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PRACTICA N 4

OBJETIVOS
Familiarizarse con los transistores, la identificacin de sus terminales y la forma como
se emplean en
CIRCUITOS PRCTICOS.- Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de
polarizacin y comprobar las caractersticas de los
TRANSISTORES.- En esta prctica analizaremos un circuito en el que el transistor se
comporta como interruptor, es decir, su punto de trabajo (Q) se mueve entre
saturacin y corte.
MATERIALES:
R1=100KW
R2=LDR
R3=2K2
R4=330W
Q1=transistor NPN BC547
D1=diodo LED
TRANSISTORES
En la actualidad los microprocesadores contienen millones de transistores
microscpicos.

Previo a la invencin de los transistores, los circuitos digitales estaban compuestos de
tubos vacos, lo cual tena muchas desventajas. Eran ms grandes, requeran ms
memoria y energa, generaban ms calor y eran ms propensos a fallas.
Los transistores cumplen las funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.

El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de
1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley
(recibieron el Premio Nobel de Fsica en 1956).

El transistor bipolar est constituido por un sustrato (usualmente silicio) y tres partes
dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de
las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son
elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica
cuntica.



TIPOS DE TRANSISTORES


TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor.
Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

Transistor NPN
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente
sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades
de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y
los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma
muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos
al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector).





TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se
producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

TRANSISTORES Y ELECTRNICA DE POTENCIA
Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de
potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores),
aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un
circuito cerrado.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:






Actividades
1. Comprueba los valores de las resistencias con el polmetro(cdigo de
colores)
R1: 0
R2: 41 k ohmios
R3:22.40 M ohmios
2. Comprueba los valores de la LDR con luz y sin luz
Sin luz: 5.70 ohmios
Con luz: 0

3. Calcular los valores de tensin que habra en bornes de la LDR en las
condiciones anteriores
Con luz: 0.812v
Sin luz: 80.7 mV
4. Identifica los terminales del transistor y comprueba su funcionamiento
con el polmetro
Base emisor: 0,06 v
Base-colector: 0,44 v

5. Montar el circuito en el protoboard


BIBLIOGRAFA
Transistor en Google Libros
www.google.com/polarizacin del transistor BJT
www.unicrom.com/el_transistor BJT
Luis Cortina Guerrero