Electrnica Bsica

3. Anlisis Circuitos Electrnicos

Bsicos. Transistores
Anlisis Circuitos Electrnicos Bsicos.
Transistores
Objetivos especficos:
Explicar el fundamento de los distintos tipos de transistores
Distinguir sus caractersticas de funcionamiento.
Analizar circuitos con transistores BJT , FET y MOSFET en C.C.
Anlisis de pequea
Analizar las hojas de caractersticas fsicas de los dispositivos
(Circuito Integrado).
INDICE
3.1. Circuitos con transistores, amplificadores de una
etapa.
a. Seguidores de Emisor.
b. Margen Dinmico.
c. Respuesta en frecuencia.
3.2. Amplicadores multietapa.
3.3. Familias lgicas.
Introduccin a los Transistores
Contenidos:
1. Conceptos bsicos de transistor bipolar.
Caractersticas del Transistor Bipolar
Recta de Carga Esttica.
Circuitos de Polarizacin de transistores BJT.
Ejemplos.
2. Conceptos bsicos de transistor JFET.
Caractersticas del Transistor JFET.
Recta de Carga Esttica.
Circuitos de Polarizacin de transistores JFET.
Ejemplos.
3. Amplificadores con Transistores
Modelos de pequea seal (parmetros H)
Modelo de BJT en pequea seal.
Anlisis DC.
Anlisis AC.
Ejemplos de amplificadores
Par Dalington.
Amplicadores multietas.
Otros
Respuesta en frecuencia (Diagrama de Bode)
Caractersticas del Transistor Bipolar
Para la utilizacin de un transistor es necesario conocer:
el tipo de encapsulado,
el esquema de identificacin de los terminales y
los valores mximos de tensiones, corrientes y
potencias (dependiente de la temperatura) que no
debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo.
Todos estos valores crticos los proporcionan los
fabricantes en las hojas de caractersticas de los
distintos dispositivos.
Caractersticas del
Transistor Bipolar
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente
de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).
2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin
(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y
en especial Ic).
4. ACTIVA INVERSA: los terminales colector y emisor se intercambian, es decir, el emisor hace
la funcin de colector y viceversa. Las curvas elctricas son muy similares a las indicadas
en la figura aunque las prestaciones del transistor sufren una gran disminucin al carecer
de simetra. El efecto ms importante es la disminucin de la ganancia en corriente en
continua que pasa a tener valores altos (p.e., F=200) en la regin directa lineal a valores
bajos (p.e., I=2) en la regin inversa lineal.
NPN PNP
V
CB
0V
Caractersticas del transistor
Bipolar
Unin de
emisor
Unin
Colector
Modo de
operacin
Caractersticas
Directa Inversa Activa directa
V
BE
comprendida entre 0.4 y
0.8 V

F
=
F
/(1-
F
),
F
h
FE
I
C
/I
B
Inversa Directa Activa inversa
F
muy bajo
Inversa Inversa Corte
V
BE
y V
BC
tiene tensiones
inferiores a 100mV (0V),
Corrientes Ie y Ic muy bajas
Directa Directa Saturacin
V
CE
(sat)= V
BE
(sat) - V
BC
(sat)
V
CE
(sat)=0.1 0.2 V
V
BE
(sat) 0.8 ,
F
(sat) <
F
Corrientes en un transistor bipolar:
Modelo de Ebers-Moll
Donde I
ES
y I
CS
son corrientes de saturacin y
F
factor de
defecto y
R
la fraccin de inyeccin de portadores
minoritarios.
Caractersticas del Transistor Bipolar
) 1 e ( I ) 1 e ( I I
) 1 e ( I ) 1 e ( I I
T
BC
T
BE
T
BC
T
BE
V
V
CS
V
V
ES F C
V
V
CS R
V
V
ES E
=
=

{
NPN para V V V
PNP para V V V C B E
BE CB CE
EB BC EC
con I I I
+ =
+ =
+ =
CS R ES F
I I =
Recta de Carga Esttica
{
C B
CE BE
I I
V V CE C CE C BE B C
V I V I V I P
<<
<<
+ =
Potencia de disipacin esttica mxima P
Cmax
C CQ CC CEQ
BQ FE CQ
BE
B
BE CC
B
R I V V
I h I
V 7 . 0 V para
R
V V
I
=
=
=

=
Funcionamiento en la zona lineal:
Punto de trabajo en CC
Zona lineal
Saturacin
Corte
Circuitos de Polarizacin de transistores BJT
( )
E C C CC CE
E FE B
BE CC
B
FE C B
E
FE
FE
C C CC CE
B FE C
E FE B
BE CC
B
R R I V V
R h R
V V
I
entonces 1 h para I I Si
R
h
h 1
R I V V
I h I
R ) h 1 ( R
V V
I
+ =
+

=
>>> <<<

+
+ =
=
+ +

=

+
+ =
=
+ +

=
E
FE
FE
C C CC CE
B FE C
E FE B
BE BB
B
R
h
h 1
R I V V
I h I
R ) h 1 ( R
V V
I
Polarizacin de Tensin de base constante
Polarizacin de Corriente de base
Circuitos de Polarizacin de transistores BJT
BE B B CE
B FE C
E C FE B
BE CC
B
V R I V
I h I
) R R )( h 1 ( R
V V
I
+ =
=
+ + +

=
2 B 1 B
CC 1 B
BB 2 B 1 B B
E
FE
FE
C C CC CE
B FE C
E FE B
BE BB
B
R R
V R
V y R R R para
R
h
h 1
R I V V
I h I
R ) h 1 ( R
V V
I
+
= =

+
+ =
=
+ +

=
Autopolarizacin
Polarizacin de Colector- base
Conceptos bsicos sobre amplificadores
El amplificador es el bloque funcional ms importante de un sistema electrnico
Un amplificador produce una salida con la misma forma que la seal de entrada pero amplificada
) ( ) (
0
t v A t v
i v
=
Donde Av es la ganancia
en tensin del amplificador
Vi(t) la seal de entrada,
V0(t) la seal de salida y
RL la resistencia de carga
Modelos de amplificador
4 modelos: 1) Modelo de amplificador de tensin
2) Modelo de amplificador de corriente
3) Modelo de Amplificador de transconductancia
4) Modelo de amplificador de transresistencia
Los mas habituales son los dos primeros
Entra Sale [A
vo
] R
i
R
o
Modelo
Tensin V V A
V
=V/V

0
Corriente I I A
I
=I/I 0

Trans-
conductancia
V I A
G
=I/V

Trans-
impedancia
I V A
Z
=V/I 0 0
+
_
+
_
Av
e
R
o
R
i
Ai
e
R
o
R
i
Av
e
R
o
R
i
+
_
+
_
Ai
e
R
o
R
i
Tipos de Amplificadores
Modelo de amplificador de tensin
Se modela el amplificador usando una fuente de tensin controlada por tensin
Ri es la resistencia de entrada, esta es la resistencia que presenta el amplificador entre
sus dos bornes de entrada
R0 es la resistencia de salida, esta en serie con la fuente controlada
as se tiene en cuenta la reduccin de tensin que se produce al suministrar corriente a la carga
AV0 es la ganancia de tensin en circuito abierto, sino se tiene la carga conectada
i v
v A v =
0 0
En ese caso
Amplificador ideal de tensin: Ri = y R0 = 0
O L
L
i VO O
R R
R
v A v
+
=
s i
i
s i
R R
R
v v
+
=
Ganancia de tensin
i
v
v
v
A
0
=
i
i
i
i
A
0
=
i
i
i
R
v
i =
L
R
v
i
0
0
=
L
i
v
L
i
i
i
i
L
i
i
R
R
A
R
R
v
v
R
v
R
v
i
i
A = = = =
0
0
0
Ganancia de potencia
i
P
P
G
0
=
Donde Pi es la potencia que entrega la fuente de seal a los terminales de entrada
P0 es la potencia de salida
i i i
I V P =
0 0 0
I V P =
Ganancia de corriente
Se puede expresar en funcin de la ganancia de tensin
( )
L
i
v i v
i i i
R
R
A A A
I V
I V
P
P
G
2
0 0 0
= =

= =
L
L
v v
R R
R
A A
+
=
0
0
Aplificadores en cascada A
v
= A
v1
A
v2
Aplificadores en cascada A
v
= A
v1
A
v2
Modelo de Amplificador de Corriente
A
isc
es la ganancia en corriente en cortocircuito
Al usar R
0
en paralelo con la fuente de intensidad hacemos que la intensidad i
0
que proporciona el amplificador dependa del valor de la carga
Si cortocircuitamos la salida entonces no pasaria intensidad por R
0
y i
0
= A
isc
i
i
Paso del modelo de tensin a intesidad
0
0
0
R
R
A
i
i
A
i
v
i
sc
isc
= =
i
i
i
R
v
i =
0
0
0
R
v
i
SC
=
Fuentes de alimentacin
Proporciona potencia
a los circuitos internos de los amplificadores
Potencia proporcionada: P
s
= V
AA
I
A
+ V
BB
I
B
Esquema de flujo de potencia
Rendimiento:
% 100
0
=
s
P
P

Saturacin del amplificador

La salida nunca puede exceder
los valores de las fuentes de
alimentacin.
Para evitar la distorsin
debe cumplirse:
L
A
V
L
A
V
i
V
+

Caracterstica real del amplificador
La linealidad del amplificador
se limita a un rango concreto:
1.- Polarizacin, aplicar
tensiones dc para situarnos
en Q (pto. de polarizacin).
2.- Superponer una tensin
pequea y variable.
; log 10 log 20 log 20
: decibelios en Ganancia
P I V
A ; A ; A
Ganancia en funcin de la frecuencia
Circuito para prevenir el acoplamiento en continua
Solo se amplifica la seal alterna
Ancho de banda
B = f
H
- f
L
Frecuencias de corte
t
Ej. Amplificador inversor (Emisor Comn)
Cuadripolos
Configuraciones de amplificadores con transistores BJT
Emisor Comn Colector Comn Base Comn
Modelo equivalente de p. seal del BJT
Caractersticas del Transistor de
Unin de Efecto de Campo (JFET)
Para la utilizacin de un transistor es necesario conocer:
el tipo de encapsulado,
el esquema de identificacin de los terminales y
los valores mximos de tensiones, corrientes y potencias
(dependiente de la temperatura) que no debemos sobrepasar para
no destruir el dispositivo.
Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas
de caractersticas de los distintos dispositivos.
Caractersticas del
Transistor JFET
Zonas de funcionamiento del transistor JFET:
1.Zona hmica o Lineal: El transistor se comporta como una resistencia variable dependiente de
V
GS
. Los fabricantes proporcionan r
DS
(0n) para diferentes valores de V
GS
.
2.SATURACIN: En esta zona el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente
dependiente de V
GS
.
3.CORTE: el transistor no conduce I
D
=0A. V
GS
(off) V
p
es negativa y se le llama en estas
condiciones tensin de estrangulamiento o pinch off.
4.Zona de Ruptura: se produce cuando entre los terminales del transistor se somete a una alta
tensin provocando la ruptura por avalancha a travs de la unin de puerta. Los fabricantes
indican V
GS
con la puerta cortocircuitada con la fuente (BV
DSS
) su valor est comprendido entre 20
a 50 V.
La polarizacin de un JFET exige que las
uniones p-n estn inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n la tensin de
drenador debe ser mayor que la de la fuente
para que exista un flujo de corriente a travs
de canal. Adems, la puerta debe tener una
tensin ms negativa que la fuente para que
la unin p-n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas polarizaciones se
indican en la figura.
Caractersticas del transistor
JFET
Modo de operacin Caractersticas
hmica o Lineal
Comportamiento resistencia variable controlada por V
GS,
R
d
Zona de Ruptura
Tensin de ruptura entre drenador y fuente con la puerta cortocircuitada BV
DSS
, 20V
BV
DSS
50V
Corte I
D
=0A, R
d
=, | V
GS
|>| V
P
|
Saturacin
Amplificacin (fuente de corriente controlada por V
GS
)
I
D
independiente V
DS
. I
DSS
(V
GS
=0V) Corriente de saturacin
GS P DS DS P GS P GS
P
2
3
GS
2
3
P
GS DS
DS
D
DS
p
GS
DS
d
V V V V V V , V V
V
V
V
V V
3
2
V
I
1
) on ( r
V
V
1
) on ( r
R
>

=
P GS DS P GS
2
P
GS
DSS D
V V V y V V
V
V
1 I I
>

=
Recta de Carga Esttica de
JFET
Funcionamiento en la regin de saturacin:
GS P DS P GS DS P GS
2
P
GS
DSS D
V V V o V V V y V V
V
V
1 I I
> >

=
Principales Aplicaciones de
JFET
APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador
(buffer)
Impedancia de entrada alta y de
salida baja
Uso general, equipo de medida, receptores
Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores, generadores de seales
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medicin, equipos de prueba
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de CC, sistemas de control de direccin
Resistor variable por
voltaje
Se controla por voltaje
Amplificadores operacionales, rganos electrnicos,
controlas de tono
Amplificador de baja
frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Audfonos para sordera, transductores inductivos
Oscilador Mnima variacin de frecuencia Generadores de frecuencia patrn, receptores
Circuito MOS digital Pequeo tamao Integracin en gran escala, computadores, memorias
Circuitos de Polarizacin de transistores JFET
DS L D DD
GG GS
2
P
GS
DSS D
V R I V
V V
V
V
1 I I
+ =
=

=
Polarizacin Simple
Autopolarizacin
( )
DS S L D DD
S D GS
2
P
GS
DSS D
V R R I V
R I V
V
V
1 I I
+ + =
=

=
V
DD
V
DD
Circuitos de Polarizacin de transistores JFET
Ejemplo
2
I R
V
R
V
2
I R
V
I , 0
R
V
R
V
2
I R
V
I I
,
V
R I
V
R I 2
1 I I
V que signo igual V ,
V
R I
1 I I
I I adems , 0 V y 0 V : n canal JFET s Condicione
R I V
V
V
1 I I
2
DSS
4
S
4
P
S
P
DSS
2
S
2
P
D
2
S
2
P
S
P
DSS
2
S
2
P
D
2
D
2
P
2
S
2
D
P
S D
DSS D
P GS
2
P
S D
DSS D
DSS D GS P
S D GS
2
P
GS
DSS D
+
= = +

+ =

=
< <
=

=
verdadera respuesta V V V 1 V mA 1 I
falsa respuesta V V V 4 V mA 4 I
V 2 V y K 1 R , M 1 R , mA 4 I Para
P GS GS 2 D
P GS GS 1 D
P s G DSS
< = =
> = =
= = = =
V
DD
Circuitos de Polarizacin de transistores JFET
Ejemplo
( )
0
R
V V 2 V V
R
V V
2
I R
V
I I
,
V
V V R I 2 R I
V
V R I 2
1 I I
V que signo igual V ,
V
V R I
1 I I
I I adems , 0 V y 0 V : n canal JFET s Condicione
R I V V
V
V
1 I I
2
S
P GG
2
GG
2
P
S
GG P
DSS
2
S
2
P
D
2
D
2
P
2
GG GG S D
2
S
2
D
P
GG S D
DSS D
P GS
2
P
GG S D
DSS D
DSS D GS P
S D GG GS
2
P
GS
DSS D
=
+ +
+

+
+

+
+

=
< <
=

=
V
DD
A 365 , 2 I
V 2 V y V 9 , 1 V , K 1 R , M 1 R , mA 4 I Para
D
P GG S G DSS

=
= = = = =
Caractersticas del Transistor MOSFET
o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS)
Diferencias con los JFET:
el tipo: de acumulacin (enhancement) o de enriquecimiento y de deplexion
(deplexion),
La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin
umbral o tensin de threshold (V
T
) y es un parmetro caracterstico del
transistor. Si la V
GS
< V
T
, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos
de esta tensin son de de 0.5 V a 3 V.
El esquema de identificacin de los terminales
Caractersticas
del transistor NMOS
Modo de operacin Caractersticas
hmica o Lineal
Comportamiento resistencia variable controlada por V
GS
Zona de Ruptura Tensin de ruptura entre drenador y fuente con la puerta cortocircuitada
Corte I
D
=0A V
GS
< V
T
Saturacin
Amplificacin (fuente de corriente controlada por V
GS
)
I
D
independiente V
DS
.
( )
L
W
k V V y V V V 0
2
V
V V V
L
W
k I
T GS T GS DS
2
DS
DS T GS D
= > < <

( )
T GS DS T GS
2
T GS D
V V y V V V 0
V V
2
I
> < <
=

3. Amplificadores con Transistores
Modelos de pequea seal (parmetros H)
Modelo de BJT en pequea seal.
Anlisis DC.
Anlisis AC.
Ejemplos de amplificadores
Par Dalington.
Amplificadores multietapas.
Otros
Modelo de FET en pequea seal.
Anlisis DC.
Anlisis AC.
Respuesta en frecuencia (Diagrama de Bode)
3. Amplificadores con Transistores: Modelos de pequea seal (parmetros {Z},
{Y}, {G}, {H})
En la prctica, el estudio de amplificadores exige previamente un anlisis en
continua para determinar la polarizacin de los transistores. Posteriormente, es
preciso abordar los clculos de amplificacin e impedancias utilizando modelos
de pequea seal con objeto de establecer un circuito equivalente. Ambas fases
en principio son independientes pero estn ntimamente relacionadas.
Modelos de pequea seal
(parmetros {Z}, {Y}, {G}, {H})
abierto circuito en entrada con salida de cia tan Conduc
V
I
h
ito cortocircu en salida con corriente de directa Ganancia
I
I
h
abierto circuito en entrada con tensin de inversa Ganancia
V
V
h
ito cortocircu en salida con entrada de sistencia Re
I
V
h
donde
V h I h I
V h I h V
0 I
2
2
o
0 V
1
2
f
0 I
2
1
r
0 V
1
1
i
2 o 1 f 2
2 r 1 i 1
1
2
1
2
= =
= =
= =
= =
+ =
+ =
=
=
=
=
Los parmetros {H} o h o hbridos son los que mejor caracterizan el
comportamiento lineal de pequea seal de un transistor bipolar. Estos
parmetros relacionan la V
1
e I
2
con la I
1
y V
2
mediante la siguiente ecuacin
Modelos de pequea seal: parmetros {H}
Anlisis de amplificadores de pequea seal con parmetros {H}
Amplificador bsico
Amplificador bsico con el modelo de parmetros h
Existen cuatro parmetros importantes que van a caracterizar completamente el
circuito completo: ganancia en corriente, impedancia de entrada, ganancia en
tensin e impedancia de salida.
Ganancia de corriente. Se define la ganancia de corriente de un circuito, AI,
como la relacin entre la intensidad de salida e intensidad de entrada, es
decir,
Impedancia de entrada. Se define la impedancia de entrada del circuito, Zi,
como la relacin entre la tensin y corriente de entrada. Resolviendo el
circuito de entrada se demuestra que
Ganancia de tensin. Se define la ganancia en tensin, AV, como la relacin
entre la tensin de salida y la tensin de entrada. Como se demuestra a
continuacin, la A
V
se puede expresar en funcin de la A
I
y la Z
i
, deforma que
{ }
L o
f
V h I h I
Z I V
1
2
1
L
I
Z h 1
h
donde
I
I
I
I
A
2 o 1 f 2
L 2 2
+
= = =
+ =
=
o
L
r f
i L i f i
1
1
i
h
Z
1
h h
h Z A h h
I
V
Z
+
= + = =
i
L
I
i
I L
1
1
1
2
L
2
1
1
1
2
2
2
1
2
v
Z
Z
A
Z
1
A Z
V
I
I
I
I
V
V
I
I
I
I
V
V
V
A = = = = =
Impedancia de salida. Se define la impedancia de salida, Z
o
, vista a travs
del nudo de salida del circuito lineal como la relacin entre la tensin de
salida y la corriente de salida, supuesto anulado el generador de entrada y en
ausencia de carga (ZL=). Se demuestra que
i s
r f
o
R , 0 V
2
2
0
h R
h h
h
1
I
V
Z
L S
+

= =
= =
Modelos:
s
L
IS VS
s i
s
I
S
1
1
L
S
L
IS
s i
i
V
S
1
1
2
S
2
VS
R
Z
A A
quedando
R Z
R
A
I
I
I
I
I
I
A
y
R Z
Z
A
V
V
V
V
V
V
A
Donde
=
+
= = =
+
= = =
Modelo equivalente de tensin
Modelo equivalente de intensidad
Modelo hbrido de un transistor bipolar :
En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones:
continua y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de trabajo
localizado en la regin lineal. Este punto est definido por tres parmetros: I
CQ
, I
BQ
y V
CEQ
. La
componente en alterna o AC, generalmente de pequea seal, introduce pequeas variaciones en
las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Por
consiguiente, si se aplica el principio de superposicin, la I
C
, I
B
y V
CE
del transistor tiene dos
componentes: una continua y otra alterna, de forma que
ce CEQ CE
b BQ B
C CQ C
v V V
i I I
i I I
Donde
+ =
+ =
+ =
Modelo NPN Modelo PNP
a) Conversin de parmetros hbridos, b) Valores tpicos de los parmetros h
Ecuaciones caractersticas de los amplificadores bsicos sin R
B
Ecuaciones caractersticas de los amplificadores bsicos con R
B
Anlisis de un amplificador en emisor comn con resistencia de emisor. a) Circuito
equivalente en alterna, b) circuito de pequea seal con hre=0. Tabla con las
caractersticas del amplificador con c) h
re
=h
oe
=0 y con d) h
re
=0.
Anlisis:
1. Anlisis en CC, obtener el punto de trabajo.
2. Anlisis en AC en frecuencias medias
1. Sustituir al amplificador por alguno de los tres circuitos equivalentes
posibles en parmetros h.
2. Los condensadores de acoplo y desacoplo se consideran perfectos
cortocircuitos en alterna.
3. El positivo de la fuente de tensin de continua, Vcc, corresponde a masa
o tierra de seal, ya que la impedancia interna en CA de una fuente de
tensin es cero.
Ejemplo
Ejemplo de anlisis de un amplificador bsico. a) Esquema del amplificador completo; b) Circuito
equivalente en continua; c) Circuito equivalente en alterna; d) Circuito equivalente de pequea
seal.
1. Modelo simplificado: Se desprecian los parmetros h
oe
y h
re
, es decir, h
oe
=h
re
=0.
Con esta aproximacin a la entrada se tiene R
B
||h
ie
~h
ie
.
2. Se desprecia el parmetro h
re
, (h
re
=0) y se mantiene la aproximacin anterior
R
B
||h
ie
~h
ie
. El circuito es idntico al de la figura incluyendo h
oe
.
3. Sin aproximaciones
1. Modelo simplificado: Se desprecian los parmetros h
oe
y h
re
, es decir,
h
oe
=h
re
=0. Con esta aproximacin a la entrada se tiene R
B
||h
ie
~h
ie
.
2. Se desprecia el parmetro h
re
, (h
re
=0) y se mantiene la aproximacin
anterior R
B
||h
ie
~h
ie
. El circuito es idntico al de la figura incluyendo h
oe
.
3. Sin aproximaciones
Ejemplos de amplificadores:
Par Dalington
Un par Darlington se comporta a efectos prcticos como un nico transistor de
altas prestaciones las cuales dependen de las caractersticas individuales de
cada uno de los transistores. Por ejemplo, el transistor Darlington MPS6724 de
Motorola tiene una h
FE
entre 4.000 y 40.000.

Modelo NPN
Modelo PNP
Ejemplos de amplificadores:
Par Dalington
Anlisis en DC
Desde el punto de vista externo, un transistor Darlington tiene unas
corrientes de entrada I
B
, I
C
e I
E
(I
E
=I
B
+I
C
) y la tensin entre la base y el
emisor es de 2V
BE
. Si Q
1
y Q
2
se encuentran en la regin lineal, la
relacin entre ambas corrientes, es decir, la h
FE
del transistor, se puede
expresar en funcin de h
FE1
y h
FE2
. Para ello, hay que resolver el
siguiente sistema de ecuaciones:
Modelo NPN
( )
2 FE 1 FE 2 FE 1 FE 1 FE
B
C
FE
2 FE
E
2 FE
2 E
2 FE
2 C
2 B 1 E
1 B B
2 B 2 FE 1 B 1 FE 2 C 1 C C
h h h h 1 h
I
I
h
h 1
I
h 1
I
h
I
I I
I I
I h I h I I I
+ + = =
+
=
+
= = =
=
+ = + =
Ejemplos de amplificadores:
Par Dalington
Ambos transistores no se pueden considerar iguales. Las corrientes de
polarizacin de Q
1
son muy bajas comparadas con las de Q
2
debido a que I
E1
=I
B2
;
la I
C
del transistor Darlington es prcticamente la I
C2
. El hecho de que Q
1
opere
con corrientes muy bajas hace que las corrientes de fuga de este transistor no
sean despreciables y sean amplificadas por Q
2
, resultando circuitos ms
inestables. Por ello, la conexin Darlington de tres o ms transistores resulta
prcticamente inservible. Para solucionar en parte este problema, se utilizan
circuitos de polarizacin como los mostrados
Modelo NPN
Circuitos para estabilizar la configuracin Darlington
Ejemplos de amplificadores:
Par Dalington
Modelo de pequea seal
Para simplificar se desprecian h
re y
h
oe1
.
Modelo NPN
( ) { } ( )
( ) ( )
{ } ( )
2 oe oe
1 fe 2 fe 1 fe
i h i h i
h 1 i h 1 i i 0 V
b
c
fe
2 ie 1 fe 1 ie 2 ie 1 fe 1 b 1 ie 1 b 2 ie 2 b 1 ie 1 b be
1 b
be
b
be
ie
h h
h 1 h h
i
i
h
h h 1 h h h 1 i h i h i h i V
i
V
i
V
h
2 b 2 fe 1 b 1 fe c
1 fe b 1 fe 1 b 2 b ce
=
+ + = = =
+ = + + = + = = = =
+ =
+ = + = =
Ejemplos de amplificadores: Multietapa
Un amplificador multietapa es un amplificador constituido por un conjunto de
amplificadores bsicos conectados en cascada. La tcnica de anlisis de este
amplificador es sencilla ya que se reduce bsicamente a analizar un conjunto
de etapas bsicas y a partir de sus modelos equivalentes (tensin o corriente)
obtener el modelo equivalente del amplificador completo. El acoplo entre las
etapas bsicas puede ser realizado bsicamente de dos maneras: directamente
o acoplo DC y a travs de un condensador. El primero exige estudiar
conjuntamente la polarizacin de cada una de las etapas lo que complica su
anlisis en continua. Sin embargo, el amplificador multietapa carece de
frecuencia de corte inferior. El acoplo a travs de un condensador asla en DC
las etapas bsicas a costa de introducir una frecuencia de corte inferior. Este
ltimo acoplo solo es usado en aquellos amplificadores realizados con
componentes discretos.
Ejemplos de amplificadores: multietapa
4 43 4 42 1 4 43 4 42 1 4 43 4 42 1
L
R 3 Etapa
3 V
3 o L
L
3 2 Etapa
2 V
2 o 3 i
3 i
2 1 Etapa entre Adaptacin
1 V
1 o 2 i
2 i
3 i
o
2 i
2 o
i
1 o
i
o
V
A
Z R
R
A
Z Z
Z
A
Z Z
Z
v
v
v
v
v
v
V
V
A

+ + +
= = =
Un amplificador multietapa en tensin debe tener altos valores de ganancia en
tensin por etapa (A
v1
, A
v2
, A
v3
) y un buen acoplo de impedancias para que no
caiga la ganancia global en tensin. Para ello es condicin que verifique:
0 A Z R para
A R Z para A
R Z
Z
V
V
A
0 Z y Z , A
idealmente obteniendo Z R y Z Z , Z Z
S
S S
V 1 i S
V S 1 i V
S 1 i
1 i
S
o
V
o i V
3 o L 2 o 3 i 1 o 2 i
>>
>>
+
= =

>> >> >>
Ejemplos de amplificadores: multietapa
I
1 i S
S
s
o
I
R 3 Etapa
3 I
3 o L
3 o
3 2 Etapa
2 I
2 o 3 i
2 o
2 1 Etapa entre Adaptacin
1 I
1 o 2 i
1 o
3 i
o
2 i
2 o
i
1 o
i
o
I
A
Z R
R
i
i
A
A
Z R
Z
A
Z Z
Z
A
Z Z
Z
i
i
i
i
i
i
i
i
A
S
L
+
= =
+ + +
= = =

4 43 4 42 1 4 43 4 42 1 4 43 4 42 1
Un amplificador multietapa en corriente debe tener altos valores de ganancia en
corriente por etapa (A
I1
, A
I2
, A
I3
) y un buen acoplo de impedancias para que no
caiga la ganancia global en corriente. Para ello es condicin que verifique:

>> << << <<
o i I
1 i S 3 o L 2 o 3 i 1 o 2 i
Z y Z , A
idealmente obteniendo Z R Z R , Z Z , Z Z
Ejemplos de amplificadores: Par Dalington
Modelo de pequea seal FET
El circuito equivalente de pequea seal de un transistor FET se puede obtener por mtodos
anlogos a los utilizados en transistores bipolares. Sin embargo, al ser dispositivos
controlados por tensin, el modelo de parmetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de
salida con tensiones de entrada.
Factor de admitancia g
m
. (Se trabaja con las ecuaciones del
FET en saturacin)
Resistencia de salida o de drenador r
d
.
Factor de amplificacin
DSS D
P P
GS
P
DSS
V
GS
D
m
V
gs
d
V
2 GS 1 GS
1 DS 2 D
V
GS
D
m
I I
V
2
V
V
1
V
I 2
dV
dI
g
v
i
V V
I I
V
I
g
DSQ
DSQ DSQ DSQ
=

= =
=

GSQ GSQ GSQ

V
d
ds
V
2 D 1 D
1 DS 2 D
V
D
DS
d
i
v
I I
V V
I
V
r =

d m
D
DS
GS
D
GS
DS
r g
I
V
V
I
V
V
= = =

Variacin de g
m
para un JFET tpico
Variacin de r
d
para un JFET tpico
BIBLIOGRAFA
Hambley, Allan R: Electrnica. Prentice Hall. 2001.
Millman, J.; Grabel, A.: Microelectrnica. Hispano Europea. 2001.
J. Esp, G. Camps y J. Muoz. "Electrnica Analgica. Problemas y cuestiones". Pearson
Educacin. Prentice-Hall. (2006)
Boylestad, R.; Nashelsky, I: Electrnica. Teora de Circuitos. Prentice-Hall. 1989.
Malik, N. R.: Circuitos electrnicos. Prentice-Hall. 1999.
Garca Breijo, E.; Ibez Civera, J.; Gil Snchez, L.: "PSpice Simulacin y Anlisis de
Circuitos Analgicos asistida por Ordenador" Edit.
Paraninfo 1995.
Muoz Merino, E.: SPICE Manual de uso. Publicaciones ETSI Telecomunicacin Madrid.
Angulo Usategui, J.: Laboratorio de Prcticas de Microelectrnica. Edit McGraw Hill 2002.
Direcciones Web:
Analog Devices: http://www.analog.com/
Texas Instruments: http://www.ti.com/
Fairchild Semiconductors: http://www.fairchildsemi.com/
Phillips Seminconductors: http://www.semiconductors.philips.com/
Toshiba Semiconductors: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
Motorola Semiconductors: http://www.motorola.com/
Source Electronic Components: http://www.1sourcecomponents.com/?s=ggl
Electronix Express: http://www.elexp.com/links.htm
Williamson Labs: http://www.williamson-labs.com/