Sistemas de Electronica de Potencia PDF

SISTEMAS
DE
ELECTRONICA
DE POTENCIA
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Sistemas de Electrnica de Potencia

Captulo 1
1.1 Introduccin

La Electrnica de Potencia (EP) es una de las ramas de la Electrnica que ms se ha
desarrollado en los ltimos aos. Ello se puede atribuir, entre otras cosas, a la invencin del
tiristor en el inicio de la dcada de los aos 60. Las limitaciones de tamao, fragilidad
mecnica y, sobretodo excesivos tiempos de desionizacin, no permitieron a las vlvulas de
vaco, empleadas en el pasado, ser competitivas en muchas aplicaciones frente, por ejemplo, a
grupos motor-generador.

Con el creciente nmero y variedades de circuitos y equipos electrnicos en diversas
reas de aplicacin, hoy en da la EP es muy importante, dado que es el campo de la
ingeniera responsable de la conversin de la energa elctrica. En otras palabras, la EP es la
disciplina que estudia los sistemas de potencia, encargados de realizar la transformacin de la
energa elctrica en sus distintas formas (corriente continua, corriente alterna).

La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos
semiconductores hace que se apliquen para resolver procesos cada vez ms complejos. Un
equipo electrnico de potencia consta fundamentalmente de dos partes, tal como se muestra
en la figura 1.1:

1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y
elementos pasivos, que conecta la fuente primaria de alimentacin con la
carga.

2. Un circuito de control, que procesa la informacin proporcionada por el
circuito de potencia y genera las seales de excitacin que determinan el estado
de los semiconductores, controlados con una fase y secuencia conveniente.
2

Fig.1. 1 Diagrama de bloques de un Sistema de Potencia

En la EP, el objetivo principal es conseguir un elevado rendimiento en la
transformacin de energa. Para ello, se utilizan dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutacin, a modo de interruptores. Para obtener un rendimiento elevado, se evita que los
semiconductores trabajen en la zona lineal. Los semiconductores, trabajando en conmutacin,
deben cumplir las siguientes caractersticas:

Tener 2 estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro
de baja impedancia (conduccin).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con reducida
potencia de control.

Ser capaces de soportar altas tensiones cuando estn bloqueados y elevadas
intensidades, con pequeas cadas de tensin entre sus extremos, cuando estn
en conduccin.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

As podemos definir la EP de la siguiente manera: Electrnica de Potencia es la parte
de la electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos
para el procesado, control y conversin de la energa elctrica.

Podemos decir que se requieren sistemas electrnicos de potencia, por las siguientes
razones, entre otras:

La forma en que se suministra la energa no coincide con la forma en que se
desea consumir. Por ejemplo, imagnese la alimentacin de un ordenador
personal, en el que sus circuitos necesitan alimentacin de tensin continua de
3V, 5V, -5V, 12V y 12V, pero se parte de la red monofsica alterna (240V,
C Ci ir rc cu ui it to o d de e
P Po ot te en nc ci ia a

Alimentaci Seales de control
Circuito de disparo
y bloqueo (driver)
Circuito de
control
Control
Informacin
Carga
Energa Elctrica
de entrada
3

50Hz). Evidentemente es necesario disponer de un sistema electrnico que
transforme dicha energa para adaptarla a las necesidades del equipo que se
est alimentando.

En determinadas aplicaciones resulta rentable cambiar la forma de la energa,
por ejemplo, para transmitirla. Es el caso de la transmisin de energa en
corriente continua (CC) trabajando en alta tensin, conocida como transmisin
HVDC (High Voltage Direct Current).

No se puede hacer de otra forma. Supngase por ejemplo el sistema de
alimentacin de un satlite. ste est formado por bateras, las cuales pueden
cargarse mediante paneles solares. En este caso es necesario un sistema
electrnico que adapte dichas necesidades.

Se requieren nuevas prestaciones por parte de los consumidores de energa. Por
ejemplo, el caso de de la conversin de una tensin alterna CA fija que llega a
una industria proveniente directamente de una subestacin, en una tensin
variable en amplitud y frecuencia, necesaria para el control de la velocidad y
posicin del accionamiento de los motores de una cinta transportadora.

Como se puede notar en este ltimo ejemplo, la EP es un rea multidisciplinar, ya que
para el desarrollo de dicha aplicacin se debe tener conocimiento de mquinas (motor CA), de
automtica (control) y de electrnica.

Por tanto, cuando se habla en EP, se habla necesariamente de:

POTENCIA, refirindose a equipos para operacin y distribucin de potencia
elctrica.

ELECTRNICA, refirindose a dispositivos de estado slido y circuitos de
procesado de seal para alcanzar los objetivos de control deseados.

CONTROL, refirindose a las caractersticas estticas y dinmicas de sistemas
de control en lazo cerrado.

Es la Electrnica Industrial la disciplina que estudia la adaptacin de sistemas
electrnicos de potencia a procesos industriales. Siendo un sistema electrnico de potencia
aquel circuito que se encarga de controlar un proceso industrial, donde interviene la
transferencia y transformacin de energa elctrica entre la fuente primaria y la carga,
formado por varios convertidores, sensores y sistemas de control, los cuales siguen hoy en da
evolucionando y creciendo constantemente.

El campo de la Electrnica de Potencia puede dividirse en grandes disciplinas o
4

bloques temticos. La figura 1.2 muestra los bloques temticos que comprende la EP y nos
muestra su relacin con la Electrnica Industrial.

Fig.1. 2 Electrnica Industrial y Electrnica de Potencia

Por tanto, el campo de aplicacin de la EP es muy amplio y se refiere principalmente
al dominio de la industria moderna, abarcando aplicaciones de tipo militar, industrial y
residencial.
1.2 Aplicaciones de la electrnica de potencia
El consumo de la energa, en cifras aproximadas, puede dividirse en tres grandes
bloques:
El 65% est destinado a motores elctricos (57% de corriente alterna y el resto
de corriente continua).

El 20% est dedicado a sistemas de iluminacin.

El resto es consumido por otros.

Actualmente el 50% de la energa es procesada o consumida por equipos electrnicos.
Se prev que en el futuro, la mayora de la energa ser consumida por equipos electrnicos.

La franja de potencia que puede abarcar la EP es muy extensa, pudiendo ser desde
algunos vatios a varios megavatios. Las aplicaciones ms usuales de la Electrnica de
Potencia, entre otras, son:

Aplicaciones Industriales: control y accionamiento de motores CA y CC,
electrlisis, alarmas, tratamiento ultra-snico, sistemas de alimentacin,
soldadura, control de iluminacin, alimentacin de motores para compresores,
bombas, ventiladores, inyectores, robtica, hornos de arco y de induccin,
alumbrado, lser industrial, calentamiento por induccin, fundicin, etc.
E El le ec ct tr r n ni ic ca a d de e
P Po ot te en nc ci ia a
Electrnica de
Regulacin y
Control
Convertidores
de Potencia
E El le ec ct tr r n ni ic ca a
I In nd du us st tr ri ia al l
Aplicaciones a
Procesos Industriales
Componentes
Electrnicos de Potencia
5

Aplicaciones de Transporte: control de traccin de vehculos elctricos,
cargadores de bateras, locomotoras elctricas, transporte urbano, metro,
electrnica del automvil.

Aplicaciones de Distribucin: transmisin de energa en CC (HVDC),
compensacin esttica de energa reactiva, correccin del factor de potencia,
filtros activos, fuentes de energa renovable (aerogeneradores, paneles solares),
sistemas de almacenamiento de energa (SMES).

Aplicaciones Aerospaciales: alimentacin de satlites y lanzaderas.
Alimentacin de aeronaves.

Aplicaciones Comerciales: calefaccin, ventilacin, aire acondicionado,
refrigeracin, alimentacin de ordenadores y equipos, sistemas de alimentacin
ininterrumpida.

Aplicaciones Domsticas: electrodomsticos, refrigeradores, congeladores, aire
acondicionado, cocinas, iluminacin, electrnica de consumo.
1.3 Convertidores estticos de energa
Los sistemas que transforman la energa suelen denominarse convertidores estticos de
energa o simplemente convertidores de energa. El adjetivo "estticos" se debe a que se trata
de circuitos que utilizan semiconductores y no mquinas elctricas para realizar la conversin,
dado que en los primeros aos de la Electrnica de Potencia la conversin de energa se
realizaba mediante convertidores electromecnicos y esencialmente por mquinas giratorias.
Hoy en da, estas tcnicas no son ya utilizadas, ya que con el nacimiento de los convertidores
estticos se obtienen prestaciones ms adecuadas en todos los sentidos.

Por tanto, se puede decir que un convertidor esttico de energa es un circuito
electrnico constituido por un conjunto de elementos estticos formando una red que
constituye un equipo de conexin y transmisin entre un generador y una carga.

Un convertidor esttico de potencia ideal permite la transferencia de energa elctrica
del generador al receptor con un rendimiento unitario (sin prdidas).

La figura 1.3 muestra el diagrama de bloques de un convertidor esttico de energa
aprovechando una potencia de entrada (P
I
) para alimentar una carga que absorbe una potencia
de salida P
O
.

6

CONVERTIDOR
ESTTICO DE
ENERGA
POTENCIA
ENTRADA
P
I

POTENCIA
ENTRADA
P
O

Control
del
Convertidor
P
L
+
= =
L O
O
I
O
P P
P
P
P

Fig.1. 3 Diagrama de bloques de un convertidor esttico de energa

Puesto que no es ideal, como es de esperar, se producen unas prdidas P
L
, aunque uno
de los objetivos de cualquier convertidor de potencia - bsicamente por razones energticas,
econmicas y ecolgicas - es transformar la energa con el mayor rendimiento () posible.
Para ello, los dispositivos empleados trabajarn como interruptores en conmutacin (cerrados
y abiertos) y se utilizarn bobinas, condensadores y transformadores como elementos
auxiliares. Excepto en aplicaciones muy especficas se evita el empleo de resistencias y de
dispositivos trabajando en la zona lineal.

Por tanto, se puede decir que los elementos que constituyen los convertidores estticos
de potencia son fundamentalmente de dos tipos:

Interruptores estticos: Son elementos semiconductores de potencia que actan
como interruptores.

Elementos reactivos: Son condensadores, inductancias y transformadores
responsables del almacenamiento, aislamiento (en el caso de los
transformadores) de la energa y filtrado de las tensiones y corrientes. Tambin
son los principales responsables del peso, volumen y coste de los equipos.

En funcionamiento, un convertidor esttico de potencia conecta, por medio de sus
interruptores, las mallas del sistema elctrico (generador o receptor) permitiendo un flujo
controlado de energa entre esos sistemas.

En funcin de las formas de energa de la entrada y de la salida de un convertidor,
podemos clasificarlos como:

a) Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de tensin constante en
corriente continua de tensin constante.

b) Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de tensin constante en
7

corriente continua de tensin variable mediante la utilizacin de tiristores.

c) Reguladores de CA: Transforman la corriente alterna de tensin constante en
corriente alterna de tensin variable y de la misma frecuencia.

d) Cicloconvertidores: Convertidores directos alterna/alterna que permiten variar la
frecuencia, siendo siempre la frecuencia de salida inferior a la frecuencia de entrada.

e) Ondulador o inversor: Transforman una corriente continua en corriente alterna de
tensin y frecuencia fija o variable.

f) Convertidor CC/CC o Troceador: transforma corriente continua de tensin constante
en corriente continua de tensin fija o variable.

Estos convertidores son denominados convertidores directos de energa, pues utilizan
una nica etapa de potencia para la conversin. Cuando se emplea ms de una etapa de
potencia para realizar una conversin, entonces se habla de convertidores indirectos de
energa, como es el caso de los convertidores indirectos de tensin y frecuencia. La figura 1.4
muestra los diferentes tipos de convertidores de acuerdo a su clasificacin.

Convertidor
CC/CC
Rectificador
Inversor / Ondulador
F1 F2
Cicloconvertidor
F1 = F2
Regulador de CA
Convertidor indirecto de
frecuencia
Convertidor
indirecto de tensin
CC
V1
CA
V4, F2
CC
V2
CA
V3, F1

Figura 1.4. Tipos de convertidores estticos de energa

As, se puede concluir que para una buena comprensin del funcionamiento de los
convertidores estticos es necesario inicialmente el conocimiento tanto de los interruptores
como tambin de los fenmenos de conmutacin entre ellos.

Los tipos de dispositivos semiconductores de potencia usados como interruptores
estticos son: diodos, tiristores (SCR, TRIAC y GTO) y transistores (BJT, MOSFET e IGBT).
Para cada dispositivo (interruptor) se estudiar principalmente las caractersticas estticas.
8

Actualmente, con el creciente desarrollo de tecnologas de fabricacin de
semiconductores, se consigue alcanzar altos ndices de capacidad de operacin a alta potencia
(por encima de 2 MW) y frecuencia (velocidad de conmutacin) por encima de 100 kHz. El
trabajar a alta frecuencia hace con que se reduzca el tamao fsico de los elementos pasivos
reduciendo as el peso, el volumen y tambin el coste del equipo.

Otro factor importante que ha ayudado al aumento de la densidad de potencia, ha sido
la invencin de nuevos componentes (como por ejemplo el IGBT) y la evolucin de los
circuitos integrados dedicados a realizar la conmutacin de los dispositivos semiconductores.
Estos hechos son consecuencia de la demanda de los convertidores estticos en el mercado,
exigiendo, cada vez ms investigacin y as una evolucin en el campo de la electrnica de
potencia.
1.4 Bibliografa
- Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan, Undeland y Robbins,
John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
- Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil.
- Introduccin a las etapas de potencia, J. I. Artigas y A. Sanz, Universidad de Zaragoza,
IEC.
- Introduccin a los sistemas de potencia, I.T.T.(S.E), Universitat de Valncia.
- Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University, Valparaso Indiana.
Prentice Hall.

9
Dispositivos de Electrnica de Potencia

Captulo 2
2.1 Introduccin
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden
clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control
externo.

2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of
Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se
debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a
OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de
la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.

3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.

En los siguientes apartados se detallan las caractersticas ms importantes de cada uno
de estos dispositivos.
10

2.2 Diodo de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y
corriente, permite la circulacin de corriente en un nico sentido. Detalles de funcionamiento,
generalmente despreciados para los diodos de seal, pueden ser significativos para
componentes de mayor potencia, caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores
corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas ms elevadas). La figura 2.1
muestra la estructura interna de un diodo de potencia.

250 m
Substracto
Depende
de la
tensin
10 m P +
nodo (A)
Catodo (K)
N -
N +

Figura 2.1. Estructura interna de un diodo de potencia

Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est formado por una sola
unin PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un diodo de
seal, puesto que en este caso existe una regin N intermediaria con un bajo dopaje. El papel
de esta regin es permitir al componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta
regin de pequea densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica resistiva
en polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto mayor sea la tensin que ha
de soportar el componente. Las capas que hacen los contactos externos son altamente
dopadas, para obtener un contacto con caractersticas hmicas y no del tipo semiconductor.

La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica corriente-tensin de
un diodo de potencia.
11

A (+) K (-)
i
AK
v
AK
i
AK
v
AK
V
F
1 V

V
R

Regin de
bloqueo
inverso
( )
on
R / 1

Figura 2.2. Smbolo y caracterstica esttica corriente-tensin de un diodo de potencia

La tensin V
F
que se indica en la curva esttica corriente-tensin se refiere a la cada de
tensin cuando el diodo est conduciendo (polarizacin directa). Para diodos de potencia, sta
tensin de cada en conduccin directa oscila aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Adems,
esta cada depende de la corriente que circule, tenindose una caracterstica corriente - tensin
bastante lineal en la zona de conduccin. Esta relacin se conoce como la resistencia en
conduccin del diodo, abreviada por R
on
y que se puede obtener como el inverso de la
pendiente de la asntota de la curva esttica en la zona de polarizacin directa. La tensin V
R

representa la tensin de ruptura del dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo,
la mxima tensin inversa que puede soportar el diodo cuando ste est bloqueado
(polarizacin inversa).

Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera el valor
de tensin de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por
excesiva circulacin de corriente inversa y en definitiva, por excesiva disipacin de potencia.
Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de ruptura de kiloVolts (kV), y
pueden conducir corrientes de kiloAmperes (kA). Evidentemente, el tamao del diodo
condiciona sus caractersticas elctricas, llegndose a tener diodos con tamaos del orden de
varios cm
2
.

Como ya se ha mencionado, los diodos son interruptores unidireccionales en los
cuales no puede circular corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no disponiendo de
ningn terminal de control. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos:

1) Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta
instantneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarizacin directa, la
zona central de la unin est saturada de portadores mayoritarios, y aunque un circuito
12

externo fuerce la anulacin de la corriente aplicndole una tensin inversa, cuando la
corriente pasa por cero an existe una cantidad de portadores que cambian su sentido
de movimiento y permiten la conduccin de una corriente inversa durante un tiempo,
denominado tiempo de recuperacin inverso (t
rr
), tal como se muestra en la figura 2.3.
Los parmetros definidos en el proceso de bloqueo dependen de la corriente directa,
de la derivada de la corriente (di/dt) y de la tensin inversa aplicada. El tiempo de
recuperacin de un diodo normal es del orden de 10 s, siendo el de los diodos rpidos
del orden de algunos nanosegundos.

2) Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia que el
anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccin, y cuyo efecto se muestra
tambin en la figura 2.3.
En el proceso de puesta en conduccin, la respuesta del diodo es inicialmente de
bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensin V
fp
,
ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo durante la inyeccin de
portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a una resistencia donde su valor
decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente est relacionada con la
concentracin de portadores minoritarios inyectados. Por tanto V
fp
depende de la
anchura y resistividad de la zona central del diodo.

vi
v
D
i
D
R
+Vr
-Vr
V i
-Vr
V
rp

Von
t
rr
t
3
t
1

v
D
V
fp

i
D
t
2

t
4
t
5

Q
rr

dif/dt
i = Vr/R
dir/dt

Figura 2.3. Conmutacin de un diodo.

Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos:

Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy
pequea (0,3 V tpicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan
13

tensiones inversas superiores a 50 100 V.

Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en
combinacin con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de
recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y
varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin inversas
(t
rr
) de pocos nanosegundos.

Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La tensin en el estado de conduccin
(ON) de estos diodos es la ms pequea posible, y como consecuencia tienen un t
rr

grande, el cual es nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea.
Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios
kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango
de tensin o de corriente.
2.3 Tiristores
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una
puerta. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).

La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON)
se realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado
ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica
para cada tiristor.

Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).
2.3.1 SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms conocido de
la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es ms frecuente hablar de
tiristor que de SCR.

El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la
Electrnica de Potencia (data de finales de los aos 50). Adems, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite
soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente).

El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,
14

teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y
la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en
sentido nodo-ctodo. La figura 2.4 ilustra una estructura simplificada del dispositivo.

S
K
Rg
Vg
Rg
Vcc
Rc
S
P
P
nodo
A
G
Vg
A
Gate
Rc (carga)
Vcc
Ctodo
N+
N-
G
K
A
J1 J2 J3

Figura 2.4. Estructura simplificada y smbolo del SCR

Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn
directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente polarizada. No habr
conduccin de corriente hasta que la tensin V
AK
aumente hasta un valor que provoque la
ruptura de la barrera de potencial en J2.

Si hay una tensin V
GK
positiva, circular una corriente a travs de J3, con portadores
negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin, la capa P donde se
conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que atraviesen
J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente en J2, siendo
entonces atrados por el nodo.

De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir an sin la
corriente de puerta.

Cuando la tensin V
AK
es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas, en
cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unin J3 est entre
dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo que
15

cabe a la unin J1 mantener el estado de bloqueo del componente.

Existe una analoga entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociacin de dos
transistores bipolares, conforme se muestra en la figura 2.5.

G
A
P
N
P
P
N
K
N
G
T2
T1
A
I
c1

I
b2

I
G

I
K

I
c2

I
b1

I
A

K

Figura 2.5.Estructura y esquema equivalente simplificado de un SCR

Cuando se aplica una corriente de puerta I
G
positiva, I
c2
e I
K
aumentarn. Como I
c2
=
I
b1
, T1 conducir y tendremos I
b2
= I
c1
+ I
G
, que aumentar I
c2
y as el dispositivo
evolucionar hasta la saturacin, aunque se elimine la corriente de puerta I
G
. Tal efecto
acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son mayores que 1. El componente se
mantendr en conduccin desde que, despus del proceso dinmico de entrada en conduccin,
la corriente del nodo haya alcanzado un valor superior al lmite I
L
, llamada corriente de
enclavamiento latching current.

Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del
valor mnimo de mantenimiento (I
H
), permitiendo que se restablezca la barrera de potencial en
J2. Para la conmutacin del dispositivo no basta con aplicar una tensin negativa entre nodo
y ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso de desconexin por dislocar en los
sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la
desconexin.

Debido a las caractersticas constructivas del dispositivo, la aplicacin de una
polarizacin inversa del terminal de puerta no permite la conmutacin del SCR. Este ser un
comportamiento de los GTOs, como se ver ms adelante.
Caractersticas tensin-corriente
En la figura 2.6 podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de
apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si
16

no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la
tensin V
AK
. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin (ON)
aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin
directa en el estado de conduccin (ON) es de pocos voltios (1-3 V).

Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON),
aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral,
por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.
i
A
v
AK
Estado de bloqueo (OFF)
Estado de conduccin (ON)
Transicin de OFF a ON
Tensin de ruptura
directa

Zona de
bloqueo
inverso

Tensin de
ruptura
inversa

Ruptura
inversa

Figura 2.6. Caracterstica principal de los SCRs

En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo
podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:

1. Zona de bloqueo inverso (v
AK
< 0): sta condicin corresponde al estado de no
conduccin en inversa, comportndose como un diodo.

2. Zona de bloqueo directo (v
AK
> 0 sin disparo): El SCR se comporta como un
circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.

3. Zona de conduccin (v
AK
> 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor
cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente
superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en dicho estado
si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de mantenimiento.

La figura 2.7 muestra las caractersticas corriente-tensin (I-V) del SCR y permite ver
claramente cmo, dependiendo de la corriente de puerta (I
G
), dichas caractersticas pueden
variar.
17

i
A
v
on
I
L
I
H
V
bo
V
br
I
G2
>I
G1
I
G1
>I
G0

I
G0
=0

V
AK
1 a 3 V

Figura 2.7. Caracterstica I-V de un SCR en funcin de la corriente de puerta.

Activacin o disparo y bloqueo de los SCR
Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conduccin:

a) Disparo por tensin excesiva

Cuando est polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensin de
polarizacin se aplica sobre la unin J2 (ver figura 2.4). El aumento de la tensin V
AK
lleva a
una expansin de la regin de transicin tanto para el interior de la capa de la puerta como
para la capa N adyacente. An sin corriente de puerta, por efecto trmico, siempre existirn
cargas libres que penetren en la regin de transicin (en este caso, electrones), las cuales son
aceleradas por el campo elctrico presente en J2. Para valores elevados de tensin (y, por
tanto, de campo elctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas
aceleradas, al chocar con tomos vecinos, provoquen la expulsin de nuevos portadores que
reproducen el proceso. Tal fenmeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de
cargas por la unin J2, tiene el efecto similar al de una inyeccin de corriente por la puerta, de
modo que, si al iniciar la circulacin de corriente se alcanza el lmite I
L
, el dispositivo se
mantendr en conduccin (ver figura 2.7).

b) Disparo por impulso de puerta

Siendo el disparo a travs de la corriente de puerta la manera ms usual de disparar el
SCR, es importante el conocimiento de los lmites mximos y mnimos para la tensin V
GK
y
la corriente I
G
, como se muestra en la figura 2.8.

18

v
GK
(V)
0

i
G
(A)
0
I
Gmin
V
Gmax
V
Gmin
6

0,5

Recta de carga
Lmite de alta
corriente
Mxima potencia
instantnea de puerta
Lmite de baja
corriente
Mxima tensin
de puerta
v
GK

A
K
G
i
G

Sistema
6 V
12

Figura 2.8. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a travs de control de puerta y
circuito de disparo reducido a su equivalente Thvenin.

El valor V
Gmin
indica la mnima tensin de puerta que asegura la conduccin de todos
los componentes de un tipo determinado, para la mnima temperatura especificada.

El valor V
Gmax
es la mxima tensin de puerta que asegura que ningn componente de
un tipo determinado entrar en conduccin, para la mxima temperatura de operacin.

La corriente I
Gmin
es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en
conduccin de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mnima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura 2.8) para
determinar la recta de carga sobre las curvas caractersticas v
GK
-i
G
. Para el ejemplo de la
figura 2.8, la recta de carga cortar los ejes en los puntos 6 V (tensin en vaco de corriente de
disparo) y 6 V / 12 = 0,5 A (intensidad de cortocircuito). Para asegurar la operacin
correcta del componente, la recta de carga del circuito debe asegurar que superar los lmites
v
Gmin
y i
Gmin
, sin exceder los dems lmites (tensin, corriente y potencia mxima).

19

c) Disparo por derivada de tensin

Si a un SCR se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensin exterior aplicada.

Como se coment para el caso de disparo por tensin excesiva, si la intensidad de
fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor
entrar en conduccin estable y permanecer as una vez pasado el escaln de tensin que lo
dispar.

El valor de la derivada de tensin dv/dt depende de la tensin final y de la
temperatura, tanto menor cuanto mayores son stas.

d) Disparo por temperatura

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unin P-N inversamente polarizada
aproximadamente se duplica con el aumento de 8 C. As, el aumento de temperatura puede
llevar a una corriente a travs de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conduccin.

e) Disparo por luz

La accin combinada de la tensin nodo-ctodo, temperatura y radiacin
electromagntica de longitud de onda apropiada puede provocar tambin la elevacin de la
corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crtico y obligar al disparo.

Los tiristores diseados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(Light Activated SCR) suelen ser de pequea potencia y permiten un aislamiento ptico
entre el circuito de control y el circuito de potencia.
2.3.2 TRIAC
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres
terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser
disparado con tensiones de puerta de ambos signos.

Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos
de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente. La figura 2.9
muestra el esquema equivalente de un TRIAC.
20

1 A
2 A
G
G

Figura 2.9. Esquema equivalente de un TRIAC.

La figura 2.10 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su
estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la
conduccin de corriente de nodo a ctodo y viceversa, de ah que los terminales no se
denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2). En algunos
textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.

Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos
permite la puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el
TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms
usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en conduccin.

1 A
2 A
G

p
n
2 A
1 A
G
p
n
n
n
p
p
n
p

Figura 2.10. Smbolo y estructura interna de un TRIAC

La figura 2.11.muestra la caracterstica esttica I-V del TRIAC. Se puede observar que
presenta estado de conduccin tanto para i
A
positiva como negativa, y puede ser disparada
desde el estado de corte al de conduccin tanto para v
A1A2
positiva como negativa. Adems, la
corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser
tanto positiva como negativa. En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la
transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas.
21

I
G2
I
G1
I
G
=0

i
A
I
L
I
H
V
bo
v
on
I
G2
I
G1
I
G
=0

V
A1A2

Figura 2.11. Caractersticas I-V del TRIAC

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo
nicamente un nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin
embargo, tal y como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de
potencia muy reducida. En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con
tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de
TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de
motores y aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia
mxima a la que pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red
monofsica.
2.3.3 GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar
tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.

Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso
de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un
interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores
diferentes a los SCRs o TRIACs.
22

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar
las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el
GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), as como su estructura interna en dos
dimensiones.

A K
AK
i
G

p
n
A
K G
p
n n
p

Figura 2.12. Smbolo y estructura interna de un GTO.

Principio de funcionamiento
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los
tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a
travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G.

El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente
polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo.
Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven
hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el
potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por
encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para
mantenerse en conduccin.

La figura 2.13 muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y
salida de conduccin del GTO.

La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la
abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del
dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la
barrera de potencial en la unin J2.

Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en realidad,
23

las diferencias estn en el nivel de construccin del componente. El funcionamiento como
GTO depende, por ejemplo, de factores como:

Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta esto es posible
debido al uso de impurezas con alta movilidad.

Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de impurezas con bajo
tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin
en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales.

Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha menor
dopado en la regin del ctodo.

Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puerta-ctodo
con gran rea de contacto.

Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones
inversas.
Entrada en
conduccin
P
K
Rg
P+
nodo
G Vg
A
Gate
Rc
Vcc
Ctodo
N+
N-
J1 J2 J3
P
K
Rg
P+
nodo
G
Vg
A
Gate
Rc
Vcc
Ctodo
N+
N-
J1 J2 J3
Apagado
(Bloqueo)

Figura 2.13. Proceso de conmutacin (abertura y cierre) del GTO.

La figura siguiente (Fig. 2.14) muestra las caractersticas estticas (corriente tensin) del
GTO.
24

AK
v
AK
i
B
V
) (kV ruptura
0 >
G
I
0 <
G
I

Figura 2.14. Caracterstica esttica (I V) de un GTO.

Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF al
estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor
dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF.

Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento.
Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede circular de nodo a ctodo, pero
no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro que un SCR y adems el
rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en el caso de los SCRs. En general se
suelen llegar a potencias entorno a los 500kW como mximo. La tensin nodo-ctodo en
conduccin directa tambin es ms elevada que para los tiristores convencionales.
2.4 Transistores
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que
stos trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto
difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un
circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal.

Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de
transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT,
los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de
puerta aislada (IGBT). A continuacin veremos cada uno de ellos.
25

2.4.1. Transistor Bipolar de Potencia (TBP)
Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction Transistors), bsicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordar existen dos tipos
fundamentales, los npn y los pnp, si bien en Electrnica de Potencia los ms usuales y
utilizados son los primeros. La figura 2.15 muestra un recordatorio de los smbolos empleados
para representar los transistores bipolares.

Colector (C)
Base (B)
Emisor (E)
Colector (C)
Base (B)
Emisor (E)
pnp npn

Figura 2.15. Smbolos de los transistores bipolares npn y pnp.
Principio de funcionamiento y estructura
La figura 2.16 muestra la estructura bsica de un transistor bipolar npn.
La operacin normal de un transistor se hace con la unin J1 (B-E) directamente polarizada, y
con J2 (B-C) inversamente polarizada.

En el caso de un transistor npn, los electrones son atrados del emisor por el potencial
positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los
portadores tenga energa cintica suficiente para atravesarla, llegando a la regin de transicin
de J2, siendo entonces atrados por el potencial positivo del colector.

El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona con Ic
por la ganancia de corriente del dispositivo.
P
E
Rb
N+
B
Vb
C
Rc Vcc
N+
N-
J2 J1

Figura 2.16. Estructura bsica del transistor bipolar

26

En la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia (TBP) es
diferente. Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con
baja concentracin de impurezas (bajo dopado), la cual define la tensin de bloqueo del
componente.

La figura 2.17 muestra una estructura tpica de un transistor bipolar de potencia. Los
bordes redondeados de la regin de emisor permiten una homogeneizacin del campo
elctrico, necesaria para el mantenimiento de polarizaciones inversas dbiles entre base y
emisor. El TBP no soporta tensiones en el sentido opuesto porque la elevada concentracin de
impurezas (elevado dopado) del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).

E
5 a 20 m
N +
C
10e16 cm -3
B
N + 10e19 cm -3
250 m
Substracto
50 a 200 m
10 m
P
N - 10e14 cm -3
10e19 cm -3

Figura 2.17. Estructura interna de un TBP tipo NPN

La preferencia en utilizar TBP tipo NPN se debe a las menores prdidas con relacin a
los PNP, lo cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros,
reduciendo, principalmente, los tiempos de conmutacin del componente.
Caractersticas estticas
Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el
circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja
cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i
grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.

27

El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien
diferenciadas, en funcin de la tensin que soporta y la corriente de base inyectada:

- Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un
interruptor abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por
tanto, en sta zona de funcionamiento el transistor est desactivado o la corriente de base no
es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en polarizacin inversa.

- Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada
tensin entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base,
con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente
representada por las siglas
F
o
F
h . Por tanto, en la regin activa, el transistor acta como un
amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el
voltaje v
CE
disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE
directa.

- Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la v
CE
y conseguir que
el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus
terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones estn
polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensin colector-emisor en saturacin.

La figura 2.18 muestra la caracterstica esttica de un transistor bipolar npn. Tal como
se muestra en su caracterstica V-I, una corriente de base suficientemente grande I
B
>I
C
/
(dependiendo de la I de colector) llevar al componente a la plena conduccin. En el estado de
conduccin (saturacin) la tensin v
CE(sat)
est normalmente entre 1-2 V.

La caracterstica de transferencia se muestra en la figura 2.19.

v
CE

0
i
B
= 0
i
B4

i
B5

i
B3

i
B2

i
B1

i
C

I

v
CE(sat)

Saturacin
Corte
Activa

Figura 2.18. Caractersticas V-I de los transistores bipolares
28

Corte Activa Saturacin
v
CC
v
CE(sat)
i
B

Figura 2.19. Caractersticas de transferencia en un transistor bipolar

En Electrnica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la
zona de saturacin, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el
rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeo. Adems tngase en cuenta que dado
que en Electrnica de Potencia se trabaja con tensiones y corrientes elevadas, esa disipacin
de potencia debe evacuarse de algn modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el
semiconductor por una excesiva temperatura en su interior.

Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares de seal y los de potencia son
bastante significativas. En primer lugar, la tensin colector-emisor en saturacin suele estar
entre 1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2-0,3 Volts de cada en un transistor de seal.
Conexin Darlington
Otra diferencia importante es que la ganancia de un transistor de potencia elevada
suele ser bastante pequea. Ello conlleva que debido a las grandes corrientes de colector que
se deben manejar, la corriente por la base debe ser tambin elevada, complicando el circuito
de control de base del transistor. Para transistores de seal se suelen obtener valores de
ganancia entorno a 200, mientras que para transistores de potencia es difcil llegar a obtener
valores de ganancia de 50. Si por ejemplo un TBP con = 20 va a conducir una corriente de
colector de 60 A, la corriente de base tendra que ser mayor que 3 A para saturar el transistor.
El circuito de excitacin (driver) que proporciona esta alta corriente de base es un circuito
de potencia importante por s mismo.

Para evitar esta problemtica se suelen utilizar transistores de potencia en
configuraciones tipo Darlington, donde se conectan varios transistores de una forma
estratgica para aumentar la ganancia total del transistor. sta configuracin se muestra en la
figura 2.20.

29

Figura 2.20. Conexin Darlington

Las principales caractersticas de esta configuracin son:

Ganancia de corriente =
1
.(
2
+1) +
2

T2 no satura, pues su unin B-C est siempre inversamente polarizada
Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. En el disparo, T1 entra en
conduccin primero, dndole a T2 una corriente de base. En el bloqueo (apagado), T1
debe conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2.

Debido a que la ganancia de corriente efectiva de la combinacin o conexin es,
aproximadamente, igual al producto de las ganancias individuales ( =
1
.(
2
+1) +
2
), se
puede, por tanto, reducir la corriente extrada del circuito de excitacin (driver). La
configuracin Darlington puede construirse a partir de dos transistores discretos o puede
obtenerse como un solo dispositivo integrado.

En general los transistores bipolares se utilizan para potencias medias, y frecuencias
de trabajo medias (hasta unos 40 kHz). La ventaja de este tipo de interruptores es que su cada
de tensin en conduccin es bastante constante, si bien el precio que se paga es la
complejidad del circuito de control, ya que es un semiconductor controlado por corriente. Este
tipo de transistores, a diferencia de los que se vern en los siguientes apartados, suelen ser
bastante econmicos.
2.4.2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello de debe al aislamiento (xido de
Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET,
los de canal n y los de canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los
primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la
mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros.

(B)
(E)
(C)
1
2

30

La figura 2.21 muestra un recordatorio de los smbolos utilizados para estos
dispositivos.

Canal p
Puerta (G)
Puerta (G)
Fuente (S)
Drenador (D)
Fuente (F)
Drenador (D)
Canal n

Figura 2.21. Smbolos de los transistor MOSFET de canal n y canal p.

Si bien el TBP fue inventado a finales de los aos 40, ya en 1925 fue registrada una
patente que se refera a un mtodo y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente
elctrica entre dos terminales de un slido conductor. As mismo, tal patente, que se puede
considerar como la precursora de los Transistores de Efecto de Campo, no redund en un
componente prctico, puesto que entonces no haba tecnologa que permitiese la construccin
de los dispositivos. Esto se modific en los aos 60, cuando surgieron los primeros FETs,
pero an con limitaciones importantes con respecto a las caractersticas de conmutacin. En
los aos 80, con la tecnologa MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar
valores significativos de corriente y tensin, con velocidad superior al que se obtena con los
bipolares.
El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de silicio
(SiO
2
). La unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el
cual conduce cuando V
DS
< 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando V
DS
> 0. La
figura 2.22 muestra la estructura bsica del transistor.

Cuando una tensin V
GS
> 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los
agujeros en la regin P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta
tensin alcanza un cierto valor umbral (V
T
), electrones libres (generados principalmente por
efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un canal N dentro de la regin
P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando V
GS
, ms
portadores son atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (R
DS
), permitiendo el
aumento de I
D
. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica.

31

metal
V
GS

V
DD

G
- ID -ID
N +
N +
D
S
P
N -
SiO
2

Figura 2.22. Estructura bsica del transistor MOSFET

La circulacin de I
D
por el canal produce una cada de tensin que produce un efecto
embudo, o sea, el canal es ms ancho en la frontera con la regin N+ que cuando se conecta
a la regin N-. Un aumento de I
D
lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un mayor
efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la extincin de la corriente. Obviamente
el fenmeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente I
D
se mantiene constante
para cualquier V
DS
, caracterizando una regin activa o de saturacin del MOSFET. La figura
2.23 muestra la caracterstica esttica del MOSFET de potencia.

Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las
capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 10
12
Ohms.

De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo
bien diferenciadas:

- Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin
umbral (V
T
), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.

- hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la
tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor
cerrado, modelado por una resistencia, denominada R
ON
.

- Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada,
ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la
puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada dado que el
producto tensin-corriente es alto.
32

v
DS
i
D
0

v
GS4
v
GS3
v
GS2
v
GS1
ON

OFF
Saturacin
Ohmica

Corte

Figura 2.23. Caracterstica esttica del transistor MOSFET canal n

Obviamente, en Electrnica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte
o en hmica (interruptor abierto o cerrado). Atencin con los nombres de las zonas de trabajo,
que pueda causar confusin al lector cuando se habla de un bipolar y de un MOSFET.
Observar que la zona de saturacin de un BJT corresponde a la zona hmica del MOSFET y
que la zona de saturacin de ste corresponde a la zona activa del BJT.

Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden
manejar es bastante reducida. Para grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos,
en general, por la limitacin de tensin. Sin embargo, son los transistores ms rpidos que
existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde es necesario altas velocidades de
conmutacin (se pueden llegar a tener aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable
para los bipolares).

Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en
conduccin R
ON
vara mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no
se tiene un comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin
embargo, su ventaja ms relevante es la facilidad de control gracias al aislamiento de la
puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeo y se simplifica el diseo del circuito de
disparo (driver) y control correspondiente.

33

Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las ventajas de
ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT que se
describe en el siguiente apartado.
2.4.3. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un
dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados
anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas
prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo
que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se
tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La
figura 2.24 muestra la simbologa para este tipo de transistores.

Colector (C)
Puerta (G)
Emisor (E)
(E)

(G)
(C)

Figura 2.24. Smbolos alternativos de los transistores IGBTs.

Su velocidad de conmutacin, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha
crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes
para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa
P+ que forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 2.25.

Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V
y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de
puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs,
pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante
elevadas.

En trminos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la
regin N- tiene su conductividad modulada por la inyeccin de portadores minoritarios
(agujeros), a partir de la regin P+, una vez que J1 est directamente polarizada. Esta mayor
conductividad produce una menor cada de tensin en comparacin a un MOSFET similar.
34

J3
J1
J2
P
Colector
P +
Gate (puerta)
N +
Emisor
S
N -
metal
SiO
2

Figura 2.25. Estructura bsica del transistor IGBT

El control del componente es anlogo al del MOSFET, o sea, por la aplicacin de una
polarizacin entre puerta y emisor. Tambin para el IGBT el accionamiento o disparo se hace
por tensin.

La mxima tensin que puede soportar se determina por la unin J2 (polarizacin
directa) y por J1 (polarizacin inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se puede
concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es polarizado inversamente.

Los IGBT presentan un tiristor parsito. La construccin del dispositivo debe ser tal
que evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades asociadas a la
regin P. Los componentes modernos no presentan problemas relativos a este elemento
indeseado.

En la figura 2.26 se muestra la caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT.

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de
conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura
secundaria como los BJT.

35

v
GE
v
CE
i
C
0

Figura 2.26. Smbolo y caracterstica esttica del transistor IGBT

El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

2.4.4. Comparacin entre los diferentes transistores de potencia
A continuacin se presenta una breve tabla de comparacin de tensiones, corrientes, y
frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos.

BJT MOSFET IGBT
1000-1200V 500-1000V 1600-2000V
700-1000A 20-100A 400-500A
25kHz Hasta 300-400kHz Hasta 75kHz
P medias P bajas, <10kW P medias - altas

Los valores mencionados no son exactos, dada la gran disparidad que se puede encontrar
en el mercado. En general, el producto tensin-corriente es una constante (estamos limitados
en potencia), es decir, se puede encontrar un MOSFET de muy alta tensin pero con corriente
reducida. Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo. Existen bipolares de poca potencia
que trabajan tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo ms usual.

36

2.5 Prdidas en conduccin y en conmutacin
Una problemtica de los semiconductores de potencia est relacionada con sus prdidas
y con la mxima disipacin de potencia que pueden alcanzar. Como se ha mencionado
anteriormente, si se supera la temperatura mxima de la unin (uniones entre distintos tipos
de semiconductores) en el interior de un dispositivo, ste se destruye rpidamente. Para ello es
necesario evacuar la potencia que se disipa mediante radiadores, que en algunos casos pueden
ser de gran tamao.

La disipacin de potencia no es otra cosa que las prdidas que tiene el dispositivo
semiconductor. Existen dos mecanismos que provocan las prdidas. Lo que se denominan
prdidas en conduccin, es decir, cuando el interruptor est cerrado y por tanto hay
circulacin de corriente. Por ejemplo, un MOSFET cuando est cerrado se comporta como
una resistencia de valor Ron, de manera que disipa una potencia que vale aproximadamente
Ron I
2
. Adems existen unas prdidas adicionales, denominadas prdidas en conmutacin,
que se producen cuando un semiconductor pasa del estado de bloqueo a conduccin y
viceversa. Las transiciones de corriente y tensin en el semiconductor no son instantneas ni
perfectas, con lo que en cada conmutacin se producen unas determinadas prdidas. El lector
rpidamente entender que las perdidas en conmutacin dependen de la frecuencia de
conmutacin, es decir, cuantas ms veces por segundo abra y cierre un transistor, ms
potencia estar disipando el semiconductor. Es decir, las prdidas en conmutacin dependen
directamente de la frecuencia de trabajo del dispositivo. De ah que se debe limitar la
frecuencia de conmutacin de cualquier dispositivo en electrnica de potencia para evitar su
destruccin. La figura 2.27 muestra las curvas de tensin (V
DS
), corriente (I
DS
) y potencia (P)
de un MOSFET inicialmente bloqueado (OFF). Se puede ver la conmutacin de OFF a ON,
despus un periodo que se mantiene en conduccin para despus volver a cerrarse. La figura
muestra las prdidas (potencia disipada) relacionadas con la conmutacin y la conduccin del
dispositivo.

Figura 2.27. Prdidas en conduccin y en conmutacin

PERDIDAS EN CONDUCCIN
PERDIDAS EN CONMUTACIN
37

2.6 Comparacin de prestaciones entre los diferentes dispositivos de
electrnica de potencia.
A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia
ms utilizados, haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de
trabajo.

Tabla de prestaciones:

DISPOSITIVO TENSIN CORRIENTE FRECUENCIA
DIODOS <10kV <5000A <10MHz
TIRISTORES <6000V <5000A <500Hz
GTOs <6000V <3000A <500Hz
TRIACs <1000V <25A <500Hz
MOSFETs <1000V <100A <1MHz
BJTs <1200V <700A <25kHz
IGBTs <2000V <500A <75kHz

Regiones de Utilizacin: en funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele
trabajar en distintas zonas, parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de
trabajo. Una clasificacin cualitativa se presenta en la siguiente figura:

DISPOSITIVO POTENCIA FRECUENCIA
TIRISTORES Alta Baja
GTOs Alta Baja
TRIACs Baja Baja
MOSFETs Baja Alta
BJTs Media Media
IGBTs Media-Alta Media

Por otro lado, la figura 2.28 muestra un grfico que compara las capacidades de
tensin, corriente y frecuencia de los componentes controlables.

38

1kHz
10kHz
100kHz
1MHz
1kA 2kA 3kA 4kA 5kA 6kA
1kV
2kV
3kV
4kV
5kV
V
I
f
Tiristor
GTO
IGBT
BJT
MOSFET

Figura 2.28. Comparativa de los dispositivos de potencia

En la siguiente tabla se aaden otras caractersticas importantes a tener en cuenta en el
diseo de circuitos de electrnica de potencia.

Dispositivos

DIODO
SCR GTO BJT MOSFET IGBT
Caractersticas de disparo --------- En corriente En corriente En corriente En tensin En tensin
Potencia del circuito de
mando
--------- Media - Alta Alta Media - Alta Muy baja Muy Baja

Complejidad del circuito de
mando
--------- Baja Alta Alta Muy Baja Muy Baja

Densidad de corriente Media p/ Alta Alta Media - Alta Media Alta - Baja Alta
Mxima tensin inversa Media Alta Alta Baja - Media Media - Baja Madia - Alta
Perdidas en conmutacin
(circuitos convencionales)
Baja p/ media Alta Alta Media - Alta Muy Baja Madia - Alta

Por ltimo la figura 2.29 muestra algunas posibles aplicaciones de los distintos
dispositivos de electrnica de potencia.

39

Figura 2.29. Aplicaciones de la Electrnica de Potencia segn los dispositivos empleados.

2.7 Bibliografa


Prentice Hall.

40
Convertidores CA/CC - Rectificadores

Captulo 3
3.1 Introduccin
Este apartado se inicia con una revisin de algunos conceptos bsicos de los
rectificadores. La distribucin de energa elctrica se hace, esencialmente, en corriente
alterna, debido, principalmente, a la facilidad de adaptacin del nivel de tensin por medio de
transformadores.
Sin embargo, en muchas aplicaciones, la carga alimentada requiere una tensin
continua. La conversin CA/CC es realizada por convertidores estticos de energa,
comnmente denominados rectificadores. Por tanto, un rectificador es un sistema electrnico
de potencia cuya funcin es convertir una tensin alterna en una tensin continua.
En una primera clasificacin, podemos diferenciar los rectificadores de acuerdo con el
nmero de fases de la tensin alterna de entrada (monofsico, bifsico, trifsico, hexafsico,
etc.). Dentro de estos, podemos diferenciar los rectificadores en funcin del tipo de conexin
de los elementos (media onda y de onda completa). Otra posible clasificacin es segn su
capacidad de ajustar el valor de la tensin de salida, ello depende de si se emplean diodos o
tiristores. Los rectificadores no controlados son aquellos que utilizan diodos como elementos
de rectificacin, en cuanto que los controlados utilizan tiristores o transistores.
3.2 Rectificadores no controlados
A la hora de llevar a cabo la rectificacin, se han de utilizar elementos electrnicos que
permitan el paso de la corriente en un sentido, permaneciendo bloqueado cuando se le aplique
una tensin de polaridad inapropiada. Para ello, en los rectificadores no controlados, como ya
se ha comentado, el componente ms adecuado y utilizado es el diodo semiconductor.
Como se coment en el captulo dedicado a los dispositivos de electrnica de potencia, el
diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales, nodo y ctodo, que dejar pasar la
corriente cuando el nodo sea positivo respecto al ctodo, y no conducir cuando la tensin
41

aplicada a sus extremos sea la contraria. Ello conlleva a que el diodo sea un componente
adecuado para ser utilizado, solo o con otros diodos, como rectificador.
En estado de bloqueo, la corriente que circula por un diodo recibe el nombre de
corriente de fugas y es prcticamente nula.
Tambin se ha de tener en cuenta, adems de la tensin directa (en conduccin) V
F
, la
tensin inversa que soporta el diodo V
R
.
3.2.1 Rectificador monofsico de media onda
Es el rectificador ms sencillo que existe, y en consecuencia el ms barato. Simplemente
es necesario un diodo entre la alimentacin de alterna y la carga, tal y como se muestra en la
figura 3.2. Podra existir un transformador si se desea aislamiento galvnico entre la red
elctrica y la carga. Este circuito slo rectifica la mitad de la tensin de entrada; o sea, cuando
el nodo es positivo con respecto al ctodo. Podemos considerarlo como un circuito en el que
la unidad rectificadora est en serie con la tensin de entrada y la carga. Si modelamos la
carga por una resistencia, el anlisis es muy sencillo. El diodo conducir si la tensin de
entrada Vs es positiva. En ese caso, la tensin que ver la carga (
O
V ), ser aproximadamente
la tensin de entrada, siempre y cuando despreciemos la cada de tensin del diodo en estado
de conduccin. Si la tensin de entrada es negativa, el diodo no puede conducir dado que ve
una tensin nodo ctodo negativa. La carga ve una tensin nula entre sus bornes, dado que
no hay circulacin de corriente.

v
O
i
O
R
L
D

A

K
v
D
v
S
=V
max
sen (t)
+

-

Figura 3.2. Rectificador monofsico de media onda (medio puente) con carga resistiva

La figura 3.3 muestra las formas de onda con carga resistiva para un rectificador
monofsico con topologa de media onda, tambin denominado de medio puente. El
funcionamiento consiste en tomar de la red una seal sinusoidal de valor medio nulo, y
proporcionar a la carga, gracias al diodo, una forma de onda unidireccional, pero no constante
como se puede apreciar en la figura 3.3. El nombre de rectificador proviene del hecho de que
se rectifica la onda y queda la salida siempre positiva o nula. Ntese que se rectifica
simplemente media onda de la senoide completa, de ah el nombre de rectificador de media
onda. Obsrvese tambin que no se tiene control externo sobre el semiconductor de potencia,
de ah el nombre de rectificador no controlado.
42

2 3 .t 0
v
O
2 3
.t 0
v
S
V
max
v
S
=V
max
sen (t)
V
max
D ON

D OFF D ON D OFF

Figura 3.3. Formas de onda (carga resistiva) del rectificador monofsico no controlado, media onda.

Segn sea la amplitud de la tensin de alimentacin, tendremos un determinado nivel
de tensin continua a la salida.

t sen V v
O

max
= t 0

0 =
O
v 2 t

Tensin media en la carga: Este valor nos determina la componente continua de la tensin
en la carga. Lo obtenemos calculando el promedio del voltaje de salida del rectificador:

( )
max
max
0 0
max
318 , 0 t d
2
1

1
V
V
t sen V dt t v
T
V
T
S dc O
= = = =

Obsrvese que tendremos una componente continua del orden del 30% del valor de pico.

Tensin eficaz en la carga:

( )
2 2
1
max
2
0
max
V
t d t td sen V V
rms O
= =

Con carga resistiva las formas de onda de tensin y de corriente en la salida del
rectificador y en la carga son las mismas, como se muestra en la figura 3.3. La corriente de
entrada presenta la misma forma y fase que la tensin de salida.

Valor medio de la corriente en la carga:
43

max
I
I
dc O
=
Valor eficaz de la corriente en la carga:
2
max
I
I
rms O
=
Sabiendo que:
L
R
V
I
max
max
=
Los valores de I
Odc
e I
max
debern tenerse en cuenta a la hora de elegir un diodo
semiconductor para el rectificador.

Potencia media en la carga:

( ) ( )
L L
dc
dc O
R
V
R
V
P
2
max
2
318 , 0
= =
Potencia eficaz en la carga:

( ) ( )
L L
rms O
ac O
R
V
R
V
P
2
max
2
5 , 0
= =
Rendimiento:

( )
( )
( )
( )
%) 4 , 40 ( 404 , 0
25 , 0
101 , 0
5 , 0
318 , 0
2
max
2
max
2
2
= =

= = =
V
V
R
V
R
V
P
P
L
Orms
L
Odc
ac O
dc O

3.2.2 Rectificador con transformador de toma media
En este caso, para rectificar la onda completa, se utilizan 2 diodos, en una configuracin
denominada rectificador con transformador en toma media. Las figuras 3.4 y 3.5 muestran el
circuito y las formas de onda, respectivamente.

44

v
O
i
O
R
L
D
1
+
-
D
2
v
D1
v
D2
+
-
v
S
=V
max
sen (t)

Figura 3.4. Rectificador monofsico con transformador de toma media y carga resistiva

t
t
2
D1 D1 D2 D2
vS
Vmax
iO
Imax
vS1 = Vmax sen.t vS2 = Vmax sen.t
VOdc/RL

Figura 3.5. Formas de onda del rectificador monofsico no controlado, onda completa

El transformador con toma media ser el encargado de proporcionarnos dos tensiones
(v
S1
y v
S2
), de igual magnitud y con un desfase entre ellas de 180.

Tensin media en la carga:

| |
max
max
0
2
0
max
max
636 , 0
2
cos
2
V
V
t
V
t d t sen V
T
V
T
dc O
= = = =


( )
max
max 2
0
2
max
707 , 0
2
2
V
V
t d t sen V
T
V
T
rms O
= = =

Corriente en los diodos:

( ) ( )

max
2 1
I
I I
D Odc D dc O
= =
( ) ( )
2 2
max
2 1
I
I I
D rms O D rms O
= =

45

Potencia aparente en el secundario (S):
( ) ( )
L
S S
R
V
V I V S
2
707 , 0 2 2
max
max
= =
Potencia media en la carga:
( )
L
dc O
R
V
P
2
max
636 , 0
=

Potencia eficaz en la carga:

( )
L
ac O
R
V
P
2
max
707 , 0
=

Rendimiento:
( )
( )
( ) % 81 81 , 0
707 , 0
636 , 0
2
max
2
max
= =
L
L
R
V
R
V

Despus de este anlisis hemos podido observar que el rendimiento de este tipo de
transformador es el doble del monofsico de media onda, lo cual, unido a la duplicacin de la
intensidad media, y a la notable reduccin del rizado, implica una clara mejora.

Cabe destacar que si consideramos que el rectificador est conectado a la red elctrica
domstica de 50 perodos, la tensin de salida del rectificador en onda completa presenta un
rizado de 100Hz, frente a los 50Hz que aparecen en un rectificador de media onda. En
electrnica de potencia, estos rectificadores se suelen utilizar frecuentemente en etapas donde
la frecuencia de entrada es elevada, puesto que en ste caso se consigue reducir el tamao del
transformador.

Si hubiera que destacar un inconveniente en la topologa del rectificador con
transformador en toma media, ste sera el hecho de que los diodos deben soportar una
tensin inversa doble al que soportaban para el rectificador de media onda.
3.2.3 Rectificador en puente
En este caso, para rectificar la onda completa, se utilizan 4 diodos, en una
configuracin denominada puente completo o puente de Graetz. Recibe el nombre de puente
rectificador, por estar formado por cuatro diodos conectados en puente y su principal ventaja
respecto al rectificador de onda completa con toma media es que no necesita transformador.
46

i
s

R
L

D
2 D
1
D
3 D
4
i
O

v
O

v
S
=V
max
sen (t)

Figura 3.6. Puente rectificador monofsico no controlado de onda completa.

Ntese que en este caso, conducen siempre dos diodos simultneamente. Si la tensin
en la entrada del rectificador es positiva (semiciclo positivo), conducirn D
1
y D
4
mientras que
D
2
y D
3
estarn polarizados inversamente y, por tanto, estarn bloqueados (OFF). Si por el
contrario, la tensin es negativa (semiciclo negativo), conducirn D
2
y D
4
. En general, para
saber qu diodo puede conducir hay que analizar cual de los cuatro tiene mayor tensin en su
nodo y cual de ellos tiene menos tensin en su ctodo. La figura 3.7 muestra las formas de
onda del rectificador en puente completo con carga resistiva.

t
t

2
2

D
1 D
2
v
S

V
max

v
C

V
max

v
S
= V
max
sen.t
D
4 D
3
D
1
D
4
1
D
2
D
3

Figura 3.7. Tensin en la carga para el puente rectificador monofsico no controlado.
Como se puede observar, se obtiene en la carga la misma forma de onda que en el caso del
rectificador con transformador de toma media.
Los parmetros caractersticos son iguales que para el rectificador con transformador de toma
media, excepto la mxima tensin inversa que soporta cada diodo, que en este caso ser V
max
.
3.2.4 Rectificador trifsico de onda completa no controlado con carga resistiva
De forma anloga a los casos anteriores, se puede implementar un rectificador trifsico
utilizando diodos.
47

Los rectificadores trifsicos se utilizan normalmente en la industria para producir
tensin y corriente continuas para grandes cargas. En la Figura 3.8 se muestra el rectificador
trifsico en puente completo. El generador trifsico de tensin est equilibrado y la secuencia
de fases es a-b-c. En el anlisis inicial del circuito se supondr que el generador y los diodos
son ideales.

a
R
L

D
1

D
4

i
O

v
O

D
3

D
6

D
2

D
5

b
c
+
-
+
-
+
-
v
an

v
bn

v
cn

n
i
a

-
+
v
D1

+
-
P
N
i
b

i
c

Figura 3.8. Rectificador trifsico en puente

He aqu algunas observaciones bsicas sobre el circuito:

1. La ley de Kirchhoff para las tensiones aplicada al circuito muestra que slo puede
conducir un diodo a la vez en la mitad superior del puente (D
1
, D
2
o D
3
). El diodo
en estado de conduccin tendr su nodo conectado a la tensin de fase de mayor
valor en ese instante.

2. La ley de Kirchhoff para las tensiones tambin muestra que slo puede conducir
un diodo a la vez en la mitad inferior del puente (D
4
, D
5
o D
6
). El diodo en estado
de conduccin tendr su ctodo conectado a la tensin de fase de menor valor en
ese instante.

3. D
1
y D
4
no podrn conducir al mismo tiempo como consecuencia de las
observaciones 1 y 2. De la misma manera, tampoco podrn conducir
simultneamente D
2
y D
5
, ni D
3
y D
6
.

4. La tensin de salida en la carga es una de las tensiones de lnea del generador. Por
ejemplo, cuando D
1
y D
5
conducen, la tensin de salida es v
ab
(v
an
- v
bn
). Adems
la tensin de lnea de mayor valor instantneo determinar los diodos que estarn
en conduccin. Por ejemplo, cuando el valor instantneo mayor de la tensin de
lnea sea v
CA
, la salida ser v
CA
.

5. Existen seis combinaciones de tensiones de lnea (tres fases combinadas de dos en
dos). Si consideramos que un perodo del generador son 360, la transicin de la
tensin de lnea de mayor valor deber producirse cada 360/6 = 60. El circuito se
denomina rectificador de seis pulsos debido a las seis transiciones que se producen
en cada perodo de la tensin del generador.
48

6. La pulsacin fundamental de la tensin de salida es 6, donde es la pulsacin
del generador trifsico.

D
5

D
1

D
6

D
2

D
4

D
3
D
5

v
an
v
bn v
cn
0

- v
max
v
-v
max
2 /2

5/6
3/2
t

Figura 3.9. Tensin trifsica de entrada al rectificador.

Otra manera de estudiar o analizar el rectificador trifsico es dividindolo en dos partes:

Rectificador tipo P: Sera la parte de circuito compuesta por los diodos D
1
, D
2
y D
3
,
funcionando como un detector de mximo. En cualquier instante permitir conectar a
la carga la mayor de las tensiones trifsicas.

Rectificador tipo N: Estara compuesto por los diodos D
4
, D
5
y D
6
, funcionando
como un detector de mnimo. En cualquier instante permitir conectar a la carga la
menor de las tensiones trifsicas.

Con la unin de ambas partes conseguimos que durante todo el tiempo se conecte el
mayor de las tres tensiones a uno de los terminales de la carga y al otro terminal el menor de
dichas tensiones.

En la figura 3.9 podemos observar como la parte superior de la forma de onda es la del
grupo tipo P, y la inferior la del tipo N. As, la tensin en la carga puede considerarse como la
suma de las tensiones de dos rectificadores de media onda trifsicos, con relacin al neutro
n.

En la figura 3.10, para la tensin en la carga vemos seis pulsos con una duracin de /3,
provocando en cada perodo una secuencia de conduccin de los diodos tal que:

D
3
D
5
; D
5
D
1
; D
1
D
6
; D
6
D
2
; D
2
D
4
; D
4
D
3
;

La secuencia de conduccin se corresponde con las seis tensiones senoidales por ciclo,
y cuya diferencia de tensin es:
49

v
cn
-v
bn
; v
an
-v
bn
; v
an
-v
cn
; v
bn
-v
cn
; v
bn
-v
an
; v
cn
-v
an
;

La mxima tensin ser max V 3 .

0
0
0
0
t
t
t
t
i
D1

i
cn

v
O

v
max
3V
3/2
/2
D
4
-D
3 D
2
-D
4
D
6
-D
2
D
1
-D
6
D
5
-D
1
D
3
-D
5

2
R
V
max
3
R
V
max
3

/3
2/3
/3 2/3
4/3 5/3 2
/3
R
V
max
3
max
3V
max
3V
4/3
2 5/3

Figura 3.10. Formas de onda del rectificador trifsico no controlado de onda completa.
Tensin media en la carga
Se puede calcular obteniendo la tensin media que entrega cada rectificador de media
onda (tipo P y tipo N) que compone el puente:
( ) ( ) N dc
m
P dc
V sen
V
t d t V V = = =

3
3
cos
3
2
1
3
3
max

( ) ( ) max
max
654 , 1
3
3
2 V sen
V
V V V
N dc P dc dcTOTAL
= = + =

50

Otra posible manera de calcularlo sera:

max max max
6
0
654 , 1
3 3
cos 3
6
2
2
V V t d t V V
dc
= = =

Tensin eficaz en la carga
( ) ( )
max max
2 2
max
6
0
6554 , 1
4
3 9
2
3
cos 3
6
2
2
V V t d t V V
Orms
=
|
|
.
|
\
|
+ = =

Corriente media en la carga
La corriente de pico en los diodos es
R
max V 3
, que se corresponde con la corriente
mxima de lnea. Adems cabe destacar que en los diodos circula la intensidad que atraviesa
la carga, durante T/3.

max max max
6
0
) (
3183 , 0
6
2
cos
2
4
I sen I t d t I I
dc D
=
|
.
|
\
|
= =

.
Corriente eficaz en los diodos
( ) ( )
max max
6
0
2 2
max ) (
5518 , 0
6
2
2
1
6
1
cos
2
4
I sen I t d I I
rms D
=
|
.
|
\
|
+ = =

Con el rectificador trifsico se obtiene un rizado de tensin menor a la salida y se
puede transferir ms energa, si lo comparamos con el rectificador monofsico.
3.2.5 Rectificadores con filtro
Si se quiere mejorar la forma de onda que aparece a la salida de un rectificador es
necesario el empleo de un filtro, bsicamente, basado en un condensador. El condensador
permite mantener la tensin de salida casi constante, reduciendo el rizado de tensin final. La
figura 3.11 muestra un esquema de un rectificador monofsico con filtro basado en
condensador y la figura 3.12 muestra las tensiones de entrada (vs) y de salido VO
51

R
L

+
C
v
O

v
S
=V
max
sen (t)

Figura 3.11. Circuito rectificador media onda con filtro condensador.

S
v
O
v
t
ON D
r Condensado del Descarga

Figura 3.12. Tensin de entrada (v
S
) y de salida (v
O
) de un rectificador monofsico con filtro.
3.3 Rectificadores controlados
Los rectificadores que hemos visto hasta ahora estaban basados en diodos,
semiconductores sobre los cuales no tenemos ningn control ni de encendido (puesta en
conduccin) ni de apagado (bloqueo). Si queremos controlar la tensin de salida de un
rectificador, es necesario utilizar semiconductores de potencia que puedan ser controlados.
Lo ms usual es utilizar dispositivos de la familia de los tiristores.
Por tanto, se puede decir que los rectificadores controlados reciben este nombre por
que utilizan un dispositivo de control, en este caso el tiristor. Se utilizan las mismas
topologas que en el caso de los rectificadores no controlados, pero sustituyendo los diodos
por tiristores. La ventaja de utilizar tiristores viene dada por la capacidad de stos de retardar
su puesta en conduccin, sucediendo sta cuando la tensin nodo-ctodo sea positiva y
adems reciba un pulso adecuado de tensin y corriente en su puerta.
Al retardar el ngulo de disparo es posible variar la tensin rectificada de salida, de ah
el calificativo de controlados.
En los rectificadores controlados, por lo tanto, se controla la puesta en conduccin del
tiristor y el bloqueo se realiza de forma natural cuando se anula la corriente por el dispositivo.
52

3.3.1 Rectificador monofsico controlado de media onda y carga resistiva
La figura 3.13 muestra la topologa de un rectificador monofsico de media onda
controlado.
Durante el semiciclo positivo de la tensin de entrada, la tensin nodo-ctodo es
positiva, de manera que el SCR puede entrar en conduccin. Si en el instante respecto al
paso por cero de la tensin de entrada el circuito de control genera un pulso en la puerta del
SCR, ste empezar a conducir, haciendo que circule corriente por la carga. En el instante ,
la tensin en la carga se anula, provocando que la corriente sea nula y en consecuencia,
bloqueando de forma natural el SCR. El ngulo de disparo o ngulo de fase se expresa en
grados, para que su valor sea independiente de la frecuencia, si bien en la realidad equivale a
unos ciertos milisegundos.
Controlando el ngulo de disparo de los tiristores somos capaces de enviar ms o
menos energa a la carga, con lo que estamos controlando el valor medio de la tensin de
salida del rectificador. La figura 3.14 muestra las formas de onda de la tensin de entrada, la
tensin en la de carga, la corriente en la carga y la tensin nodo-ctodo del SCR.

v
O

i
O
R
L
T
v
T
v
S
=V
max
sen (t)
Circuito de
Disparo

Figura 3.13. Circuito rectificador controlado monofsico de media onda

53

V
max

- V
max

v
O

0
I
max

i
O

0 t
t
t

v
T

- V
max

v
O
/R
2
2
2
0
t 0
2
v
S

V
max

V
S
= V
max .
se n t

Figura 3.14. Formas de onda de un rectificador monofsico controlado de media onda: tensin en la entrada (v
S
),
tensin en la carga (v
O
), intensidad en la carga (i
O
) y tensin nodo-ctodo del SCR (v
T
).

Tensin media en la carga: Si V
max
es el valor de pico de la tensin de entrada, tenemos que:
| | ( )
+ = = =

cos 1
2
cos
2 2
1
max max
max
V
t
V
t d t sen V V
dc

Para =0, la tensin media en la carga ser:
max
V
V
dc
= , valor que corresponde a un
rectificador monofsico de media onda no controlado.

( )
( ) ( )
2
2
1
2
2
2
1
2
1
2

2
2 cos 1
2 2
1
max max
max
2
max
sen
V
t sen t
V
t d
t V
t d t sen V V
rms
+ =
(
=
=
= =

54

Para =0, la tensin eficaz ser
2
2
max max
V V
V
rms
= =
, valor que corresponde a un

rectificador monofsico de media onda no controlado.

Tensin inversa mxima soportada por el tiristor (V
R
): Esta tensin ser la mxima de
entrada para = /2, por lo tanto:

max
V V
R
=

Corriente media en la carga:
( )
R
V
I
I
t d t sen I I
dc
dc dc
= +
|
.
|
\
|
= =

cos 1
2 2
1
max
max

Corriente eficaz en la carga:

( )
R
V
I
sen I
t d t sen I I
rms
rms rms
=
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
= =

2
2
1
2 2
1
max
2
max

El uso en la industria de este tipo de rectificador es casi nulo debido a que la tensin
de salida presenta un excesivo rizado de baja frecuencia.
3.3.2 Rectificador monofsico totalmente controlado
En este montaje, los diodos que formaban el puente rectificador no controlado se sustituyen
por tiristores tipo SCR, haciendo posible el control de fase de una onda completa de la seal
de entrada. El circuito se puede ver en la figura 3.13.

i
T3 i
T4
i
S

R
L

T
2
T
1

T
3
T
4

i
O

v
O

i
T1

i
T2

S
=V
max
sen (t)

Figura 3.13. Rectificador monofsico totalmente controlado.

55

Los tiristores T
1
y T
4
conducirn durante el semiciclo positivo de la entrada, y los
tiristores T
2
y T
3
en el negativo. Eso quiere decir que los tiristores se dispararn de dos en dos
con un ngulo de fase retardado a partir del paso por cero de la tensin de entrada. La figura
3.14 muestra las formas de onda de la corriente de entrada y de la tensin de salida del
rectificador.

Tensin media en la carga:
( ) ( )
+ = + = =

cos 1 cos cos

1

2
2
max
max max
V
V t d t sen V V
dc

I
max

v
C

i
S

T
2
-T
3
T
1
-T
4

t
t
V
max

-I
max

-V
max

0
2
t
v
S

V
max

v
S
= V
max
sent
+

Figura. 3.14. Formas de onda del puente rectificador totalmente controlado, con carga resistiva.

Para =0, la tensin media en la carga ser:
max
2V
V
dc
=


( ) ( )
(
+ = =

2
2
1
2 2
1
max
2
max
sen
V
t d t sen V V
rms

Intensidad media en la carga:

56

( )
cos 1
max
+ =
I
I
dc

3.3.3 Cargadores de bateras.
Una de las aplicaciones ms comunes de los rectificadores son los cargadores de bateras. La
idea es transformar energa de CA (red monofsica o trifsica) en CC para cargar bateras. La
figura 3.15 muestra un esquema de un tpico cargador de bateras. El rectificador puede ser de
cualquier tipo, controlado, no controlado, monofsico, trifsico, de media onda o de onda
completa, etc., dependiendo de las disponibilidades y necesidades de energa. En el caso de la
figura 3.15 se trata de un cargador de batera controlado, puesto que dependiendo del ngulo
de disparo de cada uno de los SCR, se controla la corriente de carga de la batera. Se suele
aadir una impedancia entre la batera y el rectificador, tpicamente una bobina, para limitar la
corriente y reducir el rizado. Para mejorar la vida de las bateras es necesario realizar un
control complejo del sistema, ya sea, en modo tensin o modo corriente, de manera que se
optimice el ciclo de carga y se alargue la vida de las bateras.

1 SCR
2 D
1 D
L
bat
i
A
B
Vs
+
2 SCR

Figura 3.15. Cargador de bateras monofsico en puente completo controlado.

3.4 Bibliografa


Prentice Hall.

57

Captulo 4
Convertidores CC/CC directos
4.1 Introduccin
Determinadas aplicaciones requieren alimentacin en continua, como por ejemplo, los
circuitos internos que forman un ordenador personal. Sin embargo, se suele partir de una
tensin alterna para alimentarlos. Lo ms usual es emplear un rectificador para convertir la
energa en alterna a continua. Sin embargo, la mayora de las veces, la tensin en continua
obtenida es superior o inferior a la que necesita una determinada aplicacin. Por ejemplo,
rectificando los 220V eficaces de la red monofsica domstica, obtenemos aproximadamente
311 V en continua. El empleo de un transformador a la entrada del rectificador puede reducir
la tensin de alimentacin. De todas formas, es difcil an as que obtengamos valores
adecuados de tensin continua para nuestros circuitos. En ese caso, es necesario utilizar un
circuito que permita la conversin de energa en continua. En determinadas aplicaciones nos
interesar reducir la tensin de entrada y en otras nos interesar elevar la tensin. Para ello
existen lo que se denominan convertidores CC/CC, que permiten transformar energa en CC
de forma eficiente (alto rendimiento).

Los convertidores CC/CC son ampliamente utilizados en fuentes de alimentacin
conmutadas (generalmente con un transformador de aislamiento) y en aplicaciones de
accionamiento de motores de corriente continua.

Como se muestra en la Figura 4.1, habitualmente la entrada de estos convertidores es una
tensin continua no regulada, la cual se obtiene rectificando la tensin de lnea de la red
domstica de corriente alterna.

58

Rectificador
no controlado
Filtro
Convertidor
CC/CC
Carga
CC
regulada
CC
no regulada
CC
no regulada
Tensin
de Red
CA
Monofsico
o
Trifsico
v
control

Figura 4.1. Utilizacin de un convertidor CC/CC para alimentar un carga a partir de alterna.

Podemos definir los convertidores CC/CC como circuitos que transforman una tensin
continua (por lo general no regulada) en otra tambin continua y regulada.

Existen mltiples topologas que permiten realizar una conversin CC/CC. Son conocidos
varios mtodos de sntesis de circuitos y todos llevan a un conjunto de convertidores
construidos con el menor nmero de componentes posible. Existen seis convertidores bsicos,
Buck, Boost, Buck-Boost, Ck, Sepic y Zeta, tal y como se muestra en la Figura 4.2, que se
caracterizan por utilizar nicamente dos interruptores, uno activo (el transistor) y otro pasivo
(el diodo).

Habitualmente el interruptor activo (transistor) para este tipo de convertidores es un BJT,
MOSFET o IGBT.

El transistor funciona en conmutacin a modo de interruptor; en la regin de corte (bloqueo) y
en la regin hmica para el caso del MOSFET y de saturacin para el BJT y el IGBT.
Controlando la tensin de puerta (MOSFET/IGBT) o la corriente de base (BJT), podemos
mantener el transistor conduciendo el tiempo que sea necesario.

59

+
-
+
-
V
o
+
-
+
-
+
-
+
-
Buck
Boost
Buck-Boost
Ck
SEPIC
ZETA
v
i
V
o
v
o
V
o
V
i
V
o
V
o
V
i
V
i
V
i
V
i
V
i

Figura 4.2. Convertidores CC/CC bsicos.

Slo tenemos control sobre el transistor, pues la conduccin del diodo depende del resto del
circuito. Para que un convertidor mantenga la tensin de salida constante es necesario un
circuito externo de control, tpicamente trabajando en lazo cerrado, que genere una seal de
gobierno del transistor.
Control de los convertidores CC/CC
Los convertidores CC/CC conmutados utilizan uno o ms interruptores para transformar un
nivel continuo en otro. En un convertidor CC/CC con un nivel de tensin de entrada, el valor
medio de la tensin de salida se ajusta controlando la duracin del estado abierto (OFF) o
cerrado (ON) del interruptor. Para ilustrar el concepto de conversin empleando el modo de
conmutacin, considere el convertidor CC/CC bsico de la Figura 4.3(a). El valor medio V
A

de la tensin de salida v
A
en la Figura 4.3(b) depende del tiempo de conduccin y bloqueo del
transistor (T
on
y T
off
).

60

V
i

+
-
R
v
A

+
-
(a)
t
v
A

V
i

V
A

T
on
T
off
T
S

0
(b)

Figura 4.3. Conversin continua-continua (CC/CC) en modo conmutado

En este mtodo, llamado modulacin por ancho de pulso PWM (Pulse-With Modulation),
se vara la relacin de conduccin o ciclo de trabajo D (DutyCycle) del interruptor, que se
define como la relacin entre el tiempo que el interruptor permanece cerrado (ON) respecto al
perodo de conmutacin (1).
Los dos parmetros que determinan la forma de onda de la figura 4.3(b) son la relacin de
conduccin D y la frecuencia de conmutacin f
S
, siendo sta la inversa del periodo de control
del interruptor.
S
on
T
T
D = (1)
S
S
T
1
f = (2)

En general, los convertidores CC/CC utilizan (vase la Figura 4.4), adems de los
interruptores para controlar el flujo de corriente, un filtro pasa bajos para obtener el valor
medio de la tensin rectangular generada a partir de los interruptores (Figura 4.3(b)).

En la Figura 4.4 se muestra el diagrama de bloques de un convertidor CC/CC alimentado en
tensin (sin aislamiento).

v
i
v
A
1
2
+
-
+
+
-
V
O
filtro
paso-bajo
-

Figura 4.4. Diagrama de bloques de un convertidor CC/CC

La tensin de entrada v
i
se supone continua - es decir, unidireccional -, pero no tiene por qu
ser una tensin regulada; en general tendr un rizado no nulo. El conmutador de dos
posiciones funciona a una frecuencia suficientemente grande comparada con la frecuencia del
rizado de la tensin de entrada v
i
. Por lo tanto, la forma de onda v
A
es como la que aparece en
la Figura 4.5.
61

t
0
1 2 1 2 1 2 1
v
i

v
A

T
off
T
on
T
on
T
off
T
on
T
off
T
S
T
S
T
S
V
O

Figura 4.5. Forma de onda a la entrada del filtro paso-bajo de un convertidor CC/CC

Trabajando con este mtodo de control PWM, la frecuencia de conmutacin es constante y la
seal que controla el transistor (estado abierto o cerrado), se genera comparando una tensin
de control v
control
con una forma de onda triangular como se muestra en las Figuras 4.6(a) y
4.6(b).

La forma de onda de la tensin triangular (diente de sierra) tiene un valor de pico (Vt
mx
)
constante y su frecuencia es la que establece la frecuencia de conmutacin. Esta frecuencia se
mantiene constante en un control PWM y suele estar en el rango de 1kHz-100kHz.

t
T
S

T
off
T
on

0
(b)
v
control
(Error amplificado)
Vt
mx

v
t
= Tensin triangular
Seal de control
al Transistor
On
Off
On
Off
v
control
< v
t

v
control
>v
t
Frecuencia de conmutacin, f
S
=
1
T
S

Comparador
Forma de onda
Triangular
V
O
(medida)
Referencia
V
O
(deseado)
+
-
Amplificador
Seal de
control al
Transistor
(a)
v
control

62

Figura 4.6. Modulacin por ancho de pulso: (a) diagrama de bloques, (b) seales del comparador

De la comparacin entre la tensin triangular y la seal amplificada del error v
control
, - que
varia muy lentamente en el tiempo, comparado con la frecuencia de conmutacin - la seal
resultante presenta una forma de onda rectangular y es la que controla el transistor. Cuando
v
control
> v
t
, el transistor de potencia se cierra (ON) y en caso contrario el transistor se abre
(OFF).

La relacin de conduccin o ciclo de trabajo D se puede expresar en trminos de v
control
y el
valor de pico de la forma de onda triangular Vt
mx
por equivalencia de tringulos (ver fig.
4.6b) como sigue:

mx S
on
Vt T
T
D
control
v
= =
(3)

4.2 Configuracin reductora de tensin (Buck)
Este tipo de convertidor, denominado buck o step-down en la literatura anglosajona, es
utilizado cuando deseamos una reduccin de la tensin de salida con relacin a la tensin de
entrada. La polaridad de la tensin de salida es la misma que la de la tensin de entrada. El
ruido generado en la salida es bajo debido a la configuracin del circuito LC, que forma un
filtro pasa bajos. La alimentacin de la entrada presenta una conduccin de corriente no
constante debido a la conmutacin del transistor.
Anlisis en rgimen permanente y modo de conduccin continua
La configuracin reductora es la ms elemental y tambin la que permite obtener un mejor
rendimiento. Su topologa aparece en la Figura 4.7.

Bsicamente, el convertidor tiene dos modos de funcionamiento bien diferenciados: el modo
de conduccin continua y el modo de conduccin discontinua. Para simplificar, analizaremos
el modo de conduccin continua. En este modo de funcionamiento, la corriente por la bobina
del convertidor nunca se anula, de manera que siempre conduce alguno de los interruptores de
potencia del convertidor, es decir, o conduce el transistor o conduce el diodo. Ntese que
ambos a la vez no pueden conducir dado que el diodo ve una tensin nodo-ctodo negativa
cuando conduce el transistor.

63

+
L
D
C
+
-
v
i
v
o
R
L
i
i
= i
S
+
v
S
-
-
v
D
+
+
v
L
-
i
D
-
i
C
i
L
v
C
S

Figura 4.7. Topologa de un convertidor CC/CC reductor tipo buck.

En la Figura 4.7 se muestra la fuente de tensin de entrada sin especificar su forma. Se
considerar en todos los anlisis que la tensin de entrada v
i
es una tensin unipolar con un
cierto rizado.

El interruptor de dos posiciones se ha materializado como un MOSFET de potencia, dado que
es el que se utiliza ms habitualmente en este tipo de convertidores.

En las Figuras 4.8 y 4.9 se muestran las dos topologas por las que pasa el convertidor,
cuando el interruptor est cerrado (ON) y abierto (OFF), respectivamente.
+
S
L
D
C
+
-
V
i
V
O
R
L
i
L i
i
+
v
S -
-
v
D
+
+
v
L
-
i
D
-
v
C
+
-
i
C

Figura 4.8. Topologa del convertidor buck durante el intervalo T
on

CONVENIO DE NOTACIN

Se indicar a partir de ahora que un interruptor est conduciendo substituyndolo
simplemente por un cortocircuito, mientras que su estado de bloqueo se indicar por un
circuito abierto.

Para un anlisis del circuito se harn las siguientes hiptesis:

constante T
0 v
0 v
constante
O
V v
constante
i
V
i
v
S
D
S
O
ON
ON
=

(4)

64

Se consideran despreciables las variaciones de las tensiones de entrada y de salida, as como
las cadas de tensin en el transistor y el diodo cuando conducen. Adems, se considera en
este anlisis que el circuito de control PWM mantiene constante el perodo de conmutacin.

En las condiciones de la Figura 4.8 y con las hiptesis mencionadas en (4) se verifica:

dt
d
L V V
O i
L
i
=
(5)

Integrando (5) durante el intervalo [0, T
on
]:

| |
on
O i
L L
T , 0 t
L
t ) V V (
) 0 ( i ) t ( i

=
(6)

La expresin (6) muestra una evolucin lineal de la corriente por la inductancia.

Obsrvese que el anlisis se ha enfocado hacia la determinacin de las variables de estado,
que sern las que mejor definirn el comportamiento del convertidor.

En el caso concreto del convertidor buck, slo hay dos variables de estado, la corriente en la
inductancia i
L
y la tensin en el condensador (v
C
)
y debe notarse que nicamente tiene sentido
plantear las ecuaciones correspondientes a la corriente en la inductancia, pues la tensin de
salida se ha considerado constante en las hiptesis de trabajo (4).

Para continuar el proceso debe seguirse el mismo mtodo para la topologa correspondiente a
T
off
. En la Figura 4.9 aparece la topologa presente durante este intervalo.

+
S
L
D
C
+
-
V
i
V
O
R
i
L
i
i +
v
S -
-
v
D
+
+
v
L
-
i
D
-
v
C
+
-
i
C

Figura 4.9. Topologa del convertidor buck durante el intervalo T
off
.

De forma anloga, planteando la ecuacin de la variable de estado i
L
se llega a la expresin:

dt
di
L V
L
O
= (7)

65

Integrando dicha ecuacin en el intervalo [T
on
, T
S
], se obtiene la (8):

| |
S on
on O
on L L
T , T t
L
) T (t V
) (T i (t) i

=
(8)

La evolucin de la corriente en la inductancia vuelve a ser lineal. A diferencia del caso
anterior (el del intervalo T
on
), la pendiente de i
L
es ahora negativa, lo cual responde al
fenmeno fsico por el cual la energa en la inductancia est disminuyendo.

Por tanto, durante el intervalo T
on
la inductancia recibe energa de la fuente de entrada, pues
i
L

es una funcin creciente (expresin (6)), mientras que durante T
off
la inductancia entrega
energa a la carga, al ser i
L
una funcin decreciente.

En estas condiciones, se puede encontrar la funcin de transferencia del circuito funcionando
en rgimen permanente y conduccin continua.
Funcin de transferencia en rgimen permanente y conduccin continua
Efectivamente, en rgimen permanente se ha de cumplir que el incremento de la corriente de
la bobina durante T
on
debe ser igual al decremento de la corriente de la bobina durante T
off
,
dado que:

i
L
(0) = i
L
(T
S
) (9)

En la Figuras 4.10 y 4.11 se han representado las formas de onda del convertidor reductor
funcionando en conduccin continua.

Se deduce entonces la igualdad del incremento y decremento de la corriente en la inductancia
durante T
on
y T
off
, respectivamente:

)) (T ) (T ( (0) ( ) (T
on S on L L L L
i i i i = (10)

Ahora se pueden utilizar las ecuaciones (6) y (8) para deducir de la expresin (10) la ecuacin
de transferencia:

|
.
|
\
|
=

L
) T (T V

L
T ) V (V
on S o on o i
(11)

D
V
V
i
o
= (12)
66

La expresin (12) da idea de por qu se llama reductor al convertidor estudiado, pues la
tensin de salida es siempre menor o igual a la de entrada, ya que la relacin de conduccin D
es un nmero comprendido entre 0 y 1.

iL
t t
0 0
v
S
T
on
T
on
vL
T
S
T
S
T
on T
S
V
i
- V
O
- V
O
t
0
i
S
T
on T
S
t
V
i
0
I
L
=I
O

Figura 4.10. Formas de onda de corriente y tensin del convertidor reductor en conduccin continua: en la
inductancia (v
L
,
i
L
) y en el interruptor (v
S
, i
S
).
i
D
t
t
0
0
v
C
T
on T
S
T
S
T
on T
S
-

V
i
t 0
i
C
T
on
t
V
O
0
v
D

Figura 4.11. Formas de onda de tensin y corriente del convertidor reductor en conduccin continua en el diodo (v
D

, i
D
) y en el condensador (v
C
, i
C
).

De hecho, en la prctica no son asequibles los valores extremos de la relacin de conduccin.
El intervalo habitual de valores de D va, aproximadamente, de 0,1 a 0,9; lo cual indica que no
es posible obtener directamente, con la topologa de la Figura 7, valores de la tensin de
salida mucho ms bajos que la tensin de entrada o muy prximos a la tensin de entrada.
Adems, en la prctica, la tensin de salida no puede igualar la tensin de entrada dada la
presencia de prdidas debidas a elementos parsitos y a las propias prdidas de los
semiconductores.

Una observacin sobre las formas de onda de corriente del convertidor reductor. Hay que
notar la diferencia entre la forma de onda de la corriente por el interruptor y la de la corriente
por la inductancia. La corriente por el interruptor es pulsante, en el sentido que, en cada
perodo, hay un intervalo en que es nulo y otro en que no es nulo (y normalmente elevado).
Dado que la corriente por el interruptor es igual a la corriente de entrada, esto se traduce en
una generacin importante de Interferencias Electromagnticas EMIs (Electromagnetic
67

Interferences) o ruido electromagntico en la entrada.

En cambio, la corriente por la inductancia, a pesar de no ser constante, tiene una forma de
onda no pulsante, con variaciones lineales. Entonces, como la corriente por la inductancia est
directamente relacionada con la corriente que se inyecta a la salida, resulta que las EMIs a la
salida son reducidas para este convertidor.

En general, se puede afirmar que la presencia de una inductancia hace que la corriente no
pueda ser pulsante, dado que el campo magntico (o la energa magntica) almacenada en una
bobina no puede variar bruscamente, y el campo magntico (o la energa magntica) estn
directamente relacionados con la corriente que circula por la inductancia.
4.3 Configuracin elevadora de tensin (Boost)
Este tipo de convertidor, denominado boost o step-up en la literatura anglosajona, es utilizado
cuando deseamos un aumento de la tensin de salida con relacin a la tensin de entrada. La
polaridad de la tensin de salida es la misma que la de entrada. El ruido generado en la salida
es alto debido a los pulsos de corriente suministrados al condensador de salida C. El ruido
generado a la entrada es bajo porque la inductancia L, directamente conectada a la tensin de
entrada, mantiene la variacin de corriente de entrada sin pulsos.
Anlisis en rgimen permanente y modo de conduccin continua
En la Figura 4.12 se muestra la topologa del convertidor elevador (boost), donde se ha
dibujado la fuente de tensin de entrada sin especificar su forma. Se considerar en todos los
anlisis que la tensin de entrada v
i
es una tensin unipolar con un cierto rizado.
Bsicamente, el convertidor tiene dos modos de funcionamiento bien diferenciados: el modo
de conduccin continua y el modo de conduccin discontinua. Para simplificar, analizaremos
el modo de conduccin continua. En este modo de funcionamiento, la corriente por la bobina
del convertidor nunca se anula, de manera que siempre conduce alguno de los interruptores de
potencia del convertidor, es decir, o conduce el transistor o conduce el diodo. Ntese que
ambos a la vez no pueden conducir dado que el diodo ve una tensin nodo-ctodo negativa
cuando conduce el transistor.

Para simplificar y facilitar el entendimiento, vamos a suponer rgimen permanente, es decir,
la tensin en el condensador es prcticamente constante y la corriente de salida tambin.

Cuando el transistor conduce, la inductancia est directamente conectada a la tensin de
entrada y suponiendo que la tensin de salida es positiva (un hecho real en el convertidor
boost), el diodo estar inversamente polarizado y la tensin en el condensador suministrar
una corriente a la carga (resistencia).
68

+
-
v
i
v
O
i
i
+
v
S
-
i
L
v
L
-
L
-
v
D
+
i
D
C
D
+
+
v
C
+
-
i
C
S
i
s
-

Figura 12. Topologa de un convertidor boost (elevador)

Cuando se bloquea el transistor, el diodo conduce y el inductor suministra corriente a la salida
(resistencia y condensador). Esa corriente debe ser tal que reponga las cargas perdidas por el
condensador en el instante anterior y suministre la corriente a la resistencia.

Igual que para el convertidor reductor, se indicar a partir de ahora que un interruptor est
conduciendo substituyndolo simplemente por un cortocitcuito, mientras que su estado de
bloqueo se indicar por un circuito abierto.

En las Figuras 4.13 y 4.14 se dan las diferentes topologas del convertidor elevador para los
intervalos de tiempo T
on y
T
off
, respectivamente.

Para un anlisis del circuito se harn las mismas hiptesis que para el convertidor reductor.
+
-
V
i V
O
S
i
i
+
v
S
-
i
L
+
v
L
-
L
-
v
D
+
i
D
C
D
+
R
L
-
v
C
+
-
i
C

Figura 4.13. Topologa del convertidor boost durante el intervalo T
on
En las condiciones de la Figura 4.13 y con las hiptesis citadas, se verifica:

dt
d
L V
i
L
i
=
(14)

Integrando (14) durante el intervalo [0, T
on
]:

| |
on
i
T 0, t
L
t V
(0) (t)

=
L L
i i
(15)

69

La expresin (15) muestra una evolucin lineal de la corriente.

Obsrvese nuevamente que el anlisis se ha enfocado hacia la determinacin de las variables
de estado, que sern las que mejor definirn el comportamiento del convertidor.

Igual que para el convertidor buck, slo hay dos variables de estado, la corriente en la
inductancia i
L
y la tensin en el condensador v
C
(que es igual a la tensin de salida V
O
) y debe
notarse que nicamente tiene sentido plantear las ecuaciones correspondientes a la corriente
en la inductancia, pues la tensin de salida se ha considerado constante en las hiptesis de
trabajo (13).

Para continuar el proceso debe seguirse el mismo mtodo para la topologa correspondiente a
T
off
. En la Figura 4.14 aparece la topologa presente durante este intervalo.

+
-
V
i V
O
S
i
i
+
v
S
-
i
L
+
v
L
-
L
-
v
D
+
i
D
C
D
+
-
v
C
+
-
i
C

Figura 4.14. Topologa del convertidor boost durante el intervalo T
off
.

De forma anloga, planteando la ecuacin de la variable de estado i
L
se llega a la expresin:
dt
d
L V V
o i
L
i
= (16)

Integrando la ecuacin (16) en el intervalo [T
on
, T
S
], se obtiene:

| |
S on
on O i
on
T , T t
L
) T (t ) V (V
) (T (t)

=
L L
i i
(17)

La evolucin de la corriente en la inductancia vuelve a ser lineal. A diferencia del caso
anterior (intervalo T
on
), la pendiente de i
L
es ahora negativa, lo cual responde al fenmeno
fsico por el cual la energa en la inductancia est disminuyendo.

Por tanto, durante el intervalo T
on
la inductancia recibe energa de la fuente de entrada, pues
i
L

es una funcin creciente (15), mientras que durante T
off
la inductancia entrega energa a la
carga, al ser i
L
una funcin decreciente (17).

70

En estas condiciones, se puede encontrar la funcin de transferencia del circuito funcionando
en rgimen permanente y conduccin continua.

Funcin de transferencia en rgimen permanente y conduccin continua
Efectivamente, en rgimen permanente se ha de cumplir que el incremento de la corriente de
la bobina durante T
on
debe ser igual al decremento de la corriente de la bobina durante T
off
,
dado que:

i
L
(0) = i
L
(T
S
) (18)

En las Figuras 4.15 y 4.16 se han representado las formas de onda del convertidor reductor
funcionando en conduccin continua.

Se deduce entonces la igualdad del incremento y decremento de la corriente en la inductancia
durante T
on
y T
off
, respectivamente:

)) (T ) (T ( (0) ) (T
on S on L L L L
i i i = i (19)

Ahora se pueden utilizar las ecuaciones (15) y (17) para deducir de la expresin (19) la
ecuacin de transferencia:

(
L
) T (T ) V (V

L
T V
on S o i on i
(20)

D 1
1
V
V
i
o
=
(21)

La expresin anterior da idea de por qu se llama elevador al convertidor estudiado, pues la
tensin de salida es siempre mayor o igual a la entrada, ya que la relacin de conduccin D es
un nmero comprendido entre 0 y 1.

De hecho, como ya se ha comentado en el anlisis del convertidor reductor, en la prctica no
son asequibles los valores extremos de la relacin de conduccin. El intervalo habitual de
valores de D va, aproximadamente, de 0,1 a 0,9, lo cual indica que no es posible obtener
directamente, con la topologa de la Figura 4.12, valores de la tensin de salida muy prximos
a la tensin de entrada o mucho ms elevado (tericamente infinito) que la tensin de entrada.
Adems, en la prctica, la tensin de salida no puede superar un determinado valor dada la
presencia de prdidas debido a elementos parsitos y a las propias prdidas de los
71

semiconductores.

iL
t t
0 0
v
S
T
on
T
on
vL
T
S
T
S
T
on T
S
V
i
V
i
- V
O
t
0
i
S
T
on T
S
t
V
O
0

Figura 4.15. Formas de onda de corriente y tensin del convertidor elevador en conduccin continua: en la
inductancia (i
L
, v
L

) y en el interruptor (i
S

, v
S
).

Hay que notar la diferencia entre la forma de onda de la corriente por el interruptor y la de la
corriente por la inductancia. La corriente por el interruptor es pulsante, en el sentido de que,
en cada perodo, hay un intervalo en que es nula y otro en que no lo es (normalmente
elevado).

i
D
t
t
0
0
vC
T
on T
S
T
S
T
on T
S
-(V
O +
V
i
)
t 0
i
C
T
on
t
V
O
0
v
D

Figura 4.16. Formas de onda de tensin y corriente del convertidor reductor en conduccin continua en el diodo
(i
D
, v
D
) y en el condensador (i
C
, v
C
).

Como se ha visto un convertidor elevador (boost) puede elevar la tensin de salida sin
necesidad de un transformador. Debido a que slo tiene un transistor, su eficiencia es alta. La
corriente de entrada es continua. Sin embargo, a travs del transistor de potencia debe fluir
una corriente de pico elevada. La tensin de salida es muy sensible a cambios en el ciclo de
trabajo D (duty ratio) y puede resultar difcil estabilizar el regulador. La corriente media de
salida es menor que la corriente media de la inductancia, y una corriente eficaz mucho ms
elevada fluir a travs del condensador de filtro, dando como resultado el uso de un
condensador y una inductancia de mayor tamao que los correspondientes en un convertidor
reductor.

En este tipo de convertidor (boost) las interferencias electromagnticas generadas en la salida
72

son elevadas, pues se suministran pulsos de corriente al condensador de salida en cada
perodo de conmutacin T
S
.

Por otro lado, la generacin de EMIs (Interferencias Electromagnticas) en la entrada es baja
porque la inductancia, directamente conectada a la tensin de entrada, mantiene la corriente
de entrada sin pulsos.

Como conclusin, los diferentes convertidores podrn presentar un valor de EMIs generadas
grande en aquel lado donde no haya una bobina. O dicho de otra forma, para reducir la EMIs
generadas a valores admisibles, deber aadirse un filtro adicional (que contendr una o ms
inductancias), lo que supone una complicacin intrnseca, por la estructura del convertidor.

4.4 Fuentes de alimentacin conmutadas
Introduccin
Dentro de la Electrnica de Potencia, uno de los campos que ha experimentado
transformaciones ms notables en los ltimos 25 aos ha sido el de diseo de sistemas de
alimentacin.

En las diferentes fases de la realizacin de un circuito electrnico, el diseador sola dejar
para el final la sntesis de la fuente de alimentacin. Se era consciente de la importancia de
esta etapa, pero no se le dedicaba demasiado esfuerzo de diseo por considerarla
complementaria.

Las fuentes de alimentacin CC reguladas son necesarias en la mayor parte de los sistemas
electrnicos analgicos y digitales. La mayor parte de las fuentes de alimentacin estn
designadas a cumplir algunos o todos los requerimientos siguientes:

Salida regulada. La tensin de salida debe mantenerse constante dentro de unos
lmites especificados para variaciones en la tensin de entrada y en la carga.

Aislamiento. La salida puede estar aislada de la entrada.

Mltiple salida. Puede tener mltiples salidas (positivas o negativas) que puede diferir
en el valor de su tensin y/o corriente. Dichas salidas pueden ser aisladas unas de las
otras.

Adems, la miniaturizacin creciente de los sistemas digitales y analgicos as como las
exigencias de aplicaciones especficas, como son las aeronuticas y espaciales - pequeo
volumen y peso, alto rendimiento, han forzado a una revisin de las estructuras tradicionales.
Fuente de alimentacin lineal
Para apreciar las ventajas de las fuentes conmutadas, es conveniente considerar primero las
73

fuentes de alimentacin lineales.

En la Figura 4.17 se muestra la estructura bsica de una fuente de alimentacin de tipo lineal,
que era la solucin frecuentemente adoptada en el pasado.

+
-
v
O red
50 Hz
Regulador
linea

Figura 4.17. Estructura bsica de un sistema de alimentacin lineal

La estructura anterior presenta como ventajas:

Es sencilla de disear, pues existe una amplia gama de circuitos integrados que
contienen el transistor de potencia, as como la circuitera de control que cierra el lazo
de la tensin de salida para mantener sta estabilizada.

Los problemas de produccin en serie que presenta son mnimos, pues todos los
componentes usados son muy comunes y con una fiabilidad relativamente elevada.

En cambio, tienen una serie de inconvenientes:

Presenta un rendimiento muy bajo, del orden del 50 % o menor, debido a que el
transistor bipolar de potencia no trabaja en conmutacin, sino en la zona activa.

El volumen y peso del equipo es muy desfavorable, pues todos los componentes
inductivos y capacitivos deben dimensionarse a la frecuencia de la red (tpicamente
50Hz).

Slo son utilizables a potencias relativamente bajas, del orden de 100 W.

Se desarroll un importante esfuerzo de investigacin para aplicar las topologas de
convertidores CC/CC en modo conmutado a los sistemas de alimentacin, tratando de mejorar
las prestaciones ofrecidas por las fuentes de alimentacin lineales. De este modo, surge lo que
se ha denominado Fuentes de Alimentacin Conmutadas.

Como se ver en lo que sigue, una de las caractersticas ms importantes de las fuentes de
alimentacin conmutadas es que permiten el diseo de los elementos inductivos y capacitivos
a una frecuencia mucho mayor que la de red, reduciendo as su volumen y peso.
La investigacin en este campo ha conducido a unas estructuras que permiten trabajar todava
a mayores frecuencias que las de los convertidores en modo conmutado, como son las
estructuras resonantes, cuasi-resonantes, conmutacin suave (soft switching), etc.
74

Fuente de alimentacin conmutada
De forma opuesta a las fuentes lineales, en las fuentes de alimentacin conmutadas, la
transformacin de un nivel de tensin continua a otro se consigue utilizando convertidores
continua-continua tal como los que hemos visto (reductor, elevador o ms habitualmente los
que utilizan aislamiento).

Las fuentes de alimentacin conmutadas se usan en ordenadores personales, impresoras,
fotocopiadoras, etc. y se basan en convertidores CC/CC con aislamiento. Para conseguir un
tamao pequeo, funcionan a frecuencias elevadas.

La Figura 4.18 esquematiza el diagrama de bloques general en lazo abierto de una fuente de
alimentacin conmutada. Est basado en una primera etapa de rectificacin (tpicamente un
puente de Graetz convencional), ms un filtrado capacitivo. La tensin resultante no est
regulada. Por lo tanto, el convertidor CC/CC en modo conmutado que constituye la siguiente
etapa, se encarga de obtener con el mximo rendimiento la tensin deseada a la salida,
estabilizada y regulada.

red
CC - CC
carga
v
i
+
-

Figura 4.18. Diagrama de bloques en lazo abierto de una fuente de alimentacin

El convertidor CC/CC empleado en las fuentes de alimentacin suele tener aislamiento. Por
tanto, las fuentes de alimentacin se implementan con topologas de convertidores CC/CC
con un transformador (de alta frecuencia) para aislar la entrada de la salida. Los convertidores
CC/CC ms utilizados en fuentes de alimentacin son derivados de aquellos mostrados en la
Figura 4.2.

Una extensin natural de la topologa de la Figura 4.4 viene dada en la Figura 4.19, en la que
se muestra el diagrama de bloques de un convertidor CC/CC en modo conmutado con
aislamiento.
v
i
-
v
A
1
2
+
-
+
+
-
v
O
filtro
paso-bajo

Figura 4.19. Diagrama de bloques de un convertidor CC/CC conmutado con aislamiento
Las diferencias de la estructura que aparece en la Figura 4.4 con respecto a la Figura 4.19 son:
un transformador colocado en un punto en que se pueda transformar una forma de onda
alterna, adems del rectificador que se coloca en el secundario.
75

Es importante observar que el transformador del convertidor CC/CC debe dimensionarse a la
frecuencia de conmutacin, que es mucho mayor (valor tpico 100 kHz) que la frecuencia de
red. Por lo tanto, ser de pequeo volumen y peso (recurdese que el volumen de un
transformador es inversamente proporcional a su frecuencia de trabajo).

Finalmente, en la Figura 4.20 se muestra el diagrama de bloques completo (lazo cerrado) de
una fuente de alimentacin con aislamiento elctrico.

Amplificador
de
Error
Filtro
EMI
Rectificador
+
Filtro
CC
(no regulada)
Rectificador
+
Filtro
Controlador
PWM
Circuito de
Mando (Driver)
a l/los
Transistor(es)
CC
regulada
V
O
V
O
, ref
Realimentacin
Convertidor CC/CC con aislamiento
Transformador
de alta frecuencia
Transformador
de alta frecuencia
Parte
Aislada
CA
red
50-Hz

Figura 4.20. Diagrama de bloques completo de una fuente de alimentacin CC conmutada

La tensin alterna (CA) de entrada antes de ser rectificada y filtrada pasa por un filtro EMI
para prevenir las interferencias electromagnticas conducidas. El bloque convertidor CC/CC
en la Figura 4.20, convierte el nivel de la tensin continua (CC) no regulada de entrada a otro
nivel de tensin continua (CC) regulada. Esto se consigue con una conmutacin a alta
frecuencia, la cual produce una CA de alta frecuencia a travs de un transformador de
aislamiento. La salida del secundario del transformador es rectificada y filtrada para producir
V
O
. La salida continua de la Figura 4.20 se regula por medio de un lazo de realimentacin que
emplea un controlador PWM, donde se compara la tensin de control con una onda triangular
a la frecuencia de conmutacin (tal cual como se ha visto en el apartado 4.1.1.). El
aislamiento elctrico del lazo de control se proporciona a travs de un transformador como se
muestra en la figura 4.20 o bien a travs de un optoacoplador.
4.5 Bibliografa
- Power Electronics. Converters, Applications, and Design (2 edicin). N. Mohan, T. M.
Undeland, W. P. Robbins, Editorial: John Wiley & Sons, 1995.

- Electrnica Industrial: Tcnicas de Potencia (2 edicin). Editorial: Marcombo-Boixareu
Editores, 1992

76

- Electrnica de Potencia - Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Muhammad H. Rashid,
Prentice Hall Hispanoamericana, S.A., 1993.

- Anlise e Projeto de Fontes Chaveadas, Luiz Fernando Pereira de Mello, Editora rica
Ltda, 1996.

77
Convertidores CC/CA - Onduladores

Captulo 5
Convertidores CC/CA - Onduladores o
Inversores
5.1 Introduccin
Los onduladores o inversores son convertidores estticos de energa que convierten la
corriente continua CC en corriente alterna CA, con la posibilidad de alimentar una carga en
alterna, regulando la tensin, la frecuencia o bien ambas. Ms exactamente, los inversores
transfieren potencia desde una fuente de continua a una carga de alterna.

Las aplicaciones tpicas de los inversores de potencia pueden ser:

Accionamientos de motores de CA de velocidad ajustable.

Sistemas de alimentacin ininterrumpida (SAI)

Dispositivos de corriente alterna que funcionan a partir de una batera.

Hornos de induccin., etc
5.2 Tipos de onduladores o inversores
Suelen distinguirse tres configuraciones o topologas de inversores: con transformador de
toma media (push-pull), con batera de toma media (medio puente) y configuracin en
puente completo. Corresponden a las tres formas ms razonables de realizar la funcin de
inversin de tensin o corriente suministrada por la fuente de CC con los medios disponibles
hoy da en electrnica de potencia. Cada una de ellas tiene sus ventajas e inconvenientes,
independientemente de los semiconductores empleados en su realizacin y de su circuitera
auxiliar de excitacin y bloqueo. Las figuras 5.1 y 5.2 muestran las configuraciones push-pull
y medio puente, respectivamente. Junto a cada una de las configuraciones se muestra la forma
78

de onda de salida correspondiente a cada una de ellas. En el caso de la configuracin push-
pull se debe tener en cuenta la relacin de espiras entre cada uno de los primarios (teniendo en
cuenta que est en toma media) y el secundario. La topologa en medio puente se puede
implementar con una batera y dos condensadores en toma media o bien con una batera en
toma media. La figura 5.3 muestra la configuracin en puente completo cuyo funcionamiento
se explicar detalladamente. Del anlisis del inversor en puente completo se puede intuir y
deducir el funcionamiento de los dos anteriores (push-pull y medio puente).

+ nV
CC
0
- nV
CC
S
2

V
CC
S
1
A
B
1
1
n t
V
AB

Figura 5.1. Inversor con transformador de toma media o push-pull.

+ V
CC
/2
0
V
AB
- V
CC
/2
S
1
S
2
A
B
t
V
CC

Figura 5.2. Inversor en medio puente
El inversor monofsico en puente completo
El inversor en puente completo est formado por 4 interruptores de potencia totalmente
controlados, tpicamente transistores MOSFETs o IBGTs, tal y como se muestra en la figura
5.3.
79

V
CC

R
L

+
i
S3

v
C

i
S

i
S4
S
1

S
4

S
3

S
2

i
S2
i
S1
-
i
C
A

B

Figura 5.3. Inversor en puente completo.

A
(c)
(a)
V
CC

R
L

+
v
C
=V
cc

S
1

S
2

-
i
C
V
CC

R
L

+
v
C
=V
cc

S
3

S
4

-
i
C
V
CC

R
L

+
v
C
=0
S
3

S
1

-
i
C
V
CC

R
L

+
v
C
=0
S
4

S
2

-
i
C
(b)
(d)
A
B
B
A
B B
A

Figura 5.4. Circuitos equivalentes del inversor en puente completo: (a) S
1
y S
2

cerrados. (b) S
3
y S
4
cerrados. (c) S
1
y S
3
cerrados. (d) S
2
y S
4
cerrados.

La tensin de salida v
C
puede ser + V
CC
, -V
CC
, 0, dependiendo del estado de los
interruptores. Las figuras 5.4a y 5.4d muestran los circuitos equivalentes para algunas de las
posibles combinaciones de los interruptores. La tabla siguiente muestra la tensin de salida
que se obtiene al cerrar determinadas parejas de interruptores.

Interruptores cerrados Tensin de salida v
C
S
1
y S
2
+ V
cc

S
3
y S
4
- V
cc

S
1
y S
3
0
S
2
y S
4
0
80

Observe que S
1
y S
4
no deberan estar cerrados al mismo tiempo, ni tampoco S
2
y S
3
para
evitar un cortocircuito en la fuente de continua. Los interruptores reales no se abren y se
cierran instantneamente, por tanto debe tenerse en cuenta los tiempos de conmutacin al
disear el control de los interruptores. El solapamiento de los tiempos de conduccin de los
interruptores resultara en un circuito denominado, en ocasiones, fallo de solapamiento en la
fuente de tensin continua. El tiempo permitido para la conmutacin se denomina tiempo
muerto (blanking time). Para obtener una tensin de salida v
C
igual a cero se pueden cerrar
al mismo tiempo los interruptores S1 y S3 o bien S2 y S4. Otra forma de obtener una tensin
cero a la salida sera eliminando las seales de control en los interruptores, es decir,
manteniendo abiertos todos los interruptores.
El inversor con modulacin por onda cuadrada
La tcnica de modulacin o el esquema de conmutacin ms sencillo del inversor en puente
completo es el que genera una tensin de salida en forma de onda cuadrada. En ste caso los
interruptores conectan la carga a + V
CC
cuando S
1
y S
2
estn cerrados (estando S
3
y S
4

abiertos) y a - V
CC
cuando S
3
y S
4
estn cerrados (estando S
1
y S
2
abiertos). La conmutacin
peridica de la tensin de la carga entre + V
CC
y - V
CC
genera en la carga una tensin con
forma de onda cuadrada. Aunque esta salida alterna no es senoidal pura, puede ser una onda
de alterna adecuada para algunas aplicaciones.

La forma de onda de la corriente en la carga depende de los componentes de la carga. En una
carga resistiva, la forma de onda de la corriente se corresponde con la forma de la tensin de
salida. Una carga inductiva tendr una corriente ms senoidal que la tensin, a causa de las
propiedades de filtrado de las inductancias. Una carga inductiva requiere ciertas
consideraciones a la hora de disear los interruptores del inversor, ya que las corrientes de los
interruptores deben ser bidireccionales. Para ello, se suelen poner diodos en antiparalelo con
cada uno de los interruptores. En el caso del ondulador en puente se utilizaran cuatro diodos
en antiparalelo con cada uno de los interruptores. Para el caso del medio puente y del push-
pull se utilizaran 2 diodos, uno para cada interruptor.

La figura 5.5 muestra la forma de onda de la tensin de salida v
C
para un inversor en puente
de onda completa con modulacin por onda cuadrada. ste tipo de modulacin no permite el
control de la amplitud ni del valor eficaz de la tensin de salida, la cual podra variarse
solamente si la tensin de entrada V
CC
fuese ajustable. El espectro de Fourier de una onda
cuadrada es conocido y se muestra en la figura 5.6. Como se puede observar, presenta todos
los armnicos impares, con una disminucin de amplitud proporcional a la frecuencia de los
mismos.

81

- V
CC
0
t
v
C
= V
AB

+V
CC

T/2 T

Figura 5.5. Formas de onda de tensin en la carga R
L
del inversor en puente controlado por onda cuadrada.

Figura 5.6. Espectro de Fourier de la tensin de salida de un inversor por onda cuadrada.

El inversor con modulacin por onda cuasi-cuadrada
En la figura 5.5 se puede observar que aunque a la salida se ha obtenido una tensin alterna,
sta no se parece en absoluto a una senoide pura. De hecho, recordar el lector que una onda
cuadrada peridica pura tiene infinitos armnicos sobre la frecuencia fundamental.

Para solucionar este inconvenientes existen varias alternativas. La primera es aadir un filtro
tipo LC a la salida, lo cual es costoso dado el elevado nmero de armnicos de baja
frecuencia que se deben filtrar. La segunda alternativa es mejorar el control de los
interruptores de potencia.

Una alternativa que permite ajustar el valor eficaz de la tensin de salida y eliminar los
armnicos de baja frecuencia es la llamada onda cuasi-cuadrada o cancelacin de tensin, en
la cual se mantiene un nivel de tensin nulo sobre la carga durante parte del perodo. De esta
manera, mejoramos el contenido de armnicos de la tensin de salida. La tensin que se
obtiene utilizando la modulacin por onda cuasi-cuadrada se puede apreciar en la figura 5.7.
82

CC
V
CC
V
t
AB C
V v =

Figura 5.7. Formas de onda de tensin en la carga R
L
del inversor en puente completo controlado por
cancelacin de tensin (modulacin por onda casi-cuadrada).

Para obtener ste tipo de onda, una posibilidad sera la siguiente: cuando se desea tensin
positiva en la carga se mantienen S
1
y S
2
conduciendo (S
3
y S
4
abiertos). La tensin negativa
se obtiene de forma complementaria (S
3
y S
4
cerrados y S
1
y S
2
abiertos). Y, como ya se ha
comentado, los intervalos de tensin nula se obtienen cerrando simultneamente los
interruptores S
1
y S
3
manteniendo S
2
y S
4
abiertos o bien cerrando S
2
y S
4
mientras S
1
y S
3
se
mantienen abiertos. Otra forma de obtener tensin nula a la salida es manteniendo todos los
interruptores abiertos durante el intervalo de tiempo deseado.

Si se efecta un anlisis de Fourier de la forma de onda cuasi-cuadrada, se observara que
estn presentes los mltiples impares de la frecuencia de conmutacin, lo que significa que el
filtraje de dicha seal para la obtencin apenas de la fundamental requiere un filtro con
frecuencia de corte muy prxima de la propia frecuencia deseada. ste espectro vara de
acuerdo con el ancho del pulso.
Control por modulacin de anchura de pulsos PWM
Si se quiere mejorar an ms el contenido de armnicos en la salida de un inversor, es
necesario utilizar lo que se conoce como modulacin de anchura de pulsos PWM (Pulse
Width Modulation). La idea bsica es comparar una tensin de referencia senoidal de baja
frecuencia (que sea imagen de la tensin de salida buscada) con una seal triangular simtrica
de alta frecuencia cuya frecuencia determine la frecuencia de conmutacin. La frecuencia de
la onda triangular (llamada portadora) debe ser, como mnimo 20 veces superior a la mxima
frecuencia de la onda de referencia, para que se obtenga una reproduccin aceptable de la
forma de onda sobre una carga, despus de efectuado el filtraje. La seal resultante de dicha
comparacin nos generar la lgica para abrir y cerrar los semiconductores de potencia. La
figura 5.7 muestra la modulacin de una onda senoidal, produciendo en la salida una tensin
con 2 niveles, cuya frecuencia es la de la onda triangular. Para una observacin ms detallada,
la figura 5.8 muestra la seal PWM en un cuarto de la senoide completa.
83

al senoid Referencia
Portadora
(PWM) pulso de ancho por modulada Seal

Figura 5.7. Generacin de una seal PWM.

A partir de la seal PWM se generan los pulsos de apertura y cierre de los interruptores. Por
ejemplo, si la seal PWM tiene un valor alto, se cierran los interruptores S
1
y S
2
. En caso
contrario se cierran los interruptores S
3
y S
4
. Por tanto, la tensin de salida, que es aplicada a
la carga, est formada por una sucesin de ondas rectangulares de amplitud igual a la tensin
de alimentacin en continua y duracin variable. El contenido de armnicos de la tensin de
salida se desplaza hacia las frecuencias elevadas y es ms fcil de filtrar.

t
P W M

Figura 5.8. Generacin de una seal PWM en un cuarto de senoide completa.

Matemticamente se puede demostrar que el contenido de armnicos de la seal PWM
generada es muy bajo en comparacin con la onda cuadrada y cuasi-cuadrada. La figura 5.9
muestra el espectro de Fourier de la tensin de salida del inversor monofsico PWM a 10kHz.
84

Por tanto, un filtro pasa bajos con frecuencia de corte por encima de la frecuencia de
referencia es perfectamente capaz de producir una atenuacin bastante efectiva en
componentes en la banda de los kHz.

Figura 5.9. Espectro de Fourier de la tensin de salida del inversor monofsico PWM a 10kHz.

Como ya se ha comentado, en el caso de que la carga tenga una cierta componente inductiva,
es necesario aadir diodos en antiparalelo con los transistores de potencia, para permitir la
circulacin de corriente de la carga cuando se abren todos los transistores. Si no se aaden
diodos, se crean grandes sobretensiones debido al corte instantneo de la corriente por la
inductancia de la carga, con lo que acaba destruyndose el convertidor de potencia.
5.3 Sistemas de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Para alimentar cargas crticas, como son ordenadores que controlan procesos importantes,
equipos mdicos, etc., es necesario el empleo de sistemas de alimentacin ininterrumpida,
abreviados por las siglas SAIs (del ingls UPS, Uninterruptible Power Supply). Este tipo de
sistemas proporciona protecciones frente a cortes de alimentacin, as como regulacin de
tensin frente a fluctuaciones (por encima o por debajo) de los valores nominales. Adems,
se emplean como supresores de transitorios y de armnicos en la lnea de alimentacin.

La figura 5.10 muestra un diagrama de bloques de un SAI. En modo normal de operacin, la
potencia suministrada a la carga proviene de la red de CA de la empresa suministradora. En
caso de producirse una fluctuacin en la lnea (corte, sobretensin, etc.), la potencia es
suministrada por el banco de bateras. Un SAI debe incluir un cargador de bateras, para
mantener la batera cargada en cualquier momento.
85

estticos res Interrupto
Hz
CA
50

RECTIFICADOR

INVERSOR
+ FILTRO

BANCO DE
BATERAS

CARGA
CRTICA

Figura 5.10. Diagrama de bloques de un sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI)

Los interruptores estticos, tambin denominados interruptores de by-pass, permiten
alimentar la carga a travs del inversor en menos de ciclo cuando ocurre un fallo en la red
elctrica,. Otra funcin de los interruptores estticos es la de aislar el inversor cuando se desea
efectuar su mantenimiento. Bsicamente existen dos posibilidades de implementar los
interruptores estticos: utilizando tiristores o rels electromecnicos. Soluciones de bajo coste
emplean, en general, rels. Su conmutacin debe ser rpida, de modo que no interrumpan la
alimentacin durante ms de ciclo. Cuando la potencia aumenta, el uso de tiristores es lo
ms habitual.
5.4 Control de motores.
Uno de los grandes campos de aplicacin de la Electrnica de Potencia se encuentra en la
regulacin de velocidad de mquinas elctricas, tpicamente motores. Usualmente, al sistema
electrnico que alimenta un motor se suele denominar accionamiento, y ste incluye no slo
la parte de potencia sino tambin los circuitos de proteccin y control que gobiernan los
convertidores de potencia.

En funcin del tipo de motor, se suelen clasificar en accionamientos de alterna y
accionamiento de continua. Dependiendo de la aplicacin, se puede controlar la velocidad, la
posicin, o el par de un motor elctrico. Desde el punto de vista energtico, el empleo de
accionamientos para motores mejora substancialmente el rendimiento del sistema que se est
controlando. Existen infinidad de aplicaciones en las que actualmente se emplean
accionamientos, desde sistemas de aire acondicionado, bombas, gras, etc. hasta mquinas de
control numrico, donde se requiere un control preciso de la velocidad y posicin de los
motores utilizados.
86

Accionamiento de corriente alterna
De forma anloga a los accionamientos de corriente continua, los accionamientos de corriente
alterna, permiten regular distintas magnitudes en un motor de CA, ya sea velocidad, posicin,
par, etc. Dependiendo de la aplicacin, se utilizan distintos convertidores de potencia. En
aquellas en las que la precisin no es crtica, se utilizan convertidores CA/CA, del tipo
directo, normalmente basados en tiristores (reguladores de CA y cicloconvertidores). A pesar
de su sencillez, estos convertidores generan un gran nmero de armnicos.

Para aplicaciones donde se requiere mayor precisin o mejor calidad de energa, se utilizan
convertidores del tipo indirecto. La estructura ms empleada es la de un rectificador en
cascada con un inversor PWM tal como se muestra en la figura 5.11. Hoy en da, el empleo de
este tipo de convertidores est desbancando el empleo masivo que en el pasado se haca con
los motores de CC.

CA
CC
CC
CA
M
CA
Controlador
Digital o analgico
CA

Figura 5.11. Esquema de un sistema de control electrnico de un motor de CA.

5.5 Bibliografa

- Electrnica Industrial: Tcnicas de Potencia (2 edicin). Editorial: Marcombo-Boixareu
Editores, 1992


- Anlise e Projeto de Fontes Chaveadas, Luiz Fernando Pereira de Mello, Editora rica
Ltda, 1996.

87
Convertidores CA/CA directos

Captulo 6
6.1 Introduccin
En este captulo se estudiar un tipo de convertidor que, a partir de una tensin de entrada
alterna, produce en la salida una tensin tambin alterna pero de caractersticas distintas, sea
en valor eficaz, sea en frecuencia, o en ambas.
Cuando nicamente se altera el valor de la tensin alterna (CA), tenemos los llamados
reguladores de tensin alterna (o reguladores de potencia alterna) y los que permiten obtener
una salida con frecuencia distinta a la presente en la entrada, son los cicloconvertidores. En
este captulo se estudian en detalle los reguladores de tensin alterna.
6.2 Reguladores de tensin alterna
Los reguladores de tensin alterna son convertidores estticos de energa que permiten variar
la potencia entregada a una determinada carga. En general, se controla la potencia mediante el
control del valor eficaz de la tensin suministrada a la carga. De ah el nombre de reguladores
o controladores de tensin alterna

Las aplicaciones ms comunes de ste tipo de reguladores son:

Calentamiento industrial (control de temperatura);
Control de intensidad luminosa en lmparas incandescentes;
Accionamiento de motores de CA;
Arranque suave de motores de induccin;
Compensacin de energa reactiva
Control de transformadores

Los dispositivos semiconductores de potencia empleados en tales convertidores son,
88

tpicamente, tiristores, trabajando en conmutacin natural.

En aplicaciones de baja potencia se puede hacer uso de TRIACs, en cuanto que para potencias
ms elevadas se utilizan 2 SCRs en antiparalelo como se muestra en la figura 6.1.

vi =Vi.sen (t) vi = Vi.sen (t)
carga
carga

Figura 6.1. Regulador de tensin (monofsico) con TRIAC y con SCRs.

Si bien existen diversos modos de control para los reguladores de corriente alterna, los ms
utilizados son:

- Control on-off, de paso por cero o por secuencia.
- Control por ngulo de fase.
- Control por amplitud.
6.2.1 Control ON-OFF, de paso por cero o por secuencia
El circuito de potencia es el que se muestra en la figura 6.1. El control por secuencia consiste
en conectar o desconectar la alimentacin de la carga (en general una resistencia) durante un
determinado nmero de ciclos de la tensin de entrada al regulador. De hecho, la regulacin
se consigue anulando la tensin en la carga durante ciertos periodos de la tensin de
alimentacin. El intervalo de conduccin y el de bloqueo del interruptor es tpicamente de
varios ciclos de la red. Este tipo de control se utiliza en aplicaciones que tienen una gran
inercia mecnica o una elevada constante de tiempo trmica, es decir, se utiliza en situaciones
en que la constante de tiempo de la carga es mucho mayor que el perodo de la red CA, (por
ejemplo, en el calentamiento industrial o en el control de velocidad de grandes motores).

Dado que se suelen utilizar tiristores como elementos de control, su disparo se realiza en el
paso por cero de la tensin de alimentacin. Ello permite una reduccin importante en el
nmero de armnicos generados. El control electrnico lleva incorporado un detector de paso
por cero y un contador de semiperodos para saber en qu instante se debe disparar cada
tiristor.

Un mtodo para conseguir el control por secuencia es usar un generador de seal triangular de
frecuencia fija que se compara con una seal continua de control. La seal diente de sierra
establece la base de tiempo del sistema. La seal de referencia proviene del circuito de control
de la variable a controlar (por ejemplo del circuito de control de la temperatura). La potencia
entregada a la carga varia proporcionalmente a esta seal. La figura 6.2 ilustra este
funcionamiento. Durante n ciclos la carga permanece conectada a la alimentacin, en
89

cuanto queda m ciclos permanece desconectada.

V
C

Tensin en la cerga
V
rampa

Fig. 6.2. Control por secuencia.

La figura 6.3 muestra una simulacin de un control ON-OFF, en el que se conecta la
tensin de red a la carga durante 3 (n) periodos completos y se desconecta durante 2 (m). La
grfica inferior representa los pulsos que se dan a los SCRs. Las otras dos grficas muestran
la tensin de entrada y la tensin de salida del convertidor.

Fig. 6.3. Simulacin de un control por secuencia (n = 3, m = 2).

Para una tensin de entrada senoidal, del tipo
( ) t sen V 2 v
rms
in
s
=
, considerando que se
conecta la carga durante n ciclos de la tensin de entrada y se desconecta m ciclos, la tensin
eficaz de salida puede obtenerse como:

90

( )
( ) ( )
n m
n
V V
t d t sen V 2
m n 2
n
V
rms rms
rms rms
i o
2
0
2 2
i
2
o
+
=
+
=

Uno de los inconvenientes del mtodo descrito es la presencia de oscilaciones de baja
frecuencia en la carga que se est alimentando. Por ejemplo, en el caso de que la carga sea un
motor, se pueden provocar vibraciones mecnicas. En el caso de que la carga sea una lmpara,
pueden aparecer oscilaciones de baja frecuencia, apreciables por el ojo humano, nada
deseables. Para solucionar estos inconvenientes, se suele utilizar otro mtodo, denominado
control del ngulo de fase, tal y como se describe en el siguiente apartado.
6.2.2 Control por ngulo de fase
Uno de los mtodos ms comunes para variar el valor eficaz de una tensin alterna es por
medio del llamado control por ngulo de fase, en el cual, dado un semiciclo de la red, el
interruptor se acciona o dispara en un determinado ngulo, haciendo que la carga est
conectada a la entrada por un intervalo de tiempo menor o igual a un semiciclo.

Dicho de otro modo, el control por ngulo de fase, como su propio nombre indica, est basado
en la regulacin del ngulo de disparo de los tiristores. Usualmente se habla de ngulo de
disparo, o ngulo de fase , como el instante de tiempo (expresado en grados) a partir del
paso por cero de la tensin de entrada en el que se dispara un tiristor. Para el caso de una
carga resistiva, el ngulo de disparo puede valer entre 0 y 180.

Los valores de tensin, corriente y potencia en la carga dependern, no solo del ngulo de
disparo, como tambin del tipo de carga alimentada, como se ver a continuacin.
Carga resistiva
La figura 6.4 muestra el circuito y las formas de onda de un regulador de tensin CA con
control por ngulo de fase y carga resistiva. La abertura del SCR se dar en el momento en
que la corriente cae por debajo de la corriente de mantenimiento del componente.
Lgicamente las formas de onda de tensin y corriente en la carga son las mismas, si bien con
distintas escalas.

91

S1
v
i

0
0
0
vO
S2
vi=Vi.sen(t)
RC
iC
vO
iC
t
t
t

Figura 6.4. Control por ngulo de fase de un regulador de alterna con carga resistiva

Para una tensin de entrada senoidal, del tipo,
( ) t sen V 2 v
rms
i s
=
, considerando que el
disparo de los tiristores es idntico y de valor , el valor eficaz de la tensin de salida se
puede calcular como:

( ) ( )
( )
+ =
=

2
2 sen 1
V V
t d t sen V 2
2
2
V
rms rms
rms rms
i o
2
2 2
i
2
o

En funcin del ngulo de disparo , la tensin eficaz de salida puede variarse desde 0 ( = )
hasta el valor mximo de la tensin de entrada ( 0 = ), siempre y cuando la carga sea
puramente resistiva.

Ntese que la potencia transferida a la carga se puede controlar regulando la tensin de salida,
tal y como muestra la siguiente expresin:

( )
+ = =
2
2 sen 1
V
R
V
P
2
i
2
o
o
rms
rms

La figura 6.4 muestra la variacin de la tensin eficaz de salida como funcin del ngulo de
disparo, suponiendo conduccin simtrica de ambos interruptores (SCR).
92

1

2 [rad]
Tensin de salida

Figura 6.4. Tensin de salida (carga resistiva) normalizada en relacin al valor eficaz de la tensin de entrada
Carga inductiva
En el caso de que la carga sea inductiva, el ngulo de control queda limitado por el argumento
de la impedancia de carga. Suponiendo una carga genrica tipo RL (resistiva-inductiva) se
tiene:
= + = =
+ = + =
R
X
arctang X R Z Z Z
L j R jX R Z
L
L
L

2 2

con lo que el ngulo de disparo para poder regular la potencia de la carga puede variar entre:

< <

En el caso de una carga puramente inductiva, el ngulo de disparo puede valer entre 90 y
180 para poder regular la tensin.

La figura 6.5 muestra la topologa y las formas de onda tpicas en un regulador de alterna con
control por ngulo de fase y con una carga puramente inductiva. Esta configuracin es tpica
de una reactancia controlada por tiristores.

Obsrvese que el aumento del ngulo de disparo implica una reduccin del valor eficaz de la
corriente. Este efecto puede ser interpretado como un aumento de la inductancia vista por la
red, considerando apenas la componente fundamental de la corriente, la cual est siempre 90
retrasada de la tensin. O sea, se consigue una inductancia (reactancia) variable con el ngulo
de disparo.

Si el disparo ocurre para un ngulo inferior a 90, la corriente por el interruptor S
1
no se habr
anulado cuando ocurra el pulso para S
2
, de modo que S
2
no podr entrar en conduccin.
Despus de algunos instantes la corriente llegar a cero, desactivando S
1
, lo cual, al recibir el
nuevo pulso de disparo, entrar nuevamente en conduccin. De esta forma, en lugar de tener
una corriente CA sobre la inductancia, tendremos una corriente unidireccional. La figura 6.4
ilustra este comportamiento.
93

disparo de
S
2
extincin de S
2
alfa
extincin de S
1
disparo de
S
1
Tensin en la carga (v
C
)

alfa = 117
alfa = 90
alfa = 144
tensin de entrada

Corriente en la carga i(t)

v
i
=V
i.
sen(t)
S
1

S
2
L
v
C
i
(t)

Fig. 6.5. Comportamiento de un control por ngulo de fase con un retardo de = 45 y carga inductiva.

Una alternativa para garantizar una corriente bidireccional es, en vez de enviar apenas un
pulso de disparo, mantener la seal de control hasta el final de cada semiciclo. Esto hace que
el regulador de tensin se comporte como un cortocircuito, manteniendo una corriente CA,
pero sin regulacin de potencia.
Carga RL
Cuando la carga alimentada tiene una caracterstica resistivo-inductiva existe una limitacin
en trminos del mnimo ngulo de conduccin, lo cual depende de la impedancia de la carga,
Z. La figura 6.6 muestra el circuito y las formas de onda tpicas de un regulador de alterna
con carga resitivo-inductiva y control por ngulo de fase..
Considerando una situacin de conduccin discontinua (en la cual la corriente por cada uno
de los tiristores alcanza el valor cero dentro de un semiciclo), tenemos que en t
1
el tiristor S
1
,
que esta directamente polarizado, es disparado. La corriente crece y, aunque se invierta la
polaridad de la tensin de entrada, el SCR continua conduciendo, hasta que su corriente caiga
por debajo del valor de mantenimiento (en t
2
). El otro tiristor, S
2
, recibe el pulso de control en
t
3
, iniciando el semiciclo negativo de la corriente, la cual se extingue en t
4
.

94

v
i
=V
i.
sen(t)
t
1

t
2 t
3
t
4

v
i
(t)
i(t)
v
L
(t)
S
1
S
2
L
v
C
R

Figura 6.6. Regulador de tensin CA monofsico y carga RL con control por ngulo de fase.

El intervalo controlable del regulador es para ngulos de disparo en el intervalo .
Para ngulos de fase menores de se obtiene una corriente unidireccional (para el caso en el
que el pulso de disparo sea de corta duracin), o conduccin constante (para el caso en el que
el pulso de puerta sea largo).
6.2.3. Control por amplitud
Este mtodo de control modifica la amplitud de la tensin aplicada a la carga utilizando un
transformador con una relacin variable de espiras en el secundario. La conexin del
secundario del transformador a la carga se realiza mediante interruptores de potencia,
tpicamente tiristores. Cada SCR accede a un punto diferente del secundario, con lo que se
vara la tensin aplicada a la carga. La figura 6.7 muestra un esquema simplificado.
R
C

S
v
O
v
+
1
N
2
N
3
N
T
2

T
3

T
4

T
1

Figura 6.7. Esquema de un regulador de alterna con control de amplitud.

95

Recuerde que la relacin de tensin en un transformador es directamente proporcional al
nmero de espiras (idealmente).
undario
primario
undario
primario
N
N
v
v
sec sec
=

Para el regulador de la figura 6.7, si los 2 tiristores superiores estn conduciendo, se tendr
una tensin de salida:
3 2
1
N N
N
v
v
O
S
+
=

En el caso de que los tiristores inferiores estn conduciendo, la tensin de salida ser inferior
al caso anterior y vendr dada por la siguiente expresin:

2
1
N
N
v
v
O
S
=

A modo de ejemplo, si en la figura 6.8 suponemos que N
1
= N
2
= N
3
= N, y se realiza un
control por amplitud con la siguiente secuencia: primero se dispara T
3
, luego T
1
, despus T
4
y
finalmente T
2
, se obtiene en la salida la forma de onda que se muestra en la figura 6.8.

V
O

T
3

T
2
t
T
4
T
1

v
S

Figura 6.8. Formas de onda de un regulador de tensin controlado por amplitud.

96

Observando dicha figura (Fig. 6.8), cuando se dispara T
1
la amplitud en la salida se duplica,
puesto que el nmero de espiras que hay que tener en cuenta es N
2
+ N
3
= 2N. Cuando
conduce T
3
, el nmero de espiras en el primario es igual al nmero de espiras en el
secundario, con lo cual la amplitud de salida es igual a la de entrada. Lo mismo se puede
deducir para el semiciclo negativo, donde los SCR que conducen son T
2
y T
4
. En ste caso,
cuando conduce T
4
la amplitud de salida es el doble de la de entrada y cuando conduce T
2
las
amplitudes de entrada y salida son iguales.

Obsrvese que de este modo, se modifica la tensin de salida del convertidor. Como mayor
inconveniente de este tipo de sistemas es que la variacin de tensin se realiza a escalones,
con lo que si se desea una regulacin fina de tensin es necesario un nmero muy elevado de
secundarios y de interruptores de potencia, algo inviable econmicamente.
6.3 Bibliografa


97

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