Dispositivos de memoria con MOSFET

Los microprocesadores y microcontroladores necesitan de algunos tipos de memoria bien

definidos:
Memoria para el almacenamiento temporario de Datos comnmente llamada RAM
Random Access Memory
Memoria para el almacenamiento permanente de Programas (firmware) que han ido
evolucionando con la tecnologa desde las ROM Read Only Memory, pasando por las
PROM Programmable ROM & EPROM Erasable PROM, para actualmente recurrir a las
Flash
Memoria para el almacenamiento cuasi permanente de Parmetros de Configuracin del
Programa comnmente conocidas como EEPROM o E2PROM Electricaly EPROM

Las RAM son memorias en las que se puede escribir, leer, borrar y volver a escribir, aqu la
informacin memorizada se mantiene durante un tiempo breve (5 mseg. aprox.) normalmente en
menos que ese tiempo se sustituye la informacin almacenada por una nueva. Pero si se quisiera
mantener habra que renovarla peridicamente (lo que se hace por seguridad cada 2 mseg.). Son
memorias voltiles. Se construyen basadas en MOSFETs y en CMOS.
Las ROM son memoria de slo lectura que salvo necesidad se graban una vez y para siempre.
Formadas por transistores MOSFET modificados que permiten retener la carga por ms tiempo
(desde dcadas a 100 aos). Por eso se llaman memorias no voltiles
Clasificacin de memorias voltiles y no voltiles


Ejemplo de memoria voltil elemental: Tomemos un MOSFET de canal n en modo
enriquecimiento, su conduccin depende que haya canal o no. Si

= 0, no hay canal y el
dispositivo no conduce, la salida es un cero. Si

>

, el dispositivo conduce y tenemos un 1 a la

salida. Un capacitor a la salida almacena informacin de acuerdo con la presencia o ausencia de
seal


Dentro de las memorias no voltiles veremos las EEPROM y las FLASH EEPROM
Las EEPROM (Electrically Erasable Programming ROM) pueden ser borradas no slo
elctricamente sino que se deben seleccionar direcciones de byte a borrar. Para esto se necesita
que cada celda tenga dos transistores (uno se necesita para elegir la celda)
Las FLASH EEPROM, se pueden borrar elctricamente, pero slo a travs de un bloque simultneo
de celdas. Se pierde la posibilidad de seleccionar direcciones de byte, pero mantiene una celda de
un transistor.
Si se modifica el electrodo de compuerta de un MOSFET tradicional, se puede almacenar carga en
forma permanente en el mismo y el nuevo dispositivo se transforma en un dispositivo de memoria
no voltil.
Hay varios tipos de memorias no voltiles : las de compuerta flotante (FAMOS Floating Gate
Avalanche Inyection MOS y SAMOS Stacket Gate Avalanche Inyection MOS) y los dispositivos de
carga atrapada (MNOS metal, nitride, oxide, semic.- y MONOS -metal, oxido, nitride, oxide,
semic.-) .

Dispositivos de memoria de compuerta flotante.
En una memoria de compuerta flotante, la carga es inyectada a dicha compuerta flotante para
cambiar la tensin umbral (

).
Escritura o Programacin (programming)
Existen dos modos de programacin:
a) Inyeccin de Hot carriers
b) Inyeccin por efecto tnel Fowler Nordheim


a) Inyeccin de Hot Carriers:
La Fig. 1, parte (a), muestra el mecanismo de inyeccin de hot carriers. Cerca del drenaje, el
campo lateral est a su mayor nivel. Los portadores del canal (electrones) adquieren energa del
campo y se vueven hot carriers. Cuando su energa es mayor que la barrera de potencial de la
interfase Si-Si

, se pueden inyectar a la compuerta flotante.. Al mismo tiempo, el campo

elctrico elevado induce ionizacin x impacto. Estos electrones de alta energa tambin son
inyectados a la compuerta flotante. Esta corriente se comporta como el equivalente de una
corriente de compuerta en un MOSFET convencional y su pico se alcanza cuando

, donde

es el potencial de la compuerta flotante.

Fig.1

(a) (b)
En la Fig. 1, parte (b), vemos el mecanismo de inyeccin de hot carriers usando avalancha drenaje-
sustrato. Aqu,

es mas negativo y la que se inyecta son lagunas calientes (hot holes). Este
mtodo es menos efectivo y prcticamente ya no se usa.
b) Inyeccin por efecto tnel Fowler Nordheim:
Tambin los electrones se pueden inyectar a la compuerta flotante por efecto tnel.
El efecto tnel Fowler Nordheim es una combinacin de
excitacin trmica para alcanzar la parte superior y ms
delgada de la barrera de potencial y luego provocar el efecto
tnel por la parte mas delgada de la barrera.


En el modo programacin, el campo elctrico a travs de la capa de xido inferior es el ms
crtico.
Cuando se aplica

positiva al la compuerta de control, se establece un campo elctrico en cada

capa de aislante. Por Gauss:

.E 1 =

.E 2 + Q y

. E 1 +

.E 2
Donde los subndices 1 y 2 corresponden respectivamente al xido inferior y al superior y Q
(negativa) es la carga almacenada en la compuerta flotante.
De ambas ecuaciones podemos obtener:
E 1 =

La corriente de transporte en aisladores es una fuerte funcin el campo elctrico. Cuando el
transporte es va efecto tnel Fowler-Nordheim, la densidad de corriente se puede escribir como:
J =

.E 1

.exp (-E o/ E 1 )
Donde

y E o son constantes que dependen de la masa efectiva y del tamao de la barrera.

Ya sea por inyeccin de hot carriers o por efecto tnel como mecanismo de programacin,
despus de la operacin de carga, la carga total almacenada Q es proporcional a la corriente
inyectada. Estas cargas al interactuar con las cargas de la capa de inversin producen un cambio
en la conductividad del canal, lo cual causa un desplazamiento

en la tensin umbral:

= -

, este desplazamiento en la tensin umbral se puede medir directamente como se ve

en la Fig. 2.
Alternativamente, la tensin umbral pude ser medida desde la conductancia de drenaje. La
variacin de

significa un cambio en la conductancia de drenaje o salida (

) del MOSFET. Para

pequeas

, podemos escribir

) para

>

Despus de alterar la carga en la compuerta flotante por Q (carga negativa), el grfico

-

o el
equivalente

-

se desplaza a la derecha

como se ve en la Fig. 2
Fig. 2




Borrado (Erasing)
Para borrar la carga almacenada, una polarizacin negativa se aplica a la compuerta de control o
una polarizacin positiva en la fuente/drenaje. Este proceso es la inversa del proceso de efecto
tunel descripto anteriormente, ahora los electrones almacenados se retiran por efecto tnel de la
compuerta flotante al sustrato.
Lectura (Reading)
Cuando se lee, se aplica a la compuerta de control una tensin

intermedia entre los puntos

de la Fig. 2 y el MOSFET conducir o no

dependiendo de la tensin umbral

de la celda que a su vez depende de

si la compuerta flotante esta cargada o no. La circulacin de corriente es
sensada y forma un cdigo binario reproduciendo el dato almacenado.


Diagramas de energa en el MOSFET de compuerta flotante
Para entender la secuencia de programacin y borrado de un MOSFET de compuerta flotante
podemos ayudarnos con los diagramas de energa.
En la Fig. 3 (a) vemos la estructura en el estado inicial.
En la Fig. 3(b), los electrones pudieron ser inyectados en la compuerta flotante por hot carriers o
efecto tnel a travs de la barrera.
En la Fig. 3 (c) se observa que la carga negativa acumulada en la compuerta flotante eleva la
tensin umbral comparada con la condicin inicial.
En la Fig. 3 (d) los electrones son retirados de la compuerta flotante por efecto tnel desde la
compuerta flotante hasta el sustrato.

Fig. 3

En ambas operaciones, programacin y borrado es importante modular el potencial de compuerta
flotante eficientemente a travs de la tensin aplicada a la compuerta de control. Un parmetro
importante en las memorias de compuerta flotante es la relacin de acoplamiento que determina
la porcin de la tensin de la compuerta de control que se acopla capacitivamente a la compuerta
flotante:

Donde

son las capacidades asociadas con los xidos inferior y superior respectivamente.
Notar que en la prctica, las reas de compuerta de control y compuerta flotante no son
necesariamente iguales. Con frecuencia la compuerta de control se envuelve alrededor de la
compuerta flotante, de esa forma el capacitor superior (

) tiene un rea mayor.

El potencial de compuerta flotante esta dado por :

En la prctica el xido inferior tiene mientras que el ido superior tiene y la
relacin de acoplamiento es

0,5-0,6.
Las primeras EPROM se fabricaban usando Polisilicio altamente dopado para la compuerta
flotante. El dispositivo que usa avalancha sustrato-drenaje se conoce como Floating-gate
avalanche-injection MOS (FAMOS). La compuerta de Polisilicio est embebida en xido y est
completamente aislada. Para inyectar cargas en la compuerta flotante (programacin), la juntura
de drenaje esta polarizada para ruptura x avalancha y las lagunas en el plasma de avalancha son
inyectadas desde el drenaje a la compuerta (los primeros FAMOS eran de canal p). Para borrarlas
se usaba luz ultravioleta o rayos x. El borrado elctrico no se usaba porque los dispositivos no
tenan compuerta externa.

Fig. 4 FAMOS






Para permitir el borrado elctrico se ha hecho muy popular la estructura apilada. Se trata del
llamado SAMOS (Stacked Gate Avalanche Inyection MOS MOS). La compuerta de control externa
permite el borrado elctrico y mejora la eficiencia de programacin.
Fig. 5 SAMOS


En las EEPROM es ms comn usar efecto tnel cono mecanismo de inyeccin para programar. Un
reciente dispositivo comercial llamado transistor FLOTOX (Floating Gate Tunnel Oxide), confina el
efecto tnel a una pequea rea sobre el drenaje y se mejoran mucho los tiempos de
programacin y borrado.
Fig. 5 FLOTOX