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Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores

ELECTRNICA I
1
3. DODOS
3.1 Introduo
1883 the Edison & Swan United Electric Light Company
Sir Joseph Wilson Swan
1828-1914
Thomas Edison
1847-1931
Lampada de Edison
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3. DODOS
Efeito termoinico: nos metais, o aumento da temperatura origina um
aumento da libertao de eletres. (1873, Frederick Guthrie).
vcuo
-
- -
-
-
eletres
+
-
Ctodo
+
+
+
+
+
O efeito terminico foi acidentalmente redescoberto por Thomas Edison
em 1880, enquanto tentava descobrir a razo para a rutura de
filamentos da lmpada incandescente.
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3. DODOS
Dodo de Vcuo-Vlvula Retificadora
-
- -
-
+
-
Ctodo
+
-
-
- -
-
Corrente
nodo
-
- -
-
+
-
Ctodo
+
-
nodo
No passa corrente
Sir John Ambrose Fleming
1849-1945
http://www.radio-electronics.com
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
descobriu que o efeito poderia
ser usado para detetar sinais
de rdio
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Dodes de junes semicondutoras pn
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3.2 O Dodo ideal
O dodo constitui o elemento de circuito no-linear mais simples.
Tal como uma resistncia, o dodo tem dois terminais; contudo, ao contrrio da
resistncia que tem uma relao linear entre a corrente que a percorre e a tenso aos
seus terminais, o dodo tem uma caracterstica i-v no-linear.
Das muitas aplicaes dos dodos, o seu uso no projecto
de rectificadores (que convertem corrente alternada em
corrente contnua) a mais comum.
Ser estudado o princpio de funcionamento fsico da juno pn. Alm de ser um
dodo, a juno pn a base de muitos outros dispositivos de estado slido, incluindo
o transstor bipolar de juno, que ser estudado no captulo seguinte.
Comea-se o estudo dos dodos, considerando-o um elemento ideal, a fim de
apreendermos a essncia do seu funcionamento.
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3.2 O DODO IDEAL
O dodo ideal pode ser considerado o mais bsico elemento no linear.
Smbolo
Caracterstica i-v
Aplicao de uma tenso negativa
Circuito aberto
Dodo inversamente polarizado
Dodo directamente polarizado
Curto-circuito
ou em Conduo
Corte
Fig.1
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3.2 O DODO IDEAL
Da descrio anterior deve concluir-se que, quando o dodo est em conduo, o circuito externo
deve ser projectado para limitar a corrente do dodo, e quando est em corte, para limitar a tenso
inversa do dodo. A fig. 2 mostra dois circuitos que ilustram este ponto.
Fig. 2
figura 2a Dodo em conduo
mA
k R
V
i 10
1
10
= = =
figura 2b
Dodo em corte
i = 0 A
NOTA: Como, certamente, j se tornou evidente, a caracterstica i-v do dodo ideal altamente no
linear, pois consiste de dois segmentos de recta perpendiculares entre si. Uma curva no linear que
formada por segmentos de recta diz-se que uma curva de segmentos lineares.
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3.2 O DODO IDEAL APLICAO SIMPLES DODO RECTIFICADOR
Uma aplicao fundamental do dodo, que faz uso da sua caracterstica no linear, o circuito
rectificador. Admitamos que o dodo ideal e que a tenso de entrada v
I
uma sinuside (ver fig.3b).
Fig. 3
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3.2 O DODO IDEAL APLICAO SIMPLES DODO RECTIFICADOR
EXEMPLO
Para o circuito da figura 3a, represente a caracterstica de transferncia v
o
versus v
I.
.
Resposta
Para o circuito da figura 3a, represente a forma de onda para v
D.
.
Resposta
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3.2 O DODO IDEAL
APLICAO SIMPLES DODO RECTIFICADOR
EXERCCIO (CONT.)
Para o circuito da figura 3a, determine o valor de pico da corrente i
D
assumindo v
I
= 10 V e R = 1kO.
Determine, tambm, a componente dc de v
o
.
Resposta: 10 mA; 3.18 V.
EXEMPLO
A figura 4 ilustra um circuito para carregar uma bateria de 12 V. Se v
s
uma sinuside
com 24 V de valor de pico, determine (a) a fraco de cada ciclo em que o dodo conduz.
(b) determine o valor de pico da corrente e (c) a tenso mxima de polarizao inversa
que surge aos terminais do dodo.
|
) t ( sin ) ( e
m
V t v =
12=24 sin (|)
| = 30
120
a)
Fig.4
a)
f=(180-60)/360=0.33 ou 33% do tempo o dodo conduz
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3.2 O DODO IDEAL
APLICAO SIMPLES DODO RECTIFICADOR
EXEMPLO (CONT.)
b) A I
D
12 0
100
12 24
. =

=
c)
-
+
+ -
v
Dr
= 12 - (-24) = 36 V
v
Dr

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3.2 DODO IDEAL
APLICAO SIMPLES PORTAS LGICAS COM DODOS
Pode-se usar dodos e resistncias para implementar funes lgicas digitais. As fig. 5(a-b)
mostram duas portas lgicas com dodos.
Discusso Para ver como estes circuitos funcionam, consideremos
um sistema de lgica positiva em que valores da tenso
prximos de zero correspondem ao valor lgico 0 e
valores da tenso prximos de +5 V correspondem ao
valor lgico 1.
O circuito da fig. 5(a) tem trs entradas, v
A
, v
B
e v
C
. fcil
ver que dodos ligados a entradas de +5 V conduziro,
impondo, assim, para v
Y
um valor igual a +5 V. Esta tenso
positiva na sada manter os dodos cuja tenso de
entrada baixa (cerca de 0 V) em corte. Assim, a sada
ser 1 se uma ou mais entradas forem 1 e, portanto, o
circuito implementa a funo lgica OR, que em notao
booleana se exprime por,
Fig. 5
A
B
C
Y
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3.2 O DODO IDEAL
APLICAO SIMPLES PORTAS LGICAS COM DODOS (CONT.)
Analogamente, o circuito da fig. 5(b), como facilmente se mostra, implementa a funo lgica AND,
Fig. 5
Y = A . B
A
B
Y
Quando qualquer uma das entradas
tem valor lgico 0, o dodo conduz e
coloca em Y praticamente 0 V.
Quando todas as entradas esto a 5
V, os dodos esto todos em circuito
aberto, no existe corrente e Y tem 5
V.
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Assumindo que os dodos so ideais, calcule os valores de I e V nos circuitos da
figura 6.
3.2 O DODO IDEAL
APLICAO SIMPLES
EXEMPLOS
Fig. 6
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Procedimento a adoptar: (1) assumir um comportamento plausvel; (2)
proceder com a anlise; (3) verificar se a soluo obtida plausvel.
1
a
suposio: D1 e D2 esto em conduo
Concluso: D1 est em conduo, conforme assumido
originalmente, e o resultado final I = 1mA e V = 0V.
3.2 O DODO IDEAL
APLICAO SIMPLES
EXEMPLOS
V
B
= 0 e V = 0
Aplicando, agora, a lei dos ns a B, vem
I = 1 mA
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Adoptando o mesmo procedimento para a figura 6b
1
a
suposio: D
1
e D
2
esto em conduo.
3.2 O DODO IDEAL APLICAO SIMPLES
EXEMPLOS (CONT.)
V
B
= 0 e V = 0
Aplicando, agora, a lei dos ns a B, vem:
I = 1 mA.
impossvel
A suposio inicial est incorrecta.
Nova suposio: D
1
est ao corte e D
2
est em conduo
Tenso no n B: V
B
= 10 + 101,33 = +3,3V
Correcta
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Determine os valores de I e V nos circuitos a seguir.
3.2 O DODO IDEAL APLICAO SIMPLES
EXEMPLOS (CONT.)
Soluo:
a) 2 mA, 0 V; b) 0 mA; 5 V; c) 0 mA, 5 V
d) 2 mA, 0 V; e) 3 mA, + 3V; f) 4 mA, +1 V
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
A juno pn
Contacto metlico Contacto metlico
Silcio
Tipo p
Silcio
Tipo n
nodo Ctodo
Conceitos bsicos sobre semicondutores
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Silcio
Bolacha de silcio, com ~0.5 mm de
espessura
Pureza elevada 99.9999 %
Fabricao de bolachas de silcio
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Silcio intrnseco
Um cristal de silcio puro ou intrnseco, tem uma estrutura cristalina regular que
consiste na repetio regular em trs dimenses de uma clula unitria com a forma
de um tetraedro com um tomo em cada vrtice.
O tomo de silcio tetravalente, i.e., quatro dos seus eletres so eletres de
valncia. Cada eletro de valncia partilhado por dois tomos vizinhos, de forma
que cada tomo tem, aparentemente, oito eletres na ltima camada, a de valncia.
Conceitos bsicos sobre semicondutores
Tetraedro
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores silcio intrnseco
Os tomos so mantidos nas suas posies por ligaes, constitudas por dois
electres de valncia, chamadas ligaes covalentes.
Representao simblica bidimensional
da estrutura.
Para temperaturas baixas
Ausncia de electres livres
Para a temperatura ambiente
Probabilidade de existirem alguns electres livres Formao par electro-lacuna
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Estes electres livres e lacunas movem-se aleatoriamente atravs da estrutura
cristalina do silcio e, no desenvolvimento deste processo, alguns electres podem
preencher algumas lacunas. Este mecanismo, designado por recombinao. Origina
o desaparecimento de electres livres e de lacunas.
A concentrao de electres livres n igual concentrao de lacunas p para um
semicondutor intrnseco (silcio).
concentrao intrnseca.
kT E
i
g
e BT n
2 /
2 / 3

=
B = parmetro dependente do material = 7.3x10
15
(Si)

E
g
= energia da banda proibida (eV) =1.12 eV (silcio)
k= constante de Boltzmann (8.62x10
-5
eV/K)
T= temperatura (K)
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Semicondutores dopados.
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
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3. DODOS
Semicondutores dopados
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores
Semicondutores tipo n
Portadores maioritrios: eletres
Introduo de tomos de impurezas do grupo V (p.ex: fsforo)
Eletricamente ativos alojam-se na
estrutura regular do silcio
Se a concentrao de tomos dadores
(fsforo) for N
D
a concentrao de
eletres livres no silcio do tipo n em
equilbrio trmico, n
n
ser:




D n
N n =
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Semicondutores dopados.
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores
Em equilbrio trmico, o produto das concentraes de electres e lacunas
constante:
n
n
p
n
= n
i
2

D
i
n
N
n
p
2
=
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Semicondutores tipo p Portadores maioritrios: lacunas
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Introduo de tomos de impurezas do grupo III (p.ex: boro)
Se a concentrao de tomos
aceitadores (boro) for N
A
a
concentrao de lacunas no silcio do
tipo p, em equilbrio trmico, p
p
ser:


A p
N p =
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Difuso e deriva
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Corrente em semicondutores
Num cristal de silcio intrnseco, com concentraes uniformes de electres livres
e de lacunas, este movimento aleatrio no se traduz num fluxo ordenado de carga
(i.e., corrente).
Caso a concentrao de (por exemplo) electres livres seja maior numa parte do
cristal do que noutra, ento os electres difundir-se-o da regio de maior
concentrao para a regio de menor concentrao. Este processo de difuso d
origem a um fluxo ordenado de carga, a que chama corrente de difuso.
Existem dois mecanismos pelos quais os electres e as lacunas se movem atravs
de um cristal de silcio - difuso e deriva.
A difuso est associada ao movimento aleatrio devido agitao trmica.
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Exemplo
Difuso e deriva (Cont.)
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Corrente em semicondutores
perfil de concentrao de lacunas
A intensidade da corrente em cada ponto, proporcional inclinao da curva de
concentrao, ou gradiente de concentrao, nesse ponto. Assim, a densidade de
corrente de difuso de lacunas J
p
dada por:
D
p
(m
2
/s) - constante de difuso de lacunas (12 cm
2
/s).
D
n
(m
2
/s) - constante de difuso de electres (34 cm
2
/s).
(silcio intrnseco)
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O outro mecanismo de movimento de portadores nos semicondutores a deriva. A
deriva de portadores ocorre quando se aplica um campo eltrico atravs dum cristal
de silcio.
Deriva (drift)
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Corrente em semicondutores
Sob a aco de um campo elctrico, os electres livres e as lacunas so acelerados
e adquirem uma componente de velocidade (sobreposta velocidade da sua
agitao trmica), chamada velocidade de deriva.
Sob ao de um campo de intensidade E (V/m), as lacunas derivam na direo do
campo e adquirem velocidade dada por
Em que
p
(m
2
/V.s) a mobilidade das lacunas.
Para os electres,
Em que
n
(m
2
/V.s) a mobilidade dos electres.
V
E
lacunas
eletres
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Para silcio intrnseco

p
= 480 cm
2
/V.s

n
= 1350 cm
2
/V.s
Silcio dopado a 300 K
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Considere-se, agora, um cristal tendo uma densidade de lacunas p e uma densidade
de electres livres n, sujeito a um campo elctrico E
Densidade de carga positiva (na direco do campo) = q p (coulomb/cm
3
).
Velocidade de deriva =
p
E (cm/s)
Num segundo, a carga propagando-se atravs de uma seco A perpendicular ao
eixo x q p
p
E A (coulomb).
Dividindo pela rea da seco, obtm-se a densidade de corrente.
Clculo da densidade de corrente de deriva
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Deriva
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Corrente em semicondutores
Os electres livres derivam na direco oposta ao campo.
Tem-se, assim, uma carga de densidade (-qn) movendo-se na direco negativa de
x, com uma velocidade negativa (-
n
E ).
Corrente resultante positiva, com uma densidade
A densidade de corrente de deriva total (electres e lacunas)
com
condutividade do material
Para um semicondutor intrnseco n = p = n
i
, a condutividade intrnseca :
Sendo a resistividade
J
E
= =
o

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Resistividade do Silcio a 300K
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Relao de Einstein
T
p
p
n
n
V
D
D
= =

q
kT
V
T
=
Tenso trmica
Para T=300 K



mV V
T
9 . 25
10 602 . 1
300 10 3806503 . 1
19
23
=

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3.3.5 Juno p-n em circuito aberto
Primeiro considerar os 2 lados separadamente
Portadores
maioritrios
Portadores
maioritrios
Portadores
minoritrios
Portadores
minoritrios
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3.3.5 Juno p-n em circuito aberto
O que acontece quando as regies se juntam?
Longe da juno nada acontece. Longe da juno a regio continua neutra
Na juno, uma vez que a concentrao de lacunas elevada na regio p e baixa na
regio n, h lacunas que se difundem atravs da juno do lado p para o lado n;
analogamente, difundem-se eletres do lado n para o lado p. Forma-se uma regio
de carga espacial.
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3.3.5 Juno p-n em circuito aberto

Regio de depleo

As duas componentes de corrente
somam-se constituindo a corrente de
difuso I
D
cujo sentido do lado p para o
lado n.
As lacunas que se difundem atravs da juno para o lado n, recombinam-se
rapidamente com alguns dos eletres maioritrios a existentes, desaparecendo.
Este processo de recombinao provoca o desaparecimento de alguns eletres
livres do material do tipo n, originando que alguns dos ies positivos deixem de estar
neutralizados pelos eletres livres. Estes ies constituem uma carga que se diz
descoberta. Uma vez que a recombinao se verifica prximo da juno, neste local
que se constitui uma regio desprovida de eletres livres com uma certa carga
positiva, correspondendo aos ies positivos no neutralizados
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn em circuito aberto
Os electres que se difundem atravs da juno para o lado p recombinam-se
rapidamente com algumas das lacunas maioritrias deste cristal, deixando de ficar
livres. Isto leva tambm ao desaparecimento de algumas lacunas maioritrias,
originando que alguns ies negativos no sejam neutralizados.
Assim, do lado p, junto juno constitui-se uma regio desprovida de lacunas, com
uma certa carga negativa.
Devido difuso e recombinao, forma-se uma regio de ambos os lados da juno
esvaziada de portadores de carga e com carga positiva do lado n e carga negativa do
lado p. Esta regio denomina-se regio de depleo, ou ainda regio de carga
espacial.
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn em circuito aberto
A carga existente em ambos os lados da regio de
depleo origina o estabelecimento de um campo
elctrico atravs dessa regio. Consequentemente,
resulta uma diferena de potencial atravs da regio de
depleo, com o lado n positivo em relao ao lado p.
Este campo elctrico ope-se difuso de lacunas do lado
p para o lado n e de electres do lado n para o lado p. De
facto, a queda de tenso na regio de depleo actua como
uma barreira de potencial que tem de ser vencida pelas
lacunas para se difundirem para o lado n e pelos electres
para se difundirem para o lado p. Quanto maior for a
barreira de potencial, menor ser o nmero de portadores
que a conseguem vencer e, portanto, menor ser a
intensidade da corrente de difuso. Assim, a corrente de
difuso I
D
depende fortemente da queda de tenso V
0

atravs da regio de depleo.
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3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn em circuito aberto
A corrente de deriva I
S
e o equilbrio
Alm da componente I
D
devida difuso dos portadores maioritrios, existe uma outra
componente de corrente devida deriva dos portadores minoritrios atravs da juno.
De facto, algumas lacunas geradas termicamente no cristal n difundem-se ao longo dele at
atingirem a regio de depleo. Aqui, so acelerados pelo campo elctrico e introduzidos no lado p.
Analogamente, alguns dos electres minoritrios gerados termicamente no lado p difundem-se at
regio de depleo, onde, acelerados pelo campo elctrico penetram no lado n.
Estas duas componentes de corrente, electres movendo-se do lado p para o lado n e lacunas de n
para p, somam-se constituindo a corrente de deriva I
S
, cujo sentido do lado n para o lado p da
juno.
Uma vez que a corrente I
S
uma corrente de portadores minoritrios gerados termicamente, o
seu valor fortemente dependente da temperatura; contudo, independente do valor da queda de
tenso na regio de depleo, V
0
.
Com a juno em circuito aberto, no h corrente exterior; assim, as duas componentes opostas de
corrente atravs da juno devem ser iguais em grandeza: I
D
= I
S
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3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn em circuito aberto
Esta condio de equilbrio mantida pela barreira de potencial V
0
. Assim, se por qualquer razo I
D

exceder I
S
, ento mais carga elctrica ficar descoberta de ambos os lados da juno, a regio de
depleo alargar-se-, e a sua tenso (V
0
) aumentar. Isto far diminuir I
D
at que se atinja o
equilbrio com I
D
= I
S
. Por outro lado, se I
S
exceder I
D
, ento a quantidade de carga descoberta
diminuir, a regio de depleo estreitar-se- e a queda de tenso da barreira diminuir. Isto faz
I
D
aumentar at que se atinge o equilbrio com I
D
= I
S
.
A tenso nos terminais
Quando os terminais da juno pn esto em circuito aberto, a tenso
medida entre eles zero. Isto , a tenso V
0
da regio de depleo no
aparece nos terminais do dodo. Isto deve-se s tenses de contacto
existentes nas junes metal-semicondutor dos terminais do dodo que
neutralizam exactamente a barreira de potencial. Se assim no fosse,
seria possvel retirar energia da juno pn, o que, claramente, viola o
princpio da conservao da energia.
(Vo est tipicamente
entre 0,6 e 0,8 V para
a silcio)
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3. DODOS
Tenso de contato semicondutor metal
Diferena de tenso entre os 2 contatos zero
V
o
V
mp

V
V
mn
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3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn em circuito aberto
Largura da regio de depleo
A regio de depleo existe em ambos os materiais p e n e em quantidades de carga iguais de
ambos os lados.
Usualmente os nveis de dopagem dos cristais p e n no so iguais, pelo que a largura da regio
de depleo no ser igual nos dois lados.
Para que a carga descoberta seja igual, a largura da regio de depleo ter de ser maior do lado
com menor concentrao.
Designando a largura da regio de depleo em p por x
p
e no lado n por x
n
a condio de igual
carga dada por,
A x qN A x qN
n D p A
=
Na prtica, habitual um lado ser muito menos dopado do que o outro, resultando assim que a
regio de depleo exista praticamente em s um dos dois materiais semicondutores.
ou
D
A
p
n
N
N
x
x
= A = seco transversa da juno.
A largura da regio de depleo de
uma juno em circuito aberto
O
D A
s
dep
V
N N q
W
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
1 1 2c
c
s
=permitividade do silcio (11.7 c
o
)
Valores tpicos:
0.1 a 1 m
(3.50)
(3.49)
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45
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn inversamente polarizada
Juno pn excitada por uma fonte de
corrente constante, em vez de uma fonte de
tenso constante.
Admitamos que o valor de I menor do que
I
S
; se I for maior do que I
S
, ocorrer ruptura.
A corrente I consiste em electres fluindo no circuito exterior do cristal n para o
cristal p (i.e., no sentido oposto ao de I). Isto implica que electres saiam do cristal
n e lacunas do cristal p. Os electres livres que saem do cristal n provocam o
aumento da carga positiva descoberta junto da juno. Analogamente, as lacunas
que saem do material p originam o aumento da carga negativa descoberta.
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46
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn inversamente polarizada
Assim, a corrente inversa I implica num aumento da largura da regio de depleo
e da carga a armazenada. Isto, por sua vez, provoca o aumento da tenso da regio
de depleo, i.e., da barreira de potencial V
0
, o que faz diminuir a corrente de difuso
I
D
.
A corrente de deriva I
S
como independente da barreira de potencial, permanece
constante. Finalmente, ser atingido o equilbrio quando,


Em equilbrio, o aumento da tenso da regio de depleo aparecer como uma
tenso exterior entre os terminais do dodo, positiva de n para p (tenso V
R
).
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47
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn inversamente polarizada
Considere-se agora a juno pn submetida a uma tenso inversa V, com V menor do
que a tenso de rutura V
ZK
. No instante em que a tenso V aplicada, fli uma
corrente inversa no circuito exterior de p para n, que origina o aumento da largura e
da carga da regio de depleo. A certa altura, o aumento da tenso da barreira
atinge o valor da tenso exterior V, instante em que se estabelece o equilbrio com a
corrente inversa exterior igual a I
S
- I
D
. Note-se, contudo, que inicialmente a corrente
exterior pode ser muito maior do que I
S
. O objectivo deste transitrio inicial
carregar a regio de depleo e aumentar a queda de tenso de V volt.
Capacidade de depleo
V-se que h uma analogia entre a regio de depleo de uma juno pn e um
condensador. medida que varia a tenso da juno, varia correspondentemente a
carga armazenada na regio de depleo.
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3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores
Caracterstica da carga versus tenso externa tpica de uma juno pn.
A juno pn inversamente polarizada
Pode ser deduzida uma expresso para a carga (q
J
) armazenada na camada de
depleo, calculando a carga armazenada em qualquer um dos lados da juno.
Usando o lado n,
A x qN q q
n D N J
= =
dep
D A
D A
J
AW
N N
N N
q q
+
=
) (
R O
D A
s
dep
V V
N N q
W +
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
1 1 2c
A = seco transversa da juno
Usando a equao 3.49, x
n
pode ser representado em termos da largura da camada
de depleo. Assim,
Da equao 3.50 e substituindo V
O
por (V
O
+V
R
)
(3.51)
(3.52)
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49
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn inversamente polarizada
Combinando as equaes 3.51 e 3.52, extrai-se
a expresso para a relao no-linear q
J
V
R
.
Pode-se considerar o funcionamento em torno
de um ponto curva q-v (ponto Q) e definir a
capacidade de depleo para pequenos sinais ou
incremental Cj como a inclinao da curva q-v no
ponto de funcionamento, i.e.,
Q R
V V
R
J
j
dV
dq
C
=
=
Para determinar C
j
, pode calcular-se a derivada ou tratar a camada de depleo como
um condensador plano, obtendo-se a expresso conhecida:
dep
s
j
W
A
C
c
=
Com W
dep
dado pela equao 3.52.
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50
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn inversamente polarizada
A expresso resultante pode ser escrita na seguinte forma:
0
0
1
V
V
C
C
R
j
j
+
=
C
j0
o valor de C
j
obtido para uma tenso nula aplicada,
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|
=
0
0
1
2 V N N
N N q
A C
D A
D A s
j
c
Uma formula mais geral para C
j
:
m
R
j
j
V
V
C
C
|
|
.
|

\
|
+
=
0
0
1
m=constante cujo valor depende do modo como a
concentrao varia do lado p para o lado n da juno. Os
valores de m variam entre 1/3 e 1/2.
Resumindo, quando se aplica uma tenso inversa a uma juno pn, ocorre um
transitrio durante o qual a capacidade de depleo carregada nova tenso de
polarizao. Aps cessar o transitrio, a corrente inversa em regime permanente
simplesmente igual a I
S
-I
D
. Em geral, I
D
muito pequena quando o dodo est
polarizado inversamente, pelo que a corrente inversa aproximadamente igual a I
S
.
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51
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn na regio de ruptura
Admita-se que a juno excitada por uma fonte de corrente que fora uma
corrente I maior do que I
S
no sentido inverso.
Esta fonte de corrente far deslocar,
atravs do circuito exterior, lacunas do
cristal p para o cristal n (a corrente no
circuito exterior , obviamente, apenas
constituda por electres) e electres do
cristal n para o cristal p.
Esta aco alarga a regio de depleo e aumenta a barreira de potencial, o que faz
diminuir a corrente de difuso que, a certa altura, praticamente se anula. Isto,
contudo, no suficiente para que se estabelea um regime permanente, uma vez
que I maior do que I
S
. Assim, o processo de alargamento da regio de depleo
continua at que se desenvolve uma tenso na juno suficientemente elevada, para
a qual tem lugar um novo mecanismo de fornecimento dos portadores de carga
necessrios para garantir a corrente I.
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52
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn na regio de ruptura
Este mecanismo de fornecimento de corrente inversa superior a I
S
pode tomar
uma de duas formas, dependendo do material, estrutura e outras caractersticas da
juno pn: efeito de Zener e o efeito de avalanche .
.
Se a juno pn entra em rutura com V
Z
< 5 V, o mecanismo de rutura usualmente
o efeito de Zener. A rutura por avalanche ocorre quando V
Z
maior do que cerca de 7
V. Para junes que entram em rutura entre 5 e 7 V, o mecanismo pode ser quer o
efeito de Zener, quer o de avalanche, ou uma combinao dos dois.
O efeito de Zener ocorre quando o campo elctrico na regio de depleo atinge o
valor que permite quebrar ligaes covalentes (cerca de 106 V/cm, para o silcio),
gerando, desta forma, pares electro-lacuna. Os electres assim gerados so
varridos pelo campo elctrico para o lado n, e as lacunas para o lado p.
Consequentemente, estes electres e lacunas constituem uma corrente inversa
atravs da juno que contribui para a corrente exterior I.
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3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn na regio de rutura
Este mecanismo de fornecimento de corrente inversa superior a I
S
pode tomar
uma de duas formas, dependendo do material, estrutura e outras caractersticas da
juno pn: efeito de Zener e o efeito de avalanche .
.
Se a juno pn entra em rutura com V
Z
< 5 V, o mecanismo de rutura usualmente
o efeito de Zener. A rutura por avalanche ocorre quando V
Z
maior do que cerca de 7
V. Para junes que entram em rutura entre 5 e 7 V, o mecanismo pode ser quer o
efeito de Zener, quer o de avalanche, ou uma combinao dos dois.
O efeito de Zener ocorre quando o campo elctrico na regio de depleo atinge o
valor que permite quebrar ligaes covalentes (cerca de 106 V/cm, para o silcio),
gerando, desta forma, pares electro-lacuna. Os electres assim gerados so
varridos pelo campo elctrico para o lado n, e as lacunas para o lado p.
Consequentemente, estes electres e lacunas constituem uma corrente inversa
atravs da juno que contribui para a corrente exterior I.
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54
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
Os electres que constituem a corrente I no
circuito exterior, deslocam-se do lado p para o
lado n.

Isto d origem a fornecimento de portadores
maioritrios a ambos os lados da juno:
injeco de lacunas na regio p e de electres
n regio n.
Este afluxo de portadores maioritrios vai neutralizar parte dos ies da regio de
depleo, diminuindo a quantidade de carga a armazenada e, consequentemente,
diminuindo a sua largura, bem como a barreira de potencial.
I
D
aumenta at se atingir o equilbrio com I
D
- I
S
= I
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55
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
A reduo da barreira de potencial permite que mais lacunas atravessem a barreira
do lado p para o lado n, e electres do lado n para o lado p. Assim, a corrente de
difuso I
D
aumenta at se atingir o equilbrio com I
D
- I
S
= I.
Examine-se agora mais de perto o fluxo de corrente atravs da juno
directamente polarizada, em regime permanente. A barreira de potencial menor de
que V
0
de uma quantidade V que aparece aos terminais do dodo como uma queda de
tenso directa (i.e., com o nodo positivo relativamente ao ctodo de V volt). Devido
diminuio da barreira de potencial ou, alternativamente, devido queda de
tenso directa V, so injectadas lacunas atravs da juno no lado n e so injectados
electres no lado p.
As lacunas injectadas na regio n, fazem com que a concentrao de portadores
minoritrios nessa regio, p
n
, exceda o valor de equilbrio trmico, p
n0
. A
concentrao em excesso p
n
- p
n0
ser mxima junto da fronteira da regio de
depleo e decrescer (exponencialmente) com a distncia, tendendo para zero.
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56
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores
Distribuio de portadores minoritrios numa juno pn com polarizao directa.
A juno pn com polarizao directa
Em regime permanente, o perfil da
concentrao de portadores minoritrios
em excesso permanece constante e , de
facto, esta distribuio que justifica o
aumento da corrente de difuso I
D

relativamente ao valor I
S
. Na verdade, a
distribuio mostrada origina que as
lacunas minoritrias injectadas se difundam
a partir da juno ao longo da regio n e
desaparecendo gradualmente por
recombinao. Para manter o equilbrio,
necessrio que o circuito exterior fornea
uma quantidade igual de electres, i.e.,
repondo a concentrao global de electres
no lado n.
Fig. 3.50
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ELECTRNICA I
57
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
Consideraes semelhantes podem fazer-se para os electres minoritrios no lado
p. A corrente de difuso I
D
, evidentemente, a soma das componentes de lacunas e
de electres.
Relao corrente-tenso
Relao entre a concentrao de portadores minoritrios na vizinhana da regio de
depleo e a tenso de polarizao directa V.
T
V V
no n n
e p x p
/
) ( =
Lei da juno
A distribuio de concentrao de lacunas em excesso na regio n, uma funo
exponencialmente decrescente da distncia:
p n
L x x
no n n no n
e p x p p x p
/ ) (
] ) ( [ ) (

+ =
(3.58)
(3.59)
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ELECTRNICA I
58
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
p n
L x x
no n n no n
e p x p p x p
/ ) (
] ) ( [ ) (

+ =
L
p
= constante: determina a inclinao do decaimento exponencial.
Designada por comprimento de difuso das lacunas em silcio tipo n
Quanto menor for L
p
, mais rpida a recombinao das lacunas com os electres
maioritrios, resultando num decaimento acentuado da concentrao de portadores
minoritrios.
L
p
relacionado com um outro parmetro do semicondutor designado por tempo
de vida do portador minoritrio em excesso t
p
.

t
p
= tempo mdio necessrio para que uma lacuna injectada se recombine com um
electro (maioritrio).

p p p
D L t =
Valores tpicos para L
p
: 1 m 100 m
Valores tpicos para t
p
: 1ns 10 s
(3.60)
(D
p
a constante de difuso)

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ELECTRNICA I
59
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
A difuso das lacunas na regio n, d origem a uma corrente (lacunas), cuja
densidade pode ser calculada usando equaes 3.37 e 3.59.
p n
T
L x x
V V
no
p
p
p
e e p
L
D
q J
/ ) (
/
) (

= 1
O valor mais elevado de J
p
verifica-se para x=x
n

Decaimento devido recombinao com os electres.
Em regime permanente, os portadores maioritrios tero de ser re-preenchidos.
Os electres so fornecidos a partir do circuito externo para a regio n, a uma
taxa que conserve a corrente no valor constante verificado para x=x
n
.
Assim,
) (
/
1 =
T
V V
no
p
p
p
e p
L
D
q J
(3.61)
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60
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
Para os electres injectados atravs da juno no regio p, a densidade de
corrente de electres :
) (
/
1 =
T
V V
po
n
n
n
e n
L
D
q J
L
n
o comprimento de difuso dos electres na regio p.
Corrente total : soma das densidades de corrente J
p
e J
n
, multiplicada pela seco
transversa da juno.
) (
/
1
|
|
.
|

\
|
+ =
T
V V
n
po n
p
no p
e
L
n qD
L
p qD
A I
ou
) (
/
1
2

|
|
.
|

\
|
+ =
T
V V
A n
n
D p
p
i
e
N L
D
N L
D
Aqn I
com
D
i
no
N
n
p
2
=
e
A
i
po
N
n
n
2
=
(3.62)
(3.63)
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61
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
A equao (3.63) traduz a equao do dodo em que a corrente de saturao I
S

dada por

|
|
.
|

\
|
+ =
A n
n
D p
p
i S
N L
D
N L
D
Aqn I
2
I
S
directamente proporcional rea da juno A.
I
S
directamente proporcional a n
i
2
o qual funo da temperatura.
Capacidade de difuso
Em regime permanente, uma certa quantidade de portadores minoritrios
armazenada em cada uma das regies p e n.
Se a tenso aos terminais variar, esta carga vai variar at se atingir novo
regime permanente.
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ELECTRNICA I
62
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
Esta carga armazenada, d origem a um novo efeito capacitivo, diferente do
verificado devido carga armazenada na regio de depleo.
A carga positiva (lacunas) em excesso na regio n pode ser calculada a partir da
rea sombreada (exponencial) da figura 3.50.
Q
p
= A q x ( rea sombreada da exponencial p
n
(x)).
= A q x [p
n
(x
n
) - p
no
] L
p

Usando as equaes 3.58 e 3.61, permite representar
p
p
p
p
I
D
L
Q
2
=
onde I
p
= AJ
p
, a corrente de lacunas atravs da juno.
Usando a equao 3.60, pode-se substituir L
p
2
/D
p
= t
p
e obter
p p p
I Q t =
(3.65)
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63
3. DODOS
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
A carga negativa (electres) armazenada na regio p, representada de modo
semelhante:
n n n
I Q t =
(3.66)
t
n
o tempo de vida do electro na regio p.
Carga total
n n p p
I I Q t t + = I Q
T
t =
ou
Com
n p
I I I + =
t
T
= designado por tempo de propagao mdio do dodo.

Se N
A
>> N
D

p p n p p n p
Q Q Q Q I I I I t t ~ ~ >> ~ >>
T
e , , ,
Para pequenas variaes em torno do ponto de operao, pode ser definida a
capacidade de difuso para pequenos sinais (C
d
).
dV
dQ
C
d
= A qual pode ser representada por
I
V
C
T
T
d

|
|
.
|

\
|
=
t
(I - Corrente de funcionamento)
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ELECTRNICA I
64
3. DODOS
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
O estudo seguinte refere-se s caractersticas dos dodos reais - especificamente, dodos de juno
de semicondutor, feitos de silcio.

CONSIDERAES GERAIS
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
Fig. 6
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ELECTRNICA I
65
3. DODOS
A figura 7 representa a mesma caracterstica da fig. 6 com algumas escalas expandidas e outras
comprimidas para pr em evidncia alguns pormenores.
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
Trs regies distintas:
1. A regio de polarizao directa, determinada por v > 0
2. A regio de polarizao inversa, determinada por v < 0 mas > -V
ZK

3. A regio de rutura, determinada por v < -V
ZK

Fig. 7
1
2
3
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
66
3. DODOS
A regio de polarizao directa
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
A tenso terminal v positiva.
Nesta regio, a relao i - v pode ser aproximada por:
I
S
corrente de saturao inversa (ou corrente de escala: corrente
directamente proporcional rea da seco transversa do dodo).
I
S

uma constante para um dado dodo a uma dada temperatura.
Para dodos de pequenos sinais (aplicaes de baixa potncia): I
S
~ 10
15
A
I
S
: varia fortemente em funo da temperatura. (I
S
duplica de valor a cada
aumento de 5
o
C na temperatura, aproximadamente).
V
T
: tenso trmica (constante):
k: constante de Boltzmann = 1,3810
-23
J/K
T: temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em
o
C.
q: carga do electro = 1,6010
-19
C
q
kT
V
T
=
( ) 1
/
=
T
nV v
s
e I i
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ELECTRNICA I
67
3. DODOS
temperatura ambiente (20C) o valor de V
T
25,2 mV.
Em clculos aproximados, tomaremos V
T
25 mV temperatura ambiente.
A constante n tem um valor entre 1 e 2, dependendo do material e da estrutura
fsica do dodo.
Dodos realizados pelo processo normal de fabrico de circuitos integrados tm n= 1
em condies normais de funcionamento.
Dodos discretos, normalmente tm n = 2.
Em geral assume-se n =1, quando nada especificado em contrrio.
A regio de polarizao directa
3.4 O DODO REAL
Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
Para correntes directas de valor aprecivel, especificamente para i >> I
S
:
s
T
nV v
s
I
i
nV v e I i
T
ln
/
~ ~
( ) 1
/
=
T
nV v
s
e I i
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ELECTRNICA I
68
3. DODOS
A regio de polarizao directa,
3.4 O DODO REAL
Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.

/
T
nV v
s
e I i ~
s
T
I
i
nV v ln ~
Considere-se a relao i - v : ou
Calcule-se a corrente I
1
correspondente a uma tenso V
1
:
T
nV V
s
e I I
/
1
1
=
Analogamente, se a tenso for V
2
, a corrente do dodo I
2
ser:
T
nV V
s
e I I
/
2
2
=
Estas duas equaes podem ser combinadas, resultando:

/ ) (
1
2
1 2 T
nV V V
e
I
I

=
|
|
.
|

\
|
=
1
2
1 2
ln
I
I
nV V V
T
ou ou na forma de logaritmo base 10
|
|
.
|

\
|
=
1
2
1 2
log 3 . 2
I
I
V n V V
T
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3. DODOS
|
|
.
|

\
|
=
1
2
1 2
3 2
I
I
V n V V
T
log .
A regio de polarizao directa,
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
Esta equao estabelece, simplesmente, que para uma variao de uma dcada
(factor de 10) na corrente, a queda de tenso no dodo varia de 2.3nV
T
, que ,
aproximadamente, 60 mV para n = 1 e 120 mV para n = 2.
Isto sugere que a relao i-v do dodo mais adequadamente representada em
escala semi-logartmica.
Usando o eixo vertical, linear, para v, e o horizontal, logartmico, para i, obtm-se
uma recta com a inclinao 2.3nV
T
por dcada de corrente.
A simples observao da caracterstica i-v na regio directa (fig. 7) revela que a
corrente tem um valor desprezvel para v menor do que cerca de 0.5 V. Este valor ,
usualmente, referido como tenso limiar de conduo.
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ELECTRNICA I
70
3. DODOS
Dodo directamente polarizado em conduo total: queda de tenso entre 0.6 e
0.8V, aproximadamente.
usual utilizar 0.7V em modelos de dodos (de silcio).

A regio de polarizao directa,
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
Dodos com diferentes correntes nominais de operao (ou seja, com reas
diferentes e, consequentemente, I
S
diferentes), exibem esta queda de 0.7V.
Por exemplo
Dodos de pequenos sinais: 0.7V para i = 1mA
Dodos de alta potncia: 0.7V para i = 1A.
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ELECTRNICA I
71
3. DODOS
A regio de polarizao directa,
3.4 O DODO REAL
Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
EXEMPLO
Um dodo de silcio de 1mA possui uma queda de tenso directa de
0,7V para a corrente de 1mA. (a) Avalie a corrente de escala de juno I
S

no caso de se ter n=1 ou n=2. (b) Determine, tambm, que constantes
de escala seriam aplicveis para um dodo de 1A do mesmo fabricante
que conduz 1A com 0,7V.
T T
nV v
s
nV v
s
e i I e I i
/ /

~ ~
Resoluo
(a)
(b) O dodo conduzindo 1A com 0,7V, corresponde a 1000 dodos de 1mA em
paralelo, com uma rea de juno 1000 vezes maior I
S
1000 vezes maior, 1pA
e 1A para n = 1 e n = 2, respectivamente. valor de n muito importante!
A A e I
s
15 16 25 700 3
10 10 9 6 10

~ = = ,
/
n =1:
A A e I
s
9 10 50 700 3
10 10 3 6 10

~ = = ,
/
n = 2:
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ELECTRNICA I
72
3. DODOS
I
S
e V
T
variam com a temperatura a caracterstica i-v directa varia,
tambm, com a temperatura.
Para uma corrente constante no dodo, a queda de tenso aos seus
terminais decresce de aproximadamente 2mV para cada aumento de
1
o
C na temperatura.
A regio de polarizao directa,
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio.
A variao na tenso no dodo tem
sido explorada no projecto de
termmetros electrnicos.
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ELECTRNICA I
73
3. DODOS
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio. regio de polarizao inversa
Entra-se na regio de polarizao inversa quando a tenso v negativa.
De acordo com
Se v < 0 e diversas vezes maior do que V
T
em amplitude o termo
exponencial da expresso da corrente no dodo torna-se desprezvel i ~ I
S
: a
corrente de polarizao inversa constante e igual a I
S
.
Em dodos reais: a corrente inversa >> I
S
. Por exemplo, um dodo cujo I
s
seja da
ordem de 10
-14
a 10
-15
A, pode apresentar uma corrente inversa de 1nA.
A corrente inversa tambm aumenta um pouco com o aumento da tenso de
polarizao inversa.
Corrente inversa: proporcional rea da juno (assim como I
S
).
Dependncia com a temperatura: a corrente inversa duplica para cada aumento
de 10

C na temperatura, aproxim. (I
S
duplica para cada aumento de 5
o
C na
temperatura).
( ) 1
/
=
T
nV v
s
e I i
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ELECTRNICA I
74
3. DODOS
O dodo no circuito da figura 9 um
dispositivo de elevada corrente, cuja
corrente de polarizao inversa
razoavelmente independente da tenso
aplicada. Se V = 1V a 20
o
C, determine o
valor de V a 40
o
C e a 0
o
C.
Resposta: 4V; 0,25V.
3.4 O DODO REAL Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio. regio de polarizao inversa
EXERCCIO 3.9 (SEDRA)
Fig. 9
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
75
3. DODOS
3.4 O DODO REAL
Caractersticas terminais dos dodos de juno
Caracterstica i-v de um dodo de juno de silcio. regio de rutura
A terceira regio distinta de funcionamento
do dodo, que pode facilmente ser
identificada na caracterstica i-v da fig. 7, a
regio de rutura. O dodo entra na regio de
rutura quando a tenso inversa ultrapassa
um dado valor limite especfico de cada dodo
particular, chamado tenso de rutura. Trata-
se da tenso do joelho da curva i-v da fig.
7, e designa-se V
ZK
, em que Z se refere a
Zener (cientista que contribuiu para o
conhecimento deste efeito) e K a inicial da
palavra inglesa knee - joelho.
Na regio de rutura, a corrente inversa cresce rapidamente, sendo o aumento da
queda de tenso muito pequeno. A rutura do dodo no normalmente destrutiva,
desde que a dissipao de potncia no dodo seja mantida pelo circuito exterior
dentro de um limite seguro. Este valor seguro habitualmente dado nas
especificaes do dispositivo. Utilizao do dodo em regulao de tenso.
Fig.7
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
76
3. DODOS
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
Operao na regio de polarizao directa.
Considere-se o circuito da fig. 10, que consiste numa fonte contnua V
DD
, uma
resistncia R e um dodo.
Objectivo: clculo da corrente I
D
e da tenso V
D
do dodo.
Se V
DD
maior do que 0,5 V I
D
>> I
S

caracterstica i-v dada pela relao exponencial
A equao que rege o funcionamento do circuito obtida aplicando a lei de Kirchhoff
malha:
T D
nV V
S D
e I I
/
=
Nota: Admitindo que os parmetros I
S
e n do dodo so
conhecidos, as duas incgnitas nas Eqs. (1) e (2) so I
D
e V
D
.
As duas formas alternativas de obter a soluo so a anlise
grfica e a anlise iterativa.
(1)
(2)
Fig.10
Modelo Exponencial
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ELECTRNICA I
77
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa. Modelos simplificados (rectas)
Apesar da relao exponencial i-v
ser um modelo rigoroso da
caracterstica do dodo na regio
directa, a sua natureza no linear
complica a anlise dos circuitos com
dodos. Pode-se simplificar
grandemente a anlise se se utilizar
relaes lineares para descrever as
caractersticas terminais do dodo. A
fig. 12 ilustra uma tentativa neste
sentido, onde a curva exponencial
aproximada por duas rectas, a recta
A com inclinao nula e a recta B
com inclinao 1/ r
D
.
Caracterstica
exponencial
Recta A
Recta B
Fig. 12
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
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ELECTRNICA I
78
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa. Modelos simplificados
NOTA: Para este dodo em particular, na gama de correntes de 0,1 a 10 mA, as
tenses correspondentes ao modelo de rectas lineares diferem das correspondentes
ao modelo exponencial em menos de 50 mV. Obviamente, a escolha destas duas
rectas no nica; pode obter-se uma aproximao melhor restringindo a gama de
correntes para a qual se pretende a aproximao.
Caracterstica
exponencial
Recta A
Recta B
Para este exemplo:
Valores aproximados
modelo de rectas lineares
(3)
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
79
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa. Modelos de rectas lineares
O modelo de rectas lineares descrito pelas Eqs. (3) pode ser representado pelo
circuito equivalente da fig. 13. Note-se que se incluiu um dodo ideal para impor que
a corrente i
D
flua apenas no sentido directo.
Fig. 13
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
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ELECTRNICA I
80
3. DODOS
Repita-se o exemplo 3.4 utilizando o modelo de rectas lineares cujos parmetros so
dados na fig. 12 (V
D0
= 0,65 V, r
D
= 20 ). Note-se que as caractersticas
representadas nesta figura so as do dodo descrito nesse exemplo (1 mA a 0,7 V e
0,1 V/dcada).
Substituindo o dodo do circuito da fig. 10 pelo modelo equivalente da fig. 13, resulta
o circuito da fig. 14, do qual resulta para I
D
a seguinte expresso:
Operao na regio de polarizao directa. Modelos de rectas lineares
EXEMPLO 3.5
A tenso no dodo calculada por,
Fig. 14
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
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ELECTRNICA I
81
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa. Modelo de queda de tenso constante
Uso de uma recta vertical como aproximao curva exponencial.
O modelo resultante indica que um
dodo em conduo exibe uma queda de
tenso constante V
D
, cujo valor usual
0.7 V.
Note-se que para o dodo em
particular, cujas caractersticas esto
representadas na fig. 15, este modelo
prev a tenso do dodo com um erro de
0,1 V, para uma gama de correntes de
0,1 a 10 mA.
Fig. 15
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
82
3. DODOS
Esquema equivalente para o modelo de tenso constante
Operao na regio de polarizao directa. Modelo de queda de tenso constante
Uso de uma recta vertical como aproximao curva exponencial.
Usando este modelo para resolver o exemplo atrs considerado, obtm-se,
que no muito diferente dos valores obtidos com os modelos mais elaborados.
3.5 Modelos do dodo polarizado diretamente
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
83
3. DODOS
Transformador

50
230
Dodo
rectificador
Filtragem
Regulador
de tenso
Carga
Para uma tenso contnua de 5 V tipicamente necessria uma tenso secundria
de 8 V de valor eficaz.
1 BLOCO Transformao
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
84
3. DODOS
Modelo de aproximao por segmentos lineares
Rectificador de meia-onda
Caracterstica de transferncia do
Circuito rectificador
(a)
(b)
Fig. 3.25
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
85
3. DODOS
Em muitas aplicaes, r
D
<<R, pelo que a equao (b) pode ser simplificada:
V
D0
= 0,7 ou 0,8 V. com
Tenso de sada para uma entrada v
S
sinusoidal.
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
86
3. DODOS
Seleco de dodos para o projecto de rectificadores: dois parmetros importantes:
Capacidade de conduo de
corrente exigida ao dodo
Corrente mxima que o dodo
tenha de conduzir.
Tenso de pico inversa (PIV)
Tenso mxima inversa que se espera
que o dodo suporte sem ruptura.
Determinada pela tenso inversa que
esperada surgir no dodo.
Para o circuito rectificador da fig.3.25a
Quando v
S
negativa
o dodo est ao corte e v
O
zero
Nota: conveniente, por prudncia, escolher um dodo com uma tenso de ruptura pelo menos
50% superior PIV esperada.
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
87
3. DODOS

Rectificador de onda completa
Para uma sada d.c., o rectificador tem de inverter os meios ciclos negativos.
Nota: 1) quando a tenso da rede (que alimenta o primrio) positiva, ambos
os sinais designados por v
S
sero positivos: D
1
conduz e D
2
est ao corte.
2) Quando a tenso da rede negativa, ambas as tenses designadas
por v
S
sero negativas: D
1
est ao corte e D
2
conduz.
Importante: A corrente fli sempre no mesmo sentido na resistncia R.
v
O
unipolar.
2 BLOCO
Fig. 3.26
-
+
+
-
+
-
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
88
3. DODOS

Rectificador de onda completa
Desprezando o efeito da resistncia do dodo r
D
, a caracterstica de transferncia
do rectificador de onda completa, ilustrada na figura (b) .
Determinao da PIV D
1
conduz e D
2
est ao corte (ciclos positivos) exemplo
A tenso no ctodo de D
2
v
O
e a do seu nodo -v
S
. A tenso inversa atravs de
D
2
(v
O
+v
S
) a qual estar no seu valor mximo quando v
O
estiver no seu valor de
pico de (V
S
- V
D
) e v
S
no seu valor de pico de V
s
:
Cerca duas vezes o valor do rectificador de meia onda.
D s
V V PIV = 2
Fig. 3.26
-
+
+
-
+
-
2 BLOCO
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
89
3. DODOS

Rectificador de onda completa
Alternativa Rectificador em ponte
Vantagem: Ausncia de ponto mdio
no transformador

Desvantagem: Maior nmero de dodos
Ao longo da parte positiva da tenso de entrada, v
S
positiva, pelo que a corrente fli atravs do
dodo D
1
, da resistncia R e do dodo D
2
. Os dodos D
3
e D
4
esto ao corte.
Ao longo da parte negativa da tenso de entrada, a tenso do secundrio v
S
ser negativa e, assim,
-v
S
ser positiva, forando a corrente a fluir atravs de D
3
, R e D
4
, enquanto os dodos D
1
e D
2
esto
ao corte. Em ambos os meios ciclos, a corrente fli atravs de R no mesmo sentido e, portanto, v
O

ser sempre positiva, como se indica na fig. (b).
Fig. 3.27
2 BLOCO
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
90
3. DODOS
Rectificador de onda completa
Alternativa Rectificador em ponte
Determinao da PIV Considere-se o circuito durante os ciclos positivos
A tenso inversa atravs de D
3
pode ser determinada na malha formada por D
3
, R e
D
2
, como sendo:
valor mximo de v
D3
ocorre para o
mximo de v
O
e dada por:
D s D D s
V V V V V PIV = + = 2
2 BLOCO
-
+
-
+
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
91
3. DODOS
Vantagem:
O valor do PIV cerca de metade do valor do rectificador de onda completa com
dois dodos.
Rectificador de onda completa
Rectificador em ponte
Rectificador com um condensador de filtragem - O rectificador de pico
A natureza pulsante da tenso de sada dos circuitos rectificadores atrs
analisados no permite que sejam utilizados como fonte de alimentao para
circuitos electrnicos.
Forma simples de reduzir a variao da tenso de sada:
ligar um condensador em paralelo com a carga: condensador de filtragem.
2 BLOCO
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
92
3. DODOS

FILTRAGEM
Dodo ideal
Fig. 3.28
O condensador
conserva a carga
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
93
3. DODOS
Um circuito mais realista corresponde a ter-se uma resistncia de carga R em
paralelo com o condensador C.

FILTRAGEM
Dodo ideal
(1)
(2)
Fig. 3.29
(Dodo em conduo)
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
94
3. DODOS
FILTRAGEM
Nota: Afim de manter a tenso de sada a
nveis aceitveis, C deve ter um valor tal
que a constante de tempo RC seja muito
maior do que o intervalo de descarga.
O dodo comea a conduzir no instante
t
1
em que a entrada v
I
iguala a sada
exponencialmente decrescente v
O
.
A conduo termina em t
2
, a seguir ao
pico de v
I
; o valor exacto de t
2
pode ser
determinado fazendo i
D
= 0 na Eq. 2.
No fim do intervalo de descarga, que
dura quase todo o perodo T, v
O
= V
p
- V
r
,
em que V
r
a ondulao da tenso
(tenso de ripple), pico-a-pico.
Quando RC >> T o valor de V
r

pequeno.
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
95
3. DODOS
FILTRAGEM
Quando V
r
pequeno, v
O
praticamente constante e igual ao valor de pico de v
I
.
Assim, a tenso contnua de sada aproximadamente igual a V
p
.
A corrente i
L
praticamente constante e a sua componente contnua I
L
dada por:
Pode obter-se uma expresso mais rigorosa para a tenso contnua de sada,
tomando a mdia dos valores extremos de v
O
,
Tendo em conta estas observaes, podemos agora derivar expresses para V
r
e
para os valores mdio e de pico da corrente no dodo.
Durante o intervalo de corte do dodo, v
O
pode ser expresso por:
(3)
(4)
(5)
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
96
3. DODOS
No fim do intervalo de descarga,
FILTRAGEM
Uma vez que RC >> T, podemos usar a aproximao e
-T/RC
1 - T/RC.
Ou em funo da frequncia
Como
fC
I
V
L
r
=
Usando a fig. 3.29(b) e admitindo que a conduo do dodo cessa prximo do pico
de v
I
, podemos determinar o intervalo de conduo t a partir de,
Uma vez que (t) um ngulo pequeno, podemos empregar a aproximao
cos (t) 1 - ( t)
2
para obter
(6)
(7)
(8)
(9)
Nota: quando V
r
<< V
p
, o ngulo de conduo eAt ser pequeno.
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
97
3. DODOS
FILTRAGEM
Valor mdio da corrente durante a conduo
Relao entre a carga fornecida ao condensador e a carga dispendida no processo de
descarga:
Da equao (2)
L Cav Dav
I i i + =
(10)
(11)
Usando eq. 7 e 9
Nota: Quando V
r
<<V
p
, a corrente mdia no dodo durante a conduo muito
maior do que a corrente contnua na carga.
(12)
t
r
Cav
V C
i
A
=
Conduz a
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
98
3. DODOS
A i
Dmx
, pode ser determinada calculando a expresso da Eq. 2 no instante de incio
da conduo do dodo, isto , para t = t
1
= -t (considerando que o pico se verifica
para t = 0).
FILTRAGEM
Valor de pico da corrente do dodo
(13)
Das Eqs. (12) e (13) vemos que para V
r
<< V
p
, i
Dmx
2 i
Dav
, (ver fig. 3.29c).
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
99
3. DODOS
EXEMPLO 3.9
Considere um rectificador de meia onda alimentado por uma onda sinusoidal de valor
de pico V
P
=100V, 50Hz. Sabendo que o valor da carga R = 10kO. Determine:
a) O valor da capacidade C que resulta num ripple (pico-a-pico) de 2V.
b) A fraco do ciclo, durante o qual o dodo est em conduo.
c) Os valores mdio e de pico da corrente no dodo.
RESOLUO
(a) De F
R f V
V
C
r
P
100
10 10 50 2
100

3
=

= =

(b) O ngulo de conduo obtido a partir da eq. 9
= 0.2 rad
Assim, o dodo conduz em (0.2/2t) x100 = 3.18% do ciclo.
3.6 Circuitos Retificadores
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ELECTRNICA I
100
3. DODOS
EXEMPLO 3.9 (Cont.)
(c) A corrente mdia no dodo obtida atravs da eq. 12.
Com I
L
= 100/10k =10 mA
= 324 mA
A corrente de pico no dodo obtida atravs da eq. 13.
= 638 mA
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
101
3. DODOS
Como no caso do rectificador de meia-onda, a tenso contnua de sada ser quase
igual ao valor de pico da sinuside de entrada.
A tenso de ondulao pico-a-pico, para este caso, pode ser deduzida usando um
procedimento idntico ao anterior, mas com o perodo de descarga T substitudo
por T/2, obtendo-se:
Onda completa
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
102
3. DODOS
Onda completa
O intervalo de conduo, t, continua a ser dado pela Eq. 9.
As correntes mdia e de pico de cada um dos dodos so dadas por,
CONCLUSES
Comparando estas expresses com as suas correspondentes do caso de meia-onda,
nota-se que, para os mesmos valores de V
p
, f, R e V
r
(e, assim, para a mesma I
L
),
necessrio um condensador com metade do valor verificado para o rectificador de
meia-onda. Tambm a corrente em cada dodo no rectificador de onda completa
aproximadamente metade da que fli no dodo do circuito de meia-onda.
A anlise anterior admitiu dodos ideais. A preciso dos resultados pode ser
melhorada tendo em conta a queda de tenso dos dodos. Isto pode fazer-se
facilmente substituindo a tenso de pico V
p
qual o condensador se carrega por V
p
-
V
D
para o circuito de meia-onda e para o circuito de onda completa com
transformador com ponto mdio, e por V
p
- 2V
D
para o rectificador em ponte.
3.6 Circuitos Retificadores
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
103
3. DODOS
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
104
3. DODOS
3.7 Modelo Exponencial
Operao na regio de polarizao directa.
Considere-se o circuito da fig. 10, que consiste numa fonte contnua V
DD
, uma
resistncia R e um dodo.
Objectivo: clculo da corrente I
D
e da tenso V
D
do dodo.
Se V
DD
maior do que 0,5 V I
D
>> I
S

caracterstica i-v dada pela relao exponencial
A equao que rege o funcionamento do circuito obtida aplicando a lei de Kirchhoff
malha:
T D
nV V
S D
e I I
/
=
Nota: Admitindo que os parmetros I
S
e n do dodo so
conhecidos, as duas incgnitas nas Eqs. (1) e (2) so I
D
e V
D
.
As duas formas alternativas de obter a soluo so a anlise
grfica e a anlise iterativa.
(1)
(2)
Fig.10
Modelo Exponencial
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
105
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa.
Anlise grfica usando o modelo exponencial
A anlise grfica realiza-se fazendo o traado
das expresses das Eqs. (1) e (2) no plano i-v.
T D
nV V
S D
e I I
/
=
Q
Ponto de operao
Recta de carga
Fig. 11
3.7 Modelo Exponencial
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
106
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa.
Anlise iterativa
Considere-se o circuito da fig. 10, e calcule-se os valores de I
D
e V
D
, admitindo que
V
DD
= 5 V e R = 1 k. Admita-se tambm que o dodo tem uma corrente de 1 mA para
uma tenso de 0,7 V e que a queda de tenso varia de 0,1 V por cada dcada de
variao da corrente.
EXEMPLO 3.4
Admitindo que V
D
= 0,7 V e usando a Eq. (2), vem
para a corrente,
Resoluo
Usa-se, agora, a equao do dodo para obter uma melhor estimativa para V
D
, na
forma:
|
|
.
|

\
|
=
1
2
1 2
3 2
I
I
V n V V
T
log .
Para este caso: 2.3 n V
T
= 0.1 V (n=2)
1 Iterao
3.7 Modelo Exponencial
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ELECTRNICA I
107
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa.
Anlise iterativa EXEMPLO (cont.)
Assim,
Substituindo V
1
= 0,7 V, I
1
= 1 mA e I
2
= 4,3 mA resulta V
2
= 0,763 V.
2 Iterao
Procedendo de forma similar:
Assim, a segunda iterao conduz a I
D

= 4,237 mA e V
D

= 0,762 V. Uma vez que estes valores no so
muito diferentes dos valores obtidos aps a primeira iterao, no se justifica continuar, pelo que a
soluo ser I
D

= 4,237 mA e V
D

= 0,762 V.
3.7 Modelos exponencial
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ELECTRNICA I
108
3. DODOS
3.8 Anlise para pequenos sinais
Operao na regio de polarizao directa.
O modelo para pequenos sinais.

H aplicaes em que um dodo polarizado para funcionar num ponto da sua
caracterstica i-v directa com um pequeno sinal ac sobreposto ao nvel contnuo.
Procedimentos
1 - Clculo do ponto de operao (V
D
e I
D
). O modelo da queda de tenso constante
o mais utilizado.
2 - Para uma operao de pequeno sinal em torno do ponto de polarizao dc,
mais adequado modelar o dodo por uma resistncia igual ao inverso da inclinao
da tangente caracterstica i-v.
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ELECTRNICA I
109
3. DODOS
3.8 Anlise para pequenos sinais

Sinal triangular
Caso 1- Ausncia de sinal (v
d
(t))
Tenso no dodo = V
D

Corrente no dodo (dc):
T D
nV V
S D
e I I
/
=
(1)
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110
3. DODOS

Caso 2 - Aplicao do sinal (v
d
(t))
tenso instantnea total do dodo v
D
(t):
(2)
corrente instantnea total do dodo i
D
(t):
T D
nV v
S D
e I t i
/
) ( =
(3)
Substituindo o valor de v
D
:
T d D
nV v V
S D
e I t i
/ ) (
) (
+
=
ou
T d T D
nV v nV V
S D
e e I t i
/ /
) ( =
T d
nV v
D D
e I t i
/
) ( =
Se a amplitude do sinal v
d
(t) for suficientemente pequena, tal que:
(4)
1 <<
T
d
v n
v

Expanso da exponencial de (4) numa srie (considerando os 2 primeiros termos):
|
|
.
|

\
|
+ ~
T
d
D D
V n
v
I t i

) ( 1
Aproximao para pequenos sinais
3.8 Anlise para pequenos sinais
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
111
3. DODOS
3.8 Anlise para pequenos sinais

Caso 2 - Aplicao do sinal (v
d
(t)) (Cont.)
|
|
.
|

\
|
+ ~
T
d
D D
V n
v
I t i

) ( 1 validade
Sinais < 10 mV para n=2
Sinais < 5 mV para n=1
Nota: V
T
= 25 mV.
(5)
d
T
D
D D
v
V n
I
I t i

) ( + =
sobreposta componente contnua I
D
temos uma
componente de sinal directamente proporcional ao sinal de
tenso v
d
.
com d
T
D
d
v
V n
I
i

=
condutncia para pequenos sinais do dodo.
resistncia para pequenos sinais, r
d

D
T
d
I
V n
r

=
Nota: o valor de r
d
inversamente proporcional corrente de polarizao I
D
.
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ELECTRNICA I
112
3. DODOS
A aproximao de pequenos sinais permite-nos separar a anlise em dc da anlise
para sinais.

Caso 2 - Aplicao do sinal (v
d
(t)) Processo de anlise
Processo: 1) Eliminam-se todas as fontes dc, aps a anlise em dc.
2) Substitui-se o dodo pela sua resistncia de pequenos sinais r
d
.
3) A partir do circuito equivalente para pequenos sinais, a tenso de
sinal do dodo obtida usando um divisor de tenso.
Considere o circuito onde R = 10 k e a fonte de alimentao
V
+
tem um valor contnuo de 10 V ao qual est sobreposto um
sinal sinusoidal de 50 Hz com 1 V de amplitude.
EXEMPLO 3.6
CALCULE: a) A tenso dc no dodo.
b) A amplitude do sinal sinusoidal sobreposto.
Admita que o dodo tem uma tenso de
0,7 V para 1 mA, e que n = 2.
3.8 Anlise para pequenos sinais
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ELECTRNICA I
113
3. DODOS
3.8 Anlise para pequenos sinais

EXEMPLO 3.6 (cont.) RESOLUO
Considerando apenas valores dc e admitindo que V
D
=0,7 V.
~ 1 mA V
D
= 0.7 V
Ponto de operao
(b) Usando o divisor de tenso
mV
r R
r
V v
d
d
s d
35 5
0538 0 10
0538 0
1 .
.
.
=
+
=
+
=
(a)
D
T
d
I
V n
r

=
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114
3. DODOS
Operao na regio de polarizao directa. EXERCCIO D3.12
Projecte o circuito mostrado, por forma a proporcionar uma tenso de sada de 2.4 V.
Assuma que os dodos possuem uma queda de tenso de 0.7 V a 1mA e que V
T
=60
mV.
3.8 Anlise para pequenos sinais
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ELECTRNICA I
115
3. DODOS

regulao de tenso
Um regulador de tenso um circuito cujo objectivo fornecer uma tenso
contnua constante nos seus terminais de sada. A tenso de sada deve permanecer
to constante quanto possvel, independentemente:
a) das variaes da corrente de carga fornecida pelo terminal de sada do
regulador.
b) das variaes da tenso da fonte dc que alimenta o circuito regulador.
Uma vez que a tenso directa do dodo se mantm aproximadamente constante e
igual a 0,7 V, enquanto a corrente varia consideravelmente, um dodo polarizado
directamente pode realizar um regulador de tenso simples.
Como exemplo, no exerccio 3.6, enquanto a fonte de alimentao de 10 V tinha
uma ondulao de 2 V pico-a-pico (10% de variao), a ondulao correspondente
na tenso do dodo era apenas de 5,35 mV (ou 0,8% de variao (5,35/700)).
Pode-se obter tenses reguladas superiores a 0,7 V, ligando vrios dodos em srie.
3.8 Anlise para pequenos sinais
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ELECTRNICA I
116
3. DODOS

regulao de tenso
EXEMPLO 3.7
Considere o seguinte circuito, constitudo por trs dodos, para fornecer uma
tenso de 2.1 V.
Determine a variao, em percentagem, desta tenso regulada devido:
(a) A uma variao de 10% na tenso da fonte.
(b) ligao de uma carga de 1kO
Assuma n=2.
SOLUO:
Sem carga, o valor nominal da corrente na srie de
dodos dada por
(a)
3.8 Anlise para pequenos sinais
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
117
3. DODOS
Cada dodo ter uma resistncia para pequenos sinais:

regulao de tenso
EXEMPLO 3.7
Para n=2
Para os trs dodos em srie:
Usando o divisor de tenso:
variao pico-a-pico na tenso de sada
Variao de apenas 0,9% (18,5 mV).
Visto que tal implica uma variao de cerca de 6.2mV por dodo, o modelo para
pequenos sinais usado, justificado.
(a) Cont.
D
T
d
I
V n
r

=
3.8 Anlise para pequenos sinais
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ELECTRNICA I
118
3. DODOS

regulao de tenso
EXEMPLO 3.7 (b)
Ligao da resistncia de carga de 1 k
Valor da corrente solicitado aproximado a 2.1 mA.
Uma diminuio da tenso nos terminais da srie de
dodos dada por

v
o
= -2,1m r = -2,1m 18,9 = -39,7 mV
Ou seja a tenso de cada dodo diminui de cerca de 13,2 mV.
3.8 Anlise para pequenos sinais
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
119
3. DODOS

O grande declive que a curva i-v do dodo exibe na regio de ruptura, com
tenso praticamente constante, sugere que dodos funcionando na regio de
ruptura podem ser usados no projecto de reguladores de tenso (dodo de zener).
Smbolo
A corrente fli do ctodo para o nodo e o ctodo positiva em
relao ao nodo.
Especificao e modelizao dos dodos de Zener
Para correntes superiores corrente do joelho
(I
ZK
, especificada pelos fabricantes nas folhas de
dados dos dodos de Zener), a caracterstica i-v
praticamente uma recta.
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
120
3. DODOS

Os fabricantes geralmente especificam o valor da tenso do dodo V
Z
para uma
corrente de teste particular I
ZT
. Ponto Q na figura.
Por exemplo, um dodo de Zener de 6,8 V
apresentar uma tenso de 6,8 V para uma
dada corrente de teste, digamos, 10 mA.
Quando a corrente se afasta de de I
ZT
, a tenso
do dodo varia, ainda que ligeiramente.
Para uma variao da corrente I, a tenso
varia de V, que se relaciona com I atravs da
relao:
Resistncia incremental ou dinmica do dodo de Zener
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
121
3. DODOS
Tipicamente, r
z
pode ter valores da ordem de alguns ohms a algumas dezenas de
ohms. Quanto menor for o valor de r
z
mais constante ser a tenso do zener face
variao da corrente, e mais prximo do ideal ser o seu desempenho.

r
z
pequena e praticamente constante para uma grande gama de correntes, o seu
valor varia consideravelmente na vizinhana do joelho.
Evitar que o zener funcione nesta regio de baixa corrente.
Os dodos de Zener so fabricados com tenses V
Z
na gama de alguns volt a
algumas centenas de volt. Alm de especificar V
Z
(para uma dada corrente I
ZT
), r
z
, e
I
ZK
, os fabricantes tambm especificam a potncia mxima que o dispositivo pode
dissipar com segurana.
Exemplo.
Um zener de 6,8 V, 0,5 W pode funcionar em segurana com correntes at um
mximo de 70 mA.
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
122
3. DODOS

Modelizao
Aplica-se para I
Z
> I
ZK
e, obviamente, para V
Z
> V
Z0
.
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
123
3. DODOS

Modelizao
Considere-se o circuito mostrado em (a), em que o zener tem V
Z
= 6,8 V para I
Z
=5mA, r
z
= 20
e I
ZK
= 0,2 mA. A fonte de alimentao V
+
tem o valor nominal de 10 V mas pode variar de 1 V.
Determine:
a) V
O
, em vazio, com V
+
ao seu valor nominal.
b) A variao em V
O
, resultante da variao de 1V em V
+
. Nota:
(AV
O
/AV
+
) conhecida por regulao de linha em mV/V.
c) A variao em V
O
, resultante da ligao da resistncia de carga R
L
, que
conduz uma corrente I
L
=1mA, e a regulao de carga ((AV
O
/AI
L
) em
mV/mA.
d) A variao em V
O
, quando R
L
= 2kO.
e) V
O
, quando R
L
= 0.5kO
f) Qual o valor mnimo de R
L
para o qual o dodo ainda opera na regio de
ruptura?
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
124
3. DODOS

Modelizao EXEMPLO (Cont.) RESOLUO
a) Clculo de V
ZO

6.8 V 20 O
5 mA
V
ZO
= 6.7V
A corrente atravs do Zener,
em vazio:
Assim,
b) Para uma variao de 1 V em
V
+
, a variao na tenso sada :
Regulao de linha
(AV
O
/AV
+
) = 38.5 mV/V
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
125
3. DODOS

Modelizao EXEMPLO (Cont.) RESOLUO
(c)
Quando se liga uma resistncia de carga que percorrida por uma corrente de
1 mA, a corrente no Zener decresce desse valor. A correspondente variao da
Tenso no Zener :
AV
O
= r
z
AI
z
= 20 x (-1m) = - 20 mV Regulao de carga mV/mA 20
0
=
A
A
L
I
V
d) A variao de V
O
em resultado de se ligar uma resistncia de carga R
L
= 2 k.
Com a carga ligada, a corrente de carga ser aproximadamente 6,8/2 k = 3,4 mA.
Assim, a variao da corrente do zener ser I
Z
=-3,4 mA e a correspondente
variao na tenso do zener, ser:
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
126
3. DODOS

Modelizao EXEMPLO (Cont.) RESOLUO
e) R
L
= 0,5 k.

A corrente na carga seria 6,8/0,5 k = 13,6 mA.
Isto no possvel. A corrente I atravs de R apenas 6,35 mA (para
V
+
=10 V). Isto , o facto de a carga pedir uma corrente superior que o
circuito pode fornecer, indicador de que o zener deve estar em corte.
Admitindo que assim . Ento V
O
determinada pelo divisor formado
por R
L
e R, i.e.,
Esta tenso inferior tenso de rutura do zener, assim o zener no
est, de facto, a funcionar na regio de rutura portanto est em corte.
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
127
3. DODOS
Modelizao EXEMPLO (Cont.) RESOLUO
f) Valor mnimo de R
L
para o qual o dodo ainda funciona na regio de rutura.
Para que o zener esteja no limiar da regio de ruptura, i.e. I
Z
= I
ZK
= 0,2 mA e V
Z

V
ZK
6,7 V. Neste ponto, a corrente fornecida atravs de R (9 - 6,7)/0,5k = 4,6
mA, pelo que a corrente na carga no pode exceder 4,6m-0,2m =4,4 mA. O
correspondente valor de R
L
,
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
128
3. DODOS
Efeito da temperatura
A dependncia da tenso de Zener V
Z
com a temperatura especificada em termos do seu
coeficiente de temperatura TC, que usualmente expresso em mV/C.
O valor do TC depende da tenso de Zener e, para um dado dodo, varia com a corrente do
ponto de funcionamento. Os zeners cuja V
Z
inferior a cerca de 5 V exibem um TC negativo; os
zeners com tenses superiores tm TC positivo.

Uma tcnica habitualmente usada para obter uma referncia de tenso com baixo coeficiente
de temperatura ligar um zener com um TC positivo de cerca de 2 mV/C em srie com um
dodo em conduo directa. Uma vez que o dodo em conduo directa tem uma queda de tenso
0,7 V e um TC de cerca de -2 mV/C, a combinao srie dos dois permitir obter uma tenso
de (V
Z
+0,7) com um TC aproximadamente nulo.
3.9 Operao na regio de rutura, dodo de Zener
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
129
3. DODOS
Para tenses de entrada dentro de uma certa
gama L
-
/K v
I
L
+
/K, o limitador comporta-se
como um circuito linear, fornecendo uma tenso de
sada proporcional entrada, v
O
= K v
I
.
Caracterstica de transferncia de um circuito limitador.
Se v
I
exceder o limiar superior (L
+
/K), a tenso de sada limitada ou fixada no
nvel superior de limitao L
+
. Por outro lado, se v
I
se tornar inferior ao limiar
inferior de limitao (L
-
/K), a tenso de sada v
O
limitada ao nvel inferior de
limitao L
-
.
Limitadores passivos ( K s 1)
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
130
3. DODOS
Limitador duro Transies abruptas
Fig. 3.32
Fig. 3.33
O limitador funciona em ambos os picos (positivo e negativo) da onda de entrada
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
131
3. DODOS

CIRCUITOS LIMITADORES Limitador duplo
Caracterizada por transies suaves entre a regio linear e as regies de
saturao, e uma inclinao no nula, maior do que zero, nas regies de saturao.
Limitao suave
Fig. 3.34
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
132
3. DODOS
Aplicaes
Sistemas de processamento de sinal.
CIRCUITOS LIMITADORES
Os dodos podem ser combinados com resistncias para implementar realizaes
simples da funo limitadora.
Caractersticas de transferncia, obtidas usando o modelo de queda de tenso
constante (V
D
= 0,7 V) para o dodo, mas admitindo uma transio suave entre as
regies linear e de saturao da caracterstica.
Fig. 3.35
Para v
I
< 0,5 V, o dodo est em corte.
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
133
3. DODOS
Usando o modelo de rectas lineares para o dodo, podem obter-se melhores
aproximaes para as caractersticas de transferncia. Neste caso, a regio de
saturao das caractersticas apresentar uma ligeira inclinao (devido ao efeito de
r
D
).
CIRCUITOS LIMITADORES
Limitao dupla
Para a gama -0,5 V v
I
0,5 V,
ambos os dodos esto em corte e v
O
= v
I
.
Obteno limiares superiores
EXEMPLOS (CONT.)
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
134
3. DODOS
CIRCUITOS LIMITADORES
Obteno de limiares superiores usando dodos zener
EXEMPLOS (CONT.)
EXERCCIO
Assumindo os dodos ideais, represente a
caracterstica de transferncia do circuito.
5 5 2
2
1
5 5 2
2
1
5
+ > + =
s =
+ s s =
I I o
I I o
I i o
v v v
v v v
v v v
para .
para .
5 - para
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
135
3. DODOS
CIRCUITOS RECUPERADORES DE NVEL DC (CIRCUITO FIXADOR)
Considere-se o circuito rectificador de pico bsico, e tome-se a sada aos
terminais do dodo em vez de o fazer aos terminais do condensador.
O condensador carrega-se tenso v
C
, igual amplitude do pico mais negativo do
sinal de entrada (neste exemplo 6V).
Em seguida, o dodo entra em corte e o condensador retm a sua tenso
indefinidamente.
A tenso de sada dada por:
A sada ser uma onda quadrada com nveis de 0 e +10 V (fig. c).
Fig. 3.36
Invertendo a polaridade do dodo, obtm-se uma forma de onda de sada cujo pico
superior fixado em 0 V.
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
136
3. DODOS
Ligao de uma resistncia de carga R em paralelo com o dodo num circuito
recuperador de DC.
Para uma tenso positiva, circula corrente atravs de R, proveniente do
condensador, levando, assim, este a descarregar-se e a tenso de sada a decrescer,
como se mostra na fig. (c), para uma onda quadrada de entrada.
Fig. 3.37
CIRCUITOS RECUPERADORES DE NVEL DC (CIRCUITO FIXADOR)
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
137
3. DODOS
Durante o intervalo de t
0
a t
1
a tenso de sada diminui exponencialmente com a
constante de tempo RC. No instante t
1
a entrada diminui bruscamente de V
a
e a sada
acompanha essa transio, tornando-se negativa. Como consequncia, o dodo
conduz fortemente e carrega o condensador rapidamente pois a constante de tempo
essencialmente determinada pela baixa resistncia do dodo.
No final do intervalo t
1
a t
2
, a tenso de sada algumas dcimas de volts negativa
(p.ex: -0.5V).
Quando a tenso de entrada aumenta para V
a
, em t
2
, a sada acompanha essa
variao, repetindo-se o ciclo.
Em regime permanente, a carga perdida pelo condensador durante o intervalo de t
0
a t
1
recuperada durante o intervalo de t
1
e t
2
.
CIRCUITOS RECUPERADORES DE NVEL DC (CIRCUITO FIXADOR)
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
138
3. DODOS
DUPLICADOR DE TENSO
A fig. 3.38 mostra um circuito composto de duas seces em cascata: um fixador
formado por C
1
e D
1
, e um rectificador de pico formado por D
2
e C
2
.
Quando submetido a um sinal sinusoidal de amplitude V
p
, a seco fixadora
fornece a forma de onda representada na fig. (b).
Uma vez que a tenso de sada dupla do pico da entrada, o circuito
conhecido como duplicador de tenso.
(fig. 3.38)
3.10 Circuitos com dodos
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
139
3. DODOS
Anlise de circuitos com dodos
Considere o circuito rectificador da fig. 1, alimentado por uma tenso sinusoidal de valor eficaz
220 V e frequncia 50 Hz. Os dodos, em conduo directa tm V
D
= 0,7 V.
a) Calcule o valor da capacidade de modo a que a ondulao residual da respectiva tenso seja
inferior a 1 V.

Exerccio
Fig.1
Fig.2
Considere o circuito regulador da fig. 2, alimentado por uma tenso rectificada que pode variar entre 10 e 11
V. O dodo zener tem r
Z
= 10 , I
ZK
= 1 mA, V
Z
= 5,6 V e I
Z
= 20 mA.
a) Calcule o valor mximo admissvel para R para que o circuito seja capaz de fornecer uma corrente de 10
mA carga, com regulao.
b) Admitindo R = 390 e R
L
= 1 k, determine os valores mximo e mnimo da tenso na carga.
Exerccio
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
140
3. DODOS
Considere o circuito da figura seguinte onde tambm se representa a caracterstica do zener. A
tenso de conduo directa de ambos os dodos 0,7 V.
a) Determine o valor da ondulao residual (ripple) da tenso aos terminais do condensador e do
Zener.
b) Indique qual o valor mnimo da resistncia R
2
para que o zener ainda tenha condies de
regulao.
Anlise de circuitos com dodos
Exerccio
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA I
141
3. DODOS
O DODO REAL Anlise de circuitos com dodos
Exerccio
Considere o circuito da Fig. Obtenha a caracterstica de transferncia de tenso do circuito, supondo os
dodos ideais e vi(t) = 20 sen t (v).
AC
DC DC
D1
D2
12V 10V
+
-
6kO
12 kO 12 kO
+
-
Vo Vi
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ELECTRNICA I
142
3. DODOS
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PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
Conceitos bsicos sobre semicondutores A juno pn com polarizao directa
Exerccio 3.34
Um dodo possui uma concentrao N
A
=10
17
/cm
3
, N
D
=10
16
/cm
3
, n
i
=1.5x10
10
/cm
3
, L
p
=5 m, L
n
=
10 m, A=2500 m
2
, D
p
(na regio n) =10 cm
2
/V.s; e D
n
(na regio p) =18 cm
2
/V.s. O dodo
directamente polarizado e conduz uma corrente I=0.1 mA.
Determine:
a) I
S.

b) A tenso de polarizao directa.
c) As componentes da corrente I, devido injeco de lacunas e injeco de electres
atravs da juno.
d) t
p
e t
n
.
e) A carga (lacunas) na regio n Q
p
; a carga (electres) na regio p Q
n
; a carga total
minoritria armazenada Q e o tempo de propagao t
T
.
f) A capacidade de difuso.
Resposta: (a) 2x10
-15
A; (b) 0.616 V; (c) 91.7 A, 8.3 A; (d) 25 ns, 55.6 ns; (e) 2.29 pC, 0.46 pC,
2.75 pC, 27.5 ns; (f) 110 pF.
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Considere uma juno de 3m x 5m, directamente polarizada, com N
A
=10
17
/cm
3
,
N
D
=10
16
/cm
3
, e n
i
=1.5x10
10
/cm
3
em que se verificam tempos de vida t
p
= 1ns e t
n

= 2ns, com mobilidades de lacunas e electres de 400 cm
2
/V.s e 1100 cm
2
/V.s,
respectivamente. Determine:
a. I
s
.
b. As correntes transportadas pelas lacunas e electres, admitindo que o dodo
conduz uma corrente de 1 mA.
c. A carga armazenada devido aos portadores minoritrios.
d. O tempo de propagao mdio do dodo.
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO FSICO DOS DODOS
EXERCCIO
Resposta: (a) 6,03x10
-17
A; (b) 896 A, 104 A; (c) 0,896 pC, 0,208 pC; (d) 1,1 ns.