UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA

DOUGLAS DE FLORIO UBEDA ALMEIDA





RELATRIO EXPERIMENTAL DE SISTEMAS
DIGITAIS

MEMRIAS SEMICONDUTORAS








PATO BRANCO
2013
1. Introduo

A utilizao de uma memria para o armazenamento de dados um recurso
extremamente importante nos dias de hoje. Logo, essa necessidade de guardar
informaes foi o principal motivo para a criao das memrias semicondutoras. Ainda
que, em sistemas eletrnicos digitais esse tipo de tecnologia utilizado em dispositivos
com tcnicas distintas de informaes e armazenamentos, sendo aproveitadas conforme
a demanda do sistema em utilizao.
Evidentemente que, para o planejamento de um sistema de armazenamento e leitura
de informaes, necessrio atender as especificaes do projeto, ou seja, a maneira na
qual o dispositivo eletrnico ir operar para tal fim. Contudo, a prtica realizada no
laboratrio de sistemas digitais tem o objetivo de testar memrias de distintas
caractersticas em um sistema capaz de transferir dados para uma SRAM (Static
Random Access Memory) por meio de uma EPROM (Erasable Programmable Read
Only Memory). Ademais, montar um sistema simulado em software (Multisim 11.0), no
qual uma memria SRAM 6116 receba dados, tanto de um operador atuando
externamente, quanto de uma memria EPROM utilizando um Buffer.

2. Objetivos

2.1. Geral
Testar o funcionamento de um sistema digital composto por uma memria
EPROM e uma SRAM.
Simular um circuito de armazenamento de informaes para uma memria
SRAM por meio de dados externos ou de uma memria EPROM.

2.2. Especfico
Gravar dados armazenados na EPROM para leitura dos mesmos na SRAM,
analisando as funcionalidades de cada uma das memrias apresentadas;
Identificar os barramentos de dados de cada uma das memrias bem como os
pinos do buffer;
Compreender o conceito de volatilidade das memrias semicondutoras;
Verificar os benefcios ao usar uma memria no voltil para o processamento
de informaes;
Analisar, na simulao, a utilizao de um buffer no barramento de dados do
circuito para armazenar, na memria SRAM, os dados da EPROM e externos
atravs dos barramentos de endereos;
Praticar leitura de data sheets;

3. Materiais Utilizados

Mdulo Digital Datapool 8810 (n 04);
Fios condutores;
Alicate;
Memria EPROM NM27C256;
Memria SRAM 6116;
Software Multisim 11.0.

4. Fundamentao Terica

A maior vantagem dos sistemas digitais sobre os analgicos a habilidade de
armazenar facilmente grandes quantidades de informaes digitais muito versteis e
adaptados a muitas situaes. Por exemplo, em um computador digital, a memria
interna principal armazena instrues que informa ao computador o que fazer sob todas
as circunstncias possveis para que o computador faa a tarefa com um mnimo de
interveno humana. (fonte: TOCCI, 2003, p.565)
Embora cada tipo de memria seja diferente em sua operao interna, certos
princpios bsicos de operao so os mesmos para todos os sistemas de memria. Uma
compreenso dessas ideias bsicas ajudar no estudo dos dispositivos individuais de
memria.
Todo sistema de memria requerer diversos tipos diferentes de linhas de entrada e
de sada para realizar as seguintes funes:
Selecionar o endereo na memria que est sendo acessado por uma
operao de leitura ou de escrita.
Selecionar uma operao de leitura e escrita para ser realizada.
Fornecer os dados de entrada para serem armazenados na memria durante a
operao de escrita.
Manter os dados de sada vindos de memria durante uma operao de
leitura.
Habilitar (ou desabilitar) a memria de modo que ela responda (ou no) s
entradas de endereo e ao comando de leitura ou de escrita. (Fonte: TOCCI,
2003, p.569)

ROM programvel e apagvel (Erable Programale ROM - EPROM)

Uma EPROM pode ser programada pelo usurio e tambm pode ser apagada e
reprogramada quantas vezes for desejado. Uma vez programada, a EPROM uma
memria no voltil que mantm indefinidamente os dados armazenados. O processo
para a programao de uma EPROM envolve a aplicao de nveis especiais de tenso
(normalmente na faixa de 10 a 25 V) nas entradas apropriadas do chip durante um
intervalo de tempo especfico (normalmente, 50 ms por endereo). O processo de
programao geralmente realizado por um circuito de programao especial que
separado do circuito no qual a EPROM esteja operando normalmente. O processo
completo de programao pode durar at vrios minutos para um chip EPROM.
Uma vez que uma clula de EPROM foi programada, ela pode ser apagada pela
exposio da mesma luz ultravioleta (UV) aplicada por uma janela no chip. A luz
produz uma foto-corrente da porta flutuante para o substrato de silcio, removendo,
portanto, a carga armazenada, desligando o transistor e o restaurando a clula para o
estado lgico um. Esse processo de apagamento requer normalmente de 15 a 20 minutos
de exposio a raios ultravioletas. Uma vez apagada, a EPROM pode ser reprogramada.
(Fonte: TOCCI, 2003, p.581)
A memria EPROM NM27C256 utilizada tem capacidade de armazenamento de
262.144 bits de dados divididos em 32.768 endereos, no qual cada um fica responsvel
pelo armazenamento de oito bits da informao total representada como sendo uma
memria EPROM 32K x 8 ou 32KBytes. (Fonte: DATASHEET EPROM, 1993)
Os endereos unidirecionais a serem gravados ou lidos na EPROM so
representados pelos pinos entre A0 e A14. Entretanto, para armazenar ou fazer uma
busca na memria os bits a serem combinados so representados pelos pinos entre O0 e
O7 como mostrado na figura 1. (Fonte: DATASHEET EPROM, 1993)

Figura 1: Memria EPROM NM27C256
Fonte: Datasheet CMOS EPROM NM27C256 (National Semiconductor, 1993)

OE/PGM : Habilitar ou programar o chip
OE: Responsvel por habilitar a leitura dos dados armazenados, operado em nvel
lgico baixo.
Ademais, o dispositivo deve estar alimentado atravs dos pinos VCC e GND para
que as funes de habilitao do chip, programao e habilitao da leitura dos dados na
memria aconteam. Alm disso, so necessrias algumas combinaes entre as tenses
aplicadas aos terminais do barramento de controle, estabelecendo uma lgica
especificada pelo fabricante do chip. Observe na Tabela abaixo o funcionamento da
EPROM NM27C256:

Mode

OE

VPP VCC Outputs

Read VIL VIL VCC 5.0V DOUT
Output Disable X VIH VCC 5.0V High-Z
Standby VIH X VCC 5.0V High-Z
Programming VIL VIH 12.75V 6.25V DIN
Program Verify VIH VIL 12.75V 6.25V DOUT
Program Inhibit VIH VIH 12.75V 6.25V High-Z
Tabela 1: Funes Memria EPROM NM27C256.
Fonte: Datasheet CMOS EPROM NM27C256 (National Semiconductor, 1993).

Memrias RAM
As memrias RAM permitem a escrita e leitura dos dados e possuem acesso
aleatrio ou randmico. Vem da o nome RAM (Random-Access Memory). Alm disso,
so volteis, pois perdem seus dados armazenados com o desligamento da alimentao.
Possuem, ainda, um tempo de acesso muito reduzido, sendo utilizadas em equipamentos
digitais principalmente como memrias de programas e dados para armazenamento de
forma temporria, pois, em funo de volatilidade, estes so perdidos no desligamento
ou interrupo de energia. (Fonte: IDOETA, 2004, p.416 )
A memria semicondutora RAM 6116 tem capacidade de armazenamento de 16384
bits de informaes divididos em 2048 endereos, ou seja, cada endereo pode
armazenar uma palavra de oito bits, podendo ser representada por 2K x 8 ou 2KBytes.
Uma RAM, assim especificada, possui endereos a serem gravados atravs das
combinaes dos decodificadores de endereos nas portas A0 at A10 e so
unidirecionais. Para a gravao e leitura de dados utilizam-se as portas, em ingls, I/O0
at I/O7 ou em portugus D0 e D7 que se diferenciam por serem bidirecionais, pois so
usadas tanto para entrada quanto para sada de dados. Porm, para que todo esse
processo ocorra com preciso, necessrio habilitar cada uma das funes atravs do
barramento de controle descrito na tabela verdade da RAM, representados pelos pinos
habilitar chip, habilitar escrita e habilitar leitura, tambm denominados pinos CS,
WE, OE,
respectivamente, apresentados na Tabela 2, cujo funcionamento ocorre em nvel lgico
baixo. (Fonte: DATASHEET STATIC RAM, 2001)


Figura 2: Memria Esttica RAM 6116.
Fonte: Datasheet CMOS Static RAM 16K (Integrated Device Technology, 2001).

Na Tabela: Habilitao do barramento de controle da SRAM

Mode

I/O
Standby H X X High-Z
Read L L H
DATAou
t
Read L H H High-Z
Write L X L DATAin
Tabela 2: Tabela Verdade Memria Esttica RAM 6116.
Fonte: Datasheet CMOS Static RAM 16K (Integrated Device Technology, 2001).

Buffers

Buffers de transferncia de dados so frequentemente denominados buffers lineares.
Logo que todas as posies do buffer estejam carregadas, nenhuma entrada a mais de
dados realizada at que o buffer seja esvaziado. Desse modo, nenhuma das
informaes antigas perdida. (Fonte: TOCCI, 2003, p.621)
A principal caracterstica do buffer 74SL244 transmitir dados somente em uma
direo quando habilitado, assim possibilitando ora a passagem de dados diretamente
para a memria, ora deixando com que os dados na memria sigam at os barramentos
de dados.
O circuito integrado do buffer possui vrios pinos, nos quais dois deles para controle
de leitura e o restante para entrada e sada de dados conforme a figura 3.
A habilitao atravs do terminal CS, possibilita as conexes das sadas (nvel 0), ou
as deixa em alta impedncia (nvel 1), desconectando-as da barra de dados do sistema.


Figura 3: Buffer 74LS241N.
Fonte: Datasheet Buffer 74LS241N (Texas Instruments, 2010).

O funcionamento do buffer feito atravs de combinaes entre os nveis lgicos
aplicados sobre os terminais de controle do dispositivo relacionados na Tabela 3 abaixo:

INPUTS OUTPUT

2G 1A 2 Y
L H H H H
L H L L L
H L X X Z
Tabela 3: Tabela Verdade Buffer 74LS241N.
Fonte: Adaptado Datasheet Buffer 74ALS244 (Texas Instruments, 1995).




5. Procedimentos

Na primeira parte da prtica, com as informaes das folhas de dados, os
conhecimentos tericos de cada memria, as memrias EPROM 27C256 e uma SRAM
6116, so possveis projetar um circuito para transferncia das informaes inicialmente
gravada na EPROM para a SRAM como visto na Figura 4.


Figura 4: Armazenamento de dados da EPROM 27C256 para a RAM 6116

Evidentemente que, as duas memrias EPROM e SRAM possuem o mesmo nmero
de endereos, porm usam-se apenas oito localidades de cada uma das memrias para
melhor anlise do experimento. Portanto, ao trabalhar com um nmero limitado de
posies, o operador tem a possibilidade de combinar somente os bits de endereo
referente aos A2, A1 e A0, com o A0 sendo o bit menos significativo (LSB). Por
seguinte, os demais bits ficam com nvel lgico baixo. evidente que, ao visualizar os
endereos habilitados na EPROM, pode-se garantir que so os mesmo habilitados na
SRAM, pois esto trabalhando em curto-circuito.
Pode ser notado que, o uso do buffer ainda no necessrio no circuito, pois quando
os dados da memria EPROM so lidos o chip da memria SRAM desabilitado e
vice-versa, por consequncia, no causando conflito de informaes.
Logo mais, necessrio projetar um sistema no simulador multisim que utiliza uma
memria do tipo SRAM na qual tenha a funo de armazenar dados, ora externamente
U1
27C256-12L
A9
28
A8
29
A7
4
A4
7
A5
6
A6
5
A3
8
A1
10
A2
9
A0
11
OE
25
CE
23
A10
24
O0
13
O1
14
O2
15
O3
18
O4
19
O5
20
O6
21
O7
22
A11
27
A12
3
A13
30
A14
31
U2
HM6116A120
A9
22
A8
23
A7
1
A4
4
A5
3
A6
2
A3
5
A1
7
A2
6
A0
8
~OE
20
~CS
18
A10
19
I/O0
9
I/O1
10
I/O2
11
I/O3
13
I/O4
14
I/O5
15
I/O6
16
I/O7
17
~WE
21
A0
Key = E
A1
Key = W
A2
Key = Q
VCC
5V
Address_Bus
OE1
Key = T
CE1
Key = Y
Control_Bus_1
WE
Key = U
OE2
Key = I
CS2
Key = O
VCC
5V
Control_Bus_2
A
Data_Bus
Indicadores
atravs de um usurio, ora por meio de uma memria EPROM. Da mesma forma que o
circuito da figura 4, foi utilizado apenas oito posies para essa simulao. Contudo,
para a leitura dos dados utilizado dois displays DCD_HEX de sete segmentos
conforme o circuito da Figura 5.
Evidentemente que, para a transio de dados ocorrera seria necessrio a utilizao
de um buffer no barramento de dado (data buss) de forma que o circuito proposto
execute as operaes eficientes, sem que haja conflito no trfego de dados.


Figura 5: Armazenamento de dados na Memria SRAM .


6. Resultados e Discusso

Primeiramente, transferindo os dados contidos na EPROM para uma memria
SRAM por meio da execuo do circuito representado pela Figura 4, foram obtidos os
dados abaixo na tabela 4.


U3
27C256-12L
A9
28
A8
29
A7
4
A4
7
A5
6
A6
5
A3
8
A1
10
A2
9
A0
11
OE
25
CE
23
A10
24
O0
13
O1
14
O2
15
O3
18
O4
19
O5
20
O6
21
O7
22
A11
27
A12
3
A13
30
A14
31
U4
HM6116A120
A9
22
A8
23
A7
1
A4
4
A5
3
A6
2
A3
5
A1
7
A2
6
A0
8
~OE
20
~CS
18
A10
19
I/O0
9
I/O1
10
I/O2
11
I/O3
13
I/O4
14
I/O5
15
I/O6
16
I/O7
17
~WE
21
U12
74LS241N
1Y1
18
1Y2
16
1Y3
14
1Y4
12
2Y1
9
2Y2
7
2Y3
5
2Y4
3
1A1
2
1A2
4
1A3
6
1A4
8
~1G
1
2A1
11
2A2
13
2A3
15
2A4
17
2G
19
A0
Key = Q
A1
Key = W
A2
Key = E
OE1
Key = R
CS1
Key = T
A0_
Key = Y
A1_
Key = U
A2_
Key = I
WE2
Key = O
OE2
Key = P
CS2
Key = A
D7
Key = S
D6
Key = D
D5
Key = F
D4
Key = G
D3
Key = H
D2
Key = J
VCC
5V
VCC
5V
VCC
5V
D1
Key = K
D0
Key = L
2G
Key = B
1G
Key = B
Address_Bus_1
Control_Bus_1
Data_Bus
Address_Bus_2
Control_Bus_2
Data_Bus
DadosExternos
Control_Buffer
A0(1)
A1(2)
A2(3)
A0(1)
A1(2)
A2(3)
OE1(4)
CS1(5)
OE1(4)
CS1(5)
D
0
(
1
3
)

D
1
(
1
2
)

D
2
(
1
1
)

D
3
(
1
0
)

D
4
(
9
)

D
5
(
8
)

D
6
(
7
)

D
7
(
6
)

D
0
(
1
3
)

D
1
(
1
2
)

D
2
(
1
1
)

D
3
(
1
0
)

D
4
(
9
)

D
5
(
8
)

D
6
(
7
)

D
7
(
6
)

D
7
(
6
)

D
6
(
7
)

D
5
(
8
)

D
4
(
9
)

D
3
(
1
0
)

D
2
(
1
1
)

D
1
(
1
2
)

D
0
(
1
3
)

A0(14)
A1(15)
A2(16)
A0(14)
A1(15)
A2(16)
WE2(17)
OE2(18)
CS2(19)
WE2(17)
OE2(18)
CS2(19)
D7(6)
D6(7)
D5(8)
D4(9)
D3(10)
D2(11)
D1(12)
D0(13)
D7(20)
D6(21)
D5(22)
D4(23)
D3(24)
D2(25)
D1(26)
D0(27)
D7(20)
D6(21)
D5(22)
D4(23)
D3(24)
D2(25)
D1(26)
D0(27)
G1(28)
G2(29)
G2(29)
G1(28)
Tabela 4 Gravaes e Leituras de dados na SRAM 6116 e EPROM 27C256
Endereos de
Memria
Dados EPROM
(Binrio)
Dados EPROM
(Hexadecimal)
Dados SRAM
(Binrio)
Dados SRAM
(Hexadecimal)
000 01011001 59 01011001 59
001 10100110 A6 10100110 A6
010 11111111 FF 11111111 FF
011 11001100 CC 11001100 CC
100 11111111 FF 11111111 FF
101 11111111 FF 11111111 FF
110 11111111 FF 11111111 FF
111 00110011 33 00110011 33

No sistema representado na Figura 5, os dados armazenados na memria
EPROM ou os dados externos, podem ser transferidos para a memria SRAM
apresentados na Tabela 5 abaixo.

Tabela 5 Gravaes e Leituras de dados na SRAM 6116 atravs da EPROM 27C256 ou
manualmente com dados externos.
Endereos de
Memria
Dados
EPROM
(Binrio)
Dados EPROM
(Hexadecimal)
Dados
Externos
(Binrio)
Dados
Externos
(Hexadecimal)
Dados SRAM
(Binrio)
Dados SRAM
(Hexadecimal)
000 11100000 E0 11111111 FF 11100000 E0
001 01100111 67 11010011 D3 01100111 67
010 00011111 1F 01111101 7D 00011111 1F
011 10011000 98 10100011 A3 10011000 98
100 00011111 1F 00111001 39 00111001 39
101 00011111 1F 01001010 4A 01001010 4A
110 10011000 98 01010101 55 01010101 55
111 11100000 E0 10101011 AB 10101011 AB

Os dados de entrada controlados pelo usurio, apresentados na Tabela 5, so
distintos daqueles gravados na EPROM, para poder diferenciar melhor as informaes
na memria SRAM.
Para a gravao de dados da EPROM para a SRAM, necessita-se de desabilitar o
buffer, alm disso, os chips devem estar habilitados por meio do pino Chip Enable. E,
ainda, a EPROM deve estar no modo de leitura por meio da chave OE e a SRAM com
seu modo de escrita habilitados pelo pino WE.
Na utilizao do buffer para armazenamento de dados externos na memria SRAM,
o chip da EPROM tem que estar desabilitado para a introduo de informaes por
meio do barramento de dados. Ademais, a memria a ser armazenada deve estar
desabilitada e no modo de escrita.
Por fim, logo aps as gravaes de dados na memria SRAM, a leitura dos dados na
mesma ocorre desabilitando o buffer e a escrita, e habilitando a leitura no pino OE da
SRAM.
Observando a Tabela 5, nota-se que os quatros primeiros dados da EPROM
armazenados nas primeiras posies de endereo so exatamente iguais aos lidos na
memria SRAM. O mesmo ocorre com os dados enviados externamente pelo usurio,
porm, alocados nos quatro ltimos endereos de memria e demostrados na mesma
tabela, ou seja, os dados armazenados na SRAM eram originados ou da EPROM ou do
barramento de dados externos criado no circuito.
7. Concluses

No final da prtica, com os resultados obtidos nas Tabelas 4 e 5, a teoria sobre
memrias semicondutoras e a compreenso da funcionalidade dos buffers, foi possvel
concluir o funcionamento das memrias EPROM 27C256 e SRAM 6116 e identificar
suas principais caractersticas tais como: Quantidade de endereos, sua capacidade de
bits armazenados, identificao dos barramentos, controle do fluxo de dados,
volatilidade e tempo de acesso.
Ademais, comparando as caractersticas essncias das memrias utilizadas, pode-se
observar que, quando suas alimentaes eram interrompidas perdiam-se os dados na
memria SRAM e, ao contrrio da EPROM, permaneciam intactos a no se que seja
submetido a raios ultravioletas por um perodo de tempo suficiente para apagar seus
dados e, assim, podendo utiliza-la novamente no projeto em uma possvel regravao de
informaes. Esse tipo de caracterstica denominado no voltil.
Logo mais, ouve a necessidade de implementar um buffer no sistema simulado no
multisim para que o mesmo auxiliasse na gravao de dados externos. Contudo,
analisando o funcionamento do buffer 74ALS244 no circuito, pode-se obter a
concluso, relatado em sala de aula, de que o fluxo de entrada e sada de dados pode ser
controlado pelo mesmo, adquirindo uma melhor funcionalidade do circuito proposto
sem que haja conflito de dados externos com os dados transmitidos da EPROM para a
SRAM.
Portanto, conclui-se que, tanto as memrias EPROM quanto as SRAM possuem
terminais referente ao controle, leitura e escrita dos dados armazenados, porm o que
diferencia uma da outra seria o tipo de armazenamento e a forma com que estes dados
so armazenados. Ainda que, na gravao de dados, as memrias podem adquirir
informaes tanto internamente por meio de outra memria, quanto externamente por
um usurio.

8. Dificuldades

Inicialmente, a prtica ocorreu como previsto, porm, tomando como dificuldade no
experimento foi a memria EPROM 27C256, na qual no estava em condies de
funcionamento, foi possvel testar 3 memrias desse tipo, contudo a ltima memria
semicondutora testada foi a usada no circuito montado.
Outra dificuldade encontrada foi durante o processo de simulao do segundo
circuito no multisim, pois um dos integrantes do grupo desistiu da prtica ocasionando,
assim, um perodo grande de tempo para a montagem do circuito no simulador e no
relatrio da prtica em si. Ainda, mesmo conhecendo algumas ferramentas do
simulador, uma nova havia sido citada, a Place Bus, usada para criao dos
barramentos, porm, com alguns estudos sobre essa ferramenta, o circuito foi montado
sem mais problemas.

9. Referncias

Integrated Device Technology. Datasheet: IDT6116SA, IDT6116LA. 2001.

National Semiconductor Corporation. Datasheet: NM27C256. 1993.

Texas Instruments. Datasheet: SN74LS240, SN74LS241, SN74LS244, SN74S240,
SN74S241, SN74S244. 2010.

TOCCI, Ronald J.; WIDMER, Neal S.; MOSS, Gregory L. Sistemas
digitais: princpios e aplicaes. 8. ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, c2003.

IDOETA, Ivan Valeije; CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos de Eletrnica
Digital. 36.ed. So Paulo: rica, 2004.