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= 100
dero valorverda
R
Errores humanos: Comprenden los errores humanos, tales como malas lecturas, ajustes incorrectos,
aplicacin incorrecta del instrumento, errores de cmputo, etc., debidos
principalmente al descuido y malos hbitos de quienes operan los aparatos.
Errores sistemticos: Proviene de los instrumentos, tal como el desgaste o defectos de fabricacin y
los efectos del medio ambiente.
Errores aleatorios: Aquellos cuya causa no puede ser establecida directamente
debido a que su aparicin es aleatoria o intermitente ya sea por la variacin de los
parmetros elctricos o las condiciones de la variable fsica bajo prueba
Campo de medida (rango): Conjuto de valores de la variable medida comprendidos dentro de los lmites
superior e inferior, expresado por los dos valores extremo, 100-300 C.
Alcance (span): Es la diferencia algebraicaentre los valores superior e inferior del campo de medida del
instrumento. El span considerando rango descrito en el parrafo anterior es de 200C.
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Exactitud: (accuracy): Capacidad de un instrumento para dar resultados cercanos
al valor verdadero, debe expresarse en trminos de incertidumbre.
= 100 1
dero valorverda
Accuracy
donde o valormedid dero valorverda =
Precisin: Es la medida de la epetibilidad de la lectura de un instrumento. r
Sensibilidad (sensitivity): Es la pendiente de la curva de calibracin la cual puede ser
constante o no a lo largo de una escala de medida.
Tipos de error clsicos:
Sistemticos
Los que cometen las maquinas
Aleatorios
Los que no son esperados.
Humanos
Los que se cometen por los humanos
Error:
Son las discrepancias entre el valor verdadero y el valor medido.
Tipos de error:
Error absoluto
Valor medido Valor verdadero
Error relativo
Error absoluto / Valor verdadero
Funcin de transferencia:
Relacin ideal o terica entre la entrada de salida y la seal estmulo. (Diseo
ideal, materiales ideales y fabricacin idea). Se puede representar mediante una
ecuacin matemtica, una tabla de calibracin o una grafica.
Mediante la funcin de transferencia se establece la dependencia entre la seal y el
estmulo producido por el sensor, pudiendo ser: lineal, logartmico, exponencial,
polinomial.
FDT
Establece la dependencia entre la seal y el estimulo cuando la dependencia es:
lineal
( ) ( )
( )
, ,
s s
s
f f mx b
amplitud fase frecuencia
f estimulo
m pendiente
b ruido
x se al
= = +
=
=
=
=
=
Funcin no lineal
Logartmica
( )
ln
s
b m = +
Exponencial
ks
b me = +
polinomial
1
0 1 2
...
k k
a a s a s
= + +
Para el caso no lineal la pendiente (m) no es un valor fijo en muchos casos un sensor no
lineal es un rango.
Linealidad: Grado de concordancia entre la seal de salida de un sensor y su funcin de
transferencia lineal.
a) linealidad independiente (mtodo mnimos cuadrados)
b) linealidad basada en cero (mnimo cuadrado ajustado a cero)
c) linealidad basada en la entrada menor
d) linealidad basada en puntos finales
e) linealidad terica
Resolucin:
Describe el cambio incremental ms pequeo que se puede detectar en un rango
especfico.
FSO
I
R
R
= , donde I
R
es el paso mnimo del sistema.
Histresis
Desviacin de la salida de un sensor en un punto en la netrada especfica,
cuando la lectura de hace en diferentes direcciones.
EXPERIMENTOS QUE INVOLUCRAN UN SOLO MESURANDO
Muchas veces es deseable determinar la incertidumbre de un solo mesurando.
Los errores instrumentales (errores elementales) son aquellos que se definen
mediante la calibracin y que pueden ser asociados con una sola fuente de
incertidumbre, usualmente relativas al valor mximo de la escala (FSO, full-
scale output). Entre los errores ms comunes se encuentran:
Error de Histresis:
FSO
y y
FSO
e
e
down up
H
H
max
max ,
= = ,El cual esta relacionado con la histresis mxima
, que es la mxima desviacin entre dos valores de salida para una
entrada dada, cuando se realizan mediciones tanto de subida como de bajada.
max , H
e
Error de Linealidad:
FSO
y y
FSO
e
e
L
L
L
max
max ,
= = , este error es una medida de que tan similar es el mejor
ajuste entre la recta ideal y la recta ajustada de los datos medidos. Y definida
en trminos de la distancia de desviacin mxima
max
L
y y .
Error de sensibilidad:
FSO
y y
FSO
e
e
NOM
K
K
max
max ,
= = , error caracterizado por el cambio ms grande eln la
pendiente de la curva de calibracin, respecto a la curva ideal.
Error de desplazamiento de cero (Zero-shift)
,
max
max ,
FSO
y y
FSO
e
e
nom shift
Z
Z
donde
0
1
a
k = sensibilidad esttica
0
1
a
a
= la constante temporal y
1
= frecuencia angular.
Respuesta a un sistema de primer orden
Sistemas de segundo orden
2.5 Caractersticas de entrada: impedancia
2.6 Sensores primarios
Sensores primarios:
Aquellos que generan un cambio en las variables fsicas
Tubo burdon, Pitot, Caudalimetro.
Sensor de temperatura: bimetlico
Grosores comunes de 10 a 3mm
Materiales comunes A - Bronce
B - (Nquel-Acero)-Invar.
Rango 75C 540C
0C 350C
Aplicacin tpica Termostato, breaker
Sensores de presin
A
F
P =
Manmetro de columna:
Es un tubo-U en el cual sin considerar los efectos de segundo orden la diferencia de
presin est dada por
g
P P
h
ref
=
h = altura
P = presin debida al lquido
p
ref
= presin de referencia
= densidad del lquido
g = aceleracin de la gravedad
La presin se puede medir en funcin de la elongacin de un elemento elstico. Dicha
deformacin depende del tipo de material y su forma gentica.
Tubo Bourdon (Manmetro)
Sensores de flujo y caudal
Sensores de nivel
Sensores de fuerza y par
2.7 Materiales empleados en sensores
3. Sensores resistivos
CARACTERISTICAS DE LOS ELEMENTOS RESISTIVOS
L
R
A
=
DONDE EL AREA DEL CONDUCTOR SE MIDE EN CIRCULAR MILS
Area del crculo
2
2
4
r
A r
r radio
d diametro
= =
=
=
2
2 2 2
(1) 1
4 4 4 4
d
A mil cm mil cm
= = = = =
O bien
2
1
4
mil cm
=
Para un alambre con dimetro N mil
2 2
( )
4 4
d N mi
A
= =
2
l
Como
2
1
4
mil cm
=
2
A N cm =
MATERIAL
0
( / )@20 cm ft C
Plata 9.90 0.0038
Cobre 10.37 0.000393
Oro 14.70 0.0034
Aluminio 17.70 0.00391
Tungsteno 30.00 0.005
Nquel 47.00 0.006
Hierro 74.00 0.0055
Constanton 295.00 0.000008
Nicromo 600.00 0.00044
Calorito 720.00 0.XXXXX
carbono 21000.00 0.0005
Efectos de temperatura
En la mayora de los conductores, la resistencia aumenta con el aumento de
temperatura.
En la mayora de los semiconductores la resistencia disminuye con el aumento de
temperatura.
1 2 2 2 2
1 2 1 2 1 1
2 2 2 1 1 2 1 2
1 1 1
( ) ( ) ( ) 4
, ,
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1
T t T t R t t y
R R R R R T t
1
1
R T t t t T t t t t t
R T t T t T t
+ +
= = =
+
+ + + +
= = = +
+ + +
3.1 Potencimetros
Dispositivo el cual modifica su resistencia en juncin de la posicin del cursor.
Desde el punto de vista dinmico son elementos de orden cero se supone
resistencia uniforme y de todo continuo.
La inductancia y la capacitacin deben de ser continuos depresiables.
La resistencia cambia con la temperatura.
3
1 3
4
2 4
= E
AC
BC
R
V E
R R
R
V
R R
=
+
+
ESPECIFICACIONES PARA POTENCIOMETROS LINEALES Y SINGULARES
PARAMETRO LINEALES SINGULARES
Margen
Linealidad
Resolucin
Potencia
Coeficiente de Temperatura
Frecuencia Mxima
Vida
Potencimetros de uso especial para medir:
Inclinacin
Presin
Nivel
Para inclinacin
Para presin
Para nivel
3.2 Galgas extensiomtricas
Dispositivo para:
Medir esfuerzos mecnicos en funcin de un cambio en su
conductividad.
Convierte un esfuerzo mecnico en un cambio de resistencia
Tipos de galgas:
En general R<100. Una vez depositado el material se debe proteger. Se utiliza para
medir esfuerzos por tensin o compresin.
K
R
R
=
iginal longitudor
elongacin
=
R = resistencia original
R = Cambio de resistencia debido a
k = Factor de galga (2<k<2.2)
3.3 Detectores de temperatura resistivos (RTD)
Resistencias dependientes de la temperatura.
Generalmente estn hechas de platino (PTR) la resistencia del material cambia
con la temperatura en funcin de:
( )
2
0 1 2
1 ....
n
n
R R T T T = + + +
R= Resistencia a una temperatura de referencia.
T= Temperatura diferente a la temperatura de referencia.
Con la temperatura general un cambio en la resistencia pero adems un cambio en sus
dimensiones y resistivilidad.
No es posible medir temperaturas en punto de fusin.
Mtodo para medir la temperatura. Expansin Termoelectricidad, Resistencia
elctrica, Radiacin.
PARAMETRO PLATINO NIQUEL COBRE
C 20 10.6 1.67 6.88
0.00385 0.0043 0.000681
25,50,100,200 20(20 c)
50,100,200
-200 c a +800 c -200 a+260 c -80
ca520c
Un cuerpo gana o pierde temperatura (energa) por:
Conduccin: contacto fsico entre el transductor y la sustancia
Conveccin: gases y lquidos alrededor de un conductor
Radiacin: Todo el tiempo (ondas electromagnticas)
Cuerpo negro: Absorbe toda la radiacin incidente (radiador perfecto)
Temperatura:
Medida de la intensidad de vibracin de los tomos y molculas de una sustancia
3.4 Termistores
Cambios grandes de resistencia, pequeos cambios de temperatura.
--Existen con coeficientes negativo (NTC) y positivo (PTC)
B
T
R Ae =
A y B= son constantes del material
T= es la temperatura absoluta [k].
B est dado en [k] y se llama temperatura caracterstica del termistor.
El termistor es til en sistemas fro-normal-caliente.
Conexin tpica:
3.5 Magnetorresistencias
Si se aplica en un campo magntico a un conductor, por el cual circula una
corriente elctrica dependiendo de la direccin del campo, adems del voltaje Hall, hay
una reduccin en la corriente al ser desviado algunos electrones en su trayectoria.
Ventajas:
modelo matemtico de orden cero, respecto de los sensores inductivos, que
dependen de la derivada temporal de los densidad de flujo.
Desventaja:
tiene dependencia trmica, se deben linealizar.
3.6 Fororresistencias
Fotorresistencias: (LDR):
Se basan en la variacin de la corriente elctrica de un semiconductor al medir
en el, radiacin entre 1m-10nm.
La energa para medir electrones de la banda de valencia a la conduccin.
( )
34 2
19
donde 6.62 10
1 1.602 10
J
E hf h x Ws
ev x
ch
E
= =
=
=
La relacin entre la resistencia R de un fotoconductor y la iluminacin E
(densidad de energa recibida por unidad de superficie en lux) es frecuentemente, no
lineal modelo siempre es:
R Ae
=
para seld = 0.6<<0.9 en la regin visible (0.38-0.78mm) y el del infrarrojo entre 0.75
1.40 mm
APLICACIONES:
Control automtico de brillo y contraste en receptores de Tv. Control de
diafragmas pticos, control de iluminacin.
3.7 Higrmetros resistivos
Humedad (humedita) Vapor de agua presente en un gas.
Humedad (moisture) Agua absorbida o absorbida por un slido.
Humedad (absoluta) Masa de vapor de agua contenida en un volumen de
gas. g/cm3
3.8 Resistencias semiconductoras para deteccin de gases
4. Acondicionadores de seal para sensores resistivos
4.1 Medida de resistencias
4.2 Divisores de tensin
4.3 Puente de Wheatstone.
El puente esta balanceado cuando la diferencia de potencia entre A y B es nula.
y 0
AC BC AC BC
V V V V = =
para el divisor de tension
3
1 3
4
2 4
= E
AC
BC
R
V E
R R
R
V
R R
=
+
+
CIRCUITO EQUIVALENTE DE THEVENIN
Rectificar la posicin de la red a travs del cual se debe encontrar el circuito
equivalente de THEVENIN.
Marcar las terminales de la red.
Calcular las Rth (puentes de tensin en corto) considerando Rs.
Calcular Eth.
1 3 2 4
3 4
1 3 2 4
// //
AB
Rth R R R R
R R
Vth V E
R R R R
= +
= =
+ +
Para un puente no balanceado
4
AB
AR
V E
R
=
Puentes de Wheatstone: Medidas por comparacin y
deflexin
4.4 Amplificadores de instrumentacin
4.5 Interferencias
5. Sensores de reactancia variable y electromagnticos
5.1 Sensores capacitivos
Capacitancia:
Cuando 2 conductores se separan por un aislante se anulan las cargas opuestas
con los conductores
La combinacin de 2 placas que poseen la capacidad de almacenar carga se llama
capacito
q
C
v
=
El valor de la capacitancia en un capacitor depende de sus propiedades geomtricas
(separacin de placas y rea) y elctricas (el tipo de dielctrico).
0
-12
0
permitividad en el espacio libre(8.85x10
permitividad electrica relativa (cte electrica)
C=capacitancia en faradays
A=area de traslape entre placas
d =grososr del dielectrico
r
F
m
r
A
C
d
=
=
=
Cuando un capacitor se conecta a un circuito puede representarse como una
impedancia compleja
( )
2 4
3
1
radio del diafragma
t =espesor del diafragma
E =modulo de young
V =razon de poisson
v a
Ac
c lbEdt
a
=
=
1
1
2
C
V
i j C
X
fc
resistencia en
El capacitor prohbe el paso de DC
Sensor de desplazamiento de separacion variable
0 r
A
C
dtx
=
Sensor de desplazamiento de area variable
( )
0
C A
d
x
=
Sensor de desplazamiento de dielctrico variable
[ ]
0
2 2 1
( )
ancho de las placas
C =capacitancia
d =separacion entre placas
w
C l
d
w
=
=
x
Sensor capacitivo de precisin
( )
2 4
3
1
radio del diafragma
t =espesor del diafragma
E =modulo de young
V =razon de poisson
v a
Ac
c lbEdt
a
=
=
5.2 Sensores inductivos
Sensores basados en la variacin de reluctancia
La inductancia de un circuito indica la magnitud de flujo magntico generada por la
circulacin de la corriente elctrica.
Si la corriente circula por el propio circuito se habla de autoinductancia en caso de lo
contrario se le llama inductancia mutua.
Inductancia
dl
d
N L
B
=
R
M
B
=
Donde
R
N
L Ni M
2
= =
A
l
R
r
0
1
= parmetros geomtricos
M = Fza. Magntica
R = Reluctancia
N = Nmero de vueltas
0
= Permeabilidad del vaco
r
= Permeabilidad del material
Aplicaciones:
Configuraciones:
Transformador diferencial lineal (LVDT)
Se basa en la variacin de la inductancia mutua entre el primario y dos secundarios al
desplazarse a lo largo del interior del ncleo un material ferromagntico unido a una
pieza que se quiere medir.
La resistencia es mayor que la del secundario
5.3 Sensores electromagnticos
Ley de Faraday
El nmero de lneas de campo por unidad de seccin transversal de rea perpendicular a
las lneas es proporcional al campo magntico
= Bds
B
tesla = 10
B U
F
q
B
=
0
4
gauss
Efecto Hall
Descubierto en 1879 en la Universidad de John Hopkins por E. H. Hall quien
inicialmente estudiaba la conduccin de metales, semiconductores y otros materiales
conductivos.
El efecto Hall se utiliza para detectar campos magnticos, posicin y
desplazamiento de objetos.
El efecto esta basado en la interaccin de los portadores de carga elctrica y un
campo magntico externo.
Cuando un electrn se mueve a travs de un campo magntico se genera una
fuerza dada por:
Caractersticas principales de un sensor lineal de efecto Hal:
Corriente de control 3mA
Resistencia de control 2.2k
Voltaje offset de salida 5mV (B=0)
Sensibilidad 6V/Gauss
6. Acondicionadores de seal para sensores de reactancia
variable
6.1 Puentes y amplificadores de alterna.
6.2 Amplificadores de portadora deteccin coherente
(5.2. Amplificadores de portadora
5.3.-Amplificadores para sensores capacitivos
5.4 Codificadores de posicin (resolver)
6.3 )
7. Sensores generadores
Generan una seal elctrica a partir de la magnitud que miden, sin necesidad de
alimentacin.
7.1 Sensores termoelctricos: termopares
Cambio elctrico en mV debido a un cambio de temperatura.
Termopar: Dispositivo que mide temperatura por efecto termoelctrico (Efecto
Seebeck)
Son reversibles se pueden emplear para generar acciones no elctricas a partir de
seales elctricos.
NO REVERSIBLE
EFECTO JOULE
REVERSIBLE
EFECTO
Sensores capacitivos
Diferencia de potencial
V V
A B
[ ]
0
W joules
V v
q coulomb
=
olts
Efecto SEEBECK (1882)
SEEBECK descubri que en un circuito de 2 materiales homogneos distintos A y
B con sus 2 uniones a diferente temperatura, aparece una corriente elctrica.
A dos metales unidos firmemente en un punto o zona se le denomina termopar.
Generacin de una diferencia de potencial cuando dos metales se unen.
COEFICIENTE SEEBECK
AB
AB A B
dE
s S S
dT
= =
Efecto PELTIER (1834)
Consiste en el enfriamiento o calentamiento de una unin entre 2 metales
distintos al pasar una corriente a travs de ella.
COHEFICIENTE PELTIER (tensin peltier)
P AB
dQ dt =
Calor generado de una unin. AB por una unidad de corriente que circulo de A a
B.
( )
AB A B
T T S S
AB
= =
Efecto THOMSON
Absorcin o liberacin de calor por parte de un conductor homogneo con
temperatura no homognea, por el que circula una corriente se absorbe calor al fluir
corriente del punto ms fro al mas caliente y viceversa.
2
flujo neto de calor
i =densidad de corriente
dr
=gradiente longitud de temperatura
dx
=coheficiente de thompson
dt
q i i
dx
q
=
=
Desventajas:
La temperatura mxima de operacin es la de fusin.- Ambientes latamente
oxidantes (ataque qumico). La corriente a travs del termopar deber ser mnima.-
Conductores homogneos-mantener una de las dos uniones a una temperatura de
referencia. (Sensibilidad tpica 6 75 M / c),
Si el valor de referencia esta muy cercana a la medida se provoca cambios muy
pequeos.
TIPOS DE TERMOPARES
B Pt (6%) Pt(30%) Radio 30-1800 C 13.6
C W(5%) xxx-W(26%)/xxx 0-2300 C 37.0
E Cromoxxxx-Contanton 0-982 C 75.0
J Hierro - Constanton 0-760 C 42.9
K Cromilxxx Alumen -134-1260 C 56.0
N Nicrosil (Ni-Cr-Si) -270-1300 C 51.8
R Pt (13%) / Rodio-Pt 0-1593 C 18.7
S Pt (10%) / Rodio-Pt 0-1538 C 16.0
T Cobre- Constantan -184-400 C 26.0
ANS 1 Composicin Margen Mu/ Margen
LEYES DE TERMO PARES
LEY DE LOS CIRCUITOS HOMOGNEOS.
En un circuito de un nico par homogneo no se puede mantener una ( ftem)
(fuerza electromotriz) mediante la aplicacin de calor aunque se vari la seccin
transversal del conductor.
LEY DE METALES INTERMEDIOS
La suma algebraica de los f temS en un circuito compuesto de un numero
cualquiera de metales distintos es cero si todo esta a una temperatura uniforme.
LEY DE LA TEMPERATURA SUCESIVA O INTERMEDIA
Si dos metales homogneos distintos producen una Ftem.
E1 cuando las uniones estn a T1 y T2 y una tem.
E2 cuando las uniones estn a T2 y T3 entonces cuando las uniones estn a T1 y T3 se
produce una ftem= E1+E2.
7.2 Sensores piezoelctricos
SENSORES PIEZOELECTRICOS
Efecto Piezoelctrico: consiste en la aparicin de polarizacin elctrica en una
materia al deformarse bajo la accin de un esfuerzo. Es un efecto reversible de modo
que al aplicar una diferencia de potencial elctrica, entre las 2 caras de un material
piezoelctrico aparece una deformacin en el mismo.
Todos los materiales ferre son piezoelctricos pero no al contrario, los
materiales piezoelctricos tienen estructura cristalina. El efecto piezoelctrico se
manifiesta en 20 de las 36 clases de cristalogrficos.
A) Parmetros empleados para las ecuaciones piezoelctricas.
B) Circuito equivalente cuando se mide la tensin generada.
Efectos de un esfuerzo mecnico en diferentes
molculas segn su simetra.
A) si hay simetra central no se produce polarizacin.
B) Polarizacin paralela al esfuerzo.
C) Polarizacin perpendicular al esfuerzo
Materiales naturales:
Cuarzo
Turmalina
Materiales sintticos:
Cermicas
pzt (titanato-siliconato de plomo)
La carga que
0
0
voltaje de salida
C =capacitancia
kKA
C=
h
cte de proporcionalidad (0.00885mm)
k =cte dielectrica relativa (k 1aire)
A =area del electrodo
h =altura del electrodo
q V C
V
K
=
=
=
q= SqAp donde p es presin ejercida
Sq es la sensibilidad de carga del piezoelctrico por lo que
0
Sq
hp
K
V =
Diversos modos de aplicar el efecto piezoelctrico a
baja frecuencia.
En cada caso hay una magnitud nula.
a) Es el esfuerzo (T=0)
b) El campo elctrico (E=0)
c) La deformacin (S=0)
d) La densidad de carga (D=0)
7.3 Sensores piroelctricos
Efecto PIROELECTRICO
Efecto anlogo de piezoelctrico, pero en lugar de la aparicin de cargas elctricas
cuando se deforman el material, aqu se nota de la aparicin de las cargas superficiales
en una direccin determinada cuando el material experimenta una cambio de
temperatura.
Materiales lineales: formalina, sulfato de litio, sulfato de cadmio.
Materiales ferro elctricos: xxxx de litio, PZT
Pirmetros de Radiacin:
Miden la temperatura de un cuerpo en funcin de la radiacin emitida.
(Radiacin Infrarroja)
Se utiliza para medir temperaturas altas sin conflicto.
ESQUEMA DE UN PIROMETRO DE RADIACIN.
Ventajas
Miden temperaturas altas sin contacto
Desventajas:
Variacin de la temperatura por
atenuacin de aire vidrio.
Requiere de un enfriamiento
Filtros pticos
Atenuacin atmosfrica y polvo
Reflexiones internas.
7.4 Sensores fotovoltaicos
7.5 Sensores electroqumicos
8. Acondicionadores de seal para sensores generadores
Las seales de los sensores requieren generalmente acondicionarse. stas seales
suelen ser muy dbiles, muy ruidosas o en un formato diferente.
Una interfase obtiene la seal de un sensor compatible con la carga.
Estmulos
interfase sensor carga
Impedancia de entrada: que tanto la interfase carga al sensor
La mayora de los sensores se acoplan con circuitos de muy alta impedancia (M)
8.1 Amplificadores con bajas derivas
8.2 Amplificadores de carga
8.3 Ruido en amplificadores
Los sensores pasivos generan seales de orden de los mV pf por lo que generalmente
requieren amplificacin. Los OP-AMPS presentan ventajas en este sentido.
Alto CMRR
Entradas diferenciales
Bajo voltaje offset
Bajo ruido
Estabilidad trmica
Alta impedancia de entrada ( ) G M
Baja impedancai de salida
10
Baja corriete de Bias < 10pA ( ) ib
Bias corriente que se requiere para polarizar un transistor.
8.4 Derivas y ruido en resistencias
Ruido: cualquier energa no deseada presente en la banda til del sistema.
Ruido correlacionado: Ausente en ausencia de seal
Ruido no correlacionado: presente en ausencia de seal
Ruido no correlacionado interno: inherente (dentro del sistema)
Externo: interferencia (fuera del sistema)
Atmosfrico: electricidad esttica
Extraterrestre: ruido del espacio profundo
Radiacin tranquila
Alta densidad
Ruido externo Solar Galctico
Radiacin del cuerpo negro
Ruido hecho por el hombre Mecanismos que
Generan chispas
Browniano
Jonson
Ruido interno Aleatorio
Blanco
Resistivo
Las distorsiones en la seal de salida debidas al ruido pueden ser sistemticas o
estocsticas.
Sistemticas: se relacionan con la funcin de transferencia, linealidad y caractersticas
dinmicas.
Resultado del diseo del sensor como su manufactura, sus tolerancias, calidad de
material y su calibracin.
Estocsticas: ruido irregulad, impredecibles, con rapidez de cambio.
Densidad de potencia de ruido
N
0
= KT
Donde k = cte. De boltzman 1.38 x 10
-23
J/k
T = temperatura absoluta (k)
Potencia total de ruido
KTB N = donde B es el ancho de banda
Ruido de disparo: llegada aleatoria de portadores de carga
Ruido de transito: cualquier variacin en los portadores de carga
Voltaje de ruido (V
N
)
R
V
KTB N
N
2
2
= =
R
V
N
N
4
2
=
RKTB V
N
4 =
Distorsin armnica: 1 seal
Distorsin de intercomunicacin: 2 seales
8.1- Codificadores de posicin
8.1- Codificadores de posicin
8.2- Sensores autoresonantes.
8.3- Sensores basados en uniones semiconductoras, Sensores MOSFET
8.4- Otros mtodos de deteccin
8.5 Sensores basados en fibras pticas
8.6 Biosensores
9.2- Sensores basados en CCD. (Clase 28)
10.1- Sensores inteligentes e instrumentacin digital. (Clase 29)
10.1- Conversin de frecuencia a periodo
10.2- Interfases directas sensor-microcontrolador.
(Clase 30)
10.2- Interfases directas sensor-microcontrolador.
(Clase 31)