CIRCUITOS ELECTRONICOS INFORME DE LABORATORIO

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EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Una fuente de corriente continua variable.
Un Multmetro.
Un Miliampermetro y un Microampermetro.
Un diodo semiconductor de SI y GE.
Un Voltmetro de C.C.
Resistencia de 100
Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TERICO
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica tensin-
corriente no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal
manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unin p - n. La
terminal que corresponde con la parte "p" se llama nodo y el que coincide con la "n"
es el ctodo. Este diodo est compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado,
es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se
realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo
positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma
si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para
realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le
denomina rectificacin.
En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.

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El diodo semiconductor est constituido
fundamentalmente por una unin P-N,
aadindole un terminal de conexin a cada uno
de los contactos metlicos de sus extremos y una
cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al
exterior los terminales que corresponden al nodo
(zona P) y al ctodo (Zona N)

PRUEBA ESTTICA PARA UN DIODO
SEMICONDUCTOR
La resistencia del diodo en polarizacin
directa debe ser muy baja comprada con el
nivel de polarizacin inversa. Mientras ms
alta sea la corriente, menor ser el nivel de
resistencia. Para la situacin de polarizacin
inversa la lectura debe ser bastante alta.



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NOTA:
Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una
condicin abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la
resistencia en ambas direcciones quiz indique un dispositivo en corto.

REGIN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar
por resultado un agudo cambio en las caractersticas, como lo muestra la figura 1.22.
La corriente se incrementa a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a
aquella de la regin de voltaje positivo.

El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy
drstico de las caractersticas se le llama potencial Zener y se le da el smbolo Vz.

La regin de
avalancha (Vz) se puede
acercar al eje vertical al
incrementar los niveles
de: dopado en los
materiales tipo p y tipo n.
Sin embargo, mientras Vz
disminuye a niveles muy
bajos, como -5 V, otro
mecanismo llamado
ruptura Zener contribuir
con un cambio agudo ella
caracterstica. Este
cambio rpido en la
caracterstica a cualquier
nivel se denomina regin
Zener, y los diodos que utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n
son los diodos Zener. La regin Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar
si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo
cambio en las caractersticas de esta regin de voltaje inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de
entrar ala regin Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente
como el valor PIV, por las iniciales en ingls de: PeakInverseVoltage) o PRV, por las
iniciales en ingls de: Peak Reverse Voltage).
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IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de
silicio. Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el
voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos como en (a), registrando los datos en la tabla 3.





TABLA 1. (SI)


Vcc(v) 0.50 0.54 0.59 0.68 0.8 0.93 1.24 1.83 2.39 2.79
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.488 0.52 0.553 0.59 0.624 0.647 0.679 0.713 0.731 0.74
TABLA2

Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0.0033 0.999 1.995 3.98 7.94 9.93 11.92 14.91 17.88 19.87
Id(A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA3

R. Directa R. Inversa
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3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de
germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R. Indirecta
9.14 K
TABLA 4
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al
paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v) 0 0.22 0.26 0.34 0.47 0.61 0.97 1.4 1.66 1.87 2.27 2.9
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45
TABLA 5

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.2 0.42 0.51 0.58 0.63 0.68 0.72 0.79 0.86 0.9
Id(A) 0 280 13m 28m 44m 61m 77m 94m 119m 145m 161m
TABLA 6
















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V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el grfico Id=F (V
d
) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la
resistencia dinmica del diodo.


Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20
mA, entonces podemos remplazarla en la siguiente frmula (forma diferencial de
la resistencia dinmica):

0
5
10
15
20
25
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
I
d

F(Vd)
POLARIZACION DIRECTA (Si)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 5 10 15 20 25
I
d

F(Vd)
POLARIZACION INVERSA (Si)
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2. Construir el grfico Id=F(V
d
) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinmica del
diodo.



En este caso la resistencia dinmica se hallar con la siguiente frmula:

0
5
10
15
20
25
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
I
d

F(Vd)
POLARIZACION DIRECTA (Ge)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
I
d

F(Vd)
POLARIZACION INVERSA (Ge)
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3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 2
podemos notar que a medida que se incrementa la intensidad de
corrientes llega a un donde el voltaje del diodo es casi estable. Este
resultado es de esperarse ya que el diodo de silicio tiene un voltaje en
polarizacin directa aproximadamente de 0.7 voltios (comercialmente).

El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3
observamos que pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la
corriente a travs de este no aumenta. Esto se debe a que la resistencia
del diodo en polarizacin inversa es muy grande.

Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la
TABLA 4se dan las mismas observaciones solo que para el caso del
Germanio (Ge) el voltaje en polarizacin directa es aproximadamente de
0.3 voltios (comercialmente).

Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso
de corriente a travs del diodo, debido a que este se encuentra
polarizado inversamente.


4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que
este dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente
circulara a travs de l si es que esta en polarizacin directa, mientras que
estando en polarizacin inversa la corriente no lo har (idealmente).

Sobre la corriente de polarizacin inversa o de fuga se puede decir que
idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta
corriente es del orden de los microamperios (A) o nanoamperios (nA).

Se puede notar del contrastes entre las curvas caractersticas del diodo
hecho del silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero
alcanza ms rpidamente la regin de condicin en comparacin con el
segundo.