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Engenharia de Computação DC UFSCar

Circuitos Eletrônicos

Diodos Semicondutores

Prof. Dr. Edilson Reis R. Kato

Adaptado das notas de aula do livro:

Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos 8a Edição

Robert L. Boylestad Louis Nashelsky

notas de aula do livro: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos 8a Edição Robert L. Boylestad

Diodos

O mais simples dispositivo semicondutor

Diodos O mais simples dispositivo semicondutor É um dispositivo de 2 terminais

É um dispositivo de 2 terminais

Diodos O mais simples dispositivo semicondutor É um dispositivo de 2 terminais

Operação Básica

Idealmente conduz corrente em somente uma direção

Básica Idealmente conduz corrente em somente uma direção e age como uma chave aberta quando polarizado

e age como uma chave aberta quando polarizado inversamente

Básica Idealmente conduz corrente em somente uma direção e age como uma chave aberta quando polarizado

Caracteristicas de um diodo ideal: Região de Condução

Caracteristicas de um diodo ideal: Região de Condução Olhe o eixo vertical! Na região de condução,

Olhe o eixo vertical!

Na região de condução, idealmente

a voltage através do diodo é 0V,

a corrente é ,

• a resistência direta (RF) é definida como RF = VF/IF,

• o diodo age como uma chave fechada.

é  , • a resistência direta (R F ) é definida como R F =

Caracteristicas de um diodo ideal : Região de Não - Condução

de um diodo ideal : Região de Não - Condução Olhe o eixo horizontal! Na região

Olhe o eixo horizontal! Na região de não condução, idealmente

• toda a tensão está através do diodo,

• a corrente é 0A,

• a resistência reversa (RR) é definida como RR = VR/IR,

• o diodo age como uma chave aberta.

é 0A, • a resistência reversa (R R ) é definida como R R = V

Exercícios

1 descreva com suas próprias palavras o significado da palavra ideal aplicada a um dispositivo ou sistema.

da palavra ideal aplicada a um dispositivo ou sistema. 3 – Qual a principal diferença entre

3 Qual a principal diferença entre as características de uma chave simples e as de um

diodo ideal?

ou sistema. 3 – Qual a principal diferença entre as características de uma chave simples e
ou sistema. 3 – Qual a principal diferença entre as características de uma chave simples e

Resistividade

Resistividade R = ρ . l/A ρ = resistividade de um material l = comprimento (cm)

R = ρ. l/A

ρ = resistividade de um material l = comprimento (cm) A = área (cm 2 ) Condutor ρ = 10 -6 -cm (cobre) Semicondutor ρ = 50 -cm (germânio) Semicondutor ρ = 50 x 10 3 -cm (silicio) Isolante ρ = 10 12 -cm (mica)

-cm (germânio) Semicondutor  ρ = 50 x 10 3 Ω -cm (silicio) Isolante  ρ

Exercícios

5 (a) Utilizando a tabela 1.1 determine a resistência em um amostra de silício que tenha uma área de 1 cm 2 e um comprimento de 3 cm;

(b) Repita o item a se o comprimento for de 1 cm e a área de 4 cm 2 ;

(c) Repita o item a se o comprimento for de 8 cm e a área de 0,5 cm 2 ;

(b) Repita o item a para o cobre e compare os resultados;

item a se o comprimento for de 8 cm e a área de 0,5 cm 2
item a se o comprimento for de 8 cm e a área de 0,5 cm 2

Materiais Semicondutores

Materiais comuns utilizados nos dispositivos semicondutores:

• Germanio (Ge)

• Silicio (Si)
• Silicio (Si)
Materiais Semicondutores Materiais comuns utilizados nos dispositivos semicondutores: • Germanio (Ge) • Silicio (Si)

Dopagem

As características elétricas do Silício e do Germânio são aumentadas com a inclusão de materiais adicionais em um processo chamado de dopagem.

Os materiais adicionais são de dois tipos:

• tipo-n (pentavalentes = antimônio, arsênio e o fósforo) • tipo-p (trivalentes = boro, gálio e índio)

tipos: • tipo -n (pentavalentes = antimônio, arsênio e o fósforo) • tipo -p (trivalentes =
tipos: • tipo -n (pentavalentes = antimônio, arsênio e o fósforo) • tipo -p (trivalentes =
tipos: • tipo -n (pentavalentes = antimônio, arsênio e o fósforo) • tipo -p (trivalentes =

tipo-n versus tipo-p

tipo-n torna o Silício (ou Germanio) mais negativo. tipo-p torna o Silício (ou Germanio) mais positivo.

Juntando o tipo-n e o tipo-p de Silicio (ou Germanio) temos uma junção p-n.

o Silício (ou Germanio) mais positivo. Juntando o tipo-n e o tipo-p de Silicio (ou Germanio)
o Silício (ou Germanio) mais positivo. Juntando o tipo-n e o tipo-p de Silicio (ou Germanio)

Junção p-n

Quando os materiais são juntados, a carga negativa dos átomos do lado tipo-n são atraías para o lado dos átomos carregados positivamente do tipo-p.

Os elétrons do material tipo-n migram através da junção do material do tipo-p (fluxo de eletrons). Ou pode-se dizer que as lacunas (holes) do material do tipo-p migram através da junção para o lado do material tipo-n (fluxo de corrente convencional).

O resultado é a formação de uma camada de depleção em volta da junção.

p n
p
n

depletion

layer

corrente convencional). O resultado é a formação de uma camada de depleção em volta da junção.

Região de Depleção

Região de Depleção
Região de Depleção

Condições de Operação

• Sem Polarização (No Bias)

• Polarização Direta (Forward Bias)

• Polarização Reversa (Reverse Bias)

• Sem Polarização (No Bias) • Polarização Direta (Forward Bias) • Polarização Reversa (Reverse Bias)

Condição Sem Polarização

Nenhuma voltagem externa é aplicada: V D = 0V e nenhuma corrente está fluindo I D = 0A.

é aplicada: V D = 0V e nenhuma corrente está fluindo I D = 0A. Existe

Existe somente uma modesta camada de depleção.

é aplicada: V D = 0V e nenhuma corrente está fluindo I D = 0A. Existe

Condição de Polarização Reversa

A voltagem externa é aplicada através da junção p-n em polaridade oposta dos materiais tipo-p e tipo-n.

Isso causa uma larga camada de depleção. Os elétrons no material tipo-n são atraídos em

direção ao terminal positivo e as lacunas no

material tipo-p são atraídas em direção ao terminal negativo.

em direção ao terminal positivo e as lacunas no material tipo-p são atraídas em direção ao

Condições de Operação

• Polarização Reversa (Reverse Bias):

Is = corrente de saturação reversa

(corrente do fluxo de portadores minoritários)

Polarização Reversa (Reverse Bias): Is = corrente de saturação reversa (corrente do fluxo de portadores minoritários)

Condição de Polarização Direta

A tensão externa é aplicada através da junção p-n na mesma polaridade dos materiais tipo-p e tipo-n.

A camada de depleção é fina. Os elétrons trafegam do material tipo-n e as lacunas através do material tip-p possuindo energia suficiente para atravessar a junção.

do material tipo-n e as lacunas através do material tip-p possuindo energia suficiente para atravessar a
do material tipo-n e as lacunas através do material tip-p possuindo energia suficiente para atravessar a

Condições de Operação

• Polarização Direta (Forward Bias):

ID = Is(e kV D /T K - 1)

ou ID = Is.e kV D /T K - Is

Is = Corrente de saturação reversa

k = 11.600/η com η = 1 para o Ge e 2 para o Si em níveis relativamente baixos de corrente do diodo (ou abaixo do joelho da curva) e η = 1 para Ge e Si para níveis maiores de corrente de diodo (no trecho onde a curva acentua-se rapidamente).

TK = Tc + 273.

1 para Ge e Si para níveis maiores de corrente de diodo (no trecho onde a

Curva Característica do Diodo

Observe as regiões de Não polarização, polarização direta e polarização reversa.
Observe as regiões de Não polarização, polarização direta e polarização reversa.

Preste atenção nas escalas para cada uma dessas condições!

polarização direta e polarização reversa. Preste atenção nas escalas para cada uma dessas condições!

Exercícios

20 Usando a equação (1.4) determine a corrente no diodo a 20 o C para um diodo de silício com Is = 50 nA e uma polarização direta aplicada de 0,6V.

ID = Is(e kV D /T K - 1)

aplicada de 0,6V. I D = Is(e k V D / T K - 1) 21

21 Repita o problema 20 para T = 100 o C. Considere que Is aumentou para Is = 5 μA.

V D / T K - 1) 21 – Repita o problema 20 para T =
V D / T K - 1) 21 – Repita o problema 20 para T =

Exercícios

22 (a) Usando a equação (1.4) determine a corrente no diodo a 20 o C para um diodo de silício com Is = 0,1 μA em um potêncial de polarização reversa de -10V.

(b) O resultado é o esperado? Por quê?

ID = Is(e kV D /T K - 1)

de polarização reversa de -10V. (b) O resultado é o esperado? Por quê? I D =
de polarização reversa de -10V. (b) O resultado é o esperado? Por quê? I D =

Região Zener

Região Zener Um outro detalhe sobre o diodo é o uso da região Zener. O diodo

Um outro detalhe sobre o diodo é o uso da região Zener.

O diodo está na região de polarização reversa. Em um determinado ponto a tensão reversa é tão grande que há uma “quebra” no diodo.

A corrente reversa aumenta drasticamente.

Essa tensão reversa máxima é chamada tensão de avalanche de quebra e a corrente é

chamada de corrente de avalanche.

tensão reversa máxima é chamada tensão de avalanche de quebra e a corrente é chamada de

Tensão de Polarização Direta

O ponto em que o diodo muda da região

de não polarização para a de polarização

direta acontece quando os eletrons e lacunas possuem energia suficiente para atravessarem a junção p-n. Essa energia é fornecida a partir de uma fonte externa

aplicada ao diodo.

A tensão de polarização direta necessária para um:

• Diodo de Silicio é V T 0.7V

• Diodo de Germanio é V T 0.3V

direta necessária para um: • Diodo de Silicio é V T  0.7V • Diodo de
direta necessária para um: • Diodo de Silicio é V T  0.7V • Diodo de

Efeito da Temperatura

Com o aumento da temperatura há a mudança das características do diodo. A tensão de polarização direta necessária é reduzida na condição de polarização direta. A corrente de polarização reversa é aumentada na condição de polarização reversa. Aumenta-se a máxima tensão de avalanche reversa.

Os diodos de Germanio são mais sensíveis as variações de temperatura do que os diodos de Silício.

avalanche reversa. Os diodos de Germanio são mais sensíveis as variações de temperatura do que os
avalanche reversa. Os diodos de Germanio são mais sensíveis as variações de temperatura do que os

Exercícios

26 Determine a queda de tensão direta através do diodo cujas características aparecem na figura 1.24, a temperatura de -75 o C, 25 o C, 100 o C e 200 o C e com uma corrente de 10mA. Para cada temperatura, determine o valor da corrente de saturação. Compare os

extremos de cada uma e comente a razão entre as duas.

determine o valor da corrente de saturação. Compare os extremos de cada uma e comente a
determine o valor da corrente de saturação. Compare os extremos de cada uma e comente a
determine o valor da corrente de saturação. Compare os extremos de cada uma e comente a

Valores de Resistências

Os semicondutores agem de forma diferente a correntes CC e AC. Existem 3 tipos de resistências:

• Resistência Estática ou CC

• Resistência Dinâmica ou CA

• Resitência Média CA

3 tipos de resistências: • Resistência Estática ou CC • Resistência Dinâmica ou CA • Resitência

Resistência Estática ou CC

Resistência Estática ou CC R D = V D /I D [Formula 1.5] Para uma tensão

R D = V D /I D

[Formula 1.5]

Para uma tensão CC aplicada V D , o diodo terá uma corrente específica I D , e uma resistência específica R D . O valor da resistência R D , depende da tensão CC aplicada.

I D , e uma resistência específica R D . O valor da resistência R D

Resistência Dinâmica ou CA

Resistência Dinâmica ou CA
Resistência Dinâmica ou CA
Resistência Dinâmica ou CA

Resistência Dinâmica ou CA

Resistência Dinâmica ou CA
Resistência Dinâmica ou CA

Resistência Dinâmica ou CA

Região de Polarização direta:

rd

26mV

I

D

r

B

• r`d é a resistência dinâmica

rd

26mV

ID

r B é a resistência do material semicondutor e a resistência de contato

A resistência depende da quantidade de corrente (I D ) no diodo. • A tensão no diodo é razoavelmente contante (26mV para 25C). r B varia de um typico 0.1para dispositivos de altas potências até 2para baixas potências, para diodos comuns. Em alguns casos r B pode ser ignorada.

Região de polarização reversa:

rd

A resistência é essencialmente infinita. O diodo age como um circuito aberto.

de polarização reversa: r  d  A resistência é essencialmente infinita. O diodo age como

Resistência CA Média

rav
rav

Vd

Id

(pontoa ponto)

[Formula 1.9]

A resistência CA pode ser determinada por 2 pontos na curva característica utilizado por um circuito particular.

1.9] A resistência CA pode ser determinada por 2 pontos na curva característica utilizado por um

Exercícios

27 Determine a resistência estática do diodo da figura 1.19 para uma corrente direta de

2mA.

Exercícios 27 – Determine a resistência estática do diodo da figura 1.19 para uma corrente direta
Exercícios 27 – Determine a resistência estática do diodo da figura 1.19 para uma corrente direta
Exercícios 27 – Determine a resistência estática do diodo da figura 1.19 para uma corrente direta

Exercícios

29 Determine a resistência estática do diodo comercialmente disponível da figura 1.19 para uma tensão reversa de -10V . Seu valor é próximo ao resultado determinado para uma tensão reversa de -30V?

1.19 para uma tensão reversa de -10V . Seu valor é próximo ao resultado determinado para
1.19 para uma tensão reversa de -10V . Seu valor é próximo ao resultado determinado para
1.19 para uma tensão reversa de -10V . Seu valor é próximo ao resultado determinado para

Exercícios

31 Calcule a resistência cc e ca para o diodo da figura 1.34 para uma corrente de

10mA e compare os resultados.

31 – Calcule a resistência cc e ca para o diodo da figura 1.34 para uma
31 – Calcule a resistência cc e ca para o diodo da figura 1.34 para uma

Exercícios

34 Determine a resistência ca média do diodo da figura 1.19 para a região entre 0,6 e

0,9V.

Exercícios 34 – Determine a resistência ca média do diodo da figura 1.19 para a região
Exercícios 34 – Determine a resistência ca média do diodo da figura 1.19 para a região

Exercícios

35 Determine a resistência ca para o diodo da figura 1.19 em 0,75 e compare com a resistência ca média obtida no exercício 34.

a resistência ca para o diodo da figura 1.19 em 0,75 e compare com a resistência

Circuitos Equivalentes de Diodos (Circuito Linear por partes)

Circuitos Equivalentes de Diodos (Circuito Linear por partes)
Circuitos Equivalentes de Diodos (Circuito Linear por partes)
Circuitos Equivalentes de Diodos (Circuito Linear por partes)

Circuitos Equivalentes de Diodos (Simplificado)

Circuitos Equivalentes de Diodos (Simplificado)
Circuitos Equivalentes de Diodos (Simplificado)

Circuitos Equivalentes de Diodos (Ideal)

Circuitos Equivalentes de Diodos (Ideal)
Circuitos Equivalentes de Diodos (Ideal)

Exercícios

36 Encontre o circuito equivalente linear para o diodo da figura 1.19. use um segmento de reta que cruze com o eixo horizontal em 0,7V e que melhor se aproxime a curva para a região acima de 0,7V.

um segmento de reta que cruze com o eixo horizontal em 0,7V e que melhor se
um segmento de reta que cruze com o eixo horizontal em 0,7V e que melhor se

Exercícios

37 Repita o problema 36 para o diodo da figura 1,34.

Exercícios 37 – Repita o problema 36 para o diodo da figura 1,34.
Exercícios 37 – Repita o problema 36 para o diodo da figura 1,34.
Exercícios 37 – Repita o problema 36 para o diodo da figura 1,34.

Folha de Especificação do Diodo

1.

V F , forward voltage at a specific current and temperature

2.

I F , maximum forward current at a specific temperature

3.

I R , maximum reverse current at a specific temperature

4.

PIV or PRV or V( BR ), maximum reverse voltage at a specific temperature

5.

Power Dissipation, maximum power dissipated at a specific temperature

6.

C, Capacitance levels in reverse bias

7.

trr, reverse recovery time

8.

Temperatures, operating and storage temperature ranges

in reverse bias 7. trr, reverse recovery time 8. Temperatures, operating and storage temperature ranges

Capacitância

Capacitância A camada de depleção na polarização reversa é muito larga. As polaridades positiva e negativa

A camada de depleção na polarização reversa é muito larga. As polaridades positiva e negativa do diodo criam uma capacitância, C T . A quantidade de capacitância depende da tensão reversa aplicada.

Na polarização direta uma capacitância de armazenamento ou difusão (C D ) existe conforme a tensão do diodo aumenta.

polarização direta uma capacitância de armazenamento ou difusão (C D ) existe conforme a tensão do

Tempo de Recuperação Reversa Reverse Recovery Time (trr)

É a quantidade de tempo necessária para o diodo parar de conduzir quando ele é chaveado da polarização direta para a polarização reversa.

necessária para o diodo parar de conduzir quando ele é chaveado da polarização direta para a

Diode Symbol and Notation

Diode Symbol and Notation Anodo é abreviado – A Catodo é abreviado – K (chamado assim

Anodo é abreviado A

Catodo é abreviado K (chamado assim devido o simbolo parecer um K invertido)

Notation Anodo é abreviado – A Catodo é abreviado – K (chamado assim devido o simbolo

Teste de Diodo

A. Diode Checker

B. Ohmímetro

Teste de Diodo A. Diode Checker B. Ohmímetro

A. Diode Checker

Muitos multímetros possuem essa função. Verifica-se a tensão de polarização direta do diodo (V F ). O diodo deve ser testado for a do circuito.

Diodo de Silicon 0.7V Diodo de Germanium 0.3V

do diodo (V F ). O diodo deve ser testado for a do circuito. Diodo de

B. Ohmímetro

Um ohmimetro setado para funcionar em uma escala baixa pode ser usado para o teste. Um diodo normal deve apresentar as leituras abaixo. O diodo deve ser testado fora do circuito.

ser usado para o teste. Um diodo normal deve apresentar as leituras abaixo. O diodo deve
ser usado para o teste. Um diodo normal deve apresentar as leituras abaixo. O diodo deve

Outros Tipos de Diodos

1.

Diodo Zener

2.

Diodo Emissor de Luz

3.

Arranjos (Arrays) de Diodos

Outros Tipos de Diodos 1. Diodo Zener 2. Diodo Emissor de Luz 3. Arranjos (Arrays) de

1. Diodo Zener

Um Zener é um diodo operando na polarização reversa na Tensão de Pico Reversa (PIV) chamada de Tensão Zener (V Z ).

Símbolo

reversa na Tensão de Pico Reversa (PIV) chamada de Tensão Zener (V Z ). Símbolo Tensões

Tensões Zener Comuns: 1.8V to 200V

reversa na Tensão de Pico Reversa (PIV) chamada de Tensão Zener (V Z ). Símbolo Tensões
reversa na Tensão de Pico Reversa (PIV) chamada de Tensão Zener (V Z ). Símbolo Tensões

1. Diodo Zener

1. Diodo Zener
1. Diodo Zener
1. Diodo Zener

Exercícios

50 As seguintes características são especificadas para um determinado diodo Zener:

Vz= 29V, V R = 16,8V, I ZT = 10mA, I R =20μA e I ZM =40mA. Esboçe a curva característica do modo exibido na figura 1.55.

I Z T = 10mA, I R =20 μ A e I Z M =40mA. Esboçe

Exercícios

54 Determine a impedância dinâmica para o diodo de 6.8V com Iz=10ma. Observe que essa é uma escala logaritmica.

54 – Determine a impedância dinâmica para o diodo de 6.8V com Iz=10ma. Observe que essa
54 – Determine a impedância dinâmica para o diodo de 6.8V com Iz=10ma. Observe que essa
54 – Determine a impedância dinâmica para o diodo de 6.8V com Iz=10ma. Observe que essa

2. Diodo Emissor de Luz Light Emitting Diode (LED)

Esse diodo quando polarizado diretamente emite photons em um espectro visível.

Símbolo

diretamente emite photons em um espectro visível. Símbolo A tensão de polarização reversa é alta, usualmente

A tensão de polarização reversa é alta, usualmente entre 2-3V.

emite photons em um espectro visível. Símbolo A tensão de polarização reversa é alta, usualmente entre

2. Diodo Emissor de Luz Light Emitting Diode (LED)

2. Diodo Emissor de Luz Light Emitting Diode (LED)
2. Diodo Emissor de Luz Light Emitting Diode (LED)

3. Arrays de Diodo

Múltiplos diodos podem ser encapsulados juntos em um circuito integrado (IC). Existe uma variedade de combinações

podem ser encapsulados juntos em um circuito integrado (IC). Existe uma variedade de combinações Examplo de

Examplo de um array:

3. Arrays de Diodo

3. Arrays de Diodo
3. Arrays de Diodo

Exercícios

62 Com uma tensão de alimentação de 5V, como podemos polarizar diretamente um LED com uma corrente de 15mA?

62 – Com uma tensão de alimentação de 5V, como podemos polarizar diretamente um LED com
62 – Com uma tensão de alimentação de 5V, como podemos polarizar diretamente um LED com