Te214 - Parte 1a

23/02/2014
1
Fundamentos da Eletrnica
Prof. Marcos Vinicio Haas Rambo
rambo@eletrica.ufpr.br
TE214
EMENTA
DIODO
Diodo Ideal
Condutores, Isolantes e Materiais Semicondutores
Nveis de Energia
Dopagem
Polarizao
Tenso de Ruptura
Valores de Resistncia e de Capacitncia
Diodo Zener
LED
Aplicaes do Diodo (portas lgicas, retificadores, ceifadores e grampeadores)
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO (TBJ)
Estrutura e Operao Fsica
Caractersticas Corrente-Tenso
TBJ como Amplificador e Como Chave
Circuitos TBJ em Corrente Contnua
Polarizao de Circuitos Amplificadores TBJ
Operao em Pequenos Sinais
Amplificadores

Marcos V. H. Rambo / rambo@eletrica.ufpr.br
23/02/2014
2
EMENTA
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO MOS (MOSFET)
Estrutura e Operao Fsica
Caractersticas Corrente-Tenso
Circuitos em Corrente Contnua
MOSFET como Amplificador e como Chave
Polarizao de Circuitos Amplificadores
Operao em Pequenos Sinais
Amplificadores
Modelos em Alta Frequncia
Resposta em Frequncia
Inversor Lgico
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Amplificador Operacional Ideal
Configurao Inversora
Configurao No-Inversora
Amplificadores de Diferenas
Efeitos do Ganho Finito e Largura de Banda
Operao para Grandes Sinais
Imperfeies em CC
Integradores e Diferenciadores

AVALIAES

DUAS AVALIAES (90%)
08/04
03/06
LISTAS DE EXERCCIOS (10%)
Entrega individual
Manuscritas
Entrega na mesma data das avaliaes
MDIA FINAL
=
1+
2
2
0,9 + E 0,1
EXAME FINAL
15/07

23/02/2014
3
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

BIBLIOGRAFIA BSICA
Sedra, A. S. e Smith, K. C. Microeletrnica. 5ed. So Paulo, Pearson
Prentice-Hall, 2007.
Boylestad, R. L. e Nashelsky, L. Dispositivo Eletrnicos e Teoria de
Circuitos. 8ed. So Paulo, Pearson Prentice-Hall, 2004.
Millman, J. e Halkias, C. C. Eletrnica: dispositivos e circuitos. v1. 2ed.
So Paulo, McGraw-Hill do Brasil, 1981.
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR
Malvino, A. P. Eletrnica. v1. Rio de Janeiro, Editora Guanabara Dois,
1990.
Schilling, D. L. e Belove, C. Circuitos Eletrnicos Discretos e Integrados.
Guanabara, 1982.
DIODO IDEAL

Simples, porm vital.
O diodo ideal semelhante a uma chave que conduz corrente apenas
no sentido definido pela seta do smbolo.

Elemento no linear (relao tenso x corrente)
=
0
= 0
0
=
23/02/2014
4
DIODO IDEAL
Terminal positivo: anodo.
Terminal negativo: catodo.
Diretamente polarizado: tenso positiva aplicada ao anodo (diodo em
conduo ou ligado.
Inversamente polarizado: tenso negativa aplicada ao anodo (diodo
em corte ou desligado).
Como a corrente tende a infinito para qualquer valor de tenso
positiva (diretamente polarizado), deve-se utilizar um circuito
limitador de corrente.

DIODO IDEAL
Retificador com diodo ideal

(a) Circuito retificador;
(b) Sinal de entrada (v
i
);
(c) Circuito equivalente para o
semiciclo positivo (v
i
0);
(d) Circuito equivalente para o
semiciclo negativo (v
i
0);
(e) Sinal de sada (v
o
).

Considerando v
i
= 10 V
P
e
R = 10 k, determine:
(a) v
o
x v
i
= ?;
(b) v
D
= ?
(c) Componente CC de v
o
;
(d) Valor RMS de v
o
;
(e) Valor de pico de i
D
.

Resp: (c) 3,18 V; (d) 5 V
RMS
.
23/02/2014
5
DIODO IDEAL

Componente CC ou valor mdio (CC ou AV)

Valor eficaz (RMS)

Nota:
=
1
=
1
0

sen =
1
cos +
sen
2
=
2

sen 2
4
+
DIODO IDEAL

Portas lgicas com diodos

Porta OU Porta E
23/02/2014
6
DIODO MATERIAIS SEMICONDUTORES
CONDUTOR
Qualquer material que sustenta um grande fluxo de carga ao se aplicar,
atravs de seus terminais, uma fonte de tenso de amplitude limitada. Metais
so materiais condutores. Ex: cobre, ouro, prata, alumnio...
ISOLANTE
Isolante o material que oferece um nvel muito baixo de condutividade
quando submetido a uma fonte de tenso. Ex: vidro, borra, leo, mica, ....
SEMICONDUTORES
Material que tem um nvel de condutividade entre os extremos de um isolante
e de um condutor. Ex: silcio e germnio.
CONDUTIVIDADE
Inversamente relacionada resistncia de um material.

=

Valores Tpicos de Resistividade ()
Condutor Semicondutor Isolante
10
-6
.cm
(cobre)
50

.cm (germnio)
50.10
3
.cm (silcio)
10
12
.cm
(mica)
CRISTAIS
Os tomos de silcio (Si) e de germnio (Ge) formam
um modelo bem preciso e peridico pro natureza.
Um modelo completo chamado de cristal.

tomos de Si e Ge tem 4 tomos na camada de valncia. As ligaes entre os
tomos de um cristal so mantidas atravs de compartilhamento de eltrons,
i.e., ligaes covalentes.

Germnio
Silcio
23/02/2014
7
MATERIAIS INTRNSECOS
So semicondutores cuidadosamente refinados para se obter a reduo de
impurezas a um nvel muito baixo. So to puros quanto permite a tecnologia.
Apesar disso, possuem portadores livres em temperaturas acima do zero
absoluto (0K). O Si temperatura ambiente tem um eltron livre a cada 10
12

tomos.
Apresentam uma reduo da resistncia com o aumento da temperatura.
NVEIS DE ENERGIA
Quanto mais longe o eltron estiver do ncleo, maior ser o seu nvel de
energia, e qualquer eltron que tiver deixado seu tomo de origem
apresentar um estado de energia maior do que qualquer outro na estrutura
atmica.

MATERIAIS EXTRNSECOS
Material semicondutor submetido ao processo de dopagem [1/(10.10
6
)].
O material do tipo n criado com a introduo de elementos de impureza que
tem 5 eltrons na camada de valncia (ex: antimnio, arsnio e fsforo).

O material do tipo p criado com a introduo de elementos de impureza que
tem 3 eltrons na camada de valncia (ex: boro, glio e ndio).

23/02/2014
8
FLUXO DE ELTRONS VERSUS LACUNAS

PORTADORES MAJORITRIOS E MINORITRIOS
tipo p: lacunas so majoritrios
tipo n: eltrons so majoritrios

JUNO pn NA CONDIO DE CIRCUITO ABERTO

ln

2

N
A
= concentrao de dopantes do lado p
N
D
= concentrao de dopantes do lado n
n
i
= concentrao intrnseca (eltrons ou lacunas livres

V
T
= tenso trmica ( 25 mV)

Tipicamente V
O
est na faixa de 0,6 a 0,8 V.

I
D
= corrente de difuso (portadores majoritrios)
I
S
= corrente de deriva (portadores minoritrios)
23/02/2014
9
POLARIZAO REVERSA

POLARIZAO DIRETA


/(
)
1
I
S
= corrente de saturao reversa
V
T
= tenso trmica ( 25 mV para temperatura ambiente)
n = 1 ou 2 dependendo do material (utilizar 1 ao menos que o
contrrio esteja especificado)

23/02/2014
10
TENSO DE RUPTURA

O potencial mximo de polarizao reversa que pode ser aplicado antes que o diodo entre
na regio Zener chamando de tenso de pico inversa (peak inverse voltage PIV) ou
tenso de pico reversa (peak reverse voltage PRV).


VARIAO COM A TEMPERATURA

23/02/2014
11
DIODO DIODO DE JUNO REAL

CARACTERSTICAS ELTRICAS DOS DIODOS DE JUNO

DIODO MODELOS MATEMTICOS DO DIODO DE JUNO

MODELO EXPONENCIAL

/(

23/02/2014
12

MODELO LINEAR

= 0

0

MODELO DE QUEDA DE TENSO CONSTANTE

MODELO DE DIODO IDEAL

V
D
= 0 V

23/02/2014
13
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS
O diodo polarizado para
operar em Q.
Um pequeno sinal CA sobre-
posto aos valores CC.
/(

DIODO
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS
Considerando: R = 10 k; Vcc = 10 V; V
D
= 0,7 V; e v
s
= 1 Vp.
Calcule v
d
de pico.
23/02/2014
14
DIODO
DIODO

Te214 - Parte 1a

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Te214 - Parte 1a

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

23/02/2014

Você também pode gostar