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Indice

1. Introduccion 1
1.1. Denicion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Propiedades y aplicaciones de las microondas . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3. Hitos historicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2. Lnea de transmision 11
2.1. Solucion medios guiados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.1. Construccion de soluciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.2. Consideraciones de potencia y energa . . . . . . . . . . . . . . 22
2.2. Gua rectangular . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3. Gua circular . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.4. Gua coaxial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.5. Excitacion guas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3. Analisis de redes 49
3.1. Introduccion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.2. Matriz de dispersion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.3. Propiedades matriz de dispersion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.4. Redes de dos accesos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.4.1. Atenuadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
3.4.2. Inversores de impedancia y admitancia . . . . . . . . . . . . . 80
3.5. Propiedades de simetra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.5.1. Lnea de transmision contenida en plano de simetra . . . . . . 96
4. Divisores de potencia y acopladores direccionales 99
4.1. Redes de tres accesos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.1.1. Propiedades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.1.2. Divisores de Potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3
4
4.2. Acopladores direccionales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.2.1. Hbridos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.2.2. Realizacion de acopladores direccionales . . . . . . . . . . . . 116
4.3. Lneas acopladas simetricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
5. Circuitos resonantes 135
5.1. Propiedades basicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
5.2. Resonadores con lneas de transmision . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
5.2.1. Circuito equivalente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.2.2. Ondas estacionarias. Impedancia Z
d
y Z
i
. . . . . . . . . . . . 151
5.2.3. Perdidas. Factor de calidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
5.3. Cavidades resonantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
5.3.1. Cavidad rectangular . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
5.3.2. Cavidad cilndrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
5.3.3. Metodo perturbacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
Bibliografa 179
pag
pag
6. Filtros de microondas 181
6.1. Introduccin .. 181
6.1.1. Mtodo de las prdidas de insercin . 181
6.2. Filtros paso bajo 187
6.2.1. Con saltos de impedancia . 187
6.3. Filtros paso banda . 194
6.3.1. Con inversores .. 194

7. Circuitos activos 207
7.1. Introduccin .. 207
7.2. Amplificadores con transistores 207
7.2.1. Introduccin .. 207
7.2.2. Estabilidad . 212
7.2.3. Ruido . 215
7.2.4. Diseo unilateral 217
7.2.5. Diseo bilateral .. 224
7.3. Amplificadores de resistencia negativa . 226
7.4. Osciladores 230
7.4.1. Osciladores con diodos . 231
7.4.2. Osciladores con transistores .. 236

Bibliografa 240


Captulo 1
Introduccion
1.1. Denicion
La denicion del termino microondas se puede enfocar basicamente desde dos pers-
pectivas. Una primera, mas exacta, que esta relacionada con el espectro de frecuencias
que abarca, en este caso entre 300 MHz y 300 GHz ( en la actualidad esta denicion
se ha extendido hasta los 1 THz). Tambien es habitual encontrar esta denici on en
terminos de longitudes de onda. Teniendo en cuenta que la velocidad de propagacion
de un medio homogeneo caracterizado por sus constantes y vale:
v
p
=
1

y que para el caso concreto del vaco dicha velocidad vale


v
po
= c =
1

o
3 10
8
m/s
la longitud de onda asociada a una se nal de frecuencia f en este medio valdra:

o
=
c
f
de forma que la banda de longitudes de onda de microondas sera desde 1 metro hasta
1 milmetro (1 THz = 0, 3 mm). A las se nales con longitudes de onda del orden
de milmetros se les conocen como ondas milimetricas.
La otra denicion, menos precisa, es aquella porcion del espectro electromagnetico
en el que las dimensiones de los circuitos son comparables a las longitudes de onda
que manejan. En este sentido lo que entendemos por teora de circuitos es un caso es-
pecial de la teora electromagnetica descrita mediante las ecuaciones de Maxwell. En
1
2
microondas no es valida la aproximacion de elementos discretos o puntuales (concen-
trados), como en teoras de circuitos. Las componentes de microondas normalmente
son elementos distribuidos donde la fase de una tension o de una corriente cambia
apreciablemente a lo largo del dispositivo, debido a que sus dimensiones son compa-
rables con la longitud de onda. Esta denicion tiene en cuenta que el cambio de fase
de las componentes de una se nal es inversamente proporcional a la longitud de onda
v(t) = a(t) cos

t
2

por lo que, a frecuencias bajas (longitudes de onda grandes), si el tama no del circuito
es peque no, z
max
/ 1, el cambio de fase es irrelevante. Sin embargo a frecuencias
de microondas es un factor fundamental.
En el otro extremo del espectro se encuentra la ingeniera optica, donde la longitud
de onda es mucho mas peque na que las dimensiones de los componentes. En este caso
las ecuaciones de Maxwell se pueden simplicar mediante la geometra optica. Estas
tecnicas se utilizan algunas veces con ondas milimetricas y se las conoce como cuasi-
opticas.
En microondas, por tanto, se debera trabajar con las ecuaciones de Maxwell y
con sus soluciones. Esto signica que existira en muchos casos una complejidad ma-
tematica importante, apareciendo derivadas sobre funciones vectoriales y operaciones
con integrales de campos vectoriales, donde estos a su vez dependen de las coorde-
nadas espaciales. Una de las nalidades en microondas sera reducir esta complejidad
matematica y encontrar soluciones expresadas en terminos de teora de circuitos. Ge-
neralmente la solucion de teora de campos presenta una descripcion completa del
campo electromagnetico en cada punto del espacio, resultando mas informacion de la
que realmente se necesita. Sera preferible poder expresar las soluciones en terminos
de teora de circuitos como potencia, impedancia, tension, corriente, etc.
La tabla siguiente muestra la posicion de las microondas dentro del espectro elec-
tromagnetico:
Frec. (hertz) Banda Long. onda (m)
3 10
4
Onda larga 10
4
3 10
6
Radiodifusion AM, FM, VHF 10
2
3 10
8
Microondas 1
3 10
10
10
2
3 10
12
Infrarrojos 10
4
3 10
14
Luz visible 10
6
3 10
16
Ultravioleta 10
8
3 10
18
Rayos X 10
10
3 10
20
Rayos Gamma 10
12
3 10
22
Rayos cosmicos 10
14
3
1.2. Propiedades y aplicaciones de las microondas
Las microondas presentan algunas propiedades que hacen interesante su utiliza-
cion. Entre estas se pueden destacar las siguientes:
1. La ganancia de una antena es proporcional al tama no electrico de la antena.
Para frecuencias muy altas se consiguen, por tanto, antenas mas directivas.
Por esta razon, para enlaces punto a punto, las microondas presentan un buen
compromiso ya que permiten estructuras fsicas relativamente peque nas para
ganancias elevadas (haces estrechos) y no presentan graves problemas de apun-
tamiento como ocurrira en el casos de frecuencias optica.
2. Mayor ancho de banda. En microondas se puede trabajar con anchos de banda
relativa peque nos, y en cambio tratar gran cantidad de informacion. Por ejemplo
un ancho de banda de 1 % a 500 MHz supone 5 MHz (el ancho de banda de un
canal de television) mientras que a 50 GHz un ancho de banda de 1 % es de 500
MHz (cerca de 100 canales de television).
3. Transparencia de la Ionosfera. Si bien la ionosfera se comporta como una capa
reectora para las frecuencias de onda corta, a las frecuencias de microondas esta
capa es transparente, por lo que estas frecuencias de microondas son utilizadas
para comunicaciones tierra-satelite. La radioastronoma utiliza tambien esta
propiedad para estudiar las estrellas lejanas a traves de sus radiaciones en la
banda de microondas.
4. Transparencia parcial de la atmosfera y propagacion en lnea recta. A frecuen-
cias de microondas en la atmosfera se puede despreciar el fenomeno de refraccion
pudiendose considerar propagacion en lnea recta. Sin embargo, si bien los dis-
tintos componentes atmosfericos (oxgeno, nitrogeno, vapor de agua, anhdrido
carbonico) y las partculas en suspension en la atmosfera (gotas de agua, cris-
tales de hielo, polvo, humo, etc.) no afectan a se nales por debajo de 10 GHz,
s que afectan a se nales de microondas por encima de esta frecuencia. Obser-
vando la gura 1.1 se distingue una serie de ventanas entre rayas de absorcion
que permiten comunicacion.
5. Interaccion con la materia. Cuando una onda electromagnetica incide sobre una
muestra de material, esta absorbe energa de la onda a frecuencias particulares
que son las frecuencias de resonancia del material. Esta resonancia observada a
frecuencias de microondas depende de la composicion molecular de la materia.
En particular, el agua absorbe frecuencias de microondas, lo que le conere
basicamente dos propiedades:
a) Calentamiento por microondas.
4
Figura 1.1: Absorcion atmosfera.
Cocimiento de alimentos
Descongelacion
Desinfeccion
Hipertermia
Secado en procesos industriales
b) Deteccion y medidas de mezclas contenida en un material.
6. Radiacion no ionizante. Las microondas presentan ademas la ventaja de no ser
ionizante. Signicara esto que la energa de un foton viene dada por:
E = hf
donde h es la constante de Plank
h = 4, 14 10
15
eV
Por lo tanto un foton de microondas tiene una energa comprendida entre 1, 2
10
6
eV y 1, 2 10
3
eV . Esta energa resulta insuciente para romper un enlace
qumico y por lo tanto no puede extraer un electron y producir la ionizacion.
Otras frecuencias mayores s que presentan problemas de ionizacion como son
los rayos X y los rayos .
5
7. Frecuencias de oscilacion estables. Las oscilaciones atomicas mas estables co-
nocidas hasta ahora, hidrogeno, cesio y rubidio presentan oscilaciones extraor-
dinariamente estables dentro del rango de las microondas. Cuando un electron
hace una transicion entre dos niveles de energa se absorbe o se emite un foton,
cuya frecuencia es directamente proporcional a la diferencia de energa entre los
dos niveles:
f
pq
=
E
q
E
p
h
Ciertos materiales poseen niveles energeticos muy proximos (niveles hiper-
nos) que proporcionan frecuencias de interaccion extremadamente estables. Por
ejemplo:
hidrogeno: 1, 420405751 GHz
rubidio: 6, 834682608 GHz
cesio: 9, 192631770 GHz
talio: 21, 310833945 GHz
8. Seccion recta radar grande. El area de reexion efectiva (seccion recta radar)
de un blanco radar es proporcional normalmente al tama no electrico del blanco.
Este hecho, junto con la ganancia de las antenas, hacen que a menudo las
microondas se utilicen en aplicaciones de radar.
1.3. Hitos historicos
Si bien puede parecer que las microondas sea un campo de investigacion reciente,
se debera situar sus orgenes en el siglo pasado, cuando James Clerk Maxwell (1873)
formula los conceptos fundamentales del electromagnetismo. A continuacion se enu-
meran alguno de los hechos mas signicativos en el desarrollo de las microondas. La
sociedad Microwave Theory and Techniques del IEEE publico un n umero monograco
dedicado a los hechos historicos de la evolucion de la teora de microondas [6].
Primeros descubrimientos. Como cabe esperar, el origen de unas ecuaciones que
reciben el nombre de Maxwell no puede ser otro que el propio fsico escoces
James Clerk Maxwell. Antes que nada conviene ubicarse en el siglo XIX y repa-
sar cuales eran las tendencias de las teoras electricas y magneticas de aquella
epoca. Una clasicacion tradicional de todas la teoras existentes en esa epo-
ca es la que establece dos tendencias, las de mentalidad electrodinamica y las
de mentalidad de campo electromagnetico. Dentro del primer grupo se encuen-
tran Andre Marie Amp`ere, Wilhelm Eduard Weber y Hermann Helmholtz, el
6
primero frances y los segundos alemanes. Mientras que el segundo grupo lo in-
tegraran principalmente Michael Faraday, fsico ingles, y el mencionado James
Clerk Maxwell tambien britanico. El origen de los cientcos permite que a los
del primer grupo se le denomine como los continentales y al segundo grupo de
las islas britanicas. Para los continentales la sede de los fenomenos electricos
son las cargas y las corrientes o cargas en movimiento, mientras que para el
segundo grupo lo es todo el espacio, aun el espacio vaco.
Tal y como se comentaba anteriormente, fue James Clerk Maxwell, quien de-
mostro por investigaciones teoricas [5], que la luz era un fenomeno electro-
magnetico y que la energa electromagnetica se propagaba como ondas en el
espacio. Por tanto, es a Maxwell a quien corresponde la gloria de ser el primero
que demostro cientcamente la existencia de ondas electromagneticas.
En este marco otro fsico aleman, Heinrich Hertz, evoluciona de las ense nanzas
electrodinamicas recibidas entre otros del mismo Hermann von Helmholtz hacia
una conversion en las teoras maxwellianas. Fueron bastantes los experimentos
que desarrollo Hertz y que le fueron conduciendo hacia la teora de Maxwell,
pero sin duda los que mas repercusion tuvieron en este camino fueron los que
tuvieron lugar durante su epoca de profesor en la Universidad de Karlsruhe.
All pudo hacer uso de la sala mas grande, el aula magna, que utilizo durante
epocas de vacaciones para montar sus experimentos. Su tama no era de 15 m de
largo, 14 m de ancho y 6 m de alto, y tenan seis columnas de hierro paralelas
a las paredes longitudinales (gura 1.2).
Figura 1.2: Aula Magna Universidad de Karlsruhe
7
Figura 1.3: Esquema antena resonante y foto antena y espira receptora
Haciendo uso de un dipolo resonante formado por dos varillas terminadas en uno
de sus extremos por grandes esferas conductoras y esferas conductoras peque nas
en los otros extremos, y mediante un sistema de excitacion constante, se haca
resonar aquella estructura a una frecuencia de unos 60 MHz (gura 1.3).
En el otro extremo de la sala tena ubicada una espira rectangular resonante a
la misma frecuencia que tena insertada un chispero, elemento formado por dos
electrodos muy proximos que hacan saltar chispas cuando se le aplicaba una
diferencia de potencial. Para poder ver estas chispas necesitaba oscurecer la sala
dada su baja intensidad. Con este sistema de medida midio la velocidad de pro-
pagacion de las ondas radiadas mediante la distancia entre los nulos de la onda
estacionaria que apareca al colocar una pared conductora en el extremo contra-
rio de la antena transmisora. Estos y otros varios experimentos los recogio Hertz
en sus famosas Untersuchungen (investigaciones) [4]. Es paradojico comprobar
que Hertz no aprecio la importancia de su descubrimiento, pensando que la baja
velocidad de transmision telegraca implicaba longitudes de onda del orden de
300 km, con la imposibilidad fsica de realizar antenas de tales dimensiones. En
paralelo a estos descubrimiento, Oliver Heaviside contribuyo signicativamente
con una serie de artculo entre los a nos 1885 y 1887 que hicieron que la teora
de Maxwell resultara mas accesible a los cientcos practicos [3]. Marconi es el
8
primero que busca la aplicacion practica de la comunicacion va radio.
El desarrollo de la gua de ondas. Hertz nunca desestimo la posibilidad de pro-
pagar ondas electromagneticas dentro de un tubo hueco de metal, aunque O.
Heaviside tambien considero esta posibilidad, desechandola arguyendo que era
necesario la existencia de dos conductores para la transferencia de energa elec-
tromagnetica, [2]. En aquellos momentos solo se contemplaba como solucion los
modos transversales electromagneticos.
En 1897 Lord Rayleigh demostro matematicamente que la propagacion de ondas
en guas era posible tanto para seccion circular como para rectangular [9].
Aunque no se hicieron vericaciones experimentales de la teora de Rayleigh,
en 1894 Sir Oliver Lodge observo el caracter direccional de la se nal radiada
obtenida con un generador de chispa rodeado con un tubo metalico. Este efecto
se considero como una curiosidad de laboratorio y no paso de ah.
No fue hasta 1936 cuando la gua de ondas fue redescubierta de forma indepen-
diente por dos hombres: George C. Soutworth y Wilner L. Barrow [8], [1]. Estos
experimentos se realizaron con ca neras metalicas para conduccion de agua.
Desarrollo del radar. El gran avance de las microondas se debio sin duda al
desarrollo del radar en la segunda guerra mundial. De hecho al magnetron se
le conoca como la valvula que gano la guerra. Al nal de la guerra, parte
de la informacion paso a ser no clasicada, publicandose por el Massachusetts
Institute of Technology [7], constituyendo el primer cuerpo de doctrina de las
microondas.
Desarrollo de los tubos de microondas. Los primeros generadores de microondas
fueron los tubos de vaco. Entre ellos destacan el ya mencionado magnetron y
el klystron que fue inventado en 1937 por los hermanos Varian. Posteriormente
se desarrollaron el B.W.O. (Backward Wave Oscillator) y el tubo de ondas
progresivas (TWT: Travelling Wave Tube).
Dispositivos de ferrita. El primer dispositivo lineal, pasivo no recproco apare-
cio en 1956, un girador inventado por C. Lester Hogan. Los numerosos aislado-
res y circuladores desarrollados desde entonces son fundamentalmente utilizados
como proteccion, desacoplo y control. En todos o casi todos los equipos de mi-
croondas pueden verse dispositivos de este tipo en la actualidad.
Comunicaciones por satelite. En 1962 fue lanzado el Telstar, el primer satelite
de comunicaciones situado en una orbita baja. Tres a nos mas tarde, en 1965 se
sit ua en orbita geoestacionaria el satelite Early Bird. Desde entonces sucesivas
9
generaciones de satelites han jugado una papel importante en las comunicacio-
nes, sobre todo en enlaces internacionales.
Dispositivos de estado solido. Los dispositivos activos semiconductores apare-
cen en el mercado sobre los a nos 60, reemplazando a los tubos como fuentes
de microondas para potencias medias y bajas. El primer dispositivo desarrolla-
do de este tipo fue el diodo Gunn, basado en un fenomeno fsico descubierto
por J.B. Gunn en 1962. A nales de los a nos 70 se empezaron a utilizar los
primeros transistores de microondas tanto bipolares como MESFETs. Esto se
debio fundamentalmente a la mejora en la tecnologa fotolitograca que per-
mitio metalizaciones muy estrechas. Este mismo avance permitio la sustitucion
parcial de las guas de onda por circuitos impresos de microondas, tales co-
mo la lnea microtira, la lnea slot-line o la lnea coplanar. En nuestros das
se estan desarrollando circuitos que integran lneas, dispositivos activos y otros
componentes en un solo substrato semiconductor, formando lo que se conoce
por circuito monoltico integrado de microondas (MMIC: Monolithic Micro-
wave Integrated Circuit). Esta tecnologa permitira abaratar la circuitera de
microondas y reducir el tama no de sus sistemas.
Es importante notar que este tipo de tecnologa requiere un dise no mas exacto
y ajustado que los circuitos compuestos por elementos discretos, en los que
era posible su ajuste a posteriori. Es por ello imprescindible para el correcto
desarrollo de esta tecnologa el disponer de tecnicas de simulacion ables (CAD:
Computer Aided Design).
Captulo 2
Lnea de transmision
2.1. Solucion medios guiados
Se entiende por sistema de transmision el medio o va de transmision que enlaza
el generador con el receptor. Este medio puede ser abierto, semicerrado o cerrado.
El medio es abierto o ilimitado si la energa electromagnetica se propaga sin estar
constre nida por medios conductores o dielectricos. Tal es el caso de las ondas que se
propagan por el espacio libre entre una antena emisora y una receptora. Un medio
cerrado o limitado es aquel que conna las ondas a un espacio reducido, limitado
generalmente por conductores, en forma parecida al agua que se dirige a traves de
ca neras. Se dice entonces que las ondas van guiadas, ya que el ujo de energa electro-
magnetica sigue la direccion del sistema de transmision. Esto sucede por una conexion
optima entre los campos electrico y magnetico de la onda y las cargas y corrientes del
sistema. Un ejemplo teorico de este tipo de sistema es la gua de ondas rectangular.
Por ultimo un sistema semicerrado es aquel en que las ondas van guiadas por un siste-
ma conductor o dielectrico pero sin quedar totalmente encerrados por un conductor.
Tal es el caso de la lnea bilar o la bra optica.
En este primer apartado se repasara los procedimientos mas habituales para el
calculo de las soluciones electromagneticas que cumpliendo las ecuaciones de Maxwell
respetan las condiciones de contorno de cada una de las estructuras analizadas.
2.1.1. Construccion de soluciones
Un sistema de guiado electromagnetico va a tener una serie de propiedades fsicas
que permitira simplicar mas los desarrollos matematicos. Como hipotesis comunes
a todas las estructuras bajo estudio se tendra:
1. Se supone geometra invariante seg un un eje denominado axial o longitudinal.
11
12
2. Se escoge como eje de propagacion axial el eje z.
3. Se supone variacion armonica. En el dominio complejo la dependencia con el
tiempo de todas las funciones incognitas sera de la forma e
jt
.
Las ecuaciones de Maxwell particularizadas para un medio sin fuentes son las siguien-
tes:


D = 0 (2.1.1)


B = 0 (2.1.2)


E =
B
t
(2.1.3)


H =
D
t
(2.1.4)
donde

E : Intensidad campo electrico (V/m)

H : Intensidad campo magnetico (A/m)

D : Densidad de ujo electrico o desplazamiento electrico (C/m


2
)

B : Densidad de ujo magnetico o desplazamiento magnetico (Wb/m


2
)
y

B =

H

D =

E
En estas cuatro ecuaciones diferenciales las funciones incognitas, campo electrico
y magnetico, aparecen en todas ellas; no siendo posible resolverlas por separado, es
lo que se denomina como ecuaciones no desacopladas. Combinandolas se consigue
desacoplarlas a costa de convertirse en ecuaciones diferenciales de segundo orden
(operadores diferenciales de segundo orden
2
F/u
2
). Una posibilidad de este proceso
de desacoplo permite obtener el siguiente par de ecuaciones:

E
t
2
= 0 (2.1.5)

2

H

2

H
t
2
= 0 (2.1.6)
13
que son las ecuaciones de onda vectorial homogeneas.
La suposicion de variacion armonica simplica las ecuaciones, pues las derivadas
seg un t son conocidas. Se trabaja en el dominio complejo resultando que al nal se
podra calcular las funciones en funcion del tiempo aplicando:

E = [

Ee
jt
]

H = [

He
jt
]
donde

E y

H seran complejos. De esta forma las ecuaciones de onda se pueden
reescribir como:

E + k
2

E = 0 (2.1.7)

2

H + k
2

H = 0 (2.1.8)
donde k =

es lo que se conoce como n umero de onda.


Dado que se ha supuesto invarianza seg un z y sentido de propagacion en sen-
tido positivo se puede expresar la dependencia con z de la forma e
z
, donde es
una constante de momento incognita. As por ejemplo la funcion campo electrico se
puede poner como el producto de dos funciones, una dependiente de las coordenadas
transversales, t
1
y t
2
, y la otra con la dependencia con z:

E(t
1
, t
2
, z) =

E(t
1
, t
2
)e
z
(2.1.9)
En el caso de haber escogido coordenadas cartesianas, (t
1
, t
2
) sera (x, y) y de
ser coordenadas cilndricas sera (, , ). Esta descomposicion de la dependencia en
coordenadas transversales y axiales se puede tambien aplicar desde el punto de vista
vectorial, de forma que se distinguen para cada variable vectorial sus componentes
transversales y axiales. As por ejemplo el campo electrico se podra descomponer de
la siguiente forma:

E(t
1
, t
2
, z) = [

E
t
(t
1
, t
2
) + zE
z
(t
1
, t
2
)]e
z
(2.1.10)
Tambien el operador laplaciano se puede descomponer seg un este criterio:

2

2
t
+
2
z
=
2
t
+

2
z
2
(2.1.11)
donde el operador
t
recoge las variaciones respecto a las coordenadas transversales,

2
t

A = x
2
t
A
x
+ y
2
t
A
y
=

2
t
A

2
A

2
t
A

+
2

2
A

(2.1.12)
14
Con

2
t
=

2

x
2
+

2

y
2
=
1

+
1

2
Y con esta descomposicion las ecuaciones de onda adquieren la siguiente forma:

2
t
E
z
+ (k
2
+
2
)E
z
= 0 (2.1.13)

2
t
H
z
+ (k
2
+
2
)H
z
= 0 (2.1.14)
siendo en este caso dos ecuaciones de onda escalar donde las funciones incognitas
son las componentes axiales E
z
y H
z
. La resolucion de estas ecuaciones junto a las
condiciones de contorno particulares de cada caso permiten calcular las componentes
axiales del campo. Esto que parece una solucion parcial del problema, pues solo son
dos de las seis componentes incognitas del campo, no lo es, pues a partir de ellas
se pueden calcular el resto de componentes. En concreto la relacion que guardan las
componente transversales con las axiales son:

E
t
=
1
k
2
+
2
(j
t
H
z
z
t
E
z
) (2.1.15)

H
t
=
1
k
2
+
2
(j
t
E
z
z
t
H
z
) (2.1.16)
donde

t
= x

x
+ y

y
=

(2.1.17)

t
A
z
z = x
A
z
y
y
A
z
x
=
1


A
z

A
z

(2.1.18)
Las ecuaciones 2.1.13 y 2.1.14 no son mas que ecuaciones de ondas escalares en
los que se ha tenido en cuenta explcitamente la variacion e
jtz
. De estas ecuaciones
se desprende que las componentes axiales estan desacopladas, por lo que interesa
estudiar tres tipos particulares de ondas:
1. Modos transversales electromagneticos o modos TEM. Aquellos en que E
z
=
H
z
= 0 ( es decir, los campos electrico y magnetico son transversales, de ah la
denominacion TEM o transversales electromagneticos). Las componentes trans-
versales se derivan del gradiente de la funcion escalar (t
1
, t
2
).
15
2. Modos transversales magneticos o modos TM. Aquellos que no tienen com-
ponente axial del campo magnetico, es decir H
z
= 0. Todas las componentes
pueden hallarse a partir de la componente axial del campo electrico E
z
.
3. Modos transversales electricos o modos TE. Aquellos que no tienen componente
axial del campo electrico, es decir E
z
= 0. Todas las componentes pueden
hallarse a partir de la componente axial del campo magnetico H
z
.
Una onda mas general, con componentes axiales presentes siempre, podra des-
componerse en superposicion de ondas de los tipos anteriores, lo que justica su
interes.
Modos TEM Estos modos comparten un buen n umero de propiedades de las ondas
planas uniformes, que son un caso particular de los modos TEM.
Se observa en primer lugar que si E
z
= H
z
= 0 se deduce que, de las expresiones
2.1.15 y 2.1.16 , para que

E
t
y

H
t
no se anulen, es preciso que:

2
= k
2
(2.1.19)
= jk = j

(2.1.20)
de manera que las ondas se propagan con velocidad independiente de la frecuencia,
c =
1

(no hay dispersion). As pues, una onda TEM de variacion temporal no


senoidal, desarrollable en serie o integral de Fourier, se propaga sin distorsion puesto
que las amplitudes no cambian ( no hay atenuacion) y las relaciones de fases se
preserva (velocidad de fase identica para todas las frecuencias). Es preferible por
tanto obtener las propiedades de las ondas TEM para se nales de variacion temporal
arbitraria para mayor generalidad.
Considerese campos de la forma:

E
t
(x, y, z, t) = a(z, t)

E
t
s
(x, y) (2.1.21)

H
t
(x, y, z, t) = b(z, t)

H
t
s
(x, y) (2.1.22)
y las ecuaciones de Maxwell se escriben entonces como:

t
+ z

z

a

E
t
s
=
b
t

H
t
s
(2.1.23)

t
+ z

z

b

H
t
s
=
a
t

E
t
s
(2.1.24)
16
es decir


E
t
s
(x, y) = 0 (2.1.25)


H
t
s
(x, y) = 0 (2.1.26)
z

E
t
s
a
z
=
b
t

H
t
s
(2.1.27)
z

H
t
s
b
z
=
a
t

E
t
s
(2.1.28)
De 2.1.25 se observa que los campos obedecen a ecuaciones estaticas en planos
transversales y puesto que las condiciones de contorno son las mismas,

E
t
s
(x, y) y

H
t
s
(x, y) coinciden con las soluciones estaticas (/t = 0) del problema. De aqu la
legitimidad de hablar de diferencias de potencial entre puntos del mismo plano trans-
versal, y de capacidad e inductancia.
Figura 2.1: Solucion estatica modos TEM
Una consecuencia inmediata es que en el interior de un tubo conductor hueco no
pueden propagarse ondas TEM ya que las paredes imponen la condicion de = Cte.
y en estas condiciones la ecuacion de Laplace admite la solucion unica = Cte, gura
2.1,

E
t
=
t
= 0 (2.1.29)
De 2.1.27 y 2.1.28 resulta que

E
t
s
y

H
t
s
son ortogonales. Tambien resulta que el
cociente de sus amplitudes es constante ya que de la ecuacion 2.1.27:
E
t
s
H
t
s
=
b/t
a/z
= R(Constante) (2.1.30)
17
(el primer cociente es funcion solamente de (x, y) y el segundo de (z, t) por lo que si
han de ser identicos ambos han de ser constantes).
Se puede escribir ahora 2.1.27 y 2.1.28 como:
a
z
=

R
b
t
(2.1.31)
b
z
= R
a
t
(2.1.32)
ecuaciones identicas a las de las lneas de transmision, con soluciones:
a = a
+
(t z/c) + a

(t + z/c) (2.1.33)
b =
R

a
+
(t z/c) a

(t + z/c)

(2.1.34)
Una onda positiva sera entonces de la forma:

E
t
(x, y, z, t) = a
+
(t z/c)

E
t
s
(x, y) (2.1.35)

H
t
(x, y, z, t) = b
+
(t z/c)

H
t
s
(x, y) =
1

z

E
t
(x, y, z, t) (2.1.36)
Observese que E
t
/H
t
= como en una onda plana. Como conclusion se ve que la
resolucion de un modo TEM se reduce a solucionar la ecuacion:

2
t
(t
1
, t
2
) = 0 (2.1.37)
donde

E
t
(t
1
, t
2
) =
t
(t
1
, t
2
) (2.1.38)
Por ultimo se observa que la constante de propagacion = j

es imaginaria
para cualquier frecuencia (recordando que y son reales) lo cual signica que la
propagacion de modos TEM es teoricamente posible a cualquier frecuencia distinta
de cero.
Modos TM La componente axial del campo magnetico es nula. Todas las compo-
nentes de los campos pueden hallarse a partir de E
z
. De forma que la ecuacion que
se debe resolver en este caso es:

2
t
E
z
+ (k
2
+
2
)E
z
= 0 (2.1.39)
que tambien se puede escribir como:
18

2
t
E
z
+ k
2
c
E
z
= 0 (2.1.40)
siendo k
2
c
= k
2
+
2
con k
c
el n umero de onda de corte. Observese que se trata de un
problema de autovalores del tipo L[] = donde el operador L sera la laplaciana,

2
t
, la autofuncion sera el campo E
z
y el autovalor sera el n umero de onda de
corte k
2
c
.
La solucion de la ecuacion anterior, junto con las condiciones de contorno im-
puestas por las paredes conductoras perfectas del sistema de transmision, determinan
los innitos valores propios (autovalores) k
cn
a los cuales corresponden las innitas
soluciones E
zn
. Cada solucion corresponde a un modo TM que se distinguira con el
subndice n. La constante de propagacion para cada modo se obtiene a partir de:

n
=

k
2
cn
k
2
(2.1.41)
De las ecuaciones generales 2.1.15 y 2.1.16 con H
z
= 0 se obtienen las componentes
transversales:

E
tn
=

n
k
2
cn

t
E
zn
(2.1.42)

H
tn
=
j
k
2
cn

t
E
zn
z =
j
k
2
cn
z
t
E
zn
(2.1.43)
De estas dos ecuaciones se observa que los campos electrico y magnetico transver-
sales son perpendiculares entre s por una impedancia de onda Z
TMn
:
Z
TMn
=
z

E
tn

H
tn
=

E
tn

H
tn
z
=

n
j
(2.1.44)
que se conoce como impedancia de onda transversal TM.
Las condiciones de contorno vienen impuestas por los conductores perfectos que
guan la onda. Tengase presente que en la supercie de un conductor perfecto el
campo electrico tangencial a dicha supercie debe ser nulo, o lo que es igual, el
campo electrico es normal a la supercie, es decir E
z
= 0 en el contorno.
Esta condicion en la componente E
z
lleva implcitos las restantes condiciones para
el resto de las componentes. En efecto la ecuacion 2.1.42 indica que la componente
transversal es normal al conductor; en efecto en el contorno E
z
es constante y la
derivada Ez/ se anulara y por lo tanto el gradiente
t
E
z
es normal al contorno.
19

t
E
z
= n
E
z
n
+
E
z

= n
E
z
n
Ademas al ser el campo magnetico transversal perpendicular al campo electrico
las lneas de campo magnetico son tangenciales a la supercie conductora, cosa que
era de esperar. As pues, la condicion E
z
= 0 en el contorno es suciente.
Modos TE Para este tipo de ondas la componente axial del campo electrico E
z
es
nula. Todas las componentes de los campos pueden hallarse a partir de H
z
.
El primer paso es resolver la ecuacion de onda para la componente H
z
:

2
t
H
z
+ k
2
c
H
z
= 0 (2.1.45)
que junto con las condiciones de contorno determinan los posibles valores discretos
k
cn
a los que corresponden las posibles soluciones H
zn
.
Cada solucion corresponde a un modo que se denomina modo TE
n
.
La constante de propagacion de cada modo se obtiene a partir de los valores k
cn
mediante la expresion

n
=

k
2
cn
k
2
(2.1.46)
Tomando como en el caso anterior el signo positivo del radical, corresponde a una
onda progresiva en el sentido positivo del eje z. Las componentes transversales se
obtienen a partir de las ecuaciones 2.1.15 y 2.1.16 con E
z
= 0:

H
tn
=

n
k
2
cn

t
H
zn
(2.1.47)

E
tn
=
j
k
2
cn

t
H
zn
z =
j
k
2
cn
z
t
H
zn
(2.1.48)
Siguiendo un camino similar al anterior es facil demostrar que las componentes
transversales estan relacionadas por medio de una impedancia:
Z
TE
n
=

E
tn

H
tn
z
=
j

n
(2.1.49)
De las relaciones anteriores se demuestra que las componentes transversales de los
campos electricos y magneticos son perpendiculares entre s. Para resolver la ecuacion
20
de onda 2.1.45 se deben imponer las condiciones de contorno sobre la componente H
z
.
Si bien en los modos TM era evidente que E
z
era tangencial al conductor y por tanto
se deba anular, ahora no se puede decir lo mismo para H
z
. Lo que se debe cumplir es
que el campo electrico transversal debe ser normal a la supercie conductora, y por
tanto, el campo magnetico transversal debe ser tangencial al contorno. La ecuacion
2.1.16 se puede reescribir de la forma:

H
tn
=

n
k
2
cn

H
zn

+
H
zn
n
n

(2.1.50)
expresando el gradiente en sus componentes normal y tangencial. De lo expuesto
anteriormente se deduce que la condicion de contorno puede expresarse como
H
z
n

C
= 0 (2.1.51)
siendo C el contorno y n la direccion normal al mismo.
Propiedades de corte de los modos TE y TM Como se ha visto la constante
de propagacion de los modos TE y TM viene dada por
=

k
2
c
k
2
siendo k =

y k
c
el valor propio correspondiente a un modo determinado que
depende, como se comprobara posteriormente, del modo de propagacion y de la con-
guracion geometrica del sistema de transmision.
Se observa que para frecuencias tales que k > k
c
la constante de propagacion es
imaginaria pura:
= j = j

k
2
k
2
c
(2.1.52)
con lo que los campos seran de la forma:

E =

E
+
e
j(tz)
(2.1.53)
que corresponde a una onda progresiva que se propaga sin atenuacion.
Para frecuencias tales que k < k
c
la constante de propagacion es real:
= =

k
2
c
k
2
(2.1.54)
con lo que la expresion de los campos sera por ejemplo

E =

E
+
e
jt
e
z
(2.1.55)
21
lo cual indica que no hay una onda propagandose sino una oscilacion senoidal que
se aten ua rapidamente con la distancia, por ser el valor de elevado. Observese que
aparecera esta atenuacion independientemente de que tanto el dielectrico como el
conductor sean ideales.
As pues, una caracterstica de estos modos, TE y TM, que los diferencia de los
TEM es que solo existe propagacion para frecuencia superiores a una que se denomina
de corte. Estas frecuencias se determinan haciendo k = k
c
:
k
c
= 2f
c

(2.1.56)
Por lo tanto, dado que en una gua solo puede haber modos TE y TM se comporta
como ltro paso alto con una region de corte y otra de paso, siendo f
c
la frecuencia
de corte. En la gura 2.2 se representa la variacion de y en funcion de frecuencia.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
k/kc
a
lp
h
a

y

b
e
t
a

/
k
c
Zonas de corte y propagacin
Corte Propagacin
alpha
beta
Figura 2.2: Zonal de corte y propagacion
Para valores de frecuencia mucho mayores que la frecuencia de corte, tiende a
k, constante de propagacion de un modo TEM. Para frecuencias muy inferiores a la
frecuencia de corte la constante de atenuacion tiende a k
c
.
Es frecuente en la practica escribir la constante de propagacion en la forma
= j = jk

f
c
f

2
(2.1.57)
En lugar de la denicion de frecuencia de corte se puede usar tambien el parametro
longitud de onda de corte denido por:

c
=
2
k
c
(2.1.58)
con lo que la constante de propagacion puede escribirse tambien en la forma:
22
= j = jk

1
_

c
_
2
(2.1.59)
siendo la longitud de la onda en el espacio dielectrico libre, es decir:
=
2
k
=
v
f
(2.1.60)
siendo v = 1/

la velocidad de la luz en el medio dielectrico.


De la denicion dada es evidente que solo se propagaran aquellas ondas cuya
longitud sea menor que la longitud de onda de corte.
La longitud de onda en la gua
g
denida como la distancia entre puntos que
tienen igual fase es:

g
=
2

_
1
_
f
c
f
_
2
(2.1.61)
Por ultimo se observa que las impedancias transversales Z
TE
y Z
TM
pueden es-
cribirse como:
Z
TM
=

_
1
_
f
c
f
_
2
(2.1.62)
Z
TE
=

_
1
_
f
c
f
_
2
(2.1.63)
con =
_
/.
Estas impedancias son reales para f f
c
e imaginarias puras para f < f
c
. Esto
indica que no puede haber transmision de potencia, ya que una impedancia reactiva
reeja toda la potencia que le llega. Debe observarse que la atenuacion de las ondas
por debajo del corte es una atenuacion reactiva, no disipativa, ya que no hay perdidas
ohmicas en el sistema.
2.1.2. Consideraciones de potencia y energa
Para estudiar el comportamiento de potencia en un sistema guiado se hara uso
del teorema de Poynting en forma compleja (para excitacion armonica e
jt
):
23
(

E

H

) =

H



E

E

H

(2.1.64)
Aplicando las ecuaciones 2.1.3 y 2.1.4 de Maxwell se puede poner que:
(

E

H

) =

H

(j

H)

E(j

+

J

)
= j

H

H

+j

E

E

= j(

H

H

Integrando esta expresion en un volumen cerrado se obtiene que:

V
(

E

H

)dV =

S
(

E

H

) ndS
= j

E

E

dV j

H

H

dV

E

E

dV
Es decir:

1
2

S
(

E

H

) ndS = 2j(U
m
U
e
) +P
L
(2.1.65)
siendo
Energa media magnetica almacenada
en el volumen V
U
m
=
1
4

H

H

dV (2.1.66)
Energa media electrica almacenada en
el volumen V
U
e
=
1
4

E

E

dV (2.1.67)
Potencia disipada media por efecto
Joule en el volumen V
P
L
=
1
2

E

E

dV (2.1.68)
Potencia media que entra en V o ujo
de energa media que entra por segundo
en el volumen V.

1
2

S
(

E

H

) ndS (2.1.69)
Si se aplica esta formula al volumen formado por la porcion de gua de ondas
comprendida entre dos planos transversales paralelos S
1
y S
2
, tal y como se mues-
tra en la gura 2.3, y se consideran los campos descompuestos en sus componentes
transversales y axiales:
24

E

H

= (

E
t
+ zE
z
) (

t
+ z

z
)
=

E
t

t
+

E
t
zH

z
+ zE
z


H

t
+E
z
H

z
z z
Figura 2.3: Volumen gua arbitraria
Los terminos segundo y tercero no producen ujo de energa en ninguna de las
tres supercies S
1
,S
2
y S
3
((

E
t
z) n
1,2
= 0 y (E
z
z

H

t
) n
1,2
= 0).
De forma que sustituyendo en la expresion 2.1.65 e igualando parte real e imagi-
naria se tendra que:

1
2

S
(

E
t

t
) ndS

= P
L
(2.1.70)
Si el sistema no tiene perdidas, P
L
= 0, la potencia activa que entra por S
1
sale
por S
2
. El ujo de energa activa que cruza por segundo una seccion transversal del
sistema de transmision se llamara potencia transmitida y vale:
P
T
=
1
2

S
1,2
(

E
t

t
) ndS (2.1.71)
integral extendida a una seccion transversal del sistema de transmision.
Por otra parte se puede escribir que:
25

1
2

S
(

E
t

t
) ndS

= 2(U
m
U
e
) (2.1.72)
expresion que indica que el ujo neto de energa reactiva en el volumen V es igual a
la diferencia entre las energas almacenadas por los campos magneticos y electricos.
Resulta inmediato comprobar que para modos que se propagan considerando las
ondas simples, incidente o reejada, el producto

E
t

t
es real, por lo que U
e
= U
m
.
No sucede lo mismo por debajo del corte, o considerando una onda estacionaria.
Modos TEM

H
t
=
1

( z

E
t
)

E
t

t
=
1

E
t
( z

t
)) = (real)
Modos TM

E
tn
= Z
TMn
(

H
tn
z) =

n
j
(

H
tn
z)

E
t

t
=

n
j
(

H
tn
z)

H

tn
=

real si
n
= j
n
imaginario si
n
=
n
Modos TE

E
tn
= Z
TEn
(

H
tn
z) =
j

n
(

H
tn
z)

E
t

t
=
j

n
(

H
tn
z)

H

tn
=

real si
n
= j
n
imaginario si
n
=
n
La potencia transmitida para los modos TEM, TE y TM para frecuencias por
encima de la frecuencia de corte sera:
Modos TEM
P
T
=
1
2

S
(

E
t

t
) ndS =
1
2

S
|

E
t
|
2
dS =

2

S
|

H
t
|
2
dS (2.1.73)
Modos TM
P
T
=

1
2Z
TM

S
|

E
t
|
2
dS

Z
TM
2

S
|

H
t
|
2
dS

(2.1.74)
Modos TE
26
P
T
=

1
2Z
TE

S
|

E
t
|
2
dS

Z
TE
2

S
|

H
t
|
2
dS

(2.1.75)
Si en los modos TE y TM se estuviera por debajo de la f
c
la potencia transmitida
P
T
sera nula, pues Z
TE
y Z
TM
seran imaginarias puras. Si estas potencias se expresan
en funcion de las componentes axiales E
z
o H
z
se obtendran las siguientes expresiones:
Modos TM
P
T
=
Z
TM
2
2

f
f
c

S
|E
z
|
2
dS (2.1.76)
Modos TE
P
T
=

2
2Z
TE

f
f
c

S
|H
z
|
2
dS (2.1.77)
2.2. Gua rectangular
En general se entiende por gua ondas medios de transmision formados por un
solo conductor hueco, por el interior del cual se propaga la energa electromagnetica.
Los tipos de gua ondas mas usados son la gua onda rectangular y la circular.
La gua de ondas rectangular consiste en un tubo hueco conductor de seccion
rectangular y dimensiones internas a y b como se muestra en la gura 2.4.
Figura 2.4: Gua rectangular
Tanto para modos TE como TM la ecuacion de onda para la componente axial es:
27

2
t
A
z
+k
2
c
A
z
= 0 (2.2.1)
donde A
z
representa H
z
y E
z
respectivamente.
En coordenadas rectangulares la ecuacion anterior se escribe:

2
A
z
x
2
+

2
A
z
y
2
+k
2
c
A
z
= 0 (2.2.2)
Aplicando el metodo de separacion de variables:
A
z
= X(x) Y (y)
Y X

+X Y

+k
2
c
X Y = 0
que dividiendo por X Y :
X

X
+
Y

Y
= k
2
c
Dado que cada uno de los terminos de la izquierda solo dependen de una variable,
x o y, debera cumplirse que:
X

X
= Cte. = k
2
x
Y

Y
= Cte. = k
2
y
satisfaciendose k
2
x
+k
2
y
= k
2
c
.
Resolviendo cada una de estas ecuaciones diferenciales se tendra que A
z
sera
A
z
= (A
1
cos k
x
x +B
1
sen k
x
x)(C
1
cos k
y
y +D
1
sen k
y
y) (2.2.3)
Imponiendo las condiciones de contorno de la gua rectangular resultaran dos
conjuntos de soluciones:
Modos TM(A
z
= E
z
)
Condiciones de contorno: E
z
= 0 en x = 0, y = 0, x = a y y = b
resultando que
28
x = 0 A
1
= 0
y = 0 C
1
= 0
x = a B
1
sen k
x
a = 0 k
x
a = m m = 1, 2, 3, ...
y = b D
1
sen k
y
b = 0 k
y
b = n n = 1, 2, 3, ...
Se descartan los valores m = 0 y n = 0, pues supondran E
z
= 0. De forma que
debera cumplirse que:
k
x
=
m
a
; k
y
=
n
b
k
2
c
=

m
a

2
+

n
b

2
E
z
= Asen k
x
x sen k
y
y
El resto de las ecuaciones se obtienen a partir de las ecuaciones generales:

E
t
=

k
2
c

t
E
z
= j

k
2
c

E
z
x
x +
E
z
y
y

(2.2.4)

H
t
=
1
Z
TM
( z

E
t
) (2.2.5)
con lo que:
E
x
=
j
k
2
c
Ak
x
cos k
x
x sen k
y
y
E
y
=
j
k
2
c
Ak
y
sen k
x
x cos k
y
y
H
x
=
E
y
Z
TM
H
y
=
E
x
Z
TM
con
Z
TM
=

j
=

k
c
k

2
Modos TE(A
z
= H
z
)
29
En este caso se tiene H
z
= 0. De la relacion 2.1.15 se puede ver que:

E
t
=
j
k
2
c

t
H
z
z =
j
k
2
c

x
H
z
y
y
H
z
x

(2.2.6)
Condiciones de contorno: E
y
= 0 en x = 0 y x = a y E
x
= 0 en y = 0 y y = b,
por lo que haciendo uso de 2.2.6 supone las siguientes condiciones de contorno:
H
z
x

x=0,a
= 0
H
z
y

y=0,b
= 0
Aplicandolas a la expresion general 2.2.3 se tendra que:
x = 0;
H
z
x
= 0 B
1
= 0
y = 0;
H
z
y
= 0 D
1
= 0
x = a;
H
z
x
= 0 sen k
x
a = 0 k
x
a = m m = 0, 1, 2, 3, ...
y = b;
H
z
y
= 0 sen k
y
b = 0 k
y
b = n n = 0, 1, 2, 3, ...
Si m = 0 y n = 0 simultaneamente H
z
sera constante y no tendra componentes
transversales, por lo que el modo TE
00
no supone ujo de potencia. Este modo no
tiene sentido fsico pero s necesita ser considerado para garantizar la complitud de
la serie de Fourier.
De forma que debera cumplirse que:
k
x
=
m
a
; k
y
=
n
b
k
2
c
=

m
a

2
+

n
b

2
H
z
= Bcos k
x
x cos k
y
y
El resto de las ecuaciones se obtienen a partir de las ecuaciones generales:

H
t
=
j
k
2
c

t
H
z
= j

k
2
c

H
z
x
x +
H
z
y
y

(2.2.7)

E
t
= Z
TE
(

H
t
z) (2.2.8)
30
con lo que:
H
x
=
j
k
2
c
Bk
x
sen k
x
x cos k
y
y
H
y
=
j
k
2
c
Bk
y
cos k
x
x sen k
y
y
E
x
= H
y
Z
TE
E
y
= H
x
Z
TE
con
Z
TE
=
j

_
1
_
k
c
k
_
2
Caractersticas de propagacion Si bien las expresiones de los campos son dis-
tintas para cada modo, las caractersticas de propagacion son iguales para modos del
mismo orden. Se observa en primer lugar que existe una doble innidad de modos po-
sibles de cada tipo correspondiendo a todas las combinaciones posibles de enteros m
y n. Se puede notar que m y n corresponden al n umero de mnimos de las ondas esta-
cionarias transversales. Los modos se designan de acuerdo con este par de subndices
y as se hablara de modos TE
mn
y modos TM
mn
. Los modos transversales electricos
pueden existir con m o n iguales a cero pero no ambos a la vez. Por el contrario en los
modos TM no puede ser cero ninguno de los dos subndices para que haya solucion
distinta de la trivial. Dentro de este conjunto de soluciones se encuentran aquellos que
teniendo diferentes expresiones de los campos electromagneticos, presentan la misma
frecuencia de corte; a estos modos se les conoce como degenerados.
Para ambos tipos de modos se ha obtenido:
k
2
c
=
_
m
a
_
2
+
_
n
b
_
2
con lo cual la longitud de onda de corte sera

c
mn
=
2
k
c
mn
=
2ab
_
(mb)
2
+ (na)
2
(2.2.9)
y la frecuencia de corte sera
f
c
mn
=
k
c
2

=
1
2

_
_
m
a
_
2
+
_
n
b
_
2
(2.2.10)
31
La longitud de onda de corte depende solamente del orden del modo y de las
dimensiones de la gua. La frecuencia de corte depende ademas del dielectrico que
rellena la gua.
Se observa que a medida que aumenta el orden de los modos crece la frecuencia
de corte.
En la gura 2.5 se muestra un diagrama indicando la frecuencia de corte de los
primeros modos referidos a la frecuencia de corte del fundamental TE
10
, para una
gua rectangular de dimensiones b/a.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
fc/fc10
b
/
a
Guia rectangular
TE10 TE20 TE30
TE01
TE11 y TM11
TE02
TE22 y TM22
TE03
TE01
TE11 y TM11
TE02
TE22 y TM22
TE03
Figura 2.5: Frecuencias corte gua rectangular
Normalmente interesa que la energa electromagnetica se propage en la congura-
cion de un solo modo, para minimizar el efecto de distorsion y mejorar el acoplamiento
entre la excitacion y la recepcion.
Se sabe que solo pueden propagarse aquellos modos cuya frecuencia de corte sea
inferior a la frecuencia de trabajo, e interesa ademas que haya un cierto margen de
frecuencias para el cual solo se propague un modo. De lo expuesto y del diagrama de
la gura 2.5 resulta evidente que interesa trabajar con el modo TE
10
en una gua de
dimensiones a = 2b, pues se tendra un margen teorico de frecuencias entre f
c
10
y 2f
c
10
,
dentro del cual solo se propagara dicho modo. Este modo es pues el mas importante
en la gua rectangular. Si se tomase un valor b/a < 0, 5 tambien se tendra el mismo
margen de frecuencias pero tendra el inconveniente que la seccion de la gua sera
menor y a la misma potencia transmitida requerira campos mas intensos.
32
Potencia transmitida. Perdidas y atenuacion Para modos TE se puede hallar
la constante de atenuacion debida a los conductores en funcion de la componente H
z
.
Se vio que una de las formas de expresar la potencia transmitida en una gua vena
dada por la ecuacion 2.1.77:
P
T
=

2
2Z
TE
_
f
f
c
_
2
__
S
|H
z
|
2
dS
y la potencia perdida por unidad de longitud ( si solo se producen perdidas en los
conductores) viene dada por:
P
L
c
=
R
s
2
_
C
|

J
s
|
2
dl
siendo

J
s
la densidad de corriente y R
s
la resistencia supercial (R
s
= 1/() =
_
/(2)).
Y teniendo en cuenta que:

J
s

x=0,a
= n

H

x=0,a
= x zH
z
|
x=0,a
= yH
z
|
x=0,a

J
s

y=0,b
= n

H

y=0,b
= y
_
xH
x
|
y=0,b
+ zH
z
|
y=0,b
_
As pues la constante de atenuacion vendra dada por:

c
=
P
Lc
2P
T
=
R
s
2
_
C
|

J
s
|
2
dl
2

2
2Z
TE
_
f
f
c
_
2
__
S
|H
z
|
2
dS
Particularizando para el modo TE
10
:

c
=
R
s
b
_
1 (f
c
/f)
2
_
1 +
2b
a
_
f
c
f
_
2
_
La gura 2.6 muestra esta atenuacion para varias relaciones de a y b.
En cuanto a la atenuacion debida a un dielectrico imperfecto ( =

) se
puede comprobar, encontrando la parte real de , que:

d
=
k
2
tan

_
1
_
f
c
f
_
2
(2.2.11)
33
Figura 2.6: Constante de atenuacion en gua rectangular
donde tan es la tangente de perdidas que viene dado por

. Expresion valida para


cualquier gua que contenga un unico dielectrico. En general para el calculo de esta
constante de atenuacion se habra aplicado su denicion,
d
= P
Ld
/(2P
T
), habiendo
calculado en este caso la potencia disipada por unidad de longitud como
P
Ld
=
1
2

e
|

E|
2
dS (2.2.12)
con
e
= tan .
Modo dominante TE
10
Este modo es el de frecuencia de corte mas baja de todos
los modos posibles en gua rectangular. Su conguracion de compos es la mas sencilla
posible y es el mas importante desde el punto de vista de ingeniera de microondas.
Por ello se le dedicara un poco mas de atencion.
Este modo presenta, entre otras, las siguientes caractersticas:
1. Para una gua normalizada a = 2b, la atenuacion debida a los conductores es
baja.
2. La frecuencia de corte del modo superior mas proximo a TE
10
es el doble de su
propia frecuencia de corte.
34
3. Su frecuencia de corte, f
c
= c/(2a) es independiente de una de las dimensiones
(altura de la gua). Esto puede ser importante para aplicaciones que requieren
guas de altura reducida.
4. La polarizacion del campo electrico es ja en toda la gua. Polarizacion vertical
entre la cara superior e inferior.
5. La excitacion de este modo en la gua es muy sencilla.
Expresando los campos a partir de las formulas generales se tiene que:
H
z
= B cos k
x
x cos(t z)
H
x
= B

k
c
sen k
x
x sen(t z)
E
y
=

f
f
c

B sen k
x
x sen(t z)
E
x
= H
y
= 0
siendo k
x
= /a. O expresado de otra forma:
E
y
= E
o
sen k
x
x sen(t z)
H
x
=
E
o
Z
TE
sen k
x
x sen(t z)
H
z
=

f
c
f

E
o

cos k
x
x cos(t z)
La distribucion de campos en un cierto instante se representa en la gura 2.7.
Observese que no hay variacion seg un y y que solo existe una componente de

E
y que las lneas de

H forman circuitos cerrados. La distribucion de corriente en las
paredes de la gua se puede obtener a partir de la relacion

J = n

H y se representa
en la gura 2.8.
Por otro lado la potencia transmitida viene dada por:
P
T
=
E
2
o
4Z
TE
ab (W) (2.2.13)
La maxima potencia que puede transmitir la gua, supuesto dielectrico aire, es:
P
Tmax
= 6, 63 10
4
E
2
omax
a b

g
(W) (2.2.14)
35
Figura 2.7: Distribucion modo TE
10
en gua rectangular (

E:azul,

H:rojo)
donde E
omax
es el campo de ruptura (30,000 V/m) para el aire.
Problema: Calcular la potencia maxima que se puede transmitir a 8 GHz en una
gua WG-90 (a=0,9 y b=0,4).
Solucion: La frecuencia de corte para esta gua viene dada por:
f
c
=
c
2a
=
3 10
8
2 0, 9 25, 4 10
3
= 6, 56 GHz
Haciendo uso de la expresion 2.1.61 se puede encontrar la relacion /
g
:

g
=

f
c
f

2
= 0, 5721
Por lo que haciendo uso de la expresion 2.2.14 se encontrara la potencia m axima
que se puede transmitir por la gua propuesta:
P
Tmax
= 79, 28 W
2.3. Gua circular
La seccion transversal de este tipo de gua onda es circular, tal y como indica la
gura 2.9. Su geometra queda completamente denida por su radio a.
36
Figura 2.8: Corriente supercial modo TE
10
en gua rectangular
Figura 2.9: Seccion transversal gua circular
Dada la simetra cilndrica parece logico usar coordenadas cilndricas para la re-
solucion de la ecuacion de onda. La ecuacion de onda desarrollada en coordenadas
cilndricas toma la forma:

2
t
A
z
+k
2
c
A
z
= 0 (2.3.1)

2
A
z

2
+
1

A
z

+
1

2
A
z

2
+k
2
c
A
z
= 0 (2.3.2)
Por separacion de variables:
A
z
= R() F() (2.3.3)
Sustituyendo en la 2.3.2 resulta que:
37
F R

+
1

F R

+
1

2
R F

+k
2
c
R F = 0 (2.3.4)
Y dividiendo por R F y multiplicando por
2
:

2
R

R
+
R

R
+
F

F
+
2
k
2
c
= 0 (2.3.5)
Agrupando los terminos dependientes de por un lado y los de por otro:

2
R

R
+
R

R
+
2
k
2
c
=
2
(2.3.6)
F

F
=
2
(2.3.7)
siendo una constante. La primera ecuacion se puede reordenar de la siguiente forma:
1

d
d

dR
d

k
2
c


2

R() = 0 (2.3.8)
que resulta ser la ecuacion diferencial de Bessel cuyas soluciones son de sobra cono-
cidas. Lo mismo ocurre con la ecuacion diferencial que aplica a F cuyas soluciones
tambien son ampliamente conocidas. Las soluciones de R y F seran pues:
F = Acos +Bsen (2.3.9)
R = C J

(k
c
) +DN

(k
c
) (2.3.10)
donde J

y N

son las funciones de Bessel de primera y segunda clase, esta ultima


tambien conocida como funcion de Neuman, y de orden .
La funcion N

(k
c
) se hace innita en = 0, y como dicho punto esta incluido
en la zona bajo estudio ( < a) esta solucion es fsicamente imposible, por lo que la
solucion general sera de la forma:
A
z
= (Acos +Bsen ) J

(k
c
) (2.3.11)
Teniendo presente que = 0 y = 2 son el mismo punto debe cumplirse que la
constante sea entera. A partir de ahora se le llamara = n.
Modos TM (H
z
= 0) La solucion para la componente axial E
z
sera
E
z
= (Acos n +Bsen n) J
n
(k
c
) (2.3.12)
38
Figura 2.10: Funciones de Bessel de primera clase
La condicion de contorno es E
z
= 0 en = a. Esto requiere J
n
(k
c
a) = 0. Conviene
recordar el comportamiento de las primeras funciones de Bessel observando la gura
2.10. Solo la funcion J
0
(x) es diferente de cero en el origen.
La funcion J
n
(x) tiene innitos valores de x para los cuales J
n
(x) = 0.
Si se denomina P
nl
a la raz de orden l de la funcion J
n
, las posibles valores propios
para k
c
ser an:
k
c
nl
=
P
nl
a
(2.3.13)
El resto de los campos se obtienen de las expresiones generales:

E
t
= j

k
2
c

t
E
z
= j

k
2
c

E
z

+
1

E
z

(2.3.14)
Luego:
E

= j

k
c
J

n
(k
c
)(Acos n +Bsen n) (2.3.15)
E

= j

k
2
c
n

J
n
(k
c
)(Asen n +Bcos n) (2.3.16)
H

=
E

Z
TM
(2.3.17)
H

=
E

Z
TM
(2.3.18)
donde la impedancia de los modos TM viene dada por:
39
n P
n1
P
n2
P
n3
0 2,405 5,420 8,654
1 3,832 7,016 10,174
2 5,135 8,417 11,620
Tabla 2.1: Ceros J
n
Z
TM
=

f
c
f

2
=

j
=

(2.3.19)
La ecuacion 2.3.13 dene una doble innidad de valores para k
c
, cada una corres-
pondiente a una combinacion de valores n, l. A cada par de valores corresponde una
solucion o modo TM
nl
. El entero n describe el n umero de variaciones circunferenciales
en , y el entero l describe el n umero de variaciones radiales en . En la tabla 2.1 se
indican los valores de P
nl
para los modos TM mas bajos.
La longitud de onda y la frecuencia de corte vienen dadas por:

c
TM
nl
=
2
k
c
=
2a
P
nl
(2.3.20)
f
c
TM
nl
=
k
c
2

=
P
nl
2a

(2.3.21)
El valor mas bajo de P
nl
es la primera raz de la funcion de Bessel de orden cero,
es decir P
01
= 2, 405, por lo que el modo mas bajo de los TM es el TM
01
.
Modos TE E
z
= 0 La solucion para la componente axial es:
H
z
= (Acos n +Bsen n) J
n
(k
c
) (2.3.22)
La condicion de contorno es
H
z
n

contorno
= 0 (2.3.23)
y aplicandola a la expresion 2.3.22 resultara
H
z

=a
= 0 J

n
(k
c
a) = 0 (2.3.24)
Seran por tanto posibles valores de k
c
aquellos que cumplan:
40
n P

n1
P
n2
P

n3
0 3,832 7,016 10,174
1 1,841 5,331 8,536
2 3,054 6,706 9,970
Tabla 2.2: Ceros J

n
k
c
nl
=
P

nl
a
(2.3.25)
donde P

nl
indica la raz de orden l de la funcion primera derivada de la funcion de
Bessel de orden n.
El resto de los campos se obtienen de las ecuaciones generales:

H
t
= j

k
2
c

t
H
z
= j

k
2
c

H
z

+
1

H
z

(2.3.26)
con lo que:
H

= j

k
c
J

n
(k
c
)(Acos n +Bsen n) (2.3.27)
H

= j

k
2
c
n

J
n
(k
c
)(Asen n +Bcos n) (2.3.28)
E

= Z
TE
H

(2.3.29)
E

= Z
TE
H

(2.3.30)
donde la impedancia Z
TE
viene dada por:
Z
TE
=

f
c
f

2
=
j

(2.3.31)
La ecuacion 2.3.25 dene nuevamente una doble innitud de valores k
c
, y por
tanto una doble innidad de soluciones que se denominan modos TE
nl
. La tabla 2.2
indica los valores de P

nl
para los modos TE mas bajos.
La longitud de onda de corte y la frecuencia de corte vienen dadas por:

c
TE
nl
=
2a
P

nl
(2.3.32)
f
c
TE
nl
=
P

nl
2a

(2.3.33)
41
El valor mas bajo de P

nl
es P

11
= 1, 84 por lo que el modo TE
11
es el modo que
presenta la frecuencia de corte mas baja de todos los modos posibles en una gua
circular.
En la gura 2.11 se indican la posiciones de las frecuencias de corte de los primeros
modos respecto a la frecuencia de corte del modo fundamental TE
11
.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
fc/(fcTE11)
Frecuencias corte guia circular
TE01
TE11
TE12
TE21
TM01
TM02
TM11
TM21
Figura 2.11: Frecuencias de corte gua circular
Comparando este diagrama con el correspondiente a la gua rectangular normali-
zada (a = 2b) se observan dos diferencias notables. La primera es que no hay apenas
coincidencia de modos con la misma frecuencia de corte, hecho importante en el es-
tudio posterior de cavidades resonantes. La segunda es que el ancho de banda en el
cual solo puede propagarse el modo dominante (TE
11
) es mucho mas peque no que en
la gua rectangular, lo cual supone una desventaja.
Constante de atenuacion Para el calculo de la constante de atenuacion se calcu-
laran la potencia disipada por unidad de longitud y la potencia transmitida al igual
que se hizo con la gua rectangular. Para los modos TM en el caso de perdidas en el
conductor resultara

c
TM
=
R
s
aZ
TM
=
R
s
a

1 (f
c
/f)
2
Np/m (2.3.34)
y para los modos TE sera

c
TE
=
R
s
a

1 (f
c
/f)
2

f
c
f

2
+
n
2
P

2
nl
n
2

Np/m (2.3.35)
Para el caso de perdidas en el dielectrico la atenuacion es siempre la misma si el
dielectrico es homogeneo:
42

d
TE,TM
=
k
2
tan

1 (f
c
/f)
2
(2.3.36)
La gura 2.12a compara la atenuacion por conductores para los primeros modos.
a b
Figura 2.12: a-Atenuacion conductor gua circular. b-Cocientes atenuacion gua Circu-
lar/Rectangular.
Si se comparase la atenuacion de una gua circular y una rectangular donde la
periferia de ambas fuesen iguales (2
o
= 2a + 2b, con
o
radio gua circular y a y b
dimensiones gua rectangular) para el caso del modo fundamental se observara que
es menor en el caso de la circular, gura 2.12b.
Otro hecho que se pone de maniesto es que para los modos TE
01
la atenuacion
disminuye indenidamente a medida que aumenta la frecuencia. Este sera un he-
cho importante cuando se estudien los modos resonantes en resonadores de seccion
circular.
Como resumen el modo fundamental en una gua circular es el TE
11
y las expre-
siones de sus componentes son
H
z
= J
1
(k
c
)(Acos + Bsen )e
jz
H

=
j
k
c
J

1
(k
c
)(Acos + Bsen )e
jz
H

=
j
k
2
c

J
1
(k
c
)(Asen Bcos )e
jz
E

= Z
TE
H

= Z
TE
H

43
2.4. Gua coaxial
Una estructura coaxial es el conjunto de dos conductores cilndricos concentricos.
La gura 2.13 presenta la seccion transversal de una estructura coaxial.
2b 2a
Figura 2.13: Cable coaxial
La existencia de mas de un conductor posibilita la existencia del modo TEM, que
como se vio en un apartado anterior se resolvera mediante un analisis de estatica, y
ademas presenta una frecuencia de corte igual cero, lo que le convierte en el modo
fundamental de un cable coaxial. Para poder establecer el ancho de banda del coaxial
se debera analizar los modos de orden superior, modos TE y TM, y establecer cual
de ellos presenta la frecuencia de corte mas baja. Esta frecuencia sera maxima de
utilizacion en el coaxial, estableciendo as el ancho de banda del mismo.
Dada la geometra de la estructura, las coordenadas que mejor se adaptan son las
cilndricas, pudiendose partir de la solucion general de la ecuacion de onda escalar:
A
z
= [AJ
n
(k
c
) +BN
n
(k
c
)][C cos n +Dsen n] (2.4.1)
En este caso la constante B no tiene porque ser nula al no estar incluido el origen
( = 0) en la zona bajo estudio (recuerdese que las funciones de Neuman son singulares
en el origen).
Partiendo de esta solucion general se calculan los modos TE y TM.
Modos TM En este caso A
z
sera la componente axial del campo electrico E
z
:
E
z
= [AJ
n
(k
c
) +BN
n
(k
c
)][C cos n +Dsen n] (2.4.2)
La estructura coaxial impone a este E
z
las siguientes condiciones de contorno:
E
z
|
=a
= 0 (2.4.3)
E
z
|
=b
= 0 (2.4.4)
44
que aplicadas a la solucion general suponen las siguientes ecuaciones:
A

J
n
(k
c
a) +
B
A
N
n
(k
c
a)

= 0 (2.4.5)
A

J
n
(k
c
b) +
B
A
N
n
(k
c
b)

= 0 (2.4.6)
Ecuaciones que permiten ver que debera cumplirse la siguiente relacion:
J
n
(k
c
a)
N
n
(k
c
a)
=
J
n
(k
c
b)
N
n
(k
c
b)
(2.4.7)
Ecuaci on transcendente con innitas soluciones que debe ser resuelta por metodos
numericos y cuya solucion devolvera los valores de k
c
para unos determinados n, a y
b.
Modos TE En este caso la funcion A
z
sera campo magnetico axial:
H
z
= [AJ
n
(k
c
) +BN
n
(k
c
)][C cos n +Dsen n] (2.4.8)
Y las condiciones de contorno seran:
H
z

=a
= 0 (2.4.9)
H
z

=b
= 0 (2.4.10)
Obteniendo la siguiente ecuacion tras aplicarlas a la solucion general de H
z
:
J

n
(k
c
a)
N

n
(k
c
a)
=
J

n
(k
c
b)
N

n
(k
c
b)
(2.4.11)
Relacion similar a la ecuacion de los modos TM pero con funciones derivadas.
En la gura 2.14 se muestra un diagrama que da las longitudes de onda de corte
de algunos modos superiores en funcion de la relacion b/a.
Despues de un analisis aproximado se puede demostrar que el modo TM con
frecuencia de corte mas baja es el TM
01
, cumpliendose aproximadamente en este caso
que:

c
TM
01
2(b a) (2.4.12)
f
c
TM
01

1
2

(b a)
(2.4.13)
45
Figura 2.14: Modos TM y TE cable coaxial
Realizando un analisis similar para los modos TE resulta que es el modo TE
11
el
que presenta la frecuencia de corte mas baja, cumpliendose en este caso que:

c
TE
11
(a +b) (2.4.14)
f
c
TE
11

(a +b)
(2.4.15)
Comparando los modos TE y TM de frecuencia mas baja resulta que sera el
TE
11
el de frecuencia menor, y por tanto el que establecera la frecuencia mas alta de
utilizacion del coaxial. Observese que esta frecuencia de corte es tanto mayor cuanto
mas no es el cable.
Ejemplo: Para un cable coaxial de a = 0, 5 mm y b = 1, 72 mm la frecuencia de
corte del modo TE
11
sera 43 GHz. Esta sera en condiciones normales la m axima
frecuencia que se podra utilizar con este cable.
46
2.5. Excitacion guas
Despues de ver las diferentes soluciones electromagneticas en las guas rectangu-
lares, circulares y coaxiales se concluye que la forma de funcionamiento normal de
una gua es monomodo, es decir excitar un solo modo. Esto garantiza una menor
distorsion y una mejor eciencia de potencia en proceso de excitacion y recepcion.
El modo que resulta mas facil de excitar de forma unica es el de frecuencia de corte
mas baja conocido como modo fundamental. Lo que se vera en este apartado son
diferentes formas de excitar este modo de la manera mas eciente.
Una vez conocido el campo del modo que se quiere excitar lo que se debe imponer
son condiciones que se acoplen a ese campo. Las mas habituales son las de campo
electrico mediante un dipolo electrico y la de campo magnetico con una espira. Sera
necesario ubicar el dipolo electrico en una posicion donde el campo electrico a excitar
tenga amplitud elevada y orientar adecuadamente el dipolo, como se muestra en la
gura 2.15 para el caso particular de una gua rectangular. Caso que se tratase de
una espira se ubicara all donde el campo magnetico tuviese una amplitud diferente
de cero y orientando su supercie perpendicular al campo magnetico.
Figura 2.15: Dipolo electrico excitando TE
10
gua rectangular
Un metodo tradicional para excitar una gua mediante un coaxial utiliza el con-
ductor central del coaxial como dipolo electrico y se sit ua en el centro de la maxima
dimension de la gua (x = a/2) a una distancia l de un cortocircuito, gura 2.16-a. En
un principio la distancia l al cortocircuito debera ser
g
/4 para conseguir que se sume
en fase la onda reejada, pero en la practica hay que tener en cuenta otros factores
en el dimensionado como modos en corte, que hacen que haya unas dimensiones l y
d optimas para conseguir la mayor adaptacion y el mayor ancho de banda.
47
b
Coaxial
Gua
l
d
a.
b
Coaxial
Guia
Espira
b.
Figura 2.16: a-Excitacion gua rectangular mediante coaxial. b-Excitacion gua rec-
tangular con espira mediante coaxial.
En un proceso de fabricacion de transiciones coaxial-gua lo que se suele hacer
es ajustar manualmente mediante un elemento movil, como poda ser un tornillo
de gran diametro situado en el cortocircuito. Modicar la posicion del tornillo sera
equivalente a modicar la posicion efectiva del cortocircuito.
Otra posibilidad, menos frecuente, de excitar una gua mediante un coaxial consis-
te en realizar una espira con el conductor central del coaxial. Su ubicacion en este caso
debera ser tal que la supercie de la espira quede perpendicular al campo magnetico,
gura 2.16-b. La espira quedara incluida en el plano YZ. La componente H
x
que in-
duce la espira es simetrica respecto a x = a/2 y maxima en x = a/2, y mnima cuando
x tiende a 0 o a a. Estas caractersticas son las del campo

H del modo fundamental
TE
10
. Por supuesto tambien se generaran modos de orden superior que estaran en
corte.
Para la gua circular se utilizaran metodos semejantes para excitar el modo TE
11
.
Otro tipo de metodo para excitar el modo dominante es haciendo uso de una
ranura, 2.17.
En todos estos tipos de transiciones se debe tener en cuenta que, por reciprocidad,
trabajaran de igual manera cuando el ujo de potencia vaya de la gua al coaxial o
a la ranura.
Es habitual al trabajar con guas hacer uso de su circuito equivalente. Para cada
modo se tendra una lnea de transmision como circuito equivalente caracterizada por
una impedancia caracterstica igual a la del modo y con una constante de propagacion
igual a la del modo. Por ello, cuando se trabaja solo con el modo fundamental
se suele sustituir por una lnea de transmision con las caractersticas anteriormente
mencionadas.
Figura 2.17: Excitacion gua rectangular mediante ranura
Figura 2.17: Excitacion gua rectangular
mediante ranura
Captulo 3
Analisis de redes
3.1. Introduccion
Historicamente la teora de circuitos de microondas surge por la necesidad de dar
un tratamiento sencillo a los sistemas en guas de ondas y cavidades resonantes, que
inicialmente solo son tratables a traves de su descripcion electromagnetica completa.
La solucion en guas como combinacion de modos que se propagan en sentido positivo
y negativo sugiere una descripcion nueva, denominada parametros de dispersion o
parametros S (de Scattering en ingles). La importancia de estos parametros S es
grande ya que su medida puede hacerse de manera mas directa y sencilla que la de
impedancias o admitancias, y permitiran posteriormente incorporar facilmente las
guas de ondas, las cavidades y otros elementos al mundo de circuitos equivalentes
analizables en terminos de tensiones y corrientes.
Por el momento se consideraran como circuitos de microondas aquellos formados
por elementos pasivos concentrados (Rs, Ls y Cs), dispositivos activos (transistores,
diodos) y lneas de transmision. Estas ultimas son las que tienen en cuenta el retardo
debido a la velocidad de propagacion nita; dicho de otro modo, los efectos de retardo
ser an tenidos en cuenta exclusivamente mediante la presencia de lneas de transmision,
tanto formando parte del circuito, como para transportar las se nales al o del mismo.
Dado que las lneas de transmision son elementos pasivos lineales y recprocos, las
propiedades genericas de los circuitos de microondas as denidos son las mismas que
las de los convencionales.
Recuerdese que una red recproca es aquella en la que el intercambio entre ge-
nerador y medidor, ambos sin impedancia, no produce modicacion en la lectura
del segundo. En el caso de frecuencias de microondas existen dispositivos (aislado-
res, circuladores) formados por materiales magneticos (ferritas) que son pasivos pero
no son recprocos. En general aquellos circuitos pasivos que no contengan materiales
anisotropos como las ferritas se podra decir que son recprocos.
49
50
Figura 3.1: Red de N accesos
3.2. Matriz de dispersion.
La matriz de dispersion surge como una necesidad para caracterizar circuitos en
la banda de microondas. Antes de denir la matriz de dispersion se recordaran otras
formas clasicas para caracterizar circuitos.
Es importante recalcar que la conexion de un circuito con el exterior se realiza
exclusivamente mediante lneas de transmision que se denominan accesos (ports en
ingles). En cada una de estas lneas es necesario jar un plano de referencia donde
medir las tensiones y corrientes (V
i
, I
i
, i = 1, 2, 3, ...), que serviran para describir las
propiedades de la red o circuito, con el convenio de tomar como positivas las corrientes
si entran en la red. De esta manera una red de N accesos viene descrita por las 2N
variables (V
i
, I
i
) de las que solamente la mitad son independientes, gura 3.1.
La descripcion mas frecuente de la red es a traves de sus matrices de impedancias
o admitancias:
[V ] = [Z][I] (3.2.1)
[I] = [Y ][V ] (3.2.2)
cumpliendose que
[Z] = [Y ]
1
y donde [V ] e [I] son matrices columna (vectores) de dimension N, y [Z] e [Y ] son
matrices cuadradas de N N:
51
[V ] =
_

_
V
1
V
2
V
3
.
.
.
V
N
_

_
; [I] =
_

_
I
1
I
2
I
3
.
.
.
I
N
_

_
(3.2.3)
[Z] =
_

_
Z
11
Z
12
... Z
1N
Z
21
Z
22
... Z
2N
. . . .
Z
N1
Z
N2
... Z
NN
_

_
(3.2.4)
Tambien pueden denirse matrices hbridas que relacionan vectores mixtos, for-
mados por tensiones y corrientes.
Las matrices [Z] e [Y ], sin embargo, a frecuencias de microondas presentan los
siguientes inconvenientes:
1. Un desplazamiento de los planos de referencia produce cambios en los valores
de V
i
, I
i
gobernados por expresiones no triviales, y por tanto, modicaciones
profundas en la forma de las matrices. De manera que puede resultar muy difcil
identicar dos redes identicas pero con planos de referencia distintos.
2. Los elementos Z
ij
e Y
ij
se miden con circuitos abiertos o cortocircuitos en los
planos de referencia, y a frecuencias de microondas ocurre que:
a) Es difcil producir buenos circuitos abiertos (una lnea en circuito abierto
tiende a radiar energa, y por lo tanto presenta una inmitancia nita).
b) Aunque pudieran lograrse buenos cortos y abiertos no siempre es posible
situarlos en el plano de interes.
c) En el caso de dispositivos activos un cortocircuito o circuito abierto puede
producir da nos irreversibles, oscilaciones u otros efectos indeseados.
Los inconvenientes anteriores se eliminan si en lugar de utilizar tensiones y corrien-
tes en los planos de referencia para describir la red, se utilizan las amplitudes de las
ondas positiva y negativa de tension:
V
i
= V
+
i
+V

i
(3.2.5)
I
i
= Y
0i
(V
+
i
V

i
) (3.2.6)
52
Figura 3.2: Red de N accesos
de esta manera se disponen tambien de 2N variables V
+
i
, V

i
, i = 1, 2, ..., N relacio-
nadas linealmente con los V
i
, I
i
, i = 1, 2, ..., N.
Antes de seguir es necesario introducir los siguientes convenios:
1. Se tomara como ondas positivas, en cada acceso, las que se dirigen hacia la red,
gura 3.2.
2. En lugar de las tensiones y corrientes ordinarias se manejaran valores normali-
zados denidos mediante:
a
i
=

V
+
i
=
V
+
i

Z
0i
=
_
Y
0i
V
+
i
(3.2.7)
b
i
=

V

i
=
V

Z
0i
=
_
Y
0i
V

i
(3.2.8)

I
+
i
=
_
Z
0i
I
+
i
=

V
+
i
= a
i
(3.2.9)

i
=
_
Z
0i
I
+
i
=

i
= b
i
(3.2.10)
de manera que

V
i
=
_
Y
0i
V
i
;

I
i
=
_
Z
0i
I
i
(3.2.11)
resultando que:
P
+
i
=
|V
+
i
|
2
2Z
0i
=
1
2
|

V
+
i
|
2
=
1
2
|a
i
|
2
(3.2.12)
P

i
=
|V

i
|
2
2Z
0i
=
1
2
|

i
|
2
=
1
2
|b
i
|
2
(3.2.13)
Notese tambien que:

V
i
=
_
Y
0i
(V
+
i
+V

i
) = a
i
+b
i
(3.2.14)
53

I
i
=
_
Z
0i

1
Z
0i
(V
+
i
V

i
) = a
i
b
i
(3.2.15)
En funcion de estas variables se dene la matriz de dispersion, [S], mediante la
relacion:
_

_
b
1
b
2
.
.
b
N
_

_
=
_

_
S
11
S
12
... S
1N
S
21
S
22
... S
2N
. . ... .
. . ... .
S
N1
S
N2
... S
NN
_

_
_

_
a
1
a
2
.
.
a
N
_

_
(3.2.16)
que proporciona las amplitudes normalizadas de las ondas negativas o reejadas ([b])
en funcion de las amplitudes de las ondas positivas o incidentes ([a]).
En lo sucesivo, y mientras no exista riesgo de confusion, se prescindira de los
corchetes para denotar matrices y se escribira:
b = Sa ;

V

= S

V
+
(3.2.17)
De acuerdo con la denicion, los elementos S
ji
vienen dados por:
S
ji
=
b
j
a
i

a
k
=0(k=i)
=

V
+
i

V
+
k
=0(k=i)
(3.2.18)
La condicion a
k
= 0 en el k-esimo acceso se consigue situando en alg un plano del
mismo una resistencia de valor igual a la impedancia caracterstica de la lnea. En estas
condiciones se dira que el acceso k-esimo esta terminado (terminacion suele utilizarse
como sinonimo de carga adaptada a una lnea), concepto que no debe confundirse con
el de acceso adaptado, que se reserva para cuando S
kk
= 0.
Con esta nomenclatura la denicion 3.2.18 del elemento S
ji
tiene el siguiente
signicado:
1. S
ii
es el coeciente de reexion visto desde el plano de referencia i-esimo cuando
se sit ua en este acceso un generador y todos los demas accesos estan terminados,
gura 3.3.
2. S
ji
es el coeciente de transmision (se nal saliente en el plano de referencia j
dividida por se nal entrante en el plano de referencia i en la misma situacion
anterior, es decir con un generador en el acceso i y todos los demas terminados,
gura 3.3.
Este signicado de los elementos S
ji
, ademas de proporcionar su procedimiento
de medida, pone de maniesto la desaparicion de los inconvenientes se nalados en el
parrafo anterior para las matrices de impedancia y de admitancia, puesto que:
54
Figura 3.3: Signicado de S
ii
y de S
ji
Figura 3.4: Cambio planos referencia
1. Un desplazamiento de planos de referencia produce solamente cambios de fase
de las ondas positivas y negativas, y por lo tanto solamente cambios de fase en
los valores S
ij
.
2. La condicion de acceso terminado es independiente del plano donde se sit ue la
terminacion.
3. Por lo que se reere a dispositivos activos, la medida se realiza en condiciones
de carga resistiva, menos peligrosa que con un cortocircuito o circuito abierto.
La condicion primera puede precisarse de la siguiente manera: si se supone un
desplazamiento de todos los planos de referencia alejandolos de la red una cantidad

k
, gura 3.4.
Si en el acceso k-esimo se desplaza una longitud l
k
hacia afuera, las ondas de
tension normalizadas guardaran la siguiente relacion:
55
a

k
= a
k
e
j
k
; ; b

k
= b
k
e
j
k
(3.2.19)
donde

k
=
k
l
k
; k = 1, 2, . . . N (3.2.20)
En estas condiciones se tendra que :
S

ii
=
b

i
a

k
=0;k=i
=
b
i
a
i
e
j2
i

a
k
=0;k=i
= S
ii
e
j2
i
(3.2.21)
S

ji
=
b

j
a

k
=0;k=i
=
b
j
a
i
e
j(
j
+
i
)

a
k
=0;k=i
= S
ji
e
j(
j
+
i
)
(3.2.22)
Ejemplo: Calcular los parametros de dispersion de una red de dos accesos formada
por una admitancia conectada en paralelo entre los dos accesos
Figura 3.5: Ejemplo de admitancia conectada en paralelo
Para el calculo de S
11
y S
21
se conectara en el acceso 2 (lnea de Z
02
) una carga
de valor Z
02
y se calcula el factor de reexion en R
1
(igual a S
11
) y el factor de
transmision (igual a S
21
). Para este ultimo es necesario establecer la condicion entre
entrada y salida, que en este caso es trivial (continuidad de tensiones). As pues:
S
11
=
b
1
a
1

a
2
=0
=
V

1
/

Z
01
V
+
1
/

Z
01

V
+
2
=0
=
V

1
V
+
1

V
+
2
=0
=
Y
01
Y
i
Y
01
+Y
i
(3.2.23)
donde Y
i
= Y +Y
02
por lo que resultara que:
S
11
=
Y
01
Y Y
02
Y
01
+Y +Y
02
(3.2.24)
y con la condicion V
+
2
= 0 y la continuidad de tensiones en la union de los dos accesos
se podra poner que:
56
V
+
1
+V

1
= V

2
; 1 +
V

1
V
+
1
= 1 +S
11
=
V

2
V
+
1
(3.2.25)
y como
V

2
V
+
1
=
b
2

Z
02
a
1

Z
01
= S
21

Z
02

Z
01
(3.2.26)
se puede poner que
1 +S
11
= S
21

Z
02

Z
01
; S
21
=
_
Z
01
Z
02
(1 +S
11
) =
2

Y
01
Y
02
Y +Y
01
+Y
02
(3.2.27)
Analogamente:
S
22
=
Y
02
Y Y
01
Y
01
+Y +Y
02
(3.2.28)
S
12
=
2

Y
01
Y
02
Y +Y
01
+Y
02
(3.2.29)
Ejemplo: Calcular los parametros de dispersion de una lnea de transmision de
impedancia caracterstica Z
0
y longitud l respecto a dos accesos de impedancias ca-
ractersticas Z
01
= Z
02
= 1, gura 3.6.
Figura 3.6: Lnea de transmision
Para el caso del calculo de los parametros S
11
y S
21
se cargara el acceso 2 con
Z
02
= 1, tal y como se muestra en la gura 3.7.
El factor de reexion en la lnea en z = 0 vendra dado por:
=
Z
02
Z
0
Z
02
+Z
0
=
1 Z
0
1 +Z
0
57
Figura 3.7: Calculo de S
11
y S
21
.
Y la tension y la corriente en la lnea de transmision vendra dada por:
V (z) = V
+
(e
jz
+e
jz
)
I(z) =
1
Z
0
V
+
(e
jz
e
jz
)
La impedancia que se vera en el acceso 1, Z
1
, sera el cociente de la tension y la
corriente que vendran dadas por:
V
1
= V (z = l) = V
+
(e
j
+e
j
)
I
1
= V (z = l) =
V
+
Z
0
(e
j
e
j
)
con = l.
Por lo que:
Z
1
=
V
1
I
1
= Z
0
e
j
+e
j
e
j
e
j
= Z
0
(1 +Z
0
)e
j
+ (1 Z
0
)e
j
(1 +Z
0
)e
j
(1 Z
0
)e
j
Z
1
= Z
0
e
j
+e
j
+Z
0
(e
j
e
j
)
e
j
e
j
+Z
0
(e
j
+e
j
)
Y por tanto el parametro S
11
vendra dado por:
S
11
=
Z
1
Z
01
Z
1
+Z
01
=
Z
1
1
Z
1
+ 1
=
Z
0
[e
j
+e
j
+Z
0
(e
j
e
j
)] [e
j
e
j
+Z
0
(e
j
+e
j
)]
Z
0
[e
j
+e
j
+Z
0
(e
j
e
j
)] + [e
j
e
j
+Z
0
(e
j
+e
j
)]
S
11
=
(Z
2
0
1)(e
j
e
j
)
2Z
0
(e
j
+e
j
) + (Z
2
0
+ 1)(e
j
e
j
)
58
S
11
=
Z
0
(Z
0
Y
0
)(e
j
e
j
)
2Z
0
(e
j
+e
j
) +Z
0
(Z
0
+Y
0
)(e
j
e
j
)
S
11
=
(Z
0
Y
0
)2j sen
2 2 cos + (Z
0
+Y
0
)2j sen
= j
(Z
0
Y
0
) tan
2 +j(Z
0
+Y
0
) tan
(3.2.30)
En cuanto al parametro S
21
vendra dado por:
S
21
=
b
2
a
1

a
2
=0
=
V

2
V
+
1
=
V
2
V
1
(1 +S
11
)
Las tensiones V
1
y V
2
vendran dadas por:
V
2
= V (z = 0) = V
+
(1 +)
V
1
= V (z = l) = V
+
(e
j
+e
j
)
De forma que se tendra que:
S
21
=
1 +
e
j
+e
j
(1 +S
11
) =
2
e
j
+Z
0
e
j
+e
j
Z
0
e
j
(1 +S
11
)
S
21
=
2
2 cos + 2Z
0
j sen
_
2 + 2jZ
0
tan
2 +j(Z
0
+Y
0
) tan
_
S
21
=
2/ cos
2 +j(Z
0
+Y
0
) tan
(3.2.31)
Y por simetra S
22
= S
11
y S
12
= S
21
, quedando la matriz de dispersion de la lnea
de transmision como:
[S] =
1
2 +j(Z
0
+Y
0
) tan
_
j(Z
0
Y
0
) tan 2/ cos
2/ cos j(Z
0
Y
0
) tan
_
(3.2.32)
3.3. Propiedades matriz de dispersion
Las caractersticas de una red tiene consecuencias en sus parametros de dispersion.
Las caractersticas mas comunes son:
1. Red pasiva
59
2. Red sin perdidas
3. Red recproca
4. Red simetrica
A continuacion se veran las consecuencias que tienen cada una de estas carac-
tersticas sobre el aspecto de los parametros de dispersion.
Red pasiva. Si es pasiva signica que no tiene capacidad de generar potencia y en
un balance de potencias entrantes y salientes siempre sera mayor o igual las entrantes
a las salientes. Esto tendra como consecuencia que
|S
ii
|, |S
ji
| 1 (3.3.1)
puesto que S
ii
es un factor de reexion, que es el cociente entre la onda de tension
saliente y la entrante del acceso i, y esta ultima siempre sera mayor o igual si la red
es pasiva. De la denicion de S
ji
se tiene que:
|b
j
|
2
= |S
ji
|
2
|a
i
|
2
(3.3.2)
para a
k
= 0 con k = i.
Es decir que
1
2
|b
j
|
2
= |S
ji
|
2
1
2
|a
i
|
2
(3.3.3)
donde el termino
1
2
|a
i
|
2
corresponde a la potencia entrante en la red por el acceso i
y
1
2
|b
j
|
2
es la potencia saliente por el acceso j. Como la potencia saliente debe ser
menor que la entrante debera cumplirse que:
1
2
|a
i
|
2
|S
ji
|
2

1
2
|a
i
|
2
(3.3.4)
|S
ji
|
2
1 (3.3.5)
Red sin perdidas. Si ademas de ser pasiva la red no tiene perdidas, la potencia
entrante y la saliente han de ser iguales:
N

i=1
1
2
|b
i
|
2
=
N

i=1
1
2
|a
i
|
2
(3.3.6)
Expresando los sumatorios como productos de vectores se puede poner que:
60

i=1
|b
i
|
2
= [b

1
, b

2
, ..., b

N
]
_

_
b
1
b
2
.
.
b
N
_

_
= [b]
+
[b] = b
+
b (3.3.7)
donde el signo (+) signica matriz adjunta o conjugada hermtica, y es igual a la
conjugada compleja de la transpuesta:
A
+
= [A
t
]

(3.3.8)
Por tanto se puede volver a reescribir 3.3.6 como
b
+
b = a
+
a a
+
S
+
Sa a
+
a = 0 a
+
(S
+
S 1)a = 0 (3.3.9)
donde 1 representa la matriz identidad de orden N N. Como esta relacion ha de
vericarse para cualquier vector a se sigue la condicion de unitariedad:
S
+
S = 1 ; S
+
= S
1
; SS
+
= 1 (3.3.10)
es decir:
S
+
S =
_

_
S

11
S

21
... S

N1
S

12
S

22
... S
N2
. . . .
S

1N
S

2N
... S
NN
_

_
_

_
S
11
S
12
... S
1N
S
21
S
22
... S
2N
. . . .
S
N1
S
N2
... S
NN
_

_
=
_

_
1 0 ... 0
0 1 ... 0
. . . .
0 0 ... 1
_

_
(3.3.11)
Esta relacion dara lugar a un gran n umero de ecuaciones (NxN) que se pueden
agrupar en dos tipos, aquellas que se igualan a 1, diagonal de la matriz identidad, y
las mas numerosas que se igualan a 0:
|S
11
|
2
+|S
21
|
2
+... +|S
N1
|
2
= 1
|S
12
|
2
+|S
22
|
2
+... +|S
N2
|
2
= 1
... . .
|S
1N
|
2
+|S
2N
|
2
+... +|S
NN
|
2
= 1
y
61
S

11
S
12
+S

21
S
22
+... +S

N1
S
N2
= 0
... . .
S

11
S
1N
+S

21
S
2N
+... +S

N1
S
NN
= 0
S

12
S
13
+S

22
S
23
+... +S

N2
S
N3
= 0
... .
Expresiones que se pueden interpretar como que el modulo de los vectores columna
(o la) de la matriz de dispersion deben ser 1, y como que el producto de dos vectores
columna (o la) diferentes habiendo conjugado uno de ellos debe ser 0. Esta condicion
de unitariedad proporciona un n umero muy elevado de ecuaciones, evidentemente no
todas independientes. Pero en todo caso imponen fuertes restricciones en el n umero
de parametros S
ij
libres.
Ejemplo: Si se considera una red de dos accesos (cuadripolo) pasiva y sin perdidas,
pero no necesariamente recproca se tendran las siguientes restricciones. En general
las variables de la matriz de dispersion de una red de dos accesos es de ocho, cuatro
modulos y cuatro fases. Su aspecto sera:
[S] =
_
ae
j
1
be
j
2
ce
j
3
de
j
4
_
(3.3.12)
que al ser pasiva se podra decir que |a|, |b|, |c|, |d| 1.
Aplicando unitariedad se puede decir que:
a
2
+b
2
= 1, c
2
+d
2
= 1 (3.3.13)
a
2
+c
2
= 1, b
2
+d
2
= 1 (3.3.14)
de manera que se puede reescribir la matriz de dispersion como:
[S] =
_
cos e
j
1
sen e
j
2
sen e
j
3
cos e
j
4
_
(3.3.15)
Tambien por unitariedad se debe cumplir que:
cos sen
_
e
j(
1

3
)
+e
j(
2

4
)

= 0 (3.3.16)
es decir que debera cumplirse que:

3
=
2

4
+ (3.3.17)
62
quedando nalmente que:
[S] =
_
cos e
j
1
sen e
j
2
sen e
j
3
cos e
j(
2

1
+
3
)
_
(3.3.18)
donde ahora solo son cuatro los grados de libertad, ,
1
,
2
y
3
.
Antes de abordar la propiedad de reciprocidad conviene establecer las relaciones
entre la matriz de dispersion y las matrices de impedancia y admitancia. Para ello se
denen las matrices diagonales de impedancias caractersticas como:
_
_
Z
0
_
=
_
Z
0
=
_

Z
01
0 ... 0
0

Z
02
... 0
. . . .
0 ... 0

Z
0N
_

_
(3.3.19)
Y equivalentemente la de admitancias como:
_
_
Y
0
_
=
_
Y
0
= (
_
Z
0
)
1
=
_

Y
01
0 ... 0
0

Y
02
... 0
. . . .
0 ... 0

Y
0N
_

_
(3.3.20)
de forma que se puede poner que:
a =

V
+
=
_
Y
0
V
+
(3.3.21)
b =

V

=
_
Y
0
V

(3.3.22)

V =
_
Y
0
V (3.3.23)
donde a, b y

V son vectores columna.
Tambien se pueden expresar los vectores columna de corrientes como:

I
+
=
_
Z
0
I
+
(3.3.24)

=
_
Z
0
I

(3.3.25)

I =
_
Z
0
I (3.3.26)
Se pueden denir matrices de impedancias y admitancias normalizadas como:

V =

Z

I (3.3.27)

I =

Y

V (3.3.28)

Y =

Z
1
(3.3.29)
63
existiendo las siguientes relaciones:
_
Y
0
V =

Z
_
Z
0
I V =
_
Z
0

Z
_
Z
0
I (3.3.30)
resultando que
Z =
_
Z
0

Z
_
Z
0
(3.3.31)

Z =
_
Y
0
Z
_
Y
0
(3.3.32)
Y lo mismo ocurrira para la matriz de admitancias:
Y =
_
Y
0

Y
_
Y
0
(3.3.33)

Y =
_
Z
0
Y
_
Z
0
(3.3.34)
Por otra parte se tiene que:

V =

V
+
+

V

= a +b = (1 +S)a (3.3.35)

I =

I
+
+

I

= a b = (1 S)a (3.3.36)
y de ambas ecuaciones se obtiene que
2a =

V +

I = (

Z + 1)

I = (1 +

Y )

V (3.3.37)
2b =

V

I = (

Z 1)

I = (1

Y )

V (3.3.38)
y tambien se podra haber obtenido la relacion entre corriente y tension normalizada
a partir de 3.3.35 y 3.3.36 como:

V = (1 +S)(1 S)
1

I (3.3.39)
Es decir que:

Z = (1 +S)(1 S)
1
(3.3.40)
y por otro lado, de las ecuaciones 3.3.37 y 3.3.38:
b = (

Z 1)(

Z + 1)
1
a (3.3.41)
es decir
S = (

Z 1)(

Z + 1)
1
(3.3.42)
64
Analogamente se obtendra que:

Y = (1 S)(1 +S)
1
(3.3.43)
S = (1

Y )(1 +

Y )
1
(3.3.44)
Estas relaciones son faciles de recordar puesto que en el caso de dimension 1
(N = 1, red de un acceso) la matriz de dispersion se reduce a un escalar que coincide
con el factor de reexion , y en este caso:
=

Z 1

Z + 1
=
1

Y
1 +

Y
(3.3.45)

Z =
1 +
1
(3.3.46)

Y =
1
1 +
(3.3.47)
Al mismo tiempo debe observarse que en 3.3.40, 3.3.42, 3.3.43 y3.3.44 los productos
de matrices conmutan. Por ejemplo:
S = (

Z 1)(

Z + 1)
1
= (

Z + 1 2)(

Z + 1)
1
= 1 2(

Z + 1)
1
= (

Z + 1)
1
(

Z + 1) 2(

Z + 1)
1
= (

Z + 1)
1
_
(

Z + 1) 2
_
= (

Z + 1)
1
(

Z 1)
Red recproca. Si la red es recproca se sabe que las matrices de impedancia
y admitancia son simetricas respecto a su diagonal, o lo que es lo mismo que la
transposicion no vara su aspecto:
Z = Z
t
; Y = Y
t
(3.3.48)
lo que a su vez implica la simetra de

Z e

Y :

Z
t
= (
_
Y
0
Z
_
Y
0
)
t
=
_
Y
0
Z
_
Y
0
=

Z (3.3.49)
y la de la matriz de dispersion:
S
t
=
_
(

Z 1)(

Z + 1)
1
_
t
=
_
(

Z + 1)
1
_
t
(

Z 1)
t
= (

Z +1)
1
(

Z 1) = S (3.3.50)
esta propiedad de simetra de la matriz de dispersion cuando la red es recproca en
muy importante porque reduce el n umero de parametros a medir o calcular en la red.
Si esta ademas es sin perdidas, la reduccion es todava mayor.
65
Ejemplo: Siguiendo con el ejemplo anterior calcular el aspecto de la matriz de
dispersion para una red de dos accesos pasiva, sin perdidas y ahora tambien recproca.
Al ser recproca lo que debera cumplirse es que S
12
= S
21
lo que supondra que los
grados de libertad se reducen a tres, ,
1
y
2
.
[S] =
_
cos e
j
1
sen e
j
2
sen e
j
2
cos e
j(2
2

1
)
_
(3.3.51)
Red simetrica. Otra propiedad de una red puede ser la simetra, que supondra
que S
ii
= S
jj
siendo el acceso i-esimo el simetrico al j-esimo.
Ejemplo: Si una red de dos accesos es pasiva, sin perdidas, recproca y simetrica
hallar los grados de libertad que tendra la matriz de dispersion.
Haciendo uso del resultado del ejemplo anterior, lo que ademas ahora se debe
cumplir es que S
11
= S
22
quedando que

1
= 2
2

o lo que es lo mismo

2
=
1


2
de forma que la matriz de dispersion quedara como:
[S] =
_
cos e
j
1
j sen e
j
1
j sen e
j
1
cos e
j
1
_
(3.3.52)
donde se observan tan solo dos grados de libertad, y
1
. Ello supone que tan solo
el calculo de un elemento de la matriz de dispersion dara toda la informacion.
Observese que con los debidos cambios de referencia de los accesos se puede con-
seguir el siguiente aspecto de la matriz de dispersion:
[S] =
_
cos j sen
j sen cos
_
(3.3.53)
donde ahora se tendra tan solo un grado de libertad, .
Ejemplo: Comprobar que la matriz de dispersion de una admitancia colocada en
paralelo entre dos lneas de transmision cumple con las propiedades anteriores.
Asumiendo que la admitancia es pasiva (parte real mayor o igual a cero) los valores
de los parametros de dispersion seran:
66
S
11
=
Y
01
Y
02
Y
Y +Y
01
+Y
02
(3.3.54)
S
22
=
Y
02
Y
01
Y
Y +Y
01
+Y
02
(3.3.55)
S
12
=
2

Y
01
Y
02
Y +Y
01
+Y
02
(3.3.56)
S
21
=
2

Y
01
Y
02
Y +Y
01
+Y
02
(3.3.57)
La vericacion de reciprocidad es automatica, pero no as la propiedad de unita-
riedad. Esta propiedad aparece cuando la red es sin perdidas, o lo que es lo mismo
cuando Y = jB. Esto supone que el parametro S
11
se pueda poner como
S
11
=
Y
01
Y
02
jB
jB +Y
01
+Y
02
=

(Y
01
Y
02
)
2
+B
2
(Y
01
+Y
02
)
2
+B
2
e
j
1
donde

1
= arctan
B
Y
01
Y
02
arctan
B
Y
01
+Y
02
Por otro lado resulta evidente que:
|S
11
| = |S
22
| = cos
y se puede comprobar que |S
12
| = sen :
|S
12
|
2
=
4Y
01
Y
02
(Y
01
+Y
02
)
2
+B
2
= 1 |S
11
|
2
= 1 cos
2
= sen
2

Por otro lado la fase del parametro S


12
vendra dada por:

2
= arg[S
12
] = arctan
B
Y
01
+Y
02
y la del parametros S
22
sera:

4
= arg[S
22
] = arctan
B
Y
02
Y
01
arctan
B
Y
01
+Y
02
y dado que
arctan A = arctan A = arctan(A)
67
se puede poner que

4
= arctan
B
Y
01
Y
02
arctan
B
Y
01
+Y
02
Haciendo uso de las expresiones de
1
y de
2
se tendra que:

2
= arctan
B
Y
01
+Y
02

1
= arctan
B
Y
01
Y
02
arctan
B
Y
01
+Y
02
= arctan
B
Y
01
Y
02
+
2
arctan
B
Y
01
Y
02
=
1

2
luego
4
vendra dado por:

4
=
1
+
2
+
2
= 2
2

3.4. Redes de dos accesos


Las redes de dos accesos se corresponden con el concepto familiar de cuadripolo.
Su denicion en terminos de matrices de impedancia o admitancias admite en el caso
recproco los conocidos circuitos equivalentes de la gura 3.8.
a
b
Figura 3.8: a-Red equivalente en T. b-Red equivalente en .
Una propiedad conocida de las matrices de impedancia y admitancia es que per-
miten el calculo directo por suma de matrices de cuadripolos conectados en serie o
en paralelo, gura 3.9.
68
a
b
Figura 3.9: a-Conexion serie de dos cuadripolos. b-Conexion paralelo de dos cuadri-
polos.
Ejemplo:
Calcular la matriz de admitancias de una seccion de lnea de transmision de lon-
gitud l y admitancia caracterstica Y
0
, gura 3.10.
Figura 3.10: Calculo Y lnea transmision.
Por la denicion de la matriz de admitancias debera cumplirse que:
I
1
= Y
11
V
1
+Y
12
V
2
(3.4.1)
I
2
= Y
21
V
1
+Y
22
V
2
(3.4.2)
Se obtiene inmediatamente que
Y
11
=
I
1
V
1

V
2
=0
= jY
0
cotan l = Y
22
(3.4.3)
69
Para el parametro Y
21
se tendra que:
Y
21
=
I
2
V
1

V
2
=0
(3.4.4)
Pero cuando V
2
= 0 las distribuciones de V e I en la lnea, con el origen en R
2
,
son:
V (z) = 2jV
+
sen z (3.4.5)
I(z) = 2V
+
Y
0
cos z (3.4.6)
de forma que
V
1
= V (z = l) = 2jV
+
sen l (3.4.7)
I
2
= I(z = 0) = 2V
+
Y
0
(3.4.8)
y por tanto
Y
21
= j
Y
0
sen l
(3.4.9)
Resultando nalmente que, dada la simetra, la matriz de admitancia sera:
[Y ] =
jY
0
sen l
_
cos l 1
1 cos l
_
(3.4.10)
De manera analoga, o bien por inversion de Y , se obtiene la matriz de impedancias:
[Z] =
jZ
0
sen l
_
cos l 1
1 cos l
_
(3.4.11)
El ejemplo anterior presenta dos situaciones de interes:
a) l = /4 (l = /2)
[Y ] =
_
0 jY
0
jY
0
0
_
; [Z] =
_
0 jZ
0
jZ
0
0
_
(3.4.12)
b) l = 3/4 (l = 3/2)
[Y ] =
_
0 jY
0
jY
0
0
_
; [Z] =
_
0 jZ
0
jZ
0
0
_
(3.4.13)
situaciones que admiten los circuitos equivalentes en T y en de la gura 3.11.
70
Figura 3.11: Circuitos equivalentes en y en T
Figura 3.12: Circuitos equivalentes en y en T con lnea de transmision
Estos a su vez permiten establecer, para una red arbitraria dada por su matriz
de impedancias o admitancias, los circuitos equivalentes de la gura 3.12, formados
por una seccion de lnea en /4 o 3/4 y dos inmitancias en serie o en paralelo a la
entrada y la salida.
En estos circuitos la eleccion de la longitud de la lnea (/4 o 3/4) debe hacerse
en funcion de la posibilidad de realizacion fsica de las mismas; es decir, Z
0
e Y
0
han
de tener parte real (resistiva o conductiva) positiva. El caso mas interesante es el de
redes con Y
12
(Z
12
) imaginarias, que proporcionan lneas de transmision sin perdidas
(Z
0
e Y
0
reales).
No debe tampoco olvidarse que la equivalencia entre los circuitos de la gura 3.12
se cumple solamente para aquella frecuencia en que las lneas tienen una longitud
denida; es decir el procedimiento de sntesis de un dos accesos a partir de su matriz
71
Z o Y establecido anteriormente es valido solamente para una frecuencia ja.
Con anterioridad se haba visto las implicaciones que tena sobre la matriz de
dispersion el hecho que la red fuese sin perdidas, pero no se vio que consecuencias
tendra sobre la matriz de impedancias. Para el caso particular de una red de dos
accesos, pasiva, sin perdidas y recproca la potencia entrante, en terminos de la matriz
de impedancias vendra dada por:
P =
1
2
[V
1
I

1
+V
2
I

2
] =
1
2
[I
+
V ] =
1
4
(I
+
V +V
+
I)
=
1
4
(I
+
ZI +I
+
Z
+
I) =
1
4
I
+
(Z +Z
+
)I (3.4.14)
Dado que la red es sin perdidas y pasiva la potencia entrante o entregada a la red
debe ser nula con independencia del valor particular del vector corriente I, de forma
que:
Z +Z
+
= [0] (3.4.15)
Dado que se supona reciprocidad la transpuesta de la matriz de impedancia es
ella misma, y esto lleva a que la ecuacion 3.4.15 supone que todos los elementos de
la matriz de impedancia sean imaginarios puros. De igual forma, si se hubiese hecho
el mismo analisis con la matriz de admitancias habra resultado que tambien en este
caso todos sus elementos deben ser imaginarios puros. Esta caracterstica de las redes
sin perdidas es no solo aplicable a las de dos accesos sino tambien a cualquier red
de N accesos. Por tanto, cualquier red de dos accesos recproca y sin perdidas puede
sintetizarse, a una frecuencia dada, mediante una seccion de lnea ideal en /4 o 3/4
y dos reactancias (que a su vez podran realizarse con lneas de transmision ideal en
circuito abierto o en cortocircuito).
Despues de haber visto algunas caractersticas generales de las redes de dos acce-
sos, se estudiaran las expresiones mas importantes de la conguracion com un de una
red de dos accesos, alimentada en uno de sus accesos con un generador y cargada en
el otro con una carga, gura 3.13.
Son tres las caractersticas mas importantes de esta conguracion:
1. Impedancia de entrada
2. Impedancia de salida
3. Ganancia de transferencia
A continuacion se calculan cada una de estas expresiones en funcion de los parame-
tros de dispersion y de las impedancias de fuente y de carga.
72
Figura 3.13: Conguracion com un de una red de dos accesos
1) Impedancia de entrada (Z
in
o
in
).
Por una parte se tiene que en el acceso 2, al estar cargado con una impedancia
igual a Z
L
, existira un factor de reexion
L
que permitira encontrar la relacion entre
las ondas de tension normalizadas a
2
y b
2
:
a
2
b
2
=
L
=
Z
L
Z
02
Z
L
+Z
02
(3.4.16)
La relacion entre a
1
y b
1
sera igual al factor de reexion de entrada:

in
=
b
1
a
1
De la denicion de los parametros de dispersion se deduce que:
b
1
a
1
= S
11
+S
12
a
2
a
1
=
in
b
2
a
2
= S
21
a
1
a
2
+S
22
=
1

L
Por lo que se deduce que:
a
1
a
2
=
_
1

L
S
22
_
1
S
21
Y sustituyendo en la primera ecuacion quedara que:

in
= S
11
+S
12
S
21

L
1 S
22

L
(3.4.17)
Pudiendose poner la impedancia de entrada como:
Z
in
= Z
01
1 +
in
1
in
73
2) Impedancia de salida (Z
out
o
out
).
La situacion es analoga al caso anterior. Si la impedancia de generador es Z
S
el
factor de reexion
S
sera

S
=
Z
S
Z
01
Z
S
+Z
01
y a la salida se obtendra la siguiente expresion del factor de reexion de salida:

out
= S
22
+S
21
S
12

S
1 S
11

S
Mientras que la impedancia de salida vendra dada por:
Z
out
= Z
02
1 +
out
1
out
3)Ganancia de transferencia de potencia G
T
.
Son varias la formas de denicion de ganancia de potencia que se pueden encontrar
en la bibliografa. Vendelin propone hasta nueve diferentes deniciones de la misma
[11]. Dependiendo de la situacion bajo la que se dena, se encontraran diferentes
propuestas, como por ejemplo cuando las condiciones de entrada y salida son Z
0
,
impedancia de referencia del sistema, o cuando existe adaptacion compleja conjugada
en la entrada o en la salida, etc. Para simplicar futuras referencias a la ganancia
de transferencia en estos apuntes, se utilizara una sola denicion de ganancia de
transferencia, como el cociente entre la potencia entregada a la carga y la potencia
disponible del generador:
G
T
=
Potencia entregada a la carga
Potencia disponible del generador
=
P
L
P
avs
(3.4.18)
siendo P
avs
la potencia que entregara el generador a una impedancia igual a Z

S
(la
conjugada de la impedancia de generador).
Para el calculo de esta ganancia se necesita en primer lugar el calculo de la ganancia
disponible de un generador. Para un generador determinado por su equivalente de
Thevenin, sus caractersticas quedan recogidas en dos parametros: tension en circuito
abierto, V
S
, e impedancia de generador, Z
S
. A partir de estos se puede calcular la
potencia disponible de mismo cargandolo con una impedancia igual a Z

S
y calculado
la potencia entregada, obteniendo que:
P
avs
=
|V
S
|
2
8R
S
(3.4.19)
siendo R
S
la pare real de la impedancia Z
S
.
74
Figura 3.14: Calculo de b
S
de un generador
Con el conocimiento de Z
S
y de P
avs
tambien se tendra toda la informacion del
generador. Dado que para el analisis de redes de microondas resulta de gran utilidad
el uso de parametros de dispersion, sera deseable caracterizar al generador de igual
manera. Se puede pensar en el generador como una red de un acceso capaz de generar
una onda de tension normalizada saliente, que por coherencia con la nomenclatura
utilizada hasta ahora se llamara b
S
. El conocimiento de esta b
S
, junto con el del factor
de reexion del generador,
S
, tambien caracterizaran totalmente al generador. Como
ocurra con los parametros de dispersion, el valor de b
S
dependera de la impedancia
caracterstica del acceso. La denicion de esta b
S
sera la onda de tension normalizada
que aparecera en un acceso de impedancia caracterstica Z
0
cuando este sea innito
o este terminado (cargado con Z
0
), gura 3.14.
En este caso no habra onda de tension entrante al generador, y se puede calcular
en primer lugar cual sera la tension que aparecera en el acceso por division de tension:
V = V
S
Z
0
Z
S
+Z
0
tension que normalizada coincidira con b
S
:
b
S
=

V =
V

Z
0
=
1

Z
0
V
S
Z
0
Z
S
+Z
0
=
V
S

Z
0
Z
S
+Z
0
(3.4.20)
Una vez visto la forma de caracterizar con ondas de tension normalizadas a un ge-
nerador, faltara relacionarla con una situacion arbitraria donde se carga el generador
con una determinada impedancia de entrada Z
in
, gura 3.15.
En el acceso de salida del generador, de impedancia caracterstica Z
0
habra en
general dos ondas de tension, V
+
y V

, cuya suma sera igual a la tension que aparece


en el acceso. Asumiendo que la longitud del acceso es innitesimal se puede expresar
la tension en este acceso como:
75
Figura 3.15: Calculo de a
1
de un generador cargado con Z
in
V =
V
S
Z
in
Z
in
+Z
S
Y como por otra parte se sabe coomo expresar las impedancias en funcion de su
factor de reexion, se pueden hacer las siguientes sustituciones:
V = V
S
Z
0
(1 +
in
)
Z
0
(1 +
in
) +Z
S
(1
in
)
= V
S
Z
0
(Z
S
+Z
0
)
(Z
S
+Z
0
)(1 +
in
)
[Z
S
+Z
0
+
in
(Z
0
Z
S
)]
= V
S
Z
0
(Z
S
+Z
0
)
1 +
in
(1
S

in
)
y como por otro lado se sabe que en terminos de las ondas de tension V
+
y V

, la
tension en el acceso es:
V = V
+
+V

= V
+
(1 +
in
)
resulta que V
+
vendra dada por:
V
+
= V
S
Z
0
(Z
S
+Z
0
)
1
1
S

in
Por lo que la onda de tension normalizada a generada por una generador cuando
est a cargado con una impedancia Z
in
vendra dada por:
a =
V
+

Z
0
= V
S

Z
0
Z
s
+Z
0
1
1
in

S
(3.4.21)
que recogiendo ahora la expresion de b
S
, ecuacion 3.4.20, se puede poner como:
76
a =
b
S
1
S

in
(3.4.22)
Con esta expresion de a se puede expresar en general la potencia entrante por el
acceso 1 de la situacion de la gura 3.13 como:
P
S
=
1
2
(|a
1
|
2
|b
1
|
2
) =
1
2
|a
1
|
2
(1 |
in
|
2
) =
1
2

b
S
1
S

in

2
(1 |
in
|
2
)
Para el calculo de la potencia disponible se particulizara esta expresion para el
caso de
in
=

S
:
P
avs
= P
S
(
in
=

S
) =
1
2
|b
S
|
2
|1 |
S
|
2
|
2
(1 |
S
|
2
) =
1
2
|b
S
|
2
1 |
S
|
2
(3.4.23)
Ahora solo falta calcular la potencia entregada a la carga tambien en funcion de
b
S
, y as poder posteriormente hacer el cociente para el calculo de la ganancia de
transferencia. La potencia entregada a la carga P
L
, se puede en primer lugar expresar
en funcion de las ondas normalizadas del segundo acceso y del factor de reexion de
la carga
L
:
P
L
=
1
2
(|b
2
|
2
|a
2
|
2
) =
1
2
|b
2
|
2
(1 |
L
|
2
)
Por otra parte de la denicion de los parametros de dispersion se puede encontrar
una relacion de la onda b
2
con la onda entrante del acceso 1 a
1
:
b
2
= S
21
a
1
+S
22
a
2
1 = S
21
a
1
b
2
+S
22
a
2
b
2
1 = S
21
a
1
b
2
+S
22

L
b
2
=
a
1
S
21
1 S
22

L
por lo que la potencia entregada a la carga se podra poner como:
P
L
=
1
2
|a
1
|
2
|S
21
|
2
|1 S
22

L
|
2
(1 |
L
|
2
)
Y haciendo uso de la relacion 3.4.22 quedara como
77
P
L
=
1
2
|b
S
|
2
|1
in

S
|
2
|S
21
|
2
|1 S
22

L
|
2
(1 |
L
|
2
)
As pues la ganancia de transferencia se podra calcular como
G
T
=
P
L
P
avs
=
1
2
|b
S
|
2
|1
in

S
|
2
|S
21
|
2
|1 S
22

L
|
2
(1 |
L
|
2
)
1
2
|b
S
|
2
(1 |
S
|
2
)
G
T
=
|S
21
|
2
(1 |
L
|
2
)(1 |
S
|
2
)
|1
in

S
|
2
|1 S
22

L
|
2
Y como se sabe que

in
= S
11
+
S
12
S
21

L
1 S
22

L
sustituyendo queda nalmente que la ganancia de transferencia viene dada por
G
T
=
|S
21
|
2
(1 |
L
|
2
)(1 |
S
|
2
)
|(1
S
S
11
)(1
L
S
22
) S
12
S
21

S
|
2
(3.4.24)
Esta expresion sera mas adelante el punto de partida para estudiar los ampli-
cadores con transistores. Se puede observar que la ganancia dependera de los cuatro
parametros de dispersion de la red de dos accesos, y de la forma en que la se cargue
tanto a la entrada como a la salida. Un caso particular sera cuando se cargue tanto
a la entrada como a la salida con la impedancia de referencia de cada acceso, en
cuyo caso los factores de reexion de fuente y de carga seran cero y la ganancia de
transferencia coincidira con el modulo al cuadrado del parametro S
21
.
3.4.1. Atenuadores
Idealmente un atenuador es un elemento que, ademas de reducir los niveles de se nal
transmitida en una cantidad prejada, debera cumplir las siguientes caractersticas:
1. Respetar las condiciones de adaptacion, de generador y de carga, del sistema
en que se inserta.
2. No introducir desfases indeseados, especialmente si estos variasen con la fre-
cuencia.
78
Estas condiciones se satisfacen si la matriz de dispersion del atenuador es de la
forma:
[S] =
_
0 e

0
_
(3.4.25)
con real y positivo. Con esta matriz de dispersion las impedancias de entrada y
salida quedaran como:

in
= S
11
+
S
12
S
21

L
1 S
22

L
= e
2

L
(3.4.26)

out
= S
22
+
S
12
S
21

S
1 S
11

S
= e
2

S
(3.4.27)
Si existe adaptacion a la entrada y a la salida,
S
=
L
= 0, los factores de
reexion de entrada y salida tambien se anularan,
in
=
out
= 0. Al mismo tiempo
se puede poner que:
b
1
= S
11
a
1
+S
12
a
2
= e

a
2
b
2
= S
21
a
1
+S
22
a
2
= e

a
1
y la ganancia de transferencia se podra poner como:
G
T
=
e
2
(1 |
S
|
2
)(1 |
L
|
2
)
|1 e
2

L
|
2
(3.4.28)
Y como la atenuacion se dene en condiciones de adaptacion (
S
=
L
= 0) esta
sera:
L(dB) = 10 log G
T
= 10 log e
2
= 20 log e = 8, 686 (3.4.29)
Una manera sencilla de fabricar atenuadores que cumplan estas condiciones se
consigue con redes resistivas en T o en , como se indica en la gura 3.16.
Con relacion a la red en T la condicion de S
11
= 0 es la misma que tener impedancia
de entrada igual a la de referencia (Z
i
= Z
0
= 1) cuando la salida esta terminada
(Z
L
= 1):
Z
i
= R
s
+R

= R
s
+
R
p
(R
s
+ 1)
R
p
+R
s
+ 1
= 1
R
s
(R
p
+R
s
+ 1) +R
p
(R
s
+ 1) = R
p
+R
s
+ 1
2R
p
R
s
+R
2
s
+R
s
+R
p
= 1 +R
p
+R
s
79
a
b
Figura 3.16: a-Atenuador resistivo en T. b-Atenuador resistivo en Pi.
siendo R

la resistencia que se ve hacia la derecha desde la resistencia R


p
, excluyendo
la primera resistencia en serie. Despejando R
p
R
p
=
1
2
_
1
R
s
R
s
_
(3.4.30)
Para el calculo de S
12
= S
21
se tendra que:
S
21
=
b
2
a
1

a
2
=0
=
V

2
V
+
1

V
+
2
=0
Y como, con la salida terminada, la entrada tambien esta adaptada, V

1
= 0, por
lo que se cumplira que V
1
= V
+
1
y V
2
= V

2
. De forma que se podra poner que:
S
21
=
V
2
V
1
=
V
2
V

V
1
=
1
1 +R
s
R

+R
s
=
1 R
s
1 +R
s
(3.4.31)
donde V

es la tension que aparece en la resistencia R


p
.
La atenuacion en dB vendra dada por:
L(dB) = 20 log S
21
= 20 log
1 +R
s
1 R
s
(3.4.32)
De forma que
R
s
=
10
L/20
1
10
L/20
+ 1
(3.4.33)
Tengase en cuenta que al haber escogido como impedancia de referencia de los
accesos Z
0
= 1, en las expresiones que se han obtenido las resistencias hay que
interpretarlas como normalizadas, de forma que de ser Z
0
= 1 la resistencias obtenidas
se deberan despues desnormalizar multiplicando por Z
0
. Por ejemplo si el atenuador
fuese de L = 10 dB, de las ecuaciones 3.4.33 y 3.4.30 se obtendran unos valores
de R
s
= 0, 5195 y R
p
= 0, 7027. Si ademas la impedancia fuera de Z
0
= 50 , se
80
desnormalizaran los anteriores valores de las resistencias quedando que R
s
= 25, 97
y R
p
= 35, 14 .
Los calculos para la red en ( dual de la anterior) son completamente similares
y el analisis puede extenderse facilmente al caso de impedancias de entrada y salida
diferentes.
Una propiedad interesante de los atenuadores es que reducen en el factor e
2
los factores de reexion, lo que los hace utiles para proteger generadores sensibles a
reexiones fuertes, si bien pagando el precio de la perdida asociada de se nal.
Notese que por otra parte, de 3.4.28, que el valor efectivo de la atenuacion intro-
ducida depende de las desadaptaciones de generador y carga.
3.4.2. Inversores de impedancia y admitancia
El concepto de inversor de impedancias o de admitancias es muy util en circuitos
de microondas, como se vera en el tema de ltros. En el caso ideal se denira como
una red de dos accesos recproca, sin perdidas y simetrica tal que para una impedancia
de carga Z
L
(Y
L
) a la entrada se vera:
Z
i
=
K
2
Z
L
(3.4.34)
Y
i
=
J
2
Y
L
(3.4.35)
con K
2
= J
2
reales y positivos, denominados constantes del inversor. Observese que
K ha de tener dimensiones de y J de Siemens (S).
Figura 3.17: Inversor
Dado que la denicion de inversor se realiza a partir de cocientes V
i
/I
i
, es insensible
a desfases entre la entrada y la salida que act uen simultaneamente sobre V e I (es
81
decir de la forma V

i
= V
i
e
j
, I

i
= I
i
e
j
), salvedad que hay que tener siempre presente
cuando esta cuestion sea de interes (por ejemplo si hay realimentacion implicada).
Se puede comprobar inmediatamente que las redes sin perdidas con matrices de
impedancia o admitancia como estas:
Z =
_
0 Z
12
Z
12
0
_
; Y =
_
0 Y
12
Y
12
0
_
(3.4.36)
se comportan como inversores. Donde la constante de inversion sera K
2
= Z
2
12
o
J
2
= Y
12
2
. Tengase en cuenta que al ser una red sin perdidas los valores de Z
12
o
Y
12
seran imaginarios puros.
En efecto, por la denicion de la matriz de impedancias se puede poner que en
este caso:
V
1
= Z
12
I
2
(3.4.37)
V
2
= Z
12
I
1
(3.4.38)
por lo que
V
1
I
1
=
Z
2
12
V
2
/I
2
Z
i
=
Z
2
12
Z
L
(3.4.39)
Por lo que
K
2
= Z
2
12
K = jZ
12
Z
12
= jK = jX
Y de manera semejante para el caso de la matriz de admitancias resultara:
J
2
= Y
2
12
J = jY
12
Y
12
= jJ = jB
Esta propiedad conduce inmediatamente a las realizaciones fsicas de la gura
3.18.
Donde X y B pueden ser positivas o negativas. Su signo afecta a la relaci on de
fases entrada/salida, pero no a su comportamiento como inversor.
Para calcular la matriz S de un inversor se supondra impedancias de referencia
iguales a la entrada y la salida, gura 3.19.
82
a
b
Figura 3.18: a-Realizacion inversor en T. b-Realizacion inversor en .
Figura 3.19: Parametros S inversor
Se obtiene inmediatamente que:
S
11
= S
22
=
K
2
/Z
0
Z
0
K
2
/Z
0
+Z
0
=
K
2
Z
2
0
K
2
+Z
2
0
=
Y
2
0
J
2
Y
2
0
+J
2
= (3.4.40)
Si se hace uso de la reciprocidad, ausencia de perdidas y simetra, se podra poner
que:
[S] =
_
cos j sen
j sen cos
_
=
_
j
_
1
2
j
_
1
2

_
(3.4.41)
Expresion que permite armar que un inversor es cualquier red de dos accesos
recproca, sin perdidas y simetrica con S
11
= S
22
reales, no necesariamente positivos.
Ejemplo: Comprobar que una lnea de transmision de /4 e impedancia carac-
terstica Z

0
se comporta como un inversor, y encontrar sus parametros S.
Teniendo presente que la impedancia de entrada de la lnea, cuando esta terminada
con Z
L
, viene dada por Z
2
0
/Z
L
, es evidente, comparandola con 3.4.34, que se trata de
un inversor donde la constante de inversion sera en este caso K = Z

0
. Para el calculo
del parametro S
11
, la impedancia de carga Z
L
sera Z
0
por lo que quedara:
83
S
11
= =
Z
2
0
Z
2
0
Z
2
0
+Z
2
0
(3.4.42)
Por lo que seg un 3.4.41, el parametro S
12
vendra dado por S
12
= j
_
1
2
,
y donde la incertidumbre del signo se puede resolver facilmente si Z

0
Z
0
ya que
entonces:
[S]
_
0 e
j/2
e
j/2
0
_
=
_
0 j
j 0
_
(3.4.43)
Y en consecuencia el signo que aplica es el negativo, quedando en este caso que la
matriz de parametros S sera:
[S] =
_
j
_
1
2
j
_
1
2

_
(3.4.44)
Una sntesis muy importante de inversores es la formada por una reactancia, en
serie o en paralelo, entre dos secciones de lnea de transmision de longitud identi-
ca,guras 3.20-a y -b. Es evidente notar que se trata de redes de dos accesos recpro-
cas, no hay elementos anisotropos ni activos, sin perdidas, la lneas se suponen ideales,
y ademas es evidente que guardan simetra habiendo escogido las impedancias de los
accesos iguales. Todas estas son las caractersticas propias de un inversor faltando
solamente que los parametros S
11
= S
22
sean reales. Dado que existen dos grados
de libertad, y B o X, se podra encontrar una relacion entre estos dos grados de
libertad que hagan que los parametros S
11
= S
22
sean reales.
a
b
Figura 3.20: a-Inversor con B paralela. b-Inversor con X serie.
Con referencia al caso paralelo, gura 3.20-a, se tiene en primer lugar que los
parametros de dispersion de una admitancia en paralelo vienen dados por la expre-
siones 3.2.28 y 3.2.29 halladas con anterioridad:
84
S
11
=
Y
01
Y Y
02
Y
01
+Y
02
+Y
S
12
=
2

Y
01
Y
02
Y
01
+Y
02
+Y
Que en el caso particular de Z
01
= Z
02
= 1 e Y = jB resultaran:
S
11
=
jB
2 +jB
= S
22
(3.4.45)
S
12
=
2
2 +jB
= S
21
(3.4.46)
Y teniendo en cuenta que las lneas de longitud electrica a naden una fase com un
a todos los parametros de dispersion, la matriz de parametros S de la red de la gura
3.20-a sera:
[S] =
e
j2
2 +jB
_
jB 2
2 jB
_
(3.4.47)
De nuevo se ha de tener en cuenta que al ser Z
01
= Z
02
= 1, los valores de
admitancia o impedancia hay que interpretarlos como normalizados. As B podra
sustituirse por

B = B/Y
0
.
Para que esta red sea un inversor se debera imponer que S
11
sea real. Desarrollando
la expresion de S
11
, para que se muestre claramente su modulo y su fase, se tendra que:
S
11
= e
j2
jB
2 +jB
=
e
j2
1 +
2
jB
=
e
j2
_
1 +
4
B
2
arctan(2/B)
(3.4.48)
y llamando = 1/2 arctan 2/B resultara que:
S
11
=
e
j2()
_
1 +
4
B
2
(3.4.49)
Para que sea un inversor S
11
debera ser real, y por tanto debera cumplirse que
e
j2()
sea real, que valdra 1. Es facil demostrar que esto se cumplira cuan-
do = n/2 con n = 0, 1, 2, .... Escogiendo la primera solucion, n = 0, de-
bera cumplirse que = , es decir:
=
1
2
arctan
2
B
(3.4.50)
85
expresion que indica la relacion que debe existir entre los valores de la susceptancia B
y la longitud electrica de las lneas, , para que la red de la gura 3.20-a se comporte
como un inversor. Esto supone un n umero innito de pares B y que seran solucion.
Faltara ver que relacion guarda con la constante de inversion K para jar los valores
de B y , una vez escogido el valor de K. Para ello se acude al valor del parametro
S
11
en su expresion general, y se compara con la expresion obtenida en este caso
particular:
S
11
= =
K
2
1
K
2
+ 1
=
1
_
1 +
4
B
2
(3.4.51)
Notese que se ha escogido el signo + para la raz cuadrada que aparece, porque
proviene del calculo del modulo de un complejo, que obviamente sera positivo.
De esta expresion es facil encontrar que debera cumplirse que:
B
2
=
(K
2
1)
2
K
2
(3.4.52)
Y aplicando la raz cuadrada a los dos lados de la ecuacion resultara:
B =
K
2
1
K
(3.4.53)
De nuevo se insiste en la interpretacion que debe hacerse de estas expresiones al
haber tomado como impedancias de referencia Z
01
= Z
02
= 1, que lleva a tomar
todas las impedancias y admitancias como normalizadas, por lo que en este caso B
se sustituira por B/Y
0
y K por K/Y
0
.
El analisis para el circuito de la gura 3.20-b puede obtenerse por un procedimiento
analogo obteniendo que:
=
1
2
arctan
2
X
(3.4.54)
X =
1 J
2
J
(3.4.55)
En la gura 3.21 se representan las realizaciones concretas con inductancias y
capacidades; de estas, las que correspondan a longitudes de lneas negativas (es decir,
tales que a nadidas a otros tramos de linea externas las acorten) se preeren por su
mejor comportamiento con la frecuencia.
En efecto, con referencia a la inductancia paralelo, por ejemplo, la condici on de
inversor = llevara a que:
86
Figura 3.21: Inversores con L y C
1
2
arctan
2
B
= = l =

c
l (3.4.56)
donde B = 1/(L). Para el caso particular, bastante com un, de que K << 1 resulta
por 3.4.53 que:
B
1
K
(3.4.57)
es decir |B| >> 1, por lo que arctan(2/B) 2/B. De esta forma la relacion 3.4.56
quedara como:
1
B
= L

c
l (3.4.58)
Debiendose cumplir pues que L l/c. Si ahora se analiza la fase del parametro
S
11
resultara que viene dada por:
(S
11
) = + arctan
2
B
2l
que para el caso de que K << 1 se podra aproximar por:
(S
11
) +
2
B
2l
que se podra poner como:
(S
11
) 2L 2

c
l = 2
_
L +
l
c
_
Y en el caso particular que se cumpla L l/c resultara:
87
(S
11
)
es decir la fase de S
11
es independiente de la frecuencia y S
11
sera real a todas la
frecuencias, comportandose siempre como un inversor. Sin embargo, si se utilizase
una capacidad en paralelo la fase del parametro S
11
vendra dada por:
(S
11
) +
2
C
2

c
l
donde el termino con la frecuencia tan solo se anula para una determinada frecuencia,
dej andose de comportar como inversor cuando se sale de dicha frecuencia. Por tanto,
las realizaciones recuadradas de la gura 3.21 se preeren porque (para K << 1 y
J << 1 ) se comportan como inversores con independencia de la frecuencia, aunque
la constante del inversor vare con esta ultima seg un ecuacion 3.4.53:
B =
1 K
2
K

1
K
(3.4.59)
Y como B = 1/(L), quedara que:

1
L

1
K
(3.4.60)
habiendose escogido el signo menos de la expresion 3.4.59 al ser bobina y presentar
susceptancia B negativa. De forma que la constante de inversion quedara como:
K L (3.4.61)
Es decir no se tratara de un inversor ideal, que se comportara como inversor con
una misma constante de inversion a todas las frecuencias, sino que sera inversor a
todas las frecuencias, pero su constante de inversion variara con la frecuencia, gura
3.22. De manera analoga se tendra para el caso de capacidad en serie que la constante
de inversion vendra dada por:
J C (3.4.62)
88
Figura 3.22: Constante inversor versus frecuencia
3.5. Propiedades de simetra
Una situacion frecuente en redes es su caracter simetrico respecto de alg un plano.
Esta simetra invita a pensar en una simplicacion en el calculo de los parametros
de dispersi on. En primer lugar se necesita recordar los conceptos de pared electrica y
magnetica.
a) Pared electrica. Se entiende por pared electrica una supercie plana conduc-
tora ideal. En ella el campo electrico tangencial se anula:
n

E = 0 (3.5.1)
donde n es el vector normal a la supercie. Y como consecuencia de lo anterior,
tambien ha de anularse la induccion magnetica normal:
n

B = 0 (3.5.2)
Es bien conocido de teora electromagnetica que la situacion de un semiespacio
frente a una pared electrica (PE) es identica a la del espacio completo donde se
ha eliminado la pared y se han introducido imagenes de las cargas y corrientes. En
electrostatica el concepto de cargas imagenes y como estas producen campo electrico
normal a la supercie donde se encuentra la pared, es inmediato, gura 3.23.
Por otra parte, la imagen de una corriente puede obtenerse con facilidad a partir
de la imagen del campo electrico si se tiene en cuenta que:
89
Figura 3.23: Cargas frente a una PE

i =

E (3.5.3)
De esta manera se llega a la conclusion de que una red frente a una pared electrica
es equivalente a una situacion sin pared y con una red imagen con las corrientes y
tensiones calculadas como las imagenes de la original (imagen especular seguida de
una inversion de sentido), gura 3.24.
b)Pared magnetica. Se dene como pared magnetica (PM) una supercie (sin
existencia real) tal que en ella se cumplira que el campo magnetico tangencial se
anule:
n

H = 0 (3.5.4)
y como consecuencia tambien se anulara el desplazamiento electrico normal:
n

D = 0 (3.5.5)
Este caso es similar al anterior pero con cargas imagenes del mismo signo en vez de
signo contrario, gura 3.25; y para redes en las que intervienen tensiones y corrientes,
las imagenes se calculan como la imagenes especulares de las originales.
De las deniciones y propiedades anteriores se sigue que:
1. Entre dos puntos cualesquiera de una pared electrica (o de la supercie que
ocupa cuando se sustituye por las correspondientes imagenes) la diferencia de
90
Figura 3.24: Red frente a una PE
potencial es cero. Es evidente que no hay campo electrico contenido en la su-
percie.
Al mismo tiempo, la supercie que ocupa en el problema equivalente puede
contener o ser atravesada perpendicularmente por corrientes electricas, ya que
tales situaciones son compatibles con la simetra requerida (reexion especular
e inversion de sentido)
2. En una pared magnetica (o en la supercie que ocupa cuando se sustituye por
sus imagenes) no hay corrientes electricas; en efecto, la densidad de corriente
supercial

J esta relacionada con el campo magnetico

H mediante la relacion

J = n

H = 0 (en la PM) (3.5.6)
Tambien se puede ver que no es posible que la supercie que ocupa sea atrave-
sada perpendicularmente por corrientes, ya que esta situacion es incompatible
con la simetra impuesta sobre estas (reexion especular).
Es decir, una pared electrica introduce condiciones de cortocicuito en el plano que
ocupa, mientras que una pared magnetica las introduce de circuito abierto (interrup-
cion de las corrientes que circularan en/o a traves de la supercie).
Redes simetricas (n umero par de accesos). Considerese ahora una red con un
n umero par de accesos, 2N, dotada de un plano de simetra bilateral que no corta ni
contiene ninguno de los accesos, gura 3.26
91
Figura 3.25: Red frente a una PM
Estos accesos se deben numerar de manera que los (1, N) esten a una lado del
plano, y los (N+1, 2N) del otro, y de manera que los accesos i y N+i sean simetricos.
Con esta numeracion es facil de ver que si se escribe la matriz S en forma de
bloques:
[S] =
_
S
1
S
2
S
3
S
4
_
(3.5.7)
con S
1
, S
2
, S
3
y S
4
matrices cuadradas de orden N N, se cumple que:
S
1
= S
4
(3.5.8)
S
2
= S
3
(3.5.9)
ya que, por la simetra:
S
ij
(i N, j N) = S
i+N,j+N
(3.5.10)
S
ij
(i N, N + 1 j 2N) = S
i+N,jN
(3.5.11)
Por lo tanto:
[S] =
_
S
1
S
2
S
2
S
1
_
;
_
b
i
b
d
_
=
_
S
1
S
2
S
2
S
1
_ _
a
i
a
d
_
(3.5.12)
donde (a
i
, b
i
) y (a
d
, b
d
) son vectores de dimension N referidos a las mitades izquierda
y derecha de la red respectivamente.
92
Figura 3.26: Red simetrica 2N accesos
Caso par (even)
Si se excita la red con generadores identicos y en posicion simetrica en los
accesos simetricos, de manera que a
i
(1 i N) = a
i+N
, gura 3.27-a , por lo
visto anteriormente se puede sustituir la mitad derecha de la red por una pared
magnetica situada en el plano de simetra, y por tanto:
[a
i
] = [a
d
] [b
i
] = [b
d
] (3.5.13)
_
b
i
b
i
_
=
_
S
1
S
2
S
2
S
1
_ _
a
i
a
i
_
(3.5.14)
[b
i
] = ([S
1
] + [S
2
])[a
i
] (3.5.15)
Pero al mismo tiempo se puede poner:
[b
i
] = [S
e
][a
i
] (3.5.16)
donde S
e
representa una matriz S de la red de N accesos formada por el lado
izquierdo de la red y una pared magnetica instalada en el plano de simetra
(PS), gura 3.27-b. De modo que:
93
a b
Figura 3.27: a-Excitacion par red simetrica. b-PS PM.
[S
e
] = [S
1
] + [S
2
] (3.5.17)
Caso impar (odd)
Si ahora se excita la red con generadores identicos pero en posicion antisimetrica,
de manera que [a
i
] = [a
d
], gura 3.28-a, se podra sustituir la mitad derecha
de la red por una pared electrica situada en el plano de simetra y por tanto:
[a
i
] = [a
d
] [b
i
] = [b
d
] (3.5.18)
_
b
i
b
i
_
=
_
S
1
S
2
S
2
S
1
_ _
a
i
a
i
_
(3.5.19)
[b
i
] = ([S
1
] [S
2
])[a
i
] (3.5.20)
Al mismo tiempo se puede poner que:
[b
i
] = [S
o
][a
i
] (3.5.21)
donde [S
o
] representa la matriz S de la red de N accesos formada por el lado
izquierdo de la red y una pared electrica en el plano de simetra, gura 3.28-b.
De modo que:
[S
o
] = [S
1
] [S
2
] (3.5.22)
94
a
b
Figura 3.28: a-Excitacion impar red simetrica. b-PS PE.
De las ecuaciones 3.5.17 y 3.5.22 se obtiene que:
S
1
=
1
2
(S
e
+S
o
) (3.5.23)
S
2
=
1
2
(S
e
S
o
) (3.5.24)
y nalmente:
S =
1
2
_
S
e
+S
o
S
e
S
o
S
e
S
o
S
e
+S
o
_
(3.5.25)
De esta manera, se ha reducido el calculo de la matriz 2N 2N original al de dos
matrices NN, S
e
y S
o
, representativas de la mitad de la red con paredes magnetica
y electrica situadas en el plano de simetra respectivamente.
Ejemplo: Un ejemplo sencillo de una red simetrica con un n umero par de accesos
sera una lnea de transmision de longitud l referida a accesos de la misma impe-
dancia caracterstica, como se muestra en la gura 3.29. Red ya analizada pero sin
consideraciones de simetra.
En este caso se reduce el calculo de una red de dos accesos al de dos redes de un
acceso; y para cada una de estas la matriz de dispersion se reduce a un escalar (su
factor de reexion). Por tanto, se ha de dejar el plano de simetra en circuito abierto
95
Figura 3.29: Lnea de transmision
a
b
Figura 3.30: Lnea transmision. a-Caso Par. b-Caso Impar
(pared magnetica) y calcular el factor de reexion del trozo de lnea resultante cono
en la gura 3.30-a ,
e
, y posteriormente cortocircuitar el plano de simetra (pared
electrica, gura 3.30-b) y calcular el factor de reexion,
o
.
Finalmente se tendra que:
S =
1
2
_

e
+
o

e
+
o
_
(3.5.26)
Donde el factor de reexion del caso par vendra dado por:

e
=
1 Y
e
i
1 +Y
e
i
; Y
e
i
= jY
0
tan
l
2
(3.5.27)
Es decir:
96

e
=
1 jY
0
tan l/2
1 +jY
0
tan l/2
(3.5.28)
Mientras que
o
sera:

o
=
Z
o
i
1
Z
o
i
+ 1
; Z
o
i
= jZ
0
tan
l
2
(3.5.29)

o
=
jZ
0
tan l/2 1
jZ
0
tan l/2 + 1
(3.5.30)
por lo tanto:
S
11
=
1
2
(
e
+
o
) =
1
2
_
1 jY
0
tan l/2
1 +jY
0
tan l/2
+
jZ
0
tan l/2 1
jZ
0
tan l/2 + 1
_
=
1
2
j2 tan l/2(Z
0
Y
0
)
1 tan
2
l/2 +j tan l/2(Y
0
+Z
0
)
=
j tan l/2((Z
0
Y
0
)
2 1/ cos
2
l/2 +j tan l/2(Z
0
+Y
0
)
=
j sen l/2(Z
0
Y
0
)
2 cos l/2 1/ cos l/2 +j sen l/2(Z
0
+Y
0
)
=
j
_
1 cos l
2
(Z
0
Y
0
)
2
_
1 + cos l
2

2
1 + cos l
+j
_
1 cos l
2
(Z
0
+Y
0
)
=
j sen l(Z
0
Y
0
)
2 cos l +j sen l(Z
0
+Y
0
)
=
j tan l(Z
0
Y
0
)
2 +j tan l(Z
0
+Y
0
)
(3.5.31)
De manera similar se encuentra que:
S
12
=
1
2
(
e

o
) =
2
2 cos l +j(Z
0
+Y
0
) sen l
=
2/ cos l
2 +j(Z
0
+Y
0
) tan l
(3.5.32)
3.5.1. Lnea de transmision contenida en plano de simetra
En determinadas redes simetricas aparecen contenidas en el plano de simetra
lneas de transmision, produciendose la duda de como aplicar las propiedades de si-
metra, sobre todo para el caso par, pues se debe colocar una pared magnetica justo
donde esten estas lneas de transmision. Para ver como aplicar las propiedades de
97
a b
Figura 3.31: a- Seccion elemental LT. b- Seccion elemental LT descompuesta
Figura 3.32: Seccion elemental LT bajo excitacion par
simetra se acudira al circuito equivalente de una seccion elemental de una lnea de
transmision ideal, gura 3.31-a. A continuacion, tanto la bobina serie como el con-
densador paralelo se descomponen en el paralelo de dos bobinas y dos condensadores
respectivamente, como se muestra en la gura 3.31-b.
Recordando que la impedancia caracterstica viene dada por Z
0
=
_
L/C.
Para el caso de excitacion par se debera sustituir el plano de simetra por una
pared magnetica, circuito abierto, de forma que la seccion elemental de la lnea de
transmision quedara como la mostrada en la gura 3.32. Observese que aparecen
como dos secciones elementales separadas con valores de induccion serie y capacidad
paralelo diferentes a los originales.
Estas nuevas secciones elementales representan lneas de transmision con impe-
dancias caractersticas, Z

0
, que vendran dadas por los valores de las nuevas bobinas
y condensadores:
Z

0
=

2L
C/2
= 2
_
L
C
= 2Z
0
(3.5.33)
Es decir, el circuito equivalente de una lnea de transmision contenida en un plano
98
Figura 3.33: Lnea en plano simetra bajo excitacion par.
de simetra consiste en dos lneas de transmision con impedancias caractersticas el
doble de la original, gura 3.33.
Para el caso de excitacion impar el plano de simetra se sustituye por una pared
electrica, cortocircuito, desapareciendo la lnea en ambos lados del plano de simetra
al quedar este cortocircuitado. En el captulo 4 se vera un ejemplo donde se aplicaran
estos conceptos.
Captulo 4
Divisores de potencia y
acopladores direccionales
4.1. Redes de tres accesos
Los dispositivos pasivos y recprocos de tres accesos mas comunes son los divisores
y combinadores de potencia.
4.1.1. Propiedades
Teniendo presente que se dice que una red esta completamente adaptada si todos
los elementos de la diagonal de su matriz de dispersion, S
ii
, se anulan, es facil demos-
trar que no es posible que una red de tres accesos pasiva, recproca y sin perdidas
este completamente adaptada.
Suponiendo una red de tres accesos completamente adaptada y recproca, su ma-
triz de dispersion tendra el siguiente aspecto:
[S] =

0
0
0

(4.1.1)
Si ademas fuese pasiva y sin perdidas debera cumplir unitariedad, por lo que los
modulos de los vectores columna deberan ser uno:
||
2
+||
2
= 1
||
2
+||
2
= 1
||
2
+||
2
= 1
99
100
Restando la primera y la segunda ecuacion se deduce que || = || y sustituyendo
este resultado en la tercera ecuacion resulta que || = || = 1/

2. Llevando este
resultado a la primera ecuacion tambien || = 1/

2. Por otro lado tambien se ha de


cumplir que los productos entre dos vectores columna diferentes, habiendo conjugado
uno de ellos, deben ser nulos, por lo que entre otras relaciones se debera cumplir que:

= 0
Ecuaci on que exige que o bien o bien sean igual a cero, y esto es incompatible
con el hecho de que ambas tienen modulo igual a 1/

2. Con lo cual queda demos-


trada la imposibilidad de que una red de tres accesos pasiva, recproca y sin perdidas
este completamente adaptada.
Para los divisores de potencia, si se toma el acceso 1 como el de potencia incidente
a dividir, su matriz de dispersion conviene que sea de la forma:
[S] =

(4.1.2)
Aqu ||
2
y ||
2
representan las fracciones de potencia incidente que se reparten
a los accesos 2 y 3, respectivamente. Si el divisor es simetrico, = , = y en este
caso la unitariedad requiere una matriz de la forma:
[S] =

(4.1.3)
Para comprobarlo se parte del aspecto de la matriz S que tendra un divisor
simetrico:
[S] =

Aplicando unitariedad resulta:


||
2
+||
2
= 1
||
2
+||
2
+||
2
= 1

= 0
||
2
+

= 0
De la primera ecuacion se deduce que || = 1/

2, mientras que de la tercera


resulta que = . Sustituyendo el valor de || y por en la segunda ecuacion,
101
se obtiene que || = 1/2, resultado que tambien se habra obtenido partiendo de la
segunda y cuarta ecuacion.
As pues queda demostrado que un divisor simetrico, pasivo y recproco tiene una
matriz de dispersion como la de la ecuacion 4.1.3, con || = 1/

2 y || = 1/2.
Para un combinador de potencia simetrico interesara que, entrando por los accesos
2 y 3 y saliendo por el acceso 1, la matriz de dispersion fuese:
[S] =


0
0

(4.1.4)
forma que es imposible de cumplir para una red pasiva y sin perdidas, pues debiendo
cumplir unitariedad se requiere que

= ||
2
= 0. Es decir, los accesos 2 y 3 estaran
aislados del acceso 1, en contra de lo deseado. Por tanto, las redes sin perdidas no son
adecuadas para realizar combinadores de potencia de caractersticas aceptables.
4.1.2. Divisores de Potencia
Divisores con lneas en /4
La construccion de divisores de potencia con secciones de lnea de transmision,
utilizando transformadores en /4 para adaptar la entrada, es inmediata y se analiza
en detalle a continuacion. Las guras 4.1-a y -b representan dos posibles realizaciones
que conducen a S
11
= 0 y por tanto corresponden con la forma 4.1.3.
a
b
Figura 4.1: a-Divisor con una LT en /4. b-Divisor con dos LT en /4
102
Analizando la red de la gura 4.1-a es inmediato comprobar que S
11
= 0, pues
cargando los accesos 2 y 3 con Z
0
= 1, gura 4.2, es facil calcular la impedancia de
entrada en el acceso 1, Z
i
, aplicando inversor de impedancia mediante una lnea en
/4:
Z
i
=
Z
2
0
Z
0
/2
=
1/2
1/2
= 1 S
11
=
Z
i
Z
0
Z
i
+ Z
0
= 0 (4.1.5)
Figura 4.2: Calculo del S
11
Para el calculo de parametro S
21
, tambien se cargaran los accesos 2 y 3 con Z
0
,
gura 4.2, y el parametros S
21
vendra dado por:
S
21
=
b
2
a
1

a
2
=a
3
=0
=
V

2
/

Z
0
V
+
1
/

Z
0
=
V

2
V
+
1
= {S
11
= 0} =
V

2
V
1
= {a
2
= 0} =
V
2
V
1
(4.1.6)
En la lnea de transmision en /4 la expresion de la tension sera:
V (z) = V
+
e
jz
+ V

e
jz
De forma que las tensiones en los extremos de la lnea seran:
V
1
= V (z = /4) = V
+
j V

j (4.1.7)
V
2
= V (z = 0) = V
+
+ V

(4.1.8)
Y como:
V

= V
+
; =
Z
0
/2 Z

0
Z
0
/2 + Z

0
=
1/2 1/

2
1/2 + 1/

2
=
1

2
1 +

2
103
De forma que S
21
quedara como:
S
21
=
V
2
V
1
=
V
+
(1 + )
V
+
j(1 )
= j
1

2
(4.1.9)
Por simetra tambien S
31
= S
21
y por reciprocidad S
12
= S
21
y S
13
= S
31
.
Para el calculo de S
22
y S
32
se terminara el acceso 1 con Z
0
= 1. Desdoblando
esta carga como el paralelo de dos de valor 2Z
0
resulta que queda una red simetrica
de dos accesos, n umero par, como la mostrada en la gura 4.3.
Figura 4.3: Red para el calculo de S
22
y S
32
Aplicando las propiedades de simetra se podran analizar los parametros S
22
y
S
32
. En primer lugar si se aplica excitacion par se sustituye el plano de simetra por
una pared magnetica, que dando el circuito de un acceso de la gura 4.4.
Figura 4.4: Caso par
Por lo que
e
sera

e
=
Z
e
Z
0
Z
e
+ Z
0
siendo Z
e
igual a
Z
e
=
(2Z

0
)
2
2Z
0
= 1
e
= 0
104
Figura 4.5: Caso impar
Para el caso de excitacion impar, el plano de simetra se sustituye por una pared
electrica, quedando el acceso 2 cortocircuitado, gura 4.5, y por tanto
o
= 1.
As pues, los parametros de dispersion S
22
y S
32
vendran dadas por:
S
22
=
1
2
(
e
+
o
) =
1
2
(4.1.10)
S
32
=
1
2
(
e

o
) =
1
2
(4.1.11)
Y por simetra S
33
= S
22
y S
23
= S
32
. Por lo que la matriz de parametros de
dispersion sera:
[S] =

0 j1/

2 j1/

2
j1/

2 1/2 1/2
j1/

2 1/2 1/2

=
1
2

0 j

2 j

2
j

2 1 1
j

2 1 1

(4.1.12)
De manera similar se puede encontrar la matriz de dispersion para el circuito de
la gura 4.1-b, obteniendo:
[S] =
1
2

0 j

2 j

2
j

2 1 1
j

2 1 1

(4.1.13)
Divisores resistivos
Para conseguir una adaptacion total se debera pensar en introducir elementos
de perdidas, de forma que no deba cumplirse unitariedad. Una forma de conseguir-
lo es introducir resistencias. Las guras 4.6-a y -b muestran dos tipos de divisores
construidos con resistencias solamente.
105
a
b
Figura 4.6: a-Divisor con dos resistencias. b-Divisor con tres resistencias
En el caso del divisor de la gura 4.6-a, al cargar los accesos 2 y 3 con Z
0
= 1
para el calculo de S
11
y S
21
, la red quedara como se muestra en la gura 4.7.
Figura 4.7: Calculo S
11
y S
21
Por lo que S
11
quedara como
Z
i
1
= 1 S
11
= 0
Mientras que:
S
21
=
V

2
V
+
1
=
V
2
V
1
=
1
2
= S
31
106
Para el calculo de S
22
se terminan los accesos 3 y 1, gura 4.8, y se calcula el
factor de reexion en el acceso 2.
Figura 4.8: Calculo S
22
y S
32
Por lo que S
22
quedara como
Z
i
2
= 1 +
1 2
1 + 2
=
5
3
S
22
=
Z
i
2
1
Z
i
2
+ 1
=
1
4
Y por simetra S
33
= S
22
= 1/4.
Para el calculo de S
32
, se terminaran los accesos 3 y 1, encontrando que:
S
32
=
V

3
V
+
2
Y como:
V
2
= V
+
2
(1 + S
22
)
V
3
= V

3
Resultara que:
S
32
=
V
3
V
2
(1 + S
22
) =
V
3
V
1
V
1
V
2
(1 + S
22
)
Aplicando divisor de tension es facil de localizar las relaciones de tension V
3
/V
1
y
V
1
/V
2
:
S
32
=
1
4
(4.1.14)
107
Y por reciprocidad S
23
= S
32
. Teniendo nalmente que:
[S] =

0 1/2 1/2
1/2 1/4 1/4
1/2 1/4 1/4

(4.1.15)
En el caso del divisor de la gura 4.6-b puede hacerse su analisis de manera
analoga, pero con mayor sencillez todava, dado que por la simetra del circuito S
13
=
S
12
= S
23
. Teniendo que:
[s] =

0 1/2 1/2
1/2 0 1/2
1/2 1/2 0

(4.1.16)
En ambos casos debe notarse, por una parte, que no puede hacerse uso de propie-
dades de unitariedad de la matriz de dispersion para su calculo, ya que ambas redes
tienen perdidas; y por otra que la potencia saliente por 2 y 3, cuando hay adaptacion,
es una cuarta parte de la entrante por el acceso 1 ,6 dB, en lugar de ser la mitad,
3 dB, como en el caso de los divisores realizados con lneas en /4. Es decir, estos
divisores desaprovechan la mitad de la potencia incidente; pero en contrapartida, su
caracter resistivo hace que su comportamiento como divisores sea independiente de
la frecuencia, por lo que son ampliamente utilizados en el laboratorio como elementos
auxiliares de instrumentacion.
Divisor Wilkinson
Tanto en los divisores resistivos como en los realizados con secciones de lnea en
/4, estudiados anteriormente, los accesos de salida, 2 y 3, no estan aislados (S
23
= 0)
y ademas, la simetra en la division de potencia se destruye si los accesos 2 y 3 se
cargan de manera asimetrica.
Estos inconvenientes se eliminaran en un divisor cuya matriz de dispersion tuviese
el aspecto siguiente:
[S] =

0
0 0
0 0

(4.1.17)
Donde idealmente || = 1/

2. Caso de existir desadaptacion en los accesos de


salida, produciendo reexiones de
2
y
3
, se tendra la siguiente relacion entre las
ondas entrantes y salientes:

b
1
b
2
b
3

0
0 0
0 0

a
1

2
b
2

3
b
3

(4.1.18)
108
En cuyo caso las ondas de salida vendran dadas por b
2
= a
1
y b
3
= a
1
, con
independencia de los valores de
2
y
3
. Al mismo tiempo este dispositivo se comporta
como un combinador ideal, ya que si se conectan generadores en los accesos 2 y 3 se
tendra que:
b
1
= (a
2
+ a
3
)
La matriz de dispersion dada por 4.1.17 no es unitaria, por lo que no puede
sintetizarse con elementos sin perdidas. Una forma de conseguir este comportamiento
consiste en incluir al divisor de la gura 4.1-b una resistencia de valor normalizado 2
conectada entre los accesos 2 y 3, gura 4.9. A este tipo de divisores se le conoce como
divisores Wilkinson, y presentan a una frecuencia dada una matriz de dispersion igual
a 4.1.17.
Figura 4.9: Divisor Wilkinson
El analisis de esta red puede complicarse por el hecho de la realimentacion que
introduce la resistencia a nadida. Por otro lado se trata de una red simetrica aunque
con un n umero impar de accesos y uno de ellos incluidos en el plano de simetra. En
este caso terminando el acceso incluido en el plano de simetra, puede analizarse la
red resultante como una red simetrica con un n umero par de accesos. Esto permite
calcular los parametros S
22
y S
32
mediante las propiedades de simetra vistas en el
tema 3. Y por simetra S
33
= S
22
y S
23
= S
32
. En cuanto a los parametros asociados
con el acceso incluido en el plano de simetra, acceso 1, se deberan calcular a parte.
En este caso tanto para el calculo de los parametros S
11
, S
21
y S
31
se excitara por
el acceso 1, a
1
, y se calcularan las tensiones normalizadas salientes por los accesos
2 y 3, b
2
y b
3
, habiendo terminado los accesos 2 y 3, a
2
= a
3
= 0. El hecho que se
109
carguen con Z
0
= 1 los accesos 2 y 3 no rompe la simetra del circuito, y si ademas
se excita en un punto contenido en el plano de simetra, supondra que todas las
tensiones y corrientes que aparezcan inducidas conservaran esa simetra. Eso supone
que en puntos del plano de simetra donde conuyan corrientes, al ser simetricas seran
iguales y de signo contrario, por lo que no habra ujo de corriente neto atravesando
el plano de simetra. Es decir se produce un comportamiento en el plano de simetra
similar al de circuito abierto, o pared magnetica. En el caso del divisor Wilkinson,
gura 4.9, al terminar los accesos 2 y 3 y excitar por el acceso 1, la resistencia R
quedara justo sobre el plano de simetra y por tanto por ella no uira corriente. De
forma que para el analisis de S
11
, S
21
y S
31
del divisor Wilkinson se puede prescindir
de la resistencia R resultando una red igual a la de la gura 4.1-b. Es decir que los
parametros S
11
, S
21
y S
31
seran los mismos que se calcularon anteriormente:
[S] =

0 j1/

2 j1/

2
j1/

2 S
22
S
23
j1/

2 S
32
S
33

Para el calculo la submatriz de orden 2 2 que a un se desconocen, se termina el


acceso 1 con dos impedancias de valor normalizado 2 en paralelo, una a cada lado del
plano de simetra, y a la red simetrica resultante se le instala una pared magnetica,
gura 4.10-a, y una electrica, gura 4.10-b, sucesivamente, obteniendo los factores de
reexion
e
y
o
en el acceso 2 (o en el 3).
a
b
Figura 4.10: a-Divisor Wilkinson caso par. b-Divisor Wilkinson caso impar
La impedancia de entrada por el acceso 2 para el caso par vendra dada por Z
e
i
=
Z
2
0
/2 = 1. Y para el caso impar la impedancia sera Z
o
i
= 1. Es decir los factores de
reexion son
e
=
o
= 0. Por lo que los parametros de dispersion de la submatriz
que faltaba por calcular seran:
110
S
22
=
1
2
(
e
+
o
) = 0
S
32
=
1
2
(
e

o
) = 0
Y por supuesto S
33
= S
22
y S
23
= S
32
. Obteniendo nalmente que la matriz de
dispersion de un divisor Wilkinson sera:
[S] =
j

0 1 1
1 0 0
1 0 0

(4.1.19)
4.2. Acopladores direccionales
Las redes pasivas de cuatro accesos mas importantes son los acopladores direccio-
nales (AD), elementos que permiten medir separadamente ondas positivas y negativas
de manera directa. La propiedad denitoria de un acoplador direccional es la de po-
seer dos pares de accesos desacoplados, es decir, cuatro elementos de su matriz de
dispersion no pertenecientes a la diagonal principal nulos.
Interesa demostrar a continuacion la siguiente proposicion: si una red de cuatro
accesos pasiva, recproca y sin perdidas esta completamente adaptada, S
ii
= 0 ; i =
1, 2, 3, 4, es un acoplador direccional, es decir su matriz de parametros de dispersion
tendra cuatro elementos mas nulos.
En efecto, si se parte de la matriz de dispersion siguiente:
[S] =

0
0
0
0

Por unitariedad:

= 0

= 0

= 0
La segunda y tercera ecuacion se pueden poner como un sistema de ecuaciones
con y

como incognitas:
111

0
0

En este sistema de ecuaciones si el determinante es no nulo, =

= 0,
entonces = = 0 y la proposicion quedara demostrada. Por otra parte, si = 0,
entonces combinando la primera ecuacion con la ecuacion = 0 se obtiene:

= 0
Y necesariamente se tendra otro par de valores de entre (, , , ) nulos.
Se obtiene de esta manera una matriz de dispersion con ocho elementos nulos
que, mediante un cambio de numeracion de los accesos, si es necesario, siempre puede
ponerse de la forma:
[S] =

0 0
0 0
0 0
0 0

[0] [B]
[B]
t
[0]

(4.2.1)
Es decir, se ha asignado los accesos 1-2 y 3-4 como los dos pares de accesos
desacoplados. Y donde [0] y [B] son dos submatrices de 2 2.
Dada la estructura de la matriz anterior es facil de ver que las submatrices no
nulas han de ser tambien unitarias:
[S][S

]
t
=

[0] [B]
[B]
t
[0]

[0] [B

]
[B

]
t
[0]

[B][B

]
t
[0]
[0] [B]
t
[B

[1] [0]
[0] [1]

(4.2.2)
siendo [1] la matriz unitaria de 2 2. De forma que la submatriz [B] tambien de-
bera cumplir unitariedad, [B][B]
+
= [1], y se podra decir que [B] debera tener el
aspecto correspondiente a una red de dos accesos pasiva y sin perdidas, 4.2.3:
[S] =

cos e
j
1
sen e
j
2
sen e
j
3
cos e
j(
2

1
+
3
)

(4.2.3)
Modicando los planos de referencia adecuadamente se pueden obtener las dos
formas canonicas de la matriz de dispersion de un acoplador direccional:
[S] =

0 0 cos sen
0 0 sen cos
cos sen 0 0
sen cos 0 0

; [S] =

0 0 cos j sen
0 0 j sen cos
cos j sen 0 0
j sen cos 0 0

(4.2.4)
112
El procedimiento para conocer los cambios de los planos de referencia adecuados se
expone a continuacion. En primer lugar se identica la matriz [B] con los parametros
de dispersi on originales:
[B] =

S
13
S
14
S
23
S
24

cos e
j
1
sen e
j
2
sen e
j
3
cos e
j(
2

1
+
3
)

En segundo lugar se hace un cambio de plano de referencia en el acceso 1 de valor

1
=
1
resultando unos nuevos parametros de dispersion iguales a:

13
S

14
S

23
S

24

S
13
e
j

1
S
14
e
j

1
S
23
S
24

cos sen e
j(
2

1
)
sen e
j
3
cos e
j(
2

1
+
3
)

A continuacion se hace un doble cambio en los accesos 2 y 4. Para el primer


caso canonico los cambios seran

2
=
3
y

4
=
2

1
, de forma que los nuevos
parametros de dispersion quedaran como:

13
S

14
S

23
S

24

13
S

14
e
j

4
S

23
e
j

2
S

24
e
j(

2
+

4
)

cos sen
sen cos

Obteniendose efectivamente la primera forma canonica de las expresiones 4.2.4.


Para obtener la segunda de las formas canonicas el segundo cambio de planos de
referencia habran sido iguales a

2
=
3
/2 y

4
=
2

1
/2, y en este caso
resultara:

13
S

14
S

23
S

24

13
S

14
e
j

4
S

23
e
j

2
S

24
e
j(

2
+

4
)

cos j sen
j sen cos

Expresion que da lugar a la segunda de las formas canonicas de las expresiones


4.2.4.
En estas formas canonicas se observa que todos los parametros de dispersion que-
dan denidos por un solo parametro, el escalar .
Ejemplo: Considerando un acoplador direccional con una matriz de dispersion
igual a la primera forma canonica de las expresiones 4.2.4, conectado como muestra la
gura 4.11, con un generador en el acceso 1, una carga Z
3
en el acceso 3 y los accesos
2 y 4 terminados. Calcular la relacion b
2
/b
3
.
Por simplicidad se supondra inicialmente que 1 (aunque esto no invalida las
conclusiones que se desean obtener) y por tanto, cos 1, sen :

b
1
b
2
b
3
b
4

0 0 1
0 0 1
1 0 0
1 0 0

a
1
0
a
3
0

113
Figura 4.11: Medida ROE con AD
De forma que se puede aproximar que:
b
1
a
3
b
2
a
3
b
3
a
1
b
4
a
1
Es decir, la se nal se transmite por la rama superior, 1-3, sin perturbacion, mientras
que en 2 y 4 se obtienen se nales proporcionales a las ondas positiva y negativa en la
rama superior; de aqu el nombre de acoplador direccional.
De forma que el cociente b
2
/b
4
sera:
b
2
b
4
=
a
3
a
1
=

3
b
3
a
1

3
Es decir, se puede obtener una indicacion directa del factor de reexion de la
impedancia Z
3
.
En el analisis anterior se ha de tener en cuenta que:
1. Dada la simetra de la matriz de dispersion las ramas 1-3 y 2-4 son equivalentes.
Es decir, se pueden intercambiar las ramas principal y acopladas sin que las
conclusiones varen, razon por la que el esquema simbolico de la gura 4.12 los
representa simetricos.
2. Si no es muy peque no y no se pueden hacer las aproximaciones anteriores, se
tendra en este caso que:
b
1
= cos a
3
b
2
= sen a
3
b
3
= cos a
1
b
4
= sen a
1
114
Figura 4.12: Smbolo AD simetrico
En este caso, la onda que sale de la rama principal, b
3
, no puede aproximarse
por a
1
, ya que no se puede despreciar la fraccion de potencia que se extrae por
el acceso 4. En este caso el cociente b
2
/b
4
vendra dado por:
b
2
b
4
=
a
3
a
1
=

3
b
3
b
3
/ cos
= cos
3
expresion que tambien caracteriza a
3
una vez conocido .
Para un acoplador direccional se dene el acoplamiento C en dB mediante la
expresion:
C = 20 log |S
14
| = 20 log(sen ) (4.2.5)
Si los accesos no estan perfectamente adaptados ni aislados la matriz de dispersion
puede adquirir un aspecto como el siguiente:
[S] =

S
11
S
12
S
13
S
14
S
12
S
11
S
14
S
13
S
13
S
14
S
11
S
12
S
14
S
13
S
12
S
11

Se denen tambien las perdidas de retorno, L


R
, en cualquier acceso, que se han
supuesto iguales, y la directividad, D, mediante las expresiones:
L
R
= 20 log |S
11
| (4.2.6)
D = 20 log

S
14
S
12

(4.2.7)
La directividad indica el nivel, en dB, de la se nal indeseada en el acceso que
debera estar desacoplado en relacion con la se nal acoplada.
115
4.2.1. Hbridos
A un acoplador direccional de 3 dB (C = 3 dB) se le denomina circuito hbrido o
hbrido. En este caso sen = cos = 1/

2 y las formas canonicas para la matriz de


dispersion dadas por 4.2.4 quedan:
[S] =
1

0 0 1 1
0 0 1 1
1 1 0 0
1 1 0 0

[S] =
1

0 0 1 j
0 0 j 1
1 j 0 0
j 1 0 0

(4.2.8)
Cuando el circuito responde a la forma primera de 4.2.8 se le suele llamar hbrido
de 180
o
y a segunda forma hbrido de 90
o
.
a b
Figura 4.13: a-Hbrido 180
o
. b-Hbrido 90
o
Es evidente que se puede pasar de uno a otro, a una frecuencia determinada,
mediante un cambio de planos de referencia.
En un hbrido de 180
o
, a los accesos acoplados tambien se les denomina suma (

)
y diferencia (); en la gura 4.14 se muestra como inyectando se nales por los accesos
1 y 2, b
3
sera proporcional a la suma, y b
4
a su diferencia.
Figura 4.14: Accesos suma

y diferencia con hbrido 180


o
.
116
4.2.2. Realizacion de acopladores direccionales
Los mas frecuentes, en el ambito de las lneas de transmision, son los que utilizan
lneas acopladas (que se estudiaran mas adelante en el apartado 4.3) y secciones de
lnea en /4.
Una forma de estas ultimas es la esquematizada en la gura 4.15.
Figura 4.15: Hbrido 90
o
con lneas de transmision
Se observan cuatro secciones de lnea en /4 formando un cuadrado (o un anillo),
con unas impedancias caractersticas iguales dos a dos. Dada la simetra, al analisis
de esta estructura puede hacerse a partir de sus mitades simetrica y antisimetrica
seg un se explico en el apartado 3.5, y tal como se indica en la gura 4.16.
a b
Figura 4.16: a-Hbrido 90
o
caso par. b-Hbrido 90
o
caso impar
Donde los valores Z
e
y Z
o
vienen dadas por:
Z
e
= jZ
02
1
tan /8
= jZ
02
=
1
Y
e
=
1
jY
02
Z
o
= jZ
02
tan

8
= jZ
02
=
1
Y
o
=
1
jY
02
resultando que S
e
11
= S
e
22
vendran dadas por:
Si se fuerza a que S
e
11
= 0 resultara que:
117
Y
e
1
=
Y
2
01
Y
e
+ 1
Y
e
i
= Y
e
+ Y
e
1
= Y
e
+
Y
2
01
Y
e
+ 1
S
e
11
=
1 Y
e
i
1 + Y
e
i
Figura 4.17: Calculo S
11
hbrido 90
o
.
Y
e
i
= 1 1 = Y
e
+
Y
2
01
Y
e
+ 1
1 Y
e2
= Y
2
01
1 + Y
2
02
= Y
2
01
En cuanto a los parametros S
e
21
= S
e
12
se tendra que:
S
e
21
=
b
2
a
1
=
V

2
/

Z
0
V
+
1
/

Z
0
=
V

2
V
+
1
= (S
e
11
= 0 ;
2
= 0) =
V
2
V
1
La relacion de tensiones V
1
y V
2
se podra calcular mediante la expresion de la
tension a lo largo de la lnea de Z
01
:
V (z) = V
+
e
jz
+ V

e
jz
= V
+
(e
jz
+ e
jz
)
donde vendra dado por:
=
Y
01
(Y
e
+ 1)
Y
01
+ (Y
e
+ 1)
De forma que las tensiones V
1
y V
2
vendran dadas por:
V
1
= V (z = /4) = V
+
((j j)
V
2
= V (z = 0) = V
+
(1 + )
Y el parametro S
e
21
sera:
S
e
21
=
V
2
V
1
=
1 +
j(1 )
= j
Y
01
+ Y
e
+ 1 + Y
01
(Y
e
+ 1)
Y
01
+ Y
e
+ 1 Y
01
+ (Y
e
+ 1)
S
e
21
= j
Y
01
Y
e
+ 1
= j
Y
01
1 + jY
02
(4.2.9)
118
Para el caso impar se tendra, que si de nuevo se fuerza a que S
o
11
= S
o
22
= 0, la
relacion entre Y
01
y Y
02
sera la misma que para el caso par:
S
o
11
= 0 Y
o
i
= 1 1 = Y
o
+
Y
2
01
Y
o
+ 1
1 Y
o2
= Y
2
01
1 + Y
2
02
= Y
2
01
mientras que S
o
21
= S
o
12
sera:
S
o
21
= j
Y
01
Y
o
+ 1
= j
Y
01
1 jY
02
= j
Y
01
1 jY
02
Por lo que aplicando las propiedades de simetra
[S] =
1
2

[S
e
] + [S
o
] [S
e
] [S
o
]
[S
e
] [S
o
] [S
e
] + [S
o
]

se tendra que
S
11
=
1
2
(S
e
11
+ S
o
11
) = 0 (4.2.10)
S
12
=
1
2
(S
e
12
+ S
o
12
) = j
Y
01
1 + Y
2
02
= j
1
Y
01
= j
1

1 + Y
2
02
(4.2.11)
S
13
=
1
2
(S
e
11
S
o
11
) = 0 (4.2.12)
S
14
=
1
2
(S
e
12
S
o
12
) = jY
01
jY
02
1 + Y
2
02
=
Y
01
Y
02
1 + Y
2
02
=
Y
02
Y
01
=
Y
02

1 + Y
2
02
(4.2.13)
Quedando la matriz de dispersion como:
[S] =

0 S
12
0 S
14
S
12
0 S
14
0
0 S
14
0 S
12
S
14
0 S
12
0

(4.2.14)
Adviertase que la forma de dispersion no coincide con las formas canonicas dadas
por 4.2.4, lo que se subsana facilmente si se numeran los accesos de otra forma. Para
realizar un hbrido se ha de cumplir que |S
12
| = |S
14
| = 1/

2, y por tanto Y
02
= 1 y
Y
01
=

2. Obteniendose la estructura de las guras 4.18.


Se advierte el signo que afecta a todos los elementos S
ij
, por lo que el esquema
equivalente es el de la gura 4.19; los transformadores representan cambios de signos
simultaneos en tension y corriente y suelen omitirse, ya que normalmente la fase de
los accesos 3-4 relativa a los 1-2 no es relevante.
119
[S] =
1

0 j 0 1
j 0 1 0
0 1 0 j
1 0 j 0

[S] =
1

0 0 j 1
0 0 1 j
j 1 0 0
1 j 0 0

Figura 4.18: Hbridos 90


o
con LT.
Figura 4.19: Esquema hbrido 90
o
con signo.
Este hbrido, realizado en lneas triplaca (stripline) o microtira (microstrip), pre-
senta el aspecto de la gura 4.20 en sus versiones resctangular y circular.
Figura 4.20: Realizacion hbrido 90
o
en microstrip.
Normalmente se preere la realizacion circular por su mayor control de longitu-
des de lnea y menor n umero de discontinuidades geometricas, que siempre suponen
efectos indeseados. En la misma gura se observa como la lnea de Z
0
menor es mas
ancha que las lneas restantes. Este extremo, el ensanchamiento de la lnea de im-
pedancia caracterstica baja o el estrechamiento de las de impedancia alta, es el que
limita la utilizacion de esta estructura cuando se desean acopladores direccionales
120
con acoplamiento debil (C en dB grande). Uno de los inconvenientes que tiene esta
realizacion es su caracter sintonizado en frecuencia, que supone un comportamiento
de banda estrecha. Una forma de mejorar el comportamiento en frecuencia es replicar
la estructura dandole mas grados de libertad que permiten comportamiento de mayor
ancho de banda, gura 4.21.
Figura 4.21: Hbrido 90
o
banda ancha
Otra forma posible de realizar un acoplador direccional con lneas de transmision
es la esquematizada en la gura 4.22; un anillo de longitud 1, 5 formado por cuatro
tramos de impedancia Z
01
y Z
02
, tres de ellos en /4 y una en 3/4, conectado al
exterior mediante cuatro accesos.
Figura 4.22: Hbrido 180
o
.
Dado que existe un plano de simetra, puede realizarse un analisis similar a los
anteriores. En este caso, y a diferencia de la realizacion anterior, S
e
11
, S
e
22
, S
o
11
y S
o
22
no se anulan, y la condicion para que sea un acoplador direccional, S
11
= S
22
= S
33
=
S
44
= 0, se debera tener en cuanta tanto el analisis par como el impar. Para analizar
la red se aplica en primer lugar excitacion par, sustituyendo el plano de simetra por
una pared magnetica, gura 4.23.
Para el calculo de S
e
11
y S
e
21
se cargara el acceso 2 con Z
0
= 1, resultando el circuito
de la gura 4.24.
121
Admitancia stub /8 en circuito abier-
to:
Y
e
1
= jY
01
tan /8 = jY
01
Admitancia stub 3/8 en circuito abier-
to:
Y
e
2
= jY
01
tan 3/8 = jY
01
Figura 4.23: Hbrido 180
o
excitacion par.
Figura 4.24: Calculo S
e
11
y S
e
21
hbrido 180
o
El parametro S
e
11
sera el factor de reexion visto desde el acceso 1 que vendr a dado
por:
S
e
11
=
1 (Y
e
+ Y

)
1 + (Y
e
+ Y

)
=
1 jY
01

Y
2
02
jY
01
+ 1
1 + jY
01
+
Y
2
02
jY
01
+ 1
=
(1 jY
01
)
2
Y
2
02
1 + Y
2
01
+ Y
2
02
(4.2.15)
Para el caso de excitacion impar, se sustituira el plano de simetra por una pared
electrica, quedando el esquema de la gura 4.25.
Para el calculo de S
o
11
y S
o
21
se cargara el acceso 2 con Z
0
= 1, resultando el circuito
de la gura 4.26.
El parametro S
o
11
sera el factor de reexion visto desde el acceso 1 que vendra dado
por:
122
Impedancia stub /8 en cortocircuito:
Z
o
1
= jZ
01
tan /8 = jZ
01
Y
o
1
= jY
01
Impedancia stub 3/8 en cortocircuito:
Z
e
2
= jZ
01
tan 3/8 = jZ
01
Y
o
2
= jY
01
Figura 4.25: Hbrido 180
o
excitacion impar.
Figura 4.26: Calculo S
o
11
y S
o
21
hbrido 180
o
S
o
11
=
1 (Y
o
+ Y

)
1 + (Y
o
+ Y

)
=
1 + jY
01

Y
2
02
jY
01
+ 1
1 jY
01
+
Y
2
02
jY
01
+ 1
=
(1 + jY
01
)
2
Y
2
02
1 + Y
2
01
+ Y
2
02
(4.2.16)
Para que sea un acoplador direccional debera cumplirse que S
11
= 0 y como este
viene dado por S
11
= 1/2(S
e
11
+ S
o
11
) debera cumplirse que S
e
11
= S
o
11
resultando
que:
(1 jY
01
)
2
Y
2
02
1 + Y
2
01
+ Y
2
02
=
(1 + jY
01
)
2
Y
2
02
1 + Y
2
01
+ Y
2
02
De lo que se deduce que:
Y
2
01
+ Y
2
02
= 1 (4.2.17)
Resultando que con esta relacion las expresiones de S
e
11
y S
o
11
quedaran de la
forma:
123
S
e
11
= jY
01
(4.2.18)
S
o
11
= jY
01
(4.2.19)
Mientras que para S
e
21
se tendra que:
S
e
21
=
b
2
a
1
=
V

2
V
+
1
= (V
2
= V

2
; V
1
= V
+
1
(1 + S
e
11
)) =
V
2
V
1
(1 + S
e
11
) (4.2.20)
Y como la tension a lo largo de la lnea de Z
02
vendra dada por
V (z) = V
+
(e
jz
+ e
jz
)
donde sera
=
Y
02
Y
e
2
1
Y
02
+ Y
e
2
+ 1
por lo que las tensiones V
1
y V
2
seran:
V
2
= V (z = 0) = V
+
(1 + )
V
1
= V (z = /4) = jV
+
(1 )
Quedando por tanto que el parametro S
e
21
sera:
S
e
21
=
1 +
j(1 )
(1 + S
e
11
) = jY
02
(4.2.21)
habiendo utilizado para el calculo del mismo la relacion 4.2.17.
El calculo de S
o
21
se hara de forma similar al realizado para el caso par, quedando
que:
S
o
21
= j
1 +
Y
02
+ Y
e
2
1
Y
02
Y
e
2
+ 1
1
Y
02
+ Y
e
2
1
Y
02
Y
e
2
+ 1

1 +
(1 + jY
01
)
2
Y
2
02
1 + Y
2
01
+ Y
2
02

= jY
02
(4.2.22)
Por otro lado es facil comprobar que S
e
22
= S
o
11
y S
o
22
= S
e
11
. As pues los parametros
de dispersion vendran dados por:
124
S
11
=
1
2
(S
e
11
+ S
o
11
) = 0
S
21
=
1
2
(S
e
21
+ S
o
21
) = jY
02
S
31
=
1
2
(S
e
11
S
o
11
) = jY
01
S
41
=
1
2
(S
e
21
S
o
21
) = 0
S
22
=
1
2
(S
e
22
+ S
o
22
) = 0
S
42
=
1
2
(S
e
22
S
o
22
) = jY
01
Pudiendose deducir el resto de parametros de dispersion a partir de estos me-
diante consideraciones de simetra o reciprocidad. As pues la matriz de dispersion
quedara como:
[S] =

0 jY
02
jY
01
0
jY
02
0 0 jY
01
jY
01
0 0 jY
02
0 jY
01
jY
02
0

(4.2.23)
Tambien, como anteriormente, los accesos se pueden renumerar para que la matriz
de dispersion tenga el mismo aspecto de la segunda forma canonica vista anterior-
mente, 4.2.4. Una posible renumeracion consistira en permutar los accesos 2 y 4.
Si ademas se desea que este acoplador direccional sea un hbrido se debera escoger
Y
01
= Y
02
= 1/

2 quedando entonces la matriz de disperson igual a:


[S] =
j

0 0 1 1
0 0 1 1
1 1 0 0
1 1 0 0

4.3. Lneas acopladas simetricas


Si dos lneas que discurren paralelas estan sucientemente proximas, el acopla-
miento mutuo capacitivo e inductivo entre ellas hace que las se nales en una no sean
ajenas a las de la otra. Este proceso es bien conocido desde los comienzo de la telefona
(diafona), y en redes de microondas puede ser de interes si se buscan situaciones de
acoplamiento intencionadamente elevado.
125
La situacion mas sencilla de analizar, que por otra parte es la mas frecuente, es
la de dos lneas identicas situadas de tal manera que la geometra resultante acepte
un plano de simetra dispuesto a lo largo de su eje, como el ejemplo de la gura 4.27;
dos lneas microtira del mismo ancho construidas sobre el mismo substrato.
Figura 4.27: Lneas acopladas simetricas
La seccion elemental de dos lneas como estas incluye como parametros primarios
la capacidad C
2
y la inductancia M mutuas por unidad de longitud. Tal seccion se
representa tambien en la gura 4.27, y su analisis se simplica mucho si se hace uso
de los conceptos de pared electrica y magnetica.
En la gura 4.28 se representa solamente la parte capacitiva de la seccion ele-
mental, donde ademas se ha omitido el dz que debera acompa nar a C
1
y C
2
; la
informacion referente a la parte inductiva (L y M) sera reintroducida mas adelante.
Figura 4.28: Capacidades seccion elemental lneas acopladas
La situacion con una pared magnetica en el plano de simetra es equivalente a tener
las lneas excitadas de forma que V
1
= V
2
= V
e
, gura 4.29, y en estas condiciones se
dene la impedancia caracterstica del modo par o simetrico Z
e
0
mediante:
126
Z
e
0
=
V
+
e
I
+
e
(4.3.1)
siendo V
+
e
la diferencia de potencial entre una de las lneas y el plano de masa para
una onda positiva con simetra par e I
+
e
la corriente en una de las lneas para la misma
onda.
Figura 4.29: Caso par lneas acopladas simetricas
Notese que esta onda positiva par as denida se corresponde con la situacion en
que las dos tiras conductoras se comportan como un conductor unico frente al plano
de masa. Ademas, si esta onda se propaga con velocidad de fase v
e
p
se puede escribir:
Z
e
0
=
1
v
e
p
C
1
ya que, evidentemente, al estar C
2
conectada entre puntos a la misma tension no
desempe na ning un papel.
De manera analoga, la situacion con una pared electrica (pared conductora o
potencial cero) es equivalente a tener lneas excitadas de forma que V
1
= V
2
= V
o
y
los puntos del plano de simetra conectados a masa, gura 4.30.
Figura 4.30: Caso impar lneas acopladas simetricas
Ahora se dene la impedancia caracterstica de modo impar o antisimetrico, Z
o
0
,
mediante
127
Z
o
0
=
V
+
o
I
+
o
(4.3.2)
siendo, como en 4.3.1, V
+
o
la diferencia de potencial entre una de las lneas y masa
para una onda positiva con simetra impar, e I
+
o
la corriente en una de las lneas.
Una onda de esta naturaleza puede excitarse mediante dos generadores identicos
y en oposicion de fase conectados entre el plano de masa y cada una de las lneas. Si
su velocidad de propagacion (de fase) es v
o
p
se tendra que:
Z
o
0
=
1
v
o
p
(C
1
+ 2C
2
)
Notese que la introduccion de las velocidades de propagacion v
e
p
y v
o
p
es equivalente
a recuperar la informacion de las inductancias, y que sus valores en funcion de las
permitividades efectivas son:
v
e
p
=
c

e
ef
; v
o
p
=
c

o
ef
En general, si hay mas de un dielectrico,
e
ef
=
o
ef
, ya que la distribucion de
campo electrico sera diferente en la situacion par y en la impar; pero si el medio es
homogeneo, como por ejemplo, en el caso de dos lneas triplaca acopladas:

e
ef
=
o
ef
=
r
Y por tanto las velocidades de fase seran iguales. En este caso, dado que C
1
+2C
2
>
C
1
se verica que:
Z
e
0
> Z
o
0
Una vez realizadas estas deniciones referentes a los modos de excitacion par e
impar, se considera la red de cuatro accesos formada por una longitud l de lneas
acopladas simetricas conectadas al exterior mediante lneas de impedancia unitaria,
gura 4.31.
Figura 4.31: Acoplador direccional con lneas acopladas
128
Es necesario suponer que el acoplamiento termina bruscamente al pasar de la
seccion acoplada a la lnea de acceso, lo que en la practica se consigue de manera
aproximada haciendo estas muy divergentes.
Si se realiza un analisis de la estructura mediante su descomposicion en situaciones
simetrica y antisimetrica, gura 4.32,
Figura 4.32: Lneas acopladas, casos par e impar
se obtiene, teniendo en cuenta las expresiones 3.2.32 calculadas en el apartado 3.2:
S
e
11
= S
e
22
= j
(Z
e
0
Y
e
0
) tan
e
2 + j(Z
e
0
+ Y
e
0
) tan
e
(4.3.3)
S
e
12
= S
e
21
=
2/ cos
e
2 + j(Z
e
0
+ Y
o
0
) tan
e
(4.3.4)
con
e
=
e
l = l/v
e
p
.
Para S
o
11
= S
o
22
, S
o
12
= S
o
21
se obtienen expresiones similares cambiando adecuada-
mente Z
e
0
Z
o
0
y
e

o
.
Si se quiere que la red se comporte como un acoplador direccional debera cumplirse
que:
S
e
11
+ S
o
11
= 0
(Z
e
0
Y
e
0
) tan
e
2 + j(Z
e
0
+ Y
e
0
) tan
e
+
(Z
o
0
Y
o
0
) tan
o
2 + j(Z
o
0
+ Y
o
0
) tan
o
= 0
expresion que, separando sus partes real e imaginaria, conduce a:
(Z
e
0
Y
e
0
) tan
e
+ (Z
o
0
Y
o
0
) tan
o
= 0 (4.3.5)
[(Z
e
0
Y
e
0
)(Z
o
0
+ Y
o
0
) + (Z
o
0
Y
o
0
)(Z
e
0
+ Y
e
0
)] tan
e
tan
o
= 0 (4.3.6)
La expresion 4.3.6 se anula con independencia de los valores de
e
y
o
si:
129
Z
e
0
Z
o
0
= Y
e
0
Y
o
0
Z
e
0
Z
o
0
= 1 Z
e
0
= Y
o
0
; Z
o
0
= Y
e
0
y con esta condicion, la ecuacion 4.3.5 se convierte en:
(Z
o
0
Y
e
0
)(tan
e
tan
o
) = 0 (4.3.7)
que se cumple si v
e
p
= v
o
p
ya que entonces
e
=
o
= .
Se alcanza por tanto la siguiente conclusion: una seccion de longitud l de dos lneas
acopladas se comporta como un acoplador direccional si v
e
p
= v
o
p
y Z
e
0
Z
o
0
= 1 ( esta
ultima expresion se sobrentiende para valores de impedancias normalizados. en caso
contrario ha de escribirse como Z
e
0
Z
o
0
= Z
2
0
, con Z
0
la impedancia de referencia de los
accesos).
En estas condiciones se comprueba que:
S
e
11
= S
o
11
; S
e
12
= S
e
21
= S
o
12
y por tanto
S
11
= S
22
= S
33
= S
44
= 0
S
12
= S
34
=
1
2
(S
e
12
S
o
12
) = S
e
12
=
2
2 cos + j(Y
e
0
+ Z
e
0
) sen
S
13
= S
24
=
1
2
(S
e
11
S
o
11
) = S
e
11
= j
(Z
e
0
Y
e
0
) sen
2 cos + j(Z
e
0
+ Y
e
0
) sen
S
14
= S
23
=
1
2
(S
e
12
S
o
12
) = 0
Estas expresiones suelen arreglarse de la manera siguiente; deniendo el factor
como:
=
Z
e
0
Z
o
0
Z
e
0
+ Z
o
0
(4.3.8)
Factor que sera siempre mayor que cero, puesto que Z
e
0
> Z
o
0
. Y entonces:
1
2
=
((Z
e
0
+ Z
o
0
)
2
(Z
e
0
Z
o
0
)
2
(Z
e
0
+ Z
o
0
)
2
=
4Z
e
0
Z
o
0
(Z
e
0
+ Z
o
0
)
2
=
4
(Z
e
0
+ Z
o
0
)
2
Finalmente:
S
12
= S
34
=

1
2

1
2
cos + j sen
S
13
= S
24
=
jsen

1
2
cos + j sen
130
/
o
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
C(dB) 30,2 24,6 21,8 20,4 20 20,4 21,8 24,6 30,2
Tabla 4.1: Acoplamiento lneas acopladas
Adviertase que si las lneas se alejan hasta desacoplarse, C
2
0 y por tanto
Z
e
0
= Z
o
0
. En este caso la condicion de acoplador direccional se reduce a Z
e
0
= Z
o
0
= Z
0
,
= 0 y:
S
12

1
cos + j sen
= e
j
; S
13
0
Ejemplo: Se desea construir un acoplador direccional de 20 dB mediante el pro-
cedimiento anterior en un sistema de Z
0
= 50 . Si la rama principal es por ejemplo
la 1-2, la 1-3 sera la rama acoplada y por tanto:
|S
13
|
2
=

2
sen
2

(1
2
) cos
2
+ sen
2

=

2
sen
2

1
2
cos
2

(4.3.9)
Como que se tienen dos grados de libertad, y , se puede jar uno de ellos;
normalmente se elige = /2 que hace que sen = 1, y de esta manera para un
dado el acoplamiento es maximo, puesto que su variacion relativa al cambiar la
frecuencia es mnima (derivada nula). De modo que:
|S
13
|
2
( = /2) =
2
= 10
2
Es decir
Z
e
0
Z
o
0
Z
e
0
+ Z
o
0
=
1
10
; Z
e
0
Z
o
0
= Z
2
0
= 2500
Z
e
0
= 55, 28
Z
o
0
= 45, 23
Cuando la frecuencia se desva de la del dise no, el sistema contin ua comportandose
como un acoplador direccional ideal (S
ii
= 0, S
14
= S
23
= 0), pero el acoplamiento
vara de acuerdo con 4.3.9, que al ser
2
= 0, 01 puede aproximarse por:
|S
13
|
2

2
sen
2
l
v
p
expresion para la que resulta la tabla 4.1 de valores para C = 20 log |S
13
|:
131
De manera que el acoplador direccional funciona en un ancho de banda del 40 %
con una degradacion de acoplamiento de tan solo 0,4 dB.
Ejemplo: Si el acoplador direccional de 20 dB del ejemplo anterior se realizase
con lneas microtiras acopladas en substratos de
r
= 2, 1 se tendra: para las lneas de
acceso de 50 , w/h = 0, 86 y en la zona de acoplamiento, para los valores calculados
de Z
e
0
y Z
o
0
resultan s/h = 0, 3 y w/h = 0, 84, siendo h la altura del sustrato, w el
ancho de las lneas y s la separacion entre las lneas, seg un muestra la gura 4.33.
Figura 4.33: Lneas acopladas en microtira
Para un espesor tpico de h = 1 mm, resultara s = 0, 3 mm, y este ancho de ranura
es facilmente realizable por metodos fotolitogracos. Sin embargo, si el acoplador a
realizar fuese de 10 dB, Z
e
0
/Z
o
0
= 1, 925, w/h = 0, 7 y s/h = 0, 041, y si como antes,
h = 1 mm resulta que s = 0, 041 mm, ancho de ranura muy difcil de producir con
precision con tecnicas fotolitogracas.
Por tanto, con los substratos usuales ( 2, espesor 0, 51 mm) es difcil realizar
acopladores direccionales con acoplamientos C 10 13 dB.
Realizacion de inversores con lneas acopladas Si en un acoplador direccional
realizado con lneas acopladas se dejan dos accesos en circuito abierto, como se indica
en la gura 4.34, resulta una red de dos accesos que se podra forzar a que se comporte
como un inversor.
Figura 4.34: Inversor con lneas acopladas
Terminando el acceso 4

, se tendra la siguiente relacion:


132

1
b

2
b

3
b

0 S

12
S

13
0
S

12
0 0 S

13
S

13
0 0 S

12
0 S

13
S

12
0

1
b

2
b

3
0

donde se ha utilizado acentos para referirse a parametros de la red de 4 accesos


original. De aqu se obtiene facilmente que:
b

1
= S

12
b

2
+ S

13
b

3
b

2
= S

12
a

1
b

3
= S

13
a

1
b

4
= S

13
b

2
+ S

12
b

3
de las que se deduce que:
b

1
= (S
2
12
+ S
2
13
)a

1
(4.3.10)
b

4
= 2S

12
S

13
a

1
(4.3.11)
Es decir, que para la red de los accesos 1

resultante, que se puede renumerar


1 2, se tendra:
[S] =

S
11
S
12
S
12
S
11

S
2
12
+ S
2
13
2S

12
S

13
2S

12
S

13
S
2
12
+ S
2
13

donde:
S
11
=
1
2

2
sen
2

1
2
cos + j sen )
2
(4.3.12)
S
12
=
2j

1
2
sen
(

1
2
cos + j sen )
2
(4.3.13)
En las proximidades de = /2 (longitud acoplada correspondiente a /4), =
/2 + , y si
2
es sucientemente peque no se puede poner:

1
2
cos + j sen = e
j
+ (

1
2
1) cos
e
j

1
2

2
cos(

2
+ ) = e
j
+
1
2

2
sen
e
j
+
1
2

2
e
j
133
Mientras que:
1
2

2
sen
2
= 1
2

2
cos
2

1
2
(1 + 1 sen
2
) 1 2
2
+
2
(1 2
2
)
Por tanto, con un error del orden, en el peor de los casos, de
2
o ()
2
frente
a la unidad, se puede aproximar:
S
11
(1 2
2
)e
2j
S
12
2j

1
2
e
2j
parametros que denen el circuito equivalente de la red de 2 accesos como un inversor
de constante

J dada por:
1 2
2
=

K
2
1

K
2
+ 1
=
1

J
2
1 +

J
2
= 1 2

J
2
1 +

J
2

2
=

J
2
1 +

J
2


J
2
=

2
1
2
y dos secciones de lnea de impedancia la de referencia de la entrada y salida y longitud
electrica , gura 4.35.
Figura 4.35: Circuito equivalente inversor con lneas acopladas

J tambien puede ponerse directamente en terminos de Z


e
0
y Z
o
0
y viceversa:
=

Z
e
0


Z
o
0

Z
e
0
+

Z
o
0
=
(

Z
e
0
)
2
1
(

Z
e
0
)
2
+ 1
=
1 (

Z
o
0
)
2
1 + (

Z
o
0
)
2
=

1 +

J
2

Z
e
0
=

1 +

J
2
+

J

Z
o
0
=

1 +

J
2

J =
1
2
(

Z
e
0


Z
o
0
)
134
Captulo 5
Circuitos resonantes
5.1. Propiedades basicas
Se presentan las propiedades de la resonancia en circuitos electricos poniendo enfa-
sis en los conceptos de energa y perdidas, que seran de gran utilidad en lo sucesivo.
Para ello se comenzara estudiando en esta primera parte las caractersticas resonan-
tes en circuitos compuestos de elementos concentrados, resistencias, capacidades e
inductancias.
Considerese en primer lugar el circuito de la gura 5.1.
Figura 5.1: Circuito resonante L-C
Debe cumplirse que:
i(t) =
d
dt
(q(t)) = q(t) (5.1.1)
Por otro lado la tension en la bobina debe ser igual a la del condensador:
L
di
dt
+
1
C

t
i(t)dt = 0 (5.1.2)
Sustituyendo 5.1.1 en 5.1.2 resultara que:
135
136
L q(t) +
1
C
q(t) = 0
que se puede poner como:
q(t) +
2
o
q(t) = 0
donde
2
o
= 1/LC. Escogiendo un adecuado origen de tiempos se tendra como
solucion:
q(t) = q
o
cos
o
t
i(t) = q
o

o
sen
o
t
Las energas almacenadas en la inductancia y el condensador valen, en cada ins-
tante:
u
m
(t) =
1
2
Li
2
(t) =
1
2
L
2
o
q
2
o
sen
2

o
t =
1
2C
q
2
o
sen
2

o
t (5.1.3)
u
e
(t) =
1
2C
q
2
(t) =
1
2C
q
2
o
cos
2

o
t (5.1.4)
Su representacion se observa en la gura 5.2.
Figura 5.2: Energas electrica y magnetica instantaneas
137
Puede observarse que cuando u
m
(o u
e
) se anula, la otra energa es maxima y
est an por tanto intercambiandose. Dado que el sistema carece de perdidas, la energa
total, u(t) = u
e
(t) + u
m
(t), ha de ser constante e igual al valor maximo de u
m
o u
e
,
lo que puede vericarse a partir de 5.1.4 y 5.1.3.
Si se considera a continuacion la inclusion de perdidas en la forma de una resisten-
cia en paralelo (que puede representar las perdidas en el dielectrico de la capacidad),
seg un muestra la gura 5.3.
Figura 5.3: Circuito resonante paralelo con L, C y R
se tendra la siguiente ecuacion:
Gv(t) +C
d
dt
(v(t)) +
1
L

t
v(t)dt = 0
Aplicando transformada de Laplace:
GV (s) +CsV (s) +
1
Ls
V (s) = 0

G+Cs +
1
Ls

V (s) = 0
Luego debe cumplirse siempre que:
G+Cs +
1
Ls
= 0 (5.1.5)
Cs
2
+Gs +
1
L
= 0 (5.1.6)
Resolviendo esta ecuacion:
s =
G
2C

G
2
4C/L
2C
=
G
2C
j

4C/L G
2
4C
2
=
G
2C
j

1
CL

1
4

G
C

2
=
G
2C

2
o

G
2
4C
2
=
t
j
nr
138
donde se ha supuesto G < 2
o
C.
De manera que, con una eleccion adecuada del origen de tiempos, las se nales en
el circuito son de la forma:
e

t
t
cos
nr
t ;
nr
=
o

G
2
o
C

2
donde a
nr
se le denomina frecuencia natural de resonancia y que evidentemente
corresponde a las oscilaciones libres del circuito.
Si ahora el circuito de la gura 5.3 esta excitado mediante un generador senoidal
de frecuencia f conectado entre los dos terminales indicados, se dene la frecuencia
de resonancia, f
r
, como aquella para lo que se cumple una de las dos condiciones
equivalentes siguientes:
1. La impedancia, o la admitancia, de entrada del circuito es real, o lo que es
equivalente, la reactancia o la susceptancia de entrada del circuito se anula.
2. Las energas medias magnetica U
m
y electrica U
e
almacenadas en el circuito son
iguales.
la equivalencia entre estas dos condiciones se demostrara mas adelante. Por el mo-
mento, observese que si U
m
= U
e
la inductancia y la capacidad intercambian sus
energas entre s, sin que exista sobrante perceptible por el generador, que se limita a
entregar la potencia disipada en la resistencia.
Cuando la frecuencia no coincide con f
r
, y U
m
= U
e
, el exceso de energa que
predomina se intercambia con el generador, que percibe, por tanto, una impedancia
reactiva.
La utilidad de la segunda denicion estriba en su caracter mas general, desvincu-
lado del concepto concreto de impedancia. Notese ademas que f
r
se dene en regimen
permanente y no tiene por que coincidir con f
nr
, que se reere al circuito oscilando
abandonado a s mismo.
La aplicacion del segundo criterio sobre el circuito de la gura 5.3 resulta:
U
m
=
1
4
L|I|
2
=
1
4
L
|V |
2

2
r
L
2
U
e
=
1
4
C|V |
2
donde se han tomado |V | y |I| como valores de pico.
U
m
= U
e

1

2
r
L
= C
r
=
1

LC
=
o
139
Es decir coincide con la de libre oscilacion si no hubiese perdidas. Cuando se
obtenan los ceros del polinomio 5.1.5 se supona que G < 2
o
C, de forma que la
solucion de s tena una parte imaginaria. Normalmente ocurrira que G 2
o
C,
en cuyo caso se habla de que las perdidas son peque nas, interpretando G como las
perdidas (generalmente no deseadas) asociadas con el circuito resonante.
La cuanticacion de las perdidas de un circuito resonante se realiza a traves de
un factor de calidad Q denido, para regimen senoidal permanente ( es decir, con el
circuito excitado con un generador senoidal) como:
Q =
r
Energa media almacenada
Potencia media disipada

=
r
(5.1.7)
En virtud de esta denicion, para el esquema anterior, se obtiene que:
Q =
r
U
m
+U
e
P
L

=
r
=
o
2U
e
P
L
=

o
C
G
(5.1.8)
De manera que la condicion de perdidas bajas puede escribirse como Q 1.
En funcion del Q, la frecuencia natural de resonancia queda:

nr
=
o

1
1
4Q
2
(5.1.9)
A frecuencias de microondas lo normal es trabajar con valores de Q que varan
desde 100 a 10.000. Observese que incluso para un valor bajo de Q = 50 resulta que:

nr
=
o

1
1
10,000
= 0, 99995
o
por cuya razon en la practica no suele distinguirse entre f
r
y f
nr
, hablandose solamente
de frecuencia de resonancia y tomando esta como f
o
=
1

LC
.
Si se calcula ahora la admitancia vista en bornes del condensador:
Y = G+jC +
1
jL
que se puede poner como:
Y = G+j
o
C

1
CL
o

= G+j
o
C

Si se llama a:

1
2

(5.1.10)
140
se podra poner que:
Y = G(1 + 2jQ)
Para frecuencias en la proximidad de la de resonancia
o
, la expresion para
puede linealizarse:
() =
1
2

(
o
) +

(
o
) (
o
) =

o

o
=
pudiendo poner que
Y G(1 + 2jQ) (5.1.11)
f = f
o
(1 +) (5.1.12)
De haber sido un circuito resonante serie se habran obtenido la expresion:
Z R(1 + 2jQ) (5.1.13)
Notese que parar f = f
o
, |Y | tiene un mnimo (|Z| un maximo), y que el ancho
de banda relativo W a 3 dB, denido a partir de las frecuencias para las que |Z|
disminuye es el factor

2, gura 5.4, es igual al inverso del Q del circuito, como


puede calcularse facilmente a partir de 5.1.11.
Figura 5.4: Impedancia circuito RLC paralelo.
El ancho de banda relativo viene dado por W = (f
2
f
1
)/f
o
.
A las frecuencias f
1
y f
2
debe cumplirse que:
|Y | =

2G
Es decir
141
|Y |
2
= 2G
2
= G
2
(1 + 4Q
2

1,2
)
Por lo que

1,2
=
1
2Q
Y como

1,2
=

1,2

o

o
=
W
2
Resulta que
W =
1
Q
(5.1.14)
Hasta ahora se ha considerado que las perdidas en el circuito se producan en una
resistencia en paralelo con la C y la L. Si la resistencia estuviese en serie con la bobina
como muestra la gura 5.5, se podra hacer un analisis similar.
Figura 5.5: Resistencia serie con la bobina.
En este caso se tendra que:
R
L
i(t) +L
d
dt
i(t) +
1
C

t
i(t)dt = 0
y aplicando transformada de Laplace:
R
L
I(s) +LsI(s) +
1
C
I(s)
s
= 0
Luego debera cumplirse que:
R
L
+Ls +
1
C
1
s
= 0
142
Resultando que sus races valdran:
s =
R
L
2L
j

R
2
L
4L
2
+
4L
4L
2
C
=
R
L
2L
j
o

R
L
2
o
L

2
=
t
j
nr
La frecuencia de resonancia en regimen permanente f
r
se calcula como en el caso
anterior (generador entre terminales):
U
e
= U
m
donde ahora U
e
y U
m
seran:
U
e
=
1
4
C|V |
2
(5.1.15)
U
m
=
1
4
L|I|
2
=
1
4
L
|V |
2
R
2
L
+
2
r
L
2
(5.1.16)
Luego se tendra que
C = L
1
R
2
L
+
2
r
L
2
Despejando
r
:

r
=

1
LC

R
2
L
L
2
=
o

R
L

o
L

2
A la resistencia se la llama R
L
indicando que son las perdidas asociadas a la
bobina.
Por otro lado el factor de calidad valdra:
Q
L
=
r
U
P
L

=
r
=
r
2U
m
P
L

=
r
=
r
1/2|I|
2
1/2R
L
|I|
2
=

r
L
R
L
(5.1.17)
Con lo que la frecuencia de resonancia puede reescribirse como:

nr
=
o

1
1
4Q
2
L
(5.1.18)

r
=
o

1
1
Q
2
L
(5.1.19)
143
Como anteriormente, ambas practicamente coinciden con
o
en la mayora de los
casos, por lo que tambien se toma que:
Q
L
=

o
L
R
L
=
1
R
L

o
C
Por lo que se reere a la admitancia de entrada de este circuito se tendra que:
Y = jC +
1
R
L
+jL
= jC +
R
L
R
2
L
+
2
L
2
j
L
R
2
L
+
2
L
2
= jC +
1/R
L
1 + (/
o
)
2
Q
2
j
L/R
2
L
1 + (/
o
)
2
Q
2
(5.1.20)
expresion que para valores de proximos a
o
y Qelevado admite dos niveles sucesivos
de aproximacion:
Y jC +
1/R
L
(/
o
)
2
Q
2
j
L/R
2
L
(/
o
)
2

2
o
L
2
/R
2
L
= jC +
1
R
L
Q
2
(/
o
)
2
j
1
L
jC +
1
R
L
Q
2
j
1
L
Proporcionando el circuito equivalente de la gura 5.6
Figura 5.6: Circuito equivalente con R
L
.
Si en vez de haber tenido la resistencia en serie con la bobina, se hubiese tenido
en serie con la capacidad, gura 5.7 , el resultado habra sido semejante.
Y jC j
1
L
+
1
R
C
Q
2
C
siendo en este caso
Q
C
=
1

o
CR
C
(5.1.21)
144
Figura 5.7: Circuito resonante con R en serie con capacidad
En conclusion, si las perdidas son peque nas y para frecuencias proximas a la de
resonancia, las perdidas en un circuito resonante paralelo pueden atribuirse a una
resistencia en paralelo con la bobina y el condensador con independencia de donde se
produzcan fsicamente. De forma general se tendra un circuito como el de la gura
5.8.
Figura 5.8: Circuito equivalente total resonancia paralela.
Donde se puede observar las siguientes relaciones:
Q
L
=

o
L
R
L
; Q
C
=
1

o
CR
C
; Q
p
=
R
p

o
L
(5.1.22)
G


1
R
L
Q
2
L
+
1
R
C
Q
2
C
+
1
R
p
=
1

o
LQ
L
+

o
C
Q
C
+
1
R
p
=
1

o
LQ
L
+
1

o
LQ
C
+
1

o
LQ
p
(5.1.23)
145
Se puede observar tambien que el inverso del Q del circuito es la suma de los
inversos de cada resistencia considerada separadamente.
1
Q
=
G

o
C
= G

o
L =
1
Q
L
+
1
Q
C
+
1
Q
p
resultando tambien evidentemente a partir de la denicion del factor de calidad:
1
Q
=
1

o
P
L
U

=
r
ya que las perdidas totales son la suma de las consideradas separadamente en cada
resistencia. Todava se pueden obtener mas resultados, sin atender a la estructura
particular del circuito que conforma el resonador, si se hace uso de la propiedad de
que, para Q elevadas,
nr
=
r
=
o
, es decir, las frecuencias de resonancia son las
mismas en regimen permanente y transitorio. En efecto en ausencia del generador
(regimen transitorio) y a partir de la denicion del factor de calidad:
P
L
=
dU
dt
=

o
Q
U
de donde se deduce que
U(t) = U
o
e

o
Q
t
de manera que las se nales en el circuito son de la forma:
v(t), i(t) e


o
2Q
t
cos
o
t e
j
o(
1+j
1
2Q
)
t
Es decir, formalmente, la aparicion de perdidas en el circuito resonante, con in-
dependencia de como y donde se produzcan estas, se traduce en una frecuencia de
resonancia compleja:

o
=

1 + j
1
2Q

(5.1.24)
Resultado de gran utilidad en el analisis de perdidas en situaciones resonantes
complicadas que no admiten un planamiento analtico sencillo, como en el caso de
cavidades resonantes que se estudiaran mas adelante.
Para ilustrar la utilidad del resultado anterior, se considerara un circuito resonante
paralelo sin perdidas, para el que la impedancia de entrada vendra dada por:
Z() =
jL
1
jC
jL +
1
jC
=
1
j
L
CL

1
lc
=
J

C

2
o
=
j/C

2
o

2
(5.1.25)
146
Impedancia que se puede poner en el entorno de
o
como:
Z() =
j/C
(
o
)(
o
+)

j/C
2(
o
)
(5.1.26)
La presencia de perdidas en el circuito modica el resultado anterior cambiando

o
por
o
:
Z()
j/C
2(
o
)
=
j/C
2
o
+j

o
Q
2
=
Q

o
C
j2Q+ 1 +j2Q/
o
=
Q/
o
C
1 +j2Q(/
o
1)
(5.1.27)
Z()
Q/(
o
C)
1 + 2jQ
=
1/G
1 + 2jQ
(5.1.28)
expresion identica a la 5.1.11 obtenida anteriormente.
Debe advertirse que, si bien hasta ahora se ha elegido un circuito resonante paralelo
como modelo de trabajo, todos los calculos y conclusiones pueden trasladarse a un
circuito serie haciendo uso de la dualidad entre ellos.
5.2. Resonadores con lneas de transmision
Todos los conceptos vistos anteriormente pueden extenderse a situaciones mas
generales que los de una red L-C, y en particular, a lneas de transmision.
Se considera una seccion de longitud l de lnea ideal en cortocircuito, gura 5.9.
Figura 5.9: Lnea de transmision en cortocircuito.
La impedancia de entrada Z
i
viene dada por:
Z
i
= jZ
o
tan l = j

L
C
tan(

LCl)
147
Es decir la impedancia de entrada tiene innitos ceros e innitos polos (inmitancia
de entrada real, en este caso nula), es decir, tiene innitas frecuencias de resonancia
de acuerdo con la condicion de [Z
i
()] = 0.
5.2.1. Circuito equivalente
Por otra parte, dado que el circuito es sin perdidas y los polos y ceros de Z (o
Y ) estan alternados, admite los dos posibles circuitos equivalentes de la gura 5.10
(formas de Foster).
a
b
Figura 5.10: a-Forma Foster paralelo. b-Forma Foster serie.
El circuito 5.10-a pone de maniesto los ceros de Z (
sn
, frecuencias a las que
l = n/2) y el circuito 5.10-b los de Y (
pn
, frecuencias a las que l = (2n 1)/4).
Seg un esto se tendra que:
Ceros de Z

sn

LCl = n (n = 0, 1, 2, ...)

sn
=
n
l

LC
Ceros de Y

pn

LCl =
2n 1
2
(n = 1, 2, 3, ...)

pn
=
(2n 1)
2

LCl
Los valores de los elementos de los circuitos equivalentes pueden calcularse del
modo siguiente:
Para
so
= 0 se tiene que l = /cl 1, que permite aproximar la impe-
dancia de entrada como:
Z
i
= jZ
o
tan l jZ
o
l = j

L
C

LCl = jLl
148
de manera que L
o
= Ll.
Para las siguientes resonancias se tendra:

sn
; l = (
sn
+ )

LCl =
sn

LCl

1 +

sn

= n

1 +

sn

por lo que:
Z
i
= jZ
o
tan

1 +

sn

= jZ
o
tan(n +n) = jZ
o
tan(n)
Para n 1
1
se tendra que:
Z
i
jZ
o
n (5.2.1)
Al mismo tiempo, en las proximidades de
sn
todos los circuitos serie de la gura
5.10-a presentan una impedancia nita excepto el formado por L
sn
C
sn
, para el que
se hace arbitrariamente peque na. Por lo tanto, del circuito equivalente:
Z
i
= j

L
sn

1
C
sn

= j
sn
L
sn

sn

sn
/

2j
sn
L
sn
(5.2.2)
expresion que al ser igualada a 5.2.1 proporciona
jZ
o
n = 2j
sn

L
sn
=
Z
o
n
2
sn
=

L
C
n
2n
l

LC =
Ll
2
(5.2.3)
Por otro lado C
sn
se obtiene inmediatamente a partir de la condicion:
C
sn
L
sn
=
1

2
sn
(5.2.4)
C
sn
=
1
L
sn
(n)
2
l
2
LC
=
1
Ll
2
(n)
2
l
2
LC
=
2lC
(n)
2
(5.2.5)
Los elementos del circuito de la gura 5.10-b se calculan de manera analoga,
obteniendo:
1
Elliott [2] propone como criterio n /40 , lo que lleva a un error relativo del 0, 2 % y a unos
valores lmite para n de n Q/20 para resonancia serie y n Q/20 +1/2 para resonancia paralela.
149
C
pn
=
1
2
Cl =
(2n 1)Y
o
4
pn
(5.2.6)
L
pn
=
8Ll
(2n 1)
2

2
=
4Z
o
(2n 1)
pn
(5.2.7)
Para este circuito cuando 0 su impedancia se reduce a la de una impedancia
de valor:
L

o
=

i=1
L
pi
=
8Ll

i=1
1
(2i 1)
2
(5.2.8)
donde

i=1
1
(2i 1)
2
=

2
8
(5.2.9)
Por lo que
L

o
=
8Ll

2
8
= Ll = L
o
(5.2.10)
Resultado que concuerda con el examen del circuito 5.10-a cuando 0.
Las conclusiones para el caso de una lnea en circuito abierto son analogos.
Con frecuencia, el comportamiento de estos circuitos solamente interesa en las
proximidades de una determinada resonancia, en cuyo caso el circuito equivalente
puede simplicarse considerando unicamente aquel circuito LC que produce el cero
o polo en cuestion. Si ademas, como es normal, las resonancias de interes se limitan
a las dos primeras, los circuitos equivalentes simplicados son los que se recogen en
las guras 5.11 y 5.12.
Para terminar este analisis, basado en la b usqueda de ceros y polos de inmitancias,
resta vericar que para las resonancias halladas se cumple la condicion U
e
= U
m
.
En efecto, para una lnea en cortocircuito, con el origen, z = 0, en el cortocircuito,
gura 5.13 se tendra que:
V = 2jV
+
sen z (5.2.11)
I = 2Y
o
V
+
cos z (5.2.12)
Para l = /4 (primera resonancia):
U
e
=
1
4
C

0
/4
|V |
2
dz =
C
4
4|V
+
|
2

0
/4
sen
2
z dz =
1
8
C|V
+
|
2
(5.2.13)
150
L
p1
=
4Z
0

o
C
p1
=
Y
o
4
o
L
s1
=
Z
0
2
o
C
s1
=
2Y
0

o
Figura 5.11: Circuito equivalente lnea en cortocircuito
L
s1
=
Z
0
4
o
C
s1
=
4Y
o

o
L
p1
=
2Z
0

o
C
p1
=
Y
0
2
o
Figura 5.12: Circuito equivalente lnea en circuito abierto
donde C es la capacidad de la lnea por unidad de longitud.
En cuanto a la energa magnetica media almacenada sera:
U
m
=
1
4
L

0
/4
|I|
2
dz =
L
4
4Y
2
o
|V
+
|
2

0
/4
cos
2
z dz =
1
8
L|V
+
|
2
Y
2
o
(5.2.14)
Y teniendo en cuenta que Y
2
o
= C/L resulta U
e
= U
m
, como caba de esperar.
En las restantes resonancias, l es un m ultiplo de /4 y el calculo de U
e
y U
m
proporcinan, de manera inmediata, n veces los valores de 5.2.13 y de 5.2.14, de manera
que contin ua vericandose la igualdad.
151
Figura 5.13: Lnea en cortocircuito
5.2.2. Ondas estacionarias. Impedancia Z
d
y Z
i
Considerando una seccion de lnea ideal con sus extremos en cortocircuito o en
circuito abierto, aislada de cualquier otro sistema, se podra preguntar bajo que
condiciones podran existir en las mismas distribuciones de tension y corriente no
nulas?
Una posible respuesta resulta de considerar, por ejemplo, la distribucion estacio-
naria de tension y corriente en una lnea en cortocircuito, gura 5.14.
Figura 5.14: Onda estacionaria
Para todos los planos que distan del cortocircuito un n umero impar de /4
(A
1
, A
2
, . . .) la corriente I es nula, y por tanto los conductores pueden cortarse
sin perturbar el sistema ni a la izquierda ni a la derecha, obteniendo de esta manera
trozos de lnea aislados con distribuciones de corriente y tension identicas a las que
tenan antes de cortar.
Analogamente, en los planos que distan n/2 del cortocircuito (B
1
, B
2
, . . .),
por se tension nula, se puede conectar entre s los dos conductores de la lnea y
152
posteriormente cortar como en el caso anterior. Ahora se obtendran trozos de lnea
con sus extremos en cortocircuito.
De igual manera se podra proceder partiendo de una lnea en circuito abierto,
llegando en denitiva a las tres posibles situaciones basicas de la gura 5.15, donde se
han dibujado las distribuciones de |I| y de |V | para los modos resonantes mas bajos.
Figura 5.15: Situaciones basicas de resonancia con un lnea de transmision
Es evidente que, desde este punto de vista, se han encontrado las mismas reso-
nancias que anteriormente.
Por otra parte, tambien existe una onda estacionaria con ceros de |V | e |I| si la
impedancia de carga es puramente reactiva, ya que tambien produce una reexion
total (una carga reactiva se puede sustituir por un trozo de lnea a frecuencia dada).
De manera que el caso mas general del anterior analisis habra sido situar cargas
reactivas en los extremos de la lnea, como muestra la gura 5.16.
Figura 5.16: Resonador con lnea de transmision terminada con reactancias
La diferencia en este caso respecto a las anteriores (con cortocircuitos y circuitos
abiertos), es que en la carga no habra ni un mnimo ni un maximo de |V | o |I|, y las
secciones obtenidas no seran de longitud /4 o /2. Se puede, por tanto, preguntarse
por las resonancias de una seccion de lnea con dos reactancias en sus extremos, ya que
es una estructura sin perdidas. La respuesta puede darse, interpretando la resonancia
como una onda estacionaria atrapada entre las dos reexiones totales de los extremos.
153
Si se elige un plano de referencia cualquiera, y se denomina Z
D
y Z
I
a las impedancias
vistas a la derecha y a la izquierda, respectivamente, y V
+
y V

las amplitudes de
las ondas positiva y negativa en el plano, se tendra, seg un se mire a la derecha o a la
izquierda:
V

V
+
=
Z
D
Z
0
Z
D
+Z
0
=
Y
0
Y
D
Y
0
+Y
D
(5.2.15)
V
+
V

=
Z
I
Z
0
Z
I
+Z
0
=
Y
0
Y
I
Y
0
+Y
I
(5.2.16)
Igualando ambas expresiones:
Z
D
Z
0
Z
D
+Z
0
=
Z
I
+Z
0
Z
I
+Z
0
(5.2.17)
Y
0
Y
D
Y
0
+Y
D
=
Y
0
+Y
I
Y
0
Y
I
(5.2.18)
De donde se puede deducir que:
Z
D
Z
I
+Z
2
0
Z
0
(Z
I
+Z
D
) = Z
D
Z
I
+Z
2
0
+Z
0
(Z
I
+Z
D
) (5.2.19)
Y
2
0
Y
0
(Y
I
+Y
D
) +Y
D
Y
I
= Y
2
0
+Y
0
(Y
I
+Y
D
) +Y
I
Y
D
(5.2.20)
es decir
Z
I
+Z
D
= 0 (5.2.21)
Y
I
+Y
D
= 0 (5.2.22)
Tambien se habra cumplido las relaciones 5.2.17 y 5.2.18 si
Z
I
, Z
D
= (5.2.23)
Y
I
, Y
D
= (5.2.24)
La satisfaccion de las condiciones 5.2.21 y 5.2.23, o las de admitancia 5.2.22 y
5.2.24, dara por tanto las resonancias del circuito.
Ejemplo: Si se considera una lnea de longitud l con sus extremos en cortocircuito,
gura 5.17, calcular las frecuencias de resonancias.
154
Figura 5.17: Resonador con linea terminada con dos cortocircuitos
Para aplicar las condiciones anteriores se puede elegir como plano de referencia el
de simetra, z = l/2, y se tendra que:
Z
I
= Z
D
= jZ
0
tan
l
2
(5.2.25)
Aplicando la condicion 5.2.21 se tendra que:
tan
l
2
= 0
2

l
2
= n
l
2
= n

2
l = 2n

2
n = 0, 1, 2, ... (5.2.26)
De la condicion 5.2.23 se tendra que:
tan
l
2
=
2

l
2
=

2
(2n+1)
l
2
= (2n+1)

4
l = (2n+1)

2
n = 0, 1, 2, ...
(5.2.27)
Es decir de la primera condicion se obtiene que l sea un n umero par de /2 y de
la segunda un n umero impar.
Otra opcion es tomar como referencia uno de los extremos, por ejemplo z = 0. En
este caso si se aplican las condiciones sobre Z
I
y Z
D
se tendra:
Z
I
= 0 (5.2.28)
Z
D
= jZ
0
tan l (5.2.29)
Y aplicando las condiciones de resonancia 5.2.21 y 5.2.23:
tan l = 0 l = n

2
(5.2.30)
Z
I
= No puede satisfacerse (5.2.31)
155
Es decir de la condicion 5.2.21 se extraen todas las frecuencias de resonancia.
Ejemplo: Otro ejemplo lo constituira una lnea de Z
0
= 1 y de longitud l cargada
en sus extremos con dos reactancias, como se muestra en la gura 5.18.
Figura 5.18: Lnea terminada con dos reactancias.
Si se escoge el plano z = 0 se tendra que:
Z
I
= jZ
1
(5.2.32)
Z
D
=
jX
2
+ j tan l
1 + jX
2
j tan l
(5.2.33)
Aplicando la condicion 5.2.21 se tendra:
jX
1
(1 + jX
2
j tan l) + jX
2
+ j tan l = 0
X
1
X
1
X
2
tan l + X
2
+ tan l = 0
Luego
tan l =
X
1
+ X
2
1 + X
1
X
2
(5.2.34)
Alternativamente, se puede sustituir las reactancias jX
1
y jX
2
por secciones de
la misma lnea de transmision (Z
0
= 1) en cortocircuito que proporcionan valores
equivalentes, y obtener las resonancias de la lnea resultante de longitud l +l
1
+l
2
, a
partir del resultado conocido de ser un m ultiplo de /2.
jX
1
= j tan l
1
(5.2.35)
jX
2
= j tan l
2
(5.2.36)
La resonancia se producira cuando l + l
1
+ l
2
= n/2. Por lo que
156
(l
1
+l
2
+l) =
2

2
n = n l = n (l
1
+l
2
) tan l = tan (l
1
+l
2
)
De forma que
tan l =
tan l
1
+ tan l
2
1 tan l
1
tan l
2
=
X
1
+X
2
X
1
X
2
1
(5.2.37)
Obteniendose el mismo resultado que anteriormente.
Ejemplo: Cuando hay involucradas varias lneas de caractersticas diferentes,
como en la gura 5.19, puede apreciarse mejor la utilidad de las expresiones 5.2.21 y
5.2.23.
Figura 5.19: Resonador con dos lneas de transmision.
En efecto en este caso se obtiene:
Z
01
tan

c
1
l
1

+Z
02
tan

c
2
l
2

= 0 (5.2.38)
Ecuaci on transcendente que, resolviendola por metodos numericos, daran los in-
nitos valores de que la cumplen.
Por otra parte se tendra que:
tan

c
1
l
1

= tan

c
2
l
2

= (5.2.39)
Cuya satisfaccion simultanea es generalmente imposible a menos que el cociente
entre l
1
/c
1
y l
2
/c
2
sea un n umero racional.
157
5.2.3. Perdidas. Factor de calidad
Hasta ahora se han analizado las resonancia en lneas de transmision ideales sin
tener en cuenta las perdidas. Cuando aparecen perdidas, es necesario rehacer los
calculos que proporcionan los elementos de los circuitos equivalentes de las guras
5.11 y 5.12.
Volviendo al ejemplo de seccion de lnea en cortocircuito, gura 5.20, en este caso
la impedancia de entrada a cualquier frecuencia sera:
Z
i
= Z
0
tanh l +j tan l
1 +j tanh l
tan l (5.2.40)
Figura 5.20: Resonador con lnea de transmision con perdidas
Si se supone que las perdidas son bajas se puede hacer la siguiente aproximacion:
l 1 tanh l l
Si ademas se eval ua esta impedancia a frecuencias proximas a la n-esima resonan-
cia serie se puede poner que:

sn
=
n

LCl
=
sn
(1 +) =
n

LCl
(1 +) =
1

LC
y se tendra que
l = n(1 +) (5.2.41)
Si se esta proximo a
sn
querra decir que 1, por lo que
tan l = tan(n +n) = tan n n
Sustituyendo estas dos aproximaciones en la expresion de Z
i
:
158
Z
i
Z
0
l +jn
1 +jln
Z
0
(l +jn)
Z
i
Z
0
l

1 +j
n
l

(5.2.42)
Esta ultima expresion puede reescribirse de la forma:
Z
i
R
sn
(1 + 2jQ
sn
) (5.2.43)
donde
R
sn
= Z
0
l
Q
sn
=
n
2l
que corresponde a la impedancia de entrada de un circuito resonante serie con perdi-
das, gura 5.21.
Figura 5.21: Circuito CLR resonante serie
Z
i
= R
sn
+jL
sn

sn

sn


sn

Z
i
R
sn

1 +j

sn
L
sn
R
sn
2

= R
sn
(1 +jQ
sn
2) (5.2.44)
Comparando las expresiones 5.2.43 y 5.2.44 se puede comprobar que los valores
de R
sn
y Q
sn
son consistentes, puesto que:
Q
sn
=

sn
L
sn
R
sn
=
n

LCl
Ll
2
Z
0
l
=
nL

LC2

L
C
l
=
n
2l
(5.2.45)
159
Por otra parte, el valor de Q
sn
puede reescribirse como:
Q
sn
=
n
2l
=
l
1 +
2l

=
sn
=

2

=
sn
=

sn
2c
(5.2.46)
Expresion que puede comprobarse que tambien es valida para las resonancias
paralelo, as como para una seccion de lnea en circuito abierto. Comparando esta
expresion de Q
sn
con la propia denicion del factor de calidad 5.1.7, resulta evidente
que la relacion entre la energa almacenada y la potencia disipada, U/P
L
, sera igual
a 1/(2c), que resulta ser independiente de n, es decir del orden de la resonancia.
En consecuencia, cuando una lnea tiene perdidas, los circuitos equivalentes de las
guras 5.11 y 5.12 han de modicarse introduciendo resistencias de valor adecuado
en cada circuito resonante, de manera que proporcionen un valor de Q = /2.
Es instructivo volver a obtener los resultados anteriores por el procedimiento apro-
ximado de calcular las perdidas a partir de las distribuciones de tension y corriente
en el caso ideal sin perdidas. Volviendo a los ejemplos de lneas en cortocircuito y
circuito abierto, se tendra que la potencia disipada sera:
P
L
=
1
2
R

z
2
z
1
|I|
2
dz +
1
2
G

z
2
z
1
|V |
2
dz =

e
(z
2
z
1
)
1

=
1
2
RY
2
0

z
2
z
1

V
+
e
jz
V

e
jz

2
dz +
1
2
G

z
2
z
1

V
+
e
jz
+V

e
jz

2
dz
=
1
2
RY
2
0

z
2
z
1

|V
+
|
2
+|V

|
2
2|V
+
V

| cos 2z

dz+
1
2
G

z
2
z
1

|V
+
|
2
+|V

|
2
2|V
+
V

| cos 2z

dz (5.2.47)
Cuando la seccion de lnea es un m ultiplo entero de /4, como en los casos reso-
nantes que se estan tratndo, y solamente en este caso:

z
2
z
1
cos 2zdz = 0 ; (z
2
= z
1
+n/4)
y en consecuencia:
P
L
= P
+
L
+P

L
donde se ha denido P

L
como:
160
P

L
=

1
2
RY
2
0
+
1
2
G

z
2
z
1
|V

|
2
dz (5.2.48)
como potencias que disiparan las ondas positiva y negativa.
Analogamente se puede poner que:
U
m
= U
+
m
+U

m
(5.2.49)
U
e
= U
+
e
+U

e
(5.2.50)
U = U
+
+U

(5.2.51)
Por otra parte para un cortocircuito o circuito abierto se tiene que |V
+
| = |V

|,
y en consecuencia:
P
+
L
= P

L
(5.2.52)
U
+
= U

(5.2.53)
Con todas estas expresiones se pueden calcular el Q de una seccion m ultiplo entero
de /4:
Q =
o
U
P
L
=
o
2U
+
2P
+
L
=

o
v
E
v
E
U
+
P
+
L
(5.2.54)
donde v
E
es la velocidad de propagacion de la energa que viene dada por
v
E
=
P
+
U
+
(5.2.55)
Y se tendra que
Q =

o
v
E
P
+
P
+
L
=

o
v
p
v
p
v
E
1
2
P
+
L
2P
+
=
v
p
v
E

2
(5.2.56)
Para el caso de la lnea no dispersiva se deduce que Q = /2, como ya se haba
obtenido anteriormente.
Ejemplo: Considerese el circuito de la gura 5.22. Calcular las frecuencias de
resonancia del circuito.
En este caso el metodo mas adecuado para el calculo de las frecuencias de reso-
nancia es el que hace uso de los conceptos de impedancias a izquierda y a derecha.
Efectivamente se trata de una estructura donde en la lnea de transmision se puede
161
Figura 5.22: Circuito resonante con lnea de transmision y condensador
encontrar una onda atrapada. Escogiendo z = l como el plano de referencia donde
denir las impedancias Z
I
y Z
D
resultara que:
Z
I
=
1
jC
o
Z
D
= jZ
0
tan l
De las dos condiciones de resonancia, la segunda, 5.2.23, no se podra cumplir y por
tanto todas las frecuencias de resonancia las aportara la primera condicion, 5.2.21.
Aplicando dicha condicion de resonancia se tendra que:
Z
0
tan l =
1
C
o
l =

v
l = tan
1

Y
0
C
o

(5.2.57)
Se trata de una ecuacion transcendente, donde para despejar los innitos valores
de que la cumplen, gura 5.23, habra que emplear alg un metodo numerico.
Figura 5.23: Frecuencias de resonancia condensador y lnea de transmision
162
En el caso de tener perdidas la lnea, la expresion Q = /2 no puede emplear-
se puesto que el condensador contribuye a almacenar energa, en concreto energa
electrica. Lo mismo pasara si un cortocircuito tuviese perdidas, puesto que en este
caso contribuira a disipar potencia. Suponiendo perdidas solo en la lnea de transmi-
sion, para calcular Q resulta mas sencillo calcular la energa magnetica, pues solo la
lnea tiene capacidad para almacenarla:
U = 2U
m
= 2
1
4
L

0
l
|I|
2
dz =
1
2
LY
2
0
|V
+
|
2

0
l
4 cos
2
zdz
=
1
4
LY
2
0
|V
+
|
2
4

0
l
(1 + cos 2z)dz = LY
0
|V
+
|
2

l +
1
2
sen 2l

La potencia disipada se calcula evaluando 5.2.47 en el intervalo (l, 0) y teniendo


en cuanta que |V
+
| = |V

|:
P
L
= RY
2
0
|V
+
|
2

l +
1
2
sen 2l

+G|V
+
|
2

l
1
2
sen 2

(5.2.58)
Estas expresiones de la energa almacenada y la potencia disipada permiten el
calculo del factor de calidad.
5.3. Cavidades resonantes
Despues de haber visto resonancias tanto con elementos concentrados como con
elementos distribuidos, como son las lneas de transmision, en este apartado se re-
petira los analisis anteriores haciendo uso ahora de las guas de onda que se vieron
en el captulo 2. Una cavidad resonante, como su nombre indica, es un volumen en-
cerrado por unas paredes, normalmente electricas. En algunos casos esta cavidad se
puede interpretar como procedente de una gua de ondas que se ha cerrado con dos
planos transversales. En este tema se abordara el estudio de cavidades que se puedan
interpretar de esta forma, permitiendo hacer uso de las soluciones de los campos en
la gua y tan solo debiendo imponer las condiciones de contorno que establezcan las
paredes transversales introducidas.
Un metodo bastante ilustrativo, para el calculo de los campos electromagneticos
en una cavidad resonante, consiste en interpretarla como una gua de ondas que se
cierra en determinados planos transversales. Esta situacion recuerda a la vista con
lneas de transmision cuando se cargaban con factores de reexion con modulo unidad
y que permitan tener una onda atrapada en la lnea. Esto daba lugar a la aparicion
de corrientes y tensiones a lo largo de la lnea sin necesidad de ning un generador y
163
manteniendose indenidamente para el caso ideal sin perdidas. En el caso de la gua se
producira una situacion semejante, de forma que para una gua cerrada con dos pla-
nos transversales con paredes electricas, sera capaz de mantener una distribucion de
campo electromagnetico sin necesidad de generador y manteniendose indenidamente
para el caso ideal sin perdidas.
Para ver todo esto lo mejor es verlo con un ejemplo, partiendo de una gua rectan-
gular con un modo fundamental propagandose. Si en esta gua existe un obstaculo o
discontinuidad transversalmente uniforme en z = z
0
, es decir, tal que sus propiedades
en el plano z = z
0
son independientes de las coordenadas transversales (por ejem-
plo plano conductor o cambio de dielectrico), se reejara toda o parte de la energa
incidente y se produciran ondas estacionarias. Un ejemplo de esto sera la gua rec-
tangular, con el modo fundamental TE
10
propagandose, e introduciendo una lamina
conductora extendida a traves de la gua en z = 0, gura 5.24.
Figura 5.24: Gua rectangular con PE en z = 0
Los campos seran una combinacion del modo fundamental propagandose en sen-
tido positivo, incidente, y en sentido negativo, reejado. Notese que las condiciones
de contorno impuestas por la lamina conductora podran cumplirse con tan solo estos
dos modos dado que la pared electrica es uniforme transversalmente. De no haber
sido as, por ejemplo un discontinuidad consistente en una lamina que solo cubriese
parcialmente el plano transversal, habra sido necesario la aparicion de modos de or-
den superior para respetar las condiciones de contorno. En el caso de lamina uniforme
transversalmente los campos electromagneticos seran:
E
y
=

E
+
0
e
jz
+E

0
e
jz

sen

a
x (5.3.1)
H
x
=
1
Z
TE

E
+
0
e
jz
E

0
e
jz

sen

a
x (5.3.2)
H
z
=
j


2a

E
+
0
e
jz
+E

0
e
jz

cos

a
x (5.3.3)
La condicion de contorno que introduce la pared electrica consiste en anular los
164
campos electricos tangenciales a dicha pared. En este caso las componentes tangencia-
les a la pared electrica situada en z = 0 coinciden con las componentes transversales.
Y como el campo electrico del modo fundamental TE
10
solo tiene componente electri-
ca seg un y, resulta que debera cumplirse que E
y
= 0|
z=0
E
+
0
= E

0
, por lo que:
E
y
= 2jE
+
0
sen z sen

a
x (5.3.4)
H
x
=
2
Z
TE
E
+
0
cos z sen

a
x (5.3.5)
H
z
= 2
E
+
0


2a

sen z cos

a
x (5.3.6)
Notese que E
y
se anula periodicamente en el resto de la gua cada vez que z = p,
habiendose establecido una onda estacionaria pura, al igual que ocurra con la lnea
de transmision cortocircuitada. Al igual que entonces se deca que la introduccion
de cortocircuitos, en donde se encontraban los nulos de tension, no modicaban las
condiciones de contorno y permitan extraer el tramo de la lnea de transmision corto-
circuitada en sus extremos, manteniendo la misma distribucion de tension y corriente,
en la gua se puede introducir una nueva pared electrica transversal en uno de los pun-
tos donde la componente E
y
se vuelva a anular. Esto dara lugar a una cavidad capaz
de mantener una distribucion de campo electromagnetico distinto de cero.
A continuacion se estudiaran los casos particulares de cavidades rectangulares y
cilndricas, para terminar con la exposicion del metodo perturbacional, util para el
analisis de situaciones muy parecidas a las conocidas analticamente.
5.3.1. Cavidad rectangular
Considerese la cavidad interior de una caja rectangular de paredes conductoras y
dimensiones internas a, b y d, gura 5.25.
La pregunta que se podra hacer para cualquier cavidad sera: bajo que condi-
ciones pueden existir campos electromagneticos en su interior? Un respuesta surge de
considerar ondas estacionarias de modos de la gua rectangular con el eje z arbitra-
riamente asignado a una de las aristas; por ejemplo seg un la arista de dimension d.
En este caso podran existir ondas estacionarias para aquellas frecuencias que haga
que d sea un n umero entero de semilongitudes de onda del modo de la gua, es decir
d = p (5.3.7)
Si es el modo TE
z
10
, las expresiones de las ondas estacionarias obtenidas anterior-
mente describen los campos en la cavidad, que se denominan modos TE
z
10p
. De forma
que solo son posibles campos a aquellas frecuencias que satisfagan esta condicion:
165
Figura 5.25: Cavidad rectangular

2
=

p
d

2
= k
2
k
2
c
=
2

2
(5.3.8)
es decir

TE
10p
=

1
a

2
+

p
d

2
(p = 1, 2, 3, ...) (5.3.9)
expresion que da la frecuencia de resonancia del modo TE
z
10p
.
Si se hubiese partido el modo TE
z
mn
de la gua se habra obtenido el TE
z
mnp
del
resonador, de frecuencia de resonancia:

TE
mnp
=

m
a

2
+

n
b

2
+

p
d

2
(5.3.10)
Analogamente si se partiesen del modo TM
z
mn
de la gua se obtendra el TM
z
mnp
del
resonador, con identica frecuencia de resonancia que el TE
z
mnp
, conociendose a estos
modos como degenerados. Si en las guas de onda se conocen como modos degenerados
aquellos que teniendo la misma frecuencia de corte tienen diferentes distribuciones de
campo, tambien en cavidades seran aquellos modos resonantes de igual frecuencia de
resonancia y diferente distribucion de campo.
Para terminar este apartado se discutira el modo TE
z
101
para el que ya se ob-
tuvieron las expresiones de sus campos, discusion que puede servir de modelo para
cualquier otro modo.
El factor de calidad Q se calcula facilmente a partir de su denicion Q =
0
U/P
L
,
calculando la energa almacenada U y la potencia disipada P
L
:
166
U = U
e
+U
m
= 2U
e
=
1
2

V
|E
y
|
2
dV (5.3.11)
P
L
=
1
2
R
s

S
| n

H|
2
dS (5.3.12)
Que U
e
= U
m
es evidente puesto que cada modo que se propaga en una gua
cumple esta igualdad y por tanto tambien la cumplira una combinacion de varios
modos. Tambien se ve que

E y

H estan en cuadratura y por tanto

E es maximo en el
instante que

H se anula y viceversa. La energa se intercambia periodicamente entre
el campo electrico y el magnetico como en todos los fenomenos de resonancia. De
aqu tambien se concluye que U
e
= U
m
Particularizando las expresiones de la energa almacenada y la potencia disipada
para el caso TE
101
se obtiene el siguiente factor de calidad:
Q =

4R
s

2b(a
2
+d
2
)
3/2
ad(a
2
+d
2
) + 2b(a
3
+d
3
)

(5.3.13)
de forma que para una cavidad c ubica se tiene:
Q = 0, 742

R
s
(5.3.14)
Y si las dimensiones fuesen tales que resonase por ejemplo a f = 10 GHz, y el
conductor fuese cobre:
Q 10,700 (5.3.15)
Por supuesto este valor es ideal, y no tiene en cuenta el acoplamiento de la cavidad
con el exterior, pero da una idea del orden de magnitud de valores que se pueden
obtener.
Notese que la nomenclatura de los modos de una cavidad rectangular es comple-
tamente arbitraria y depende de la arista que se elija como direccion de propagacion;
as por ejemplo el modo que se ha denominado TE
z
101
partiendo de la direccion de
propagacion seg un z es el TM
y
110
seg un la direccion y.
5.3.2. Cavidad cilndrica
El analisis se puede hacer de forma similar al que se hizo con la cavidad rectan-
gular, es decir partiendo de modos que se propagan por una gua circular. Colocando
primero en z = 0 un plano conductor y posteriormente otro plano conductor en z = d
se formara una cavidad cilndrica como la mostrada en la gura 5.26.
167
Figura 5.26: Cavidad cilndrica
Por ejemplo si se parte del modo fundamental en la gua circular, TE
11
, pro-
pag andose en sentido positivo de z y se le a nade otro modo igual propagandose en
sentido negativo de z, se tendran las siguientes expresiones del campo:
H
z
= J
1
(k
c
) cos (A
+
e
jz
+ A

e
jz
)
H

= j

k
c
J

1
(k
c
) cos (A
+
e
jz
A

e
jz
)
H

= j

k
2
c

J
1
(k
c
) sen (A
+
e
jz
A

e
jz
)
E

= j

k
c
J

1
(k
c
) cos Z
TE
(A
+
e
jz
+ A

e
jz
)
E

= j

K
2
c

J
1
(k
c
) sen Z
TE
(A
+
e
jz
+ A

e
jz
)
con
Z
TE
= j

n
=

1 (f
c
/f)
2
y donde
k
c
=
P

11
a
=
1, 841
a
Si en z = 0 se coloca un plano conductor deberan anularse las componentes
electricas tangenciales al mismo, es decir E

|
z=0
= E

|
z=0
= 0, lo que conduce a que
A
+
= A

= A. De forma que las anteriores expresiones del campo quedaran como:


168
H
z
= A2j J
1
(k
c
) cos sen z
H

= j2A

k
c
J

1
(k
c
) cos cos z
H

= j2A

k
2
c

J
1
(k
c
) sen cos z
E

= 2A

k
c
J

1
(k
c
) cos Z
TE
sen z
E

= 2A

k
2
c

J
1
(k
c
) sen Z
TE
sen z
Como en z = d hay tambien un plano conductor deberan anularse las compo-
nentes electricas tangenciales, en este caso E

y E

por lo que debera cumplirse que


sen d = 0. De donde se deduce que
d = p (5.3.16)
=
p
d
(5.3.17)
Donde p es un entero de valores p = 1, 2, 3, .... Se descarta el valor p = 0 puesto
que implicara campos nulos.
Debe observarse que se ha obtenido la solucion en la cavidad resonante partiendo
de las soluciones en la gua, pero ahora la constante de propagacion no puede tener
cualquier valor, como ocurra en la gua, si no que podra valer un n umero innito de
valores discretos, 5.3.17. Por guardar coherencia con la nomenclatura respecto a las
coordenadas transversales a esta nueva se le denomina k
z
. Debiendose cumplir por
supuesto que:
= k
z
=

k
2
k
2
c
(5.3.18)
En esta expresion se observa que escogidos los ndices n, m de la gua original
y el entero p de las variaciones en z, resultara que tanto k
c
como k
z
son constantes
mientras que k dependera de la frecuencia. De la igualdad 5.3.18 se deduce que a solo
un n umero discreto de frecuencias se podra cumplir. Estas frecuencias seran las de
resonancia de la cavidad:
k =

k
2
z
+ k
2
c
;
r

k
2
z
+ k
2
c
(5.3.19)
f
r
11p
=
1
2

11
a

2
+

p
d

2
(5.3.20)
169
Otro aspecto interesante en los modos resonantes dentro de una cavidad es el de
las corrientes superciales inducidas en las paredes de la cavidad.

Estas vienen dadas
por

J
s
= n

H, donde n es el vector unitario normal a la supercie, que valdra n = z


en z = 0 y n = z en z = d, y n = en = a. Esto dara lugar a las siguientes
expresiones para las corrientes superciales:

J
s
(z = 0) = z

H = z (H
z
z +H

+H

)|
z=0
(5.3.21)

J
s
(z = 0) = H

(z = 0)

(z = 0) (5.3.22)

J
s
(z = d) = H

(z = d)

+H

(z = d) (5.3.23)

J
s
( = a) =

H = (H
z
z +H

+H

)|
=a
(5.3.24)

J
s
( = a) = H
z
( = a)

( = a) z (5.3.25)
Para calcular el factor de calidad se busca la energa almacenada como 2U
e
, pues
resultara mas sencillo que el calculo de U
m
, pues solo hay dos componentes electricas
mientras que son tres las componentes magneticas:
U = 2U
e
= 2
1
4

V
|

E|
2
dV =
1
2

a
0

2
0

d
0
(|E

|
2
+|E

|
2
)dddz (5.3.26)
Y la potencia disipada, caso de ser dielectrico aire, se calculara como:
P
L
=
1
2
R
s

S
|

J
s
|
2

dS =
R
s
2

2
0

d
0
(|H

( = a)|
2
+|H
z
( = a)|
2
)addz +
2

a
0

2
0
(|H

(z = 0)|
2
+|H

(z = 0)|
2
)dd

(5.3.27)
Una vez calculadas la energa almacenada y la potencia disipada se calculara el
factor de calidad como Q =
r
2U
e
/P
L
.
Calculando este factor de calidad para los modos TE
111
, TE
011
y TE
012
se obtienen
las gracas de la gura 5.27, que muestra la dependencia del factor de calidad con la
relacion de aspecto del la cavidad, 2a/d.
Observando dichas curvas, para el caso del modo TE
111
, se consigue un factor de
calidad maximo alrededor de una relacion 2a/d 1, 5.
170
Figura 5.27: Variacion Q cavidad cilndrica con 2a/d
Recordando que el modo TE
01
de la gua circular dispona de una constante de
atenuacion
c
que decreca indenidamente con la frecuencia, resulta que los modos
TE
01p
dispondran de mayor factor de calidad. As por ejemplo para el modo TE
011
se tendran las siguientes expresiones de los campos:
H
z
= AJ
0
(k
c
) sen k
z
z (5.3.28)
E

= A
j
o
k
c
J
1
(k
c
) sen k
z
z (5.3.29)
H

= A
k
z
k
c
J
1
(k
c
) cos k
z
z (5.3.30)
con k
c
= P

01
/a = 3, 832/a y k
z
= /d.
Hallando el factor de calidad se obtendra una graca como la mostrada en la
gura 5.27, donde se observa que se obtiene un Q mayor que para el caso TE
111
y
que la relacion optima de 2a/d es de aproximadamente 1, 25.
Otra caracterstica que hace que este modo resonante sea interesante es el hecho
que H

= 0 y por lo tanto que J


z
en la paredes laterales sea cero, teniendo solo la
corriente componentes J

, en las paredes laterales y en las tapas, gura 5.28.


Este hecho permite asumir un mal contacto electrico entre las tapas y las paredes
laterales y por lo tanto la posibilidad de hacer las tapas moviles, con la ventaja que
supondra en el ajuste de la frecuencia.
En el c alculo de factor de calidad hasta ahora se ha supuesto que el volumen de
la cavidad era aire y que todas las perdidas se concentraban en el conductor de las
paredes. De haber tenido un volumen con un dielectrico que presentase perdidas se
debera calcular la potencia disipada como:
171
Figura 5.28: Corrientes modo TE
011
P
Ld
=
1
2

dV =

e
2

V
|

E|
2
dV (5.3.31)
donde
e
es la conductividad equivalente del dielectrico que viene dada por
e
=
o

r
tan .
Para el caso particular de una cavidad con dielectrico homogeneo con tangente de
perdidas tan , el factor de calidad asociado a estas perdidas vendra dado por:
Q
d
=
1
tan
(5.3.32)
Esta expresion del factor de calidad sera siempre valida, para cualquier modo ya
sea TE o TM, mientras el dielectrico sea homogeneo en toda la cavidad del volumen
y el conductor no presente perdidas. Si hubiese tanto perdidas en el conductor como
en el dielectrico el factor de calidad total vendra dado por:
Q =
1
1
Q
c
+
1
Q
d
(5.3.33)
Donde Q
c
es el factor de calidad asociado a las perdidas en el conductor y Q
d
el
asociado a las perdidas en el dielectrico.
Se ha visto en este tema como encontrar los modos resonantes en una cavidad
partiendo de los modos en una gua, pero el punto de vista mas general para estudiar
oscilaciones estacionarias en el interior de una cavidad conductora de forma arbitraria
es la resolucion de la ecuacion:

E +k
2

E = 0 (5.3.34)
172
con las condiciones

E = 0 en el volumen de la cavidad (5.3.35)


n

E = 0 en la supercie S (5.3.36)
Una vez calculado el campo electrico,

E, el magnetico,

H, se obtiene inmediata-
mente a partir de las ecuaciones de Maxwell.
Analogamente a lo que suceda en las guas, esta ecuacion tiene innitas soluciones
asociadas con innitas frecuencias de resonancia, que forman un conjunto ortogonal
completo en el sentido de que pueden utilizarse como base para desarrollar cualquier
campo arbitrario en el interior de la cavidad. Hecho que sirve, por ejemplo, para
plantear matematicamente el problema de su excitacion.
5.3.3. Metodo perturbacional
En algunas ocasiones, determinadas cavidades se pueden modicar ligeramente
para ajustes nos introduciendo peque nas piezas metalicas o dielectricas en su interior.
Por ejemplo el uso de un tornillo de sintona que permita variar la frecuencia de
resonancia.
En algunos casos la nueva frecuencia de resonancia producida por la peque na
modicaci on introducida puede ser calculada de forma exacta, pero en la mayora de
los casos no. El metodo perturbacional va a permitir encontrar esta nueva frecuencia
de forma aproximada.
Se distinguiran dos situaciones, la perturbacion del material y la de la forma. A
continuaci on se expone el procedimiento del metodo perturbacional para cada una de
estas situaciones.
Perturbacion de material. Partiendo de la cavidad sin perturbar, en cualquier
punto P contenido en el volumen de la misma debera cumplirse que


E
o
= j
o

H
o
(5.3.37)


H
o
= j
o

E
o
(5.3.38)
donde
o
es la pulsacion de resonancia. Si en un punto P de la cavidad se
perturba ligeramente el material cambiando su permitividad, + , y
su permeabilidad, + , la frecuencia de resonancia cambiara,
o

o
+ = y los campos deberan cumplir entonces en cualquier punto del
volumen de la cavidad que:
173


E = j( +)

H (5.3.39)


H = j( +)

E (5.3.40)
donde tanto como solo seran diferentes de cero en el punto P de la per-
turbacion. Haciendo uso de la siguiente identidad:
(

o


H +

E

H

o
) =

H

E

o


E


H +

H


E

E

H

o
se podra poner que:
(

H+

o
) = j{[
o
(+)]

E+[
o
(+)]

H} (5.3.41)
Y como el campo electrico tangencial,

E
tan
, en las paredes se anula, se tendra que
aplicando una integral de volumen a la ecuacion 5.3.41, el lado izquierdo de la
ecuacion sera nulo:

V
o
(

o


H +

E

H

o
)dV =

S
o
(

o


H +

E

H

o
)

dS = 0
pues tanto el campo electrico antes de la perturbacion,

E
o
, como el de despues de
perturbado,

E, seran normales a la supercie y por tanto al estar multiplicado
escalarmente por

dS, normal tambien a la supercie, daran cero
2
. Quedando
que de la parte derecha de la ecuacion 5.3.41 se puede despejar la relacion entre
las frecuencias antes y despues de la perturbacion:

o

V
o
(

E +

H)dV

V
o
(

E +

H)dV
donde el volumen V
o
es el de toda la cavidad. Pero teniendo en cuenta que
solo en el volumen perturbado V

, la variacion de permitividad, , y la de la
permeabilidad, , son diferentes de cero, la ecuacion anterior se podra poner
como:

o

V

(

E +

H)dV

V
o
(

E +

H)dV
2
[e
n
n (h
t
1

t
1
+ h
t
2

t
2
+ h
n
n)] n (e
n
h
t
1

t
2
e
n
h
t
2

t
1
) n = 0
174
Si la perturbacion es lo sucientemente peque na se puede suponer que

E

E
o
,

H

H
o
y que la frecuencia de resonancia sera muy parecida a la anterior
quedando que:

o

o
=

V

(|

E
o
|
2
+ |

H
o
|
2
)dV

V
o
(|

E
o
|
2
+ |

H
o
|
2
)dV
(5.3.42)
expresion que se puede observar que corresponde a:

o
=
Energa media
Energa media
Lo mas habitual es introducir peque nos dielectricos quedando la expresion como:

V

(
o

r
|

E
o
|
2
dV )
2
o

V
o
|

E
o
|
2
dV
Ejemplo: A una cavidad rectangular con aire de dimensiones a b d se le
introduce un peque no cilindro dielectrico de permitividad
r
, de altura H y
diametro D, gura 5.29. Para el modo resonante TE
101
calcular la variacion
relativa de la frecuencia de resonancia.
Figura 5.29: Cavidad rectangular perturbada
Para el modo TE
101
el campo electrico solo tiene componente y, y viene dada
por la expresion:
E
y
= jE
o

o
/a
sen
x
a
sen
z
d
175
Por lo que se tendra que:
2
o

V
o
|

E
o
|
2
dV =
1
2

o
a

2
abd
quedando que, con
o

r
=
o
(
r
1)

o
=

o
(
r
1)

V

|

E
o
|
2
dV
1/2
o

o
a

2
abd
Y tomando E
y
(x = a/2, y = b, z = d/2) como constante en V

se tendra que:

o
= 2(
r
1)
(/4)D
2
H
abd
= 2(
r
1)
V

V
o
Es decir, el cambio relativo de la frecuencia de resonancia es proporcional a la
relacion entre el volumen del dielectrico introducido y el volumen total de la
cavidad. As como tambien es proporcional al cambio de dielectrico.
Perturbacion de forma. En este caso no se introduce ning un material sino que se
modica ligeramente el volumen de la cavidad original, gura 5.30. Por ello los
cambios de permitividad y permeabilidad, y , seran cero.
Figura 5.30: Cavidad sin y con perturbacion de forma
De forma que la ecuacion 5.3.41 quedara en este caso como:
(

o


H +

E

H

o
) = j{[(
o
)]

E + [(
o
)]

H}
Aplicando una integral de volumen sobre el volumen total con la perturbacion,
V , resultara que:
176

S
(

o


H +

E

H

o
)

dS = j(
o
)

V
(

E +

H)dV
donde S es la supercie total de la cavidad perturbada. Si esta supercie se
descompone en dos, gura 5.31, S = S
comun

S
2
, la integral de supercie se
puede descomponer a su vez en dos, resultando que la parte correspondiente a
la supercie com un, S
comun
, sera nula por ser tanto

E
o
como

E normales a S.
Y de la integral sobre la supercie S
2
se anulara el termino donde aparece

E,
por ser este normal dicha supercie.De forma que quedara

S
2
(

o


H)

dS = j(
o
)

V
(

E +

H)dV (5.3.43)
Figura 5.31: Detalle perturbacion de forma
Por otro lado se puede poner que:
(

o


H) =

H

E

o


E


H = j
o

H j

E
o

E
Si se integra sobre el volumen V

, correspondiente a la zona perturbada, gura


5.31, resultara que

S
1
S
S
2
(

o


H)

dS

= j

(j
o

H
o

E)dV
La integral sobre la supercie S
1
se anulara puesto que

E
o
es normal a dicha
supercie, quedando que
177

S
2
(

o


H)

dS

= j

V

(j
o

H
o

H

E)dV
Y como

dS

dS, quedara que

S
2
(

o


H)

dS = j

V

(j
o

H
o

H

E)dV
j
o

V

(

E)dV (5.3.44)
Combinando ahora las ecuaciones 5.3.43 y 5.3.44 se obtiene:

o

V

(

E)dV

V
(

E +

H)dV

V

(

H
o

E
o
)dV

V
o
(

E
o
+

H
o
)dV
(5.3.45)
Expresion que en terminos de energa se puede poner como:

o
=
U
m
U
e
2U
e
(5.3.46)
Ejemplo: Si en el ejemplo anterior el volumen dielectrico introducido en la
cavidad rectangular hubiese sido un cilindro metalico, se tendra que en x = a/2,
y = b y z = d/2, punto donde se inserta el cilindro, los campos seran:
H
oz
0
H
ox
0
E
oy
j

o
/a
de forma que solo se producira variacion de la energa electrica, que dando que:
178

o
=

E
o

o
dV
2
o

V
o

E
o

o
dV
= 2
V

V
o
(5.3.47)
El hecho que solo produzca variacion de la energa electrica signica que la
nueva frecuencia de resonancia sera menor que la original, lo que no deja de ser
curioso pues el nuevo volumen de la cavidad es menor.
Captulo 6
Filtros de microondas
6.1. Introduccion
Un ltro es una red de dos accesos que se utiliza para controlar la respuesta en
frecuencia en un determinado punto de un sistema de comunicaciones, permitiendo
transmision dentro de la banda de paso (Pass Band en ingles) del ltro y presentando
atenuacion en la banda eliminada (Stop Band en ingles) del mismo. Este tipo de
comportamiento se hace necesario en todo sistema de comunicaciones.
El dise no de un ltro se puede abordar por varios metodos:
1. Estructuras periodicas. Presentan comportamientos paso bajo y son especial-
mente utiles en el dise no de amplicadores de onda progresiva.
2. Metodo del parametro imagen. Permite jar la frecuencia de corte y las carac-
tersticas de atenuacion, pero no permite especicar la respuesta en frecuencia,
lo que obliga a seguir un proceso iterativo para conseguir la respuesta deseada.
3. Metodo de las perdidas de insercion. Corrige las limitaciones del metodo del
parametro imagen.
Por su caracter mas general, el metodo de las perdidas de insercion sera el unico
que se exponga en estos apuntes.
6.1.1. Metodo de las perdidas de insercion
Un ltro ideal tendra las siguientes caractersticas:
Perdidas de insercion nulas en la banda de paso.
Atenuacion innita en la banda eliminada.
181
182
Fase lineal en la banda de paso.
En la realidad un ltro real no podra cumplir con estas caractersticas y tendra unas
ciertas perdidas de insercion en la banda de paso, una atenuacion nita en la banda
eliminada y una fase no lineal en la banda de paso. El metodo de las perdidas de inser-
cion presenta un caracter sistematico que permite controlar todos los parametros del
ltro: perdidas de insercion en la banda de paso, atenuacion en la banda eliminada,
frecuencia de corte, caractersticas de fase, etc.
Como su nombre indica el metodo se jara en las perdidas de insercion del ltro.
Las perdidas de insercion de una red de dos accesos no es otra cosa que la inversa de
la ganancia de transmision vista en el captulo 3. Para el caso de que haya adaptacion
tanto en la fuente, Z
s
= Z
0
, como en la carga, Z
L
= Z
0
, las perdidas de insercion en
dB viene dada por:
L(dB) = 20 log |S
21
| (6.1.1)
Haciendo uso de estas perdidas de insercion, junto con la respuesta en frecuencia,
se pueden denir cuatro tipos de respuestas de ltros, que seran:
Filtro paso bajo (PB)
Filtro paso alto (PA)
Filtro paso banda (PBd)
Filtro banda eliminada (BE)
Se conoce como mascara de un ltro la representacion graca de las zonas de
exclusion de las perdidas de insercion en funcion de la frecuencia. Las guras 6.1 y
6.2 representan las mascaras de los cuatro tipos de ltros mencionados anteriormente.
Tal y como muestran las mascaras, las bandas de paso quedan denidas por su
nivel de perdidas de insercion, L
P
, y las frecuencias de corte de la banda,
P
; y de
igual forma se denen las bandas eliminadas, con sus perdidas de insercion, L
S
, y sus
frecuencias de corte,
S
.
Las especicaciones de un ltro incluyen la mascara correspondiente y el tipo de
respuesta. Son varios los tipos de respuestas que se encuentran en la bibliografa,
siendo los mas destacados los siguientes:
1. Butterworth o maximalmente plana o binomial.
2. Chebyshev o de rizado constante.
3. Elptico.
183
a. b.
Figura 6.1: a. Filtro paso bajo. b. Filtro paso alto.
a.
b.
Figura 6.2: a. Filtro paso banda. b. Filtro banda eliminada.
4. Fase lineal.
Normalmente, el proceso de dise no de un ltro pasa siempre por el calculo de
un ltro paso bajo conocido como prototipo. Para trasladar las especicaciones del
ltro a dise nar a las del prototipo paso bajo es necesario hacer una transformacion
en frecuencia, de , frecuencia del ltro, a

, frecuencia del prototipo. Asumiendo


que el prototipo paso bajo siempre va a tener una pulsacion de corte de la banda de
paso igual a

P
= 1, las transformaciones de frecuencia que se tendran que aplicar
son las siguientes:
184
Paso bajo ;

P
(6.1.2)
Paso alto ;

(6.1.3)
Paso banda ;

(6.1.4)
Banda eliminada ;

1
(6.1.5)
donde = (
P
2

P
1
)/
o
y
o
=

P
1

P
2
. En el caso del ltro de banda eliminada
es habitual que se cumpla
o
=

S
1

S
2
=

P
1

P
2
.
Con estas transformaciones en frecuencia las bobinas y los condesadores del pro-
totipo paso bajo se convertiran en otros elementos seg un se muestra en la gura
6.3.
Figura 6.3: Transformacion Ls y Cs.
El proceso de dise no de un ltro consta de los siguientes pasos:
1. Calculo especicaciones prototipo paso bajo a partir de las especicaciones del
ltro.
2. Calculo orden del ltro y valores normalizados de los condensadores y bobinas
del prototipo.
3. Transformacion en frecuencia y desnormalizacion de impedancia.
185
Con estos tres pasos se obtendra nalmente los valores de los condensadores y
bobinas que compondran el ltro. En el caso de frecuencias de microondas existe
la dicultad de encontrar elementos concentrados como bobinas y condensadores, y
habra que recurrir a otras estructuras para su realizacion. No obstante se partira de
los valores de estas bobinas y condensadores para su dise no.
A modo de resumen a continuacion se explican cada uno de los pasos a seguir:
1. Calculo especicaciones prototipo paso bajo a partir de las especi-
caciones del ltro. Las especicaciones de un ltro vendran dadas por los
siguientes parametros:
Tipo ltro: paso bajo, paso alto, paso banda o banda eliminada.
Tipo respuesta: Butterworth, Chebyshev, elptica,...
Banda de paso:
P
, L
P
.
Banda eliminada:
S
, L
S
.
Las especicaciones del prototipo seran:
Tipo ltro: paso bajo.
Tipo respuesta: la misma que el ltro.
Banda de paso:

P
= 1, L
P
.
Banda eliminada:

S
= Transformacion frecuencia(
S
), L
S
.
Para el caso de los ltros paso banda y banda eliminada, donde se tendran dos
valores de
P
y de
S
, se escogeran aquellos que sean mas restrictivos una vez
aplicada la transformacion.
2. Calculo orden del ltro y valores normalizados de los condensadores
y bobinas del prototipo. El prototipo paso bajo constara de N elementos
reactivos, dispuestos de manera alterna, seg un se muestra en las guras 6.4 y
6.5. Tanto el orden del ltro, N, como los valores de elementos del ltro, g
i
, se
obtendran de las tablas correspondientes, una vez jadas el tipo de respuesta del
ltro, las perdidas de la banda de paso y las perdidas de la banda eliminada, [6],
(mas adelante se vera un ejemplo con estos detalles). Los coecientes g
0
y g
N+1
representan los valores de impedancia de fuente y de carga respectivamente.
Estos valores generalmente tienen valor 1, por lo que hay que interpretar todos
los valores g
i
como normalizados.
3. Transformacion en frecuencia y desnormalizacion de impedancia. Una
vez obtenidos los valores de los condensadores y bobinas del prototipo paso bajo
186
Figura 6.4: Prototipo paso bajo, con N par
Figura 6.5: Prototipo paso bajo, con N impar
hay que proceder a aplicar la transformacion en frecuencia adecuada, ecuaciones
(6.1.2)-(6.1.5), obteniendose los valores de los nuevos elementos, siguiendo la
equivalencia correspondiente mostrada en la gura 6.3. Por ultimo, teniendo
presente que los coecientes g
i
deban interpretarse como normalizados, hay
que proceder a la desnormalizacion seg un las siguientes relaciones:
L =

LZ
0
(6.1.6)
C =

C
Z
0
(6.1.7)
Con todo esto se han detallado los pasos a seguir para obtener los valores de
condensadores y bobinas del ltro deseado. En los siguientes apartados se veran dos
187
casos particulares de realizacion de ltros en la banda de microondas, partiendo de
los valores de condensadores y bobinas previamente calculados.
6.2. Filtros paso bajo
La realizacion de ltros con elementos concentrados a frecuencias de microondas
son difciles de implementar. Los condensadores y bobinas reales estan limitados en
frecuencia. Para superar esta limitacion a las frecuencias de microondas se utilizan
elementos distribuidos como la lnea de transmision.
6.2.1. Con saltos de impedancia
Una manera facil de realizar ltros paso bajo con lneas de transmision es alternar
secciones de muy alta impedancia, Z
0max
, con secciones de muy baja impedancia,
Z
0min
. Debido a las aproximaciones utilizadas, sus propiedades no son del todo buenas,
pero su simplicidad hace que en determinados casos se utilice, como por ejemplo
cuando no se requiere un cambio abrupto en la respuesta en frecuencia.
En primer lugar se busca la matriz de impedancias de una lnea de transmision de
longitud l, impedancia Z
0
y constante de propagacion . La matriz viene dada por:
[Z] = j
Z
0
sen l

cos l 1
1 cos l

(6.2.1)
Por otro lado se conoce la equivalencia entre una red con elementos concentrados
en T y los valores de los elementos de la matriz de impedancia, gura 6.6.
Figura 6.6: Red en T.
Resultando que las impedancias serie de la red en T, Z
S
, vendran dadas, en el
caso de la lnea de transmision, por:
Z
S
= Z
11
Z
12
= jZ
0

cos l
sen l

1
sen l

= jZ
0
1 cos l
sen l
= jZ
0
tan
l
2
(6.2.2)
188
Y la impedancia paralelo como:
Z
P
= Z
12
= jZ
0
1
sen l
(6.2.3)
Para l < /2 la impedancia serie, Z
S
, presentara una reactancia positiva y Z
P
presentara una reactancia negativa. Se puede modelar la lnea de transmision, en este
caso, por la red de la gura 6.7. donde
Figura 6.7: Red en T para l < /2.
X = 2Z
0
tan
l
2
(6.2.4)
B = Y
0
sen l (6.2.5)
Esta red admite dos situaciones extremas. Una primera en que, siendo l peque no
(l < /4) y la impedancia caracterstica grande, Z
0
= Z
0max
, se puede aproximar
que:
X Z
0max
l
B 0
Es decir, la lnea admitira el circuito equivalente de la gura 6.8.
Figura 6.8: Circuito equivalente para LT de Z
0max
189
De forma que la relacion entre la longitud de la lnea ,l, y el valor de la inductancia
equivalente sera:
l =
L
Z
0max

=
Lv
p
Z
0max
(6.2.6)
La otra situacion extrema ocurrira cuando la impedancia caracterstica sea pe-
que na, Z
0min
, pudiendose aproximar que:
X 0
B
1
Z
0min
l
Es decir, la lnea admitira el circuito equivalente de la gura 6.9.
Figura 6.9: Circuito equivalente para LT de Z
0min
De forma que la relacion entre la longitud de la lnea, l, y el valor de la capacidad
equivalente sera:
l =
CZ
0min

= Cv
p
Z
0min
(6.2.7)
Con estos tramos de lnea se puede sintetizar un ltro paso bajo, pues se dispo-
nen de condensadores paralelo y bobinas serie, cuyos valores se controlaran con las
longitudes l de los tramos, dados unos valores mnimo y maximo de las impedancias.
Estos valores extremos de las impedancias caractersticas vendran determinados por
las limitaciones tecnologicas en la fabricacion de las lneas.
Ejemplo: Con lneas de transmision que presentan impedancias extremas iguales
a Z
0max
= 150 y Z
0min
= 10 , dise nar un ltro con las siguientes especicaciones:
Tipo ltro: paso bajo.
Tipo respuesta: Butterworth.
190
Banda de paso: f
P
= 2, 5 GHz, L
P
= 3 dB.
Banda eliminada: f
S
= 4 GHz, L
S
= 22 dB.
Impedancias de fuente y carga: Z
0
= 50 .
Siguiendo los pasos de dise no propuestos anteriormente, se calcularan en primer
lugar las especicaciones del prototipo paso bajo. La transformacion de frecuencia
correspondiente sera:

P
=
f
f
P
de forma que

P
= 1. Por otro lado la

S
del prototipo vendra dada por:

S
=
f
S
f
P
=
4
2, 5
= 1, 6
Por lo que las especicaciones del prototipo paso bajo seran:
Tipo ltro: paso bajo.
Tipo respuesta: Butterworth.
Banda de paso:

P
= 1, L
P
= 3 dB.
Banda eliminada:

S
= 1, 6, L
S
= 22 dB.
En segundo lugar se calcularan el orden del ltro y los valores normalizados de
las bobinas y condensadores del prototipo.
Para calcular el orden del ltro se puede acudir a la graca correspondiente a una
respuesta Butterworth con L
P
= 3 dB, como la de la gura 6.10. Situando en el eje de
abscisas el valor |

S
| 1 = 0, 6, y en el de ordenadas el valor L
S
= 22 dB, se deduce
que hace falta un ltro de orden N = 6, pues con N 5 las perdidas de insercion L
S
en la banda eliminada seran menores que 22 dB.
Los coecientes g
i
, valores normalizados de las bobinas y condensadores, se en-
cuentran en la tabla correspondiente a una respuesta Butterworth con L
P
= 3 dB,
tabla 6.1.
Escogiendo, por ejemplo, un ltro que comience con un condensador en paralelo,
gura 6.11, se tendran los siguientes valores:
C

1
= g
1
= 0, 5176 = L

6
L

2
= g
2
= 1, 4142 = C

5
C

3
= g
3
= 1, 9318 = L

4
191
Figura 6.10: Calculo orden N para respuesta Butterworth L
P
= 3 dB
N g
1
g
2
g
3
g
4
g
5
g
6
g
7
g
8
g
9
g
10
g
11
1 2,0000 1,0000
2 1,4142 1,4142 1,0000
3 1,0000 2,0000 1,0000 1,0000
4 0,7654 1,8478 1,8478 0,7654 1,0000
5 0,6180 1,6180 2,0000 1,6180 0,6180 1,0000
6 0,5176 1,4142 1,9318 1,9318 1,4142 0,5176 1,0000
7 0,4450 1,2470 1,8019 2,0000 1,8019 1,2470 0,4450 1,0000
8 0.3902 1,1111 1,6629 1,9615 1,9615 1,6629 1,1111 0.3902 1,0000
9 0,3473 1,0000 1,5321 1,8794 2,0000 1,8794 1,5321 1,0000 0,3473 1,0000
10 0,3129 0,9080 1,4142 1,7820 1,9754 1,9754 1,7820 1,4142 0,9080 0,3129 1,0000
Tabla 6.1: Coecientes g
i
para un ltro Butterworth con L
P
= 3 dB,

P
= 1 y g
0
= 1
Con estos valores se obtendra una respuesta en frecuencia como la mostrada en
la gura 6.12. Se observa que cumple con las especicaciones.
El siguiente paso consistira en deshacer la transformacion en frecuencia y en
desnormalizar los valores de los condensadores y de las bobinas. Esto supondra que
los nuevos valores vendran dados por:
L
k
=
Z
0
L

P
C
k
=
C

k
Z
0

P
Sustituyendo valores se obtendran los siguientes condensadores y bobinas:
192
Figura 6.11: Prototipo paso bajo
Figura 6.12: Respuesta prototipo paso bajo ejemplo.
C
1
=
C

1
Z
0

P
=
g
1
Z
0

P
= 0, 65903 pF
L
2
=
Z
0
L

P
=
Z
0
g
2

P
= 4, 5015 nH
C
3
=
C

3
Z
0

P
=
g
3
Z
0

P
= 2, 4596 pF
L
4
=
Z
0
L

P
=
Z
0
g
3

P
= 6, 1491 nH
C
5
=
C

5
Z
0

P
=
g
2
Z
0

P
= 1, 8006 pF
L
6
=
Z
0
L

P
=
Z
0
g
1

P
= 1, 6476 nH
Con estos valores se obtendra una respuesta en frecuencia como la observada en la
193
gura 6.13(en lnea azul-discontinua). Donde se observa que cumplira con exactitud
las especicaciones propuestas.
Figura 6.13: Respuesta ltro paso bajo ejemplo.
Por ultimo, faltara calcular las longitudes de las lneas de transmision de impe-
dancias mnimas y maximas que sustituyan a los condensadores y bobinas. Para ello
se aplicaran las expresiones:
l
k
= C
k
Z
0min
v
p
l
k
=
L
k
v
p
Z
0max
Suponiendo que v
p
= c = 3 10
8
m/s, resultaran los siguientes valores:
l
1
= 0, 002 m ; l
1
|
f=f
P
= 5, 9313
o
l
2
= 0, 009 m ; l
2
|
f=f
P
= 27, 0092
o
l
3
= 0, 0074 m ; l
3
|
f=f
P
= 22, 1368
o
l
4
= 0, 0123 m ; l
4
|
f=f
P
= 36, 8947
o
l
5
= 0, 0054 m ; l
5
|
f=f
P
= 16, 2055
o
l
6
= 0, 0033 m ; l
6
|
f=f
P
= 9, 8854
o
En la gura 6.13 se muestra con lnea roja-continua la respuesta del ltro con lneas
de transmision. Se observa que a pesar del alto grado de aproximacion utilizado, la
respuesta casi cumple perfectamente con las especicaciones.
194
6.3. Filtros paso banda
De igual forma que ocurre con los ltros paso bajo a muy altas frecuencias, la
implementacion de los ltros paso banda con elementos concentrados resulta difcil.
Tambien en este caso se hace uso de elementos distribuidos para conseguir su rea-
lizacion. Una conguracion bastante empleada es la que utiliza inversores, y que
tendra posibles realizaciones con lneas acopladas. En el siguiente apartado se vera el
caso particular del dise no de ltros paso banda haciendo uso de inversores.
6.3.1. Con inversores
Como en cualquier dise no de un ltro se partira del prototipo paso bajo. En este
prototipo, la idea de usar inversores parte de un primer supuesto, que consiste en
pensar que, por ejemplo, se pueden conseguir bobinas serie pero no condensadores
paralelo. En esta supuesta situacion, los condensadores se pueden sustituir por la
combinaci on de un inversor y una bobina serie, gura 6.14. En esta gura se observa
que el n umero de bobinas, L
k
, es N, siendo este el orden del ltro. Tambien puede
verse que aparecen N + 1 inversores. Existe un gran n umero de grados de libertad,
los N + 1 inversores y las N bobinas, para poder sintetizar el mismo prototipo paso
bajo de partida.
Figura 6.14: Filtro paso bajo con inversores.
Es facil calcular la equivalencia entre los valores de los inversores junto a los valores
de las nuevas bobinas, con los valores de los condensadores y bobinas originales. Las
constantes de los inversores deberan cumplir las siguientes relaciones:
195
K
01
=

L
1
g
1
(6.3.1)
K
12
=

L
1
L
2
g
1
g
2
(6.3.2)
K
23
=

L
2
L
3
g
2
g
3
(6.3.3)
. (6.3.4)
. (6.3.5)
K
i,i+1
=

L
i
L
i+1
g
i
g
i+1
(6.3.6)
. (6.3.7)
. (6.3.8)
K
N,N+1
=

L
N
g
N
g
N+1
(6.3.9)
Dado el elevado grado de libertad, lo que se suele hacer es jar el valor de todas
la bobinas iguales:
L
1
= L
2
= . . . = L
N
= L

Quedando que los valores de los inversores vendran dados por:


K
01
=

g
1
.
.
K
i,i+1
=
L

g
i
g
i+1
.
.
K
N,N+1
=

g
N
g
N+1
expresiones en que L

todava esta por denir.


196
Figura 6.15: Transformacion ltro paso bajo a paso banda.
El paso siguiente consiste en realizar la transformacion de frecuencias que lleve la
respuesta del prototipo paso bajo a la banda deseada, gura 6.15.
La transformacion equivale a la sustitucion de cada inductancia por un circuito
resonante serie, gura 6.3, con los nuevos valores L y C iguales a:
L =
L

C =

o
L

siendo
o
=

2
y = (
2

1
)/
o
.
Suponiendo que los inversores son ideales, la transformacion en frecuencia los
mantiene iguales, y el ltro paso banda quedara como el mostrado en la gura 6.16.
Figura 6.16: Filtro paso banda con inversores.
Haciendo uso de la relacion de la bobina L con L

, se pueden poner los valores de


las constantes de inversion como:
197
K
01
=

o
L
g
1
.
.
K
i,i+1
=

o
L

g
i
g
i+1
.
.
K
N,N+1
=


o
L
g
N
g
N+1
De disponer de inversores ideales y circuitos resonantes serie ideales, la respuesta
del ltro obtenida habra sido la calculada. Una forma de realizar los circuitos reso-
nantes serie consiste en utilizar una lnea de transmision de longitud /2. En este
caso, en el entorno de la frecuencia que hace que la longitud electrica de la lnea sea
/2, se puede modelar por una red en compuesta por tres circuitos resonantes,
como muestra la gura 6.17.
Figura 6.17: Equivalente en lnea de /2.
Donde los valores de los elementos vienen dados por:
L
S
=
Z
0
2
o
C
S
=
2Y
0

o
L
P
=
4Z
0

o
C
P
=
Y
0
4
o
En las situaciones donde la lnea de /2 se cargue con impedancias muy peque nas,
los circuitos resonantes paralelo se podran despreciar al presentar estos impedancia
198
elevada. En cuyo caso la lnea se estara comportando como un circuito resonante serie
con L
S
y C
S
.
En cuanto a la forma de realizar los inversores, se puede hacer uso de aquella
conguracion que combinaba una susceptancia en paralelo, B, con dos tramos de
lneas de igual longitud, , gura 6.18.
Figura 6.18: Inversor con susceptancia paralelo y lneas.
Donde debe cumplirse que:

i,i+1
=
1
2
arctan
2
B
i,i+1
|B
i,i+1
| =
1 K
2
i,i+1
K
i,i+1
En el caso de tener constantes de inversion K
i,i+1
muy peque nas, resultara que
|B
i,i+1
| 1 y por tanto
i,i+1
; y supondra que presentara impedancias muy pe-
que nas, siendo adecuada la eliminacion de los circuitos resonantes paralelo del circuito
equivalente de la lnea de /2.
De forma que el ltro paso banda quedara como N + 1 susceptancias en paralelo
intercaladas entre lneas de transmision, gura 6.19. Siendo las longitudes electricas
de la lneas iguales a:

j
= +
1
2

arctan
2
B
j1,j
+ arctan
2
B
j,j+1

donde B
j1,j
y B
j,j+1
vendran dadas por la expresion
|B
ij
| =
1 K
2
ij
K
ij
Y teniendo en cuenta que el valor de la inductancia L del circuito resonante serie,
viene dada por L = Z
0
/(2
o
) (normalizada sera L = /(2
o
)), las expresiones de
las constantes de inversion se pueden reescribir como:
199
Figura 6.19: Filtro paso banda con susceptancias paralelo y LT.
K
01
=

2g
1
.
.
K
i,i+1
=

2

g
i
g
i+1
.
.
K
N,N+1
=

g
N
g
N+1
En todos estos calculos debe tenerse presente que tanto los K
ij
como los B
ij
son
valores normalizados. De forma que una vez calculadas las susceptancias normalizadas
se deberan desnormalizar multiplicando por Y
0
.
De forma dual, si se hubiese partido de la realizacion de los inversores mediante
una reactancia en serie con dos lneas de transmision identicas se habran obtenido
las siguientes relaciones, gura 6.20:

j
= +
1
2

arctan
2
X
j1,j
+ arctan
2
X
j,j+1

|X
ij
| =
1 J
2
ij
J
ij
200
J
01
=

2g
1
.
.
J
i,i+1
=

2

g
i
g
i+1
.
.
J
N,N+1
=

g
N
g
N+1
Figura 6.20: Filtro paso banda con reactancias serie y LT.
Conviene en estos momentos resumir las aproximaciones realizadas:
1. Los inversores no son ideales. En el mejor de los casos, si las susceptancias son
inductivas, aunque se comportan como inversores a todas las frecuencias, sus
constantes de inversion K
ij
varan con esta.
2. El circuito equivalente formado por Ls y Cs para una lnea de /2 es de validez
limitada a un ancho de banda maximo del 30-40 %, dependiendo de la exactitud
deseada.
3. La aproximacion anterior se degrada al ignorar las circuitos resonantes paralelo.
4. Todos los errores anteriores son acumulativos, y el efecto aumenta, evidente-
mente, con el orden del ltro.
El resultado es que su respuesta coincide con la teora en las proximidades de la
frecuencia central del dise no,
o
, y se desva progresivamente de ella a medida que se
aleja de
o
. No obstante, para ordenes moderados, N 7, el dise no se comporta bien
para anchos de hasta el 15 %, y en todo caso, las desviaciones mayores se producen a
frecuencias donde las atenuaciones previstas son altas y por tanto los errores menos
importantes.
201
En todo caso, una vez jados los parametros del circuito de la gura 6.19, su
analisis exacto se puede realizar de manera muy sencilla mediante ordenador, y de
esta manera cuanticar las desviaciones para ver si son o no aceptables.
Ejemplo: Se desea dise nar un ltro paso banda haciendo uso de inversores. Las
especicaciones del ltro son:
Tipo ltro: paso banda.
Tipo respuesta: Chebyshev.
Banda de paso: f
P1
= 2, 4628 GHz, f
P2
= 2, 5378 GHz, L
P
= 0, 5 dB.
Banda eliminada: f
S1
= 2, 4 GHz, f
S2
= 2, 6 GHz, L
S
= 30 dB.
Impedancia de referencia: Z
0
= 50
Siguiendo los pasos para el dise no se calculara en primer lugar el prototipo paso
bajo, y para ello se necesita conocer el orden del ltro. La frecuencia central y el
ancho de banda relativo seran:
f
o
=

f
P1
f
P2
= 2, 5 GHz
=
f
P2
f
P1
f
o
= 0, 03
Con estos valores y tomando

P
= 1, se pueden calcular las pulsaciones de la
banda eliminada del prototipo paso bajo como:

S1
=
1

f
S1
f
o

f
o
f
S1

= 2, 7222

S2
=
1

f
S2
f
o

f
o
f
S2

= 2, 6154
El signo negativo de

S1
no se considera, y resultara que de las dos pulsaciones
la mas restrictiva es

S2
= 2, 6154. (cumpliendose a esta frecuencia con mas razon
se cumplira a otra mayor). Para calcular el orden del ltro se acude a las gracas
correspondientes a un ltro de Chebyshev con rizado 0, 5 dB, gura 6.21.
En esta graca el eje de abscisas corresponde con |

S
| 1, que para
S2
= 2, 6154
supondra |

S
| 1 = 1, 6154. Situando este punto en la graca junto con un nivel de
perdidas de L
S
= 30 dB, se observa que el orden del ltro necesario es N = 4, pues
con N = 3 las perdidas de insercion estaran por debajo de 30 dB. Una vez obtenido
202
Figura 6.21: Perdidas insercion ltro Chebyshev, rizado 0, 5 dB
N g
1
g
2
g
3
g
4
g
5
g
6
g
7
g
8
g
9
g
10
g
11
1 0,6986 1,0000
2 1,4029 0,7071 1,9841
3 1,5963 1,0967 1,5963 1,0000
4 1,6703 1,1926 2,3661 0,8419 1,9841
5 1,7058 1,2296 2,5408 1,2296 1,7058 1,0000
6 1,7254 1,2479 2,6064 1,3137 2,4758 0,8696 1,9841
7 1,7372 1,2583 2,6381 1,3444 2,6381 1,2583 1,7372 1,0000
8 1,7451 1,2647 2,6564 1,3590 2,6964 1,3389 2,5093 0.8796 1,9841
9 1,7504 1,2690 2,6678 1,3673 2,7239 1,3673 2,6678 1,2690 1,7504 1,0000
10 1,7543 1,2721 2,6754 1,3725 2,7392 1,3806 2,7231 1,3485 2,5239 0,8842 1,9841
Tabla 6.2: Coecientes g
i
para un ltro Chebyshev con L
P
= 0, 5 dB,

P
= 1 y g
0
= 1
el orden del ltro se acudira a la tabla de g
i
correspondiente a Chebyshev de rizado
0, 5 dB, tabla 6.2, y se conseguiran los valores de los coecientes g
i
.
Resultando que para N = 4 seran:
g
1
= 1, 6703
g
2
= 1, 1926
g
3
= 2, 3661
g
4
= 0, 8419
g
5
= 1, 9841
Estos coecientes seran los valores de los condensadores y bobinas del prototipo
203
paso bajo. Suponiendo que se escoge como primer elemento una bobina serie, se
tendran los valores:
L

1
= 1, 6703
C

2
= 1, 1926
L

3
= 2, 3661
C

4
= 0, 8419
Y g
5
se identicara con la impedancia de carga. Impedancia y no admitancia
puesto que el elemento anterior era condensador, identicado como admitancia g
4
.
De haber partido del prototipo paso bajo que comienza con condensador paralelo se
habra identicado el coeciente g
5
con admitancia.
Si se realizase el ltro con circuitos resonantes serie y paralelo, los valores de los
elementos, transformando en frecuencia y desnormalizando, seran:
L
1
=
L

1
Z
0

= 177, 22 nH ; C
1
=

Z
0

o
L

1
= 0, 022868 pF
L
2
=
Z
0

o
C

2
= 0, 080071 nH ; C
2
=
C

2
Z
0

= 50, 616 pF
L
3
=
L

3
Z
0

= 251, 051 nH ; C
3
=

Z
0

o
L

3
= 0, 016144 pF
L
4
=
Z
0

o
C

4
= 0, 11343 nH ; C
4
=
C

4
Z
0

= 35, 731 pF
El valor de la impedancia de carga sera Z
L
= g
5
Z
0
= 99, 2050 . Como, por
otra parte, es habitual que tanto la impedancia de fuente como de carga sean iguales,
Z
S
= Z
L
= Z
0
, habra que recurrir a a nadir alg un adaptador de impedancia que
convierta Z
0
en la impedancia de carga deseada, Z
L
. Una forma adecuada de conseguir
esto es mediante un transformador ideal con una relacion 1 : n, tal que n =

Z
L
/Z
0
.
En el caso de realizar el ltro con inversores, los valores de las constantes de
inversion J
1
vendran dados por:
1
Se calculan los J y no los K al haber escogido en el prototipo como primer elemento una bobina
serie. Esto permitira utilizar el mismo valor de la impedancia de carga calculado con anterioridad
204
J
01
=

2g
1
= 0, 168
J
12
=

2

g
1
g
2
= 0, 0334
J
23
=

2

g
2
g
3
= 0, 0281
J
34
=

2

g
3
g
4
= 0, 0334
J
45
=


2g
4
g
5
= 0, 168
Si se escoge la conguracion de una reactancia en serie con dos tramos de lnea
para realizar los inversores, se tendra que los valores de las reactancias vendran dadas
por:
|X
01
| =
1 J
2
01
J
01
= 5, 7841
|X
12
| =
1 J
2
12
J
12
= 29, 9023
|X
23
| =
1 J
2
23
J
23
= 35, 6014
|X
34
| =
1 J
2
34
J
34
= 29, 9023
|X
45
| =
1 J
2
45
J
45
= 5, 7841
y el de las longitudes electricas de la lneas seran

1
=
1
2

arctan
2
|X
01
|
+ arctan
2
|X
12
|

= 2, 9417 rad

2
=
1
2

arctan
2
|X
12
|
+ arctan
2
|X
23
|

= 3, 0801 rad

3
=
1
2

arctan
2
|X
23
|
+ arctan
2
|X
34
|

= 3, 0801 rad

4
=
1
2

arctan
2
|X
34
|
+ arctan
2
|X
45
|

= 2, 9417 rad
205
Si las reactancias serie se realizasen con condensadores, los valores de estos seran:
C
01
=
1
Z
0

o
|X
01
|
= 0, 22013 pF
C
12
=
1
Z
0

o
|X
12
|
= 0, 04258 pF
C
23
=
1
Z
0

o
|X
23
|
= 0, 035764 pF
C
34
=
1
Z
0

o
|X
34
|
= 0, 04258 pF
C
45
=
1
Z
0

o
|X
45
|
= 0, 22013 pF
Con estos valores se obtendra una respuesta del ltro como la mostrada en la
gura 6.22, lnea continua.
Figura 6.22: Parametro S
21
ltro ejemplo (continua: con inversores; discontinua: con
Ls y Cs).
Se observa que debido a las aproximaciones realizadas la respuesta en frecuencia
diere ligeramente de la ideal, pero sigue siendo bastante aceptable. Notese que en
este caso el hecho que g
N+1
= 1 no supone problema, y la impedancia de carga debe
ser Z
0
, pues el ultimo inversor, J
N,N+1
, ya se encarga de compensar este hecho.
Si para la realizacion del inversor se hubiese escogido lneas acopladas, los valores
de las impedancias par e impar de las lneas de transmision acopladas habran sido:
206
Z
e
0
1
=

1 +J
2
01
+J
01
= 1, 1820 ; Z
o
0
1
=

1 +J
2
01
J
01
= 0, 8460
Z
e
0
2
=

1 +J
2
12
+J
12
= 1, 0339 ; Z
o
0
2
=

1 +J
2
12
J
12
= 0, 9672
Z
e
0
3
=

1 +J
2
23
+J
23
= 1, 0284 ; Z
o
0
3
=

1 +J
2
23
J
23
= 0, 9723
Z
e
0
4
=

1 +J
2
34
+J
34
= 1, 0339 ; Z
o
0
4
=

1 +J
2
34
J
34
= 0, 9672
Z
e
0
5
=

1 +J
2
45
+J
45
= 1, 1820 ; Z
o
0
5
=

1 +J
2
45
J
45
= 0, 8460
Dichos valores seran normalizados y habra que multiplicarlos por Z
0
para des-
normalizarlos.
Z
e
0
1
= 59, 1 ; Z
o
0
1
= 42, 3
Z
e
0
2
= 51, 69 ; Z
o
0
2
= 48, 36
Z
e
0
3
= 51, 42 ; Z
o
0
3
= 48, 615
Z
e
0
4
= 51, 69 ; Z
o
0
4
= 48, 36
Z
e
0
5
= 59, 1 ; Z
o
0
5
= 42, 3
Un posible aspecto de un ltro con lneas acopladas realizado en tecnologa planar
sera el mostrado en la gura 6.23, donde los anchos de las lneas y las distancias
entre ellas seran tales que supusiesen las impedancias Z
e
0
y Z
o
0
calculadas.
Figura 6.23: Filtro paso banda con lneas acopladas en microtira.
Captulo 7
Circuitos activos
7.1. Introduccion
En los captulos anteriores se han visto diferentes circuitos pasivos y los metodos
de analisis de los mismos. Para completar este curso de microondas faltara abordar el
dise no de circuitos que sean activos. En este captulo se recogeran algunas de las pro-
piedades mas comunes de circuitos activos como son amplicadores con transistores
y con dispositivos de resistencia negativa y osciladores. Cada uno de estos circuitos
podran justicar toda una asignatura dedicada a los mismos, por lo que se debe
comprender que aqu se veran tan solo unos aspectos basicos de cada uno de ellos.
7.2. Amplicadores con transistores
7.2.1. Introduccion
La amplicacion es una de la funciones mas basicas en circuitos de microondas.
Los primeros amplicadores de microondas se realizaron con tubos de vaco o dio-
dos con resistencia negativa, pero hoy da la mayora de los amplicadores utilizan
transistores de efecto campo en arseniuro de galio (GaAs FETs). El uso de tran-
sistores bipolares se limita para amplicadores en la banda baja de microondas, si
bien ultimamente sus prestaciones estan mejorando mucho. Los amplicadores con
transistores son robustos, de bajo precio y muy realizables, pudiendose utilizar hasta
60 GHz para aplicaciones de media y baja potencia. A continuacion se vera el dise no
de amplicadores de banda estrecha y baja potencia, incluyendo el dise no de bajo
ruido. El metodo presentado utiliza los parametros de dispersion de un transistor, y
puede ser utilizado tanto para transistores bipolares como para FETs.
207
208
Parametros de dispersion de un transistor Si bien un transistor es un dispo-
sitivo de tres terminales, haciendo uno de ellos com un, es posible convertirlo en una
red de dos accesos o cuadripolos como muestra la gura 7.1.
Figura 7.1: Parametros S transistor.
Por tanto es posible hablar de una matriz de dispersion para un determinado
transistor. Estos parametros de dispersion tendran la siguiente signicacion:
Parametros S
11
y S
22
Estos parametros dan informacion de las impedancias de en-
trada/salida con Z
0
en el otro lado, seg un se muestra en la gura 7.2.
Figura 7.2: Medida parametros S
11
y S
22
de un TRT.
Donde las expresiones de Z
in
y Z
out
vendran dadas por:
Z
in
= Z
0
1 +S
11
1 S
11
(7.2.1)
Z
out
= Z
0
1 +S
22
1 S
22
(7.2.2)
Parametro S
21
Este parametros nos da informacion de la transmision en sentido
directo, de 1 a 2, de forma que |S
21
|
2
es igual a la ganancia de potencia en una
conguracion como la de la gura 7.3.
Debe observarse que interesara que |S
21
| presente valores elevados.
209
Figura 7.3: Medida parametro S
21
de un TRT.
Parametro S
12
Este parametro nos da informacion de la transmision en sentido
inverso, de 2 a 1, de forma que |S
12
|
2
indica la fraccion de potencia transmitida
de salida a entrada en una conguracion como la de la gura 7.4.
Figura 7.4: Medida parametro S
12
de un TRT.
En este caso el valor de |S
12
| que interesara sera el de cero.
Dado que los parametros de dispersion son n umeros complejos que varan con
la frecuencia, se suelen representar en carta de Smith (los parametros de reexion
S
11
y S
22
) y en un graco polar (los parametros de transmision S
21
y S
12
). Una
representacion tpica es la de la gura 7.5.
El dise no de amplicadores haciendo uso de los parametros de dispersion presenta
varias ventajas:
1. No existe ninguna dicultad a la hora de cambiar los planos de referencia de los
parametros de dispersion del transistor.
2. Las terminaciones son resistivas, Z
0
, lo que signica que evitan posibles oscila-
ciones.
3. Se puede utilizar la carta de Smith en el proceso de dise no partiendo de S
11
y
S
22
.
4. No es necesario conocer el circuito equivalente del transistor.
5. A partir del conocimiento de los parametros de dispersion se puede encontrar
facilmente las matrices [H], [Y ] y [Z].
210
Figura 7.5: Representacion de los parametros de dispersion de un TRT.
Parametros de un amplicador de una etapa. El esquema basico de un am-
plicador es el que se muestra en la gura 7.6.
Figura 7.6: Amplicador de una etapa con transistor.
El amplicador como tal, esta compuesto por dos redes de entrada y salida (adap-
tadores sin perdidas) y el transistor.
Este esquema se puede reducir a un circuito equivalente como el de la gura 7.7.
En una conguracion como esta se observan los siguientes parametros:
Ganancia de transferencia, G
T
.
Impedancias de entrada y salida del transistor.
Ganancia de transferencia, G
T
. Seg un se vio en el apartado 3.4 se dena la ga-
nancia de transferencia como el cociente entre la potencia entregada a la carga,
211
Figura 7.7: Esquema equivalente amplicador con TRT.
P
L
, y la potencia disponible del generador, P
avs
. La expresion obtenida fue la
(3.4.25)
G
T
=
|S
21
|
2
(1 |
L
|
2
)(1 |
S
|
2
)
|(1
S
S
11
)(1
L
S
22
) S
12
S
21

S
|
2
donde

S
=
Z
S
Z
0
Z
S
+Z
0
=
Y
0
Y
S
Y
0
+Y
S

L
=
Z
L
Z
0
Z
L
+Z
0
=
Y
0
Y
L
Y
0
+Y
L
Impedancias de entrada y salida del TRT, Z
in
y Z
out
. Seg un la gura 7.7, las
impedancias de entrada y salida del transistor podran ponerse en funcion de
los factores de reexion
in
y
out
seg un:
Z
in
= Z
0
1 +
in
1
in
Z
out
= Z
0
1 +
out
1
out
Y seg un se vio tambien en el apartado 3.4, los factores de reexion de entrada
y salida se podan expresar en funcion de los parametros de dispersion del
transistor seg un las formulas (3.4.17) y (3.4.18):

in
= S
11
+S
12
S
21

L
1 S
22

out
= S
22
+S
21
S
12

S
1 S
11

S
212
7.2.2. Estabilidad
En el dise no de un amplicador hay que cuidar los riesgos de oscilaciones, o lo que
es lo mismo, las condiciones de estabilidad. Seg un esta caracterstica de estabilidad
se pueden clasicar los transistores en dos grupos:
Transistores incondicionalmente estables. Seran aquellos que cualquier valor
de
L
y
S
proporciona un valor de |
in
| < 1 y |
out
| < 1, respectivamente. Es
decir, que las impedancias de entrada y salida tendran parte real positiva.
Transistores condicionalmente estables. Seran aquellos que para algunos valo-
res de
L
y/o
S
dan alg un valor |
in
| > 1 y/o |
out
| > 1. Es decir que las
impedancias Z
in
y/o Z
out
tendran parte real negativa.
Para el estudio de la inestabilidad de un transistor se hace uso de lo que se conoce
como crculos de estabilidad; que dan informacion de los factores de reexion
L
y

S
que proporcionan condiciones de inestabilidad. Las zonas de estabilidad se pue-
den representar gracamente sobre la carta de Smith. Ocurrira inestabilidad cuando
|
in
| > 1 o |
out
| > 1. Para encontrar los valores de
L
que llevan a inestabilidad, lo
primero que hay que hacer es encontrar la frontera entre la zona estable y la inestable,
es decir cuando |
in
| = 1. Igualando la expresion del modulo del factor de reexion

in
a 1 se obtiene la siguiente ecuacion:

S
11
+
S
12
S
21

L
1 S
22

= 1 (7.2.3)
Para un transistor dado, sus parametros de dispersion seran datos, y por lo tanto
en la ecuacion (7.2.3) solo quedara como incognita el valor complejo
L
. Esta ecuacion
se puede reescribir como:

(S
22
S

11
)

|S
22
|
2
||
2

S
12
S
21
|S
22
|
2
||
2

(7.2.4)
siendo el determinante de la matriz de dispersion.
En el plano complejo de , una ecuacion de la forma | C| = r representa un
crculo con centro en C (n umero complejo) y un radio r (n umero real). Por tanto la
ecuacion (7.2.4) dene un crculo de estabilidad de salida (o de carga) con centro C
L
y radio r
L
donde:
C
L
=
(S
22
S

11
)

|S
22
|
2
||
2
(7.2.5)
r
L
=

S
12
S
21
|S
22
|
2
||
2

(7.2.6)
213
De forma similar se podra encontrar un crculo de estabilidad de entrada (o de
generador), es decir valores de
S
que hacen |
out
| = 1, resultando que el centro y el
radio de este crculo seran:
C
S
=
(S
11
S

22
)

|S
11
|
2
||
2
(7.2.7)
r
S
=

S
12
S
21
|S
11
|
2
||
2

(7.2.8)
Dados los parametros de dispersion de un dispositivo, se pueden dibujar los crculos
de estabilidad a la entrada y a la salida que denen donde |
out
| = 1 y |
in
| = 1. Estas
circunferencias marcan la frontera entre la zona estable, |
in
| < 1 (o |
out
| < 1), y
la inestable, |
in
| > 1 (o |
out
| > 1). Faltara por determinar las areas en la carta de
Smith que representan las zonas estables, para las que |
in
| < 1 y |
out
| < 1, y las
zonas inestables, para las que |
in
| > 1 y |
out
| > 1. Para ello se particulariza las
expresiones (3.4.17) y (3.4.18) para
L
= 0 y
S
= 0 (centros de la carta de Smith),
y se observa que
in
= S
11
y
out
= S
22
. Puesto que se conocen los parametros de
dispersion del transistor, se sabra si el centro de la carta de Smith pertenece o no a la
zona estable. De esta forma si |S
11
| < 1, el centro de la carta de Smith (plano complejo

L
) sera estable, y con el todos los valores de
L
que queden situados en esta misma
zona. De igual forma se dira para
S
: si |S
22
| < 1, el centro de la carta de Smith
(plano complejo
S
) sera estable, y con el todos los valores de
S
que queden situados
en esta misma zona. La gura 7.8 recoge las zonas estables en el plano complejo
L
para las cuatro situaciones posibles.
Un razonamiento semejante resultara para los crculos de estabilidad de entrada,
plano complejo
S
.
Es importante destacar que estos crculos de estabilidad dependen de la frecuencia,
dado que las expresiones (7.2.5), (7.2.6), (7.2.7) y (7.2.8) dependen de los parametros
de dispersion, que a su vez dependen de la frecuencia. Un posible aspecto de crculos
de estabilidad de un transistor para diferentes frecuencias sera el mostrado en la
gura 7.9.
Esto supondra que, a pesar de dise nar un amplicador a una determinada frecuen-
cia, habra que mirar que los factores de reexion de carga y fuente que se escojan no
esten en zona de inestabilidad a todas las frecuencias.
Si un dispositivo es incondicionalmente estable, los crculos de estabilidad deben
estar completamente fuera de la carta de Smith. Se puede poner matematicamente
que esto ocurrira cuando:
Incondicionalmente estable
_
||C
L
| r
L
| > 1 para |S
11
| < 1
||C
S
| r
S
| > 1 para |S
22
| < 1
(7.2.9)
214
Figura 7.8: Zonas estable en el plano complejo
L
.
Si |S
11
| > 1 o |S
22
| > 1, el amplicador no puede ser incondicionalmente estable
porque se podra tener siempre una impedancia de fuente o carga de valor Z
0
, que
haga que
S
= 0 o
L
= 0, y por lo tanto cause que |
in
| > 1 o |
out
| > 1. Una forma
de averiguar a priori si un transistor es incondicionalmente estable a una frecuencia,
es mediante el factor de estabilidad, K, que se dene como:
K =
1 +|S
11
S
22
S
12
S
21
|
2
|S
11
|
2
|S
22
|
2
2|S
12
S
21
|
(7.2.10)
Con esta denicion resultara que un transistor es incondicionalmente estable si
K > 1 y || < 1. Resultando que las impedancias de optima adaptacion permiten
asegurar que la ganancia que se obtiene es la maxima disponible. Recientemente se ha
denido un nuevo factor de estabilidad, , que permite ver si es incondicionalmente
estable por si solo. Este nuevo factor de estabilidad se dene como:
=
1 |S
11
|
2
|S
22
S

11
| +|S
21
S
12
|
(7.2.11)
215
Figura 7.9: Crculos de estabilidad a varias frecuencias.
Con este nuevo factor de estabilidad, se dira que un transistor es incondicional-
mente estable si > 1.
Cuando no se cumpla esta condicion, > 1, el transistor sera condicionalmente
estable. Si en este caso las impedancias de optima adaptacion (maxima ganancia)
caen en la zona inestable habra que elegir otras impedancias conforme a los crculos
de estabilidad.
7.2.3. Ruido
Aparte de la estabilidad, otra consideracion importante en el dise no de un ampli-
cador de microondas es su factor de ruido. Generalmente no es es posible obtener
mnimo factor de ruido y maxima ganancia para un amplicador, y alg un tipo de
compromiso se debera alcanzar.
El factor de ruido de un amplicador de dos accesos se puede expresar como:
F = F
min
+
R
n
G
S
_
|Y
S
Y
opt
|
2

(7.2.12)
F = F
min
+
R
n
G
S
_
(G
S
G
opt
)
2
+ (B
S
B
opt
)
2

(7.2.13)
216
donde
F
min
= Factor de ruido mnimo
R
n
= Resistencia equivalente de ruido del transistor
Y
S
= G
S
+jB
S
= Admitancia del generador
Y
opt
= G
opt
+jB
opt
= Valor optimo de Y
S
que da lugar a F
min
En lugar de las admitancias Y
S
y Y
opt
, se puede utilizar los factores de reexion

S
y
opt
donde:
Y
S
= Y
0
1
S
1 +
S
(7.2.14)
Y
opt
= Y
0
1
opt
1 +
opt
(7.2.15)
Los valores F
min
,
opt
y R
n
son caractersticas de cada transistor en particular, y
se les conoce como parametros de ruido del dispositivo; debe darlos el fabricante o
bien medirlos.
Utilizando las expresiones (7.2.14) y (7.2.15) se podra poner que:
F = F
min
+ 4r
n
|
opt

S
|
2
(1 |
S
|
2
)|1 +
opt
|
2
(7.2.16)
con r
n
= R
n
/Z
0
.
Para un factor de ruido jo, F, se tendra que en el plano complejo
S
la ecuacion
(7.2.16) dene un crculo (valores
S
que proporcionan un F = Cte.). Deniendo el
parametro de gura de ruido N como:
N =
|
S

opt
|
2
1 |
S
|
2
=
F F
min
4r
n
|1 +
opt
|
2
(7.2.17)
se puede llegar a demostrar que:
_
N(N + 1 |
opt
|
2
)
N + 1
=


opt
N + 1

(7.2.18)
Expresion que dene los crculos de ruido constante con centro y radio en:
C
F
=

opt
N + 1
(7.2.19)
R
F
=
1
1 +N
_
N(N + 1 |
opt
|
2
) (7.2.20)
217
Observese que los centros de los crculos de ruido constante estaran sobre la lnea
recta de angulo igual a la fase de
opt
. Dentro de cada crculo se tendra que el factor
de ruido sera menor que el valor de F constante escogido.
7.2.4. Dise no unilateral
Este metodo supone que S
12
= 0, lo que lleva a un resultado aproximado. Por el
hecho de suponer que S
12
= 0 se puede poner que los factores de reexion a la entrada
y a la salida de transistor son S
11
y S
22
respectivamente, como se muestra en la gura
7.10.
Figura 7.10: Amplicador unilateral
Con esta suposicion la ganancia de transferencia, denominada unilateral, G
TU
,
ser a:
G
TU
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
|S
21
|
2
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
(7.2.21)
En esta nueva expresion se pueden distinguir tres terminos, uno asociado con la
red de entrada, G
1
, otro con el transistor, G
0
, y uno asociado con la salida, G
2
:
G
1
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
(7.2.22)
G
0
= |S
21
|
2
(7.2.23)
G
2
=
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
(7.2.24)
G
TU
= G
1
G
0
G
2
De estos tres terminos G
0
es jo para un transistor dado, y por lo tanto la ga-
nancia total del amplicador se controlara con las ganancias G
1
y G
2
, de las redes
218
de entrada y salida. La maxima ganancia ocurrira cuando estas secciones consigan
adaptacion conjugada entre la fuente o la impedancia de carga y el transistor. Debido
a que la mayora de los transistores presentan una importante desadaptacion de impe-
dancia (|S
11
| y |S
22
| grandes), la respuesta en frecuencia sera de banda estrecha. Una
manera de conseguir ampliar el ancho de banda consiste en dise nar el amplicador
para una ganancia menor que la maxima. La maxima ganancia de transferencia se
conseguira cuando haya adaptacion de impedancias conjugadas. Es decir:

in
=

S
(7.2.25)

out
=

L
(7.2.26)
Para el caso unilateral (S
12
= 0) esto se reduce a que:

S
= S

11
(7.2.27)

L
= S

22
(7.2.28)
Quedando que la ganancia maxima unilateral viene dada por:
G
TUmax
= G
1max
|S
21
|
2
G
2max
(7.2.29)
G
1max
=
1
1 |S
11
|
2
(7.2.30)
G
2max
=
1
1 |S
22
|
2
(7.2.31)
Como ya se dijo anteriormente, conseguir la maxima ganancia va en detrimento
del ancho de banda. En muchos casos es preferible dise nar el amplicador por debajo
de la maxima ganancia obtenible, para mejorar el ancho de banda o para obtener un
valor de ganancia concreto. Para simplicar este dise no, es util dibujar en la carta
de Smith los crculos de ganancia constante que representan los valores
S
y
L
que
proporcionan unos valores jos de ganancia G
1
y G
2
.
Si se hace que G
1
sea constante:
G
1
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
= Cte. (7.2.32)
se tendra que los valores de
S
que cumplen esta ecuacion estan en una circunferencia
en el plano
S
con los siguientes centro, C
1
, y radio, r
1
:
219
C
1
=
G
1
S

11
1 +G
1
|S
11
|
2
(7.2.33)
r
1
=
_
1 G
1
(1 |S
11
|
2
)
1 +G
1
|S
11
|
2
(7.2.34)
De igual forma se podra proceder con los valores de
L
que dan una ganancia G
2
constante, resultando que:
G
2
=
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
= Cte. (7.2.35)
y
C
2
=
G
2
S

22
1 +G
2
|S
22
|
2
(7.2.36)
r
2
=
_
1 G
2
(1 |S
22
|
2
)
1 +G
2
|S
22
|
2
(7.2.37)
Una representacion tpica en el plano
S
de los crculos de ganancia constante
aparece en la gura 7.11.
Figura 7.11: Crculos de ganancia constante
El hecho de suponer que |S
12
| es peque no simplica enormemente el dise no. El
error que se comete en la ganancia de transferencias G
T
, por el hecho de aproximar
|S
12
| a cero viene dado por el cociente (en lineal):
G
T
G
TU
220
Deniendo factor de merito unilateral ,u , como:
u =
|S
11
S
12
S
21
S
22
|
|(1 |S
11
|
2
)(1 |S
22
|
2
)|
(7.2.38)
se puede demostrar que, cuando
S
= S

11
y
L
= S

22
:
1
(1 +u)
2
<
G
T
G
TU
<
1
(1 u)
2
(7.2.39)
en lineal, o
20 log(1 +u) < G
T
(dB) G
TU
(dB) < 20 log(1 u) (7.2.40)
en dB.
El caso ideal ocurrira cuando u = 0, de forma que G
T
= G
TU
, y por tanto no
habra error. Normalmente un error de unas pocas decimas de dB justica la suposicion
unilateral. Por ejemplo si u = 0, 1 se tendra que:
20 log(1 +u) = 0, 83
20 log(1 u) = 0, 91
teniendo un error de ganancia entre 0, 83 y 0, 91 dB:
0, 83 < G
T
(dB) G
TU
(dB) < 0, 91
Observando los crculos de ganancia constante, gura 7.11, se concluye que
S
y

L
pueden ser escogidos a lo largo de estos para una ganancia dada. La eleccion de

S
y
L
, por tanto, no es unica, pero parece logico escoger los puntos que queden mas
cerca del centro de la carta de Smith para minimizar la desadaptacion y por tanto
maximizar el ancho de banda. Alternativamente, como se vera posteriormente, en un
dise no de bajo ruido se puede escoger una red a la entrada desadaptada. Observando
estos crculos se puede ver que los centros de cada familia de crculos descansan sobre
una lnea recta dada por el angulo de S

11
o S

22
(seg un expresiones (7.2.33) y (7.2.36)).
Tambien se observa que para G
1max
(o G
2max
) los radios r
1
(o r
2
) son cero.
Ejemplo: Dise nar un amplicador de bajo ruido con el transistor HXTR-6101
para 4 GHz. Los datos que da el fabricante son:
[S] =
_
0, 522
169
o 0, 049
23
o
1, 681
26
o 0, 839
69
_
y
F
min
(dB) = 2, 5 dB;
opt
= 0, 475
166
o; R
n
= 3, 5
221
para f = 4 GHz, V
CE
= 10 V e I
C
= 4 mA.
Calculando la ganancia maxima de cada etapa se tendra que:
G
1max
=
1
1 |S
11
|
2
= 1, 3745 = 1, 38 dB
G
0
= |S
21
|
2
= 2, 83 = 4, 51 dB
G
2max
=
1
1 |S
22
|
2
= 3, 38 = 5, 29 dB
Por lo tanto la ganancia maxima unilateral sera de:
G
Tmax
= G
1max
+G
0
+G
2max
= 1, 38 + 4, 51 + 5, 29 = 11, 18 dB
Si se comprueba si es incondicionalmente estable se observa que:
K =
1 +||
2
|S
11
|
2
|S
22
|
2
2|S
12
S
21
|
= 1, 07 > 1
|| = 0, 391 < 1
= 1, 0095 > 1
por lo que es incondicionalmente estable. En este caso ya no sera necesario representar
los crculos de estabilidad.
En cuanto al error que se comete por utilizar dise no unilateral se tendra que el
factor de merito unilateral sera:
u =
|S
11
S
12
S
21
S
22
|
|(1 |S
11
|
2
)(1 |S
22
|
2
)|
= 0, 167
por lo que el error que se cometera sera de:
20 log(1 +u) < G
T
G
TU
< 20 log(1 u)
1, 35 < G
T
G
TU
< 1, 59 dB
El cual es un valor sucientemente bajo como para suponer correcta la utilizacion
de dise no unilateral.
Como se debe conseguir bajo ruido a la entrada se escogera
S
=
opt
y a la salida

L
= S

22
, puesto que es incondicionalmente estable. Si se representa sobre el plano
S
los crculos de factor de ruido constante y ganancia constante se tendra la situacion
mostrada en la gura 7.12.
El crculo de ganancia constante que pasa por F
min
corresponde a una ganancia
de 1 dB. Luego la ganancia total que se conseguira sera de:
222
Figura 7.12: Crculos ruido y ganancia constante ejemplo.
G
TU
= G
1
+G
0
+G
2max
= 1 + 4, 51 + 5, 29 = 10, 8 dB
Y para ello se debera disponer de una conguracion como la mostrada en la gura
7.13.
Se debera conseguir con la red de entrada el factor de reexion de fuente
S
=

opt
= 0, 475
166
o, es decir una admitancia de entrada normalizada igual a:

Y
S
=
1
S
1 +
S
= 2, 55 j0, 76
Para conseguir esto se puede pensar en utilizar una red de entrada como la de
la gura 7.14. donde se observa que aparece un tramo en /4 (transformador de
impedancia) que permitira encontrar la parte resistiva de Y
S
.
Y

0
=
_
G
S
Y
0
= 0, 0319 S
Z

0
=
1
Y

0
= 31, 3
y un stub en paralelo terminado en cortocircuito que permite sintetizar la parte
reactiva de Y
S
:
223
Figura 7.13: Amplicador ejemplo
Figura 7.14: Red entrada ejemplo
B
S
= jY

0
1
tan l
1
= jY

Y
S
= 2, 55 j0, 76
B
S
=

B
S
50
=
0, 76
50
= Y

0
Z

0
=
50
0, 76
= 65, 8
De forma similar se hara para la red de salida.
Una posible realizacion de un amplicador en tecnologa microstrip se muestra en
la gura 7.17.
224
Figura 7.15: Parte real Y
S
.
Figura 7.16: Parte imaginaria Y
S
.
Figura 7.17: Layout microstrip amplicador del ejemplo.
7.2.5. Dise no bilateral
En este caso no se supone que S
12
= 0, y el analisis se complica bastante porque
aparecen interacciones entre la entrada y la salida del transistor. En otras palabras,
el factor de reexion de carga
L
que se ponga al transistor afectara a la
in
que se
vea en la entrada, y viceversa:

in
= S
11
+
S
12
S
21

L
1 S
22

out
= S
22
+
S
12
S
21

S
1 S
11

S
Para conseguir maxima ganancia debera ocurrir simultaneamente que:

in
=

S
= S
11
+
S
12
S
21

L
1 S
22

out
=

L
= S
22
+
S
12
S
21

S
1 S
11

S
225
Se trata de un sistema de dos ecuaciones con dos incognitas que solo tiene una
solucion:

S
=
mS

L
=
mL
Estos valores solo dependen de los parametros de dispersion del transistor y vienen
dados por:

mS
=
B
1

_
B
2
1
4|C
1
|
2
2C
1
(7.2.41)

mL
=
B
2

_
B
2
2
4|C
2
|
2
2C
2
(7.2.42)
donde:
B
1
= 1 +|S
11
|
2
|S
22
|
2
||
2
B
2
= 1 +|S
22
|
2
|S
11
|
2
||
2
C
1
= S
11
S

22
C
2
= S
22
S

11
y se escoge el signo + o - en (7.2.41) y (7.2.42) para que |
mS
1 y |
mL
1.
Y en general la ganancia maxima disponible, para transistores incondicionalmente
estables, viene dada por:
G
Tmax
=

S
21
S
12

K
2
1

(7.2.43)
donde el signo de la raz cuadrada se escoge + si B
1
< 0 o si B
1
> 0.
Ejemplo: Dise nar un amplicador para maxima ganancia con el mismo transistor
del ejemplo anterior, tambien a 4 GHz. Aplicando las expresiones (7.2.41) y (7.2.42)
resultan:

mS
= 0, 856
154
o

mL
= 0, 951
72
o
Con estos valores la ganancia de transferencia quedara como:
G
T
= 23, 46 = 13, 7 dB
226
7.3. Amplicadores de resistencia negativa
Un dispositivo que presenta una resistencia negativa, es capaz de generar potencia
al tener un factor de reexion mayor que la unidad. Esto permite pensar en utilizarlo
como amplicador o como oscilador. En este apartado se vera su aplicacion como
amplicador. Una conguracion basica es la que se muestra en la gura 7.18.
Figura 7.18: Amplicador de resistencia negativa.
Si entre generador y carga se introduce un dispositivo con una resistencia negativa
R
N
(con R
N
> 0), se tendra que la corriente de la malla, I, aumenta I > I

,
resultando que la potencia en la carga aumenta. Debe observarse que debe cumplirse
la condicion de que la suma de todas las resistencias sea positiva:
R
g
+R
L
R
N
> 0
Si se supone excitacion senoidal, es decir una tension del generador de V
S
= V e
jt
,
se vera que la potencia disponible de este es:
P
avs
=
1
8
|V |
2
R
g
mientras que la potencia entregada a la carga vendra dada por:
P
L
=
1
2
[V
L
I

L
] =
1
2

_
V
R
g
+R
L
R
N
R
L
V

R
g
+R
L
R
N
_
=
1
2
R
L
|V |
2
(R
g
+R
L
R
N
)
2
De forma que la ganancia de transferencia de potencia sera:
G
T
=
P
L
P
avs
=
1
2
R
L
|V |
2
(R
g
+R
L
R
N
)
2
1
8
|V |
2
R
g
=
4R
L
R
g
(R
g
+R
L
R
N
)
2
227
Si se llama R a la resistencia positiva total vista desde el amplicador y a la
diferencia relativa entre las resistencias positiva y negativa se tendra que:
R = R
g
+R
L
=
R
N
R
R
R
N
= R(1 + )
Pudiendose expresar la ganancia de transferencia como:
G
T
=
4R
g
R
L

2
R
2
Fijando , el valor de R
L
que maximiza la ganancia sera R
L
= R
g
, que es el que
hace que G
T
/R
L
= 0. Para este valor de R
L
la ganancia maxima sera:
G
Tmax
=
1

2
(7.3.1)
Y por lo tanto ja el valor de la ganancia. Ademas es facil comprender que
es un parametro importante en cuanto a la estabilidad.
Otra conguracion posible de un amplicador con un dispositivo de resistencia
negativa es el de la gura 7.19, donde se aprovecha el hecho de que || > 1.
Figura 7.19: Amplicador con resistencia negativa.
228
El factor de reexion que presenta la carga viene dado por:
=
R
N
Z
0
R
N
+Z
0
=|| > 1
Para poder conectar los tres elementos de la gura 7.19, una posibilidad es utilizar
un circulador como se muestra en la gura 7.20.
Figura 7.20: Amplicador de resistencia negativa con circulador.
En este caso la ganancia de potencia vendra dada por:
G
T
=
P
L
P
avs
= ||
2
(7.3.2)
Es decir que:
G
T
= ||
2
=

R
N
Z
0
R
N
+Z
0

2
=
(Z
0
+R
N
)
2
(Z
0
R
N
)
2
(7.3.3)
y si se expresa R
N
como:
R
N
= Z
0
(1 + ) (7.3.4)
se puede poner que:
G
T
=
_
2 +

_
2

2
(7.3.5)
Comparando esta expresion con (7.3.1), se puede decir que la conguracion con
circulador mejora la ganancia en un factor 4 (6 dB) con respecto a la primera.
El dispositivo que se utiliza para conseguir la resistencia negativa, a parte de esta
parte resistiva tendra una parte reactiva que interesara cancelar con alg un circuito de
229
Figura 7.21: Red de sintona de un amplicador de resistencia negativa.
sintona externa. Esto supone que se tendra un cierto ancho de banda. La gura 7.21
muestra esto.
Siendo f
0
la frecuencia de sintona:
f
0
=
1
2
1

LC
(7.3.6)
Para el caso particular de la conguracion con circulador se tendra la situacion
mostrada en la gura 7.22.
Figura 7.22: Amplicador con circulador, red de sintona y resistencia negativa.
En este caso se tendra que la ganancia de transferencia vendra dada por:
230
Figura 7.23: Ganancia de transferencia en funcion de la frecuencia.
G
T
(f) = G
T0
1 +
_
2Q
N
Q
E
Q
N
+Q
E

_
2
1 +
_
2Q
N
Q
E
Q
N
Q
E

_
2
(7.3.7)
donde
G
T0
=
_
Z
0
+R
N
Z
0
R
N
_
2
Q
N
=
R
N

0
L
Q
E
=
Z
0

0
L
=
f f
0
f
0
Resultando que la ganancia de transferencia en funcion de la frecuencia tendra un
aspecto como el de la gura 7.23.
7.4. Osciladores
Un oscilador de microondas convierte potencia DC en potencia de RF, y es unos
de los componentes mas basicos en sistemas de alta frecuencia. Un oscilador de estado
solido utiliza un dispositivo activo, tal como un diodo o transistor, que juntamente
231
con un circuito pasivo produce una se nal de RF senoidal estacionaria. Al comienzo,
sin embargo, la oscilacion se inicia por transitorios o ruido, despues de lo cual un
oscilador dise nado adecuadamente alcanzara un estado de oscilacion estable. Este
proceso requiere que el dispositivo activo sea no lineal. Ademas, debido a que el
dispositivo produce potencia de RF, debe tener una resistencia negativa. Todo esto
hace que el analisis detallado de operacion de un oscilador sea muy laborioso, y queda
fuera del objetivo de estos apuntes.
En primer lugar se discutira el dise no y operacion de osciladores con resistencia
negativa. Como ejemplo de estos osciladores se tienen los que utilizan diodos IMPATT
o diodos GUNN. Posteriormente se veran osciladores con transistores, donde tanto
el transistor FET como el bipolar pueden trabajar con una terminacion pasiva que
produzca una resistencia negativa en su acceso de entrada. O lo que es lo mismo,
el transistor trabaja en una region inestable, a diferencia de cuando trabajaba como
amplicador.
7.4.1. Osciladores con diodos
El esquema basico de este tipo de osciladores se muestra en la gura 7.24.
Figura 7.24: Oscilador con dispositivo de resistencia negativa.
Donde se distingue un dispositivo, diodo o transistor realimentado, con resistencia
negativa e impedancia global de entrada Z
D
, y un conjunto formado por la carga R
C
y la red de transformacion, que presenta una impedancia Z
L
. Por lo tanto se puede
reducir el circuito a dos impedancias conectadas en serie, como muestra la gura 7.25.
Aplicando la ley de tensiones de Kircho se tendra que:
(Z
D
+Z
L
)I = 0 (7.4.1)
Si la oscilacion aparece, de forma que la corriente de RF, I, no es cero, entonces
debera cumplirse que:
Z
D
+Z
L
= 0 (7.4.2)
232
Figura 7.25: Circuito equivalente oscilador con dispositivo de resistencia negativa.
que resulta equivalente a:

D

L
= 1 (7.4.3)
siendo esta la condicion de oscilacion necesaria pero no suciente.
En general, la impedancia del dispositivo, Z
D
, dependera de la corriente y de la
frecuencia, y tendra una parte real R
D
y una parte imaginaria, X
D
:
Z
D
(I, ) = R
D
(I, ) +jX
D
(I, ) (7.4.4)
Algo parecido se puede decir de Z
L
, pero sin depender de la corriente y suponiendo
que la parte real no depende de la frecuencia:
Z
L
() = R
L
+jX
L
() (7.4.5)
La ecuacion (7.4.2) se cumplira para una determinada frecuencia de oscilacion f
0
,
y para una determinada corriente I
0
. Se vera mejor esta condicion sobre un ejemplo.
Ejemplo: Se desea dise nar un oscilador haciendo uso de un diodo IMPATT (IM-
Pact Avalanche Transist Time) caracterizado por el circuito equivalente de la gura
7.26.
Figura 7.26: Circuito equivalente diodo IMPATT
La dependencia de R
D
con la corriente de RF se muestra en la graca de la gura
7.27. Aproximadamente esta curva se puede expresar como:
233
Figura 7.27: Dependencia de R
D
con la corriente de RF.
R
D
(I) = a bI
2
= 4 3, 1 I
2
(7.4.6)
Para conseguir un oscilador con este diodo se le debera conectar una carga que
cumpla (7.4.2), como podra ser una bobina L en serie con una resistencia R
C
, como
se muestra en la gura 7.28.
Figura 7.28: Diodo IMPATT con red de adaptacion y carga.
La frecuencia de oscilacion vendra dada por:
f
0
=
1
2
1

LC
(7.4.7)
Se debe tambien escoger el valor de R
C
para conseguir la maxima potencia de
234
oscilacion:
P =
1
2
R
C
I
2
0
(7.4.8)
Si se aplica que R
C
= R
D
se podra maximizar (7.4.8) y buscar la corriente optima,
que de maxima potencia. De forma que:
P =
1
2
(a bI
2
0
)I
2
0
(7.4.9)
y derivando e igualando a cero:
P
I
0
= 0 =aI
0
2bI
3
0
= 0 (7.4.10)
I
0
=
_
a
2b
=
_
4
2 3, 1
= 0, 8 A (7.4.11)
Para esta corriente el valor de R
D
sera de:
R
D
(I
0
= 0, 8) = 2 (7.4.12)
Luego el valor optimo de R
C
sera:
R
C
= 2
y la potencia conseguida:
P =
1
2
2 0, 8
2
= 640 mW (7.4.13)
Para encontrar las condiciones de oscilacion se suelen representar gracamente
tanto Z
L
como Z
D
. A la representacion de Z
D
se le llamara lnea de dispositivo,
y a la de Z
L
lnea de carga. Es habitual extraer la dependencia con la frecuencia del
dispositivo, trasladandola a la carga y deniendo impedancia de dispositivo a partir
de aquel punto que solo depende de la amplitud de la corriente de RF. Es decir toda
la dependencia con la frecuencia aparecera en la impedancia de carga, Z
L
(f), y toda
la dependencia con la corriente en la de dispositivo, Z
D
(I).
Por ejemplo, para el caso anterior la impedancia de dispositivo quedara redenida
como Z
D
(I) = R
D
(I) y la de carga incluira tanto la bobina L como el condensador
C y la carga R
C
. La representacion de la lneas de carga y dispositivo en este caso
seran las mostradas en la gura 7.29.
El punto de corte de las dos lneas daran los valores de I
0
y f
0
. Donde se ha
llamado Z
D
solo a R
D
y se ha incorporado el condensador C a Z
L
(f) seg un muestra
la gura 7.30.
235
Figura 7.29: Lneas de carga y dispositivo con un diodo IMPATT.
Figura 7.30: Redenicion de las impedancias de dispositivo y de carga.
Denido Z
L
de esta forma, al factor de calidad Q de Z
L
se le puede asociar la
estabilidad de frecuencia del oscilador:
Z
L
(f) R
L
(1 +j2Q) (7.4.14)
donde
Q =

0
L
R
L
=
f f
0
f
0
En esta representacion graca, no solo aparece informacion de f
0
e I
0
, sino que
seg un el angulo de cruce, , de las dos lneas, se puede ver si se trata de un punto de
236
oscilacion estable o no. La denicion de este angulo es la siguiente: partiendo de la
rama creciente con I de la lnea de dispositivo, siguiendo el sentido de giro horario,
es el angulo que forma con el tramo creciente con la frecuencia de la lnea de carga,
tal y como se muestra en la gura 7.31.
Figura 7.31: Denicion angulo .
Figura 7.32: Denicion en la carta de
Smith.
Aunque no se demuestre, un punto de oscilacion, (I
0
, f
0
), se considera estable si
< 180
o
. Este mismo criterio se puede aplicar sobre el plano complejo de , Carta de
Smith, dado que se trata de una transformacion conforme, gura 7.32. Debe recordarse
que en toda transformacion conforme se conservan los angulos de corte de dos lneas.
7.4.2. Osciladores con transistores
En un oscilador con transistor, una resistencia negativa se consigue con un tran-
sistor potencialmente inestable cargandolo con una impedancia que este dentro de la
region inestable. El modelo circuital se muestra en la gura 7.33.
La potencia saliente puede estar en cualquiera de los dos lados del transistor. En el
caso del amplicador, se prefera un dispositivo con un alto grado de estabilidad, y en
cambio para osciladores se buscara lo contrario. Normalmente se utilizan para FETs
conguraciones con fuente o puerta com un y para transistores bipolares, base o emisor
com un. A menudo se utiliza tambien una realimentacion positiva para aumentar la
inestabilidad del dispositivo.
Despues de seleccionar la conguracion del transistor, se dibuja el crculo de esta-
bilidad de salida en el plano
T
, y se selecciona un
T
que produzca una resistencia
237
Figura 7.33: Oscilador con transistor.
negativa grande en la entrada del transistor. Entonces la impedancia de carga se es-
coge tal que adapte a Z
in
. Debido a que en el dise no se utilizan los parametros de
dispersion en peque na se nal, y porque R
in
se hara menos negativa conforme aumente
la potencia del oscilador, se necesita escoger R
L
tal que R
L
+R
in
< 0. De otra forma
la oscilacion cesara cuando el incremento de potencia aumente R
in
al punto donde
R
L
+R
in
> 0. En la practica se suele escoger:
R
L
=
R
in
ps
3
=R
L
= R
in
gs
(7.4.15)
con R
in
ps
y R
in
gs
las impedancias de entrada en peque na y gran se nal respectivamente.
La parte reactiva de Z
L
se escoge para que resuene al circuito:
X
L
= X
in
(7.4.16)
Cuando la oscilacion aparece entre la red de carga y el transistor, la oscilacion
ocurrira simultaneamente en el acceso de salida, lo cual se puede ver de la siguiente
manera. Para una oscilacion en situacion estacionaria en el acceso de entrada, se
debera tener que
L

in
= 1. Por otro lado se puede poner que:
1

L
=
in
= S
11
+
S
12
S
21

T
1 S
22

T
=
S
11

T
1 S
22

T
(7.4.17)
donde = S
11
S
22
S
12
S
21
.
Despejando
T
de la expresion (7.4.17) se puede poner que:

T
=
1 S
11

L
S
22

L
(7.4.18)
Pero por otro lado se sabe que:

out
= S
22
+
S
12
S
21

L
1 S
11

L
=
S
22

L
1 S
11

L
(7.4.19)
238
por lo que comparando (7.4.18) y (7.4.19) se puede decir que
T

out
= 1. Por lo tanto
la condicion de oscilacion en la red de terminacion tambien se cumple. Observese que
los parametros de dispersion apropiados para utilizar en la anterior expresion son en
gran se nal.
Bibliografa
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Techniques, 32(9):9531271, Septiembre 1984.
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