma eficincia mais alta, podendo reduzir os harmnicos a
nveis muito satisfatrios. Basicamente, eles so compostos por equipamentos eletrnicos
que, atravs de chaveamentos, absorvem apenas o harmnico da freqncia a ser filtrada.
Os filtros ativos apresentam as seguintes vantagens: projetados para atenuar vrias
harmnicas; no sobrecarregam quando a corrente harmnica aumenta; normalmente no
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



53
necessrio considerar a corrente fundamental na sua capacidade limite; seu peso e
tamanho so bem menores que os dos filtros passivos; se o harmnico inserido na rede
mudar de ordem, no preciso trocar o dispositivo, apenas ajust-lo nova freqncia. O
filtro ativo tem suas desvantagens: exige uma fonte isolada; os circuitos desenvolvidos e as
estratgias de controle so complicados; h perdas durante o chaveamento de alta
freqncia. Estas caractersticas o tornam bem mais caro que o filtro passivo. Em [Izhar 03]
feita uma comparao de filtros ativos e passivos a qual apresentada na tabela 2.2.
Tabela 2.2. Comparao entre filtros ativos e passivos [Izhar 03].
Efeitos Filtro Passivo Filtro Ativo
Influncia de um aumento na corrente Risco de sobrecarga e dano
Sem risco de sobrecarga,
mas baixa eficcia
Acrscimo de um equipamento
Em certos casos,
requerem modificaes
Sem problema se a corrente
harmnica se altera
Controle harmnico de cada ordem Muita dificuldade
possvel via alterao dos
parmetros
Controle da corrente harmnica
Necessita de um filtro
para cada freqncia
Monitora simultaneamente
muitas freqncias
Influncia da variao da freqncia Reduz sua eficcia Sem efeito
Influncia da modificao da
impedncia
Risco de ressonncia Sem efeito
Modificao da freqncia fundamental No pode ser modificado possvel via reconfigurao
Dimenso Grande Pequeno
Peso Alto Baixo
Custo Baixo Alto

Anlises Finais
Os efeitos prejudiciais causados pelos harmnicos no SEP foram um dos fatores que
incentivaram a concepo de uma metodologia para anlise e mitigao dos mesmos.
Principalmente, porque, com a instalao de capacitores, os harmnicos so amplificados
bem como seus efeitos indesejados. Todas as conseqncias geradas pelos harmnicos
so relevantes, porm as que mais importam para o estudo do planejamento da expanso
so: a reduo do fator de potncia, o aumento das perdas e os danos a longo prazo
causado nos equipamentos.
Captulo 2 Contextualizao do Tema e Conceitos Bsicos



54
Para se propor o procedimento mostrado no captulo 3, foi necessrio conhecer as
definies do fator de potncia (equao 2.23 e 2.24), da distoro harmnica (equaes
2.28 e 2.31), das ressonncias paralela e srie (X
C
= X
Leq
) e da impedncia prpria (equao
2.35). Tais conceitos esto interligados: o FP depende da DH, como visto pela equao
2.30; a distoro harmnica est diretamente relacionada com a impedncia prpria
(apndice C); a ressonncia paralela ocorre para valores elevados de Z
P
e a srie para
valores baixos. Observa-se que a resistncia do circuito tambm merece destaque por ser o
elemento que mais limita a impedncia prpria e, conseqentemente, o mximo da distoro
harmnica.
Neste item tambm so citados os procedimentos bsicos adotados para a mitigao
dos harmnicos e ferramentas computacionais utilizadas para as anlises. Para finalizar,
so fornecidas informaes sobre filtros passivos e ativos, que uma das alternativas para
se minimizar o fluxo de harmnicos no SEP, apontando as caractersticas, vantagens e
desvantagens de cada um.
Com o estudo realizado sobre harmnicos foram adquiridas informaes
fundamentais para saber quais simulaes devem ser realizadas; descobrir quais resultados
precisam de avaliao (distoro harmnica e fator de potncia); e saber quais so as
solues para manter o nvel de harmnicos baixo (filtros passivos e ativos e escolha
adequada de capacitores). Concluindo, com os conhecimentos obtidos foi possvel o
desenvolvimento de uma proposta de procedimento para a avaliao tcnica da
compensao reativa com relao aos harmnicos, apresentada no item 3.4.
2.3. Consideraes Finais
Neste captulo, procurou-se identificar, com clareza, o contexto onde se insere o
desenvolvimento deste trabalho. Dentro das atividades de expanso, enfoque dado
etapa de Avaliao Tcnica de alternativas de compensao reativa shunt capacitiva, no
que concerne aos seus impactos no SEP, nos aspectos de estabilidade de tenso,
transitrios eletromagnticos e harmnicos.
As anlises sobre cada um destes aspectos, aqui discutidas, permitiram identificar os
pontos relevantes a serem considerados na elaborao das estratgias propostas. A
caracterizao das particularidades de cada tema tornou possvel a concepo de
procedimentos de avaliao individuais, e posterior evoluo para os procedimentos globais
propostos nesta tese.

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



55
3
Avaliao da Compensao Reativa
Procedimentos Individuais
3.1. Consideraes Preliminares
No captulo 2, evidenciou-se a importncia de se realizar uma Avaliao Tcnica
criteriosa, por meio da qual so analisados os efeitos da compensao reativa no sistema
eltrico no que concerne aos aspectos de estabilidade de tenso, transitrios
eletromagnticos e penetrao de harmnicos.
O presente captulo tem como objetivo indicar os procedimentos para se cumprir a
avaliao tcnica. Devido complexidade dos temas, e para que haja um melhor
detalhamento e profundidade do assunto, este captulo levanta questes a serem
solucionadas e contm propostas de procedimentos individuais. No captulo 4 apresentada
a interao entre esses processos.
O procedimento adotado na avaliao tcnica mostrado por meio do fluxograma da
figura 3.1. O primeiro passo, Plano da Expanso, apresenta os equipamentos inicialmente
sugeridos, indicando o tipo de equipamento (capacitor, compensador sncrono, LTC, etc.),
sua localizao eltrica, capacidade nominal (Mvar) e o tipo de controle (fixo ou
manobrvel). Considerando-se a alocao de compensao reativa e o controle de tenso
escolhidos pelo plano de expanso em elaborao, realizada a avaliao tcnica, para
verificar se esta nova configurao (instalao de equipamentos) leva o sistema eltrico a
regies de operao que prejudiquem o seu funcionamento normal.
Alm das anlises aqui discutidas, outros aspectos que fogem ao escopo deste
trabalho devem ser examinados, tais como a disponibilidade fsica das subestaes (SE) e a
oportunidade de compatibilizao da instalao da compensao de potncia reativa com
outras obras previstas, definindo-se um cronograma de obras. Adicionalmente, outros
estudos podem ser incorporados, tais como, clculos de correntes de curtos-circuitos,
transitrios eletromecnicos e sobretenses dinmicas.
Caso alguma anlise constate problemas causados no sistema eltrico devido
instalao da compensao reativa shunt, deve ser efetuada a alterao do plano de
expanso de forma a atender aos requisitos impostos pela avaliao tcnica. Se nada for
observado, o plano sugerido est adequado.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



56

Figura 3.1. Fluxograma da avaliao tcnica de compensao reativa.
3.2. Estabilidade de Tenso
3.2.1. Questo a ser Solucionada
Para que a compensao reativa shunt capacitiva no eleve o risco do sistema em
termos de perda de estabilidade de tenso, j na etapa de planejamento da expanso deve-
se avaliar se h possibilidade de a tenso no ponto de mximo carregamento ficar dentro
dos limites de operao normal, para que seja evitado um possvel colapso de tenso
causado pela compensao shunt capacitiva inadequada. Com os conhecimentos
abordados no item 2.2.2 e com a identificao da influncia da CR/CT na estabilidade de
tenso foi possvel desenvolver o procedimento descrito a seguir [Vale 05b].
3.2.2. Procedimento Proposto
O procedimento proposto para a avaliao tcnica da compensao reativa em
relao estabilidade de tenso se constitui de anlises estticas (curvas PV e QV)
Plano de Expanso
Equipamentos Instalados
Montante / Localizao / Tipo de Controle
Avaliao Tcnica
Transitrios Eletromagnticos
Outros Estudos
Curto-circuito
Transitrios Eletromecnicos
Disponibilidade Fsica das SE
Fim
SIM
NO
Penetrao Harmnica
Estabilidade de Tenso
Alterao
do Plano?
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



57
seguindo a recomendao do CCPE [CCPE 02] e do ONS [ONS 04]. A figura 3.2 mostra os
passos deste procedimento e seu fluxograma. importante salientar que o procedimento
deve ser aplicado tanto para a condio normal do sistema quanto para a situao em que
existe uma ou mais contingncias.


Figura 3.2. Fluxograma da avaliao tcnica de CR com relao Estabilidade de Tenso.
i. Compensao Sugerida
Esta etapa est relacionada entrada de dados para a avaliao tcnica que
corresponde compensao reativa inserida no sistema pelo plano de expanso
sugerido.
ii. Anlise de Sensibilidade
O vetor tangente [Souza 97 e 04] adotado como ferramenta para se fazer a anlise de
sensibilidade. Neste trabalho, tal vetor obtido por meio do software WANAREDE-GRF
[WANAREDE 03]. O elemento de maior valor do vetor tangente indica a barra mais
Compensao Sugerida
MET e TPC
Adequadas?
NO
Curvas PxV e QxV
Margem de Estabilidade
Alterao do
Plano
Tenso no Ponto de Colapso
Anlise de Sensibilidade
Estabilidade de Tenso
Avaliada
SIM
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



58
vulnervel no que diz respeito estabilidade de tenso. Neste trabalho, denominada
barra crtica. Neste passo, apontam-se duas barras crticas.
iii. Curvas PV e QV
Nesta etapa, geram-se curvas PV e QV para as barras crticas, atravs do fluxo de
potncia continuado do WANAREDE-GRF. Estas curvas tambm podem ser preparadas
para barras adicionais indicadas pelo planejador. Vale observar que a curva QV serve
apenas como uma anlise adicional, dando subsdio tomada de deciso a respeito da
margem de potncia reativa a ser adotada. Este processo segue as orientaes
descritas nos procedimentos de expanso registrados no documento [CCPE 02,
ONS 04].
Para se produzirem tais curvas, as cargas so aumentadas, mantendo-se o fator de
potncia constante, e considerando-se os limites de fornecimento de potncia reativa
pelos geradores. Nas simulaes, adota-se a carga como sendo do tipo potncia
constante.
iv. Margem de Estabilidade de Tenso (MET)
A variao da margem de estabilidade de tenso extrada do resultado da curva PV,
comparando o caso sem nenhuma alocao de CR com aquele da compensao
sugerida pelo plano de expanso.
v. Tenso no Ponto de Colapso (TPC)
Pela curva PV detecta-se o valor da tenso no ponto de colapso e, desta forma,
verificado se este est prximo aos limites da operao normal do sistema.
vi. MET e TPC Adequadas?
A MET adequada aquela que superior margem anterior, com a compensao
reativa sugerida inicialmente. A TPC adequada aquela que inferior ao limite mnimo
de tenso em operao normal e no est prxima a ele. Prope-se que:
a MET seja maior que a anterior e superior ao valor correspondente a 6% mais a
razo entre demanda mxima instantnea e a integralizada em uma hora, critrio
adotado em [CCPE 02, ONS 04];
a TPC esteja a, no mnimo, 0,05 pu do limite inferior da tenso de operao normal,
por exemplo, limite inferior normal 0,95 pu e TPC 0,90 pu;
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



59
a TPC esteja a, no mnimo, 0,03 pu do limite inferior da tenso de operao de
emergncia, por exemplo, limite inferior de emergncia 0,90 pu e TPC 0,87 pu.
Vale salientar que o valor mximo da TPC proposto neste trabalho de tese baseado
na experincia em planejamento adquirida pelo autor.
vii. Alterao do Plano
Caso a MET e/ou a TPC no estejam adequadas, deve-se rever o plano de expanso
sugerido, atravs da escolha de uma ou mais barras crticas, cuja CR poder ser
modificada ou, at mesmo, eliminada. Torna-se necessrio indicar quais seriam as
barras candidatas a receberem tal compensao. As barras candidatas so aquelas que
tm maior influncia nas tenses das barras crticas e no permitem a elas atingirem
valores de TPC acima do limite.
No presente estudo, para se identificar as barras candidatas, utiliza-se a anlise de
sensibilidade do programa WANAREDE-GRF, por meio do ndice V
J
/

Q
I
(relao entre
a tenso na barra J e a variao da potncia reativa injetada na barra I).
O apndice A descreve a idia bsica para se escolherem barras candidatas
redistribuio da potncia reativa injetada, mtodo descrito em [Chaves 01].
A injeo mxima de potncia reativa (Q
max
) que poder permanecer na barra crtica
depender do valor mximo de tenso (V
desej
) que no viole sua restrio de TPC. Sua
determinao feita a partir do ndice
i
proposto em [Maheshwarapu 98], conforme
equaes 3.1 e 3.2. Nestas expresses, V
desej
a tenso desejada para a barra crtica,
V
0
a tenso na condio inicial do sistema e V
Qi
o valor ao se injetar uma potncia
reativa de Q
i
que, para este trabalho, de 1 Mvar.

i
desej
Q
V
V V
Q


=
0
0
max
(3.1)
1
0
=

V
V
i
Q
i
(3.2)

3.2.3. Aplicao do Procedimento Proposto
Para validar o procedimento proposto foram realizadas vrias simulaes sendo
apenas uma delas apresentada neste texto. O objetivo deste item demonstrar todos os
passos do procedimento para melhor esclarecimento. Para se alcanar esta meta, elege-se
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



60
a rede de 14 barras pertencente regio Sudeste do sistema eltrico brasileiro mostrada na
figura 3.3 cujos dados dos parmetros so reais. A rede selecionada possui duas cargas em
138 kV (B3 e B5) e quatro em 13,8 kV (tabela 3.1), nove linhas e quatro transformadores de
138/13,8 kV.


Figura 3.3. Sistema eltrico exemplo de 14 barras da regio Sudeste do Brasil.
Tabela 3.1. Dados do sistema eltrico exemplo.
Barra Tenso Nominal Vinicial (pu) Vtap (pu) P (MW) Q (Mvar) CR (Mvar) FP sem CR
B3 138 kV 1,025 1,028 56,0 42,0 - 0,80
B5 138 kV 1,023 1,025 23,1 19,1 - 0,77
B7 13,8 kV 0,974 1,040 11,2 9,9 6,2 0,75
B9 13,8 kV 0,992 1,045 4,6 2,0 0,5 0,92
B12 13,8 kV 0,965 1,043 35,0 35,7 24,2 0,70
B14 13,8 kV 0,985 1,045 12,5 21,6 17,5 0,50
- - - Total 142,4 130,3 48,4 -

Passo i Compensao Sugerida
Na tabela 3.1, a coluna Vinicial exibe a tenso nas barras com a compensao
reativa sugerida e Vtap expe esta mesma situao com a alterao dos taps dos
transformadores para se obter maior margem de estabilidade de tenso. A tenso nominal e
a carga instalada (potncia ativa e reativa) de cada barra tambm so mostradas. Na coluna
CR est a compensao reativa indicada pelo plano de expanso para se atingir um fator de
V
60
Z
12
Z
213
S
3
B1

B2

B3

Z
23
B4

B5

Z
45
Z
34
Z
46
B6

B7

B8

Z
28
B9

Z
210
Z
211
B10

B12
B11

B14
B13

S
5
S
9
S
12
S
14
S
7
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



61
potncia de 0,95. A ltima coluna da tabela 3.1 mostra qual o fator de potncia sem
alocao dos capacitores sugeridos para as barras.
As barras de 138 kV so consideradas grandes consumidores industriais cujo fator
de potncia deve ser por eles ajustado, cabendo empresa de distribuio apenas manter a
tenso dentro dos limites permitidos.
Neste exemplo (figura 3.3), o mximo carregamento da rede limitado pelas cargas
S3, S5 e S7, pois esto ligadas fonte por apenas uma linha (B2-B3), e tambm pela maior
carga de 13,8 kV (S12) presente em B12.
Passo ii Anlise de Sensibilidade
A tabela 3.2 exibe os resultados apontados pelo vetor tangente para todas as barras
de carga. Na coluna Sem CR, so apresentados os valores do vetor tangente com o
sistema sem nenhuma compensao reativa e, na coluna Com CR, com os capacitores
sugeridos pelo plano de expanso. Para se chegar aos resultados da coluna Com CR e
Tap, considera-se a alterao dos taps dos transformadores citada anteriormente. Verifica-
se que as barras crticas so B12 e B7, visto que B3 e B5 no so utilizadas como
candidatas alocao de CR por serem grandes consumidores industriais.
Tabela 3.2. Resultados do clculo do vetor tangente.
Ordem Sem CR Com CR Ordem Com CR e Tap
B12 -1,000 -1,000 B7 -1,000
B7 -0,6483 -0,7937 B5 -0,8037
B5 -0,2513 -0,6716 B3 -0,6763
B3 -0,2249 -0,5738 B12 -0,6318
B14 -0,2030 -0,2870 B14 -0,2533
B9 -0,1089 -0,1747 B9 -0,1756

Os resultados da tabela 3.2 indicam que B12 um pouco mais crtica que B7. Alm
disso, B12 atinge tenses mais elevadas no ponto de colapso e menores nveis de margem
de potncia reativa (figura 3.5). Por este motivo, a seguir so apresentadas as curvas da
barra crtica B12.
Passos iii, iv e v Curvas PV e QV (iii), Margem de Estabilidade de Tenso (iv), Tenso no
Ponto de Colapso (v)
A figura 3.4 apresenta as curvas PV da barra crtica B12 para os trs casos da tabela
3.2. Verifica-se que sem nenhum capacitor alocado, o mximo carregamento chega a
apenas 185 MW, com a compensao reativa atinge 199,4 MW (ganho de 7,8%) e com a
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



62
modificao do tap dos transformadores chega a 202,9 MW (aumento de 1,8%). As margens
de estabilidade de tenso das trs condies descritas so, respectivamente, 29,9%, 40% e
42,5%. Observa-se que a tenso no ponto de mximo carregamento se eleva a cada
condio, obtendo os seguintes mdulos: 0,546 pu, 0,625 pu e 0,713 pu.

Curvas PV da Barra B12
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
142 152 162 172 182 192 202
Carga (MW)
T
e
n
s

o

(
p
u
)
Sem CR
Com CR
Com CR e Tap

Figura 3.4. Curva PV da barra B12 sem e com a CR sugerida e com a modificao do tap.
Curvas QV
-140
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
Tenso (pu)
P
o
t

n
c
i
a

R
e
a
t
i
v
a

(
M
v
a
r
)
B7
B9
B12
B14

Figura 3.5. Curva QV das barras de carga com a CR sugerida e alterao do tap.
Tanto a MET quanto a TPC no violam as restries (maior que 6% e menor que
0,90 pu, respectivamente) Passo vi.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



63
Conforme registrado em [CCPE 02, ONS 04], relevante avaliar as curvas QV, para
se complementarem as anlises elaboradas a partir das curvas PV. A figura 3.5 mostra as
curvas QV para as barras de carga quando se aloca a compensao reativa sugerida na
tabela 3.1 e feita a mudana do tap dos transformadores. As margens de potncia reativa
das barras B12, B7, B14 e B9 so, respectivamente, 35,6, 40,5, 83,8 e 126,2 Mvar. A figura
3.5 indica que as barras mais crticas em relao estabilidade de tenso possuem uma
margem de potncia reativa menor.
A figura 3.6 apresenta as curvas QV da barra B12 para as trs condies citadas
anteriormente cujas margens de potncia reativa (MR) so: 21,7, 31,4 e 35,6 Mvar. Tem-se
um ganho total de 13,9 Mvar. Ao se alocarem 24,2 Mvar na barra B12, a margem de
potncia reativa se eleva de 9,7 Mvar. Cada 2,5 Mvar instalados neste local diminui em
1 Mvar a reserva de potncia reativa necessria.

Curvas QV da Barra B12
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tenso (pu)
P
o
t

n
c
i
a

R
e
a
t
i
v
a

(
M
v
a
r
)
Sem CR
Com CR
Com CR e Tap

Figura 3.6. Curva QV da barra B12 sem e com a CR sugerida e com a modificao do tap.
A rede eltrica exibida na figura 3.3 pertence regio Sudeste do sistema eltrico
brasileiro. Se o crescimento mdio da carga no Sudeste for de 4,5%, conforme previsto
[MME 06], tem-se no mximo 6,6 anos sem a necessidade de se construrem novas linhas
de transmisso caso no haja capacitores instalados. J para a condio com compensao
reativa e mudana dos taps, esta margem aumentaria para 9,4 anos, sendo necessrio
investimentos apenas para se fazer o controle de tenso e se corrigir o fator de potncia das
cargas. Vale salientar que para se estimar tais perodos adotam-se os limites trmicos da
linha.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



64
Para melhor serem visualizados os prximos passos do procedimento, consideram-
se as compensaes sugeridas ao longo de um horizonte de planejamento da expanso. As
indicaes dos capacitores se baseiam no objetivo de serem mantidos o fator de potncia
acima de 0,95 indutivo e a tenso dentro dos limites. Quando a tenso cai para 0,95 pu
instalada uma compensao reativa adicional que a eleva para prximo de 1,05 pu. Para
atingir tal objetivo, algumas barras ficam sobrecompensadas, chegando a fatores de
potncia 0,868 capacitivo.
A CR sugerida (CR Ano), o fator de potncia (FP Ano) e a tenso das barras de
carga (V Ano) para cada ano so apresentados, respectivamente, nas tabelas 3.3, 3.4 e 3.5.
Na tabela 3.3, CR Total a potncia reativa total sugerida pelo plano de expanso. Na
tabela 3.4, a letra c frente dos valores significa que o fator de potncia capacitivo. Vale
observar que a mudana de tap s permitida no ano 0; nos demais anos, o nico mtodo
de controle de tenso atravs da compensao reativa. importante frisar que a coluna
representada como Ano 10 tem a funo de apenas aumentar a margem de estabilidade de
tenso do ano 9. Portanto, a margem adicional conseguida pela compensao reativa
indicada somada quela do ano 9.
Tabela 3.3. Compensao reativa sugerida (Mvar) para cada ano de planejamento.
Barra CR Ano 0 CR Ano 4 CR Ano 7 CR Ano 9 CR Ano 10
B7 6,2 19,3 20,3 21,2 22,2
B9 0,5 0,6 2,4 5,2 5,8
B12 24,2 35,7 46,7 54,0 60,0
B14 17,5 21,8 27,6 40,6 45,6
CR Total (Mvar) 48,4 77,4 97,0 121,0 133,6
Tabela 3.4. Fator de potncia das barras em cada ano de planejamento.
Barra FP Ano 0 FP Ano 4 FP Ano 7 FP Ano 9 FP Ano 10
B7 0,95 0,868c 0,908c 0,928c 0,928c
B9 0,95 0,951 0,999 0,949c 0,934c
B12 0,95 0,988 0,999 0,999c 0,996c
B14 0,95 0,969 0,996 0,903c 0,843c
Tabela 3.5. Tenses das barras em cada ano de planejamento.
Barra V Ano 0 V Ano 4 V Ano 7 V Ano 9 V Ano 10
B7 1,040 1,038 0,954 0,871 0,807
B9 1,045 1,040 1,030 1,025 1,018
B12 1,043 1,050 1,050 1,045 1,049
B14 1,045 1,038 1,028 1,039 1,038

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



65
Pela tabela 3.4, constata-se que, desde o ano 4, necessrio manter o FP capacitivo
para se conservar a tenso na barra B7 acima de 0,95 pu e, a partir do ano 9, esta meta no
mais alcanada. Calculando-se a diferena entre os valores das colunas CR Ano 0 e CR
Ano 4 (tabela 3.3), nota-se que B7 a que mais precisa de compensao reativa adicional
para se atingir a tenso mnima (13,1 Mvar). Nos anos seguintes, as complementaes de
CR nesta barra so de apenas 1 Mvar devido limitao do baixo FP capacitivo. A partir do
ano 9, tem-se que adotar um outro mtodo de controle de tenso. Este problema ocorre na
barra B7 porque ela est perto de dois grandes consumidores (B3 e B5) que, no ano 0, tm
uma carga somada de 100 MVA, enquanto que a de B7 no chega a 15 MVA. Isto provoca
grandes quedas de tenso nas linhas que conectam tais cargas.
Comparando-se as duas barras crticas (B12 e B7), B12 alcana a tenso de
1,050 pu mais facilmente que B7, sem atingir fatores de potncia capacitivos muito baixos,
sendo o menor de 0,996. A barra B12 tem a carga mais pesada das barras de 13,8 kV e um
baixo fator de potncia indutivo, possibilitando a instalao de um grande montante de
compensao reativa. No ano 0, para se obter um FP unitrio, precisa-se alocar 35,7 Mvar,
65% a mais que na barra B14 e 3,6 vezes o necessrio para B7.
A figura 3.7 exibe as curvas PV da instalao de diferentes capacitores com o passar
dos anos. Na legenda, os anos de 0 a 10 significam uma projeo da curva PV, se a
compensao reativa de cada ano (tabela 3.3) se mantivesse inalterada at o ponto de
colapso de tenso, e CR Sugerida a curva PV correspondente instalao dos
capacitores durante os perodos determinados pela tabela 3.3. Os limites da tenso na
operao normal do sistema inferior (0,95 pu) e superior (1,05 pu) so representados
pela reta tracejada.

Curva PV da Barra B12
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
142 152 162 172 182 192 202 212 222
Carga (MW)
T
e
n
s

o

(
p
u
)
CR Sugerida
Ano 0
Ano 4
Ano 7
Ano 9
Ano 10

Figura 3.7. Curva PV da barra B12 com a instalao de diferentes capacitores durante o horizonte de planejamento.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



66
Passo vi MET e TPC Adequadas?
No atual estudo, desprezado o limite da margem de estabilidade de tenso
referente razo entre a demanda mxima instantnea e a integralizada em uma hora,
portanto a MET mnima de 6%.
As margens de estabilidade de tenso (MET), as tenses no ponto de colapso (TPC),
o mximo carregamento (Load Max) e a potncia ativa total instalada (Ptotal) no sistema em
estudo para cada ano de planejamento so mostrados na tabela 3.6. Verifica-se que a
margem de estabilidade de tenso cai com o passar dos anos. No ano 9, a MET j no est
mais adequada, ficando abaixo de 6%, havendo necessidade de adio de compensao
reativa, indicada na coluna Ano 10. Com tal atualizao o limite mximo para se construir
uma nova linha aumenta para 10,4 anos, um ano a mais quando se utiliza a compensao
reativa indicada no ano 0. Alm disso, a margem se torna superior a 6%. O mximo
carregamento no ano 10 aumenta 20,9 e 2,9 MW com relao ao obtido, respectivamente,
no ano 0 e no ano 9.
Tabela 3.6. Parmetros de estabilidade de tenso da barra B12 em cada ano de planejamento.
Limites Ano 0 Ano 4 Ano 7 Ano 9 Ano 10
TPC (pu) 0,713 0,782 0,866 0,938 0,993
MET (%) 42,5 25,5 12,7 5,2 6,6
MET (MW) 60,5 43,1 24,4 11,0 13,9
Load Max (MW) 202,9 211,8 216,3 220,9 223,8
Ptotal (MW) 142,4 168,7 191,9 209,9 209,9

Na figura 3.7 mostrado o crescimento gradativo do mximo carregamento e a
elevao da tenso no ponto de colapso com a nova compensao reativa instalada a cada
ano de planejamento. Nota-se que, a partir do ano 9, a TPC no est adequada (0,938 pu),
estando superior a 0,90 pu (tabela 3.6). A alterao do plano de expanso necessria para
se evitar um possvel colapso de tenso na operao em tempo real do SEP. Suponha-se
que, no ano 9, durante a operao do sistema, a carga (220 MW) sofra uma pequena
alterao (aumento de 2 MW). Ser chaveado um capacitor de 6 Mvar, totalizando 60 Mvar
instalados em B12. Com esta manobra, a tenso em B12 passar de 0,958 pu para
0,961 pu. O operador pode no perceber que a tenso est muito prximo ao ponto de
colapso, pois a mesma apresenta valores dentro dos limites de operao normal (entre 0,95
e 1,05 pu). Sendo assim, caso seja tomada a deciso de energizar novos capacitores, muito
provvel nestas circunstncias, pode-se piorar ainda mais a situao.

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



67
Passo vii Alterao do Plano
Neste passo so apresentadas duas opes para alterao do plano de expanso:
(1) utilizao do ndice
i
da equao 3.2 como parmetro de escolha da modificao das
compensaes reativas das barras; (2) aplicao da ferramenta de anlise de sensibilidade
do WANAREDE-GRF para tal mudana.
Alternativa 1 ndice
i

A compensao reativa exibida na tabela 3.3 selecionada considerando-se o
menor custo do Mvar para que sejam obtidos o ajuste do fator de potncia e o controle de
tenso com o maior carregamento possvel nestas condies. A alternativa 1 prope uma
nova CR que prioriza a no violao da restrio de TPC (0,90 pu). Tal prioridade reduz o
mximo carregamento que pode ser obtido, conforme evidenciado nos resultados finais da
alternativa 1.
A tabela 3.7 apresenta a tenso inicial no ano 7 (V0), a tenso com a alocao de
1 Mvar na barra (VQ), o valor de
i
, e a CR Atual e a mxima permitida (CR Max) para se
atingir a tenso desejada (Vdesj).
Tabela 3.7. Compensao reativa necessria para se atingir a tenso desejada no ano 7.
ANO 7 V0 VQ
i
CR Atual CR Max Vdesej
B7 0,954 0,961 0,007338 20,3 28,3 1,01
B9 1,030 1,032 0,001942 2,4 12,4 1,05
B12 1,050 1,058 0,007619 46,7 39,2 0,99
B14 1,028 1,031 0,002918 27,6 34,9 1,05

Para se respeitar o limite da TPC e se conseguir que o fluxo de potncia seja sempre
convergente, necessrio alterar a CR a partir do ano 7. Como a TPC fica acima de 0,95 pu
em B12, a tenso nesta barra tem que ser mais baixa ao se alocar um novo capacitor, em
vez de 1,05 pu como anteriormente. Opta-se por um Vdesej de 0,99 pu para o ano 7 (tabela
3.7).
O procedimento proposto tenta alcanar a potncia reativa necessria ao sistema
(CR Total da tabela 3.3), sem violar o FP mximo e chegando o mais prximo possvel da
tenso desejada (tabela 3.7). Como a barra B7 est com o nvel de tenso muito baixo,
considera-se como fator de potncia limite 0,93 capacitivo e, para as demais barras, 0,95
capacitivo.
A tabela 3.8 mostra a carga ativa e reativa no ano 7 para cada barra, o fator de
potncia desejado (FPdesej) e a compensao reativa necessria para se atingir o FP
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



68
indutivo (CRind), calculada atravs da equao 2.5 do item 2.2.1, e o FP capacitivo
(CRcap), igual a duas vezes Q subtrado de CRind.
Tabela 3.8. Compensao reativa necessria para se atingir o fator de potncia desejado no ano 7.
ANO 7 P (MW) Q (Mvar) FPdesej CRind CRcap
B7 15,09 13,34 0,93c 7,38 19,30
B9 6,2 2,70 0,95c 0,66 4,73
B12 47,17 48,12 0,95c 32,62 63,62
B14 16,84 29,11 0,95c 23,57 34,65

A tabela 3.9 expe a compensao reativa sugerida anteriormente (CR Original), o
valor da CR com a alterao (CR Nova), o fator de potncia (FPnovo) e a tenso (Vnova)
novos. indicada tambm a potncia reativa total alocada (CR Total) em ambos os casos.
Tabela 3.9. Alterao da compensao reativa no ano 7.
ANO 7 CR Original CR Nova FPnovo Vnova
B7 20,3 19,3 0,93c 0,946
B9 2,4 4,8 0,947c 1,033
B12 46,7 39,2 0,983 1,004
B14 27,6 34,6 0,951c 1,039
CR Total (Mvar) 97,0 97,9 Diferena 0,9 Mvar

Apenas na barra B12 utiliza-se a restrio de tenso para sua compensao reativa
mxima, como verificado comparando-se a tabela 3.9 com a 3.7 e 3.8 (valores em
negrito). Poderiam ser alocados 63,62 Mvar (tabela 3.8) para se alcanar o fator de potncia
de 0,95 capacitivo, porm a tenso de 0,99 pu obtida com 39,2 Mvar (tabela 3.7). Nas
outras barras ocorre o contrrio, preciso mais potncia reativa para se atingir a tenso
desejada, entretanto o FP limite alcanado primeiro. A alterao sugerida aloca 0,9 Mvar a
mais no sistema em estudo, obtendo tenses mais baixas nas barras B7 e B12 e o fator de
potncia se torna capacitivo nas barras B9 e B14 que so as nicas a terem aumentado o
montante de CR com a alterao (vide tabelas 3.4 e 3.5). O fator de potncia melhora em
B7 (originalmente muito capacitivo) e piora em B12, em decorrncia da restrio da TPC.
Na coluna Vnova, nota-se que a tenso em B12 no igual a 0,99 pu como
calculado pelo ndice
i
. Isto se deve ao fato de tal estimativa ser pontual, no se levando
em conta o aumento de potncia reativa injetada em outras barras. Mesmo assim, o erro
no to significativo (1,4%), podendo ser considerada como uma boa estimativa.
De modo semelhante ao processo descrito anteriormente, so obtidas as tabela 3.10
e 3.11 para a alterao do ano 9. A tabela 3.10 mostra os limites calculados de CR relativos
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



69
ao FP e Vdesej. Novamente, a nica barra que limitada pela restrio de tenso para
sua compensao reativa mxima a B12. Em relao ao limite do fator de potncia
poderiam ser alocados 69,6 Mvar. As outras barras precisam de muito mais potncia reativa
para alcanar a tenso desejada (Vdesej). Para a barra B7, necessrio um montante muito
grande de compensao reativa para se atingir 1,05 pu. Logo, para se obter um valor de
potncia reativa injetada em B7 mais prximo daquele sugerido no ano 7, opta-se por
diminuir o valor da Vdesej desta barra. Tal reduo tambm observada para B12, porm a
razo neste caso diferente. Para B12, Vdesej tem que ser menor para garantir que a TPC
no viole o limite permitido.
Tabela 3.10. Limites de compensao reativa para a alterao do ano 9.
ANO 9 FPdesej CR cap Vdesej CR Max
B7 0,93c 21,11 1,000 41,2
B9 0,95c 5,18 1,050 27,8
B12 0,95c 69,59 0,988 49,8
B14 0,95c 37,89 1,050 54,9

Observa-se, pela tabela 3.11, que a compensao reativa original se mantm apenas
na barra B9. Nas demais h diminuio do montante sugerido. Isto provoca uma reduo da
CR total instalada de 7,0 Mvar e das tenses das barras (vide tabela 3.5). Os fatores de
potncia de B7 e B9 se mantm quase inalterados e, em B12 e B14, melhoram, comparados
aos da tabela 3.4. A CR Total o montante mximo permitido para se manter a TPC de B12
dentro dos limites.
Tabela 3.11. Alterao da compensao reativa no ano 9.
ANO 9 CR Original CR Nova FPnovo Vnova
B7 21,2 21,1 0,93c 0,856
B9 5,2 5,2 0,949c 1,019
B12 54,0 49,8 0,999 1,001
B14 40,6 37,9 0,95c 1,023
CR Total (Mvar) 121,0 114,0 Diferena -7,0 Mvar

Fazendo o mesmo para o ano 10, obtm-se as tabelas 3.12 e 3.13 como soluo.
Para que a TPC de B12 fique abaixo de 0,90 pu, a tenso desejada para esta barra deve ser
ainda mais baixa que nos anos anteriores (0,95 pu), conforme tabela 3.12. De novo B12 a
nica barra limitada pela restrio de tenso. Constata-se pela tabela 3.13 que, em todas as
barras, a compensao reativa nova menor que a original. A reduo da CR total instalada
de 17,7 Mvar, isto necessrio para se manter a TPC da barra B12 dentro dos limites.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



70
Tambm verificada a diminuio das tenses das barras (vide tabela 3.5) e todos os
fatores de potncia se tornam menos capacitivos do que os encontrados na tabela 3.4.
Tabela 3.12. Limites de compensao reativa para a alterao do ano 10.
ANO 10 FPdesej CR cap Vdesej CR Max
B7 0,93c 21,75 1,000 39,4
B9 0,95c 5,33 1,010 7,7
B12 0,95c 71,69 0,950 49,8
B14 0,95c 39,04 1,050 54,9

Tabela 3.13. Alterao da compensao reativa no ano 10.
ANO 10 CR Original CR Nova FPnovo Vnova
B7 22,2 21,7 0,931c 0,791
B9 5,8 5,4 0,947c 1,002
B12 60,0 49,8 0,997 0,955
B14 45,6 39,0 0,95c 1,004
CR Total (Mvar) 133,6 115,9 Diferena -17,7 Mvar

A tabela 3.14 apresenta os resultados finais da compensao reativa de todos os
anos com a alterao indicada anteriormente. Verifica-se que a margem de estabilidade de
tenso diminui para os anos 7, 9 e 10, respectivamente, 0,6%, 0,7% e 1,9%. No ltimo ano
h maior reduo do mximo carregamento (3,9 MW), porque a TPC de B12 j est muito
prxima do limite no ano 9 (0,897 pu), no admitindo que se instale nenhum capacitor nesta
barra (vide tabelas 3.11 e 3.13). Verifica-se pela tabela 3.14 que, com a nova compensao
reativa, a TPC se mantm dentro dos limites a qual violada em 0,003 pu apenas no ano
10. diminudo 0,09 pu da TPC no ano 10 em relao CR Original. Constata-se que as
margens de estabilidade de tenso dos anos 9 e 10 permanecem abaixo de 6%.
A figura 3.8 apresenta a curva PV da barra B12 com a modificao dos montantes da
compensao reativa exibidos na tabela 3.14. Como se observa, o ganho de margem de
estabilidade de tenso no ano 10 insignificante. Isto ocorre porque no se pode adicionar
nenhum capacitor em B12. So alocados 1,9 Mvar (diferena de CR entre os anos 9 e 10)
no sistema para se ter um aumento de 0,5 MW na MET (3,8 Mvar por MW).
Alternativa 2 Anlise de Sensibilidade
Para se obter um ganho mais significativo na margem de estabilidade de tenso no
ano 10 de forma a garantir que a MET ultrapasse os 6%, necessrio que se aplique a
alternativa 2. Para isto selecionam-se as barras candidatas compensao reativa as quais
devem ter pequena influncia na tenso de B12, para que a TPC seja baixa. As barras B3 e
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



71
B5 merecem ateno, pois apresentam significativa limitao para o SEP por elas estarem
com fatores de potncia baixos. A barra candidata escolhida tem que elevar bastante a
tenso de B3, B5 e B7 com o mnimo de Mvar e suprir parte da potncia reativa demandada
por B3 e B5.
Tabela 3.14. Nova compensao reativa (Mvar) e parmetros de estabilidade de tenso para cada ano de planejamento.
Barra CR Ano 0 CR Ano 4 CR Ano 7 CR Ano 9 CR Ano 10
B7 6,2 19,3 19,3 21,1 21,7
B9 0,5 0,6 4,8 5,2 5,4
B12 24,2 35,7 39,2 49,8 49,8
B14 17,5 21,8 34,6 37,9 39,0
CR Total (Mvar) 48,4 77,4 97,9 114,0 115,9
TPC Original em B12 (pu) 0,713 0,782 0,866 0,938 0,993
TPC Nova em B12 (pu) 0,713 0,782 0,818 0,897 0,903
MET Original (%) 42,5 25,5 12,7 5,2 6,6
MET Nova (%) 42,5 25,5 12,1 4,5 4,7
MET Original (MW) 60,5 43,1 24,4 11,0 13,9
MET Nova (MW) 60,5 43,1 23,3 9,5 10,0
Load Max Original (MW) 202,9 211,8 216,3 220,9 223,8
Load Max Nova (MW) 202,9 211,8 215,2 219,4 219,9
Ptotal (MW) 142,4 168,7 191,9 209,9 209,9

Curva PV da Barra B12
0,7
0,75
0,8
0,85
0,9
0,95
1
191 196 201 206 211 216 221
Carga (MW)
T
e
n
s

o

(
p
u
)
CR Real
CR Nova Ano 7
CR Nova Ano 9
CR Nova Ano 10

Figura 3.8. Curva PV da barra B12 com a instalao dos novos montantes de CR durante os anos.
A anlise de sensibilidade realizada, neste trabalho, utilizando-se o programa
WANAREDE-GRF, sendo considerada a variao de 1 Mvar em cada barra (primeira linha
da tabela 3.15) e verificando-se sua influncia nas demais (primeira coluna da tabela 3.15).
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



72
O apndice A se dedica ao detalhamento da anlise de sensibilidade. Os maiores valores
indicam que a potncia reativa injetada em uma barra tem maior influncia na tenso da
outra. A seqncia da primeira coluna (B7, B5, B3, B12, B14 e B9) corresponde s barras
que tm maior sensibilidade (valores mais elevados) variao de potncia reativa em B4.
A primeira linha (B4, B6, B11, B10, B13, B2 e B8) est ordenada de acordo com a barra que
mais influencia a tenso de B7 (ordem decrescente). Os nmeros em negrito so os maiores
de cada linha.
Tabela 3.15. Resultados da anlise de sensibilidade do WANAREDE-GRF.
B4 B6 B11 B10 B13 B2 B8
B7 0,006791 0,006785 0,003128 0,002272 0,002222 0,002060 0,002045
B5 0,005419 0,005405 0,002496 0,001813 0,001773 0,001644 0,001632
B3 0,004390 0,004379 0,002183 0,001586 0,001551 0,001438 0,001427
B12 0,002300 0,002294 0,006410 0,002207 0,002159 0,001430 0,001419
B14 0,001332 0,001328 0,001758 0,001278 0,001544 0,000828 0,000822
B9 0,001000 0,000998 0,000944 0,000686 0,000671 0,000622 0,000754

A tabela 3.16 expe a variao da tenso com a alocao de 1 Mvar em cada barra
separadamente. A anlise desta tabela realizada de forma idntica a da 3.15.
Tabela 3.16. Variao da tenso (em pu) das barras da primeira coluna com a alocao de 1 Mvar nas da primeira linha.
B4 B6 B11 B10 B13 B2 B8
B7 0,0067 0,0067 0,003 0,002 0,002 0,002 0,002
B5 0,005 0,005 0,002 0,001 0,001 0,001 0,001
B3 0,004 0,004 0,002 0,001 0,001 0,001 0,001
B12 0,0023 0,0023 0,007 0,002 0,003 0,002 0,002
B9 0,002 0,001 0,001 0,0 0,0 0,0 0,0
B14 0,001 0,002 0,002 0,002 0,002 0,001 0,001

A anlise das tabelas 3.15 e 3.16 pode ser explicada por meio do seguinte exemplo:
a barra mais sensvel B4 a B7, pois tem o maior valor da coluna B4 (0,006791 pu
tabela 3.15 e 0,0067 pu tabela 3.16); aquela que mais influencia B14 a B11, que tem o
valor mais elevado da linha B14 (0,001758 pu tabela 3.15 e 0,002 pu tabela 3.16).
Observa-se pela tabela 3.15 que as barras B7, B5 e B3 so mais sensveis a
variaes de potncia reativa de B4 e B6. As barras B4 e B6 influenciam pouco B12, cerca
de 2,95 vezes menos que a B7. A tabela 3.16 confirma B4 e B6 como barras candidatas.
Escolhe-se B4 como barra candidata por influenciar um pouco mais B7, B5 e B3 que
a barra B6. Em B4 so alocados 17,7 Mvar potncia reativa da diferena entre a CR
Original e a Nova (tabela 3.13). Com esta compensao, a margem de estabilidade de
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



73
tenso aumenta 2,9% em relao CR Nova, indo para 15,9 MW e sua TPC cai para
0,881 pu, conforme tabela 3.17. Esta nova configurao melhor que aquela com a CR
Original em relao estabilidade de tenso, atingindo 225,8 MW de mximo carregamento
(tabela 3.17).
Tabela 3.17. Parmetros de estabilidade de tenso no ano 10 para diferentes barras candidatas.
Limites CR Original CR Nova CR B4 CR B6 CR B11 CR B10 CR B13 CR B2 CR B8
MET (%) 6,6 4,7 7,6 7,5 6,4 5,9 5,9 5,8 5,8
MET (MW) 13,9 10,0 15,9 15,8 13,5 12,3 12,3 12,1 12,1
Load Max (MW) 223,8 219,9 225,8 225,7 223,4 222,2 222,2 222,0 222,0
TPC em B12 (pu) 0,993 0,903 0,881 0,881 0,988 0,922 0,918 0,905 0,903

A tabela 3.17 apresenta os resultados de mximo carregamento, MET e TPC obtidos
se fossem selecionadas outras barras como candidatas para serem alocados os 17,7 Mvar.
Comparando-se tais resultados para todas as barras, verifica-se que B4 realmente alcana a
melhor MET com a tenso no ponto de colapso mais baixa. Para se alcanar a MET de
15,9 MW (obtida por B4), seria necessrio alocar 47,4 Mvar em B2 (29,7 Mvar adicionais).
Estas afirmaes confirmam B4 como barra candidata.
A figura 3.9 mostra a curva PV da barra B12 com a instalao de 17,7 Mvar em B4.
Comparando-se com o resultado obtido pela CR Nova do ano 10, nota-se como a MET
aumenta e a TPC diminui.

Curva PV da Barra B12
0,8
0,85
0,9
0,95
1
205 210 215 220 225
Carga (MW)
T
e
n
s

o

(
p
u
)
CR Real
CR Nova Ano 9
CR Nova Ano 10
CR B4 Ano 10

Figura 3.9. Curva PV da barra B12 com a instalao de 17,7 Mvar em B4.
A tabela 3.18 apresenta as alternativas de compensaes reativas para melhorar a
MET a partir do ano 9 e, na tabela 3.19, so exibidos resultados da MET em porcentagem e
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



74
em MW, da TPC e do mximo carregamento para tais alternativas. As colunas de CR
Original e a CR Nova so daquelas compensaes j citadas anteriormente. Na condio da
coluna CR Nova e Tap, os capacitores alocados so os sugeridos na CR Nova e altera-se
somente o tap do transformador da barra B7, para que sua tenso seja maior que 0,95 pu. A
coluna CR B4 indica os resultados da adoo de B4 como barra candidata, exibido na tabela
3.17. Para a coluna CR B4 e Tap utilizado B4 como candidata e modifica-se o tap do
transformador de B7. Na situao da coluna CR B3 e B5, so indicados capacitores para
B7, B9, B12 e B14 que fazem a barra ficar com fatores de potncia indutivos entre 0,98 e
1,0, conforme tabela 3.18. A soma do montante de potncia reativa destas barras
corresponde a 99,8 Mvar. O restante da compensao reativa original (33,8 Mvar)
distribudo entre as barras dos grandes consumidores (B3 e B5, tabela 3.18)
proporcionalmente ao tamanho de suas cargas reativas.
Tabela 3.18. Escolha de B4 como barra candidata comparada seleo de B3 e B5.
ANO 10 CR Original CR B4 FP B4 CR B3 e B5 FP B3 e B5
B7 22,2 21,7 0,931c 15,0 1,000
B9 5,8 5,4 0,947c 1,6 0,979
B12 60,0 49,8 0,997 54,2 1,000
B14 45,6 39,0 0,951c 29,0 0,981
B4 - 17,7 - - -
B3 - - 0,800 21,9 0,897
B5 - - 0,770 11,8 0,898
CR Total (Mvar) 133,6 133,6 - 133,5 -
Tabela 3.19. Parmetros de estabilidade de tenso no ano 10 para vrias alternativas de CR.
Limites CR Original CR Nova CR Tap CR B4 CR B4 e Tap CR B3 e B5
MET (%) 6,6 4,7 6,3 7,6 8,3 7,96
MET (MW) 13,9 10,0 13,2 15,9 17,4 16,7
TPC (pu) 0,993 0,903 0,892 0,881 0,875 0,902
Load Max (MW) 223,8 219,9 223,1 225,8 227,3 226,6

Constata-se pela tabela 3.19 que, ao se modificar apenas o tap do transformador de
B7, quase se atinge a margem obtida pela CR Original com 17,7 Mvar a menos. Tem-se um
ganho de 1,6% (3,2 MW) em relao a CR Nova. Quando tal alterao associada
alocao de 17,7 Mvar na barra candidata, o crescimento da MET chega a 3,6% (7,4 MW).
Uma alternativa que alcana bons resultados a instalao da compensao reativa mais
distribuda entre as barras com fatores de potncia indutivos (opo CR B3 e B5) os quais
podem ser constatados pelas tabelas 3.18 e 3.19. A MET desta opo maior do que a
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



75
obtida pela CR Nova e pela alternativa da barra candidata B4 (respectivamente, 6,7 e
0,8 MW).
A alocao de capacitores em barras de grandes consumidores no , em geral,
adotada pelas empresas, porm mostrado neste trabalho que tal medida pode ser
vantajosa nos aspectos tcnicos e econmicos, pois, para um mesmo montante de potncia
reativa instalado (133,6 Mvar), so obtidos melhores valores de fator de potncia, MET e
margem de potncia reativa (tabela 3.21). No exemplo da figura 3.3, considera-se que os
grandes consumidores no corrigem seus fatores de potncia, sendo simulado o pior caso
para a estabilidade e controle de tenso.
A tabela 3.20 mostra os resultados do clculo do vetor tangente para o ano 10 os
quais confirmam as barras B4 e B6 como as mais adequadas para melhorar a estabilidade
de tenso da rede eltrica em estudo. Verifica-se que a barra crtica torna-se a B7, deixando
de ser a B12. Em relao tenso no ponto de colapso, a B12 a mais crtica, pois sua
tenso est mais alta que a de B7. A figura 3.10 exibe as curvas QV de B7 (nova barra
crtica) para as CR expostas na tabela 3.19 (ano 10).
Tabela 3.20. Resultados do clculo do vetor tangente para o ano 10.
Ordem Ano 10 Ordem Ano 10
B7 -1,000 B14 -0,1593
B5 -0,7832 B13 -0,1457
B6 -0,7578 B10 -0,1440
B4 -0,7548 B9 -0,1372
B3 -0,6451 B8 -0,1355
B12 -0,2325 B2 -0,1354
B11 -0,1881 - -

A margem de potncia reativa (MR) da CR Original e da CR Nova tem valores muito
prximos, porm esto muito perto de 0 Mvar (figura 3.10 e tabela 3.21). Com a adio de
mais capacitores e mudanas de tap esta margem cresce, chegando ao maior valor na
situao em que alocada compensao reativa nas barras B3 e B5 (19,22 Mvar).
Tabela 3.21. Margem de potncia reativa, MET e TPC no ano 10 para vrias alternativas de CR.
ANO 10 CR Original CR Nova CR Nova e Tap CR B4 CR B4 e Tap CR B3 e B5
MET (%) 6,6 4,7 6,3 7,6 8,3 7,96
TPC (pu) 0,993 0,903 0,892 0,881 0,875 0,902
MR B7 (Mvar) 4,40 3,70 7,17 9,33 11,04 19,22

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



76
Curvas QV da Barra B7
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tenso (pu)
P
o
t

n
c
i
a

R
e
a
t
i
v
a

(
M
v
a
r
)
CR Original
CR Nova
CR Nova e Tap
CR B4
CR B4 e Tap
CR B3 e B5

Figura 3.10. Curva QV da barra B7 para o ano 10 para vrias alternativas de CR.
Sendo analisada a tabela 3.21, chega-se concluso de que as alternativas
reprovadas so: CR Original pela alta TPC e baixa margem de potncia reativa, CR Nova
pela baixa MET, e as opes CR Nova e Tap e CR B4 pela pequena MR. Restam somente
as alternativas CR B4 e Tap e CR B3 e B5. Suas MR correspondem respectivamente a
5,75% e 10,0% do total de Q consumida pelas cargas da rede em estudo (192,1 Mvar,
47,4% de crescimento no ano 10). Tais taxas percentuais so razoveis visto que a carga
cresce 4,5% ao ano. Apesar disso, pode-se propor, atravs de uma nova barra candidata,
uma reserva de potncia reativa para o sistema. Entretanto, isto tem que ser feito
examinando-se a relao custo/benefcio da mesma.
A tabela 3.22 apresenta uma ltima anlise para finalizar esta avaliao tcnica.
Para as alternativas da tabela 3.19 para o ano 10, so mostrados os dados de perdas ativas
e reativas e dos carregamentos das principais linhas desta rede eltrica: B1-B2 liga a rede
bsica ao subsistema em estudo; B2-B3 alimenta as cargas mais pesadas do exemplo
(rea crtica); e B2-B10 conecta duas barras, sendo uma delas a mais crtica sob o
aspecto de estabilidade de tenso.
Comparando-se a CR Original e a CR Nova, nota-se que as perdas so maiores com
a CR Nova e a margem de estabilidade de tenso maior com a CR Original (tabela 3.22).
O motivo que a CR Original tem 17,7 Mvar a mais instalados. A vantagem da CR Nova
que sua TPC respeita o limite. Entretanto, ao se adicionarem 17,7 Mvar em B4 (CR B4), as
perdas se tornam menores do que as da CR Original. A alterao do tap do transformador
da barra B7 (CR Nova e Tap) no tem efeitos significativos na diminuio das perdas (tabela
3.22).
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



77
Tabela 3.22. Perdas eltricas e carregamento de linhas para vrias alternativas de CR.
Perdas Carregamento de Linhas
Ano 10
MW Mvar B1-B2 (%) B2-B3 (%) B2-B10 (%)
Sem Shunt 14,7 53,6 108,4 106,9 143,1
CR Original 7,7 25,3 76,8 94,3 79,6
CR Nova 8,2 26,8 80,1 95,3 79,0
CR B4 7,6 25,0 77,0 89,1 78,4
CR Nova e Tap 8,2 26,6 79,8 94,7 79,0
CR B4 e Tap 7,5 24,9 76,8 88,5 78,3
CR B3 e B5 7,5 24,6 76,9 86,5 79,1

A opo com a perda reativa mais baixa a que aloca capacitores nos grandes
consumidores (CR B3 e B5). Em relao perda ativa, esta alternativa obtm o mesmo
valor da CR B4 e Tap (7,5 MW). Se for comparado ao sistema sem nenhuma
compensao reativa, verifica-se um ganho de disponibilidade das linhas e de geradores de
7,2 MW e 29 Mvar. Considerando que o total da carga consumida no ano 10 de
216,3 MW, as perdas ativas representam 3,43% desta potncia. Levando-se em conta este
dado, pode-se afirmar que com a alternativa CR B4 e Tap este subsistema exemplo
poderia crescer aproximadamente 28% antes de atingir o limite trmico mximo permitido na
linha B1-B2, adiando para cerca de 6 anos a construo de um circuito em paralelo com
B1-B2. Isto traz grandes economias para a concessionria.
Pensando apenas no limite da linha B2-B3, com a compensao reativa em B3 e B5,
haveria a possibilidade de aumento das cargas das barras B3, B5 e B7 em quase 17%.
Logo, as indstrias ligadas s barras B3 e B5 poderiam ser ampliadas, sem a necessidade
de investimento imediato em transporte de energia por parte da concessionria. Para a linha
B2-B10, este ganho ainda maior, chegando a valores em torno de 60%.
Concluindo este item, as opes a CR B4 e Tap e a CR B3 e B5 esto aptas a
resolverem o problema da estabilidade de tenso e ainda melhorarem as condies de
operao do sistema. Qualquer uma destas alternativas pode ser escolhida do ponto de
vista tcnico, ficando, assim, a deciso final dependente da avaliao econmica.
Como ltimas consideraes, vale destacar que todas as alternativas mantm as
tenses das barras dentro dos limites atravs de um controle de tenso feito pela mudana
de tap e a nova barra crtica (B7) no viola os limites de MET e TPC.




Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



78
3.3. Transitrios Eletromagnticos
3.3.1. Questo a ser Solucionada
Conforme citado anteriormente, com o maior nmero de capacitores na rede eltrica,
atualmente, as manobras destes equipamentos constituem fonte freqente de transitrios de
tenso na operao do sistema eltrico. As sobretenses geradas colocam em risco
disjuntores, transformadores e outros equipamentos do SEP. Por este motivo, neste
trabalho, so investigadas as manobras de capacitores e propostas as devidas solues,
j na etapa de expanso, para se evitarem problemas na operao em tempo real. Vale
ressaltar que a metodologia aqui apresentada visa auxiliar as equipes de planejamento na
elaborao de planos de expanso, quanto definio do montante de compensao mais
adequado. Clculos de transitrios eletromagnticos detalhados e especficos para os
equipamentos a serem instalados so realizados na fase de projeto, posterior etapa de
planejamento.
3.3.2. Procedimento Proposto
O procedimento proposto para a avaliao tcnica da compensao reativa levando
em conta os transitrios eletromagnticos gerados foi elaborado com base nos estudos
desenvolvidos no item 2.2.3. Tal metodologia tem como objetivo principal verificar se a CR
sugerida acarreta ou no violao dos limites estabelecidos de sobretenses e
sobrecorrentes, e, se necessrio, indicar a alternativa de expanso para mitigar tais efeitos.
Para se atingir este objetivo o procedimento composto de quatro anlises: energizao e
desenergizao do primeiro banco de capacitores para as solicitaes de tenso;
energizao e desenergizao do segundo banco para as solicitaes de corrente. Cada
uma destas anlises tem caractersticas distintas, sendo que no caso da desenergizao
considera-se que h restrike. A avaliao tcnica tem como dados de entrada a
compensao reativa sugerida pelo plano de expanso em elaborao.
Para a realizao dos clculos e das anlises apresentadas neste item, foi utilizado o
software ATPDraw [ATPDraw 03], programa de interface grfica que facilita a modelagem
dos elementos do circuito e a sua simulao.
Nesta tese de doutorado destaca-se o desenvolvimento de um ndice inovador
adotado para apontar os pontos mais crticos em que os limites de sobretenso e
sobrecorrente podem ser desrespeitados. Para estes locais, as barras so modeladas
detalhadamente e so efetuadas simulaes para as mesmas. Quanto maior o valor do
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



79
ndice, mais vulnervel a barra. O valor depende das particularidades do sistema em que
ela possa estar situada: capacidade do capacitor alocado, caractersticas da carga, distncia
eltrica da fonte, equipamentos instalados, etc. O processo de classificao das barras
(atravs de tais ndices) tambm indica o local onde se deve alterar o montante de
compensao reativa (barras crticas) e para onde pode ser deslocada a instalao de
potncia reativa (barras candidatas). Todo este processo tem o enfoque na propagao de
ondas, verificando-se, respectivamente, os pontos de maior e menor refrao.
A seguir so apresentados os passos do procedimento proposto e seu fluxograma
(figura 3.11).

Figura 3.11. Fluxograma da avaliao tcnica de CR com relao a Transitrios Eletromagnticos.
i. Compensao Sugerida
Esta etapa est relacionada entrada de dados da avaliao tcnica que corresponde
compensao reativa sugerida pelo plano de expanso.
Compensao Sugerida
ST e SC
Adequadas?
Barras Crticas
Transitrios Eletromagnticos
Avaliados
NO
Alterao do
Plano
SIM
Alterao do
Chaveamento

2
o
Banco
Subestao
Detalhada

1
o
Banco
Sistema
Detalhado
Modelagem de Equipamentos


2
o
Banco
Sobrecorrentes (SC)


1
o
Banco
Sobretenses (ST)
Energizao e Desenergizao
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



80
ii. Barras Crticas
Neste passo so identificadas as barras crticas pontos do sistema que atingem as
maiores sobretenses e sobrecorrentes. Para a determinao destas barras foi criado,
neste trabalho de doutorado, o ndice C
itotal
calculado atravs da equao 3.3 e
explicado detalhadamente no apndice B. As barras so classificadas em ordem
decrescente do ndice cujo maior valor indica a mais crtica. Para as duas de maior valor
C
i total
, so modeladas suas vizinhanas e realizam-se simulaes para estimar as
sobretenses e sobrecorrentes. Se a primeira barra no viola nenhum limite, no h
necessidade de se aplicarem os prximos passos para a segunda barra. Caso contrrio,
as simulaes devem ser realizadas at que todas as barras tenham respeitado os
limites.

11 1 1 2 12 12 2 2
1 d c d c d c d c C
i
n
i j
j j i i total i

(
(

+ + + =

(3.3)

Os termos c
k1
e d
k1
da equao 3.3 so os coeficientes de refrao e c
k2
e d
k2
, os de
reflexo da onda de tenso para as matrizes C e D, onde k pode ser i, j ou qualquer
nmero inteiro. Na matriz C, esto representados os coeficientes para os pontos de
conexo da linha com a carga (N
2
, N
3
e N
4
) e com a fonte (N
0
). Na matriz D, tais
coeficientes correspondem ao ponto de interseo entre as linhas equivalentes do
sistema (N
1
). A figura 3.12 mostra o circuito que indica a localizao dos ns N
0
, N
1
, N
2
,
N
3
e N
4
.


Figura 3.12. Circuito para o clculo dos coeficientes de reflexo e refrao e, conseqentemente, C
i total
.
O ponto N
1
a fronteira entre as regies externa e interna do subsistema em anlise. A
externa representada pelo equivalente de Thvenin no ponto (fonte e impedncia
equivalentes). A regio interna composta pelas impedncias equivalentes que
conectam, ao ponto N
1
, as barras candidatas compensao reativa. A escolha da
localizao de N
1
depende da identificao destas duas regies.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



81
Para se calcularem os coeficientes de refrao e reflexo das matrizes C e D,
realizada uma simplificao da rede em anlise, como exposto na figura 3.12. As linhas
so representadas por impedncias equivalentes, as cargas por resistncias e as
impedncias dos transformadores so desprezadas. importante salientar que, como o
ndice da equao 3.3 no tem o objetivo de indicar o valor da maior sobretenso, tais
simplificaes no comprometem a qualidade das anlises. Isto se deve,
principalmente, porque a parte resistiva do circuito possui maior influncia na indicao
do local mais propcio a elevadas sobretenses, conforme mostrado a seguir.
A figura 3.13 apresenta resultados para trs situaes de representao do circuito: (a)
reatncias da rede e capacitores instalados desprezados; (b) reatncias da rede
desprezadas e capacitores considerados; (c) reatncias da rede e capacitores
instalados considerados. Como se verifica pela figura 3.13, a parte resistiva (figura
3.13(a)) dominante e aquela que indica qual a maior sobretenso. As curvas das
figuras 3.13(b) e (c) seguem o formato da figura 3.13(a). Esta condio refora a
consistncia das simplificaes adotadas e a eficincia do ndice.
De forma complementar a essas anlises, foram feitos vrios testes prticos em
circuitos eltricos e os resultados se mostraram extremamente consistentes, validando a
metodologia adotada para clculo do ndice. Vale ainda observar que no procedimento
se prope a indicao de duas barras crticas, aumentando ainda mais a margem de
acerto do ndice.
Feitas as simplificaes, os coeficientes de refrao e reflexo da onda de tenso c
ij
e d
ij

so estimados respectivamente pelas equaes 3.4 e 3.5 (apndice B).


i i
i
i
R Z
R
c
+
=
2
1
e
i i
i i
i
R Z
Z R
c
+

=
2
para i > 1
(3.4)

i
p i
i
p
i
Z Z
Z
d
+
=
2
1
e
i
p i
i
i
p
i
Z Z
Z Z
d
+

=
2
para qualquer i
(3.5)
onde
m l k
i
p
Z Z Z Z // // = para k, l, m diferentes de i
(3.6)
0
11
= c e 1
12
= c fonte ideal (3.7)

Na equao 3.5, Z
pi
representa o equivalente visto por cada uma das impedncias (Z
1
,
Z
2
, Z
3
e Z
4
), conforme equao 3.6. A fonte considerada um curto-circuito, ou seja, a
onda de tenso que chega na fonte totalmente refletida e sua refrao zero
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



82
(equao 3.7). A tabela 3.23 apresenta as matrizes C e D com os respectivos
coeficientes para a figura 3.12.


(a) (b)
(c)
Figura 3.13. Sobretenses geradas nos pontos N2, N3, N4 e N5 do circuito da figura 3.12 quando so consideradas as
situaes: (a) os capacitores instalados e as reatncias so desprezadas; (b) so includos os bancos de
capacitores; (c) situao (b) com a considerao tambm das reatncias.
Tabela 3.23. Coeficientes de reflexo e refrao do circuito da figura 3.12.
Matriz C 1 (R
FR
) 2 (R
FL
) Matriz D 1 (R
FR
) 2 (R
FL
)
N0 0 -1 Z1 d
11
d
12

N2 c
21
c
22
Z2 d
21
d
22

N3 c
31
c
32
Z3 d
31
d
32

N4 c
41
c
42
Z4 d
41
d
42


iii. Modelagem de Equipamentos
A partir deste passo caracterizam-se dois tipos de anlises distintas: chaveamento do
primeiro banco e do segundo banco. Em ambas, o efeito da disperso entre os contatos
do disjuntor considerado e os limites do pra-raios representado.
Anlise 1 1
o
Banco
Tem como principal meta a avaliao das sobretenses causadas pelo chaveamento
de um nico banco alocado em uma barra. Modela-se o sistema de forma macro,
N2
N3
N4
N5
0 2 4 6 8 10
[ms]
-2.5
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
[kV]
N2
N3
N4
N5
0 1 2 3 4 5
[ms]
-2
2
6
10
14
18
[kV]
N2
N3
N4
N5
0 3 6 9 12 15
[ms]
-12.0
-5.2
1.6
8.4
15.2
22.0
[kV]
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



83
porm detalhadamente. Isto significa que so representadas, para a simulao, de duas
a trs barras vizinhas quela em que acontece o chaveamento, abrangendo-se
transformadores, linhas adjacentes, fontes equivalentes, capacitores, pra-raios, etc.
Anlise 2 2
o
Banco
Tem como objetivo avaliar as sobrecorrentes causadas pelo chaveamento de um
segundo banco. Representa-se o sistema de forma micro detalhadamente.
modelada a subestao onde se encontra o capacitor analisado, incluindo pra-raios,
disjuntores, motores, geradores, LTCs, compensadores, etc. As barras e ramos
adjacentes subestao so substitudos por um equivalente de Thvenin.
iv. Energizao e Desenergizao
Adota-se o instante do chaveamento efetuado no pico de tenso de uma das fases para
simular, assim, o pior caso de transitrios eletromagnticos. Para este objetivo, na
desenergizao, considera-se que haja restrike ao ser feita a manobra. Isto significa que
existe um fluxo de corrente em certo perodo de tempo aps o comando de
desligamento. Este reacendimento se caracteriza pela incapacidade do disjuntor de
suportar determinada tenso entre seus terminais.
Adotando o modelo de circuito adequado para cada anlise (passo iii), so realizadas
simulaes no ATPDraw e, atravs de arquivos de sada ou grficos, determinam-se as
sobretenses e as sobrecorrentes que resultam do chaveamento do capacitor. So
feitos clculos destas grandezas no capacitor manobrado, na carga, na barra adjacente
e em equipamentos sensveis prximos. Tambm computada a energia absorvida
pelos pra-raios no momento da manobra do capacitor.
Os modelos adotados nas simulaes so descritos no item B.4 do apndice B.
v. SC e ST Adequadas?
As sobretenses (ST) e as sobrecorrentes (SC) devem ser inferiores mxima
suportada pelos equipamentos prximos aos locais onde so realizados os clculos das
grandezas. Alm desta avaliao, deve-se verificar se o pra-raios suporta a energia
produzida no chaveamento, examinando se h risco deste dispositivo queimar ou abrir o
circuito. Deve-se observar se a manobra no causar alterao no funcionamento
normal de equipamentos sensveis ou se ela os depreciar.
Tais limites dependem dos equipamentos instalados e do nmero de manobras
realizadas por ano. A figura 3.14 apresenta as sobretenses e sobrecorrentes
permitidas e o tempo de ocorrncia em segundos em funo do nmero de manobras.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



84
Para exemplificar, na tabela 3.24 esto indicados os limites de ST, SC e energia para
400 manobras por ano, retirados de [Freire 01a].

Sobretenso
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
0
,
0
0
9
0
,
0
4
3
0
,
1
0
,
4
6
81
3
4
,
5
4
5
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
4 op/ano
40 op/ano
250 op/ano
400 op/ano
4000 op/ano
Sobrecorrente
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
0
,
0
0
8
1
2
5
0
,
0
2
8
7
5
0
,
1
0
,
4
61
1
0
1
0
0
1
0
0
0
4 op/ano
40 op/ano
250 op/ano
400 op/ano
4000 op/ano

Figura 3.14. Sobretenses e sobrecorrentes em funo do nmero de manobras e
do tempo de ocorrncia em segundos [Freire 01a].
Tabela 3.24. Limites de sobretenso e sobrecorrente para 400 manobras por ano.
Sobretenso Sobrecorrente
Pico Durao Mxima Pico Durao Mxima
2,77 pu 10 ms 5,37 pu 10 ms
2,40 pu 40 ms 4,57 pu 30 ms
2,00 pu 100 ms 4,52 pu 100 ms
1,85 pu 470 ms 4,35 pu 460 ms
1,60 pu 1 s 3,66 pu 1 s
1,30 pu 34 s 2,97 pu 10 s

vi. Alterao do Plano
Caso alguma restrio no seja respeitada, devem ser feitas alteraes no plano de
expanso sugerido. O procedimento indica as modificaes recomendadas atravs de
diferentes opes:
(a) Alterao do nmero de capacitores, sem mudar o montante de potncia reativa
alocado na barra. Por exemplo, em vez de 4 capacitores de 1,2 Mvar, adotar 2
capacitores de 2,4 Mvar ou um de 1,2 Mvar e outro de 3,6 Mvar. Diferentes
condies de carga (leve, mdia e pesada) so consideradas nas simulaes.
(b) Seleo de uma ou mais barras para ter sua compensao reativa modificada ou
eliminada. Para escolher estas barras utilizada a classificao das barras crticas
encontradas no passo ii. O capacitor alocado na primeira barra da lista (a mais
crtica) deve ser deslocado para a ltima da classificao. Tal rearranjo de
compensao reativa no pode desrespeitar os limites de tenso e o fator de
potncia de cada barra.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



85
(c) Substituio do capacitor inicialmente proposto por outra alternativa.
vii. Alterao do Chaveamento
Outra alternativa muito utilizada para se alterar o plano a adoo de um chaveamento
controlado ou de um resistor ou reator de pr-insero para diminuir as sobretenses e
sobrecorrentes causadas pela manobra.
Esta opo bastante eficiente, porm necessrio analisar a relao custo/benefcio
em comparao com a alterao do passo vi.

3.3.3. Aplicao do Procedimento Proposto
A validao do procedimento proposto envolveu a realizao de vrias simulaes
(programa ATPDraw) sendo uma delas apresentada neste texto. O objetivo deste item
demonstrar todos os passos do procedimento para melhor esclarec-lo. A rede eltrica com
14 barras mostrada na figura 3.15 a mesma j utilizada para analisar a estabilidade de
tenso cujos dados so aqui reescritos (tabela 3.25) para facilitar a compreenso dos
passos.


Figura 3.15. Sistema eltrico exemplo de 14 barras da regio Sudeste do Brasil.

V
60
Z
12
Z
213
S
3
B1

B2

B3

Z
23
B4

B5

Z
45
Z
34
Z
46
B6

B7

B8

Z
28
B9

Z
210
Z
211
B10

B12
B11

B14
B13

S
5
S
9
S
12
S
14
S
7
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



86
Passo i Compensao Sugerida
A tabela 3.25 apresenta os nveis de tenso das barras, a carga instalada (potncia
ativa e reativa) e na coluna CR indicada a compensao reativa sugerida pelo plano de
expanso para se atingir um fator de potncia de 0,95. A ltima coluna da tabela 3.25
mostra qual o fator de potncia sem alocao dos capacitores sugeridos para as barras.
Tabela 3.25. Dados do sistema eltrico exemplo.
Barra Tenso P (MW) Q (Mvar) CR (Mvar) FP sem CR
B3 138 kV 56,0 42,0 - 0,80
B5 138 kV 23,1 19,1 - 0,77
B7 13,8 kV 11,2 9,9 6,2 0,75
B9 13,8 kV 4,6 2,0 0,5 0,92
B12 13,8 kV 35,0 35,7 24,2 0,70
B14 13,8 kV 12,5 21,6 17,5 0,50

A tabela 3.26 exibe os valores de potncia ativa e reativa (P, Q) para as situaes de
carga leve, mdia e pesada para cada barra. Tambm mostrada a compensao reativa
sugerida pelo plano de expanso para cada nvel de carga (CR Leve, CR Mdia e CR
Pesada), indicando qual o montante e a quantidade de capacitores em paralelo a serem
instalados. Por exemplo, para a barra B12 em carga pesada, so propostos dois
capacitores: um de 16,8 Mvar e outro de 8,4 Mvar.
Tabela 3.26. Dados dos nveis de carga (leve, mdia e pesada) e a CR sugerida.
Barra
P Leve
(MW)
Q Leve
(Mvar)
CR Leve
(Mvar)
P Mdia
(MW)
Q Mdia
(Mvar)
CR Mdia
(Mvar)
P Pesada
(MW)
Q Pesada
(Mvar)
CR Pesada
(Mvar)
B3 19,0 14,0 - 37,0 28,0 - 56,0 42,0 -
B5 7,7 6,4 - 15,4 12,7 - 23,1 19,1 -
B7 3,7 3,3 - 7,5 6,6 1 de 7,2 11,2 9,9 1 de 7,2
B9 1,5 0,7 - 3,1 1,3 1 de 1,2 4,6 2,0 1 de 1,2
B12 11,7 11,9 - 23,3 23,8 1 de 16,8 35,0 35,7 1 de 16,8 e 1 de 8,4
B14 4,2 7,2 - 8,3 14,4 1 de 12,0 12,5 21,6 1 de 12,0 e 1 de 6,0

Passo ii Barras Crticas
Para serem encontrados os ndices C
i total
e, conseqentemente, as barras crticas,
necessrio simplificar (equivalentar) o sistema exemplo da figura 3.15. Escolhe-se a barra
B2 como o ponto de interseo entre todas as linhas (N
1
). Sendo assim, Z
1
igual a Z
12
, Z
2

a linha equivalente da barra B2 B6, Z
3
igual a Z
28
, Z
4
a linha equivalente de B2 a B11
e Z
5
, de B2 a B13. Os equivalentes citados so os de Thvenin e foram calculados pelo
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



87
programa PSS/E [PSS/E 01]. As cargas do circuito simplificado so compostas pelas partes
resistivas de S
7
, S
9
, S
12
e S
14
, chegando-se aos valores de R
2
, R
3
, R
4
e R
5
. As impedncias e
resistncias citadas so representadas na figura 3.16.


Figura 3.16. Circuito simplificado para se calcular os coeficientes de reflexo e refrao das matrizes C e D.
A tabela 3.27 apresenta os dados dos parmetros do circuito simplificado. As
matrizes C e D com os coeficientes de refrao e reflexo so mostradas na tabela 3.28.
Tabela 3.27. Dados de linha e carga do circuito simplificado da figura 3.16
para o clculo dos coeficientes da tabela 3.28.
Z () R ()
1
11,47 -
2 7,26 9,52
3 0,58 35,04
4 7,27 2,67
5 1,54 3,81

Tabela 3.28. Coeficientes de reflexo e refrao do sistema eltrico exemplo.
Matriz C 1 (R
FR
) 2 (R
FL
) Matriz D 1 (R
FR
) 2 (R
FL
)
N0 0 -1,0 Z1 0,06 -0,94
N2 1,14 0,14 Z2 0,1 -0,90
N3 1,97 0,97 Z3 1,26 0,26
N4 0,54 -0,46 Z4 0,10 -0,90
N5 1,43 0,43 Z5 0,47 -0,53

Na tabela 3.29, so mostradas as barras correspondentes aos ns do circuito da
figura 3.16 em ordem decrescente com relao aos ndices C
i total
. As duas primeiras barras
(B9 e B14) so as mais crticas e apenas para elas so aplicados os prximos passos do
procedimento.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



88
Tabela 3.29. Classificao das barras pelos ndices C
i total
.
Ordem N Barra C
itotal

1
N3 B9 0,294
2 N5 B14 0,262
3 N2 B7 0,230
4 N4 B12 0,129

O ganho na diminuio do nmero de simulaes no muito elevado devido
reduzida dimenso do sistema exemplo (figura 3.15). Entretanto, para redes eltricas
maiores, com mais de 10 barras com compensao sugerida, tal ganho torna-se
significativo.
Vale comentar que os procedimentos para desenergizao de capacitores so
similares queles aqui mostrados. Limites relativos energia absorvida pelos pra-raios
durante a manobra podem ser introduzidos no procedimento, via programa de clculo de
transitrios, caso seja de interesse do planejador.
Passo iii Modelagem de Equipamentos: Anlise 1
Para a anlise 1, a carga considerada a mdia (P e Q Mdio da tabela 3.26). Para
a carga leve no efetuado este passo, pois no sugerido nenhum capacitor.
Modela-se a vizinhana das barras B9 e B14 de forma detalhada. Para ambas, faz-
se o equivalente das barras B2 a B7. Logo, a rede eltrica utilizada para a simulao no
ATPDraw se torna a da figura 3.17, sendo QCeq o equivalente da parte capacitiva e Seq, da
carga de B2 a B7.


Figura 3.17. Rede eltrica equivalente modelada para simular no ATPDraw a anlise 1 para as barras B9 e B14.
V
60
Z
12
Z
213
B1

B2

B8

Z
28
B9

Z
210
Z
211
B10

B12

B11

B14

B13

S
eq
S
9
S
12
S
14
QC
eq
CH14
CH9
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



89
Passo iii Modelagem de Equipamentos: Anlise 2
Para a anlise 2, a carga adotada a pesada (P e Q Pesada da tabela 3.26) porque
apenas para este nvel de carga h capacitores em paralelo.
Das barras mais crticas apenas B14 tem capacitores em paralelo, portanto, modela-
se detalhadamente somente a subestao de B14. As outras barras do sistema eltrico so
reduzidas a um equivalente, restando somente B13 e B14. Na figura 3.18, V
th
e Z
th

representam a tenso e a impedncia de Thvenin que correspondem fonte e linha
equivalente da rede eltrica da figura 3.15. S
14
a carga pesada de B14 (tabela 3.26), Z
1
e
Z
2
so as resistncias e reatncias do barramento da subestao, Q
C1
e Q
C2
so iguais a
12 Mvar e 6 Mvar, respectivamente, e CH14 o disjuntor que conecta o segundo capacitor
(Q
C2
).

Figura 3.18. Rede eltrica equivalente modelada para simular no ATPDraw a anlise 2 para B14.
Passo iv Energizao (Anlise 1)
Escolheu-se chaveamento em 20 ms, instante prximo ao pico de tenso da fase C.
A figura 3.19 apresenta o transitrio eletromagntico causado pelo chaveamento do
capacitor da barra B9 (1,2 Mvar) e da B14 (12 Mvar). As sobretenses mximas so 1,90 pu
e 1,86 pu, respectivamente. Observa-se maior oscilao no primeiro caso, o que faz o
transitrio durar um pouco mais 430 ms contra 400 ms no segundo caso. No entanto, tais
sobretenses diminuem rapidamente, ficando dentro dos limites mostrados na tabela 3.24.

(f ile SEPequiv -media.pl4; x-v ar t) v :B9C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-25.00
-18.75
-12.50
-6.25
0.00
6.25
12.50
18.75
25.00
[kV]
Tenso na Barra B9

(f ile SEPequiv -media.pl4; x-v ar t) v :B14C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-25.00
-18.75
-12.50
-6.25
0.00
6.25
12.50
18.75
25.00
[kV]
Tenso na Barra 14

Figura 3.19. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra dos bancos das barras B9 e B14, respectivamente.
S
14
V
th
Z
th
B1

Q
C1
Q
C2
CH14

B13 B14
Z
1
Z
2
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



90
Embora no ilustrados, ao se energizar um banco de 12 Mvar em B14, a
sobrecorrente alcana 6,42 pu e, aps 100 ms, ainda possui o valor de 2,62 pu, abaixo do
limite de 4,52 pu (tabela 3.24). Ao se energizar uma CR de 1,2 Mvar em B9, a sobrecorrente
chega a 18,85 pu mantendo-se, durante 29 ms, acima de 11,98 pu valor maior que o limite
(4,57 pu) para 400 manobras por ano apontado na tabela 3.24.
Passo iv Energizao (Anlise 2)
Uma vez mais, foi feito o chaveamento em 20 ms, instante prximo ao pico de tenso
da fase C. A figura 3.20 apresenta o transitrio eletromagntico causado pelo chaveamento
do segundo capacitor da barra B14 (6 Mvar) que est em paralelo com um capacitor de
12 Mvar. As sobrecorrentes mximas so 7,74 pu e 12,22 pu para o primeiro e segundo
bancos. Observam-se grandes oscilaes para ambos os casos, fazendo o transitrio durar
cerca de 1 s.

(f ile SEPequiv14.pl4; x-var t) c: -B14C1C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
[s]
-6000
-4000
-2000
0
2000
4000
6000
[A]
Corrente no Primeiro Banco da Barra B14

(f ile SEPequiv14.pl4; x-var t) c: -B14C2C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
[s]
-5000
-3750
-2500
-1250
0
1250
2500
3750
5000
[A]
Corrente no Segundo Banco da Barra B14

Figura 3.20. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do segundo banco da barra B14.

A sobrecorrente do primeiro banco se mantm acima de 5,37 pu durante 8 ms
(6,26 pu) que o limite mximo permitido para 400 manobras por ano (tabela 3.24). O
mesmo ocorre para o segundo banco que atinge 11,15 pu aps estes 8 ms.
A sobretenso chega a 1,59 pu para o primeiro capacitor e 1,78 pu para o segundo.
Estes valores diminuem rapidamente, estando assim, dentro dos limites permitidos (tabela
3.24).
O chaveamento na barra B14 confirma que a maior sobretenso encontrada na
energizao de um nico banco e a sobrecorrente mais elevada, na manobra do segundo
banco.

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



91
Passo v ST e SC Adequadas?
Como se verifica pelos resultados obtidos no passo iv, os limites de sobrecorrente na
energizao dos capacitores em paralelo em B14 e na manobra do nico banco em B9 so
desrespeitados. Vale destacar que a violao da restrio de corrente no caso da barra B9
(energizao de um nico capacitor) ocorre porque h elevada oscilao causada pela
configurao do local linha curta de 1 km chegando carga e pelo pouco amortecimento
carga pequena de 5 MVA. Conseqentemente, necessrio alterar o plano de expanso
para ambas as barras.
Passo vi Alterao do Plano
Na barra B9, no h possibilidade de utilizar dois capacitores menores de 0,6 Mvar,
porque 1,2 Mvar o montante mnimo encontrado no mercado para este nvel de tenso.
Existem trs opes como soluo: (a) aumentar para 2,4 Mvar; (b) realocar 1,2 Mvar em
outra barra; (c) substituir o capacitor por outra alternativa.
A opo (a) leva a uma sobretenso de 1,88 pu e a uma sobrecorrente de 13,42 pu,
melhorando a situao inicial, porm SC se mantm maior que 12 pu durante 8 ms o que
no permitido (tabela 3.24). Outra desvantagem desta opo que o fator de potncia
ficaria em 0,94 capacitivo, sendo que antes era quase unitrio.
Para a opo (b), escolhem-se duas barras candidatas para a realocao de
1,2 Mvar. A primeira, B8, selecionada para minimizar o fluxo de potncia reativa no
sistema. Neste caso, a sobretenso de 1,54 pu, bem melhor que na situao original.
Entretanto a sobrecorrente aumenta para 20,83 pu e, apesar de haver maior amortecimento
do transitrio, ainda se sustenta acima de 11,79 pu durante 8 ms, violando a restrio de
5,37 pu (tabela 3.24). Alm disso, observada uma sobrecorrente em B2 de 5,31 pu a qual,
embora esteja dentro do limite, no ocorria anteriormente.
A outra candidata a barra B12 que possui menor ndice crtico (C
i total
). Feita a
alterao, o montante da compensao reativa de B12 muda de 16,8 Mvar para 18 Mvar.
Os valores atingidos de sobretenso e sobrecorrente so 1,79 pu e 4,99 pu
respectivamente, ambos dentro dos limites (tabela 3.24). Tais valores podem ser
observados no transitrio gerado pela manobra deste banco de capacitor exibido na figura
3.21. A opo sugerida como modificao para a barra B9 est adequada.
Para a alterao da compensao reativa da barra B14, existem duas
possibilidades: (a) deslocar parte do montante do primeiro capacitor para o segundo; (b)
realocar 6 Mvar em outra barra, eliminando a manobra de bancos em paralelo.

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



92
(f ile b9-altera-b12.pl4; x-v ar t) v :B12C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-25.00
-18.75
-12.50
-6.25
0.00
6.25
12.50
18.75
25.00
[kV]
Tenso na Barra B12
(f ile b9-altera-b12.pl4; x-v ar t) c: -B12CC
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-6000
-4000
-2000
0
2000
4000
6000
[A]
Corrente na Barra B12

Figura 3.21. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do banco da barra B12 com a adio de 1,2 Mvar de B9.
Em geral, quanto maior o montante do capacitor menor a sobrecorrente, logo, na
alternativa (a) de B14, opta-se por aumentar a compensao reativa para dois bancos de
14,4 Mvar e 8,4 Mvar (4,8 Mvar adicional), obtendo-se assim um fator de potncia de 0,995
capacitivo. Nesta nova configurao, atinge-se uma sobretenso de 1,60 pu no
chaveamento do primeiro capacitor e 1,78 pu na manobra do segundo. Apesar de maiores
que a situao original, as sobretenses esto dentro dos limites permitidos (tabela 3.24).
As sobrecorrentes mximas so 7,44 pu e 10,20 pu para o primeiro e segundo bancos.
Embora estes valores sejam menores que os anteriores, as sobrecorrentes alcanadas aps
8 ms, 6,82 pu e 9,31 pu, so maiores que a recomendada 5,37 pu para 400 manobras por
ano (tabela 3.24) impossibilitando a escolha desta alternativa.
A barra candidata para a opo (b) a B12 que possui menor ndice crtico (C
i total
). A
nova compensao reativa para esta barra fica 18 Mvar em carga mdia mais 14,4 Mvar em
carga pesada, sendo 6 Mvar deste ltimo montante relativo B14. Para confirmar se esta
alternativa vivel preciso fazer a anlise 2 para B12. Os resultados obtidos
respectivamente para o primeiro e segundo banco so: 1,63 pu e 1,67 pu de sobretenso e
7,08 pu e 7,55 pu de sobrecorrente. Estes dois ltimos valores podem ser observados no
transitrio da figura 3.22. Apesar de menores, os valores de SC em 8 ms ficam acima de
5,37 pu (tabela 3.24), chegando a 5,69 pu e 6,65 pu. Portanto, tem-se que fazer o passo vii
para se encontrar uma soluo.
Passo vii Alterao do Chaveamento
Antes de iniciar este passo, vale observar que os resistores e reatores de pr-
insero escolhidos tm valores tericos, sendo necessrio, posteriormente, selecionar o
equipamento mais prximo ao utilizado nas simulaes a seguir.

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



93
(f ile SEPequiv12-altera.pl4; x-var t) c: -B12C1C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
[s]
-8000
-5000
-2000
1000
4000
7000
[A]
Corrente no Primeiro Capacitor da Barra B12

(f ile SEPequiv12-altera.pl4; x-var t) c: -B12C2C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
[s]
-7000
-4400
-1800
800
3400
6000
[A]
Corrente no Segundo Capacitor da Barra B12

Figura 3.22. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do segundo banco da barra B12
com a adio de 6 Mvar de B14.
A figura 3.23 apresenta os transitrios eletromagnticos associados a quatro tipos de
chaveamentos diferentes: (a) apenas com um disjuntor comum; (b) com a instalao de um
reator de pr-insero; (c) com o acrscimo de um resistor de pr-insero; (d) utilizando um
chaveamento controlado.

(f ile SEPequiv 14.pl4; x-v ar t) c: -B14C2C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
[s]
-5000
-3750
-2500
-1250
0
1250
2500
3750
5000
[A]
Apenas Disjuntor Comum

(f ile equiv 14-indutor.pl4; x-v ar t) c: -B14C2C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
[s]
-2000
-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
2000
[A]
Reator de Pr-insero

(a) (b)
(f ile equiv 14-resistor.pl4; x-v ar t) c: -B14C2C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
[s]
-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
[A]
Resistor de Pr-insero

(f ile equiv 14-contr.pl4; x-v ar t) c: -B14C2C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
[s]
-900
-560
-220
120
460
800
[A]
Chaveamento Controlado

(c) (d)
Figura 3.23. Corrente do segundo banco da barra B14 com a utilizao de diferentes equipamentos de manobra:
(a) disjuntor comum; (b) reator de pr-insero; (c) resistor de pr-insero; (d) chaveamento controlado.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



94
Percebe-se, pela figura 3.23(a), que a maior oscilao est presente no caso em que
o capacitor chaveado por um disjuntor comum.
Acrescentando um reator de pr-insero de 2,65 mH com resistncia de 0,1 na
manobra do segundo capacitor (6 Mvar) da barra B14, tem-se o transitrio eletromagntico
mostrado na figura 3.23(b). O chaveamento do circuito auxiliar ocorre em 20 ms prximo ao
pico de tenso da fase C e o circuito principal energizado 7 ms depois. Os resultados
obtidos respectivamente para o primeiro e segundo bancos so: 1,50 pu e 1,56 pu de
sobretenso e 3,94 pu e 4,82 pu de sobrecorrente, valores menores que os mximos
tolerados (tabela 3.24).
Ao se adicionar um resistor de pr-insero na manobra do segundo capacitor da
barra B14, tem-se o transitrio exibido na figura 3.23(c). Opta-se por um resistor de 10
com chaveamento do circuito auxiliar em 20 ms e a energizao do circuito principal 5 ms
depois. Os resultados atingidos respectivamente para o primeiro e segundo bancos so:
1,16 pu e 1,22 pu de sobretenso e 2,65 pu e 3,86 pu de sobrecorrente, valores abaixo do
limite (tabela 3.24).
Instalando um chaveamento controlado para manobrar o segundo capacitor da barra
B14, tem-se o transitrio eletromagntico mostrado na figura 3.23(d). As fases so
energizadas prximas ao ponto em que a tenso passa por zero, nos instantes 14,1 ms,
19,6 ms e 25,2 ms. Os resultados alcanados respectivamente para o primeiro e segundo
bancos so: 1,14 pu e 1,17 pu de sobretenso e 1,87 pu e 2,31 pu de sobrecorrente, valores
menores que os mximos admitidos (tabela 3.24).
Pelos resultados obtidos e pela figura 3.23, observa-se que, para mitigar a
sobrecorrente, em ordem de eficincia, esto os dispositivos: chaveamento controlado,
resistor de pr-insero e reator de pr-insero. Resta ao planejador optar por aquele que
traz a melhor relao de custo/benefcio. Caso o reator de pr-insero seja escolhido, no
se pode esquecer de avaliar se o mesmo no introduz ressonncias indesejadas no sistema
eltrico. Vale salientar que tais dispositivos poderiam chegar a menores sobrecorrentes e
oscilaes, fazendo-se um estudo detalhado de seus parmetros para se atingir um ponto
timo. Entretanto, tal ponto deve sempre ser avaliado segundo sua viabilidade prtica e a
relao custo/benefcio a ela associada.
A etapa seguinte consiste em voltar ao passo i do procedimento e desempenhar as
anlises para a prxima barra da ordem de classificao da tabela 3.29 que a B7. feita a
anlise 1 para B7, obtendo-se o equivalente das barras B1, B2 e de B8 a B14 (QC
eq
, S
eq
e
S
eq3
), conforme mostrado a seguir na figura 3.24. Ao se energizar o banco de 7,2 Mvar,
obtida uma sobretenso de 1,91 pu que reduz para 1,51 pu em 9 ms, estando dentro dos
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



95
limites (tabela 3.24). A sobrecorrente medida de 7,29 pu que amortece rapidamente para
4,90 pu em 8 ms, mantendo as restries respeitadas. Como o chaveamento na barra B7
no viola nenhum limite, a avaliao de transitrios eletromagnticos chega ao seu final.

Figura 3.24. Rede eltrica equivalente modelada para simulao no ATPDraw da anlise 1 para B7.
A tabela 3.30 apresenta os resultados finais j com todas as alteraes realizadas.
S no h mudana na barra B7 e, na B14, indicado o uso de algum tipo de chaveamento
diferenciado. Transfere-se 1,2 Mvar da barra B9 para a B12, ao que eleva o FP e a tenso
da ltima e abaixa os da primeira. Verifica-se que o FP de B9 fica abaixo de 0,95 (limite
mnimo), considerado aceitvel por dois motivos: a carga conectada em B9 muito pequena
comparada as outras do sistema (5 MVA, um tero da segunda menor); sua potncia reativa
suprida pela barra vizinha B12, no demandando um maior fluxo de potncia reativa vindo
da rede bsica. As tenses se mantm dentro dos limites em todas as barras.
Tabela 3.30. Tenses e fatores de potncia nas barras com a compensao sugerida inicialmente e com a modificada.
Barra CR Inicial FP Tenso CR Modificada Carga Pesada FP Tenso (pu)
B7 7,2 Mvar 0,972 0,9767 1 de 7,2 Mvar 0,972 0,9764
B9 1,2 Mvar 0,985 0,9938 0 Mvar 0,917 0,9921
B12 25,2 Mvar 0,958 0,9680 1 de 18,0 Mvar e 1 de 8,4 Mvar 0,966 0,9703
B14 18,0 Mvar 0,961 0,9873 1 de 12,0 Mvar e 1 de 6,0 Mvar 0,961 0,9874

3.4. Harmnicos
3.4.1. Questo a ser Solucionada
Como j salientado, a utilizao de eletrnica de potncia em grande escala tem
prejudicado a qualidade de energia no que diz respeito insero de harmnicos no SEP.
Com a instalao de capacitores, as distores harmnicas podem ser amplificadas,
deformando ainda mais a forma de onda senoidal. Para se evitar o problema proposto um
procedimento para avaliao do nvel de harmnicos existente no sistema eltrico e, se
V
eq
S
3
B1

B3

Z
eq
B4

B5

Z
45
Z
34
Z
46
B6

B7

S
5
S
7
S
eq3
QC
eq
S
eq
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



96
necessrio, indica-se um mtodo para mitigar as distores harmnicas, alterando o plano
de expanso sugerido inicialmente.
3.4.2. Procedimento Proposto
O procedimento proposto para a avaliao tcnica da compensao reativa
relacionada aos harmnicos, basicamente, verifica se distores harmnicas de tenso e de
corrente individuais (DHI) e totais (DHT) e tambm o fator de potncia esto todos dentro
dos limites permitidos. Caso sejam violadas estas restries, efetuam-se alteraes na CR
baseadas no clculo da impedncia prpria da barra de forma que a freqncia de
ressonncia do sistema fique afastada da ordem do harmnico predominante existente na
rede.
O software utilizado nas simulaes e nas anlises expostas neste item o Harmzw
[Harmzw 02]. Destaca-se a metodologia inovadora indicada para a alterao da
compensao reativa. A seguir so apresentados os passos do procedimento proposto e o
seu fluxograma (figura 3.25).

Figura 3.25. Fluxograma da avaliao tcnica da CR com relao aos harmnicos.
i. Fonte Harmnica
Nesta primeira etapa so identificadas as fontes harmnicas presentes no sistema,
apontando sua localizao, amplitude e ordem.

Fontes Harmnicas
DH e FP
Adequados?
Harmnicos Avaliados
Impedncia Prpria com CR
NO
SIM
Capacitores na Ressonncia
Alterao da
Compensao
Insero de
Filtros
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



97
ii. Capacitores na Ressonncia
Neste passo so indicados os capacitores para cada barra individualmente os quais
provocam ressonncia nas freqncias das harmnicas existentes na rede eltrica, no
se considerando a compensao sugerida apenas para a barra em anlise. Para se
encontrar o montante dos capacitores precisa-se conhecer a impedncia prpria (Z
P
) de
cada barra candidata alocao Caso a barra no tenha nenhuma CR instalada
previamente, a impedncia prpria denominada Z
0
que o paralelo entre a
impedncia de Thvenin (Z
th
) e a da carga (Z
L
). O clculo de Z
0
(Z
th
// Z
L
) executado
pelo programa Harmzw. A figura 3.26(a) mostra Z
0
em um circuito simplificado que
contm uma fonte de tenso harmnica (V
h
), Z
th
e Z
L
.


(a) (b)
Figura 3.26. Representao de Z
0
e Y
P
em um circuito simplificado.
Para facilitar as anlises e melhor visualizar o processo de identificao dos valores
indesejados para capacitores, opta-se por trabalhar com admitncias. A partir deste
ponto adota-se Y
0
(inverso de Z
0
). A figura 3.26(b) mostra o circuito simplificado
equivalente em que se tem a fonte de corrente harmnica (I
h
) alimentando a admitncia
Y
0
e uma susceptncia em paralelo que representa a CR sugerida. A admitncia prpria
da barra ou simplesmente admitncia equivalente, Y
p
, igual soma de Y
0
e B
C

(equao 3.8).

P
C P
Z
B Y Y
1
0
= + =
(3.8)

Na situao de maior ressonncia do sistema, quando a impedncia prpria da barra
mxima, Y
p
mnimo e denominado Y
m
. Tal admitncia mnima (Y
m
) equivale parte
real de Y
0
. A parte imaginria de Y
0
igual susceptncia do capacitor que provoca a
maior ressonncia (B
cm
), como se observa pelo grfico da figura 3.27. importante
destacar que todos os valores devem estar na freqncia da fonte harmnica presente
na rede.
V
h
Z
th
Z
L
Z
0
Y
0 B
C
I
h
Y
P
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



98

Figura 3.27. Representao do lugar geomtrico de Y
0
, Y
m
e B
cm
.
O termo r
m
chamado de raio mnimo e representa o lugar geomtrico que atinge o
menor mdulo de Y
p
. Os raios r
i
, lugares geomtricos, so calculados pela equao 3.9,
onde i est relacionado admitncia Y
i
. Por exemplo, r
0
o lugar geomtrico de Y
0
. Tais
raios r
i
tm valores proporcionais admitncia mnima Y
m
. Pela equao 3.9, nota-se
que r
m
igual a 1.

m
i
i
Y
Y
r = (3.9)

Determina-se a potncia reativa gerada pelo capacitor indesejado (equao 3.10),
dividindo o mdulo de B
cm
pela ordem da fonte harmnica analisada (h). Tal diviso
realizada para se obter o valor de Mvar em 60 Hz. Esta relao decorre da aplicao da
equao 3.11.

h
B
Q
cm
cm
= (3.10)
0 60
60
1
C C
C
C
hX X
X
Q = =
(3.11)

iii. Impedncia Prpria com a Compensao Reativa (CR)
Nesta etapa instalada nas barras a compensao reativa selecionada pela otimizao
ou pela alterao do plano. A seguir calculada a impedncia prpria de cada barra (Z
P
)
onde alocada a CR. A Z
P
definida pelo paralelo entre a impedncia de Thvenin, a
da carga e a reatncia do capacitor instalado (Z
th
// Z
L
// X
C
).
Y
m
B
cm

Y
0

r
m
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



99
Como no passo ii, a anlise dos resultados efetuada atravs da admitncia Y
p

(equao 3.8). Na figura 3.28, dado um exemplo de capacitor (B
C
) que, somado a Y
0
,
torna-se Y
p
cujo mdulo maior que Y
m
, por conseguinte Z
p
menor que a impedncia
prpria na ressonncia (Z
m
).


Figura 3.28. Exemplo de um capacitor cujo Z
P
menor que a impedncia prpria na ressonncia (Z
m
).
iv. DHI, DHT e FP Adequados?
Neste passo, verificado se as distores harmnicas individuais (DHI, equao 2.31 e
3.12) e totais (DHT, equao 2.28 e 3.13) de corrente e de tenso esto dentro dos
limites e se o fator de potncia (FP) est adequado (apndice D). O FP representado
pelas equaes 3.14 e 3.15.

1
V
V
DHI
h
V
=
(3.12)
1
2
2
V
V
DHT
n
h
V

=
(3.13)
1
= cos
h
k FP (3.14)
( )( )
2 2
1 1
1
V I
h
DHT DHT
k
+ +
=
(3.15)
B
cm

B
C

r
0

Y
0

Y
P
r
p

r
m

Y
m
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



100
Obtm-se do Harmzw a distoro harmnica existente (DH
atual
) com a compensao
reativa sugerida. Caso a DH
atual
esteja acima dos limites estabelecidos pelo ONS
(apndice D) deve-se fazer o passo v. Caso contrrio, finaliza-se o processo de
avaliao tcnica.
v. Alterao da Compensao
Esta etapa tem como objetivo detectar qual o capacitor que, ao ser alocado, no
ultrapassa a distoro harmnica limite (DH
lim
). Para isto, inicialmente, estima-se a
admitncia correspondente DH
lim
(Y
lim
) cujo resultado depende de um fator
lim
que
multiplica seu mdulo
.
Tal fator obtido calculando-se quanto se precisa aumentar da
admitncia atual (Y
atual
) para se obter Y
lim
. O
lim
igual razo entre a distoro
harmnica atual (DH
atual
) e a limite (equao 3.16). A razo das distores
inversamente proporcional ao mdulo das respectivas admitncias (equao 3.17).

lim
lim
DH
DH
atual
=
(3.16)
atual
Y
Y
lim
lim
= (3.17)

Os capacitores considerados so representados por apenas susceptncias, sendo
desprezadas suas resistncias, como mostrado pela figura 3.28. Desta forma, ao se
alterar a compensao reativa instalada na barra, h variao somente da parte
imaginria de Y
atual
. Portanto, necessrio achar um fator calculado pela equao
3.19 que, ao multiplicar a susceptncia de Y
atual
, faz com que a mesma fique
lim
vezes
maior (equaes 3.18 e 3.19).

atual atual atual
B j G Y Y + = =
lim lim
(3.18)
2
2
2
lim
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

=
atual
atual
atual
atual
Y
B
Y
G


(3.19)

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



101
Para simplificar a explicao do processo dos clculos dos capacitores, a seguir
exemplificada a situao em que Y
atual
igual a Y
m
. Para se encontrar a CR que no
ultrapasse DH
lim
, necessrio considerar positivo e negativo, resultando em duas
solues: um Y
lim
com um capacitor B
C
e seu conjugado Y
lim
com B
C
, como mostrado na
figura 3.29. Isto ocorre porque o raio limite corta a reta dos capacitores em dois pontos
existindo dois montantes de Mvar que atendem ao limite desejado. As admitncias Y
lim
e
Y
lim
tm o mesmo mdulo. A susceptncia de CR que ultrapassa DH
lim
(B
cm
) sempre
menor que B
c
e maior que B
c
, fato confirmado pela comparao entre as figuras 3.28 e
3.29.

Figura 3.29. Representao de Y
lim
, Y
lim
, B
C
e B
C
para trs situaes: (a) Y
lim
< Y
0
; (b) Y
lim
= Y
0
; (c) Y
lim
> Y
0
.
B
C

B
C
= 0
r
lim

Y
lim

Y
m

Y
lim
= Y
0

r
m

B
C

B
C

r
lim

Y
lim

Y
lim

Y
m

Y
0

r
m

B
C

B
C
= reator
r
lim

Y
lim

Y
0

r
m

Y
m

Y
lim

(a) (b)
(c)
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



102
A ocorrncia mais comum, exemplificada pela figura 3.29(a), quando o mdulo de Y
lim

menor que Y
0
, que corresponde s duas solues citadas anteriormente. Na situao
particular em que o mdulo de Y
lim
igual a Y
0
uma das solues B
C
, que o dobro de
B
cm
, e a outra, 0 Mvar (nenhuma compensao reativa instalada), conforme figura
3.29(b). J quando o mdulo de Y
lim
maior que Y
0
, s h uma soluo, pois, a partir
deste ponto, a segunda soluo seria alocar um capacitor negativo, ou seja, um reator
(figura 3.29(c)). A alocao de reatores no est sendo considerada no estudo atual.
A soluo encontrada, B
C
ou B
C
, para qualquer um dos casos apresentados na figura
3.29 calculada analiticamente atravs da equao 3.20, sendo a potncia reativa
injetada na barra determinada pela equao 3.21.

0 lim 0 lim
B B Y Y B
C
= = (3.20)
h
B
Q
C
C
= (3.21)

Alm de DH, os limites de fator de potncia e tenso devem continuar sendo
respeitados. Tais restries so representadas por retas como exemplificado na figura
3.30. As susceptncias encontradas pela equao 3.20 tm que estar entre as retas
mais centrais. No exemplo da figura 3.30, apenas B
C
atende s restries de fator de
potncia e tenso.

Figura 3.30. Representao dos limites de fator de potncia e tenso.
B
C

B
C

r
lim

Y
lim
r
m

Bc
FPmax
Bc
FPmin
Bc
Vmax
Bc
Vmin
Y
m

Y
lim

Y
0

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



103
Caso haja mais de uma fonte harmnica inserida na rede, deve-se achar os
lim
para
todas elas. Considera-se o maior
lim
como a restrio mais rgida a ser adotada para
todas as harmnicas. A converso de B
C
para as diversas freqncias realizada pela
equao 3.22 onde h
1
a ordem da harmnica em que B
C1
calculado e h
2
a de B
C2
.

1
1
2
2 C C
B
h
h
B =
(3.22)

A admitncia da outra freqncia calculada pela equao 3.23 e o raio pela 3.24. A
figura 3.31 exemplifica as converses de B
C1
em B
C2
e B
C1
em B
C2
com os respectivos
raios, r
2
e r
2
. Tambm representado o r
lim
da freqncia 1 que tem o maior
lim
.
Observa-se que Y
1
e Y
1
tm mdulos iguais e pertencem mesma circunferncia. Isto
no ocorre com Y
2
e Y
2
devido escolha do limite mais rgido estar na freqncia 1.

2 02 2 C
B Y Y + = (3.23)
2
2
2
m
Y
Y
r = (3.24)

Figura 3.31. Representao de um mesmo capacitor em duas freqncias.
B
C1
B
C1

r
lim

Y
1
Y
1

Y
2
Y
2

B
C2
B
C2

r
2

r
2

r
2m
r
1m
Y
m2
Y
m1

Y
02

Y
01

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



104
Existe outra opo para se atingir distores harmnicas dentro dos limites. Tal
alternativa adotada caso o mtodo citado no consiga obter resultados satisfatrios
devido a limites de fator de potncia e tenso muito restritivos ou ao grande nmero de
freqncias harmnicas inseridas na rede o que torna o problema muito complexo.
Como pode ser observado na figura 3.32, com um mesmo capacitor alocado na barra
em anlise (B
C
) pode se atingir a circunferncia limite da distoro harmnica (r
lim
),
modificando-se a admitncia prpria desta barra sem CR instalada (Y
0
). Isto possvel
com a alterao da configurao do sistema eltrico (Z
th
) que, para este trabalho,
significa mudar a localizao e o montante dos capacitores de outras barras. Esta
alternativa mais indicada quando se podem modificar vrias CR, pois, caso contrrio,
a influncia no to significativa quanto quela apresentada anteriormente.
importante destacar que a escala da figura 3.32 foi ampliada, para melhor visualizao
de tal alterao.


Figura 3.32. Alterao da admitncia de uma barra (Y
0
) ao se modificar o capacitor de outra.
Nota-se que, na situao inicial da figura 3.32 (Y
0
), B
C
igual susceptncia que gera a
maior ressonncia. Com a mudana nos parmetros da rede tem-se uma nova
admitncia prpria (Y
0
). Com esta nova configurao, o mesmo capacitor adotado
inicialmente no ultrapassa DH
lim
representada pela circunferncia de raio r
lim
. Outra
Bc
r
lim

Y
lim

r
m
Bc
r
m

Y
0
Y
0

Y
m
Y
m

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



105
observao importante nesta segunda situao que a admitncia mnima (Y
m
)
aumenta, o que significa que a impedncia prpria na freqncia de ressonncia
diminui, por conseguinte, houve uma reduo da distoro harmnica nesta freqncia.
vi. Insero de Filtros
Caso o passo v no consiga alcanar os resultados adequados de mitigao da
distoro harmnica, uma opo eficiente, porm cara, que resta para solucionar o
problema a instalao de filtros passivos ou ativos na barra em que tenha ocorrido a
violao dos limites. No item 2.2.4 so apontadas as vantagens de cada filtro e suas
principais caractersticas. Esta alternativa tambm adequada porque mantm os
montantes de Mvar no local selecionado pela otimizao os quais so os mais
apropriados sob o ponto de vista dos objetivos bsicos da compensao reativa: corrigir
o fator de potncia de deslocamento (cos ) e manter as tenses dentro dos limites.

3.4.3. Aplicao do Procedimento Proposto
Para validar o procedimento proposto no item anterior foram realizadas vrias
simulaes, utilizando-se o programa Harmzw e uma delas apresentada neste texto. O
objetivo deste item demonstrar todos os passos do procedimento para melhor
esclarecimento do mesmo.
A rede eltrica de 14 barras da figura 3.33 adotada, semelhana dos
procedimentos anteriores. A escolha das fontes harmnicas presentes no sistema eltrico
feita de maneira a possibilitar a apresentao de toda a estratgia, visando obter, com os
capacitores apontados pela otimizao, ressonncias na freqncia dos harmnicos
adotados. Assim sendo, as distores ficam elevadas, requerendo alteraes no plano de
expanso.
A rede possui dois grandes consumidores, sendo que um deles insere harmnicas
no sistema (S3), prejudicando as outras quatro cargas. Os dados de entrada do plano de
expanso (P, Q e FP da carga e a compensao sugerida), j utilizados na aplicao dos
procedimentos anteriores, so mostrados na tabela 3.31.
A seguir aplicada a avaliao tcnica da compensao reativa com relao aos
harmnicos para o sistema eltrico exemplo, adotando-se os capacitores indicados pela
otimizao no plano de expanso.


Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



106


Figura 3.33. Sistema eltrico exemplo de 14 barras da regio Sudeste do Brasil.
Tabela 3.31. Dados do sistema eltrico exemplo.
Barra Tenso P (MW) Q (Mvar) CR (Mvar) FP sem CR
3 138 kV 56,0 42,0 - 0,80
5 138 kV 23,1 19,1 - 0,77
7 13,8 kV 11,2 9,9 6,2 0,75
9 13,8 kV 4,6 2,0 0,5 0,92
12 13,8 kV 35,0 35,7 24,2 0,70
14 13,8 kV 12,5 21,6 17,5 0,50

Passo i Fonte Harmnica
Na barra B3 existe uma grande indstria que insere no sistema correntes harmnicas
de 5, 6 e 9 ordem (dados tericos). Apesar das ordens 6 e 9 no serem encontradas
normalmente nos sistemas eltricos, a utilizao das mesmas tem como objetivo apontar
harmnicas que provocam altas ressonncias com a instalao dos capacitores sugeridos
para o sistema exemplo, possibilitando o detalhamento do procedimento proposto.
Passo ii Capacitores na Ressonncia
O montante da compensao reativa shunt cuja ressonncia ocorre na freqncia
das fontes harmnicas (Q
cm
) obtido atravs do clculo da admitncia prpria da barra de
carga (Y
0
). Tal clculo realizado considerando-se que no haja, nesta barra, nenhum
capacitor instalado. Nas outras, adota-se a CR sugerida pelo plano de expanso.
V
60
Z
12
Z
213
S
3
B1

B2

B3

Z
23
B4

B5

Z
45
Z
34
Z
46
B6

B7

B8

Z
28
B9

Z
210
Z
211
B10

B12
B11

B14

B13

S
5
S
9
S
12
S
14
S
7
I
h
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



107
Como existem trs fontes, deve-se identificar os valores de capacitncia causadores
de ressonncia que esto prximos dos valores indicados pela otimizao. Para a
ressonncia ser na 5 harmnica, preciso serem alocados 21,9 Mvar na barra B12; para
ocorrer na 6, necessrio instalarem-se 17,2 Mvar em B14; e para que seja na 9, deve
haver 7,0 Mvar em B7. A figura 3.34 mostra a variao da impedncia prpria das barras
B7, B12 e B14 com a freqncia, considerando-se que estejam instalados os capacitores
que provocam ressonncia no sistema.

Impedncia P rpria dos Capacit ores Indesejados
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Barra 7 com 7 Mvar
Barra 12 com 21,9 Mvar
Barra 14 com 17,2 Mvar

Figura 3.34. Impedncia prpria das barras B7, B12 e B14 com capacitores que provocam
ressonncia em, respectivamente, 540, 300 e 360 Hz.
A ressonncia relacionada compensao reativa instalada em B9 ocorre em
564 Hz, no amplificando de forma significativa sua distoro harmnica. Caso fossem
instalados 6,9 Mvar nesta barra a ressonncia ocorreria na 9 harmnica, porm este
montante muito maior que o necessrio, no sendo necessrio avali-lo.
Se os capacitores indicados pelo plano de expanso fossem diferentes daqueles
apresentados na tabela 3.31, poderiam ser escolhidos valores de potncia reativa como:
27,9 Mvar na barra B7 para a 5 harmnica e 19,5 Mvar em B9 para a 6. Isto no feito
porque estes ltimos montantes esto muito longe dos mostrados na tabela 3.31.
Passo iii Impedncia Prpria com a Compensao Reativa
Constata-se, pela figura 3.35, que, na ressonncia, a impedncia prpria das barras
B7, B12 e B14 com a CR sugerida est muito prxima dos valores de pico de Z
p
com os
capacitores indesejados (figura 3.34). Pela figura 3.35, verifica-se que, para os dados da
tabela 3.31, apenas B14 tem a freqncia de ressonncia no valor exato da fonte harmnica
de 6 ordem. Alm disso, B7 e B12 ficam prximas da 9 e 5 harmnicas com 576 e
288 Hz, respectivamente. A barra B12 ainda tem um pequeno pico em 360 Hz (6 ordem).
Z
p

(
p
u
)

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



108
Impedncia P rpria da Compensao Reat iva Sugerida
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Barra 7 com 6,2 Mvar
Barra 12 com 24,2 Mvar
Barra 14 com 17,5 Mvar
Barra 7 com 7 Mvar
Barra 12 com 21,9 Mvar
Barra 14 com 17,2 Mvar

Figura 3.35. Z
P
de B7, B12 e B14 com a CR selecionada pela otimizao e as CR da figura 3.34.
Passo iv DHI, DHT e FP Adequados?
Na figura 3.36, observa-se que DH proporcional impedncia prpria da barra,
como esperado. A barra B7 tem sua maior distoro harmnica individual de tenso (DHI
V

equao 3.12) na 9 ordem, B12 na 5 e B14 na 6. A barra B9 obtm DH muito pequenas
nas trs ordens. Alguns valores de DHI
V
ultrapassam os limites impostos pelo ONS (1,5%
para harmnicas mpares e 0,6% para pares): em B12 os de 5 e 6 ordens (1,55% e
0,88%), em B14 o de 6 ordem (3,05%) e em B7 o de 9 ordem (2,45%). Na barra B12,
apesar da Z
p
ter um pico menor em 360 Hz (figura 3.35), nesta freqncia tambm h
violao da distoro. Os valores mximos atingidos de DHI
I
no chegam a 0,035%.
Dist oro Harmnica de Tenso
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
5 6 9
Ordem dos Harmnicos
Barra 7
Barra 9
Barra 12
Barra 14
Dist oro Harmnica de Corrent e
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
5 6 9
Ordem dos Harmnicos
Barra 7
Barra 9
Barra 12
Barra 14

Figura 3.36. Distoro Harmnica Individual de Tenso e de Corrente das barras B7, B9, B12 e B14
com a compensao reativa escolhida pela otimizao.
As distores harmnicas totais de tenso (DHT
V
equao 3.13) e de corrente
(DHT
I
) de cada barra, as DHI
V
e as DHT
V
globais (sistema inteiro) e seus respectivos limites
Z
p

(
p
u
)

D
H
I
V

(
%
)

D
H
I
I

(
%
)

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



109
so expostos na tabela 3.32. Constata-se que os limites violados, em destaque na tabela
3.32, so: DHT
V
de B14, DHT
V
global e DHI
V
global da 6 e da 9 harmnica.
Tabela 3.32. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites.
Barras DHT
V
(%) DHT
I
(%) DHI
V
Global (%) Limites (%)
B7 2,483 1,38E-02 h = 5 2,467 5,0
B9 0,517 2,05E-04 h = 6 4,528 2,0
B12 1,792 2,30E-02 h = 9 3,380 3,0
B14 3,117 3,28E-02 DHT
V
Global 7,909 6,0
Limite 3,0

A tabela 3.33 contm os fatores de potncia das barras (FP equao 3.14) e suas
parcelas: fator de potncia de deslocamento (cos ) e fator de potncia harmnico (k
h
). Sem
a presena das distores de tenso e de corrente, os FP so iguais a 0,95. Com os
harmnicos, os FP tm uma queda pouco significativa porque as DH no so muito
elevadas. Logo, no um problema a ser atacado neste caso.
Tabela 3.33. Fatores de potncia das barras com a presena de harmnicos.
Barras CR cos k
h
FP
B7 6,2 Mvar 0,95 0,999692 0,9497
B9 0,5 Mvar 0,95 0,999987 0,9500
B12 24,2 Mvar 0,95 0,999839 0,9498
B14 17,5 Mvar 0,95 0,999515 0,9495

Como visto pela figura 3.36 e pelas tabelas 3.32 e 3.33, h a necessidade de se
alterar o plano de expanso para que as restries sejam respeitadas.
Passo v Alterao da Compensao
Para que a distoro harmnica no viole os limites, deve-se aumentar ou diminuir o
montante dos capacitores alocados. Como o fator de potncia de deslocamento com a CR
sugerida j est no limite mnimo de 0,95, a nica alternativa vivel adicionar potncia
reativa injetada nas barras.
Como existe mais de uma ordem harmnica inserida na rede, tm que ser calculados
os valores de
lim
para cada freqncia destes harmnicos os quais so apresentados na
tabela 3.34. Sabe-se que
lim
representa o fator que a admitncia atual (Y
atual
) precisa
aumentar para no ultrapassar DH
lim
, resultando em Y
lim
. Deve-se escolher a restrio mais
rgida (figura 3.31 e 3.37(a)), isto , os maiores
lim
(destacados na tabela 3.34). Para a
barra B12, que tem violaes na 5 e 6 ordens, indispensvel que se selecione o
lim
de
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



110
uma destas duas harmnicas. Sendo comparados os dois valores, v-se que o maior o da
6 ordem (1,47). A barra B9 no tem distores violadas, por este motivo, no aparece na
tabela 3.34. Os fatores multiplicadores da parte imaginria de Y
atual
que so mostrados
na tabela 3.34 correspondem aos
lim
destacados.
Tabela 3.34. Valores de r
lim
para cada barra na 5, 6 e 9 ordens harmnicas.
Barras 5 6 9
B7 0,13 0,57 1,63 1,646
B12 1,03 1,47 0,12 1,703
B14 0,36 5,08 0,23 8,580


Figura 3.37. Grficos dos lugares geomtricos: (a) susceptncias de B12 na 5 e 6 ordens;
(b) representao dos limites para o B
C
da barra B12 e (c) da B7.
B
c7lim

B
c7lim

r
lim
Y
lim

Y
lim
Y
m

Y
0
r
m

B
CFPmin

B
c12lim

B
c12lim

r
lim

Y
lim

Y
lim

Y
m

Y
0

r
m

B
CVmin

B
CFPmin

B
c5

B
c5

r
5lim

Y
5lim

Y
5m

Y
5

r
5m

r
5lim

B
c6

B
c6

r
6lim
Y
6m

Y
6

r
6m

Y
5lim

(a) (b)
(c)
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



111
A seguir calcula-se a susceptncia (B
C
) que, somada admitncia sem CR (Y
0
),
resulta em Y
lim
. A representao grfica de tais clculos mostrada na figura 3.37 que
apresenta os lugares geomtricos das admitncias e susceptncias para B7 e B12. Opta-se
por no mostrar o resultado de B14, por seu formato ser semelhante ao da barra B7.
A figura 3.37(a) exibe a transformao das susceptncias em 360 Hz (restrio mais
rgida) para a de 300 Hz. As admitncias prprias de B12, sem nenhum capacitor alocado,
para a 5 e 6 ordens, so representadas por Y
5
e Y
6
, respectivamente. Como j era
esperado, Y
5lim
e Y
5lim
no pertencem mesma circunferncia.
Na figura 3.37(b) so representados, em forma de susceptncias, os dois capacitores
para a barra B12 (B
C12lim
e B
C12lim
) que no ultrapassam DH
lim
. So indicadas as
compensaes reativas mnimas para atender s restries de tenso (B
CVmin
) e fator de
potncia (B
CFPmin
). Observa-se que apenas B
C12lim
respeita todos os limites.
Na figura 3.37(c) so mostrados, em forma de susceptncias, os dois capacitores
para B7 (B
C7lim
e B
C7lim
) que no superam a distoro harmnica limite. apontada a
compensao reativa mnima que atende restrio de fator de potncia (B
CFPmin
). A barra
B7 sem capacitor j atinge o limite mnimo de tenso de 0,95 pu, no sendo necessrio
represent-lo no grfico. Observa-se que B
C7lim
o nico que respeita a restrio de FP.
Os fatores de potncia e de tenso mximos no so exibidos no grfico por estarem
muito acima da maior CR indicada nas figuras 3.37(b) e 3.37(c).
Dividindo-se B
C
, encontrado pelos clculos citados anteriormente, pela harmnica
obtm-se os montantes dos capacitores em 60 Hz. Os resultados da nova compensao
reativa, dos fatores de potncia e das distores harmnicas so apresentados nas tabelas
3.35 e 3.36 e na figura 3.38 (DHI). Tais resultados mostram que, com a alterao, as
distores diminuem e nenhuma restrio violada.
Tabela 3.35. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites
depois da alterao do plano de expanso.
Barras DHT
V
(%) DHT
I
(%) DHI
V
Global (%) Limites (%)
B7 1,346 1,01E-02 h = 5 1,181 5,0
B9 0,072 5,15E-05 h = 6 0,972 2,0
B12 0,881 1,16E-01 h = 9 1,356 3,0
B14 0,608 7,35E-03 DHT
V
Global 2,907 6,0
DH
lim
3,0

A figura 3.38 mostra que as distores harmnicas das barras B7 (1,322% na 9
ordem) e B12 (0,876% na 5) diminuem para quase metade e a da B14 (0,583% na 6)
reduz mais de cinco vezes.
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



112
Tabela 3.36. Fatores de potncia das barras com a presena de harmnicos
depois da alterao do plano de expanso.
Barras CR cos k
h
FP
B7 8,4 Mvar 0,9912 0,999897 0,9910
B9 1,2 Mvar 0,9852 1,000000 0,9852
B12 26,4 Mvar 0,9665 0,999956 0,9664
B14 20,4 Mvar 0,9954 0,999980 0,9954

Dist oro Harmnica de Tenso
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
5 6 9
Ordem dos Harmnicos
Barra 7
Barra 9
Barra 12
Barra 14
Dist oro Harmnica de Corrent e
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
5 6 9
Ordem dos Harmnicos
Barra 7
Barra 9
Barra 12
Barra 14

Figura 3.38. Distoro Harmnica Individual de Tenso e de Corrente das barras B7, B9, B12 e B14
com a alterao da compensao reativa indicada pela otimizao.
O pico da Z
P
da barra B7 aumenta para 79,57 pu, porm ocorre em 492 Hz, longe da
freqncia perigosa de 540 Hz, como visto na figura 3.39. Os outros picos da impedncia
prpria das demais barras diminuem. O pico de Z
P
de B12 ocorre em 276 Hz e o de B14 em
336 Hz, freqncias diferentes das harmnicas inseridas no sistema, alm de serem
menores que os anteriores.

Impedncia P rpria da Compensao Reat iva Alt erada
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Barra 7 com 8,4 Mvar
Barra 12 com 26,4 Mvar
Barra 14 com 20,4 Mvar

Figura 3.39. Impedncia prpria das barras B7, B12 e B14 aps a alterao da CR sugerida.
D
H
I
V

(
%
)

D
H
I
I

(
%
)

Z
p

(
p
u
)

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



113
A tabela 3.37 apresenta as tenses e fatores de potncia nas barras com a
compensao sugerida inicialmente e com a modificada. Verifica-se que o nvel de tenso
se eleva pouco e os fatores de potncia melhoram. Isto acontece porque a potncia reativa
injetada na rede aumentada.
Tabela 3.37. Tenses e FP das barras com a CR sugerida inicialmente e com a modificada.
Barra CR FP Tenso CR Modificada FP Tenso (pu)
7 6,2 Mvar 0,9497 0,9736 8,4 Mvar 0,9910 0,9796
9 0,5 Mvar 0,9500 0,9918 1,2 Mvar 0,9852 0,9953
12 24,2 Mvar 0,9498 0,9650 26,4 Mvar 0,9664 0,9720
14 17,5 Mvar 0,9495 0,9854 20,4 Mvar 0,9954 0,9928

A compensao reativa da barra B9, apesar de no violar as restries, modificada
para um valor de capacitor comercial (1,2 Mvar).
Vale observar que nem sempre se obtm uma soluo simples para atender aos
limites de distoro harmnica. Existem casos em que preciso achar uma combinao dos
Mvar instalados, tornando o problema bem complexo. Se no forem encontrados
capacitores que no violem os limites necessrio instalarem filtros nas barras.
Anlises Finais
Apesar de se ter uma anlise pontual de cada barra, o mtodo proposto neste item
mostra-se muito eficiente e preciso, principalmente para sistemas de grande porte cuja
influncia da mudana da compensao na distoro harmnica de outra barra menos
significativa. Tal preciso alcanada devido facilidade de se obter a admitncia prpria
da barra e por sua relao com a DH: o aumento da admitncia causa uma reduo de
mesma razo na distoro harmnica. Para comprovar tal situao mostrada a figura 3.40
que exemplifica a alterao apenas na barra 7 com o objetivo de se atingir exatamente 1,5%
de DHI
V
na 9 harmnica. A CR calculada de 8,223 Mvar.

Distoro Harmnica de Tenso da Barra 7
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
9
Ordem dos Harmnicos
CR Sugerida
CR Alt erada

Figura 3.40. Distoro Harmnica de Tenso da barra B7 para a CR sugerida e com alterao.
D
H
I
V

(
%
)

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



114
As compensaes reativas da tabela 3.36 no tm a mesma preciso na figura 3.38
porque so modificados os capacitores de todas as barra, variando-se a impedncia
equivalente do sistema e, conseqentemente, a admitncia prpria da barra (Y
0
), como visto
pela figura 3.41. Alm disso, h a interferncia do arredondamento dos Mvar alocados para
se chegar a um valor comercial de capacitor. Devido a estes motivos, s vezes,
necessrio fazer um ajuste fino nos resultados. Por exemplo, para B14 o clculo indica que
deveriam ser instalados 20,1 Mvar, porm este montante obteve uma distoro harmnica
individual de tenso de 0,631% na 6 harmnica, ultrapassando o limite que de 0,6%.
Adicionando-se 0,3 Mvar nesta barra, esta violao eliminada. Tambm poderiam ser
alteradas compensaes de outras barras, mas seria necessria maior variao de Mvar.


Figura 3.41. Variao da admitncia prpria de B14 com a mudana nos capacitores de outras barras.
A figura 3.41 mostra a pequena variao obtida na admitncia prpria de B14 (Y
014
)
com a mudana nos capacitores das outras barras. A linha contnua representa a situao
em que apenas a compensao reativa de B14 alterada. Quando modificados os
capacitores de todas as barras, Y
014
diminui aproximadamente 0,02 pu (linha tracejada),
motivo da inexatido apontada no pargrafo anterior.
Concluindo, a metodologia proposta expe ao planejador duas informaes de
extrema importncia para melhorar a qualidade de energia na rede: como se alterar a
compensao sugerida, minimizando os harmnicos que circulam nas cargas do sistema e
B
c14

Y
P

Y
m
Y
014

r
m

Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



115
quais so os capacitores imprprios para instalao em cada barra, de acordo com as
fontes harmnicas presentes. A metodologia utiliza o clculo da admitncia prpria da barra
para indicar tais informaes.
Os resultados comprovam que, com a alterao do plano de expanso, podem ser
obtidas menores distores harmnicas e a situao do sistema melhora com relao
compensao reativa e ao controle de tenso. Caso isto no seja possvel, a alternativa
escolhida seria a instalao de filtros ativos ou passivos nas barras com problemas.
3.5. Anlise dos Resultados dos Procedimentos Individuais
Neste item so comparados os resultados de cada procedimento individual de
avaliao tcnica para cada aspecto. Adota-se o mesmo sistema eltrico para as trs
avaliaes.
A tabela 3.38 exibe o montante e a localizao dos capacitores sugeridos pelos
planos de expanso aps a realizao individual das avaliaes tcnicas de estabilidade de
tenso (CR Est), transitrios eletromagnticos (CR Tran) e harmnicos (CR Harm). Tais
resultados so referentes ao ano 0 com carga pesada, mostrado anteriormente.
Tabela 3.38. Resultados de compensao reativa dos procedimentos individuais.
Barra
CR Est
(Mvar)
CR Tran
(Mvar)
CR Harm
(Mvar)
CR Final Sugerida (Mvar)
B7 6,2 7,2 8,4 8,4
B9 0,5 0,0 1,2 0,0
B12 24,2 26,4 26,4 26,4
B14 17,5 18,0 20,4 20,4
Total 48,4 51,6 56,4 55,2

Para o ano 0 no necessria a modificao da compensao reativa original com
relao estabilidade de tenso porque a TPC est muito baixa (0,713 pu) e a MET bem
elevada (42,5%). A avaliao tcnica de transitrios eletromagnticos indica pequenas
alteraes para limitar a sobrecorrente na energizao dos capacitores as quais chegam a
um total de 3,2 Mvar. Na anlise de harmnicos a nica barra que no apresenta problemas
com a distoro harmnica a B9. Mesmo assim, adota-se para esta barra a compensao
reativa mnima de 1,2 Mvar e a diferena total de montante atinge os 8 Mvar.
Uma anlise superficial dos resultados aponta a ltima coluna da tabela 3.38 como
sendo a compensao reativa sugerida. Na configurao atual da rede eltrica em estudo
(figura 3.3) no ano 0 com carga pesada, quanto maior o montante alocado em B7, B12 e
B14 melhor para todas as avaliaes tcnicas e para o fator de potncia que igual a 0,95
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



116
para a coluna CR Est em todas as barras. Somente B9 no pode ter capacitores instalados
porque pequenos montantes de compensao reativa nesta barra fazem com que sejam
obtidas sobrecorrentes acima da tolerada. Como a carga em B9 pequena, atinge-se um
FP de 0,95 capacitivo com apenas 3,5 Mvar, portanto a nica soluo no se instalar CR
nesta barra. Os resultados apresentados a seguir confirmam que a CR Final sugerida
aprovada em todos os critrios exigidos pela avaliao tcnica.
Adotando a CR Final Sugerida, com relao estabilidade de tenso, em B12
(barra crtica) a TPC sobe para 0,725 pu e a MET aumenta para 43,8%, sendo o mximo
carregamento de 204,7 MW, um crescimento adicional de 1,8 MW. As restries de TPC
abaixo de 0,90 pu e MET acima de 6% so respeitadas.
Com relao aos transitrios eletromagnticos, adicionando 2,4 Mvar no segundo
capacitor de B14 atinge-se sobretenses de 1,69 pu e 1,77 pu, respectivamente para o
primeiro e segundo bancos, as quais esto dentro dos limites aceitveis. As sobrecorrentes
para estes capacitores alcanam 8,14 pu e 9,88 pu inicialmente e aps 100 ms caem para
4,94 pu e 6,01 pu. Ambos os valores esto acima dos admitidos (4,52 pu), mostrados na
tabela 3.24. Caso seja instalado mais 1,2 Mvar em B14, as sobretenses sobem para
1,73 pu e 1,81 pu, porm se mantm menores que as restries impostas. Os picos das
sobrecorrentes se tornam iguais a 8,47 pu e 8,95 pu e aps 100 ms no caem o suficiente
para ficarem abaixo do limite mximo suportvel pelos equipamentos (tabela 3.24), tendo
valores de 4,83 pu e 5,07 pu. Se a adio de 1,2 Mvar fosse aprovada, seria preciso
confirm-la para os aspectos de estabilidade de tenso e harmnicos. Como isto no
acontece, deve-se instalar dispositivos para mitigar estas sobrecorrentes conforme item
3.3.2. O reator de pr-insero evitado, pois sua instalao muda a freqncia de
ressonncia da barra, podendo ser necessria a modificao da compensao reativa
sugerida. No levando em considerao a avaliao econmica, opta-se pela instalao do
chaveamento controlado por trazer uma reduo mais significativa da sobrecorrente. Chega-
se ento aos seguintes resultados: sobretenso de 1,20 pu para os dois bancos e
sobrecorrente de 2,12 pu para o primeiro e 2,49 pu para o segundo.
Retirando a CR Harm da barra B9 (1,2 Mvar) e fazendo-se a avaliao tcnica de
harmnicos novamente, verifica-se uma variao na distoro harmnica da ordem da
terceira casa decimal (0,001). Sendo assim, a CR Sugerida na tabela 3.38 atende a todos os
critrios, a avaliao tcnica est concluda, portanto o plano de expanso mais adequado
est definido.
Para finalizar este item so exibidas na tabela 3.39 as perdas eltricas encontradas
para cada CR indicada na tabela 3.38. Obtm-se as menores perdas na opo CR Harm,
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



117
ganho de 0,2 MW e 0,6 Mvar em relao CR Est. Na opo CR Final Sugerida, a reduo
de 1,2 Mvar em B9 faz com que as perdas reativas aumentem apenas de 0,1 Mvar se
comparada CR Harm, mostrando ser uma alternativa adequada para o quesito perdas
eltricas.
Tabela 3.39. Perdas eltricas para as CRs indicadas para cada avaliao tcnica e para a CR Final.
Perdas Eltricas CR Est CR Tran CR Harm CR Final Sugerida
Ativas (MW) 3,7 3,6 3,5 3,5
Reativas (Mvar) 11,7 11,4 11,1 11,2

Atravs do exposto neste item conclui-se que se pode chegar a resultados favorveis
aos trs aspectos citados sendo cumpridos os procedimentos individuais de cada avaliao
tcnica de forma independente. Os processos so realizados paralelamente, como se
fossem problemas distintos, requerendo uma anlise final que inter-relacione todas as
restries e tenha uma nica soluo. Esta metodologia ilustrada no fluxograma da figura
3.42.


Figura 3.42. Fluxograma da inter-relao entre os procedimentos individuais das avaliaes tcnicas.
Plano de Expanso
Equipamentos Instalados
Montante / Localizao / Tipo de Controle
Possveis Alteraes na CR/CT
Estabilidade de Tenso Transitrios Eletromagnticos Penetrao Harmnica
CR Indicada
Valores Mximos e
Mnimos
CR Final
Estabilidade de Tenso Transitrios Eletromagnticos Penetrao Harmnica
Captulo 3 Avaliao da Compensao Reativa Procedimentos Individuais



118
3.6. Consideraes Finais
Com o sistema eltrico utilizado como exemplo conseguiu-se chegar a um resultado
satisfatrio, onde a soluo foi facilmente encontrada. J em sistemas com problemas mais
complexos isto nem sempre se torna uma tarefa to trivial. Podem ocorrer situaes em que
as solues parciais sejam divergentes. Uma CR indicada por uma avaliao tcnica pode
ser muito diferente daquela que acata as restries das demais.
Para se evitar tal divergncia, prope-se que as alteraes sejam realizadas em
seqncia. Utilizar como condio inicial o resultado encontrado na avaliao tcnica
antecedente faz com que a soluo no se afaste muito daquela ideal para o critrio
anterior. Desta forma, todas as restries podem ser respeitadas mais facilmente. Este
procedimento integrado tambm resulta menor desvio do valor timo da compensao
reativa inicial que tem como principal objetivo melhorar o perfil de tenso e ajustar o fator de
potncia das barras. Tal processo seqencial denominado neste trabalho de Procedimento
Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa e explicado no prximo
captulo.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



119
4
Procedimento Global para a Avaliao Tcnica
da Compensao Reativa

4.1. Consideraes Iniciais
A escolha da compensao reativa, por meio das avaliaes tcnicas individuais
apresentadas no captulo 3, mostrou-se bastante consistente. Em decorrncia dos
resultados positivos alcanados, decidiu-se por investigar uma forma de integrar as anlises
individuais, facilitando a deciso final sobre a compensao que atenderia a todos os
critrios. Desta idia surgiu a concepo do Procedimento Global para Compensao
Reativa apresentado neste captulo. Este procedimento, com base na experincia adquirida
nas abordagens individuais, adota uma ordem para a realizao da avaliao tcnica global:
estabilidade de tenso (AVE), transitrios (AVT), harmnicos (AVH). Vrios fatores motivam
esta seqncia, conforme explicitado a seguir.
Apesar da instabilidade de tenso estar associada a questes com caractersticas
localizadas, a avaliao tcnica da CR com relao a tal fenmeno requer anlise sistmica
que envolve toda a rede. J para os estudos de transitrios e de harmnicos, so
necessrias apenas anlises localizadas para ajustes da CR anteriormente sugerida. Na
simulao de transitrios, considera-se de uma a trs barras adjacentes quela sob anlise.
Em harmnicos, a avaliao realizada atravs de um equivalente do sistema, visto atravs
da barra em estudo (clculo da impedncia prpria). Isto sugere que a avaliao relativa
estabilidade de tenso seja a primeira a ser realizada.
Adicionalmente, vale comentar que, com relao avaliao sobre os harmnicos do
sistema, caso no se encontre uma soluo que satisfaa aos outros critrios, ainda h
opes, tais como a instalao de filtros passivos e ativos, que permitem que a CR sugerida
se mantenha conforme planejado inicialmente. No caso dos transitrios eletromagnticos,
alm da modificao dos capacitores indicados, h tambm uma opo alternativa, que a
adoo de uma manobra mais suave, utilizando-se resistor ou reator de pr-insero, ou
chaveamento controlado. Tais alternativas influenciam praticamente apenas a barra em que
instalado o equipamento de mitigao dos problemas. Estas envolvem custos adicionais
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



120
menores, se comparados queles das alternativas de expanso para solucionar problemas
de instabilidade de tenso (construo de novas linhas e circuitos, subestaes, etc.).
Recomenda-se deixar a avaliao harmnica para o final, pois modificaes da
compensao reativa em uma barra no afetam de forma muito significativa as demais, sob
o ponto de vista de harmnicos e transitrios.
A justificativa de se realizar a avaliao relativa aos transitrios antes dos
harmnicos se fundamenta em um importante aspecto. A possibilidade de se alterar a
seqncia de manobra dos capacitores paralelos se apresenta como alternativa interessante
para adequao aos requisitos dos transitrios, porm, causa grande impacto nos
harmnicos do sistema, pois, neste estudo, a ordem do chaveamento fundamental.
Conseqentemente, recomendvel indicar o ajuste dos bancos, antes de serem realizados
os estudos dos harmnicos.
Dando continuidade aos desenvolvimentos, realizada uma terceira proposta para o
planejamento de compensao reativa a qual se refere incluso de uma etapa adicional ao
procedimento otimizado (figura 2.1) exposto em [Chaves 01]. A etapa composta de uma
Avaliao Tcnica Prvia, efetuada antes do passo de definio da compensao reativa.
Tal proposta denominada Procedimento Otimizado Expandido e apresentada neste
captulo.
4.2. Procedimento Global para a Avaliao Tcnica
A figura 4.1 apresenta o fluxograma do procedimento global para avaliao tcnica
da compensao reativa que destaca a ordem que realizada cada uma das etapas:
estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos.

i. Plano de Expanso
Nesta etapa, definido o plano de expanso, indicando o montante e a localizao da
compensao reativa sugerida e o tipo de controle utilizado.
ii. Possveis Alteraes na CR/CT
Neste passo, so indicadas as possveis alteraes do plano de expanso para
atenderem s restries relacionadas com estabilidade de tenso, transitrios
eletromagnticos e harmnicos. O smbolo de duas setas formando um crculo em cada
uma destas partes significa que dentro das mesmas tambm h realimentaes, ou
seja, existem modificaes para se chegar melhor compensao reativa para cada
aspecto.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



121
Figura 4.1. Fluxograma do Procedimento Global da Avaliao Tcnica.
a. Estabilidade de Tenso
realizada uma anlise de sensibilidade (vetor tangente) que indica as barras crticas
para a estabilidade de tenso, e so traadas curvas PV e QV para as mesmas. Caso
as restries de mdulo da tenso no ponto de colapso e de margem de estabilidade de
tenso sejam violadas, prope-se alterao na compensao reativa atravs da anlise
de sensibilidade que seleciona barras candidatas para a realocao de potncia reativa.
Isto feito para os vrios anos de estudo do horizonte de planejamento e todos os
nveis de carga. O resultado desta etapa o montante e a localizao de potncia
reativa a ser injetada em cada barra, respeitando-se os limites de tenso, fator de
potncia e estabilidade de tenso. Alm disso, so apontados os montantes mnimos
(CRest1) e mximos (CRest2) de compensao reativa os quais permitem que o
sistema atenda ao critrio de estabilidade de tenso. Tais valores ajudam na obteno
Plano de Expanso
Equipamentos Instalados
Montante / Localizao / Tipo de Controle
Possveis Alteraes na CR/CT
Transitrios Eletromagnticos
CR Final
SIM
NO
Penetrao Harmnica
Todos os Critrios
Atendidos?
Fluxo de Potncia
Verificao dos Nveis de Tenso
Perdas e Fluxo de Potncia Reativa
Estabilidade de Tenso
NO
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



122
de TPC mais baixos (ndice
i
da equao 3.2 do item 3.2.2) e MET mais altas (FP
capacitivo mximo).
b. Transitrios Eletromagnticos
Com o resultado da CR da etapa anterior, fazem-se estudos de transitrios
eletromagnticos para as barras crticas neste contexto. Para tais barras modelam-se os
equipamentos e simulam-se energizaes e desenergizaes. Se existirem
sobretenses e sobrecorrentes acima do mximo permitido, so realizadas
modificaes na compensao reativa ou no chaveamento. Tal mudana tem que ficar
entre os valores de CRest1 e CRest2. Esta avaliao aplicada para vrios nveis de
carga e todos os anos com os capacitores da anlise de estabilidade de tenso. O
resultado desta fase o montante e a localizao da nova CR em cada barra,
atendendo s restries de limites de tenso, fator de potncia, estabilidade de tenso e
transitrios eletromagnticos. Tambm so indicados valores mnimos ou mximos da
compensao reativa, dependendo da configurao do sistema. Tais valores so
denominados, respectivamente, de CRtran1 e CRtran2.
c. Harmnicos
Com o resultado anterior da CR e de posse dos dados das fontes harmnicas da rede
em estudo, calculam-se os capacitores que provocam ressonncia e a impedncia
prpria das barras. Estimam-se os fatores de potncia e as distores harmnicas, caso
estes parmetros estejam fora dos limites tolerados, alteram-se a compensao reativa
atravs do mtodo dos lugares geomtricos (item 3.4). Tal mudana tem que ficar entre
os valores de CRest1 e CRest2 e CRtran1 e CRtran2. Esta avaliao cumprida para
todos os nveis de carga do estudo e todos os anos com os capacitores da anlise de
transitrios eletromagnticos. O resultado desta etapa o montante e a localizao da
CR Final em cada barra, respeitando-se os limites de tenso, fator de potncia,
estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos. Caso no se tenha
chegado a uma soluo adequada (alguma restrio violada) so indicados valores
mnimos (CRharm1) e mximos (CRharm2) da compensao reativa, baseados nos
lugares geomtricos da figura 3.27 e 3.29. Tais valores so utilizados como entrada de
dados inicial quando a estabilidade de tenso for reavaliada (segunda realimentao).
Os limites so escolhidos de forma que estejam prximos dos montantes sugeridos pelo
plano de expanso e sua distoro harmnica alcancem 1,5% (mximo permitido pelo
ONS). Para isto pode-se optar por montantes indesejados para harmnicas diferentes.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



123
Por exemplo, CRharm1 igual a 8,2 Mvar (em 9 harmnica) e CRharm2 igual a
20,9 Mvar (em 5 harmnica).

iii. Fluxo de Potncia
Neste passo, executado um programa de fluxo de potncia para se detectarem as
mudanas nos nveis de tenso das barras, nas perdas e na circulao de potncia
reativa pela rede, comparados ao observado inicialmente. Caso estes parmetros
tenham piorado significativamente, sugere-se uma nova avaliao tcnica para se
encontrarem equipamentos que obtenham resultados mais favorveis.

iv. Todos os Critrios Atendidos?
Deve-se verificar se os critrios de estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos
e harmnicos so atendidos, e se o passo anterior indica que o sistema est operando
com valores adequados de tenso e perdas com a CR Final. Caso a resposta s
questes apontadas seja negativa, necessrio passar mais uma vez pelos
procedimentos descritos neste item. Caso seja afirmativa, a CR Final aquela definida
na etapa de harmnicos.
Vale destacar que da forma como so formulados os passos deste procedimento,
espera-se que a possibilidade de se refazer a avaliao tcnica seja remota, porm
pode ocorrer para casos muito complexos. Ocasionalmente, uma soluo que atenda a
todos os critrios pode no ser obtida. Nesta circunstncia, procura-se o resultado
favorvel para o maior nmero de critrios e opta-se por outras opes de expanso
alm da compensao reativa shunt capacitiva.

A figura 4.2 apresenta o passo ii do procedimento global da avaliao tcnica de
forma mais detalhada, exibindo as etapas internas da estabilidade de tenso, transitrios
eletromagnticos e harmnicos. Tais etapas so aquelas propostas no captulo 3.
Em destaque esto os passos que definem o montante e a localizao da
compensao reativa em cada fase do processo e os valores mximos e mnimos
permitidos. Como se nota pela figura 4.2, este um procedimento seqencial onde a
entrada de dados de um processo o resultado do antecedente.



Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



124
Figura 4.2. Fluxograma detalhado do passo ii do procedimento global da avaliao tcnica.
Fontes Harmnicas
DH e FP
Adequados?
Impedncia Prpria com CR
NO
SIM
Capacitores na Ressonncia
Insero
de Filtros
ST e SC
Adequadas?
Montante e Localizao da CR
CRtran1 e CRtran2
NO
Alterao
do Plano
Alterao do
Chaveamento

2 Banco
Subestao
Detalhada

1 Banco
Sistema
Detalhado
Modelagem de Equipamentos

2 Banco
Sobrecorrentes

1 Banco
Sobretenses
Energizao e Desenergizao
MET e TPC
Adequadas?
NO
Curvas PxV e QxV
Margem de Estabilidade
Alterao do
Plano
Tenso no Ponto de Colapso
Anlise de Sensibilidade
Montante e Localizao da CR
CRest1 e CRest2
SIM
Estabilidade de Tenso
Transitrios Eletromagnticos
Harmnicos
Montante e Localizao da CR
Barras Crticas
Alterao da
Compensao
CR Final
Montante e Localizao
CRharm1 e CRharm2
SIM
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



125
4.3. Aplicao do Procedimento Global
Neste item aplica-se, no sistema eltrico exemplo de 14 barras exibido no captulo 3
(figura 3.3), o procedimento global para avaliao tcnica da compensao reativa.
Realizaram-se vrios testes e, dentre os resultados obtidos, foram selecionados dois deles
para ilustrar os passos do procedimento global. O primeiro refere-se ao ano 0 com carga
pesada (item 3.2.3) para que seja feita uma comparao com os resultados registrados no
item 3.5. O segundo do ano 10 com carga pesada, escolhido para mostrar a influncia das
restries de uma avaliao tcnica individual nas demais.

Resultado 1
Para o ano 0 com carga pesada, o resultado final da compensao reativa igual ao
apontado na tabela 3.38 em CR Sugerida. Isto ocorre porque a estabilidade de tenso no
indica nenhuma restrio s outras avaliaes tcnicas e os limites impostos pelos
transitrios e harmnicos no violam as restries das demais anlises. Nesta situao, a
soluo encontrada pelo procedimento global a mesma caso fosse feito cada avaliao
tcnica individualmente e depois analisados os resultados (item 3.5).

Resultado 2 Passo i Plano de Expanso
Os dados iniciais so do ano 10 com carga pesada (item 3.2.3) que so exibidos na
tabela 4.1. O montante e a localizao dos capacitores indicados inicialmente so
mostrados na coluna CR Original, retirados do item 3.2.3. Aps a execuo da avaliao
tcnica de estabilidade de tenso, a compensao reativa alterada. Como exposto no item
3.2.3, existem duas possibilidades que chegam s melhores solues: CR B4 e Tap e a
CR B3 e B5. Para ser apresentada neste captulo, escolhida a mais tradicionalmente
utilizada pelas concessionrias de energia, a opo CR B4 e Tap (tabela 4.1). Os
equipamentos sugeridos por esta opo so alterados de forma que sejam instalados nas
barras capacitores encontrados no mercado. Nota-se que, apenas nas barras B14 e B4, a
CR Modificada tem valores de Mvar maiores do que os da CR B4 e Tap. Nestas barras a
adio de potncia reativa no piora de forma significativa os fatores de potncia. Isto
confirmado pela comparao com a tabela 3.13. O nvel de tenso tambm respeita os
limites. Em B12 o montante no pode ser aumentado por causa da restrio de tenso no
ponto de colapso. Tais mudanas acarretam uma pequena diferena total entre as opes
(0,4 Mvar).

Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



126
Tabela 4.1. Dados iniciais e a CR sugerida pela alterao feita na avaliao tcnica de estabilidade de tenso.
ANO 10 P (MW) Q (Mvar) CR Original CR B4 e Tap
CR B4 e Tap
Modificada
FP da CR
Modificada
B3 85,1 63,8 - - - -
B4 - - - 17,7 18,0 -
B5 35,1 29,1 - - - -
B7 17,0 15,0 22,2 21,7 21,6 0,932c
B9 7,0 3,0 5,8 5,4 4,8 0,968c
B12 53,2 54,2 60,0 49,8 49,2 0,996
B14 19,0 32,8 45,6 39,0 39,6 0,942c
Total 216,4 197,9 133,6 133,6 133,2 -

Resultado 2 Passo ii Possveis Alteraes na CR/CT (a) Estabilidade de Tenso
A tenso no ponto de colapso e a margem de estabilidade de tenso para a CR B4
e Tap Modificada tornam-se, respectivamente, 0,872 pu e 17,3 MW (8,2%) cujas quedas
so de 0,003 pu e 0,1 MW (0,1%). Logo est adequado em relao avaliao tcnica de
estabilidade de tenso.
Os resultados desta etapa e, conseqentemente, a entrada de dados da AVT so o
montante e a localizao de CR B4 e Tap Modificada e a CRest1 e CRest2 que esto
apresentadas na tabela 4.2. Estes ltimos valores so provenientes da tabela 3.12 e tm
relao com os valores de fator de potncia mnimos indutivos de 0,95 (CRest1) e
capacitivos de 0,95 (CRest2) e a tenso mxima para evitar que a TPC viole as restries
(CRest2 de B12). A barra B4 tem somente limite mximo que corresponde potncia reativa
que compensa totalmente as cargas de B3 e B5, levando-as a um FP unitrio. O limite
CRest2 de B7 corresponde a um FP de 0,93 capacitivo por ter sua tenso muito baixa e o
CRest2 de B14 obtm um fator de potncia de 0,941 capacitivo e no 0,95 por motivo de o
capacitor mais prximo no mercado ser de 39,6 Mvar. Esta mudana de 0,6 Mvar no
prejudica a estabilidade de tenso. A B12 a nica barra em que CRest2 limitado pela
tenso, que deve ser, no mximo, de 0,90 pu, para que a TPC no ultrapasse 0,95 pu.
Tabela 4.2. Dados de entrada para a AVT.
ANO 10 CRest1 (Mvar) CRest2 (Mvar)
FP e Tenso
para CRest2
B4 0,0 92,9 1,0
B7 9,4 21,75 0,929c
B9 0,7 5,3 0,950c
B12 36,7 49,8 TPC = 0,90 pu
B14 26,6 39,6 0,941c

Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



127
Resultado 2 Passo ii (b) Transitrios Eletromagnticos
Para se efetuar este passo, preciso conhecer, alm da carga pesada, a leve e a
mdia para se saber qual deve ser a parcela da compensao reativa que chaveada em
cada nvel. A tabela 4.3 apresenta tais nveis para todas as barras de carga e os capacitores
a serem instalados em cada um deles (colunas CR).
Tabela 4.3. Dados dos nveis de carga do sistema eltrico exemplo no ano 10 e sua CR Sugerida.
Barra
P Leve
(MW)
Q Leve
(Mvar)
CR Leve
(Mvar)
P Mdia
(MW)
Q Mdia
(Mvar)
CR Mdia
(Mvar)
P Pesada
(MW)
Q Pesada
(Mvar)
CR Pesada (Mvar)
B3 28,3 21,2 - 56,7 42,5 - 85,1 63,8 -
B4 - - - - - 1 de 12,0 - - 3 de 6,0
B5 11,7 9,7 - 23,4 19,4 - 35,1 29,1 -
B7 5,7 5,0 - 11,3 10,0 7,2 17,0 15,0 1 de 7,2 e 1 de 14,4
B9 2,3 1,0 - 4,7 2,0 1,2 7,0 3,0 1 de 1,2 e 1 de 3,6
B12 17,7 18,0 12,0 35,4 36,1 12,0 e 13,2 53,2 54,2 12,0; 13,2 e 24,0
B14 6,3 10,9 8,4 12,7 21,8 8,4 e 9,6 19,0 32,8 8,4; 9,6 e 21,6

Calculando-se os ndices C
i total
para se encontrarem as barras crticas, tm-se os
seguintes valores para, respectivamente, B9, B14, B4, B7 e B12: 0,309, 0,291, 0,282, 0,239
e 0,192. Observa-se que as barras crticas so novamente B9 e B14, porm a B4 obtm um
valor muito prximo destas barras, portanto tambm includa nas simulaes.
Para a carga leve no so realizadas simulaes de transitrios eletromagnticos
porque os capacitores sugeridos so fixos. Apenas como ilustrao so mostrados os
resultados do chaveamento do capacitor de 8,4 Mvar em B14. A figura 4.3 exibe os
transitrios eletromagnticos advindos desta manobra. O pico de sobretenso de 1,90 pu,
no violando a restrio (tabela 3.24), e de sobrecorrente 6,42 pu, porm seu
amortecimento rpido alcanando 2,38 pu antes de 100 ms, estando dentro dos limites
suportveis (4,52 pu). As sobretenses nas barras adjacentes B2, B9 e B12 alcanam
respectivamente, 1,09 pu, 1,28 pu e 1,16 pu. As sobrecorrentes significativas so em B2 e
B12 de 3,80 pu e 3,84 pu, mas no sobrepem o mximo permitido (tabela 3.24).
A figura 4.4 mostra os transitrios eletromagnticos do chaveamento de 12,0 Mvar
na barra B12. A sobretenso atinge 1,84 pu e a sobrecorrente 5,46 pu, caindo para 4,60 pu
em 10 ms, ficando abaixo do mximo admitido (5,37 pu). Este resultado confirma ser B14 a
barra crtica.
Na carga mdia, simulado o chaveamento de 9,6 Mvar da barra B14 em paralelo
com um capacitor de 8,4 Mvar. O pico de sobretenso de 1,77 pu, no violando a restrio
(tabela 3.24). A sobrecorrente de 8,64 pu e, aps 100 ms, ainda se mantm acima de
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



128
4,52 pu, chegando a 5,25 pu. Isto exige que se altere a compensao reativa sugerida. O
deslocamento de 2,4 Mvar do montante do primeiro banco para o segundo obtm uma
sobretenso maior (1,80 pu), mas dentro dos limites, e uma sobrecorrente de 7,61 pu que
diminui para 4,14 pu em menos de 100 ms respeitando as restries (tabela 3.24). Logo os
novos capacitores da barra B14 para a carga mdia so um de 6,0 Mvar e outro de
12,0 Mvar. A figura 4.5 mostra os transitrios eletromagnticos antes e depois da mudana
da compensao reativa. A diferena pouco visvel, mas o segundo grfico tem um
amortecimento um pouco mais rpido que o primeiro.

(f ile SEPequiv-b14.pl4; x-var t) v:B14C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
[kV]
Tenso na Barra B14 comCarga Leve
(f ile SEPequiv-b14.pl4; x-var t) c: -BC14C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-3200
-2400
-1600
-800
0
800
1600
2400
3200
[A]
Corrente na Barra B14 comCarga Leve

Figura 4.3. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do banco de B14 em carga leve no ano 10.

(f ile SEPequiv-b14.pl4; x-var t) v:B12C
0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20
[s]
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
[kV]
Tenso na Barra B12 comCarga Leve
(f ile SEPequiv-b14.pl4; x-var t) c: -BC12C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25
[s]
-3800
-2850
-1900
-950
0
950
1900
2850
3800
[A]
Corrente na Barra B12 comCarga Leve

Figura 4.4. Transitrios eletromagnticos causados pela manobra do banco de B12 em carga leve no ano 10.
simulada tambm a manobra de 1,2 Mvar em B9 a qual atinge uma ST de 1,83 pu
e uma SC de 18,87 pu. A sobrecorrente amortecida rapidamente, porm no o suficiente,
permanecendo acima de 4,57 ms aps 30 ms (tabela 3.24), chegando a 10,86 pu. A barra
B2, adjacente a B9 sente uma sobrecorrente de 3,52 pu. Os transitrios eletromagnticos de
corrente de B2 e B9 so exibidos na figura 4.6.

Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



129
(f ile SEPequiv14.pl4; x-var t) c: -B14C2C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
[s]
-6000
-4000
-2000
0
2000
4000
6000
[A]
Corrente na Barra B14 emCarga Mdia

(f ile SEPequiv14.pl4; x-var t) c: -B14C2C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
[s]
-6000
-4000
-2000
0
2000
4000
6000
[A]
Corrente na Barra B14 comCarga Mdia Depois da Alterao da CR

Figura 4.5. Transitrios causados pela manobra do banco de B14 em carga mdia no ano 10 e com a alterao sugerida.

(f ile SEPequiv-b9.pl4; x-var t) c: -B2C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-430
-300
-170
-40
90
220
350
[A]
Corrente emB2 devido a Manobra de 1,2 Mvar emB9

(f ile SEPequiv-b9.pl4; x-var t) c: -BC9C
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
[s]
-1300
-975
-650
-325
0
325
650
975
1300
[A]
Corrente emB9 devido a Manobra de 1,2 Mvar

Figura 4.6. Transitrios causados, em B2 e em B9, pela manobra de 1,2 Mvar em B9 em carga mdia no ano 10.
Devido elevada SC em B9 necessria a modificao da compensao reativa
desta barra. Como os montantes dos capacitores de B7, B12 e B14 j esto muito prximos
de seus limites superiores de CR em relao estabilidade de tenso (CRest2 da tabela
4.2), opta-se por realocar este montante em B4 que a barra que mais influncia a B9.
Chaveando 13,2 Mvar em B4 (1,2 Mvar de B9) alcana-se a maior sobretenso na
barra B3 de 2,10 pu. Entretanto, seu amortecimento rpido permite que esta se mantenha
dentro dos limites. Isto comprova a necessidade de se verificarem as barras adjacentes,
visto que em B4 a ST chega apenas a 1,71 pu. A SC atinge 7,55 pu, 6,32 pu, 21,35 pu,
respectivamente, em B2, B7 e B4. As sobrecorrentes se reduzem significativamente at os
30 ms, tendo os seguintes valores: 2,05 pu, 2,23 pu, 3,78 pu, todos abaixo do mximo
admitido (tabela 3.24). A figura 4.7 apresenta a tenso em B3 e a corrente em B4 devido
manobra do banco de 13,2 Mvar.
Para confirmar que B7 uma das barras no crticas, simulada a energizao de
sua compensao reativa de 7,2 Mvar. Obtm-se picos de sobrecorrente em B2, B4 e B7,
respectivamente de 3,04 pu, 4,31 pu e 7,07 pu. Os dois primeiros valores j esto
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



130
adequados e o terceiro reduz para 2,43 pu em menos de 30 ms, tornando-se apropriado. As
sobretenses no apresentam amplificaes significativas.

(f ile SEPequiv-b4-media.pl4; x-var t) v:B3C
0.00 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15
[s]
-230
-165
-100
-35
30
95
160
[kV]
Tenso na Barra B3 devido Manobra emB4

(f ile SEPequiv-b4-media.pl4; x-var t) c: -BC4C
0.00 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15
[s]
-1500
-880
-260
360
980
1600
[A]
Corrente na Barra B4 devido Manobra emB4

Figura 4.7. Transitrios causados, em B3 e em B4, pela manobra de 12 Mvar em B4 em carga mdia no ano 10.
Na carga pesada, simulado o chaveamento de 21,6 Mvar da barra B14 em paralelo
com dois capacitores que fornecem um total de potncia reativa de 18,0 Mvar (6,0 e
12,0 Mvar). O pico de sobretenso de 1,71 pu, no violando a restrio (tabela 3.24). A
sobrecorrente de 5,57 pu e, aps 10 ms, mantm-se abaixo de 5,37 pu, chegando a
5,24 pu.
Com a manobra da compensao reativa de 3,6 Mvar em B9, tem-se uma ST de
1,81 pu e uma SC de 3,35 pu em B2 (adequada) e 10,78 pu em B9. Esta ltima
sobrecorrente cai para 4,38 pu em 30 ms, conservando-se abaixo do limite (4,57 pu). A
figura 4.8 apresenta os resultados das manobras realizadas nas barras B14 e B9.

(f ile SEPequiv14-pesada.pl4; x-var t) c: -B14C1C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
[s]
-4600
-3100
-1600
-100
1400
2900
4400
[A]
Corrente emB14 devido manobra de 21,6 Mvar nesta barra
(f ile SEPequiv-b9-pesada.pl4; x-var t) c: -BC9C
0.00 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15
[s]
-2100
-1550
-1000
-450
100
650
1200
1750
2300
[A]
Corrente emB9 devido manobra de 3,6 Mvar nesta barra

Figura 4.8. Transitrios causados, em B14 e em B9, pela manobra de capacitores
nas respectivas barras em carga pesada no ano 10.
Devido grande oscilao provocada em B4 com o paralelo entre 6,0 Mvar e
13,2 Mvar e para no ser necessria a instalao de um chaveamento controlado, opta-se
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



131
pela manobra de um nico capacitor de 19,2 Mvar o qual causa uma ST de 2,09 pu em B3,
1,67 pu na prpria barra e 1,16 pu em B7. As maiores sobrecorrentes so de 4,56 pu em B2,
2,61 pu em B7 e 17,89 pu em B4, mas em 30 ms reduz para 3,12 pu, respeitando as
restries (tabela 3.24).
A tabela 4.4 indica as mudanas ocorridas na compensao reativa sugerida
respeitando os limites CRest1 e CRest2 para a carga pesada. Como descrito no item 3.3.2,
existem vrias maneiras para se modificar o montante alocado. Neste captulo no se adota
o tipo que visa alterar o chaveamento porque este no traz diferenas na CR indicada. O
objetivo deste texto apresentar um novo conjunto de capacitores para exemplificar a
situao em que h vrias mudanas, o que dificulta a soluo do problema ao se passar
para a prxima avaliao. Isto feito para demonstrar que a metodologia seqencial
consegue chegar a um resultado que aprovado por todos os critrios da avaliao tcnica.
Tabela 4.4. CR Modificada pela AVT que corresponde aos dados de entrada da AVH.
Barra CR Leve (Mvar) CR Mdia (Mvar) CR Pesada (Mvar)
B4 - - 1 de 19,2
B7 - 1 de 7,2 1 de 7,2 e 1 de 14,4
B9 - - 1 de 3,6
B12 1 de 12,0 1 de 12,0 e 1 de 13,2 1 de 12,0, 1 de 13,2 e 1 de 24,0
B14 1 de 6,0 1 de 6,0 e 1 de 12,0 1 de 6,0, 1 de 12,0 e 1 de 21,6

Aps a realizao das simulaes descritas nos pargrafos anteriores, observa-se
que os montantes de compensao reativa especificados para cada barra na AVT (tabela
4.5) atingem sobretenses e sobrecorrentes bem prximas s mximas adotadas. Caso o
capacitor selecionado tenha potncia reativa menor do que a dos simulados anteriormente,
tais limites podem ser violados. Para se evitar esta situao, na tabela 4.5 so indicados os
valores mnimos (CRtran1) de compensao reativa.
Tabela 4.5. Dados de entrada da AVH.
Barra CRest1 (Mvar) CRtran1 (Mvar) CRtran2 = CRest2 (Mvar)
B4 0,0 6,0 92,9
B7 9,4 7,2 21,75
B9 0,7 3,6 5,3
B12 36,7 12,0 49,8
B14 26,6 6,0 39,6

Para se chegar a um valor de CRtran2 exato, so necessrias vrias simulaes que
devem ser feitas apenas em casos especiais cuja soluo seja muito complexa. Tais
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



132
simulaes no so justificveis devido grande incerteza inerente ao planejamento da
expanso. Para o exemplo apresentado neste texto, o limite superior de transitrios
eletromagnticos (CRtran2) considerado igual ao indicado em CRest2, sendo que este
valor a soma dos capacitores instalados na barra.
Na tabela 4.5, as restries de estabilidade de tenso so repetidas da tabela 4.2.
Nota-se que os valores de CRest1 das barras B7, B12 e B14 so maiores que os de
CRtran1, porm ambos os limites so importantes porque o valor de CRtran1 no do total
de compensao reativa instalada na barra, de um dos bancos alocados.
Em carga leve, para satisfazer aos critrios dos transitrios eletromagnticos,
sugere-se a alocao apenas nas barras B12 e B14. As demais necessitam de pouca
compensao reativa que, se fosse instalada e manobrada, provocaria elevadas
sobrecorrentes com carga leve. O mesmo acontece com B9 em carga mdia, sendo a nica
barra em que no se deve instalar nenhum capacitor devido a esta restrio. Em carga
pesada, os limites so os exibidos na tabela 4.5 que correspondem aos menores montantes
de cada banco sugerido para a barra.
Para B7 o mnimo 7,2 Mvar e o mximo, 21,75 Mvar. Se na AVH em carga mdia
for escolhido um valor superior de compensao reativa, os capacitores chaveados em
carga pesada podem trocar montantes de potncia reativa at chegar ordem invertida dos
equipamentos: 1 de 14,4 Mvar (mdia) e 1 de 7,2 Mvar (pesada). O segundo montante deve
ser diminudo porque o mximo permitido de 21,75 Mvar. Em harmnicos esta alterao
vista assim: 1 de 14,4 Mvar e outro de 21,6 Mvar.
Resultado 2 Passo ii (c) Harmnicos
Para o exemplo apresentado neste captulo so consideradas fontes harmnicas
mais comuns na rede eltrica: 3, 5, 7 e 9 harmnicas e os dados de entrada da AVH so
mostrados nas tabelas 4.4 e 4.5.
A figura 4.9 exibe as impedncias prprias (Zp) das barras B12 e B14, em carga
leve, com as compensaes reativas que provocam a maior ressonncia nas freqncias
300 e 420 Hz para B12 e 540 Hz para B14. Tais compensaes reativas so,
respectivamente, 10,8, 21,7 e 7,3 Mvar. A maior Zp alcanada com 7,3 Mvar instalados
em B14. Percebe-se que destes montantes indesejados o de 10,8 Mvar e o de 7,3 Mvar
esto prximos da CR sugerida para as barras B12 (12,0 Mvar) e B14 (6,0 Mvar). Pela
figura 4.9, nota-se que os picos de impedncia prpria com a alocao da CR sugerida
ocorrem em 396 Hz (para B12) e 588 Hz (para B14) e seus montantes so,
respectivamente, iguais a 79% de Zp com 10,8 Mvar alocados e 88% de Zp com 7,3 Mvar.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



133
Apesar de a impedncia prpria de B14 ser maior tanto em mdulo quanto em porcentagem
com relao de B12, sua freqncia de ressonncia est a 48 Hz da 9 harmnica
enquanto a da barra B12 fica mais prxima da 7 harmnica (24 Hz). Tal fato influencia no
valor da distoro harmnica. Conforme verificado a seguir, apenas B12 viola os limites.

Impedncia P rpria dos Capacit ores Indesejados
0
20
40
60
80
100
120
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Barra 12 com 10,8 Mvar
Barra 12 com 21,7 Mvar
Barra 14 com 7,3 Mvar
CR B12 = 12,0 Mvar
CR B14 = 6,0 Mvar

Figura 4.9. Impedncia prpria de B12 e de B14 com os capacitores indesejados e com a CR sugerida.
A tabela 4.6 expe as distores totais de cada barra e as DHI
V
e DHT
V
globais e
seus limites. Constata-se que nenhuma restrio desrespeitada e aquelas que mais se
aproximam do mximo so a DHT
V
da barra B12 (menos de 0,9% do limite) e a DHI
V
global
de 9 harmnica (menos de 0,4%). As DHTI tm valores desprezveis.
Tabela 4.6. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites.
Barras DHT
V
(%) DHT
I
(%) DHI
V
Global (%) Limites (%)
B4 0,511 1,83E-04 h = 3 0,547 5,0
B7 0,483 9,64E-05 h = 5 1,226 5,0
B9 0,382 3,63E-05 h = 7 2,704 5,0
B12 2,132 1,31E-03 h = 9 2,623 3,0
B14 1,089 2,19E-04 DHT
V
Global 4,597 6,0
Limite 3,0

A figura 4.10 mostra as distores harmnicas individuais de tenso das barras
candidatas compensao reativa. Verifica-se que somente B12 viola a restrio de 1,5%
para harmnicas mpares (apndice D), atingindo 2,04% na 7 harmnica. Deste modo, tal
compensao requer alterao.
Como o capacitor mnimo para B12 de 12,0 Mvar (tabela 4.4), a nica alternativa
aumentar o montante alocado de potncia reativa. O
lim
e
lim
para tal barra so,
respectivamente, 1,36 e 1,384. A compensao reativa tem que ser de 12,5 Mvar para se
Z
p

(
p
u
)

Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



134
atingir 1,5% de distoro harmnica. Adotam-se 13,2 Mvar por ser o capacitor mais prximo
encontrado no mercado. Com tal montante a DH reduz para 1,05% em B12 e sobe de
1,01% para 1,1% em B14, ambos os valores respeitam os mximos admitidos.

Distoro Harmnica de Tenso
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
1,5
1,8
2,1
3 5 7 9
Ordem dos Harmnicos
Barra 4
Barra 7
Barra 9
Barra 12
Barra 14

Figura 4.10. Distoro Harmnica Individual de Tenso das barras candidatas CR antes da alterao.
Como em carga leve na barra B12 a CR muda para 13,2 Mvar, em carga mdia,
opta-se por chavear o capacitor de 12,0 Mvar em paralelo com este outro.
Seguindo o mesmo procedimento para a carga mdia, a tabela 4.7 apresenta os
capacitores indesejados (Cap Indesej 1 e Cap Indesej 2) para cada conjunto de
compensao reativa sugerida: um nico banco em funcionamento por barra e aps o
chaveamento do segundo capacitor em paralelo.
Tabela 4.7. Capacitores indesejados para cada conjunto de compensao reativa em carga mdia.
Barra CR Mdia 1 (Mvar) CR Mdia 2 (Mvar) Cap Indesej 1 (Ordem) Cap Indesej 2 (Ordem)
B7 7,2 7,2 6,6 (9) e 9,1 (7) 7,0 (9) e 11,8 (7)
B9 - - 9,5 (9) 9,9 (9)
B12 13,2 25,2 11,3 (7) e 23,2 (5) 21,7 (5) e 64,5 (3)
B14 6,0 18,0 9,7 (9) 12,1 (7) e 29,9 (5)

Observa-se que, na configurao 1, destes capacitores indesejados o de 6,6 Mvar e
o de 9,1 Mvar para B7 so aqueles que permitem a menor margem de variao da CR
sugerida. Na configurao 2 para esta barra a restrio mais acentuada em relao 9
harmnica. Em B12 a diferena entre os capacitores indesejados e a CR indicada de
1,9 Mvar (7 harmnica) e 3,5 Mvar (5 harmnica) para respectivamente as situaes 1 e 2.
A barra B14 tem sua compensao reativa mais distante do ponto de ressonncia: 3,7 Mvar
no primeiro caso e 5,9 Mvar no segundo.
D
H
I
V

(
%
)

Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



135
Na tabela 4.8, como na 4.6, so apresentadas as distores harmnicas das barras
para CR Mdia 1. As DHT
I
so todas muito pequenas da ordem de 10
-2
. Por este motivo no
so mostradas na tabela 4.8. Verificam-se violaes de restries na DHT
V
da barra B7
(3,98%) e na DHI
V
global de 9 harmnica (6,86%). Alm destas, tambm esto acima dos
limites a DHI
V
de 9 harmnica em B7 (3,97%) e a DHIV de 7 harmnica em B12 (1,62%),
ambas deveriam ser menores que 1,5% (apndice D). Estes resultados j eram esperados
devido proximidade do montante da CR Mdia 1 com os capacitores indesejados (6,6 e
11,3 Mvar).
Tabela 4.8. Distores totais de cada barra e DHI
V
e DHT
V
globais e seus limites para CR Mdia 1.
Barras DHT
V
(%) DHI
V
Global (%) Limites (%)
B4 0,735 h = 3 0,536 5,0
B7 3,984 h = 5 1,340 5,0
B9 0,439 h = 7 2,122 5,0
B12 1,763 h = 9 6,864 3,0
B14 1,285 DHT
V
Global 8,206 6,0
Limite 3,0

Como a CR Mdia 1 j est no seu valor mnimo para B7 e B12 (tabela 4.4), a nica
alternativa aumentar o montante alocado de potncia reativa. Os
lim
para estas barras
so, respectivamente, 2,64 e 1,08 e seus
lim
so 2,73 e 1,09. Para se atingir 1,5% de
distoro harmnica, a compensao reativa tem que ser de 8,2 Mvar para B7 e 13,4 Mvar
para B12. Escolhem-se 8,4 Mvar para B7 e 14,4 Mvar para B12 que so capacitores
comerciais. Com tais modificaes a DHI
V
reduz para 1,35% em B7 (9 harmnica) e 1,09%
em B12 (7 harmnica) e as DHT
V
para 1,47% e 1,16% respectivamente. A DHI
V
global da
9 harmnica cai para 1,47% e a DHT
V
global diminui para 3,5%. Todos os valores ficam
dentro dos limites admitidos.
Com os resultados do pargrafo anterior, a CR Mdia 2 altera somente o montante
de B7 para 8,4 Mvar que melhora a situao 2, afastando-se dos valores dos capacitores
indesejados. A CR Pesada 2 para B7 fica, portanto, com um banco de 8,4 Mvar e outro de
13,2 Mvar. Na barra B12, no ocorre mudana na potncia reativa total instalada, apenas os
capacitores chaveados que se modificam: 14,4 Mvar e 10,8 Mvar.
Para a CR Mdia 2, as DHT
I
so todas muito pequenas menores que 10
-2
e as
maiores DHT
V
so 1,46% em B7 e 1,19% em B12, ambas abaixo do valor mximo permitido
(3,0%). As DHI
V
mais elevadas so 1,32% em B7 na 9 harmnica e 1,17% em B12 na 5
harmnica, tambm dentro dos limites (1,5%), portanto a CR Mdia 2 est adequada.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



136
Utilizando-se o mesmo procedimento para a carga pesada, a tabela 4.9 expe os
capacitores indesejados (Cap Indesej 1 e 2) para cada conjunto de compensao reativa
sugerida. Verifica-se que os montantes de potncia reativa mais prximos dos inadequados
so os da barra B7. Tais montantes esto 2,8 e 1,3 Mvar de diferena dos Cap Indesej 1 e
2, respectivamente, para a configurao 1 e 2. Em B12 e B14, tal diferena de 2,9 e
6,8 Mvar para a configurao 1.
Tabela 4.9. Capacitores indesejados para cada conjunto de compensao reativa em carga pesada.
Barra CR Pesada 1 (Mvar) CR Pesada 2 (Mvar) Cap Indesej 1 (Ordem) Cap Indesej 2 (Ordem)
B4 19,2 19,2 47,8 (7) 42,2 (9)
B7 8,4 21,6 5,6 (9) e 11,4 (7) 10,7 (7) e 22,9 (5)
B9 3,6 3,6 8,0 (9) 7,3 (9)
B12 25,2 49,2 22,3 (5) e 68,6 (3) 24,1 (5) e 66,6 (3)
B14 18,0 39,6 11,2 (7) e 25,1 (5) 21,1 (5) e 62,6 (3)

Os capacitores que atingem o maior valor da impedncia prpria de B4 mais perto do
montante da CR Pesada so de 47,8 e 42,2 Mvar com ressonncias paralelas em 7 e 9
harmnica, respectivamente. O pico mais alto de Zp da barra B4 com a compensao
reativa de 19,2 Mvar em 732 Hz e o segundo maior em 468 Hz. Como constatado
posteriormente, este montante no causa violaes de distores harmnicas nesta barra
por estar afastado dos valores perigosos.
A figura 4.11 apresenta, para o caso de carga pesada na configurao 2, a
impedncia prpria de B4 com e sem compensaes reativas. O objetivo deste grfico
mostrar as vrias ressonncias encontradas nesta barra com tal configurao. observada
uma ressonncia srie em 348 Hz que representada por um vale na curva e trs
ressonncias paralelas sendo que duas delas tm uma variao menor da localizao de
seu pico (prximos a 3 e 5 harmnicas). A outra ressonncia paralela tem uma variao
maior (harmnicas maiores que a 6) que so vistas ao se compensar a barra B4 com 42,2,
89,6 e 170 Mvar e seus valores mximos ocorrem nas freqncias 540, 420 e 372 Hz,
respectivamente.
Na figura 4.12, encontram-se vrios conjuntos de ressonncia paralela (picos) e srie
(vales) o que traz uma caracterstica peculiar curva de impedncia prpria. O
comportamento normal dos picos da Zp observado apenas entre os vales. Tal
comportamento o seguinte: quanto maior o montante do capacitor, menor a freqncia em
que obtido um pico na impedncia prpria da barra (por exemplo, na figura 4.9, barra
B12). A caracterstica peculiar que, dependendo da regio observada do grfico, quanto
maior o montante da compensao reativa, mais elevada a freqncia. Por exemplo, na
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



137
faixa entre 7 e 10 harmnica, a CR de 58,9 Mvar tem seu maior valor em 600 Hz e a de
45,2 Mvar em 420 Hz. A situao comum acontece entre as ressonncias srie que esto
presentes em 300, 360 e 540 Hz, logo se observam quatro conjuntos de ressonncias
paralelas: de 60 Hz a 300 Hz, entre a 5 e 6 harmnica, da sexta nona e para freqncias
maiores que 540 Hz.

Impedncia P rpria de B4 em Carga P esada 2
0
1
2
3
4
5
6
7
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Barra 4 sem CR
Barra 4 com 19,2 Mvar
Barra 4 com 42,2 Mvar
Barra 4 com 89,6 Mvar
Barra 4 com 170 Mvar

Figura 4.11. Impedncia prpria de B4 em carga pesada na configurao 2 para vrias CR alocadas.
Impedncia P rpria de B4 em Carga M dia 2
0
1
2
3
4
5
6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Barra 4 sem CR
Barra 4 com 45,2 Mvar
Barra 4 com 58,9 Mvar
Barra 4 com 213 Mvar

Figura 4.12. Impedncia prpria de B4 em carga mdia na configurao 2 para vrias CR alocadas.
As figuras 4.11 e 4.12 comprovam que, na faixa de freqncia at 600 Hz,
capacitores de at 19,2 Mvar no provocam distores harmnicas prejudiciais ao sistema.
Isto ocorre principalmente pela presena das ressonncias sries. No caso da carga pesada
2 (figura 4.11), os picos atingidos nesta faixa (prximos a 3 e 5 harmnica) por esta
compensao reativa so pequenos, no trazendo problemas.
Z
p

(
p
u
)

Z
p

(
p
u
)

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138
Novamente as DHT
I
so todas pequenas, menores que 0,1. No h violaes de
restries nas DHT
V
individuais nem nas DHI
V
globais. A DHT
V
global fica prxima ao limite
(6,0%), atingindo 5,05%. A nica restrio desrespeitada ocorre na barra B12 na 5
harmnica (1,55%), violao de apenas 0,05%. Em B7 chega-se perto do limite na 9
harmnica: 1,34%.
Como o segundo capacitor chaveado em B12 j foi reduzido para 10,8 Mvar na
alterao da CR Mdia 1, sendo que originalmente eram 13,2 Mvar, o ideal aumentar este
montante nesta prxima alterao para a CR Pesada 1. O
lim
e
lim
para B12 so 1,03 e
1,06. Para se ter uma distoro harmnica de 1,5%, a compensao reativa precisa ser de
25,4 Mvar. Opta-se por um montante de 26,4 Mvar por critrio comercial, portanto ficam um
capacitor de 14,4 Mvar e outro de 12,0 Mvar em carga mdia e um de 22,8 Mvar em
pesada. Na configurao carga pesada 1, a DHI
V
diminui para 1,23% em B12 na 5
harmnica e, em carga mdia 2, cai de 1,17% para 0,92%.
Com relao aos resultados para a CR Pesada 2, as DHT
I
ficam abaixo de 0,01.
Tambm para esta compensao reativa no h violaes de restries nas DHT
V

individuais nem nas DHI
V
globais. A DHT
V
global no fica to prxima do limite (4,56%)
quanto anteriormente. Desta vez a restrio desrespeitada na barra B7 na 5 harmnica
(2,12%). Em B7, chega-se perto do limite na 9 harmnica: 1,34%. A DHI
V
global de 5
harmnica est a 1,23% do mximo permitido pelo ONS (5,0%). A DHT
V
de B7 fica ainda
mais perto do limite: 0,82%.
Desta vez necessrio diminuir o valor do capacitor, porque 21,75 Mvar o mximo
para as restries de estabilidade de tenso e transitrios eletromagnticos (CRest2 e
CRtran2 tabela 4.5). O
lim
e
lim
para B7 so 1,41 e 1,56. Para se manter a DHI
V
de B7
abaixo de 1,5%, a compensao reativa precisa ser de 20,9 Mvar. Opta-se por um montante
de 20,4 Mvar por critrio comercial, sendo que o capacitor chaveado em carga pesada de
12,0 Mvar.
Na simulao da CR Mdia 1, foi necessrio o acrscimo de 1,2 Mvar na manobra
em carga mdia e a diminuio de 1,2 Mvar em carga pesada em B7, obtendo-se dois
capacitores em paralelo de 8,4 Mvar e 13,2 Mvar. No entanto, a CR Pesada 2 restringe o
segundo banco a 12,0 Mvar conforme visto no pargrafo anterior. Este valor de 1,2 Mvar a
menos pode ser transferido para a barra que est com as restries menos rgidas como a
B4. Alm disso, esta a barra candidata que mais influencia a B7, sendo a ideal para
receber esta potncia reativa adicional.
Na tabela 4.10, so exibidas as restries CRharm1 e CRharm2 para carga pesada
as quais so baseadas nos capacitores indesejados da tabela 4.9. So escolhidas como
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



139
restries as compensaes reativas que alcanam a distoro harmnica individual limite
(1,5%) para a freqncia em que indicado o capacitor mais prximo aos sugeridos no
plano de expanso.
Tabela 4.10. Restries de mnimo (CRharm1) e mximo (CRharm2) de compensao reativa (em Mvar) da AVH.
Barra CRharm1 CRharm2
B4 - No 42,2 (9)
B7 8,2 (9) 20,9 (5)
B9 - 6,2 (9)
B12 26,4 (5) No 66,6 (3)
B14 No 21,1 (5) No 62,6 (3)

A palavra no antes do valor mostrado na tabela 4.10 significa que a compensao
reativa sugerida tem o montante muito maior ou menor que o indesejado, ou que a distoro
harmnica no atinge o limite quando o capacitor inapropriado alocado, devendo apenas
evit-lo. Os demais valores apontados na tabela 4.10 correspondem ao montante mnimo
(CRharm1) ou mximo (CRharm2) com o qual se alcana o limite permitido pelo ONS de
distoro harmnica individual (1,5%). Por exemplo, 8,2 e 20,9 Mvar so montantes que
obtm uma DH de 1,5% em B7 para a 9 e 5 harmnicas, respectivamente.
Resultado 2 Passo iii Fluxo de Potncia
Nesta etapa, verificado se as alteraes realizadas esto adequadas. A tabela 4.11
apresenta o resultado final do passo ii. Aps a avaliao tcnica de estabilidade de tenso e
determinao dos capacitores comerciais a serem utilizados para cumprir o plano de
expanso, as mudanas em relao a CR Total, denominada na tabela 4.1 por CR B4 e
Tap Modificada, so o deslocamento de 1,2 Mvar de B9 para B4 na etapa de transitrios e
o mesmo montante de B7 para B4 na etapa de harmnicos. Destaca-se que a CR Total o
valor que interessa para o fluxo de potncia.
Tabela 4.11. CR do passo ii para nveis de carga para o ano 10.
Barra CR Leve (Mvar) CR Mdia (Mvar) CR Pesada (Mvar) CR Total (Mvar)
B4 - - 1 de 20,4 20,4
B7 - 1 de 8,4 1 de 8,4 e 1 de 12,0 20,4
B9 - - 1 de 3,6 3,6
B12 1 de 14,4 1 de 14,4 e 1 de 12,0 1 de 14,4, 1 de 12,0 e 1 de 22,8 49,2
B14 1 de 6,0 1 de 6,0 e 1 de 12,0 1 de 6,0, 1 de 12,0 e 1 de 21,6 39,6

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140
A tabela 4.12 apresenta o montante da compensao reativa total para cada
avaliao tcnica do passo ii, os capacitores iniciais (CR Original) e aqueles relativos
anlise de estabilidade de tenso sem considerar os valores comerciais dos equipamentos.
Observa-se que a potncia reativa total fornecida ao sistema em estudo para as avaliaes
tcnicas no se modifica, sendo iguais a 133,2 Mvar, apenas 0,4 Mvar a menos que a CR
Original.
Tabela 4.12. Compensaes reativas sugeridas para cada avaliao tcnica do passo ii para o ano 10.
Barra CR Original CR B4 e Tap CR Estabilidade CR Transitrios CR Harmnicos
B4 - 17,7 18,0 19,2 20,4
B7 22,2 21,7 21,6 21,6 20,4
B9 5,8 5,4 4,8 3,6 3,6
B12 60,0 49,8 49,2 49,2 49,2
B14 45,6 39,0 39,6 39,6 39,6
Total 133,6 133,6 133,2 133,2 133,2

A tabela 4.13 mostra as perdas eltricas e o carregamento das principais linhas
deste sistema eltrico para as seguintes situaes: sem compensao reativa (Sem Shunt),
com aquela sugerida originalmente (CR Original), com a modificao da AVE sem adotar
montantes de capacitores comerciais (CR B4 e Tap) e adotando-os na avaliao tcnica de
estabilidade de tenso (CR Estabilidade) e nas demais (CR Transitrios e CR Harmnicos).
Tabela 4.13. Perdas eltricas e carregamento de linhas para as CR sugeridas aps as avaliaes tcnicas.
Perdas Carregamento de Linhas
Ano 10
MW Mvar B1-B2 (%) B2-B3 (%) B2-B10 (%)
Sem Shunt 14,7 53,6 108,4 106,9 143,1
CR Original 7,7 25,3 76,8 94,3 79,6
CR B4 e Tap 7,5 24,9 76,8 88,5 78,3
CR Estabilidade 7,5 25,0 76,6 88,5 78,4
CR Transitrios 7,5 24,9 76,9 88,2 78,4
CR Harmnicos 7,5 24,9 76,9 88,2 78,4

Pela tabela 4.13, verifica-se que a CR aprovada pelas avaliaes tcnicas diminuem
as perdas eltricas e aumentam a disponibilidade de transmisso de potncia pelas linhas
quando comparadas CR Original. Tais melhoras se devem alocao de compensao
reativa em B4. Nota-se que as perdas eltricas se alteram muito pouco (0,1 Mvar) nas
anlises de transitrios e harmnicos (CR Transitrios e CR Harmnicos), sendo
comparadas com os resultados obtidos na CR Estabilidade. Em relao CR B4 e Tap, o
carregamento da linha B1-B2 o nico a diminuir (0,2%) na AVE. Nas AVT e AVH, este
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



141
carregamento aumenta 0,1% e na linha B2-B3 reduz 0,3%. Alm disso, o nvel de tenso se
mantm adequado.
Conclui-se que as mudanas sugeridas esto aprovadas, pois o objetivo principal do
procedimento continua sendo atendido (compensao da potncia reativa e controle da
tenso).
Resultado 2 Passo iv Todos os Critrios Atendidos?
Analisando este novo conjunto de capacitores em relao estabilidade de tenso
verifica-se que o mximo carregamento fica em 227,15 MW (0,15 MW a menos que a CR B4
e Tap) e a TPC igual a 0,871 pu (0,004 pu menor que a da CR B4 e Tap). A margem de
estabilidade de tenso se torna 8,22%, quase igual da CR B4 e Tap que era de 8,29%. A
margem de potncia reativa diminui de 11,04 Mvar para 10,76 Mvar. Como tais medidas no
violam os limites, os novos capacitores esto aprovados no aspecto de estabilidade de
tenso.
Foram realizadas simulaes de transitrios eletromagnticos para confirmar que os
novos capacitores chaveados no provocam sobretenses e sobrecorrentes acima do
permitido. Esta etapa no seria necessria, mas, neste texto, apresentada para confirmar
o bom desempenho do procedimento. Os resultados de ST e SC alcanados so favorveis
a esta nova compensao reativa sugerida. Alm disso, os critrios de harmnicos so
totalmente atendidos conforme constatado no passo ii (c).
Aps a execuo dos passos apresentados, chega-se Compensao Reativa Final
para o Plano de Expanso que apontada na tabela 4.11. Os resultados e anlises exibidos
neste texto confirmam que o procedimento proposto vlido e muito importante para auxlio
tomada de deciso por parte das equipes de planejamento da expanso, facilitando a
avaliao tcnica necessria para evitar desligamentos no sistema eltrico e para melhorar
a qualidade da energia entregue ao consumidor final.
4.4. Procedimento Otimizado Expandido
Neste item mostrada uma proposta para incluso de uma avaliao tcnica prvia
em etapa anterior definio da compensao reativa e do controle de tenso realizada
pelo procedimento otimizado apresentado em [Chaves 01 e 02]. A idia representada pela
figura 4.13 cujos passos so explicados no item 2.1.1.1 (figura 2.1). A avaliao tcnica tem
como sada de dados as restries relacionadas estabilidade de tenso, transitrios
eletromagnticos e harmnicos as quais so introduzidas no processo otimizado do passo
de definio da CR/CT. Tais restries se apresentam em forma de mximos e mnimos de
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



142
montante de compensao reativa que podem ser alocados nas barras, ou seja, os CRest,
CRtran e CRharm apontados no item 4.3 nas tabelas 4.5 e 4.10.


Figura 4.13. Passos bsicos do Procedimento Otimizado Expandido.
As restries de transitrios eletromagnticos no possuem um mximo, porque este
valor obtido aps diversas simulaes, fato que elevaria sobremaneira o tempo gasto na
etapa do planejamento. O ideal que, depois de selecionado o capacitor, seja feita a anlise
de sua manobra, tendo assim um estudo mais direcionado para o equipamento desejado.
Para a estabilidade de tenso e os harmnicos estes limites so mais fceis de serem
encontrados, exigindo poucas simulaes e menor tempo.
Para se realizar a avaliao tcnica prvia (figura 4.13) utiliza-se como entrada de
dados a compensao reativa no otimizada j instalada no SEP. Caso ainda no haja
nenhum equipamento alocado no subsistema em estudo, adota-se uma condio inicial para
a otimizao que aquela analisada pela avaliao tcnica. Considera-se, ento, uma
compensao reativa que atinja o fator de potncia mnimo de 0,95 indutivo para todas as
barras de carga (excluindo-se as dos grandes consumidores) do sistema eltrico escolhido
para o plano de expanso.
O passo seguinte a execuo de uma ferramenta de otimizao. No presente
trabalho, foi utilizado o programa PSS/E da PTI que adota o mtodo de pontos interiores. Os
detalhes de tal implementao compem a dissertao de mestrado do autor [Chaves 01].
As funes objetivo escolhidas para a otimizao minimizam o montante da
compensao reativa alocada, as perdas eltricas ativas e reativas, mantendo as tenses e
fatores de potncia dentro dos limites admitidos pelo ONS (apndice D). Tal funo objetivo
tambm limitada pelos mximos e mnimos apontados pela avaliao tcnica prvia
Definio da CR / CT
Avaliao Tcnica Prvia
Plano de Compensao
Definio do Sistema
Deteco de Deficincias
Avaliao Tcnica e Anlise
Econmica
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



143
(CRest, CRtran, CRharm). As restries de fatores de potncia [Chaves 01] e da avaliao
tcnica so inseridas no programa em forma de montante de mximos e mnimos de
compensao reativa a ser alocado nas barras candidatas.
Aps a otimizao necessrio realizar novamente a avaliao tcnica, pois a
alocao da nova compensao reativa modifica o estado da rede eltrica, podendo alterar
as restries a serem atendidas. Tal reviso corresponde a um estudo simples, pois as
chances de que todos os critrios sejam aprovados grande. A AVT a que tem a maior
possibilidade de trazer novos limites ao plano sugerido devido a alguma exigncia de
chaveamento em carga leve ou mdia. A estabilidade de tenso tem o processo mais
robusto, necessitando de menos alteraes. Para os transitrios eletromagnticos e
harmnicos, caso no seja interessante mudar a compensao reativa do ponto de vista do
resultado timo encontrado, tem-se a alternativa de instalao de chaveamentos
controlados e filtros como descrito neste texto. nesta etapa tambm que realizada a
anlise econmica da proposta.
A tabela 4.14 expe as restries relacionadas estabilidade de tenso, transitrios
eletromagnticos e harmnicos e o mximo e mnimo de compensao reativa resultante
destes valores para a carga pesada do ano 10. O mnimo para uma determinada barra o
maior valor entre CRest1, CRtran1 e CRharm1 e o mximo o menor valor entre CRest2,
CRtran2 e CRharm2. Por exemplo, para a barra B9, o mnimo corresponde a CRtran1 e o
mximo a CRest2.
Tabela 4.14. Restries de mximo e mnimo de compensao reativa (em Mvar)
para cada avaliao tcnica e para os limites resultantes.
Barra CRest1 CRest2 CRtran1 CRtran2 CRharm1 CRharm2 CR Mnimo CR Mximo
B4 0,0 92,9 6,0 - - No 42,2 6,0 92,9
B7 9,4 21,75 7,2 - 8,2 20,9 9,4 20,9
B9 0,7 5,3 3,6 - - 6,2 3,6 5,3
B12 36,7 49,8 12,0 - 26,4 66,6 36,7 49,8
B14 26,6 39,6 6,0 - No 21,1 62,6 26,6 39,6

Alm das restries da tabela 4.14 so impostos limites de tenso na ferramenta de
otimizao que tem o objetivo de atingir uma melhor margem de estabilidade de tenso.
Tais limites so apresentados na tabela 4.15. No apndice D, os limites de tenso impostos
pelo setor eltrico esto indicados em detalhes. Observa-se que somente a barra B12 tem
seu mximo menor que 1,05 pu. Tal valor (0,988 pu) tem por objetivo para limitar a tenso
no ponto de colapso (ver tabela 3.10). Os Vmin iguais a 1,0 pu visam aumentar a MET.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



144
Tabela 4.15. Restries de tenso mxima e mnima para cada barra.
Barra Vmin (pu) Vmax (pu)
B4 0,95 1,05
B7 1,00 1,05
B9 1,00 1,05
B12 0,95 0,988
B14 1,00 1,05

Com as restries inseridas no procedimento otimizado, selecionam-se as funes
objetivo de minimizar perdas eltricas ativas e reativas e o montante de compensao
reativa a ser instalado. Para o caso simulado no utilizada a mudana de tap inicial como
foi feito no item 3.2.3. O controle de tenso realizado apenas pela compensao reativa
shunt capacitiva alocada no sistema eltrico. Adota-se como condio inicial da avaliao
tcnica prvia CR Original mostrada na tabela 4.1.
A tabela 4.16 apresenta a compensao reativa otimizada (CR OTM), os capacitores
comerciais mais prximos a este resultado (CR OTM Final) e a tenso em cada barra com
estes equipamentos. Verifica-se que as tenses esto dentro dos limites estipulados.
Apenas em B7 h uma violao desprezvel de 0,0001 pu. mostrada tambm a CR Total
que a indicada na tabela 4.11 e corresponde aos capacitores que foram aprovados em
todas as avaliaes tcnicas. A CR Total equivalente a CR Harmnicos.
Tabela 4.16. Tenso e compensao reativa das barras aps a otimizao.
Barra CR Total (Mvar) CR OTM (Mvar) CR OTM Final (Mvar) Tenso (pu)
B4 20,4 67,7 67,2 1,0364
B7 20,4 20,6 20,4 0,9999
B9 3,6 4,5 4,8 1,0021
B12 49,2 40,8 40,8 0,9597
B14 39,6 34,6 34,8 1,0003
Total 133,2 168,2 168,0 -

A tabela 4.17 permite que sejam comparados os valores das perdas eltricas e do
carregamento das principais linhas do subsistema em estudo, os quais so obtidos ao
serem instaladas as compensaes reativas sugeridas no texto desta tese. Observa-se que,
com a alocao da compensao reativa obtida pelo procedimento otimizado (CR OTM
Final), tem-se perdas 0,7 MW e 1,7 Mvar menores que quando se realiza a avaliao
tcnica depois da otimizao. No entanto, so necessrios 34,8 Mvar para tal diminuio,
49,7 Mvar por MW reduzido. Alm disso, o carregamento das linhas B1-B2 e B2-B3 diminui
respectivamente 4% e 9,7% em relao CR Total e o da linha B2-B10 maior em 1,7%.
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



145
Isto ocorre porque so alocados 13,2 Mvar a menos nas barras B12 e B14 e 46,8 Mvar a
mais em B4 (tabela 4.16). Este direcionamento para a instalao de um maior montante em
B4 est relacionado com o objetivo escolhido para a otimizao de minimizar as perdas
eltricas que so mais elevadas na rea crtica do subsistema (barras B3 a B7).
Tabela 4.17. Comparao das perdas eltricas e carregamento de linhas para as CR sugeridas neste texto.
Perdas Carregamento de Linhas
Ano 10
MW Mvar B1-B2 (%) B2-B3 (%) B2-B10 (%)
Sem Shunt 14,7 53,6 108,4 106,9 143,1
CR Original 7,7 25,3 76,8 94,3 79,6
CR B4 e Tap 7,5 24,9 76,8 88,5 78,3
CR Total (Harmnicos) 7,5 24,9 76,9 88,2 78,4
CR OTM Final 6,8 23,2 72,9 78,5 80,1

A etapa seguinte a confirmao se a compensao reativa otimizada (CR OTM
Final) alcana ou no um resultado favorvel em relao s avaliaes tcnicas citadas
anteriormente. Constata-se que, apenas com respeito estabilidade de tenso, no h
necessidade de se modificar a CR OTM Final. O mximo carregamento sobe para
235,4 MW, a margem de estabilidade de tenso aumenta 8,1 MW (3,8%) e a tenso no
ponto de colapso cai para 0,745 pu por ter uma tenso inicial de operao mais baixa
(0,96 pu). A margem de potncia reativa aumenta 3,0 Mvar em relao CR B4 e Tap.
Ao se fazer a avaliao tcnica de harmnicos, verifica-se a violao da DHI
V
de 5
harmnica de B7 (3,18%) e a DHT
V
e DHI
V
global de 5 harmnica (7,33% e 6,58%).
Alterando-se a compensao reativa da barra B7 para 18,0 Mvar estas restries no so
mais desrespeitadas.
Os resultados obtidos pela avaliao tcnica em relao aos transitrios
eletromagnticos mostram que, com a diminuio da compensao reativa alocada em B7,
a sobrecorrente sobe para 8,68 pu e em 100 ms para 4,51 pu, ficando a 0,01 pu do limite
apresentado na tabela 3.24. A tabela 4.18 apresenta o resultado final para o procedimento
proposto neste item.
Tabela 4.18. CR OTM Final para nveis de carga para o ano 10.
Barra CR Leve (Mvar) CR Mdia (Mvar) CR Pesada (Mvar) CR OTM Final (Mvar)
B4 - 1 de 30,0 1 de 30,0 e 1 de 37,2 67,2
B7 - 1 de 8,4 1 de 8,4 e 1 de 9,6 18,0
B9 - - 1 de 4,8 4,8
B12 1 de 14,4 1 de 14,4 e 1 de 12,0 1 de 14,4, 1 de 12,0 e 1 de 14,4 40,8
B14 1 de 6,0 1 de 6,0 e 1 de 12,0 1 de 6,0, 1 de 12,0 e 1 de 16,8 34,8
Captulo 4 Procedimento Global para a Avaliao Tcnica da Compensao Reativa



146
4.5. Consideraes Finais
Pelos resultados expostos neste captulo e no anterior, verifica-se que a avaliao
tcnica pode ser includa no procedimento otimizado da figura 2.1 de trs maneiras:
procedimentos individuais, global e otimizado expandido.
A vantagem dos procedimentos individuais possibilitar a viso especfica cada
questo envolvida. As avaliaes tcnicas podem ser feitas independentemente e sem a
necessidade de uma ordem preestabelecida. Entretanto, tem a desvantagem de ser um
processo menos robusto, mais sujeito a ocorrncia de solues divergentes.
O procedimento global apresenta uma seqncia para se realizar as anlises
indicadas pelo processo individual estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e
harmnicos. Tal ordem tem como objetivo direcionar a soluo para que atenda a todos
estes critrios, alm das restries de tenso e fator de potncia. Em situaes de solues
mais complexas, pode haver a necessidade de se efetuar os passos da avaliao tcnica
por mais de uma vez.
O procedimento otimizado expandido corresponde a um aprimoramento do mtodo
global. A maior diferena deste procedimento em relao aos outros a incluso de uma
avaliao tcnica prvia antes de se definir a compensao reativa do plano de expanso.
Tal avaliao realizada seguindo a ordem das anlises sugeridas na metodologia global.
No procedimento individual e global, a CR Final alcanada utilizando-se
primeiramente a ferramenta de otimizao e depois se ajustando o resultado com relao s
anlises de estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos. No
procedimento otimizado expandido feito o contrrio, obtm-se uma CR Inicial com base
nas avaliaes tcnicas e, a partir desta compensao, aplica-se a otimizao e encontram-
se os capacitores sugeridos. Os resultados desta ltima metodologia, normalmente, atingem
valores mais adequados com relao s funes objetivo escolhidas e os critrios citados.
A desvantagem do procedimento otimizado expandido requerer, em casos de
solues complexas, a realizao da avaliao tcnica por duas vezes, antes e aps o
processo de otimizao.
Concluindo, todas as metodologias propostas podem ser utilizadas para se encontrar
a compensao reativa para o plano de expanso, entretanto a do procedimento otimizado
expandido recomendada por apresentar resultados mais prximo do timo para as
restries de tenso, fator de potncia, estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos
e harmnicos.
Captulo 5 Concluses e Propostas de Continuidade



147
5
Concluses e Propostas de Continuidade
Os resultados obtidos confirmam a importncia da avaliao tcnica. Caso ela no
fosse realizada, haveria a possibilidade da compensao reativa sugerida trazer para o
sistema eltrico problemas de estabilidade de tenso, de transitrios eletromagnticos e de
harmnicos. Tais problemas poderiam causar interrupes ou at blackout, elevao das
perdas eltricas, danos, sobreaquecimento e diminuio da vida til de equipamentos, entre
vrias outras conseqncias.
No trabalho so introduzidas novas abordagens e etapa de avaliao tcnica de CR
na expanso. Aponta-se uma nova proposta para tratar a questo da tenso no ponto de
colapso para a anlise da estabilidade de tenso. apresentada a determinao de barras
crticas com relao aos transitrios eletromagnticos com base nas ondas de refrao e
reflexo. Utiliza-se uma metodologia original para a determinao do montante dos
capacitores os quais no permitem violao dos limites de distoro harmnica.
Para que a compensao reativa esteja adequada, respeitando os limites relativos
estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e harmnicos, indicam-se os passos
para a alterao do plano de expanso os quais se constituem fundamentalmente da
modificao do montante e da localizao da CR ou da instalao de dispositivos
mitigadores. A metodologia apresentada para este fim se mostra eficiente, como confirmado
pelos exemplos expostos.
Os procedimentos propostos oferecem ao planejador uma seqncia de passos para
se fazer a avaliao tcnica, o que facilita significativamente seu trabalho. Inicialmente, so
detalhados os Procedimentos Individuais e o Procedimento Global. Como evoluo da
pesquisa, proposto o Procedimento Otimizado Expandido que sugere a realizao de uma
Avaliao Tcnica Prvia antes da otimizao da compensao reativa. A aplicao deste
ltimo obtm uma soluo que, alm de indicar a localizao tima dos capacitores a serem
instalados, identifica o montante de compensao reativa que no viola as restries de
tenso, fator de potncia, estabilidade de tenso, transitrios eletromagnticos e
harmnicos. O Procedimento Otimizado Expandido atinge melhores resultados que os do
Procedimento Global. Ambos se mostram adequados aos objetivos do planejamento de
Captulo 5 Concluses e Propostas de Continuidade



148
expanso compensar a potncia reativa do sistema em estudo e manter suas tenses
dentro dos limites minimizando as perdas eltricas e maximizando a disponibilidade de
fluxo de potncia pelas linhas.
Na pesquisa aqui apresentada, nfase foi dada avaliao tcnica da compensao
reativa associada otimizao do montante e da localizao dos capacitores alocados,
tendo em vista os aspectos de melhor utilizao dos recursos do SEP, respeitando todos os
limites impostos pela legislao do setor eltrico brasileiro. Como continuidade dos estudos
relacionados a este tema, prev-se a investigao mais aprofundada das anlises
econmicas envolvidas nesta escolha, completando a evoluo do Procedimento Otimizado
Expandido. Espera-se quantificar em valores monetrios os benefcios trazidos pela
compensao reativa ganhos de atendimento adicional de mercado, reduo de perdas e
de energia no suprida, adiamento de obras planejadas e seus custos de instalao,
manuteno, operao e do equipamento em si. Sugere-se a investigao de pesos para
serem empregados na funo objetivo do passo da otimizao.
Ainda com respeito s propostas de continuidade do trabalho, recomenda-se que as
avaliaes tcnicas propostas sejam includas na ferramenta computacional PlanEx,
desenvolvida para o planejamento da expanso e j em uso pela empresa de energia
eltrica CEMIG [P&D 04a]. A implementao facilitaria as anlises dos planejadores, sendo
muito proveitosa para o setor eltrico.
Outras pesquisas que viriam a contribuir significativamente para a evoluo dos
procedimentos de avaliao tcnica so: investigao de um clculo mais direto da tenso
no ponto de colapso; aperfeioamento da entrada de dados no programa de transitrios
para facilitar seu uso para os planejadores, estruturando modelos padres de parmetros do
SEP; listagem de limites de sobretenses e sobrecorrentes para diversos equipamentos do
sistema eltrico; pesquisa de novas formas de chaveamento (envolvendo o uso de
semicondutores, por exemplo); aprofundamento dos estudos da estimao dos montantes
dos capacitores quando so envolvidas vrias fontes harmnicas e realocao da
compensao reativa de outras barras.
Concluindo, espera-se que esta tese de doutorado contribua de forma significativa
para futuros desenvolvimentos acadmicos na rea e para o setor eltrico, considerando os
benefcios de uma compensao reativa adequada.
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Apndice A Estabilidade de Tenso Definies de Interesse



159
Apndice A
Estabilidade de Tenso
Definies de Interesse
Neste apndice so apresentadas definies de interesse, no que concerne aos
desenvolvimentos deste trabalho, relativas ao tema Estabilidade de Tenso. Tais definies
foram retiradas da dissertao de mestrado [Cortez 01a], onde o autor registra de forma
organizada e detalhada as diversas definies que se apresentam sobre o assunto.
Adicionalmente, este texto inclui uma explicao sobre a Anlise de Sensibilidade utilizada
na avaliao tcnica para selecionar as barras candidatas a receber compensao reativa,
procedimento este proposto na dissertao de mestrado [Chaves 01]. Tais tpicos
subsidiam a compreenso dos desenvolvimentos da tese.
A.1. Definies de Interesse
Estabilidade de Tenso
CIGR: um sistema de potncia em um dado ponto de operao e sujeito a uma determinada
perturbao estvel, sob o ponto de vista da estabilidade de tenso, se as tenses nas
cargas das regies prximas so capazes de atingir novos valores de equilbrio ps-
perturbao.
IEEE: em um sistema estvel, quando a admitncia da carga cresce, a sua potncia tambm
aumenta; tanto a demanda quanto as tenses so controlveis.
Instabilidade de Tenso
IEEE: instabilidade de tenso um estado de operao do sistema onde a tenso permanece
decaindo de forma brusca ou lenta. A instabilidade de tenso pode ser provocada por uma
perturbao, ou por um aumento de carga, ou devido mudana do ponto de operao do
sistema. O decaimento das tenses pode durar de poucos segundos a vrios minutos. Caso
este decaimento se mantenha, ocorrer uma instabilidade angular ou mesmo um colapso de
tenso.
Apndice A Estabilidade de Tenso Definies de Interesse



160
CIGR: o sistema poder ter a sua estabilidade global retomada, se os controles que
contribuem para a instabilidade atingirem os seus limites ou se alguma outra ao de controle
for adotada (por exemplo, corte de carga).
Margem de Estabilidade de Tenso
Entende-se por margem de estabilidade o acrscimo mximo de carga, a partir do caso base,
que o sistema pode atender at atingir o limite de estabilidade de tenso definido pelo nariz
da curva PV. Para a obteno dessas margens utilizam-se os mtodos de curvas PV. A curva
traada atravs do clculo de sucessivos fluxos de potncia, resolvidos pelo mtodo de
Newton convencional. Segundo [Martins 00], podem-se definir trs tipos de margens de
estabilidade de tenso:
Margem em MW:
A margem pode ser um valor fixo para qualquer condio e deve ser atualizada sempre que
houver expanso do sistema ou indisponibilidades por longos perodos de tempo. A margem
pode ser um valor percentual da carga de uma rea ou do fluxo para uma determinada regio.
Margem em Mvar:
A margem medida em uma curva QV pode ser a medida entre a ponta do nariz e o eixo V. A
margem pode, ainda, ser a medida at um determinado nvel de tenso. A reserva de potncia
reativa efetiva de unidades geradoras representativas pode ser um parmetro a ser utilizado.
Dependncia do Nvel de Contingncia:
A margem depender do nvel de contingncia arbitrado: Simples; Dupla; Mltipla Provvel.
Metodologia de Anlise Esttica
A metodologia de anlise esttica a mais conhecida e utilizada internacionalmente,
principalmente pela simplicidade e rapidez nas simulaes. Esta metodologia se baseia na
utilizao do fluxo de potncia convencional, onde se altera o Jacobiano do sistema, para
permitir que o ponto de colapso seja alcanado, sem que haja divergncia por singularidade
desta matriz. Avalia-se a margem de potncia ativa ou reativa atravs de processamentos
sucessivos de fluxos de potncia ou calculando-se diretamente o ponto de colapso de tenso.
Neste tipo de metodologia so feitas anlises de curvas PV e QV para a determinao das
margens de estabilidade e os ndices para colapso de tenso, tais como, reserva de potncia
reativa da gerao, quedas de tenso, perdas ativas e reativas, variao da tenso com a
potncia reativa, variao da potncia reativa com a potncia ativa, entre outros.
Em [Lobato 98] so discutidas as principais ferramentas matemticas para anlise esttica de
estabilidade de tenso: Mnimo Valor Singular (MVS); Mnimo Autovalor (MAV); Mtodo de
Continuao; Mtodo Direto (Ponto de Colapso) e Mtodo da Bifurcao mais Prxima
(MBMP).
Apndice A Estabilidade de Tenso Definies de Interesse



161
Neste trabalho, adota-se o Mtodo da Continuao como ferramenta de anlise esttica para
se obter as curvas PV e QV e realizar uma anlise de sensibilidade. O fluxo de potncia no se
torna divergente prximo ao ponto de colapso de tenso porque o mtodo da continuao no
permite que o Jacobiano fique singular neste ponto. Tal mtodo utiliza o vetor tangente como
ferramenta.
O vetor tangente a razo entre a variao da tenso (ou do ngulo) e a variao da carga. O
parmetro usado para a anlise , que o aumento da carga imposto em todas as barras
exceto a barra swing. A barra crtica aquela que tem o maior valor do sistema no vetor
tangente o qual, segundo [Valle 01], definido pela equao A.1 onde M e L representam as
linhas inferiores da inversa da matriz jacobiana, V a tenso, o parmetro relativo ao
aumento da carga e P
k
e Q
k
so as potncias ativa e reativa, respectivamente. O vetor
tangente tambm pode ser representado pela equao A.2.

[ ]

k
k
Q
P
L M
V
' '

(A.1)

d
dV
d
dV
d
d
d
d
d
d
d
d
d
dx
m
n
n
M
M
1
1
2
1

(A.2)

A.2. Anlise de Sensibilidade Barras Candidatas
O objetivo de se apontar barras candidatas a escolha daquelas que exercem maior
ou menor influncia sobre as demais, dependendo da situao desejada, a fim de que seja
gasto menos montante de potncia reativa para atender a uma determinada meta.
Para a seleo de barras candidatas existem diferentes anlises de sensibilidades. A
que se mostra mais adequada para o trabalho aquela utilizada em [Chaves 01]. Esta
feita alocando-se 1 Mvar na barra que se deseja analisar e verificando-se as barras que
mais so influenciadas por esta mudana (figura A.1(a)). O processo inverso tambm pode
Apndice A Estabilidade de Tenso Definies de Interesse



162
ser feito, ou seja, aloca-se 1 Mvar (por vez) nas demais barras e verificam-se quais delas
mais influenciam a barra sob anlise (figura A.1(b)).

Figura A.1. Diagrama da anlise de sensibilidade utilizada em [Chaves 01].
Para facilitar a apresentao do processo, opta-se por explic-lo por meio de um
exemplo simples, composto por um circuito de trs linhas e trs cargas. O objetivo da
anlise de sensibilidade deste exemplo identificar qual a barra candidata para
compensar a potncia reativa demandada pela barra 1. Os dois processos apresentados na
figura A.1 so mostrados.
Os processos (a) e (b) da figura A.1 podem ser constatados pela tabela A.1. O
processo (a) corresponde a uma nica coluna, por exemplo, aloca-se x Mvar na Barra 1 e
verifica-se qual a influncia dela nas demais barras e nela mesma. O processo (b) est
relacionado com uma nica linha, por exemplo, aloca-se x Mvar nas Barras 1, 2 e 3 e
identifica-se qual delas mais influencia uma determinada barra.
Tabela A.1. Resultados do exemplo da anlise de sensibilidade.
Barra 1 compensada Barra 2 compensada Barra 3 compensada
Barras V (pu) Variao (%) V (pu) Variao (%) V (pu) Variao (%)
Barra 1 0,9873 0,23 0,9865 0,15 0,9856 0,06
Barra 2 0,9623 0,24 0,9690 0,94 0,9606 0,06
Barra 3 0,9833 0,23 0,9820 0,10 0,9828 0,18

Como se pode notar, a compensao reativa na barra 1 influencia mais a barra 2.
Com a compensao na barra 2, ela mesma a mais influenciada, o mesmo ocorrendo com
a barra 3. J na anlise de sensibilidade do processo (b), a barra 3 mais sensvel
(a) (b)
Barra 1
1 Mvar
alocado
Barra 2
Vpu+2%
Barra 3
Vpu+1%
Barra 4
Vpu+3%
Barra 1
(B1) Vpu+1%
(B2) Vpu+2%
(B3) Vpu+1%
Barra 2
1 Mvar
alocado
Barra 3
1 Mvar
alocado
Barra 4
1 Mvar
alocado
Apndice A Estabilidade de Tenso Definies de Interesse



163
compensao na barra 1 e as outras duas barras so a elas mesmas. Normalmente, uma
barra mais sensvel sua prpria compensao. Entretanto, se, no exemplo anterior,
houver uma restrio de que no se pode alocar nenhum capacitor shunt na barra 1. A
anlise de sensibilidade muito til para indicar qual a barra que mais a influencia. Para
este caso a barra candidata a 2, pois, para variar x pu na tenso da barra 1, seriam
necessrios cerca de 2,5 vezes menos Mvar na barra 2 do que na barra 3.
O processo inverso tambm pode ser de interesse, por exemplo, quando a barra 2
est com a tenso prxima aos limites superiores e a barra 3 carece de compensao
reativa ou controle de tenso. Neste caso, a barra candidata aquela que menos sensibiliza
a tenso na barra 2 que, no caso, a barra 3, com 0,06%. A barra 3 a que menos a
influencia (0,18%), quando se comparam as sensibilidades prprias (barra i em relao a i),
o que pode levar a um grande montante de potncia reativa alocada para suprir a
necessidade da prpria barra. Em casos como este, devem-se analisar outras possibilidades
para averiguar o que mais vantajoso.
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



164
Apndice B
Transitrios Eletromagnticos
Estudos Complementares
Neste apndice, trs questes relacionadas ao tema Transitrios Eletromagnticos
so tratadas: (i) definies de termos utilizados no texto encontradas em vrias referncias
[Eletrobrs 85, Das 92, Carvalho 95, Naidu 85, Greenwood 91]; (ii) detalhamento do
processo de escolha de barras crticas indita na literatura e muito importante para o
procedimento proposto no item 3.3.2; e (iii) simulaes de chaveamento de capacitores
fundamentais para se confirmar a grande influncia que a configurao do sistema e o
montante e a localizao da compensao reativa exercem sobre os transitrios
eletromagnticos.
B.1. Definies de Termos Utilizados no Texto
Current Chopping
Quando uma corrente relativamente pequena interrompida por um disjuntor, a ao dos
dispositivos de supresso de arco pode fazer com que a mesma seja levada a zero abrupta e
prematuramente, antes do zero normal. Isto chamado corte de corrente ou current chopping.
Tal forma de supresso de corrente pode dar origem a uma sobretenso anormal em virtude
da energia magntica que fica armazenada no circuito.
Prestrike ou Pr-ignio
Um prestrike pode ocorrer no fechamento do disjuntor, estabelecendo um fluxo de corrente
antes que os contatos se liguem fisicamente. Este fenmeno no acontece freqentemente
devido qualidade dos disjuntores atuais.
Corrente Inrush
a corrente transitria de energizao que percorre um circuito, ao se conectarem
equipamentos eltricos que se comportam praticamente como um curto-circuito no instante do
chaveamento.
Ligao Back-to-back
A ligao back-to-back se caracteriza pela energizao de um capacitor em paralelo com outro
j conectado ao sistema eltrico.
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



165
Tenso de Restabelecimento Transitria (TRT)
A Tenso de Restabelecimento Transitria aquela que se estabelece aps a separao
eltrica dos contatos do disjuntor, quando a conexo eltrica se mantm atravs do arco
eltrico que rompe concomitante ao incio do afastamento.
Reacendimento (ou Restrike) e Reignio
Aps a extino da corrente, o disjuntor deve suportar entre seus terminais a tenso que
imposta a ele pelo sistema. Se o arco reacender, a corrente tornar a fluir. Este fenmeno
pode ser de origem trmica ou dieltrica. O reacendimento trmico se caracteriza pela
incapacidade do disjuntor de resfriar o arco e obter sua conseqente extino. O meio
suficientemente aquecido para permitir a ionizao trmica, ocasionando uma avalanche. O
arco se reacende e a corrente torna a fluir. Se, por outro lado, o disjuntor capaz de resfriar o
arco adequadamente, porm no suporta a tenso de restabelecimento imposta pelo sistema,
o reacendimento dieltrico. Neste caso, o valor da TRT ultrapassa a suportabilidade
dieltrica do meio entre contatos, causando uma descarga.
Por norma, a reignio definida como um restabelecimento do arco eltrico ocorrido at
de ciclo aps o zero da corrente, independentemente da origem do mesmo ser trmica ou
dieltrica. O restabelecimento do arco aps um perodo superior a este denominado
reacendimento ou restrike. Na interrupo de correntes capacitivas, os reacendimentos so
fenmenos mais crticos que as reignies.
B.2. Barras Crticas de Transitrios Eletromagnticos
O objetivo de se acharem barras crticas para os transitrios eletromagnticos
descobrir qual delas a que sofre a maior sobretenso ou sobrecorrente na energizao ou
desenergizao de um determinado capacitor.
Com relao aos transitrios eletromagnticos, propem-se ndices que so
baseados nos coeficientes de reflexo (R
FL
) e refrao (R
FR
) de tenso descritos pelas
equaes B.1 e B.2 [Greenwood 91]. Z
A
a impedncia equivalente anterior ao local a
serem analisadas a reflexo e a refrao e Z
B
a impedncia equivalente posterior.

B A
A B
FL
Z Z
Z Z
R
+

=
(B.1)
B A
B
FR
Z Z
Z
R
+
=
2

(B.2)

Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



166
Estes coeficientes so utilizados para relacionar as ondas de tenso refletidas (V
FL
) e
refratadas (V
FR
) onda de tenso (V
1
) que chega barra em estudo. Esta relao se d
atravs das equaes B.3 e B.4.

1
V R V
FL FL
= (B.3)
1
V R V
FR FR
= (B.4)

As correntes referentes a estas ondas so calculadas pela diviso dos valores de
tenso por suas respectivas impedncias (equao B.5), da qual deriva a equao B.6.
Ressalta-se que a onda refletida de corrente tem sinal contrrio de tenso.

B
FR
FR
A
FL
FL
A
Z
V
I
Z
V
I
Z
V
I = = = , ,
1
1

(B.5)
( )
1
I
Z Z
Z Z
I
B A
A B
FL
+

=
1
2
I
Z Z
Z
I
B A
A
FR
+
=
(B.6)

feita uma anlise pontual considerando o sistema o mais simples possvel a fim de
que estes indicadores dem uma noo de grandeza das sobretenses e sobrecorrentes
provocadas pelos transitrios. Para o clculo dos ndices, considerada uma fonte de
tenso do tipo degrau, adotando-se curtos espaos de tempo.
Sabe-se que a terminao capacitiva, inicialmente, se comporta como um curto-
circuito (Z
B
= 0). Conseqentemente, seu coeficiente de reflexo de tenso igual a -1
(V
FL
= -V
1
) e o de refrao igual a zero (V
FR
= 0), conforme equaes B.1 a B.4. Pelas
equaes B.5 e B.6, percebe-se que a corrente refletida idntica corrente I
1
e a refratada
tende a 2 (Z
B
= 0). Posteriormente, o capacitor tende a um circuito aberto ( =
B
Z ). Por
conseguinte, seu coeficiente de reflexo de tenso igual a 1 (V
FL
= V
1
) e o de refrao
igual a 2 (V
FR
= 2V
1
). Observa-se que a corrente refletida o negativo de I
1
e a refratada
igual a zero.
Para a terminao capacitiva, os coeficientes de refrao (C
FR
) e reflexo (C
FL
) de
tenso so:

A
A
FL
Z
s C
Z
s C
C
+

=
1
1
(B.7)
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



167
A
FR
Z
s C
s C
C
+
=
1
2
(B.8)

Substituindo a equao B.7 na B.3 e rearranjando os termos, tem-se a equao B.9
que no domnio do tempo se torna a equao B.10 onde a constante de tempo igual a
A
CZ
1
.
( )
( ) ( )

=
s s s
V s v
FL 1
(B.9)
( )
t
FL
e V V

= 2 1
1
(B.10)

Atravs de mtodo semelhante ao utilizado para se obter a equao B.10, tambm
se encontra a expresso da onda de tenso refratada descrita pela equao B.11.

( )
t
FR
e V V

= 2 2
1
(B.11)

Para apresentar a idia, mostrado um circuito simples de 5 barras com 4 linhas
mostrado na figura B.1. Opta-se por cargas resistivas por ser este o caso mais simples para
a anlise dos coeficientes de reflexo e refrao e utiliza-se uma fonte de tenso do tipo
degrau de 1,0 pu. Neste circuito, calculam-se os coeficientes para os ns N
0
, N
1
, N
2
, N
3
e N
4
.


Figura B.1. Circuito simples analisado para o estudo dos coeficientes de reflexo e refrao.
Para se fazerem as anlises, montam-se duas matrizes de coeficientes (C e D) de
dimenso 4x2. Nestas matrizes, os coeficientes da primeira coluna so os de refrao e os
da segunda so os de reflexo. A primeira linha das matrizes contm os coeficientes
relativos impedncia da linha de transmisso que vem da fonte (Z
1
). As demais linhas so
completadas com coeficientes das outras impedncias, Z
2
, Z
3
e Z
4
.
R2
R3
R4
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



168
Na matriz C, so colocados os coeficientes de refrao e reflexo para os pontos de
interseo das linhas de transmisso com as cargas N
2
, N
3
e N
4
referentes a Z
2
, Z
3
e Z
4
,
respectivamente e com a fonte N
0
relativo a Z
1
. Na matriz D, so depositados os
coeficientes relacionados interseo das quatro linhas (ponto N
1
) vistos atravs de cada
impedncia. Tais coeficientes so calculados por meio das equaes B.12 a B.15. Observa-
se que as equaes referem-se a equivalentes de impedncias vistos a partir de Z
1
, Z
2
, Z
3
e
Z
4
.

( )
( )
4 3 2 1
1 4 3 2
1
// //
// //
Z Z Z Z
Z Z Z Z
RFL
Z
+

= e
( )
( )
4 3 2 1
4 3 2
1
// //
// // 2
Z Z Z Z
Z Z Z
RFR
Z
+
=
(B.12)
( )
( )
4 3 1 2
2 4 3 1
2
// //
// //
Z Z Z Z
Z Z Z Z
RFL
Z
+

= e
( )
( )
4 3 1 2
4 3 1
2
// //
// // 2
Z Z Z Z
Z Z Z
RFR
Z
+
=
(B.13)
( )
( )
4 2 1 3
3 4 2 1
3
// //
// //
Z Z Z Z
Z Z Z Z
RFL
Z
+

= e
( )
( )
4 2 1 3
4 2 1
3
// //
// // 2
Z Z Z Z
Z Z Z
RFR
Z
+
=
(B.14)
( )
( )
3 2 1 4
4 3 2 1
4
// //
// //
Z Z Z Z
Z Z Z Z
RFL
Z
+

= e
( )
( )
3 2 1 4
3 2 1
4
// //
// // 2
Z Z Z Z
Z Z Z
RFR
Z
+
=
(B.15)

Nos testes, foram adotadas impedncias Z
1
, Z
2
, Z
3
e Z
4
, respectivamente, de 1,0, 2,0,
1,5 e 0,5 valores fictcios escolhidos para mostrar o impacto da impedncia no ndice. O
tempo de propagao ( ) para todas as linhas assumido igual a 5 s, o qual calculado
pela equao B.16, onde L e C so indutncias e capacitncias da linha e l o comprimento
da linha.

LC l =
(B.16)

Com estes dados calculam-se os coeficientes de refrao (R
FR
) e reflexo (R
FL
) para
os ns de carga (N
2
, N
3
e N
4
) e fonte (N
0
), colocados na matriz C, e para o n N
1
inserido na
matriz D. Tais coeficientes so mostrados na tabela B.1. A fonte considerada um curto-
circuito, ou seja, a onda de tenso que chega nela totalmente refletida e sua refrao
zero.
A figura B.2 apresenta os resultados obtidos nas simulaes feitas no ATPDraw
[ATPDraw 03]. Pode-se observar que no ponto N
4
obtida a maior tenso inicial (0,64 pu
em 10 s), condio que se mantm at os 80 s simulados.
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



169
Tabela B.1. Coeficientes de reflexo e refrao do circuito da figura B.1.
Matriz C 1 (R
FR
) 2 (R
FL
) Matriz D 1 (R
FR
) 2 (R
FL
)
N0 0 -1 Z1 0,48 -0,52
N2 0,667 -0,333 Z2 0,24 -0,76
N3 0,8 -0,2 Z3 0,32 -0,68
N4 1,333 0,333

Z4 0,96 -0,04

Figura B.2. Grfico das tenses provocadas em cada ponto do circuito da figura B.1.
Para a figura B.3, altera-se o tempo de trnsito da linha 4 para 1 s, o que leva a
tenso do ponto N
4
para 0,87 pu em 17 s (aumento de 0,23 pu).

Figura B.3. Grfico das tenses provocadas em cada ponto do circuito da figura B.1 para igual a 1 s na linha 4.
Alterando-se o tempo de trnsito da linha 1 para 1 s e deixando as outras linhas
com os valores de 5 s, verifica-se que ocorre uma sobretenso no ponto N
4
de 1,28 pu em
0 10 20 30 40 50 60

v:N4
80
[us]
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
[V]
v:N4 v:N3 v:N2
0 10 20 30 40 50 60 70 80
[us]
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
[V]
v:N0 v:N2 v:N3 v:N4
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



170
15 s, enquanto que, nos pontos N
2
e N
3
, neste instante alcanam-se apenas 0,64 e
0,77 pu, respectivamente. Estas sobretenses so ilustradas na figura B.4.

Figura B.4. Grfico das tenses provocadas em cada ponto do circuito da figura B.1 para igual a 1 s na linha 1.
Conclui-se, atravs destes resultados, que a sobretenso depende dos coeficientes
de refrao e reflexo e do tempo de propagao da onda. A no considerao do nmero
de reflexes, na composio do ndice, decorre do fato desta informao no alterar os
valores dos ndices, de forma significativa. Tal impacto reduzido se justifica pela presena
do amortecimento do sistema. Adicionalmente, caso o nmero de reflexes em cada ponto
fosse considerado, os clculos se tornariam complexos equiparando-se queles das
simulaes de transitrios em todas as barras, o que seria desnecessrio. Portanto,
recomendado um ndice (C
i total
) que o somatrio de quatro ondas: refratada na carga
(FR
C
), refletida no ponto N
1
(FL
N1
), refletida na fonte (FL
F
), refratada no ponto N
1
vinda das
cargas (FR
N1
).

1 1 N F N C total i
FR FL FL FR C + + + = (B.17)

A FR
C
composta pela onda que vem da fonte, ultrapassa o ponto N
1
(d
11
) e refrata
na carga (c
i1
). A FL
N1
uma onda FR
C
que reflete na carga (c
i2
) e depois no ponto N
1
(d
i2
) e
refrata na carga (c
i1
). A FL
F
a onda que no ultrapassa o ponto N
1
(d
12
), reflete na fonte
(c
12
) e, em seguida, vai alm do ponto N
1
(d
11
) e refrata na carga (c
i1
). A FR
N1
a onda que
aps refletir em outras cargas (c
j2
) ultrapassa o ponto N
1
em direo a carga desejada (d
j1
) e
refrata nesta (c
i1
). A equao B.18, que um detalhamento da B.17, mostra o que
explicado neste pargrafo. Os valores i e j nos coeficientes das matrizes C e D so sempre
0 10 20 30 40 50 60 70 80
[us]
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
[V]
v:N2 v:N1 v:N4 v:N3
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



171
maiores que 1. Colocando em evidncia alguns termos da equao B.18, tem-se a equao
B.19.

1 1 2 11 1 11 12 12 1 2 2 11 1 11 i
n
i j
j j i i i i i total i
c d c d c d c d c d c d c d C
|
|
.
|

\
|
+ + + =

(B.18)
1 11 1 2 12 12 2 2
1
i
n
i j
j j i i total i
c d d c c d d c C
(

+ + + =

(B.19)

Os fatores FRs e FLs so mais bem explicados atravs da figura B.5 que exibe a
seqncia de refraes e reflexes que ocorrem com uma nica onda (indicada pelo nmero
0) que parte da fonte de tenso em encontro do ponto N
1
instante (i). Ao chegar neste
local (instante (ii)), a mesma se decompe em quatro ondas cujas amplitudes dependem do
valor das impedncias da linha. Para facilitar a visualizao, na figura B.5, assume-se que a
onda 0 se divide em trs ondas iguais (1) que vo em direo s cargas e uma diferente que
refletida para a fonte (onda 2). No instante (iii), uma onda 1 encontra a carga de N2 e parte
dela refletida (onda 3). A parte refratada, onda 1, compe o ndice FR
C
. No instante (iv), a
onda 3, proveniente da carga, atinge o ponto N
1
e se divide em quatro partes: trs que
refratam para as linhas Z
1
, Z
3
e Z
4
e uma que reflete em direo da prpria carga,
denominada de onda 4. O ndice FL
N1
formado por esta onda 4 quando a mesma refrata
na carga, e o FR
N1
constitudo pela onda 3. Finalmente, no instante (v), a onda 2, j
refletida na fonte, divide-se em quatro e a parcela que refrata na carga baseia o clculo de
FL
F
.
Vale ressaltar que existem vrias ondas representadas na figura B.5 as quais so
repeties das quatro que compem os ndices FR
C
, FL
F
, FR
N1
e FL
N1
relacionados,
respectivamente, s ondas 1, 2, 3 e 4. Destaca-se que toda onda tem sua amplitude
alterada a cada ponto de reflexo que ela encontra.
Conclui-se que o ponto que apresenta o maior ndice aquele onde se localiza a
barra crtica. Para o exemplo citado, os ndices (C
itotal
) para os pontos N
2
, N
3
e N
4
so,
respectivamente, 0,64, 0,73 e 0,87; logo, a carga do ponto N
4
a mais crtica do circuito.
Isto confirmado pelos resultados apresentados pelas figuras B.2, B.3 e B.4 cuja tenso
mais elevada sempre se manifesta no ponto N
4
. Vale salientar que foram realizados outros
testes com o ndice C
itotal
(captulo 3) que corroboram seu uso para a indicao das barras
crticas.
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



172






Figura B.5. Propagao de ondas atravs do circuito exemplo.

O procedimento citado neste item se insere no passo ii Barras Crticas da
avaliao tcnica de transitrios eletromagnticos descrito no captulo 3.
B.3. Simulaes de Chaveamento de Capacitores
Resultados Adicionais
Conforme j salientado no texto, os transitrios eletromagnticos causam vrios
efeitos indesejveis no sistema eltrico. Observa-se que, dependendo dos parmetros da
rede, estaro presentes maiores ou menores sobretenses e sobrecorrentes. Subsidiando
1
0 2
3
(i)
(ii)
(iii)
1
1 1
1 1
2 3
(iv)
1
1
3
3
3
4
2 3
(v)
1
3
3
3
4
3
6
5 2
2
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



173
os desenvolvimentos, foram realizadas vrias simulaes que comprovam tal afirmativa.
Neste item, so mostrados, de forma sucinta, resultados do sistema de 4 barras exibido na
figura B.6 o qual contm:
uma fonte equivalente de tenso de 138 kV (V
60
);
duas linhas de transmisso modeladas por parmetros distribudos trifsicos,
representadas por Z
12
e Z
23
, foram consideradas transpostas e a resistividade do
solo foi desprezada;
uma carga na alta tenso (138 kV), S
AT
;
um transformador 138 kV / 13,8 kV (B3-B4) alimentando uma carga de baixa
tenso S
BT
;
dois bancos de capacitores ligados barra B2 em 138 kV (QC
AT1
e QC
AT2
)
atravs, respectivamente, das chaves CH1 e CH3;
dois bancos de capacitores ligados barra B4 em 13,8 kV (QC
BT1
e QC
BT2
)
atravs, respectivamente, das chaves CH2 e CH4.


Figura B.6. Sistema eltrico exemplo para simulao de chaveamentos de bancos de capacitores.
Em regime permanente, inicialmente os componentes da rede possuem os seguintes
parmetros:
linha de transmisso B1-B2 (LT
12
) de 100 km e linha B2-B3 (LT
23
) de 5 km;
carga S
AT
de 70 MVA e fator de potncia de 0,8;
carga S
BT
de 14,95 MVA e fator de potncia de 0,75;
um banco de capacitor em cada nvel de tenso: na alta, QC
AT1
igual a 23,6 Mvar
e, na baixa, QC
BT1
igual a 6,2 Mvar;
transformador de 0,15 pu de reatncia com resistncia desprezvel.


S
AT
S
BT
V
60
Z
12
B1
B2

Z
23
QC
AT1
CH1

QC
AT2
CH3

QC
BT1
CH2

QC
BT2
CH4

B3

B4

Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



174
As simulaes efetuadas, caracterizadas por chaveamentos e clculos em diversos
locais, possuem as seguintes configuraes:
Simulao 1: Chaveamento do banco de capacitor na alta (QC
AT1
) e clculo da
sobretenso na baixa (barra B4).
Simulao 2: Chaveamento do banco na alta (QC
AT1
) e clculo da sobretenso no
mesmo nvel de tenso (barra B2).
Simulao 3: Chaveamento do capacitor na baixa (QC
BT1
) e clculo da
sobretenso na alta (barra B2).
Simulao 4: Chaveamento do banco de capacitor na baixa (QC
BT1
) e clculo da
sobretenso no mesmo nvel de tenso (barra B4).
Simulao 5: Chaveamento de um nico banco existente na alta (QC
AT1
), CH2 na
posio aberta, e clculo da sobretenso na alta (barra B2).
Simulao 6: Chaveamento de um nico banco existente na baixa (QC
BT1
), CH1
na posio aberta, e clculo da sobretenso na baixa (barra B4).
Simulao 7: Chaveamento de capacitores na configurao back-to-back na alta
(QC
AT1
e QC
AT2
), CH1 fechado e CH2 aberto, e clculo da sobrecorrente na alta
(barra B2).
Simulao 8: Chaveamento de capacitores na configurao back-to-back na baixa
(QC
BT1
e QC
BT2
), CH2 fechado e CH1 aberto, e clculo da sobrecorrente na baixa
(barra B4).

Os capacitores so energizados em 20 ms, 0,6 ms aps o instante em que a tenso
da fase C atinge seu pico negativo. Logo, as maiores sobretenses e sobrecorrentes esto
na fase C.
Nas simulaes 5 e 6, h a energizao de um banco isolado e, nas simulaes 7 e
8, o chaveamento de capacitores em paralelo, separados por uma impedncia de
(0,01 + j20) . Nas simulaes de 1 a 4, observa-se que os capacitores QC
AT1
e QC
BT1

tambm esto em configurao back-to-back. Entretanto a indutncia e a resistncia que os
separam so as da linha e do transformador, podendo ocorrer maiores sobretenses e
sobrecorrentes, dependendo da ressonncia do sistema.
Para investigar as sobretenses (ST) e sobrecorrentes (SC) em funo dos
parmetros, cada um deles modificado, seguindo a ordem: linha de transmisso B2-B3,
mdulo da carga de baixa tenso (S
BT
), fator de potncia de S
BT
, capacitor do nvel de
tenso que no est sendo chaveado (simulaes de 1 a 4), linha B1-B2, mdulo da carga
de alta tenso (S
AT
), fator de potncia de S
AT
, e por ltimo, para as simulaes de 5 a 8,
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



175
capacitor em manobra. Para os bancos em configurao back-to-back, consideram-se
valores idnticos para ambos os capacitores (por exemplo, QC
BT1
= QC
BT2
). A tabela B.2
apresenta os resultados das simulaes mostrando os parmetros que atingem os maiores
valores de ST e SC. Vale destacar que a ordem descrita no influencia as amplitudes
mximas encontradas.
Tabela B.2. Parmetros que atingem maiores valores de ST e SC.
Simulaes
Parmetros 1 2 3 4 5 6 7 8
LT
12
(km) 5 1 126 3 1 5 50 100
LT
23
(km) 41 1 25 1 1 1 5 1
S
AT
(MVA) 5 200 100 200 70 120 100 100
FP da S
AT
0,5 0,8 0,79 0,85 0,8 0,65 0,5 0,5
S
BT
(MVA) 30 4 10 1 80 1 100 1
FP da S
BT
0,5 0,8 0,5 0,5 0,88 0,5 0,5 0,5
QC
AT
(Mvar) - - 1,2 1,2 7,2 - 2x1,2 -
QC
BT
(Mvar) 1,2 7,2 - - - 6,2 - 2x1,2
Chave Manobrada CH1 CH1 CH2 CH2 CH1 CH2 CH3 CH4
Local do Clculo B4 B2 B2 B4 B2 B4 B2 B4

Na tabela B.2, as lacunas no preenchidas so as dos parmetros que no tm seus
valores alterados e 2x1,2 significa 2 capacitores de 1,2 Mvar, cada um ligado por uma
chave, por exemplo, CH1 e CH3.
Os resultados alcanados esto de acordo com o item 2.2.3, isto pode ser verificado
nas afirmaes a seguir.
Os picos de ST acontecem para diferentes comprimentos de linha exemplo: 41 km
na simulao 1, 25 km na simulao 3, 1 km na simulao 7. Isto confirma a expectativa,
denotando a relao da ST com o tempo de trnsito da onda. Muitos destes mximos so
obtidos em pequenas linhas que causam mais oscilaes. As sobretenses esto
diretamente relacionadas s ressonncias do sistema. Todas as piores condies so
atingidas com fatores de potncias baixos cujo amortecimento da rede eltrica reduzido.
Nota-se, pela tabela B.2, que h um padro na escolha das cargas. Quando se
procura a mxima sobretenso no nvel de tenso oposto ao do capacitor chaveado
(simulaes 1 e 3), a carga da baixa tenso maior e a da alta menor que aquelas
encontradas para o caso da mxima sobretenso na mesma barra da manobra (simulaes
2 e 4).
Nas simulaes 5 e 6 isto fica bem claro. Ao se fechar a chave CH1 (simulao 5),
alcana-se sobretenso mais elevada para valores de carga menores (70 MVA) na barra
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



176
onde manobrado o capacitor (B2) e maiores (80 MVA) para a barra adjacente (B4),
comparada esta simulao 6. Ao se energizar CH2, a sobretenso aumenta com a
diminuio da carga (1 MVA) desta barra (B4) e com o crescimento da carga instalada
(120 MVA) na vizinha (B2). Sendo assim, h uma reflexo mais alta na barra mais afastada
(Z
LT
> Z
CARGA
de B2) e maior refrao na do chaveamento (Z
LT
< Z
CARGA
de B4) fatos que
geram grande pico de tenso.
Pela equao B.1, considerando que Z
LT
> Z
CARGA
(onde Z
A
= Z
LT
e Z
B
= Z
CARGA
),
quanto menor a impedncia da carga (potncia elevada), maior a reflexo nesta barra.
Caso fosse um curto-circuito, seria obtido o valor mximo de R
FL
que -1. Pela equao
B.2, constata-se que a refrao mxima atingida quando a impedncia da carga se torna
bem maior do que a da linha de transmisso. Se Z
CARGA
fosse um circuito aberto, R
FR
seria
igual a 2.
Como exemplo da influncia da carga na amplificao das tenses pode-se citar o
trabalho [Pamplona 02] onde so simuladas energizaes de um banco de
capacitores localizado numa barra de 138 kV e empregam-se trs condies de
carregamento do sistema: carga nula, carga mdia e carga mxima. Os valores
mximos obtidos so: 1,52 pu para carga mxima, 1,66 pu para carga mdia e
1,87 pu para carga nula. Isto mostra como as condies de carregamento do sistema
afetam as sobretenses transitrias resultantes.
Como pode ser confirmado pela equao B.11 (onde = 1/CZ
A
), quanto menor a
capacitncia do equipamento manobrado (C), mais alta a tenso refratada. Os valores de
QC encontrados nas simulaes 1 e 3 ratificam tal afirmao. Pela equao B.10, verifica-se
que, quanto maior C, mais elevada a tenso refletida. Os valores de QC achados nas
simulaes 2 e 6 corroboram tal declarao.
Apesar de estas consideraes serem consistentes, determinar a carga, as linhas e
os capacitores que provocam as maiores sobretenses no uma tarefa simples, devido ao
fato de estes elementos estarem em paralelo, requerendo um clculo mais complexo, por
exemplo, equao B.20. Alm disso, preciso considerar as ressonncias da rede e os
tempos de trnsito das ondas.

( )
( )
12 23
12
// //
// // 2
LT C CARGA LT
LT C CARGA
FR
Z X Z Z
Z X Z
R
+
=
(B.20)

A tabela B.3 apresenta as sobrecorrentes e sobretenses obtidas nas barras B2, B3
e B4 ao se realizarem as simulaes descritas anteriormente. Nota-se que a maior
sobretenso (4,32 pu) ocorre na barra de 13,8 kV (B4) ao se energizar um banco de
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



177
capacitor de 23,6 Mvar em 138 kV. Nesta simulao (1), B4 est a 41km do local da
manobra e existe, nesta barra, 1,2 Mvar fazendo a compensao reativa de uma carga de
30 MVA e 0,5 de fator de potncia. Tal compensao no adequada, pois o FP melhora
apenas para 0,52. Estes parmetros s so selecionados para se achar a alta sobretenso
indicada. Na prtica, pouco provvel que tal amplitude seja alcanada, devido ao
amortecimento presente na rede. Este estudo vlido para mostrar as configuraes
perigosas para as ST e SC e alertar sobre as piores condies possveis.
Tabela B.3. Resultados das simulaes descritas anteriormente.
Simulaes
Resultados 1 2 3 4 5 6 7 8
ST B2 1,67 1,92 1,59 1,05 1,93 1,08 1,70 1,02
ST B3 3,35 3,09 1,55 1,06 2,95 1,09 1,51 1,02
ST B4 4,32 1,06 1,65 1,95 2,48 1,95 1,51 1,72
SC B2 15,61 42,65 8,84 4,2 80,93 1,01 24,23 1,0
SC B3 3,47 2,77 6,45 11,22 1,02 11,21 1,01 1,50
SC B4 80,52 2,39 5,63 9,02 1,02 8,81 1,02 3,29

Caso a carga tivesse um fator de potncia de 0,9 e sua compensao reativa fosse
de 4,8 Mvar, parmetros mais provveis de existir em sistemas reais, a sobretenso
chegaria apenas a 1,52 pu e a sobrecorrente seria 9,30 pu.
importante destacar que a tenso na barra B2, onde o capacitor chaveado, s
atinge 1,67 pu. Isto indica que uma sobretenso normalmente suportvel por equipamentos
na subestao da empresa de distribuio pode causar perigosas sobretenses nos
consumidores de baixa tenso. Tal situao observada na prtica e deve ser prevista e
evitada. O procedimento proposto permite esta deteco. A maior ST atingida em B2 de
1,93 pu ao se energizar um banco nesta mesma barra sem nenhum outro em paralelo
(simulao 5), sendo que em B4 alcana-se 2,48 pu. Isto confirma as afirmaes do item
2.2.3.
A sobretenso 1,95 pu obtida com a manobra do capacitor na barra B4 (baixa
tenso) sem nenhum outro em paralelo. Na configurao back-to-back, atingem-se valores
de ST de 1,70 pu e 1,72 pu e, de SC, 24,23 pu e 3,29 pu, respectivamente, em B2
(simulao 7) e B4 (simulao 8) onde se realizam os chaveamentos.
Vale destacar que as simulaes mostradas neste apndice incluem,
propositalmente, estudos realizados com parmetros, sobretenses e sobrecorrentes nem
sempre encontrados na prtica. O objetivo das investigaes foi verificar a influncia das
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



178
diferentes configuraes nos valores mximos das ST e SC, enfatizando a necessidade de
avaliao especfica para cada caso particular.
Das anlises realizadas e estudos expostos no item 2.2.3, conclui-se que a
magnitude e o amortecimento das sobretenses e sobrecorrentes, na manobra de bancos
de capacitores (BCs), dependem dos seguintes fatores:
tenso pr-manobra na barra dos capacitores chaveados;
carga residual armazenada nos capacitores no instante da manobra;
caractersticas do sistema de transmisso, dos BCs previamente energizados e do
chaveado;
propriedades dos equipamentos de manobra tais como disperso entre plos e
evoluo da tenso suportvel entre terminais;
instante de fechamento ou abertura de cada plo com relao onda de tenso;
recursos utilizados para controle das sobretenses e sobrecorrentes transitrias.

Estas afirmaes comprovam a importncia de se criar um procedimento para se
estudar os transitrios eletromagnticos introduzidos pela manobra dos capacitores
sugeridos pelo plano de expanso. Tal procedimento deve diminuir o nmero de simulaes
efetuadas, atravs de uma classificao criteriosa das barras a serem modeladas (mtodo
citado no item B.2) e, alm disso, indicar as grandezas e os locais onde sero feitos os
clculos.
B.4. Modelagem Utilizada na Simulao dos Transitrios
A modelagem da rede considerada nesta tese de doutorado aquela indicada pela
literatura como sendo a mais adequada ao clculo de transitrios decorrentes de manobras
de capacitores [Carvalho 95, Castro Jr. 03, DAjuz 85 e 87, Eletrobrs 85, Grebe 98, Jota 98,
Martinez 05a, 05b e 05c, Pamplona 02].

Linha de transmisso Modelo trifsico, representao de parmetros distribudos e
considerao de linha transposta. Entram-se com os
parmetros da linha de seqncia positiva e zero: resistncia
(R
L
), reatncia (X
L
) e susceptncia (B
L
) por comprimento da
linha. A unidade utilizada o ohms por km para R
L
e X
L
e
mho por km para B
L
. As perdas no solo so desprezadas.
Apndice B Transitrios Eletromagnticos Estudos Complementares



179
Transformador Modelo trifsico, desprezando a saturao.
Carga Modelo trifsico, representado por resistncias e reatncias.
Disjuntores A manobra simulada considera que os chaveamentos das trs fases so
simultneos e ocorrem no instante de 20 ms, prximo ao pico da fase C.
Impedncias Equivalentes Referem-se s impedncias do equivalente de Thvenin
que, neste trabalho, so calculadas por meio do programa
PSS/E [PSS/E 01].
Circuito Simplificado No circuito simplificado so adotados modelos de linhas e cargas
monofsicas, utilizando impedncias equivalentes conforme
descrito anteriormente.

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



180
Apndice C
Estudos Bsicos sobre Harmnicos
Conforme j tratado, a distoro harmnica total a relao entre as harmnicas e a
corrente ou tenso fundamental (equao 2.28 e 3.13). Tal distoro amplificada pela
ressonncia causada em determinada freqncia por uma combinao de capacitncias e
indutncias. Este acrscimo funo de um fator Q (equao 2.38), correspondente razo
entre a reatncia capacitiva ou indutiva presente na rede e sua parte resistiva. Portanto, a
amplificao da corrente ou da tenso, devido ao aumento da distoro harmnica, maior
nos sistemas de transmisso do que na distribuio [Santoso 05].
Com o objetivo de subsidiar os desenvolvimentos deste trabalho de tese, foram
realizadas investigaes cujos resultados esto apresentadas neste apndice: influncia da
fonte harmnica e da impedncia prpria da barra (Z
P
) na distoro harmnica e influncia
dos parmetros da rede na Z
P
e na freqncia de ressonncia.
A seguir so relembrados alguns conceitos pertinentes e, posteriormente, so
mostrados os resultados das anlises realizadas em um sistema de 4 barras.
Compensao Reativa na Freqncia de Ressonncia
O valor da compensao reativa (Q
c
) que entra em ressonncia com o sistema
igual ao inverso de X
C60
que a reatncia capacitiva em 60 Hz (equao C.1).
Relembrando, na freqncia de ressonncia (f
r
= 60 h), X
c
igual a X
0
que a reatncia do
paralelo da impedncia carga (Z
L
) com a do sistema (Z
th
), visto pela expresso C.2, ambas
representadas na figura C.1. Para se calcular X
C60
necessrio multiplicar X
0
pela ordem do
harmnico (h) em f
r
, porque X
C
h vezes menor que X
C60
na freqncia de ressonncia
(equao C.3).
60
1
C
C
X
Q =
(C.1)
L th
Z Z Z //
0
= (C.2)
0 60
hX X
C
= (C.3)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



181

Figura C.1. Circuito simplificado que representa Z
0
.
Impedncia de Thvenin e Impedncia Prpria
A impedncia de Thvenin (Z
th
) representa o equivalente da rede visto por
determinada barra. obtida atravs da equao C.4, onde V
B
a tenso na barra B com a
carga S
B
conectada. A tenso de Thvenin (V
th
), para o ponto B do circuito da figura C.1, o
valor da tenso na barra B quando seu circuito est aberto. Tal valor extrado do fluxo de
potncia que calculado, neste trabalho, pelo programa PSS/E [PSS/E 01]. Todas estas
grandezas so aquelas de regime permanente.

( )
*
*
B
B th B
th
V
V V S
Z

=
(C.4)

A impedncia prpria da barra (Z
P
) calculada atravs da equao C.5 cujo valor de
pico sucede na freqncia de ressonncia. Observa-se que o valor mximo da distoro
harmnica ocorre em tal freqncia.

C L th P
X Z Z Z // // = (C.5)

Se a fonte harmnica estiver na barra de referncia, a impedncia de Thvenin a
representada pela equao C.4. Caso contrrio, Z
th
o valor que, em paralelo com a carga e
o capacitor, igual Z
P
, dada pela expresso C.6, onde Z
LC
igual ao paralelo entre Z
L
e X
C

(
C L LC
X Z Z // = ). Neste trabalho, o valor da impedncia prpria obtido por meio do
software Harmzw [Harmzw 02] que a ferramenta computacional utilizada para se obter os
resultados relacionados a harmnicos.

P LC
P LC
th
Z Z
Z Z
Z

=
(C.6)

V
h
Z
th
Z
L X
c
B
Z
0

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



182
Para as investigaes apresentadas a seguir utilizado o sistema eltrico de quatro
barras de 138 kV (B1 a B4) da figura C.2. Este sistema tem duas cargas (S
3
= 0,1 + j0,05 pu
e S
4
= 0,15 + j0,1 pu) ligadas a uma fonte harmnica (V
h
ou I
h
) atravs das linhas Z
12
, Z
23
e
Z
24
, com valores iguais de resistncia (R
12
= R
23
= R
24
= R = 0,2 pu) e de reatncia (X
12
= X
23

= X
24
= X = 0,5 pu). Existe instalado um capacitor na barra 4 de reatncia X
C
igual a 12,5 pu,
que corresponde a 8 Mvar (Q
C
). A potncia base adotada 100 MVA.


Figura C.2. Circuito exemplo de quatro barras.

Investigao 1: Influncia da Fonte Harmnica na Distoro Harmnica
Questo 1: Mostrar que as distores de corrente e tenso (DH
I
e DH
V
) so proporcionais
s fontes harmnicas e que fontes distintas no influenciam nas distores
provocadas por cada uma delas.
Motivao: Salientar que, quando adicionada uma fonte harmnica (FH) de ordem m em
um dado sistema, no h a necessidade de se refazerem os clculos da
distoro harmnica individual (DHI) para verificar se a DHI de ordem
harmnica n, que est prxima ao limite, violou a restrio. Se a fonte
harmnica adicionada for de ordem n muito provvel que o limite seja violado,
requerendo nova simulao.
Primeiramente, considera-se que est presente na barra B1 da rede uma nica fonte
harmnica de corrente de 1 pu em 300 Hz cuja DH medida em B4 representada na figura
C.3 pela coluna correspondente a C1. Ao se aumentar para 3 pu, verifica-se que a DH
triplica seu valor (C2), mostrando que realmente a distoro diretamente proporcional
fonte harmnica. Adicionando-se em B1 uma nova fonte de 1 pu em 180 Hz, observa-se que
a distoro individual de 300 Hz no se altera (C3 em 300 Hz), demonstrando que a FH de
180 Hz no influencia a DHI de 300 Hz. No entanto, importante destacar que a distoro
harmnica total modificada. Isto ocorre para fontes harmnicas de tenso e de corrente.
V
h
Z
12
Z
4
X
c
Z
24
Z
3
Z
23
B1

B2

B3

B4

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



183
Distoro Harmnica de Tenso
0
20
40
60
80
100
3 5
Ordem dos Harmnicos
1pu em 300 Hz (C1)
3 pu em 300 Hz (C2)
1pu em 180 Hz e 3 pu
em 300 Hz (C3)

Figura C.3. Distoro harmnica de tenso em B4 para diferentes fontes harmnicas.
Questo 2: Provar que uma mesma fonte harmnica instalada em barras diferentes provoca
distores distintas.
Motivao: Confirmar que uma mesma fonte harmnica instalada em barras diferentes no
provoca problemas de mesma magnitude, sendo necessria a simulao de
ambos os casos.
Considerando-se a rede da figura C.2 com uma fonte harmnica de tenso (FHV)
colocada na barra B1, tem-se, em B4, a distoro de tenso da coluna correspondente a C1
da figura C.4. Caso esta FHV esteja na barra 2, verifica-se pela figura C.4 que a DHV
aumenta (C2). Ao se mudar a localizao de uma fonte harmnica de corrente (FHI) da
barra B1 (C3) para a B2 (C4) tambm notado o crescimento da DHV. Estas diferenas se
devem mudana no valor da impedncia de Thevnin porque, no clculo de Z
th
, FHV
representada por um curto-circuito e FHI, por um circuito aberto. Este comportamento
tambm constatado nas distores de corrente. Estes resultados confirmam a importncia
de se saber a localizao da fonte harmnica e se a mesma de tenso ou de corrente.

Dist oro Harmnica de Tenso
0
50
100
150
200
250
5
Ordem dos Harmnicos
FHV Barra 1(C1)
FHV Barra 2 (C2)
FHI Barra 1(C3)
FHI Barra 2 (C4)

Figura C.4. Distoro harmnica individual de tenso em B4 para diferentes localizaes das fontes harmnicas.
D
H
I
V

(
%
)

D
H
I
V

(
%
)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



184
Investigao 2: Influncia da Impedncia Prpria da Barra na Distoro Harmnica
Questo 1: Ressaltar que a impedncia prpria da barra (Z
P
) varia com a alterao do
montante do banco de capacitor (X
C
) alocado nesta barra (equao C.5) e que a
freqncia de ressonncia inversamente proporcional potncia reativa deste
banco (Q
c
). O objetivo apresentar a variao da impedncia prpria para
provar sua ligao com a distoro harmnica na prxima questo.
Motivao: Comprovar que a Z
P
varia com a alocao dos capacitores para evidenciar a
seguir que tal variao proporcional distoro harmnica. Esta
demonstrao indica que, ao se fazer uma anlise da impedncia prpria, tem-
se uma sensibilidade da magnitude da DH.
Na figura C.5 exibido o comportamento da impedncia prpria com a variao da
freqncia. Adotando-se o sistema exemplo da figura C.2, verifica-se que, ao se aumentar o
valor do capacitor alocado (Q
c
), a freqncia de ressonncia diminui. So representadas
duas situaes: a alocao na barra 4 de 8 Mvar (curva escura) e de 16 Mvar (curva clara).
Constata-se que a freqncia de ressonncia diminui de 228 Hz para 156 Hz. Estas
freqncias dependem tambm da rede eltrica (Z
th
e Z
L
) em que esto inseridos os
capacitores (equao C.5).

Impedncia P rpria da Barra 4
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
1 3 5 7 9
Ordem dos Harmnicos
Qc = 8 Mvar
Qc = 16 Mvar

Figura C.5. Variao da impedncia prpria de B4 devido s alteraes no capacitor alocado na barra.

Questo 2: Indicar que a impedncia prpria da barra (Z
P
) proporcional distoro
harmnica de tenso e de corrente.
Motivao: Apresentar a importncia de se conhecer a impedncia prpria das barras para
se ter idia de quais capacitores no devem ser alocados em determinados
sistemas.
Z
p

(
p
u
)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



185
A figura C.6 apresenta as distores harmnicas individuais introduzidas na barra 4
as quais so causadas por 36 fontes harmnicas de corrente de 72 Hz a 1116 Hz presentes
na barra B1 (caso terico). As colunas em preto indicam a situao em que existe um banco
de capacitor de 8 Mvar alocado em B4 e aquelas em branco, um de 16 Mvar. Constata-se
que as DHI de tenso e de corrente so proporcionais impedncia prpria da barra B4
mostrada na figura C.5 cujo formato da curva se assemelha muito ao da figura C.6.
Observa-se que os maiores valores de distores ocorrem na freqncia de ressonncia
que indicada pelo pico de Z
P
. Para o caso de alocao de 16 Mvar cujo pico mais
acentuado, as DH prximas f
r
so mais pronunciadas do que as demais. J com o banco
de 8 Mvar, as diferenas entre as distores de vrias freqncias so menores, tornando
seu formato mais plano igual ao da curva mais escura da figura C.5. Estes resultados
validam a equao 2.37, apresentando que a distoro proporcional a um fator de
qualidade Q da rede.

Distoro Harmnica de Tenso
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Ordem dos Harmnicos
B4 com 8 Mvar
B4 cm 16 Mvar

Distoro Harmnica de Corrente
0,000
0,010
0,020
0,030
0,040
0,050
0,060
0,070
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Ordem dos Harmnicos
D
H
I
I
(
%
)
B4 com 8 Mvar
B4 com 16 Mvar

Figura C.6. Variao da distoro harmnica de tenso e de corrente em B4 para diferentes impedncias prprias.

Questo 3: Ratificar que impedncias prprias iguais em determinada freqncia em
sistemas eltricos diferentes provocam distores harmnicas distintas.
Motivao: Evidenciar que a impedncia prpria no o nico parmetro responsvel pela
variao da distoro harmnica.
A figura C.7(a) apresenta a impedncia prpria da barra B4 e sua distoro
harmnica para dois casos tericos provenientes de modificaes feitas na configurao do
sistema da figura C.2. No primeiro caso, curva mais escura, instalado um capacitor de
1 Mvar em B4, e a resistncia da linha entre as barras B3 e B4 adotada igual a 0,01 pu.
No segundo caso, curva mais clara, alocada em B4 uma compensao reativa de 6 Mvar,
e a resistncia de tal linha de 2,5 pu. Em 264 Hz, a impedncia prpria de ambas
D
H
I
V

(
%
)

D
H
I
I

(
%
)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



186
configuraes equivalente a 3,7 pu, porm as distores harmnicas de cada uma, nesta
freqncia, so distintas, como retratado na figura C.7(b). Isto devido ao fato de a DH no
depender somente de Z
P
mas tambm de outros parmetros do sistema os quais so
diferentes nas duas configuraes.

Impedncia P rpria da Barra 4
0
1
2
3
4
5
6
7
1 3 5 7 9
Ordem dos Harmnicos
Qc = 1Mvar e Z24 = 0,01pu
Qc = 6 Mvar e Z24 = 2,5 pu
Dist oro Harmnica de Tenso
0
5
10
15
20
25
30
35
4,4
Ordem dos Harmni cos
Qc =1Mvar e Z24 =0,01pu
Qc =6 Mvar e Z24 =2,5 pu

(a) (b)
Figura C.7. (a) Impedncia prpria de B4 e (b) sua distoro harmnica de tenso para diferentes configuraes.
Investigao 3: Influncia dos Parmetros da Rede na Impedncia Prpria da Barra e
na Freqncia de Ressonncia
Questo 1: Destacar que a impedncia prpria da barra inversamente proporcional
resistncia da linha e diretamente proporcional indutncia da linha (equao
2.37) e provar tambm que a freqncia de ressonncia no altera com a
resistncia, porm inversamente proporcional indutncia. A proporo da
variao depende da influncia desta linha no equivalente do sistema (Z
th
),
relacionada ao tamanho da rede.
Motivao: Demonstrar que uma rede eltrica tem distores harmnicas maiores quando
existem pequenas resistncias nas linhas (sistema de transmisso) e que tais
resistncias obviamente no alteram a freqncia de ressonncia. Mostrar que,
dependendo da dimenso do sistema em estudo, uma nova linha instalada pode
alterar significativamente qual harmnico amplificado.
Na figura C.8, a impedncia prpria da barra B4 do sistema eltrico da figura C.2
representada pela situao original, quando os parmetros das linhas so iguais a R + jX.
Diminuindo-se a resistncia das linhas para um dcimo do valor original (R/10), a
impedncia prpria da barra B4 aumenta (situao 1), principalmente na freqncia de
D
H
I
V

(
%
)

Z
p

(
p
u
)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



187
ressonncia a qual no varia. Tal alterao em R torna o amortecimento do sistema menor,
isto leva a uma maior distoro harmnica (equaes 2.39 e 2.40) cujo valor depende do
peso que R tem em Z
th
. Reduzindo-se a indutncia metade do seu valor (X/2), constata-se
que a f
r
aumenta de 216 Hz para 288 Hz (situao 2), e Z
P
diminui em ambas as
freqncias. A conseqncia de tal modificao que a DH se eleva significativamente em
288 Hz e reduz em 216 Hz cujos valores dependem do peso que X tem em Z
th
.

Impedncia P rpria da Barra 4
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
Sit uao Original: R + jX
Sit uao 1: R/ 10 + jX
Sit uao 2: R+ jX/ 2

Figura C.8. Variao da impedncia prpria de B4 devido s alteraes dos parmetros das linhas (R e X).
Questo 2: Mostrar que a impedncia prpria da barra e a freqncia de ressonncia se
alteram com o montante e a localizao do capacitor, variao de X
c
e Z
th
,
respectivamente.
Motivao: Provar que a freqncia de ressonncia da rede depende da localizao e do
montante da compensao reativa, amplificando diferentes distores
harmnicas para cada configurao. Com este conhecimento, confirma-se que
a compensao reativa pode ser modificada, garantindo que o limite de DH no
seja violado.
A figura C.9(a) apresenta a variao da impedncia prpria da barra B4 com a
alterao do montante e da localizao dos capacitores instalados no sistema da figura C.2.
Na situao original, existe instalado em B4 um banco de capacitor de 8 Mvar (curva C1).
So simuladas tambm a alocao de 4 Mvar nas barras B3 e B4, representada pela curva
C2, e de 8 Mvar apenas em B3 (curva C3). Verifica-se pela figura C.9(a) que, ao se retirar
potncia reativa de B4, sua impedncia prpria se modifica, obtendo picos de valores
diferentes e em freqncias distintas. Para a situao original (C1), existe apenas uma
freqncia de ressonncia em 228 Hz, enquanto que, em C2, observam-se picos em 240 Hz
e 456 Hz e, em C3, h um em 192 Hz e outro prximo 11
a
harmnica.
Z
p

(
p
u
)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



188
Impedncia P rpria da Barra 4
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
8 Mvar na barra 4 (C1)
4 Mvar nas barras 3 e 4 (C2)
8 Mvar na barra 3 (C3)
Dist oro Harmnica de Tenso
0
5
10
15
20
25
30
35
40
3 5 7 9
Ordem dos Harmnicos
8 Mvar na barra 4 (C1)
4 Mvar na barra 3 e 4 (C2)
8 Mvar na barra 3 (C3)

(a) (b)
Figura C.9. (a) Variao do perfil da impedncia prpria e (b) da distoro harmnica de B4 devido modificao
do montante e da localizao da compensao reativa.
Esta mudana do perfil de Z
P
tambm notada no comportamento da DH figura
C.9(b). Comprova-se que, com a presena de uma fonte harmnica de 3 ordem, a alocao
de 8 Mvar na barra B4 (C1) provoca maior distoro que nas outras configuraes. Isto
ocorre porque o pico da impedncia prpria bem acentuado na freqncia de 228 Hz,
prximo ao 3 harmnico. Se a FH de 5 ou 7 ordem, a instalao de 4 Mvar nas barras
B3 e B4 produz uma distoro mais significativa que nas outras devido aos picos de Z
P

prximos das freqncias destes harmnicos. Entretanto, se a fonte for de 9 ordem, o pior
caso quando se instala 8 Mvar em B3 (maior Z
P
nesta freqncia). Este comportamento
reflexo do formato da curva da impedncia prpria para cada configurao.
Conclui-se que, caso os limites de distoro harmnica estejam violados, alterando-
se o montante e/ou a localizao da compensao reativa de forma adequada, so obtidos
valores menores de distores devido proporcionalidade da impedncia prpria.

Questo 3: Constatar que a impedncia prpria da barra e a freqncia de ressonncia se
alteram com a variao da compensao reativa shunt capacitiva alocada na
barra (X
c
). Confirmar que, para uma mesma rede, quanto menor o capacitor
(Q
C
) maior o pico da impedncia prpria e mais plana a curva. Alm disso,
quanto maior a potncia reativa instalada mais proeminente o pico.
Motivao: Indicar como se comporta a impedncia prpria da barra com a variao da
compensao reativa shunt capacitiva alocada, com o objetivo de saber como
ser evitada a freqncia de ressonncia indesejada.
Z
p

(
p
u
)

D
H
I
V

(
%
)

Apndice C Estudos Bsicos sobre Harmnicos



189
A figura C.10 apresenta as curvas para diferentes capacitores alocados em uma
mesma barra. A menor freqncia de ressonncia ocorre com o banco de capacitor de
40 Mvar (96 Hz) e a maior com a compensao reativa de 1 Mvar (660 Hz). O maior pico
ocorre com a injeo de 1 Mvar e o mais acentuado, porm menos elevado, com o banco de
40 Mvar.

Impedncia P rpria da Barra 4
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ordem dos Harmnicos
1Mvar 2 Mvar
4 Mvar 8 Mvar
10 Mvar 12 Mvar
14 Mvar 16 Mvar
20 Mvar 30 Mvar
40 Mvar

Figura C.10. Variao do perfil da impedncia prpria devido modificao do montante da
compensao reativa shunt capacitiva de B4.
A figura C.10 mostra a importncia de se saber a ordem dos harmnicos inseridos no
sistema para que no se instale um capacitor que provoque uma freqncia de ressonncia
de tal ordem, amplificando os harmnicos.
Do exposto conclui-se que a fonte harmnica e a impedncia prpria da barra
exercem influncia na distoro harmnica e a Z
P
e a freqncia de ressonncia esto
diretamente relacionados com os parmetros da rede.
Z
p

(
p
u
)

Apndice D Restries Impostas pelo Setor Eltrico



190
Apndice D
Restries Impostas pelo Setor Eltrico
Neste apndice so descritas algumas restries impostas por resolues da ANEEL
(Agncia Nacional de Energia Eltrica) e pelos seguintes procedimentos de rede do ONS
(Operador Nacional do Sistema Eltrico) [ONS 04]:
Mdulo 2 Padres de Desempenho da Rede Bsica e Requisitos Mnimos para
suas Instalaes;
Submdulo 2.2 Padres de Desempenho da Rede Bsica;
Submdulo 2.8 Gerncia dos Indicadores de Desempenho de Rede Bsica;
Submdulo 3.8 Requisitos Mnimos para a Conexo Rede Bsica.

De especial interesse para este trabalho so as restries de tenso, fator de
potncia e distoro harmnica. Este apndice inclui tambm consideraes sobre a Norma
IEEE 519 com respeito a limites impostos aos nveis de correntes harmnicas.
D.1. Tenso em Regime Permanente
No que se refere aos valores de tenso em regime permanente, o padro de
desempenho da Rede Bsica, nos pontos de conexo, deve atender aos requisitos que
constam na resoluo da ANEEL N 505/2001. Segundo esta resoluo, os valores das
tenses nas barras devem estar entre aqueles indicados nas tabelas D.1, D.2 e D.3,
respectivamente, para os nveis de tenso iguais ou superiores a 230 kV, entre 69 kV e
230 kV e entre 1 kV e 69 kV.
Tabela D.1. Limites para os valores de tenso de nvel igual ou superior a 230 kV.
Classificao da Tenso Faixa de Variao da Tenso (pu)
Adequada 0,95 V 1,05
Precria 0,93 V 0,95 e 1,05 V 1,07
Crtica V < 0,93 e V > 1,07


Apndice D Restries Impostas pelo Setor Eltrico



191
Tabela D.2. Limites para os valores de tenso de nvel igual ou superior a 69 kV e inferior a 230 kV.
Classificao da Tenso Faixa de Variao da Tenso (pu)
Adequada 0,95 V 1,03
Precria 0,90 V 0,95 e 1,03 V 1,05
Crtica V < 0,90 e V > 1,05

Tabela D.3. Limites para os valores de tenso de nvel igual ou superior a 1 kV e inferior a 69 kV.
Classificao da Tenso Faixa de Variao da Tenso (pu)
Adequada 0,93 V 1,05
Precria 0,90 V 0,93
Crtica V < 0,90 e V > 1,05

A tenso eficaz, em intervalos de 10 minutos, monitorada continuamente, nos
pontos de conexo com a Rede Bsica, utilizando-se o sistema de medio de faturamento
e da medio. Em qualquer condio de carga, nos barramentos que no atendam
diretamente a consumidores e no sejam pontos de fronteira, os nveis de tenso podem ser
inferiores ou superiores aos valores estabelecidos na resoluo N 505/2001, desde que
respeitadas as limitaes dos equipamentos.
D.2. Fator de Potncia
Nos pontos de conexo Rede Bsica, os Acessantes devem manter o fator de
potncia dentro das faixas especificadas na tabela D.4, retirada do submdulo 3.8 [ONS 04].
Por Fator de Potncia Operacional entende-se a faixa de fator de potncia para a qual os
nveis de desempenho do sistema so garantidos, conforme o Mdulo 2 dos Procedimentos
de Rede.
Tabela D.4. Fator de Potncia Operacional nos pontos de conexo.
Tenso Nominal do Ponto de Conexo Faixa de Fator de Potncia
V
n
345 kV 0,98 indutivo a 1,0
69 kV V
n
< 345 kV 0,95 indutivo a 1,0
V
n
< 69 kV 0,92 indutivo a 0,92 capacitivo

Nos pontos de conexo com tenso igual ou superior a 69 kV, admite-se fator de
potncia indutivo ou capacitivo inferior aos valores estabelecidos na tabela D.4 nas
seguintes condies:
Apndice D Restries Impostas pelo Setor Eltrico



192
no onere a Rede Bsica por meio de reforos necessrios manuteno dos
padres de desempenho estabelecidos no Mdulo 2 dos Procedimentos de Rede;
no comprometa a segurana operativa da Rede Bsica, quando da adoo de
medidas operativas necessrias manuteno dos padres de desempenho
estabelecidos no Mdulo 2 dos Procedimentos de Rede;
no comprometa a otimizao eletro-energtica do sistema interligado;
no seja inferior a 0,92 nos trs casos acima.

A operao dos bancos de capacitores instalados para correo de fator de potncia
no deve provocar fenmenos transitrios ou ressonncias que prejudiquem o
desempenho do sistema ou de Agentes conectados Rede Bsica. Desta forma, devem
ser realizados estudos especficos complementares que avaliem o impacto destas manobras
nos padres de desempenho da Rede Bsica.
D.3. Distoro Harmnica
O indicador para avaliar o desempenho global quanto a harmnicos, em regime
permanente, nos barramentos da Rede Bsica, corresponde distoro de tenso
harmnica. Entende-se por Distoro de Tenso Harmnica Total (DTHT) a raiz quadrada
do somatrio quadrtico das tenses harmnicas de ordens 2 a 50. Esse conceito procura
quantificar o contedo harmnico total existente (equao D.1) em um determinado
barramento da Rede Bsica.

=
=
50
2
2
h
h
V DTHT
(em %)
(D.1)

Onde:
1
100
v
v
V
h
h
= a tenso harmnica de ordem h em porcentagem da fundamental;
v
h
a tenso harmnica de ordem h em volts;
v
1
a tenso fundamental nominal em volts.

Os padres globais de tenses harmnicas de ordens 2 a 50 so apresentados na
tabela D.5 (retirada do submdulo 2.2 [ONS 04]), bem como o padro para a DTHT.
O valor de cada indicador a ser comparado com o valor padro assim obtido:
Apndice D Restries Impostas pelo Setor Eltrico



193
Determina-se o valor que superado em apenas 5% dos registros obtidos no
perodo de 1 dia (24 horas), ao longo de 7 (sete) dias consecutivos;
O valor do indicador corresponde ao maior dentre os sete valores obtidos,
anteriormente, em base diria.

Tabela D.5. Limites globais de tenso expressos em porcentagem da tenso fundamental.
V < 69 kV V 69 kV
MPARES PARES MPARES PARES
ORDEM VALOR (%) ORDEM VALOR (%) ORDEM VALOR (%) ORDEM VALOR (%)
3, 5, 7 5% 2, 4, 6 2% 3, 5, 7 2% 2, 4, 6 1%
9, 11, 13 3% 8 1% 9, 11, 13 1,5% 8 0,5%
15 a 25 2% 15 a 25 1%
27 1% 27 0,5%
DHT
V
= 6% DHT
V
= 3%

Na definio destes limites, deve-se levar em considerao que, para cada ordem
harmnica h, a tenso harmnica resultante em qualquer ponto do sistema obtida da
combinao dos efeitos provocados por diferentes Agentes. Esses limites no devem ser
aplicados a fenmenos transitrios que resultem em injeo de correntes harmnicas,
como ocorre na energizao de transformadores.
Os Acessantes devem assegurar que a operao de seus equipamentos, bem como
outros efeitos dentro de suas instalaes, no causem distores harmnicas, no respectivo
ponto de conexo Rede Bsica, em nveis superiores aos limites individuais
estabelecidos no item para os indicadores de Distoro de Tenso Harmnica Individual e
Total definidos no Submdulo 2.2 [ONS 04].
Os limites individuais de tenses harmnicas de ordens 2 a 50, bem como o limite
para a Distoro de Tenso Harmnica Total (DTHT), so apresentados na tabela D.6
(retirada do submdulo 3.8 de [ONS 04]).
Tabela D.6. Limites individuais expressos em porcentagem da tenso fundamental.
13,8 kV V < 69 kV V 69 kV
MPARES PARES MPARES PARES
ORDEM VALOR (%) ORDEM VALOR (%) ORDEM VALOR (%) ORDEM VALOR (%)
3 a 25 1,5% todos 0,6% 3 a 25 0,6% todos 0,3%
27 0,7% 27 0,4%
DHT
V
= 3% DHT
V
= 1,5%
DTHT = Distoro Harmnica Total de Tenso
Apndice D Restries Impostas pelo Setor Eltrico



194
No caso em que determinadas ordens de tenso harmnica e/ou a distoro
harmnica total variem de forma intermitente e repetitiva, os limites especificados podem ser
ultrapassados em at o dobro, desde que a durao cumulativa acima dos limites contnuos
estabelecidos no ultrapasse 5% do perodo de monitorao.
Os limites da tabela D.6 no devem ser aplicados a fenmenos que resultem em
injeo de correntes harmnicas transitrias, como ocorre na energizao de
transformadores.
Se os limites individuais apresentados na tabela D.6 forem superados por Agente
Distribuidor, a ao corretiva deve se basear numa soluo de mnimo custo global
considerando a Rede Bsica e a de distribuio.
O submdulo 2.8 do Mdulo 2 dos Procedimentos de Rede [ONS 04] estabelece os
procedimentos relacionados com a gesto do desempenho deste indicador na Rede Bsica,
incluindo os procedimentos de medio e anlise.
D.4 Recomendao IEEE para Prticas e Requisitos para
Controle de Harmnicas no Sistema Eltrico de
Potncia: IEEE-519
Esta recomendao produzida pelo IEEE [IEEE 81] descreve os principais
fenmenos causadores de distoro harmnica, indica mtodos de medio e limites de
distoro. Os limites estabelecidos referem-se aos valores medidos no Ponto de
Acoplamento Comum (PAC), e no, em cada equipamento individual. A filosofia : No
interessa ao sistema o que ocorre dentro de uma instalao, mas sim o que ela reflete para
o exterior, ou seja, para os outros consumidores conectados mesma alimentao.
Os limites diferem de acordo com o nvel de tenso e com o nvel de curto-
circuito do PAC. Quanto maior for a corrente de curto-circuito (Icc) em relao corrente
de carga, maiores so as distores de corrente admissveis, uma vez que elas distorcero
em menor intensidade a tenso no PAC. medida que se eleva o nvel de tenso, menores
so os limites aceitveis.
A grandeza TDD (Total Demand Distortion) definida como a distoro harmnica
da corrente, em porcentagem da mxima demanda da corrente de carga de 15 ou 30
minutos. Isto significa que a medio da TDD deve ser feita no pico de consumo.
Harmnicas pares so limitadas a 25% dos valores das tabelas D.7, D.8 e D.9. Distores
de corrente que resultem em nvel CC no so admissveis.

Apndice D Restries Impostas pelo Setor Eltrico



195
Tabela D.7. Limites de distoro da corrente para sistemas de distribuio (120 V a 69 kV).
Mxima Corrente Harmnica em % da Corrente de Carga (Io Valor da Componente Fundamental)
Harmnica mpares
Icc/Io <11 11<n<17 17<n<23 23<n<35 35<n TDD(%)
<20 4 2 1,5 0,6 0,3 5
20<50 7 3,5 2,5 1 0,5 8
50<100 10 4,5 4 1,5 0,7 12
100<1000 12 5,5 5 2 1 15
>1000 15 7 6 2,5 1,4 20

Tabela D.8. Limites de distoro da corrente para sistemas de sub-distribuio (69001 V a 161 kV).
Limites para Harmnicas de Corrente de Cargas No-Lineares no PAC com Outras Cargas
Harmnicas mpares
Icc/Io <11 11<n<17 17<n<23 23<n<35 35<n TDD(%)
<20 2 1 0,75 0,3 0,15 2,5
20<50 3.5 1,75 1,25 0,5 0,25 4
50<100 5 2,25 2 0,75 0,35 6
100<1000 6 2,75 2,5 1 0,5 7,5
>1000 7.5 3,5 3 1,25 0,7 10

Tabela D.9. Limites de distoro de corrente para sistemas de alta tenso (>161kV)
e sistemas de gerao e co-gerao isolados.
Harmnicas mpares
Icc/Io <11 11<n<17 17<n<23 23<n<35 35<n THD(%)
<50 2 1 0,75 0,3 0,15 2,5
>50 3 1,5 1,15 0,45 0,22 3,75