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SEMICODUCTORES

Jorge Alberto Garbero Jorge Alberto Garbero Jorge Alberto Garbero Jorge Alberto Garbero
Ingeniera Electrnica Ingeniera Electrnica Ingeniera Electrnica Ingeniera Electrnica

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SEMICODUCTORES


Los dispositivos de estado slido son elementos pequeos pero verstiles que pueden
ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos electrnicos. Al igual
que otros dispositivos electrnicos, son capaces de controlar casi instantneamente el
movimiento de cargas elctricas.
Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores, conmutadores,
mezcladores, moduladores, etc.
Su peso y tamao son reducidos, son de construccin slida y muy resistente
mecnicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar de manera
que sean inmunes a severas condiciones ambientales.

Materiales semiconductores

Los dispositivos de estado slido hacen uso de la circulacin de corriente en un cuerpo
slido.
En general todos los materiales pueden clasificarse en tres categoras principales:

conductores semiconductores aisladores

Como su nombre lo indica, un material semiconductor tiene menor conductividad que
un conductor pero mayor conductividad que un aislador.
Hasta hace algunos aos el material ms utilizado en la fabricacin de semiconductores era
el GERMAIO, luego fue reemplazado por el SILICIO, material que sigue siendo
utilizado actualmente. De cualquier manera en muchos circuitos todava son utilizados
diodos de germanio.

Resistividad

La aptitud de un material para conducir corriente (conductividad), es directamente
proporcional al nmero de electrones libres del material. Se denomina electrones libres a
aquellos que se encuentran en la rbita ms externa del tomo y que estn unidos
dbilmente al ncleo del mismo, por no estar completa la cantidad de electrones
correspondientes a dicha rbita.
Los buenos conductores tales como la plata, el cobre y el aluminio, tienen gran cantidad de
electrones libres. Su resistividad es del orden de unas pocas millonsimas de ohm-
centmetro
3
.
Los aisladores tales como el vidrio, el caucho y la mica, que tienen muy pocos electrones
unidos dbilmente al ncleo, tienen resistividades que alcanzan millones de ohm-
centmetro
3
.
El germanio puro tiene una resistividad de 60 ohms-centmetro
3
, mientras la resistividad
del silicio puro es considerablemente mayor, del orden de los 60.000 ohm-centmetro
3
.



01 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
A estos materiales, cuando son utilizados para fabricar semiconductores, se le agregan
impurezas para reducir su resistividad hasta un orden de aproximadamente 2 ohm-
centmetro
3
a temperatura ambiente. Esta resistividad disminuye rpidamente a medida que
aumenta la temperatura en el cuerpo del semiconductor.

Estructura atmica

2
da
Capa



3
er
Capa


cleo




1
er
Capa

Fig.1 Atomo de Aluminio

- Electrones / Cargas negativas / Cantidad Total = 13
Cantidad en 1
er
Capa = 2 Nmero atmico
Cantidad en 2
da
Capa = 8 13
Cantidad en 3
er
Capa = 3

- cleo formado por:
Protones / Cargas positivas / Cantidad = 13 Peso atmico = 27
Neutrones / Carga elctrica neutra / Cantidad =14


La teora electrnica explica que los tomos de todos los elementos estn constituidos de
forma similar a la del aluminio:
un ncleo formado por protones y neutrones y girando alrededor de l, distribuidos
en capas y cada uno en su rbita, (esta de forma elptica), un nmero de electrones
igual al nmero de protones.
Por ser la carga elctrica de los ELECTROES EGATIVA y la de los PROTOES
POSITIVA y adems contar el tomo con la misma cantidad de cada uno de ellos, estas
cargas se compensan entre s dando como resultado un estado de carga elctrica neutra
en el tomo.
Por estar la materia formada por tomos, tambin es neutra en su estado normal, es
decir est equilibrada elctricamente.



02 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Electrones Libres

Si fuera posible observar un grupo de tomos que conforman una molcula de aluminio, se
vera que los electrones situados en la capa ms externa (cantidad = 3) y que estn
dbilmente ligados al ncleo, no permanecen constantemente en el mismo tomo, sino que
errticamente algunos de ellos saltan de tomo a tomo, por esta razn se los denomina
Electrones Libres.
La razn de la dbil ligazn de estos electrones con el ncleo se debe a que la tercera capa a
la que pertenecen no se encuentra completa, es decir tiene un dficit de electrones. Esta es
una caracterstica propia de los materiales coductores.

Ncleo: 6 protones/6 neutrones 2
da
Capa

3
er
Capa









1
er
Capa 2
da
Capa
Fig. 2 Atomo de carbono (C)
Peso atmico = 12 1
er
Capa 1
er
Capa
mero atmico = 6
4
ta
Capa

Fig. 3 Atomo de cobre (Cu)
Peso atmico = 64
mero atmico= 29


En la Fig. 2 se ha representado un tomo de carbono, en el tenemos la primer capa (rbita)
completa, 2 electrones. La segunda capa (rbita) cuenta con 4 electrones solamente, para
que el tomo fuera estable y no contara con electrones libres (dbil ligazn con el ncleo),
esta capa debera tener 8 electrones.
En la Fig. 3 se ha representado un tomo de cobre, en el tenemos la primer capa (rbita)
completa, 2 electrones. La segunda capa (rbita) tambin est completa, 8 electrones. La
tercer capa (rbita) se encuentra completa, 18 electrones. La cuarta capa (rbita) es la
incompleta, esta capa podra tener un mximo de 32 electrones, pero para que el tomo
fuera estable solo se necesitaran 8 electrones.



03 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
6 P
6
-
- -
-
-
-
29 P
35
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
En las pginas anteriores se vio que los tomos de todos los elementos estn constituidos
por un ncleo (formado por protones y neutrones) y una cantidad de electrones igual a la de
los protones, dispuestos en capas u rbitas.
Cada capa puede contener una mxima cantidad de electrones, este mximo nmero
de electrones puede determinarse utilizando el siguiente clculo:

Mxima cantidad de electrones por capa = 2 n
2


Siendo n el nmero de capa, contando a partir del ncleo, para la que se desea
conocer la mxima cantidad de electrones que puede contener.

Capa Designacin Mxima cant. de electrones
1
ra
K 2 x 1
2
= 2
2
da
L 2 x 2
2
= 8
3
ra
M 2 x 3
2
= 18
4
ta
N 2 x 4
2
= 32
5
ta
O 2 x 5
2
= 50
6
ta
P No conocida
7
ma


Q No conocida

Como se ha descripto, los electrones en un tomo se sitan en sucesivas capas a partir del
ncleo:
o puede formarse una nueva capa hasta que la anterior no haya completado la
cantidad de electrones que le corresponde. Un tomo es estable, o sea que no se
combina qumica ni elctricamente con otros tomos cuando su capa exterior se
encuentra completa.
Los electrones de la capa exterior son los que pueden combinarse qumica o
elctricamente con los electrones de otros tomos, estos electrones son denominados
ELECTROES de VALECIA.

Cuando la capa exterior de un tomo contiene 8 electrones, el tomo se mantiene muy
estable y no presenta tendencia a perder ni ganar ningn electrn. Por esta razn ningn
tomo contiene ms de 8 electrones en su capa exterior.
Por ejemplo, la capa (cuarta capa) puede contener un mximo de 32 electrones, pero si
esta capa constituye la capa exterior del tomo en cuestin no contendr ms que 8
electrones.
Ejemplos tpicos son algunos gases denominados nobles:

Argn Atmico: 10 Kriptn Atmico: 36 en Atmico: 36
1
er
Capa 2 electrones 1
er
Capa 2 electrones 1
er
Capa 2 electrones
2
da
Capa 8 electrones 2
da
Capa 8 electrones 2
da
Capa 8 electrones
3
er
Capa 8 electrones 3
er
Capa 18 electrones
4
ta
Capa - 8 electrones



04 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
En los gases descriptos, as como tambin lo son el Radn y el Xenn, sus tomos por su
estabilidad no tienden a combinarse con ningn otro elemento y ni siquiera entre s para
formar molculas.

Formacin de una molcula de un mismo elemento


Falta de un electrn para completar 8















Atomo de Fluor Atomo de Fluor
















Electrones covalentes


Fig. 4 - Al compartir un electrn de su capa exterior dos tomos de Fluor forman una
molcula de Fluor (F
2
).

05 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
+ 9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+ 9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+ 9
-
-
+ 9
-
-
+
Como se puede apreciar en la Fig. 4, el tomo de Fluor contiene 7 electrones en su capa
ms externa. Al no contener 8 electrones el tomo no es estable, sino que es qumicamente
Activo, por lo tanto pretender permanentemente ganar un electrn para completar su capa
ms externa. Si puede combinarse con algn otro elemento que este dispuesto a perder un
electrn de su capa externa lo har, de lo contrario puede combinarse con otro tomo de su
propia especie para formar la molcula de Fluor.
En el caso citado anteriormente los dos tomos de Fluor simplemente estn compartiendo
sus electrones. Esta condicin se mantendr mientras no se presente la oportunidad de que
ambos tomos puedan adquirir el electrn que les falta, en este caso la molcula de Fluor se
dividir en dos tomos y cada uno tomar del otro elemento un electrn que ya no tendr
que compartir con sus pares.

Formacin de la molcula de un compuesto


1


2







Atomo de Sodio + Atomo de Fluor
(a) (F)


3 4







(+) Ion Positivo (-) Ion egativo
(Anin) (Catin)


Fig. 5 - Fluoruro de Sodio (aF)



06 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
+9
+11
+11 +9
En la Fig. 5 se muestra como se combinan los tomos de dos elementos diferentes para
formar una molcula de un compuesto, permitiendo comprender la mayor parte de las
reacciones qumicas.
El 1 es un tomo de Sodio, en el centro se muestra el ncleo con 11 cargas positivas
(11 protones) que equilibran sus 11 cargas negativas (11 electrones). Observemos como
estn dispuestos estos electrones en las 3 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa
completa), 8 en la segunda capa (capa completa), 1 en la tercer capa (capa incompleta,
deberan ser 8 por ser la capa externa). Al estar este undcimo electrn solo en la capa
externa, el tomo de Sodio estar muy dispuesto a perderlo.
El 2 es un tomo de Fluor, este muestra 9 cargas positivas en su ncleo (9 protones)
que equilibran sus 9 cargas negativas (9 electrones). Observemos como estn dispuestos
estos electrones en las 2 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 7 en la
segunda capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al faltarle un
electrn para completar esta ltima capa, el tomo de Fluor est muy dispuesto para ganar
un electrn y completarla.
Es evidente que si se colocan juntos un tomo de Sodio y uno de Fluor, el electrn
libre de la capa externa del tomo de Sodio saltar a ocupar el lugar libre de la ltima
capa del tomo de Fluor, dando como resultado esta combinacin un elemento
compuesto denominado Fluoruro de Sodio.
Veamos ahora que los tomos de ambos elementos, 3 y 4, han quedado con una
conformacin muy similar, la gran diferencia es que se han convertido en iones, ion
positivo de Sodio (anin) e ion negativo de Fluor (catin). En ambos ya las cargas
positivas del ncleo no compensan las cargas negativas de los electrones, en el tomo
de Sodio tenemos 11 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo
ya no es neutro elctricamente, presenta una carga positiva. En el tomo de Fluor
tenemos 9 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es
neutro elctricamente, presenta una carga negativa.
Las partculas de cargas distintas se atraen mutuamente y eso explica por qu se
mantienen juntos los dos iones de Sodio y Fluor formando una molcula de Fluoruro
de Sodio.


Estructura del Silicio y del Germanio

El tomo de Silicio (Si) contiene 14 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2
electrones en la primer capa (capa completa), 8 electrones en la segunda capa (capa
completa) y 4 electrones en la tercer capa o externa (capa incompleta).
El tomo de Germanio (Ge) contiene 32 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2
electrones en la primer capa (capa completa), 8 electrones en la segunda capa (capa
completa), 18 electrones en la tercer capa (capa completa), 4 electrones en la cuarta capa o
externa (capa incompleta).
El Germanio y el Silicio tienen cuatro electrones en su capa exterior, por lo tanto un tomo
de estos elementos puede combinarse con otros cuatro tomos iguales compartiendo un par
de electrones con cada uno de ellos, completando as los 8 electrones de la capa exterior y
adquiriendo as una configuracin estable.

07 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Los tomos de Silicio o de Germanio, ligados entre s de esta forma, conforman una red de
cubos denominados cristales elementales que comparten los cuatro electrones de los
vrtices comunes, dando lugar a la formacin del cristal de Silicio o de Germanio.
























Incluye el ncleo, ms 1
er
y 2
da
capa del tomo de Silicio


Electrones compartidos o covalentes

Fig. 6 Estructura reticular cristalina de Silicio

La estructura tal como se observa en Fig. 6 no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo,
por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras
covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, seria
necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material.
Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste
en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura
atmica diferente.
Mediante el agregado de cantidades muy pequeas de otros elementos, llamados
Impurezas, es posible modificar y controlar las propiedades elctricas bsicas de
los materiales semiconductores. La relacin entre Impurezas y material
semiconductor es del orden de una parte en diez millones.

08 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Si
Si Si
Si Si

Si
Si Si Si
Si
Cuando se agrega al material semiconductor el elemento de impureza, lo tomos de este
elemento se incorporan a la estructura reticular del semiconductor pasando a formar parte
de la misma.
Si el tomo de impureza contiene un electrn ms de valencia en su capa exterior (5
electrones) que el tomo del semiconductor (4 electrones), este electrn adicional no podr
formar una ligadura covalente debido a que no encontrar un electrn de valencia libre
adyacente (Fig. 7). El electrn excedente es atrado dbilmente por el ncleo del tomo y
solo requiere una ligera excitacin para separarse, en consecuencia la presencia de tales
electrones excedentes hacen al material mejor conductor, es decir su resistencia a la
circulacin de corriente elctrica disminuye.




Electrn excedente










Arsnico: 33 electrones
1
er
capa : 2 electrones
Atomo de impureza 2
da
capa : 8 electrones
(Arsnico: As) 3
ra
capa : 18 electrones
4
ta
capa : 5 electrones

Fig. 7 Material tipo

Los elementos de impureza ms utilizados que se agregan a los cristales de silicio para
proveer los electrones excedentes incluyen al Fsforo (P), el Arsnico (As) y el
Antimonio (Sb).
Cuando se agregan al silicio estos elementos, el material resultante es denominado
Tipo debido a que los electrones libres excedentes tienen carga negativa. Debe
hacerse notar, sin embargo, que la carga negativa de estos electrones se equilibra con
una carga positiva equivalente situada en el ncleo de los tomos de impureza, por lo
tanto el material sigue siendo neutro elctricamente.

Se produce un efecto diferente cuando en la estructura cristalina del silicio se introduce
impurezas cuyos tomos tienen un electrn de valencia menos en su capa exterior (3
electrones) que el tomo de silicio (4 electrones).


09 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Si
As Si
Si
Si
Aunque todos los electrones de valencia del tomo de impureza forman ligaduras
covalentes con los electrones de los tomos vecinos del semiconductor, una de las ligaduras
de la estructura cristalina no puede completarse debido a que al tomo de impureza le falta
un electrn de valencia en su capa externa con respecto a los que poseen los tomos del
semiconductor. Como consecuencia de ello aparece en la estructura reticular del cristal un
vaco denominado Laguna (Fig. 8).




Laguna, electrn faltante











Boro : 5 electrones
Atomo de impureza 1
er
capa: 2 electrones
(Boro: B) 2
da
capa: 3 electrones


Fig. 8 Material tipo P

Al quedar conformada as la estructura reticular del cristal, cualquier electrn de las
ligaduras covalentes adyacentes puede entonces absorber suficiente energa como para
romper su ligadura y moverse a travs de la red para llenar la laguna.
Al igual que en el caso de los electrones excedentes, la presencia de lagunas dentro de la
estructura, favorece la circulacin de electrones en el material del semiconductor, en
consecuencia la conductividad aumenta y la resistividad disminuye.
Se considera que el lugar vaco o laguna en la estructura cristalina tiene una carga
elctrica positiva, porque representa la falta de un electrn. Sin embargo en este caso
tambin la carga neta del cristal permanece invariable o sea neutra.
El material semiconductor que contiene lagunas o cargas positivas es denominado
material Tipo P.
Los materiales tipo P se forman agregando al silicio elementos como el Boro (B), Galio
(Ga), Indio (In), Aluminio (Al).
Aunque existe poca diferencia en la composicin qumica de los materiales Tipo y
Tipo P, las diferencias en las caractersticas elctricas de los dos tipos de elementos
son sustanciales y resultan muy importantes en el funcionamiento de los dispositivos
semiconductores.

10 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Si
B Si
Si
Si
Junturas P -

Cuando se unen dos pastillas de materiales semiconductores, una Tipo y otra Tipo P, tal
como se muestra en la Fig. 9, se produce un fenmeno singular pero muy importante en la
zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada Juntura P-.

Material tipo P Material tipo Material tipo P Material tipo







Lagunas excedentes Electrones excedentes Regin de carga espacial
(dficit de electrones) (exceso de electrones) o barrera de potencial
A B
Fig. 9

Cuando se forma una juntura P-, algunos de los electrones libres del material Tipo se
difunden a travs de la juntura hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de
este material. Estos electrones al abandonar el material dejan huecos o lagunas en l, de
modo que si observamos la Fig. 9 B se podra interpretar que los electrones se mueven
del material al P y las lagunas del P al . La energa trmica es la que produce esta
llamada Corriente de Difusin.
Como resultado del proceso de difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs
de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de potencial puede representarse, tal
como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a travs de la juntura
P-N.




- +

Fig. 10

El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos internos de
la juntura, el potencial que representa por supuesto no es mensurable directamente.
Esta diferencia de potencial forma una barrera denominada Barrera de Energa la cual
impide que se sigan difundiendo electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del
material Tipo que tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por
la carga negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material Tipo
P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo . Esta diferencia de
potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin total entre los dos tipos
de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas.

11 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
P
N - +
Circulacin de corriente a travs de una juntura P-

Cuando se conecta una batera a una juntura P-N, la intensidad de corriente que circular
por la juntura ser dependiente del nivel de tensin aplicada y de la polaridad con que se
conecte la batera a la juntura.
Circulacin de electrones
Circulacin de electrones









A B
Fig. 11

En el circuito elctrico representado en la Fig. 11 A el Terminal Positivo de la batera
externa ha sido conectado al Semiconductor y el Terminal egativo al Semiconductor
P. Con esta disposicin de polarizacin de la Juntura P-, los electrones libres del
material semiconductor Tipo son atrados por el Electrodo Positivo de la batera,
alejndose de la juntura. Al mismo tiempo, las lagunas del material semiconductor Tipo P
son atradas por el Electrodo egativo de la batera, alejndose tambin de la juntura.
Como resultado de las condiciones descriptas en el prrafo anterior, la regin de carga
espacial en la juntura se ensancha y la diferencia de potencial que representa llega casi
al nivel de la tensin de la batera externa.
La circulacin de corriente a travs de la juntura es extremadamente pequea, si se produce.
Una juntura P-, alimentada por una fuente de Corriente Continua de esta manera,
se dice que est Polarizada Inversamente.
En el circuito elctrico representado en la Fig. 11 B, se han invertido las conexiones de la
batera externa, estando ahora su Electrodo Positivo conectado al semiconductor Tipo P y
su Electrodo egativo al semiconductor Tipo . Con esta disposicin de polarizacin de
la juntura P-, los electrones del material Tipo P cercanos al Electrodo Positivo de la
batera rompen sus ligaduras covalentes y entran a la batera, creando en el material nuevas
lagunas. Al mismo tiempo los electrones libres del material Tipo son repelidos por el
Electrodo egativo de la batera movindose hacia la juntura, al desplazarse van creando
nuevos espacios o lagunas que son ocupados por nuevos electrones que ingresan al material
desde el Electrodo egativo de la batera.
Toda esta accin da como resultado un estrechamiento de la carga espacial de modo
que los electrones comienzan a difundirse rpidamente a travs de la juntura
dirigindose hacia el electrodo positivo de la batera, al combinarse con las lagunas del
material P. Esta circulacin electrnica continuar mientras se mantenga conectada la
fuente de alimentacin externa.

12 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
P
-- ++
P
Una juntura P- alimentada por una batera externa tal como se muestra en la Fig.
11 B, se dice que est Polarizada Directamente.


Intensidad de corriente
directa(mA)





Polarizacin inversa

Tensin de Zener (avalancha)

Volts 0 mV
100 200 300 400 500 600 mV

Polarizacin directa



Intensidad de corriente
inversa ( A)

Fig. 12 - Curva caracterstica Tensin de Polarizacin vs. Corriente de una juntura P-

En la Fig. 12 se ha representado una curva generalizada para una Juntura P- de la
tensin de polarizacin de la juntura Vs. la intensidad de corriente circulante por la
misma, observe que se han contemplado los casos de polarizacin directa e inversa.
En la regin de polarizacin directa (cuadrante superior derecho), se puede ver que la
intensidad de corriente circulante por la juntura, aumenta inicialmente lentamente a medida
que aumenta la tensin aplicada a la juntura, es decir, partiendo desde tensin cero y
prcticamente hasta llegar a los 500 mV a 600 mV, cada variacin de 100 mV producen un
aumento en la intensidad de corriente de unos pocos mA, cruzando el umbral de la Barrera
de Energa o de Potencial que impone la juntura (alrededor de 600mV), la intensidad
de corriente aumenta rpidamente de modo que para variaciones de la tensin de
polarizacin de unos pocos mV la intensidad de corriente aumenta en forma importante.

En la regin de polarizacin inversa (cuadrante inferior izquierdo), observe que para
variaciones de varios volts de la tensin aplicada la intensidad de corriente sufre escasas
variaciones y est dentro del orden de los microAmpar (A). El nivel de dicha tensin
podr ser siendo aumentada (dependiendo del diodo utilizado) hasta un cierto nivel,
despus del cual se producir un efecto de avalancha en la juntura que producir un brusco
aumento de la intensidad de corriente inversa que si no es limitada producir la destruccin
instantnea de la juntura. Dicho nivel de tensin es denominado Tensin de Zener.


13 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Diodos

El dispositivo de estado slido ms simple es el Diodo, el cual se representa por el smbolo
mostrado en la Fig. 13.




Material tipo Material tipo P

Sentido de circulacin de la
corriente a travs del diodo

Ctodo (K) Anodo (A)


Fig. 13 - Diodo

La estructura bsica del Diodo es una juntura P-, similar a la descripta
anteriormente.

El material tipo es denominado Ctodo del Diodo y es simbolizado por la letra
K.
El material tipo P es denominado Anodo del Diodo y es simbolizado por la letra P.

El sentido de la flecha utilizada para simbolizar el nodo del diodo, representa el
sentido de circulacin de Corriente Convencional a travs del diodo.
El sentido de circulacin de corriente electrnica a travs del diodo (sentido de
circulacin real de la corriente elctrica) es contrario a la flecha, es decir, de Ctodo
a Anodo (negativo a positivo).

















14 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
El DIODO COMO RECTIFICADOR E LA COVERSIO DE C.A. a C.C.


Fig. 14

Como se puede apreciar en la Fig. 14, la C.C. rectificada obtenida, es una C.C. pulsante con
un rizado o ripple muy grande. Este puede ser suavizado colocando un condensador en
paralelo con la carga R
L
. Este condensador es denominado comnmente condensador de
filtro. (Fig. 15)

Fig. 15

15 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
El rizado es la componente de C.A. que queda superpuesta a la C.C. obtenida de la
rectificacin. En la Fig. 16 se representa la influencia del condensador C sobre el nivel de
rizado en la fuente planteada en la Fig. 15:
Fig. 16B, capacitancia de C mayor que en Fig. 16
Fig. 16C, capacitancia de C mayor que en Fig. 16B


Fig. 16
En un rectificador de Media Onda, la frecuencia de la C.A. de rizado es la misma que
la frecuencia de la C.A. de alimentacin. En este caso (Figs. 14 y 15), es de 50 Hz..































16 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
RECTIFICADORES DE ODA COMPLETA

En la Fig. 17 se ha planteado un Circuito Rectificador Clsico de Onda Completa, en el que
se utiliza un transformador cuyo secundario tiene una derivacin en el punto medio de su
arrollado secundario.

Fig. 17

La frecuencia de la componente de C.A. de rizado, es el doble de la frecuencia de la
C.A. de alimentacin. Es este caso la frecuencia de la C.A. de alimentacin es de 50
Hz, por lo tanto la frecuencia de la C.A. de rizado es de 100 Hz.
Como en el caso del rectificador de media onda, la amplitud de la C.A. de rizado es
dependiente de la capacidad del condensador C.

17 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Fig. 18
La frecuencia de la componente de C.A. de rizado, es el doble de la frecuencia de la
C.A. de alimentacin. Es este caso la frecuencia de la C.A. de alimentacin es de 50
Hz, por lo tanto la frecuencia de la C.A. de rizado es de 100 Hz.
Como en el caso del rectificador de media onda, la amplitud de la C.A. de rizado es
dependiente de la capacidad del condensador C.
En ambas fuentes de rectificacin de onda completa presentadas (Figs. 17 y 18), el filtrado
realizado por el condensador C es un filtrado muy rudimentario, pero eficaz en muchos
casos, especialmente para alimentar etapas de alto nivel, donde los valores de zumbido (100
Hz) no son importantes para el desempeo global del sistema.
Se puede realizar un clculo simple pero muy aproximado del valor de capacidad del
capacitor C en cada caso.
Se debe tener en cuenta la mxima intensidad de corriente que se demandar a la fuente y
cual es la mxima tensin de rizado que se desea permitir. Con estos datos se calcula el
valor de C con la siguiente ecuacin:


18 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Planteo de un ejemplo real:
Calculo del valor de capacidad del capacitor C, para una fuente a la que se demandar
una intensidad de corriente I = 1 Amper y en la que se desea tener una tensin de rizado no
mayor que Vr = 0,5 Volt

Observe el elevado valor de capacidad necesario, que es tanto ms importante, cuanto
mejor quiera filtrarse una tensin aplicada a una carga que consume alta intensidad de
corriente.

El diodo no es solamente empleado como rectificador, es empleado en mltiples funciones
en electrnica. Asimismo existe una cantidad muy grande de tipos de diodo, el diseo y
fabricacin de cada uno responde a la aplicacin a la que est destinado.
Un diodo muy particular es el DIODO DE ZEER. Este diodo se utiliza para alimentar
circuitos con una tensin estabilizada, dentro de ciertos lmites.
El mismo se trabaja con polarizacin inversa en la zona de avalancha o Tensin de Zener,
nivel de tensin que el diodo tiende a mantener constante entre sus extremos variando la
intensidad de corriente que por el circula, lo que se traduce en una mayor o menor cada de
tensin sobre la resistencia limitadora de corriente dispuesta en serie con la fuente de
alimentacin del sistema (R1 en los circuitos de la Fig. 18).





























19 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Ejemplos de funcionamiento de un diodo zener ante variaciones de la tensin de
alimentacin o de la carga que demanda el circuito.
OTA: R1 = resistencia limitadora
R2 = carga que impone el circuito alimentado con la tensin estabilizada por el zener


Fig. 18

20 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
R1
R2
R1
R2
R1
R2
Existe una muy amplia variedad de Diodos Zener, con tensiones de enclavamiento que van
desde por ejemplo 2,4V; 2,7V; 3,0V; 3,7V; .hasta centenas de Volt y dentro de esas
tensiones los hay para distintas potencias, desde watt hasta 50 watt o ms.
La potencia se determina como primera aproximacin, multiplicando la tensin de
enclavamiento por la mxima intensidad de corriente a circular por el diodo. No olvidemos
que la potencia es:
W = V x I







































21 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Smbolo esquemtico
El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo: en cambio el diodo
normal no presenta esa curva en las puntas:

Smbolo esquemtico del diodo zener


Voltaje zener: el diodo est polarizado en forma inversa, obsrvese que la corriente tiene un
valor casi nulo mientras que el voltaje se incrementa rpidamente, en este ejemplo fue con
17 voltios.
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en
sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de
tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la
corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo,
generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un
amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello,
este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y
como el mostrado en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en
la carga (R
L
) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la
tensin de entrada V
S
.
22 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su
valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros
clculos.



Donde:
1. Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora.
2. Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora.
3. Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada.
4. Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada.
5. Vz es la tensin Zener.
6. ILmin es la mnima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la
carga es desconectable, ILmin suele tomar el valor 0.
7. ILmax es la mxima intensidad que soporta la carga.
8. Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener.
9. Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de
su zona zener o conduccin en inversa (1mA).
La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que hemos
obtenido.
La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la siguiente formula:

Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los generadores de
ruido y puentes de ruido.




23 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Diodos Rectificadores de Avalancha Controlada
Tal como se vio en la Pg. 13/ Fig. 12 , todo diodo tiene una zona de avalancha de
corriente, cuando es sometido a tensiones de polarizacin inversa. El nivel de la tensin
inversa aplicada, para la que se produce esa conduccin (de ctodo a nodo), es distinta
para cada tipo de diodo.
Los Rectificadores de Avalancha Controlada se recomiendan para las aplicaciones en
que la capacidad para soportar elevados transitorios de tensin constituye un factor
importante del diseo. En este tipo de rectificadores, la tensin a la que se produce la
avalancha es predeterminada durante la fabricacin mediante un control preciso de las
resistividades (es decir las concentraciones de impurezas) en las zonas de la juntura P-N y
mediante una cuidadosa atencin de la geometra de la pastilla de silicio. En la fabricacin
de los rectificadores de avalancha controlada, se debe tener especial cuidado para
asegurar una gran regularidad de la pastilla de silicio y una distribucin pareja de
impurezas, en las regiones N y P, de la juntura del semiconductor.
Adems, los bordes de la juntura P-N de silicio deben tener una forma tal que reduzcan la
intensidad de los campos elctricos localizados en la superficie de la juntura. Estas
condiciones aseguran que la ruptura sea uniforme a travs de toda la zona de la juntura, en
lugar de concentrarse en puntos dbiles cercanos a la superficie de la juntura.
Esta avalancha uniforme, si se mantiene dentro de lmites aceptables, no es destructiva.
Sometiendo a numerosas pruebas a los Rectificadores de Avalancha Controlada es
posible predecir con exactitud el comportamiento de estos dispositivos en condiciones de
tensin inversa elevada.
Los rectificadores son probados para determinar su aptitud para soportar elevados
transitorios de tensin, sometindolos tambin a pruebas de duracin, para determinar su
capacidad para funcionar largos perodos en la regin de avalancha. La pendiente de la
curva de corriente-tensin en la regin de avalancha define el nivel de disipacin
(potencia) al comienzo de la ruptura por avalancha y tambin el nivel mximo de disipacin
que los rectificadores pueden soportar en condiciones de polarizacin inversa.
Dentro de los regmenes especificados para cada tipo, los rectificadores de avalancha
controlada pueden absorber sin grandes riesgos aumentos grandes de energa, como los
que se producen como consecuencia de la conmutacin rpida de los circuitos
inductivos.
Recopilado de:
RCA MANUAL PARA PROYECTISTAS
Circuitos de Potencia de Estado Slido


24 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Comprobacin del estado de diodos de uso general y rectificadores


Debido a que los diodos son componentes activos no amplificadores, simples
comprobaciones de juntura en cortocircuito, abierta, o excesivas prdidas en sentido
inverso al de conduccin son mtodos normalmente utilizados para establecer su estado de
funcionamiento.


Smbolo de diodo Encapsulado tpico de diodos de baja y media corriente


K A K A
K= ctodo A= nodo Banda de identificacin
del ctodo


Diodos rectificadores para alternador



K A A K



Ctodo a la carcaza Anodo a la carcaza


Anodo




Banda de identificacin
del ctodo




Ctodo




Una comprobacin rpida del estado de un diodo puede ser realizada por medio de un
multmetro digital que posea la funcin Medicin de Diodos.




25 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA




. 578
Anodo Ctodo






Fig. 1 - Diodo polarizado por el multmetro en el sentido de conduccin



1.
Anodo Ctodo






Fig. 2 - Diodo polarizado por el multmetro en el sentido inverso de conduccin


En las Fig.1 y Fig.2 se puede apreciar como utilizar un multmetro digital que contenga la
funcin medicin de diodos.
Se ha seleccionado por medio de la llave selectora la funcin Medicin de Diodos, luego se
ha conectado la punta positiva del multmetro al ANODO del diodo y la negativa al
CATODO (Fig.1).
Al ser conectadas las puntas de esta forma, el diodo queda polarizado correctamente
para conducir, por tener aplicado el polo positivo de la fuente interna del multmetro
al AODO y el negativo de dicha fuente al CATODO.
o olvidar que para que un diodo conduzca su AODO debe ser ms positivo que el
CATODO. En un diodo de SILICIO (que son los que se estn tratando) la diferencia
de potencial AODO/CATODO para plena conduccin debe ser de 0,6 volts.




26 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Como se aprecia en la Fig.1, dicho voltage es el que se lee en el display del
instrumento. Segn el tipo de diodo de silicio medido, esa tensin estar comprendida
entre 0,5 a 0,7 votls.

Prestar especial atencin a la lectura que se obtiene en esta medicin.
Un multmetro digital dispuesto en la funcin Comprobacin de Diodos O ESTA
MIDIEDO RESISTECIA, ESTA MIDIEDO TESIO de C.C.
Se hace esta salvedad debido a que es muy frecuente escuchar que errneamente
se cree que al medir un diodo con multmetro digital, dispuesto en la funcin
Comprobacin de Diodos, se est midiendo la resistencia de juntura en el sentido
de conduccin y no la cada de tensin sobre la misma, que es realmente lo que se
est midiendo.




Todo diodo que al ser comprobado utilizando este sistema arroje un valor de
tensin comprendido entre 0,5 y 0,7 volts, puede ser considerado en buen estado
por lo que hace al estado de su juntura al ser polarizada en el sentido directo o de
conduccin.

Se observa en la Fig.2 que se han invertido las conexiones de las puntas del
multmetro, o sea que la punta positiva se ha conectado al CATODO y la negativa al
AODO. Ahora la juntura del diodo ha sido polarizada inversamente, por lo tanto el
diodo no conduce y en el display no se presenta ninguna lectura vlida.
En el caso del multmetro utilizado en el ejemplo, el display presenta en este caso la
lectura 1., en otros se presenta OL., etc.
Si alguna tensin es medida, por ejemplo 1,6 volts o 2,5 volts, no cabe ninguna
duda que el diodo testeado tiene fugas muy importantes en el sentido inverso de



27 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
conduccin, del orden de los 10 Kohm a 15 Kohm. Indudablemente se trata de un
diodo defectuoso.
Fugas menores o sea que presenten una resistencia mayor, por ejemplo 30 Kohm,
no seran detectadas utilizando este mtodo. A pesar de todo un diodo con una
resistencia de fuga de ese valor es un diodo deteriorado.

Los multmetros digitales utilizados como hmetros (funcin medicin de resistencias),
no sirven para medir la resistencia de juntura de un diodo en el sentido de conduccin y
generalmente no son confiables o no sirven para medir resistencia de fuga, conduccin
en el sentido de polarizacin inversa.
___________________________________________________________

Los multmetros analgicos prestan mejores posibilidades de comprobacin del estado de
un diodo, tanto cuando es medida su resistencia de juntura en el sentido de conduccin
(polarizacin directa), como cuando se mide la posible resistencia de fuga de dicha juntura
(polarizacin inversa).
Se entiende por multmetro analgico aquel cuyas lecturas son indicadas por una una aguja
que se desplaza sobre distintas escalas.

Anteriormente, cuando se hizo referencia a la utilizacin de un multmetro digital,
se explic que las puntas del multmetro se conectaban positiva a nodo y negativa
a ctodo para polarizar la juntura del diodo en el sentido directo o de conduccin.
(Fig.1)
Esto se debe a que cuando se selecciona en un multmetro digital la funciones
Comprobacin de Diodos o Medidor de Resistencias (hmetro), el POLO
POSITIVO de la fuente interna del multmetro (bateria), est conectado a traves
de algun circuito interno del mismo a la PUTA POSITIVA y el POLO
EGATIVO de dicha fuente est conectado a la PUTA EGATIVA.

En los multmetros analgicos cuando se selecciona alguna de las escalas de la
funcin Medicin de Resistencias (hmetro), el POLO POSITIVO de la fuente
interna (bateria o conjunto de pilas), est conectado a traves de un circuito interno
a la PUTA EGATIVA y el POLO EGATIVO de dicha fuente est conectado a
la PUTA POSITIVA.

(Ver figura en Pg. Siguiente)







28 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA



Para medir con un multmetro analgico la resistencia de juntura de un diodo en el
sentido de conduccin, primero se debe seleccionar preferentemente la escala de
resistencias R x100.
A continuacin conectar entre s las Puntas Positiva y Negativa del multmetro y ajustar
la aguja a fondo de escala (indicacin de 0 ohms), por medio del control de ajuste de
cero.
Luego conectar la PUNTA POSITIVA al CATODO del diodo y la PUNTA
NEGATIVA al ANODO del mismo.

Una lectura de 500 a 600 ohms es normal para diodos de pequea y media
potencia.
En diodos de mayor potencia como los utilizados en alternadores de automotores,
dicha resistencia es algo menor, alrededor de 400 ohms.

** Observe y recuerde que al utilizar un multmetro anlogo para comprobar el
estado de la juntura de un diodo en el sentido de conduccin, las puntas de prueba se
conectan al reves que en el caso de utilizar un multmetro digital.
Esto se debe, como ya se explic, a la inversin de polaridad de la bateria con respecto
a las puntas de prueba.

Para comprobar si el diodo tiene fugas de corriente en el sentido inverso al de conduccin
(Polarizacin Inversa)se debe proceder de la forma siguiente:

Seleccionar la escala de resistencias de R x10 Kohm.
Unir las puntas Positiva y Negativa del multmetro y ajustar la aguja a fondo de escala
(indicacin de 0 ohm) por medio del control de ajuste de cero.
Conectar luego la PUNTA POSITIVA del multmetro al ANODO del diodo y la
PUNTA NEGATIVA al CATODO del mismo.


29 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Al conectar las puntas del multmetro como se indica, observe que el diodo ha quedado
polarizado inversamente, por lo tanto no deberia conducir. En la prctica no es as, pero
cuanto ms alta sea la resistencia medida, ms seguro se puede estar de las buenas con
diciones del componente bajo prueba.

Los diodos de silicio muestran elevada resistencia de fuga que puede llegar hasta
1000 megohms. Un valor normal en diodos de potencia para alternadores de
automotores en buen estado es de 10 a 20 megohms.

















30 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
FUCIOAMIETO DEL TRASISTOR
Las Figs. 11A;11B y 12 revelan que una juntura P- con polarizacin inversa es
equivalente a un elemento de alta resistencia (baja corriente para una tensin dada), pero
que con polarizacin directa es equivalente a un elemento de baja resistencia (alta
corriente para una tensin dada).
Para una corriente determinada, la potencia desarrollada W = I
2
.R, en el primer caso
es mayor que en el segundo.
Se puede fabricar un cristal que tenga dos junturas P-N, una de ellas para ser polarizada en
sentido directo y la otra en sentido inverso. As, podemos introducir una seal en la
primera y extraerla de la segunda con una ganancia de potencia. Tal circuito transfiere la
seal de un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia.
De la contraccin de los trminos transfer (transferencia) y resistor (resistencia)
resulta la palabra TRASISTOR.
El transistor es dispositivo de tres elementos que son: (Fig. 19)
El emisor, que emite los portadores de carga.
La base, que controla el flujo de los portadores de carga.
El colector, que capta la mayora de los portadores de carga emitidos por el emisor.
TRASISTOR P TRASISTOR PP



Fig. 19


31 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Si en un transistor P, un voltaje E1 es aplicado al diodo base-emisor en el sentido de
conduccin (Fig. 20), una cantidad grande de electrones contenidos en el emisor, sern
atrados por el positivo de E1 y entraran a la base donde se neutralizarn con las lagunas
positivas contenidas en ella.
Esta combinacin de electrones y lagunas en la base causar, que la misma cantidad de
electrones que entran salgan de ella hacia el electrodo positivo de E1. Pero la capa de
material P que forma la base es muy fina, por lo tanto contiene pocas lagunas. Muchos de
los electrones que fluyen desde el emisor, atrados por el polo positivo de E1, no pueden
combinarse con lagunas de la base quedando en estas condiciones movindose en la zona
cercana a la juntura.

Aplicamos ahora un voltaje E2 (de mayor nivel que E1) entre el emisor y el colector. (Fig.
La diferencia de potencial de E2 (positivo a colector y negativo a emisor), har que los
electrones libres cercanos a la juntura emisor-base y que no pueden combinarse con las
lagunas de la base, sean atrados por el polo positivo de E2 atravesando la base.
Ms del 95% de los electrones emitidos por el emisor circularn por el colector
atrados por el positivo de E2. De esto fcilmente se deduce que un 5% o menos de los
electrones que circulan por el emisor circulan por la base.

Las corrientes que fluyen a travs de los tres terminales de transistor son denominados:
I
B
= Corriente de Base
I
E
= Corriente de Emisor
I
C
= Corriente de Colector
32 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Fig. 20
(Fig.21)

Para un transistor PNP la polaridad de las fuentes debe ser invertida, pero su
funcionamiento es igual al NPN. (Fig. 22).
Decamos anteriormente que a lo sumo un 5% de los electrones que circulan por el emisor
llegan a circular por la base, la relacin:

es denominada FACTOR DE AMPLIFICACIO DE CORRIETE
Este factor puede ser simbolizado por o h
fe

Los transistores de pequea seal (pequea potencia), tienen generalmente un factor de
amplificacin de
h
fe
= 50 ~ 500
Los transistores de potencia tienen factores de amplificacin mucho menores, generalmente
comprendidos entre:
h
fe
= 10 ~ 20
El transistor es representado generalmente tal como se ve en la Fig. 23, o tambin como se
lo representa en la Fig. 19.

La flecha del emisor indica la direccin de circulacin de la corriente cuando el transistor est
funcionando. Tenga en cuenta que esta indicacin obedece a la circulacin de corriente teniendo en
cuenta el sentido convencional (no electrnico), o sea de Positivo a negativo.
33 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

En la Fig. 24A se plantea un transistor NPN al que se polariza su Base con respecto al
Emisor por medio de una fuente V
B-E
cuya tensin es ajustable entre 0V y 1,5V. El
Colector se alimenta a travs de una resistencia de 1 Kohm, con una fuente fija V
CC
de
10V, conectada entre Colector y Emisor.
En la Fig. 24B vemos como vara la corriente de base I
B,
en funcin de la tensin de
polarizacin directa del diodo B-E.
Veamos como vara la corriente de colector I
C
, en funcin de la variacin de la corriente de
base I
B
.
Como se vio en la pgina anterior, para que exista una corriente a travs del colector, debe
estar circulando corriente entre emisor y base, producto esta corriente del nivel de la
tensin de polarizacin B-E. Recordemos como se relacionan ambas corrientes:

Si la I
B
= 0, la I
C
= 0, no circular corriente de colector, por lo que no se produce ninguna
cada de tensin sobre la resistencia de carga de colector R
L
y el nivel de tensin en el nodo
V
C
= 10 V (tensin de la fuente V
B
)
El transistor, en esta condicin de funcionamiento se dice que est CORTADO
Si la I
B
= 100 A y asumiendo que para ese transistor su factor de amplificacin es h
fe
=100
la intensidad de corriente de colector ser ahora de:
I
C
= 100 A x 100 = 10000 A = 10 mA = 0,01 A
Para esta condicin, la tensin en el nodo V
C
ser:
V
C
= V
CC
(R
L
. I
C
) = 10 10 = 0V
34 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
El transistor, en esta condicin de funcionamiento, se dice que est SATURADO


Asumiendo que:
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la que la corriente de base es de 100A, punto
en el que el transistor est saturado, es de:
V
BE
= 0,7 V; para I
B
= 100 A; V
C
= 0V
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 1A, punto en
que el transistor comienza a salir del corte, es de:
V
BE
= 0,5V; para I
B
= 1A; V
C
= 10V
La tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 50A, punto
en el que la corriente de colector es de 5mA, por lo que la tensin en el nodo V
C
= 5V, es
de:
V
BE
= 0,6V; para I
B
= 50A; V
C
= 5V
De lo anteriormente desarrollado se desprende que:
Cuando V
BE
sea menor que 0,6V, V
C
ser mayor que 5V.
Cuando V
BE
sea mayor que 0,6V, V
C
ser menor que 5V.
Cuando V
BE
vara, V
C
tambin vara. pero en sentido contrario. (Fig. 26)


35 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Si en el circuito planteado en la Fig. 24,
la corriente de base I
B,
se incrementa
continuamente entre 0uA y 100 uA,
una corriente de colector I
C
100 veces
mayor circular en cada instante,
causando una cada de tensin a travs
de R
L
cada vez mayor (Fig. 25).
Consecuentemente V
C
decrecer
continuamente desde 10V hasta 0V.

En la Fig. 26 se aprecia claramente que para una variacin de la tensin de polarizacin
V
BE
= 0,2 V
PP
, se produce una variacin en la cada de tensin sobre R
L
de V
C
= 10V
PP

Si la V
BE
es considerada como un Voltaje de Entrada o Seal de Entrada y V
C
como un
Voltaje de Salida o Seal de Salida, una amplificacin de tensin de la Seal de Entrada
se produce en la etapa, siendo esta amplificacin de:

El defasaje de la Seal de Salida con respecto a la Seal de Entrada es de 180.
El Emisor es el electrodo comn del transistor para ambas seales.
Si la seal de entrada aplicada supera en amplitud los 200mV
PP
, por ejemplo
llega a 400mV
PP
, la seal de salida ser recortada en ambos hemiciclos. Esto es
porque el hemiciclo positivo de la seal de salida no puede tener una amplitud
mayor que la tensin de fuente V
CC
= 10V y el hemiciclo negativo de esta seal no
puede caer por debajo de 0V. (Fig. 27)


36 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
La etapa amplificadora planteada en la Fig. 24 y que se analiz precedentemente
es denominada Amplificador en Clase A.
En la prctica, debido a que los transistores no son componentes tan lineales como se los
consider tericamente para la descripcin de su funcionamiento, la polarizacin de base
V
BE
, y el valor de la resistencia de carga R
L,
son elegidos tomando en cuenta distintos
parmetros del transistor seleccionado, de modo que este trabaje en su zona ms lineal, con
el fin que la seal de salida sea lo menos distorsionada posible con respecto a la seal de
entrada. Estos parmetros se obtienen de las hojas de datos del transistor.
Hasta ahora se utilizaron dos fuentes de C.C. distintas. Una de ellas para
obtener la tensin de polarizacin base-emisor (V
BE
) deseada y la otra
para establecer la tensin de alimentacin emisor-colector (V
CC
).
En la prctica una sola fuente es utilizada.

En la Fig. 28 se muestra como esta disposicin es lograda. La tensin de polarizacin base-
emisor se obtiene de la fuente por medio de un divisor de tensin formado por las
resistencias R
A
y R
B
.

Los valores de estas resistencias se eligen de modo que la intensidad
de corriente circulante por el divisor, sea por lo menos 10 veces mayor que la corriente de
base del transistor, de este modo, esta corriente que tambin circula por R
A
, no influye
sobre la cada de tensin que se produce sobre esta resistencia, puesto que I
B
es muy
pequea con respecto a la impuesta por el divisor I
AB
.
En la Fig. 29 se plantea una etapa similar a la utilizada en la descripcin de
funcionamiento de un Amplificador en Clase A, pero con un transistor real BC549.
Observe se ha polarizado la base del TR de modo que la corriente de colector en
reposo, es decir sin seal de entrada, site la tensin de colector en prcticamente la
mitad de la tensin de fuente.

37 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA


A esta etapa amplificadora en Clase A, se le aplica ahora una seal de corriente alternada
proveniente de un generador externo. Observe que esta seal es aplicad a travs de un
condensador, denominado de acoplamiento. El condensador evita que la resistencia de
salida del generador (en realidad es impedancia de salida), despolarice la base del transistor
por estar en paralelo con la resistencia de 720 del divisor de tensin de polarizacin de
base (Fig. 30).

38 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Fig. 31
Como vemos la Ganancia de Tensin obtenida es de 190 veces.
La respuesta a frecuencias de la etapa se mantiene plana (no tiene atenuacin), entre
10Hz y 100KHz.
El tipo de polarizacin visto puede ser mejorado de modo de estabilizar al transistor
trmicamente. Esto se consigue aadiendo una resistencia en el emisor del transistor R
E

(Fig 32).
Como norma general, la cada de tensin en dicha resistencia se elige de modo que sea la
dcima parte de la tensin de alimentacin.

39 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
40 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
7,63 Vpp

Ganancia de Tensin
A = 190
Observe la etapa de la Fig. 32, si aumenta la temperatura en el transistor, por efecto de la
misma este tender a conducir ms y aumentar la corriente de colector. Por consecuencia
aumentar la corriente de emisor, provocando a travs de R
E
una mayor cada de tensin
V
E
. Como la tensin de polarizacin V
B
se mantiene constante, debido a que est impuesta
por el divisor resistivo R
A
/ R
B
, la tensin de polarizacin V
BE
disminuir, haciendo que el
transistor conduzca menos, compensando as el aumento de corriente provocado por el
aumento de temperatura.
La resistencia R
E
introduce a la etapa una realimentacin negativa para la Corriente
Continua.
Para evitar que la seal de corriente alterna que est siendo amplificada tenga efectos sobre
la polarizacin de C.C. del transistor, debido a la resistencia de emisor R
E
, en paralelo con
esta se coloca un condensador de desacoplo C
E
. La reactancia capacitiva de este
condensador debe ser, para la frecuencia ms baja que se desea amplificar, por lo menos 10
veces menor que el valor de la resistencia R
E
.
Siendo la Reactancia Capacitiva de un condensador:

En la Fig. 32 se plantea una etapa amplificadora en base a un transistor BC 549 en la que se
incluye la resistencia de emisor R
E
= 300 .

40 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Fig. 33
En la Fig. 34 se tiene la etapa planteada en la Fig. 33, pero a la que se le ha aplicado ahora
una seal de C.A. proveniente de un generador externo. Las Seales de Entrada y Salida
son mostradas tal como se ven en la pantalla de un osciloscopio (Fig. 35).


Fig. 35
La Ganancia de Tensin de la etapa es de 131 veces, algo menor que en el caso
planteado en las Figs. 29 30 31. Esto es debido a la menor disponibilidad de
tensin Emisor-Colector por la inclusin de la resistencia de Emisor.
La respuesta a frecuencias de la etapa se mantiene plana entre 100 Hz y 100 KHz.
Para que la respuesta mejore en bajas frecuencias, el condensador de desacoplo de
emisor debe aumentarse a por lo menos 1000F.
41 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
45 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
5,9 Vpp

Ganancia de Tensin
A = 131

Observe que la seal amplificada por los circuitos planteados en las Figs. 30 y 34
presenta una distorsin importante del hemiciclo negativo. Esto se debe a que en ambas
etapas se busco la mxima amplificacin de la seal de entrada y la distorsin se produce
por la no linealidad del diodo base-emisor
En la prctica, cuando se disean etapas amplificadoras, se da prioridad a la
deformacin (distorsin) que introduce la etapa en la seal amplificada con respecto a la
seal a amplificar, buscando que esta sea lo mnima posible sacrificando si es necesario,
nivel de amplificacin.

Fig. 36
En las Fig. 36 se muestra el circuito de un amplificador de 2 Etapas cuya ganancia total de
tensin es de:
A = 200 veces
Respuesta a Frecuencias = plana entre 20Hz y 150KHz
Los resistores de 300 y 200 insertados en los emisores del primer transistor y el
segundo, respectivamente, al no estar bypasados por un condensador introducen una
realimentacin negativa para la C.A., esta realimentacin mejora el factor de distorsin.
En la Fig. 37 se muestra, en la pantalla del osciloscopio, las seales de Entrada y
Salida del circuito
42 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Fig. 37
Observe que las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase, esto es debido a que
al existir dos etapas se produce una doble inversin de la seal de entrada.
Los amplificadores vistos hasta ahora son denominados:
Amplificadores en Clase A en configuracin Emisor Comn.
Los amplificadores en Clase A, amplifican la seal de entrada completa, es decir los
dos hemiciclos, si los hay.
Su configuracin se denomina Emisor Comn por estar el emisor conectado a masa,
aplicndose la seal a amplificar a la base y obteniendo la seal amplificada en el
colector.
Su Resistencia de Entrada es baja, comprendida entre 100 y 5K. Su Impedancia
de Salida es alta, comprendida entre 10K y 100K.
Realizan amplificacin en corriente y tensin, lo que permite obtener una alta
ganancia de potencia.
Las seales de Entrada y salida se encuentran desfasadas 180 y la respuesta en
frecuencia es pobre comparada con la configuracin de Base Comn.
Por sus buenas caractersticas de ganancia es el circuito utilizado como amplificador
para medias y bajas frecuencias.
Como la diferencia de impedancia de entrada y salida no es muy grande, esta
configuracin se utiliza en amplificadores de varias etapas, ya que permite el
acoplamiento de una etapa a la siguiente.
43 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA


ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
20 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
4 Vpp

Ganancia = 4Vpp / 0.02 Vpp = 200
Amplificador Clase A en configuracin Base Comn
La Seal de Entrada, en este tipo de circuito, se aplica al Emisor mientras la Seal de Salida
amplificada se obtiene, como en el caso anterior, del Colector.
En la Fig. 38 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 39 vemos las
seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.




La base del transistor est puesta a masa para la corriente alternada de la seal a travs del
condensador de 100F, de ah que esta configuracin reciba el nombre de Base Comn.

44 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Fig. 38
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
20 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
5 Vpp

Ganancia = 5 Vpp / 0,02 Vpp = 250

Fig. 39

La Resistencia de Entrada es bastante baja, pudiendo estar comprendida entre 10 y 100
y presenta una Impedancia de Salida muy alta, entre 500K y 1M.
En este tipo de circuito la amplificacin de corriente es siempre menor que la unidad,
mientras tiene una alta amplificacin de tensin, entre 500 y 5000.
La ganancia en potencia es media, entre 100 y 1000.
Las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase.
Es la configuracin que mejor respuesta en frecuencia proporciona.
Esta configuracin tiene su principal aplicacin como amplificador para altas frecuencias.

Amplificador en Clase A en configuracin Colector Comn.
A este tipo de etapa se la conoce tambin como, Seguidor de Tensin o
Seguidor Emisivo.
En la Fig. 40 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 41 vemos las
seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.


Fig. 40

45 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Fig. 41
En este ltimo tipo de configuracin, la Seal de Entrada que se desea amplificar se aplica
a la Base del transistor.
La Seal de Salida se obtiene a travs del Emisor.
El Colector se encuentra a masa para la corriente alternada pues est directamente
conectado al positivo de la fuente de alimentacin. De ah que reciba el nombre de Colector
Comn.
Este montaje presenta una Resistencia de Entrada muy alta, comprendida entre 50K y
500K, mientras que la Impedancia de Salida es muy baja, entre 10 y 100.
La amplificacin de corriente es media, entre 10 y 100.
La amplificacin de tensin es menor que la unidad.
Su ganancia en potencia est comprendida entre 10 y 100.
No presenta ningn defasaje entre las seales de Entrada y Salida.
Gracias a las Impedancias de Entrada y Salida de este tipo de etapa, es que es muy utilizado
como Adaptador de Impedancias. Adapta muy bien etapas de Alta Impedancia de Salida
con etapas de Baja Impedancia de Entrada.
El transistor en conmutacin
En este tipo de utilizacin, el transistor solamente puede tomar dos estados
Saturado o al Corte

46 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
2 Vpp
ChB = Volaje de la Seal de Salida
1,98 Vpp

Ganancia = 0,99
En las Figs. 42 y 43 vemos estas dos condiciones.

Transistor cortado - Fig. 42

Transistor saturado - Fig. 43

Fig. 44 CHA CHB
47 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
En la Fig. 44 se muestra un transistor trabajando en conmutacin cuando es activada su
base por una seal cuadrada cuyos estados son:
O = 1 = 5 Volt ---- OFF = 0 = 0 Volt
Los estados del transistor se corresponden con la seal que recibe en base y sus estados son:
Seal = 5V => Transistor = O (en saturacin)
Seal = 0V => Transistor = OFF (cortado)
Observe que el tiempo que el transistor se encuentra en saturacin, es igual al tiempo que la
seal aplicada a su base se encuentra a nivel alto, o sea
O = 1 = 5V.
Como ya sabemos esto se traduce en el colector del transistor en los siguientes estados:
Seal = 1 = 5V => Colector = 0 = 0V
El transistor en conmutacin (tambin conocido como switching) es muy utilizado para el
manejo de relays, electro vlvulas, motores, inyectores de combustible, bobinas de
encendido, etc.


Fig. 45






48 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Cuando se necesita conmutar cargas que
demandan corrientes elevadas por ejemplo, una
electro vlvula, un inyector de combustible, el
primario de una bobina de encendido, un motor de
C.C., es comn la utilizacin de transistores
denominados Darlington. Observe la Fig.45,
contenidos en la misma cpsula hay dos
transistores, la corriente emisor-colector del
primero es la corriente de base del segundo. Una
etapa as configurada puede tener ganancias de
corrientes elevadas, de 500 a 1000 veces, esto
permite manejar corrientes grandes en la carga de
colector con corrientes muy pequeas de base.
Supongamos que la corriente que demanda la carga sea de 7 Amper, si el transistor
Darlington empleado tiene una ganancia hfe = 500, la corriente de base que demandar
ser de 14 mA. Esto permite que esta etapa de potencia sea manejada directamente por
circuitos digitales, circuitos estos que pueden erogar solamente potencias pequeas.
El diodo conectado entre emisor y colector es de proteccin y es comn encontrarlo en
transistores Darlington diseados para manejar cargas inductivas.
Tiempos de conmutacin
El pasar del Corte a la Saturacin y viceversa no es instantneo, es decir , el transistor
necesita un determinado tiempo para conmutar. Este tiempo de conmutacin se divide en
dos:
El tiempo que tarda en pasar del estado de Corte al de Saturacin, se denomina:
t
OFF-O

El tiempo que tarda en pasar del estado de Saturacin al de Corte, se denomina:
t
O-OFF


Observando la Fig.45, podemos ver como a su vez estos tiempos se subdividen en otros
dos:
t
OFF-O
= t
d
+ t
r

t
O-OFF
= t
s
+ t
f

t
d
Delay Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que transcurre desde
que aparece la seal en la base, V
s,
hasta que la tensin de colector, V
C,
cae al 90% de la
tensin de fuente, V
CC
.
t
r
Rise Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que tarda en caer la
tensin de colector, V
C,
desde el 90% al 10% de la tensin de fuente, V
CC
.
t
s
Storage Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo transcurrido entre la
49 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

desaparicin de la seal, V
s
, y el paso de la tensin de colector, V
C
, de 0% al 10% de la
tensin de fuente, V
CC.
t
f
Fall Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo que tarda la tensin de
colector, V
C
, en pasar del 10% al 90% de la tensin de fuente, V
CC.
El tiempo ms significativo es t
s
, Storage Time. En los transistores empleados en las
aplicaciones de conmutacin, este tiempo suele variar entre 10 y 60 ns.






















50 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Multivibrador Astable
Es un circuito como el de la Fig. 46, capaz de generar por si mismo una Seal Cuadrada.
Como se puede observar, el circuito es totalmente simtrico y est construido en base a dos
transistores. Recibe el nombre de Astable porque ninguno de los estados del transistor
(corte o saturacin) es estable, es decir, est continuamente cambiando de corte a saturacin
y viceversa.

Fig. 46

Fig. 47
51 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Amplificador en Clase B
Si en el circuito bsico de un amplificador en Clase A que se planteo inicialmente, Fig. 28;
Pg. 35, se elimina la resistencia R
A
que forma parte del divisor de tensin que polariza la
base del transistor, se tiene un Amplificador Polarizado en Clase B. (Fig. 42)



Fig. 43





52 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Fig. 42

Fig. 44
Como se puede apreciar en las Figs. 43 y 44 que muestran la pantalla del osciloscopio, el
transistor en estas condiciones, al tener la base al mismo potencial que el emisor, recin
comienza a conducir cuando el nivel de la seal aplicada en base supera la barrera de
potencial del diodo base-emisor, es decir alrededor de los 600 mVp (tensin de pico de la
seal) y solamente logra amplificar parte del hemiciclo positivo.


Fig. 45




53 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Fig. 46
TRASISTORES MOSFET
Las siglas MOSFET vienen de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitor, que
significa Transistor Semiconductor de Efecto de Campo con Oxido de Metal.
En la actualidad se ha conseguido abaratar la fabricacin de este tipo de transistores
unipolares, por lo que estn siendo utilizados para sustituir a los tiristores. La razn
fundamental de este cambio es que se controlan por tensin y no hacen falta los circuitos de
bloqueo adicionales que utilizan los tiristores.

SIMBOLOGIA Y TERMINALES (CONEXIONES)
Este tipo de transistores unipolares est fabricado con una barra principal semiconductora
de tipo P o N, y dos zonas transversales de semiconductor de tipo contrario al de la barra
principal. Pero con la diferencia con respecto a los JFET de que la capa superior es de
material dielctrico (aislante) y asla el terminal de compuerta (G) del resto del
componente.


Terminales y partes semiconductoras de un transistor unipolar Mosfet

G terminal de compuerta (Gate)
D terminal de drenador (Drain)
S terminal de surtidor o fuente (Source)
54 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Con esta peculiar forma de fabricacin se consigue crear un campo elctrico entre el
terminal de puerta y el material dielctrico; esto, elctricamente, equivale a que haya un
condensador entre estas dos partes, lo que provoca que la corriente por el terminal de puerta
sea cero.

tienen tres terminales: compuerta, drenador y surtidor.
Dependiendo de si la barra central del componente es de un tipo u otro de semiconductor,
existen dos tipos de transistores MOSFET: de canal P o de canal N.
Sus respectivos smbolos se diferencian entre ellos en que la flecha pintada sobre el
terminal del surtidor tiene sentido contrario.
Estos dos tipos se diferencian en que todos los sentidos de corriente y tensin definidos en
un MOSFET de tipo N, son de sentido contrario en uno de tipo P.






El ancho del puente depende del nivel de la tensin aplicada a la compuerta (Vg). La
variacin de esta tensin es la que permite regular la intensidad de corriente circulante a
travs del semiconductor


55 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Smbolos electrnicos de los transistores
MOSFET

G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador o drenaje.
S: terminal de surtidor o fuente.
Signos de tensiones y corrientes de un MOSFET de canal N

Ig: intensidad por la puerta.
Vgs: tensin puerta-fuente.
Id: intensidad por el drenaje.
Vds: tensin drenador-surtidor.
Is: intensidad por el surtidor o fuente.
Para que circule corriente en un MOSFET de Canal N se
debe aplicar una tensin positiva a la compuerta (G) con
respecto a la fuente (Vg).
Una tensin ms elevada que la anterior entre drenaje (D) y
fuente(S), positivo a D y negativo a S (Vcc).
Los electrones del canal N de la fuente (S) y del drenaje
(D) son atrados a la compuerta (G) creando un puente por
el canal P.
La diferencia de potencial existente entre fuente y drenaje,
impuesta por Vcc, atraer a estos electrones hacia el polo
positivo de Vcc estableciendo as la circulacin de
corriente a travs del MOSFET.
CURVAS CARACTERSTICAS
Se utilizan dos curvas caractersticas: la de entrada y la de salida.
La curva caracterstica de entrada relaciona la corriente que circula por el drenador (Id) con
la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs).


En este caso el valor de tensin que identifica el lmite en el cual se pasa de conduccin a
corte se llama tensin umbral (Vt). Si Vgs es mayor que este valor, el transistor MOSFET
est conduciendo; mientras que si es menor no conduce.
La curva caracterstica de salida relaciona la intensidad por el drenador (Id) con la tensin
existente entre los terminales del drenador y el surtidor (Vds).

En esta curva, cada lnea continua referencia un valor de tensin entre la puerta y el surtidor
(Vgs) distinto. (V
gs1
< V
gs2
< V
gs3
< V
gs4
)

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Los transistores MOSFET tienen cuatro zonas de funcionamiento.



56 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Curva caracterstica de entrada de un transistor
MOSFET.

Id: intensidad por el drenador.
Vgs: tensin compuerta-surtidor.
Vt: tensin umbral.
Curva caracterstica de salida de un transistor
MOSFET

Id: intensidad de drenador.
Vds: tensin drenador-surtidor.
Idss: intensidad de drenador mxima
aprovechable.
Vgs: tensin compuerta-surtidor.
Vt: tensin umbral.
BVds: tensin drenador-surtidor mxima
aprovechable
Zonas de funcionamiento de un transistor MOSFET
ZONA DE CORTE
El transistor MOSFET equivale elctricamente a un circuito abierto entre los terminales del
drenador y el surtidor. Se comporta como un interruptor desconectado, situado entre los dos
terminales.

ZONA OHMICA
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y el surtidor.
El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la puerta
y el surtidor (Vgs).

ZONA DE SATURACION
El transistor entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el drenador y el
surtidor (Vds) supera un valor fijo denominado tensin drenador-surtidor de saturacin
(Vdssat); este valor viene determinado en las hojas caractersticas proporcionadas por el
fabricante.
En esta zona el MOSFET mantiene constante su corriente por el drenador (Id),
independientemente del valor de tensin que halla entre el drenador y el surtidor (Vds).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor Id.

ZONA DE RUPTURA
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura hace
referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del drenador.

EJEMPLO DE POLARIZACIN DE UN MOSFET



En este circuito la fuente de alimentacin de continua Vdd tiene un valor en voltios
superior al valor de tensin de umbral del MOSFET (Vt). Esto implica que el MOSFET
est en zona de conduccin, porque Vgs es mayor que Vt.
Como la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs) tiene el mismo valor que la tensin
existente entre el drenador y el surtidor (Vds), el transistor unipolar se encuentra
funcionando en zona de saturacin. Esto implica que el MOSFET equivale, elctricamente,
a un generador de corriente continua y constante.

LIMITES DE RUPTURA

La utilizacin de transistores unipolares en circuitos electrnicos, tanto JFET como
MOSFET, exige, como en cualquier otro componente, conocer sus limitaciones de trabajo.


57 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Circuito de polarizacin de un transistor MOSFET.


Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:
- En tensin: no se puede superar el valor mximo de tensin entre la puerta y el surtidor.
Este valor se denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor mximo de tensin entre
el drenador y el surtidor denominado BVds.
- En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido como
Idmax.
- En potencia: este lmite viene marcado por Pdmax, y es la mxima potencia que puede
disipar el componente.




Todos estos valores que marcan los lmites de ruptura del transistor unipolar vienen
referenciados en las hojas de caractersticas (DATA-BOOK) proporcionadas por el
fabricante.

Transistores IGBT

El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo de compuerta
aislada.
Tiene una estructura interna similar a la de un MOSFET, pero en el lado del drenador
(colector) tiene una juntura P-N, la cual inyecta portadores minoritarios (lagunas) en el
canal cuando el IGBT est en conduccin. De esta manera se reduce significativamente
la disipacin de potencia.

58 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Curva de entrada referenciada con lmites de
ruptura.

Idmax: intensidad drenador mxima.
BVgs: tensin puerta-surtidor mxima.
Curva de salida referenciada con lmites de
ruptura.

Idmax: intensidad de drenador mxima.
BVds: tensin drenador-surtidor mxima.
Pdmax: potencia elctrica mxima.
Los IGBT constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un hbrido entre los
transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los
ltimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en
conduccin de los primeros.

Con el Mosfet

Compuerta controlada por tensin
La capacidad de entrada debe ser cargada y descargada durante el encendido y
el apagado del transistor.
Peligro de daos en el debido a cargas electroestticas.

Con el bipolar

Tensin de saturacin poco dependiente de la corriente de colector por tener una
resistencia en estado de conduccin (emisor colector) baja, del orden de algunos
miliohm.
Dicha resistencia no se incrementa con la temperatura, por lo tanto tiene bajas
prdidas.
Luego del apagado los portadores minoritarios necesitan un tiempo para la
recombinacin, lo que da como resultado una corriente inversa.
No tiene diodo parsito.



Debido a la capa adicional tipo P, el IGBT tiene en la zona entre el colector y el emisor una
estructura de cuatro capas.
La adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el NPN
inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de
ser activado puede destruir al IGBT, este fenmeno se elimina constructivamente.
Las dos estructuras que existen son:
1) De perforacin (PT punch through)
2) NPT (non punch through)

59 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Como en un MOSFET incremental de canal N, se polariza la compuerta positivamente con
respecto al emisor. Los portadores N (electrones) son atrados al canal P (huecos) hacia la
compuerta, produciendo una polarizacin directa de la base del transistor NPN, entrando
este en conduccin.
Resumiendo, un transistor IGBT se activa cuando se aplica una tensin positiva a la
compuerta con respecto al emisor y se desactiva cuando se elimina esa tensin de
polarizacin positiva.
Al ser activado y desactivado por tensin y no por corriente como los BJT, el circuito de
control resulta sencillo al requerir del mismo prcticamente cero potencia.





Un solo IGBT puede llegar a manejar hasta 1200V y 400A a una frecuencia de
conmutacin de hasta 20KHz.
Su aplicacin est creciendo rpidamente en potencias intermedias como propulsores de
motores de Corriente Continua y Corriente Alternada, UPS, relay de estado slido, etc.
En automocin se utilizan por ejemplo en PCM, como drivers de bobinas de encendido y
drivers de inyectores. Tambin como drivers de motores de enfriamiento de radiadores.





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