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i

UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR


CENTRO TECNOLGICO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA








PROPOSTA DE UM NOVO MODELO PARA ANLISE DOS COMPORTAMENTOS
TRANSITRIO E ESTACIONRIO DE SISTEMAS DE ATERRAMENTO, USANDO-SE
O MTODO FDTD






EDUARDO TANNUS TUMA













DM ____/_____







UFPA / CT / PPGEE
Campus Universitrio do Guam
Belm-Par-Brasil
2005
ii

UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR
CENTRO TECNOLGICO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA






EDUARDO TANNUS TUMA







PROPOSTA DE UM NOVO MODELO PARA ANLISE DOS COMPORTAMENTOS
TRANSITRIO E ESTACIONRIO DE SISTEMAS DE ATERRAMENTO, USANDO-SE
O MTODO FDTD








DM ____/______
















UFPA / CT / PPGEE
Campus Universitrio do Guam
Belm-Par-Brasil
2005
iii
UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR
CENTRO TECNOLGICO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA







EDUARDO TANNUS TUMA







PROPOSTA DE UM NOVO MODELO PARA ANLISE DOS COMPORTAMENTOS
TRANSITRIO E ESTACIONRIO DE SISTEMAS DE ATERRAMENTO, USANDO-SE
O MTODO FDTD








Dissertao submetida Banca
Examinadora do Programa de Ps-
Graduao em Engenharia Eltrica da
UFPA para a obteno do Grau de
Doutor em Engenharia Eltrica












UFPA / CT / PPGEE
Campus Universitrio do Guam
Belm-Par-Brasil
2005
iv
UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR
CENTRO TECNOLGICO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA


PROPOSTA DE UM NOVO MODELO PARA ANLISE DOS COMPORTAMENTOS
TRANSITRIO E ESTACIONRIO DE SISTEMAS DE ATERRAMENTO, USANDO-SE
O MTODO FDTD


AUTOR: EDUARDO TANNUS TUMA

DISSERTAO DE DOUTORADO SUBMETIDA AVALIAO DA BANCA
EXAMINADORA APROVADA PELO COLEGIADO DO PROGRAMA DE PS-
GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA DA UNIVERSIDADE FEDERAL DO
PAR E JULGADA ADEQUADA PARA OBTENO DO GRAU DE DOUTOR EM
ENGENHARIA ELTRICA NA REA DE SISTEMAS DE POTNCIA

APROVADA EM ____/_____/_____

BANCA EXAMINADORA:


Prof. Dr. Carlos Leonidas da S. S. Sobrinho
(ORIENTADOR UFPA)

Prof. Dr. Silvrio Visacro Filho
(MEMBRO UFMG)

Prof. Dr. Antonio Manoel Ferreira Frasson
(MEMBRO UFES )

Prof. Dr. Ronaldo Oliveira dos Santos
(MEMBRO IESAN )

Prof. Dr. Victor Alexandrovich Dimitriev
(MEMBRO UFPA )

Prof. Dr. Ubiratan Holanda Bezerra
(MEMBRO UFPA )
VISTO:_____________________________________________________________________


Prof. Dr. Evaldo Gonalves Pelaes
(COORDENADOR DO PPGEE/CT/UFPA)

UFPA / CT / PPGEE


v







































Aos meus pais Jos e
Altair Tuma, minha esposa
Kinia e minhas filhas
Karla, Kelly e Kamille pelo
apoio e incentivo ao longo de
minha vida





vi
AGRADECIMENTOS
















































vii
SUMRIO


LISTA DE FIGURAS ........................................................................................ x
LISTA DE TABELAS ....................................................................................... xiv
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS ....................................................... xv
LISTA DE SMBOLOS ..................................................................................... xvi
RESUMO ............................................................................................................ xviii
ABSTRACT ........................................................................................................ xix
1.0 INTRODUO .................................................................................................. 001
2.0 REVISO BIBLIOGRFICA ......................................................................... 008
2.1 ONDAS PADRONIZADAS PARA SURTOS ATMOSFRICOS 008
2.1.1 Representao de um pulso atmosfrico pela curva dupla exponencial ....... 012
2.1.2 Representao da onda de um pulso atmosfrico pela funo de Heidler ... 015
2.2 CONCEITOS BSICOS SOBRE SISTEMAS DE ATERRAMENTO EM
BAIXAS FREQUNCIAS .................................................................................. 015
2.2.1 Resistividade do solo .......................................................................................... 017
2.2.2 Resistncia de aterramento ............................................................................... 024
2.2.3 Mtodos de medio de resistncia de aterramento ....................................... 030
2.2.3.1 Mtodo da queda de potncial ............................................................................. 030
2.2.3.2 Mtodo da regra dos 62% ................................................................................... 033
2.2.4 Mtodo de medio de resistividade do solo .................................................... 033
2.2.4.1 Medio por amostragem ..................................................................................... 033
2.2.4.2 Medio pelo mtodo de Wenner ........................................................................ 034
2.2.5 Conceitos bsicos de segurana em aterramento ............................................ 035
2.2.5.1 Efeito da corrente no organismo humano ............................................................ 036
2.2.5.2 Potencial de passo e de toque .............................................................................. 037
2.2.5.3 Resistncia do corpo humano .............................................................................. 039
viii
2.3 COMPORTAMENTO DO ATERRAMENTO FRENTE S DESCARGAS
ATMOSFRICAS ............................................................................................... 040
2.3.1 Introduo .......................................................................................................... 040
2.3.2 Variao dos parmetros do solo em funo da freqncia .......................... 044
2.3.3 Distribuio do campo e efeitos de propagao no solo ................................. 045
2.3.4 Efeitos da ionizao do solo ............................................................................... 047
3.0 DESENVOLVIMENTO TERICO E MODELAGEM DO PROBLEMA . 054
3.1 MTODO FDTD ................................................................................................. 054
3.1.1 Clula de Yee ..................................................................................................... 054
3.1.2 Dimenses da clula, estabilidade e preciso ................................................... 056
3.1.3 As tcnicas de representao de fios finos ....................................................... 057
3.1.3.1 Fio fino pela correo do campo magntico ........................................................ 057
3.1.3.2 Fio fino pela correo dos parmetros eltricos e e magntico .................. 059
3.1.4 Parede absorvente tipo UPML para meio condutivo ..................................... 065
3.2 PROCESSAMENTO PARALELO ..................................................................... 070
3.3 MODELO ADOTADO PARA SIMULAO DE HASTES NO
CONVENCIONAIS ............................................................................................. 072
3.4 MODELO ADOTADO PARA SIMULAO DE HASTES
CONVENCIONAIS ............................................................................................. 080
3.4.1 Tcnica utilizada para injeo de corrente ...................................................... 081
3.4.2 Determinao do potencial no ponto A ............................................................ 083
3.5 ESTRUTURA DE PROGRAMAO ............................................................... 085
4.0 RESULTADOS .................................................................................................. 089
4.1 RESULTADOS OBTIDOS PARA TGR, TENSO E CORRENTE EM
ELETRODOS DE ATERRAMENTO NO CONVENCIONAIS ..................... 089
4.1.1 Aterramento com eletrodo nico ...................................................................... 089
4.1.2 Anlise da influncia do comprimento do eletrodo de aterramento sobre o
potencial, corrente e TGR. ................................................................................ 092
4.1.3 Anlise da influncia de eletrodos de terra paralelos sobre o potencial,
corrente e TGR ................................................................................................... 095
ix
4.1.4 Estudo do comportamento transitrio para o potencial, corrente e TGR
para uma malha quadrada com 16 eletrodos................................................... 097
4.1.5 Estudo do comportamento transitrio para o potencial, corrente e TGR
para uma malha quadrada com 25 eletrodos................................................... 098
4.1.6 Estudo do comportamento transitrio para o potencial, corrente e TGR
para um eletrodo em solo estratificado............................................................. 100
4.1.7 Influncia da desconexo de uma haste em um sistema de aterramento
que contempla duas hastes ................................................................................ 101
4.1.8 Modelagem do potencial na anlise do comportamento transitrio dos
sistemas de aterramento usando uma haste ................................................... 103
4.1.8.1 Integrao do potencial atravs de caminhos no espao livre ............................. 104
4.1.8.2 Integrao do potencial atravs de caminhos no meio condutivo (terra) ............ 108
4.2 RESULTADOS OBTIDOS PARA TGR, TENSO E CORRENTE EM
ELETRODOS DE ATERRAMENTO CONVENCIONAIS (COMERCIAIS) .. 110
4.2.1 Simulao de eletrodo com dimetros diferentes ............................................ 110
4.2.2 Verificao da influncia da permissividade sobre TGR, tenso e corrente 112
4.2.3 Verificao da influncia da condutividade sobre TGR, tenso e corrente.. 113
4.2.4 Simulao de eletrodo em solo estratificado em duas camadas ..................... 114
4.2.5 Simulao de eletrodo em presena de falhas geolgicas ............................... 116
4.2.6 Simulao de uma malha quadrada 5 x 5 ns sem eletrodos ......................... 118
5.0 CONCLUSES ................................................................................................. 124


















x
LISTA DE FIGURAS

Fig. 2.1 Descargas entre nuvens ............................................................................... 009
Fig. 2.2 Descarga entre nuvem-Terra ....................................................................... 010
Fig. 2.3 Fases de uma descarga atmosfrica (a) leader descendente, (b) leader
ascendente (c) momento da conexo entre as descargas e (d) Corrente de
retorno .........................................................................................................
011
Fig. 2.4 Representao do pulso atmosfrico em uma linha de transmisso ........... 012
Fig. 2.5 Onda dupla exponencial como onda de um pulso atmosfrico ................... 013
Fig. 2.6 Circuito de gerao da onda exponencial ................................................... 013
Fig. 2.7 Forma de onda padronizada para surto atmosfrico mostrando a taxa de
crescimento ................................................................................................. 014
Fig. 2.8 Oscilogramas obtidos mostrando (a) uma onda completa e (b) uma onda
cortada de 1x10 s ...................................................................................... 014
Fig. 2.9 Circuito equivalente de um aterramento em condies de (a) alta
freqncia e (b) baixa freqncia ................................................................ 016
Fig. 2.10 Cubo de 1 m de aresta com duas faces de metal ......................................... 017
Fig. 2.11 Efeito da umidade na resistividade do solo ................................................. 019
Fig. 2.12 Efeito do tipo de concentrao de sais e cido na resistividade do solo ..... 020
Fig. 2.13 Comportamento da resistividade da gua em funo da temperatura ......... 021
Fig. 2.14 Representao do solo estratificado, a ltima camada considerada
infinita ......................................................................................................... 023
Fig. 2.15 Fluxo de corrente resultante na terra ........................................................... 024
Fig. 2.16 Fonte de corrente I no interior da terra........................................................ 026
Fig. 2.17 Potencial em um ponto P localizado no interior da terra. Utilizao do
mtodo das imagens ....................................................................................
026
Fig. 2.18 Haste de aterramento posicionada na origem ............................................. 027
Fig. 2.19 Esquema de medio da resistncia de terra ............................................... 032
Fig. 2.20 Perfil da resistncia no mtodo da queda de potencial ............................... 033
Fig. 2.21 Medio da resistividade em laboratrio utilizando cuba ........................... 034
Fig. 2.22 Arranjo para medio de resistividade utilizando o mtodo de Wenner .... 035
Fig. 2.23 Tenso de passo (a) e tenso de toque (b) em estrutura aterrada .............. 039
Fig. 2.24 Ligao tpica de uma haste de aterramento................................................ 041
Fig. 2.25 Curva tenso-corrente para uma amostra de solo ....................................... 045
Fig. 2.26 Atenuao da onda de propagao em condutor enterrado ........................ 046
Fig. 2.27 Comportamento divergente do campo ........................................................ 047
xi
Fig. 2.28 a) Eletrodo hemisfrico b) Haste de aterramento: Mtodo de Liew .......... 049
Fig. 2.29 Arranjo para teste e medio de corrente .................................................... 049
Fig. 2.30 Pulso de tenso e corrente em solo ionizado a) Solo seco b) solo mido .. 050
Fig. 3.1 Clula de Yee .............................................................................................. 055
Fig. 3.2 Alocao dos campos e geometria para a tcnica de fio fino no plano
Z-X .............................................................................................................. 058
Fig. 3.3 Seo transversal de um fio fino envolvido por uma lmina condutora
cilndrica coaxial com o fio fino ................................................................. 060
Fig. 3.4 Seo transversal de um fio fino envolvido por uma lmina condutora
retangular com seo transversal de 2.5 x 2.5 m
2
. E
1,
E
2
e E
3
so os
campos eltricos radiais em 0.5, 1.5 e 2.5s a partir do eixo do fio fino. 060
Fig. 3.5 Variao no tempo dos campos E
1
, E
2
e E
3
com relao a E
2
usando o
mtodo FDTD, no caso em que = 5 mS/m e = 12 ................................ 061
Fig. 3.6 Campo eltrico radial em funo da distncia radial x do centro de um fio
fino, calculado usando (3.18) e o mtodo FDTD (o campo eltrico
normalizado de forma que E
2
seja igual a unidade) ................................... 062
Fig. 3.7 Seo transversal de um fio fino tendo um raio de 0.23s e suas quatro
clulas adjacentes. (a) Quatro elementos de campo eltrico radial
prximo ao fio fino. (b) Quatro elementos de campo magntico radial
envolvendo e prximo ao fio fino ............................................................... 063
Fig. 3.8 Atualizao das componentes de campo localizadas na interface entre
duas regies (plano Y-Z) ........................................................................... 072
Fig. 3.9 Vista superior, no plano X-Y, do domnio computacional de anlise ........ 073
Fig. 3.10 Vista lateral, no plano X-Z, do domnio computacional de anlise e
sistema de aterramento ................................................................................ 075
Fig. 3.11 Vista lateral, no plano Y-Z, do domnio computacional de anlise e
sistema de aterramento ................................................................................ 076
Fig. 3.12 Sistema de aterramento usado como prottipo inicial do trabalho ............. 077
Fig. 3.13 Forma de onda do pulso de tenso aplicado ............................................... 077
Fig. 3.14 Integrao dos quatro campos magnticos ao longo dos percursos x e
y ................................................................................................................ 079
Fig. 3.15 Layout do esquema proposto ...................................................................... 081
Fig. 3.16 Circuito equivalente da excitao de corrente............................................. 082
Fig. 3.17 Medio de corrente realizada atravs da mdia entre I
1
(t) e I
2
(t) .............. 082
Fig. 3.18 Vista nos planos X-Y do domnio computacional de anlise 084
Fig. 3.19 Vista nos planos X-Z do domnio computacional de anlise 085
Fig. 3.20 Lgica de implementao FDTD baseada em algortimo paralelizado ...... 086

xii
Fig. 4.1 Sistema de aterramento visto no plano Z-Y com um eletrodo de
aterramento e circuito de corrente .............................................................. 090
Fig. 4.2 Trecho do circuito de corrente constitudo por eletrodo principal, fonte de
tenso e resistncia ...................................................................................... 090
Fig. 4.3 Sistema de aterramento visto no plano Z-X mostrando o circuito de
potencial de referncia ................................................................................ 091
Fig. 4.4 Resultados simulados e experimentais para um eletrodo ........................... 092
Fig. 4.5 Eletrodo vertical longo ................................................................................ 093
Fig. 4.6 Respostas de tenso, corrente e TGR transitrios para diversos
comprimentos de haste ................................................................................ 093
Fig. 4.7 Comportamento transitrio da TGR em haste de comprimento varivel ... 094
Fig. 4.8 Comportamento dos valores estabilizados da TGR em funo do
comprimento da haste ................................................................................. 094
Fig. 4.9 Sistema de aterramento com duas hastes .................................................... 095
Fig. 4.10 Comparao dos valores de TGR, corrente e tenso para sistemas com
uma e duas hastes, respectivamente ............................................................ 096
Fig. 4.11 Sistema de aterramento com quatro eletrodos em linha ............................. 096
Fig. 4.12 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com 4 hastes
em linha ....................................................................................................... 097
Fig. 4.13 Sistema de aterramento com 16 hastes em formato quadrado cheio (plano
XY) ............................................................................................................. 097
Fig. 4.14 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com 16
hastes ........................................................................................................... 098
Fig. 4.15 Sistema de aterramento com 25 hastes em formato quadrado cheio. Vista
no plano X-Z ............................................................................................... 098
Fig. 4.16 Sistema de aterramento com 25 hastes em formato quadrado cheio. Vista
no plano X-Y ............................................................................................... 099
Fig. 4.17 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com 25
hastes ........................................................................................................... 099
Fig. 4.18 Haste de aterramento em solo estratificado de duas camadas .................... 100
Fig. 4.19 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com uma
haste em solo estratificado em duas camadas (
1
>
2
e
1
<
2
) ................. 100
Fig. 4.20 Malha de aterramento com duas hastes: a) conexo normal b) com uma
haste desconectada ...................................................................................... 101
Fig. 4.21 Curvas para TGR, corrente e tenso, resultantes de simulao em sistema
de aterramento com duas hastes, duas hastes porm uma desconectada e
uma haste .................................................................................................... 102
Fig. 4.22 Mediao das permissividades em clulas da interface espao livre e terra 104
Fig. 4.23 Medio do potencial atravs de integrao no espao livre ...................... 104
xiii
Fig. 4.24 Resultados para TGR, tenso e corrente considerando a mdia das
permissividades ........................................................................................... 105
Fig. 4.25 Diagrama mostrando TGR, tenso e corrente sem mdia de
permissividade ............................................................................................ 105
Fig. 4.26 Diagrama mostrando TGR, tenso e corrente com mdia de
permissividade ............................................................................................ 106
Fig. 4.27 Medio do potencial atravs de integrao no meio condutivo terra ........ 108
Fig. 4.28 Resultado da TGR, tenso e corrente aplicando a integrao do campo
em vrios percursos na terra e espao livre ................................................ 108
Fig. 4.29 Curva representativa da TGR, tenso e corrente no intervalo de 0 a 0.2 s 109
Fig. 4.30 Curvas de TGR, tenso e corrente para dimetros variveis ...................... 111
Fig. 4.31 Curvas de TGR, tenso e corrente para permissividades variveis ............ 112
Fig. 4.32 Curvas de TGR tenso e corrente para diferentes condutividades ............ 113
Fig. 4.33 Circuito de corrente mostrando haste de aterramento em solo
estratificado ................................................................................................. 114
Fig. 4.34 Curvas de TGR, Tenso e Corrente para haste de aterramento em solo
homogneo e estratificado .......................................................................... 115
Fig. 4.35 Eletrodo e cavidade ..................................................................................... 116
Fig. 4.36 Curvas de TGR, Tenso e Corrente para haste de aterramento em
presena de cavidades dentro da terra ......................................................... 117
Fig. 4.37 Distribuio do campo E
Z
com eletrodo de aterramento em presena de
cavidade ...................................................................................................... 118
Fig. 4.38 Malha de aterramento 5 x 5 ns, sem hastes de aterramento ......................
118
Fig. 4.39 Curvas TGR, tenso e corrente para uma malha quadrada 5 x 5 ns sem
eletrodos ...................................................................................................... 119
Fig. 4.40 Distribuio do campo E
x
na malha 5x5 .....................................................
120
Fig. 4.41 Distribuio do campo E
y
na malha 5x5 .....................................................
120
Fig. 4.42 Distribuio do campo E
z
na malha 5x5 .....................................................
121













xiv
LISTA DE TABELAS

Tabela 2.1 Faixa de valores usuais de resistividade de certos tipos de solos .. 018
Tabela 2.2 Influncia da umidade na resistividade do solo ..................................... 019
Tabela 2.3 Influncia da concentrao de sais na resistividade do solo .................. 020
Tabela 2.4 Efeito da temperatura na resistividade do solo ...................................... 022
Tabela 2.5 Valores tpicos de resistividade para diferentes perodos geolgicos .... 023
Tabela 2.6 Expresses para configuraes tpicas de eletrodos de aterramento ...... 031
Tabela 2.7 Resistncia do corpo humano com a tenso .......................................... 040
Tabela 2.8 Constante dieltrica aproximada ou permissividade relativa (
r
) e
rigidez de alguns materiais de uso corrente ........................................... 043
Tabela 2.9 Permeabilidade relativa (
r
) de alguns materiais ................................... 044
Tabela 4.1 Coincidncia no comportamento transitrio das curvas TGR em
determinados perodos transitrios para diversos comprimentos de
haste ....................................................................................................... 094
Tabela 4.2 Diferena relativa (R
eq
-R
sim
)/R
eq
entre a resistncia CC calculada
atravs de (4.9) e (4.10) e a resistncia transitria obtida pelo uso de
simulao em ambiente FDTD para diferentes dimetros de haste ....... 111
Tabela 4.3 Diferena relativa (R
eq
-R
sim
)/R
eq
entre a resistncia CC calculada
usando (4.9) e (4.10) e a resistncia transitria obtida pelo uso da
simulao FDTD para vrias condutividades ........................................ 114





















xv
LISTA DE ABREVIATURA E SIGLAS

CA Corrente alternada
CC Corrente contnua
PEC Condutor eletricamente perfeito
CESDIS Centro de Excelncia em Dados Espaciais e Informaes Cientficas
CIGR Conselho Internacional para Grandes Sistemas Eltricos
CPU Unidade de processamento central
EM Eletromagnetismo
ERC Eletrodo remoto de corrente
ERP Eletrodo remoto de potencial
ET Eletrodo de terra
EMTP Programa de transitrios de eletromagnticos
FDTD Diferena finita no domnio do tempo
FEM Mtodo dos elementos finitos
IEEE Instituto de Engenheiros Eletricistas e Eletrnicos
LANE Laboratrio de analises numricas em eletromagnetismo
MPI Interface de passagem de mensagem
NASA National aeronautics and space administration
IEC Comisso Internacional de Eletrotcnica
PVM Mquina paralela virtual
RC Resistivo capacitivo
SPMD Programa simples de dados mltiplos
TGR Resistncia de aterramento transitria
UPML Camada uniaxial perfeitamente casada












xvi
LISTA DE SMBOLOS

R Resistncia estacionria

Resistividade do solo
l Comprimento da haste de aterramento
L Indutncia da haste de aterramento
C Capacitncia da haste de aterramento

Velocidade angular
E
o
Gradiente de ionizao do solo
Operador nabla
E Vetor intensidade de campo eltrico
H Vetor intensidade de campo magntico
,
r
Permissividade eltrica, permissividade relativa
s


Permissividade modificada na tcnica de fio fino

Condutividade eltrica
* Condutividade modificada na tcnica de fio fino
Operador diferencial
,
r
Permeabilidade magntica, permeabilidade relativa
s


Permeabilidade modificada na tcnica de fio fino
s Microssegundos
i, ,j, k Incrementos espaciais nas direes x, y e z
x Dimenso da clula de Yee na direo x
y Dimenso da clula de Yee na direo y
z Dimenso da clula de Yee na direo z
, s Dimenso geral da clula
t Intervalo de discretizao do tempo
c Velocidade da luz
r
o
Raio do fio fino
o
r


Raio arbitrrio na tcnica de fio fino
r Distancia do centro do fio fino ao vetor campo magntico calculado
S
x
, S
y,
S
z Elementos componentes do tensor diagonal S
xvii
K
x,
K
y,
K
z
Parte real no unitria na expresso do tensor diagonal

x
,
mx
Condutividade mxima na equao da UPML

x
,
opt
Condutividade tima na equao da UPML
d Espessura da UPML
f Freqncia
U
max
Tenso mxima
I
o
Amplitude da corrente na base do canal

1

Constante relacionada ao tempo de frente de onda de corrente

2

Constante relacionada ao tempo de decaimento da onda de corrente

Fator de correo de amplitude
K Constante de proporcionalidade
J
P
Densidade de corrente no ponto P
V
P
Potencial no ponto P
r, a Raio da haste de aterramento
I
c
Valor rms de corrente permitida atravs do corpo humano em Ampres
t
s
Tempo de exposio ou durao da falta em segundos
Sc Constante emprica relacionada com a tolerncia ao choque eltrico para um certo
percentual da populao.
V
passo
Tenso de passo
V
toque
Tenso de toque
E
o
Gradiente de ionizao do solo
T
f
Tempo de frente de onda
T
t
Tempo de cauda







xviii
RESUMO


O objetivo principal deste trabalho o desenvolvimento de um cdigo
computacional para ambiente de processamento paralelo, tendo em vista a anlise
numrica do comportamento transitrio dos parmetros de sistemas de aterramento. A
formulao do problema foi desenvolvida partindo-se das equaes de Maxwell na
forma diferencial e no domnio do tempo, para a qual uma soluo numrica foi obtida
empregando o mtodo FDTD-3D (diferenas finitas no domnio do tempo). Em todos os
casos analisados, a terra foi considerada como sendo um meio com perdas, isotrpico,
no dispersivo, linear e no variante no tempo. Para limitar a regio de anlise, a tcnica
UPML foi usada. Uma tcnica de fio fino foi aplicada para representar condutores de
seo transversal pequena. Considerando-se um eletrodo, os resultados obtidos para o
potencial, corrente e resistncia de aterramento transitria (TGR), mostraram boa
concordncia com os valores experimentais disponveis na literatura. Resultados
complementares e de maior preciso foram alcanados na avaliao de vrias
configuraes de sistemas de aterramento em solo homogneo e estratificado, pela
implementao numrica de uma estrutura nova de excitao e uma forma nova de
obter o potencial no mesmo ponto onde a impedncia estava sendo avaliada. O modelo
aqui proposto tem a vantagem de ser capaz de simular situaes naturais de descarga
em um formato mais realista. Os dados obtidos (e as tcnicas apresentadas) podero ser
teis em projetos de sistemas de aterramento, visando dar uma maior proteo s
instalaes quando submetidas a surtos de corrente, descargas atmosfricas, entre
outros.

PALAVRAS-CHAVE: Anlise transitria, mtodo FDTD, modelo de injeo de corrente,
processamento paralelo, proteo contra descargas, resistncia de aterramento, solo
estratificado.












xix
ABSTRACT

The main purpose of this work is the development of a computational algorithm to
numerically analyze the transient behavior of grounding systems parameters with
parallel processing environment. The problem formulation was developed starting from
differential Maxwells equations in time-domain, for which a numerical solution was obtained
by employing the FDTD-3D method (Finite Differences-Time Domain). For every the analyzed
case, the ground was considered isotropic, non-dispersive, linear and not time variant. In order
to limit the analysis region, UPML technique was used. A thin wire technique was applied to
represent a narrow conducting cross-section wire. The results obtained for potential,
current and Transitory Grounding Resistance (TGR), considering an electrode, strongly
agree with those of literature. Additional improved results were reached for
homogeneous and stratified soils by the implementation of a new excitation structure
and by a new way for obtaining the potential at the point where the impedance is being
evaluated. The model proposed here has the advantage of being able to simulate natural
discharge situations in a more realistic way. Such results (and the novel model
presented) can be used to project systems able to provide higher levels of protection
from lightning discharges or failures of the electrical power system.

KEYWORDS: current injection model, discharge protection, FDTD method, grounding
resistance, parallel processing, transient analysis, stratified soil.

1
1.0 Introduo
AS subestaes de alta tenso normalmente esto submetidas a potenciais perigosos
em suas estruturas em decorrncia dos surtos atmosfricos e surtos de manobra [1]. Em ambos
os casos, a elevao da tenso no sistema de aterramento pode se tornar bastante crtica de
forma a causar vrios tipos de problemas relacionados interferncia eletromagntica, riscos
e danos em equipamentos e pessoas fsicas. Equipamentos modernos e sistemas que utilizam
dispositivos eletrnicos sensveis tm, cada vez mais, alcanado importncia significativa
perante a humanidade. Em muitos casos, um dano ou mesmo uma falha temporria em tais
dispositivos no pode ser aceito. Portanto, um dos tpicos principais relacionados
compatibilidade magntica em sistemas eltricos modernos, a proteo eficiente e
econmica contra transitrios causados por descargas atmosfricas [2]. Em decorrncia dos
fenmenos eltricos citados, que se tornam crticos em funo das caractersticas dos solos
onde a injeo de corrente ocorre, surge a necessidade de um aprofundamento, cada vez
maior, nos estudos dos sistemas de aterramento. As conexes para terra em geral so
impedncias complexas tendo componentes resistivos, capacitivos e indutivos capazes de
afetar a sua capacidade de transporte de corrente. As medies da impedncia de aterramento
so importantes: (a) na determinao da elevao do potencial de terra e sua variao atravs
de uma determinada rea, resultado de uma corrente de falta em um sistema de potncia; (b)
na verificao da adequao das conexes com a terra para efeito de proteo contra
descargas atmosfricas e (c) na segurana quanto ao perfeito funcionamento dos
equipamentos de proteo de sistemas eltricos e equipamentos de tecnologia da informao.
Vrios trabalhos tm sido publicados com descrio de metodologias diversas para a
medio da impedncia, resistncia de aterramento transitria (TGR), tenses de toque e de
passo em malhas de aterramento [3-11]. Estas publicaes entre outras, abrangem
basicamente os seguintes aspectos:
Clculo de aterramentos eltricos pelo mtodo do potencial constante, onde se procede a
partio dos eletrodos em segmentos, cada qual considerado com um valor particular de
corrente de disperso, mas de densidade uniforme de corrente ao longo de sua extenso. O
eletrodo modelado por um conjunto de filamentos colineares colocados em seu eixo e
imersos no solo. A aplicao desta metodologia se d em malhas de aterramento no
muito extensas e freqncias representativas no muito diferentes da freqncia
fundamental dos sistemas eltricos de potncia. [3].
Estudos eletromagnticos nas anlises de surto usando o Programa de Transitrio
Eletromagntico (EMTP) [12] e [13], bastante utilizado por pesquisadores, onde todos os
2
elementos do sistema a ser ensaiado, so devidamente modelados. Tomando-se como
exemplo uma torre de transmisso submetida a estudos de descargas atmosfricas,
analisada pelo programa EMTP, todos os componentes da torre podem ser modelados da
seguinte forma: (a) linha de transmisso modelada como sistema polifsico dependente da
freqncia; (b) a estrutura da torre como linha monofsica com parmetro distribudo; (c)
cruzeta de ao modelada como indutncia concentrada e (d) fio contra peso ou resistncia
de p de torre geralmente modelado como resistncia pura ou em alguns casos como
resistncia variante no tempo.
Estudos eletromagnticos atravs do mtodo FEM (Mtodo dos elementos finitos) no
espectro de freqncias significativo para descargas atmosfricas (f1MHz). A anlise por
elementos finitos de um problema qualquer, envolve, basicamente quatro etapas: (a)
discretizao do domnio em um nmero finito de sub-regies ou elementos; (b) obteno
das equaes que regem um elemento tpico; (c) conexo de todos os elementos do
domnio e (d) resoluo do sistema de equaes obtido. Nesses estudos, as equaes de
Maxwell com suas derivadas parciais so solucionadas no sentido de determinar as
seguintes variveis de estado: (a) potencial escalar eltrico e (b) vetor potencial
magntico. No sentido de adequar as malhas s configuraes dos componentes
industriais existentes, so introduzidas nas mesmas, figuras geomtricas, como
paralelogramos, tetraedros e pirmides [14]. Esta tcnica tem como limitao a
necessidade de grandes recursos computacionais para processamento dos sistemas de
matrizes e a extrema dependncia do formato da malha.
O mtodo dos momentos (MOM) tem a vantagem de ser um mtodo conceitualmente
simples e bastante utilizado, na resoluo das equaes integrais, podendo tambm ser
utilizado na soluo de equaes diferenciais [15,16]. O mtodo tem sido aplicado com
sucesso a uma grande variedade de problemas em eletromagnetismo de interesse geral,
tais como, problemas de radiao devido a elemento fio fino, problemas de espalhamento,
anlise de microfitas e propagao em meios no-homogneos como a terra [17,18]. O
procedimento para aplicao do mtodo dos momentos, parte da soluo de uma equao
do tipo L = g, onde L um operador que pode ser integral ou diferencial, uma funo
desconhecida e g uma fonte de excitao conhecida. Trs etapas so necessrias para o
equacionamento do problema [19]:
o Escolha da equao integral adequada ao problema.
o Discretizao da equao integral transformando-a na forma matricial, utilizando
funes bsicas e funes de peso.
3
o Soluo da equao matricial e obteno dos parmetros de interesse
Quando comparado com outros mtodos numricos, observa-se que o mtodo dos
momentos trabalha apenas no domnio da freqncia, no comum a aplicao do mtodo
em materiais com condutividade finita (no nula), apresenta problemas de convergncia
em algumas freqncias (plos das funes de Green) e tambm necessita de grandes
recursos computacionais para processamento dos sistemas de matrizes.
Clculo de resistncia de aterramento transitria utilizando a metodologia FDTD
(Diferena finita no domnio do tempo). O espao de trabalho discretizado com auxilio
de clulas de Yee e soluo das equaes diferenciais de Maxwell. Os componentes do
sistema de aterramento so introduzidos no ambiente de trabalho atravs das condies de
contorno. So tambm introduzidos barramentos horizontais e eletrodos auxiliares para
possibilitar a injeo de corrente e medio da diferena de potencial desenvolvida na
terra pela passagem do pulso de corrente [20]. Neste mtodo, a presena de barramentos e
eletrodos auxiliares no ambiente de computao para efeito de medio das variveis
eltricas, causam acoplamento eletromagntico no coerente com a situao real. Este
procedimento tem como efeito uma menor preciso no clculo das variveis do sistema de
aterramento.
Em eletromagnetismo, uma soluo na forma fechada a soluo de uma equao
integral, diferencial ou integro-diferencial na qual os valores dos parmetros do problema
podem ser determinados. Na literatura, algumas das solues analticas so obtidas assumindo
certas restries, fazendo com que essas solues fossem aplicveis quelas situaes
idealizadas. Por exemplo, ao deduzir-se a frmula para calcular a capacitncia de um
capacitor de placas paralelas, assume-se que o efeito de borda desprezvel e que a separao
entre as placas muito pequena se comparada com o comprimento e a largura das mesmas. A
soluo para a equao de Laplace nos problemas prticos de eletrosttica, restrita a
problemas com contornos coincidindo com as direes dos eixos dos sistemas de coordenadas
o que caracteriza uma configurao simples. Ressalta-se que as solues analticas quando
exatas, passam a ser de grande importncia, pois servem de referncia para o aprimoramento
de tcnicas ditas aproximadas. Elas tornam fcil observar o comportamento da soluo em
funo da variao dos parmetros do problema [21].
Quando a complexidade das frmulas tericas tornam as solues analticas
intratveis, recorre-se a mtodos no analticos, o que inclui: (1) mtodos grficos; (2)
mtodos experimentais; (3) mtodos analgicos e (4) mtodos numricos. Os mtodos
grficos, experimentais e analgicos, so aplicveis a um nmero relativamente pequeno de
4
problemas. Os mtodos numricos tm tido destaque, tornado-se mais atrativos com o
advento de computadores digitais cada vez mais rpidos. As trs tcnicas numricas mais
utilizadas em EM so: (1) mtodo dos momentos; (2) mtodo das diferenas finitas e (3)
mtodo dos elementos finitos. Embora os mtodos numricos dem a princpio solues
aproximadas, as solues so suficientemente precisas para os propsitos de engenharia [21].
Existem sete razes fundamentais para a expanso do interesse no aprimoramento, em
termos de aplicao, da tcnica FDTD como soluo numrica computacional para as
equaes de Maxwell [22]:
O mtodo FDTD no precisa fazer uso da lgebra linear, evitando com isso a limitao do
tamanho das equaes no domnio da freqncia e modelos eletromagnticos de
elementos finitos.
um mtodo robusto e que apresenta um bom grau de exatido. As fontes de erro, no
clculo FDTD, so bem compreendidas e podem ser minimizadas para permitir a
elaborao de modelos precisos em uma grande variedade de problemas envolvendo
interaes eletromagnticas.
O mtodo trata os fenmenos transitrios de forma natural. Sendo uma tcnica no domnio
do tempo, calcula diretamente a resposta transitria de um sistema eletromagntico,
podendo fornecer formas de ondas temporais de ultrabanda larga ou respostas senoidais de
regime em qualquer freqncia, dentro do espectro de freqncias.
O FDTD trata o comportamento no-linear de forma natural. Por ser uma tcnica no
domnio do tempo, calcula diretamente a resposta no-linear de um sistema
eletromagntico.
Constitui-se em uma aproximao sistemtica. A especificao de uma nova estrutura a
ser modelada, reduzida a gerao de um problema de malha ao invs da reformulao
potencialmente complexa de uma equao integral.
A capacidade de memria dos computadores vem crescendo rapidamente, tendendo
positivamente para o avano das tcnicas numricas.
A capacidade de visualizao dos programas computacionais tambm vem crescendo
rapidamente, com vantagens para o mtodo FDTD que gera vetores, com valores de
campo obtidos nas iteraes computacionais, em nmero suficiente, para uso em
animaes grficas coloridas, permitindo a ilustrao das dinmicas dos campos
eletromagnticos.
Este trabalho tem como objetivo principal a determinao do comportamento de
sistemas de aterramento quando submetidos a descargas atmosfricas. Na programao
5
computacional que deu suporte aos estudos, as descargas foram simuladas como pulsos de
corrente. As variveis TGR (resistncia de aterramento transitria), tenso e corrente so
analisadas tanto no perodo transitrio como no perodo de regime. Todas as simulaes
foram realizadas em ambiente computacional usando-se tcnica FDTD. De forma diferente ao
que foi realizado em [18], neste novo cenrio, para efeito de comparao, analisou-se tambm
sistemas de aterramento sem os barramentos e eletrodos auxiliares. A eliminao de tais
componentes foi possvel, com auxlio de novas tcnicas para injeo de corrente e medio
de potencial.
Os resultados apresentados neste trabalho, para as diversas situaes propostas,
podero ser teis em projetos de novos sistemas de aterramento, de forma a dot-los de
recursos que venham a dar uma maior proteo s instalaes durante as ocorrncias de
descargas atmosfricas ou falhas no sistema eltrico. Os principais tpicos relacionados ao
desenvolvimento deste trabalho possibilitaram a gerao de artigos que foram publicados em
seminrios nacionais e internacionais e revista especializada. Nestes eventos, a comunidade
cientifica, atravs de debates e comentrios de revisores, ajudou a aprimorar os artigos e o
contedo desta tese de forma a melhor satisfazer s necessidades tcnicas na rea do
conhecimento onde se desenvolveram os estudos.
O presente trabalho, foi dividido em cinco captulos, a saber:
Captulo 1: Trata da introduo, onde so feitos comentrios sobre diversos tipos de
modelagem de sistemas de aterramento e enfatiza a importncia do FDTD na soluo de
problemas em aterramento.
Captulo 2: Uma reviso bibliogrfica a respeito do comportamento do aterramento eltrico
em regime e frente a transitrios.
Captulo 3: Relaciona a teoria envolvida nos estudos de aterramento abordados neste trabalho,
dando nfase tcnica FDTD, processamento paralelo e modelagem do sistema de
aterramento.
Captulo 4: Trata dos resultados obtidos nas simulaes envolvendo vrios arranjos em
sistemas de aterramento.
Captulo 5: So apresentadas as concluses e propostas para trabalhos futuros





6
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] G. Ala and F. Viola, Soil ionization in earth electrodes by a finite difference time
domain scheme, IEEE Electromagnetic compatibility, Vol 3, p.p 850-855, 2004.
[2] F. Heidler and C. Hopf, Measurement results of the electric fields in cloud-to-
ground lightning in nearby Munich, Germany, IEEE Trans. On Electromagnetics
Compatibility, Vol. 40, No. 4, 1998.
[3] F. S. Visacro, M. A. Campos, Aplicao da aproximao potencial constante no
projeto de malha de aterramento: Anlise de sensibilidade; testes experimentais com
modelos reduzidos, X SNPTEE, Curitiba, 1989
[4] IEEE Guide for Measuring Earth Resistivity, Ground Impedance, and Earth Surface
Potentials of a Ground System. ANSI/IEEE Std 81-1983.
[5] G. Parise, U. Grasselli, Simplified Conservative Measurements of Touch and Step
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[6] A. P. Sakis Meliopoulos, P. Shashi and G. J. Cokkinides, A New Method and
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[7] L. E. Gallego, J. H. Montaa and A. F. Tovar, GMT: Software for Analysis of
Grounding Systems, Ground2000 International Conference on Grounding and
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[8] F. Dawalibi, D. Mukhedkar, Optimum Design of Substation Grounding in Two-
Layer Earth Structure Part 1, Analytical Study . IEEE Transaction on Power
Apparatus and Systems, Vol. PAS-94, not. 2, March/April pp. 252-261, 1975.
[9] IEEE Guide for Safety in AC Substation Grounding. ANSI / IEEE, Std.80-1986.
[10] Y. L. Chow, A Simplified Method for Calculating the Substation Grounding Grid
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[11] I. F. Gonos, F. V. Topalis, I. A. Stathopulos, Transient Impedance of ground rods,
High Voltage Engineering Symposium, 22-27, Conference Publication N
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[12] I. M. Dudurych, et al, EMTP analysis of the lightning Performance of a HV
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[13] W. Long, et al, EMTP A Powerful Tool for Analyzing Power System Transients,
IEEE, Computer Application in Power, 1990.
7
[14] B. P. Nekhoul Labie and G. Meunier Calculating the Impedance of a Grounding
System, IEEE Transaction on Magnetics, vol. 32, N 3, may 1996.
[15] R. F. Harrington, Matrix method for field problems, Proc. IEEE, vol. 55, no. 2, pp.
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[16] M. M. Ney, Method of moments as applied to electromagnetics problems, IEEE
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[17] A. P. Sakis Meliopoulos, F. Chia and E. B. Joy, An advanced computer model for
grounding system analysis, IEEE Transaction on Power Delivery, Vol. 8, No.1,
1993.
[18] J. Guo, J. Zou, B. Zhang and Z. C. Guan, An interpolation model to accelerate the
frequency-domain response calculation of grounding system using the method of
moment, IEEE Transaction on Power Delivery, Vol. 21, No.1, 2006.
[19] M. N. O. Sadiku, Numerical techniques in electromagnetics, second edition, CRC
Press, New York, 2001
[20] K. Tanabe, Novel method for analyzing the transient behavior of grounding
systems based on the finite-difference time-domain method CRIEPI, Tokio, 2001.
[21] M. N. O. Sadiku, Elementos de eletromagnetismo. Ed. Bookman 3
th
Ed., pp 620-
648, 2004.
[22] A. Taflove and S. C. Hagness: Computational eletrodynamics: The finite-difference
time-domain Method, Artech house,inc., Boston, 2000.


8
2.0 Reviso bibliogrfica
Neste captulo so abordados alguns tpicos relevantes em sistemas de aterramento e
descargas atmosfricas. Alguns assuntos esto diretamente relacionados ou serviram de base
para o desenvolvimento desta tese de doutorado. Outros assuntos, apesar de seus conceitos
no serem utilizados no trabalho, so considerados, tambm importantes, podendo ser
aplicados em trabalhos futuros na mesma linha de pesquisa. Citam-se, como exemplos, as
informaes sobre variaes dos parmetros do solo com a freqncia e fenmenos de
ionizao do solo por pulsos de corrente que ocorrem nas descargas atmosfricas.
Durante sua operao, um sistema eltrico ou eletrnico fica sujeito a ocorrncias
internas, que so as tenses transitrias, devido a chaveamentos, e externas, provocadas por
interferncias geradas por fenmenos naturais, equipamentos ou outros sistemas acoplados
eletromagneticamente com o primeiro. A incidncia das descargas atmosfricas nas sadas de
linhas e equipamentos significativa, sendo, portanto, justificados todos os cuidados com o
desempenho de linhas e subestaes diante dos referidos surtos. As interrupes de energia
eltrica que acontecem em conseqncia de tais fenmenos, implicam em prejuzos para a
concessionria e consumidores, alm da reduo do nvel de confiabilidade da rede.

2.1 Ondas padronizadas para surtos atmosfricos
Ainda hoje, apesar de todos os avanos da cincia, em vrios aspectos, o
conhecimento sobre as descargas atmosfricas limitado. Atualmente, algumas tcnicas
avanadas de proteo e anlise dos efeitos dos raios so dominadas, porm pouco se sabe
sobre diversos aspectos fsicos envolvidos no fenmeno, como o caso das descargas, que
partem da nuvem para a estratosfera, por exemplo.
Na formao do raio estabelecido um canal condutor entre nuvem e solo, que
ocasiona um fluxo de corrente intensa. Isso gera o aquecimento do canal, a temperaturas
superiores a 3.000 C, causando efeito luminoso intenso, o relmpago, e deslocamento de ar
com forte efeito sonoro, o trovo. Como a velocidade da luz (300 milhes de m/s) muito
maior que a do som (300 m/s), percebe-se o relmpago segundos antes do trovo.
Existem quatro variedades bsicas de descargas atmosfricas, classificadas de acordo
com os elementos conectados. So elas:
Intranuvem (quando a corrente de descarga ocorre dentro da prpria nuvem)
Entre nuvens (quando a corrente de descarga ocorre de uma nuvem para outra)
Nuvem-solo (quando a corrente de descarga ocorre entre a nuvem e o solo)
9
Nuvem-estratosfera (quando a corrente de descarga ocorre da nuvem para a
estratosfera)
A maior parte das descargas atmosfricas ocorre intranuvem. Os efeitos associados a
tal tipo de descarga so pouco evidentes na superfcie da terra, pois se manifestam, sobretudo
atravs de ondas irradiadas de campo eletromagntico, as quais atingem a superfcie do solo
com intensidade moderada. As descargas entre nuvens ocorrem atravs da constituio de um
canal de conexo entre centros de cargas negativas e positivas de nuvens diferentes. Nunca
uma linha reta e sim constituda de numerosas ramificaes e o canal de raio normalmente
possui extenso de vrios quilmetros, s vezes dezenas de quilmetros. Tal como o tipo de
descarga anterior, no desperta interesse to significativo, embora haja registro de descargas
dessa natureza fechando seu percurso atravs da estrutura metlica de avies e causando
danos que configuram srias condies de risco. Na Figura 2.1, mostrada a fotografia de
uma descarga entre nuvens. No estudo de surtos atmosfricos em redes eltricas, destacam-se
a incidncia de descargas eltricas que atingem a terra, ou seja, descargas nuvem terra,
mostrado na Figura 2.2. Essas descargas, so as que despertam maior interesse, pois o fluxo
da corrente de retorno pelo canal de descarga, estabelecido entre nuvem e solo, capaz de
determinar condies severas de risco para a vida e para os sistemas eltricos na superfcie da
Terra. O percentual de descargas para terra representa em torno de 25% do total das descargas
atmosfricas.

Fig. 2.1 Descargas entre nuvens

10

Fig. 2.2 Descarga entre nuvem-Terra (Foto tirada por Charles Allison em Oklahoma 26 de
agosto de 2005)

Estudos recentes baseados em medies de fenmenos atmosfricos a partir de
satlites artificiais, utilizando detectores pticos, mostram a existncia das descargas para a
estratosfera. So descargas de difcil visualizao, pois, o corpo da nuvem se interpe entre o
observador terrestre e a estratosfera. Tais descargas configuram percursos mais longos que os
demais tipos e os campos que chegam superfcie da terra so de menor intensidade em
funo da maior distncia do topo das nuvens onde tais descargas acontecem.
No que se refere s descargas nuvem-terra, o sentido de propagao das descargas no
canal precursor pode ser ascendente e descendente. Em locais planos, o raio ascendente
aparece a partir de uma edificao alta ou torre de pelo menos 100 a 200 m de altura. O
nmero de descargas ascendentes cresce com a altura da construo. citado como exemplo,
o fato de 90% de todos os raios incidentes na torre de televiso, em Moscou, de 530 m, serem
do tipo ascendente [1]. Comportamento similar observou-se no Edifcio Empire State Bulding
em Nova York [2]. Estes tipos de construo impelem raio em direo s nuvens, ao invs de
serem atacados pelos raios. Quanto s descargas descendentes, so constitudas a partir de um
canal precursor que se origina na nuvem e evolui descendentemente at, induzir um canal
ascendente de descarga ao se aproximar do solo. O fechamento do canal ocorre prximo ao
solo, o ponto de conexo dos canais ascendente e descendente pode ocorrer a alturas de
algumas dezenas de metros a umas poucas centenas de metros em relao ao solo,
11
dependendo das caractersticas do relevo. Cerca de 90% das descargas descendentes ocorrem
na Europa durante as tempestades de vero e transportam carga negativa. So conhecidas
como descargas descendentes negativas. Propores maiores de descargas descendentes
positivas acontecem em regies tropicais e subtropicais, especialmente no inverno quando a
incidncia atinge valores superiores a 50%.
Na formao da descarga, distinguem-se duas fases importantes. A primeira delas
corresponde formao de um canal ionizado atravs da camada de ar entre nuvem e terra,
chamado leader. A segunda est relacionada com uma efetiva passagem de corrente pelo
canal ionizado, chamada de corrente de retorno (return stroke). Nuvens podem estar
carregadas com diferentes distribuies de carga. A Figura 2.3 mostra nuvens com cargas
negativas na regio inferior. Nesse caso em particular, o inicio da descarga se d com a
formao de um canal leader descendente, Figura 2.3 (a), que se aproxima da terra
progressivamente, aumentando o campo eltrico e propiciando uma movimentao
ascendente de cargas com polaridade oposta, mostrada na Figura 2.3 (b).














Fig. 2.3 Fases de uma descarga atmosfrica: (a) leader descendente, (b) leader ascendente
(c) momento da conexo entre as descargas e (d) Corrente de retorno
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ascendente
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(a) (b)
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Leader
ascendente
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(a) (b)
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Corrente de
retorno
(c) (d)
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Corrente de
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Corrente de
retorno
(c) (d)
12
A efetiva passagem da corrente entre a nuvem e a terra ocorre pelo contato das
formaes de cargas ascendentes e descendentes, Figura 2.3 (c) e (d).
As sobretenses atmosfricas, em linhas de transmisso, tm curta durao, com
frentes de onda relativamente rpidas (alguns s) e tempos de decaimento da ordem de 100 s
a 300 s. A Figura 2.4 mostra a forma como se divide um pulso atmosfrico incidente em
uma linha de transmisso.





Fig. 2.4 Representao do pulso atmosfrico em uma linha de transmisso

Pela necessidade de padronizao de ensaios experimentais capazes de avaliar o
comportamento e a integridade dieltrica de equipamentos, dispositivos e materiais, frente a
surtos de tenso e corrente associadas s descargas atmosfricas, foram criadas normas
internacionais que norteiam o trabalho dos laboratrios responsveis pelos ensaios de
equipamentos de alta tenso. A norma IEC 60-060-1 que trata das tcnicas de alta tenso,
formas de onda etc., estabelece, em seu contedo, especificaes para as ondas de pulso de
tenso e de corrente. So empregadas nos ensaios de equipamentos para simulao de
descargas, as seguintes especificaes:
Pulso de tenso: 1.2 x 50 s, tolerncias de 3% no valor de pico, 30% no tempo de frente
de onda e 20% no tempo de cauda.
Pulso de corrente: 1 x 20 s, 4 x 10 s, 8 x 20 s, 30 x 80 s, tolerncias de 10% no valor de
pico, 10% no tempo de frente de onda, 10% no tempo de cauda.

2.1.1 Representao de um pulso atmosfrico pela curva dupla exponencial
O pulso atmosfrico comumente representado, nos meios cientficos, por uma onda
dupla exponencial. Apesar de tal forma de onda no ser representativa da onda real da
descarga atmosfrica, de grande utilidade nos ensaios experimentais. As Figuras 2.5 e 2.6
II
13
ilustram as duas exponenciais de sinais contrrios responsveis pela gerao da onda
padronizada e o circuito de gerao da onda [3], respectivamente.

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-1.e
-t
1.(e
-t
- e

)
1.e
t
T
e
n
s

o

(
p
u
)
Tempo (s)

Fig. 2.5 Onda dupla exponencial como onda de um pulso atmosfrico
No instante inicial ambas as ondas tm a mesma amplitude, resultando em valor nulo
para a soma. Enquanto a onda positiva atenua lentamente no tempo, a onda negativa atenua
rapidamente, e a soma resultante tem o aspecto de um pulso.
A forma de onda com exponencial dupla ( ) ( )
max
t t
u t U e e

= uma
representao freqentemente encontrada em testes de laboratrio e, ao se aplicar a
transformada de Fourier em ondas dessa natureza, verifica-se a existncia de componentes nas
altas freqncias significativas [3].
O circuito de gerao da onda mostrado na Figura 2.6 contempla um gerador de pulso
associado em srie a uma resistncia pr-calculada e diodo retificador de potncia.






Fig. 2.6 Circuito de gerao da onda exponencial
R1
R2
C2
gap
G
~
R
V
D
V
0
V
(
t
)
Gerador
de pulso
C1
R1
R2
C2
gap
G
~
R
V
D
V
0
V
(
t
)
Gerador
de pulso
C1
R1
R2
C2
gap
G
~
R
V ~~
R
V
D
V
0
V
(
t
)
Gerador
de pulso
C1
14
O capacitor C1 carregado e ao atingir o valor de pico coincidente com o valor de
calibrao do gap G, que atua como um espintermetro, provoca uma descarga no circuito
RC formado pelos resistores R1, R2 e capacitor C2. Os tempos da frente de onda e de cauda,
so ajustados atuando nos elementos resistivos e capacitivos do circuito.
A taxa de crescimento da frente de onda mostrada na Figura 2.7, pode ser considerada
como sendo a inclinao da reta que passa pelos pontos 0.1V e 0.9V na frente de onda e
chamada de taxa de crescimento efetivo [4].







Fig. 2.7 Forma de onda padronizada para surto atmosfrico mostrando a taxa de crescimento

Os tempos t
1
e t
2
representam os tempos de frente de onda e de cauda,
respectivamente. Se um pulso de tenso de uma dada polaridade e forma de onda ajustado,
Figura 2.8, de modo que o teste da amostra ocasione descarga disruptiva na cauda da onda em
50% das aplicaes e falhe nos outros 50%, o valor de pico dessa tenso chamado de
tenso crtica de descarga (critical Flashover Voltage) [4].






(a) (b)
Fig. 2.8. Oscilogramas obtidos mostrando (a) uma onda completa e (b) uma onda cortada de
1x10 s.
Onda completa
2 4 6 8 10 12 14
E
E/2
0
Onda completa
2 4 6 8 10 12 14
E
E/2
0
2 4 6 8 10
Onda cortada
E
0 2 4 6 8 10
Onda cortada
E
0
Onda cortada
E
0
t
1
t
2
V
mx
0.9V
0.5V
0.1V
( seg)
V
t
1
t
2
V
mx
0.9V
0.5V
0.1V
( seg)
V
15
Se a descarga no ocorre, a onda chamada de onda completa; se a descarga ocorre, a
onda chamada de onda cortada.

2.1.2 Representao da onda de um pulso atmosfrico pela funo de Heidler
A funo de Heidler [5] constitui-se de uma expresso analtica, concebida atravs de
dados obtidos na observao das correntes de retorno em torres monitoradas com
instrumentao especfica. Tem como finalidade a reproduo, de forma mais fiel possvel,
das curvas de corrente de retorno a serem aplicadas em programas especficos de simulao
dos sistemas eltricos, possibilitando a anlise dos efeitos gerados por tais correntes. As
diversas formas de ondas padronizadas para corrente de retorno, podem ser obtidas pela
variao das constantes I
o
,
1
e
2
. De uma forma geral, as correntes de descarga podem ser
representadas pela soma de duas curvas de Heidler. A expresso da funo de Heidler
mostrada em (2.1).

( )
( )
( )
( )
2
/ 1
1
/
1 /
n
t
o
n
t I
I t e
t

=
+

(2.1)

onde,
( )( )
( ) 1/
1 2 2 1
/ / -
n
n
e

(
(

=

I
o
Amplitude da corrente na base do canal

1
Constante relacionada ao tempo de frente de onda de corrente

2
Constante relacionada ao tempo de decaimento da onda de corrente
- Fator de correo de amplitude
n expoente (2 a 10)

2.2 Conceitos bsicos sobre sistemas de aterramento em baixas freqncias
A operao adequada de um sistema de energia eltrica, com desempenho seguro do
seu sistema de proteo e um mnimo de interrupes, passa por um cuidado especial no
quesito aterramento.
16
Os projetos voltados para sistemas de aterramento, na sua maioria, so elaborados a
partir de formulaes consagradas na literatura, considerando apenas as solicitaes de baixa
freqncia, cujos valores so bastante aproximados da freqncia fundamental estabelecida
para os sistemas de gerao de energia, que variam entre 50 e 60 Hz. Cita-se como exemplo
as situaes de curto-circuito que ocorrem nos sistemas de transmisso. Em alguns casos, so
feitas adaptaes ou correes no projeto, quanto sua configurao, para que o mesmo
atenda no somente as condies de baixa freqncia, como possa, tambm, proteger o
sistema contra ocorrncias ditas rpidas ou de alta freqncia.
A Figura 2.9 mostra em (a), o circuito equivalente de um aterramento quando se leva
em considerao freqncias elevadas. Para o estudo em baixa freqncia, simplificaes
podem ser feitas na reatncia de carter indutivo (L) e na susceptncia de carter capacitivo
(C) desprezando-as conforme mostrado em (b). Considerando a alta condutividade do
metal, que constitui os eletrodos de aterramento e a ausncia do efeito pelicular por se tratar
de baixa freqncia, a resistncia dos referidos eletrodos considerada desprezvel. Dentro
desta tica, o sistema de aterramento pode ser representado por um conjunto de condutncias
conectadas em paralelo, incluindo os efeitos mtuos entre as mesmas [3].


Fig. 2.9 Circuito equivalente de um aterramento em condies de (a) alta freqncia e (b)
baixa freqncia

Pode ser mostrado que a resistncia de aterramento diretamente proporcional a
resistividade do solo () em que os eletrodos esto colocados. A constante de
proporcionalidade K, mostrada em (2.2 ), expressa apenas os efeitos geomtricos (dimenso e
forma) dos eletrodos.
T
R K = (2.2)

17

2.2.1 Resistividade do solo
Dado de fundamental importncia para o desenvolvimento de um projeto de
aterramento o conhecimento das caractersticas do solo, principalmente de sua resistividade
eltrica. O conceito fsico de resistividade pode ser entendido ao se imaginar uma poro
cbica de solo homogneo, com arestas iguais a 1m, mostrada na Figura 2.10; a medio da
resistncia, entre duas faces opostas do cubo, tem como resultado um valor de resistncia
eltrica em ohms, numericamente igual ao da resistividade. Sabe-se que:


A
R
l
= (2.3)

Sendo:
R resistncia eltrica do solo
resistividade do solo
A- rea transversal do condutor
l comprimento do condutor

Fig. 2.10 Cubo de 1 m de aresta com duas faces de metal

O conjunto de fatores que determina a resistividade do solo compreende:
tipo de solo;
18
umidade do solo;
concentrao e tipos de sais dissolvidos na gua;
compactao e presso;
granulometria do solo;
temperatura do solo;
estratificao do solo.

a) Tipo de solo
Os tipos de solo no so claramente definidos. Por isto, no possvel atribuir-se um
valor especfico de resistividade a um tipo de solo. Alm disso, a experincia mostra que,
usualmente, so encontrados valores diferentes de resistividade para a mesma variedade de
solo de localidades distintas. A Tabela 2.1 mostra faixas de valores caractersticos para os
diferentes tipos de solos, nas suas condies usuais de umidade.

Tabela 2.1 Faixa de valores usuais de resistividade de certos tipos de solos [6,7].
TIPO DE SOLO RESISTIVIDADE (.m)
Lama 5 a 100
Hmus 10 a 150
Limo 20 a 100
Argilas 80 a 330
Terra de jardim 140 a 480
Clcario fissurado 500 a 1000
Calcrio compacto 1.000 a 5.000
Granito 1.500 a 10.000
Areia comum 3.000 a 8.000
Basalto 10.000 a 20.000


b) Umidade do solo
A resistividade do solo sofre alteraes com a umidade. Para entender o efeito da
umidade na resistividade do solo, deve-se considerar que, em baixa freqncia, a conduo no
solo se faz basicamente por mecanismos eletrolticos. Uma percentagem de umidade maior
19
faz com que os sais, presentes no solo, se dissolvam, formando um meio eletroltico favorvel
passagem da corrente inica. A quantidade de gua presente no solo varivel com uma
srie de fatores, tais como clima, poca do ano, temperatura, natureza do solo, existncia de
lenis subterrneos, dentre outros. A Tabela 2.2 e a Figura 2.11 mostram a variao da
resistividade com o teor de umidade [6].

Tabela 2.2 Influncia da umidade na resistividade do solo
Umidade
(% )
Resistividade
(.m)
0.0 10.000
2.5 1.500
5.0 430
10.0 185
15.0 105
20.0 63
30.0 42


0 5 10 15 20 25 30
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
.m
Indice de umidade (% do peso)

Fig. 2.11 Efeito da umidade na resistividade do solo

c) Concentrao e tipos de sais dissolvidos na gua
Um fator que influencia consideravelmente a resistividade do solo a quantidade de
sais presentes em sua composio. importante ressaltar que, a resistividade da gua pura,
quase infinita, ou seja, a gua seria um isolante perfeito caso no contivesse sais, pois atravs
da ionizao, permitem a conduo de correntes eltricas. Um caso previsvel de ser
observado que em funo da carncia de sais minerais na areia, quando se adiciona gua
20
destilada a uma amostra de areia, verifica-se que sua resistividade varia relativamente pouco,
pela falta de condies para que se processe a eletrlise. A Figura 2.12 mostra o efeito do tipo
de concentrao de sais na resistividade do solo e a Tabela 2.3 mostra a relao entre a
quantidade de sal adicionado a um solo arenoso, de umidade 15% (percentual em peso) e
temperatura de 17 C, e sua resistividade [6,7].

Tabela 2.3 Influncia da concentrao de sais na resistividade do solo
Sal adicionado
(% em peso)
Resistividade
(.m) Solo arenoso
0.0 107
0.1 18
1.0 1.6
5.0 1.9
10.0 1.3
20.0 1.0












Fig. 2.12 Efeito do tipo de concentrao de sais e cido na resistividade do solo

d) Compactao e presso no solo
Um solo mais compacto apresenta uma maior continuidade fsica em funo da
reduo do espao fsico entre suas partculas componentes, proporcionando um menor valor
0.0 0.1 0.2
100
1
2
4
10
R
e
s
i
s
t
i
v
i
d
a
d
e

(

.
m
)



2
0
o
C
Percentagem de soluo
cido sulfrico
Sulfato de sdio
Sulfato de cobre
0.0 0.1 0.2
100
1
2
4
10
R
e
s
i
s
t
i
v
i
d
a
d
e

(

.
m
)



2
0
o
C
Percentagem de soluo
cido sulfrico
Sulfato de sdio
Sulfato de cobre
21
de resistividade. Para realizao de medies de resistncia de terra aps a instalao de um
sistema de aterramento, onde normalmente se processam escavaes para introduo de
eletrodos e cabos de interligao, prtica comum a espera de um certo tempo, visando a
acomodao do solo, no sentido de se obter maior compacidade. Um aumento de presso
sobre o solo torna-o mais compacto com reduo de sua resistividade.
e) Granulometria do solo
A presena de gros de diversos tamanhos na composio do solo, influenciam no valor
da resistividade. A presena de material com granulometria maior, tende a aumentar a
resistividade em decorrncia da menor capacidade de reteno de gua no solo, deixando-a
fluir para camadas mais profundas ou evaporar-se, observando-se tambm um menor contato
entre os gros resultando em menor continuidade eltrica. A presena de gros de tamanhos
variados tende a diminuir a resistividade, pois os menores preenchem os vazios existentes
entre os gros maiores, provocando uma maior continuidade da massa do solo e maior
capacidade de reteno de sua umidade.
f) Temperatura do solo
A elevao da temperatura no solo provoca maior evaporao, diminuindo sua
umidade e conseqente aumento de resistividade. Por outro lado, sabendo-se que a gua
possui alto coeficiente negativo de temperatura, razovel dizer-se que a resistividade tende a
crescer para uma diminuio de temperatura. A Figura 2.13 e a Tabela 2.4 [7] mostram a
influncia da temperatura na resistividade da gua.









Fig. 2.13 Comportamento da resistividade da gua em funo da temperatura
-40 -30 -20 -10 0 4 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Temperatura C
gelo

min
Lquido
-40 -30 -20 -10 0 4 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Temperatura C
gelo

min
Lquido
22
A partir do
mn
com o decrscimo da temperatura e a conseqente contrao e
aglutinao da gua, produzida uma disperso nas ligaes inicas entre os grnulos de terra
no solo, resultando num maior valor de resistividade. No ponto de temperatura 0 C (gua), a
curva sofre descontinuidade, aumentando o valor da resistividade no ponto 0 C (gelo). Com
um maior decrscimo na temperatura, h uma concentrao no estado molecular diminuindo a
mobilidade dos portadores de carga aumentando, com isso, a resistividade do solo.
J no outro extremo, com temperaturas elevadas prximo de 100C, o estado de
vaporizao deixa o solo mais seco, com a formao de bolhas internas, dificultando a
conduo de corrente, conseqentemente elevando o valor da sua resistividade.

Tabela 2.4 Efeito da temperatura na resistividade do solo
Temperatura (C) Resistividade
(.m) solo arenoso
+20 72
+10 33
0 (gua) 138
0 (gelo) 300
-5 790
-15 3.300

g) Estratificao do solo
Os solos geralmente no so homogneos, mas formados por diversas camadas de
resistividade em profundidades diferentes. Essas camadas, devido a formao geolgica, so
horizontais e paralelas a superfcie do solo.
Existem casos em que as camadas se apresentam inclinadas e at verticais devido a
alguma falha geolgica. Alm disso, o solo pode apresentar caractersticas anisotrpicas,
quando por exemplo camadas mais profundas afloram em locais determinados, ocasionando
descontinuidade na superfcie. Desta forma, a resistividade pode variar com a direo
considerada, e, para tratar de um solo de um certo local, passa-se a atribuir-lhe o valor mdio
das resistividades das diversas partes que o compem, denominado resistividade aparente
deste solo [8, 9].
Parece lgica a existncia de uma correlao entre a resistividade do solo e sua
estrutura geolgica, quando so considerados os processos naturais de formao da crosta
terrestre e a natureza dos materiais que a compem. A Tabela 2.5 mostra as faixas de valores
23
de resistividade correspondentes a formaes predominantes em determinados perodos
geolgicos [8].

Tabela 2.5 Valores tpicos de resistividade para diferentes perodos geolgicos.
Perodo
Resistividade
Caractersticas (.m)
Pr-Cambriano e combinaes de Pr-Cambriano e
Cambriano
1.000 a 10.000
Combinaes de Cambriano e Ordoviciano 100 a 1.000
Ordoviciano, Devoniano e combinao destes 50 a 600
Carbonfero, Trissico e combinaes do Carbonfero
com perodos mais recentes
10 a 300
Cretceo, Tercirio, Quaternrio e combinao destes
perodos
2 a 30

H dois mtodos principais para medio de resistividade aparente para fins de
aterramento: o mtodo de Wenner, muito utilizado no Brasil, e o mtodo de Schlumberger,
mais utilizado nos Estados Unidos.
A terra modelada como sendo composta de diversas camadas de solo as quais tem
caractersticas eltricas diferentes, conforme ilustrado na Figura 2.14. Observa-se na figura,
um exemplo de solo estratificado em quatro camadas, sendo a ltima camada de espessura
considerada infinita.








Fig. 2.14 Representao do solo estratificado em quatro camadas onde a ltima camada
considerada infinita
1 camada h
1
2 camada h
2
3 camada h
3
4 camada h

, ,

1 1 1
, ,
2 2 2
, ,
3 3 3
, ,
1 camada h
1
2 camada h
2
3 camada h
3
4 camada h

, ,

1 1 1
, ,
2 2 2
, ,
3 3 3
, ,
24
Em muitos casos o solo representado por duas camadas. Nesta representao a
camada superficial tem a sua espessura e caractersticas eltricas equivalente s n-1 camadas a
partir da superfcie.

2.2.2 Resistncia de aterramento
Uma conexo terra apresenta resistncia, capacitncia e indutncia, cada qual
influindo na capacidade de conduo de corrente para o solo. Portanto, em princpio, no se
deve pensar apenas numa resistncia de aterramento, mas numa impedncia. Para condies
de baixa freqncia, baixas correntes e valores de resistividade do solo no muito elevados,
so desprezveis os efeitos reativos e de ionizao do solo e o mesmo comporta-se
praticamente como uma resistncia.
A quantificao do valor da resistncia de aterramento pode ser traduzida atravs da
relao entre o valor da diferena de potencial verificada entre o eletrodo e um ponto no
infinito (local da terra afastado do eletrodo onde o potencial se anula) e o valor da corrente
injetada no solo atravs do referido eletrodo.
Na literatura especializada encontram-se vrias frmulas para clculo da resistncia de
aterramento. Os eletrodos de aterramento mais comuns so as hastes e os cabos de
aterramento. Apresentam-se a seguir os clculos necessrios para determinao da resistncia
de aterramento de uma haste em um solo homogneo.
O potencial em um ponto P imerso em um solo infinito e homogneo, localizado a
uma distncia r de uma fonte pontual de corrente (ponto c), da qual emana uma corrente
eltrica I, conforme mostrado na Figura 2.15, pode ser obtido partindo-se do campo eltrico
E
P
, no ponto P, como segue,







Fig. 2.15 Fluxo de corrente resultante na terra
V
P
r
I
P
c
V
P
r
I
P
V
P
r
I
V
P
r
I
P
c
25
p P
E J = , (2.4)

onde J
P
a densidade de corrente no ponto P.
A densidade de corrente observada sobre a superfcie de uma esfera de raio r, com
centro no ponto c dada por

2
4
P
I
J
r
= , (2.5)

substituindo a equao acima em (2.4), resulta

2
4
P
I
E
r

= . (2.6)

O potencial no ponto P, em relao a um ponto infinito dado por:

.
P P
r
V E dr

,
(2.7)

como
P
E e dr tm a mesma direo e sentido, a equao (2.6) pode ser substituda em (2.7),
resultando,

4
P
I
V
r

= . (2.8)

Como a situao mostrada na Figura 2.15 no encontra aplicao prtica, uma situao
real pode ser encontrada quando a fonte de corrente I, posicionada no interior da terra,
considerada homognea, como mostrado na Figura 2.16.

26










Fig. 2.16 Fonte de corrente I no interior da terra

Para efeito de anlise do potencial no interior da terra, o sistema da Figura 2.16 pode
ser substitudo pelo sistema equivalente (mtodo das imagens), mostrado na Figura 2.17.









Fig. 2.17 Potencial em um ponto P localizado no interior da terra. Utilizao do mtodo das
imagens
O potencial em um ponto P, em relao ao infinito, passa a ser calculado pela
superposio das contribuies das duas fontes de corrente. Desta forma, tm-se para o
potencial, a seguinte expresso, usando-se (2.8),
solo
I
solo
I
27
'
'
4 4
P
I I
V
r r


= + ,

1 1
4 '
P
I
V
r r r

| |
= +
|
\
,
(2.9)

onde
'
I I = e as distncias r e r so dadas por:

( ) ( ) ( )
2 2 2
0 0 0
r x x y y z z = + + , (2.10)

( ) ( ) ( )
2 2 2
0 0 0
' r x x y y z z = + + + . (2.11)

Para o caso de uma haste de comprimento L, ao ser injetada a corrente I, pode-se
considerar a densidade de corrente uniforme ao longo do comprimento da haste.
A Figura 2.18 representa uma haste de comprimento L e raio a, posicionada na origem,
ou seja, nas coordenadas x = 0, y = 0 e z = 0. O problema em questo trata do clculo, em um
ponto afastado P
0
,

do potencial gerado, conforme sugerido por Dwight [10].

Fig. 2.18 Haste de aterramento posicionada na origem

x
0
P
0
z
0
y
0
L
-L
X
Y
Z
x
0
P
0
z
0
y
0
L
-L
X
Y
Z
28
Para calcular o potencial da haste no ponto P
0
, pode-se considerar a fonte como sendo
constituda de vrias fontes de corrente infinitesimais alinhadas ao longo do comprimento da
haste e produzir a somatria dessas contribuies (superposio).
Substituindo os valores de r e r conforme a nova situao da haste centrada na origem
tem-se:

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2 2 2 2 2 2
0
0 0 0 0 0 0
1 1
4
0 0 0 0
L
P
I
V dz
L
x y z z x y z z

| |
|
= +
|
+ + + + +
\

,
(2.12)

fazendo
2 2 2
0 0
b x y = + tem-se,

( ) ( )
2 2
2 2
0
0 0
1 1
4
L
P
I
V dz
L
b z z b z z

| |
|
= +
|
+ + +
\

,
(2.13)

aps a integrao, tem-se,

( )
0 0
0
4
haste
L z L z I
V P arcsenh arcsenh
L b b

| + | | | | |
= +
| | |
\ \ \
. (2.14)

O primeiro termo representa a contribuio da haste e o segundo a contribuio da
imagem. Para se obter o valor da resistncia da haste basta calcular o potencial mdio na
superfcie da haste e dividi-lo pelo valor da corrente. Como a distncia entre a superfcie da
haste e sua linha central o raio da haste, faz-se b = a em (2.14) e integra-se z
o
de 0 at L,
onde obtm-se a seguinte equao para o potencial:

( )
0 0
0
1
L
hm h
V V P dz
L
=

. (2.15)

29
Aps a integrao e simplificao da equao acima, tem-se:

2
2
1
2 2 2
hm
I L a a
V arcsenh
L a L L

| |
| | | |
|
= + +
| |
|
\ \
\
,
(2.16)

Substituindo
( )
2
( ) ln 1 arcsenh x x x = + + , obtm-se:

2 2
2
ln 1 1 1
2 2 2 2
hm
I L a a a
V
L a L L L

| | | | | |
| | | |
| | |
= + + + +
| |
| | |
\ \
\ \ \
.
(2.17)

Considerando que o valor de a muito menor que L, os termos a/2L podem ser
desprezados. Aps o que, a equao (2.17) dividida pela corrente I e, o dimetro da haste
d=2a considerado. Desta forma, obtm-se a resistncia da haste de aterramento. A
expresso (2.18) mostra a conhecida frmula de Sunde [11].

8
ln 1
2
h
L
R
L d

| | | |
=
| |
\ \
. (2.18)

Dependendo da preciso que se deseja obter nos clculos da resistncia de
aterramento, existe uma frmula, muito comum na literatura, dada por Tagg [6], a qual
expressa como segue:


2
ln
2
h
L
R
L a

| |
=
|
\
.
(2.19)

Como bem conhecida, a interligao de hastes em paralelo diminui, sensivelmente, o
valor da resistncia de aterramento. Para o clculo da resistncia de uma associao de hastes,
deve-se levar em conta o efeito das resistncias mtuas entre as hastes. Este efeito devido
30
elevao do potencial de uma haste gerada pela corrente que flui em outra haste, reduzindo a
eficincia da associao.
A soluo clssica para este problema, consiste em utilizar um mtodo matricial,
resolvendo um sistema de equaes lineares para determinar a corrente que flui em cada uma
delas, impondo que o potencial em todas as hastes seja o mesmo [12].
Dependendo do tamanho da associao considerada, o mtodo matricial requer
bastante memria de computador, bem como tempo de processamento, de forma que, para
sistemas simples, pode-se assumir uma distribuio de corrente constante, aplicada a casos
particulares, tal como hastes em linha, crculo etc.
Na Tabela 2.6 so apresentadas frmulas para o clculo da resistncia de aterramento
de algumas configuraes tpicas de aterramento [13].
Para solos estratificados em duas camadas, a principal diferena em relao ao solo
homogneo so as reflexes e refraes na interface entre as camadas diferentes do solo.
Neste caso vale ressaltar que h duas interfaces funcionando como espelhos, sendo uma da
superfcie da terra com o ar e a outra entre os solos de resistividades diferentes.

2.2.3 Mtodos de medio da resistncia de aterramento
A tecnologia atual. estabelece claramente que no existe qualquer medio indireta
que substitua a medio direta da resistncia de aterramento utilizando tcnica adequada.
Referidas medies, so de grande importncia na verificao dos valores de resistncia de
aterramento de um sistema recm construdo ou para detectar variaes nos padres de
aterramento durante as rotinas de manuteno. A quantificao da resistncia de um
aterramento realizada pela razo entre o potencial do sistema de aterramento em relao a
um ponto infinitamente afastado e a corrente que se faz fluir atravs do mesmo sistema.

2.2.3.1 Mtodo da queda de potencial
O mtodo da queda de potencial um modo de medida em linha. O instrumento a ser
utilizado na implementao do mtodo denominado Terrmetro ou Megger, conforme
ilustrado na Figura 2.19, podendo ser de 3 ou 4 terminais. No caso de se utilizar a segunda
opo, os terminais P
1
e C
1
devero ser curto-circuitados. A medio feita conectando a
malha de terra (de preferncia desconectada do sistema eltrico, ou seja, neutros,
equipamentos etc.) aos terminais P
1
e C
1
do equipamento; o terminal C
2
conectado ao
eletrodo auxiliar de corrente e o terminal P
2
conectado ao eletrodo auxiliar de potencial.
31
Tabela 2.6 Expresses para configuraes tpicas de eletrodos de aterramento

Eletrodo

Tipo/Frmula
Eletrodo Vertical

4
ln 1
2
T
L
R
L a

| | | |
=
| |
\ \

Eletrodo Horizontal
2 4 2
ln ln 2 ....
2
T
L L d
R
L a d L

| |
= + + +
|
\



Semi-esfera ao nvel do solo
2
T
R
r

=


Esfera colocada a profundidade d
1 1
ln
4 2
T
R
r d

| |
| |
= +
| |
\
\

Disco horizontal a profundidade d
1 1
ln
4 2
T
R
r d

| |
| |
= +
| |
\
\

Disco vertical a profundidade d
2
T
R
r

=


A distncia C entre a malha de aterramento e o eletrodo de corrente em C
2
dever ser
bem superior s dimenses lineares do sistema do aterramento.
L
2 a
L
2 a
d
2a
d
2a
d
r
d
r
dd

dd
32
Em termos prticos, o eletrodo de corrente dever ser colocado a uma distncia, do
centro geomtrico do aterramento, com valor superior a 3 ou 4 vezes a maior dimenso linear
do mesmo. Aconselha-se que essa distncia no seja inferior a 40 metros, para pequenos
aterramentos, e a 100 metros, para o caso de malhas mais extensas [13].









Fig. 2.19 Esquema de medio da resistncia de terra
Ao variar a distncia entre o eletrodo auxiliar de potencial ligado a P
2
e o eletrodo
auxiliar de corrente ligado a C
2
e proceder a medio de resistncia em cada ponto escolhido
no percurso, ser possvel plotar uma curva do tipo mostrada na Figura 2.20. Pode-se observar
que, quando se adota uma distncia suficiente entre o eletrodo auxiliar de corrente e o centro
da malha de terra (C), um patamar relativamente extenso e plano formado na curva plotada e
a ordenada desse patamar representa o valor da resistncia procurada (R
T
).







Fig. 2.20 Perfil da resistncia no mtodo da queda de potencial

v v
Terrmetro
P
1
, C
1 P
2
C
2
V
t
I
t
vv vv
Terrmetro
P
1
, C
1 P
2
C
2
V
t
I
t
C
R()
R
T
61.8% 0% 100%
R()
R
T
61.8% 0% 100%
33
2.2.3.2 Mtodo da regra dos 62%
O mtodo da regra dos 62% tambm um modo de medida em linha. Nele, o eletrodo
de potencial representado por P
2
, dever ser locado a partir do eixo da malha de aterramento a
uma distncia, mais precisamente, de 61.8% (na prtica utiliza-se 62%) do posicionamento do
eletrodo auxiliar de corrente em C
2
,

conforme mostrado na Figura 2.20. Devero ser feitas trs
leituras para medio da resistncia; uma, na posio 62%; outra, mais direita e outra, mais
esquerda. Se os valores obtidos para as trs leituras forem diferentes, significa dizer que na
zona em que est locado o eletrodo auxiliar P
2
, o potencial no ser nulo. H necessidade de
se afastar mais o eletrodo auxiliar de corrente C
2
e repetir os ensaios.

2.2.4 Mtodo de medio de resistividade do solo
Uma das formas para medio da resistividade do solo efetuada basicamente por
amostragem, onde uma amostra de solo coletada e enviada ao laboratrio para determinao
de sua resistividade. Outra forma seria atravs da medio local com auxilio de aparelhos que
injetam correntes em regies limitadas do solo, atravs de eletrodos adequadamente
posicionados. Como exemplo deste tipo de procedimento, ser citado o mtodo de Frank
Wenner.

2.2.4.1 Medio por amostragem
O processo consiste na utilizao de uma cuba de dimenses conhecidas onde se
introduz o material a ser ensaiado que, no caso, seria a amostra do solo, devidamente
compactada, e com a melhor aderncia possvel s paredes da cuba. As laterais da cuba
devero ser de material isolante, assegurando-se que toda a corrente do ensaio circule pela
amostra de solo, conforme mostrado na Figura 2.21.






Fig. 2.21 Medio da resistividade em laboratrio utilizando cuba
V
A

rea = A
I
VV
A

AA

rea = A
I
34
Vale lembrar que, neste caso, a lei de Ohm pode ser aplicada, como segue


; ;
amostra
V R A l
R R
I l A

= = =
.

As medies por amostragem apresentam um srio inconveniente no referente a
incerteza da amostra apresentar no laboratrio exatamente as mesmas caractersticas que
apresentava no local de origem, tais como: umidade, compacidade e, principalmente, a
fidelidade na composio do solo, considerando-se as propriedades anisotrpicas e
heterogneas que normalmente os solos apresentam. Essas possveis mudanas na
caracterstica podem ser traduzidas como fatores de distoro da realidade. Este tipo de
medio se restringe a complementao das informaes resultantes de medies efetuadas
em campo ou para fins especficos de pesquisa da resistividade mdia de tipos de solos e
materiais [13].

2.2.4.2 Medio pelo mtodo de Wenner
O mtodo de Wenner [14], bastante utilizado na engenharia para medio de
resistividade do solo, utiliza quatro hastes alinhadas, igualmente espaadas (a) e cravadas a
uma mesma profundidade (P). Neste mtodo, o dimetro das hastes no deve exceder um
dcimo do espaamento. Na Figura 2.22, mostra-se o arranjo para a medio da resistividade.









Fig. 2.22 Arranjo para medio de resistividade utilizando o mtodo de Wenner
C
1
C
2
P
1
P
2
Terrmetro
v v v v
p
a a a
C
1
C
2
P
1
P
2
Terrmetro
C
1
C
2
P
1
P
2
Terrmetro
vv vv vv vv
p
a a a
35

Para obteno da resistividade, uma corrente eltrica I injetada entre os terminais
ligados a C
1
e C
2
. Esta corrente, passando pelo solo, produz uma diferena de potencial entre
as hastes ligadas em P
1
e P
2
. Ento, utilizando o mtodo das imagens para contabilizao do
potencial nos terminais de P
1
e P
2
, e dividindo este valor pela corrente circulante no solo e
explicitando a resistividade, chega-se a equao (2.20).

( ) ( ) ( )
2 2 2
2
4
[ . ]
2 2
1
2 2 2
aR
m
a a
a p a p

=
+
+ +
.
(2.20)

Para um afastamento, entre as hastes, relativamente grande, a>20p, a frmula (2.20)
aproximada por:

| | 2 . aR m = (2.21)

Dependendo da importncia do local de aterramento, e de suas dimenses, as medidas
devero ser levantadas em vrias direes. Feitas as medies, uma anlise dos resultados
deve ser realizada para que os mesmos possam ser avaliados quanto sua aceitao ou no.

2.2.5 Conceitos bsicos de segurana em aterramento
Os sistemas eltricos, desde a sua concepo original, utilizam na sua gerao e
distribuio de energia, em grande parte das aplicaes, equipamentos trifsicos balanceados.
As extremidades dos enrolamentos dos geradores, nas grandes usinas, que no esto ligadas a
carga, so normalmente conectadas em estrela e o ponto neutro formado pela referida conexo
ligado terra de forma direta ou atravs de dispositivos responsveis pela limitao da
corrente de curto-circuito.
A ocorrncia de falha em uma ou vrias fases para terra ou ainda a incidncia de
descargas atmosfricas em linhas de transmisso ou equipamentos de subestaes, originam
elevada corrente de seqncia zero e intenso fluxo de corrente de retorno, respectivamente.
Estas sobrecorrentes produzidas tendem a circular pelo neutro e pelo sistema de aterramento
associado.
36
A passagem da corrente eltrica pela terra, tanto no perodo transitrio como de
regime, tende a produzir diferenas de potencial nas imediaes da ocorrncia, cujos valores
so resultados do produto da magnitude da corrente pela impedncia do solo no trecho
considerado.
Do ponto de vista da segurana de pessoas nas vizinhanas de um sistema eltrico, os
sistemas de aterramentos e condutores de equalizao utilizados no ambiente protegido, tm
por finalidade garantir que as mesmas no sejam expostas a tenses acima de certos limites.
Estas exposies acontecem principalmente devido s diferenas de potencial que podem se
desenvolver entre estruturas metlicas aterradas ou no e o solo, acima ou nas vizinhanas da
malha de aterramento. As condies que tornam possvel a ocorrncia de choques eltricos
acidentais so basicamente [15]:
os valores elevados de corrente de falta terra ou incidncia de descargas na regio
de aterramento;
a alta resistividade do solo em funo da inexistncia ou deficincia do sistema de
aterramento. Este fato poder provocar o surgimento de altos gradientes de potencial
na superfcie da terra;
a presena de pessoas nas reas de risco sem utilizar os componentes normatizados de
proteo individual, tais como luvas, botas isolantes etc.. Esses componentes so
responsveis pelo incremento de resistncias para proteo do corpo humano
diferenas de potenciais elevadas;
a inexistncia de camadas de brita nos pisos das subestaes tornam o indivduo mais
vulnervel ao choque eltrico em funo da diminuio da resistncia de contato com
o solo e
a durao do tempo da falta e tempo de circulao da corrente atravs do corpo
humano em decorrncia, por exemplo, de uma proteo ineficiente.

2.2.5.1 Efeito da corrente no organismo humano
Os efeitos da corrente passando atravs de partes vitais do corpo humano, dependem
do percurso da corrente eltrica pelo corpo, intensidade da corrente, durao, freqncia,
valor da tenso, estado de umidade da pele e condies orgnicas do individuo. A
conseqncia mais perigosa a ser considerada conhecida como fibrilao ventricular do
corao que o estado de tremulao (vibrao) irregular e desritmada das paredes dos
ventrculos, com perda total da eficincia do bombeamento do sangue Estudos mostram que o
37
limite para que no ocorra a fibrilao est baseada na expresso (2.22), limitada a tempos de
0,03s a 3,0s [16].

( )
2
c s c
I t S =
,
(2.22)

sendo,
I
c
- valor rms de corrente permitida atravs do corpo em Ampres,
t
s
- tempo de exposio ou durao da falta em segundos e
S
c
- constante emprica relacionada com a tolerncia ao choque eltrico para um certo
percentual da populao.
Para um corpo humano mdio de 50Kg ou mais, foi encontrado empiricamente o
valor de S
c
= 0,0135. Usando-se esse valor em (2.22), tm-se como mxima corrente
suportada pelo corpo humano o valor dado por (2.23) [17].

0.116
c
s
I
t
=
(2.23)

Por exemplo, para um tempo de exposio ts = 1s, tem-se um valor mximo para
corrente suportada de Ic =116mA.

2.2.5.2 Potencial de passo e de toque
Em estruturas eletrificadas, o conhecimento da tenso de toque e de passo de suma
importncia, pois permite um diagnstico da eficincia de um sistema de aterramento. Caso as
referidas tenses no excedam os limites admissveis, o sistema pode ser considerado seguro,
independendo dos valores de elevao do potencial de terra (GPR) a que possa estar
submetido o sistema de aterramento em questo. Desta forma, uma boa condio de
segurana, pode ser obtida por meio de um projeto que priorize uma geometria adequada da
malha de terra, mesmo que a resistncia de aterramento seja alta [18]. Uma pessoa transitando
em uma instalao no dever ficar submetida a potenciais superiores aos que produzem
correntes em seu corpo maiores que as especificadas em (2.23). A Figura 2.23 apresenta de
forma clara as condies a que um indivduo pode se expor em uma instalao de risco [15].
Na Figura 2.23, I a corrente produzida pelo transitrio eltrico na estrutura metlica
em questo, R0, R1 e R2 so valores de resistncia do solo na regio indicada, R
F
a
38
resistncia de contato do p, R
K
a resistncia das pernas na Figura 2.24(a) e dos membros e
tronco na Figura 2.23(b), Vtoque o potencial de toque e Vpasso o potencial de passo. Os
circuitos resistivos mostrados, esclarecem a condio de fluxo de corrente eltrica nas duas
situaes apresentadas. Fica clara a minimizao da corrente eltrica atravs do corpo humano
quando h uma maior eficincia do aterramento representada pela diminuio dos valores de
R0, R1 e R2..











(a)













(b)
Fig. 2.23 Tenso de passo (a) e tenso de toque (b) em estrutura aterrada

V
passo
R
1
R
2
R
0
R
K
R
F
R
F
Distribuio do potencial
na terra devido a uma
descarga ou curto-circuito
R
F
R
F
R
K
R
1
R
2
R
0
I
K
I
K
V
passo
I
V
passo
R
1
R
2
R
0
R
K
R
F
R
F
Distribuio do potencial
na terra devido a uma
descarga ou curto-circuito
R
F
R
F
R
K
R
1
R
2
R
0
I
K
I
K
V
passo
I
Distribuio do potencial
na terra devido a uma
descarga ou curto-circuito
R
F
/2
V
toque
R
1
R
0
R
K
R
F
/2
R
K
R
1
R
0
I
I
K
I
K
I
V
toque
Distribuio do potencial
na terra devido a uma
descarga ou curto-circuito
R
F
/2
V
toque
R
1
R
0
R
K
R
F
/2
R
K
R
1
R
0
I
I
K
I
K
I
V
toque
39
2.2.5.3 Resistncia do corpo humano
Embora os efeitos fisiolgicos dependam da intensidade da corrente, na maior parte
dos casos, a gravidade de uma ocorrncia imputada a tenso aplicada ao acidentado que
fixada pela instalao eltrica. A resistncia eltrica tem um papel fundamental nos acidentes
com eletricidade. Verifica-se que esta resistncia no linear, podendo considerar-se em uma
aproximao razovel os seguintes valores para a mesma:

Tabela 2.7 Resistncia do corpo humano com a tenso
Tenso (Volts) Resistncia (Ohms)
25 3250
50 2625
220 1350
1000 1050

A Tabela 2.7 vlida para trajetos de corrente eltrica que atravessem a regio
cardaca, isto , de uma mo para outra mo ou de uma mo para um p. Nota-se que se
costuma definir a resistncia do corpo humano como a soma de trs resistncias em srie,
ou seja:
resistncia de contato, na entrada da corrente, entre a vtima e o condutor tocado;
resistncia do prprio corpo humano e
resistncia de contato na sada de corrente, entre a vtima e a outra superfcie
condutora tocada, normalmente o solo.
A resistncia de contato entre a vtima e o solo, varia muito com a natureza dos
sapatos e o estado do solo.
sapatos de sola secos resistncia maior do que 50.000 e
sapatos midos com protetores metlicos resistncia da ordem de centenas de Ohms.
No caso geral, como os contatos tendem a resistncias altas, salvo em condies
especiais de proteo individual, pode-se admitir que a resistncia do corpo no desce abaixo
dos 2.000. Para tenses acima de 1kV (correntes acima de 5A) a resistncia do corpo
humano cai devido destruio dos tecidos nos pontos de contato.
40
Considerando a condio mais desfavorvel, ou seja, resistncias de contato iguais a
zero, e usando a expresso (2.23) para corrente mxima suportada pelo corpo humano e
admitindo-se que a resistncia do corpo da ordem 1000, tem-se ento do ponto de vista do
mximo potencial, admitido:

116
s
V
t
= .
(2.24)

2.3 Comportamento do aterramento frente s descargas atmosfricas
2.3.1 Introduo
O comportamento de um sistema de aterramento excitado por correntes impulsivas de
elevada intensidade (tais como, descargas atmosfricas ou faltas do tipo fase terra), difere
consideravelmente daquele submetido a baixas freqncias e reduzido valor de corrente. O
comportamento indutivo do solo se torna muito importante quando comparado com o
comportamento resistivo, complementando ainda que, tais correntes elevadas, podem causar
disrupo ou efeitos ionizantes no solo, fazendo com que a resposta ao pulso de corrente seja
tipicamente no-linear. Nas sees seguintes sero abordados assuntos relacionados
variao dos parmetros do solo com a freqncia, propagao em meios condutivos e efeitos
da ionizao no solo.
Um aterramento eltrico consiste de uma ligao eltrica proposital de um sistema
fsico (eltrico, eletrnico ou corpos metlicos) ao solo. Este se constitui basicamente de trs
componentes, como ilustra a Figura 2.24.








Fig. 2.24 Ligao tpica de uma haste de aterramento
Ligao ao
equipam.
Tampa de concreto
Haste de cobre
5/8 x 2,40m
Conexes
exotrmicas
Tubo de
PVC
Ligao ao
equipam.
Tampa de concreto
Haste de cobre
5/8 x 2,40m
Conexes
exotrmicas
Tubo de
PVC
41
as conexes eltricas que ligam um ponto do sistema aos eletrodos;
eletrodos de aterramento (qualquer corpo metlico colocado no solo);
terra que envolve os eletrodos.
O ponto do sistema que se deseja conectar ao solo pode ser de natureza variada.
Dependendo da aplicao este pode constituir-se em uma trilha numa placa de circuito
impresso, na carcaa de um computador, motor, transformadores de grande porte ou, ainda,
no neutro de um sistema eltrico. Tambm, os eletrodos de aterramento podem ter
configuraes bem diversificadas, citando-se como exemplo algumas configuraes usuais,
tais como: cantoneiras de ferro galvanizado, hastes revestidas com cobre, sistemas hidrulicos
ou malhas em reticulado. As formas, assim como as disposies geomtricas dos eletrodos no
solo, so as mais variadas, de acordo com a aplicao. Destacam-se as hastes verticais, usadas
principalmente quando as camadas mais profundas do solo tm menor resistividade, e que so
muito prticas, por serem de fcil cravao. Os eletrodos horizontais, enterrados usualmente
a profundidades da ordem de 0,5 metro, so usados principalmente quando a maior
preocupao o controle do gradiente de potencial na superfcie do solo.
Para se avaliar a natureza dos aterramentos, deve ser considerado que, em geral, uma
conexo terra apresenta resistncia, capacitncia e indutncia, cada qual influindo na
capacidade de conduo da corrente para a terra. A perspectiva na qual o sistema enxerga o
aterramento pode ser expressa atravs de sua impedncia. Tal Impedncia de aterramento
pode ser conceituada como a oposio oferecida pelo solo injeo de uma corrente eltrica
no mesmo, atravs dos eletrodos, e se expressa quantitativamente por meio da relao entre a
tenso aplicada ao aterramento e a corrente resultante.
O solo, como outro meio qualquer, tem propriedades eltricas e magnticas. Estas
propriedades variam de acordo com a composio qumica, fsica e geomtrica dos
componentes do solo. Os parmetros do solo de grande importncia no estudo de aterramento
so: resistividade, permissividade e permeabilidade. A qualidade de um aterramento eltrico
no solo est relacionada diretamente com estas propriedades. A mais utilizada, a
resistividade, ou seja, a capacidade de conduzir corrente eltrica ativa atravs de um meio
condutivo. Este parmetro foi tratado com certo nvel de detalhamento na seo 2.2. A
permissividade eltrica assume importncia durante o escoamento de pulsos eltricos em
freqncias elevadas. E a permeabilidade tratada como sendo constante e igual a do vcuo
para a grande maioria dos tipos de solo.
42
a) Permissividade A permissividade varia para cada tipo de terreno, tem influncia no
efeito capacitivo dos eletrodos de terra e na velocidade de propagao da corrente eltrica na
terra. Para a permissividade absoluta do vcuo, tm-se
0
= 8.854x10
-12
. Para efeito de
simplificao, utiliza-se a permissividade relativa (
r
) que a permissividade em relao a do
vcuo, tambm conhecida como constante dieltrica. Os solos conhecidos tm a constante
dieltrica relativa variando de 1,5 a 80, sendo mais usuais os valores entre 10 e 15. A gua do
mar tem constante dieltrica 80, ver Tabela 2.8 [19].

Tabela 2.8 Constante dieltrica aproximada ou permissividade relativa (
r
) e a rigidez
dieltrica de alguns materiais de uso corrente
Material

Constante dieltrica
(
r
) adimensional
Rigidez dieltrica
E(V/m)
Titanato de brio 1.200 7.5 x 10
6
gua (mar) 80
gua destilada 81
Nylon 8
Papel 7 12 x 10
6

Vidro 5-10 35 x 10
6

Mica 6 70 x 10
6

Porcelana 6
Baquelite 5 20 x 10
6

Quartzo (fundido) 5 30 x 10
6

Borracha (dura) 3.1 25 x 10
6

Madeira 2.5-8.0
Poliestireno 2.55
Polipropileno 2.25
Parafina 2.2 30 x 10
6

Petrleo 2.1 12 x 10
6

Ar (1 atmosfera) 1 3 x 10
6


A permissividade depende do tipo de solo, da umidade, da freqncia e da variao
di/dt do sinal injetado no solo. At o presente momento, estas variaes tm sido consideradas
apenas em pesquisa cientfica [19].

43
b) Permeabilidade a propriedade magntica dos materiais. Na fsica e na engenharia
eltrica, a permeabilidade o grau de magnetizao de um material em resposta a um campo
magntico. A permeabilidade absoluta para o vcuo representada pelo smbolo
o
e seu
valor de 4..10
-7
H/m, da mesma forma que a permissividade, utiliza-se a permeabilidade
relativa ou constante magntica
r.
A Tabela 2.9 mostra alguns valores de permeabilidade
relativa [20].
Tabela 2.9 Permeabilidade relativa (
r
) de alguns materiais
Material Permeabilidade relativa
(
r
)
Diamagntico
Bismuto 0.9998330
Mercrio 0.9999680
Prata 0.9999736
Chumbo 0.9999831
Cobre 0.9999906
gua 0.9999912
Hidrognio (cntp) 1.0000000
Paramagntico
Oxignio (cntp) 0.9999980
Ar 1.0000000
Alumino 1.0000210
Tungstnio 1.0000800
Platina 1.0003000
Mangans 1.0010000
Ferromagntico
Cobalto 250
Nquel 600
Ferro-doce 5000
Ferro-silcio 7000

Em geral, a permeabilidade para materiais no ferromagnticos prxima a do vcuo,
ou seja, = 4 10
-7
H/m; o valor da permeabilidade relativa para o solo, nessas condies,
em geral
r
= 1.

44
2.3.2 Variao dos parmetros do solo em funo da freqncia
Grande parte dos trabalhos de engenharia na rea de aterramento e descargas
atmosfricas no leva em considerao a variao dos parmetros do solo com a freqncia,
quando da incidncia das descargas atmosfricas; considera a terra como sendo um meio
predominantemente no-dispersivo. Nas pesquisas envolvendo este tipo de variao, um
aspecto essencial constitui-se na modelagem adequada do solo. Excetuando os casos de
campos eltricos muito elevados, que originam significativa ionizao do solo, o
comportamento eletromagntico do solo pode ser considerado linear, e no-dispersivo.
Considerar o solo como um meio predominantemente no-dispersivo, uma prtica
razovel para ocorrncias lentas, tais como, curto-circuito e outros fenmenos similares. Para
os fenmenos rpidos, caracterizados por descargas atmosfricas, a corrente capacitiva pode
atingir valores prximos aos da corrente resistiva, principalmente quando se tratar de solos de
alta resistividade. Dados experimentais mostram que as relaes entre correntes condutivas e
capacitivas no solo variam de forma acentuada na faixa de freqncia que representativa na
ocorrncia das descargas atmosfricas (0.5 < / < 10
3
) [21]. Isto sugere um estudo mais
aprofundado sobre o assunto. A Figura 2.25 mostra a caracterstica tenso-corrente para uma
amostra de solo submetido a uma corrente impulsiva (1.2x50 s exponencial dupla). As
amostras de solo foram compactadas e testadas entre eletrodos cilndricos coaxiais, sendo que
o eletrodo interno possua dimetro tpico daqueles usados em sistemas de aterramento
tradicionais. A curva tenso-corrente foi traada a partir das observaes dos valores de
tenso e corrente simultneas para cada instante de tempo (t
i
), a partir de curvas que
representam tais ondas no domnio do tempo [21].
A anlise dos resultados facilitada quando os mesmos so apresentados na forma de
grficos VxI. Como pode ser verificada, a curva resultante ao confronto entre pulso de
corrente e tenso desenvolvida em vrios instantes de tempo, mostra o defasamento produzido
por um solo com caractersticas de um circuito RC. A derivada na curva V x I, obtida pela
relao entre V/I, representa de forma aproximada o valor da impedncia do solo. Quando
no ocorre processo de ionizao do solo, a curva se inicia com inclinao reduzida, fechando
o loop pela parte superior produzindo a reta tangente R
LF
que corresponde resistncia de
baixa freqncia do solo [22].
Para os transitrios rpidos, associados s descargas, importante a anlise do
comportamento do solo em uma faixa de freqncia que pode variar de 0 a 2 MHz.


45

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I(t
i
)
R
LF
=V/I
t
1
t
3
t
i
t
n
V
ti
V
P
T
e
n
s

o

(
V
)
Corrente (A)

Fig. 2.25 Curva tenso-corrente para uma amostra de solo entre dois cilindros coaxiais

2.3.3 Distribuio do campo e efeitos de propagao no solo
Quando se aplica, pulsos de corrente ou tenso ao longo de um condutor enterrado, as
ondas eletromagnticas correspondentes se propagam ao longo do condutor. Este sistema
opera como uma linha de transmisso imersa em um meio com perdas. Enquanto a onda se
propaga, perdas em energia promovem uma atenuao na sua amplitude. Por outro lado, as
componentes de freqncia presentes na onda, apresentam diferentes velocidades de
propagao e so submetidas a diferentes nveis de atenuao. Tais atenuaes aumentam
com a freqncia e com a condutividade do solo, que tambm so responsveis pela perda de
energia. Resumindo, pode-se dizer que as ondas de corrente e tenso que se propagam ao
longo de um eletrodo tm suas amplitudes atenuadas e tambm so submetidas a distores
considerando que a resistividade poder ser no uniforme ao longo da direo de propagao.
tambm observada a diminuio da inclinao da frente de onda [13]. Estes aspectos so
ilustrados na Figura 2.26.


46









Fig. 2.26 Atenuao da onda de propagao em condutor enterrado

Quando o comprimento de um eletrodo limitado, tal comportamento dever ser
superposto a outro que traduz a natureza divergente do campo associado corrente que flui do
eletrodo ao potencial de terra distante. A Figura 2.27 ilustra este aspecto por meio de curvas
que mostram a distribuio do potencial escalar eltrico no solo. Para eletrodos concentrados
(curtos quando comparados ao comprimento de onda tpico do sinal imposto) este
comportamento divergente prevalece.







Fig. 2.27 Comportamento divergente do campo
Como uma conseqncia da atenuao, a corrente que dispersa no solo ao longo do
eletrodo, apresenta uma distribuio no uniforme. A densidade de corrente linear (A/m)
decresce ao longo do eletrodo. O conceito de comprimento efetivo do eletrodo (ou raio efetivo
para malhas), foi claramente introduzido por Gupta [23]. Comprimentos maiores de eletrodo,
V=0 V=0
I
Atenuao
V
Diminuio
da inclinao
solo
Eletrodo
I
Atenuao
V
Diminuio
da inclinao
solo
Eletrodo
47
acima do comprimento efetivo, no conseguem reduzir o valor da impedncia de aterramento.
Este comportamento explicado pelo fato de que, comprimentos superiores, acima do limite,
a corrente apresenta grande atenuao no injetando praticamente nenhuma corrente adicional
no solo. O comprimento efetivo do eletrodo decresce com o aumento da condutividade do
solo e da freqncia. Isto explicado pelo fato de ambos os parmetros serem responsveis
pelo aumento das perdas no solo e, conseqentemente, pela atenuao das ondas de tenso e
corrente que se propagam ao longo do eletrodo. Ao se adotar para o eletrodo um modelo tipo
linha de transmisso introduzida no solo, a constante de atenuao () corresponder a
componente real da constante de propagao () que, por sua vez, aumentar com os valores
de freqncia e de condutncia, ou seja:

( )( ) | |
2 / 1
C j G L j R + + = + = . (2.25)

No domnio da freqncia, o valor do comprimento efetivo claramente definido para
cada valor de freqncia. Entretanto, para correntes impulsivas que envolvem um grande
espectro de componentes de freqncias, a definio desses parmetros um pouco mais
complexa. Neste caso, o parmetro a ser assumido ser o do comprimento de eletrodo que
corresponda impedncia impulsiva mnima.

2.3.4 Efeitos de ionizao do solo
Alguns trabalhos, frutos de pesquisas na rea de aterramento [24-26], tm enfatizado
na sua elaborao, a diferena substancial que existe nas caractersticas dos sistemas de
aterramento quando sujeitos a pulsos de alta amplitude (descargas atmosfricas), daqueles
submetidos a tenses e correntes em baixas freqncias. Nas situaes de altas freqncias
que acontecem durante a aplicao de um pulso de corrente, o comportamento indutivo se
torna mais importante que o comportamento resistivo. Alm disso, os valores elevados de
corrente devido ao comportamento indutivo podem gerar complexas ionizaes no solo em
volta dos condutores de aterramento, produzindo grandezas transitrias com caractersticas
tipicamente no lineares. Esses trabalhos, tm defendido em seu contedo, que as correntes
de descarga causam a ionizao do solo, formando um plasma tendente a transformar a
regio em volta do eletrodo em uma regio de baixa resistncia e baixa tenso transitria.
Vrios modelos [24-26] tm sido propostos para anlise e predio do comportamento de
48
sistemas de aterramento quando excitados por correntes impulsivas. Entretanto, a dinmica e
a no linearidade do fenmeno de ionizao, so freqentemente omitidos pelas dificuldades
de modelagem da corrente e de suas complexidades.
O grau de reduo na resistncia de aterramento pela ionizao, depende da
magnitude do gradiente de ionizao do solo (E
o
). O Working Group Paper do IEEE, em
estudo recente [27], no determinou qualquer valor para E
o
, apenas recomendou que se
adotasse o valor de 1000 kV/m, sugerido por Oettle [28]. O documento Lightning
Performance do CIGRE [29], utiliza para E
o
o valor de 400 kV/m em alguns de seus
clculos, no havendo entretanto, qualquer suporte cientfico que evidencie a seleo do
referido valor. O clculo da resistncia de aterramento nestas condies, baseia-se na hiptese
do solo se tornar homogneo na regio ionizada, tomando formas geomtricas simples e de
fcil anlise. No caso de um eletrodo hemisfrico, a regio ionizada tomar a forma de um
hemisfrio. Para o caso de uma haste de aterramento, Liew et al. [30] considerou a zona
ionizada como um cilindro em volta do eletrodo com hemisfrio de mesmo raio do cilindro
na extremidade da haste, ver Figura 2.28.





Fig. 2.28 a) Eletrodo hemisfrico b) Haste de aterramento: Mtodo de Liew

Quando o gradiente de tenso no solo se torna maior que o seu gradiente de ionizao,
h uma mudana no seu comportamento, ou seja, o valor da resistividade e,
conseqentemente, o valor da resistncia do sistema de aterramento, sofre um decrscimo.
Para estudar este comportamento, Gonos [26] utilizou em suas experincias, um arranjo para
teste e medio de corrente mostrado na Figura 2.29.
O arranjo mostrado, inclui um gerador de tenso de impulso de dois estgios com
capacidade de carregamento at 100 kV e com energia de 245 Watts por estgio. O
dispositivo de controle e instrumento de medio (Digitalizador transitrio rpido,
(a)
(b)
49
osciloscpio Yokogawa DL1540 voltmetro de pico etc.), so colocados em uma gaiola de
Faraday com um sinal de atenuao de 50 dB at 1 GHz. Um filtro de alta freqncia e um
transformador isolador faz a blindagem da energia de alimentao aos instrumentos contra
rudos e distrbios.

Fig. 2.29 Arranjo para teste e medio de corrente
Os elementos do gerador de impulso e sistema de medio, tm os seguintes valores:
R
1
= R
2
= 500 k, R
H
= 140 M, R
L
= 3.86 k, C
1
= 6.000 pF, C
L
= 485 nF e Z
1
= Z
2
=75 .
Um teste tpico de amostras usadas na investigao, consistiu em preencher de terra o
volume intermedirio entre os dois cilindros coaxiais posicionados verticalmente. O topo e a
base do cilindro externo foram envolvidos com placas isolantes. Na aplicao do impulso de
tenso, as curvas de tenso e corrente na amostra, foram capturadas pelo osciloscpio,
conforme mostrado na Figura 2.30.











Fig. 2.30 Pulso de tenso e corrente em solo ionizado a) Solo seco b) solo mido
50
As curvas superiores de cada oscilograma correspondem a onda de corrente e as
curvas inferiores a onda de tenso. A presena de ionizao do solo evidenciada pelo rpido
crescimento da corrente e o correspondente decrscimo na tenso. Em conseqncia tem-se
um significante decrscimo na resistividade do solo.
Os estudos envolvendo ionizao do solo so menos conservadores em termos de
clculo das estruturas utilizadas nos sistemas de aterramento, pois demonstram a possibilidade
de reduo considervel da resistividade do solo quando submetido ao gradiente de ionizao.
Esta constatao pode ser til na reduo de custos na implantao dos projetos de sistemas
de aterramento.



















51
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

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Produo e Transmisso de Energia Elrica), Rio de janeiro, 1977
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[13] S. F. Visacro, Aterramentos eltricos Conceitos bsicos, tcnicas de medio e
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impedance of concentrated earth electrodes, IEEE Transactions, Vol. PWRD-3,
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[29] CIGRE Guide to proceedures for estimating the lightning performance of
transmission lines, CIGRE Working Group on Lightning, France, 1991.

53
[30] A. C. Liew, et al., Dynamic Model of Impulse Characteristics of Concentrated
Earth, Proc. IEE, Vol 121, N 2, pp.123-135, 1974.



54
3.0 Desenvolvimento terico e modelagem do problema
Este captulo aborda de forma sucinta, a soluo numrica das equaes de Maxwell
por FDTD, a truncagem da regio de anlise por UPML, as tcnicas de fio fino, o
processamento paralelo e a modelagem de sistemas de aterramento.

3.1 O Mtodo FDTD
O mtodo das diferenas finitas (FDM) foi inicialmente desenvolvido por A. Thom [1]
na dcada de 20 sob o ttulo de Mtodo dos quadrados, para solucionar equaes
hidrodinmicas no-lineares. Em 1966, Kane Yee [2] introduziu um algortimo que consistia
em um conjunto de equaes de diferenas originadas do sistema de equaes rotacionais de
Maxwell dando ento origem ao mtodo FDTD. O algortimo de Yee soluciona campos
eltricos e magnticos no tempo e espao simultaneamente. Na vida real, os problemas
eletromagnticos dificilmente podem ser solucionados por mtodos analticos face a
complexidade de soluo que normalmente envolvida. Quando problemas com tais
caractersticas aparecem, as solues numricas so usadas, pelo fato de serem eficientes e
relativamente simples.

3.1.1 A Clula de Yee
Para meios isotrpicos, no dispersivos e com perdas, as equaes de Maxwell podem
ser escritas, na forma diferencial, como:

H
E
t

,
(3.1)

E
H E
t

= +


,
(3.2)

onde E

e H

representam os vetores intensidade de campo eltrico (V/m) e magntico (A/m)


respectivamente, a permeabilidade magntica do meio (Henrie/m), a permissividade
eltrica (Farad/m) e a condutividade eltrica (mho/m). As demais equaes de Maxwell ou
Leis de Gauss para os campos eltrico e magntico, no so utilizadas, por estarem implcitas
nas equaes rotacionais (3.1) e (3.2).
Os vetores das equaes (3.1) e (3.2) representam um sistema de seis equaes


55
escalares que sero expressas no sistema de coordenadas retangulares.
Seguindo a notao de Yee, define-se um ponto da grade na regio de soluo como:

( ) ( ) , , , , i j k i x j y k z , (3.3)

e qualquer funo de espao e tempo como,

( ) ( ) , , , , ,
n
F i j k F i x j y k z n t , (3.4)

onde , , x y z representam os incrementos espaciais finitos, t o incremento finito de
tempo, enquanto que i, j, k e n so inteiros e correspondem aos ndices de incremento espacial
e temporal, respectivamente. Usando aproximao por diferenas centrada, para as derivadas
espaciais e temporal com preciso de 2 ordem, tem-se [3]:

( ) ( ) ( )
( )
2
, , 1/ 2, , 1/ 2, ,
0
n n n
F i j k F i j k F i j k
x
x x

+
= +

(3.5)


( ) ( ) ( )
( )
1/ 2 1/ 2
2
, , , , , ,
0
n n n
F i j k F i j k F i j k
t
t t

+

= +

(3.6)

Ao aplicar (3.5) em todas as derivadas parciais [4] oriundas de (3.1) e (3.2), Yee
posicionou as componentes de E

e H

em uma clula, conforme mostrado na Figura 3.1.












Fig. 3.1 Clula de Yee

(i+1,j,k)
(i,j+1,k)
(i,j,k+1)
E
X
E
Y H
Z
H
X
E
Z
Z
H
Y
X
Y
(i+1,j,k)
(i,j+1,k)
(i,j,k+1)
E
X
E
Y H
Z
H
X
E
Z
Z
H
Y
X
Y


56
O algortimo de Yee centra as componentes de E

e H

no espao tridimensional de
modo que cada componente de E

envolvida por quatro componentes de circulao de H

.
De forma similar, cada componente de H

envolvida por quatro componentes de circulao


de E

. Desta forma, as expresses de atualizao para E


x
e H
x
[5] so dadas, respectivamente,
pelas equaes (3.7) e (3.8).

( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
1/ 2 1/ 2
1
1/ 2, , 1/ 2, 1/ 2, 1/ 2, 1/ 2,
1/ 2, , 1 1/ 2, ,
1/ 2, , 1/ 2, ,
n n
z z n n
x x
y
i j k H i j k H i j k t
E i j k E i j k
i j k i j k


+ +
+
| | | | + + + +
+ = + + + | |
|
+ +
\ \


( ) ( )
1/ 2 1/ 2
1/ 2, , 1/ 2 1/ 2, , 1/ 2
n n
y y
z
H i j k H i j k
+ +
( | | + + +
+ ( |
|

(
\
, (3.7)

( ) ( )
( )
( ) ( )
1/ 2 1/ 2
, 1/ 2, 1 , 1/ 2,
, 1/ 2, 1/ 2 , 1/ 2, 1/ 2
, 1/ 2, 1/ 2
n n
y y n n t
x x
z
E i j k E i j k
H i j k H i j k
i j k
+
| | + + +

+ + = + + + + |
|
+ +
\


( ) ( ) , , 1/ 2 , 1, 1/ 2
n n
z z
y
E i j k E i j k | | + + + (

+ |
|

\
. (3.8)

Equaes similares podem ser obtidas para as outras componentes dos campos.

3.1.2 Dimenses da clula, estabilidade e preciso
Antes da implementao das equaes de diferenas finitas, as dimenses da clula de
Yee e o incremento de tempo devem ser determinados. O tamanho da clula limitado pela
disperso numrica, isto , a velocidade de fase dos modos numricos da onda, pode diferir da
velocidade da luz c de um valor que depende de: (a) comprimento de onda, (b) direo de
propagao na grade escolhida e (c) discretizao. Aps estabelecer o tamanho da clula, o
incremento de tempo determinado de forma que se chegue estabilidade numrica. Para que
se tenha um resultado significativo, o tamanho da grade dever ser equivalente a uma frao
do comprimento de onda da maior freqncia significativa f. Dependendo da preciso do
resultado desejado, chegou-se a concluso que o tamanho da clula dever ser menor que
/10 [6], onde o comprimento de onda.
Para garantir a estabilidade numrica nos casos gerais, a inequao (3.9), condio de
Courant [7], dever ser satisfeita, onde v a velocidade de propagao das ondas
eletromagnticas no meio com menor permissividade.



57
( ) ( ) ( )
2 2 2
1
1 1 1
t
v
x y z

+ +

,
(3.9)

Para o caso tridimensional em que as dimenses da clula so iguais, ou seja
x y z = = = , a equao (3.9) reduz-se para:

3
t
c


(3.10)

3.1.3 As tcnicas de representao de fios finos
Em vrias aplicaes na engenharia, como antenas e sistemas de aterramento, em que
o equacionamento passa pela metodologia que utiliza a tcnica FDTD, uma geometria
possvel de ser modelada a do fio fino. Esta necessidade decorre em funo da existncia de
fios e hastes condutoras (cilndricos), cujos dimetros so menores, que as dimenses da
clula de Yee. Esta representao subcelular de cilindros condutores evita altos nveis de
discretizao do domnio de anlise, reduzindo o esforo computacional para atualizao dos
campos. Nesta seo, sero abordadas duas tcnicas que incluem de forma aproximada os
efeitos de um fio com raio menor que as dimenses das clulas usadas no mtodo FDTD, a
primeira tcnica, elaborada por Umashankar et al. [8], tem como principal fundamento a
atualizao das equaes para os campos magnticos adjacentes ao fio fino de acordo com o
seu raio. De uma maneira relativamente simples, modificaes nas equaes de campo
magntico so introduzidas apenas nas clulas que contm tais estruturas de pequenas
dimenses, caracterizando extenses subcelulares; a segunda tcnica, desenvolvida por Tako
Noda et al. [9] e posteriormente por Yoshihiro Baba et al. [10], propem mudanas no
sentido de se obter de forma correta a impedncia de surto do condutor sob teste. Para isto,
Noda et al., introduziram a atualizao dos campos eltrico e magntico para meios sem
perdas (para as componentes adjacentes ao fio) e Baba et al., estenderam esta formulao para
meios com perdas.

3.1.3.1 Fio fino pela correo do campo magntico
O equacionamento de fio fino de acordo com a Figura 3.2, comea pela aplicao da
lei de Faraday. As aproximaes adotadas para as componentes de campo H
y
e E
x
so,
respectivamente:


58

( ) , , ( , , ). ,
2
y y
x
H r j k H i j k
r

=

(3.11)
e
( ) , , ( , , ). .
2
x x
x
E r j k E i j k
r

=


(3.12)















Fig. 3.2 Alocao dos campos e geometria para a tcnica de fio fino no plano Z-X

Aplicando a lei de Faraday na forma integral (3.13), para o contorno da Figura 3.2,
lado direito, e considerando-se as aproximaes dadas pelas equaes (3.11) e (3.12),

. , E l H. s d d
t





(3.13)

resulta em:

( ) 1, , 0 ( , , 1) ( , , ) ( , , )
2 2 2
o o o
x x x
z x x y
r r r
x x x
E i j k z E i j k dr E i j k dr z H i j k dr
r r t r



+ + + + =



(3.14)

Chega-se, ento, aps algumas manipulaes da equao acima, seguinte expresso
E
x
(i-1,j,k+1) E
x
(i,j,k+1)
E
x
(i-1,j,k) E
x
(i,j,k)
E
z
(i-1,j,k)
H
y
(i,j-1,k) H
y
(i,j,k)
E
z
(i+1,j,k)
Z
X
E
x
(i-1,j,k+1) E
x
(i,j,k+1)
E
x
(i-1,j,k) E
x
(i,j,k)
E
z
(i-1,j,k)
H
y
(i,j-1,k) H
y
(i,j,k)
E
z
(i+1,j,k)
Z
X
E
z
(i,j,k)
r
o
r
E
x
(i-1,j,k+1) E
x
(i,j,k+1)
E
x
(i-1,j,k) E
x
(i,j,k)
E
z
(i-1,j,k)
H
y
(i,j-1,k) H
y
(i,j,k)
E
z
(i+1,j,k)
Z
X
E
x
(i-1,j,k+1) E
x
(i,j,k+1)
E
x
(i-1,j,k) E
x
(i,j,k)
E
z
(i-1,j,k)
H
y
(i,j-1,k) H
y
(i,j,k)
E
z
(i+1,j,k)
Z
X
E
z
(i,j,k)
E
x
(i-1,j,k+1) E
x
(i,j,k+1)
E
x
(i-1,j,k) E
x
(i,j,k)
E
z
(i-1,j,k)
H
y
(i,j-1,k) H
y
(i,j,k)
E
z
(i+1,j,k)
Z
X
E
x
(i-1,j,k+1) E
x
(i,j,k+1)
E
x
(i-1,j,k) E
x
(i,j,k)
E
z
(i-1,j,k)
H
y
(i,j-1,k) H
y
(i,j,k)
E
z
(i+1,j,k)
Z
X
E
z
(i,j,k)
r
o
r


59
de atualizao para a componente y do campo magntico [6-7]:

( ) ( ) ( ) ( )
( )
( )
1/ 2 1/ 2
2
, , , , , , , , 1 1, ,
ln /
n n n n n
y y x x x
o
t t
H i j k H i j k E i j k E i j k E i j k
z x x r
+

( = + + + +



(3.15)

onde r
o
o raio desejado para o fio fino. Neste caso, o valor de r
o
dever ser menor que / 2 x
[6].
Referindo-se Figura 3.2, observa-se que, para cada componente
( ) , ,
z
E i j k do campo
eltrico no centro de um fio fino, existem quatro componentes de campo magntico
associadas que devem ser calculadas a cada passo de tempo. Logo, necessrio obter, alm da
componente
( )
1/ 2
, ,
n
y
H i j k
+
, as componentes do campo magntico
( )
1/ 2
1, ,
n
y
H i j k
+

,
( )
1/ 2
, ,
n
x
H i j k
+
e
( )
1/ 2
, 1,
n
x
H i j k
+

, para que se possa simular um fio fino. Da mesma forma mostrada acima,
outras componentes do campo magntico nas demais direes, podero ser calculadas.
Utilizando esta correo, possvel simular, com preciso satisfatria o comportamento dos
campos eletromagnticos prximos a estrutura condutora de dimenses inferiores s da clula
de Yee, evitando com isso um maior refinamento na discretizao, o que implicaria na
necessidade de recursos computacionais adicionais [5].

3.1.3.2 Fio fino pela correo dos parmetros eltricos e e magntico
O mtodo de representao de fio fino que corrige tanto os parmetros eltricos e
quanto o magntico , para as componentes de campo prximo ao condutor, de acordo com o
seu raio, proporciona uma maior preciso na representao da impedncia de surto. A
correo dos campos feita pela modificao de forma equivalente da permissividade,
permeabilidade e condutividade das clulas adjacentes.
Tem sido mostrado na literatura que um fio fino no espao livre, quando tratado dentro
da metodologia FDTD, possui um raio equivalente ao valor 0.23s, sendo s o tamanho da
aresta da clula cbica utilizada [9]. Para um meio com perdas, tem-se atravs da Figura 3.3 a
seo transversal de um condutor reto longo e fino envolvido por uma lmina condutora
cilndrica coaxial com o fio fino (blindagem).
Os raios do fio fino e da blindagem so, respectivamente, a e b. A condutividade e
a permissividade relativa do meio entre os dois condutores so e
s
. Nesta condio, a
condutncia G e a susceptncia B, ambas por unidade de comprimento, entre fio fino e lmina
condutora, so dadas por (3.16)


60








Fig. 3.3 Seo transversal de um fio fino envolvido por uma lmina condutora cilndrica
coaxial com o fio fino


|

\
|
=
|

\
|
=
a
b
B
a
b
G
S
ln
2
,
ln
2
0


(3.16)

Observar que
o
a permissividade do vcuo e a freqncia angular (2f).
Portanto, G se torna igual a B quando a freqncia f for:

S
f

0
0
2
=
(3.17)

Utilizando-se agora o fio fino, Figura 3.4, envolvido por uma lmina condutora com
seo quadrada de 2.5 x 2.5 m
2
, e comprimento 25 m para ambos, parte-se para anlise em
ambiente FDTD com clulas cbicas de aresta 0.25 m.









Fig. 3.4 Seo transversal de um fio fino envolvido por uma lmina condutora retangular com
seo transversal de 2.5 x 2.5 m
2
. E
1,
E
2
e E
3
so os campos eltricos radiais em 0.5, 1.5 e
a
b
,
s
a
b
,
s
E
1
E
2
E
3
,
s
X
Y
Z
Fio fino
s
s
E
1
E
2
E
3
,
s
X
Y
Z
Fio fino
s
s


61
2.5s a partir do eixo do fio fino.
Foi aplicada uma tenso de 100 V, com tempo de frente de onda de 20 ns, entre o fio
fino e a lmina condutora no mesmo lado. O outro lado se manteve aberto. A resposta foi
calculada em 10 s com incremento de tempo de 0.4 ns. A Figura 3.5 mostra a variao no
tempo das relaes entre E
1
, E
2
e E
3,
E
2
para valor de
s
= 12 e 1 5 / mS m . Aps 100 ns,
apesar dos campos ainda variarem com o tempo, as relaes E
1,
E
2
e E
3
para E
2
so 2.20, 1.00
e 0.60, respectivamente, que praticamente o mesmo resultado obtido em [9] para o fio fino
no espao livre.

Fig. 3.5 Variao no tempo dos campos E
1
, E
2
e E
3
com relao a E
2
usando o mtodo
FDTD, no caso em que = 5 mS/m e = 12.

Observe que o mtodo FDTD calcula os campos eltricos em pontos discretos, ou seja,
E
1,
E
2
e E
3
em x = 0.5, 1.5 e 2.5s, respectivamente, como mostrado na Fig. 3.4. De uma
forma geral, o campo eltrico radial prximo a um fio fino longo, de seo transversal
circular, varia com o inverso da distncia radial do eixo do fio fino. Portanto, de acordo com
[9], foi utilizada uma funo para testar a variao do campo eltrico radial obtido, usando a
simulao por FDTD, prximo ao fio fino no espao livre,

( )
x
x
x E
2
3
= , (3.18)

onde x a distncia radial a partir do eixo do fio fino.


62
Nesta funo, o campo eltrico normalizado de forma que E dever ser unitrio em
x = 1.5s. A Figura 3.6 mostra o campo eltrico radial calculado por (3.18) e usando a
simulao por FDTD.

Fig. 3.6 Campo eltrico radial em funo da distncia radial x do centro de um fio fino,
calculado usando (3.18) e o mtodo FDTD (o campo eltrico normalizado de forma que E
2

seja igual a unidade).

A diferena de potencial entre x = 2s e 3s obtida pela integrao de (3.18) no
referido intervalo, tem valor 0.61s e no intervalo de x = s e 2s o valor de 1.04s. So
valores praticamente idnticos aos obtidos pela simulao, utilizando o mtodo FDTD ou
seja, 0.60s e 1.00s, respectivamente. A diferena de potencial entre o fio fino e x = s, se
tornar infinitamente grande se a integrao for realizada no intervalo x = 0 e s para
avaliao do potencial naquele ponto. Por outro lado, na simulao por FDTD, a diferena de
potencial na mesma regio tem valor E
1
= 2.20 s. Este valor finito da diferena de
potencial entre o fio fino e x = s, leva-se a concluir que o fio fino, representado no mtodo
FDTD, teria um certo raio equivalente no nulo. Em outras palavras, quando se obtm o valor
E
1
= 2.20, em x = 0.5s na simulao FDTD, equivalente ao valor mdio do campo eltrico
radial entre a superfcie de um fio fino, tendo um certo raio no nulo, e x = s, que variam na
relao 1/x em torno do fio fino. Se o raio do fio fino em estudo for considerado r
o
, e o campo
eltrico radial variar conforme a equao (3.18), a diferena de potencial entre x = x
o
e x =
s, ser dada por:
( )
3
ln
2
o
s
r
o
s s
E x dx
r

(3.19)



63
A equao (3.19) solucionada para a diferena de potencial 2.2s, equivalente a
diferena de potencial obtida atravs da simulao FDTD. Assim o valor de r
o
ser:

0.23
o
r s = , (3.20)

que o valor do raio equivalente de um fio fino em um meio com perdas.
As Figuras 3.7 (a) e (b), mostram a seo transversal de um fio fino tendo o raio
r
o =
0.23s e suas quatro clulas adjacentes. So mostrados tambm os quatro campos
eltricos e magnticos prximos ao fio fino.









(a) (b)

Fig. 3.7 Seo transversal de um fio fino tendo um raio de 0.23s e suas quatro clulas
adjacentes. (a) Quatro elementos de campo eltrico radial prximo ao fio fino. (b) Quatro
elementos de campo magntico radial envolvendo e prximo ao fio fino.

A resistncia por unidade de comprimento R
T

entre o fio fino, tendo um raio de
0.23s, e um condutor assumido como cilndrico com raio equivalente a s, e coaxial ao fio
fino, dada por:

( ) ln / 0.23
2 *
T
s s
R


= (3.21)

onde
*
a condutividade do meio em volta do fio fino. Se o fio fino tiver um raio arbitrrio
*
o
r
e estiver em um meio , a resistncia por unidade de comprimento R
T

dada por:

r
o
E
x1
E
x2
E
y1
E
y2
Fio fino
X
Y
Z

*
,
*
r
o
= 0.23s
s
r
o
X
Y
Z
r
o
= 0.23s
s
H
y1
H
x1
H
x2
H
y2

*
r
o
E
x1
E
x2
E
y1
E
y2
Fio fino
X
Y
Z

*
,
*
r
o
= 0.23s
s
r
o
X
Y
Z
r
o
= 0.23s
s
H
y1
H
x1
H
x2
H
y2

*


64
*
'
ln
2
o
T
s
r
R

| |
|
\
=
(3.22)

se as duas equaes, (3.21) e (3.22), forem igualadas, a seguinte relao obtida:

( )
( )
*
*
ln 1/ 0.23
ln /
o
s r
=


(3.23)

A equao (3.23) mostra que um fio fino tendo raio
*
o
r em um meio de condutividade
, equivalente aquele que possui um raio fixo de 0.23s em um meio de condutividade
*
.
Desta forma, um fio fino tendo um raio arbitrrio
o
r

em um meio de condutividade ,
pode ser representado de forma equivalente, pelo uso da condutividade modificada
*
, ao
invs da condutividade original no clculo dos quatro campos eltricos radiais, prximos ao
fio fino. Por exemplo, um fio fino tendo um raio
o
r

= 0.46s ou 0.115s, pode ser


representado ajustando
*
para 1.89 ou 0.680, respectivamente.
A deduo acima considera somente a condutividade (ou resistividade) para um meio
com perdas. No perodo transitrio, quando a influncia da permissividade e permeabilidade
mais dominante que a condutividade, algumas consideraes se fazem necessrias. Em [9],
proposto um mtodo para representar o fio fino no ar com raio arbitrrio. Este mtodo
modifica a permissividade e permeabilidade relativa para clculo dos campos prximos ao fio
fino, como mostrado nas Figuras (3.7a) e (3.7b) ou seja,
s

s

e
s

s

expressos na
seguinte forma:

( )
( )
ln 1/ 0.23
ln /
s s
o
s r


(3.24)

( )
( )
ln /
ln 1/ 0.23
o
s s
s r


=
(3.25)


Por esta modificao, a impedncia caracterstica do fio fino, torna-se igual quela do
fio fino tendo raio
o
r

, enquanto que, a velocidade de propagao da onda, no alterada,




65
levando em conta que
s

=
s

s
. A validade deste mtodo, tem sido bastante investigada
para o fio fino no espao livre e em meios condutivos, tanto em perodos transitrio como
quasi-esttico, tm-se mostrado satisfatria.
Por fim, deve-se ressaltar que esta tcnica demanda a utilizao de passos temporais
menores que o usual para garantir estabilidade numrica. Neste trabalho foi adotado 60% do
limite de Courant para t.

3.1.4 Parede absorvente tipo UPML para meio condutivo
Quando se parte para soluo numrica de equaes de campos eletromagnticos no
domnio do tempo, utilizando tcnicas das diferenas finitas em um determinado meio sem
fronteiras, faz-se necessrio utilizar uma metodologia que limite o domnio no qual os campos
sero computados; caso contrrio, a anlise do problema envolveria um nmero infinito de
pontos, exigindo um sistema computacional com capacidade de processamento infinita. Isto
possvel atravs da truncagem da malha com a aplicao de regies absorventes nos limites
numricos. Tais regies simulam a propagao da onda para o infinito, evitando com isso a
introduo de reflexes no naturais no ambiente de simulao [11].
Para solucionar tais problemas, a tcnica UPML (Uniaxial Perfectly Matched Layers)
foi usada, pelos excelentes resultados apresentados em trabalhos anteriores [5]. Para fechar o
domnio em anlise, utilizaram-se paredes condutoras eltricas perfeitas (PEC), Figura 3.9.
Neste caso, o meio absorvente UPML anisotrpico e condutivo e a lei de Ampre na UPML
pode ser expressa, como:

0 0
( ) 0 0 ,
0 0
y z
z y
y z
x
x
x z
x z o r y
z x o y
z
x y
y x
x y
z
S S
S
S S
j
j S
S S
S

(
(
(
(

(
(
(
(
(
(
(
( = +
(
(
(
(
(
(

(
(
( (
(

H H
E
H H E
E
H H



(3.26)

onde S
x,
S
y
e S
z
so definidos por:

; sendo , , ,
k
k k
o
S K k x y z
j

= + =


(3.27)



66
e
k
com K
k
so funes polinomiais que representam a atenuao ao longo das direes x, y
e z. Para a direo x, tem-se [11]:

( ) ( )
,max
/ ,
m
x x
x x d = (3.28)

e

( ) ( )( )
,max
1 1 / ,
m
x x
K x k x d = + (3.29)

onde d a Profundidade da UPML. Expresses similares podem ser obtidas para as outras
direes. O procedimento para obteno das componentes dos campos eltrico e magntico,
feito da seguinte forma:
Inicialmente, introduzem-se duas variveis auxiliares de campo P e P
, as quais
permitem modelar a presena do isotrpico, Eq. (3.26), dentro da UPML. Estas variveis
so definidas, como:

; ; ,
y
x z
x x y y z z
x y z
S
S S
P E P E P E
S S S
= = =
' ' '
; ; .
x y x y z y z x z
P S P P S P P S P = = =

(3.30)
(3.31)

Dessa forma, a equao (3.26) passa a ser dada por:

' '
' '
' '
.
z y
y z
x x
x z o r y y
z x
z z
y x
x y
H H
P P
H H j P P
P P
H H

(

(

(
( (
(
( (
= +
(
( (

(
( (

(

(

(





(3.32)


Passa-se ento ao clculo de
. j P
A equao acima pode ento ser expandida, como
segue,


67
( )
'
0 0
'
( ) 0 0
0 0
'
( )
0 0
1
0 0
0 0
y
K P
y x
j
P o
S P K x
P y x y
x
z
j P j S P j K P j K P
y z y z y z y
j
o
K
S P P x
x z z
P
z
x
K P
x z
j
o
P y
x
P
z y
o
P x
z

(
+
(
(
( (
( (
(
(
( ( (
(
= = + ( = +
(
( (
(
( (
( (
(
( ( ( (

(

(
+
(

( (
(
(
(
(

.
(
(
(
(





(3.33)

Passando para o domnio do tempo tem-se:

'
'
'
0 0 0 0
1
0 0 0 0 .
0 0 0 0
x y x y x
y z y z y
o
z x z x z
P K P P
P K P P
t t
P K P P

(
( ( ( (
(
( ( ( (
= +
(
( ( ( (

(
( ( ( (



(3.34)

Na direo x, tem-se de (3.30)

z
x x
x
S
P E
S
=
,
x x z x
S P S E = (3.35)

( ) ( ) ,
x z
x x z x
o o
K P K E
j j


+ = +


(3.36)


( ) ( ) ,
o x x x o z z x
j K P j K E + = +

(3.37)

passando a equao acima para o domnio do tempo, resulta

,
o x x x x o z x z z
K P P K E E
t t


+ = +

(3.38)

( ) .
x x z x
x x z x
o o
P E
K P K E
t t



+ = +


(3.39)



68
Para o clculo de
1 + n
x
E
, parte-se da equao (3.32) e calcula-se inicialmente
' 1
,
n
x
P
+
como segue,


( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
' 1 ' ' 1 '
1 1 1 1
2 2 2 2
, , , , , , , ,
2
, , 1 , 1,
,
n n n n
x x x x
o r
n n n n
y y z z
P i j k P i j k P i j k P i j k
t
H i j k H H i j k H
y z

+ +
+ + + +
( ( +
+ =
( (


(

(
=
(

(



(3.40)

( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
' 1 ' ' 1 '
1 1 1 1
2 2 2 2
, , , , , , , ,
2 2
, , 1 , 1,
,
n n n n o r o r
x x x x
n n n n
y y z z
P i j k P i j k P i j k P i j k
t t
H i j k H H i j k H
y z

+ +
+ + + +
+ + =

(

(
=
(

(




(3.41)

( ) ( )
( ) ( )
' 1 '
1 1 1 1
2 2 2 2
, , , ,
2 2
, , 1 , 1,
.
n n o r o r
x x
n n n n
y y z z
P i j k P i j k
t t
H i j k H H i j k H
y z

+
+ + + +
( (
+ + =
( (


(

(

(

(




(3.42)

Finalmente,

( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
'
' 1
1 1 1 1
2 2 2 2
, ,
1 2
, ,
2 2
, , , , 1 , , , 1,
.
n
x
n
x
n n n n
y y z z
P i j k
t
P i j k
t t
H i j k H i j k H i j k H i j k
y z


+
+ + + +
(


= +
| |
+ +
|

\
(

(

(

(





(3.43)

Em seguida, com o objetivo de encontrar
1
,
n
x
P
+
parte-se da equao (3.34) de onde
conclui-se que
'
1
,
x y x y x
o
P K P P
t t


= +


(3.44)



69
aplicando na equao acima a aproximao (3.6), resulta

1 1
' 1 '
1 1
,
2 2
n n n n
n n
y x y x y x y x
x x
K P K P P P
P P
t t t t


+ +
+
= + +



(3.45)

ou

( ) ( ) ( )
1 ' 1 '
2 1
, , , , ,
2 2
y y
o n n n n
x x x x
y y y y
o o
K
t
P i j k P i j k P P
K K
t
t t



+ +
| |

\
= +
| | | |
+ +
| |

\ \



(3.46)

ou ainda, rearranjando-se a equao (3.46), obtm-se:

( ) ( ) ( )
1 ' 1 '
2 1
, , , , .
2
2
y y
n n n n o
x x x x
y y
y y
o
o
t
K
P i j k P i j k P P
t
t
K
K


+ +
| |

|
| = +

| | |
+
+
| |
\
\


(3.47)

Finalmente, a partir da equao (3.39) calcula-se o campo eltrico na direo x

1 1 1 1
,
2 2
n n n n n n n n
x x x x x x x x x z
x z
o o
P P P P E E E E
K K
t t


+ + + +
| | | | | | | | + +
+ = +
| | | |

\ \ \ \

(3.48)

1 1 1 1 1
,
2 2 2 2
n n n n n n n n
x x x x x x x x z x z x z x z x
o o o o
K P K P P P K E K E E E
t t t t


+ + + + +
+ + = + +


(2.49)

1 1
,
2 2 2 2
n n n n x x x x z z z z
x x x x
o o o o
K K K K
P P E E
t t t t


+ +
| | | | | | | |
+ + + = + + +
| | | |

\ \ \ \

(3.50)

( ) ( )
1 1
2 1
, , , ,
2 2
2 2
z
z
n n n n o x x
x x x x x x
z z
o o
z z
o o
t
K
t t
E i j k E i j k P K P K
t t
K K





+ +
(

(
( | | | |
( = + +
( | |
( \ \
+ +
(



(3.51)



70
Procedimento similar poder ser adotado para clculo dos campos eltricos nas
direes y e z.

3.2 Processamento paralelo
As aplicaes em engenharia que necessitam de enorme capacidade computacional e
que no podem ser executadas em mquinas seqenciais simples, com uma nica unidade de
processamento central (CPU), so cada vez mais freqentes. Apesar de ainda ser possvel
melhorar o desempenho dos processadores, a atual evoluo acabar por se deparar com
diversas restries como, por exemplo, a dimenso fsica dos componentes, a velocidade da
luz, as leis da termodinmica, acoplamentos eletromagnticos e o custo, que poder se revelar
excessivo com a aproximao desses limites. Desta forma, uma soluo alternativa econmica
e tecnologicamente vivel, consiste na interligao de mltiplos processadores de forma a
permitir a execuo cooperativa de tarefas em paralelo com um objetivo comum [12]. A
origem da computao paralela, como alternativa ao processamento seqencial, pode ser
definida por dois fatores:
A computao paralela revelou-se uma alternativa vivel, na resoluo do ponto de
estrangulamento que constitui um nico processador num sistema;
O custo de um sistema paralelo, consideravelmente inferior ao de um sistema
maciamente paralelo (supercomputador) com desempenho similar, uma vez que os preos
dos componentes so uma funo da sua capacidade.
O emprego eficiente de computao paralela requer a adequao de dois aspectos
fundamentais: infra-estrutura computacional e algoritmo paralelo. A infra-estrutura diz
respeito ao hardware paralelo, que so as unidades de processamento e o suporte de
comunicao entre elas (que a infra-estrutura de software), onde o algoritmo paralelo
executado. O algoritmo paralelo advm da modelagem do problema e se caracteriza como sua
soluo computacional; assim, necessrio que se tenha em mente, j na modelagem do
problema a necessidade do paralelismo da soluo [13].
H vrias solues possveis, tanto em termos de infra-estrutura paralela de hardware
e software, quanto em termos da obteno do algoritmo paralelo, cuja escolha depender de
vrios aspectos que podem ser resumidos em complexidade da modelagem e relao custo-
benefcio da infra-estrutura computacional.
Com a crescente evoluo nas pesquisas na rea de computao, a Cray apresentou na
dcada de 60 o seu super computador, juntando em uma nica mquina um conjunto de
processadores que partilham a mesma memria, ou seja, as tarefas podiam ser realizadas de


71
modo paralelo [14]. Contudo, o acesso a esses supercomputadores era dificultado devido ao
alto custo e com isso somente grandes instituies poderiam adquiri-los.
Para superar o problema do alto custo e popularizar o processamento paralelo, na
dcada de 90, o Centro de Excelncia em Dados Espaciais e Informaes Cientficas
(CESDIS), rgo da NASA, montou a primeira arquitetura paralela de computadores,
denominada cluster Beowulf [15]. Os clusters Beowulf resultaram de um projeto iniciado pela
NASA no vero de 1994, no centro de pesquisas CESDIS, localizado no Goddard Space
Flight Center, no mbito do projeto Earth and Space Sciences, cujo objetivo primrio
consistia em determinar a aplicabilidade de arquiteturas de processamento paralelo a
problemas do domnio das cincias espaciais, especialmente para o tratamento de dados
recolhidos por satlite, a preos acessveis. O primeiro destes clusters foi construdo por
Thomas Sterling e Don Becker e consistia em 16 ns com processadores Intel 486 Dx4 a
100MHz interligados por uma tecnologia de rede Ethernet a 10 Mbits do tipo channel bonded
com dois barramentos. Desde ento diversas instituies tm construdo os seus prprios
clusters Beowulf. Atualmente existem clusters deste tipo com mais de um milhar de ns. Isso
s foi possvel devido ao avano na tecnologia de hardware que trouxe os preos dos
computadores para nveis mais acessveis e avanos tecnolgicos surgidos no mundo do
software, introduzindo no mercado bibliotecas de comunicao como o PVM e o MPI, alm
das otimizaes dos compiladores para as linguagens cientficas de alto desempenho, como
por exemplo o Fortran [16]. O MPI, Message Passing Interface, uma biblioteca de
passagem de mensagens, desenvolvida por um grupo de pesquisadores de vrias entidades,
para funcionar como um sistema padro em uma grande variedade de arquitetura de
computadores paralelos, pois possui a eficincia e facilidade de uso. A padronizao define a
sintaxe e a semntica das rotinas das bibliotecas, o que as torna teis para se escrever
programas em C, C++ e Fortran [17]. O principal objetivo da MPI, de generalizar
procedimentos, mantendo sempre a eficincia dos sistemas, isto , incluir o que de melhor
existe nos ambientes de passagem de mensagens, considerar as caractersticas gerais das
plataformas paralelas e explorar o mximo de suas vantagens.
A idia bsica para implementao paralela do algortimo FDTD, baseia-se na diviso
do domnio de anlise em subdomnios. Nesta tcnica, conhecida como tcnica de
decomposio de dados ou decomposio de domnio, os dados do problema so divididos e
selecionados para rodar em diferentes processadores, considerando que, cada processador
executa basicamente o mesmo programa (cdigo fonte), porm com diferentes dados. uma
implementao tpica do modelo SPMD (Single Program Multiple Data) [18]. A distribuio


72
dos dados feita manualmente, o programador define atravs de funes de mensagens do
tipo enviar/receber a comunicao entre processadores adjacentes de forma a se manter a
continuidade na atualizao das componentes de campo localizadas nas interfaces dos
domnios. Neste trabalho, o problema de anlise de malha de terra, foi solucionado utilizando-
se um cluster do tipo Beowulf de 10 mquinas. A Figura 3.8 mostra a atualizao das
componentes de campo localizadas na interface entre duas regies (plano Y-Z).
O hardware utilizado foi denominado Amaznia Beowulf Cluster LANE2, que
consiste de 10 PCs AMD Athlon XP 1800+, com 1.5 GB DDR RAM em cada mquina e
placa de rede de 100 Mbits/s, exceto a unidade mestre ou principal, que possui dois
processadores com memria 2 GB DDR e placa de rede 1 GBit/s. O sistema operacional o
Slackware Linux 10 com a verso 2.6 do Kernel do Linux. O cdigo foi escrito FORTRAN
77 e a biblioteca escolhida para possibilitar a troca de mensagens foi a LAM-MPI,
desenvolvida na Universidade de Ohio [19-20]. A rede conectada atravs de uma chave de
100 Mbits/s e interfaces ethernet.









Fig. 3.8 Atualizao das componentes de campo localizadas na interface entre duas regies
(plano Y-Z).

3.3 Modelo adotado para simulao de hastes no convencionais
O programa base, que permitiu a simulao de vrios casos de aterramento, conforme
poder ser visto no captulo seguinte, foi escrito em ambiente computacional paralelo,
utilizando um cluster tipo Beowulf de 10 mquinas, conforme citado na seo 3.2. Foram
utilizados 10 subdomnios computacionais ou 10 mquinas, interligadas atravs da biblioteca
LAM/MPI, escolhida para possibilitar a troca de mensagens. A Figura 3.9 mostra, no plano
X-Y, o domnio computacional de anlise. O espao interno ou de trabalho, composto de
dois meios na direo Z, com sua interface no plano X-Y, sendo um deles o espao livre onde
Subdomnio 2
Subdomnio 1
Mquina 1 Mquina 2
Y
E
y
H
z
x z
Subdomnio 2
Subdomnio 1
Mquina 1 Mquina 2
Y
E
y
H
z
x z


73
so aplicadas as equaes de Maxwell para o espao livre, adotando o valor
12
8.85 10 /
o
F m

=

para a permissividade eltrica absoluta,
7
4 10 /
o
H m

=

para a
permeabilidade magntica

absoluta e
o
= 0 para a condutividade. O outro espao












Fig. 3.9 Vista superior, no plano X-Y, do domnio computacional de anlise.

As siglas na Fig. 3.9 representam:
ET Eletrodo de Terra
ERC Eletrodo remoto de corrente
ERP Eletrodo remoto de potencial de referncia
PEC Condutor eletricamente perfeito

composto por terra argilosa do tipo kanto loan [21]. O domnio de anlise utilizado nas
simulaes tem as seguintes dimenses:
Direo x 86.25 m (345 clulas)
Direo y 39.5 m (158 clulas)
Direo z 34.50 m (138 clulas)
As equaes para atualizao computacional das componentes de campo para o meio
em questo so as equaes de Maxwell adaptadas ao meio condutivo, adotando-se para esse
meio os valores de
12
50 8.55 10 / F m

=

para a permissividade absoluta,
7
4 10 /
o
H m

= para a permeabilidade

absoluta e
3
2.28 10 / S m

= para a
condutividade.
UPML
UPML
U
P
M
L
U
P
M
L
subdom1
Sub dom 1 Sub dom 2 Sub dom 3 Sub dom 4 Sub dom 5
Sub dom 7 Sub dom 6 Sub dom 8 Sub dom 10 Sub dom 9
UPML
Circuito de potencial
C
i
r
c
u
i
t
o

d
e

c
o
r
r
e
n
t
e
ET
ERC
ERP
U
P
M
L
U
P
M
L
UPML
Y
X
PEC
69 cel.
7
9

c
e
l
.
7
9

c
e
l
.
10 cel.
UPML
UPML
U
P
M
L
U
P
M
L
subdom1
Sub dom 1 Sub dom 2 Sub dom 3 Sub dom 4 Sub dom 5
Sub dom 7 Sub dom 6 Sub dom 8 Sub dom 10 Sub dom 9
UPML
Circuito de potencial
C
i
r
c
u
i
t
o

d
e

c
o
r
r
e
n
t
e
ET
ERC
ERP
U
P
M
L
U
P
M
L
UPML
Y
X
PEC
69 cel.
7
9

c
e
l
.
7
9

c
e
l
.
10 cel.


74
As paredes absorventes foram elaboradas de acordo com a tcnica UPML para meios
condutivos, descrita na seo 3.1.4, sendo adotados os seguintes valores para os parmetros da
UPML:
d espessura da UPML tendo valor fixo de 2,5 m, ou 10 clulas.
m parmetro que define o grau do polinmio. Neste trabalho, foi escolhido no intervalo
3 m 4, considerado pela literatura, como intervalo timo para a maioria dos casos
simulados em FDTD. O valor 3.5 adotado para m, foi considerado satisfatrio [5].

x,mx
O valor de sigma mximo ou sigma timo na direo x para o meio
homogneo em z, determinado pela expresso (2.44).

( )
,
0.8 1
x opt
m

. (3.52)

Considerando que no ambiente de simulao em questo existe a no homogeneidade
na direo z, em funo da interface terra - espao livre, recomenda-se que a condutividade na
UPML seja escalonada no referente permissividade efetiva desses dois meios. Desta forma,
o valor timo para o
z
ponderado, expresso como [5]:

( )
,
0.8 1
z opt
eff
m

,
(3.53)

onde
eff

a permissividade relativa efetiva, e que representa o meio no homogneo ao


longo da UPML.
k
k
- so funes polinomiais que representam a atenuao ao longo das direes x, y e z. Para
a direo x, considerando o campo eltrico em x tem-se:

( )
,max
1 ( 1)
m
x x
x
k x k
d
| |
= +
|
\
, (3.54)

onde
,max
7
x c
k e n numero de camadas = =
O aumento no valor de
,max x
k para valor compreendido na faixa de 7
,max x
k 8,
enquanto se mantm o valor de m na faixa de 3<m<4, reduz o erro de reflexo em pontos
internos prximos a zona de absoro .


75
Na parte externa UPML, aplicou-se condutores eletricamente perfeitos ou PEC,
usados como terminao do domnio numrico [11].
Complementando a Figura 3.9, so mostradas nas Figuras 3.10 e 3.11, as vistas nos
planos X-Z e Y-Z do domnio computacional e sistema e aterramento.













Fig. 3.10 Vista lateral, no plano X-Z, do domnio computacional de anlise e sistema de
aterramento.

A simulao foi realizada discretizando o espao de interesse com clulas cbicas de
Yee. O intervalo espacial de amostragem ( x y z = = ) foi ajustado em 0.25 m e, para
satisfazer as condies de Courant, equao (3.9), utilizou-se um intervalo de tempo
481.452 t ps = [7]. Os dados de implementao do sistema de aterramento em questo e os
circuitos de excitao de corrente e medio de tenso envolvidos, considerando um eletrodo
de aterramento, sero descritos de forma detalhada e seguem os mesmos padres do circuito
experimental praticado e simulado em [21].
A utilizao de circuito semelhante no que se refere s dimenses fsicas e parmetros
dos materiais empregados, serviram como validao para o prottipo utilizado neste trabalho,
conforme ser mostrado no captulo 4. Vale salientar que a metodologia cientfica e
computacional, utilizada na simulao do problema, difere em vrios aspectos daquela
utilizada em [21].


UPML
UPML
U
P
M
L
U
P
M
L
subdom1
UPML
Circuito de potencial
ET
ERP
U
P
M
L
U
P
M
L
UPML
Z
X
PEC
T
e
r
r
a
Espao livre
69 cel.
7
9

c
e
l
.
5
9

c
e
l
.
50 m
3 m
1.5 m
1.5 m
10 cel.
UPML
UPML
U
P
M
L
U
P
M
L
subdom1
UPML
Circuito de potencial
ET
ERP
U
P
M
L
U
P
M
L
UPML
Z
X
PEC
T
e
r
r
a
Espao livre
69 cel.
7
9

c
e
l
.
5
9

c
e
l
.
50 m
3 m
1.5 m
1.5 m
10 cel.


76




















Fig. 3.11 Vista lateral, no plano Y-Z, do domnio computacional de anlise e sistema de
aterramento.

A Figura 3.12 mostra uma viso em conjunto do sistema de aterramento em estudo. A
seguir, ser descrito o detalhamento do sistema de aterramento bsico utilizado no trabalho:

a) Circuito de corrente
Constitudo de um eletrodo de terra com dimenses 0.5 X 0.5 m
2
de seo
transversal e comprimento 3 m, linha de corrente horizontal na direo Y, dimetro 0.135m e
comprimento 20m, eletrodo de corrente remoto com dimetro 0.135m e comprimento 2.5m
sendo 1.5m enterrado. O Gerador de pulso que pode ser tratado como fonte de tenso,
instalado no topo do eletrodo de aterramento, produz tempo de frente de onda de 0.063
microssegundos e tempo de cauda 500 microssegundos. A tenso de pico foi ajustada para um
valor de 515 Volts, com formato de onda mostrado na Figura 3.13.
UPML
UPML
U
P
M
L
U
P
M
L
Z
Y
20 m
12 m
1.5 m
1.0 m
ET
ERC
79 cel
79 cel
7
9

c
e
l
5
9

c
e
l
PEC
UPML
UPML
U
P
M
L
U
P
M
L
Z
Y
20 m
12 m
1.5 m
1.0 m
ET
ERC
79 cel
79 cel
7
9

c
e
l
5
9

c
e
l
PEC


77










Fig. 3.12 Sistema de aterramento usado como prottipo inicial do trabalho.


0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
T
e
n
s

o

(
V
)
Tempo (s)

Fig. 3.13 Forma de onda do pulso de tenso aplicado.

O formato da onda pulso de tenso obtido pelas seguintes equaes:

Para 1.5
f
n t T

( ) ( ) ( )
1 2
2
max 0 0
/
n t n t
s
V n t V e e sen n t A


= .
(3.55)

Para 1.5
f
n t T >

1 m
1.5 m
1.5 m
1.5 m
Eletrodo remoto
de potencial
Barramento
de corrente
0.135 m
Barramento de
potencial 0.135
m
Resistncia
435
Gerador de
pulso
1 2 3 4
5
6 7 8 9 10
Z
Y
X
Terra
Espao livre
50 m
20 m
3 m
Eletrodo de terra
Eletrodo remoto de
corrente 0.135 m 1 m
1.5 m
1.5 m
1.5 m
Eletrodo remoto
de potencial
Barramento
de corrente
0.135 m
Barramento de
potencial 0.135
m
Resistncia
435
Gerador de
pulso
1 2 3 4
5
6 7 8 9 10
Z
Y
X
Terra
Espao livre
50 m
20 m
3 m
Eletrodo de terra
Eletrodo remoto de
corrente 0.135 m


78
( ) ( )
1 2
max 0
/
n t n t
s
V n t V e e A

= ,
(3.56)

1
1.93147180/
f
T =


2
2.558427881/
t
T = ,

( )
1
0 1 2
2
ln / t

(
=
(

,
(3.57)


( )
1 0 2 0
t t
o
A e e

= , (3.58)

( )
0
/ 3
f
T =
, (3.59)

onde,
V
s
= tenso instantnea
V
max
= tenso de pico
T
f
= tempo de frente de onda
T
t
= tempo de cauda

Um resistor srie de 435 ohms, foi adaptado entre a fonte de tenso e o circuito srie,
transformando a fonte de tenso em fonte de corrente. A modelagem do resistor, dentro da
metodologia FDTD, considera um resistor R na direo z, localizado no espao livre,
representado pela intensidade de corrente I
z
(i,j,k), densidade de corrente J
L
e componente de
campo E
z
(i,j,k) conforme mostrado nas equaes (3.60), (3.61) e (3.62).

( ) ( )
1/ 2 1
, , ( , , ) ( , , )
2
n n n
z z z
z
I i j k E i j k E i j k
R
+ +

= + (3.60)

1/ 2
( , , )
n
z
L
I i j k
J
x y
+
=

(3.61)

A medio de corrente em circuitos experimentais feita, normalmente, atravs de
componentes shunts adequados ou transformadores de corrente [22] . Na simulao utilizando
tcnica FDTD, a coleta de corrente foi feita em um segmento de condutor, localizado entre a
fonte de excitao e a terra.


79
( ) ( ) ( ) ( )
1
1/ 2 1/ 2 1/ 2 1/ 2
1
2
( , , ) ( , , )
1 1
2 2
1/ 2, , 1/ 2, , , 1/ 2, , 1/ 2,
n n o o
z z
o o
n n n n
y y x x
t z t
R x y
E i j k E i j k
t z t z
R x y R x y
H i j k H i j k H i j k H i j k
x y


+
+ + + +

| | | |

| |

| | = +

| |
+ +
| |

\ \
| | + +
+
|
|

\

(3.62)

Para tal, utilizou-se a lei circuital de ampre, integrando os quatro campos magnticos
em volta do segmento [6], conforme mostrado na equao (3.63) e Figura 3.14.

( ) ( )
( , 1, ) ( , , ) ( , , ) ( 1, , )
n x x y y
I H i j k H i j k x H i j k H i j k y = + .
(3.63)














Fig. 3.14 Integrao dos quatro campos magnticos ao longo dos percursos x e y

No circuito de corrente, as partes metlicas do sistema de aterramento, foram
modeladas quanto aos campos eltrico e magntico da seguinte forma:
a) Eletrodos: Totalmente metlicos com alta condutividade. As condies de
contorno para os campos eltrico e magntico foram devidamente aplicadas,
considerando as caractersticas metlicas dos referidos componentes.
b) Hastes de aterramento auxiliar e condutores de ligao: Em funo de suas sees
serem iguais ou inferiores a metade de uma das dimenses da clula de Yee e pelo
I
Y
X
H
X
(i,j,k)
H
Y
(i,j,k)
H
X
(i,j-1,k)
H
Y
(i-1,j,k)
x/2
y/2
I
Y
X
H
X
(i,j,k)
H
Y
(i,j,k)
H
X
(i,j-1,k)
H
Y
(i-1,j,k)
I
Y
X
H
X
(i,j,k)
H
Y
(i,j,k)
H
X
(i,j-1,k)
H
Y
(i-1,j,k)
x/2
y/2


80
valor elevado de corrente que dever passar pelos referidos condutores, aplicou-se
aos mesmos a tcnica de fio fino.

a) Circuito de potencial:
Constitudo por eletrodo remoto de potencial com dimetro de 0.25m, comprimento
total de 3m, sendo 1.5m enterrado, linha de potencial de referncia com seo transversal de
2 mm
2
e comprimento 50m. Ver Figura 3.10.
O potencial eltrico transitrio foi medido na clula postada na aresta superior do
eletrodo principal, conforme explicitado na equao (3.64).

( ) ( , , )
n
z
V n E i j k z = ,
(3.64)

onde n o nmero de iteraes

Em funo da pequena corrente que circula no circuito de potencial, considerou-se a
resistividade do condutor nula e, conseqentemente, as componentes tangenciais do campo
eltrico foram feitas nulas, nas paredes dos condutores desse circuito.
Considerando que no modelo em questo, a excitao realizada com um pulso de
tenso, semelhante em forma, a onda de pulso atmosfrico (3.55) a (3.59), o tempo de frente
de onda menor que o padronizado para ondas atmosfricas, para se ter uma reduo no
tempo de processamento. Os valores resultantes de tenso e corrente medidos na terra, no
perodo transitrio, refletem o comportamento varivel da resistncia de terra no perodo em
questo. Neste caso, a TGR (resistncia de aterramento transitria) obtida
computacionalmente a cada iterao atravs da equao (3.65).

( )
( )
( )
V n
TGR n
I n
=
,

(3.65)

onde n o nmero de iteraes.

3.4 Modelo adotado para simulao de hastes convencionais
Para a simulao de hastes convencionais ou comerciais de dimetros que variam entre
10 e 50 mm, houve a necessidade de se aplicar a teoria de fio fino em solo condutivo. As
tcnicas conhecidas na literatura [8-9], porm mais adequadas para utilizao em antenas


81
(espao-livre) no se mostraram eficientes quando utilizadas em solo condutivo. A soluo do
problema foi possvel com a adoo de tcnica que possibilita a correo do campo eltrico e
campo magntico nas clulas adjacentes ao eletrodo de aterramento [10], conforme descrito
na seo 3.1.3.2. As modificaes implementadas a partir do modelo anterior, apresentado na
seo 3.3, se referem tcnica utilizada para injeo de corrente no ambiente de simulao e a
determinao do potencial na terra.

3.4.1 Tcnica utilizada para injeo de corrente
As simulaes envolvendo excitao por pulso de corrente no ambiente FDTD, so
normalmente realizadas atravs de um circuito de corrente envolvendo eletrodo de teste,
gerador de pulso de tenso, resistncia, barramento horizontal e eletrodo remoto de corrente
[21]. Nesta etapa do trabalho, a injeo de corrente na terra, feita atravs de um gerador de
pulso de tenso, resistncia, eletrodo de teste e condutor vertical fino conectado diretamente
regio absorvente, at atingir as proximidades da parede eltrica que a envolve, sem haver
contato, conforme mostrado na Figura 3.15. Para o caso estudado, o espao equivalente a uma
clula foi usado como separao entre o condutor vertical e a PEC. Algumas adequaes
devem ser feitas no que se refere ao casamento de impedncias, igualando a permissividade e
permeabilidade nas clulas de fronteira e clulas adjacentes ao fio fino na direo de
atenuao ao longo da UPML. Esta tcnica de injeo de corrente garante a circulao da
corrente no ambiente de simulao envolvendo terra e espao livre.













Fig. 3.15 Layout do esquema proposto
PEC
Terra
Espao livre
Gerador de pulso
Resistncia
UPML
Eletrodo
PEC
Terra
Espao livre
Gerador de pulso
Resistncia
UPML
Eletrodo


82
A retirada dos barramentos e hastes adicionais deste ambiente proporcionou uma
analogia mais realista com o que ocorre nas descargas, em termos de direcionalidade do raio,
eliminando influncias eletromagnticas e proporcionando a gerao de curvas de distribuio
de campo/potencial radialmente simtricas. A Figura 3.16 mostra o circuito equivalente da
excitao de corrente.








Fig. 3.16 Circuito equivalente da excitao de corrente

A medio de corrente no modelo computacional foi realizada utilizando a mdia das
correntes no eletrodo, coletada nas clulas adjacentes a superfcie da terra mostrado na Figura
3.17. Este procedimento elimina a defasagem de clula relativa coleta de tenso e
corrente, possibilitando um resultado mais preciso no clculo da TGR. Tal ajuste se torna
necessrio em decorrncia do afastamento espacial das componentes dos campos E e H na
clula de Yee.











Fig. 3.17 Medio de corrente realizada atravs da mdia entre I
1
(t) e I
2
(t)

Resistncia de terra
Gerador de impulso
Resistncia
V=0

Resistncia de terra
Gerador de impulso
Resistncia
V=0

Espao livre
Ex
Ez
I
1
(t)
I
2
(t)
Eletrodo de
aterramento
Terra
s
A
Espao livre
Ex
Ez
I
1
(t)
I
2
(t)
Eletrodo de
aterramento
Terra
s
A


83
A corrente extrada no ponto A obtida pela expresso:

( )
( ) ( )
1 2
2
A
I t I t
I t
+
=
.
(3.66)

3.4.2 Determinao do potencial no ponto A
Na seo 3.3, onde descrita a modelagem para hastes no convencionais, a tenso
desenvolvida na terra pela ao do pulso de corrente aplicado ao eletrodo, foi coletada atravs
de um barramento metlico que trazia o potencial zero de uma regio distante, at uma clula
prxima do eletrodo, onde a tenso era medida [21]. A presena fsica do referido barramento
no ambiente de ensaio experimental e no ambiente de simulao, provoca efeitos de induo
que levam a resultados no compatveis com a realidade. Neste trabalho, prope-se a
eliminao do barramento de potencial e do eletrodo de referncia. Ento, para obteno da
equao para o potencial no ponto A, parte-se da Lei de Faraday, como segue,

B A A
E
t t t
| |
= = =
|

\

,
(3.67)
onde conclui-se que

0
A
E
t
| |
+ =
|

.
(3.68)

Como o rotacional do gradiente de uma funo escalar identicamente nulo, o termo
entre parnteses da equao (3.68) definido como sendo o negativo do potencial escalar
eltrico (-V). Feito isso, a equao resultante ento integrada de um ponto A a um ponto B
(ver Figura 3.18), resultando em,

B
B A
A
A
V V E dl
t
| |
= +
|



.
(3.69)

Considerando o ambiente de propagao quasiestatico e V
B
=0, a equao (3.69) pode
ser aproximada por:


84
B
A
A
V Edl =


(3.70)

Para o clculo da integral (3.70) foi escolhido o caminho de integrao iniciando em A
(Figura 3.18) e progredindo na horizontal, a trs clulas acima da superfcie da terra, at o
ponto B, onde o potencial tem o valor aproximadamente zero. De posse de V
A
e I
A
a TGR
obtida pela equao (3.71).

( )
( )
( )
A
A
V t
TGR t
I t
=
(3.71)

A metodologia proposta para a determinao do potencial atravs do caminho de
integrao, pode tambm ser aplicada s hastes no convencionais, em substituio ao
barramento de potencial utilizado nas experincias iniciais para efeito de validao. No
capitulo 4, sero testados vrios caminhos de integrao, tanto no espao livre quanto na terra
e ento ser escolhido o percurso mais vivel. A referida escolha, leva em considerao a
mdia de resultados e a situao mais desfavorvel quanto ao aterramento de equipamentos e
a proteo do individuo. A Figura 3.18, mostra no plano X-Y, o caminho de integrao entre
os pontos A e B. A Figura 3.19, mostra no plano X-Z, o percurso escolhido mais adequado
para determinao do potencial na haste.
Para as hastes convencionais, o circuito de corrente constitudo de um eletrodo com
20 mm de dimetro e 3m de comprimento. O gerador de pulso tratado como uma fonte de
tenso, a qual foi instalada no topo do eletrodo de aterramento, produzindo um tempo de
frente de onda de 0,063 microsegundos e de meia cauda da ordem de 500 microsegundos.









Fig. 3.18 Vista nos planos X-Y do domnio computacional de anlise
Caminho de integrao
V0
Sub-dominio 0
A B
Y
X
Sub-dominio 1 Sub-dominio 2 Sub-dominio 3 Sub-dominio 4
Sub-dominio 5 Sub-dominio 6 Sub-dominio 7 Sudominio 8 Sub-dominio 9
Eletrodo
(a)
22.5 m
6.25 m
6.25 m
0.50 m
Caminho de integrao
V0
Sub-dominio 0
A B
Y
X
Sub-dominio 1 Sub-dominio 2 Sub-dominio 3 Sub-dominio 4
Sub-dominio 5 Sub-dominio 6 Sub-dominio 7 Sudominio 8 Sub-dominio 9
Eletrodo
(a)
22.5 m
6.25 m
6.25 m
0.50 m


85









Fig. 3.19 Vista nos planos X-Z do domnio computacional de anlise

A tenso de pico foi ajustada para um valor de 515 Volts, com formato de onda
mostrado na Figura 3.13. Um resistor srie de 435 ohms, devidamente modelado [21], foi
adaptado entre a fonte de tenso e o circuito srie, transformando-a em uma fonte de corrente.
Como pode ser visto na Figura 3.15, o terminal superior do resistor penetra na UPML e vai
at a uma clula de distncia do PEC, este terminal constitudo de um fio fino condutor de
20 mm
2
de rea de seo transversal.

3.5 Estrutura de programao
Neste trabalho, a linguagem computacional utilizada como suporte nas simulaes foi
o FORTRAN 77 [23], sendo tambm utilizado o Matlab para suporte grfico e de animao
propiciando uma melhor visualizao da propagao dos campos.
A Figura 3.20 mostra o fluxograma do programa utilizado na determinao dos
campos eltrico e magntico, no ambiente de processamento paralelo, tendo em seu interior as
estruturas do sistema de aterramento.









Terra
Espao livre
Caminho de integrao
(3cel. acima do solo)
V0
Circuito de corrente
A
B
Z
X
20 m
9.50 m
22.50 m
(b)
Terra
Espao livre
Caminho de integrao
(3cel. acima do solo)
V0
Circuito de corrente
A
B
Z
X
20 m
9.50 m
22.50 m
(b)


86
































Fig. 3.20 Lgica de implementao FDTD para ser usada em algortimo paralelizado

INICIAR
Define as condies
iniciais de operao
Inicializao dos
vetores E e H
Determina K e
Meio
absorvente
No
Sim
Inicio do loop do
tempo
n = 1, 2,...., nt
3
1
0
2.28 10
( )
K
espao
livre
Terra


=
| |
=
|
\
=
Clculo dos campos
eltrico e magntico no
espao de trabalho e
UPML (Eqs. de
Maxwell discretizadas),
obedecendo as
condies de contorno
do sistema de
aterramento
Clculo do campo
magntico prximo aos
condutores (tcnica de fio
fino)
Clculo da tenso,
corrente e resistncia
transitrias
n nt =
No
Sim
Ler valores nos
arquivos de
sada e plotar
grfico
FIM
FLUXOGRAMA PARA CLCULO DA TENSO, CORRENTE E TGR
( ) ( )
,max
/
m
x x
x x d =
( ) ( )( )
,max
1 1 /
m
x x
K x k x d = +
INICIAR
Define as condies
iniciais de operao
Inicializao dos
vetores E e H
Determina K e
Meio
absorvente
No
Sim
Inicio do loop do
tempo
n = 1, 2,...., nt
3
1
0
2.28 10
( )
K
espao
livre
Terra


=
| |
=
|
\
=
Clculo dos campos
eltrico e magntico no
espao de trabalho e
UPML (Eqs. de
Maxwell discretizadas),
obedecendo as
condies de contorno
do sistema de
aterramento
Clculo do campo
magntico prximo aos
condutores (tcnica de fio
fino)
Clculo da tenso,
corrente e resistncia
transitrias
n nt =
No
Sim
Ler valores nos
arquivos de
sada e plotar
grfico
FIM
FLUXOGRAMA PARA CLCULO DA TENSO, CORRENTE E TGR
( ) ( )
,max
/
m
x x
x x d =
( ) ( )( )
,max
1 1 /
m
x x
K x k x d = +


87
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] A. Thom and C.J. Apelt, Field computations in engineering and physics, D. Van
Nostrand, London, 1961.
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[3] M. N.O. Sadiku, Numerical Technics in Electromagnetics. CRC press, New York,
2001.
[4] G. D. Smith, Numerical Solution of Partial Differencial Equations: Finite
Difference Methods, 3
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[5] A. Taflove and S.C. Hagness: Computational electrodynamics: The finite-
difference time-domain Method, Artech house,inc., Boston, 2000.
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gleichungen der mathematischen physik, Mathematische Annalen, Vol. 100, p.p
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[10] Y. Baba, N. Nagaoka, A. Ametani, Modeling of thin wires in a lossy medium for
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[11] S. D. Gedney, An anisotropic perfectly matched layer absorbing media for the
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[16] I. T. Foster, Designing and building a parallel programs: Concepts and tools for
parallel software. New York Addison, Wesley Publish Co, 1995.
[17] A. Tanenbaun, Network computers. Prentice-Hall , 2 edio 1989.
[18] G. Andrews, Foundations of multithreaded, parallel and distributed programming,
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[20] R. M. S. de Oliveira, R. O. Santos, C. L. S. Sobrinho, Numerical scattering
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[21] K. Tanabe, Novel method for analyzing the transient behavior of grounding
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[22] M. B. Stout, Curso bsico de medidas eltricas. EDUSP, So Paulo, 1974.
[23] J. A. N. G. Manzano, Estudo dirigido de fortran, Ed. rica, 2003.

89
4.0 Resultados
Sero mostradas neste captulo, curvas obtidas atravs de simulaes, que traduzem o
comportamento transitrio e estacionrio de vrios arranjos de sistemas de aterramento. Em
uma primeira etapa, sero utilizados eletrodos de dimenses no convencionais e em uma
segunda etapa eletrodos de dimenses convencionais ou comerciais. No primeiro caso, os
eletrodos foram empregados por serem mais adequados para utilizao da metodologia FDTD
em funo de suas dimenses coincidirem com as dimenses das clulas de Yee, e os
resultados obtidos se reverterem de grande importncia na comparao com dados
experimentais, obtidos na literatura [1]. Na segunda etapa so utilizadas hastes convencionais
de dimenses reduzidas em relao a clula de Yee, sendo necessria, para esses casos, a
aplicao de tcnicas adequadas de fios finos para meios condutivos.

4.1 Resultados Obtidos para TGR, Tenso e Corrente em eletrodos de aterramento no
convencionais
Neste caso, considera-se no convencionais os eletrodos cujas sees transversais so
maiores que aquelas apresentadas por eletrodos comerciais, normalmente utilizados em
sistemas de aterramento.
Em todas as simulaes, procurou-se destacar os valores de resposta da TGR, tenso e
corrente, parmetros estes considerados de grande importncia na anlise do comportamento
transitrio e estacionrio de sistemas de aterramento, para efeito de proteo de equipamentos
e do ser humano.

4.1.1 Aterramento com eletrodo nico
A simulao do comportamento transitrio de sistemas de aterramento excitados por
pulsos de corrente para uma nica haste, teve como objetivo principal a anlise dos valores de
corrente, tenso e TGR, obtidos durante os perodos transitrio e estacionrio. Para isso,
modelou-se tal sistema, usando-se um eletrodo de aterramento (ET) ligado ao circuito de
injeo de corrente. A medio do potencial feita atravs de um condutor, o qual aterrado
a 50 m do ET, seguindo sobre a superfcie da terra a uma altura de 1,5 m at a distncia de
uma clula do ET, onde feita a medio do potencial. Observa-se na Fig. 3.9, do captulo 3,
que o domnio computacional de anlise dividido em 10 subdomnios e, ento, a tcnica de
processamento paralelo, aplicada [2]. A Figura 4.1 mostra a disposio dos componentes do
circuito de corrente e do sistema de aterramento no ambiente computacional.
90












Fig. 4.1 Sistema de aterramento visto no plano Z-Y com um eletrodo de aterramento e
circuito de corrente.

O circuito de corrente utilizado nesta simulao, foi detalhado na seo 3.3 do captulo
3 e no dever sofrer alteraes nas demais simulaes, a no ser quanto ao nmero de hastes
utilizadas.
A figura 4.2 apresenta uma vista mais detalhada da fonte de tenso (gerador de pulso),
resistncia, eletrodo principal e segmentos de interligao, bem como as dimenses em
termos de clulas utilizadas na montagem desses componentes [1]. Como foi citada na seo
3.3, a medio de corrente feita em relao ao segmento metlico localizado entre o gerador
de pulso e a haste de aterramento [3] e [4].















Fig. 4.2 Trecho do circuito de corrente constitudo por eletrodo principal, fonte de
tenso e resistncia.

Eletrodo remoto de corrente
20 m
Eletrodo de aterramento sob teste
Espao livre
terra
Z
Y
1 m
1.5 m
3 m
Linha de corrente
Eletrodo remoto de corrente
20 m
Eletrodo de aterramento sob teste
Espao livre
terra
Z
Y
Eletrodo remoto de corrente
20 m
Eletrodo de aterramento sob teste
Espao livre
terra
Z
Y
1 m
1.5 m
3 m
Linha de corrente
Resistncia
Gerador de impulso
Medio de corrente
3 m
12 cel.
Terra
Espao livre
1 cel.
1 cel.
1 cel.
1 cel.
Resistncia
Gerador de impulso
Medio de corrente
3 m
12 cel.
Terra
Espao livre
1 cel.
1 cel.
1 cel.
1 cel.
Gerador de pulso
91
O circuito de potencial para o caso em questo, foi tambm detalhado na seo 3.3. A
Figura 4.3 mostra um corte no plano X-Z onde se observa o ponto de medio de potencial no
eletrodo de aterramento. A clula localizada acima de uma das arestas do eletrodo o ponto
de medio escolhido. A leitura do potencial feita tendo como referncia o potencial zero
obtido com auxlio a) do eletrodo remoto de potencial distante 50 m do ponto de medio e b)
dos barramentos auxiliares [5,6].









Fig. 4.3 Sistema de aterramento visto no plano Z-X mostrando o circuito de potencial de
referncia.

Para o presente arranjo de simulao, o potencial eltrico transitrio foi medido na
clula de ndice (111,110,80), conforme mostrado em (4.1) [1], onde n o nmero de
iteraes.
( ) ( ) z E n V
z
= 80 , 110 , 111 (4.1)

O pulso de corrente, injetado no eletrodo de aterramento, foi calculado usando-se a lei
circuital de Ampre [1,7] , resultando em:

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 110,109,80 110,110, 80 109,110, 80 110,110,80
x x y y
I n H H x H H y ( = + + (


(4.2)

O clculo da TGR feito a partir da relao entre os valores obtidos em (4.1) e (4.2),
conforme mostrado em (3.71).
Os resultados da simulao em termos de corrente, tenso e resistncia de aterramento
transitria, juntamente com os resultados experimentais obtidos em [1], so mostrados na
Figura 4.4. Nos resultados simulados, importante observar que, utilizando metodologia
distinta no que se refere forma de processamento, tipo de paredes absorventes e condies
Eletrodo remoto
de potencial
50 m
Espao livre
Terra
X
Z
Medio de potencial
Eletrodo
principal
Eletrodo remoto
de potencial
50 m
Espao livre
Terra
X
Z
X
Z
X
Z
Medio de potencial
Eletrodo
principal
92
gerais de contorno, os resultados so bastante coerentes com aqueles obtidos
experimentalmente e atravs da simulao em [1].

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
Simulao
TGR experimental [1]
Tenso experimental [1]
Tenso
Corrente
TGR
Valores transitrios para tenso, corrente e TGR
Tenso
Corrente
TGR
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente experimental [1]

Fig. 4.4 Resultados simulados e experimentais para um eletrodo.

A comparao com resultados experimentais conduz validao do cdigo
computacional desenvolvido neste trabalho, dentro das tcnicas FDTD, habilitando-o a novas
prospeces visando a soluo de problemas crticos em sistemas de aterramento.

4.1.2 Anlise da influncia do comprimento do eletrodo de aterramento sobre o
potencial, corrente e TGR
Utilizando o mesmo circuito de excitao da seo anterior, analisou-se o
comportamento transitrio do potencial, corrente e TGR, para um eletrodo vertical longo.
Para isso, o critrio adotado foi o aumento gradativo do eletrodo de 3 em 3 m, chegando-se a
um tamanho mximo de eletrodo de 12 m, de acordo com a Figura 4.5.
Existem situaes prticas em que dependendo dos valores de resistividade nas
diversas camadas de um solo estratificado, opta-se por hastes de comprimento maior que o
convencional, a fim de obter-se valores de resistncia de aterramento compatveis com as
exigidas no projeto, a um menor custo [8]. Os resultados obtidos para TGR, tenso e corrente,
considerando os diferentes comprimentos das hastes, so mostrados na Fig. 4.6.

93








Fig. 4.5 Eletrodo vertical longo

Uma observao importante nesta simulao, que durante parte do perodo
transitrio, as formas de onda para TGR so coincidentes para partes comuns em diversos
comprimentos de hastes, conforme mostrado na Figura 4.7. Estas informaes so
importantes, pois mostram que, dentro da tcnica FDTD, as ondas se propagam com
velocidades constantes ao longo dos eletrodos independentemente do comprimento dos
mesmos, conforme mostrado na Tabela 4.1. As oscilaes observadas nas curvas de TGR,
tenso e corrente, devem-se ao efeito capacitivo nas vrias freqncias que compem o sinal
de excitao no perodo transitrio, reflexes mltiplas sucessivas na interface terra e espao-
livre e pelas difraes que ocorrem na extremidade do eletrodo.

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
Tenso
Corrente
TGR
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
haste3m
haste6m
haste9m
haste12m
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0

Fig. 4.6 Respostas de tenso, corrente e TGR transitrios para diversos comprimentos de
haste.
Eletrodo remoto de corrente
20 m
Espao livre
Terra
Z
Y
12 m
Eletrodo remoto de corrente
20 m
Espao livre
Terra
Z
Y
12 m
94

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
10
20
30
40
50
60
70
haste 3m
haste 6m
haste 9m
haste 12m
T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo s

Fig. 4.7 Comportamento transitrio da TGR em haste de comprimento varivel

Tabela 4.1 Coincidncia no comportamento transitrio das curvas TGR em determinados
perodos transitrios para diversos comprimentos de haste.
Perodo transitrio ( s) Comprimentos de haste Situao
0 a 0.16 3m, 6m, 9m e 12m Curvas coincidentes
0 a 0,32 6m, 9m, 12m
0 a 0,48 9m e 12m


3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
15
20
25
30
35
40
45
50
55
TGR x COMPRIMENTO DO ELETRODO VERTICAL DE ATERRAMENTO
T
G
R

(
O
h
m
)
Comprimento do eletrodo de aterramento (m)

Fig. 4.8 Comportamento dos valores estabilizados da TGR em funo do comprimento da
haste
95
O grfico da Figura 4.8 mostra o comportamento dos valores estabilizados da TGR
aps a excitao de tenso, em funo dos comprimentos das hastes. Observa-se nesta curva,
que a TGR diminui medida que o comprimento do eletrodo aumenta, tendendo a uma
saturao. Vale ressaltar que esta curva de grande importncia na avaliao de projetos de
sistemas de aterramento utilizando hastes longas.

4.1.3 Anlise da influncia de eletrodos de terra paralelos sobre o potencial, corrente e
TGR.
Nesta seo, apresentam-se os resultados obtidos para o potencial, corrente e TGR,
considerando-se eletrodos de terra associados em paralelo. Em uma primeira etapa, analisa-se
o sistema constitudo de dois eletrodos e, em seguida, quatro eletrodos so considerados. Em
todos os casos, os eletrodos tm 3m de comprimento, esto afastados de igual distncia e as
caractersticas da terra so as mesmas, consideradas no caso anterior. O primeiro caso
mostrado na Figura 4.9 e os resultados, para os parmetros de interesse, so apresentados na
Figura 4.10. Como era de se esperar, a TGR apresenta um comportamento com oscilaes
mais suaves, quando em comparao com resultados obtidos para um nico eletrodo
(Figura 4.4). Para o caso atual, observa-se uma reduo considervel no valor de pico inicial
da TGR, passando para 16.45 , no perodo de 0 a 0.06 s, com ligeira queda at 0.2 s,
crescendo seu valor em seguida, at atingir o valor mximo aproximado de 35 no tempo de
0.55 s. No perodo de regime obteve-se uma reduo nos valores da TGR e tenso, atingindo
valores em torno de 34 e -19 Volts, respectivamente. O valor da corrente teve um
acrscimo de 0.04 Ampres. Vale ressaltar que o valor da TGR, em regime, est de acordo
com a conhecida condio de paralelismo [9] e [10].










Fig. 4.9 Sistema de aterramento com duas hastes
50 m
Espao livre
Terra
Z
X
3

m
3 m
Circuito de corrente
Circuito de tenso
96

1
1 2
2
haste
haste hastes
R
R R > >



0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
o
r
r
e
n
t
e
(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
O
h
m
)
Tempo(s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
V 1haste
V 2haste
I 2haste
I 1haste
TGR 2haste
TGR 1haste

Fig. 4.10 Comparao dos valores de TGR, corrente e tenso para sistemas com uma e duas
hastes, respectivamente.

O segundo caso apresentado na Figura 4.11. Pode-se observar a forma como os
eletrodos foram associados e a disposio relativa dos circuitos de potencial e de corrente. Os
resultados relativos so apresentados na Figura 4.12 Nesta figura, as curvas para a TGR,
tenso e corrente transitrias, so mostradas em funo do tempo, onde se observa um efeito
atenuador significativo para a TGR, no intervalo de 0 a 0.06s, quando comparado com os
resultados correspondentes para um nico eletrodo de 12m de comprimento, conforme
mostrado na Figura 4.6. J na condio de regime, para a associao em paralelo, a TGR
assume valor maior que aquele obtido para o eletrodo de 12m.








Fig. 4.11 Sistema de aterramento com quatro eletrodos em linha
50 m
Espao livre
Terra
Z
3 m
Circuito de corrente
3 m 3 m
50 m
Espao livre
Terra
Z
3 m 3 m
Circuito de corrente
3 m 3 m 3 m 3 m
97


0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
o
r
r
e
n
t
e
(
A
)
TGR
Tenso

T
e
n
s

o
(
V
)
,

T
G
R
(
O
h
m
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente

Fig. 4.12 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com 4 hastes em linha

Os resultados obtidos para os dois casos analisados, sugerem uma performance melhor
para as hastes paralelas na atenuao da TGR no perodo transitrio. Para maior atenuao no
perodo de regime, a utilizao da haste vertical longa se torna mais adequada.

4.1.4 Estudo do comportamento transitrio para o potencial, corrente e TGR para
uma malha quadrada com 16 eletrodos
Para o sistema de aterramento com 16 hastes, mostrado na Fig. 4.13, observam-se as
conexes dos circuitos de corrente e de tenso no plano X-Y.










Fig. 4.13 Sistema de aterramento com 16 hastes em formato quadrado cheio (plano XY)
Circuito de tenso
Circuito de corrente
3 m
3 m
Y
X
Circuito de tenso
Circuito de corrente
3 m
3 m
Circuito de tenso
Circuito de corrente
3 m
3 m
Circuito de corrente
3 m
3 m
Y
X
Y
X
98
Neste caso, os eletrodos tm comprimento de 3m e esto afastados da mesma
distncia. A terra considerada homognea e com os mesmos parmetros usados na seo
4.1.1. Os resultados para TGR, tenso e corrente so mostrados na Figura 4.14, onde se
observa que a TGR teve o seu valor, em regime, reduzido para aproximadamente 9 . No
perodo transitrio, observa-se uma expressiva atenuao nas oscilaes das curvas
consideradas em relao aos sistemas analisados anteriormente.

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-20
-10
0
10
20
C
o
r
r
e
n
t
e
(
A
)
TGR
Tenso

T
e
n
s

o
(
V
)
,

T
G
R
(
V
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente

Fig. 4.14 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com 16 hastes

4.1.5 Estudo do comportamento transitrio para o potencial, corrente e TGR para
uma malha quadrada com 25 eletrodos
No sistema de aterramento com 25 hastes, mostrado nas Figuras 4.15 e 4.16, observa-
se no plano X-Z e X-Y as conexes com os circuitos de corrente e de tenso. A captao de
tenso ser feita em um dos lados da malha, conforme mostrado na Figura 4.15. A injeo de
corrente, mostrado na Figura 4.16, feita na haste central para possibilitar a simetria do
processo







Fig. 4.15 Sistema de aterramento com 25 hastes em formato quadrado cheio. Vista no plano
X-Z
X
Z
X
Z
99












Fig. 4.16 Sistema de aterramento com 25 hastes em formato quadrado cheio. Vista no plano
X-Y

O grfico da Figura 4.17 mostra as curvas TGR, tenso e corrente, onde a resistncia
de aterramento de aproximadamente 5.8 em regime estacionrio. No perodo transitrio,
observa-se uma considervel atenuao nas oscilaes das curvas TGR, tenso e corrente, em
relao aos sistemas com menor nmero de hastes, analisados neste trabalho.


0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
TGR
Tenso
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente

Fig. 4.17 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com 25 hastes

Analisando a malha de 25 hastes, em formato quadrado cheio, observa-se, em regime
estacionrio, uma reduo ainda maior do valor da TGR que atinge 5.8 . No perodo
Circuito de
corrente
Circuito de
tenso
3 m
3 m
X
Y
Circuito de
corrente
Circuito de
tenso
3 m
3 m
Circuito de
corrente
Circuito de
tenso
3 m
Circuito de
corrente
Circuito de
tenso
3 m
3 m
X
Y
100
transitrio, as atenuaes dos picos da TGR e tenso, so mais evidentes quando comparado
com a malha de 16 hastes.

4.1.6 Estudo do comportamento transitrio para o potencial, corrente e TGR para um
eletrodo em solo estratificado
Para o solo estratificado mostrado na Figura 4.18, a primeira camada tem espessura de
2m, o eletrodo de aterramento tem comprimento de 3m e a primeira e a segunda camada tm
inicialmente resistividades de 438 e 146 .m e permissividades eltricas relativas iguais a 50
e 55, respectivamente. Em uma segunda anlise, os valores acima so trocados, ou seja: para a
primeira camada so usados os parmetros 146 .m e 55 e, para a segunda tm-se 438 .m e
50. Para os dois casos, as curvas para a TGR, tenso e corrente so mostradas na Figura 4.19.





Fig. 4.18 Haste de aterramento em solo estratificado de duas camadas

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-20
0
20
40
60
80

1
>
2

1
<
2
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Time (s)
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
TGR
Tenso
Corrente

Fig. 4.19 Curvas TGR, tenso e corrente para sistema de aterramento com uma haste em solo
estratificado em duas camadas (
1
>
2
e
1
<
2
)

1
= 438 .m

2
= 146 .m

r
= 55

r
= 50
2 m
1 m
Espao livre
Terra

1
= 438 .m

2
= 146 .m

r
= 55

r
= 50
2 m
1 m
Espao livre
Terra
101
Na Figura 4.19, pode-se observar, para ambos os casos, que houve uma reduo no
valor da TGR, quando comparado com o obtido para o solo homogneo (Figura 4.4). Pode-se
observar, tambm, que houve um aumento nas oscilaes transitrias, podendo ser explicado
pelas reflexes mltiplas ocorrentes entre as interfaces de separao para meios diferentes.

4.1.7 Influncia da desconexo de uma haste em um sistema de aterramento que
contempla duas hastes
Em sistemas de aterramento industrial ou de gerao e transmisso de energia, ao
longo do tempo, possvel ocorrer falhas eltricas as quais possam ser originadas nos
sistemas de aterramento. Muitas vezes, essas anomalias so causadas por conexes deficientes
dos cabos condutores com as hastes de aterramento sob a superfcie da terra; em outros casos,
roubos de cabos e hastes de cobre podem acontecer, alterando os parmetros originais de
projeto da malha de terra. de suma importncia aos usurios de plantas que utilizam grandes
sistemas de aterramento, os quais so vitais na proteo de seus equipamentos mais sensveis,
que mantivessem em arquivo, o perfil ou registro do comportamento transitrio de sua malha
de terra, obtido no perodo de comissionamento. Esse perfil, coletado na instalao da malha
de terra, serviria de padro de comparao ou assinatura para futuras observaes preditivas
do estado fsico da malha de terra. A Figura 4.20 exemplifica um caso de desconexo de
haste.














Fig. 4.20 Malha de aterramento com duas hastes: a) conexo normal b) com uma haste
desconectada.
Medi o de tens o
e m trs c lulas
a) Haste co necta da b) Haste desco ne ctada
Medi o de tens o
e m trs c lulas
a) Haste co necta da b) Haste desco ne ctada
102
No exemplo aqui apresentado, utilizando tcnica FDTD em uma malha de aterramento
de duas hastes, procurou-se verificar o comportamento da referida malha, quando da
desconexo de uma das hastes do sistema de aterramento, conforme mostrado na Figura 4.20.
Para o caso em questo, aprofundou-se a malha de duas clulas ou 50 cm, o que corresponde a
uma situao comumente encontrada na prtica [11].
Os resultados apresentados na Figura. 4.21, mostram o comportamento da TGR,
tenso e corrente, para as situaes definidas na Figura 4.20, e para o caso de uma haste
isolada. (analisada na Figura 4.4). Desses resultados, observa-se que, com a desconexo de
um dos eletrodos, a TGR apresentou valores bem superiores daqueles registrados para duas
hastes, no entanto, alguns ohms menor que a TGR para uma haste isolada. Isso demonstra, a
influncia que uma haste, mesmo desconectada, exerce sobre o valor total da TGR em um
sistema de aterramento. Programas baseados na metodologia FDTD so capazes de detectar
anomalias em sistemas de aterramento. possvel inclusive, com auxlio de programas
inteligentes com rede neurais, determinar a localizao do ponto de falha, atravs da
comparao de curvas padres obtidas em simulao com aquelas obtidas em campo pela
injeo de corrente na malha.


0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
Tenso
Corrente
TGR
2 Hastes
2 Hastes/1 solta
1 Haste
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo s
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0


Fig. 4.21 Curvas para TGR, corrente e tenso, resultantes de simulao em sistema de
aterramento com duas hastes conectadas, duas hastes porm uma desconectada e uma haste.

103
4.1.8 Modelagem do potencial na anlise do comportamento transitrio dos sistemas de
aterramento usando uma haste
Os experimentos e simulaes realizados nas sees anteriores, utilizaram eletrodo
remoto de potencial e barramento horizontal de referncia para obteno da diferena de
potencial desenvolvida na terra com a passagem da corrente impulsiva. A nova modelagem
proposta, citada no captulo 3 seo 3.3, visa a eliminao dos componentes citados, ou seja,
eletrodo e barramento, sendo a coleta de tenso obtida atravs de caminhos pr-estabelecidos
no espao livre, interface e meio condutivo (terra). Nesta fase das simulaes, o circuito de
corrente permaneceu inalterado, ou seja, manteve-se os componentes do circuito auxiliar de
corrente.
Em funo do sentido de integrao adotado, mais precisamente, do eletrodo ao
infinito (ponto localizado a 50m do eletrodo com potencial considerado de valor zero), tem-
se:

= l d E V . .
(4.4)

Considerando o ponto A prximo a haste e o ponto B suficientemente distante do
ponto A, tem-se de forma aproximada a seguinte equao;
.
B
B A
A
V V E dl =


. (4.5)

Sendo V
B
=0 , o potencial no ponto A pode ser aproximado por
.
B
A
A
V E dl =


. (4.6)

Os resultados a serem mostrados na seo seguinte, evidenciam a diferena que pode
ser observada no comportamento das curvas de TGR, tenso e corrente, quando a coleta de
potencial feita atravs da modelagem citada acima. Simulaes foram realizadas integrando
o campo eltrico em relao ao percurso utilizado, tendo como meio o espao livre e a terra.
importante ressaltar que a presena de dois meios com caractersticas eltricas
diferentes (
1
e
2
), evidencia a descontinuidade de uma regio a ser analisada. Sobre a
interface que define a regio de contorno, a implementao direta dos valores destas
104
permissividades nas equaes escritas para um meio uniforme, pode reproduzir efeitos de
disperso numrica. Estes efeitos so mais acentuados quanto maior for a diferena entre
1
e

2
. Para essas situaes, o recomendado seria a utilizao da mdia das permissividades nas
clulas localizadas na interface dos dois meios, conforme mostrado na Figura 4.21, para as
componentes de campo eltrico situadas no plano horizontal (X-Y). Foram obtidos alguns
resultados para TGR, tenso e corrente, nas condies citadas acima. Para as simulaes
realizadas, a mediao foi feita entre os valores da permissividade no espao livre
o
e terra

terra
.








Fig. 4.22 Mediao das permissividades em clulas da interface espao livre e terra
4.1.8.1 Integrao do potencial atravs de caminhos no espao livre
Conforme mostra a Figura 4.23, foram escolhidos alguns caminhos de integrao no
espao livre para determinao do potencial desenvolvido durante a incidncia do surto de
corrente.











Fig. 4.23 Medio do potencial atravs de integrao no espao livre
Kht+6
Kht+5
Kht+4
Kht+3
Kht+2
Kht+1
kht
Terra
Espao
livre
Subdom5 Subdom4 Subdom6 Subdom7
Kht+6
Kht+5
Kht+4
Kht+3
Kht+2
Kht+1
kht
Terra
Espao
livre
Subdom5 Subdom4 Subdom6 Subdom7

terra

(
o
+
terra
)/2

105
Os resultados da simulao so mostrados na Figura 4.24, para os caminhos
posicionados nas cotas kht+2, kht+3, kht+4 e kht+6, sendo kht a cota do nvel do solo,
observa-se poucas mudanas nos valores da TGR e tenso nos perodos transitrio e de
regime.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
TGRP2M(kht+5)
TGRP2M(kht+4)
Tenso(kht+2)
TGRP2M(kht+2)
TGRP2M(kht+6)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Tenso(kht+5)
Corrente(kht+6)
Corrente(kht+4)
Tenso(kht+4)
Corrente(kht+2)
Tenso(kht+3)
Tenso(kht+6)
Corrente(kht+5)
Corrente(kht+3)
TGRP2M(kht+3)

Fig. 4.24 Resultados para TGR, tenso e corrente considerando a mdia das
permissividades para as componentes tangenciais dos campos na interface


As Figuras 4.25 e 4.26 mostram as curvas detalhadas no perodo de 0-0.2 s para as
situaes sem e com mdia da permissividade.


0.00 0.05 0.10 0.15 0.20
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente (kht+2)
Tenso (kht+2)
TGR(kht+2
Tenso (kht+6)
Corrente (kht+6)
TGR(kht+6)
Tenso (kht+3)
Corrente (kht+1)
TGR(kht+1)
TGR(kht+3)
Corrente (kht+3)
Tenso (kht+1)

Fig. 4.25 Diagrama mostrando TGR, tenso e corrente sem mdia de permissividade

106
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
TGR(kht+5)
TGR(kht+4)
Tenso(kht+2)
TGR(kht+2)
TGR(kht+6)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Tenso(kht+5)
Corrente(kht+6)
Corrente(kht+4)
Tenso(kht+4)
Corrente(kht+2)
Tenso(kht+3)
Tenso(kht+6)
Corrente(kht+5)
Corrente(kht+3)
TGR(kht+3)

Fig. 4.26. Diagrama mostrando TGR, tenso e corrente, com mdia de permissividade


A concluso que se tira na anlise do percurso de potencial no espao livre com e sem
mdia de permissividade, que, no perodo transitrio entre 0 e 0.1 s, no so observadas
grandes mudanas, a no ser um pequeno amortecimento nos valores de TGR e de tenso,
principalmente na cota kht+6 quando se usa a mdia da permissividade. Tambm no perodo
de regime h uma melhor convergncia nos valores de TGR e tenso para os diversos
caminhos, iniciando no instante de 0.13 s.
Quando a coleta de potencial feita atravs do espao livre, a resistncia obtida, na
fase de estabilizao ou regime, tem valor bastante aproximado ao valor obtido atravs de
frmulas analticas utilizadas na literatura, conforme demonstrado a seguir. A especificao
da haste de aterramento e as caractersticas do solo utilizados na simulao, so as seguinte:

S
quadrado
= 0.5 x 0.5 = 0.25 m
2

Comprimento: 3 m
Condutividade do solo: 2.28 x 10
-3
Siemens/m
Resistividade do solo: 438.59 .m

Considerando a rea quadrada, deve-se calcular o dimetro equivalente.

2
2
quadrado circulo
d
S S
| |
= =
|
\

(4.7)
107
2 0.564
quadrado
S
d m

= =
(4.8)


Utilizando-se frmulas da literatura [12,13] para determinao da resistncia de
aterramento de uma haste, tem-se:
2
ln
2
T
l
R Tagg
l r

| |
=
|
\

(4.9)

4
ln 1
2
L
R Sunde
L r

| | | |
=
| |
\ \
(4.10)


onde:

= Resistividade .m
L = Comprimento da haste
r = raio da haste


71.14
TAGG
R =

64
SUNDE
R =


.
70.51
SIMUL
R =

O resultado para resistncia de aterramento em regime obtido por Tanabe
experimentalmente e atravs de simulao utilizando o prottipo convencional onde so
introduzidos os circuitos auxiliares para medio de potencial, tem seu valor aproximado
mostrado abaixo

55.00
TANABE
R .


Entende-se que as experincias levadas a efeito por Tanabe, serviram para validar o
modelo computacional elaborado dentro da tcnica FDTD, porm o prottipo utilizado para
medio da TGR, tenso e corrente, propiciam a obteno de valores apenas aproximados
para um determinado tipo de solo.

108
4.1.8.2 Integrao do potencial atravs de caminhos no meio condutivo (terra)
Nesta etapa, foi realizada simulao considerando o caminho de integrao pela terra.
Para isso foram escolhidos alguns caminhos conforme mostrado na Figura 4.27.







Fig. 4.27 Medio do potencial atravs de integrao no meio condutivo terra
A Figura 4.28 apresenta as curvas TGR e tenso, referentes integrao do potencial atravs
dos caminhos kht, kht-2 e kht-6 na terra comparando-as com as curvas obtidas no espao livre
para kht+3 e kht+6. A TGR sofre uma queda superior a dez ohms quando a integrao passa
do espao livre para terra. A parte transitria, tambm acompanha uma razovel atenuao,
principalmente nos instantes iniciais, visto na figura abaixo.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Tenso(Kht-6)_Terra
TGR(Kht-6)_Terra
TGR(Kht)_Terra
Tenso(Kht)_Terra
Tenso(Kht-2)_Terra
TGR(Kht-2)_Terra
TGR(kht+6)_EspLivre
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente(Kht-6)_EspLivre
Corrente(Kht-2)_EspLivre
Corrente(Kht+6)_EspLivre
Corrente(Kht+3)_EspLivre
Tenso(kht+6)_EspLivre
Tenso(kht+3)_EspLivre
TGR(kht+3)_EspLivre

Fig. 4.28 Resultado da TGR, tenso e corrente aplicando a integrao do campo em vrios
percursos na terra e no espao livre.
Kht-1
Kht-2
Kht-3
Kht-4
Kht-5
Kht-6
Terra
Espao
livre
Subdom5 Subdom4 Subdom6 Subdom7
Kht
109
A Figura 4.29 detalha as curvas acima no perodo de tempo 0-0.2 s, onde pode ser
melhor observada a atenuao na curva representativa da TGR.


0.00 0.05 0.10 0.15 0.20
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Tenso(Kht-2)_Terra
TGR(Kht-6)_Terra
Tenso(Kht-6)_Terra
TGR(Kht)_Terra
Tenso(Kht)_Terra
TGR(Kht-2)_Terra
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Tenso(Kht+3)_EspLivre
TGR(Kht+6)_EspLivre
TGR(Kht+3)_EspLivre
Tenso(Kht+6)_EspLivre

Fig. 4.29 Curva representativa da TGR, tenso e corrente no intervalo de 0 a 0.2 s

As figs. 4.28 e 4.29 acima, mostram a diferena nas curvas de Tenso e TGR, quando
o caminho de integrao pelo espao livre ou terra. A TGR sofre uma queda superior a dez
ohms quando referido caminho passa do espao livre para terra na estabilizao. A parte
transitria tambm acompanha uma razovel atenuao, principalmente nos instantes iniciais,
conforme mostrado na Figura 2.28 do captulo 2, [14].
Uma explicao que pode ser dada para o caso em questo, que, quando as ondas de
tenso ou corrente so aplicadas em condutores enterrados no solo, a onda eletromagntica
correspondente propaga-se ao longo do condutor. Este sistema opera como uma linha de
transmisso envolvida em um meio com perdas. Enquanto a onda se propaga, perdas de
energia, promovem uma atenuao na sua amplitude. Por outro lado, os componentes de
freqncia da onda, apresentam diferentes velocidades de propagao e so submetidas a
diferentes nveis de atenuao. Tais atenuaes aumentam com a freqncia e com a
condutividade do solo, da mesma forma que a perdas de energia. Em suma, as ondas de tenso
e corrente que se propagam ao longo dos eletrodos no solo, tm suas amplitudes atenuadas e
esto tambm submetidas a distores ao longo da direo de propagao com diminuio da
inclinao da frente de onda.
110
Neste trabalho, optou-se pelo caminho de integrao, que se inicia na superfcie da terra
e integra ao longo do percurso situado a trs clulas acima da terra, ou seja, no espao livre,
que representa a situao mais desfavorvel no aterramento de um equipamento ou quando o
indivduo submetido a tenso de toque.

4.2 Resultados obtidos para TGR, Tenso e Corrente em eletrodos de aterramento
convencionais (comerciais)
Os ensaios de simulao apresentados nas sees anteriores, foram realizados em
malhas de aterramento com eletrodos de dimenses ampliadas para efeito de comparao de
resultados com trabalhos existentes na literatura [1,14]. Nesses casos, as dimenses fsicas do
eletrodo principal so coincidentes com as dimenses das clulas de Yee inseridas no
programa de clculo da TGR, facilitando inclusive os clculos de atualizao dos campos
eletromagnticos. Esta concepo inicial tinha como objetivo, reduzir o tamanho da malha
que seria necessria, caso uma haste convencional fosse considerada. Entretanto, importante
salientar, que a metodologia FDTD, atravs das tcnicas de fio fino, mostradas no capitulo 3,
possibilita a simulao de problemas em malhas de terra que utilizam hastes de dimenses
comerciais. No mesmo ambiente de ensaio, introduziu-se uma haste comercial de
comprimento 3 m, dimetro 20 mm, conectada aos circuitos de corrente e potencial. Nas
simulaes que se seguem, tanto o circuito de potencial quanto o circuito de corrente para
excitao da haste de aterramento, esto baseados no novo modelo descrito no captulo 3,
seo 3.4. Com este procedimento, eliminam-se do ambiente de trabalho as hastes e
barramentos auxiliares dos circuitos de corrente e de potencial.

4.2.1 Simulao de eletrodo com dimetros diferentes
Com o objetivo principal de observar a sensibilidade do mtodo, quanto utilizao de
hastes de aterramento com dimetros diferentes e de valores bastante inferiores a dimenso da
clula de Yee, foram realizadas simulaes com hastes comerciais de 3m de comprimento, e
os parmetros constitutivos do solo foram considerados invariveis com a freqncia. A
condutividade do solo homogneo foi de 2.28 x 10
-3
S/m e a permissividade relativa 50. Na
simulao utilizou-se hastes com dimetros de valor 10, 20, 25 e 50 mm. Na Figura 4.30 so
mostradas as curvas para TGR, tenso e corrente, obtidas no domnio do tempo.
No perodo transitrio entre 0.1 e 0.2 s, observada uma rpida variao na curva de
corrente enquanto a TGR mantm-se nos valores de 54 e 56 . Entre 0.2 e 0.8 s, so
observadas tendncias estabilizao da corrente e aumento na tenso desenvolvida no solo,
111
conseqentemente, a TGR tambm apresenta aumento no seu valor. As oscilaes observadas
so conseqncia das reflexes mltiplas sucessivas na interface da terra e espao livre e
difraes que ocorrem na extremidade do eletrodo.
O perodo de regime inicia aproximadamente no tempo de 0.8 s e a impedncia CC
atinge valores que so compatveis com as equaes tericas (4.9) e (4.10), disponveis na
literatura [12,13]. A tabela 4.2 mostra a diferena relativa entre valores analticos e aqueles
obtidos com o modelo FDTD proposto.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Curvas para diferentes dimetros de haste (10,20,25 and 50 mm)
condutividade = 2.28x10
-3
e permissividade relativa = 50
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)

Tempo (s)
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
TGR(d=50mm)
TGR(d=25mm)
Tenso(d=10mm)
TGR(d=20mm)
Tenso(d=50mm)
Corrente(d=50mm)
Corrente(d=10mm)
TGR(d=10mm)

Fig. 4.30 Curvas de TGR, tenso e corrente para dimetros variveis

Tabela 4.2 Diferena relativa (R
eq
-R
sim
)/R
eq
entre a resistncia CC calculada atravs de (4.9)
e (4.10) e a resistncia transitria obtida pelo uso de simulao em ambiente FDTD para
diferentes dimetros de haste.

Diam
(mm)
FDTD
()
Eq. (4.9)
()
Dif.
%
Eq. (4.10)
()
Dif.
%
10 159.39 164.97 3.38 157.83 -0.98
20 143.76 148.84 3.41 141.70 -1.45
25 138.68 143.65 3.45 136.51 -1.58
50 122.70 127.52 3.77 120.38 -1.58


A boa aproximao observada entre valores simulados e calculados para dimetros
variados de hastes de aterramento em meio condutivo, apesar de refletir apenas a impedncia
CC, de grande importncia na validao das tcnicas de coleta do potencial, injeo e
112
medio de corrente apresentadas neste trabalho. Os resultados obtidos servem tambm para
atestar o bom desempenho da nova metodologia para equacionamento da tcnica de fio fino,
quando da presena de eletrodos em meio condutivo [16]. So importantes tambm na
verificao da sensibilidade de resposta a diferentes dimetros do eletrodo de aterramento,
mantendo-se a clula da malha com as mesmas dimenses.

4.2.2 Verificao da influncia da permissividade sobre TGR, tenso e corrente
Para estudo da influncia da permissividade na TGR, tenso e corrente, usou-se uma
haste de aterramento com 20 mm de dimetro. A Figura 4.31, mostra o comportamento
transitrio das curvas TGR, tenso e corrente, para diferentes valores de permissividade
relativa (
r
= 10, 20, 30, 40 e 50).
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
=10
=20
=30
=40
=50
Curvas para permissividade relat. (10,20,30,40 and 50)
condutividade = 2.28x10
-3
e dimetro 20 mm
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)

Tempo (s)
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Tenso
Corrente
TGR

Fig. 4.31 Curvas de TGR, tenso e corrente para permissividades variveis

Observa-se uma variao acentuada no valor da TGR, tenso e corrente, no perodo
transitrio entre 00.6 s, quando se varia a permissividade. O efeito reativo capacitivo na
terra provocado pelas correntes em freqncias mais elevadas, depende diretamente da
permissividade [17], conforme mostrado pela equao (4.11).

113
9
10
4
18ln
r
L
C F
L
d


=
| |
|
\

(4.11)

Nas baixas freqncias ou perodo de estabilizao da excitao, a capacitncia se
torna desprezvel e a permissividade no exerce qualquer influncia no valor da resistncia
CC de aterramento, conforme observado nas expresses existentes na literatura para clculo
dessas resistncias e na Figura 4.30, comprovando a teoria relacionada (4.9) e (4.10).

4.2.3 Verificao da influncia da condutividade sobre TGR, tenso e corrente
Para determinao da influncia da condutividade na TGR, tenso e corrente, foi
utilizado um eletrodo de 20 mm de dimetro em meios com diferentes condutividades, ou
seja, = 0.001, 0.003, 0.006 e 0.008 S/m, conforme mostrado na Figura 4.32. No perodo
transitrio at 0.1 s, no foram observadas alteraes significantes na forma das curvas. A
alterao mais considervel nos valores de resistncia e tenso, verificada no perodo de
regime. Os valores coletados de resistncia na simulao, so comparados com os valores
obtidos atravs das equaes (4.9 ) e (4.10 ), explicitados na Tabela 2.

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
250
300
350
400
=0.001S/m
=0.003S/m
=0.006S/m
=0.008S/m
Curvas para dimetro da haste 20 mm dx=0.25 m
Diferentes condutividades (0.001 to 0.008 S/m) e Permissividade relativa = 50
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)

Tempo (s)
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
Corrente
Tenso
TGR
TGR
TGR
TGR

Figura 4.32 Curvas de TGR tenso e corrente para diferentes condutividades

114
Tabela 4.3 Diferena relativa (R
eq
-R
sim
)/R
eq
entre a resistncia CC calculada usando (4.9) e
(4.10) e a resistncia transitria obtida pelo uso da simulao FDTD para vrias
condutividades.

Cond.
(S/m)
FDTD
()
Eq. (4.9)
()
Dif.
%
Eq. (4.10)
()
Dif.
%
0.001 328.56 339.36 3.50 323.08 -1.69
0.003 109.23 113.12 3.52 107.69 -1.43
0.006 54.74 56.56 3.20 53.84 -1.67
0.008 41.18 42.42 2.92 40.38 -1.98

4.2.4 Simulao de eletrodo em solo estratificado em duas camadas
Considerando que o FDTD um mtodo flexvel, possvel nele simular-se cenrios
sofisticados com um certo conforto. De forma a ilustrar esta propriedade, foi simulado um
eletrodo de dimetros 20 mm, em solo estratificado em duas camadas, com permissividade
relativa
r
= 50, resistividade
1
= 438 .m e
2
= 146 .m nas camadas superior e inferior,
respectivamente, conforme pode ser observado na Figura 4.33. Os resultados obtidos so
mostrados na Figura 4.34. Devido a baixa resistividade da camada inferior, observada uma
reduo no valor da TGR e um aumento no valor da corrente a partir de 0.18 s. Na situao
de regime, os valores da TGR mostraram magnitudes muito prximas s da equao de
Hummel, bastante utilizada no clculo da resistncia aparente associada a (4.10). O valor da
resistncia calculada foi de 75.24 . Utilizando a frmula de Tagg para solo estratificado, o
valor obtido foi de 83.39 e o valor da resistncia, obtido atravs de simulao, foi de 77.21
. A diferena relativa de -2.87% e 7.17%, respectivamente, conforme mostrado no
desenvolvimento a seguir.









Fig. 4.33 Circuito de corrente mostrando haste de aterramento em solo estratificado
Circuito de corrente

2
= 146 .m

1
= 438 .m

r
= 50
L
1
=h=2m
L
2
=1 m

r
= 50
Resistncia
Gerador de impulso
Espao livre
Terra
Circuito de corrente

2
= 146 .m

1
= 438 .m

r
= 50
L
1
=h=2m
L
2
=1 m

r
= 50
Resistncia
Gerador de impulso
Espao livre
Terra
115

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Solo homog.
Solo estrat.
Tenso
Corrente
TGR
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
TGR, Tenso e Corrente para solos homogneo e estratificado
Eletrodo 3m, condutividades 2.28x10
-3
and 6.84x10
-3

Fig. 4.34 Curvas de TGR, Tenso e Corrente para haste de aterramento em solo homogneo
e estratificado

Usando a frmula de Hummel, temos o seguinte valor para a resistividade:


1 2
1 2
1 2
2 1
262.8 .
2 1
438 146
a
L L
m
L L


+ +
= = =
+ +

(4.12)


Para calculo da resistncia utiliza-se a expresso:

1
4 262.8 4 3
(ln 1) ln 1 75.24
2 2 3 0.020
a
haste
L
R
L r



| |
= = =
|

\


R
simulado
= 77,41


Utilizando uma frmula elaborada por Tagg, para haste penetrando na segunda
camada, temos o seguinte resultado analtico:
116
( )
1
1
1 2 2
ln ln
2 2 2
1 2
n
Tagg
n
K L nH L
R K
H L r n H L
k K
L

=
| |
|
| | | |
+ +
| |
| = +
| |
|
|
+ | | \ |
\ \
+
| |
\ \

(4.13)

83.39
Tagg
R = ( R
simulado
= 77,41 )

onde:

1
= 1/0.00228

2
= 1/0.00684
L = 3 m
r = 10 mm
2 1
2 1
K

=
+

H = 2 m
n = 1
Conforme demonstrado acima, observou-se uma melhor aproximao com as frmulas
desenvolvidas por Hummel e Sunde.

4.2.5 Simulao de eletrodos em presena de falhas geolgicas
Ainda dando nfase a grande flexibilidade proporcionada pela metodologia que utiliza
o FDTD, procedeu-se a simulao da mesma haste da seo anterior, porm, em solo
homogneo e em presena de uma cavidade de ar com as dimenses de 10 x 5 x 50 m, nas
direes x, y e z respectivamente. A terra foi modelada com uma condutividade de 2.28 x 10
-6

S/m e permissividade relativa de 50. A Figura 4.35 mostra o eletrodo em presena da
cavidade na posio 3.









Fig. 4.35 Eletrodo e cavidade
Espao livre
Terra
= 0
= 2.28 x 10
-3
Cavidade = 0
=
0
2.5m
10 m (40 cel.)
5
m
(
2
0
c
e
l.)
2
.
5

m

(
1
0

c
e
l
)
x
y
z
0.5 m
=
0
= 50
0
Espao livre
Terra
= 0
= 2.28 x 10
-3
Cavidade = 0
=
0
2.5m
10 m (40 cel.)
5
m
(
2
0
c
e
l.)
2
.
5

m

(
1
0

c
e
l
)
x
y
z
0.5 m
=
0
= 50
0
117
Foram realizadas trs simulaes, mantendo a haste e deslocando a cavidade ao longo
do eixo z conforme descrito abaixo:
cavidade 1 - Parte superior posicionada 3.5 m abaixo da superfcie da terra
cavidade 2 - Parte superior posicionada 3.0 m abaixo da superfcie da terra
cavidade 3 - Parte superior posicionada 2.5 m abaixo da superfcie da terra
As curvas obtidas para TGR, tenso e corrente, so mostradas na Figura 4.36. A
Figura 4.37, mostra a distribuio do campo Ez no plano X-Z.


0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
250
Homog.soil
Cavity 1
Cavity 2
Cavity 3
Tenso
Corrente
TGR
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
TGR, Tenso e Corrente para solos homogneo e em presena de cavidade
Eletrodo 3 m e condutividade 2.28x10
-3


Fig. 4.36 Curvas de TGR, Tenso e Corrente para haste de aterramento em presena de
cavidades dentro da terra

A simulao e anlise de um problema envolvendo uma cavidade no subsolo contendo
ar, cujos parmetros densidade e permissividade diferem daqueles da terra, servem para
demonstrar a potencialidade da metodologia FDTD na anlise de meios formados por figuras
geomtricas, que no so convencionais, quando comparados a condutores, barramentos, etc.,
comumente utilizados nos sistemas de aterramento. Ao invs da cavidade, poderiam ser
introduzidos no ambiente de simulao FDTD tubulaes, tanques, estruturas metlicas ou
118
no, fundaes, torres de transmisso, etc. Esses componentes no trariam qualquer
complicao analtica para a soluo do problema. Seria uma questo puramente geomtrica
para delimitao das condies de contorno no ambiente FDTD.

Fig. 4.37 Distribuio do campo E
Z
com eletrodo de aterramento em presena de cavidade

4.2.6 Simulao de uma malha quadrada 5 x 5 ns sem eletrodos
A simulao a seguir trata e uma malha quadrada com 25 ns sem eletrodos de
aterramento, enterrada a uma profundidade de 0.50 m, conforme mostrado na Figura 4.38.







Fig. 4.38 Malha de aterramento 5 x 5 ns, sem hastes de aterramento

P=0.50 m 12 m
12 m
P=0.50 m 12 m
12 m
119

Os resultados obtidos para TGR, tenso e corrente, esto contidos no grfico da
Figura 4.39.


0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
TGR
Tenso
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
T
e
n
s

o

(
V
)
,

T
G
R

(
o
h
m
s
)
Tempo (s)
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
Corrente

Fig. 4.39 Curvas TGR, tenso e corrente para uma malha quadrada 5 x 5 ns sem eletrodos

Os resultados para tenso corrente e TGR, apresentam as variaes esperadas, com
elevada taxa de amortecimento no perodo transitrio. No perodo de regime, o valor final da
TGR comparado com valor calculado analiticamente atravs da frmula de Chow Salama
[18], obtida na literatura.

Valor da TGR simulada por FDTD = 15.76

Valor da TGR obtida pela frmula:

1 1 1 0.165 2
ln 1 1.128
4
2
CS a
malha
malha
l h
R
A N l d
A

| | (
| | | |
= + |
( | |
|

\ \
\


(4.14)

R
CS
= 15.56

120
A diferena entre valor calculado e simulado, de 1.2%, valor considerado bastante
aproximado ao obtido pela frmula de Chow Salama para malhas quadradas.
As figuras 4.40. 4.41 e 4.42, mostram a distribuio das componentes E
x
, E
y
e E
z
,
respectivamente, ao longo da malha de aterramento aps 9.000 iteraes.




















Fig. 4.40 Distribuio do campo E
x
na malha 5x5
















Fig. 4.41 Distribuio do campo E
y
na malha 5x5




Fig. 4.41 Distribuio do campo E
y
na malha 5x5



121












Fig. 4.42 Distribuio do campo E
z
na malha 5x5

















122
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

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sobretenses em sistemas areos de distribuio, Eletrobrs, Ed. Eduff, RJ, 1990.
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grounding grid resistance, IEEE Transaction on Power Delivery, Vol 9, No.2,
1994.












124
5 Concluses
Neste trabalho, foi desenvolvido um cdigo computacional para anlise do
comportamento transitrio de sistemas de aterramento excitados por pulso de corrente. A
formulao do problema foi elaborada partindo-se das equaes rotacionais de Maxwell,
escritas para meios isotrpicos e com perdas. Tais equaes so ento resolvidas,
numericamente, atravs do mtodo FDTD. Para truncar a regio de anlise, empregou-se a
tcnica de UPML (meio uniaxialmente anisotrpico) e, para a caracterizao de condutores de
raios pequenos, lanou-se mo da tcnica de fio fino. Apresentou-se como inovao, a
introduo de condutor fino conectado diretamente a regio absorvente (UPML), adoo da
mdia das correntes no ponto de coleta no eletrodo e aplicao da Lei de Faraday na coleta de
tenso por meio de um caminho pr-determinado. Referidas inovaes, possibilitaram a
retirada dos eletrodos e barramentos auxiliares do ambiente de processamento dando maior
preciso aos resultados e promovendo a reduo do espao de memria e tempo de
processamento, fatores de grande relevncia para este tipo de anlise.
O ambiente computacional assim desenvolvido, rodou em um cluster de 10 ns e os
resultados aqui apresentados indicam que o algoritmo proposto pode ser aplicado de forma
eficaz na anlise dos fenmenos transitrios provocados por descargas atmosfricas ou falhas
em sistema de distribuio ou transmisso de energia eltrica. As simulaes foram realizadas
em duas etapas bsicas durante o desenvolvimento do trabalho. A primeira etapa envolveu
eletrodos de dimenses no convencionais (0.5x0.5x3m), aplicados em sistemas de
aterramento com 1, 2, 4, 16 e 25 eletrodos paralelos, um exemplo de eletrodo vertical longo e
eletrodo em solo estratificado em duas camadas. Os resultados obtidos para tenso, corrente e
TGR, considerando-se um eletrodo em solo homogneo, foram semelhantes aos resultados
experimentais, apresentados por K. Tanabe. As demais simulaes, levando-se em conta
arranjos de eletrodos em paralelo, apresentaram respostas bastante aproximadas daqueles
disponveis na literatura. importante ressaltar que nesta etapa, os resultados foram obtidos
utilizando-se a mesma modelagem empregada por Tanabe, ou seja, a injeo de corrente e
coleta de potencial obtidas atravs de hastes e barramentos auxiliares. Dos resultados
alcanados, foi possvel observar uma maior suavidade nas curvas de corrente, tenso e TGR,
na medida em que se aumenta o nmero de eletrodos. A metodologia aplicada pode ainda ser
til quando um solo condutivo e estratificado em vrias camadas for considerado. Para isto,
basta delimitar a regio condutiva, com as espessuras das camadas e suas respectivas
resistividades, o que se constitui em uma tarefa simples no ambiente desenvolvido.
125
Na segunda etapa do trabalho, foram utilizados eletrodos de raios pequenos em
relao ao tamanho das clulas de Yee, similares aos eletrodos comerciais existentes.
Apresentou-se uma nova metodologia para injeo de corrente e a eliminao do circuito de
tenso. Estas tcnicas consistem em: 1) extenso de um condutor vertical at a regio superior
da UPML (mais precisamente at a uma clula da parede eltrica condutora PEC). Neste
procedimento, faz-se necessrio o casamento de impedncia da UPML com relao ao
condutor, o que feito atravs da substituio dos parmetros
o
por
*
e
o
por
*
, nos
campos eltricos e magnticos existentes nas equaes da UPML; 2) clculo da corrente
injetada (interface espao livre e terra) pela mdia das correntes e 3) clculo do potencial no
ponto de injeo pela Lei de Faraday.
Foi observado que as respostas transitrias e a distribuio de potencial obtidas pelo
mtodo tradicional de medio utilizado na primeira etapa dos trabalhos, contm pequenas
oscilaes e assimetrias devido a presena dos circuitos auxiliares. Isto significa dizer que a
resposta transitria obtida por esta metodologia, no corresponde de forma precisa a resposta
real obtida para o sistema de aterramento considerado, embora, as respostas estacionrias
possuam uma boa aproximao para hastes convencionais. Desta forma, a tcnica apresentada
na segunda etapa deste trabalho, elimina os acoplamentos eletromagnticos, constitudos dos
circuitos auxiliares de tenso e corrente, que no esto presentes nas situaes normais de
incidncia de descarga, ficando as respostas transitrias relacionadas exclusivamente ao
sistema de aterramento. Os resultados estacionrios obtidos para todas as situaes testadas,
so concordantes com os resultados calculados atravs de equaes disponveis na literatura.
importante enfatizar, que alm das vantagens obtidas com a metodologia nova, observa-se
que houve uma reduo considervel dos recursos computacionais (memria e tempo de
processamento), em decorrncia da eliminao do barramento horizontal de corrente o que
possibilitou a reduo do espao computacional.
Embora as simulaes, de uma forma geral, estejam voltadas para eletrodos simples ou
determinados arranjos de eletrodos, em diferentes meios, a tcnica FDTD permite que se
proceda a anlise de estruturas de aterramento complexas, com modificaes relativamente
simples, na estrutura do programa. A complexidade poder ser introduzida, tanto no sistema
fsico de aterramento quanto no meio ambiente que o envolve. Isto foi mostrado na simulao
de uma cavidade no solo. Podem ainda ser introduzidos, no espao de trabalho, linhas de
transmisso e de distribuio, prdios e outras estruturas, permitindo que se faam avaliaes
de condies mais realsticas.
126
Para situaes reais, conclui-se que este cdigo apresenta uma grande potencialidade
na soluo de problemas complexos, onde as frmulas tericas tornam as solues analticas
intratveis. Suas limitaes envolvem a grande quantidade de memria requerida e o longo
tempo de processamento, quando o cenrio em anlise for eletricamente grande, o que tem
sido contornado atravs do uso de processamento paralelo.
Prope-se, como temas para trabalhos futuros: 1) aplicao de parmetros no-lineares
no ambiente FDTD, ou seja, introduo de efeitos de ionizao e variao de parmetros do
solo com a freqncia; 2) estudos de distribuio de tenso transitria em torres e isoladores
(flashover) de linhas de transmisso quando submetida a pulsos de corrente em ambiente
FDTD e 3) monitoramento da integridade de sistemas de aterramento atravs da comparao
de curvas obtidas experimentalmente pela injeo de corrente em malhas de aterramento e
aquelas obtidas atravs de simulao.
PUBLICAES RELACIONADAS TESE DE DOUTORADO

1. Artigos completos publicados em peridicos

E. T. Tuma, SANTOS, R. O., R. M. S. Oliveira, Leonidas C. S.
Anlise do comportamento transitrio dos parmetros dos sistemas de aterramento usando o mtodo FDTD.
Revista do IEEE Amrica Latina. , v.4, n.1, 2006.

E. T. Tuma, R. M. S. Oliveira, Leonidas C. S.
Transient analysis of parameters Governing grounding systems in homogeneous and stratified soils using
the FDTD method
IEEE Power delivery transaction (Em fase final de publicao)


2. Trabalhos completos publicados em anais de evento

E. T. Tuma, SANTOS, R. O., Leonidas C. S.
Anlise do comportamento transitrio dos parmetros de sistemas de aterramento usando o mtodo FDTD
6 CBMag - Congresso Brasileiro de Eletromagnetismo, 2004, So Paulo.
MOMAG 2004 ISSN-1807-0809

E. T. Tuma, SANTOS, R. O., Leonidas C. S.
Transient analysis of parameters governing grounding system by the FDTD method GROUND'2004
International Conference on Grounding and earthing & 1st LPE International Conference on Lightning
Physics and Effects, 2004, Belo Horizonte.
GROUND'2004 International Conference on Grounding and earthing & 1st LPE International
Conference on Lightning Physics and Effects. Belo Horizonte: Perez Bovolenta Editora Ltda, 2004. v.1.
p.165 - 169

E. T. Tuma, R. M. S. Oliveira, C.T.Costa
New model of current impulse injection and potential measurement in transient analysis of grounding
systems in homogeneous and stratified soils using the FDTD method VIII International Symposium on
Lightning Protection, 2005, So Paulo.
VIII International Symposium on Lightning Protection 21st - 25st November 2005 So Paulo, Brazil.
So Paulo: Alphagraphics Pinheiros, 2005. v.1. p.526 - 531

E. T. Tuma, R. M. S. Oliveira, Leonidas C. S.
Transient analysis of parameters governing grounding systems in homogeneous and stratified soils using
the FDTD method The 2005 International Symposium on Electromagnetic Compatibility, 2005, Petropolis -
RJ Proceedings of the 2005 International Symposium on Electromagnetic Compatibility - ISEMC
2005. ,