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DEPARTAMENTO DE ELETRO-ELETRNICA

COLGIO TCNICO DE CAMPINAS


UNICAMP


E
E
L
L
E
E
T
T
R
R

N
N
I
I
C
C
A
A





Prof. Roberto Angelo Bertoli
V3 setembro, 00


Colgio Tcnico de Campinas ELETRNICA 2
Prof. Roberto A. Bertoli set-00
NDICE
1 DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO 4
1.1 FSICA DOS SEMICONDUTORES 4
A ESTRUTURA DO TOMO 4
ESTUDO DO SEMICONDUTORES 4
1.2 DIODO 7
POLARIZAO DO DIODO 8
CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO 8
RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE 10
1.3 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO 11
1.4 APROXIMAES DO DIODO 12
1.5 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA 14
RETIFICADOR DE MEIA ONDA 16
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA 17
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE 19
1.6 CAPACITOR 20
1.7 FILTRO PARA O RETIFICADOR 24
1.8 DIODO ZENER 26
CORRENTE MXIMA NO ZENER 27
REGULADOR DE TENSO COM ZENER 28
CLCULO DO RESISTOR DE CARGA R
S
. 28
1.9 CIRCUITO COM DIODOS 29
MULTIPLICADORES DE TENSO 29
LIMITADORES 30
GRAMPEADOR CC 32
1.10 EXERCCIOS 32
2 TRANSISTOR BIPOLAR 39
2.1 FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES 39
POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN 40
TRANSISTOR PNP 42
AS CORRENTES NO TRANSISTOR 42
MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR 43
3 POLARIZAO DE TRANSISTORES 47
3.1 RETA DE CARGA 47
3.2 O TRANSISTOR COMO CHAVE 49
3.3 O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE 50
3.4 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR 51
CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM 51
POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO 51
REGRAS DE PROJ ETO 52
3.5 EXERCCIOS 53
4 AMPLIFICADORES DE SINAL 55
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4.1 AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM 55
TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES 57
CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. 57
RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR 58

CA
- GANHO DE CORRENTE ALTERNADA 60
4.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO 60
4.3 REALIMENTAO 63
4.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL 63
IMPEDNCIA DE ENTRADA 65
ESTGIOS EM CASCATA 66
4.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM 68
4.6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM 70
IMPEDNCIA DE ENTRADA 71
4.7 EXERCCIOS 73
5 AMPLIFICADORES DE POTNCIA 76
5.1 CLASSE A 76
5.2 CLASSE B 78
5.3 CLASSE AB 80
6 OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA 81
6.1 OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE 82
7 TRANSISTORES ESPECIAIS 83
7.1 J FET 83
POLARIZAO DE UM J FET 83
TRANSCONDUTNCIA 87
AMPLIFICADOR FONTE COMUM 88
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL 89
AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE 89
7.2 MOSFET 90
MOSFET DE MODO DEPLEO 90
MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO 91
7.3 FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO 92
7.4 EXERCCIOS 93
8 REFERNCIA BIBLIOGRFICA 96

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1 1 D DI IO OD DO O S SE EM MI IC CO ON ND DU UT TO OR R E E R RE ET TI IF FI IC CA A O O
1.1 FSICA DOS SEMICONDUTORES
A ESTRUTURA DO TOMO
O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons
e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons
giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete
camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente
ela que participa das reaes qumicas
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de
tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada
material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o
comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais:
MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE
So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto
menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que
caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem
fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus
tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo,
com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar
estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre.
MATERIAIS ISOLANTES
So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da
corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos,
sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se
transformarem em eltrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha,
mica, baquelita, etc.).
MATERIAL SEMICONDUTOR
Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temos
o germnio e silcio
ESTUDO DO SEMICONDUTORES
Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando os
tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou
seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura
ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio
de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo
compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes
compartilham os dois eltrons, ver Figura 1-1.
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Figura 1-1
Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes
covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatura
algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com
que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do
cristal, tornando-se eltrons livres.

Figura 1-2
Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia,
passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um
eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm
conhecida como buraco. As lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos
vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas.
Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e
uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma
lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os
eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar
que o nmero de lacunas sempre igual a de eltrons livres.
Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os
eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por
conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.
IMPUREZAS
Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no vamos considera-lo, por simplicidade e
tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na
natureza misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as
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caractersticas destes cristais feito um processo de purificao do cristal e em seguida
injetado atravs de um processo controlado, a insero proposital de impurezas na
ordem de 1 para cada 10
6
tomos do cristal, com a inteno de se alterar produo de
eltrons livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos:
impureza doadoras e impurezas aceitadoras.
IMPUREZA DOADORA
So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.:
Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro
do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente
ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).

Figura 1-3
IMPUREZA ACEITADORA
So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro,
alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do
cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe uma
lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.

Figura 1-4
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de
lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:
SEMICONDUTOR TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde n
est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas
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num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas,
portadores minoritrios.
SEMICONDUTOR TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, onde p
est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres
num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons
livres, portadores minoritrios.
1.2 DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um
dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

Figura 1-5
Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas direes,
alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a
lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on
negativo)

Figura 1-6
Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto fixo
na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ions
aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta
regio de camada de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a
continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo
aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A
diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de
potencial. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:





Catodo
material tipo n
Anodo
material tipo p
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POLARIZAO DO DIODO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo
positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em
contato com o material tipo n.
POLARIZAO DIRETA
No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a
juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de
eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.
POLARIZAO REVERSA
Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo no
material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente.
No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da
juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a
bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o
deslocamento de eltrons de uma camada para outra.
CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO
A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso
aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.
POLARIZAO DIRETA

Figura 1-7 Figura 1-8
Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um
componente linear. A tenso no diodo uma funo do tipo:
U R I
kT
q
ln
I
I
1
F
S
= + +

Eq. 1- 1
TENSO DE JOELHO
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se
ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da
barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes
quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente
chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V).
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POLARIZAO REVERSA DO DIODO

Figura 1-9 Figura 1-10
o diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena,
(chamada de corrente de fuga).
Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que
atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente
aumenta sensivelmente.
* Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de
ruptura.
GRFICO COMPLETO.

Figura 1-11
ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO
Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela
corrente que o atravessa e isto vale para o diodo:
I U P = Eq. 1- 2
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No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver um
aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente
mxima suportada por um diodo.
Ex.: 1N914 - P
MAX
=250mW
1N4001 - I
MAX
=1A
Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais
(potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( P
MAX
>0,5W).
RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE
Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada
pode gerar uma alta intensidade de corrente. Em geral um
resistor usado em srie com o diodo para limitar a corrente
eltrica que passa atravs deles.
R
S
chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior o
R
S
, menor a corrente que atravessa o diodo e o R
S
.
RETA DE CARGA
Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar atravs
de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um mtodo para
determinar o valor exato da corrente e da tenso sobre o diodo, o uso da reta de carga.
Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da curva do resistor.
Na Figura 1-12, a corrente I atravs do circuito a seguinte:
I
U
R
U U
R
R
S
S D
S
= =

Eq. 1- 3
No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados a
tenso da fonte e a resistncia R
S
, ento so desconhecidas a corrente e a tenso sob o
diodo. Se, por exemplo, no circuito da Figura 1-12 o U
S
=2V e R
S
=100, ento:
mA 20 U * 01 , 0
100
U 2
I
D
D
+ =

= Eq. 1- 4
Se U
D
=0V ! I=20mA. Esse ponto chamado de ponto de saturao, pois o mximo
valor que a corrente pode assumir.
E se I=0A !U
D
=2V. Esse ponto chamado corte, pois representa a corrente mnima que
atravessa o resistor e o diodo.
A Eq. 1-4 indica uma relao linear entre a corrente e a tenso ( y =ax +b). Sobrepondo
esta curva com a curva do diodo tem-se:

Figura 1-12
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Figura 1-13
(I=0A,U=2V) - Ponto de corte !Corrente mnima do circuito
(I=20mA,U=0V) - Ponto de saturao !Corrente mxima do circuito
(I=12mA,U=0,78V) - Ponto de operao ou quiescente!Representa a
corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma
tenso de 0,78V.
1.3 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO
O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado
diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul)
ou luz infravermelha. Ao contrrio dos diodos comuns no feito de
silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio,
arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a
sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em
circuitos de chaveamento.
A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um
resistor limitador de corrente, como mostrado na Figura 1-14. o LED esquematizado
como um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A
corrente que circula no LED :
R
V V
I
D S
D

= Eq. 1- 5
Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a
2,5V para correntes entre 10 e 50mA.
FOTODIODO
um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a
luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa
Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses
portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns
eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas,
contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa
juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons
livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo.


Figura 1-14
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1.4 APROXIMAES DO DIODO
ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do diodo,
mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos.
1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)
Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto
e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma chave
aberta.
I
U
sentido direto
sentido reverso

Figura 1-15
2 APROXIMAO
Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.
I
U
sentido direto
sentido reverso
0 7V
0,7V
rb
rb

Figura 1-16
Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.
3 APROXIMAO
Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.
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I
U
sentido direto
sentido reverso
0,7V
0,7V
rb
rb

Figura 1-17
Obs.:. Ao longo do curso ser usada a 2 aproximao.
Exemplo 1-1 Utilizar a 2 aproximao para determinar a corrente
do diodo no circuito da Figura 1-18:
SOL.: O diodo est polarizado diretamente, portanto age como uma
chave fechada em srie com uma bateria.
I I
U
R
U U
R k
mA
D RS
RS
S
S D
S
= = =

=
10 07
5
186
,
,
RESISTNCIA CC DE UM DIODO
a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Pode-se considerar
dois casos:
R
D
- Resistncia cc no sentido direto
R
R
- Resistncia cc no sentido reverso
RESISTNCIA DIRETA
a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo. varivel,
pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear.
Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais
existir uma corrente I=10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente
correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a corrente ser de
50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada tenso aplicada:
R
D1
=0,65/10mA =65
R
D2
=0,75/30mA =25
R
D3
=0,85/50mA =17
Nota-se que a resistncia cc diminu com o aumento da tenso
RESISTNCIA REVERSA
Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de -20V a corrente ser
de 25nA, enquanto uma tenso de -75V implica numa corrente de 5A. A resistncia
reversa ser de:
R
S1
=20/25nA =800M
Figura 1-18
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R
S2
=75/5A =15M
A resistncia reversa diminui medida que se aproxima da tenso de ruptura.
1.5 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA
comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido ao alto custo
de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se necessrio a criao de
um circuito que transforme a tenso alternada de entrada em uma tenso contnua
compatvel com a bateria. O diodo um componente importante nesta transformao.
que se ver neste item.
ONDA SENOIDAL
A onda senoidal um sinal eltrico bsico. Sinais mais complexos podem ser
representados por uma soma de sinais senoidais.

Figura 1-19
A equao que representa a curva da Figura 1-19 a seguinte:
U U sen
P
= Eq. 1-6
onde:
U ! tenso instantnea
U
p
! tenso de pico
Algumas maneiras de se referir aos valores da onda:
Valor de pico U
P
! Valor mximo que a onda atinge
Valor de pico a pico ( U
PP
) ! Diferena entre o mximo e mnimo que a onda
atinge U
pp
=U
p
- (- U
p
) =2 U
p

Valor eficaz ( U
RMS
) ( Root Mean Square)
O valor rms valor indicado pelo voltmetro quando na escala ca. O valor rms de
uma onda senoidal, definido como a tenso cc que produz a mesma
quantidade de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que:
V
RMS
=0,707 U
p
Eq. 1-7
Valor mdio
O valor mdio quantidade indicada em um voltmetro quando na escala cc. O
valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque cada
valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de sinal contrrio na
segunda metade do ciclo.
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O TRANSFORMADOR
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 30V
CC

enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127V
RMS
ou 220V
RMS
.
Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O
componente utilizado o transformador. O transformador a grosso modo constitudo
por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia passa de uma bobina para
outra atravs do fluxo magntico. Abaixo um exemplo de transformador:

Figura 1-20
A tenso de entrada U
1
est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a
tenso de sada ao enrolamento secundrio.
No transformador ideal:

U
U
=
N
N
2
1
2
1
Eq. 1-8
Onde:
U
1
tenso no primrio
U
2
tenso no secundrio
N
1
nmero de espiras no enrolamento primrio
N
2
nmero de espiras no enrolamento secundrio
A corrente eltrica no transformados ideal :

I
I
=
N
N
1
2
2
1
Eq. 1-9
Exemplo 1-2 Se a tenso de entrada for 115
VRMS
, a corrente de sada de 1,5A
RMS
e a
relao de espiras 9:1. Qual a tenso no secundrio em valores de pico a pico? E a
corrente eltrica no primrio?
SOL.
U
U
=
N
N
2
1
2
1
!
U
115
=
1
9
2
! U
2
=12,8 V
RMS

U
2PP
=12,8/0,707=18V
PP

I
I
=
N
N
1
2
2
1
!
I
1,5
=
1
9
1
!I
1
=0,167A
RMS

obs.: a potncia eltrica de entrada e de sada num transformador ideal so iguais.
P=U*I=115*0,167=12,8*1,5=19,2W

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RETIFICADOR DE MEIA ONDA
O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (U
SECUNDRIIO
) ca numa tenso
pulsante positiva U
R
. Este processo de converso de AC para cc, conhecido como
retificao. Na Figura 1-21 mostrado um circuito de meia onda.

Figura 1-21
Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na Figura 1-22. A sada do
secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o
semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e
pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no resistor R. Durante o semiciclo
negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito.
Sem corrente eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso
do secundrio fica no diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo
porque s o semiciclo positivo aproveitado na retificao.

Figura 1-22
O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao retificador,
podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele
chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.
VALOR CC OU VALOR MDIO
A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro dado por:
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V
CC
=0.318 U
P
diodo ideal

Eq. 1-10
V
CC
=0.318 (U
P
- V

) diodo 2 aproximao Eq. 1-11



RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
A Figura 1-23 mostra um retificador de onda completa. Observe a tomada central no
enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a dois
retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso do
secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tenso do
secundrio.

Figura 1-23
As duas tenses denominadas de U
2
/2 na Figura 1-23 so idnticas em amplitude e fase.
O transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes de tenso idnticas,
como mostra a Figura 1-23 direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede.
Quando U
2
/2 positiva, D
1
est diretamente polarizado e conduz mas D
2
est
reversamente polarizado e cortado. Analogamente, quando U
2
/2 negativa, D
2
conduz e
D
1
cortado.
Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o resistor de carga
mostrada na Figura 1-24.
VALOR CC OU VALOR MDIO
A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro similar o do
retificador de meia onda com a observao de que agora tem-se um ciclo completo e o
valor ser o dobro. dado por:
V
CC
=2*0.318 (U
P
/2) =0,318U
P
diodo ideal

Eq. 1-12
V
CC
=0.636 (U
P
/2 - V

) diodo 2 aproximao Eq. 1-13


FREQNCIA DE SADA
A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada, pois a
definio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela
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comea a repeti-lo. Na Figura 1-24, a forma de onda retificada comea a repetio aps
um semiciclo da tenso do secundrio. Supondo que a tenso de entrada tenha uma
freqncia de 60Hz, a onda retificada ter uma freqncia de 120Hz e um perodo de
8,33ms.

Figura 1-24



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RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
Na Figura 1-25 mostrado um retificador de onda completa em ponte. Com o uso de
quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do transformador.
Durante o semiciclo positivo da tenso U
2
, o diodo D
3
recebe um potencial positivo em
seu anodo, e o D
2
um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D
2
e D
3
conduzem, D
1

e D
4
ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo
positivo da tenso U
2
.
Durante o semiciclo negativo da tenso U
2
, o diodo D
4
recebe um potencial positivo em
seu anodo, e o diodo D
1
um potencial negativo no catodo, devido inverso da
polaridade de U
2
. Os diodos D
1
e D
4
conduzem e os diodos D
2
e D
3
ficam reversamente
polarizado.

Figura 1-25
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto a tenso
U
R
sempre positiva. Na Figura 1-26 mostrado as formas de ondas sobre o resistor de
carga e os diodos, considerando os diodos ideais.
Na Tabela 1-1 feito uma comparao entre os trs tipos de retificadores. Para diodos
ideais.
Tabela 1-1
MEIA ONDA ONDA COMPLETA PONTE
N. de Diodos 1 2 4
Tenso Pico de Sada U
P
0,5U
P
U
P

Tenso cc de Sada 0,318 U
P
0,318 U
P
0,636 U
P

Tenso Pico Inversa no Diodo U
P
U
P
U
P

Freqncia de Sada f
ent
2 f
ent
2 f
ent

Tenso de sada (rms) 0,45 U
P
0,45 U
P
0,9 U
P


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Figura 1-26
1.6 CAPACITOR
Componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas por um
material isolante.

Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado, haver uma distribuio de cargas
e aps um certo tempo as tenses na bateria e no capacitor sero as mesmas. E deixa
de circular corrente eltrica.
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Se o capacitor for desconectado da bateria, as cargas eltricas acumuladas permanecem
no capacitor, e portanto mantida a diferena de potencial no capacitor.

O capacitor pode armazenar carga eltrica.
O capacitor se ope a variao de tenso eltrica.
A capacidade que tem um capacitor para armazenar cargas depende da sua
capacitncia.
C
S
d
=
.
Eq. 1-15
onde:
=constante dieltrica (F/m)
S =rea de uma das placas (so iguais) (m
2
)
d =Espessura do dieltrico em metro (m)
C =Capacitncia em Farads (F)
em geral se usa submultiplos do Farad: F, nF, pF
DETALHES SOBRE OS CAPACITORES
TIPOS DE CAPACITORES
papel cermica
mica eletroltico
tntalo varivel (distncia / rea) !(Padder; Trimmer)
DISPOSIO DAS PLACAS

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CARGA E DESCARGA DO CAPACITOR
Suponha que o capacitor esteja descarregado e em t=0s a chave do circuito abaixo
fechada.

As tenses no capacitor e resistor seguem as seguintes equaes:
V
C
=U*(1-e
-t/
) Eq. 1-16
V
R
=U*e
-t/
Eq. 1-17
onde =RC e chamada de constante de tempo do circuito.
Quando t=, a tenso no capacitor atinge 63% da tenso da fonte
CIRCUITOS COM CAPACITOR E RESISTOR
Resistor em srie com o capacitor

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Resistor em paralelo com o capacitor

Resistor em srie com capacitor e com um gerador de onda quadrada


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1.7 FILTRO PARA O RETIFICADOR
A tenso de sada de um retificador sobre um resistor de carga pulsante como
mostrador por exemplo na Figura 1-26. Durante um ciclo completo na sada, a tenso no
resistor aumenta a partir de zero at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No
entanto a tenso de uma bateria deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso
retificada na carga, torna-se necessrio o uso de filtro.
O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores o filtro com capacitor mostrado
na Figura 1-27. O capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga.
Para o entendimento do funcionamento do filtro supor o diodo como ideal e que, antes de
ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de
ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele
funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio ao
capacitor, ele carrega at o valor da tenso de pico U
P
.

Figura 1-27

Figura 1-28
Logo aps o pico positivo, o diodo pra de conduzir, o que significa uma chave aberta.
Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico U
P
. Como a tenso no
secundrio ligeiramente menor que U
P
, o diodo fica reversamente polarizado e no
conduz. Com o diodo aberto, o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. A
idia do filtro a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o
perodo do sinal de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte
de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte.
O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio iniciar a subir
e seja igual a tenso no capacitor. Ele conduzir deste ponto at a tenso no secundrio
atingir o valor de pico U
P
. O intervalo de conduo do diodo chamado de ngulo de
conduo do diodo. Durante o ngulo de conduo do diodo, o capacitor carregado
novamente at U
P
. Nos retificadores sem filtro cada diodo tem um ngulo de conduo
de 180.
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Na Figura 1-28 mostrada na tenso sob a carga. A tenso na carga agora uma
tenso cc mais estvel. A diferena para uma tenso cc pura uma pequena ondulao
(Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Naturalmente, quanto menor a
ondulao, melhor. Uma forma de reduzir a ondulao aumentar a constante de tempo
de descarga (R.C). Na prtica aumentar o valor do capacitor. Outra forma de reduzir a
ondulao optar pelo uso de um retificador de onda completa, no qual a freqncia de
ondulao o dobro do meia onda. Neste caso carregado duas vezes a cada ciclo da
tenso de entrada e descarrega-se s durante a metade do tempo de um meia onda.
Pode-se relacionar a tenso de ondulao na seguinte frmula:

fC
I
U
OND
= Eq. 1-18
onde:
U
OND
=tenso de ondulao pico a pico
I =corrente cc na carga
f =freqncia de ondulao
C =capacitncia
A escolha de um capacitor de filtro, depende, ento, do valor da tenso de ondulao.
Quanto menor, melhor. Mas no vivel que a tenso de ondulao seja zero. Como
regra de projeto, o habitual escolher a tenso de ondulao como sendo 10% da tenso
de pico do sinal a ser retificado.
CORRENTE DE SURTO (IMPULSIVA)
Instantes antes de energizar o circuito retificador, o capacitor do filtro est descarregado.
No momento em que o circuito ligado, o capacitor se aproxima de um curto. Portanto, a
corrente inicial circulando no capacitor ser muito alta. Este fluxo alto de corrente
chamado corrente de surto. Neste momento o nico elemento que limita a carga a
resistncia dos enrolamentos e a resistncia interna dos diodos. O pior caso, o
capacitor estar totalmente descarregado e o retificador ser ligado no instante em que a
tenso da linha mxima. Assim a corrente ser:

DIODO O ENROLAMENT
P
SURTO
R R
U
I
+
= Eq. 1-19
Esta corrente diminui to logo o capacitor v se carregando. Em um circuito retificador
tpico, a corrente de surto no uma preocupao. Mas, quando a capacitncia for muito
maior do que 1000uF, a constante de tempo se torna muito grande e pode levar vrios
ciclos para o capacitor se carregar totalmente. Isto tanto pode danificar os diodos quanto
o capacitor.
Um modo de diminuir a corrente de surto incluir um resistor entre os diodos e o
capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele somado ao enrolamento e
resistncia interna dos diodos. A desvantagem dele , naturalmente, a diminuio da
tenso de carga cc.





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1.8 DIODO ZENER
O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura.
Abaixo mostrado a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.

O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente. Mas
ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso
de ruptura.
A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de ruptura).
Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor limitador de
corrente. Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de reta
de carga.


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DIODO ZENER IDEAL
O zener ideal aquele que se comporta como uma chave fechada para tenses positivas
ou tenses negativas menores que V
Z
. Ele se comportar como uma chave aberta
para tenses negativas entre zero e V
Z
. Veja o grfico abaixo

SEGUNDA APROXIMAO
Uma Segunda aproximao considera-lo como ideal mas que a partir da tenso de
ruptura exista uma resistncia interna.

CORRENTE MXIMA NO ZENER
Z Z Z
I * V P =
Exemplo 1-3: Se um diodo zener de 12V tem uma especificao de potncia mxima de
400mW, qual ser a corrente mxima permitida?
SOL.:
mA 33 , 33
V 12
mW 400
I
ZMXIMA
= =
Este zener suporta at 33,3mA.
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REGULADOR DE TENSO COM ZENER
Objetivo: manter a tenso sobre a carga constante e de valor V
z
.


Tenso na carga
enquanto o diodo cortado

S
L S
L
RL
V *
R R
R
V
+
= Eq. 1-20
Com o diodo conduzindo reversamente
V
RL
=V
Z
Eq. 1- 21
Corrente sob R
S
.

S
Z S
S
R
V V
I

= Eq. 1- 22
sob R
L

I
L
=V
Z
/R
L
Eq. 1- 23
sob o zener
I
S
=I
Z
+I
L
! I
Z
=I
S
- I
L
Eq. 1- 24
Tenso de Ripple na carga (V
L
)
Considerando R
Z
<<R
L
, R
S


S
S
Z
L
V *
R
R
V = Eq. 1- 25

V
S
- variao de entrada
R
Z
- resistncia do zener
R
S
- resistncia da entrada
CLCULO DO RESISTOR DE CARGA R
S
.

ZMIN LMAX
Z SMIN
S
I I
V V
R
+

< Eq. 1- 25
garante a corrente mnima para a carga
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ZMAX LMIN
Z SMAX
S
I I
V V
R
+

> Eq. 1- 26
garante que sob o zener no circule uma corrente maior que I
ZMAX


Exemplo 1-4: Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15V a 20V e a corrente
de carga de 5 a 20mA. Se o zener tem V
Z
=6,8V e I
ZMAX
=40mA, qual o valor de R
S
?
SOL.:
R
S
<(15-6,8)/(20m+4m)=342 e R
S
>(20-6,8)/(5m+40m)=293 293<R
S
<342

1.9 CIRCUITO COM DIODOS
MULTIPLICADORES DE TENSO
Formado por dois ou mais retificadores que produzem uma tenso cc igual a um mltiplo
da tenso de pico da entrada (2V
p
, 3V
p
, 4V
p
)
DOBRADOR DE TENSO DE MEIA ONDA
No pico do semiciclo negativo, D
1
est polarizado diretamente e D
2
reversamente, isto faz
C
1
carregar at a tenso V
p
.
No pico do semiciclo positivo, D
1
est polarizado reverso e D
2
direto. Pelo fato da fonte e
C
1
estarem em srie, C
2
tentar se carregar at 2V
p
. Depois de vrios ciclos, a tenso
atravs de C
2
ser igual a 2V
p
.



Redesenhando o circuito e ligando uma resistncia de carga
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DOBRADOR DE TENSO DE ONDA COMPLETA

TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE TENSO

LIMITADORES
Retira tenses do sinal acima ou abaixo de um dado nvel.
Serve para mudar o sinal ou para proteo.
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LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR)

LIMITADOR POLARIZADO

ASSOCIAO DE LIMITADORES

USO COMO PROTEO DE CIRCUITOS

1N914 conduz quando a tenso de entrada excede a 5,7V.
Este circuito chamado grampo de diodo, porque ele mantm o sinal num nvel fixo.

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GRAMPEADOR CC
O grampeador cc soma uma tenso cc ao sinal (no confundir com grampo de diodo).
Por exemplo, se o sinal que chega oscila de -10V a +10V, um grampeador cc positivo
produziria uma sada que idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo
produziria uma sada entre 0 e -20V).





1.10 EXERCCIOS
Ex. 1-1)Num dado circuito, quando um diodo est polarizado diretamente, sua corrente
de 50mA. Quando polarizado reversamente, a corrente cai para 20nA. Qual a razo entre
a corrente direta e a reversa?
Ex. 1-2)Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta se a tenso
de diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA?
Ex. 1-3)Faa o grfico I*V de um resistor de 2k. marque o ponto
onde a corrente de 4mA.
Ex. 1-4)Suponha V
S
=5V e que a tenso atravs do diodo seja 5V.
O diodo est aberto ou em curto?
Ex. 1-5)Alguma faz com que R fique em curto no circuito ao lado.
Qual ser a tenso do diodo? O que acontecer ao diodo?
Ex. 1-6)Voc mede 0V atravs do diodo do circuito ao lado. A seguir voc testa a tenso
da fonte, e ela indica uma leitura de +5V com relao ao terra (-). O que h de errado
com o circuito?
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I
(mA)
100
50
.5 1 1.5 2 2.5 3 3,5 V

Ex. 1-7)Uma fonte de tenso de 2,5V leva o diodo a Ter um resistor limitador de corrente
de 25. Se o diodo tiver a caracterstica I*V abaixo, qual a corrente na extremidade
superior da linha de carga: a tenso na extremidade mais baixa da linha de carga? Quais
os valores aproximados da tenso e da corrente no ponto Q?
Ex. 1-8)Repita o exerccio anterior para uma resistncia de 50. Descreva o que
acontece com a linha de carga.
Ex. 1-9)Repita o Ex. 1-7 para uma fonte de tenso de 1,5V. o que acontece com a linha
de carga?
Ex. 1-10)Um diodo de silcio tem uma corrente direta de 50mA em 1V. Utilize a terceira
aproximao para calcular sua resistncia de corpo.
Ex. 1-11)A tenso da fonte de 9V e da resistncia da fonte de 1k. Calcule a corrente
atravs do diodo


Ex. 1-12)No circuito acima, a tenso da fonte de 100V e a resistncia da fonte de
220. Quais os diodos relacionados abaixo podem ser utilizados?

Diodo V
ruptura
I
MX
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1N914 75V 200mA
1N4001 50V 1A
1N1185 120V 35A

Ex. 1-13)E se eu inverter a polaridade da fonte?
Ex. 1-14)No circuito acima qual dever ser o valor de R para se obter uma corrente de
diodo de 10mA? (suponha V
S
=5V)
Ex. 1-15)Alguns sistemas como alarme contra roubo, computadores, etc. utilizam uma
bateria auxiliar no caso da fonte de alimentao principal falhar. Descreva como funciona
o circuito abaixo.

Ex. 1-16)Encontre a capacitncia de um capacitor de placas paralelas se a dimenso de
cada placa retangular de 1x0,5 cm, a distncia entre as placas 0,1mm e o dieltrico
o ar. Depois, encontre a capacitncia tendo a mica como dieltrico.

Ar
=8,85x10
-12

F/m
mica
=5x
ar

Vidro
=7,5x
ar

cermica
=7500x
ar

Ex. 1-17)Encontre a distncia entre as placas de um capacitor de 0,01F de placas
paralelas, se a rea de cada placa 0,07 m2 e o dieltrico o vidro.
Ex. 1-18)Um capacitor possui como dieltrico um disco feito de cermica com 0,5 cm de
dimetro e 0,521 mm de espessura. Esse disco revestido dos dois lados com prata,
sendo esse revestimento as placas. Encontre a capacitncia.
Ex. 1-19)Um capacitor de placas paralelas de 1 F possui um dieltrico de cermica de
1mm de espessura. Se as placas so quadradas, encontre o comprimento do lado de
uma placa.
Ex. 1-20)No instante t=0s, uma fonte de 100V conectada a um circuito srie formado
por um resistor de 1k e um capacitor de 2F descarregado. Qual :
A tenso inicial do capacitor?
A corrente inicial?
tempo necessrio para o capacitor atingir a tenso de 63% do seu valor mximo?
Ex. 1-21)Ao ser fechada, uma chave conecta um circuito srie formado por uma fonte de
200V, um resistor de 2M e um capacitor de 0,1F descarregado. Encontre a tenso no
capacitor e a corrente no instante t=0,1s aps o fechamento da chave.
Ex. 1-22)Para o circuito usado no problema 6, encontre o tempo necessrio para a
tenso no capacitor atingir 50V. Depois encontre o tempo necessrio para a tenso no
capacitor aumentar mais 50V (de 50V para 100V). Compare os resultados.
Ex. 1-23)Um simples temporizador RC possui uma chave que quando fechada conecta
em srie uma fonte de 300V, um resistor de 16M e um capacitor descarregado de 10F.
Encontre o tempo entre a abertura e o fechamento.

15v fonte

carga
12V
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Ex. 1-24)Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada, tem uma
tenso de pico na sada de 25V. Se a resistncia de carga for de 220 e a capacitncia
de 500F, qual a ondulao de pico a pico (Ripple)?
Ex. 1-25)A figura abaixo mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao
central aterrada, as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais as
tenses de sada para uma tenso do secundrio de 17,7Vac e C=500F? Qual a
ondulao de pico a pico? Quais as especificaes mnima de ID e VZ ? qual a
polaridade de C1 e C2?

Ex. 1-26)Voc mede 24Vac atravs dos secundrio da figura abaixo. Em seguida voc
mede 21,6Vac atravs do resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis.

Ex. 1-27)Voc est construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de
entrada. As especificaes so uma tenso de carga de 15V e uma ondulao de 1V
para uma resistncia de carga de 680. Qual a tenso em rms no enrolamento do
secundrio? Qual deve ser o valor do capacitor de filtro?
Ex. 1-28)A fonte de alimentao dividida da figura 1 tem uma tenso do secundrio de
25Vac. Escolha os capacitores de filtro, utilizando a regra dos 10 por cento para a
ondulao.
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Ex. 1-29)A tenso do secundrio na figura abaixo de 25Vac. Com a chave na posio
mostrada, qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais alta, qual a tenso
de sada ideal?

Ex. 1-30)O ampermetro da figura abaixo tem uma resistncia de medidor de 2k e uma
corrente para fundo de escala de 50A. Qual a tenso atravs desse ampermetro
quando ele indicar fundo de escala? Os diodos s vezes so ligados em derivao
(Shunted) atravs do ampermetro, como mostra a figura 4. Se o ampermetro estiver
ligado em srie com um circuito, os diodos podem ser de grande utilidade. Para que voc
acha que eles podem servir?

Ex. 1-31)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem um R
s
=680
e um R
z
=10. O segundo tem um R
s
=1,2k e R
z
=6. Se o Ripple da fonte for de 9V de
pico a pico, qual Ripple na sada?
Ex. 1-32)Na figura abaixo, o 1N1594 tem uma tenso de zener de 12V e uma resistncia
zener de 1,4. Se voc medir aproximadamente 20V para a tenso de carga, que
componente voc sugere que est com defeito? Explique por qu?

Ex. 1-33)Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificaes: tenso
da carga de 6,8V, tenso da fonte de 20V !20%, e corrente de carga de 30mA !50%.
Ex. 1-34) para V
RL
=4,7V e I
ZMAX
=40mA. Quais valores V
S
pode assumir?
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Ex. 1-35)No exerccio anterior qual a tenso na carga para cada uma das condies
abaixo:
diodo zener em curto
diodo zener aberto
resistor em srie aberto
resistor de carga em curto
O que ocorre com V
L
e com o diodo zener se o resistor em srie estiver em curto?
Ex. 1-36)Qual o sinal de sada?

Ex. 1-37)Qual o sinal sob V
L
?

Ex. 1-38)Um regulador zener tem V
z
=15V e I
zmax
=100mA. V
S
pode variar de 22 a 40V. R
L

pode variar de 1k a 50k. Qual o maior valor que a resistncia srie pode assumir?
Ex. 1-39)Um diodo zener tem uma resistncia interna de 5. Se a corrente variar de 10 a
20mA, qual a variao de tenso atravs do zener?
Ex. 1-40)Uma variao de corrente de 2mA atravs do diodo zener produz uma variao
de tenso de 15mV. Qual o valor da resistncia?
Ex. 1-41)Qual o valor mnimo de R
S
para o diodo no queimar (V
Z
=15V e P
ZMAX
=0,5W)?
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Ex. 1-42)no exerccio anterior, se R
S
= 2k, qual a corrente sobre o zener, e qual a
potncia dissipada no zener?
Ex. 1-43)Qual o valor de I
z
para R
L
=100k, 10k e 1k?

Ex. 1-44)No exerccio anterior suponha que a fonte tenha um Ripple de 4V. Se a
resistncia zener for de 10, qual o Ripple de sada?
Ex. 1-45)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem uma
resistncia em srie de 680 e um R
z
=6. O segundo tem uma resistncia srie de 1k2
e R
z
=6. Se a ondulao da fonte for 9V de pico a pico, qual a ondulao na sada?


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2 2 T TR RA AN NS SI IS ST TO OR R B BI IP PO OL LA AR R
Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, como
por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de
uma cabea de gravao, etc., e para transforma-los em sinais teis torna-se necessrio
amplifica-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa. Em
1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no
diodo de juno, como uma alternativa em relao as vlvulas, para realizar as funes
de amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir da o desenvolvimento da
eletrnica foi imenso.
Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo
estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes
pn, enquanto o diodo por apenas uma juno.
2.1 FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES
O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois cristais
tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de transistor
npn e o segundo de pnp. Na Figura 2-1 so mostrados de maneira esquemtica os dois
tipos:

Figura 2-1
Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua
funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois
cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de
emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal
tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia.
Apesar de na Figura 2-1 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si
no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base, e
outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois
diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor - base (ou s
emissor) e o da direita de coletor - base (ou s coletor).
Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp similar ao
do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas
em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes invertidas se
comparadas com o npn.




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TRANSISTOR NO POLARIZADO

Figura 2-2
A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada
camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C.
Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem
larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco
na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor. A

Figura 2-2 mostra as camadas de depleo nas junes do transistor npn.
POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN
As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.
JUNES COM POLARIZAO DIRETA
Na Figura 2-3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2 polariza
diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se
na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes.

Figura 2-3
JUNES COM POLARIZAO REVERSA
Na Figura 2-4 os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A corrente
eltrica circulando pequena (corrente de fuga).
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Figura 2-4
JUNES COM POLARIZAO DIRETA - REVERSA
Na Figura 2-5 o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretamente
polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta
corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes
so altas.

Figura 2-5
No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do
emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (V
BE
)
for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes
eltrons na base podem retornar ao plo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno
do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a
bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base
pouco dopada.
Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno base-
coletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores
majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres.
Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coletor.
L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em
direo a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao
plo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo
positivo da bateria B2. Ver Figura 2-6.
Obs. Considerar a tenso coletor - base (V
CB
) bem maior que a tenso emissor - base
(V
BE
).
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Figura 2-6
TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa
que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres.
O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte
dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual
a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp.
Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e
capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn.
Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com
transistores npn.
AS CORRENTES NO TRANSISTOR

Figura 2-7
A Figura 2-7
Figura 2-7 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A diferenciao a
nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta
mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das
correntes convencionais I
B
, I
C
e I
E
.
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a
soma das que saem. Ento:
I
E
=I
C
+I
B
Eq. 2- 1
A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base chamada
de ganho de corrente
CC
:
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B
C
CC
I
I
= Eq. 2- 2
Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de
emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro
cc
de um transistor
indica a relao entre a corrente de emissor e coletor:

E
C
CC
I
I
= Eq. 2- 3
Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o
cc
.
Pode-se relacionar o
cc
com o
CC
:
!
CC
=!
CC
/(1 - !
CC
) Eq. 2- 4
TESTE DE DIODOS E TRANSISTORES.
Uma maneira simples mostrada a seguir para se testar diodos e transistores utilizando
um ohmmetro.
Teste de funcionamento de um diodo com um ohmmetro.
1. Encosta-se a ponta de prova negativa no ctodo
2. Encosta-se a ponta de prova positiva no nodo
O ohmmetro deve indicar resistncia baixa.
3. Inverte-se as pontas de provas, a resistncia deve ser alta.
Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmmetro
1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor
2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor
O ohmmetro deve indicar resistncia alta.
3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor
O ohmmetro deve indicar resistncia alta.
4. Inverte-se as pontas de provas, isto , encosta-se a positiva na base e repete
os itens 2 e 3. As resistncias devem ser baixas.
Isto vlido para os multmetros digitais. Em geral, nos multmetros analgicos, a ponta
de prova positiva est ligada ao plo negativo da bateria.
MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR
Na Figura 2-8, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Neste
caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm da montagem em
emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum, analisadas
mais a frente. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm
a tenso V
BE
e malha da direita com a tenso V
CE
.

BE B S S
V I R V + = Eq. 2- 5

CE C C CC
V R I V + = Eq. 2- 6
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Figura 2-8
RELAO I
B
VERSUS V
BE

Existe uma relao entre I
B
e V
BE
, ou seja, para cada I
B
existe uma tenso V
BE

correspondente (Figura 2-9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.

Figura 2-9
RELAO I
C
VERSUS V
CE

A partir de V
CC
e V
S
possvel obter diversos valores de I
C
e V
CE
. a Figura 2-10 mostra
esta relao supondo um I
B
fixo.

Figura 2-10
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A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem
e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do V
CE

no influencia no valor de I
C
. I
C
mantm-se constante e igual a I
B

CC
. A parte final a
regio de ruptura e deve ser evitada.
Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o
funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia
hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao I
C
=I
B

CC
.
Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessrio uma polarizao
reversa do diodo coletor. Como V
BE
na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um
V
CE
maior que 1V.
A regio de corte um caso especial na curva I
C
x V
CE
. quando I
B
=0 (eqivale ao
terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada
por I
CEO
(corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito
pequena, quase zero. Em geral se considera: Se I
B
=0 !I
C
=0.
O grfico da Figura 2-10, mostra a curva I
C
x V
CE
para um dado I
B
. Habitualmente o
grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos I
B
s. Um exemplo est na
Figura 2-11.
Notar no grfico que para um dado valor de V
CE
existem diversas possibilidades de
valores para I
C
. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de I
B
. Ento para cada I
B

h uma curva relacionando I
C
e V
CE
.
No grfico de exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para
um I
B
=40A tem-se que o
CC
=I
C
/I
B
=8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de I
B
, o

CC
se mantm constante na regio ativa.
Na realidade o
CC
no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente
e mesmo com I
C
. A variao de
CC
pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do
transistor. Na Figura 2-12 mostrado um exemplo de variao de
CC
.
Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo
a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se os
circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e
saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente
usados em circuitos digitais.

Figura 2-11
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Figura 2-12
O MODELO DE EBERS-MOLL
Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em trabalhar com
o transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito equivalente para o
transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor.
O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente do transistor levando em considerao
que ele esteja trabalhando na regio ativa, ou seja: o diodo emissor deve estar polarizado
diretamente; o diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tenso do diodo
coletor deve ser menor do que a tenso de ruptura. Veja Figura 2-13.
O modelo faz algumas simplificaes:
1. V
BE
=0,7V
2. I
C
=I
E
!I
B
=I
E
/ !
CC

3. despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a
resistncia de espalhamento da base .

Figura 2-13 Modelo Ebers-Moll
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3 3 P PO OL LA AR RI IZ ZA A O O D DE E T TR RA AN NS SI IS ST TO OR RE ES S
Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os transistores para
cada funo tem um ponto de funcionamento correto. Este captulo estuda como
estabelecer o ponto de operao ou quiescente de um transistor. Isto , como polariza-lo.
3.1 RETA DE CARGA
A Figura 3-1 mostra um circuito com polarizao de base. O problema consiste em saber
os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. Uma opo o uso da reta
de carga.

Figura 3-1
a conceito de reta de carga estudado no captulo sobre diodos, tambm se aplica a
transistores. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente I
C
e V
CE

considerando a existncia de um R
C
. A anlise da malha esquerda fornece a corrente I
C
:
I
C
=(V
CC
- V
CE
)/ R
C
Eq. 3- 1
Nesta equao existem duas incgnitas, I
C
e V
CE
. A soluo deste impasse utilizar o
grfico I
C
x V
CE
. Com o grfico em mos, basta Calcular os extremos da reta de carga:
V
CE
=0 !I
C
=V
CC
/ R
C
ponto superior Eq. 3- 2
I
C
=0 !V
CE
=V
CC
ponto inferior Eq. 3- 3
A partir da reta de carga e definido uma corrente I
B
chega-se aos valores de I
C
e V
CE
.
Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha R
B
=500 Construa a linha de carga no
grfico da Figura 3-2 e mea I
C
e V
CE
de operao.
SOL.: Os dois pontos da reta de carga so:
V
CE
=0 !I
C
=V
CC
/ R
C
(15 )/1k5 =10mA ponto superior
I
C
=0 !V
CE
=V
CC
=15V ponto inferior
O corrente de base a mesma que atravessa o resistor R
B
:
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A 29
K 500
7 , 0 15
I
B
=

=

Figura 3-2
Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de I
C
=6mA e
V
CE
=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q- ponto quiescente).
O ponto Q varia conforme o valor de I
B
. um aumento no I
B
aproxima o transistor para a
regio de saturao, e uma diminuio de I
B
leva o transistor regio de corte. Ver Figura
3-3
O ponto onde a reta de carga intercepta a curva I
B
=0 conhecido como corte. Nesse
ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (I
CEO
).
A interseo da reta de carga e a curva I
B
=I
B(SAT)
chamada saturao. Nesse ponto a
corrente de coletor mxima.


Figura 3-3
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3.2 O TRANSISTOR COMO CHAVE
A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando uma
operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga.
Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor
para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta.
CORRENTE DE BASE
A corrente de base controla a posio da chave. Se I
B
for zero, a corrente de coletor
prxima de zero e o transistor est em corte. Se I
B
for I
B(SAT)
ou maior, a corrente de
coletor mxima e o transistor satura.
Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a corrente de
base apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de
carga. No aconselhvel a produo em massa de saturao fraca devido variao
de
CC
e em I
B(SAT)
.
Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor
para todas as variaes de valores de
CC
. No pior caso de temperatura e corrente, a
maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem um
CC
maior do que 10.
Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar um

CC(SAT)
=10, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um
dcimo do valor saturado da corrente de coletor.
Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado
por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada?
SOL.: Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste caso, ele se
comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de coletor, a tenso de
sada iguala-se a +5V.

Figura 3-4
Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:
mA 43 , 1
K 3
7 , 0 5
I
B
=

=
Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado). A
tenso de sada vai a zero e a corrente de saturao ser:
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mA 2 , 15
330
5
I
) SAT ( C
= =
Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja, certamente h
uma saturao forte no circuito.
No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de 5V e uma
tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este circuito chamado
de porta inversora e tem a representao abaixo:

Exemplo 3-3 Recalcule os resistores R
B
e R
C
no circuito da Figura 3-4 para um I
C
=10mA.
SOL.: Clculo de I
B

Se I
C
=10mA ! I
B

(sat)
=I
C
/
CC(SAT)
=10m /10 =1,0mA
Clculo de R
C

ao considerar o transistor saturado, o V
CE
de saturao prximo de zero.
R
C
=V
CC
/ I
C
=5 /10mA =500
Clculo de R
B

R
B
=V
E
- V
BE
/ I
B
=5 - 0.7 / 1mA =4k3
3.3 O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
A Figura 3-5 mostra um transistor como fonte de corrente. Ele tem um resistor de emissor
R
E
entre o emissor e o ponto comum. A corrente de emissor circula por esse resistor
produzindo uma queda de tenso de I
E
R
E
.

Figura 3-5
A soma das tenses da malha de entrada da :
V
BE
+I
E
R
E
- V
S
=0
logo, I
E

E
BE S
E
R
V V
I

=
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Como V
BE
, V
S
, e R
E
so aproximadamente constantes, a corrente no emissor constante.
Independe de
CC
, R
C
ou da corrente de base.
3.4 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM
Fontes de alimentao e resistores
polarizam um transistor, isto , eles
estabelecem valores especficos de tenses
e correntes nos seus terminais,
determinando, portanto, um ponto de
operao no modo ativo (o ponto de
operao).
A Figura 3-6 mostra o circuito de
polarizao por base j estudado
anteriormente, a principal desvantagem
dele a sua susceptibilidade variao do

CC
. Em circuitos digitais, com o uso de

CC(SAT)
, isto no problema. Mas em
circuitos que trabalham na regio ativa, o
ponto de operao varia sensivelmente com
o
CC
. Pois:
B CC C
I I = .
POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO
O circuito mais usado em amplificadores chamado de
polarizao por divisor de tenso. A Figura 3-7 mostra o circuito.
A principal evoluo do circuito em relao ao polarizao por
base de fixar uma tenso na base, via os resistores R
1
e R
2
. O
valor de I deve ser bem maior que I
B
para a corrente I
B
no
influenciar na tenso sob R
2.
Como regra prtica, considerar a
corrente I 20 vezes maior que I
B
.
Para a anlise da tenso em V
R2
, observar que R
1
e R
2
formam
um divisor de tenso. Supondo I>>I
B
:
CC
2 1
2
2 R
V
R R
R
V
+
= Eq. 3- 4
* a tenso V
R2
no depende de
CC

Com o valor de V
R2
simples o clculo de I
E
. Deve-se olhar a malha de entrada:

E BE 2 R
V V V + = Eq. 3- 5
como V
E
=I
E
R
E


E
BE 2 R
E
R
V V
I

= Eq. 3- 6
Anlise da malha de sada:
E E CE C C CC
I R V I R V + + =
considerando I
E
=I
C


Figura 3-6

Figura 3-7
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CE E C C CC
V ) R R ( I V + + = Eq. 3- 7

E C
CE CC
C
R R
V V
I
+

= Eq. 3- 8
Notar que
CC
no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer dizer que o
circuito imune a variaes em
CC
, o que implica um ponto de operao estvel. Por
isso a polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada.
Exemplo 3-4 Encontre o V
B
, V
E
, V
CE
e I
E
para o circuito da Figura 3-8.
SOL.: Clculo de V
R2
a partir da Eq. 3-4
V 85 , 3 30
K 1 8 K 6
K 1
V V
2 R B
=
+
= =
Clculo de I
E
a partir da Eq. 3-6
mA 2 , 4
750
7 , 0 85 , 3
I
E
=

=
clculo de V
E

V
E
=I
E
R
E
=4,2m*750=3,15V
clculo de V
CE
a partir da Eq. 3-7
V
CE
=30- 4,2m*(3k+750)=14,3V

REGRAS DE PROJETO
Sempre ao polarizar um transistor, deseja-se manter o ponto Q de
operao fixo independente de outros parmetros externos. ou seja,
espera-se um divisor de tenso estabilizado. Para minimizar o efeito
do
CC
, considerar:
E CC 2
R 01 , 0 R Eq. 3- 9
onde o valor de
CC
o do pior caso, ou seja, o menor
CC
que o
transistor pode ter.
O defeito desta regra, o fato de um baixo R
2
influenciar
negativamente na impedncia de entrada. Ento como opo pode-
se considerar
E CC 2
R 1 , 0 R Eq. 3- 10
assim R
2
ser maior, mas com possibilidade de degradao na
estabilidade do ponto Q. Quando se segue a regra da Eq. 3-10
designa-se o circuito de polarizao por divisor tenso firme e quando se segue a regra
da Eq. 3-9 polarizao por divisor de tenso estabilizado.
Na escolha do ponto de operao da curva I
C
x V
CE
, deve-se dar preferncia a um ponto
central, isto , V
CE
=0,5 V
CC
ou I
C
=0,5 I
C(SAT)
. De forma que o sinal possa excursionar ao
mximo tanto com o aumento de I
B
quanto com a diminuio.
Por ltimo, aplicar a regra de V
E
ser um decimo de
VCC
.
V
E
=0,1
VCC
Eq. 3- 11
Exemplo 3-5 Polarizar um transistor por diviso de tenso firme. Dados:

Figura 3-8
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V
CC
=10V, I
C
=10mA e
CC
=100
SOL.: Clculo de R
E
aplicando a regra da Eq. 3-11
V
E
=0,1*10=1V
I
E
=I
C

R
E
=V
E
/ I
E
=100
clculo de R
C
a partir da Eq. 3-8 e V
CE
=0,5 V
CC

=

= 400 100
m 10
5 10
R
C

clculo de R
2
a partir da Eq. 3-10
1000 100 * 100 * 1 , 0 R
2
=
R
2
=1000
clculo de R
1
Eq. 3-4
10 *
R 1000
1000
7 , 0 0 , 1 V
R R
R
V
1
CC
2 1
2
2 R
+
= + =
+
=
R
1
=4888=4k7
3.5 EXERCCIOS
Ex. 3-1) No circuito da figura abaixo, encontre as tenses V
E
e V
CE
de cada estgio.

Ex. 3-2) Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso com as seguintes
especificaes: V
CC
=20V, I
C
=5mA, 80<
CC
<400.
Considere V
E
=0,1 V
CC
e V
CE
=V
CC
/2
Ex. 3-3) O transistor da figura abaixo tem um
CC
=80.
Qual a tenso entre o coletor e o terra?
Desenhe a linha de carga.
Para
CC
=125, calcule a tenso na base, a tenso no emissor e a tenso de
coletor.
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Ex. 3-4) Qual a tenso do emissor e do coletor (os dois em relao ao terra) para cada
estgio do circuito abaixo, sendo V
CC
=10V.

Ex. 3-5) No exerccio anterior, suponha V
CC
=20V e calcule de cada estgio: V
B
, V
E
, V
C
e
I
C
.
Ex. 3-6) Ainda em relao ao exerccio 4. Considere V
CC
=20V.
Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se:
1k8 aberto
coletor emissor do Q1 em curto
240 aberto
240 em curto
300 em curto
1k aberto
910 aberto
Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se:
1k aberto 1k em curto
180 aberto 180 em curto
620 aberto 620 em curto
coletor emissor de Q3 em curto coletor emissor de Q3 aberto
150 aberto 150 em curto
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4 4 A AM MP PL LI IF FI IC CA AD DO OR RE ES S D DE E S SI IN NA AL L
4.1 AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM
No captulo anterior foi estudado a polarizao dos transistores. Neste captulo considera-
se os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operao prximos a
meio da reta de carga para uma mxima excurso do sinal de entrada sem distoro.
Ao injetar um pequeno sinal ca base do transistor, ele se somara a tenses cc de
polarizao e induzir flutuaes na corrente de coletor de mesma forma e freqncia.
Ele ser chamado de amplificador linear
(ou de alta-fidelidade - Hi-Fi) se no
mudar a forma do sinal na sada. Desde
que a amplitude do sinal de entrada seja
pequena, o transistor usar somente
uma pequena parte da reta de carga e a
operao ser linear. Por outro lado se o
sinal de entrada for muito grande, as
flutuaes ao longo da reta de carga
levaro o transistor saturao e ao
corte
Um circuito amplificador mostrado na
Figura 4-2. A polarizao por divisor de
tenso. A entrada do sinal acoplada
base do transistor via o capacitor C
1
e a
sada do sinal acoplada carga R
L
atravs do capacitor C
2
. O capacitor funciona como
uma chave aberta para corrente cc e como chave fechada para a corrente alternada. Esta
ao permite obter um sinal ca de uma estgio para outro sem perturbar a polarizao cc
de cada estgio.

Figura 4-2
Figura 4-1
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CAPACITOR DE ACOPLAMENTO
O capacitor de acoplamento faz a passagem de um
sinal ca de um ponto a outro, sem perda
significativa do sinal. Por exemplo na Figura 4-3 a
tenso ca no ponto A transmitida ao ponto B.
Para no haver atenuao aprecivel do sinal, a
capacitncia reativa X
C
, comparada com a
resistncia em srie (R
TH
e R
L
), precisa ser bem
menor.
Quanto menor a reatncia capacitiva, melhor ser
o acoplamento, naturalmente no possvel uma
reatncia nula. Se a reatncia for no mximo 10%
da resistncia total tem-se um acoplamento
estabilizado. A frmula da reatncia capacitiva :

fC 2
1
X
C

= Eq. 4- 1
Na Eq. 4-1, h duas incgnitas, a freqncia e a capacitncia. Num amplificador existe
um faixa de freqncias de operao, a escolha deve recair para o pior caso, ou seja, a
menor freqncia do sinal.
A resistncia total (R) a soma de R
L
e R
TH
. Para um acoplamento estabilizado
R 1 , 0 X
C
. ento a capacitncia ser:

R f 2 , 0
1
C
MENOR

Eq. 4- 2
Exemplo 4-1 Suponha o projeto de um estgio com transistor na faixa de udio, 20 Hz a
20kHz. O sinal de entrada entra no estgio via capacitor de acoplamento. Qual o valor
mnimo para o capacitor se ele perceber uma resistncia total de 10 k?
SOL.: Clculo do X
C
! R 1 , 0 X
C
=0,1*1000=100
A escolha da freqncia recai sobre a de menor valor f=20Hz.
F 9 , 79
1000 * 20 * * 2 , 0
1
C =

! A capacitncia deve ser igual ou maior que 79,9F


CAPACITOR DE DESVIO
Um capacitor de desvio semelhante a um capacitor
de acoplamento, exceto que ele acopla um ponto
qualquer a um ponto aterrado, como mostra a Figura 4-
4. O capacitor funciona idealmente como um curto para
um sinal ca. O ponto A est em curto com o terra no
que se refere ao sinal ca. O ponto A designado de terra
ca. Um capacitor de desvio no perturba a tenso cc no
ponto A porque ele fica aberto para corrente cc.
O capacitor C
3
da Figura 4-2 um exemplo de
capacitor de desvio. A sua funo no circuito a de
aterrar o emissor para sinais ca e no interferir na
polarizao cc.
A menos que se diga o contrrio, todos os capacitores de acoplamento e desvio so
considerados estabilizados e segue a regra X
C
<=0,1R.

Figura 4-3

Figura 4-4
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TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES
Num amplificador transistorizado, a fonte cc estabelece correntes e tenses quiescentes.
A fonte ca produz ento, flutuaes nessas correntes e tenses. O jeito mais simples de
anlise do circuito dividindo a anlise em duas partes: uma anlise cc e uma anlise ca.
Em outras palavras, aplica-se o teorema da superposio.
O teorema da superposio diz que se pode calcular os efeitos produzidos no diversos
pontos de um circuito para cada fonte de alimentao funcionando sozinha. O efeito total
ser a soma de cada efeito individual.
CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC.
O circuito da Figura 4-2 tem duas fontes de alimentao (V
CC
e V
S
). Cria-se o circuito
devido a fonte cc denominado equivalente cc. E depois o circuito devido a fonte ca
denominado equivalente ca.
EQUIVALENTE CC
Anlise do circuito considerando a fonte V
CC
e desprezando a fonte V
S
. Somente
correntes cc atuam neste caso e, portanto, os capacitores so desprezados. Seqncia:
Reduzir a fonte ca a zero (considerar a fonte V
S
em curto).
Abrir todos os capacitores.
A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc.

Figura 4-5
EQUIVALENTE CA
Anlise do circuito considerando a fonte V
S
e desprezando a fonte V
CC
. Somente
correntes ca atuam neste caso e, portanto, os capacitores so considerados em curto.
Seqncia:
Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte V
CC
em curto).
Todos os capacitores em curto.
A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca.
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Figura 4-6
A corrente total em qualquer ramo a soma das correntes cc e ca. Igualmente a tenso
total em qualquer ponto soma das tenses cc e ca.
NOTAO
A partir daqui, conveniente distinguir os sinais contnuos dos alternados. Para isto as
variveis com suas letras e ndices passam a ter a seguinte conveno:
letra e ndices maisculos para as quantidades cc.! I
C
, V
E
, V
CC
.
Letras e ndices minsculos para as quantidades ca.! i
c
, v
e
, v
s
.
Sinal negativo para indicar tenses ou correntes senoidais 180 fora de fase. Figura 4-7

Figura 4-7
RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR
Ao polarizar corretamente o transistor, o modelo Ebers-Moll uma alternativa boa e
simples de representao do transistor. At agora, o V
BE
foi aproximado para 0,7V. O
modelo continua vlido para pequenos sinais alternados, com uma alterao no diodo
emissor.
A Figura 4-8 mostra a curva do diodo relacionando I
E
e V
BE
. Na ausncia de um sinal ca o
transistor funciona no ponto Q, geralmente localizado no meio da linha de carga cc.
Quando um sinal ca aciona o transistor, entretanto, a corrente e a tenso do emissor
variam. Se o sinal for pequeno, o ponto de funcionamento oscilar senoidalmente de Q a
pico positivo de corrente em A e, a seguir, para um pico negativo em B, e de volta para Q,
onde o ciclo se repete.
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Figura 4-8
Um sinal considerado pequeno quando a oscilao de pico a pico na corrente do
emissor (i
e
) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emissor (I
E
).
Se o sinal for pequeno, os picos A e B sero prximos de Q, e o funcionamento
aproximadamente linear. O arco A e B quase uma linha reta. Logo, o diodo emissor
para pequenos sinais ca se apresenta como uma resistncia, chamada de resistncia ca
do emissor e pela lei de Ohm:

E
BE '
e
I
V
r

= Eq. 4- 3
onde:
r

e
=resistncia ca do emissor
V
BE
pequena variao na tenso de base-emissor
I
E
variao correspondente na corrente do emissor.

V
BE
e I
E
, na verdade so, respectivamente, uma tenso e uma corrente alternada.
Rescrevendo:

e
be '
e
i
v
r = Eq. 4- 4
v
be
=tenso ca atravs dos terminais da base-emissor
i
e
=corrente ca atravs do emissor.
A Figura 4-9 mostra o modelo ca Ebers-Moll. Neste modelo, o diodo base-emissor
substitudo pela resistncia ca do emissor.
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Figura 4-9
Uma outra maneira de se conseguir o valore de r

e
atravs da seguinte frmula:
= r
mV
I
e
E
25
Eq. 4- 5
Obs.: r

e
depende s de I
E
de polarizao.

CA
- GANHO DE CORRENTE ALTERNADA
A Figura 4-10 mostra a curva I
C
x I
B
.
CC
a razo entre a corrente de coletor e a corrente
de base. Como o grfico no linear,
CC
depende do valor do ponto Q. O ganho de
corrente ca (chamado de
ca
ou simplesmente ) a relao entre a variao da corrente
de coletor e a variao da corrente de base para pequenos sinais em torno do ponto Q.

b
c
B
C
i
i
I
I
=

= Eq. 4- 6
Graficamente

a inclinao da curva no ponto Q. Ele pode assumir diversos valores
dependendo da posio Q.
4.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO
A Figura 4-11mostra um circuito com um capacitor de desvio ligado ao emissor. O
capacitor aterra o emissor em termos de ca. A fonte v
s
injeta uma pequena onda senoidal
base do transistor atravs do capacitor de acoplamento. Esta onda faz variar a tenso
de v
be
e pela curva da Figura 4-8 induz uma variao no i
e
. Como a corrente de coletor
praticamente igual a corrente de emissor, h uma queda de tenso proporcional no R
C
.
Sendo mais preciso, um pequeno aumento na tenso v
s
, aumenta a tenso de base-
emissor, que por sua vez aumenta a corrente i
e
, como i
c
igual a i
c,
h uma queda de
tenso nos terminais do R
C
o que culmina com uma queda de tenso de v
ce
. Em suma
uma variao positiva de v
s
produz uma variao negativa em v
ce
, isto significa que os
sinais de entrada e sada esto defasados de 180. Veja a Figura 4-12.
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Figura 4-10

Figura 4-11
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Figura 4-12
GANHO D E TENSO
O ganho de tenso :

entrada
sada
V
v
v
A = Eq. 4- 7

Figura 4-13
A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para amplificador da Figura 4-11, o resistor
do coletor R
C
e R
1
tem um dos lados aterrado, porque a fonte de tenso V
CC
aparece
como um curto em ca. Por causa do circuito paralelo na entrada, a tenso v
s
aparece
diretamente sobre diodo emissor. Na Figura 4-14 o mesmo circuito ao considerar o
modelo Ebers-Moll.
A tenso de entrada aparece com uma polaridade mais - menos para indicar o semiciclo
positivo. A lei de Ohm aplicada em r

e
:

'
e
s
e
r
v
i = Eq. 4- 8
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Figura 4-14
na Figura 4-14, a malha do lado direito tem dois resistores em paralelo R
C
e R
L
. O resistor
equivalente :
r
C
=R
L
// R
C

na malha do lado direito a tenso de sada a tenso sobre o resistor equivalente r
C
.

C c sada
r i v = Eq. 4- 9
ento o ganho

'
e e
C c
entrada
sada
V
r i
r i
v
v
A

= = Eq. 4- 10
como a corrente do coletor aproximadamente igual a corrente do emissor

'
e
C
V
r
r
A = Eq. 4- 11
4.3 REALIMENTAO
Quando uma parte do sinal de sada de um circuito aplicado de volta entrada do
mesmo, dizemos que houve uma realimentao no circuito. Quando o sinal aplicado
novamente entrada do circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada,
este processo designado como realimentao positiva. Por outro lado, se o sinal
reaplicado na entrada tiver fase oposta ao sinal j existente na entrada, o nome dado
realimentao negativa.
A realimentao negativa mais aplicada nos amplificadores e, a realimentao positiva,
na maioria dos circuitos osciladores.
A realimentao negativa em amplificadores tem como desvantagem a diminuio do
ganho, dado que ela subtrai parcialmente a tenso de entrada. A sua grande vantagem
estabilizao do circuito. O prximo item analisa um circuito com realimentao negativa,
observando a questo do ganho e da estabilidade.
4.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
No amplificador de emissor comum a tenso de sada inversamente proporcional a r

e
.
E o valor de r

e
depende do ponto de operao. Isto um problema para a tenso de
sada, pois, ela se torna susceptvel as variaes de temperatura e troca de transistor.
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Naturalmente nos amplificadores com controle de volume (tenso de entrada), o
problema contornvel.
Mas nem todos o amplificadores tem este controle. Uma opo para estabilizar o ganho
de tenso deixar uma certa resistncia de emissor sem ser desviada. Esse resistor no
desviado recebe o nome de resistor de realimentao porque ele produz uma
realimentao negativa. Veja Figura 4-15.

Figura 4-15
A corrente ca do emissor deve circular atravs do
resistor R
E1
antes de passar pelo capacitor de desvio
e pelo ponto de aterramento. Sem o resistor de
realimentao o diodo emissor recebe toda a tenso
ca de entrada (como mostrado na Eq. 4-8). No
entanto com a incluso do R
E1
, a tenso ca aparece
no diodo e no R
E1
. Ou seja:
1 E
R be s
v v v + =
ou
1 E
R s be
v v v =
Quando a tenso de entrada aumenta, a tenso no
emissor aumenta. Isso implica que a tenso de
realimentao est em fase com a tenso ca de
entrada. Como resultado, a tenso ca no diodo
emissor menor que antes. A realimentao
negativa porque a tenso de realimentao diminui a
tenso ca no diodo emissor e portanto a corrente i
e
.
Na Figura 4-16 est o equivalente ca do amplificador com realimentao parcial.
a equao da corrente de emissor :
r

e

Figura 4-16
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1 E
'
e
s
e
R r
v
i
+
=
a tenso de sada o mesmo que da Eq. 4-9:
C c sada
r i v =
considerando i
c
=i
e

1 E
'
e
C
'
e e
C c
entrada
sada
V
R r
r
r i
r i
v
v
A
+
=

= = Eq. 4- 12
Em geral o valor de R
E1
bem maior que o de r

e
e o ganho de tenso passa a no ser
influenciado pelas variaes de r

e
. Em contrapartida, quanto maior o R
E1
menor ser o
ganho de tenso. Em suma, existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de
tenso e o valor do ganho.
IMPEDNCIA DE ENTRADA
No circuito da Figura 4-15 a tenso de entrada aplicada diretamente na base do
transistor. No entanto, na maioria das aplicaes a fonte v
s
tem uma resistncia em srie
como mostrado na Figura 4-17.

Figura 4-17
Para uma anlise mais detalhada do
comportamento ca, deve-se primeiro criar o
equivalente ca como mostrado na Figura 4-18.
No circuito equivalente, pode-se ver um divisor
de tenso do lado da entrada do transistor. Isso
significa que a tenso ca na base ser menor
que a tenso v
s
.
O divisor de tenso formado pelo resistor R
S
e
os resistores R
1
//R
2
. Mas como na base do
transistor entra uma corrente i
b
, ela deve ser
considerada. A resistncia ca vista da base
conhecida como impedncia de entrada da
base. Abaixo de 100kHz basta considerar os

Figura 4-18
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elementos puramente resistivos.
A impedncia de entrada da base a razo entre a tenso aplicada na base (v
b
) e a
corrente i
b
.

b
b
base
i
v
z = Eq. 4- 13
Para descobrir a impedncia da base melhor aplicar o modelo de Ebers-Moll no circuito
da Figura 4-18.

Figura 4-19
atravs do circuito possvel saber o valor v
b
em funo de r

e
.
v
b
=i
e
r

e

e a partir da Eq. 4-13:

'
e
b
'
e b
b
'
e e
b
b
base
r
i
r i
i
r i
i
v
z =

= = = Eq. 4- 14
a impedncia de entrada do estgio (z
ent
) a resultante do paralelo de R
1
, R
2
e z
base.

'
e 2 1 base 2 1 ent
r // R // R z // R // R z = = Eq. 4- 15
A tenso ca na base o divisor de tenso R
S
com a impedncia de entrada do estgio

s
ent S
ent
b
v
z R
z
v
+
= Eq. 4- 16
No amplificador com realimentao parcial, aplica-se a mesma regra, a nica diferena
a impedncia de entrada da base. Ela ser:
) R r ( z
1 E
'
e base
+ = Eq. 4- 17
ESTGIOS EM CASCATA
Para obter um maior ganho de tenso na sada de um amplificador, usual conectar dois
ou mais estgios em srie, como mostra a Figura 4-20. Este circuito chamado de
estgios em cascata, porque conecta a sada do primeiro transistor base do seguinte.
Abaixo uma seqncia de valores a serem calculados para anlise de um amplificador de
dois estgios:
1. a impedncia de entrada do 2 estgio.
2. A resistncia ca do coletor do 1 estgio.
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3. O ganho de tenso do 1 estgio.
4. A tenso de entrada do 1 estgio
5. O ganho de tenso de 2 estgio.
6. O ganho de tenso total.

Figura 4-20
A polarizao cc analisada individualmente, os
capacitores de acoplamento isolam os dois estgios
entre si e tambm da entrada v
s
e sada R
L
(o
resistor de carga pode, por exemplo, estar
representando um terceiro estgio).
Os dois estgios so idnticos para polarizao cc.
V
B
=1,8V V
E
=1,1V I
E
=1,1mA V
C
=6,04V
com o valor de I
E
, tem-se r

e
:
r

e
=25mV/ I
E
=22,7
ANLISE DO PRIMEIRO ESTGIO
O equivalente ca mostrado na Figura 4-21:
O segundo estgio age como uma resistncia de
carga sobre o primeiro. O valor desta carga a
impedncia de entrada do segundo estgio z
entb
.
Supondo

=100:
= = = k 1 7 , 22 * 100 // 2 k 2 // k 10 r // R // R z
'
e A 2 A 1 entb

na Figura 4-21, R
C
est em paralelo com z
entb
:
r
c
=R
C
//z
entb
=3,6k//1k=783
o ganho de sada do primeiro estgio

Figura 4-21
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A
V
=-783/22,7=-34,5
O primeiro e segundo estgios tem a mesma impedncia de entrada
pp b
mV 625 , 0 m 1 *
600 k 1
k 1
v =
+
=
logo a tenso ca de sada do primeiro estgio
v
c
=-34,5*o,625=-21,6mV
pp

ANLISE DO SEGUNDO ESTGIO
O equivalente ca para o segundo estgio mostrado na Figura 4-22:

Figura 4-22
Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estgios, a tenso ca na base do
segundo igual a -21,6mV
pp
. O segundo estgio tem um ganho de tenso de
A
V
=-2,65k/22,7=-117
por fim, a tenso de sada
v
sada
=-117*-21,6=2,53V
pp
.
GANHO DE TENSO TOTAL
O ganho de tenso total a razo entre a tenso de sada do segundo estgio pela
tenso de entrada:
A
VT
=v
sada 2 est.
/v
entrada 1 est.
=2,53/0,625m=4048
ou seja, o ganho de tenso total
A
VT
=A
V1
A
V2
Eq. 4- 18
4.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM
A Figura 4-23 mostra um amplificador em base comum (BC), a base ligada ao
referencial comum (terra). O ponto Q dado pela polarizao do emissor. Portanto a
corrente cc do emissor dada por

E
BE EE
E
R
V V
I

= Eq. 4- 19
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O sinal de entrada aciona o emissor e a tenso de sada tomada do coletor. A
impedncia de entrada de um amplificador BC aproximadamente igual a

'
e ent
r z Eq. 4- 20
a tenso de sada

C c sada
R i v = Eq. 4- 21
Ela est em fase com a entrada. Como a tenso de entrada igual a
'
e e ent
r i v =
O ganho de tenso

'
e e
C c
V
r i
R i
A = Eq. 4- 22
O ganho de tenso o mesmo que do amplificador emissor comum sem realimentao
parcial, apenas a fase diferente.
Idealmente a fonte de corrente tem uma impedncia infinita, e ento, a impedncia de
sada de um amplificador BC

C sada
R z = Eq. 4- 23
Uma das razes para o no uso do amplificador BC quanto o EC sua baixa impedncia
de entrada. A fonte ca que aciona o amplificador BC v como impedncia de entrada

'
e entrada
r z = Eq. 4- 24
que pode ter um valor bem baixo, em funo de I
E
.

Figura 4-23
A impedncia de entrada de um amplificador BC to baixa que ela sobrecarrega quase
todas as fontes de sinais. Por isso, um amplificador BC discreto no muito utilizado em
baixas freqncias. Seu uso vivel principalmente para freqncias acima de 10MHz,
onde as fontes de baixa impedncia so comuns.
Exemplo 4-2 Qual a tenso de sada ca da Figura 4-24. R
E
=20k e R
C
=10k.
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Figura 4-24
SOL.: A corrente cc no emissor
mA 465 , 0
k 20
7 , 0 10
I
E
=

=
e a resistncia ca do emissor de
r

e
=25m/0,465m=53,8
a impedncia de entrada
ZENT
=53,8
o ganho de tenso levando a carga em considerao
8 , 62
8 , 53
K 1 , 5 // K 10
A
V
= =
A tenso de entrada no emissor
mV 518 , 0 m 1
8 , 53 50
8 , 53
v
ent
=
+
=
portanto a tenso na sada
mV 5 , 32 m 518 , 0 * 8 , 62 v A v
ent V sada
= = =
4.6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM
Ao se conectar uma resistncia de carga em um amplificador EC, o ganho de tenso
diminu. Quanto menor a resistncia de carga, maior a queda do ganho. Esse problema
chamado de sobrecarga. Uma forma de evitar a sobrecarga usar um amplificador cc
(coletor comum), tambm conhecido como seguidor de emissor. O seguidor de emissor
colocado entre a sada do amplificador EC e a resistncia de carga.
A Figura 4-25 mostra um seguidor de emissor. Como o coletor est no terra para ca, ele
um amplificador coletor comum (CC). O gerador de sinal est acoplado base do
transistor por meio de um capacitor de acoplamento.
primeiramente a anlise cc para descobrir o valor da corrente de coletor
a malha externa
E E CE CC
R I V V + =
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Figura 4-25
isolando a corrente de emissor

E
CE CC
E
R
V V
I

= Eq. 4- 25
a Figura 4-26 mostra o circuito ca para o seguidor de emissor

Figura 4-26
o ganho de tenso dado por

'
e E
E
'
e E e
E e
ent
sada
V
r r
r
) r r ( i
r i
v
v
A
+
=
+
= = Eq. 4- 26
geralmente r
E
>>r

e
. Ento
1 A
V
Eq. 4- 27
o uso da Eq. 4-26 ou da Eq. 4-27 depende da preciso desejada no circuito.
IMPEDNCIA DE ENTRADA
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como visto antes, a base se comporta como uma resistncia equivalente de

b
b
) base ( ent
i
v
z = Eq. 4- 28
do equivalente ca a corrente de emissor ca
'
e e
b
e
r r
v
i
+
=
a resistncia r
E
o equivalente do paralelo R
E
com R
L
.
Isolando v
b

( )
'
e e e b
r r i v + = Eq. 4- 29
inserindo a Eq. 4-29 na Eq. 4-28
b
'
e e e
) base ( ent
i
) r r ( i
z
+
=
a razo entre a corrente de coletor e a de base aproximadamente igual
) r r ( z
'
e E ) base ( ent
+ = Eq. 4- 30
a impedncia de entrada do amplificador o paralelo de R
1
, R
2
e impedncia de entrada
da base
) r r ( // R // R z
'
e E 2 1 ent
+ =
como (r

e
+r
E
)>>R
1
, R
2
ento::

2 1 ent
R // R z = Eq. 4- 31
com base na Eq. 4-27 a tenso de emissor segue a tenso na base, sem amplificar. Ou
seja a tenso de sada igual a de entrada.
A vantagem de montagem o fato de ter uma alta impedncia de entrada se comparada
com emissor comum.
TRANSISTOR DARLINGTON

Figura 4-27
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Um caso especial de amplificador coletor comum a conexo Darlington. Ela consiste na
ligao em cascata de dois seguidores de emissor, como mostra a Figura 4-27. A
corrente da base do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. Portanto, o
ganho de corrente entre a primeira base e o segundo emissor
=
1

2
Eq. 4- 32
A principal vantagem da conexo Darlington a alta impedncia de entrada olhando para
a base do primeiro transistor. E
z
ent(base)
= R
E
Eq. 4- 33
Os fabricantes podem colocar dois transistores montados em coletor comum em um
mesmo encapsulamento. Esse dispositivo de trs terminais como mostrado no lado
direito da Figura 4-27 conhecido como transistor Darlington, opera com como um nico
transistor com um
CC
entre 1.000 e 20.000. ele pode ser tratado como um transistor
comum exceto pelo valor de e tambm pelo valor de V
BE
que passa a ser a soma dos
dois V
BE
s. Ou seja, aproximadamente igual a 1,4V.
4.7 EXERCCIOS
Ex. 4-1) A fonte ca da figura abaixo pode ter uma freqncia entre 100Hz e 200Hz. Para
ter um acoplamento estabilizado ao longo desta faixa, que valor deve ter o capacitor de
acoplamento?

Ex. 4-2) Na figura 2, desejamos um capacitor de acoplamento estabilizado para todas as
freqncias entre 500Hz e 1MHz. Que valor ele deve ter?

Ex. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura abaixo. Rotule as
trs correntes com a notao cc padronizada. A seguir, desenhe o circuito ca equivalente.

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Ex. 4-4) Desenhe os circuitos cc e ca equivalente para a figura 4.

Ex. 4-5) Calcule o valor de r
e
para cada uma destas correntes cc do emissor: 0,01mA,
0,05mA, 0,1mA, 0,5mA, 1mA e 10mA.
Ex. 4-6) Qual o valor de r
e
no amplificador do exerccio 4-4?
Ex. 4-7) E no circuito abaixo?




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Ex. 4-8) Se v
ent
=1mV na figura 6, qual o valor de v
sada
?

Ex. 4-9) Os resistores do exerccio anterior, tem uma tolerncia de 5%. Qual o ganho
mnimo de tenso? Qual o ganho mximo de tenso?
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5 5 A AM MP PL LI IF FI IC CA AD DO OR RE ES S D DE E P PO OT T N NC CI IA A
So usados quando se deseja amplificar sinais de grande amplitude, tanto de tenso
como de corrente. Assim os amplificadores de potncia so amplificadores que trabalham
com grandes sinais e o regime de operao destes severo em relao aos
amplificadores de pequenos sinais.
Os amplificadores de potncia de um modo geral, podem ser divididos em quatro classes:
Classe A
Classe B
Classe AB
Classe C
As classes dos amplificadores de potncia esto relacionadas diretamente com o ponto
quiescente ou ponto de operao dos transistores de sada dos amplificadores. Portanto,
as classes esto relacionadas tambm com o ngulo de conduo () dos transistores de
sada, quando estes estiverem funcionando em regime dinmico.
A Figura 5-1 tem um grfico que relaciona a corrente de coletor, com sua tenso base-
emissor. Ele mostra as formas de onda dos quatro tipos bsicos de amplificadores de
potncia, classes A, B, AB e C, e seus pontos quiescentes.
No amplificador de potncia classe C o transistor de sada polarizado num ponto de
operao abaixo da regio de corte do transistor, isto , com V
BEQ
<0. Isto significa que o
sinal V
BE
aplicado a base do transistor, tem que vencer a tenso V
BEQ
para iniciar a sua
conduo. Portanto, a corrente de coletor circula somente durante um intervalo menor
que 180. Em geral, os amplificadores classe C so utilizados em circuitos de RF.
5.1 CLASSE A
No amplificador de potncia classe A, a polarizao do transistor de sada feita de tal
forma que a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada V
BE
. Isto
resulta num ngulo de conduo de =360 para transistor de sada. O ponto de
operao do transistor de sada est localizado no centro da regio ativa e neste caso a
polarizao do transistor de sada semelhante polarizao de transistores de baixo
sinal.
POTNCIA DE SADA
A Figura 5-2 mostra um exemplo de amplificador de potncia classe A. um emissor
comum j comentado antes.
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Figura 5-1

Figura 5-2
A resistncia de carga R
L
, pode ser um alto-falante, um motor, etc. O resistor R
C
do
coletor, por outro lado, um resistor comum que faz parte da polarizao por diviso de
tenso. O interesse na potncia transferida resistncia de carga, porque ela realiza
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um trabalho til. Gera ondas acsticas, gira o motor, etc. Em contra partida, qualquer
potncia no resistor R
C
, uma potncia perdida e transformada em calor.
Ento quando se fala em potncia de sada, uma referncia a potncia til da carga.
Ela dada por
P
L
=V
L
I
L
ou
L
2
L
L
R
V
P =
onde V
L
=tenso rms na carga

I
L
=corrente rms na carga
A potncia mxima na carga ocorre quando o amplificador est produzindo a tenso mxima de
pico a pico na sada sem ceifamento do sinal. Nesse caso, a potncia na carga
( )
L
2
L
R 8
MPP
P =
MPP o valor (mximo de pico a pico) da tenso ca sem ceifamento. No denominador tem o
nmero 8 resultante da converso de rms para pico a pico.
POTNCIA CC DISSIPADA NO AMPLIFICADOR
Quando o amplificador est sem sinal na entrada, a dissipao de potncia no transistor igual a:
P
D
=V
CEQ
I
CQ

H tambm a potncia dissipada no resistores R
1
e R
2

( )
2 1
2
CC
CC
2 1
CC
CC 1 1
R R
V
V
R R
V
V I P
+
=

+
= =
Ento a potncia cc total no amplificador
P
S
=P
1
+P
D
ou
P
S
=I
S
V
CC

onde I
s
(corrente de dreno), a soma da corrente no divisor de tenso e corrente no coletor
EFICINCIA
a razo entre potncia ca na carga e a potncia da alimentao cc multiplicada por 100%
% 100
P
P
S
L
=
Quanto maior a eficincia do amplificador, melhor. Os amplificadores classe A tem uma baixa
eficincia, tipicamente em torno de 25% (teoricamente). Isso ocorre por causa de perdas de
potncia nos resistores de polarizao, de coletor, de emissor e transistor.
5.2 CLASSE B
Geralmente os amplificadores de potncia classe B e classe AB utilizam dois transistores
de potncia num montagem denominada push-pull. A configurao push-pull significa que
quando um dos transistores est conduzindo, o outro est em corte e vice-versa.
No amplificador classe B, cada um dos transistores de sada polarizado num ponto de
operao situado na regio de corte do transistor, isto , V
BEQ
=0. Desta maneira, a
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corrente de coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de =180,
ou seja, a cada semiciclo do sinal de entrada V
BE
.
A Figura 5-3 mostra uma forma de conectar um seguidor de emissor push-pull classe B.
Foi conectado um seguidor de emissor npn e um seguidor de emissor pnp. O projetista
escolhe os resistores de polarizao para situar o ponto de operao no corte. Isso
polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0,6V e 0,7V. Idealmente,
I
CQ
=0
como os resistores de polarizao so iguais, cada diodo emissor polarizado com a
mesma tenso. Como resultado, metade da tenso de alimentao sofre uma queda
entre os terminais coletor e emissor de cada transistor. Isto ,
2
V
V
CC
CEQ
=

Figura 5-3
RETA DE CARGA CC
como no h resistncia cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3, a corrente
de saturao infinita, ou seja, a reta vertical, (Figura 5-4). muito difcil encontrar um
ponto de operao estvel na regio de corte num amplificador push-pull. Qualquer
diminuio significativa de V
BE
com a temperatura pode deslocar o ponto de operao
para cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes.
RETA DE CARGA CA
A Figura 5-4 mostra a reta de carga ca. Quando um dos transistores est conduzindo,
seu ponto de operao move-se para cima ao longo da reta de carga ca. O ponto do
outro transistor permanece no corte. A oscilao de tenso do transistor em conduo
pode seguir todo o percurso desde o corte saturao. No semiciclo oposto, o outro
transistor faz a mesma coisa. Isso significa que a tenso de pico a pico mxima (MPP)
no ceifada do sinal de sada igual a V
CC
. Isto o dobro de tenso que de um
amplificador classe A sob mesma tenso de alimentao. Em termos de eficincia
mxima terica ser de 78,5%.
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Figura 5-4
A Figura 5-5 mostra o equivalente ca do transistor em conduo. Isso praticamente
idntico ao seguidor de emissor classe A. O ganho de tenso com carga
'
e L
L
V
r R
R
A
+
=
A impedncia de entrada da base com carga
) r R ( z
'
e L ) base ( ent
+ =

Figura 5-5
5.3 CLASSE AB
Os amplificadores de potncia AB tambm utilizam dois transistores de potncia numa
configurao push-pull.
A diferena para a classe B, que cada um dos transistores de sada polarizado num
ponto de operao situado um pouco acima da regio de corte do transistor, (V
BEQ
>0).
Isto significa que cada um dos transistores est conduzindo um pequena corrente de
base e, consequentemente, uma corrente de coletor proporcional a ela. A corrente de
coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de >180, porm,
menor que 360. A eficincia terica fica entre 50% e 78,5%. A grande vantagem a
eliminao da distoro por crossover.
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6 6 O OS SC CI IL LA AD DO OR R D DE E B BA AI IX XA A F FR RE EQ Q N NC CI IA A
A Figura 6-1 mostra o diagrama de blocos bsico de um circuito oscilador.

Figura 6-1
A sada do amplificador de ganho A, realimenta a entrada do prprio amplificador, por
meio do circuito de realimentao que possui um ganho B, tambm chamado de rede de
realimentao. Esta forma, o sinal realimentado V
R
somado, ou seja, aplicado em fase
com o sinal de entrada V
E
. Este sinal V
E
no um sinal externo, mas um sinal qualquer
de referncia, que existe na entrada do amplificador. Portanto, com a aplicao do sinal
realimentador V
R
na entrada do amplificador, este torna-se instvel e comea a oscilar.
O circuito de realimentao deve, portanto, defasar ou no o sinal de amostragem V
A
, de
tal modo que o sinal V
R
fornecido entrada esteja sempre em fase com o sinal de
referncia V
E
. A defasagem a ser feita no sinal V
A
depende da defasagem imposta pelo
amplificador e, portanto, do sinal de sada V
S
.
Por exemplo, se um amplificador possuir uma montagem emissor comum, ento o sinal
de sada V
S
estar defasado de 180 em relao ao sinal de entrada V
E
e o circuito de
realimentao dever, neste caso, provocar uma defasagem de 180, para que o sinal V
R

fique novamente em fase com o sinal V
E
. Se a montagem do amplificador for em base
comum V
S
estar em fase com V
E
e, nesse caso, o circuito ou rede de realimentao no
dever provocar defasagem e assim, o sinal V
R
j estar em fase com o sinal V
E
.
Um outro critrio muito importante para que haja oscilao que o ganho total do
oscilador, dado por A+B (A- ganho do amplificador, B- ganho da rede de realimentao),
deve ser maior que um.
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6.1 OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE
a Figura 6-2 mostra o circuito de um oscilador por deslocamento de fase. Ele utilizado
para gerar sinais na faixa de freqncias de udio.

Figura 6-2
O amplificador est na montagem emissor comum e portanto, sua tenso de sada V
S

est defasada de 180 em relao a tenso de entrada V
E
. O sinal de sada aplicado no
circuito de realimentao, formado com resistores R e R
3
e os capacitores C, que provoca
uma defasagem adicional de 180, de modo que uma parcela do sinal de sada
novamente aplicada na entrada, mas em fase com o sinal de entrada V
E
.
Ao ligar o circuito ser provocado uma instabilidade na base do transistor Q
1
. Isto o
suficiente para o circuito iniciar a sua oscilao, pois o transistor Q
1
amplifica e
posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base.
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7 7 T TR RA AN NS SI IS ST TO OR RE ES S E ES SP PE EC CI IA AI IS S
At agora foi estudado os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas:
lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem
aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de entrada
so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo de carga, da o
nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (J FET
- J unction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico
(MOSFET).
7.1 JFET
Na Figura 7-1, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de
juno ou simplesmente J FET.

Figura 7-1
a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o
dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate).
O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p
(conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao
com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.
POLARIZAO DE UM JFET
A Figura 7-2 mostra a polarizao convencional
de um J FET com canal n. Uma alimentao
positiva V
DD
ligada entre o dreno e a fonte,
estabelecendo um fluxo de corrente atravs do
canal. Esta corrente tambm depende da largura
do canal.
Uma ligao negativa V
GG
ligada entre a porta e
a fonte. Com isto a porta fica com uma
polarizao reversa, circulando apenas uma
corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia
entre a porta e a fonte. A polarizao reversa cria
camadas de depleo em volta da regies p e
Figura 7-2
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isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso V
GG
, mais estreito
torna-se o canal.
Para um dado V
GG
, as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S)
desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso V
GG
que produz o
corte simbolizada por V
GS(Off)
.
CURVA CARACTERSTICA DE DRENO
Para um valor constante de V
GS
, o J FET age como um dispositivo resistivo linear (na
regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da
condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno
permanece aproximadamente constante.
Os ndices I
DSS
referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto
(V
GS
=0V). I
DSS
a corrente de dreno mxima que um J FET pode produzir.
Na Figura 7-3, mostrado um exemplo de curva para um J FET. Quando o J FET est
saturado (na regio hmica), V
DS
situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A
tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da porta-
fonte (V
GS(Off)
=-4V). Esta uma propriedade inerente a todos os J FETs.
Para polarizar um transistor J FET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o
mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como
amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, na Figura 7-3, aps a condio de
pinamento e esquerda da regio de tenso V
DS
de ruptura. Se for como resistor
controlado por tenso a regio de trabalho entre V
DS
igual a zero e antes de atingir a
condio de pinamento.


Figura 7-3
CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um J FET um grfico da corrente de sada versus a
tenso de entrada, I
D
em funo de V
GS
. A sua equao :
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2
) off ( GS
GS
DSS D
V
V
1 I I

= Eq. 7- 1


Figura 7-4
AUTOPOLARIZAO
a polarizao de um transistor J FET se faz de maneira semelhante polarizao de
transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o transistor J FET como se fosse
um transistor bipolar.
Para um J FET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo
deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 7-5 vemos um J FET
polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais para limitar tenses e correntes
convenientemente, como visto na polarizao de transistores bipolares.

Figura 7-5
Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao de
corrente, pois o V
GS
aparece devido corrente de dreno sobre R
S
, o que resulta em V
RS
.
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Essa tenso, distribui-se entre R
G
e a juno reversa, que, como tal, possui uma alta
resistncia. Assim aparecem V
RG
e V
GS
que somadas perfazem V
RS
.
V
RG
=V
RS
+V
GS
Eq. 7- 2
o diodo porta-fonte est reversamente polarizado e a corrente I
G
uma pequena corrente
de fuga aproximadamente igual a zero.
0 R I V
G G RG
= Eq. 7- 3
unindo as Eq. 7-2 e Eq. 7-3

S S GS RS
I R V V = = Eq. 7- 4
A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corrente
de dreno muito maior que a de porta. Ento:

S D
I I Eq. 7- 5
Anlise da malha do lado direito do circuito:

DS S D D DD
V ) R R ( I V + + = Eq. 7- 6
RETA DE AUTOPOLARIZAO
Para a polarizao do J FET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para
encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura 7-4 a base para encontrar o
ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte
de -4V. Isso significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir
este valor, pode-se fazer o grfico da Figura 7-4 e ver onde ela intercepta a curva de
transcondutncia.
Exemplo 7-1 Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarizao for de 300. Qual o
ponto Q. Usar o grfico da Figura 7-4.


SOL.: A equao de V
GS

V
GS
=-I
D
*300
para traar a reta basta considerar I
D
=0 e I
D
=I
DSS
. Para I
D
nulo, V
GS
=0 e para o outro
valor de I
D
, V
GS
=13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q :
V
GS
=-1,5V e I
D
=5mA
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SELEO DO R
S

O ponto Q varia conforme o valor de R
S
. O ideal escolher um R
S
em que o ponto Q
fique no na regio central, como o do Exemplo 7-1 .
O mtodo mais simples para escolher um valor para R
S


DSS
) off ( GS
S
I
V
R = Eq. 7- 7
Este valor de R
S
no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas aceitvel
para a maioria dos circuitos.
TRANSCONDUTNCIA
Grandeza designada por g
m
e dada por:

gs
d
GS
D
m
v
i
V
I
g =

= Eq. 7- 8

gs m d
v g i = Eq. 7- 9
g
m
a inclinao da curva de transcondutncia (Figura 7-4) para cada pequena variao
de V
GS
. Ou em outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada controla
efetivamente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a corrente e a tenso -
1/Ohm). O equivalente formal o Siemens.
A Figura 7-6 mostra o circuito equivalente ca simples para um J FET vlida para baixas
freqncias. H uma resistncia R
GS
muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor est na
faixa de centenas de M. O dreno do J FET funciona como uma fonte de corrente com
um valor de g
m
V
GS
.

Figura 7-6
A Eq. 7-10 mostra como obter V
GS(Off)
a partir da corrente mxima de dreno e da
transcondutncia para V
GS
=0V (g
mo
).

mo
DSS
) off ( gs
g
I 2
v = Eq. 7- 10
abaixo o valor de g
m
para um dado V
GS
.

=
) off ( gs
gs
mo m
v
v
1 g g Eq. 7- 11
TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR
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O conceito de transcondutncia pode ser usado em transistores bipolares. Ela definida
como para os J FETs. Com base na Eq. 7-8:
be
c
BE
C
m
v
i
V
I
g =

=
como r
e
=v
be
/i
e


'
e
m
r
1
g = Eq. 7- 12
esta relao ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com J FETs.
AMPLIFICADOR FONTE COMUM
A Figura 7-7 mostra um amplificador fonte comum. Ele similar a um amplificador
emissor comum. As regras aplicadas para a anlise so as mesmas

Figura 7-7
Na Figura 7-8 o equivalente ca para a anlise do ganho.

Figura 7-8
o resistor de carga est em paralelo com a resistncia de dreno. Simplificando:
L d
R // R r
D
=
Quando a corrente de sada g
m
v
ent
flui atravs de r
d
ela produz uma tenso de sada

ent m d sada
v g r v = Eq. 7- 13
dividindo ambos os lados por v
ent

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ent
ent
m d
ent
sada
v
v
g r
v
v
=
finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum

d m V
r g A = Eq. 7- 14
notar a semelhana com a do amplificador em emissor comum
c m V '
e
m '
e
c
V
r g A
r
1
g
r
r
A = = =
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
Na Figura 7-9 tem um amplificador com realimentao parcial

Figura 7-9
o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando r

e
=1/ g
m
, :

1 s m
d m
m 1 s
d
v
r g 1
r g
g / 1 r
r
A
+
=
+
= Eq. 7- 15
AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE
A Figura 7-10 mostra um seguidor de fonte

Figura 7-10
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Novamente por analogia:

s m
s m
m s
s
v
r g 1
r g
g / 1 r
r
A
+
=
+
= Eq. 7- 16
7.2 MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um
dreno. A diferena bsica para o J FET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a
corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.
MOSFET DE MODO DEPLEO
A Figura 7-11 mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O
substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usa-se
o substrato para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento
tem quatro terminais.
Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p
chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos eltrons livres
da fonte ao dreno.

Figura 7-11
A fina camada de dixido de silcio (S
i
O
2
), que um isolante, impede a passagem de
corrente da porta para o material n.

Figura 7-12
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A Figura 7-12 mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa.
A tenso V
DD
fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no J FET a tenso
de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de
dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos
eltrons livres. Com V
GS
negativo o funcionamento similar ao J FET.
Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva
na porta (inverso de polaridade bateria V
GG
do circuito da Figura 7-12). A tenso positiva
na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a
tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um J FET.
MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO
O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de
modo depleo e de uso generalizado na industria eletrnica em especial nos circuitos
digitais.

Figura 7-13
A Figura 7-13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O
substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal
n ligando a fonte e o dreno.
Quando a tenso da porta zero, a alimentao V
DD
fora a ida dos eltrons livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos J FET e MOSFET de modo
depleo.
Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres
recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso
suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so
preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo
que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa
camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte
para o dreno.
O V
GS
mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar,
simbolizado por V
GS(th).
Quando V
GS
menor que V
GS(th)
, a corrente de dreno zero. Mas
quando V
GS
maior V
GS(th)
, uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a
corrente de dreno alta. V
GS(th)
pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo
do MOSFET.
A Figura 7-14 mostra as curvas I
D
x V
DS
e I
D
x V
GS
do MOSFET de modo intensificao e
reta de carga tpica. No grfico I
D
x V
DS
, a curva mais baixa para V
GS(th)
. Quando V
GS

maior que V
GS(th)
, a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o
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MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de
corrente. A curva I
D
x V
GS
, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O
incio da parbola est em V
GS(th)
. Ela

2
) th ( GS GS D
) V V ( k I = Eq. 7- 17
onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.
O fabricante fornece os valores de I
D(On)
e V
GS(On)
. Ento rescrevendo a frmula:

) on ( D D
KI I = Eq. 7- 18
onde

2
) th ( GS ) ON ( GS
) th ( GS GS
V V
V V
K

= Eq. 7- 19

Figura 7-14
TENSO PORTA-FONTE MXIMA
Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a
circulao de corrente de porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa
camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar a porta um melhor controle
sobre a corrente de dreno. Como a camada muito fina, fcil destru-la com uma
tenso porta fonte excessiva. Alm da aplicao direta de tenso excessiva entre a porta
fonte, pode-se destruir a camada isolante devido a transientes de tenso causados por
retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um
MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que exceda a especificao de V
GS

mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener internos em paralelo com a
porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedncia de entrada.
7.3 FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO
FOTOTRANSISTOR
Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma janela
que permite a incidncia de a luz sobre a juno base-emissor, aumentando a
condutividade deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor.
Na Figura 7-15, um exemplo de curva I
C
x
VCE
.
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Figura 7-15
Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de base e, portanto,
o transistor deixa ser aberto. Abaixo, a representao de um fototransistor:
Um fotodiodo uma alternativa ao fototransistor. A diferena que a luz
incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no
fototransistor, esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma
corrente de coletor que vezes maior que no fotodiodo. A maior
sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem uma reduo na velocidade de
chaveamento.
ACOPLADOR PTICO
A Figura 7-16 mostra um acoplador ptico. Consiste de um LED prximo a um
fototransistor, ambos encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel
que um LED e fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer
variao em V
S
produz uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de luz
e, portanto, a corrente no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na tenso
dos terminais coletor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do circuito de
entrada para o circuito de sada.

Figura 7-16
A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os circuitos de
entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e sada.
7.4 EXERCCIOS
Ex. 7-1) No circuito da Figura abaixo, calcule I
D
, R
S
e R
D
. Dados: R
D
+R
S
=12k,
V
DD
=20V, V
DS
=8V e V
GS
=-1,2V.

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Ex. 7-2) Dados: V
DD
=+12V, V
GSQ
=-0,5V (tenso de operao de V
GS
) e I
D
=8mA (para
V
DS
=0V). Calcule R
D
, R
S
e R
G
(suponha I
G
=5A), para o circuito de autopolarizao.
Utilize o mtodo da reta de carga e a curva a seguir.













Ex. 7-3) No circuito da figura abaixo calcule A
V
e Z
ENT
. Dados: g
m
=3000mho, R
G
=2M2,
R
S
=1k, R
D
=4k7 e V
DD
=18V.

I
D
(mA)

8m



4m

2m
2 4 6 8 10 12 14 16 V
DS
(V)
VGS =0V



-0,5V

-1V
-1,5V
-2,0V
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Ex. 7-4) No circuito seguidor de fonte, com R
G
=1M e R
S
=3k, calcule o ganho de
tenso, sabendo que: V
DD
=+9V, V
GSQ
=-4V, I
DQ
=1,6mA, I
DSS
=16mA e V
GS(OFF)
=-5V.
Ex. 7-5) Um 2N5457 tem I
DSS
=5mA e g
mo
=5.000mho. Qual I
D
para V
GS
=-1v? Qual o
valor de g
m
para essa corrente de dreno?
Ex. 7-6) Se g
m
=3.000!mho na figura 3. Qual a tenso c.a. de sada? Dados: v
ent
=2mV,
R
ent
=100k, R
G
=10M, R
S
=270, R
D
=1k, R
L
=10k e V
DD
=+15V
Ex. 7-7) O amplificador J FET da figura abaixo, tem V
GS(OFF)
=-4V e I
DSS
=12mA. Nesse
caso qual a tenso c.a. de sada? Dados: v
ent
=2mV, R
ent
=100k, R
G
=10M, R
S
=
270, R
D
=1k, R
L
=10k e V
DD
=+15V.


Ex. 7-8) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem g
m
=2.000mho, qual a tenso c.a.
de sada? Dados: v
ent
=5mV, R
ent
=100k, R
G
=10M, R
S
=3900, R
L
=1k e V
DD
=+15V.

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8 8 R RE EF FE ER R N NC CI IA A B BI IB BL LI IO OG GR R F FI IC CA A
" CATHEY, J immie J . Dispositivos e circuitos eletrnicos, 1 ed. So Paulo,
Makron Books, 1994. (coleo Schaum)
" HONDA, Renato. 850 exerccios de eletrnica, 3 ed. So Paulo, rica, 1991.
" MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books,
1997.
" MELLO, Hilton Andrade de; INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores,
3 ed. Rio de J aneiro, Livros tcnicos e Cientficos, 1978.