Elo2 Handout

FEN 05-01840 - ELETR
ONICA II
Prof. Teo Cerqueira Revoredo D.Sc.
Departamento de Engenharia Eletronica e Telecomunicacoes (DETEL)
Faculdade de Engenharia (FEN)
Universidade do Estado do Rio de Janeiro (UERJ)
Email: teorevoredo@uerj.br
Sala: 5020E - Escaninho: Sala 5001E
Pasta da disciplina: 177 5
andar
2014/1 - Rev.1m
Prof. Teo Revoredo (DETEL/FEN/UERJ) Eletronica II 2014/1 - Rev.1m 1 / 214
1
Apresentacao da disciplina
Contextualizacao
Objetivos
Ementa
Bibliograa basica
Avaliacao
Apresentacao da disciplina Contextualizacao
Introducao
Do que trata a disciplina Eletronica II?
De maneira mais ampla, qual e o proposito das diciplinas de
Eletronica? Mais ainda, de eletronica e circuitos?
Para entender o contexto, voltemos ao comeco...
Introducao
O que e Engenharia?
E o uso propositado da ciencia.

Mas o que e Ciencia?
E qualquer conhecimento ou pratica sistematicos.

A ciencia prove o entendimento dos fenomenos naturais. Para tal, os
estudos cientcos envolvem experimentos e as leis cientcas sao
armacoes concisas ou equacoes que explicam os dados experimentais.
Desse modo, as leis da fsica podem ser vistas como uma camada de
abstracao entre os dados experimentais e os prossionais que desejam
utilizar fenomenos especcos para alcancar os seus objetivos, sem ter
que se preocupar com as especicidades dos experimentos e com os
dados que inspiraram as leis cientcas.
Exemplo 1.1
Seja uma forca F aplicada a um corpo rgido.
Se eu pergunto: Qual e a aceleracao?
Voces me perguntam: Qual e a massa do corpo?
Eu respondo: m
E voces concluem: a =
F
m
E pronto. Simples assim!
Exemplo 1.1
Mas porque tao simples?
Porque voces desconsideraram:
A forma do objeto;
A sua temperatura;
A sua cor;
O ponto de aplicacao da forca
Voces se valeram de uma abstracao!
A equacao da lei de Newton permite calcular a aceleracao de uma
partcula com uma dada massa devido à aplicacao de uma forca. Esta
simples abstracao permite desconsiderar muitas propriedades dos objetos
que sao imateriais para o calculo da aceleracao, alem de permitir ignorar
os detalhes dos experimentos e das observacoes que levaram a lei de
Newton em questao, aceitando-a como dada. Deve-se ter em mente que a
lei e valida sob determinadas restricoes como, por exemplo, a necessidade
das forcas serem bem menores do que a velocidade da luz.
Introducao
Ao longo do ultimo seculo, a Engenharia Eletrica (e a Ciencia da
Computacao) desenvolveram um conjunto de abstracoes que nos permitem
fazer a transicao das ciencias fsicas para a Engenharia e, desse modo,
construir sistemas complexos uteis.
Nesse contexto, as areas de Eletronica e Circuitos Eletricos podem ser
entendidas como o emprego vantajoso/lucrativo das equacoes de
Maxwell, dos eletrons ate portas logicas e amplicadores operacionais.
Abstracao de circuitos
Seja o sistema a seguir:
Suponha que deseja-se responder a seguinte pergunta:
Qual e a corrente que atravessa a lampada?
Pode-se tentar da forma dfcil...
Forma diferencial Forma integral
E =
B
t
_
E.dl =
B
t
(Faraday)
J =
t
_
J dS =
q
t
(Continuidade)
E =
0
_
E dS =
q
0
(Outras)
.
.
.
.
.
.
Ou da forma facil...
Considere o lamento da lampada
Nos, Engenheiros Eletricos, desconsideramos:
Como a corrente ui dentro do lamento;
A temperatura, a forma, a orientacao, etc, do lamento.
E substituimos a lampada por um resistor discreto com o proposito de
calcular a corrente.
Ou da forma facil...
R representa apenas a propriedade de interesse e I =
V
R
Abstracao
R e uma representacao abstrata (elemento abstrato) para a lampada.
Na Engenharia Eletrica fazemos as coisas da forma facil!
De maneira semelhante, denem-se abstracoes para outros elementos de
interesse tais como indutores, capacitores, fontes, transistores, etc, de tal
maneira que uma corrente e uma tensao unica entre os seus terminais
possa ser denida.
Ligue esses elementos por os condutores ideais e chega-se a montagens
que desempenham funcoes especcas denidas como circuitos eletricos
e/ou eletronicos.
Desde que observadas certas restricoes:
A taxa de variacao de uxo magnetico em qualquer parte do circuito
deve ser zero para todo tempo;
A taxa de variacao da carga em qualquer no do circuito deve ser zero
para todo tempo;
As escalas de tempo dos sinais devem ser muito maiores do que o
atraso de propagacao das ondas eletromagneticas atraves do circuito.
E combinando elementos de circuitos eletricos e eletronicos denem-se
(projetam-se) novos blocos funcionais com caractersticas de entrada e
sada bem denidas que criam novos nveis de analise e projeto
Surgem novos nveis de abstracoes
Elementos de circuitos combinados formam amplicadores...
que combinados formam amplicadores operacionais e portas logicas...
e assim sucessivamente...
Nveis de abstracoes da Engenharia Eletrica
Eletronica na UERJ
Eletronica I Dispositivos semicondutores, analise DC dos TBJ e
FET, circuitos de polarizacao
Eletronica II Analise AC
Depois Eletronica III, Eletronica IV, Eletronica V,
Microeletronica, etc
Apresentacao da disciplina Objetivos
Objetivos
Ao nal do perodo o aluno devera ser capaz de compreender o
funcionamento dinamico dos TBJ e FET, bem como efetuar projetos com
estes componentes.
Apresentacao da disciplina Ementa
Ementa
Analise do TBJ e do FET em AC
Estudo das suas caractersticas e limitacoes
Resposta em baixa e alta frequencias
Tipos de amplicadores: Bootstrap e cascodo
Amplicadores de varios estagios: resposta em baixa e alta
freq uencias
Apresentacao da disciplina Bibliograa basica
Bibliograa basica
Microelectronic Circuits, 6th Edition
Ades S. Sedra & Kenneth C. Smith
Oxford University Press
Electronic Devices and Circuit Theory, 10th Edition
Robert L. Boylestad & Louis Nashelsky
Pearson Education, Inc.
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits
Anant Agarwal & Jerey H. Lang
Elsevier, Inc.
Microelectronics Circuits Analysis and Design, 4th Edition
Donald A. Neamen
McGraw-Hill
Qualquer outro livro de eletronica basica
Apresentacao da disciplina Avaliacao
Avaliacao
Serao aplicadas duas provas parciais (P1 e P2) cuja media aritimetica
determinara a nota de teoria da disciplina (NT). Esta ultima sera
ponderada com a nota de laboratorio (NL) para determinacao da
media nal do curso (NF).
NT =
P1 + P2
2
NF = NT 75% + NL 25%
Criterios para aprova cao
NF 7.0 APROVADO
4 NF < 7.0 PROVA FINAL
NF < 4.0 REPROVADO
Os alunos que faltarem a P1 e/ou P2 poderao realizar uma prova de
reposicao (PR) para repor a nota.
Avaliacao
Observacoes
Todas as provas terao vista
Presenca menor do que 75% - Reprovacao por faltas
Sera estimulado o uso de programas de simulacao
Avaliacao
Datas
P1 - 28/05/14
P2 - 13/08/14
PR - 14/08/14
PF - 20/08/14
2
Amplicadores
Introducao
Algumas denicoes importantes
Modelos de circuito para amplicadores
Resposta em frequencia de amplicadores
Amplicadores Introducao
Amplicadores
O que e um amplicador?
E um bloco funcional, um elemento de circuito, que aumenta a intensidade

(amplitude) de um sinal sem alterar as suas frequencia e forma.
Sao largamente utilizados em dispositivos que usamos no dia a dia
tais como aparelhos de som, caixas ac usticas e telefones celulares.
Podem ser representados como elementos de tres portas, sendo uma
de controle (entrada), uma de sada e uma de alimentacao
(potencia), cada uma composta por dois terminais.
Simbologia
Um sinal de entrada representado como uma tensao ou corrente
variante no tempo e aplicado entre os terminais de entrada
Uma versao amplicada do sinal de entrada aparece na sada
A fonte de alimentacao prove a potencia necessaria para a
amplicacao do sinal e para o consumo interno do amplicador
Simboligia
Na pratica os sinais de entrada e sada compartilham uma mesma conexao
ao terra e os terminais de alimentacao sao suprimidos na representacao.
(a) Terra comum (b) Fonte de alimentacao implcita
Simbologia
Uma simbologia mas adequada à analise de circuitos com amplicadores
distingue as portas de entrada e sada e indica a direcao do uxo de sinal
Amplica cao de sinais
Mas por que e importante amplicar sinais?
Muitos transdutores fornecem sinais fracos, na ordem de mV ou V
e com baixa energia, que sao difceis de serem processados de maneira
conavel. O processamento torna-se mais facil caso os sinais sejam
amplicados.
Superar o efeito dissipativo do canal em sistemas de comunicacao
Transmissao de sinais na presenca de rudo
Buering (isolamento)
Mas por que e importante amplicar sinais?
Muitos transdutores fornecem sinais fracos, na ordem de mV ou V
e com baixa energia, que sao difceis de serem processados de maneira
conavel. O processamento torna-se mais facil caso os sinais sejam
amplicados.
Superar o efeito dissipativo do canal em sistemas de comunicacao
Transmissao de sinais na presenca de rudo
Buering (isolamento)
A necessidade de linearidade
Deve-se notar que, ao amplicar um sinal, a informacao contida no
mesmo nao deve ser modicada e nenhuma nova informacao deve ser
introduzida.
Portanto, o sinal de sada de um amplicador deve ser uma replica
exata do sinal de entrada, porem com amplitude maior.
Qualquer modicacao na forma de onda de entrada e considerada
uma distorcao e e, obviamente, indesejavel.
Um amplicador que preserva os detalhes da forma de onda de entrada e
caracterizado pela equacao a seguir.
v
0
(t) = Av
i
(t)
Na qual
v
i
e o sinal de entrada
v
0
e o sinal de sada
A e uma constante que representa a magnitude da amplicacao,
denominada ganho do amplicador.
Amplicadores Algumas denicoes importantes
Ganho de tensao
Um amplicador linear recebe um sinal de entrada v
i
(t) e produz um sinal
de sada v
0
(t) sobre os terminais de uma carga R
L
, que e uma replica
amplicada de v
i
(t).
O ganho de tensao do amplicador e denido como segue:
A
v
=
v
0
v
i
Ganho de Potencia
Um amplicador aumenta a potencia do sinal, ou seja, ele possui um
ganho de potencia, denido por:
A
p
=
P
L
P
I
=
v
0
i
0
v
I
i
I
Na qual
P
L
e potencia entregue à carga
P
I
e a potencia de entrada
i
0
e corrente que o amplicador entrega à carga
i
I
e a corrente que o amplicador drena do sinal de entrada
Ganho de Potencia
Amplicador X Transformador
Cabe ressaltar a distincao entre um amplicador e um transformador
com relacao à potencia entregue à carga
Em um transformador, embora a voltagem entregue à carga possa ser
maior do que a voltagem de entrada, a potencia entregue à mesma e
menor ou, no maximo, igual à potencia fornecida pela fonte de sinal
Um amplicador fornece à carga uma potencia maior do que a obtida
pela fonte de sinal
Ganho de corrente
O ganho de corrente de um amplicador e denido como segue:
A
I
=
i
0
i
i
Portanto:
A
p
= A
v
A
i
Expressando ganhos em dB
Os ganhos denidos ate agora sao adimensionais ou, para ressaltar as
suas caractersticas, expressos em V/V, A/A ou W/W
Alternativamente, eles podem ser expressos em Decibeis
Ganho de tensao em dB = 20 log |A
v
|
Ganho de corrente em dB = 20 log |A
i
|
Ganho de potencia em dB = 10 log A
p
Os valores absolutos dos ganhos de tensao e corrente sao usados
porque em alguns casos A
v
ou A
i
podem ser negativos
A
v
negativo signica diferenca de fase de 180
entre os sinais de
entrada e sada
A
v
negativo em dB signica atenuacao do sinal de entrada
Alimentacao de amplicadores
Potencia extra
Se a potencia entregue e maior do que potencia do sinal de entrada, de
onde vem essa potencia adicional?
Da(s) fonte(s) DC: Ela(s) prove(em) a potencia necessaria para a
amplicacao do sinal de entrada e para suprir o que e dissipado nos
circuitos internos do amplicador
Alimentacao de amplicadores
Sejam I
CC
e I
EE
as correntes drenadas das fontes positiva e negativa,
respectivamente, atraves dos terminais V
+
e V
do amplicador,
entao a potencia das fontes DC entregue ao amplicador e
P
dc
= V
CC
I
CC
+ V
EE
I
EE
Se a potencia dissipada pelo amplicador e P
dissipada
, entao
P
dc
+ P
I
= P
L
+ P
dissipada
sendo P
I
a potencia do sinal de entrada e P
L
a potencia entregue à
carga
Eciencia
Como a potencia drenada da fonte de sinal e geralmente pequena, a
eciencia do amplicador e denida como segue:
=
P
L
P
dc
100
A eciencia e um parametro de desempenho importante para
amplicadores que lidam com altas potencias, denominados
amplicadores de potencia (ex.: Usandos nos estagios de sada de
aparelhos de som).
Exemplo 2.1 ( [Sedra, 2009] - Exemplo 1.2 - pagina 17 )
Um amplicador alimentado com fontes de 10V e excitado com uma
voltagem senoidal com 1V de pico e prove uma senoide com 9V de pico na
sada para uma carga de 1k. O amplicador drena uma corrente de 9.5
mA de cada fonte de alimentacao. A corrente de entrada do amplicador e
senoidal com 0.1 mA de pico. Calcule:
(a) O ganho de tensao;
(b) O ganho de corrente;
(c) O ganho de potencia;
(d) A potencia drenada das fontes DC;
(e) A potencia dissipada pelo amplicador;
(f) A eciencia do amplicador.
A
v
=
9
1
= 9V/V
Em dB:
A
v
= 20 log(9) = 19.1dB
I
0
=
9V
1k
=
9
1000
= 0.009A = 9mA
A
i
=
I
0
I
i
=
9
0.1
= 90A/A 20 log(90) = 39.1dB
P
L
= V
0
rms
I
0
rms
=
9
2
9
2
= 40.5mW
P
I
= V
i
rms
I
i
rms
=
1
2
0.1
2
= 0.05mW
A
p
=
P
L
P
I
=
40.5
0.05
= 810W/W10 log(810) = 29.1dB
(d) A potencia drenada das fontes DC;
(e) A potencia dissipada pelo amplicador;
P
dc
= 10 9.5 + 10 9.5 = 190mW
P
dissipada
= P
dc
+ P
I
P
L
= 190 + 0.05 40.5
= 149.6mW
=
P
L
P
dc
100 = 21.3%
Observa-se que o amplicador converte parte da potencia que drena
das fontes dc em potencia entregue à carga.
Usando o Matlab como uma calculadora
Operadores aritimeticos no Matlab
+ Soma Estrutural e Matricial
Subtracao Estrutural e Matricial
Multiplicacao Matricial
/ Divisao Matricial à Direita
\ Divisao Matricial à Esquerda
Expoente Matricial
Operador de Transposicao
Exemplos de funcoes elementares que fazem parte da biblioteca do Matlab
abs(x), cos(x), sin(x), exp(x), log(x), log10(x)
Desse modo pode-se utilizar o prompt de comando do Matlab como uma
calculadora para realizar os calculos do Exemplo 36 como segue:
Ganho de tensao Ganho de corrente
Ganho de potencia
E assim por diante...
Nota-se que o Matlab armazena
os resultados em uma variavel
denominada ans.
Claramente o este uso do
prompt de comando do Matlab
como uma simples calculadora e
pouco eciente e sem muito
sentido a menos que seja para
algum calculo rapido e que nao
sera repetido muitas vezes.
Para facilitar as coisas, pode-se armazenar valores em variaveis.
No Matlab, variaveis devem ter um nome unico, comecando com uma
letra, e podem conter dgitos e/ou o smbolo underline.
O programa distingue letras mai usculas de min usculas.
Alem disso, e possvel (e mais eciente) utilizar arquivos de comando ao
inves do prompt de comando para salvar um codigo que deseja-se executar
(na pratica, mais de uma vez).
Os nomes dos arquivos de comando precisam sempre terminar com a
extensao .m e podem ser criados utilizando o procedimento a seguir:
1
Abrir o Matlab;
2
Selecionar o menu File;
3
Selecionar o item New e em seguida clicar em M-le.
Para a solucao do Exemplo 36, um codigo possvel e apresentado a seguir:
O ponto e vrgula utilizado apos cada linha de comando suprime a exibicao
da variavel em questao;
A funcao fprintf e utilizada para apresentar uma mensagem de interesse no
prompt de comando. A sua sintaxe a tal como segue:
fprintf(texto e formato,dado)
Alguns formatos possveis
Formatacao Resultado
%d Exibe o valor como inteiro
%e Exibe o valor no formato cientco
%f Exibe o vaolor como ponto utuante
\n Muda de linha
A execucao do codigo leva a:
Recordacao: Valor rms
Para um sinal periodico v com perodo T, o valor rms (root mean
square - valor ecaz) e calculado como segue, onde a integracao e
realizada ao longo de um perodo.
v
rms
=
1
T
_
t
1
+T
t
1
v
2
(t)dt
O signicado do valor rms de um sinal periodico pode ser observado
atraves do calculo da potencia media p entregue à uma resistencia de
valor R por um sinal de tensao periodico v(t) com perodo T. A
potencia media pode ser calculada como segue:
p =
1
T
_
t
1
+T
t
1
v
2
(t)
R
dt
Recordacao: Valor rms
Para um resistor linear e invariante no tempo, pode-se extrair R da
integral e escrever:
p =
1
R
1
T
_
t
1
+T
t
1
v
2
(t)dt =
1
R
v
2
rms
(t)
E a equacao e semelhante ao calculo de potencia de um sinal DC.
Portanto, o valor ecaz (rms) de um sinal periodico e o valor do sinal
DC que resultaria na mesma dissipacao media de potencia. De
maneira semelhante, o valor rms de um sinal DC e simplesmente o
valor constante do sinal propriamente dito.
Saturacao do amplicador
Na pratica a caracterstica de transferencia de um amplicador
permanece linear apenas em uma faixa limitada de tensoes de entrada
e sada;
Quando um amplicador opera com duas fontes de alimentacao, a
tensao de sada nao pode exceder determinados limites positivo (L
+
)
e negativo (L
+
);
Os nveis de saturacao, em geral, encontram-se na ordem de 1 a 2 V
do valor da tensao da fonte de alimentacao correspondente. Para
evitar distorcoes na forma de onda da tensao de sada, o sinal de
entrada deve se manter dentro da faixa linear de operacao.
L
A
v
v
I

L
+
A
v
Saturacao do amplicador
Notacao
Grandezas instantaneas totais sao indicadas por smbolos min usculos
com ndices mai usculos (ex.: i
C
(t), v
DS
(t));
Grandezas de corrente contnua sao indicadas por smbolos
mai usculos com ndices mai usculos (ex.: I
C
(t), V
DS
(t));
Grandezas de sinais incrementais sao representados por smbolos
min usculos com ndices min usculos (ex.: i
c
(t), v
ds
(t));
Caso a quantidade seja uma senoide, entao a sua amplitude e
denotada por um smbolo mai usculo com ndice min usculo (ex.: I
c
(t),
V
ds
(t));
Fontes DC sao denotadas por smbolos mai usculos com ndices
mai usculos com duas letras (ex.: V
CC
(t), V
DD
(t)). Uma notacao
semelhante e usada para a corrente drenada dessas fontes (ex.:
I
CC
(t), I
DD
(t)).
Notacao
Exemplo 2.2 ( [Sedra, 2009] - Problema 1.31 - pagina 77 )
Sejam as combinacoes de amplicadores e carga abaixo relacionadas (os
valores apresentados sao rms):
(I) v
I
= 100mV, i
I
= 100A, v
0
= 10V, R
L
= 100
(II) v
I
= 10V, i
I
= 100nA, v
0
= 2V, R
L
= 10k
(III) v
I
= 1V, i
I
= 1mA, v
0
= 10V, R
L
= 10
Para cada uma delas, calcule:
(a) O ganho de tensao (A
v
);
(b) O ganho de corrente (A
i
);
(c) O ganho de potencia (A
p
);
(I) v
I
= 100mV, i
I
= 100A, v
0
= 10V, R
L
= 100
v
);
i
);
p
);
A
v
=
v
0
v
i
=
10V
100mV
= 100V/V 20 log(100) = 40dB
A
i
=
v
0
R
L
i
i
=
10V
100
100A
= 1000A/A 20 log(1000) = 60dB
A
p
=
v
0
i
0
v
i
i
i
=
v
0
v
i
i
0
i
i
= 10
5
W/W10 log
_
10
5
_
= 50dB
(II) v
I
= 10V, i
I
= 100nA, v
0
= 2V, R
L
= 10k
v
);
i
);
p
);
A
v
=
v
0
v
i
=
2V
10V
= 2 10
5
V/V 20 log
_
2 10
5
_
= 106dB
A
i
=
v
0
R
L
i
i
=
2V
10k
100nA
=
0.2 10
3
100 10
9
= 2000A/A 66dB
A
p
=
v
0
i
0
v
i
i
i
=
v
0
v
i
i
0
i
i
= 2 10
5
2000 = 4 10
8
W/W86dB
(III) v
I
= 1V, i
I
= 1mA, v
0
= 10V, R
L
= 10
v
);
i
);
p
);
A
v
=
v
0
v
i
=
10V
1V
= 10V/V 20dB
A
i
=
v
0
R
L
i
i
=
10V
10
1mA
= 1000A/A 60dB
A
p
=
v
0
i
0
v
i
i
i
=
v
0
v
i
i
0
i
i
= 10 1000 = 10
4
W/W40dB
Criando uma funcao no Matlab
Pode-se criar funcoes no Matlab para realizar calculos especcos.
Para os calculos do Exemplo 2.2, por exemplo, pode-se denir uma funcao
ganhos tal como segue:
function [Av,AvdB,Ai,AidB,Ap,ApdB]=ganhos(vi,ii,v0,Rl);
Av=v0/vi;AvdB=20*log10(Av);
Ai=((v0/Rl)/ii);AidB=20*log10(Ai);
Ap=Av*Ai;ApdB=10*log10(Ap);
A funcao deve ser salva em um arquivo de comando de mesmo nome
(nesse caso, ganhos.m) e, para executa-la, basta digitar a sua sintaxe
diretamente no prompt de comando. Para os itens (i), (ii) e (iii) do
Exemplo 2.2:
[Av,AvdB,Ai,AidB,Ap,ApdB]=ganhos(0.1,0.0001,10,100)
[Av,AvdB,Ai,AidB,Ap,ApdB]=ganhos(0.00001,0.0000001,2,10000)
[Av,AvdB,Ai,AidB,Ap,ApdB]=ganhos(1,0.001,10,10)
Um amplicador alimentado com 3V fornece uma onda senoidal com
2.2V de pico sobre uma carga de 100 quando excitada com uma senoide
de 0.2V de pico, da qual uma corrente de 1.0mA de pico e drenada.
Sabendo que a corrente media em cada fonte de alimentacao e 20mA,
calcule:
(d) A potencia das fontes de alimentacao;
(e) A dissipacao que ocorre no amplicador;
Um amplicador alimentado com 3V fornece uma onda senoidal com
2.2V de pico sobre uma carga de 100 quando excitada com uma senoide
de 0.2V de pico, da qual uma corrente de 1.0mA de pico e drenada.
Sabendo que a corrente media em cada fonte de alimentacao e 20mA,
calcule:
(a) Ganho de tensao
A
v
=
v
0
v
i
=
2.2
0.2
= 11V/V 20.8dB
(b) Ganho de corrente
A
i
=
i
0
i
i
=
2.2V
100
1mA
= 22A/A 26.8dB
(c) Ganho de potencia
A
p
=
p
0
p
i
=
2.2
2
100
0.2
2

10
3
2
= 242W/W23.8dB
(d) Potencia das fontes de alimentacao
P
DC
= 2 3V 20mA = 120mW
(e) Dissipacao no amplicador
P
DC
P
L
= 120
v
2
0
rms
R
L
= 120
_
2.2
2
_
2
100
= 95.8mW
(f) Eciencia
=
P
L
P
DC
100 =
24.2
120
100 = 20.2%
Amplicadores Modelos de circuito para amplicadores
Recordacao: Fontes dependentes e independentes
Um dos grandes objetivos do curso de Eletronica II e a analise e o
projeto de circuitos amplicadores que utilizam transistores de varios
tipos;
Esses circuitos variam em complexidade, podendo utilizar de um unico
transistor a varios elementos de circuitos;
Para usar o amplicador como um bloco construtivo em um sistema
maior, e necessario caractarizar ou modelar as suas caractersticas
terminais (entrada e sada);
Amplicadores sao naturalmente modelados usando fontes
dependentes. Desse modo cabe uma breve revisao sobre este tipo de
elemento.
Recordacao: Fontes dependentes e independentes
Fontes dependentes
Uma fonte dependente (ou controlada) e um elemento ativo de circuito no
qual a variavel associada e controlada por uma outra tensao ou corrente.
Servem para modelar o controle de energia ou informacao;
Pouca energia na porta de controle pode controlar grandes
quantidades de energia na porta de sada;
Ha quatro tipos possveis
Fonte de tensao controlada por tensao (VCVS);
Fonte de corrente controlada por tensao (CCVS);
Fonte de tensao controlada por corrente (VCCS);
Fonte de corrente controlada por corrente (CCCS);
Sao normalmente representadas por smbolos em forma de
diamante
Exemplo 2.4
Calcule a potencia fornecida ou absorvida por cada um dos elementos de
circuito da Figura abaixo.
p
1
A corrente ui para fora do terminal positivo, logo, a potencia e
fornecida pelo elemento ao circuito.
p
1
= 20(5) = 100W
Exemplo 2.4
p
2
e p
3
A corrente ui para o terminal positivo, logo, a potencia e
absorvida pelos elementos.
p
2
= 12(5) = 60W
p
2
= 8(6) = 48W
Exemplo 2.4
p
4
A corrente ui para fora do terminal positivo, logo a potencia e
fornecida ao circuito.
p
4
= 8(0.2I ) = 8(0.2)(5) = 8W
Exemplo 2.4
Conrmando: p
1
+ p
2
+ p
3
+ p
4
= 100 + 60 + 48 8 = 0W
Amplicadores de tensao
O modelo consiste em:
Uma VCVS com ganho A
v
0
Uma resistencia de entrada R
i
Explica que o amplicador drena corrente da fonte de sinal
Uma resistencia de sada R
0
Explica a mudanca na tensao de sada quando o amplicador e
solicitado para prover uma corrente de sada à carga
Com R
0
nao nulo apenas uma fracao de A
v
0
v
i
aparece sobre a carga.
Usando a regra do divisor de tensao:
v
0
= A
v
0
v
i
R
L
R
L
+ R
0
E o ganho de tensao e:
A
v
=
v
0
v
i
= A
v
0
R
L
R
L
+ R
0
A
v
=
v
0
v
i
= A
v
0
R
L
R
L
+ R
0
Para nao diminuir o ganho ao acoplar o amplicador à uma carga, R
0
deve ser muito menor do que R
L
.
Quando R
L
e variavel, deve-se projetar o amplicador com R
0
muito
menor do que o menor valor possvel para R
L
para manter v
0
tao
constante quanto possvel;
Em um amplicador de tensao ideal R
0
= 0;
Para R
L
= , A
v
= A
v
0
A
v
0
e o ganho de tensao de circuito aberto;
Ao especicar o ganho de tensao de um amplicador, deve-se
especicar o valor de R
L
no qual o ganho e medido ou calculado, caso
contrario, e normalmente assumido que o ganho em questao e A
v
0
.
v
i
= v
s
R
i
R
i
+ R
s
A Resistencia (nita) de entrada R
i
introduz um divisor de tensao na
entrada, implicando na passagem de apenas uma fracao do sinal de
entrada v
s
para os terminais do amplicador;
Para nao perder parte signicativa do sinal de entrada ao acoplar o
mesmo ao amplicador, R
i
deve ser projetado para ser muito maior
do que a resistencia da fonte de sinal, isto e, R
i
R
s
;
Quando R
s
e variavel, deve-se projetar o amplicador com R
i
muito
maior do que o maior valor possvel para R
s
para minimizar o efeito da
varia cao no sinal que aparece nos terminais do amplicador;
Em um amplicador de tensao ideal R
i
= ;
Nessa caso ambos, o ganho de corrente e o ganho de potencia,
tornam-se innitos.
Ganho total:
v
0
v
s
= Av
v
0
R
i
R
i
+ R
s
R
L
R
L
+ R
0
Ha situacoes nas quais nao se esta interessado no ganho de tensao
mas apenas em um ganho de potencia signicativo. Por exemplo:
O sinal de entrada pode ter uma tensao signicativa porem uma
resistencia (R
s
) muito alta se comparada à carga.
Se a fonte for conectada diretamente à carga, o sinal sera
signicativamente atenuado;
Nesse caso, pode-se utilizar um amplicador com alta impedancia de
entrada (muito maior do que a resistencia da fonte) e uma resistencia
de sada baixa (muito menor do que a carga), porem com baixo ganho
de tensao (ou mesmo ganho unitario).
Este tipo de amplicador e denominado buer ou amplicador
isolador.
Seja um amplicador com ganho de tensao de circuito aberto de 40dB
(pequenos sinais), resistencia de entrada de 1M e resistencia de sada de
10. Faca o que se pede:
(a) Determine os ganhos de tensao e potencia ao conectar uma carga de
100 nos terminais de sada do amplicador.
(b) Se o amplicador tem uma limitacao na corrente de sada de 100mA
de pico, qual e o valor rms do maior sinal senoidal de entrada para o
qual a sada nao e distorcida?
(c) Qual e a potencia de sada correspondente ao item (b)?
Seja um amplicador com ganho de tensao de circuito aberto de 40dB
(pequenos sinais), resistencia de entrada de 1M e resistencia de sada de
10. Faca o que se pede:
20 log(A
v
0
) = 40dB A
v
0
= 100V/V
A
v
=
v
0
v
i
= 100
100
100 + 10
= 90.9V/V 39.1dB
A
p
=
v
2
0
100
v
2
i
1M
= A
2
v
10
4
= 8.3 10
7
W/W79.1dB
(b) Se o amplicador tem uma limitacao na corrente de sada de 100mA
de pico, qual e o valor rms do maior sinal senoidal de entrada para o
qual a sada nao e distorcida?
Para uma senoide com 100mA de pico na sada, a voltagem de pico
sera: 100mA 100 = 10V;
E a tensao de entrada sera:
v
i
=
10V
A
v
=
10
90.9
v
i
rms
=
10
90.9
2
= 0.08V
(c) Qual e a potencia de sada correspondente ao item (b)?
P
0
=
_
10
2
_
2
100
= 0.5W
No Matlab
O codigo abaixo apresenta uma exemplo de funcao para solucionar o
Exemplo 2.5 no Matlab:
Amplicadores em cascata
Para atender a determinadas especicacoes, e comum projetar
amplicadores como uma cascata de um ou mais estagios;
Usualmente os estagios sao diferentes, sendo cada um projetado para
atender a propositos diferentes;
Por exemplo, para prover uma alta resistencia de entrada e uma baixa
resistencia de sada, os estagios de entrada e sada sao projetados
com estas nalidades;
Para ilustrar a analise de amplicadores em cascata, consideremos um
exemplo.
Um amplicador com 3 estagios em cascata e excitado por uma fonte de
sinal com R
s
de 100k e tem sada sobre uma carga de 100. O 1
o
estagio tem R
i
relativamente alta e A
v
= 10. O 2
o
estagio tem ganho
maior, porem uma resistencia de entrada menor. O ultimo estagio tem
ganho unitario, porem uma baixa resistencia de sada. Deseja-se avaliar:
(a) O ganho de tensao total do amplicador, ou seja,
v
L
v
s
;
(c) O ganho de potencia.
v
L
v
s
;
A fracao do sinal da fonte que aparece nos terminais de entrada do
amplicador e:
v
i
1
v
s
=
1M
1M + 100k
= 0.909V/V
v
L
v
s
;
O ganho de tensao do primeiro estagio e obtido considerando-se a
resistencia de entrada do segundo estagio como a carga do primeiro:
A
v
1
=
v
i
2
v
i
1
= 10
100k
100k + 1k
= 9.9V/V
v
L
v
s
;
O ganho de tensao do segundo estagio e obtido considerando-se a
resistencia de entrada do terceiro estagio como a carga do segundo:
A
v
2
=
v
i
3
v
i
2
= 100
10k
10k + 1k
= 90.9V/V
v
L
v
s
;
E o ganho de tensao do ultimo estagio e:
A
v
3
=
v
L
v
i
3
= 1
100
100 + 10
= 0.909V/V
v
L
v
s
;
E o ganho total dos tres estagios em cascata e:
A
v
=
v
L
v
i
1
= A
v
1
A
v
2
A
v
3
= 818V/V ou 58.3dB
v
L
v
s
;
Para determinar o ganho com relacao à fonte deve-se multiplicar A
v
pelo fator que representa a perda de ganho na entrada, ou seja:
v
L
v
s
=
v
L
v
i
1
v
i
1
v
s
= A
v
v
i
1
v
s
= 818 0.909 = 743.6V/V ou 57.4dB
A
i
=
i
0
i
i
=
v
L
100
v
i
1
1M
= 10
4
A
v
= 8.18 10
6
A/A ou 138.3dB
A
p
=
P
L
P
I
=
v
L
i
0
v
i
1
i
1
= A
v
A
i
= 8188.1810
6
= 66.910
8
W/W ou 98.3dB
Observacoes
Para evitar perdas na entrada do amplicador onde o sinal e
geralmente muito pequeno, o primeiro estagio e projetado para ter
alta resistencia de entrada (muito maior do que a resistencia da
fonte);
A contrapartida e um baixo ganho de tensao no estagio de entrada
(10V/V);
Observacoes
O segundo estagio nao necessita de uma resistencia de entrada tao
grande, entretanto e ele que realiza a tarefa principal do amplicador
em cascata, ou seja, gera o ganho de tensao desejado;
Observacoes
O terceiro estagio nao e projetado para gerar ganho de tensao e, sim,
para ser um amplicador isolador (buer), ou seja, tem alta resistencia
de entrada e baixa resistencia de sada (muito menor do que R
L
).
E este estagio que permite a conexao do amplicador a uma carga de

apenas 100.
Sejam os amplicadores A e B com as caractersticas descritas a seguir:
Amplicador A
v
R
i
R
0
A 100 V/V 10k 10k
B 1 V/V 100k 100
Deseja-se conecta-los em cascata para amplicar o sinal proveniente de
uma fonte de 10mV com resistencia interna de 100k sobre uma carga de
100. Indique qual e o arranjo mais adequado (AB ou BA) para esta
situacao.
Arranjo AB
v
s
v
L
=
10
10 + 100
100
100
100 + 10
1
100
100 + 100
= 4.1V/V
= 12.3dB
Arranjo BA
v
s
v
L
=
100
100 + 100
1
10k
10k + 100
100
100
100 + 10k
= 0.5V/V
= 6dB
Arranjo AB: A
v
= 12.3dB
Mais do que quadruplica a amplitude do sinal
Arranjo BA: A
v
= 6dB
Reduz a amplitude do sinal pela metade (atenua o sinal)
Portanto, o melhor arranjo para conectar a fonte à carga e o AB.
Outros modelos de amplicadores
Em circuitos eletronicos o sinal de interesse pode ser tensao ou
corrente;
Transdutores, por exemplo, podem ter alta resistencia de sada e
nesse caso podem ser modelados de maneira mais apropriada usando
fontes de corrente;
Embora o amplicador de tensao ate agora considerado seja, talvez, o
modelo mais usual ele e apenas uma das quatro possibilidades, sendo
as outras:
Amplicadores de corrente;
Amplicadores de transcondutancia;
Amplicadores de transresistencia.
Amplicador de tensao
Parametro de ganho Caractersticas ideais
Ganho de tensao de circuito aberto R
i
=
A
v
0
=
v
0
v
i
i
0
=0
(V/V) R
0
= 0
Amplicador de corrente
Ganho de corrente em curto circuito R
i
= 0
A
i
s
=
i
0
i
i
v
0
=0
(A/A) R
0
=
Amplicador de transcondutancia
Transcondutancia em curto circuito R
i
=
G
m
=
i
0
v
i
v
0
=0
(A/V) R
0
=
Amplicador de transresistencia
Transresistencia em circuito aberto R
i
= 0
R
m
=
v
0
i
i
i
0
=0
(V/A) R
0
= 0
Relacao entre os quatro modelos de amplicadores
Qualquer um dos quatro modelos pode ser utilizado para modelar
qualquer amplicador
A
v
0
= A
i
s
_
R
0
R
i
_
A
v
0
= G
m
R
0
A
v
0
=
R
m
R
i
Um TBJ quando alimentado por uma fonte DC e operado com pequenos
sinais pode ser modelado pelo circuito linear da gura abaixo. O coracao
do modelo e um amplicador de transcondutancia representado por uma
resistencia de entrada entre a base e o emissor denotada por r
, uma
condutancia de curto-circuito g
m
e uma resistencia de sada r
0
.
Quando o emissor e usado como ponto em comum para os sinais de
entrada e sada a conguracao e dita amplicador emissor comum.
(a) Para o circuito em questao, obtenha uma expressao para o ganho de
tensao
v
0
v
s
;
(b) Calcule o valor do ganho de tensao considerando R
s
= 5k,
r
= 2.5k, g
m
= 40mA/V, r
0
= 100k e R
L
= 5k;
(c) Qual seria o valor do ganho se o valor de r
0
fosse desprezado?
tensao
v
0
v
s
;
A fra cao do sinal de entrada que aparece nos terminais de entrada do
amplicador e:
v
be
= v
s
r
+ R
s
E a tensao de sada e obtida multiplicando-se a corrente g
m
v
be
pela
resistencia R
L
r
0
:
v
0
= g
m
v
be
(R
L
r
0
)
tensao
v
0
v
s
;
E substitundo a expressao para v
be
tem-se:
v
0
v
s
=
r
+ R
s
g
m
(R
L
r
0
)
Observa-se que o valor do ganho e negativo, o que indica que o
amplicador e inversor.
(b) Calcule o valor do ganho de tensao considerando R
s
= 5k,
r
= 2.5k, g
m
= 40mA/V, r
0
= 100k e R
L
= 5k;
v
0
v
s
=
2.5
2.5 + 5
40 (5100) = 63.5V/V
(c) Qual seria o valor do ganho se o valor de r
0
fosse desprezado?
v
0
v
s
=
2.5
2.5 + 5
40 5 = 66.7V/V
Uma representacao alternativa para o TBJ e o modelo de amplicador de
corrente.
(d) Neste caso, qual deve ser o ganho de corrente em curto-circuito ?
Use os valores dados anteriormente.
i
b
= g
m
v
be
= g
m
i
b
r
= g
m
r
= 40mA/V 2.5k = 100A/A

Deseja-se conectar um amplicador de corrente com R
i
= 1k,
R
0
= 10k e A
i
s
= 100A/A entre uma fonte de sinal de 100mV com
resistencia interna de 100k e uma carga de 1k. Determine:
(a) O ganho de corrente
i
0
i
i
, em dB;
(b) O ganho de tensao
v
0
v
s
em dB;
(c) O ganho de potencia em dB;
(a) O ganho de corrente
i
0
i
i
, em dB;
i
0
i
i
= A
i
s
R
0
R
0
+ R
L
= 100
_
10
11
_
= 90.9A/A = 39.2dB
(b) O ganho de tensao
v
0
v
s
em dB;
v
0
v
s
=
i
0
R
L
v
i
_
R
i
+R
s
R
i
_
=
i
0
i
i
R
L
R
i
+ R
s
= 90.9
_
1
101
_
= 0.9V/V = 0.9dB
(c) O ganho de potencia em dB;
A
p
=
v
0
i
0
v
s
i
i
= 0.9 90.9 = 81.8W/W = 19.1dB
Um amplicador de transcondutancia com R
i
= 2k, , G
m
= 40mA/V e
R
0
= 20k e excitado com uma fonte de sinal com resistencia interna de
2k e e conectado a uma carga de 1k. Calcule o ganho de tensao.
v
i
= v
s
R
i
R
s
+ R
i
= v
s
2
2 + 2
=
v
s
2
v
0
= G
m
v
i
(R
L
R
0
) = 40v
i
20 1
20 + 1
= 40
v
s
2
20
21
A
v
s
=
v
0
v
s
=
40
v
s
2
20
21
v
s
=
20
2
21
= 19.05V/V
A gura abaixo apresenta dois amplicadores de transcondutancia em um
arranjo particular. Faca o que se pede:
(a) Determine v
0
em funcao de
v
1
e v
2
;
(b) Sejam g
m
= 100mA/V e
R = 5k. Se v
1
= v
2
= 1V,
determine o valor de v
0
;
(c) Encontre o valor de v
0
para
o caso em que v
1
= 1.01V e
v
2
= 0.99V, sendo g
m
e R
tais como no item b.
i
0
= g
m
v
1
g
m
v
2
v
0
= g
m
R (v
1
v
2
)
(a) Determine v
0
em funcao de
v
1
e v
2
;
(b) Sejam g
m
= 100mA/V e
R = 5k. Se v
1
= v
2
= 1V,
0
;
0
para
o caso em que v
1
= 1.01V e
v
2
= 0.99V, sendo g
m
e R
Como v
1
= v
2
, v
0
= 0 independentemente dos valores de R e g
m
:
v
0
= g
m
R
L
(v
1
v
2
) = g
m
R
L
(1 1) = 0V
(a) Determine v
0
em funcao de
v
1
e v
2
;
(b) Sejam g
m
= 100mA/V e
R = 5k. Se v
1
= v
2
= 1V,
0
;
0
para
o caso em que v
1
= 1.01V e
v
2
= 0.99V, sendo g
m
e R
v
0
= (0.1)(5000)(1.01 0.99) = 10V
Nota-se um altssimo ganho com relacao à diferenca entre os sinais de
entrada.
Deseja-se projetar um amplicador para medir a corrente de curto circuito
na sada de um transdutor e prover uma corrente proporcional à mesma
sobre um resistor de carga. A resistencia interna equivalente do transdutor
e a carga sao especicadas para variar entre 1k e 10k. A mudanca na
corrente sobre a carga em funcao da variacao de R
s
nao pode ultrapassar
10%. O mesmo vale para a mudanca da corrente sobre a carga devido à
variacao de R
L
. Alem disso, para uma corrente em curto circuito nominal
de sada do transdutor de 10A o amplicador deve prover, no mnimo,
1mA para a carga. Faca o que se pede:
(a) Determine qual o modelo de amplicador mais adequado;
(b) Esboce o modelo de circuito para o amplicador e especique os
valores dos seus parametros;
O modelo mais adequado e um amplicador de transresistencia;
Para limitar a variacao de v
0
a 10% correspondendo a R
s
variando
entre 1 e 10k, deve-se selecionar R
i
sucientemente menor do que o
menor valor possvel para R
s
. Portanto R
i

R
s
minimo
10
= 100.
Para limitar a variacao de v
0
a 10% correspondendo a R
L
variando
entre 1 e 10k, deve-se selecionar R
0
sucientemente menor do que o
menor valor possvel para R
L
. Portanto R
0

R
L
minimo
10
= 100.
Para i
s
= 10A:
v
0
min
= 10
5
_
R
s
min
R
s
min
+ R
i
_
R
m
_
R
L
min
R
L
min
+ R
0
_
1 = 10
5
_
1000
1000 + 100
_
R
m
_
1000
1000 + 100
_
R
m
= 121k
E o modelo de circuito e:
Amplicadores Resposta em frequencia de amplicadores
Em eletronica, os sinais alternados podem ser classicados em varias
categorias, de acordo com a sua faixa de frequencias.
Identicacao Faixa de frequencias
Very low frequencies (VLF) 3kHz a 30kHz
Low frequencies (LF) 30kHz a 300kHz
Medium frequencies (MF) 300kHz a 3MHz
High frequencies (HF) 3MHz a 30MHz
Very high frequencies (VHF) 30MHz a 300MHz
Ultra high frequencies (UHF) 300MHz a 3GHz
Super high frequencies (SHF) 3GHz a 30GHz
Extra high frequencies (EHF) 30GHz a 300GHz
Dependendo da aplicacao, os amplicadores devem ser capazes de
operar nas mais diversas faixas de frequencias;
Entretanto, os transistores possuem limitacoes que os impedem de
trabalhar em todas as faixas, principalmente por conta das
capacitancias parasitas que surgem em suas juncoes, alem dos
capacitores de acoplamento utilizados nos circuitos;
Desta limitacao surge um parametro importante que deve ser levado
em consideracao no estudo dos amplicadores: e a curva de resposta
em frequencia.
Resposta de um circuito linear à uma excitacao senoidal
Quando um sinal senoidal e aplicado a um circuito linear a resposta
do mesmo (sinal de sada) e tambem uma senoide com a mesma
frequencia do sinal de entrada;
A razao entre as amplitudes dos sinais de entrada e sada e a
magnitude do ganho do amplicador na frequencia ;
O angulo entre os sinais de entrada e sada e denominado fase na
frequencia .
Funcao de transferencia |T()|
E a razao entre as amplitudes complexas dos sinais de sada e entrada de

um sistema.
A resposta de um amplicador a uma excitacao senoidal de uma certa
frequencia e completamente caracterizada pela sua funcao de
transferencia;
A resposta pode mudar caso senoides de diferentes frequencias sejam
utilizadas como sinais de entrada;
Para avaliar o comportamento do amplicador em diversas frequencias
e identicar a faixa onde o mesmo opera com nvel mnimo de
atenuacao, pode-se variar a frequencia do sinal de entrada e medir os
valores correspondentes de amplitude e fase do sinal de sada;
Tais valores representados gracamente constituem a resposta em
frequencia do amplicador.
E usual representar a amplitude em dB, fazendo o graco de

20 log |T()| em fun cao de .
Resposta em frequencia
E o graco das amplitude e fase de uma funcao de transferencia em

funcao da frequencia.
A gura abaixo apresenta a amplitude da resposta em frequencia de
um amplicador.
Pode-se observar que:
O ganho e praticamente constante em uma faixa de frequencias (entre
1
e
2
);
Para frequencias menores do que
1
e maiores do que
2
o ganho e
reduzido.
Faixa de passagem de um amplicador
A faixa de frequencias na qual o ganho do amplicador e praticamente
constante (dentro de um determinado n umero de decibeis, usualmente
3dB) e denominada faixa de passagem (bandwidth) do amplicador
Normalmente o amplicador e projetado para que a faixa de
passagem coincida com o espectro dos sinais que ele deve amplicar,
caso contrario, ele distorceria o sinal de entrada amplicando
componentes de frequencias diferentes por quantidades distintas.
Para obter uma expressao analtica para a resposta em frequencia de
um amplicador deve-se analisar o modelo de circuito equivalente do
mesmo, considerando todos os componentes reativos;
A analise e feita de maneira usual, porem com as indutancias e
capacitancias representadas por suas reatancias;
L j L
C
1
j C
As manipula coes algebricas podem ser simplicadas usando a variavel
complexa s = + j para obter T(s) =
V
0
(s)
V
i
(s)
L sL
C
1
sC
Em seguida, substitui-se s por j para determinar a funcao de
transferencia para frequencias fsicas, T(j ).
Observacao
Deve-se notar que nenhum dos modelos de amplicadores apresentados
ate agora possuem componentes reativos. Os modelos em questao sao
simplicados e nao podem ser exclusivamente utilizados para a
determinacao analtica da resposta em frequencia dos amplicadores.
Para o amplicador apresentado a seguir, faca o que se pede:
(a) Encontre uma expressao para o ganho de tensao
V
0
V
s
em funcao da
frequencia. A partir desta expressao determine o ganho cc e a
frequencia de 3dB.
(b) Calcule os valores do ganho cc, da frequencia de 3dB e da frequencia
em que o ganho se torna 0dB (ou seja, unitario) para o caso em que
R
s
= 20k, R
i
= 100k, C
i
= 60pF, = 144V/V, R
0
= 200 e
R
L
= 1k
V
0
V
s
em funcao da
frequencia de 3dB.
Utilizando a regra do divisor de tensao pode-se encontrar:
V
i
= V
s
Z
i
Z
i
+ R
s
= V
s
1
1 + R
s
Y
i
= V
s
1
1 + R
s
_
1
R
i
+ sC
i
_
Portanto
V
i
V
s
=
1
1 +
R
s
R
i
+ sC
i
R
s
=
1
1 +
R
s
R
i
1
1 + sC
i
_
R
s
R
i
R
s
+R
i
_
V
0
V
s
em funcao da
frequencia de 3dB.
Para a sada do amplicador pode-se escrever:
V
0
= V
i
R
L
R
L
+ R
0
Que permite encontrar a funcao de transferencia do circuito:
V
0
V
s
=
1
1 +
R
s
R
i
1
1 +
R
0
R
L
1
1 + sC
i
_
R
s
R
i
R
s
+R
i
_
V
0
V
s
em funcao da
frequencia de 3dB.
O ultimo fator resulta da capacitancia C
i
com a constante de tempo
sendo:
= C
i
R
s
R
i
R
s
+ R
i
= C
i
(R
s
R
i
)
E o ganho cc pode ser calculado como segue:
K =
V
0
V
s
(s = 0) =
1
1 +
R
s
R
i
1
1 +
R
0
R
L
V
0
V
s
em funcao da
frequencia de 3dB.
A frequencia
0
de 3dB pode ser obtida por:
0
=
1
=
1
C
i
(R
s
R
i
)
R
s
= 20k, R
i
= 100k, C
i
= 60pF, = 144V/V, R
0
= 200 e
R
L
= 1k
Substitundo os valores nas equacoes encontradas no item (a), tem-se:
K = 144
1
1 +
20
100
1
1 +
200
1000
= 100V/V 40dB
0
=
1
60 10
12
_
20
100
20+100
_
10
3
= 10
6
rad/s
R
s
= 20k, R
i
= 100k, C
i
= 60pF, = 144V/V, R
0
= 200 e
R
L
= 1k
E a frequencia linear e:
f
0
=
10
6
2
= 159.2kHz
Como o ganho e reduzido na taxa de -20dB por decada, comecando em
0
, o ganho chega a 0 em duas decadas (um fator de 100). Portanto, a
frequencia de ganho unitario e 100
0
= 10
8
rad/s ou 15.92MHz.
Classicacao de amplicadores baseado em resposta em
frequencia
Amplicadores podem ser classicados com base na forma dos
gracos de amplitude da resposta em frequencia
Amplicadores capacitivamente acoplados
Ganho permanece constante para uma ampla faixa de frequencias.
Capacitancias internas dos transistores provocam queda do ganho em
altas frequencias
Capacitores de acoplamento causam queda do ganho em baixas
frequencias
Exemplo: Comum em amplicadores de audio.
frequencia
Amplicadores diretamente acoplados
O amplicador mantem o ganho em baixas frequencias e em CC;
Exemplo: CIs amplicadores sao usualmente projetados dessa forma
pois a tecnologia de CIs monolticos nao permite fabricar capacitores de
acoplamento de valor elevado.
frequencia
Amplicadores sintonizados
A resposta e maxima em torno de certa frequencia e decai dos lados da
mesma;
Exemplo: Parte principal do estagio de sintonia de um receptor de
comunicacao, faz coincidir a sua frequencia central com a frequencia
do canal de comunicacao desejado, amplicando o sinal deste ultimo e
atenuando os sinais dos outros canais.
3
Amplicadores usando o TBJ
Modelos para opera cao com pequenos sinais
Conguracoes basicas
Amplicador emissor comum
Carga ativa em amplicadores EC
Revisitando a reta de carga
Amplicador coletor comum
Amplicador base comum
Amplicadores de m ultiplos estagios
Amplicadores usando o TBJ Amplicador de tensao
Amplicador de tensao com o TBJ
Ja foi visto que fontes de corrente controladas por tensao podem
servir como amplicadores de transcondutancia, ou seja,
amplicadores cujo sinal de entrada e uma tensao e o sinal de sada e
uma corrente;
Entretanto, amplicadores de tensao sao mais usuais;
Uma forma simples de converter um amplicador de transcondutancia
em um amplicador de tensao e passar a corrente de sada por um
resistor e medir a tensao entre os terminais do mesmo como a sada
do sistema;
Fazer isso com um TBJ resulta no circuito que segue.
v
BE
e a voltagem de entrada;
R
C
e a resistencia de coletor, que converte a corrente de coletor i
C
para
uma tensao (i
C
R
C
);
V
CC
e a tensao de alimentacao do amplicador e, em conjunto com R
C
,
estabelece a operacao no modo ativo.
A tensao de sada e medida entre o coletor e o terra por conta da
necessidade de manter uma referencia de terra em todo o circuito;
A tensao de sada v
CE
e dada por:
v
CE
= V
CC
i
C
R
C
Portanto, uma versao invertida de i
C
R
C
deslocada no eixo vertical
pelo valor constante da fonte de alimentacao V
CC
.
O graco apresenta a caracterstica de transferencia de tensao (VTC)
do circuito, ou seja, o graco do sinal de sada com relacao ao sinal
de entrada (nesse caso, v
CE
e v
BE
);
Para v
BE
menor do que aproximadamente 0.5V, o transistor esta em
corte, ou seja, i
C
= 0 e v
CE
= V
CC
;
CE
e v
BE
);
A medida em que v
BE
aumenta o transistor e ligado e v
CE
diminui.
Entretanto, como v
CE
ainda e alto, o TBJ opera no modo ativo;
CE
e v
BE
);
Isso continua enquanto v
BE
aumenta ate que implique em v
CE
menor
do que v
BE
por aproximadamente 0.4V (ponto Z no graco). Para v
BE
maior do que o valor neste ponto, o TBJ opera na regiao de saturacao
e v
CE
diminui gradativamente.
O VTC indica que o segmento de maior coeciente angular e o
segmento YZ, que corresponde à operacao no modo ativo;
Uma expressao para o segmento pode ser obtida pela substituicao
para i
C
na Equacao de v
CE
pelo seu valor ativo dado a seguir
(desconsiderando o efeito Early):
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
Resultando em:
v
CE
= V
CC
R
C
I
S
e
v
BE
V
T
Voces dirao: Professor, a equacao nao e linear!
E eu digo: Bem observado. Entretanto, mesmo assim, uma
amplicacao linear (ou quase) pode ser obtida.
Como?
Fazendo com que o transistor opere no modo ativo, preferencialmente no
ponto mais distante possvel dos limites de corte e saturacao.
E como e possvel garantir isso?
Usando a tecnica de polarizacao do TBJ
Vejamos...
Polarizacao do TBJ para obter amplicacao linear
Uma tensao (DC) V
BE
e selecionada para obter a operacao em um
ponto Q no segmento YZ.
As coordenadas de Q sao as tensoes DC V
BE
e V
CE
, que sao
relacionadas como segue:
V
CE
= V
CC
R
C
I
S
e
V
BE
V
T
O sinal a ser amplicado, v
be
(t), e introduzido na base, sobreposto
ao sinal V
BE
. Desse modo, o valor instantaneo total na base e
v
BE
= V
BE
+ v
be
(t).
E v
CE
se torna:
v
CE
(t) = V
CC
R
C
I
S
e
V
BE
+v
be(t)
V
T
Gracamente, pode-se utilizar a VTC para
dterminar v
CE
ponto a ponto.
be
(t), e introduzido na base, sobreposto
ao sinal V
BE
. Desse modo, o valor instantaneo total na base e
v
BE
= V
BE
+ v
be
(t).
Quando v
be
e uma senoide com amplitude pequena o suciente para
restringir a excursao do ponto de operacao instantaneo entre as
regioes de corte e saturacao obtem-se amplicacao linear;
Quanto menor o segmento de reta entre os pontos Y e Z, mais
proximo da linearidade e mais proximo o sinal de sada com relacao
ao sinal de entrada.
Ganho para pequenos sinais
Se v
be
e mantido pequeno o suciente, v
ce
sera aproximadamente
proporcional a v
be
, sendo a constante de proporcionalidade o
coeciente angular do segmento de reta do VTC ao redor do ponto Q;
Portanto, o ganho de tensao do amplicador e dado por:
A
v
=
dv
CE
dv
BE
v
BE
=V
BE
=
d
dv
BE
_
V
CC
R
C
I
S
e
v
BE
V
T
_
=
R
C
I
S
V
T
e
v
BE
V
T
=
R
C
I
C
V
T
Se v
be
ce
proporcional a v
be
Portanto, o ganho de tensao do amplicador e dado por:
A
v
=
R
C
I
C
V
T
=
V
RC
V
T
Observacoes
O ganho e negativo, o que signica que o amplicador e inversor
(diferenca de fase de 180
entre os sinais de entrada e sada);

O ganho e proporcional a corrente de polarizacao de coletor I
C
e à
resistencia de coletor R
C
.
Considerando R
C
I
C
= V
RC
= V
CC
V
CE
, ve-se que o ganho de
tensao do amplicador e a razao entre a queda de tensao DC sobre o
resistor R
C
e a constante termica V
T
.
V
RC
= V
CC
V
CE
Portanto, para aumentar o ganho deve-se aumentar a queda de
tensao em R
C
;
Para alcancar este objetivo, para um dado valor de V
CC
, deve-se
reduzir o valor de V
CE
, porem...
Qual e a contrapartida de diminuir o valor de V
CE
?
O ponto quiescente ca mais proximo do nal da regiao ativa de operacao
do transistor e proximo do ponto de saturacao.
E da?
Isso pode implicar que a parte negativa do sinal de entrada entre na regiao
de saturacao implicando que os picos negativos de v
ce
sejam achatados.
Deve estar claro neste ponto que e a necessidade de excursao do sinal
de sada do amplicador que determina a melhor posicao para o
ponto quiescente;
De maneira semelhante, posicionar Q muito alto no segmento linear
da VTC nao apenas reduzira o ganho do amplicador, mas tambem
limitara a excursao da parte positiva do sinal, limitada pela regiao de
corte do transistor;
O ganho teorico maximo possvel para um transistor neste
conguracao e (embora este nao permita nenhuma excursao da parte
negativa do sinal):
A
v
=
V
CC
V
CE
sat
V
T
|A
v
max
|
V
CC
V
T
Embora o ganho possa ser aumentado ao aumentar o valor de V
CC
,
outras consideracoes devem ser feitas ao determinar este ultimo;
Na pratica, a tendencia atual e a de utilizar V
CC
cada vez menores,
que ja se aproximam de 1V, mas...
Como isso e possvel?
Substitundo R
C
por uma fonte de corrente constante (assunto para aulas
futuras...)
Considere um circuito amplicador contendo um TBJ com I
S
= 10
15
A,
R
C
= 6.8k e V
CC
= 10V. Faca o que se pede:
(a) Determine o valor da voltagem de polarizacao V
BE
requerida para
operar o transistor com V
CE
= 3.2V. Qual e o valor de I
C
correspondente?
(b) Calcule o ganho de tensao A
v
no ponto de operacao do item a. Se
um sinal senoidal de entrada com 5mV de pico e sobreposto a V
BE
,
encontre a amplitude do sinal de sada (assuma operacao linear);
(c) Encontre o valor do incremento positivo em v
BE
(acima de V
BE
) que
leva o transistor ao limite da regiao de saturacao, onde v
CE
= 0.3V;
(d) Encontre o valor do incremento negativo em v
BE
(acima de V
BE
) que
leva o transistor a 1% do limite da regiao de corte (ou seja,
v
CE
= 0.99V
CC
).
(a) Determine o valor da voltagem de polarizacao V
BE
requerida para
operar o transistor com V
CE
= 3.2V. Qual e o valor de I
C
correspondente?
I
C
=
V
CC
V
CE
R
C
=
10 3.2
6.8
= 1mA
I
C
= I
S
e
V
BE
V
T
1 10
3
= 10
15
e
V
BE
V
T
V
BE
= 690.8mV
(b) Calcule o ganho de tensao A
v
no ponto de operacao do item a. Se
um sinal senoidal de entrada com 5mV de pico e sobreposto a V
BE
,
encontre a amplitude do sinal de sada (assuma operacao linear);
A
v
=
V
CC
V
CE
V
T
=
10 3.2
0.025
= 272V/V
V
ce
= 272 0.005 = 1.36V
(c) Encontre o valor do incremento positivo em v
BE
(acima de V
BE
) que
leva o transistor ao limite da regiao de saturacao, onde v
CE
= 0.3V;
i
C
=
10 0.3
6.8
= 1.426mA
Para aumentar i
C
de 1mA para 1.426mA, v
BE
deve ser aumentado
por:
v
BE
= V
T
ln
_
1.426
1
_
= 8.88mV
(d) Encontre o valor do incremento negativo em v
BE
(acima de V
BE
) que
leva o transistor a 1% do limite da regiao de corte (ou seja,
v
CE
= 0.99V
CC
).
i
C
=
10 9.9
6.8
= 0.0147mA
Para reduzir i
C
de 1mA para 0.0147mA, v
BE
deve ser mudar por:
v
BE
= V
T
ln
_
0.0147
1
_
= 105.5mV
Considere um circuito amplicador emissor comum como o da gura a
seguir operado com V
CC
= +10V e polarizado com V
CE
= +1V.
Considerando v
ce
sat
= 0.3V, Faca o que se pede:
(a) Determine o ganho de tensao;
(b) Determine a excursao maxima da parte
negativa do sinal de sada sem que o
transistor entre na regiao de saturacao;
(c) A excursao do sinal de entrada
correspondente ao item b (excursao
maxima de v
i
sem que o transistor
sature);
CC
CE
= +1V.
Considerando v
ce
sat
(a) Determine o ganho de tensao;
A
v
=
I
C
R
C
V
T
=
_
10 1
0.025
_
= 360V/V
CC
CE
= +1V.
Considerando v
ce
sat
(b) Determine a excursao maxima da parte
negativa do sinal sem que o transistor
entre na regiao de saturacao;
v
c
= 1 + V = v
ce
sat
= 0.3 v = 0.7V
CC
CE
= +1V.
Considerando v
ce
sat
(c) A excursao do sinal de entrada
correspondente ao item b (excursao
maxima de v
i
sem que o transistor
sature);
v
i
=
v
o
A
v
=
0.7
360
= 1.94mV
Para o circuito apresentado, V
CC
= +10V e R
C
= +1k. Determine o
valor de V
CE
e do ganho de tensao para as seguintes correntes DC de
coletor: 1, 2, 5 e 8mA. Determine tambem, para cada caso, os valores
maximo e mnimo da excursao do sinal para que o transistor se mantenha
na regiao ativa (assuma v
ce
= 0.3V como o menor valor da regiao ativa).
V
CE
= 10 1I
C
A
v
=
R
C
I
C
V
T
=
1k I
C
0.025V
= 40I
C
Considerando v
0
= 0.3V, o menor valor
possvel para v
ce
e:
v
0
= 0.3 = 10 R
c
i
c
= 10 R
C
I
C
+ v
0
v
0
= 10 + 0.3 + 1 I
C
CC
= +10V e R
C
= +1k. Determine o
valor de V
CE
ce
E a tensao maxima do sinal sem que o tran-
sistor entre em corte e:
V
CE
+ v
0
= V
CC
v
0
= V
CC
V
CE
= 10 10 + 1kI
C
= I
C
E substitundo os valores de I
C
tem-se:
CC
= +10V e R
C
= +1k. Determine o
valor de V
CE
ce
I
C
(mA) A
v
(V/V) v
0
(V)
1 -40 -8.7 a 1
2 -80 -7.7 a 2
5 -200 -4.7 a 5
8 -320 -1.7 a 8
9 -360 -0.7 a 9
Analise graca
Reescrevendo a equa cao para v
CE
tem-se:
v
CE
= V
CC
i
C
R
C
i
C
=
V
CC
R
C
1
R
C
v
CE
Que e uma linha reta representando a relacao entre i
C
e v
CE
, que
intercepta o eixo horizontal em v
CE
= V
CC
e tem coeciente angular
1
R
C
.
Portanto, a reta e representativa da resistencia de carga R
C
e e,
portanto, denominada reta de carga.
Ela pode ser sobreposta às curvas caractarsticas i
C
versus v
CE
do
transistor para a determinacao da VTC do transistor.
Analise graca
Para cada valor de v
BE
o circuito opera no ponto onde a reta de
carga intercepta o graco i
C
versus v
CE
correspondente;
Analise graca
Em Y v
BE
= 0.5V e o transistor esta desligado (e uma chave aberta);
Em Q v
BE
= V
BE
e v
CE
= V
CE
(ponto de operacao na regiao ativa);
Em Z o TBJ entra em saturacao e opera como uma resistencia R
CE
sat
e uma baixa queda de tensao (chave fechada).
Analise graca
Observacao
Na pratica, devido ao tempo gasto para desligar um TBJ que esteja
operando na regiao de saturacao, os circuitos integrados modernos usam
circuitos que nao utilizam este modo de operacao (saturacao).
Posicionando o ponto de operacao
Para R
C
diferente, o coeciente angular da reta de carga muda;
Q
A
muito proximo de V
CC
pouca excursao positiva de v
ce
;
Q
B
muito proximo da saturacao pouca excursao negativa de v
ce
.
Amplicadores usando o TBJ Modelos para operacao com pequenos sinais
Modelos para operacao com pequenos sinais
Considere o circuito:
Juncao Base-Emissor
diretamente polarizada por V
BE
Juncao Coletor-Base
inversamente polarizada por
V
CC
atraves de R
C
;
Sinal a ser amplicado (v
be
) e
sobreposto a V
BE
.
Condicoes de polarizacao (Analise DC):
I
C
= I
S
e
V
BE
V
T
I
E
=
I
C
I
B
=
I
C
V
CE
= V
CC
I
C
R
C
Para operacao no modo ativo, V
C
deve ser maior do que (V
B
0.4)
por uma quantidade que permita a
excursao de sinal desejada no co-
letor.
Corrente de coletor e transcondutancia
Ao aplicar um sinal de entrada v
be
, a tensao instantanea total na juncao
Base-Emissor se torna:
v
BE
= V
BE
+ v
be
E a corrente de coletor correspondente e:
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
= I
S
e
(V
BE
+v
be
)
V
T
= I
S
e
V
BE
V
T
e
v
be
V
T
= I
C
e
v
be
V
T
A expressao e valida para sinais pequenos e grandes. Entretanto, para
pequenos sinais sabemos que pode-se operar o TBJ em uma faixa linear,
ou seja, pode-se usar uma expressao aproximada que valha para pequenos
sinais.
Como chegar a esta aproximacao para i
C
? Ideias?
Que tal usar expansao em serie de Taylor?
Vejamos...
be
, a tensao instantanea total na juncao
Base-Emissor se torna:
v
BE
= V
BE
+ v
be
E a corrente de coletor correspondente e:
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
= I
S
e
(V
BE
+v
be
)
V
T
= I
S
e
V
BE
V
T
e
v
be
V
T
= I
C
e
v
be
V
T
Expandindo a exponencial em serie de Taylor:
i
C
= I
C
_
1 +
v
be
V
T
+
v
2
be
V
2
T
2!
+
v
3
be
V
3
T
3!
+...
_
Se v
be
V
T
(v
be
< 10mV) pode-se aproximar i
C
usando apenas os dois
primeiros termos da serie.
E i
C
se torna:
i
C
= I
C
+
I
C
V
T
v
be
Esta aproximacao e denominada aproximacao para pequenos sinais e
implica que a corrente de coletor e composta por um valor DC denotado
por I
C
e uma componente de sinal dada por:
i
c
=
I
C
V
T
v
be
Esta ultima relaciona a componente de sinal de corrente no coletor ao
sinal de tensao correspondente na juncao Base-Emissor e pode ser
reescrita como:
i
c
= g
m
v
be
Na qual g
m
=
I
C
V
T
e denominada transcondutancia do TBJ.
Deve ser observado que:
g
m
e diretamente proporcional a corrente I
C
, o que implica que para
se obter um valor constante e previsvel para g
m
deve-se ter um valor
constante e previsvel para I
C
;
O TBJ tem transcondutancia relativamente alta. Por exemplo, para
I
C
= 1mA, g
m
40mA/V
Deve ser observado que:
Gracamente g
m
e o coeciente da curva i
C
versus v
BE
em i
C
= I
C
(ou seja, no ponto de polarizacao).
g
m
=
i
C
v
BE
i
C
=I
C
O modelo indica que:
Para pequenos sinais (v
be
V
T
) o TBJ se comporta como uma fonte
de corrente controlada por tensao;
A porta de controle esta entre a base e o emissor e a porta de sada
entre o coletor e o emissor.
A transcondutancia da fonte controlada e g
m
e a resistencia de sada e
innita (resultado do modelo de primeira ordem do transistor no qual a
tensao de coletor nao tem efeito sobre a corrente de coletor no modo
ativo);
TBJs praticos tem resistencia de sada nita por conta do efeito Early.
Corrente de base e resistencia de entrada na base
Para determinar a resistencia vista por v
be
deve-se, primeiramente, avaliar
a corrente total na base, i
B
:
i
B
=
i
C
=
I
C
+
1
I
C
V
T
v
be
= I
B
+ i
b
= I
B
+
g
m
v
be
E a resistencia (para pequenos sinais) de entrada entre a base e o emissor
(observada na base) e:
r
=
v
be
i
b
=

g
m
=
V
T
I
B
Observa-se que r
dependente di-
retamente de e e inversamente
proporcional à corrente de polar-
izacao I
C
.
Corrente de emissor e resistencia de entrada no emissor
A corrente total no emissor pode ser determinada como segue:
i
E
= I
E
+ i
e
=
i
C
=
I
C
+
i
c
=
I
C
+
I
C
V
T
v
be
=
I
C
+
I
E
V
T
v
be
E a resistencia (para pequenos sinais) de entrada entre a base e o emissor
observada no emissor e:
r
e
=
v
be
i
e
=
V
T
I
E
=

g
m
1
g
m
E a relacao entre r
e r
e
pode ser
encontrada como segue:
v
be
= i
b
r
= i
e
r
e
r
=
i
e
i
b
r
e
= ( + 1) r
e
Ganho de tensao
Para obter uma tensao como sinal de sada, faz-se com que i
C
atravesse
um resistor R
C
. E o ganho de tensao pode ser obtido como segue:
v
CE
= V
CC
i
C
R
C
= V
CC
(I
C
+ i
c
) R
C
= (V
CC
I
C
R
C
) i
c
R
C
= V
CE
i
c
R
C
Onde V
CE
e a quantidade DC e a componente de sinal e dada por:
v
ce
= i
c
R
C
= g
m
v
be
R
C
= (g
m
R
C
) v
be
A
v
=
v
ce
v
be
= g
m
R
C
=
I
C
R
C
V
T
Que identica à expressao derivada anteriormente.
Separando o sinal das quantidades DC
Todas as correntes e tensoes em um circuito amplicador sao
compostas por duas componentes: Uma DC e uma de sinal;
As componentes DC sao determinadas com base no circuito
apresentado anteriormente, onde desconsideram-se as componentes
de sinal;
As componentes de sinal sao determinadas analisando o circuito com
as fontes DC desconsideradas, ou seja:
Como a tensao de uma fonte de tensao DC ideal nao se modica, a
componente de sinal atraves da mesma e zero. Portanto, as fontes de
tensao DC viram curto-circuitos na analise AC;
De maneira semelhante, as fontes de corrente DC viram circuitos
abertos;
O circuito para analise AC e apresentado a seguir.
Circuito para analise AC
Cabe ressaltar que o circuito e util pois apresenta as diversas componentes
de sinal (tensao e corrente), porem nao e, em si, um amplicador, uma
vez que os circuitos de polarizacao nao sao apresentados.
O circuito tambem apresenta as expressoes para os sinais de corrente
incrementais (i
c
, i
b
e i
e
) obtidos quando uma tensao v
be
pequena e
aplicada.
Estas relacoes podem ser representadas por um circuito que contenha
os terminais C, B e E e implique nas mesmas equacoes para estes
sinais incrementais;
De fato, ha mais de um circuito possvel com estas caractersticas.
Eles sao denominados circuitos equivalentes do TBJ para pequenos
sinais e serao abordados a seguir.
Modelo -Hbrido
A gura mapresenta um modelo de circuito equivalente para o TBJ.
O modelo:
Representa o transistor como uma fonte de corrente controlada por
tensao;
Inclui de maneira explcita a resistencia de entrada na base, r
;
Produz i
c
= g
m
v
be
e i
b
=
v
be
r

Modelo -Hbrido
A gura mapresenta um modelo de circuito equivalente para o TBJ.
O modelo:
E tambem:
i
e
=
v
be
r
+ g
m
v
be
=
v
be
r
(1 + g
m
r
) =
v
be
r
(1 +) =
v
be
r
1+
=
v
be
r
e
Modelo -Hbrido
Um modelo ligeiramente diferente e obtido pela expressao de g
m
v
be
em
funcao da corrente de base, i
b
g
m
v
be
= g
m
i
b
r
= i
b
:
Desse modo o TBJ e representado como uma fonte de corrente
controlada por corrente, sendo i
b
o sinal de controle.
Modelo -Hbrido
Modelo -Hbrido simplicado
Os modelos apresentados sao versoes simplicadas do que e
conhecido como modelo -Hbrido do TBJ;
Deve-se ressaltar que eles modelam as caractersticas do TBJ para
pequenos sinais para um dado ponto de operacao;
Note que g
m
e r
dependem do valor da corrente de polarizacao I

C
Os modelos sao simplicacoes dos modelos para grandes sinais:
Modelo -Hbrido
O diodo D
B
O diodo D
B
e usado para introduzir o valor do fator de escalonamento da
corrente de base
_
I
S
_
Corrente de base de um TBJ
A corrente de base de um TBJ e formada por duas componentes:
i
B
1
, devida às lacunas injetadas da base no emissor;
i
B
2
, devida às lacunas que devem ser fornecidas pelo circuito externo
para repor as lacunas perdidas na base devido à recombinacao.
A corrente total na base i
B
= i
B
1
+ i
B
2
pode ser expressa como uma fracao
da corrente de coletor i
C
, tal como segue:
i
B
=
i
C
=
_
I
S
_
e
v
BE
V
T
Modelo -Hbrido
D uvidas quanto a essas observacoes?
Estude a referencia abaixo:
[Sedra, 2009] - Secao 4.1
Modelo T
Embora o modelo -Hbrido possa ser utilizado para analisar o TBJ em
operacao com pequenos sinais, ha situacoes nas quais um modelo
alternativo e mais conveniente. Este modelo e denominado Modelo T.
O modelo:
Representa o transistor como uma
fonte de corrente controlada por
tensao, sendo v
ve
o sinal de
controle;
Inclui de maneira explcita a
resistencia da juncao
Base-Emissor, vista no emissor, r
e
;
Produz as expressoes adequadas
para i
c
e i
e
, e tambem...
Modelo T
Embora o modelo -Hbrido possa ser utilizado para analisar o TBJ em
operacao com pequenos sinais, ha situacoes nas quais um modelo
alternativo e mais conveniente. Este modelo e denominado Modelo T.
i
b
=
v
be
r
e
g
m
v
be
=
v
be
r
e
(1 g
m
r
e
)
=
v
be
r
e
(1 ) =
v
be
r
e
_
1

+ 1
_
=
v
be
( + 1)r
e
=
v
be
r

Modelo T
Um modelo ligeiramente diferente e obtido pela expressao de g
m
v
be
em
funcao da corrente de emissor, i
e
g
m
v
be
= g
m
i
e
r
e
= i
e
:
Desse modo o TBJ e representado
como uma fonte de corrente
controlada por corrente, sendo i
e
o
sinal de controle.
Modelo T
Os modelos sao simplicacoes dos modelos para grandes sinais:
Modelos equivalentes para o transistor PNP
Embora os modelos ate agora tratados tenham sido desenvolvidos com
base no transistor NPN, eles sao validos, tambem, para a analise de
pequenos sinais para os transistores PNP sem mudanca de polaridade.
Aplicacao dos modelos para pequenos sinais
O uso dos modelos equivalentes para pequenos sinais do TBJ faz da
analise dos circuitos amplicadores com esses dispositivos um
processo sistematico, que pode ser resumido como segue:
1
Elimine a fonte de sinal e determine o ponto de operacao DC do TBJ,
em particular a corrente I
C
;
2
Calcule o valor dos parametros do modelo em uso: g
m
=
I
C
V
T
, r
=

g
m
e
r
e
=
V
T
I
E
=

g
m
;
3
Elimine as fontes DC substitundo fontes de tensao por um
curto-circuito e fontes de corrente por circuitos abertos;
4
Substitua o TBJ por um dos circuitos equivalentes para pequenos
sinais;
5
Analise o circuito resultante para determinar as quantidades desejadas
(ganho de tensao, resistencia de entrada, etc).
Determine o ganho de tensao
v
0
v
i
do amplicador abaixo. Assuma = 100.
Seguindo os passo a passo do metodo de analise:
1
Determinacao do ponto Q. Assume-se
v
i
= 0 e obtem-se o circuito ao lado;
A corrente de base e:
I
B
=
V
BB
V
BE
R
BB
=
3 0.7
100
= 0.023mA
E a corrente de coletor:
I
C
= I
B
= 100 0.023 = 2.3mA
v
0
v
i
E a tensao DC no coletor e:
V
C
= V
CC
I
C
R
C
= 10 2.3 3
= 3.1V
Como V
B
em 0.7V e menor do que V
C
, o
transistor opera no modo ativo nas
condic oes de polarizacao.
v
0
v
i
2
Tendo determinado o ponto de operacao, pode-se seguir para o
calculo dos parametros do modelo
r
e
=
V
T
I
E
=
25mV
2.3
0.99
mA
= 10.8
g
m
=
I
C
V
T
=
2.3mA
25mV
= 92mA/V
r
=

g
m
=
100
92
= 1.09k
v
0
v
i
3
Substitundo V
BB
e V
CC
por curto-circuitos leva ao circuito a seguir:
v
0
v
i
4
Para proceder com a analise, e util substituir o TBJ pelo modelo
-Hbrido, tal como segue:
v
0
v
i
5
Desse modo, segue-se a analise do circuito:
v
be
= v
i
r
+ R
BB
= v
i
1.09
101.09
= 0.011v
i
v
0
v
i
5
v
0
= g
m
v
be
R
C
= 92 0.011v
i
3 = 3.04v
i
v
0
v
i
5
A
v
=
v
0
v
i
= 3.04V/V
Um TBJ com = 120 e polarizado com I
C
= 1.2mA. Calcule g
m
, r
e r
e
.
Repita para I
C
= 120A.
Para I
C
= 1.2mA:
g
m
= 48mA/V
r
= 2.5k
r
e
= 20.6
Para I
C
= 120A:
g
m
= 4.8mA/V
r
= 25k
r
e
= 206
Um projetista deseja criar um amplicador transistorizado com
g
m
= 50mA/V a uma resistencia de entrada na base de 2000 ou mais.
Responda:
(a) Qual deve ser o valor da corrente de polarizacao de emissor?
I
E
= 1.26mA
(b) Qual e o menor valor aceitavel para ?
= 100
Um TBJ operando com g
m
nominal de 60mA/V tem que varia entre 50
e 200. Alem disso, o circuito de polarizacao apresenta 20% de variacao
em I
C
. Quais sao os valores mnimo e maximo possveis para a resistencia
de entrada na base do TBJ?
Valor maximo: 4.2k
Valor mnimo: 694
Para o circuito abaixo, V
BE
e ajustado de tal maneira que V
C
= 2V.
Sejam V
CC
= 5V, R
C
= 3k e v
be
= 0.005 sen(t), determine as
expressoes para i
C
(t), v
C
(t) e i
B
(t). Considere = 100. Determine,
tambem, o valor do ganho de tensao do circuito.
BE
e ajustado de tal maneira que V
C
= 2V.
Sejam V
CC
= 5V, R
C
= 3k e v
be
= 0.005 sen(t), determine as
expressoes para i
C
(t), v
C
(t) e i
B
(t). Considere = 100. Determine,
tambem, o valor do ganho de tensao do circuito.
I
C
=
V
CC
V
C
R
C
=
5 2
3000
= 1mA
g
m
=
I
C
V
T
=
0.001
0.025
= 40mA/V
i
C
(t) = I
C
+ g
m
v
be
(t) = 1 + 0.2 sen(t)mA
v
C
(t) = V
CC
R
C
i
C
(t) = 2 0.6 sen(t)V
i
B
(t) =
i
C
(t)
= 10 + 2 sen(t)A
A
v
=
0.6
0.005
= 120V/V
Gerando gracos no Matlab
Pode-se gerar gracos no Matlab, a partir de vetores e/ou matrizes

usando-se a funcao plot;
O ttulo do graco, o nome dos eixos, as cores, os tipos de linha e

outros parametros de plotagem podem ser especicados diretamente
como parametros do comando plot ou serem editados atraves da
interface graca (ambiente gure) gerada ao se plotar uma curva;
O comando subplot pode ser utilizado para inserir mais de um graco

em uma mesma gura.
Pode-se fazer os gracos dos sinais do Exemplo 3.8 como segue:
0 2 4 6 8 10
0.8
1
1.2
1.4
i
C
(
t
)
0 2 4 6 8 10
1
2
3
v
C
(
t
)
0 2 4 6 8 10
8
10
12
Tempo (s)
i
B
(
t
)
Para plotar os sinais sobrepostos em um mesmo graco, uma opcao e
utilizar o comando hold on. Para o Exemplo 3.8, as componentes de sinal
poderiam ser plotadas como segue:
0 2 4 6 8 10
2
1.5
1
0.5
0
0.5
1
1.5
2
i
C
(
t
)
,
v
C
(
t
)
,
i
B
(
t
)
Tempo (s)

i
c
v
c
i
b
Complementando o modelo para considerar o efeito Early
O efeito Early faz com que a corrente de coletor dependa, nao
somente de v
BE
, mas tambem de v
CE
.
A dependencia de v
CE
pode ser modelada assumindo uma resistencia
de sada nita para a fonte de corrente controlada do modelo
-Hbrido, de valor r
0
=
V
A
I
C
, onde V
A
e a tensao de Early e I
C
e a
corrente DC de coletor sem considerar o efeito Early.
Qual e o efeito de r
0
na operacao do transistor como amplicador?
Considerando o modelo -Hbrido
Em circuitos com o emissor e aterrado
r
0
aparece em paralelo com R
C
, e a tensao de sada se torna:
v
0
= g
m
v
be
R
C
r
0
R
C
+ r
0
Portanto o ganho e reduzido. Entretanto, se r

0
R
C
a reducao e
nma, e a inuencia de r
0
pode ser desconsiderada.
Quando o emissor do transistor nao e aterrado:
A inclusao de r
0
complica um pouco a analise e as conclusoes quanto à
sua inuencia no ganho nao sao tao diretas (assunto para mais tarde...).
Qual e o efeito de r
0
na operacao do transistor como amplicador?
Considerando o modelo T
O efeito Early pode ser considerado inclundo r
0
entre o coletor e o
emissor
D uvidas quanto ao efeito Early?
Estude a referencia abaixo:
[Sedra, 2009] - Secao 4.2.3
Amplicadores usando o TBJ Conguracoes basicas
Conguracoes basicas de amplicadores com o TBJ
Existem tres conguracoes basicas de amplicadores que utilizam um
unico TBJ como elemento principal.
Elas sao classicadas em funcao de qual dos terminais do TBJ e
usado como terra de sinal, como segue:
Emissor comum;
Coletor comum (seguidor de emissor);
Base comum.
Vamos comecar pela analise da conguracao emissor comum, mas antes
uma pequena revisao...
Capacitores de acoplamento
O proposito de um capacitor de acoplamento e permitir que o sinal
AC passe para o circuito de interesse (aqui, no nosso caso, para o
transistor) enquanto mantendo o circuito DC isolado (garantindo a
manutencao do ponto de operacao do TBJ);
Considere o circuito
Para que C sirva para acoplar o sinal v
i
(t) à carga, toda a queda de
tensao deve estar entre os terminais de R, ou seja, Z
c
R;
Vejamos:
Em f = 0Hz, Z
C
= e o capacitor funciona como uma chave aberta,
ou seja, toda a queda de tensao ocorre entre os terminais do capacitor;
Vejamos:
Na frequencia operacional, Z
C
e muito pequena e o capacitor funciona
como uma chave fechada (curto-circuito), ou seja, todo o sinal passa
para a carga;
O circuito e denominado ltro passa-alta e e projetado para deixar
passar frequencias mais altas do que uma frequencia de corte
c
=
1
RC
;
O circuito possui a seguinte funcao de transferencia:
H() =
V
0
V
i
=
R
R +
1
j C
=
j RC
1 + j RC
Nota-se que H(0) = 0 e H() = 1;
Deve-se ressaltar que a sada e medida entre os
terminais do resistor (se fosse sobre os terminais
do capacitor seria um ltro passa-baixas);
Um ltro passa-alta tambem e obtido ao medir a
sada de um circuito RL sobre o indutor.
Gracamente:
Teorema de Thevenin
Um circuito linear com dois terminais pode ser substitudo por um circuito
equivalente consistindo de uma fonte de tensao V
Th
em serie com um
resistor R
Th
, sendo V
Th
a tensao de circuito aberto nos terminais e R
Th
a
resistencia de entrada ou equivalente nos terminais com todas as fontes
independentes desligadas.
D uvidas quanto ao Teorema de Thevenin?
Escolha um livro de circuitos...
Amplicadores usando o TBJ Amplicador emissor comum
Conguracao emissor comum basica
A gura apresenta uma conguracao emissor-comum basica.
Observa-se que:
O emissor e conectado ao terra;
Observa-se que:
O sinal e acoplado à base do TBJ atraves do capacitor de acoplamento
C
C
, que prove isolamento DC do sinal de entrada com relacao ao
amplicador;
Observa-se que:
O TBJ e polarizado atraves dos resistores R
1
e R
2
, e nao e perturbado
quando a fonte de sinal e capacitivamente acoplada ao amplicador.
Considerando um sinal de entrada senoidal com
frequencia f , a magnitude da impedancia do ca-
pacitor e:
Z
C
=
1
2fC
C
Por exemplo, se C
C
= 10F e f = 2kHz, entao:
|Z
C
| =
1
2fC
C
=
1
2 (2 10
3
) (10 10
6
)
= 8k
Essa amplitude e, em geral, muito menor do que a resistencia equivalente
de Thevenin entre os terminais do capacitor, que nesse caso e R
1
R
2
r
.
Nesse caso pode-se assumir que o capacitor e um curto-circuito para
frequencias acima de 2kHz.(ignorando qualquer efeito da capacitancia com
o TBJ)
Desse modo, assume-se neste ponto que a frequencia do sinal e
sucientemente grande de tal forma que qualquer capacitor de
acoplamento age como um curto-circuito e e sucientemente pequena de
maneira a desconsiderar os efeitos das capacitancias do TBJ.
O circuito equivalente para pequenos sinais e apresentado na gura, sendo
as variaveis de sinal descritos na forma fasorial:
A tensao de sada e:
V
0
= g
m
V
(r
0
R
C
)
E a voltagem de controle (entrada do amplicador) e dada por:
V
=
R
1
R
2
r
R
1
R
2
r
+ R
S
V
S
E combinando ambas chega-se a expressao para A
v
:
A
v
=
V
0
V
S
= g
m
(r
0
R
C
)
_
R
1
R
2
r
R
1
R
2
r
+ R
S
_
Emissor comum com resistencia de emissor
No circuito EC visto ate agora, o resistor R
2
faz com que a tensao entre a
base e o emissor do TBJ polarize o mesmo para operacao na regiao ativa.
Porem esta tecnica nao e muito pratica pois qualquer variacao em R
2
ou
nas caractersticas do transistor podem ocasionar a migracao da regiao
ativa para as regioes de corte ou saturacao.
Uma conguracao melhorada consiste na insercao de uma resistencia R
E
entre o emissor e o terra e sera discutida a seguir. Embora nesta
conguracao o emissor do TBJ nao esteja conectado diretamente ao terra,
ela tambem e considerada EC.
Seja o circuito:
Considerando C
C
como um curto-circuito, desconsiderando r
0
(tensao de
Early innita) e substitundo o TBJ pelo modelo -Hbrido equivalente,
tem-se o circuito abaixo:
A tensao (AC) de sada e V
0
= (I
b
) R
C
. Para calcular o ganho de
tensao, e relevante determinar primeiro o valor da resistencia de entrada
como segue:
V
in
= I
b
r
+ (I
b
+I
b
) R
E
R
ib
=
V
in
I
b
= r
+ (1 +) R
E
Nesta conguracao, R
ib
inclui a resistencia de entrada na base r
somada
a resistencia de emissor R
E
multiplicada pelo fator ( + 1). Desse modo,
R
E
e dita reetida na base.
A resistencia de entrada para o amplicador e:
R
i
= R
1
R
2
R
ib
V
in
e V
S
podem ser relacionados pela regra do divisor de tensao:
V
in
=
R
i
R
i
+ R
S
V
S
E combinando as equacoes de V
0
, R
ib
e V
in
chega-se a:
A
v
=
V
0
V
S
=
(I
b
) R
C
V
S
= R
C
_
V
in
R
ib
__
1
V
S
_
=
R
C
r
+ (1 +)R
E
_
R
i
R
i
+ R
S
_
Se R
i
R
S
e (1 +)R
E
r
, entao o ganho A
v
pode ser aproximado
como segue.
A
v

=
R
C
(1 +)R
E
=
R
C
R
E
O que indica que A
v
para este circuito e menos dependente do ganho de
corrente do que o circuito anterior (EC sem resistencia de emissor), o
que signica que ha uma variacao menor do ganho de tensao quando o
ganho de corrente do TBJ e modicado.
Desse modo tem-se mais controle no projeto do ganho de tensao, porem,
em contrapartida, esse sera menor do que o circuito anterior
Exemplo 3.9
Para o circuito abaixo, os paramettros do transistor sao: = 100,
V
BE
= 0.7V e V
A
= (V
A
e a tensao de Early). Determine a resistencia
de entrada do amplicador e o ganho de tensao de pequenos sinais usando
ambas, a forma exata e a simplicada. Verique as variacoes do ganho
para = 50 e = 150.
Exemplo 3.9
A analise DC leva aos seguintes valores:
I
C
= 2.16mA e V
CE
= 4.81V
O que signica que o TBJ esta operando na regiao ativa.
Os parametros do modelo -Hbrido podem ser determinados como
segue:
r
=
V
T
I
C
=
(0.025)(100)
2.163
= 1.16k
g
m
=
I
C
V
T
=
2.163
0.025
= 86.5mA/V
r
0
=
V
A
I
C
=
A resistencia de entrada na base pode ser calculada como segue:
R
ib
= r
+ (1 +)R
E
= 1.16 + (101)(0.4) = 41.56k
Exemplo 3.9
A resistencia de entrada do amplicador e:
R
i
= R
1
R
2
R
ib
= 1041.56 = 8.06k
Usando a expressao exata para o ganho de tensao, tem-se:
A
v
=
(100)(2)
1.16 + (101)(0.4)
_
8.06
8.06 + 0.5
_
= 4.53
E usando a equacao aproximada:
A
v
=
R
C
R
E
=
2
0.4
= 5.0
E vericado que a equacao simplicada prove uma boa aproximacao

para o ganho, podendo ser utilizada para o projeto inicial do circuito.
Exemplo 3.9
Vericacao da variacao do ganho em funcao de mudancas em :
A
v
(V/V) % de A
v
=100
50 -4.41 97.35%
100 -4.53 100.00%
150 -4.57 100.88%
E observado que o ganho de tensao e praticamente independente da

variacao do ganho de corrente do transistor.
Exemplo 3.10
Seja um amplicador EC com resistencia de emissor com os seguintes
parametros: V
CC
= 5V, R
S
= 0.5k, R
E
= 0.6k, R
C
= 5.6k, = 120.
V
BE
= 0.7V, R
1
= 250k, R
2
= 75k, V
T
= 0.026V e V
A
= .
Determine:
(a) A
v
;
(b) A resistencia de entrada vista na base do TBJ.
Usando o circuito equivalente de Thevenin na base:
R
Th
= R
1
R
2
= 25075 = 57.7k
V
Th
=
_
R
2
R
1
+ R
2
_
V
CC
=
_
75
75 + 250
_
5 = 1.154V
I
B
=
V
Th
V
BE
R
Th
+ (1 +)R
E
=
1.154 0.7
57.7 + (121)(0.6)
= 3.48A
I
C
= I
B
= (120)(3.48A) = 0.418mA
Exemplo 3.10
Calculo de g
m
e r
:
g
m
=
I
C
V
T
=
0.418
0.026
= 16.08mA/V
r
=
V
T
I
C
=
(120)(0.026)
0.418
= 7.46k
Desse modo:
V
0
= g
m
V
R
C
E R
ib
(resposta do item b) e:
R
ib
= r
+ (1 +)R
E
= 7.46 + (121)(0.6) = 80.1k
Seguindo adiante:
R
1
R
2
R
ib
= 57.780.1 = 33.54k
Exemplo 3.10
Usando a regra do divisor de tensao:
V
S
=
_
R
1
R
2
R
ib
R
1
R
2
R
ib
+ R
S
_
V
S
=
_
33.54
33.54 + 0.5
_
V
S
= 0.985V
S
Mas tambem
V
S
= V
_
1 +
_
1 +
r
_
R
E
_
= V
_
1 +
_
121
7.46
_
(0.6)
_
= 10.73V
Logo
10.73V
= 0.985V
S
V
= 0.0918V
S
E A
v
e dado por:
A
v
=
V
0
V
S
=
g
m
V
R
C
V
S
=
(16.08)(0.0918)V
S
(5.6)
V
S
= 8.27V/V
Circuito EC com capacitor de desacolpamento (bypass)
Existem situacoes nas quais o resistor de emissor deve ser grande para
propositos de analise DC, entretanto degrada severamente o ganho de
pequenos sinais;
Nesses casos pode-se utilizar um capacitor de desacoplamento (bypass)
para curto-circuitar uma parcela ou toda a resistencia de emissor vista pela
componente de sinal.
Circuito EC com capacitor de desacolpamento (bypass)
Polarizado com tensoes positiva e negativa;
Os resistores de emissor R
E
1
e R
E
2
fazem parte da analise DC, porem
apenas R
E
1
faz parte da analise AC;
A estabilidade do ganho AC e devida apenas à R
E
1
e grande parte da
estabilidade DC e devida a R
E
2
.
Exemplo 3.11
Projete um circuito na conguracao apresentada a seguir para amplicar
um sinal de 12mVpp oriundo de um microfone para um sinal de sada de
0.4Vpp. Assuma que a resistencia de sada do microfone e de 0.5k e que
V
A
= .
Exemplo 3.11
A magnitude do ganho de tensao do amplicador deve ser:
|A
v
| =
0.4
0.012
= 33.3
E para a conguracao EC com capacitor de emissor, sabe-se que o ganho
pode ser aproximado como segue (lembre-se de que o capacitor de bypass
esta em paralelo com R
E
2
):
|A
v
|
=
R
C
R
E
1
Como esta aproximacao implica em um ganho mais alto (em modulo) do
que o que de fato ocorre, e razoavel escolher, por exemplo, R
C
= 40R
E
1
.
A soma de tensoes DC na malha base-emissor e:
5 = I
B
R
B
+ V
BE
+ I
E
(R
E
1
+ R
E
2
)
Exemplo 3.11
Escolhendo um TBJ com = 100 e V
BE
= 0.7V, pode-se projetar o
circuito para uma corrente de emissor particular. Por exemplo, escolhendo
I
E
= 0.2mA tem-se:
5 =
0.2
101
(100) + 0.7 + 0.2 (R
E
1
+ R
E
2
)
O que resulta em R
E
1
+ R
E
2
= 20.5k
Assumindo I
E
= I
C
e escolhendo V
CE
= 4V, a equacao na malha
coletor-emissor leva a:
5+5 = I
C
R
C
+V
CE
+I
E
(R
E
1
+ R
E
2
) = 0.2R
C
+4+0.2(20.5) R
C
= 9.5k
E
R
E
1
=
R
C
40
= 0.238k R
E
2
= 20.3k
Exemplo 3.11
Escolhendo valores comerciais para os resistores tem-se:
R
C
= 10k R
E
1
= 240 R
E
2
= 20k
Recalculando os valores para o circuito e avaliando tres valores distintos
para tem-se (V
0
e o valor da sada para uma entrada de 12mV):
I
C
(mA) r
(k) |A
v
| V
0
(V)
75 0.197 9.90 26.1 0.313
100 0.201 12.9 26.4 0.317
125 0.203 16.0 26.6 0.319
Exemplo 3.11
Pode-se notar:
A corrente de coletor I
C
, o ganho de tensao A
v
e a tensao de sada V
0
sao relativamente insensveis à variacoes de ;
Esta estabilidade deve-se a R
E
1
A tensao de sada e menor do que a especicacao de projeto
Porque?
Porque r
foi desconsiderado no projeto e, para uma corrente de coletor da

ordem de 0.2mA esta resistencia pode ser consideravel.
Como aumentar o ganho de tensao?
Diminundo o valor de R
E
1
. Para R
E
1
= 160, por exemplo, V
0
= 410mV.
Exemplo 3.12
O circuito a seguir tem os seguintes parametros: V
+
= 5V, V
= 5V,
R
E
= 4k, R
C
= 4k, R
B
= 100k e R
S
= 0.5k, = 120, V
BE
= 0.7V
e V
A
= 80V. Faca o que se pede:
(a) Determine a resistencia de entrada vista pela fonte de sinal (ou seja,
a resistencia vista por v
s
);
(b) O ganho de tensao para pequenos sinais.
Exemplo 3.12
(a) R
i
R
i
= R
S
+ R
B
r
I
B
R
B
+ 0.7 + (1 +)I
B
R
E
+ V
= 0
5 0.7 = I
B
(100 + (121)(4)) I
B
= 0.007363mA
I
C
= I
B
= 0.8836mA
g
m
=
I
C
V
T
=
0.8836
0.025
= 35.34mA/V
r
=
V
T
I
C
=
(120)(0.025)
0.8836
= 3.39k
R
i
= 0.5 + 1003.39 = 3.78k
Exemplo 3.12
(a) A
v
r
0
=
V
A
I
C
=
80
0.8836
= 90.5k
V
=
_
R
B
r
R
B
r
+ R
S
_
v
s
=
_
1003.39
1003.39 + 0.5
_
v
s
= 0.868v
s
A
v
= g
m
(R
C
r
0
)
V
v
s
= (35.34) (490.5) (0.868) = 117.5
Exemplo 3.13
Para o circuito a seguir, sejam = 125, V
BE
= 0.7V e V
A
= 200V.
Determine:
(a) A
v
(b) R
0
Exemplo 3.13
Analise DC:
Por simetria: V
Th
= 0
R
Th
= R
1
R
2
= 2020 = 10k
I
B
=
00.7(5)
10+(126)(5)
= 0.00672mA
I
C
= I
B
= (125)(0.00672) = 0.84mA
Parametros de pequenos sinais do TBJ:
r
=
V
T
I
C
=
(125)(0.025)
0.84
= 3.72k
g
m
=
I
C
V
T
=
0.84
0.025
= 33.6mA/V
r
0
=
V
A
I
C
=
200
0.84
= 238k
(a) V
0
= g
m
V
(r
0
R
C
R
L
) e V
= V
S
Entao: A
v
=
V
0
V
S
= g
m
(r
0
R
C
R
L
) = (33.6) (2382.35) = 50.5
(b) R
0
= r
0
R
C
= 2382.3 = 2.28k
Amplicadores usando o TBJ Carga ativa em amplicadores EC
Carga ativa em amplicadores EC
Analisamos, ate agora, amplicadores EC com resistencia de coletor
constante;
Outra possibilidade e polarizar o TBJ com uma fonte de corrente
constante, usando uma resistencia de coletor nao linear cuja caracterstica
seja dada pela curva a seguir;
A curva pode ser gerada usando um transistor pnp, polarizado com uma
tensao V constante;
Amplicadores usando o TBJ Revisitando a reta de carga
Neste ponto e conveniente retomar os conceitos de reta de carga e
refazer a associacao com o projeto de amplicadores EC para
excurcao maxima de sinal:
A reta de carga DC prove uma maneira de visualizar a relacao entre o
ponto Q e as caractersticas do transistor;
Quando capacitores sao includos no circuito uma nova reta de carga
efetiva pode passar a existir. Ela e chamada de reta de carga AC.
A reta de carga AC facilita a visualizacao entre a resposta de pequenos
sinais e as caractersticas do transistor;
a regiao de opera cao AC esta sobre a reta de carga AC.
Seja o circuito:
A reta de carga DC e encontrada usando a KVL na malha coletor-emissor
como segue:
V
+
= I
C
R
C
+ V
CE
+ I
E
(R
E
1
+ R
E
2
) + V
V
CE
=
_
V
+
V
_
I
C
_
R
C
+
_
1 +
_
(R
E
1
+ R
E
2
)
_
= 10 I
C
(R
C
+ R
E
1
+ R
E
2
)
A reta de carga AC e encontrada de maneira semelhante, porem usando o
circuito equivalente para pequenos sinais:
i
c
R
C
+ v
ce
+ i
e
R
E
1
= 0
v
ce
= i
c
(R
C
+ R
E
1
) Para i
c

= i
e
Gracamente (valores calculados com base no Exemplo 3.11):
Pode-se observar:
Quando v
ce
= i
c
= 0 se esta sobre o ponto Q;
Quando sinais AC estao presentes, desvia-se do ponto Q sobre a reta
de carga AC;
Gracamente (valores calculados com base no Exemplo 3.11):
Pode-se observar:
O coeciente da reta AC difere do da reta DC porque R
E
2
nao faz
parte do modelo equivalente para pequenos sinais;
A tensao C-E e a corrente de coletor de pequenos sinais sao funcoes
apenas dos resistores R
C
e R
E
1
.
Modelo -Hbrido para o transistor pnp
Como ja discutido anteriormente, o modelo -Hbrido para o transistor pnp
e o mesmo utilizado para o transistor npn, sem mudanca de polaridade.
Na realidade pode-se, tambem, utilizar o modelo com todas as correntes e
tensoes invertidas, sendo os parametros do circuito calculados da mesma
maneira.
A segunda opcao deixa o modelo mais consistente com o comportamento
fsico do dispositivo e, por esse motivo, e uma opcao tambem muito
encontrada na literatura.
Modelo -Hbrido para o transistor pnp
Desse modo, os modelos -Hbridos encontrados para representar o
transistor pnp sao resumidos na gura abaixo.
Exemplo 3.14
Determine as retas de carga DC e AC para o circuito apresentado a seguir,
considerando = 150, V
EB
= 0.7V e V
A
= V.
Exemplo 3.14
Reta DC
Fazendo KVL na malha C-E obtem-se:
V
+
= I
E
R
E
+ V
EC
+ I
C
R
C
+ V
E a equacao da reta de carga DC e dada por:

V
EC
=
_
V
+
V
_
I
C
_
R
C
+
_
1 +
_
R
E
_
Assumindo
1+
= 1, a reta de carga DC e tal como sera apresentada a

seguir.
Os valores do ponto Q sao I
BQ
= 5.96A, I
CQ
= 0.894mA, I
EQ
= 0.9mA e
V
CEQ
= 6.53V.
Exemplo 3.14
Reta AC
Assumindo que todos os capacitores se comportam como curto-circuitos, o
circuito equivalente para pequenos sinais e tal como segue:
Exemplo 3.14
Os parametros do modelo -Hbrido sao:
r
=
V
T
I
CQ
=
(0.026)(150)
0.894
= 4.36k
g
m
=
I
CQ
V
T
=
0.894
0.026
= 34.4mA/V
r
0
=
V
A
I
CQ
=

I
CQ
=
A tensao de sada (v
ce
) e:
v
0
= v
ce
= +(g
m
v
) (R
C
R
L
) = +i
c
(R
C
R
L
)
E a equacao da reta de carga e escrita em funcao de v
ec
como segue:
v
ec
= i
c
(R
C
R
L
)
Exemplo 3.14
Exemplo 3.15
Determine a excurcao maxima simetrica para o sinal de sada do circuito
do Exemplo 3.14
Observando a reta de carga, nota-se que a excurcao negativa maxima para
a corrente de coletor e de 0.894mA a zero. Portanto, a excurcao simetrica
maxima do sinal e dada por:
i
c
= 2(0.894) = 1.79mA
E a tensao de sada tem excurcao maxima dada por:
|v
ec
| = |i
c
| (R
C
R
L
) = (1.79)(5 2) = 2.56V
Portanto, o valor maximo para a corrente de coletor instantanea e:
i
c
= I
CQ
+
1
2
|i
c
| = 0.894 + 0.894 = 1.79mA
Aplicacao no calculo da excursao maxima do sinal
Pode-se utilizar as retas de carga DC a AC para determinar a
excursao maxima permitida (ou seja, que nao ocasiona distorcao) do
sinal de sada como segue:
1
Escreva a equacao da reta de carga DC que relaciona os valores de I
C
e
V
CE
;
2
Escreva a equacao da reta de carga AC que relaciona i
c
e
v
ce
: v
ce
= i
c
R
eq
, sendo R
eq
a resistencia AC efetiva no circuito
coletor-emissor;
3
Em geral, pode-se escrever i
c
= I
C
I
C
min
, onde I
C
min
e zero ou algum
valor especicado para a corrente mnima de coletor;
4
Em geral, pode-se escrever v
ce
= V
CE
V
CE
min
, onde V
CE
min
e algum
valor mnimo especicado para a tensao coletor-emissor;
5
As quatro equacoes acima podem ser combinadas para prover valores
otimos para I
C
e V
CE
para obter a excursao maxima do sinal de sada.
Exemplo 3.16
Especique R
1
e R
2
para o circuito abaixo de tal modo que o mesmo
alcance maxima excurcao de sinal. Considere:
Corrente mnima de coletor,
I
C(min)
= 0.1mA;
Tensao coletor-emissor mnima,
V
CE(min)
= 1V;
= 120, V
BE
= 0.7V e
V
A
= .
Exemplo 3.16
Especique R
1
e R
2
para o circuito abaixo de tal modo que o mesmo
alcance maxima excurcao de sinal. Considere:
Considerando o circuito equivalente DC,
e utilizando o criterio R
TH
= R
1
R
2
=
(0.1)(+1)R
E
chega-se a R
TH
= 24.2k.
Assumindo I
C

= I
E
a equacao da reta de
carga DC e:
V
CE
= 10 I
C
(R
C
+ R
E
) = 10 9I
C
Exemplo 3.16
O circuito equivalente AC e apresentado a seguir:
A a equacao da reta de carga AC e:
V
ce
= I
c
(R
C
R
L
) = (4.12)I
C
Exemplo 3.16
Exemplo 3.16
Pode-se escrever:
I
C
= I
CQ
I
C(min)
= I
CQ
0.1
V
CE
= V
CEQ
V
CE(min)
= V
CEQ
1
Nas quais I
C(min)
e V
CE(min)
foram dados nas especicacoes.
Porem:
V
CE
= I
C
(R
C
R
L
)
E assim:
V
CEQ
1 = (I
CQ
0.1) (4.12)
Substitundo a expressao para a reta de carga DC, obtem-se:
10 9I
CQ
1 = (I
CQ
0.1) (4.12)
E chega-se a I
CQ
= 0.717mA e V
CEQ
= 3.54V
Exemplo 3.16
Pode-se agora determinar os valores de R
1
e R
2
que fornecem o ponto de
operacao desejado. A partir do circuito equivalente DC, tem-se:
V
TH
=
R
2
R
1
+ R
2
[5 (5)] 5
=
1
R
1
(R
TH
)(10) 5 =
1
R
1
(24.2)(10) 5
E usando a KVL na malha base-emissor:
V
TH
=
I
CQ
R
TH
+ V
BE
+
_
+ 1
_
I
CQ
R
E
5
E portanto:
1
R
1
(24.2)(10) 5 =
0.717
120
(24.2) + 0.7 +
_
121
120
_
(0.717)(2) 5
Exemplo 3.16
E chega-se a: R
1
= 106k e R
2
= 31.4k
A corrente de coletor de pico e:
I
C
= I
CQ
I
C(min)
= 0.717 0.1 = 0.617mA
O que leva a um sinal com 1.234mA pico a pico. De maneira semelhante:
V
CE
= V
CEQ
V
CE(min)
= 3.54 1 = 2.54V
O que leva a um sinal com 5.08V pico a pico.
Na pratica...
Desse modo determinou-se o ponto Q que leva à maxima excurcao do sinal
de sada sem distorcao. Porem, as tolerancias dos valores dos resistores e
dos parametros do TBJ podem modicar este ponto de tal forma que esta
excurcao maxima pode nao ser alcancada sem que haja distorcao.
Amplicadores usando o TBJ Amplicador coletor comum
Amplicador coletor comum (seguidor de emissor)
A segunda conguracao de amplicador com o TBJ e o circuito
denominado coletor comum.
Um exemplo desta conguracao e apresentada na gura abaixo.
A sada e medida no emissor com relacao ao terra e o coletor e conectado
diretamente a V
CC
. Como V
CC
e terra para o sinal, tem-se o nome coletor
comum. Outro nome usual para esta conguracao e seguidor de emissor.
O porque disso sera entendido em breve.
A analise DC e a mesma ja vista para a conguracao emissor comum.
Para a analise AC, o modelo -Hbrido pode ser usado de maneira
semelhante ao que ja foi abordado. Assumindo que o capacitor de
acoplamento C
C
funcione como um curto-circuito, a gura abaixo
apresenta o modelo equivalente para o circuito amplicador.
Observa-se que o coletor e conectado ao terra e a resistencia r
0
aparece
em paralelo com a fonte de corrente dependente.
Rearranjando o circuito:
Observa-se que I
0
= ( + 1)I
b
.
E a tensao de sada pode ser escrita como V
0
= I
b
( + 1)(r
0
R
E
).
Escrevendo a KVL na malha base-emissor obtem-se
V
in
= I
b
[r
+ ( + 1)(r
0
R
E
)] R
ib
=
V
in
I
b
= r
+ ( + 1)(r
0
R
E
)
Rearranjando o circuito:
Pode-se tambem escrever: V
in
=
_
R
i
R
i
+R
S
_
V
S
Na qual R
i
= R
1
R
2
R
ib
. E combinando as equacoes anteriores
chega-se a expressao para o ganho de tensao do circuito:
A
v
=
V
0
V
S
=
( + 1)(r
0
R
E
)
r
+ ( + 1)(r
0
R
E
)
_
R
i
R
i
+ R
S
_
Exemplo 3.17
Calcule o ganho de tensao para pequenos sinais do circuito coletor comum.
Assuma = 100, V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V e V
A
= 80V.
A analise DC indica que I
C
= 0.793mA e V
CE
= 3.4V.
Os parametros do modelo -Hbrido sao:
r
=
V
T
I
C
=
(0.026)(100)
0.793
= 3.28k
g
m
=
I
C
V
T
=
0.793
0.026
= 30.5mA/V
r
0
=
V
A
I
C
=
80
0.793
= 100k
Portanto
R
ib
= 3.28 + (101)(100 2) = 201k
Exemplo 3.17
R
i
pode ser calculada como segue: R
i
= 50 50 201 = 22.2k
A
v
=
(101)(100 2)
3.28 + (101)(100 2)
_
22.2
22.2 + 0.5
_
= +0.962
O que e possvel observar?
O ganho de tensao e pouco menor do que 1
Uma avaliacao cuidadosa da Equacao do ganho comprova que isso e
sempre verdade.
O ganho de tensao e positivo
O sinal de sada esta em fase com o sinal de entrada;
Conclusao: O sinal de sada no emissor e essencialmente igual ao sinal
de entrada. Vem da o termo seguidor de emissor.
Exemplo 3.18
CC
= 12V, R
E
= 30, R
1
= 1.3k, R
2
= 4.2k,
R
S
= 0, = 80, V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V e V
A
= 75V. Determine:
(a) Os valores quiescentes I
E
e V
CE
;
(b) A
v
=
V
0
V
S
;
(c) A resistencia de entrada observada na base do TBJ.
Exemplo 3.18
(a) I
E
e V
CE
R
Th
= R
1
R
2
= 1.3 4.2 = 0.9927k
V
Th
=
_
R
2
R
1
+ R
2
_
V
CC
=
_
4.2
1.3 + 4.2
_
(12) = 9.1636V
I
B
=
9.1636 0.7
0.9927 + (81)(0.03)
= 2.473mA
I
E
= ( + 1)I
B
= 0.2A
I
C
= I
B
= 0.1978A
V
CE
= 12 (0.2)(30) = 6V
Exemplo 3.18
(b) A
v
g
m
=
I
C
V
T
=
0.1978
0.026
= 7.608A/V
r
= 10.52
r
0
= 379.2k
A
v
=
( + 1)(r
0
R
E
)
r
+ ( + 1)(r
0
R
E
)
=
(81)(379.2 30)
10.52 + (81)(379.2 30)
= 0.9953
(c) R
ib
R
ib
= r
+ ( + 1)(r
0
R
E
) = 10.52 + (81)(379.2 30) = 2.26k
Amplicador coletor comum - Resistencia de entrada
A resistencia de entrada do circuito amplicador coletor comum e
determinada da mesma maneira que na conguracao emissor comum e e
dada pela equacao:
R
ib
= r
+ ( + 1)(r
0
R
E
)
Como a corrente de emissor e ( + 1) vezes a corrente de base, a
impedancia efetiva no emissor e multiplicada por ( + 1).
O mesmo efeito foi observado na conguracao EC quando um resistor foi
inserido no emissor.
Essa multiplicacao por ( + 1) e denominada regra da reexao da
resistencia.
Amplicador coletor comum - Resistencia de sada
Considerando inicialmente uma fonte de sinal ideal com R
S
= 0, pode-se
determinar a resistencia de sada do amplicador seguidor de emissor a
partir do circuito abaixo:
No qual uma tensao de teste V
x
e aplicada nos terminais de sada,
resultando em uma corrente I
x
.
A resistencia de sada, R
0
e, entao, dada por:
R
0
=
V
x
I
x
Nesse caso, a tensao de controle V
nao e zero mas, sim, uma funcao da

tensao de teste aplicada, mais especicamente V
= V
x
Somando as correntes no no de sada:
I
x
+ g
m
V
=
V
x
R
E
+
V
x
r
0
+
V
x
r
Como V
= V
x
, a equacao pode ser reescrita como:
I
x
V
x
=
1
R
0
= g
m
+
1
R
E
+
1
r
0
+
1
r

E a resistencia de sada e dada por:
R
0
=
1
g
m
R
E
r
0
r
A equacao de
I
x
V
x
pode ser reescrita como segue:
1
R
0
=
_
g
m
+
1
r
_
+
1
R
E
+
1
r
0
=
_
1 +
r
_
+
1
R
E
+
1
r
0
E com isso R
0
pode ser reescrita como:
R
0
=
r
1 +
R
E
r
0
O que indica que a resistencia observada nos terminais de sada e a
resistencia efetiva no emissor (R
E
r
0
) em paralelo com a resistencia
observada no emissor, sendo esta ultima a resistencia total no circuito da
base dividida por (1 +).
Esse resultado e denominado regra da reexao inversa da resistencia e
e o inverso da regra da reexao observada na base.
Exemplo 3.19
Calcule o valor da resistencia de sada do circuito seguidor de emissor
apresentado abaixo. Assuma R
S
= 0
Do Exemplo 3.17 tem-se:
r
= 3.28k = 100 r
0
= 100k
R
ib
= 201k R
i
= 22.2k
Exemplo 3.19
R
ib
do coletor comum R
ib
emissor comum
A resistencia de entrada do seguidor de emissor observada na base e
substancialmente maior do que a mesma para o caso do circuito emissor
comum basico por conta do fator ( + 1).
Essa e uma vantagem do circuito seguidor de emissor.
Entretanto, nesse exemplo, a resistencia de entrada observada pela fonte
de sinal (R
1
R
2
R
ib
) e dominada pelos resistores de polarizacao R
1
e
R
2
.
Portanto, para fazer uso da alta resistencia de entrada do circuito seguidor
de emissor, os resistores de polarizacao devem ser projetados para serem
bem maiores.
Exemplo 3.19
A resistencia de sada e calculada como segue:
R
0
=
_
r
1 +
_
R
E
r
0
=
_
3.28
101
_
2 100 = 32
R
0
e dominada pelo primeiro termo (o que tem ( +1) no denominador).
Transformador de impedancia
O seguidor de emissor e tambem denominado transformador de
impedancia, pois R
i
e alta e R
0
e baixa.
Essa impedancia de sada faz com que o circuito haja quase como uma
fonte de tensao ideal, pois a sada nao e atenuada quando usada para
suprir uma carga.
Por esse motivo, o seguidor de emissor e frequentemente usado como
estagio de sada de um amplicador de m ultiplos estagios.
Resistencia de sada considerando R
S
nao nula
Considerando uma resistencia interna nao-nula da fonte de sinal, a
resistencia de sada pode ser determinada considerando o circuito a seguir,
onde V
x
e aplicada nos terminais de sada.
Somando as correntes no no de sada:
I
x
+ g
m
V
=
V
x
R
E
+
V
x
r
0
+
V
x
r
+ R
1
R
2
R
S
S
nao nula
onde V
x
A tensao de controle pode ser escrita em termos da tensao de teste
usando a regra do divisor de tensao:
V
=
_
r
+ R
1
R
2
R
S
_
V
x
S
nao nula
onde V
x
E a equacao do no de sada pode ser reescrita como:
I
x
=
_
g
m
r
+ R
1
R
2
R
S
_
V
x
+
V
x
R
E
+
V
x
r
0
+
V
x
r
+ R
1
R
2
R
S
S
nao nula
onde V
x
Como g
m
r
= , tem-se
I
x
V
x
=
1
R
0
=
1 +
r
+ R
1
R
2
R
S
+
1
R
E
+
1
r
0
S
nao nula
onde V
x
Portanto:
R
0
=
_
r
+ R
1
R
2
R
S
1 +
_
R
E
r
0
Ganho de corrente
Pode-se determinar o ganho de corrente para a circuito seguidor de
emissor usando a resistencia de entrada e o conceito de divisor de corrente.
Denindo o ganho de corrente como:
A
I
=
I
e
I
i
A corrente de base (na forma fasorial) pode ser escrita em termos da
corrente de entrada como segue:
I
b
=
_
R
1
R
2
R
1
R
2
+ R
ib
_
I
i
Como g
m
V
= I
b
, entao:
I
0
= (1 +) I
b
= (1 +)
_
R
1
R
2
R
1
R
2
+ R
ib
_
I
i
Ganho de corrente
Escrevendo a corrente na carga em termos de I
0
tem-se:
I
e
=
_
r
0
r
0
+ R
E
_
I
0
E combinando as equacoes de I
e
e I
0
chega-se ao ganho de corrente do
circuito:
A
i
=
I
e
I
i
= (1 +) I
b
= (1 +)
_
R
1
R
2
R
1
R
2
+ R
ib
__
r
0
r
0
+ R
E
_
E se R
1
R
2
R
ib
e r
0
R
E
:
A
i

= (1 +)
Embora o ganho de tensao do circuito seguidor de emissor seja pouco
menor do que 1, o ganho de corrente e normalmente maior do que 1 e,
portanto, o circuito produz ganho de potencia para pequenos sinais.
Exemplo 3.20
O amplicador emissor comum projetado no Exemplo 3.11 tem resistencia
de sada R
0
EC
= R
C
= 10k. Deseja-se conecta-lo a uma carga R
L
cujo
valor varia entre 4 e 20k.
A conexao direta entre ambos e recomendave?
Nao.
Por que?
Dada a ordem de grandeza das resistencias de sada do amplicador e da
carga, o divisor de tensao resultante da conexao entre ambos fara com que
o sinal de sada seja substancialmente reduzido.
Qual e uma solucao possvel para reduzir esta perda de sinal?
Conectar um circuito seguidor de emissor com baixa resistencia de sada
entre o EC e a carga, de tal maneira a minimizar o efeito da carga.
Exemplo 3.20
Desse modo, projete um circuito seguidor de emissor com a conguracao
apresentada abaixo para que o sinal de sada nao varie mais do que 5%
quando uma carga na faixa de 4 a 20k e conectada. Assuma = 100,
V
BE
= 0.7V e V
A
= 80V.
Exemplo 3.20
Quanto vale a resistencia interna da fonte de sinal?
A fonte de sinal para o seguidor de emissor e o amplicador emissor
comum projetado no Exemplo 3.11. Portanto, a resistencia interna da
fonte e a resistencia de sada do EC, ou seja, R
S
= R
0
EC
= 10k.
Exemplo 3.20
Como garantir que a sada nao varie mais do que 5%?
Especicando R
0
de maneira adequada.
Como determinar um valor adequado para R
0
?
Uma boa alternativa e usar o circuito equivalente de Thevenin.
A tensao de sada e dada por:
v
0
=
_
R
L
R
L
+ R
0
_
v
TH
Para que v
0
nao varie mais do que 5% quando R
L
e conectada ao circuito,
R
0
deve ser menor ou igual a aproximadamente 5% do menor valor
possvel para R
L
. Portanto, R
0
= (0.05)(4000) = 200.
Exemplo 3.20
A resistencia de sada do circuito e:
R
0
=
_
r
+ R
1
R
2
R
S
1 +
_
R
E
r
0
O primeiro termo e dominante e, se R
1
R
2
R
S

= R
S
a equacao se
torna:
R
0

=
r
+ R
S
1 +
Para R
0
= 200, tem-se:
0.2 =
r
+ 10
101
r
= 10.2k
Exemplo 3.20
Como r
=
V
T
I
C
, considerando V
T
= 0.026V a corrente de coletor
quiescente deve ser:
I
C
=
V
T
r
=
(100)(0.026)
10.2
= 0.255mA
E a analise DC possibilita encontrar valores adequados para R
1
e R
2
.
Assumindo I
C

= I
E
e considerando V
CE
= 5V, tem-se:
R
E
=
V
+
V
CE
V
I
E
=
5 5 (5)
0.255
= 19.6k
Para um circuito com polarizacao estavel, um criterio possvel e considerar
R
TH
= (0.1)(1 +)R
E
(vide observacao apos este exemplo).
Neste exemplo: R
TH
= (0.1)(1 +)R
E
= (0.1)(101)(19.6) = 198k
Exemplo 3.20
E a corrente de base e:
I
B
=
V
TH
V
BE
V
R
TH
+ (1 +)R
E
Na qual:
V
TH
=
_
R
2
R
1
+ R
2
_
(10) 5 =
1
R
1
R
TH
(10) 5
E pode-se escrever:
0.255
100
=
1
R
1
(198)(10) 5 0.7 (5)
198 + (101)(19.6)
De onde encontra-se os valores para R
1
e R
2
:
R
1
= 317k R
2
= 527k
Exemplo 3.20
Inventigando o efeito da variacao do ganho de corrente...
R
TH
= R
1
R
2
= 198k
V
TH
= 1.244V
I
B
=
1.244 0.7 (5)
198 + (1 +)(19.6)
I
C
= I
B
r
=
V
T
I
C
R
0

=
r
+ R
TH
R
S
1 +
=
r
198 10
1 +
Exemplo 3.20
E para alguns valores diferentes de tem-se:
I
C
(mA) r
(k) R
0
()
50 0.232 5.62 297
75 0.246 7.91 229
100 0.255 10.2 195
125 0.260 12.5 175
O que e possvel concluir com relacao a R
0
?
R
0
atende ao valor especicado (
= 200) apenas para > 100. Portanto,

no projeto aqui realizado, deve-se especicar 100 como o valor mnimo
possvel para o ganho de corrente do transistor.
Criterio R
TH
= (0.1)(1 + )R
E
para polarizacao estavel
Para um circuito polarizado com um divisor de tensao e contendo
resistencia de emissor, a aplicacao da lei de Kirchho na malha
Base-Emissor leva a:
V
TH
= I
B
R
TH
+ V
BE
+ I
E
R
E
Com o TBJ polarizado na regiao ativa, tem-se I
E
= (1 +)I
B
e a corrente
de base e dada por:
I
B
=
V
TH
V
BE
R
TH
+ (1 +)R
E
E a corrente de coletor e:
I
C
= I
B
=
(V
TH
V
BE
)
R
TH
+ (1 +)R
E
Criterio R
TH
= (0.1)(1 + )R
E
para polarizacao estavel
Para estabilidade do ponto de operacao R
TH
(1 +)R
E
e, com isso:
I
C

=
(V
TH
V
BE
)
(1 +)R
E
Sendo normalmente muito maior do que 1, chega-se a:
I
C

=
V
TH
V
BE
R
E
E I
C
se torna uma funcao apenas das tensoes DC e de R
E
. Desse modo, o
ponto de operacao e estabilizado com relacao à variacoes de .
Entretanto, se R
TH
for muito pequeno, muita potencia sera dissipada em
R
1
e R
2
. Por esse motivo, uma regra muito usada para considerar um
circuito de polarizacao estavel e:
R
TH

= 0.1(1 +)R
E
Amplicadores usando o TBJ Amplicador base comum
A terceira conguracao de circuitos amplicadores e a denominada base
comum;
Nesta, a base do TBJ e conectada ao terra de sinal, enquanto a entrada e
aplicada ao emissor.
A analise DC e essencialmente a mesma do amplicador emissor comum.
Para a analise AC pode-se utilizar o mesmo modelo equivalente
(-Hbrido) utilizado nas conguracoes anteriores. Assumindo r
0
= , o
modelo equivalente do circuito base comum e tal como segue:
Ganho de tensao
A tensao de sada e dada por V
0
= (g
m
V
) (R
C
R
L
);
Escrevendo a KCL no no do emissor, obtem-se:
g
m
V
+
V
+
V
R
E
+
V
S
(V
)
R
S
= 0
Como = g
m
r
, a equacao pode ser reescrita como segue:

V
_
1 +
r
+
1
R
E
+
1
R
S
_
=
V
S
R
S
V
=
V
S
R
S
__
r
1 +
_
R
E
R
S
_
Ganho de tensao
Substitundo o valor de V
na equacao de V
0
chega-se a:
A
v
=
V
0
V
S
= +g
m
_
R
C
R
L
R
S
___
r
1 +
_
R
E
R
S
_
E pode-se mostrar que, quando R
S
tende a zero, o ganho se torna
(Exerccio: Prove!):
A
v
= g
m
(R
C
R
L
)
Ganho de corrente
O ganho de corrente e denido como A
i
=
I
0
I
i
;
Escrevendo a KCL no no do emissor, obtem-se:
I
i
+
V
+ g
m
V
+
V
R
E
= 0
Resolvendo para V
obtem-se:
V
= I
i
__
r
1 +
_
R
E
_
Ganho de corrente
A corrente na carga e dada por:
I
0
= g
m
V
_
R
C
R
C
+ R
L
_
Combinando as equacoes de V
e I
0
chega-se a:
A
i
=
I
0
I
i
= g
m
_
R
C
R
C
+ R
L
___
r
1 +
_
R
E
_
Ganho de corrente
Quando R
E
e R
L
0, o ganho de corrente se torna:
A
i
0
=
g
m
r
1 +
=

1 +
=
Portanto, para o circuito base comum, A
v
e usualmente maior do que 1 e
A
i
e ligeiramente menor do que 1. Entretanto, ainda ha um pequeno
ganho de potencia.
A aplicacao deste tipo de circuito esta mais relacionada com as
resistencias de entrada e sada.
Resistencias de entrada e sada
A gura apresenta o circuito equivalente para pequenos sinais da
conguracao base comum observando o emissor. Por conveniencia, a
polaridade da tensao de controle foi invertida, o que reverte a direcao da
fonte de corrente dependente.
A resistencia de entrada observada no emissor e:
R
ie
=
V
I
i
Escrevendo a KCL na entrada obtem-se:
I
i
= I
b
+ g
m
V
=
V
+ g
m
V
= V
_
1 +
r
_
Portanto:
R
ie
=
V
I
i
=
r
1 +
r
e
A resistencia observada no emissor, com a base aterrada, e usualmente
denida como r
e
e e bem pequena.
Quando o sinal de entrada e uma fonte de corrente, uma resistencia de
entrada baixa e desejavel.
A gura apresenta o circuito usado para calcular a resistencia de sada
observada no coletor. A resistencia r
0
e includa e a fonte de tensao
independente, v
s
, e feita igual a zero.
Escrevendo a KCL no no de sada tem-se:
I
x
= g
m
V
+
V
x
(V
)
r
0
Denindo uma resistencia equivalente R
eq
= R
S
R
E
r
e escrevendo a
KCL no no do emissor, chega-se a:
V
R
eq
+ g
m
V
+
V
x
(V
)
r
0
= 0
E combinando as equacoes anteriores chega-se ao valor da resistencia de
sada do amplicador:
V
x
I
x
= R
oc
= r
0
(1 + g
m
R
eq
) + R
eq
Se R
S
= 0, entao R
eq
= 0 e a resistencia de sada e dada por R
oc
= r
0
.
Incluindo um resistor de coletor e um de carga, a resistencia de sada
observada no terminal de sada e R
0
= R
oc
R
C
R
L
.
Como a resistencia de sada observada no terminal do coletor e muito alta,
o circuito base comum se comporta quase como uma fonte de corrente
ideal.
O circuito e tambem referido como buer de corrente.
Comparacao entre as tres conguracoes
Conguracao A
v
A
i
R
i
R
0
Emissor comum > 1 > 1 Moderada Moderada a alta
(poucos k)
Coletor comum

= 1 > 1 Alta Baixa
(50 a 100k) (poucos )
Base comum > 1

= 1 Baixa Moderada a alta
(decimos de )
Observacoes:
A resistencia de entrada geral dos circuitos EC e CC pode ser fortemente
afetada pelos resistores do circuito de polarizacao.
A resistencia de sada observada no terminal de sada dos circuitos EC e BC
e fortemente afetada pela resistencia de coletor.
Amplicadores usando o TBJ Amplicadores de m ultiplos estagios
Em muitas aplicacoes um unico amplicador transistorizado nao e capaz
de atender as especicacoes combinadas de ganho, resistencia de entrada
e resistencia de sada.
Por exemplo, uma especicacao pode requerer um ganho de tensao maior
do que um circuito com um unico TBJ pode prover.
Outra situacao foi abordada no Exemplo 3.20, no qual a resistencia de
sada de um amplicador projetado para prover um determinado ganho
deveria ser reduzida para conexao com a carga.
Por conta desse tipo de necessidade, amplicadores com o TBJ podem ser
conectados em serie para atender a especicacoes mais difceis.
Ha muitas conguracoes possveis, e abordaremos algumas a seguir.
A Figura apresenta um amplicador com dois estagios em conguracao
emissor comum conectados em cascata.
Considerando = 100 e V
BE
ON
= 0.7V, a analise DC pode ser feita tal
como segue.
O circuito equivalente de Thevenin na base de Q
1
e apresentado a abaixo.
E as resistencia e tensao de
Thevenin sao:
R
TH
= R
1
R
2
= 100 50 = 33.3k
V
TH
=
_
R
2
R
1
+ R
2
_
(10) 5
=
_
50
100
_
(10) 5
= 1.67V
Fazendo a KVL na malha base emissor de Q
1
tem-se
V
TH
= I
B
1
R
TH
+ V
BE
ON
+ I
E
1
R
E
1
5
Como I
E
1
= (1 +)I
B
1
, chega-se a:
I
B
1
=
1.67 + 5 0.7
33.3 + (101)(2)
= 11.2A
Portanto I
C
1
= 1.12mA e I
E
1
= 1.13mA.
Somando as correntes no coletor de Q
1
obtem-se:
I
R
1
+ I
B
2
= I
C
1

5 V
C
1
R
C
1
+ I
B
2
= I
C
1
A corrente de base de Q
2
pode ser escrita em funcao de I
E
2
como segue:
I
B
2
=
I
E
2
1 +
=
5 V
E
2
(1 +)R
E
2
=
5 (V
C
1
+ 0.7)
(1 +)R
E
2
E substitundo na equacao anterior:
5 V
C
1
R
C
1
+
5 (V
C
1
+ 0.7)
(1 +)R
E
2
= I
C
1
= 1.12mA
Que pode ser resolvida para V
C
1
provendo V
C
1
= 0.482V.
E com isso:
I
R
1
=
5 (0.482)
5
= 1.10mA
Para encontrar V
E
2
:
V
E
2
= V
C
1
+ V
EB
= 0.482 + 0.7 = 0.218V
E a corrente de emissor I
E
2
e:
I
E
2
=
5 0.218
2
= 2.39mA
Portanto:
I
C
2
=
_

1 +
_
I
E
2
=
_
100
101
_
(2.39) = 2.37mA
I
B
2
=
I
E
2
1 +
=
2.39
101
= 23.7A
As tensoes nodais restantes sao:
V
E
1
= I
E
1
R
E
1
5 = (1.13)(2) 5 = 2.74V
V
C
2
= I
C
2
R
C
2
5 = (2.37)(1.5) 5 = 1.45V
E com isso:
V
CE
1
= V
C
1
V
E
1
= 0.482 (2.74) = 2.26V
V
EC
2
= V
E
2
V
C
2
= 0.218 (1.45) = 1.67V
O que comprova que ambos, Q
1
e Q
2
estao polarizados para operacao na
regiao ativa.
A analise AC e realizada da mesma maneira ja estudada para os
amplicadores com um unico estagio.
As fontes DC sao anuladas e os transistores sao substitudos pelo seu
modelo equivalente para pequenos sinais.
Assumindo que todos os capacitores funcionem como curto-circuito, que a
resistencia de sada, r
0
, de ambos os transistores sejam innitas e
utilizando o modelo equivalente para o transistor pnp com as polaridades
invertidas, o circuito equivalente para pequenos sinais do circuito e
apresentado a seguir.
(e) Amplicador com dois estagios
(f) Circuito equivalente para pequenos sinais
E a analise do circuito e realizada tal como ja abordado no passado. O
ganho de tensao vale:
A
v
=
V
0
V
S
= g
m
1
g
m
2
(R
C
1
R
2
) (R
C
2
R
L
)
_
R
i
R
i
+ R
S
_
A impedancia de entrada do amplicador e R
i
= R
1
R
2
r
1
.
O que se pode concluir quanto à R
i
?
E identica a R
i
do amplicador emissor comum de um estagio.
Quanto vale R
0
?
Faz-se V
S
= 0 e, com isso, V
1
= 0, g
m
1
V
1
= 0, V
2
= 0 e g
m
2
V
2
= 0.
E a resistencia de sada e igual a R
C
2
, que e identica à resistencia de sada
do amplicador emissor comum de um estagio.
Exemplo 3.21
Para ambos os transistores do circuito abaixo, os parametros sao:
= 125, V
BE
= 0.7V, r
0
= e V
T
= 0.026V. Faca o que se pede:
(a) Determine o ponto Q de
cada transistor;
I
CQ
1
= 0.364mA, V
CEQ
1
= 7.92V
I
CQ
2
= 4.82mA, V
CEQ
2
= 2.71V
(b) Calcule A
v
do circuito;
A
v
= 17.7
(c) Determine R
i
e R
0
do
circuito.
R
i
= 4.76k, R
0
= 43.7
Conguracao Darlington
Em algumas aplicacoes seria desejavel ter um TBJ com ganho de corrente
bem maior do que o que normalmente se consegue obter.
E possvel utilizar uma conguracao multitransistorizada denominada

conguracao Darlington ou par Darlington, para prover esse ganho.
A gura apresenta esta conguracao e o seu modelo para pequenos sinais
(assumindo entrada em corrente, que e o sinal de interesse).
Para determinar A
I
=
I
0
I
i
pode-se fazer como segue.
Seja V
1
= I
i
r
1
, entao
g
m
1
V
1
= g
m
1
r
1
I
i
=
1
I
i
Assim, V
2
= (I
i
+
1
I
i
) r
2
, e a corrente de sada e dada por:
I
0
= g
m
1
V
1
+ g
m
2
V
2
=
1
I
i
+
2
(1 +
1
) I
i
O ganho de corrente e, entao, dado por:
A
i
=
I
0
I
i
=
1
+
2
(1 +
1
)
=
1
2
Portanto, o ganho de corrente total da conguracao Darlington e
essencialmente a multiplicacao dos ganhos de corrente individuais dos
transistores.
Para encontrar o valor da resistencia de entrada R
i
=
V
i
R
i
pode-se proceder
como segue:
V
i
= V
1
+ V
2
= I
i
r
1
+ I
i
(1 +
1
) r
2
= I
i
R
i
Portanto:
R
i
= r
1
+ (1 +
1
) r
2
A base de Q
2
e conectada ao emissor de Q
1
, o que signica que a
resistencia de entrada de Q
2
e multiplicada pelo fator (1 +
1
), como visto
anteriormente para circuitos com resistores de emissor. Pode-se escrever:
r
1
=

1
V
T
I
CQ
1
I
CQ
1
=
I
CQ
2
2
Portanto:
r
1
=
1
_
2
V
T
I
CQ
2
_
=
1
r
2
E chega-se a um valor aproximado para R
i
:
R
i

= 2
1
r
2
Portanto, alem de A
i
ser alto, a resistencia de entrada da conguracao
Darlington tende, tambem, a ser alta, por causa da multiplicacao por .
Exemplo 3.22
Considere o circuito abaixo. Sejam = 100, V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V e
V
A
= para ambos os transistores. Assuma R
B
= 10k, R
C
= 4k,
I
E
0
= 1mA e, V
+
= 5V e V
= 5V. Calcule:
(a) O ponto Q de cada transistor;
I
CQ
1
= 0.0098mA, V
CEQ
1
= 1.7V
I
CQ
2
= 0.99mA, V
CEQ
2
= 2.4V
(b) Os parametros do modelo -Hbrido;
r
1
= 265k, g
m
1
= 0.377mA/V
r
2
= 2.63k, g
m
2
= 38.1mA/V
(c) A
v
A
v
= 77
(d) R
i
.
R
i
= 531k
Exemplo 3.23
Considere o circuito abaixo. Sejam
1
= 120,
2
= 80,
V
BE(on)
1
= V
BE(on)
2
= 0.7V, V
T
= 0.026V e V
A
1
= V
A
2
= .Faca o que
se pede:
(a) I
C
para ambos os TBJs;
I
C
1
= 2.253mA
I
C
2
= 69.73mA
(b) A
v
=
v
0
v
s
;
A
v
= 0.989754
(c) R
ib
e R
0
.
R
ib
= 467.6k
R
0
= 0.512
Conguracao Cascode
Outra conguracao de interesse e denominada conguracao cascode.
Nesta, o sinal de entrada e aplicado em um amplicador emissor comum
(Q
1
) que, por sua vez, e ligado a uma conguracao base comum (Q
2
).
O circuito AC equivalente
e tal como segue:
Conguracao Cascode
A corrente de sada do transistor Q
1
e o sinal de entrada para Q
2
.
Uma vantagem desse circuito e que a resistencia de sada observada no
coletor de Q
2
e muito maior do que a resistencia de sada de um
amplicador emissor comum.
Outra vantagem e relacionada à resposta em frequencia do amplicador e
sera abordada posteriormente.
Conguracao Cascode
O circuito equivalente para pequenos sinais para a conguracao cascode e
apresentado abaixo.
Nota-se que V
1
= V
S
, uma vez que a fonte de sinal e considerada como
fonte de tensao ideal.
Equacionando a KCL em E
2
chega-se a g
m
1
V
1
=
V
2
r
2
+ g
m
2
V
2
Conguracao Cascode
Resolvendo para a tensao de controle V
2
, chega-se a:
V
2
=
_
r
2
1 +
2
_
(g
m
1
V
S
)
Na qual
2
= g
m
2
r
2
.
A tensao de sada e dada por:
V
0
= (g
m
2
V
2
) (R
C
R
L
) = g
m
1
g
m
2
_
r
2
1 +
2
_
(R
C
R
L
) V
S
E o ganho de tensao para pequenos sinais e:
A
v
=
V
0
V
S
= g
m
1
g
m
2
_
r
2
1 +
2
_
(R
C
R
L
)
Como g
m
2
_
r
2
1+
2
_
=
_

2
1+
2
_
= 1 tem-se:
Conguracao Cascode
A
v

= g
m
1
(R
C
R
L
)
O que se pode notar com relacao a esta expressao para A
v
?
A expressao e a mesma encontrada para o ganho de tensao do
amplicador emissor comum.
Esse resultado e esperado, uma vez que o ganho de corrente do circuito
base comum e aproximadamente unitario.
Exemplo 3.24
Considere o circuito abaixo. Sejam = 100, V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V e
V
A
= para ambos os transistores. Sejam V
CC
= 9V e R
L
= 10k. Faca
o que se pede:
(a) Projete o circuito para que
V
CE
1
= V
CE
2
= 2.5V,
V
RE
= 0.7V, I
C
1
= I
C
2
= 1mA e
I
R
1
= I
R
2
= I
R
3
= 0.1mA (dica:
Despreze as correntes de base.);
(b) Determine os parametros do
modelo -Hbrido equivalente
para pequenos sinais para cada
transistor;
(c) Calcule A
v
.
Exemplo 3.24
(a) Como a corrente que ui por R
1
, R
2
e R
3
e a mesma, pode-se
escrever:
R
1
+ R
2
+ R
3
=
9
0.1
= 90k
As tensao e corrente sobre R
E
sao dadas e, com isso:
R
E
=
0.7
1
= 0.7k
A tensao na base de Q
1
e:
V
B
1
= 0.7 + 0.7 = 1.4V
E R
3
pode ser encontrado usando a equacao do divisor de tensao:
R
3
90
(9) = 1.4 R
3
= 14k
Exemplo 3.24
(a) De maneira semelhante:
V
B
2
= 0.7 + 2.5 + 0.7 = 3.9V
_
R
2
+ R
3
90
_
(9) = 3.9 R
2
= 25k
E R
1
+ 25 + 14 = 90, entao R
1
= 51k.
V
C
2
pode, entao, ser determinado como segue:
V
C
2
= 0.7 + 2.5 + 2.5 = 5.7V
E, nalmente:
R
C
=
9 5.7
1
= 3.3k
Exemplo 3.24
(b) g
m
=
1
0.026
= 38.46mA/V
r
=
(100)(0.026)
1
= 2.6k
(c) A
v
= g
m
1
g
m
2
_
r
2
1+
2
_
(R
c
R
L
) = (38.46)
2
_
2.6
101
_
(3.3 10) =
94.5
Exemplo 3.25 (Projeto de um amplicador de audio transistorizado)
Especicacoes: O amplicador de audio deve prover uma potencia media
de 0.1W para um alto-falante de 8 a partir de um microfone que produz
um sinal senoidal com 10mV de pico e tem resistencia interna de 10k.
Usar V
CC
= 12V.
Abordagem de projeto: Uma abordagem direta sera realizada, com base
na conguracao generalizada apresentada na gura.
Um estagio de entrada do tipo buer usando um circuito seguidor de
emissor sera usado para reduzir o efeito do resistor de 10k da fonte;
Usar V
CC
= 12V.
O estagio de sada tambem sera um seguidor de emissor para prover
as corrente e potencia necessarias na sada;
Usar V
CC
= 12V.
O estagio de ganho sera composto de dois amplicadores na
conguracao emissor comum em cascata para prover o ganho de
tensao necessario.
Estagio de entrada
Seguidor de emissor
Parametros considerados no
projeto:
1
= 100;
I
CQ
1
= 1mA;
V
CEQ
1
= 6V;
R
1
R
2
= 100k
R
E
1
=
V
CC
V
CEQ
1
I
CQ
1
=
12 6
1
= 6k
r
1
=

1
V
T
I
CQ
1
=
(100)(0.026)
1
= 2.6k
E, desconsiderando-se o efeito de carga do proximo estagio:
R
i
1
= R
1
R
2
[r
1
+ (1 +
1
)R
E
1
] = 100 [2.6 + (101)(6)] = 85.9k
_ _
Estagio de entrada
Seguidor de emissor
Parametros considerados no
projeto:
1
= 100;
I
CQ
1
= 1mA;
V
CEQ
1
= 6V;
R
1
R
2
= 100k
R
E
1
=
V
CC
V
CEQ
1
I
CQ
1
=
12 6
1
= 6k
r
1
=

1
V
T
I
CQ
1
=
(100)(0.026)
1
= 2.6k
E, desconsiderando-se o efeito de carga do proximo estagio:
R
i
1
= R
1
R
2
[r
1
+ (1 +
1
)R
E
1
] = 100 [2.6 + (101)(6)] = 85.9k
_ _
Estagio de sada
Seguidor de emissor
O auto-falante e acoplado
capacitivamente à sada;
Para uma potencia media de 0.1W o
valor ecaz da corrente na carga e
P
L
= i
2
L
(ecaz) R
L
, ou seja,
0.1 = i
2
L
(ecaz) 8, o que leva a
i
L
(ecaz) = 0.112A.
Para um sinal senoidal, o pico de corrente na sada sera i
L
(pico) = 0.158A.
E a tensao de pico na sada sera v
0
(pico) = (0.158)(8) = 1.26V.
Assumindo que o TBJ na sada tem
4
= 50 e denindo I
EQ
4
= 0.3A e
V
CEQ
4
= 6V, tem-se:
R
E
4
=
V
CC
V
CEQ
4
I
EQ
4
=
126
0.3
= 20 e I
CQ
4
=
_

4
1+
4
_
I
EQ
4
_
50
51
_
(0.3) = 0.294A
Estagio de sada
Seguidor de emissor
P
L
= i
2
L
(ecaz) R
L
, ou seja,
0.1 = i
2
L
i
L
(ecaz) = 0.112A.
L
(pico) = 0.158A.
0
(pico) = (0.158)(8) = 1.26V.
4
= 50 e denindo I
EQ
4
= 0.3A e
V
CEQ
4
= 6V, tem-se:
R
E
4
=
V
CC
V
CEQ
4
I
EQ
4
=
126
0.3
= 20 e I
CQ
4
=
_

4
1+
4
_
I
EQ
4
_
50
51
_
(0.3) = 0.294A
Com isso: r
4
=

4
V
T
I
CQ
4
=
(50)(0.026)
0.294
= 4.42
Estagio de sada
Seguidor de emissor
P
L
= i
2
L
(ecaz) R
L
, ou seja,
0.1 = i
2
L
i
L
(ecaz) = 0.112A.
L
(pico) = 0.158A.
0
(pico) = (0.158)(8) = 1.26V.
4
= 50 e denindo I
EQ
4
= 0.3A e
V
CEQ
4
= 6V, tem-se:
R
E
4
=
V
CC
V
CEQ
4
I
EQ
4
=
126
0.3
= 20 e I
CQ
4
=
_

4
1+
4
_
I
EQ
4
_
50
51
_
(0.3) = 0.294A
Portanto, para uma tensao de v
0
= 1.26V de pico na sada, e necessario
uma tensao v
0
= 1.28V de pico na sada do estagio de ganho do
Estagio de ganho
Emissor comum de dois estagios
Assume-se que: O buer e acoplado capacitivamente à entrada; Os
amplicadores EC sao capacitivamente acoplados entre si e a sada e
diretamente acoplada ao estagio de sada.
Os resistores de emissor sao includos para estabilizar o ganho de
tensao, e o ganho de corrente de ambos os TBJs e assumido igual a
100.
A magnitude do ganho total deste estagio deve ser:
v
0
3
v
0
1
=
1.28
0.00892
= 144
Assume-se neste projeto que as magnitudes dos ganhos individuais sao:
|A
v
3
| =
v
0
3
v
0
2
= 5 e |A
v
2
| =
v
0
2
v
0
1
= 28.8
Assumindo V
BE
4
= 0.7V, tem-se V
C
3
= V
B
4
= 6 + 0.7 = 6.7V.
A corrente quiescente na base do TBJ de sada e I
B
4
=
0.294
50
= 5.88mA.
Denindo I
CQ
3
= 15mA, tem-se I
RC
3
= 15 + 5.88 = 20.88mA
Com isso: R
C
3
=
V
CC
V
C
3
I
RC
3
=
126.7
20.88
= 254
r
3
=

3
V
T
I
CQ
3
=
(100)(0.026)
15
= 173
R
i
4
= r
4
+ (1 +
4
) (R
E
4
R
L
) = 4.42 + (51)(20 8) = 296
O ganho de tensao para um amplicador emissor comum com resistencia
de emissor e dado por:
|A
v
3
| =
v
0
3
v
0
2
=

3
(R
C
3
R
i
4
)
r
3
+ (1 +
3
) R
E
3
Sendo |A
v
3
| = 5, tem-se:
5 =
(100)(254 296)
173 + (101)R
E
3
R
E
3
= 25.4
Fazendo R
5
R
6
= 50k, chega-se a R
5
= 69.9k e R
6
= 176k
Finalmente, denindo V
C
2
= 6V e I
CQ
2
= 5mA, tem-se:
R
C
2
=
V
CC
V
C
2
I
CQ
2
=
12 6
5
= 1.2k
r
2
=

2
V
T
I
CQ
2
=
(100)(0.026)
5
= 0.52k
R
i
3
= R
5
R
6
[r
3
+ (1 +
3
)R
E
3
] = 50 [0.173 + (101)(0.0254)]
= 2.60k
E da expressao do ganho chega-se a um valor para R
E
2
:
|A
v
2
| =
v
0
2
v
0
1
=

2
(R
C
2
R
i
3
)
r
2
+ (1 +
2
) R
E
2
28.8 =
(100)(1.2 2.6)
0.52 + (101)R
E
2
R
E
2
= 23.1
E fazendo R
3
R
4
= 50k chega-se a R
3
= 181k e R
4
= 69.1k.
Observacoes
Como qualquer projeto, a solucao aqui proposta nao e unica;
Para construir o circuito deve-se usar valores comerciais para os
resistores, o que signica que os valores quiescentes de tensao e
corrente serao modicados assim como (provavelmente) o ganho
total, Os valores de assumidos para os TBJs tambem podem ser
diferentes dos valores reais;
Nao foi abordada a resposta em frequencia do amplicador. Na
pratica, deve-se dimensionar os capacitores para deixar passar
frequencias de audio;
A eciencia do estagio de sada proposto e relativamente pequena, ou
seja, a potencia media fornecida à carga e pequena se comparada a
potencia media dissipada no estagio de sada. Entretanto, esta
abordagem e um bom ponto de partida.
Amplicadores usando o TBJ Resposta em frequencia
Todos os fatores de ganho de um aplicador (tensao, corrente,
transcondutancia e transresistencia) sao funcoes da frequencia.
Ate agora, as frequencias de interesse foram consideradas altas o suciente
para que os capacitores de acoplamento e desacoplamento funcionassem
como curto-circuitos, e baixa o suciente para desconsiderar as
capacitancias parasitas, da carga e do transistor.
Na realidade, a frequencia nem sempre sera tal que permita essas
aproximacoes, e a analise da resposta em frequencia dos amplicadores
passa a ser fundamental.
De maneira geral, o graco do fator de ganho de um amplicador versus
frequencia tem a forma apresentada na gura, com ambos, ganho e
frequencia, apresentados em escala logartmica (ganho em dB).
Baixas frequencias (f < f
L
): O ganho e reduzido a medida em que a
frequencia e reduzida devido ao efeito dos capacitores de acoplamento e
desacoplamento.
Altas frequencias (f > f
H
): O ganho e reduzido a medida em que a
frequencia aumenta devido ao efeito das capacitancias parasitas e dos
transistores.
Medias frequencias -

E a regiao na qual os capacitores de acoplamento e
desacoplamento se comportam como curto-circuitos e as capacitancias
parasitas e dos transistores se comportam como circuitos abertos.
Na faixa de passagem, o ganho e praticamente constante.
Os ganhos em f = f
L
e f = f
H
sao menores em 3dB do que o ganho
maximo na faixa de passagem.
A faixa de passagem do amplicador (ou largura de faixa ou largura de
banda) e denida (em Hz) como f
BW
= f
H
f
L
.
Para um amplicador de audio, por exemplo, as frequencias entre 20Hz e
20kHz devem ser amplicadas de maneira uniforme para que possam
reproduzir o som da maneira mais exata possvel. Desse modo, em um
aplicador desse tipo, a frequencia f
L
deve ser projetada para ser menor do
que 20Hz e f
H
para ser maior do que 20kHz.
Circuitos equivalentes
Cada capacitor em um circuito e importante apenas em uma das faixas do
espectro. Por essa razao, pode-se utilizar circuitos equivalente especcos
para serem aplicados para as faixas de baixa, media e alta frequencias.
Medias frequencias Os circuitos equivalentes sao tais como os abordados
ate agora, ou seja, nao existem capacitores nos circuitos
equivalentes;
Baixas frequencias Os capacitores de acoplamento e bypass devem ser
includos no circuito equivalente e, consequentemente, nas
equacoes de ganho. As capacitancias parasitas e dos
transistores sao tratadas como circuitos abertos.
Altas frequencias Os circuitos equivalentes devem considerar as
capacitancias parasitas e dos transistores, enquanto os
capacitores de acoplamento e bypass sao tratados como
curto-circuitos.
Circuitos equivalentes
Porque nao utilizar simplesmente um circuito completo?
O uso dos tres tipos de circuitos equivalentes apresentados e uma tecnica
aproximada que simplica a analise e prove resultados satisfatorios
enquanto evita a obtencao de funcoes de transferencia muito complicadas,
facilitando uma abordagem de projeto.
O que deve acontecer para a tecnica ser valida?
A tecnica e valida desde que haja uma separacao clara (grande) das
frequencias f
L
e f
H
, ou seja, f
L
>> f
H
(o que acontece em grande parte
dos circuitos eletronicos de interesse).
Gracos de Bode
Para o circuito da gura, a funcao de transferencia (de tensao) pode ser
expressa como segue:
V
0
(s)
V
i
(s)
=
R
P
R
S
+ R
P
+
1
sC
S
R
S
e C
S
estao em serie entre os sinais de
entrada e sada, e R
P
esta em paralelo com
o sinal de sada. A equa cao acima pode ser
reescrita como:
V
0
(s)
V
i
(s)
=
sR
P
C
S
1 + s (R
S
+ R
P
) C
S
=
_
R
P
R
S
+ R
P
__
s (R
S
+ R
P
) C
S
1 + s (R
S
+ R
P
) C
S
_
= K
_
s
S
1 + s
S
_
Na qual
S
= (R
S
+ R
P
) C
S
e uma constante de tempo.
Gracos de Bode
Amplitude vs frequencia - Analise qualitativa
O capacitor C
S
esta em serie entre os sinais de entrada e sada.
Portanto, ele se comporta como um capacitor de acoplamento.
Para o limite de frequencia zero (tensao de entrada e sinal DC
constante) a impedancia do capacitor e innita (circuito aberto). Nesse
caso, o sinal de entrada nao e acoplado ao terminal de sada e a tensao
de sada e zero. A magnitude da funcao de transferencia e tambem
zero.
Para o limite de frequencias muito altas, a impedancia do capacitor se
torna mito pequena (curto circuito). Nessa situacao, a magnitude da
tensao de sada atinje um valor constante dado pelo divisor de tensao.
Portanto, espera-se que a amplitude da funcao de transferencia comece
em zero na frequencia zero e aumente em funcao do aumento da
frequencia ate que atinja um valor constante em frequencias altas.
Vejamos...
Gracos de Bode
Substitundo s por j na funcao de transferencia:
T(j ) =
V
0
(j )
V
i
(j )
=
_
R
P
R
S
+ R
P
__
j
S
1 + j
S
_
A magnitude e dada por:
|T(j )| =
_
R
P
R
S
+ R
P
_
_
_

S
_
1 +
2
2
S
_
_
Ou
|T(jf )| =
_
R
P
R
S
+ R
P
_
_
2f
S
_
1 + (2f
S
)
2
_
Gracos de Bode
Em dB:
|T(jf )|
dB
= 20 log
10
_
_
R
P
R
S
+ R
P
_
2f
S
_
1 + (2f
S
)
2
_
= 20 log
10
_
R
P
R
S
+ R
P
_
+ 20 log
10
(2f
S
)
20 log
10
_
_
1 + (2f
S
)
2
_
Fazendo o graco para cada termo separadamente...
Gracos de Bode
20 log
10
_
R
P
R
S
+R
P
_
Termo constante independente da frequencia. Como
_
R
P
R
S
+R
P
_
e menor do
que 1, o valor dem dB e menor do que zero.
Gracos de Bode
20 log
10
(2f
S
)
Quando f =
1
2
S
, tem-se 20 log
10
(1) = 0.
Gracos de Bode
20 log
10
(2f
S
)
Os coecientes nos gracos de bode de amplitude sao descritos em
dB/oitava ou dB/decada. Uma oitava signica que a frequencia e
aumentada por um fator de 2 e uma decada que a frequencia e aumentada
por um fator de 10.
Gracos de Bode
20 log
10
(2f
S
)
Como 20 log
10
(2f
S
) aumenta de 6.02
=6dB a cada fator 2 de aumento

de f e 20dB para cada fator 10 de aumento de f , pode-se considerar um
coeciente de 6dB/oitava ou 20dB/decada.
Gracos de Bode
20 log
10
_
_
1 + (2f
S
)
2
_
Quando f
1
2
S
, o valor da funcao e essencialmente 0dB.
Gracos de Bode
20 log
10
_
_
1 + (2f
S
)
2
_
Quando f =
1
2
S
, o valor da funcao e -3dB.
Gracos de Bode
20 log
10
_
_
1 + (2f
S
)
2
_
Quando f
1
2
S
, a funcao de torna 20 log
10
(2f
S
) e tem coeciente
agular de -6dB/oitava ou -20dB/decada. Uma projecao deste segmento de
reta passa por 0dB em f =
1
2
S
.
Gracos de Bode
20 log
10
_
_
1 + (2f
S
)
2
_
Pode-se, portanto, aproximar o graco de Bode deste termo usando dois
segmentos de reta que se interceptam em 0dB e f =
1
2
S
. Esta frequencia
particular e denominada frequencia de corte ou frequencia de -3dB.
Gracos de Bode
E combinando o graco dos tres termos tem-se o graco de Bode para a
magnitude da funcao de transferencia do circuito.
Gracos de Bode
Para determinacao da fase, pode-se reescrever a funcao como segue:
T(jf ) =
_
R
P
R
S
+ R
P
__
j 2f
S
1 + j 2f
S
_
=
_
R
P
R
S
+ R
P
e
j
1
_
|j 2f
S
| e
j
2
|1 + j 2f
S
| e
j
3
=
_
K
1
e
j
1
_
_
K
2
e
j
2
K
3
e
j
3
_
=
K
1
K
2
K
3
e
j (
1
+
2
+
3
)
E a fase de T(jf ) e =
1
+
2
3
.
O primeiro termo e um real positivo, logo a fase e
1
= 0.
O segundo termo e um imaginario puro, logo a fase e
2
= 90
.
O terceiro termo e um complexo com fase
3
= arctan (2f
S
).
Portanto = 90 arctan (2f
S
)
Gracos de Bode
Para f 0, tem-se arctan (2f
S
) = arctan(0) = 0.
Para f , tem-se arctan (2f
S
) = arctan() = 90
.
Na freq. de corte f =
1
2
S
, tem-se arctan (2f
S
) = arctan(1) = 45
.
E o graco da fase em funcao da frequencia e apresentado a seguir.
Gracos de Bode
Para o circuito da gura, pode-se determinar a funcao de transferencia (de
tensao) a partir do equacionamento da KVL no no de sada:
V
0
V
i
R
S
+
V
0
R
P
+
V
0
1
sC
P
= 0
R
S
esta em serie entre os sinais de entrada
e sada, e R
P
e C
P
estao em paralelo com o
sinal de sada. Reescrevendo a equacao:
V
0
(s)
V
i
(s)
=
_
R
P
R
S
+ R
P
_
_
_
1
1 + s
_
R
S
R
P
R
S
+R
P
_
C
P
_
_
=
_
R
P
R
S
+ R
P
__
1
1 + s (R
S
R
P
) C
P
_
= K
_
1
1 + s
P
_
Na qual
P
= (R
S
R
P
) C
S
e uma constante de tempo.
Gracos de Bode
Amplitude vs frequencia - Analise qualitativa
O capacitor C
P
esta em paralelo com a sada. Portanto, ele se
comporta como um capacitor de carga na sada de um circuito ou
representa a capacitancia de entrada de um proximo estagio.
Para o limite de frequencia zero (tensao de entrada e sinal DC
constante) a impedancia do capacitor e innita (circuito aberto). Nesse
caso, o sinal de sada e um valor constante, dado pelo dividor de tensao.
Para o limite de frequencias muito altas, a impedancia do capacitor se
torna muito pequena (curto circuito). Nessa situacao, a magnitude da
tensao de sada e zero (a amplitude da funcao de transferencia e zero).
Portanto, espera-se que a amplitude da funcao de transferencia comece
em um valor constante para frequencias proximas de zero e diminua em
fun cao do aumento da frequencia ate que chegue a zero.
Vejamos... Substitundo s por j = j 2f e denindo a constante de
tempo
P
= (R
S
R
P
) C
P
, a funcao de transferencia se torna:
T(jf ) =
_
R
P
R
S
+ R
P
__
1
1 + j 2f
P
_
A magnitude e dada por:
Gracos de Bode
O graco de amplitude e apresentado a seguir.
A assntota para baixas frequencias e uma reta horizontal e a de altas
frequencias e uma reta com coeciente -20dB/decada (ou -6dB/oitava) e
ambas se cruzam em f =
1
2
P
, que e a frequencia de corte (ou de 3dB).
Gracos de Bode
A fase e dada por arctan (2f
P
) e o seu graco e apresentado abaixo.
Exemplo 3.26
Para os circuitos abaixo, determine as frequencias de corte e as assntotas
de maxima amplitude dos gracos de Bode, sendo R
S
= 1k, R
P
= 10k,
C
S
= 1F e C
P
= 3pF.
(a) (b)
Exemplo 3.26
Circuito (a):
A constante de tempo e
S
= (R
S
+ R
P
) C
S
=
_
10
3
+ 10 10
3
_
(10
6
) = 1.1 10
2
= 11ms.
A frequencia de corte e f =
1
2
S
=
1
2(1110
3
)
= 14.5kHz
E a amplitude maxima e
R
P
R
S
+R
P
=
10
1+10
= 0.909 ou -0.828dB.
Exemplo 3.26
Circuito (b):
A constante de tempo e
P
= (R
S
R
P
) C
P
=
_
10
3
_
10 10
3
__
(3 10
12
) = 2.73ns.
A frequencia de corte e f =
1
2
P
=
1
2(2.7310
9
)
= 58.3MHz
E a amplitude maxima e
R
P
R
S
+R
P
=
10
1+10
= 0.909 ou -0.828dB.
Exemplo 3.27
Para o circuito abaixo, R
S
= 2k e R
P
= 8k. Faca o que se pede:
(a) Se a frequencia de corte e f
L
= 50Hz,
determine o valor de C
S
.
C
S
= 0.318F
(b) Determine a amplitude da funcao de
transferencia em f = 20Hz, 50Hz e
100Hz.
|T(jf )|
20Hz
= 0.297
|T(jf )|
50Hz
= 0.566
|T(jf )|
100Hz
= 0.716
Exemplo 3.28
Para o circuito abaixo, R
S
= 4.7k, R
P
= 25k e C
P
= 120pF. Faca o
que se pede:
(a) Determine a frequencia de corte, f
H
.
f
H
= 335kHz
(b) Determine a amplitude da funcao de
transferencia em f = 0.2f
H
, f = f
H
e
f 8f
H
.
|T(jf )|
0.2f
H
= 0.825
|T(jf )|
f
H
= 0.595
|T(jf )|
f =8f
H
= 0.104
Constantes de tempo de circuito aberto e de curto-circuito
Ambos os circuitos considerados nos ultimos slides contem apenas um
capacitor. O circuito a seguir possui a mesma conguracao basica, porem
com ambos os capacitores considerados anteriormente.
C
S
e o capacitor de acoplamento e esta em serie com os sinais de entrada
e sada. C
P
e o capacitor de carga e esta em paralelo com a sada.
Aplicando a KVL no no de sada pode-se chegar a funcao de transferencia
a seguir (Exerccio: Prove!):
V
0
(s)
V
i
(s)
=
_
R
P
R
S
+ R
P
_
1
_
1 +
_
R
P
R
S
+R
P
__
C
P
C
S
_
+
1
s
S
+ s
P
_
Na qual
S
e
P
sao as mesmas constantes de tempo apresentadas
anteriormente.
Ja vimos que C
S
afeta a resposta em baixas frequencias e C
P
nas altas.
Mais do que isso, se C
P
C
S
e R
S
e R
P
sao da mesma ordem de
grandeza, entao as frequencias de corte nos gracos de Bode criadas pelos
capacitores serao distintas em ordem de grandeza.
Por consequencia, quando um circuito contem ambos os capacitores
apresentados e os seus valores diferem em ordem de grandeza, e possvel
determinar o efeito de cada um de maneira separada.
Em baixas frequencias, pode-se tratar o capacitor C
P
como um circuito
aberto.
Para encontrar a impedancia equivalente vista por um capacitor,
considera-se todas as fontes independentes iguais a zero e, com isso, a
impedancia efetiva vista por C
S
e a combinacao em serie de R
S
e R
P
. A
constante de tempo associada a C
S
e
S
= (R
S
+ R
P
)C
S
.
Como C
P
foi considerado como um circuito aberto,
S
e denominada
constante de tempo de circuito aberto.
Em altas frequencias, pode-se tratar o capacitor C
S
como um curto
circuito.
A impedancia efetiva vista por C
P
e a combinacao em paralelo de R
S
e R
P
e a constante de tempo associada e
P
= (R
S
R
P
)C
P
e ela e
denominada constante de tempo de curto circuito.
Desse modo, dene-se:
A frequencia de corte inferior e funcao da constante de tempo de
circuito aberto tal como segue: f
L
=
1
2
S
. Ela e a frequencia de corte na
faixa das baixas frequencias do espectro.
A frequencia de corte superior e funcao da constante de tempo de curto
circuito tal como segue: f
H
=
1
2
P
. Ela e a frequencia de corte na faixa
das altas frequencias do espectro.
E o diagrama de Bode de amplitude e tal como segue:
Esse graco e para circuitos passivos. Entretanto, o graco para
amplicadores transistorizados e semelhante.
O ganho de um amplicador e aproximadamente constante para uma larga
faixa de frequencias, denominada faixa de passagem ou faixa de medias
frequencias. Nesta faixa, todos os efeitos capacitivos podem ser ignorados
no calculo do ganho.
Na faixa de altas frequencias do espectro, o ganho e reduzido devido às
capacitancias de carga e do transistor.
Na faixa de baixas frequencias do espectro, o ganho e reduzido devido aos
capacitores de acoplamento e desacoplamento nao agem como curto
circuitos perfeitos.
Exemplo 3.29
Para o circuito abaixo, determine as frequencias de corte e a faixa de
passagem sabendo que R
S
= 1k, R
P
= 10k, C
S
= 1F e C
P
= 3pF
Como C
P
e bem menor do que C
S
pode-se tratar o efeito de cada
capacitor de maneira separada.
Exemplo 3.29
S
= 1k, R
P
= 10k, C
S
= 1F e C
P
= 3pF
A constante de tempo de circuito aberto e
S
= (R
S
+ R
P
)C
S
= (10
3
+ 10 10
3
)(10
6
) = 1.1 10
2
s.
Exemplo 3.29
S
= 1k, R
P
= 10k, C
S
= 1F e C
P
= 3pF
A constante de tempo de curto circuito e
P
= (R
S
R
P
)C
P
= [10
3
(10 10
3
)](3 10
12
) = 2.73 10
9
s.
Exemplo 3.29
S
= 1k, R
P
= 10k, C
S
= 1F e C
P
= 3pF
A frequencia de corte inferior e dada por:
f
L
=
1
2
S
=
1
2(1.1 10
2
)
= 14.5Hz
Exemplo 3.29
S
= 1k, R
P
= 10k, C
S
= 1F e C
P
= 3pF
A frequencia de corte superior e dada por:
f
H
=
1
2
P
=
1
2(2.73 10
9
)
= 58.3MHz
Exemplo 3.29
S
= 1k, R
P
= 10k, C
S
= 1F e C
P
= 3pF
E a faixa de passagem e:
f
BW
= f
H
f
L
= 58.3MHz 14.5Hz
= 58.3MHz
Exemplo 3.29
A amplitude maxima da funcao de transferencia de tensao e:
R
P
R
S
+ R
P
=
10
1 + 10
= 0.909 0.828dB
E o graco de Bode (amplitude) e tal como segue:
Efeito do capacitor de acoplamento na entrada
As guras apresentam um amplicador com TBJ na conguracao emissor
comum com um capacitor de acoplamento na entrada e o circuito
equivalente para pequenos sinais, com r
0
assumida innita.
(a) EC com capacitor de acoplamento na
entrada
(b) Circuito equivalente para pe-
quenos sinais
A corrente de entrada pode ser descrita como
I
i
=
V
i
R
Si
+
1
sC
C
+ R
i
Na qual a resistencia de entrada e dada por
R
i
= R
B
[r
+ (1 +)R
E
] = R
B
R
ib
Usando a regra do divisor de corrente, pode-se determinar a corrente de
base:
I
b
=
_
R
B
R
B
+ R
ib
_
I
i
E:
V
= I
b
r

A tensao de sada e
V
0
= g
m
V
R
C
= g
m
R
C
(I
b
r
) = g
m
r
R
C
_
R
B
R
B
+ R
ib
_
I
i
= g
m
r
R
C
_
R
B
R
B
+ R
ib
_
_
V
i
R
Si
+
1
sC
C
+ R
i
_
E o ganho de tensao e dado por:
A
v
(s) =
V
0
(s)
V
i
(s)
= g
m
r
R
C
_
R
B
R
B
+ R
ib
__
sC
C
1 + s (R
Si
+ R
i
) C
C
_
Que pode ser reescrito como:
A
v
(s) =
V
0
(s)
V
i
(s)
=
g
m
r
R
C
(R
Si
+ R
i
)
_
R
B
R
B
+ R
ib
__
s
S
1 + s
S
_
Na qual
S
= (R
Si
+ R
i
) C
C
e a constante de tempo.
A funcao de transferencia tem a mesma forma do circuito com capacitor
de acoplamento visto anteriormente. Desse modo, o graco de Bode e
semelhante ao do referido circuito, sendo a frequencia de corte dada por:
f
L
=
1
2
S
=
1
2(R
Si
+ R
i
)C
C
E a amplitude maxima, em dB, e dada por:
|A
v
(max)|
dB
= 20 log
10
_
g
m
r
R
C
R
Si
+ R
i
__
R
B
R
B
+ R
ib
_
Exemplo 3.30
Calcule a frequencia de corte e o ganho de tensao maximo do circuito
abaixo. Considere R
1
= 51.2k, R
2
= 9.6k, R
C
= 2k, R
E
= 0.4k,
R
Si
= 0.1k, C
C
= 1F, V
CC
= 10V, V
BE
= 0.7V, = 100,
V
T
= 0.026V e V
A
= .
Exemplo 3.30
A analise DC leva a:
I
CQ
= 1.81mA
g
m
= 69.6mA/V
r
= 1.44k
A resistencia de entrada e:
R
i
= R
1
R
2
[r
+ (1 +)R
E
] = 51.2 9.6 [1.44 + (101)(0.4)]
= 6.77k
E a constante de tempo e:
S
= (R
Si
+ R
i
)C
C
=
_
0.1 10
3
+ 6.77 10
3
_ _
1 10
6
_
= 6.87ms
Exemplo 3.30
A frequencia de corte e
f
L
=
1
2
S
=
1
2 (6.87 10
3
)
= 23.2Hz
A resistencia de entrada na base e
R
ib
= r
+ (1 +)R
E
= 1.44 + (101)(0.4) = 41.8k
E o ganho de tensao maximo e
|A
v
| =
g
m
r
R
C
R
Si
+ R
i
_
R
B
R
B
+ R
ib
_
=
(69.6)(1.44)(2)
0.1 + 6.775
_
8.084
8.084 + 41.84
_
= 4.72
Exemplo 3.30
Capacitor de acoplamento na entrada
O capacitor de acoplamento na entrada produz um circuito passa-alta.
Neste exemplo, se a frequencia do sinal for aproximadamente duas oitavas
mais alta do que a frequencia de corte, o capacitor de acoplamento
funcionara como um curto circuito.
Exemplo 3.31
Para o circuito abaixo, considere os seguintes parametros: V
CC
= 3V
R
Si
= 0, R
1
= 110k, R
2
= 42k, R
E
= 0.5k, R
C
= 7k, C
C
= 0.47F,
= 150, V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V e V
A
= . Faca o que se pede:
(a) Determine a expressao matematica e o
valor da constante de tempo
S
.
S
= R
i
C
C
= 10.87ms
(b) Determine a frequencia de corte e o
ganho de tensao na faixa de passagem.
f
L
= 14.6Hz
A
v
= 10.84
Tecnica da constante de tempo
De maneira geral, nao e necessario determinar a funcao de transferencia
completa de um circuito inclundo os efeitos das capacitancias para tracar
os diagramas de Bode e determinar a resposta em frequencia.
Pela observacao do circuito considerando inicialmente apenas um
capacitor, pode-se determinar se o mesmo e um circuito passa-alta ou
passa-baixa. Em seguida, e possvel especicar o diagrama de Bode a
partir do conhecimento da constante de tempo e do ganho na faixa de
passagem.
A constante de tempo determina a frequencia de corte e o ganho na faixa
de passagem pode ser determinado da maneira convencional, com todos os
capacitores eliminados do circuito.
Tecnica da constante de tempo
Essa tecnica prove bons resultados quando todos os polos sao reais e nao
determina as frequencias de corte devido aos zeros da funcao.
Uma grande vantagem desta tecnica e a obtencao de informacoes quanto
ao elemento do circuito que afeta a frequencia de -3dB do circuito.
A constante de tempo do circuito e funcao da resistencia equivalente vista
pelo capacitor.
No circuito EC com capacitor de acoplamento na entrada, por exemplo,
fazendo as fontes independentes iguais a zero, a resistencia equivalente
vista pelo capacitor C
C
e (R
Si
+ R
i
) e a constante de tempo e
S
= (R
Si
+ R
i
)C
C
, que e identica a que foi determinada usando analise
do circuito.
Efeito do capacitor de acoplamento na sada
Um circuito seguidor de emissor com capacitor de acoplamento na sada e
(a) Seguidor de emissor com capacitor de
acoplamento na sada
(b) Circuito equivalente para pequenos
sinais considerando C
C
1
como curto cir-
cuito
A resistencia equivalente vista por C
C
2
e (R
0
+ R
L
) e a constante de
tempo e:
S
= (R
0
+ R
L
) C
C
2
Um circuito seguidor de emissor com capacitor de acoplamento na sada e
(a) Seguidor de emissor com capacitor de
acoplamento na sada
(b) Circuito equivalente para pequenos
sinais considerando C
C
1
como curto cir-
cuito
Na qual R
0
e a resistencia de sada dada por:
R
0
= R
E
r
0

_
r
+ (R
S
R
B
)
1 +
_
Embora a combinacao das equacoes para
S
e R
0
seja razoavelmente
trabalhosa, da ainda mais trabalho realizar a analise de tensoes e correntes
para o circuito. Desse modo, a utilizacao da tecnica da constante de
tempo e util pois simplica a analise.
Exemplo 3.32
Considere o circuito a seguir. Sejam os seguintes parametros: = 100,
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= 120V e C
C
2
= 1F. Calcule a frequencia
de 3dB do circuito.
A analise DC leva a I
CQ
= 0.838mA.
Exemplo 3.32
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= 120V e C
C
2
de 3dB do circuito.
E os parametros do circuito equivalente para pequenos sinais sao:
r
= 3.10k g
m
= 32.2mA/V r
0
= 143k
Exemplo 3.32
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= 120V e C
C
2
de 3dB do circuito.
A resistencia de sada e:
R
0
= 10 143
_
3.10 + (0.5 100)
101
_
= 35.5
Exemplo 3.32
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= 120V e C
C
2
de 3dB do circuito.
A constante de tempo e:
S
= (R
0
+ R
L
) C
C
2
= (35.5 + 10
4
)(10
6
)
= 1 10
2
s
Exemplo 3.32
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= 120V e C
C
2
de 3dB do circuito.
E a frequencia de 3dB e, portanto:
f
L
=
1
2
S
=
1
2(10
2
)
= 15.9Hz
Exemplo 3.32
O diagrama de Bode e apresentado a seguir:
Passo a passo para tracar o graco de Bode de amplitude
1
Para um capacitor particular do circuito, determine se o mesmo
produz um circuito passa-alta ou passa-baixa e esboce a forma geral
do diagrama de Bode;
2
Calcule a frequencia de corte f =
1
2
, sendo a constante de tempo
dada por = R
eq
C, na qual R
eq
e a resistencia equivalente vista pelo
capacitor;
3
O modulo do ganho maximo e obtido avaliando o ganho na faixa de
passagem, ou seja, realizando a analise do circuito com os capacitores
de acoplamento e desacoplamento considerados como curto circuitos
e os capacitores de carga como circuitos abertos.
Capacitores de acoplamento e carga
Um circuito contendo capacitores de acoplamento e carga e apresentado
abaixo.
Como os capacitores sao de ordens diferentes, as frequencias de corte sao
bem distintas e podem ser tratadas separadamente.
O circuito equivalente e apresentado a seguir:
A curva de bode e semelhante a vista anteriormente para o circuito
eletrico com os capacitores C
S
e C
P
.
A frequencia de corte inferior e:
f
L
=
1
2
S
Na qual
S
e a constante de tempo associada ao capacitor C
C
.
A frequencia de corte superior e:
f
L
=
1
2
P
Na qual
P
e a constante de tempo associada ao capacitor de carga C
L
.
Fazendo a fonte de sinal igual a zero pode-se calcular a resistencia
equivalente vista pelo capacitor C
C
e a constante de tempo
S
:
S
= [R
S
+ (R
1
R
2
R
i
)] C
C
= [R
S
+ (R
1
R
2
{r
+ (1 +)R
E
})] C
C
De maneira semlhente, a constante de tempo
P
e:
P
= (R
C
R
L
) C
L
Como as duas frequencias de corte sao bem diferentes, o ganho do
amplicador atinje um valor maximo na faixa entre f
L
e f
H
. Pode-se
calcular o ganho assumindo C
C
como um curto circuito e C
L
como um
circuito aberto.
|A
v
| =
V
0
V
i
= g
m
r
(R
C
R
L
)
_
R
1
R
2
(R
1
R
2
) + R
i
__
1
R
S
+ (R
1
R
2
R
i
)
_
Exemplo 3.33
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= Determine o ganho maximo, as
frequencias de corte e a faixa de passagem.
Exemplo 3.33
CQ
= 0.99mA.
Os parametros do circuito equivalente sao: g
m
= 38.08mA/V,
r
= 2.626k e r
0
= .
A resistencia de entrada e dada por:
R
i
= r
+ (1 +)R
E
= 2.63 + (101)(0.5) = 53.1k
E o ganho na faixa de passagem e:
|A
v
| = g
m
r
(R
C
R
L
)
_
R
1
R
2
(R
1
R
2
) + R
i
__
1
R
S
+ (R
1
R
2
R
i
)
_
= (38.08)(2.626)(5 10)
_
40 5.7
(40 5.7) + 53.1
__
1
0.1 + (40 5.7 53.1)
_
= 6.14
Exemplo 3.33
S
= (R
S
+ R
1
R
2
R
i
) C
C
= (100 + 5700 40000 53100) 0.000001 = 46.6ms
P
= (R
C
R
L
) C
L
= (5000 10000)
_
15 10
12
_
= 50ns
f
L
=
1
2
S
=
1
2 (46.6 10
2
)
= 3.42Hz
f
H
=
1
2
P
=
1
2 (50 10
9
)
= 3.18MHz
f
BW
= f
H
f
L
= 3.18MHz 3.4Hz
= 3.18MHz
Exemplo 3.34
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, V
A
= , R
L
= 5k, C
L
= 5pF e C
C
= 5F.
Faca o que se pede.
(a) Determine o valor da corrente de
coletor.
I
CQ
= 0.986mA
(b) Determine o ganho de tensao na faixa
de passagem.
A
v
= 6.23
(c) Determine as frequencias de corte do
circuito.
f
L
= 6.82Hz
f
H
= 12.7MHz
Efeito dos capacitores de bypass
Seja o amplicador emissor comum com capacitor de bypass e o seu
circuito equivalente para pequenos sinais
(a) Emissor comum com C
E
(b) Circuito equivalente
Usando a regra da reexao de impedancia, a corrente de entrada e:
I
b
=
V
i
R
S
+ r
+ (1 +)
_
R
E

1
sC
E
_
A tensao de controle e:
V
= I
b
r
E a tensao de sada:
V
0
= g
m
V
R
C
Combinando as equacoes chega-se a:
A
V
(s) =
V
0
(s)
V
i
(s)
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
+ (1 +)
_
R
E

1
sC
E
_
Expandindo
_
R
E

1
sC
E
_
e rearranjando os termos chega-se a:
A
V
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
+ (1 +)R
E
1 + sR
E
C
E
1 +
sR
E
(R
S
+r
)C
E
R
S
+r
+(1+)R
E
Que pode ser reescrita em funcao das constantes de tempo como segue:
A
V
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
+ (1 +)R
E
1 + s
A
1 + s
B
Fazendo s = j , tem-se:
Para 0, C
E
se comporta como um circuito aberto;
Para , C
E
se comporta como um curto circuito;
Portanto:
A
v
0
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
+ (1 +)R
E
A
v
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
Portanto, para 0 o resistor R

E
faz parte da expressao para o calculo
do ganho e, para , R
E
nao faz parte do calculo.
Assumindo que as constantes de tempo tem ordem de grandeza diferente,
tem-se:
f
A
=
1
2
A
f
B
=
1
2
B
E o graco de Bode resultante e tal como segue:
Exemplo 3.35
Considere o circuito a seguir. Sejam os seguintes parametros: R
E
= 4k,
R
C
= 2k, R
S
= 0.5k, C
E
= 1F,, V
+
= 5V, V
= 5V, = 100,
V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.026V, r
0
= . Determine as frequencias de corte e
as assntotas do graco de Bode do circuito.
Exemplo 3.35
CQ
= 1.06mA.
Os parametros do circuito equivalente sao: g
m
= 40.77mA/V,
r
= 2.45k e r
0
= .
A
= R
E
C
E
=
_
4 10
3
_ _
1 10
6
_
= 4 10
3
s
B
=
R
E
(R
S
+ r
) C
E
R
S
+ r
+ (1 +)R
E
=
(4 10
3
)(0.5 10
3
+ 2.45 10
3
)(1 10
6
)
(0.5 10
3
) + (2.45 10
3
) + (101)(4 10
3
)
= 2.9 10
5
s
f
A
=
1
2
A
=
1
2(4 10
3
)
= 39.8Hz
f
B
=
1
2
B
=
1
2(2.9 10
5
)
= 5.49kHz
Exemplo 3.35
A assntota horizontal para baixas frequencias e:
| A
v
|
0
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
+ (1 +)R
E
=
(40.8)(2.45)(2)
0.5 + 2.45 + (101)(4)
= 0.491
A assntota horizontal para altas frequencias e:
| A
v
|
=
g
m
r
R
C
R
S
+ r
=
(40.8)(2.45)(2)
0.5 + 2.45
= 67.7
Capacitor de bypass X ganho
Comparando ambos os valores limites para o ganho de tensao do
amplicador, pode-se notar que a inclusao do capacitor de desacoplamento
produz um ganho elevado para altas frequencias.
Exemplo 3.35
Os gracos de amplitude e fase sao apresentados a seguir.
(a) Amplitude X f (b) Fase X f
Nota-se que para frequencias muito baixas ou muito altas, nas quais o
capacitor se comporta como um circuito aberto e um curto circuito,
respectivamente, a fase e -180
, tal como esperado para um amplicador

emissor comum. Entre as duas frequencias de corte a fase modica-se
signicativamente, chegando a valer aproximadamente -90
.
Exemplo 3.36
Considere o circuito a seguir. Sejam os seguintes parametros: R
E
= 4k,
R
C
= 2k, R
S
= 0.5k, V
+
= 10V, V
= 10V, = 100, V
BE
= 0.7V,
V
T
= 0.026V, V
A
= . Faca o que se pede:
(a) Determine o valor de C
E
tal que a
frequencia de corte inferior seja
f
B
= 200Hz.
C
E
= 49.5F
(b) Usando o resultado do item a,
determina f
A
.
f
A
= 0.80Hz
Efeito combinado: Capacitores de acoplamento e bypass
Quando um circuito contem m ultiplos capacitores, a analise de resposta
em frequencia se torna mais complexa.
Em muitas aplicacoes, o circuito deve amplicar um sinal cuja frequencia e
connada na faixa de passagem. Nesses casos, a resposta em frequencia
nas faixas de alta e baixa frequencias nao e de interesse.
Os limites da faixa de passagem sao denidos como aqueles nos quais a
frequencia corresponde a uma queda de 3dB no ganho com relacao ao
ganho maximo do amplicador. Estas frequencias sao funcoes dos
capacitores de alta e baixa frequencias.
Estes capacitores introduzem um polo na funcao de transferencia do
circuito.
Se m ultiplos capacitores de acoplamento, por exemplo, sao utilizados, um
deles pode introduzir um polo que reduz em 3dB o ganho para baixas
frequencias. Este polo e referido como polo dominante.
Como exemplo, seja um circuito com dois capacitores de acoplamento e
um capacitor de desacoplamento no emissor, sendo que os tres inuenciam
a resposta em baixas frequencias.
Resposta com C
E

Os gracos apresentados consideram o efeito de C
1
e de C
2
de maneira
individual e conjunta.
Com ambos os capacitores agindo ao mesmo tempo, o coeciente da reta
e de 40dB/oitava ou 12dB/decada. Como os polos nao estao distantes no
plano complexo, no circuito real nao se pode considerar o efeito de ambos
os capacitores de maneira separada.
Resposta com C
1
, C
2
e C
E
Quando o capacitor de desacoplamento e tambem considerado o
coeciente da reta e modicado continuamente e nao ha uma frequencia
de corte denitiva.
Entretanto, em aproximadamente f = 150Hz a curva esta 3dB abaixo da
assntota de maximo ganho e a frequencia correspondente e denominada
frequencia de corte inferior.
Resposta em frequencia do TBJ
Ate agora a resposta em frequencia dos circuitos amplicadores foi
considerada como funcao dos capacitores e resistores externos, enquanto
assumindo o TBJ como elemento ideal de circuito.
Entretanto, o TBJ (assim como o FET) possui capacitancias internas que
inuenciam a resposta de alta frequencia dos circuitos dos quais fazem
parte.
Para considerar o efeito destas capacitancias na analise e no projeto de
circuitos amplicadores com o TBJ pode-se utilizar modelos equivalentes
mais completos do que os ate agora abordados. Um desses modelos e o
modelo -Hbrido expandido apresentado a seguir.
Quando um TBJ e usado em um circuito amplicador linear, ele e
polarizado na regiao ativa e pequenas tensoes e correntes senoidais sao
sobrepostas nas tensoes e correntes DC.
Seja um transistor npn na conguracao emissor comum, a gura a seguir
apresenta o seu smbolo e os sinais de interesse, assim como um diagrama
da secao reta em uma conguracao de circuito integrado classica. Nesta,
C, B e E sao os terminais para conexao externa e C, B e E sao as regioes
internas idealizadas para o coletor, a base e o emissor.
A gura ao lado apresenta um circuito equivalente
à conexao entre os terminais externos B e E.
r
b
e a resistencia em serie entre o terminal
externo B e a regiao da base, B;
As juncoes B-E sao diretamente
polarizadas. Portanto, C
e a capacitancia
de polarizacao direta desta juncao. Ela e
funcao da corrente entre as referidas
juncoes;
r
e a resistencia de difusao da juncao

B-E quando polarizada diretamente. Ela e
funcao da corrente entre as referidas
juncoes;
r
ex
e a resistencia em serie entre o terminal
externo E e a regiao interna do emissor, E.
Esta resistencia e geralmente bem pequena,
da ordem de 1 ou 2.
A gura ao lado apresenta o circuito equivalente
observando o terminal do coletor.
r
c
e a resistencia em serie entre as conexoes
externa e interna de coletor;
C
s
e a capacitancia da juncao
coletor-substrato reversamente polarizada;
observando o terminal do coletor.
A fonte de corrente dependente g
m
V
e
corrente de coletor do transistor controlada
pela tensao base-emissor interna;
r
0
e o inverso da condutancia de sada, g
0
,
e e devida basicamente ao efeito Early.
da juncao B-C reversamente polarizada.
C
e capacitancia de polarizacao reversa da

juncao. Seu valor e normalmente bem
menor do que C
, entretanto, por conta do

chamado efeito Miller ela normalmente nao
pode ser desprezada;
da juncao B-C reversamente polarizada.
r
e a resistencia de difusao da juncao

reversamente polarizada. Normalmente esta
resistencia e da ordem de megaohms e
pode ser desprezada;
O modelo -Hbrido completo e apresentado a seguir.
As capacitancias do modelo levam a efeitos de resposta em frequencia do
TBJ;
Por conta da grande quantidade de elementos que compoem o modelo
-Hbrido completo, uma simulacao computacional torna-se mais facil do
que uma analise convencional;
Entretanto, algumas simplicacoes podem ser feitas para avaliar algumas
caractersticas fundamentais com relacao aos efeitos de frequencia do
transistor bipolar.
Ganho de corrente de curto-circuito
A gura apresenta um modelo simplicado do TBJ, no qual as resistencias
parasitas r
b
, r
c
e r
ex
, a resistencia de difusao r
e a capacitancia do
substrato C
s
sao desconsideradas. Alem disso, o coletor e conectado ao
terra.
Cabe ressaltar que o TBJ deve estar polarizado na regiao ativa.
Escrevendo a KCL no no de entrada:
I
b
=
V
+
V
1
j C
+
V
1
j C
= V
_
1
r
+ j (C
+ C
)
_
O que mudou com relacao a V
?
V
nao e mais igual a I

b
r
, uma vez que uma parte de I

b
e agora desviada
atraves de C
e C
.
Equacionando a KCL no no de sada tem-se:
V
1
j C
+ I
c
= g
m
V
I
c
= V
(g
m
j C
)
A tensao de entrada, V
pode ser escrita como:

V
=
I
c
g
m
j C

Substitundo a expressao de V
na expressao de I
b
chega-se a:
I
b
= I
c

1
r
+ j (C
+ C
)
g
m
j C
E o ganho de corrente de pequenos sinais, normalmente denotado por h

fe
se torna:
A
i
=
I
c
I
b
= h
fe
=
g
m
j C
1
r
+ j (C
+ C
)
Se forem assumidos valores tpicos para o circuito tais como C
= 0.05pF,
g
m
= 50mA/V e uma frequencia maxima de 500MHz, observa-se que
C
g
m
. Desse modo, uma boa aproximacao para o ganho de corrente
de pequenos sinais do TBJ e:
h
fe

=
g
m
1
r
+ j (C
+ C
)
=
g
m
r
1 + j r
(C
+ C
)
Como = g
m
r
, entao o ganho de corrente para baixas frequencias e o

proprio .
Portanto, a amplitude e a fase do ganho de corrente de um TBJ sao
ambas funcao da frequencia. A gura a seguir apresenta o diagrama de
Bode para este ganho.
f
B
e denominada frequencia de corte de e, nesse caso, e dada por:
f
=
1
2r
(C
+ C
)
Nota-se que, à medida em que a frequencia aumenta, a corrente de coletor
passa a diferir em fase da corrente de base, atinjindo uma diferenca de 90
graus em altas frequencias.
Exemplo 3.37
Considere um transistor bipolar com os seguintes parametros: r
= 2.6k,
C
= 0.5pF e C
= 0.025pF. Determine a frequencia de 3dB do ganho de

corrente de curto circuito do TBJ.
f
=
1
2r
(C
+ C
)
=
1
2(2.6 10
3
)(0.5 + 0.025)(10
12
)
= 117MHz
O que se pode concluir sobre o tamanho dos TBJs em funcao da
frequencia?
Como as capacitancias sao funcao do tamanho do transistor, e os TBJs de
alta frequencia devem ter capacitancias pequenas, entao transistores de
alta frequencia devem ser sicamente pequenos
Exemplo 3.38
Um transistor bipolar tem os seguintes parametros:
0
= 120,
f
= 90MHz, V
T
= 0.026V e C
= 0.02pF. O transistor e polarizado com

I
CQ
= 0.2mA.
Faca o que se pede.
(a) Determine C
.
C
= 0.093pF
(b) Determine a amplitude do ganho de corrente de curto circuito nas
frequencias f
1
= 50MHz, f
2
= 125MHz e f
3
= 500MHz.
| A
v
|
f
1
= 105
| A
v
|
f
2
= 70.1
| A
v
|
f
3
= 21.3
Frequencia de corte
A gura mostra que a amplitude do ganho de corrente de pequenos sinais
e reduzido a medida em que a frequencia aumenta.
Na frequencia f
T
, que e denominada frequencia de corte, o ganho vale 1.
f
T
pode ser encontrada como segue.
Frequencia de corte
Pode-se escrever a equacao do ganho de corrente de pequenos sinais como:
h
fe
=

0
1 + j
_
f
f
_
Na qual f
e a frequencia de corte de denida anteriormente. A

amplitude de h
fe
e, portanto:
| h
fe
|=

0
_
1 +
_
f
f
_
2
Na frequencia de corte, f
T
, | h
fe
|= 1 e a equacao se torna:
| h
fe
|= 1 =

0
_
1 +
_
f
T
f
_
2
Frequencia de corte
Normalmente
0
1, o que implica que f
T
f
, o que leva a:
1
=

0
_
_
f
T
f
_
2
=

0
f
f
T
f
T
=
0
f
A frequencia f
e tambem chamada de largura de banda do transistor.

Portanto, a frequencia de corte f
T
e o produto ganho-largura de banda do
TBJ ou, mais comumente, largura de banda de ganho unitario, que
pode ser calculado como segue:
f
T
=
0
_
1
2r
(C
+ C
)
_
=
g
m
2 (C
+ C
)
Frequencia de corte
A frequencia de corte, f
T
, e tambem funcao da corrente de coletor DC. A
curva de f
T
versus I
C
e apresentada a seguir
A transcondutancia g
m
e diretamente proporcional a I
C
, porem apenas
uma fracao de C
e proporcional a I
C
. Desse modo, a frequencia de corte
e menor com baixas correntes de coletor. Entretanto, ela tambem diminui
com correntes elevadas, da mesma maneira que e reduzido.
Frequencia de corte
A frequencia de corte de um transistor e normalmente especicada em sua
folha de dados.
Como o ganho de corrente de baixas frequencias e tambem dado, a
frequencia de corte de beta pode ser determinada como segue:
f
=
f
T
0
O modelo -Hbrido para o TBJ utiliza elementos discretos. Entretanto,
quando as frequencias de corte sao da ordem de f
T

= 10GHz e o transistor
e operado em frequencias de microondas, outros elementos parasitas e
parametros distribudos devem ser includos no modelo do transistor.
Exemplo 3.39
Considere um transistor bipolar com os seguintes parametros:
C
= 0.08pF, V
T
= 0.026V, f
T
= 20GHz em I
C
= 1mA e
0
= 120.
Calcule a largura de banda f
e a capacitancia C
do TBJ.
f
=
f
T
0
=
20 10
9
120
= 167MHz
g
m
=
I
C
V
T
=
1
0.026
= 38.46mA/V
f
T
=
g
m
2(C
+ C
)
20 10
9
=
38.5 10
3
2(C
+ 0.08 10
12
)
C
= 0.226pF
Exemplo 3.40
Um transistor bipolar e polarizado com I
C
= 0.15mA e tem parametros
0
= 150, C
= 0.8pF, V
T
= 0.026V e C
= 0.012pF. Determine:
(a) f
= 7.54MHz
(b) f
T
f
T
= 1.13GHz
Efeito Miller
Conforme ja mencionado, a capacitancia C
nao pode realmente ser

ignorada. Isso se deve ao chamado efeito Miller, que e uma realimentacao
que multiplica o efeito de C
em aplicacoes de circuito.
A Figura apresenta um circuito EC com fonte de sinal de corrente o
circuito equivalente, assumindo que a frequencia e sucientemente alta
para considerar C
C
1
, C
C
2
e C
E
como curto circuitos e que r
0
= .
Efeito Miller
O capacitor C
e um elemento de realimentacao que conecta a sada de

volta à entrada. Desse modo, as corrente e tensao de sada tem inuencia
nas caractersticas de entrada.
Seja o segmento de circuito entre as duas linhas tracejadas do circuito
equivalente.
Pode-se trata-lo como um dispositivo de duas portas (quadripolo) no qual
a tensao de entrada e V
e a tensao de sada e V
0
.
Efeito Miller
Equacionando a KVL nos nos de entrada e sada:
V
= I
1
_
1
j C
_
+ V
0
V
0
= I
2
_
1
j C
_
+ V
Desse modo, pode-se formar um circuito equivalente tal como segue:

Efeito Miller
V
= I
1
_
1
j C
_
+ V
0
V
0
= I
2
_
1
j C
_
+ V
Que pode ser convertido para o seu equivalente Norton:

Efeito Miller
V
= I
1
_
1
j C
_
+ V
0
V
0
= I
2
_
1
j C
_
+ V
Formando o circuito equivalente a seguir:

Efeito Miller
Usando valores tpicos para g
m
(50mA/V) e C
(0.05pF), pode-se calcular

a frequencia na qual a amplitude das duas fontes de corrente dependentes
sao iguais.
Se
C
= g
m
V
Entao
f =
g
m
2 (C
)
= f =
50 10
3
2 (0.05 10
12
)
= 1.59 10
11
Hz = 159GHz
Como o frequencia de operacao de um TBJ e bem menor do que 159GHz,
a corrente I
SC
= j C
e desprezvel se comparada a g
m
V
.
Pode-se agora determinar a frequencia na qual a amplitude da impedancia
de C
e igual a R
C
R
L
.
Efeito Miller
Se
1
C
= R
C
R
L
Entao
f =
1
2C
(R
C
R
L
)
Assumindo R
C
= R
L
= 4k, que sao valores tpicos para circuitos com
TBJs, entao:
f =
1
2(0.05 10
12
) [(4 10
3
) (4 10
3
)]
= 1.59 10
9
Hz
Se a frequencia de opera cao do TBJ for bem menor do que 1.59GHz,
entao a impedancia de C
sera muito maior do que R

C
R
L
e C
pode ser
considerado um circuito aberto.
Efeito Miller
E o circuito se torna:
A caracterstica I
1
versus V
do segmento de circuito entre as linhas

tracejadas e:
I
1
=
V
V
0
1
j C
= j C
(V
V
0
)
Efeito Miller
A tensao de sada e
V
0
= g
m
V
(R
C
R
L
)
E substitundo o valor de V
0
na equacao de I
1
chega-se a:
I
1
= j C
[1 + g
m
(R
C
R
L
)] V
E o circuito entre as linhas tracejadas pode ser substitudo pela

capacitancia equivalente dada por:
C
M
= C
[1 + g
m
(R
C
R
L
)]
Efeito Miller
A capacitancia C
M
e denominada capacitancia Miller e o efeito
multiplicativo de C
e denominado efeito Miller

Para o circuito equivalente, a capacitancia de entrada e C
+ C
M
ao inves
de apenas C
, que seria a capacitancia de entrada caso C
tivesse sido
ignorada.
Exemplo 3.41
Determine a frequencia de 3dB do ganho de corrente para o circuito
apresentado abaixo, com e sem o efeito de C
M
. Considere os seguintes
parametros: R
C
= R
L
= 4k, r
= 2.6k, R
B
= 200k, C
= 0.8pF,
C
= 0.05pF e g
m
= 38.5mA/V.
Exemplo 3.41
A corrente e a tensao de entrada podem ser escritas como:
I
0
= g
m
V
_
R
C
R
C
+ R
L
_
V
=
_
R
B
r

1
j C
1
j C
M
_
= I
S
_
R
B
r
1 + j (R
B
r
) (C
+ C
M
)
_
E o ganho de corrente e:
A
i
=
I
0
I
S
= g
m
_
R
C
R
C
+ R
L
__
R
B
r
1 + j (R
B
r
) (C
+ C
M
)
_
E a frequencia de 3dB e
f
3dB
=
1
2 (R
B
r
) (C
+ C
M
)
Exemplo 3.41
Desprezando o efeito de C
(C
M
= 0) chega-se a:
f
=
1
2 [(200 10
3
) (2.6 10
3
)] (0.8 10
12
)
= 77.5MHz
A capacitancia Miller e:
C
M
= C
[1 + g
m
(R
C
R
L
)] = (0.05)[1 + (38.5)(4 4)] = 3.9pF
E levando em consideracao a capacitancia Miller a frequencia de 3dB de
torna:
f
3dB
=
1
2 [(200 10
3
) (2.6 10
3
)] (0.8 + 3.9) (10
12
)
13.2MHz
Exemplo 3.41
Comentarios
O efeito Miller (ou fator de multiplicacao de C
) e 78, o que resulta em

uma capacitancia Miller de 3.9pF que, nesse exemplo, e aproximadamente
cinco vezes maior do que C
.
Isso signica que a faixa de passagem do transistor e aproximadamente
seis vezes menor do que a faixa esperada caso C
seja desprezada.
A capacitancia Miller pode ser escrita na forma C
M
= C
(1+ | A
v
|), na
qual A
v
e o ganho de tensao interno entre a base e o coletor.
A origem fsica do efeito Miller esta no fator de ganho de tensao que
aparece entre os terminais de C
. Um sinal pequeno de entrada V
produz
uma alta tensao de sada V
0
= | A
v
| V
de polaridade oposta na sada

de C
. Portanto, a tensao atraves de C
e (1+ | A
v
|)V
, o que induz uma

corrente elevada atraves da mesma.

E por isso que o efeito de C
na parte
de entrada do circuito e relevante.
Exemplo 3.41
Comentarios
Pode-se, portanto, perceber uma das trocas que pode ser feita no projeto
de amplicadores: A troca entre ganho e largura de faixa.
Se o ganho e reduzido, a capacitancia Miller e reduzida e a faixa de
passagem e ampliada.
Resposta em alta frequencia - Amplicador EC
Seja o circuito amplicador emissor comum apresentado na Figura.
As capacitancias do TBJ e de carga afetam a resposta em altas
frequencias do circuito.
Inicialmente, sejam C
L
um circuito aberto e C
C
e C
E
curto circuitos. O
circuito equivalente e tal como segue:
E substitundo o capacitor C
pela capacitancia Miller equivalente o

circuito se torna:
Pode-se escrever:
C
M
= C
_
1 + g
m
R
L
_
Na qual R
L
= r
o
R
C
R
L
A frequencia de corte superior pode ser determinada usando a tecnica da
constante de tempo. Pode-se escrever:
f
H
=
1
2
P
Na qual
P
= R
eq
C
eq
. Nesse caso, a capacitancia equivalente e
C
eq
= C
+ C
M
e a resistencia equivalente e a resistencia efetiva vista pela
capacitancia, R
eq
= r
R
B
R
S
.
E a equacao da frequencia de corte superior pode ser reescrita como segue:
f
H
=
1
2[r
R
B
R
S
] (C
+ C
M
)
O ganho de tensao na faixa de passagem pode ser encontrado
considerando C
e C
M
como circuitos abertos.
|A
v
| =
V
0
V
i
M
= g
m
R
L
_
R
B
r
R
B
r
+ R
S
_
E o diagrama de Bode de amplitude do ganho de tensao para altas
frequencias e tal como apresentado abaixo.
Exemplo 3.42
Para o circuito abaixo, os parametros sao: V
+
= 5V, V
= 5V,
R
S
= 0.1k, R
1
= 40k, R
2
= 5.72k, R
E
= 0.5k, R
C
= 5k,
R
L
= 10k, = 150, V
BE
= 0.7V, V
T
= 0.025V, V
A
= , C
= 35pF e
C
= 4pF. Determine a frequencia de corte superior e o ganho na faixa de

passagem do circuito.
Exemplo 3.42
CQ
= 1.03mA, g
m
= 39.6mA/V e r
= 3.79k.
A capacitancia Miller e:
C
M
= C
_
1 + g
m
R
L
_
= C
[1 + g
m
(R
C
R
L
)]
= (4) [1 + (39.6)(5 10)] = 532pF
A frequencia de corte superior e:
f
H
=
1
2[r
R
B
R
S
](C
+ C
M
)
=
1
2[3.79 40 5.72 0.1](10
3
)(35 + 35)(10
12
)
= 2.94MHz
Exemplo 3.42
E o ganho na faixa de passagem e dado por:
| A
v
|
M
= g
m
R
L
_
R
B
r
R
B
r
+ R
S
_
= (39.6)(5 10)
_
40 5.72 3.79
40 5.72 3.79 + 0.1
_
= 126
Importancia do efeito Miller
A capacitancia de realimentacao, C
, e multiplicada por um fator de 133

(de 4pF para 532pF) e a capacitancia Miller resultante e aproximadamente
15 vezes maior do que C
. A frequencia de corte real e, portanto,

aproximadamente 15 vezes menor do que seria caso C
tivesse sido
desprezada.
Exemplo 3.42
Simulacao
A gura apresenta os gracos de Bode para o circuito em questao,
considerando C
= 35.5pF e C
= 3.89pF.
As curvas exemplicam a reducao da faixa de passagem em funcao do
efeito Miller.
Exemplo 3.42
Simulacao
considerando C
= 35.5pF e C
= 3.89pF.
As curvas C
L
= 5pF e C
L
= 150pF apresentam a resposta do circuito caso
o TBJ seja ideal, com C
= C
= 0 e com C
L
conectada na sada.
Exemplo 3.42
Simulacao
considerando C
= 35.5pF e C
= 3.89pF.
Para C
L
= 5pF a resposta e dominada por C
e C
. Para C
L
= 150pF a
resposta e dominada por C
L
.
Resposta em alta frequencia - Amplicador BC
A gura apresenta um amplicador na conguracao base comum. O
circuito e basicamente o EC visto anteriormente, porem com um capacitor
de desacoplamento na base e com a entrada acoplada capacitivamente ao
emissor.
O circuito equivalente para altas frequencias considerando os capacitores
de acoplamento e desacoplamento como curto circuitos e apresentado
abaixo. r
0
e assumida innita.
Nota-se que C
nao mais se encontra entre os terminais de entrada e sada.

Escrevendo a KCL no emissor, tem-se:
I
e
+ g
m
V
+
V
1
sC
+
V
= 0
Como V
= V
e
a equacao pode ser reescrita como:
I
e
V
e
=
1
Z
i
=
1
r
+ g
m
+ sC
Na qual Z
i
e a impedancia observada no emissor. Rearranjando os termos
chega-se a:
1
Z
i
=
1 + r
g
m
r
+ sC
=
1 +
r
+ sC

O circuito equivalente da parte de entrada e apresentado abaixo.
A frequencia de corte e a constante de tempo sao:
f
H
=
1
2
P
P
=
__
r
1 +
_
R
E
R
S
_
C

O circuito equivalente da parte de sada e apresentado abaixo.
Assumindo C
L
como um circuito aberto, a frequencia de corte e a
constante de tempo associadas a C
sao:
f
H
=
1
2
P
P
= [R
C
R
L
] C

Se C
for bem menor do que C
, poder-se-ia esperar que a frequencia 3dB

f
H
devida a C
dominasse a resposta em alta frequencias.

Entretanto, o fator
r
1+
na constante de tempo
P
e pequeno e, com isso,
as duas constantes de tempo podem ter a mesma ordem de grandeza.
A gura apresenta uma simulacao da resposta em frequencia em termos de
amplitude do ganho de tensao para um circuito base comum.
Exemplo 3.43
Para o circuito abaixo, os parametros do TBJ sao = 100, V
BE
= 0.7V,
V
A
= , C
= 24pF, C
= 3pF e V
T
= 0.026V.
(a) Determine as frequencias de 3dB superiores correspondentes às partes
de entrada e sada do circuito.
f
H
= 223MHz f
H
= 58.4MHz
(b) Calcule o ganho de tensao para pequenos sinais na faixa de passagem.
A
v
= 0.869
Resposta em alta frequencia - Circuito Cascode
O circuito cascode combina as vantagens dos circuitos emissor comum e
base comum.
O sinal de entrada e aplicado ao circuito emissor comum (Q
1
) e o sinal de
sada do emissor comum e aplicado ao circuito base comum (Q
2
).
A impedancia de entrada do EC e relativamente alta e a resistencia de
carga vista por Q
1
e a impedancia de entrada do emissor de Q
2
, a qual e
pequena.
A baixa resistencia de sada vista por Q
1
reduz o efeito Miller sobre C
1
e,
portanto, aumenta a faixa de passagem do circuito.
O circuito equivalente para pequenos sinais e altas frequencias e tal como
segue, considerando os capacitores de acoplamento de desacoplamento
como curto circuitos e a resistencia r
0
para o transistor Q
2
innita.
A impedancia de entrada no emissor de Q
2
e:
Z
ie
2
=
_
r
2
1 +
_
_
1
sC
2
_
E o circuito equivalente da parte de entrada da conguracao cascode pode
ser transformada para forma abaixo:
Este circuito, por sua vez, pode ser transformado de maneira a apresentar
a capacitancia Millerm tal como segue.
No centro deste circuito, r
0
1
encontra-se em paralelo com
r
2
1+
. Como r
0
1
e
normalmente grande, ela pode ser aproximada por um circuito aberto.
Desse modo, a Capacitancia C
M
1
e dada por:
C
M
1
= C
1
_
1 + g
m
1
_
r
2
1 +
__
Como Q
1
e Q
2
estao polarizados com aproximadamente a mesma corrente,
entao r
= r
2
e g
m
1
= g
m
2
. Desse modo, g
m
1
r
= , o que leva a:
C
M
1
= 2C
1
Portanto, esta conguracao de circuito reduz drasticamente o efeito
Miller.
A constante de tempo associada a C
2
envolve a resistencia
r
2
1+
. Como
essa resistencia e pequena, a constante de tempo tambem e relativamente
pequena, e a frequencia de corte associada a C
2
e muito alta.
Pode-se, portanto, desprezar os efeitos de C
1
e C
2
na parte central do
circuito.
A constante de tempo para a parte de entrada do circuito e:
P
= [R
S
R
B
1
r
1
] (C
1
+ C
M
1
)
Na qual C
M
1
= 2C
1
. A frequencia de 3dB correspondente e:
f
H
=
1
2
P
Assumindo que C
L
funciona como um circuito aberto, a constante de
tempo para a parte de sada do circuito e:
P
= [R
C
R
L
]C
2
e a frequencia de corte correspondente e:
f
H
=
1
2
P
Para determinar o ganho de tensao na faixa de passagem, assume-se que
todos os capacitores do ultimo circuito apresentado comportam-se como
circuitos abertos. A tensao de sada e dada por:
V
0
= g
m
2
V
2
(R
C
R
L
)
V
2
e dado por:
V
2
= g
m
1
V
1
_
r
0
1

_
r
2
1 +
__
Pode-se desprezar o efeito de r
0
1
se comparado à
r
2
1+
. Alem disso, como
g
m
1
r
2
= , tem-se:
V
= V
1
Da parte de entrada do circuito tem-se:
V
1
=
R
B
1
r
1
R
B
1
r
1
+ R
S
V
i
E nalmente:
A
v
=
V
0
V
i
= g
m
2
(R
C
R
L
)
_
R
B
1
r
1
R
B
1
r
1
+ R
S
_
A expressao para o ganho na faixa de passagem do circuito cascode e a
mesma do circuito emissor comum. Portanto, a conguracao cascode
alcanca um ganho de tensao relativamente alto enquanto expandindo a
faixa de passagem.
A gura apresenta uma simulacao da resposta em frequencia em termos de
amplitude do ganho de tensao para um circuito cascode.
Exemplo 3.44
Para o circuito abaixo, os parametros sao: V
+
= 12V, V
= 0V,
R
1
= 58.8k, R
2
= 33.3k, R
3
= 7.92k, R
C
= 7.5k, R
S
= 1k,
R
E
= 0.5k, R
L
= 2k, = 100, V
BE
= 0.7V, V
A
= , C
= 24pF,
C
= 3pF e V
T
= 0.026V.
Exemplo 3.44
Considerando C
L
como um circuito aberto, faca o que se pede:
(a) Determine as frequencias de 3dB superiores correspondentes às partes
de entrada e sada do circuito.
f
H
= 7.15MHz f
H
= 33.6MHz
(b) Calcule o ganho de tensao para pequenos sinais na faixa de passagem.
|A
v
| = 22.5
Resposta em alta frequencia - Seguidor de emissor
Exemplo 3.45
Analise a resposta em altas frequencias do circuito seguidor de emissor.
(a) Desenhe o circuito seguidor de emissor com capacitores de
acoplamento na entrada e na sada, e com capacitor de carga;
(b) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais e alta frequencia;
(c) Discuta e equacione a constante de tempo e a frequencia de corte do
circuito.
(d) Faca uma simulacao e faca os gracos de Bode (amplitude) de
maneira a avaliar a inuencia dos capacitores na resposta em
frequencia do circuito.
4
Amplicadores usando o FET
Modelos para opera cao com pequenos sinais
Conguracoes basicas
Amplicador fonte comum
Amplicador porta comum
Amplicador dreno comum
Comparacao entre as tres conguracoes basicas
Amplicadores de m ultiplos estagios
Amplicadores usando o FET Amplicador de tensao
Amplicadores usando o FET
Ja foi visto que:
Fontes de corrente controladas por tensao podem servir como
amplicadores de transcondutancia;
Entretanto, amplicadores de tensao sao mais usuais;
Uma forma simples de converter um amplicador de transcondutancia
em um amplicador de tensao e passar a corrente de sada por um
resistor e medir a tensao entre os terminais do mesmo como a sada do
sistema;
Fazer isso com um FET resulta no circuito que segue.
Amplicador de tensao com o FET
Quando operado na regiao de saturacao, o MOSFET funciona como
uma fonte de corrente controlada por tensao;
A tensao entre a porta (gate) e a fonte (source), v
GS
, controla a
corrente de dreno (drain), i
D
;
Embora a relacao de controle seja nao linear, pode-se operar o
dispositivo sob determinadas condicoes de tal maneira a obter uma
relacao de amplicacao quase linear.
v
GS
e a tensao de entrada;
R
D
e a resistencia de carga, que converte a corrente de dreno i
D
para
uma tensao (i
D
R
D
);
V
DD
e a tensao de alimentacao do amplicador e, em conjunto com R
D
,
estabelece a operacao na regiao de saturacao.
A tensao de sada e medida entre o dreno e o terra;
A tensao de sada v
DS
e dada por:
v
DS
= V
DD
i
D
R
D
Portanto, uma versao invertida de i
D
R
D
deslocada no eixo vertical
pelo valor constante da fonte de alimentacao V
DD
.
DS
e v
GS
);
Para v
GS
< V
t
, o transistor esta em corte, ou seja, i
D
= 0 e
v
DS
= V
DD
;
DS
e v
GS
);
A medida em que v
GS
excede V
t
o transistor e ligado e v
DS
diminui.
Entretanto, como v
DS
ainda e alto, o FET opera no modo de saturacao;
DS
e v
GS
);
Isso continua enquanto v
GS
aumenta ate que implique em v
DS
menor
do que v
GS
por V
t
Volts (Ponto B no graco). Para v
GS
maior do que
o valor neste ponto, o FET opera na regiao de triodo e v
DS
diminui
gradativamente.
O segmento AB corresponde à operacao no modo de saturacao;
Uma expressao para o segmento pode ser obtida pela substituicao
para i
D
na Equacao de v
DS
pelo seu valor de saturacao dado a seguir
(desconsiderando o efeito da modulacao do comprimento do canal):
i
D
=
1
2
k
n
(v
GS
V
t
)
2
Resultando em:
v
DS
= V
DD

1
2
k
n
R
D
(v
GS
V
t
)
2
Voces dirao: Professor, a equacao nao e linear!
E eu digo: Bem observado. Entretanto, mesmo assim, uma
amplicacao linear (ou quase) pode ser obtida.
Como?
Polarizando o FET de tal maneira a faze-lo operar na regiao de saturacao.
Antes de seguir adiante, cabe ressaltar as coordenadas do ponto B,
que e a fronteira entre as regioes de saturacao e de triodo.
V
GS
|
B
= V
t
+
2k
n
R
D
V
DD
+ 1
k
n
R
D
Polarizacao do FET para obter amplicacao linear
Uma tensao (DC) V
GS
e selecionada para obter a operacao em um
ponto Q no segmento AB.
As coordenadas de Q sao as tensoes DC V
GS
e V
DS
, que sao
relacionadas como segue:
V
DS
= V
DD

1
2
k
n
R
D
(v
GS
V
t
)
2
gs
(t), e sobreposto ao sinal V
GS
. Desse
modo, o valor instantaneo total se torna v
GS
= V
GS
+ v
gs
(t).
O sinal v
DS
(t) resultante pode ser obtido
substitundo v
GS
na equacao
correspondente.
Gracamente, pode-se utilizar a VTC para
determinar v
DS
(t) ponto a ponto.
gs
(t), e sobreposto ao sinal V
GS
. Desse
modo, o valor instantaneo total se torna v
GS
= V
GS
+ v
gs
(t).
Quando v
gs
e uma sinal com amplitude pequena o suciente para
restringir a excursao do ponto de operacao instantaneo entre as
regioes de corte e de triodo obtem-se amplicacao linear;
Quanto menor o segmento de reta entre os pontos A e B, mais
proximo da linearidade e mais proximo o sinal de sada com relacao
ao sinal de entrada.
Se v
gs
ds
proporcional a v
gs
Este e o ganho de tensao do amplicador, e ele e dado por:
A
v
=
dv
DS
dv
GS
v
GS
=V
GS
= k
n
(V
GS
V
t
) R
D
= k
n
V
OV
R
D
Na qual V
OV
e a tensao de overdrive no ponto de polarizacao.
Se v
gs
ds
proporcional a v
gs
Este e o ganho de tensao do amplicador, e ele e dado por:
A
v
= k
n
V
OV
R
D
=
I
D
R
D
V
OV
2
Observacoes
O ganho e negativo, o que signica que o amplicador e inversor
(diferenca de fase de 180
entre os sinais de entrada e sada);

O ganho e proporcional a resistencia de carga R
D
, a a
transcondutancia k
n
do FET e a tansao de overdrive V
OV
.
Uma vez que I
D
=
1
2
k
n
V
2
OV
, pode-se reescrever a equacao do ganho
de tensao como apresentado acima.
Portanto, o ganho e simplesmente a razao entre a queda de tensao
DC entre os terminais de R
D
para
V
OV
2
;
Essa relacao permite calcular um limite superior absoluto na
amplitude do ganho de tensao para o circuito em questao.
Basta notar que I
D
R
D
pode aproximar-se, porem nunca ultrapassar o
valor da tensao de alimentacao V
DD
. Logo:
|A
v
| =
V
DD
V
OV
2
Observacao
Para tecnologias CMOS modernas, V
OV
e usualmente maior do que 0.2V,
e o ganho maximo atingvel e em torno de 10V
DD
.
Para circuitos praticos, entretanto, o ganho maximo atingvel e menor.
Analise graca
Reescrevendo a equa cao para v
DS
tem-se:
i
D
=
V
DD
R
D
1
R
D
v
DS
Que e uma linha reta representando a relacao entre i
D
e v
DS
, que
intercepta o eixo horizontal em v
DS
= V
DD
e tem coeciente angular
1
R
D
.
Portanto, a reta e representativa da resistencia de carga R
D
e e,
portanto, denominada reta de carga.
Ela pode ser sobreposta às curvas caractarsticas i
D
versus v
DS
do
transistor para a determinacao da VTC do mesmo.
Analise graca
Em A v
GS
= V
t
e o transistor esta desligado (chave aberta);
Em C v
GS
= V
DD
e o transistor opera como uma resistencia pequena
r
DS
e tem baixa queda de tensao (curto circuito);
Esses pontos sao aplicaveis para operar o FET como uma chave;
Analise graca
Em Q v
GS
= V
GS
e v
DS
= V
DS
e o transistor pode ser polarizado
para operar como um amplicador;
Em B O transistor deixa a regiao de saturacao e entra na regiao de
triodo;
Posicionando o ponto de operacao
Para R
D
diferente, o coeciente angular da reta de carga muda;
Q
1
muito proximo de V
DD
pouca excursao positiva de v
ds
;
Q
2
muito proximo da regiao de triodo pouca excursao negativa de
v
ds
.
Amplicadores usando o FET Modelos para operacao com pequenos sinais
O transistor e polarizado
aplicando-se uma tensao DC
V
GS
;
Sinal a ser amplicado (v
gs
) e
sobreposto a V
GS
;
A tensao de sada e medida no
dreno.
Condicoes de polarizacao (Analise DC):
I
D
=
1
2
k
n
(V
GS
V
t
)
2
=
1
2
k
n
V
2
OV
V
DS
= V
DD
R
D
I
D
Para operacao em saturacao,
V
DS
> V
OV
e, como a tensao to-
tal no dreno tem uma componente
de sinal sobreposta a V
DS
, V
DS
deve ser sucientemente maior do
que V
OV
para permitir a excursao
de sinal desejada.
Corrente de sinal no dreno
gs
, a tensao instantanea total entre a
porta e a fonte se torna:
v
GS
= V
GS
+ v
gs
E a corrente de dreno correspondente e:
i
D
=
1
2
k
n
(V
GS
+ v
gs
V
t
)
2
=
1
2
k
n
(V
GS
V
t
)
2
+k
n
(V
GS
V
t
) v
gs
+
1
2
k
n
v
2
gs
O primeiro termo do lado direito e a tensao DC I
D
.
O segundo termo representa a componente de sinal que e diretamente
proporcional ao sinal de entrada v
gs
O terceiro termo e uma componente de corrente proporcional ao quadrado
do sinal de entrada.
Esta ultima componente e indesejavel pois representa distorcao nao linear.
gs
, a tensao instantanea total entre a
porta e a fonte se torna:
v
GS
= V
GS
+ v
gs
E a corrente de dreno correspondente e:
i
D
=
1
2
k
n
(V
GS
+ v
gs
V
t
)
2
=
1
2
k
n
(V
GS
V
t
)
2
+k
n
(V
GS
V
t
) v
gs
+
1
2
k
n
v
2
gs
Para reduzir a distorcao nao linear, o sinal de entrada deve ser mantido
pequeno de tal maneira que:
1
2
k
n
v
2
gs
k
n
(V
GS
V
t
) v
gs
Resultando em v
gs
2 (V
GS
V
t
) ou, equivalentemente, v
gs
2V
OV
Se este condicao for satisfeita, pode-se desprezar ultimo termo da equacao
de i
D
tornando-a:
i
D

= I
D
+ i
d
Na qual:
i
d
= k
n
(V
GS
V
t
) v
gs
Esta aproximacao e denominada aproximacao para pequenos sinais.
O parametro que relaciona i
d
e v
gs
e denominado transcondutancia do
MOSFET e e dado por:
g
m
=
i
d
v
gs
= k
n
(V
GS
V
t
)
Ou, em termos de V
OV
: g
m
= k
n
V
OV
.
Gracamente g
m
e o coeciente da curva i
D
versus v
GS
no ponto de
polarizacao.
g
m
=
i
D
v
GS
v
GS
=V
GS
Ganho de tensao
Para obter uma tensao como sinal de sada, faz-se com que i
D
atravesse
um resistor R
D
. E o ganho de tensao pode ser obtido como segue:
v
DS
= V
DD
R
D
i
D
= V
DD
R
D
(I
D
+ i
d
) = V
DS
R
D
i
d
Onde V
DS
e a quantidade DC e a componente de sinal e dada por:
v
ds
= i
d
R
D
= g
m
v
gs
R
D
A
v
=
v
ds
v
gs
= g
m
R
D
Modelo equivalente para pequenos sinais
A gura apresenta um modelo de circuito equivalente para o FET.
O modelo:
Representa o transistor como uma fonte de corrente controlada por
tensao;
Representa a resistencia de entrada observada no dreno (que e muito
alta) como innita;
OBS: A resistencia de sada observada no dreno e tambem alta
O modelo considera que a corrente de dreno na saturacao e independente
da tensao no dreno. Na realidade isso nao e verdade e a corrente nao
depende de v
DS
de maneira linear.
Essa dependencia pode ser modelada como uma resistencia nita r
0
entre
o dreno e a fonte, cujo valor e r
0
=
|V
A
|
I
D
, na qual V
A
=
1
e um parametro
do FET que pode ser especicado ou medido e I
D
e a corrente DC de
dreno sem considerar o efeito da modulacao do comprimento do canal, ou
seja, I
D
=
1
2
k
n
V
2
OV
Tipicamente, r
0
encontra-se na faixa entre 10k e 1000k
Considerando r
0
, o modelo equivalente se torna:
Cabe ressaltar que g
m
e r
0
dependem do ponto de polarizacao do
FET.
O ganho de tensao se torna A
v
=
v
ds
v
gs
= g
m
(R
D
r
0
).
Portanto, r
0
implica em uma reducao do ganho.
NMOS e PMOS
Embora a analise realizada ate agora tenha sido baseada no transistor
NMOS, os resultados e o modelo equivalente sao igualmente aplicaveis ao
transistor PMOS, a excecao do uso de |V
GS
|, |V
t
|, |V
OV
| e |V
A
| e da
substituicao de k
n
por k
p
Modelo T
Embora o modelo apresentado anteriormente possa ser utilizado para
analisar o FET em opera cao com pequenos sinais, ha situacoes nas quais
um modelo alternativo e mais conveniente. Este modelo e denominado
Modelo T.
O modelo:
tensao, sendo v
gs
o sinal de
controle;
resistencia entre a porta e a fonte
1
g
m
;
para i
d
, e i
g
.
Modelo T
Embora o modelo apresentado anteriormente possa ser utilizado para
analisar o FET em opera cao com pequenos sinais, ha situacoes nas quais
um modelo alternativo e mais conveniente. Este modelo e denominado
Modelo T.
O modelo:
tensao, sendo v
gs
o sinal de
controle;
resistencia entre a porta e a fonte
1
g
m
;
para i
d
, e i
g
.
O
modelo pode ser expandido para considerar o efeito de r
0
como segue:
Amplicadores usando o FET Conguracoes basicas
Existem tres conguracoes basicas de amplicadores que utilizam um
unico FET como elemento principal.
Elas sao classicadas em funcao de qual dos terminais do transistor e
usado como terra de sinal, como segue:
Fonte comum (CS);
Porta comum (CG);
Dreno comum (CD) (seguidor de fonte).
Amplicadores usando o FET Amplicador fonte comum
Conguracao fonte comum basica
A gura apresenta uma conguracao fonte comum basica.
A fonte e conectada ao terra;
O sinal de entrada e a tensao aplicada entre a porta e o terra;
O sinal de sada e a tensao entre o dreno e o terra, entre os terminais
de R
D
;
E a conguracao mais popular com o FET.

Parametros caractersticos do amplicador fonte comum
A gura abaixo apresenta um amplicador fonte comum (com circuito de
polarizacao omitido) e o seu circuito equivalente com o MOSFET
substitudo pelo modelo -Hbrido.
A impedancia de entrada, R
in
e innita;
A tensao de sada e dada por v
0
= (g
m
v
gs
) (R
D
r
0
);
Como v
gs
= v
i
, o ganho de tensao de circuito aberto e
A
v0
=
v
0
v
i
= g
m
(R
D
r
0
);
Portanto, a resistencia de sada r
0
reduz a magnitude da ganho de tensao.
Em muitos casos, entretanto, dadas as ordens de grandeza de r
0
e R
D
,
pode-se desprezar r
0
e o seu consequente efeito na reducao de A
v0
. (Nao
e o caso em circuitos integrados);
A resistencia de sada R
0
e a resistencia observada no terminal de sada
(olhando de volta para o amplicador) com v
i
= 0. Nessa situacao,
v
gs
= 0 e, portanto, g
m
v
gs
= 0, o que resulta em R
0
= R
D
r
0
.
Observacoes
1
A impedancia de entrada e idealmente innita;
2
A impedancia de sada e de moderada a alta (de poucos k a dezenas
de k). Reduzir R
D
para valores abaixo de R
0
nao e uma proposta
viavel, uma vez que o ganho de tensao tambem e reduzido.
Alternativamente, se uma resistencia de sada baixa (de Ohms a
dezenas de Ohms) e necessaria, um estagio seguidor de fonte e
demandado;
3
O ganho de tensao de circuito aberto A
v0
pode ser alto, entretanto a
faixa de passagem do amplicador fonte comum e limitada.
Exemplo 4.1
Para o circuito abaixo, considere os seguintes parametros:
g
m
= 0.975mA/V, V
T
= 0.5V e = 0. Determine o ganho de tensao
para pequenos sinais do circuito.
Exemplo 4.1
O circuito equivalente para pequenos sinais e tal como segue, sendo aqui
apresentado com polaridades e sentidos de corrente invertidas com relacao
ao modelo apresentado para o transistor NMOS:
A tensao de sada e
V
0
= +g
m
V
sg
R
D
Exemplo 4.1
Escrevendo a KVL na malha de entrada (porta-fonte), tem-se:
V
i
= V
sg
g
m
V
sg
R
S
V
sg
=
V
i
1 + g
m
R
S
E substitundo a expressao de V
sg
na equacao da tensao de sada,
chega-se ao valor do ganho de tensao para pequenos sinais:
A
v
=
V
0
V
i
=
g
m
R
D
1 + g
m
R
S
=
(0.975)(10)
1 + (0.975)(3)
= 2.48
Exemplo 4.1
Observacoes
A analise do circuito com o transistor PMOS e essencialmente a mesma do
que contem um NMOS.
Um resistor de fonte R
S
tende a estabilizar o ponto quiescente com
relacao à variacoes de parametros do transistor. Se, por exemplo, o valor
do parametro de condutancia varia de um transistor para outro, o ponto Q
nao sera tao modicado caso um resistor de fonte seja utilizado.
Entretanto, a inclusao deste resistor tambem tem por efeito a reducao do
ganho do circuito.
Um amplicador fonte comum utiliza um MOSFET com V
A
= 12.5V
operado com V
OV
= 0.25V. Faca o que se pede:
(a) Determine o valor de g
m
r
0
;
(b) Sabendo que o amplicador e conectado a uma resistencia
R
L
= 15k e que o projetista especicou R
D
= 2R
L
, determine o
valor de g
m
para que o ganho de tensao total do circuito seja -10V/V;
(c) Especique a corrente I
D
;
(d) Determine o valor do ganho de tensao para o caso em que R
D
seja
reduzido para o valor de R
L
.
(a) Determine o valor de g
m
r
0
g
m
r
0
=
2I
D
V
OV
V
A
I
D
=
2V
A
V
OV
=
(2)(12.5)
0.25
= 100
(b) Sabendo que o amplicador e conectado a uma resistencia
R
L
= 15k e que o projetista especicou R
D
= 2R
L
, determine o
valor de g
m
para que o ganho de tensao total do circuito seja -10V/V;
10V/V = g
m
(2R
L
R
L
)
10V/V = g
m
(30k 15k)
10V/V = g
m
10k
g
m
= 1mA/V
(c) Especique a corrente I
D
I
D
=
V
OV
2
g
m
=
(0.25V)(1mA/V)
2
= 0.125mA
(d) Determine o valor do ganho de tensao para o caso em que R
D
seja
reduzido para o valor de R
L
A
v
= g
m
R
L
2
= 1mAV 7.5k = 7.5V/V
Amplicadores usando o FET Amplicador porta comum
Conguracao porta comum basica
A gura apresenta uma conguracao porta comum basica.
A porta e conectada ao terra;
O sinal de entrada e a tensao aplicada entre a fonte e o terra;
O sinal de sada e a tensao entre o dreno e o terra, entre os terminais
de R
D
;
Amplicadores usando o FET Amplicador dreno comum
Conguracao dreno comum basica
A gura apresenta uma conguracao dreno comum basica.
O dreno e conectado ao terra;
O sinal de entrada e a tensao aplicada entre a porta e o terra;
O sinal de sada e a tensao entre a fonte e o terra, entre os terminais
de R
L
;
Amplicadores usando o FET Comparacao entre as tres conguracoes basicas
Comparacao entre as tres conguracoes basicas
A gura apresenta uma comparacao entre as tres conguracoes basicas de
amplicadores com o FET.
Amplicadores usando o FET Resposta em frequencia
Bibliograa I
Adel S. Sedra & Kenneth C. Smith (2009)
Microelectronics Circuits, International 6th Edition
Adel S. Sedra & Kenneth C. Smith (2004)
Microelectronics Circuits, International 5th Edition

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FEN 05-01840 - ELETR

E o uso propositado da ciencia.

E qualquer conhecimento ou pratica sistematicos.

E um bloco funcional, um elemento de circuito, que aumenta a intensidade

E este estagio que permite a conexao do amplicador a uma carga de

= 40mA/V 2.5k = 100A/A

E a razao entre as amplitudes complexas dos sinais de sada e entrada de

E usual representar a amplitude em dB, fazendo o graco de

E o graco das amplitude e fase de uma funcao de transferencia em

entre os sinais de entrada e sada);

Prof. Teo Revoredo (DETEL/FEN/UERJ) Eletronica II 2014/1 - Rev.1m 96 / 214

dependem do valor da corrente de polarizacao I

Prof. Teo Revoredo (DETEL/FEN/UERJ) Eletronica II 2014/1 - Rev.1m 97 / 214

Pode-se gerar gracos no Matlab, a partir de vetores e/ou matrizes

O ttulo do graco, o nome dos eixos, as cores, os tipos de linha e

O comando subplot pode ser utilizado para inserir mais de um graco

Portanto o ganho e reduzido. Entretanto, se r

E vericado que a equacao simplicada prove uma boa aproximacao

E observado que o ganho de tensao e praticamente independente da

foi desconsiderado no projeto e, para uma corrente de coletor da

E a equacao da reta de carga DC e dada por:

= 1, a reta de carga DC e tal como sera apresentada a

nao e zero mas, sim, uma funcao da

Prof. Teo Revoredo (DETEL/FEN/UERJ) Eletronica II 2014/1 - Rev.1m 129 / 214

= 200) apenas para > 100. Portanto,

, a equacao pode ser reescrita como segue:

E possvel utilizar uma conguracao multitransistorizada denominada

=6dB a cada fator 2 de aumento

Prof. Teo Revoredo (DETEL/FEN/UERJ) Eletronica II 2014/1 - Rev.1m 162 / 214

Portanto, para 0 o resistor R

, tal como esperado para um amplicador

e a resistencia de difusao da juncao

e capacitancia de polarizacao reversa da

, entretanto, por conta do

e a resistencia de difusao da juncao

nao e mais igual a I

, uma vez que uma parte de I

pode ser escrita como:

Prof. Teo Revoredo (DETEL/FEN/UERJ) Eletronica II 2014/1 - Rev.1m 177 / 214

E o ganho de corrente de pequenos sinais, normalmente denotado por h

, entao o ganho de corrente para baixas frequencias e o

= 0.025pF. Determine a frequencia de 3dB do ganho de

= 0.02pF. O transistor e polarizado com

e a frequencia de corte de denida anteriormente. A

e tambem chamada de largura de banda do transistor.

nao pode realmente ser

e um elemento de realimentacao que conecta a sada de

Desse modo, pode-se formar um circuito equivalente tal como segue:

Que pode ser convertido para o seu equivalente Norton:

Formando o circuito equivalente a seguir:

(0.05pF), pode-se calcular

sera muito maior do que R

do segmento de circuito entre as linhas

E o circuito entre as linhas tracejadas pode ser substitudo pela

e denominado efeito Miller

, que seria a capacitancia de entrada caso C

) e 78, o que resulta em

. Um sinal pequeno de entrada V

de polaridade oposta na sada

. Portanto, a tensao atraves de C

, o que induz uma

pela capacitancia Miller equivalente o

= 4pF. Determine a frequencia de corte superior e o ganho na faixa de

, e multiplicada por um fator de 133