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UFES - UNIVERSIDADE FEDERAL DO ESPIRITO SANTO

CENTRO TECNOL

OGICO
PROGRAMA DE P

OS-GRADUAC

AO EM ENGENHARIA EL

ETRICA
THOMAZ RODRIGUES BOTELHO
SENSOR ISOTR

OPICO PARA MEDIC



AO
DE CAMPO EL

ETRICO
VIT

ORIA
2008
Thomaz Rodrigues Botelho
SENSOR ISOTR

OPICO PARA MEDIC



AO
DE CAMPO EL

ETRICO
Dissertac ao apresentada ao Programa de
P os-Graduac ao em Engenharia El etrica do
Centro Tecnol ogico da Universidade Federal
do Esprito Santo, como requisito parcial
para obtenc ao do Grau de Mestre em Enge-
nharia El etrica, n a area de concentrac ao em
Automac ao.
Orientador
Prof. Dr. Ant onio Manoel Ferreira Frasson
UFES - UNIVERSIDADE FEDERAL DO ESPIRITO SANTO
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA EL

ETRICA
VIT

ORIA - ES
2008
Dados Internacionais de Catalogao-na-publicao (CIP)
(Biblioteca Central da Universidade Federal do Esprito Santo, ES, Brasil)


Botelho, Thomaz Rodrigues, 1978-
B748s Sensor isotrpico para medio de campo eltrico / Thomaz
Rodrigues Botelho. 2008.
97 f. : il.

Orientador: Antnio Manoel Ferreira Frasson.
Dissertao (mestrado) Universidade Federal do Esprito Santo,
Centro Tecnolgico.

1. Campos eltricos. 2. Instrumentos de medio. 3.
Eletromagnetismo. I. Frasson, Antnio Manoel Ferreira. II. Universidade
Federal do Esprito Santo. Centro Tecnolgico. III. Ttulo.

CDU: 621.3


Tese de Mestrado sob o ttulo SENSOR ISOTR

OPICO PARA MEDIC

AO DE CAMPO
EL

ETRICO, defendida por Thomaz Rodrigues Botelho e aprovada em 25 de Abril de 2008,


em Vit oria, Estado do Esprito Santo, pela banca examinadora constituda pelos professores:
Prof. Dr. Ant onio Manoel Ferreira Frasson
Orientador
Prof. Dr. Marcelo Eduardo Vieira Segatto
UFES
Prof. Dr. Hugo Enrique H. Figueroa, PhD
Unicamp
AGRADECIMENTOS
Primeiramente agradeco a Deus por ter me dado sabedoria e motivac ao para que eu supe-
rasse os obst aculos da vida e desenvolvesse este trabalho.
Agradeco tamb em ao meu orientador e amigo, Ant onio Manoel Ferreira Frasson, pela
dedicac ao, empenho e paci encia e por ter compartilhado comigo seus conhecimentos ao longo
desta jornada.
Agradeco ` a Fundac ao de Apoio ` a Ci encia e Tecnologia do Esprito Santo - FAPES pelo
apoio nanceiro ao projeto, que possibilitou a conclus ao deste trabalho e riqueza de suas
informac oes.
Deixo meus agradecimentos tamb em aos meus pais, irm a e namorada que sempre me apoi-
aram e me incentivaram durante todo este perodo, me dando forca, e tendo paci encia e com-
preens ao por todo o tempo tomado por esta etapa da minha vida.
Agradeco ao aluno Saulo Santana Coelho pela amizade, companheirismo e paci encia na
montagem e ajuda nas medidas da eletr onica associada ao sensor na Universidade Federal do
Esprito Santo.
Agradeco ao aluno Thobias Tose pela construc ao da C elula TEM e medidas realizadas no
sensor na Universidade Federal do Esprito Santo
`
A todos os amigos que passaram pela sala do professor Ant onio Frasson, onde a maior
parte deste trabalho se desenrolou, Breno, Joana, Aline, Iury, e tantos outros que passaram por
aqui mesmo que por um curto espaco de tempo, agradeco pela agrad avel companhia e amizade
durante este tempo.
Ao CPqD, pelo apoio tecnol ogico, cedendo laborat orios e equipamentos que sem eles seria
impossvel obter determinadas medidas desta dissertac ao.
Agradeco ao Programa de P os-Graduac ao em Engenharia El etrica da Universidade Federal
do Esprito Santo pela oportunidade em continuar aprendendo e proporcionado a conquista
desta nova etapa em minha vida.
SUM

ARIO
Lista de Figuras
Lista de Tabelas
Resumo
Abstract
1 Introduc ao p. 15
2 Modelagem e Construc ao do Sensor p. 19
2.1 Formulac ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 19
2.1.1 Dipolo Condutor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 20
2.1.2 Dipolo Resistivo Cilndrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 21
2.1.3 Dipolo Resistivo Triangular . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 22
2.1.4 Linhas Resistivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 23
2.2 Escolha dos diodos para o sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 24
2.2.1 Modelo do diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 24
2.2.2 Modelo do diodo com a antena, ltro passa baixa e carga . . . . . . . p. 26
2.3 Projeto da sonda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 36
2.4 Fase inicial do Projeto da Eletr onica Associada . . . . . . . . . . . . . . . . p. 38
2.5 Filtro notch para eliminar sinais indesejados em 60 Hz . . . . . . . . . . . . p. 40
2.6 Amplicador com capacitor de compensac ao de freq u encia externa . . . . . . p. 43
2.7 Comportamento quadr atico da tens ao na sada do circuito . . . . . . . . . . . p. 43
2.8 Amplicador logartmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 44
2.9 Amplicador com ganho chaveado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 44
2.10 Montagem do Sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 46
3 Simulac ao do Espalhamento Eletromagn etico p. 49
3.1 Formulac ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 49
3.1.1 C alculo dos Campos Distantes Utilizando o Teorema das Correntes
Volum etricas Equivalentes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 51
3.1.2 Integrac oes para o C alculo do Campo Espalhado, em Qualquer Ponto
de Observac ao, Utilizando o Teorema do Volume Equivalente. . . . . p. 52
3.2 Cluster para Computac ao Paralela . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 52
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 54
3.3.1 M etodo dos Elementos Finitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 57
3.3.2 Ambiente paralelo MPI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 57
3.3.3 Resolvedor Linear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 57
3.3.4 Diagrama de Radiac ao da Antena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 58
4 Algoritmo Gen etico p. 62
4.1 Resultados com algoritmo gen etico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 68
5 Ensaios p. 71
5.1 C elulas TEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 71
5.2 Ensaios na UFES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 73
5.3 Ensaios no CPqD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 75
5.3.1 Sensor com Transdutor de Filme Fino . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 79
5.3.2 Sensor com Transdutor de Filme Espesso . . . . . . . . . . . . . . . p. 84
5.4 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 90
6 Conclus ao p. 92
Refer encias Bibliogr acas p. 93
Ap endice A -- Resitividade p. 95
Ap endice B -- Fluxograma do Programa para C alculo do Espalhamento Eletro-
magn etico p. 96
LISTA DE FIGURAS
1.1 Comparac ao entre um dipolo condutor e um dipolo resistivo, utilizando-se o
mesmo diodo detector. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 16
2.1 Sensor proposto por M. Kanda[1], sendo w
i
a largura inicial do mesmo e h
meio comprimento do dipolo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 22
2.2 Desenho do Sensor acoplado ` as linhas resistivas. . . . . . . . . . . . . . . . p. 23
2.3 Imped ancia vista na entrada da linha de transmiss ao em func ao do compri-
mento desta linha. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 24
2.4 Antena, com o diodo em seus terminais, linha de transmiss ao n ao perturba-
dora, capacitor de ltro e carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 26
2.5 Modelo do diodo com a antena, ltro passa baixa e carga. . . . . . . . . . . . p. 27
2.6 Circuito equivalente DC do circuito da Figura 2.5. . . . . . . . . . . . . . . . p. 27
2.7 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, com o resultado de
todos os diodos mostrados juntos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 29
2.8 Simulac ao, da tens ao DC de sada, em dBmV, versus freq u encia, com o re-
sultado de todos os diodos mostrados juntos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 30
2.9 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, com o resultado de
todos os diodos mostrados juntos, retirado o diodo HSCH-9161. . . . . . . . p. 30
2.10 Simulac ao, da tens ao DC de sada, em dBmV, versus freq u encia, com o re-
sultado de todos os diodos mostrados juntos, retirado o diodo HSCH-9161. . p. 30
2.11 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, para os diodos HSCH-
5332 e HSCH-5336, em uma banda menor em freq u encia. . . . . . . . . . . p. 31
2.12 Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia, para os
diodos HSCH-5332 e HSCH-5336, em uma banda menor em freq u encia. . . . p. 31
2.13 Simulac ao, da tens ao DC, em V, de sada versus freq u encia, para os diodos
restantes, em uma banda menor em freq u encia . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 32
2.14 Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia, para os
diodos restantes, em uma banda menor em freq u encia . . . . . . . . . . . . . p. 32
2.15 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos
para escolha. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 32
2.16 Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 33
2.17 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos
para escolha, em uma escala menor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 33
2.18 Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha, em uma escala menor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 34
2.19 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos
para escolha, sem o HSCH-5332. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 34
2.20 Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha, sem o HSCH-5332. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 34
2.21 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos
para escolha, sem o HSCH-5332, em uma escala menor. . . . . . . . . . . . p. 35
2.22 Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha, sem o HSCH-5332, em uma escala menor. . . . . . . . . p. 35
2.23 Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, para os diodos restantes,
com dipolo longo e curto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 35
2.24 Desenho do Sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 36
2.25 Indicac ao da inclinac ao do Sensor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 37
2.26

Angulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 38
2.27 Desenho do Sensor com valores proposto por Kanda[1]. . . . . . . . . . . . . p. 39
2.28 Desenho do Sensor com as linhas resistivas proposto por Kanda[1]. . . . . . . p. 40
2.29 Circuito interno do INA111. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 41
2.30 Girador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 41
2.31 Esquema el etrico do ltro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 42
2.32 Esquema El etrico do Amplicador com Capacitor de Compensac ao. . . . . . p. 43
2.33 Esquema el etrico do est agio de Chaveamento . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 45
2.34 Diagrama em blocos da eletronica do sensor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 45
2.35 Detalhe da Montagem dos Transdutores em Prisma . . . . . . . . . . . . . . p. 46
2.36 Transdutores montados em prisma formando o sensor isotr opico . . . . . . . p. 47
2.37 Detalhe da Espuma nos Transdutores em Prisma . . . . . . . . . . . . . . . . p. 47
2.38 Sensor isotr opico com a capa de protec ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 48
2.39 Detalhe da eletr onica de amplicac ao do sinal do sensor isotr opico . . . . . . p. 48
3.1 Cluster destacando a estac ao para operac ao local. . . . . . . . . . . . . . . . p. 53
3.2 Geometria da antena, comprimento 8mm, largura inicial do dipolo 0.5mm,
largura dos pads 0.1mm, espacamento entre os pads 0.25mm, espessura 0.1mm. p. 55
3.3 Antena malhada, com destaque para a regi ao entre os pads da antena . . . . . p. 55
3.4 Geometria da PML e sensor, observa-se o sensor ao centro e a PML com
0, 2 em 3 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 56
3.5 PML e sensor, com malha do GMSH. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 56
3.6 Posicionamento do sensor em relac ao ao sistema de coordenadas mostrando
o plano xy, onde em coordenadas esf ericas, no eixo x = 0
o
e no eixo y
= 90
o
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 58
3.7 Posicionamento do sensor em relac ao ao sistema de coordenadas mostrando
no plano xz, onde em coordenadas esf ericas, no eixo x = 0
o
e no eixo y
= 90
o
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 58
3.8 Comparativo de campo em 3GHz e 15GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 59
3.9 Comparac ao entre sensor comespessura 0.1mme sensor comespessura 0.2mm
em 3GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 60
3.10 Comparac ao entre sensor comespessura 0.1mme sensor comespessura 0.2mm
em 15GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 60
3.11 Relac ao do Campo El etrico entre o sensor com espessura 0.1mm e sensor
com espessura 0.2mm em 3GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 61
3.12 Relac ao do Campo El etrico entre o sensor com espessura 0.1mm e sensor
com espessura 0.2mm em 15GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 61
4.1 Desenho do Sensor acoplado ` as linhas resistivas especicando seus par ametros. p. 62
4.2 Variac ao da largura inicial do dipolo. Caso 1: 0, 15mm; Caso 2: 0, 25mm;
Caso 3: 0, 5mm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 63
4.3 Variac ao o comprimento do dipolo. Caso 1: 8mm; Caso 4: 12mm; Caso 5:
16mm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 64
4.4 Variac ao o comprimento da linha. Caso 1: 40mm; Caso 6: 80mm; Caso 7:
120mm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 64
4.5 Variac ao da largura das linhas resistivas e o espacamento entre elas. Caso 1:
0, 025mm; Caso 8: 0, 25mm; Caso 9: 0, 5mm. . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 64
4.6 Variac ao do comprimento da linha. Caso 1: 40mm; Caso 10: 80mm; Caso
11: 120mm. Por em mantendo a relac ao comprimento x resistividade constante. p. 65
4.7 Variac ao da largura das linhas resistivas e o espacamento entre elas. Caso 1:
0, 025mm; Caso 12: 0, 25mm; Caso 13: 0, 5mm. Por em mantendo a relac ao
largura / resistividade constante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 65
4.8 Exemplo de um indivduo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 66
4.9 Exemplo de um cruzamento entre dois indivduos. . . . . . . . . . . . . . . . p. 67
4.10 Exemplo de uma mutac ao ocorrida em um indivduo. . . . . . . . . . . . . . p. 67
4.11 Indivduos encontrados em comparac ao com a curva para o sensor com os
par ametros da antena de Kanda[1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 70
5.1 Distribuic ao de campo no interior da c elula TEM. . . . . . . . . . . . . . . . p. 72
5.2 Foto da c elula TEM construda na UFES[2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 73
5.3 Gerador utilizado nos ensaios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 74
5.4 Analisador de Espectro (Spectrum Analyzer - HP). . . . . . . . . . . . . . . p. 74
5.5 Antena no centro da c elula e multmetro acoplado ao circuito. . . . . . . . . p. 75
5.6 C elula GTEM utilizada nos ensaios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 75
5.7 Posicionamento do sensor dentro da c elula GTEM . . . . . . . . . . . . . . . p. 77
5.8 Fixac ao do prot otipo no suporte da c elula GTEM . . . . . . . . . . . . . . . p. 78
5.9 Curva caracterstica do Sensor 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 80
5.10 Curva caracterstica do Sensor 1 em escala logartmica. . . . . . . . . . . . . p. 80
5.11 Curva caracterstica do Sensor 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 81
5.12 Curva caracterstica do Sensor 2 em escala logartmica. . . . . . . . . . . . . p. 81
5.13 Curva caracterstica do Sensor 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 82
5.14 Curva caracterstica do Sensor 3 em escala logartmica. . . . . . . . . . . . . p. 82
5.15 Diferenca em V/m entre o prot otipo e o medidor padr ao. . . . . . . . . . . . p. 83
5.16 Gr aco dos erros do prot otipo nas Posic oes 1, 2 e 3. . . . . . . . . . . . . . . p. 83
5.17 Representac ao do erro em dB obtido em cada freq u encia medida. . . . . . . . p. 84
5.18 Diferenca entre a medida do prot otipo e o medidor padr ao. . . . . . . . . . . p. 85
5.19 Curva caracterstica do Sensor 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 86
5.20 Curva caracterstica do Sensor 1 em escala logartmica. . . . . . . . . . . . . p. 86
5.21 Curva caracterstica do Sensor 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 86
5.22 Curva caracterstica do Sensor 2 em escala logartmica. . . . . . . . . . . . . p. 87
5.23 Curva caracterstica do Sensor 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 87
5.24 Curva caracterstica do Sensor 3 em escala logartmica. . . . . . . . . . . . . p. 87
5.25 Diferenca em V/m entre o prot otipo e o medidor padr ao. . . . . . . . . . . . p. 88
5.26 Gr aco dos erros do prot otipo nas Posic oes 1, 2 e 3. . . . . . . . . . . . . . . p. 89
5.27 Representac ao do erro em dB obtido em cada freq u encia medida. . . . . . . . p. 90
5.28 Diferenca entre a medida do prot otipo e o medidor padr ao. . . . . . . . . . . p. 90
5.29 Diferenca do erro em relac ao ao medidor padr ao, entre o prot otipo construdo
com lme no e lme espesso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 91
A.1 Bloco resistivo com resistividade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 95
LISTA DE TABELAS
1.1 Limites para exposic ao ocupacional a CEMRF (Campos el etricos, magn eticos
e eletromagn eticos, na faixa de radiofreq u encias) entre 9 kHz e 300 GHz (va-
lores ecazes n ao perturbados)[3]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15
2.1 Caractersticas dos diodos Schottky de polarizac ao nula. . . . . . . . . . . . p. 28
4.1 Variac oes dos par ametros do sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 63
4.2 Casos Rodados Utilizando Algoritmo Gen etico . . . . . . . . . . . . . . . . p. 68
4.3 Limites de variac oes mnimo e m aximo para a gerac ao de indivduos iniciais. p. 69
4.4 Par ametros apresentados pelos casos rodados utilizando Algoritmo Gen etico
em comparac ao com os par ametros da antena apresentada por Kanda . . . . . p. 69
5.1 Variac oes dos par ametros do sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 76
5.2 Amplicadores utilizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 76
5.3 Geradores Utilizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 76
5.4 Dados do Medidor Padr ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 77
RESUMO
O aumento das comunicac oes sem o, principalmente telefonia celular, acarretando um au-
mento do n umero de Estac oes R adio-Base (ERB) pr oximas ` a resid encias e/ou areas densamente
povoadas, gerou no mundo inteiro preocupac ao sobre os efeitos da radiac ao n ao ionizante nos
seres humanos.
Tal preocupac ao, e estudos nesta area levaram a criac ao de uma regulamentac ao para limi-
tes de exposic ao ` a campos eletromagn eticos na faixa de r adio-freq u encia pela Anatel (Ag encia
Nacional de Telecomunicac oes). A resoluc ao 303/2002 traz toda a regulamentac ao como limi-
tes de intensidade de campo, m etodos de medic oes, etc. para que possa haver uma precauc ao
contra possveis futuros danos ` a sa ude humana.
A regulamentac ao com os limites de intensidade de campo e baseada na utilizac ao de me-
didores de intensidade de campo calibrados por laborat orios acreditados junto a Anatel. Assim,
como n ao havia tecnologia nacional para a construc ao de tais medidores, esta dissertac ao se
prop oe em parceria com o CPqD apresentar novas formas de construc ao do sensor de r adio-
freq u encia com t ecnicas de lme espesso, visando um baixo custo com o objetivo de difundir a
scalizac ao dos nveis de radiac ao n ao ionizante
Portanto essa dissertac ao apresenta o desenvolvimento desse sensor e eletr onica associada
ao mesmo, al em dos resultados obtidos em testes pr aticos e atrav es de simulac oes usando o
m etodo dos elementos nitos mostrando que o mesmo funciona como o esperado.
ABSTRACT
The increase of the wireless communication, mainly with cellphones, bringing an increase
of the number of radio-base stations next to residences and/or high populated areas, created in
the world a worry about the effects of the non-ionizing radiation on human beings.
That concern, and studies in that area, taking to create a standard that limits the elec-
tromagnectics elds exposition in the radio-frequency band by Anatel (Ag encia Nacional de
Telecomunicac oes). The resolution 303/2002 brings all the rules like limits of eld intensity,
measure methods, etc. to prevent possible damage to human health.
The regulamentation with limits of eld intensity is based in the utilization of eld intensity
meters Calibrated by accredited laboratories on Anatel. Then, without national tecnology to
build these meters, this Dissertation Proposes with CPqD to presented ways to build radio-
frequency sensors with thin lm and thick lm techniques and low cost to improve the non-
ionizing radiation levels Supervision.
Then this dissertation presents the development of this sensor and its electronics, the results
of practical tests and simulations using the nite elements method showing that the sensor works
as we want.
15
1 INTRODUC

AO
A regulamentac ao com os limites de intensidade de campo elaborada pela Anatel, dene os
nveis de radiac ao n ao ionizante, cujos valores limites est ao especicados na Tabela 1.
Tabela 1.1: Limites para exposic ao ocupacional a CEMRF (Campos el etricos, magn eticos e
eletromagn eticos, na faixa de radiofreq u encias) entre 9 kHz e 300 GHz (valores ecazes n ao
perturbados)[3].
Faixa de Intensidade de Campo Intensidade de Campo Densidade de pot encia
Radiofreq u encias E (V/m) H (A/m) da onda plana
equivalente, S
eq
(W/m
2
)
9 kHz a 65 kHz 610 24, 4
0,065 MHz a 1 MHz 610 1, 6/f
1MHz a 10 MHz 610/f 1, 6/f
10 MHz a 400 MHz 61 0, 16 10
400 MHz a 2000 MHz 3 f
1/2
0, 008f
1/2
f /40
2 GHz a 300 GHz 137 0, 36 50
Os sensores usados em medidas de campo eletromagn etico s ao ditos padr ao porque suas
caractersticas de recepc ao podem ser determinadas por an alise te orica. Quando uma onda,
com amplitude e polarizac ao conhecidas, incide no sensor, pode-se calcular a tens ao de radio-
freq u encia induzida prontamente.
Se esta tens ao induzida for medida, pode-se calcular o valor do campo.
Uma antena padr ao e normalmente ligada a um equipamento para medir o valor da tens ao
de sada, que apresenta a tens ao contnua relacionada com a tens ao de radiofreq u encia induzida
em seus terminais. Esta relac ao pode ser quadr atica ou linear, de acordo com a intensidade do
campo que se est a medindo.
Emcertos casos, as caractersticas da antena que est a sendo utilizada s ao de difcil obtenc ao.
Nestes casos, faz-se ent ao as medidas destas caractersticas diretamente nos terminais da antena,
colocando-se a mesma em um campo padr ao.
Erros de medida podem ser causados por medic oes em regi oes de campo pr oximo. Nessa
regi ao existem campos reativos ou ondas estacion arias com o campo el etrico e o campo magn e-
1 Introduc ao 16
tico n ao ortogonais. Assim, nessas regi oes, sensores de campo magn etico tamb em devem ser
utilizados para a correta obtenc ao da densidade de pot encia eletromagn etica. Erros podem ser
causados, tamb em, por efeito da modulac ao e orientac ao da sonda em relac ao ao campo, captura
de sinal pelo cabo que liga a antena ao medidor de tens ao, comumente chamado de cable pick-
up e tamanho do sensor em relac ao ao comprimento de onda.
Para medidas de campo el etrico, com o uso de dipolos curtos, cuja imped ancia e capacitiva,
uma banda larga de freq u encias pode ser obtida utilizando-se cargas capacitivas, como diodos
Schottky. Dipolos, no entanto, devido ` a distribuic ao de corrente estacion aria, possuem uma
limitac ao de banda pela resson ancia em freq u encias onde seu comprimento corresponde a meio
comprimento de onda. Al em disso, h a baixa sensibilidade na faixa de freq u encias onde a res-
posta e plana. Pode-se superar estas limitac oes utilizando-se dipolos resistivos, com perl de
resist encia distribuda, Ohms por metro, variando ao longo do dipolo conforme mostra a Figura
1.1. Isto faz com que este dipolo trabalhe sem formac ao de onda estacion aria, permitindo que a
sonda tenha banda larga de freq u encias com melhora da sensibilidade.
4e+09 8e+09 1.2e+10 1.6e+10 2e+10
Frequncia [Hz]
0
1e-06
2e-06
3e-06
4e-06
V
d
c

[
V
]
Dipolo Resistivo
Dipolo Condutor
Comparao entre um Dipolo Condutor e um Dipolo Resistivo
Figura 1.1: Comparac ao entre um dipolo condutor e um dipolo resistivo, utilizando-se o mesmo
diodo detector.
Os sensores usados em medidas de campo eletromagn etico at e ent ao s ao desenvolvidos
utilizando t ecnicas de lme no[1].
A t ecnica de lme no consiste em depositar materiais em substratos met alicos, amorfos,
isolantes ou semicondutores, com espessuras da ordem de

Angstrons em uma forma pratica-
mente bidimensional atrav es de processos qumicos de evaporac ao t ermica dos materiais em
alto v acuo. O controle da pureza e press ao da atmosfera de deposic ao e o principal problema
durante o crescimento dos lmes nos; a raz ao superfcie/volume destes lmes os torna alta-
1 Introduc ao 17
mente suscetveis a oxidac ao, contaminac ao e rugosidade. Estas vari aveis afetam a qualidade e
a estrutura cristalina dos lmes produzidos. Atualmente, s ao utilizadas atmosferas compress oes
da ordem de 10
11
Torr (1.33x10
9
Pascal) nos sistemas de produc ao que utilizam a evaporac ao
t ermica dos materiais em alto v acuo, como no MBE (uxo molecular epitaxial) e, atmosferas
rarefeitas (de 10 a 3x10
3
Torr) de gases inertes (Arg onio) com pureza da ordem de 99, 999%
(5.0 ou 5N) nos sistemas de pulverizac ao cat odica ou sputtering[4].
Outra t ecnica existente e a t ecnica de lme espesso, onde o material depositado possui
espessura da ordem de milmetros, sendo possvel a deposic ao deste material atrav es de t ecnicas
de silk screen, a mesma utilizada para construc ao de placas de circuito impresso e resist encias
de lme. Tal t ecnica, devido a simplicidade torna o processo bem mais barato e f acil de ser
produzido que o lme no.
O objetivo desta dissertac ao e testar a viabilidade de construc ao de um sensor para medic ao
de campo eletromagn etico utilizando t ecnicas de lme espesso e sua resposta em comparac ao
a um sensor com as mesmas caractersticas por em produzido em lme no, visando em caso
de sucesso, a construc ao de um sensor de medic ao de campo eletromagn etico de baixo custo.
Tal comparac ao e feita atrav es de simulac oes e medidas e posterior comparac ao dos resultados
obtidos.
Dentro do contexto descrito acima, as principais contribuic oes desta dissertac ao podem ser
resumidas da seguinte forma:
Levantamento dos diodos existentes no mercado para ser utilizados como elemento de-
tector da tens ao no gap da antena, e construc ao de um programa para determinar quais
destes diodos possui melhor resposta para o projeto.
Desenvolvimento de um programa que simule o campo espalhado de um sensor, utili-
zando a t ecnica dos elementos nitos com resoluc ao do sistema linear resultante de forma
paralela, para comprovar se o mesmo est a funcionando como um dipolo e possui uma res-
posta plana em toda a faixa de freq u encias de interesse do projeto. Foi congurado um
cluster com dez computadores com essa nalidade.
Desenvolvimento de um programa utilizando os princpios da heurstica de algoritmos
gen eticos, utilizando uma soluc ao analtica, para que se possa obter sensores com lar-
gura de banda maiores que a necess aria para o projeto, para serem utilizados em projetos
futuros.
Construc ao de dois prot otipos, um em lme espesso e outro em lme no para que pos-
sam ser realizadas as medidas e posteriores comparac oes.
1 Introduc ao 18
Este trabalho foi dividido em quatro partes. A primeira delas e apresentada no Captulo 2,
com a modelagem do circuito formado pelo sensor, diodo e linhas resistivas, al em de apresentar
toda a eletr onica associada ao mesmo.
O Captulo 3 apresenta a teoria utilizada para obter o espalhamento eletromagn etico do
sensor a utilizac ao de umcluster para executar os c alculos computacionais emambiente paralelo
e os resultados obtidos das comparac oes com sensores de espessuras diferentes para vericar se
o aumento de espessura melhora ou piora a resposta do sensor.
O Captulo 4 apresenta o programa utilizando Algoritmo Gen etico, o princpio de funciona-
mento do mesmo e os resultados obtidos atrav es de uma soluc ao analtica, mostrando que este
algoritmo e eciente para a obtenc ao de sensores com largura de banda superiores ` as exigidas
pelo projeto.
O Captulo 5 apresenta as t ecnicas utilizadas para realizar as medidas dos prot otipos, bem
como apresenta os resultados obtidos nestas medidas trazendo um comparativo entre o prot otipo
em lme espesso com o prot otipo em lme no.
Por m, s ao apresentadas as conclus oes deste trabalho.
19
2 MODELAGEM E CONSTRUC

AO DO SENSOR
Em [1] foi proposta a criac ao de uma sonda para medic ao de Campo El etrico a partir de
dipolos resistivos anados nas extremidades, cando os mesmos com resposta plana de no
m aximo uma variac ao de 2dB entre 1MHz e 15GHz, capazes de realizar medidas de 1 a 1600
V/m, com resposta isotr opica com um desvio padr ao em torno de 0.3dB.
Esta sonda consiste de tr es dipolos curtos, ortogonais entre si. A resposta plana da sonda,
al em de qualquer freq u encia de resson ancia natural, e obtida atrav es do uso de um dipolo resis-
tivo anado na extremidade.
Um diodo detector foi colocado no gap de cada dipolo para detectar as tens oes induzidas
pelo campo.
Um par de tas resistivas foi utilizado para transmitir o sinal detectado no diodo do dipolo
at e os terminais do medidor, evitando assim que esse condutor funcionasse tamb em como uma
antena.
A descric ao detalhada da construc ao destes passos ser a descrita no decorrer deste Captulo.
2.1 Formulac ao
A formulac ao utilizada nos demais programas se baseia na formulac ao para dipolos onde
pode-se fazer do dipolo um equivalente Th` evenin com uma fonte de tens ao Va que e a tens ao
nos terminais da antena com estes em aberto e a imped ancia da antena Za.
A fonte de tens ao Va e a tens ao produzida pela componente de campo el etrico incidente
paralelo ` a antena, dado pela equac ao (2.1),
Va = l
e f
E
inc
(2.1)
onde, l
e f
e o comprimento efetivo da antena e E
inc
e o campo incidente.
2.1 Formulac ao 20
2.1.1 Dipolo Condutor
Dipolo de comprimento qualquer
Para um dipolo condutor de comprimento qualquer, o comprimento efetivo e dado por[5],
l
e f
=
1
I
o
_
z=+h
z=h
I(z)dz (2.2)
sendo z a coordenada axial do dipolo e I(z) a distribuic ao de corrente ao longo deste dipolo
tem-se,
l
e f
= h
_

_
tan(
k
0
h
2
)
k
0
h
2
_

_
(2.3)
onde k
0
=

c
, c e a velocidade da luz no espaco livre e h o comprimento de um dos bracos do
dipolo.
A resist encia no terminais do dipolo e dada por [5]:
R
a
= 60(ln(1.781) +ln(k
0
l) Ci(k
0
l) +(Si(2k
0
l) 2Si(k
0
l)) sin(k
0
l)/2.0+
(ln(1.781) +ln(
k
0
l
2
) +Ci(2k
0
l) 2Ci(k
0
l)) cos(k
0
l)/2)/(sin(
k
0
l
2
))
2
(2.4)
onde, k
0
= 2/
0
, Si e o seno integral e Ci o cosseno integral. Pela aproximac ao da forca
eletromotriz induzida, para um dipolo de comprimento qualquer [5], tem-se:
X
a
= 30(sin(k
0
l) [2(Ci(v1) Ci(u1)) +Ci(u2) Ci(v2)]
cos(k
0
l) {2[Si(u1) Si(u0) +Si(v1)] siv2siu2
2[Si(u1) 2Si(u0) +Si(v1)]}/(sin(
k
0
l
2
))
2
(2.5)
onde,
u0 = k
0
a
u1 = k
0
(sqrt(l
2
+a
2
) l)
v1 = k
0
(sqrt(l
2
+a
2
) +l)
u2 = k
0
[sqrt((2l)
2
+a
2
) 2l]
v2 = k
0
[sqrt((2l)
2
+a
2
) +2l]
e a e o raio do dipolo.
2.1 Formulac ao 21
Dipolo curto
O interesse e trabalhar com dipolos com grande largura de banda, parte-se ent ao para um
dipolo curto, h < /20, onde pode-se aproximar,
l
e f
= h (2.6)
A imped ancia do dipolo curto pode ser aproximada por[5],
Z
a
= 20(k
0
h)
2
j
120
k
0
h
_
ln
_
h
a
_
1
_
(2.7)
sendo a o raio dos elementos do dipolo.
2.1.2 Dipolo Resistivo Cilndrico
ODipolo curto proporciona uma largura de banda consider avel por emo mesmo e umdipolo
resonante, portanto conforme a frequ encia e aumentada, o mesmo deixa de ser considerado um
dipolo curto em relac ao ao comprimento da onda.
A partir da, em [6], foi proposto a utilizac ao de dipolos cilndricos resistivos n ao resonan-
tes, onde a imped ancia interna por unidade de comprimento Z
i
(z) e dada em func ao do eixo z
por,
Z
i
(z) =
60
h|z|
(2.8)
onde 2h e o comprimento fsico total do dipolo e e uma constante para um dipolo cilindrico
com uma imped ancia interna vari avel por unidade de comprimento, e tamb em foi denido em
[6] como,
2
_
sinh
1
h
a
C(2ka, 2kh) jS(2ka, 2kh)
_
+
j
kh
(1e
j2kh
) (2.9)
onde a e o raio do dipolo, C(x, y) e S(x, y) s ao o cosseno e seno integrais, respectivamente, e k
e dado por k =

.
2.1 Formulac ao 22
2.1.3 Dipolo Resistivo Triangular
Devido a diculdade de construc ao de dipolos cilndricos resistivos, em [1] Kanda prop os
a utilizac ao de dipolos triangulares, ou seja, com largura vari avel conforme a Figura 2.1, de
forma que variava-se sua imped ancia por unidade de comprimento, da seguinte forma:
Figura 2.1: Sensor proposto por M. Kanda[1], sendo w
i
a largura inicial do mesmo e h meio
comprimento do dipolo.
Como Zi e a resist encia distribuda no inicio do dipolo, dada em /m por,
Z
i
=
R
w
i
, (2.10)
onde w
i
e a largura da aresta do dipolo.
No centro do dipolo posicionado no eixo z, temos z = 0. Aplicando a equac ao da resistivi-
dade, A.2 denida no Ap endice A, em 2.10, e o resultado em 2.8 tem-se:
=
R h
60 w
i
(2.11)
onde obt em-se o valor de em func ao da resistividade do material a ser utilizado na construc ao
do sensor triangular, do comprimento do elemento do dipolo e da largura inicial deste elemento.
A imped ancia Za de um dipolo resistivo alado n ao reexivo e dada por [1]:
Z
a
= 60
_
1
j
kh
_
(2.12)
O comprimento efetivo e [1]:
h
e
=
2
k
2
h
(1 jkhe
jkh
) (2.13)
Portanto a tens ao em aberto nos terminais da antena ser a de:
V
a
= h
e
E
inc
=
2
k
2
h
(1 jkhe
jkh
) E
inc
(2.14)
2.1 Formulac ao 23
2.1.4 Linhas Resistivas
O sensor e acoplado a linhas resistivas at e a eletr onica respons avel pela medida, de forma
que estas linhas n ao funcionem como antena captando sinais indesejados, conforme mostra a
Figura 2.2. Para as linhas resistivas de lme no do sensor, tem-se [1]:
Figura 2.2: Desenho do Sensor acoplado ` as linhas resistivas.
L =

o

_
ln
_
1+
d
a
_
+
d
a
ln
_
1+
a
d
__
[H/m] (2.15)
e
C =
0

_
ln
_
1+
d
a
_
+
d
a
_
1+
a
d
__[F/m] (2.16)
que s ao a Indut ancia L e Capacit ancia C da linha, ambas por unidade de comprimento, onde d
e a dist ancia entre as linhas resistivas e a a largura da linha.
A imped ancia vista na entrada da linha, em func ao do comprimento da linha, conforme
mostra a Figura 2.3 e,
Zin(l) = Z
o
.
e
l
+
L
e
l
e
l

L
e
l
(2.17)
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 24
sendo Z
o
, a imped ancia caracterstica da linha, dada por,
Figura 2.3: Imped ancia vista na entrada da linha de transmiss ao em func ao do comprimento
desta linha.
Z
o
=

R+ jL
jC
(2.18)
sendo a constante de propagac ao, dada por,
=
_
(R+ jL)( jC) = + j (2.19)
sendo a constante de atenuac ao e a constante de fase, e
L
e o coeciente de reex ao na
carga, dado por,

L
=
Z
L
Z
o
Z
L
+Z
o
(2.20)
2.2 Escolha dos diodos para o sensor
N ao h a como escolher qual diodo utilizar sem fazer uma simulac ao do circuito. Assim,
utilizando-se o modelo linear descrito a seguir, foram feitas simulac oes com diodos Schottky
de polarizac ao nula, encontrados no mercado.
2.2.1 Modelo do diodo
O diodo e tratado como se fosse particionado em dois; uma parte que se apresenta ` a radio-
freq u encia de forma linear e uma parte por onde circula a corrente DC.
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 25
Modelo da junc ao
Na junc ao, sabe-se que a relac ao tens ao-corrente e:
I(v) = Is(e
qv
j
nkT
1) (2.21)
Onde Is e a corrente de saturac ao reversa, q e a carga elementar, 1, 610

19[C], k a constante de
Boltzmann, 1, 3810
23
[J/C], n o fator de correc ao dado pelo fabricante e T a temperatura em
Kelvin. Tomando a s erie de Taylor, em torno do ponto de polarizac ao nula, vem,
I(v
j
) = I(0) +(v
j
0)
I(v
j
)
v
j

(v
j
=0)
+
1
2
(v
j
0)
2

2
I(v
j
)
v
2
j

(v
j
=0)
+
1
3
(v
j
0)
3

3
I(v
j
)
v
3
j

(v
j
=0)
+. . .
(2.22)
desprezando os termos com ordem acima de 2 na equac ao (2.22), vem,
I(v
j
) = v
j
I(v
j
)
v
j

(v
j
=0)
+
1
2
v
2
j

2
I(v
j
)
v
2
j

(v
j
=0)
(2.23)
assim, o termo de primeira ordem na equac ao (2.23) nos fornece a resist encia din amica de
junc ao, no ponto de polarizac ao nula, que e,
R
J
=
1
I
(v
j
)
v
j

(v
j
=0)
=
1
qI
S
nkT
=
nkT
qI
S
(2.24)
denindo:
=
q
k300
(2.25)
pode-se, ent ao, reescrever:
R
J
=
nT
300I
S
(2.26)
o termo de segunda ordem da equac ao (2.23)
v
2
j
2

2
I
v
2
j

(v
j
=0)
possui o termo quadr atico v
2
j
que
acaba por gerar uma componente de corrente DC.
Se v
j
(t) = |v
j
|cos(t), sendo = 2 f , a freq u encia angular, ent ao,
v
2
j
=
|v
j
|
2
2
+
|v
j
|
2
2
cos(2t) (2.27)
assim, desprezando o termo da segunda harm onica na equac ao (2.27), a mesma na equac ao
(2.23) resulta na componente DC de corrente que e:
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 26
I
DC
=
|v
j
|
2
4
_
q
nkT
_
2
I
S
(2.28)
que pode ser reescrita na forma:
I
DC
=
|v
j
|
2

4R
J
300
nT
(2.29)
2.2.2 Modelo do diodo com a antena, ltro passa baixa e carga
Na gura 2.4 est ao os principais componentes de uma sonda para medic ao de campo
el etrico. Tem-se: o dipolo curto, cuja freq u encia m axima de medic ao deve ser bem menor
que a freq u encia de resson ancia; o diodo Schottky de polarizac ao nula, de baixa barreira, que
ser a o elemento n ao linear, uma linha de transmiss ao n ao perturbadora, que e uma linha feita
com material resistivo, de modo que ela perturbe de forma mnima o campo a ser medido, n ao
espalhando campo e, tamb em, n ao recebendo energia e transmitindo-a ao diodo; um capacitor
Cf que tem por objetivo servir de ltro passa baixa.
Figura 2.4: Antena, com o diodo em seus terminais, linha de transmiss ao n ao perturbadora,
capacitor de ltro e carga
Assim, pode-se montar um circuito equivalente AC e um circuito equivalente DC, para
efeito de simulac oes, mostrados nas Figuras 2.5 e 2.6, onde, na Figura 2.5, Va, Ca e Ra repre-
sentam a antena, sua fonte de tens ao em circuito aberto, e sua imped ancia; Lp, Cp, Ls, Rs, Cj e
Rj representam o modelo para primeira harm onica do diodo Schottky e Zin(l) e a imped ancia
vista pela antena na entrada da linha de transmiss ao em func ao do comprimento da l da linha.
No modelo do diodo Cp e Lp, representam a capacit ancia de encapsulamento e a indut ancia
dos terminais, Ls e Rs a indut ancia e a resist encia do cristal dopado fora da regi ao da junc ao
do diodo, Cj, a capacit ancia da junc ao e Rj, a resist encia din amica da junc ao, descrita pela
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 27
equac ao (2.26).
Figura 2.5: Modelo do diodo com a antena, ltro passa baixa e carga.
Na Figura 2.6 Rt e Ct representam a linha de transmiss ao n ao perturbadora, sendo Rt e a
resist encia de cada lado da linha resistiva e RL a carga.
Figura 2.6: Circuito equivalente DC do circuito da Figura 2.5.
No modelo DC tem-se a fonte de corrente controlada, cuja a equac ao de controle est a des-
crita na equac ao (2.29), as resist encias do diodo e as resist encias do resto do circuito onde e
possvel haver circulac ao da componente DC.
Equacionando o circuito da Figura 2.5 pelo m etodo dos n os, tem-se:
_

_
1
Za
+
1
jLp
+
1
Z
f

1
jLp
0

1
jLp
1
Z
S
+
1
jLp
+ jCp
1
Z
S
0
1
Z
S
1
Z
S
+
1
Z
j
_

_
_

_
V
1
V
2
V
j
_

_
=
_

_
V
a
Z
a
0
0
_

_
(2.30)
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 28
onde, Z
f
= 2Rt +
1
jCt +
1
R
L
, Z
j
=
1
jC
j
+
1
R
j
, Z
a
= R
a
+ jC
a
e Z
s
= R
S
+ jL
S
.
A equac ao (2.30) pode ser reescrita como:
[Y]
_

_
V
1
V
2
V
j
_

_
=
_

_
V
a
Z
a
0
0
_

_
(2.31)
assim, como [Z] = [Y]
1
:
V
J
= Z
31
V
a
Z
a
(2.32)
a equac ao (2.32) na (2.29),
I
DC
=

Z
31
V
a
Z
a

2
4R
J
300
nT
(2.33)
Observando agora o circuito Figura 2.6, pode-se facilmente concluir que:
V
DC
=

Z
31
V
a
Z
a

2
4
300
nT
R
L
R
J
+R
S
+2R
t
+R
L
(2.34)
A partir da equac ao 2.34, foram realizadas simulac oes com o desenvolvimento de progra-
mas para o software Scilab[7].
Como n ao havia as func oes seno integral e cosseno integral j a implementadas no Scilab,
foi feita uma biblioteca, libcossin, onde est a contida a func ao cisi. Esta func ao calcula o
cosseno e o seno integrais, possibilitando, assim, o c alculo da imped ancia do dipolo de compri-
mento qualquer.
Para as simulac oes do Scilab, nove diodos foram testados, diodos estes os unicos adequados
para o projeto e disponveis no mercado, estando as suas caractersticas listadas na Tabela 2.1.
Tabela 2.1: Caractersticas dos diodos Schottky de polarizac ao nula.
Modelo lp [H] rs [] ls [H] Is [A] Cj [F] Cp [F]
HMPX-X8X0 0, 0 8, 0 1, 1 10
09
2, 2 10
08
0, 7 10
12
28, 6 10
12
HSCH-5310 0, 1 10
9
13, 0 0, 00 3, 0 10
10
0, 09 10
12
0, 02 10
12
HSCH-5312 5314 0, 1 10
9
9, 0 0, 00 3, 0 10
10
0, 13 10
12
0, 02 10
12
HSCH-5316 5318 0, 1 10
9
5, 0 0, 00 3, 0 10
10
0, 02 10
12
0, 02 10
12
HSCH-5330 0, 1 10
9
13, 0 0, 00 4, 0 10
10
0, 09 10
12
0, 02 10
12
HSCH-5332 0, 1 10
9
9, 0 0, 04 10
9
4, 0 10
08
0, 13 10
12
0, 03 10
12
HSCH-5336 0, 1 10
9
6, 0 0, 00 4, 0 10
08
0, 20 10
12
0, 02 10
12
HSCH-5340 0, 1 10
9
13, 0 0, 04 10
9
4, 0 10
10
0, 09 10
12
0, 03 10
12
HSCH-9161 0, 3 10
9
50, 0 0, 00 12, 0 10
06
0, 035 10
12
0, 011 10
12
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 29
Os resultados das simulac oes est ao apresentados a seguir.
Resultados das simulac oes
O dipolo usado nas simulac oes possui comprimento de um d ecimo de comprimento de onda
de uma onda de 3 [GHz] - por ser um dipolo curto at e a m axima freq u encia exigida no projeto
- com o raio de a = 10
5
310
8
/ f , sendo f = 3 [GHz]. Os resultados da tens ao DC de sada
versus freq u encia de todos os diodos em um unico gr aco est a mostrado na Figura 2.7.
0 5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09 3e+09
Freqncia [Hz]
0
5e-06
1e-05
1,5e-05
2e-05
V
d
c

[
V
]
HMPX-X8X0
HSCH-5310
HSCH-5312-5314
HSCH-5316-5318
HSCH-5330
HSCH-5332
HSCH-5336
HSCH-5340
HSCH-9161
Figura 2.7: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, com o resultado de todos os
diodos mostrados juntos.
V e-se claramente na Figura 2.7, que, apesar de o circuito ter a maior sensibilidade quando
o diodo utilizado e o HSCH-9161, sua resposta em freq u encia varia bastante. Isto e devido ao
fato de ser um diodo projetado para trabalhar em torno dos 100 GHz. Al em disso, seu preco
e bastante alto, em torno de US$ 27,00. Portanto, o HSCH-9161 deve ser descartado deste
projeto. Por outro lado, os outro diodos possuem respostas em freq u encia mais planas, o que
pode ser melhor observado na Figura 2.8, onde a tens ao est a expressa em dBmV.
Retirando-se ent ao da escolha o diodo HSCH-9161, observa-se nas Figuras 2.9 e 2.10, que
a sensibilidade do circuito com o diodo HSCH-5332 e a melhor, seguido do diodo HSCH-5336.
Para melhor observar a resposta em baixas freq u encias dos diodos HSCH-5332 e HSCH-
5336, pode-se observar a Figura 2.11. Nesta Figura, observa-se que a resposta em freq u encia
comeca a estabilizar para freq u encias maiores que 100 [MHz] no caso do diodo HSCH-5332
e para freq u encias maiores que 50 [MHz] no caso do diodo HSCH-5336. Logo, ca muito
comprometido o funcionamento da sonda em baixas freq u encias.
A Figura 2.12 mostra os mesmos resultados, apenas com a tens ao expressa em dBmV.
Financeiramente, o preco, para compra de quinhentas unidades, caria em torno de US$
6,76 a unidade no caso do diodo HSCH-5332. J a o diodo HSCH-5336 teve sua fabricac ao
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 30
5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09
Freqncia [Hz]
-140
-120
-100
-80
-60
-40
d
B
m
V
HMPX-X8X0
HSCH-5310
HSCH-5312-5314
HSCH-5316-5318
HSCH-5330
HSCH-5332
HSCH-5336
HSCH-5340
HSCH-9161
Figura 2.8: Simulac ao, da tens ao DC de sada, em dBmV, versus freq u encia, com o resultado
de todos os diodos mostrados juntos.
5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09 3e+09
Freqncia [Hz]
0
2e-07
4e-07
6e-07
8e-07
1e-06
1,2e-06
V
d
c

[
V
]
HMPX-X8X0
HSCH-5310
HSCH-5312-5314
HSCH-5316-5318
HSCH-5330
HSCH-5332
HSCH-5336
HSCH-5340
Figura 2.9: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, com o resultado de todos os
diodos mostrados juntos, retirado o diodo HSCH-9161.
0 5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09 3e+09
Freqncia [Hz]
-200
-150
-100
-50
d
B
m
V
HMPX-X8X0
HSCH-5310
HSCH-5312-5314
HSCH-5316-5318
HSCH-5330
HSCH-5332
HSCH-5336
HSCH-5340
Figura 2.10: Simulac ao, da tens ao DC de sada, em dBmV, versus freq u encia, com o resultado
de todos os diodos mostrados juntos, retirado o diodo HSCH-9161.
descontinuada, portanto n ao pode ser utilizado no projeto.
A partir deste ponto, conclui-se que o diodo HSCH-5336 tamb em est a descartado do pro-
jeto.
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 31
1e+08 2e+08 3e+08
Freqncia [Hz]
0
2e-07
4e-07
6e-07
8e-07
1e-06
1,2e-06
V
d
c

[
V
]
HSCH-5332
HSCH-5336
Figura 2.11: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, para os diodos HSCH-5332
e HSCH-5336, em uma banda menor em freq u encia.
2e+07 4e+07 6e+07 8e+07 1e+08 1,2e+08 1,4e+08
Freqncia [Hz]
-70
-65
-60
d
B
m
V
HSCH-5332
HSCH-5336
Figura 2.12: Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia, para os diodos
HSCH-5332 e HSCH-5336, em uma banda menor em freq u encia.
Analisando os diodos restantes, com excec ao do diodo HSCH-5332 para facilitar a visuali-
zac ao, observa-se claramente na Figura 2.13, que a sensibilidade e menor para diodos com
menores correntes de saturac ao reversa, mas, a resposta ` a baixas freq u encias e melhor nestes
diodos.
A Figura 2.14 mostra os mesmos resultados, apenas com a tens ao expressa em dBmV.
Dos diodos das Figuras 2.13 e 2.14, o HSCH-5340 e o mais caro. O HSCH-5316 e o HSCH-
5318 tiveram a sua produc ao descontinuada. Entre os diodos HSCH-5312 e HSCH-5314, que
possuem a mesma resposta, o mais barato e o HSCH-5312. A resposta do HMSX-X8X0 foi
t ao pior que tamb em deve ser descartado. Assim, para um sensor de baixo custo, sobraram
o HSCH-5310, HSCH-5312, HSCH-5330, HSCH-5332. Destes, o que de longe faz o circuito
car com a melhor sensibilidade e o HSCH-5332, por em a resposta em baixas freq u encias e
pior. Deve-se ent ao fazer experi encias com o HSCH-5330 e o HSCH-5332, HSCH-5312 e o
HSCH-5310.
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 32
5e+07 1e+08 1,5e+08
Freqncia [Hz]
0
1e-08
2e-08
3e-08
4e-08
5e-08
6e-08
V
d
c

[
V
]
HMPX-X8X0
HSCH-5310
HSCH-5312-5314
HSCH-5316-5318
HSCH-5330
HSCH-5340
Figura 2.13: Simulac ao, da tens ao DC, em V, de sada versus freq u encia, para os diodos restan-
tes, em uma banda menor em freq u encia
2e+07 4e+07 6e+07 8e+07
Freqncia [Hz]
-150
-140
-130
-120
-110
-100
-90
d
B
m
V
HMPX-X8X0
HSCH-5310
HSCH-5312-5314
HSCH-5316-5318
HSCH-5330
HSCH-5340
Figura 2.14: Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia, para os diodos
restantes, em uma banda menor em freq u encia
Quanto aos diodos restantes (HSCH-5330 e o HSCH-5332, HSCH-5312 e o HSCH-5310)
percebe se na Figura 2.15, que o diodo HSCH-5332 e o que apresenta melhor sensibilidade.
A gura 2.16 mostra os mesmos resultados, apenas com a tens ao expressa em dBmV.
5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09 3e+09
Freqncia [Hz]
0
2e-07
4e-07
6e-07
8e-07
1e-06
1,2e-06
V
d
c

[
V
]
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
HSCH-5332
Figura 2.15: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos para
escolha.
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 33
5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09
Freqncia [Hz]
-100
-90
-80
-70
-60
d
B
m
V
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
HSCH-5332
Figura 2.16: Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha.
Em uma escala menor, percebe-se que o diodo HSCH-5332, embora apresentando a maior
sensibilidade dos 4, e o que apresenta a pior resposta em relac ao ` as baixas freq u encias, como
mostrado nas Figura 2.17.
A Figura 2.18 mostra os mesmos resultados, apenas com a tens ao expressa em dBmV.
2e+07 4e+07 6e+07 8e+07 1e+08 1,2e+08
Freqncia [Hz]
0
2e-07
4e-07
6e-07
8e-07
1e-06
1,2e-06
V
d
c

[
V
]
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
HSCH-5332
Figura 2.17: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos para
escolha, em uma escala menor.
Analisando, portanto, apenas os diodos HSCH-5330, HSCH-5312 e o HSCH-5310 j a que
s ao os que apresentam a melhor resposta em freq u encia, observa-se que eles t em respostas
parecidas em freq u encia, como e apresentado na Figura 2.19.
A gura 2.20 mostra os mesmos resultados, apenas com a tens ao expressa em dBmV.
Por em, numa escala menor, como apresentado na Figura 2.21 percebe-se claramente que,
embora o diodo HSCH-5330 seja o que apresente a melhor sensibilidade, este diodo e o pior
em termos de resposta de freq u encia. A Figura 2.22 mostra os mesmos resultados, apenas com
a tens ao expressa em dBmV.
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 34
0 2e+07 4e+07 6e+07 8e+07
Freqncia [Hz]
-90
-80
-70
-60
d
B
m
V
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
HSCH-5332
Figura 2.18: Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha, em uma escala menor.
0 5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09 3e+09
Freqncia [Hz]
0
1e-08
2e-08
3e-08
4e-08
5e-08
6e-08
7e-08
V
d
c

[
V
]
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
Figura 2.19: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos para
escolha, sem o HSCH-5332.
5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09
Freqncia [Hz]
-94
-92
-90
-88
-86
-84
d
B
m
V
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
Figura 2.20: Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha, sem o HSCH-5332.
Para melhorar a sensibilidade em baixas freq u encias, pode-se aumentar o comprimento do
dipolo, o que n ao e recomend avel, j a que a resposta em freq u encias deixa de ser plana, como
mostrado na Figura 2.23, em que foi utilizado um dipolo com o dobro do comprimento utilizado
2.2 Escolha dos diodos para o sensor 35
2e+07 4e+07 6e+07 8e+07 1e+08 1,2e+08
Freqncia [Hz]
2e-08
3e-08
4e-08
5e-08
6e-08
V
d
c

[
V
]
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
Figura 2.21: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, dos possveis diodos para
escolha, sem o HSCH-5332, em uma escala menor.
2e+07 4e+07 6e+07 8e+07
Freqncia [Hz]
-95
-90
-85
d
B
m
V
HSCH-5310
HSCH-5312
HSCH-5330
Figura 2.22: Simulac ao, da tens ao DC, em dBmV, de sada versus freq u encia dos possveis
diodos para escolha, sem o HSCH-5332, em uma escala menor.
nas simulac oes das guras anteriores, com a equac ao da imped ancia do dipolo de comprimento
longo (equac ao 2.4).
0 5e+08 1e+09 1,5e+09 2e+09 2,5e+09 3e+09
Freqncia [Hz]
0
1e-08
2e-08
3e-08
4e-08
5e-08
V
d
c

[
V
]
HSCH-5310 com dipolo longo
HSCH-5310 com dipolo curto
HSCH-5312 com dipolo longo
HSCH-5312 com dipolo curto
Figura 2.23: Simulac ao, da tens ao DC de sada versus freq u encia, para os diodos restantes, com
dipolo longo e curto
2.3 Projeto da sonda 36
Nota-se, portanto, que dentre os quatro diodos remanescentes, HSCH-5312, HSCH-5310,
HSCH-5330 e HSCH-5332, o que apresenta melhor sensibilidade e o diodo HSCH-5332, com
uma diferenca de aproximadamente 30dB em relac ao aos demais. Como a tens ao de sada da
antena tem uma escala de grandeza muito pequena, este valor e bem signicante.
O diodo HSCH-5332 e o que apresenta a pior resposta em freq u encia entre os quatro diodos
simulados. Por em esta diferenca n ao e t ao signicativa, j a que este diodo comeca a se estabilizar
em torno de 40 MHz e os demais em torno de 20 MHz.
Logo, o diodo HSCH-5332 foi o escolhido para ser utilizado no projeto do sensor.
2.3 Projeto da sonda
Para que a sonda opere como uma antena isotr opica, deve-se trabalhar com 3 sensores
ortogonais entre si [8] como mostra a Figura 2.24.
X
Y
Z
Figura 2.24: Desenho do Sensor
Para esta congurac ao cada sensor deve possuir uma inclinac ao dada por um angulo como
mostrado na Figura 2.25. O calculo deste angulo e feito da seguinte forma:
Seja o vetor

B localizado no plano yz representando um dos sensores da sonda, e um se-
gundo vetor

A localizado num plano a 60
o
do plano yz representando um segundo sensor da
sonda, mostrados na Figura 2.26:
2.3 Projeto da sonda 37
Figura 2.25: Indicac ao da inclinac ao do Sensor.

A = cos sin60
o
x +cos cos60
o
y +sin z

B = cos y sin z
Para que eles sejam ortogonais entre si,

B = cos
2
cos60
o
sin
2
= 0
tan
2
= cos60
o
logo,
2.4 Fase inicial do Projeto da Eletr onica Associada 38
Figura 2.26:

Angulo
= 54, 73561
o
As Figuras 2.27 e 2.28 mostram os valores de resist encia distribuda para o sensor e linhas
resistivas propostos por Kanda[1].
2.4 Fase inicial do Projeto da Eletr onica Associada
Inicialmente projetou-se o circuito de amplicac ao apenas com um amplicador de instru-
mentac ao com um unico ganho para comprovar que toda a faixa de sinais n ao seria atendida,
al em de vericar a sensibilidade, o nvel de rudo e a interfer encia de 60 Hz. A escolha por um
amplicador de instrumentac ao foi devido ao fato da entrada ser diferencial, com alta rejeic ao
em modo comum, o que resulta em uma alta imunidade a rudo. O amplicador escolhido
foi o INA111 da Texas Instruments pois seus par ametros se adequaram ` as necessidades e este
componente se encontrava disponvel, o que facilitava os testes.
O circuito interno do INA111 est a mostrado na Figura 2.29 e o ganho do amplicador,
segundo o fabricante e:
2.4 Fase inicial do Projeto da Eletr onica Associada 39
Figura 2.27: Desenho do Sensor com valores proposto por Kanda[1].
V
o
=
_
1+
50k
R
G
_
(V
IN+
V
IN
) (2.35)
Assim que o primeiro prot otipo do circuito foi construdo e acoplado ao sensor, o pri-
meiro dos problemas apareceu: a captac ao de rudo de 60 Hz pelo sensor, proveniente de re-
des el etricas pr oximas era muito mais forte do que o valor inicialmente previsto, impedindo a
medic ao correta do sinal, requerendo, portanto, a construc ao de um ltro notch de alto fator de
qualidade para 60 Hz.
2.5 Filtro notch para eliminar sinais indesejados em 60 Hz 40
Figura 2.28: Desenho do Sensor com as linhas resistivas proposto por Kanda[1].
2.5 Filtro notch para eliminar sinais indesejados em 60 Hz
Para eliminar os sinais indesejados em 60 Hz, foi colocado um trap LC na sada do circuito
de amplicac ao de forma a eliminar os 60 Hz captados pelo sensor, evitando que o mesmo
seja introduzido no circuito de amplicac ao. Este ltro notch de alto fator de qualidade foi
2.5 Filtro notch para eliminar sinais indesejados em 60 Hz 41
Figura 2.29: Circuito interno do INA111.
projetado de forma a ser opcional, acionado ou n ao por uma chave, para se vericar a resposta
do circuito com e sem a sua presenca.
O indutor de alto Q foi obtido atrav es do circuito girador como mostrado na Figura 2.30,
sendo que se no lugar de Z
2
for posto um capacitor, o girador funciona como um indutor, onde
a imped ancia vista na entrada deste circuito e dada por[9],
Z =
Z
1
Z
3
Z
5
Z
2
Z
4
(2.36)
Figura 2.30: Girador.
Para o circuito girador, fazendo as imped ancias Z
1
= Z
3
= Z
4
= Z
5
= R tem-se o valor do
indutor do circuito e dado por [9]:
2.5 Filtro notch para eliminar sinais indesejados em 60 Hz 42
L = R
2
C [H] (2.37)
O diagrama do ltro notch, formado pelo resistor, capacitor e o circuito do indutor est a
mostrado na Figura 2.31.
Figura 2.31: Esquema el etrico do ltro.
Onde, R1 = 100 k, C1 = 100 nF, e o indutor e formado pelo circuito girador.
OCI utilizado como operacional foi o TL074P, sendo utilizados apenas 2 dos 4 operacionais
internos. Os outros 2 operacionais internos foram utilizados em outras partes do circuito.
Foi utilizado um resistor vari avel de precis ao no lugar de um resistor no girador para o
ajuste no do valor do indutor.
Onde, R2 = R3 = R4 = 47.5 k, o capacitor C1 = 22 nF e o resistor vari avel POT1 =
500 k.
Desta maneira foi possvel eliminar a interfer encia de 60 Hz de forma que esta n ao mais
comprometesse o resultado da medida.
Um Buffer foi construdo ap os o circuito LC s erie para o terra, aproveitando um dos ope-
racionais disponveis do TL074P, de forma que, devido ` a altssima imped ancia de entrada deste
est agio, n ao haja queda de tens ao no resistor R1 = 100 k para freq u encias fora de 60 Hz.
2.6 Amplicador com capacitor de compensac ao de freq u encia externa 43
2.6 Amplicador com capacitor de compensac ao de freq u en-
cia externa
O amplicador com capacitor compensac ao de freq u encia externa foi colocado com o obje-
tivo de ltrar componentes em alta freq u encia que estejam somados ao nvel contnuo de sada,
bem como facilitar a retirada da m edia do sinal de entrada, n ao podendo portanto ter uma cons-
tante de tempo muito alta nem muito baixa. Ele funciona como um ltro passa baixas e est a
sendo mostrado na Figura 2.32. Al em disso, foi introduzido um circuito de compensac ao de
off-set composto pelo resistor vari avel de precis ao POT1 e resistores R5 e R6 conforme se v e
na Figura 2.32.
Figura 2.32: Esquema El etrico do Amplicador com Capacitor de Compensac ao.
O segundo est agio (CI2) deste amplicador e um inversor de ganho unit ario, servindo ape-
nas para inverter o sinal que sai com nvel de tens ao negativa na sada do amplicador com
capacitor compensac ao de freq u encia externa.
2.7 Comportamento quadr atico da tens ao na sada do cir-
cuito
Ap os solucionado o problema da interfer encia em 60 Hz, o outro problema era que o com-
portamento da tens ao de sada proporcional ao campo e quadr atico, inviabilizando portanto a
medida de uma variac ao muito grande de campo, pois para conseguir uma determinada medida,
deveria limitar o ganho para esta intensidade de campo e suas redondezas, n ao podendo ent ao
variar o campo muito al em de um valor pr e-determinado.
2.8 Amplicador logartmico 44
Para a solucionar este problema, optou-se inicialmente por um est agio com amplicador
logartmico.
2.8 Amplicador logartmico
O amplicador utilizado foi o LOG112 da Texas Instruments. Tamb em este circuito inte-
grado foi fornecido como amostra, por em devido ` a diculdade de alinhamento da inclinac ao da
curva de ganho do amplicador logartmico com a inclinac ao da curva da tens ao de sada do
est agio anterior, este processo se tornou inecaz, pois mesmo aumentando consideravelmente a
faixa de campo em que se desejava obter asa medidas, ainda n ao era suciente para medir toda
a faixa desejada.
Vendo que o Amplicador Logartmico n ao atendia ` as necessidades do projeto, optou-se
pela construc ao de um amplicador com ganho chaveado, contendo um ganho diferente para
cada faixa de intensidade de campo medida.
2.9 Amplicador com ganho chaveado
O componente utilizado para fazer o chaveamento, foi o CI 4066, CI este que possui 4
chaves anal ogicas bilaterais, sendo este componente usado para chavear mais ou menos resis-
tores, RGA, RGB, RGC e RGD que, em paralelo com a resist encia RG e, em conjunto com as
resist encias R6, R7 e R8, denem o ganho do amplicador. Assim, o ganho varia de acordo
com a quantidade de chaves acionadas no 4066. Estas chaves s ao acionadas por comparadores,
os quais tem tens oes de refer encia diferentes, e o sinal utilizado para a comparac ao e o pr oprio
sinal da antena, logo ap os passar pelo amplicador de instrumentac ao e o ltro para 60 Hz.
O esquema el etrico deste est agio est a mostrado na Figura 2.33.
Percebe-se no esquema el etrico que al em da sada do sinal, o circuito possui mais quatro
sadas l ogicas A,B,C e D, que s ao para informar o est agio microprocessado em qual dos ga-
nhos o amplicador est a trabalhando para que o microprocessador possa fazer a compensac ao
adequada para uma sada correta do valor da intensidade de campo medido.
Para evitar a construc ao de mais um est agio integrador posterior ao amplicador chaveado,
estes 2 amplicadores foram montados integrados, ou seja, e um circuito integrador com um
ganho diferente de 1.
H a um resistor vari avel, POT1 = 500 k, com o objetivo de compensac ao de off-set e um
2.9 Amplicador com ganho chaveado 45
Figura 2.33: Esquema el etrico do est agio de Chaveamento
capacitor de compensac ao de freq u encia, C1, com o objetivo de diminuir o ganho para altas
freq u encias.
Este capacitor tamb em possibilita que o circuito funcione quase que como um integrador
com uma constante de tempo elevada, auxiliando no cumprimento do tem III do do Captulo 2
/ Ttulo 2, da Resoluc ao 303/2002 da Anatel[3].
Esse amplicador resolveu o problema da faixa din amica muito alta. Assim, na con-
gurac ao nal, o circuito de amplicac ao para cada um do tr es sensores da sonda cou com o
amplicador de instrumentac ao na entrada, ltro notch na etapa intermedi aria e amplicador de
ganho vari avel, com compensac ao de freq u encia, na etapa de sada.
O circuito nal em blocos cou como o representado na Figura 2.34.
Figura 2.34: Diagrama em blocos da eletronica do sensor.
2.10 Montagem do Sensor 46
2.10 Montagem do Sensor
Acaracterizac ao el etrica do transdutor e necess aria para relacionar umdeterminado valor de
tens ao el etrica que o transdutor produz com um valor de campo el etrico. Este ensaio e realizado
pelo m etodo da substituic ao, onde os valores de tens ao el etrica obtidos dos transdutores s ao
comparados com um medidor de campo el etrico padr ao.
Os transdutores foram fabricados conforme descrito em [10]. Ap os a montagem dos diodos,
os transdutores e os suportes resistivos foram montados e conectados.
O sensor para ter a caracterstica de isotropia necessita que cada um dos transdutores realize
medic oes em um dos eixos espaciais (x, y ou z), deste modo e necess ario que a montagem do
sensor contemple esta necessidade. Ent ao o sensor foi montado com tr es transdutores montados
como um prisma. A xac ao dos transdutores no formato de prisma foi realizada com o uso de
cola lquida de secagem r apida. As Figura 2.35 e 2.36 mostram o sensor ap os a sua montagem.
Figura 2.35: Detalhe da Montagem dos Transdutores em Prisma
Ap os a montagem do prisma, constituindo o sensor isotr opico, ele foi protegido com es-
puma para a inserc ao de sua capa protetora. A capa protetora tem dupla func ao, a primeira,
como o pr oprio nome diz, e a protec ao do prisma contra choques mec anicos acidentais e a se-
gunda e tamb em a mais importante, e a garantia de que os diodos de cada transdutor n ao tenham
contato com a luz, pois ela induz a erros de medidas j a que o encapsulamento do diodo n ao e
opaco. A Figura 2.37 e Figura 2.38 ilustram a protec ao do sensor
Com a montagem do sensor em conjunto com a eletr onica de amplicac ao do sinal (Ver
Figura 2.39), ele est a pronto para ser caracterizado.
2.10 Montagem do Sensor 47
Figura 2.36: Transdutores montados em prisma formando o sensor isotr opico
Figura 2.37: Detalhe da Espuma nos Transdutores em Prisma
2.10 Montagem do Sensor 48
Figura 2.38: Sensor isotr opico com a capa de protec ao
Figura 2.39: Detalhe da eletr onica de amplicac ao do sinal do sensor isotr opico
49
3 SIMULAC

AO DO ESPALHAMENTO ELETROMAGN

ETICO
A simulac ao do Espalhamento Eletromagn etico do Sensor e necess aria para se determi-
nar o diagrama de radiac ao da antena, atrav es da incid encia de uma onda eletromagn etica e
observac ao da parcela reetida desta mesma onda. Toda antena possui diagrama de radiac ao
de transmiss ao id entico ao de recepc ao conforme o teorema da reciprocidade, desta forma, e
possvel obter assim o diagrama de radiac ao desta antena.
Tal simulac ao foi desenvolvida utilizando o m etodo dos elementos nitos, usando como
base o programa desenvolvido em [11]. Tal programa foi paralelizado para trabalhar em am-
biente paralelo MPI (Message Passing Interface) devido ao grande volume de processamento
necess ario para simular o espalhamento desta antena. Todas as rotinas e func oes anteriormente
desenvolvidas para utilizac ao com Scilab [7] foram agora desenvolvidas em C e Fortran, para
se adequarem ao ambiente MPI e tamb em por quest ao de desempenho e foram criadas novas
rotinas e func oes para conectar com o MPI.
3.1 Formulac ao
A formulac ao aqui utilizada ser a empregado o teorema das correntes volum etricas equiva-
lentes [12][11], onde o espalhador, para efeito de c alculo da onda espalhada, pode ser subs-
titudo pelas seguintes correntes equivalentes:

J
eq
= j
0
(

I)

E (3.1)

M
eq
= j
0
(

I)

H (3.2)
sendo

J
eq
a densidade de corrente el etrica equivalente,

M
eq
a densidade de corrente magn etica
equivalente,

E o campo el etrico total,

H o campo magn etico total,


r
o tensor permissividade
el etrica relativa e


r
o tensor permeabilidade magn etica relativa.
O campo el etrico total pode ser escrito como:

E =

E
inc
+

E
s
(3.3)
3.1 Formulac ao 50
sendo

E
inc
o campo el etrico incidente e

E
s
o campo el etrico espalhado.
O campo magn etico total pode ser escrito como:

H =

H
inc
+

H
s
(3.4)
sendo

H
inc
o campo magn etico incidente e

H
s
o campo magn etico espalhado. Os campos
espalhados podem ser calculados pelas equac oes de Maxwell tendo como fonte as correntes

J
eq
e

M
eq
,

E
s
=

M
eq
j
0

H
s
(3.5)

H
s
=

J
eq
+ j
0

E
s
(3.6)
Substituindo (3.2) e (3.4) na equac ao (3.5), vem:

E
s
= j
0
(

I)

H
inc
j
0
(

I)

H
s
j
0

H
s
(3.7)
Da obt em-se:

E
s
= j
0
(

I


r
)

H
inc
j
0


r

H
s
(3.8)
Multiplicando- os dois lados da equac ao (3.8) por

v
r
=


1
r
e, depois, aplicando o rotacional
tamb em nos dois lados, vem:

v
r

E
s
_
= j
0
(

v
r

I)

H
inc
j
0

H
s
(3.9)
Com a equac ao (3.6), pode-se escrever:

v
r

E
s
_
= j
0
(

v
r

I)

H
inc
j
0

J
eq
+k
2
0

E
s
(3.10)
Aplicando as equac oes (3.1) e (3.3) na equac ao (3.10), resulta em:

v
r

E
s
_
= j
0
(

v
r

I)

H
inc
+k
2
0
(

I)

E
inc
+k
2
0
(

I)

E
s
+k
2
0

E
s
(3.11)
que pode ser reescrita como:

v
r

E
s
_
k
2
0

E
s
= j
0
(

v
r

I)

H
inc
+k
2
0
(

I)

E
inc
(3.12)
que e a equac ao que relaciona o campo el etrico espalhado com os campos el etrico e magn etico
incidentes. Esta e a equac ao usada para an alise do problema de espalhamento de meios com
propriedades anisotropicas el etrica e magn etica no domnio da frequ encia.
3.1 Formulac ao 51
3.1.1 C alculo dos Campos Distantes Utilizando o Teorema das Correntes
Volum etricas Equivalentes.
Observando as equac oes (3.5) e (3.6) pode-se ver que as densidades de corrente

M
eq
e

J
eq
radiam os campos espalhados no espaco livre. Assim, para calcular os campos espalhados basta
obter

M
eq
e

J
eq
.
Obtenc ao de

M
eq
.
A densidade de corrente magn etica equivalente e dada por (3.2), que com (3.4), d a:

M
eq
= j
0
(

I) (

H
inc
+

H
s
) (3.13)
O campo magn etico incidente

H
inc
pode ser calculado assim[11]:

H
inc
= (H
inc
x
x +H
inc
y
y +H
inc
z
z)e
jk
0
r

k
H
inc
x
=
(k
y
E
inc
z
k
z
E
inc
y
)

0
H
inc
y
=
(k
z
E
inc
x
k
x
E
inc
z
)

0
H
inc
z
=
(k
x
E
inc
y
k
y
E
inc
x
)

0
(3.14)
Partindo da equac ao (3.8), obt em-se o campo magn etico espalhado, necess ario em (3.13), da
seguinte forma:

H
s
=
1
j
0
_

v
r

E
s
_
+(

v
r

I)

H
inc
(3.15)
Assim, (3.15) em (3.13), tem-se:

M
eq
= j
0
(

I) (

H
inc
+

H
s
)

M
eq
= j
0
(

I)
_
1
j
0
_

v
r

E
s
_
+

v
r

H
inc
_
(3.16)
Assim, a densidade de corrente magn etica ca:

M
eq
= (

v
r

I)

E
s
j
0
(

v
r

I)

H
inc
(3.17)
3.2 Cluster para Computac ao Paralela 52
Obtenc ao de

J
eq
.
A densidade de corrente el etrica equivalente e dada por (3.1) que, com (3.3), d a:

J
eq
= j
0
(

I) (

E
inc
+

E
s
) (3.18)
3.1.2 Integrac oes para o C alculo do Campo Espalhado, emQualquer Ponto
de Observac ao, Utilizando o Teorema do Volume Equivalente.
Para o c alculo do campo, deve-se realizar as integrais das equac oes abaixo [12][11]:
E
s
x
=
___
V
espalhador
_

j
0
4k
0
_
G
1
J
eq
x
+(x x
,
)G
2
_
(x x
,
)J
eq
x
+(y y
,
)J
eq
y
+(z z
,
)J
eq
z

1
4
_
(z z
,
)M
eq
y
(y y
,
)M
eq
z

1+jk
0
|rr
,
|
|rr
,
|
3
_
e
jk
0
|rr
,
|
dx
,
dy
,
dz
,
E
s
y
=
___
V
espalhador
_

j
0
4k
0
_
G
1
J
eq
y
+(y y
,
)G
2
_
(x x
,
)J
eq
x
+(y y
,
)J
eq
y
+(z z
,
)J
eq
z

1
4
_
(x x
,
)M
eq
z
(z z
,
)M
eq
x

1+jk
0
|rr
,
|
|rr
,
|
3
_
e
jk
0
|rr
,
|
dx
,
dy
,
dz
,
E
s
z
=
___
V
espalhador
_

j
0
4k
0
_
G
1
J
eq
z
+(z z
,
)G
2
_
(x x
,
)J
eq
x
+(y y
,
)J
eq
y
+(z z
,
)J
eq
z

1
4
_
(y y
,
)M
eq
x
(x x
,
)M
eq
y

1+jk
0
|rr
,
|
|rr
,
|
3
_
e
jk
0
|rr
,
|
dx
,
dy
,
dz
,
(3.19)
sendo

M
eq
dado pela equac ao (3.17),

J
eq
dado pela equac ao (3.18), r = x x +y y +z z o vetor
posic ao do ponto de observac ao, r
,
= x
,
x +y
,
y +z
,
z o vetor posic ao do ponto de integrac ao,
|r r
,
| = R a dist ancia entre o ponto de integrac ao e o ponto de observac ao,
G
1
=
1jk
0
R+k
2
0
R
2
R
3
G
2
=
3+j3k
0
Rk
2
0
R
2
R
5
(3.20)
3.2 Cluster para Computac ao Paralela
Conseguiu-se montar um cluster com 10 computadores 64 Bit com 1Gb de Mem oria RAM,
atrav es de nanciamento junto a FUNDAC

AO DE APOIO
`
A CI

ENCIA E TECNOLOGIA
DO ESP

IRITO SANTO - FAPES, sem os quais ia ser impossvel rodar a simulac ao devido a
limitac ao em mem oria RAM e processamento das m aquinas disponveis na universidade.
3.2 Cluster para Computac ao Paralela 53
O cluster pode ser observado na Figura 3.1 que destaca as placas do cluster e a estac ao de
controle local.
Figura 3.1: Cluster destacando a estac ao para operac ao local.
Devido ao fato dos processadores serem 64 Bit, optou-se por realizar uma pesquisa dentre
as diversas distribuic oes linux existentes, quais possuam portabilidade para 64 Bit e quais eram
mais leves para que a maior parte dos recursos disponveis fosses utilizados para o programa
em si e n ao para recursos do sistema operacional.
A distribuic ao escolhida foi a Slackware[13], conhecida como a distribuic ao linux mais
antiga em continuidade de projeto e famosa por ser uma distribuic ao s olida e leve. O unico
problema e que o Slackware n ao possui uma compilac ao ocial para 64 Bit. A soluc ao foi usar
uma de suas 2 distribuic oes n ao ociais para 64 Bit, o Slamd64[14] e o Bluewhite64[15]. O
primeiro, apesar de ser 64 Bit, possui bibliotecas de compatibilidade 32 Bit, necess arias para
compilar compilador Fortran da Intel, Ifort, que mesmo em sua vers ao 64 Bit, utiliza algumas
bibliotecas 32 Bit. Por em o Slamd64 apresentou alguns problemas de falta de pacotes que o
Slackware original possua e mesmo n ao possua prejudicando a congurac ao de algumas coisas
no cluster.
A soluc ao encontrada foi instalar o Bluewhite64 e acrescentar ao mesmo as bibliotecas de
compatibilidade 32 bit existentes no Slamd64.
Ap os instalado e congurado o Linux, tamb em foi feito um estudo para se recompilar o
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 54
kernel do sistema deixando-o o mais leve possvel. Todos os m odulos desnecess arios, como
entradas USB, paralela, serial, m odulos de placa de som, etc. foram retirados deixando-o o
mais compacto e funcional possvel, aumentando assim sua performance em termos de proces-
samento e liberac ao de mem oria para as simulac oes que ir ao rodar no cluster.
Apesar de n ao ser necess ario no momento utilizar um ambiente gr aco no linux, optou-se
por instalar o mesmo no cluster para futuras aplicac oes que utilizem GUI - Graphic User Inter-
face possam roda-las corretamente, por em ao inv es da interface KDE, padr ao do Slackware, a
qual e bem completa mas utiliza grande quantidade de mem oria, optou-se pelo Openbox[16],
uma das interfaces gr acas mais leves existentes para o Linux, que ocupa pouco menos que 2
Mb da mem oria RAM do micro.
Ap os o sistema estar todo otimizado, partiu-se para a instalac ao do ambiente MPI. Existem
v arios ambientes MPI disponveis. Inicialmente optou-se pelo LAM/MPI[17] devido ao fato
do mesmo ser o ambiente MPI utilizado no cluster da Engenharia da Computac ao da UFES.
Por em, o mesmo est a descontinuado e seus autores migraram, junto com v arios outros autores
de outros projetos MPI para o projeto Open MPI[18], sendo portanto este o escolhido para o
cluster.
Para aumentar a performance, todos os programas e bibliotecas desenvolvidos foram com-
pilados utilizando a biblioteca GotoBLAS[19], que e uma BLAS (Basic Linear Algebra Subpro-
grams), ou seja, uma biblioteca de otimizac ao para c alculos num ericos, especialmente operac ao
com matrizes, com suporte a threading o que possibilita que um programa utilize todos os
n ucleos de um processador multi-n ucleo como se fosse um unico processador, otimizando dras-
ticamente o processamento.
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico
O calculo do espalhamento eletromagn etico foi realizado utilizando atrav es da criac ao de
um modelo tridimensional da antena no interior de uma PML - perfectly-matched layer - de
forma que assim pode-se simular a regi ao de campo distante da antena.
Todo este espaco tridimensional constitudo de antena, PML e espaco livre entre os dois,
e dividido em min usculos elementos tetra edricos e o valor do campo e calculado em cada um
destes elementos atrav es do M etodo dos Elementos Finitos[11].
A geometria da antena pode ser observada nas Figuras 3.2 e 3.3, sendo que a segunda gura
est a com a malha, e uma aproximac ao na regi ao central, entre os pads.
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 55
X
Y
Z
Figura 3.2: Geometria da antena, comprimento 8mm, largura inicial do dipolo 0.5mm, largura
dos pads 0.1mm, espacamento entre os pads 0.25mm, espessura 0.1mm.
X
Y
Z
Figura 3.3: Antena malhada, com destaque para a regi ao entre os pads da antena
A Figura 3.4 apresenta a PML com o sensor em sua regi ao central, a espessura da PML
possui 0, 2 em 3 GHz, ou seja, 20mm, e a Figura 3.5, apresenta a mesma PML por em com a
malha utilizada para a simulac ao.
As simulac oes foram desenvolvidas com um campo el etrico de 1V/m incidindo na antena,
e o ponto de observac ao situado a 1Km da mesma.
O uxograma do programa desenvolvido bem como as bibliotecas utilizadas e/ou desenvol-
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 56
X
Y
Z
Figura 3.4: Geometria da PML e sensor, observa-se o sensor ao centro e a PML com 0, 2 em
3 GHz
X
Y
Z
Figura 3.5: PML e sensor, com malha do GMSH.
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 57
vidas se encontra no Ap endice B.
3.3.1 M etodo dos Elementos Finitos
Para a resoluc ao deste problema foi utilizada uma malha com 252896 elementos tetra edri-
cos quadr aticos dando umtotal de 337881 elementos de arestas, comumnvel de preenchimento
da matriz na ordem de 0, 004%.
3.3.2 Ambiente paralelo MPI
O Ambiente MPI consiste em uma forma de paralelizar programas, para que o processa-
mento e utilizac ao de mem oria possam ser distribuidos entre v arias m aquinas da forma que o
programador estipular.
Para este caso, o paralelismo foi utilizado em 2 partes do programa: Para a resoluc ao do
sistema linear, pois com apenas uma m aquina n ao seria vi avel em quest ao de mem oria RAM
(quase 10 Gb utilizados) e processamento, pois dividindo o mesmo entre os 10 computadores
do cluster, pode-se diminuir o tempo de resoluc ao de problema de v arias horas, para pouco
menos de uma hora.
A segunda parte paralelizada foi a obtenc ao do campo para cada ponto de observac ao do
campo distante. Nesse c alculo do campo no ponto de observac ao, deve-se integrar as densi-
dades de correntes (el etrica e magn etica) equivalentes em todo o volume interno da antena.
Nas equac oes utilizadas para c alculo de campo radiado n ao e feita a aproximac ao de campo
distante, assim, o campo e calculado para uma dist ancia elevada em relac ao ao comprimento
de onda. Foram obtidas curvas para o campo radiado no plano zx ( = 0
o
) e tamb em para o
plano yz ( = 90
o
), considerando uma variac ao de de 0
o
a 180
o
variando 0, 5
o
por passo. Esta
parte n ao exigia uma quantidade grande de mem oria, mas um consumo de razo avel tempo no
processamento para cada passo, desta forma, resolveu-se paralelizar o processo para que cada
processador do cluster obtivesse o campo para alguns pontos de observac ao. A tarefa foi divi-
dida entre os processadores a m de reduzir o tempo desta etapa do programa em torno de 8
vezes.
3.3.3 Resolvedor Linear
O resolvedor linear utilizado foi a Biblioteca SuperLU[20], o qual e uma biblioteca para
resoluc ao direta de sistemas de equac oes lineares, muito grandes, esparsos, assim etricos, com
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 58
vari aveis reais e complexas em m aquinas de alta performance ou em cluster. O sistema possui
interfaces em C e Fortran por em nenhuma atendeu completamente a necessidades do projeto,
ent ao uma nova interface teve que ser desenvolvida baseada na j a existente.
3.3.4 Diagrama de Radiac ao da Antena
O diagrama de radiac ao da antena foi obtido atrav es do programa de simulac ao de espa-
lhamento eletromagn etico descrito no Captulo 3. Foram utilizadas as freq u encias de 3GHz e
15GHz, para demonstrar que o diagrama de radiac ao da antena n ao sofreu alterac ao signicante
nessas freq u encias. Tamb em variou-se a espessura da antena, para demonstrar que a alterac ao
do tipo de lme (espesso ou no) do sensor, n ao ofereceria variac ao signicante no diagrama
de radiac ao da antena.
O sensor est a localizado ao longo do eixo x como mostram as Figura 3.6 e 3.7. A campo in-
cidente, como j a mencionado no Captulo 3 possui intensidade de 1V/me o ponto de observac ao
est a localizado a 1Km do sensor. Foram obtidas curvas para o campo radiado no plano zx
( = 0
o
) e tamb em para o plano yz ( = 90
o
), considerando uma variac ao de de 0
o
a 180
o
variando 0, 5
o
por passo.
X
Y
Z
Figura 3.6: Posicionamento do sensor em relac ao ao sistema de coordenadas mostrando o plano
xy, onde em coordenadas esf ericas, no eixo x = 0
o
e no eixo y = 90
o
.
X Y
Z
Figura 3.7: Posicionamento do sensor em relac ao ao sistema de coordenadas mostrando no
plano xz, onde em coordenadas esf ericas, no eixo x = 0
o
e no eixo y = 90
o
.
O gr aco comparativo entre o diagrama de radiac ao do sensor, tanto para 3GHz, quanto
para 15GHz, nos planos = 0
o
e = 90
o
podem ser visualizados na Figura 3.8. Os valores
de campo foram ajustados de forma que o primeiro ponto ( = 0) correspondesse a um valor
de campo zero dB (0 dB), e os outros pontos, foram reajustados em relac ao a este. Percebe-se
neste gr aco que n ao houve mudanca signicativa no diagrama de radiac ao da antena com a
variac ao da freq u encia.
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 59
0 50 100 150 200
[graus]
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
3 GHz
15 GHz
=0
o
0 50 100 150 200
[graus]
-0.006
-0.004
-0.002
0
0.002
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
3 GHz
15 GHz
=90
o
Figura 3.8: Comparativo de campo em 3GHz e 15GHz
Tamb em foi realizada uma comparac ao entre o sensor original e um sensor com o dobro de
espessura, e percebeu-se assim como no caso anterior, que, quando se aumenta a espessura do
sensor, as mudancas no diagrama de radiac ao n ao s ao signicativas como pode ser percebido
na Figura 3.9 onde rodou-se a simulac ao em 3GHz e a Figura 3.10 onde a mesma comparac ao
foi feita por em agora em 15GHz.
A partir de ent ao, resolveu-se, com o dipolo em curto, e n ao ajustando o valor campo, tanto
para o primeiro ponto ( = 0) quanto para os demais pontos, pode se obter valores reais do
campo como pode ser vericado ` a seguir.
A Figura 3.11 apresenta o valor do campo sem o ajuste para a freq u encia de 3GHz. Percebe-
se uma queda de sensibilidade para a espessura menor. Percebe-se tamb em que com o aumento
da freq u encia, como pode ser observado na Figura 3.11 para 15GHz, que esta queda de sensi-
bilidade j a n ao e t ao acentuada.
Isso demonstra que independente se o sensor ser a construdo com lme no ou espesso, o
mesmo ter a o mesmo diagrama de radiac ao.
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 60
0 50 100 150 200
[graus]
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
3GHz
=0
o
0 50 100 150 200
[graus]
-0.002
-0.001
0
0.001
0.002
0.003
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
=90
o
Figura 3.9: Comparac ao entre sensor com espessura 0.1mm e sensor com espessura 0.2mm em
3GHz.
0 50 100 150 200
[graus]
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
15GHz
=0
o
0 50 100 150 200
[graus]
-0.04
-0.03
-0.02
-0.01
0
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
=90
o
Figura 3.10: Comparac ao entre sensor com espessura 0.1mm e sensor com espessura 0.2mm
em 15GHz.
3.3 C alculo do Espalhamento Eletromagn etico 61
0 50 100 150 200
[graus]
-200
-150
-100
-50
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
3GHz
=0
o
0 50 100 150 200
[graus]
-90
-80
-70
-60
-50
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
=90
o
Figura 3.11: Relac ao do Campo El etrico entre o sensor com espessura 0.1mm e sensor com
espessura 0.2mm em 3GHz.
0 50 100 150 200
[graus]
-200
-150
-100
-50
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
15 GHz
=0
o
0 50 100 150 200
[graus]
-54
-52
-50
-48
-46
-44
2
0
l
o
g
1
0
|
E
s
|
0.1 mm
0.2 mm
=90
o
Figura 3.12: Relac ao do Campo El etrico entre o sensor com espessura 0.1mm e sensor com
espessura 0.2mm em 15GHz.
62
4 ALGORITMO GEN

ETICO
O sensor foi desenvolvido segundo as especicac oes de M. Kanda[1], pois a especicac ao
proposta atende aos requisitos do projeto do CPqD (sensor variando de 100kHz at e 15GHz).
Por em, para vericar se era possvel conseguir sensores com largura de banda maiores,
os par ametros do conjunto antena e linhas resistivas, como dimens oes e resistividade, foram
variados de forma a observar estas caractersticas.
A partir das dimens oes iniciais do sensor propostas por M. Kanda em [1] (Caso 1). Foram
feitas variac oes em alguns par ametros seguidas de simulac oes para observar seu comporta-
mento. Estas variac oes est ao contidas na Tabela 4.1 e a Figura 4.1 os localiza no sensor.
Figura 4.1: Desenho do Sensor acoplado ` as linhas resistivas especicando seus par ametros.
Inicialmente variou-se largura inicial do dipolo de 0, 15mm (Caso 1) para 0, 25mm (Caso
4 Algoritmo Gen etico 63
Tabela 4.1: Variac oes dos par ametros do sensor
Casos Largura Comprimento Comprimento Resistividade Largura Espacamento
inicial do dipolo da linha da linha da linha entre as
do dipolo [mm] resistiva resistiva resistiva linhas
[mm] [mm] [/sq.] [mm] resistivas
[mm]
Caso 1 0, 15 8 40 250 0, 025 0, 025
Caso 2 0, 25 8 40 250 0, 025 0, 025
Caso 3 0, 5 8 40 250 0, 025 0, 025
Caso 4 0, 15 12 40 250 0, 025 0, 025
Caso 5 0, 15 16 40 250 0, 025 0, 025
Caso 6 0, 15 8 80 250 0, 025 0, 025
Caso 7 0, 15 8 120 250 0, 025 0, 025
Caso 8 0, 15 8 40 250 0, 25 0, 25
Caso 9 0, 15 8 40 250 0, 5 0, 5
Caso 10 0, 15 8 80 125 0, 025 0, 025
Caso 11 0, 15 8 120 85 0, 025 0, 025
Caso 12 0, 15 8 40 2500 0, 25 0, 25
Caso 13 0, 15 8 40 5000 0, 25 0, 25
2) e posteriormente para 0, 5mm (Caso 3), percebe-se uma melhoria de sensibilidade com o
aumento da largura inicial como mostrado na Figura 4.2.
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Freq [GHz]
-40
-20
0
20
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Caso 1
Caso 2
Caso 3
Figura 4.2: Variac ao da largura inicial do dipolo. Caso 1: 0, 15mm; Caso 2: 0, 25mm; Caso 3:
0, 5mm.
Variando o comprimento do dipolo de 8mm (Caso 1) para 12mm (Caso 4) e posteriormente
para 16mm (Caso 5), percebe-se uma melhoria de sensibilidade com o aumento da largura
inicial, por em uma maior atenuac ao ocorre em altas freq u encias, como mostrado na Figura 4.3.
Variando o comprimento da linha resistiva de 40mm (Caso 1) para 80mm (Caso 6) e pos-
teriormente para 120mm (Caso 7), percebe-se uma reduc ao de sensibilidade do sensor, por em
uma melhor resposta em baixas freq u encias, como mostrado na Figura 4.4.
Variando a largura das linhas resistivas e o espacamento entre elas, de 0, 025mm (Caso 1)
para 0, 25mm (Caso 8) e posteriormente para 0, 5mm (Caso 9), percebe-se uma grande perda de
4 Algoritmo Gen etico 64
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Freq [GHz]
-40
-20
0
20
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Caso 1
Caso 4
Caso 5
Figura 4.3: Variac ao o comprimento do dipolo. Caso 1: 8mm; Caso 4: 12mm; Caso 5: 16mm.
0.001 0.01 0.1 1 10
Freq [GHz]
-10
-5
0
5
10
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Caso 1
Caso 6
Caso 7
Figura 4.4: Variac ao o comprimento da linha. Caso 1: 40mm; Caso 6: 80mm; Caso 7: 120mm.
sensibilidade do sensor em baixas freq u encias como mostrado na Figura 4.5.
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Freq [GHz]
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Caso 1
Caso 8
Caso 9
Figura 4.5: Variac ao da largura das linhas resistivas e o espacamento entre elas. Caso 1:
0, 025mm; Caso 8: 0, 25mm; Caso 9: 0, 5mm.
Variando novamente o comprimento da linha resistiva de 40mm (Caso 1) para 80mm (Caso
10) e posteriormente para 120mm (Caso 11) por em desta vez variando tamb em resistividade da
linha de 250/sq. (Caso 1) para 125/sq. (Caso 10) , e posteriormente para 85/sq. (Caso
4 Algoritmo Gen etico 65
11), percebe-se, como mostrado na Figura 4.6, que podemos variar o comprimento da linha para
um dado valor de projeto se mantivermos a relac ao comprimento x resistividade constante.
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Freq [GHz]
-50
-40
-30
-20
-10
0
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Caso 1
Caso 10
Caso 11
Figura 4.6: Variac ao do comprimento da linha. Caso 1: 40mm; Caso 10: 80mm; Caso 11:
120mm. Por em mantendo a relac ao comprimento x resistividade constante.
Seguindo o mesmo raciocnio e variando a largura das linhas resistivas e o espacamento en-
tre elas, de 0, 025mm (Caso 1) para 0, 25mm (Caso 12) e posteriormente para 0, 5mm (Caso 13)
por em desta vez variando tamb em resistividade da linha de 250/sq. (Caso 1) para 2500/sq.
(Caso 12) , e posteriormente para 5000/sq. (Caso 13), percebe-se, como mostrado na Figura
4.7, que podemos variar a largura e o espacamento das linhas resistivas para um dado valor de
projeto se mantivermos a relac ao largura / resistividade constante.
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Freq [GHz]
-50
-40
-30
-20
-10
0
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Caso 1
Caso 12
Caso 13
Figura 4.7: Variac ao da largura das linhas resistivas e o espacamento entre elas. Caso 1:
0, 025mm; Caso 12: 0, 25mm; Caso 13: 0, 5mm. Por em mantendo a relac ao largura / resis-
tividade constante.
Percebe-se ent ao que variando os par ametros do sensor, e possvel alterar a largura de banda
e sensibilidade do sensor.
Para mostrar que isto e vi avel para projetos futuros que utilizem sensores com largura de
banda maiores foi desenvolvido um programa que utiliza o princpio da heurstica de algoritmo
4 Algoritmo Gen etico 66
gen etico para o c alculo de um sensor com esta geometria esperada.
O algoritmo gen etico funciona de forma bem simples: a princpio gera-se um conjunto de
indivduos. Cada indivduo e um conjunto sensor/linha resistiva com caractersticas (medidas e
resistividades) diferentes dos demais indivduos, geradas aleatoriamente. Cada caracterstica, e
um gene deste indivduo. Este conjunto de indivduos e chamada 1
a
gerac ao de indivduos.
Um indivduo pode ser exemplicado pela Figura 4.8.
Compo poder ser visto na Figura 4.8, cada par ametro foi codicado com 8 bit, o que pro-
porciona 256 combinac oes de cada par ametro do sensor, variando de um valor mnimo at e um
valor m aximo pr e estipulados, codicados como 00000000 e 11111111 respectivamente.
Figura 4.8: Exemplo de um indivduo.
Estes indivduos s ao classicados atrav es de uma func ao objetivo onde neste caso a pri-
oridade e largura de banda, seguida de sensibilidade. Esta func ao objetivo e responsavel por
ordenar os indivduos dos mais aptos (maior largura de banda e sensibilidade) aos menos aptos
(menor largura de banda e sensibilidade).
A partir da primeira gerac ao s ao realizados cruzamentos entre os indivduos mais aptos (que
apresentam maior largura banda e maior sensibilidade). Estes cruzamentos s ao feitos atrav es
da troca de genes entre 2 indivduos da 1
a
gerac ao (pais), gerando 2 indivduos para a segunda
gerac ao (lhos). A troca de genes ocorre atrav es de um corte em uma posic ao aleat oria entre
4 Algoritmo Gen etico 67
dois indivduos como mostra a Figura 4.9.
Figura 4.9: Exemplo de um cruzamento entre dois indivduos.
Nos piores indivduos ocorrem mutac oes onde cada indivduo gera um outro indivduo (-
lho), a partir da mutac ao ocorrida em um de seus bits (invers ao do bit), alterac ao do valor de
um dos seus genes (alterac ao de uma das caractersticas do sensor) conforme a Figura 4.10.
Figura 4.10: Exemplo de uma mutac ao ocorrida em um indivduo.
Esse processo se repete por in umeras gerac oes (denidas no incio do programa) onde foi
estipulado uma taxa de cruzamento para os 70% indivduos mais aptos da populac ao e uma taxa
de mutac ao de 30% dos indivduos menos aptos da populac ao. Onde o melhor indivduo de
uma gerac ao (sensor com as melhores caractersticas, de forma que consiga a maior largura de
banda e a melhor resposta em freq u encia dentre os demais) e sempre clonado para evitar que
uma pr oxima gerac ao gere indivduos piores que a gerac ao atual.
Com uma populac ao de algumas centenas ou milhares de indivduos e algumas centenas ou
milhares de gerac oes, pode-se aumentar consideravelmente a largura de banda do sensor. Ou
inclusive trabalhar para que sua sensibilidade aumente.
Alguns testes foram realizados para comprovar que e possvel aumentar a largura de banda
4.1 Resultados com algoritmo gen etico 68
do sensor, por em estes novos sensores encontrados n ao foram produzidos pois o sensor com as
caractersticas iniciais[1] j a atendia os pr e-requisitos do projeto.
4.1 Resultados com algoritmo gen etico
Foram rodados 5 casos utilizando um programa e func oes desenvolvidos utilizando algo-
ritmo gen etico..
A quantidade de indivduos da populac ao (quantidade de conjuntos de par ametros do sen-
sor) e o n umero de gerac oes (ciclos de cruzamento e mutac oes entre os indivduos) para os
casos gerados est ao explicitados na Tabela 4.2.
Tabela 4.2: Casos Rodados Utilizando Algoritmo Gen etico
Caso Tamanho da populac ao N umero de gerac oes
Caso 1 10 20000
Caso 2 50 20000
Caso 3 500 10000
Caso 4 100 20000
Caso 5 1000 5000
Os par ametros que foram variados na antena foram resistividade do material do sensor, lar-
gura inicial do dipolo, comprimento do dipolo, comprimento das linhas resistivas, resistividade
das linhas resistivas, largura das linhas resistivas e espacamento entre elas.
Os indivduos iniciais de cada caso foram gerados aleatoriamente, o que n ao garante que
um caso onde se possua mais indivduos ou mais gerac oes obtenha o melhor indivduo. O
melhor indivduo encontrado e o que possui maior largura de banda (desej avel para um sensor
de medic ao de campo el etrico) e ao mesmo tempo o melhor ganho, sendo que o par ametro
prim ario para a decis ao e a largura de banda j a que o problema de ganho pode ser resolvido
com aumento de sensibilidade do equipamento de tratamento do sinal.
O melhor indivduo encontrado nestes casos, embora seja o que apresente a maior largura
de banda e o maior ganho dentre os demais indivduos, deve ser vericado se seus par ametros
s ao vi aveis para a construc ao de um sensor com estes par ametros.
Os par ametros analisados foram codicados em genes, cada um com precis ao de 8 bit,
dando um total de 256 valores possveis para cada par ametro. Tamb em se estipulou a faixa
mnima e m axima de variac ao de cada par ametro de forma a obter resultados mais coerentes.
Esta limitac ao est a apresentada na Tabela 4.3 e estes valores foram escolhidos de forma a dar
uma margem de variac ao aos par ametros iniciais.
4.1 Resultados com algoritmo gen etico 69
Cada um desses genes foi agrupado em uma unica string de bits o qual e o c odigo gen etico
do indivduo.
Ocorreu cruzamento nos 70% indivduos mais fortes da populac ao (com melhores largura
de faixa e ganho) de forma que era feito um corte aleat orio em uma das posic oes do c odigo
gen etico do indivduo, este cava com uma das partes e a outra era trocada com o indivduo que
se est a fazendo o cruzamento.
A mutac ao ocorreu em 30% dos indivduos mais fracos da populac ao (piores largura de
faixa e ganho) no qual era trocado apenas 1 bit aleat orio do c odigo gen etico do indivduo.
Tabela 4.3: Limites de variac oes mnimo e m aximo para a gerac ao de indivduos iniciais.
Casos Kanda Mnimo M aximo
resistividade do sensor [/sq.] 9.5 3 25
largura inicial do dipolo [mm] 0.15 0.15 0.5
comprimento do dipolo [mm] 8 4 400
comprimento das linhas resistivas [mm] 40 20 160
resistividade das linhas resistivas [/sq.] 250 150 3000
largura das linhas resistivas [mm] 0.025 0.015 0.25
espacamento entre as linhas resistivas [mm] 0.025 0.015 0.25
A Tabela 4.4 apresenta os par ametros encontrados para o melhor sensor encontrado nos
casos apresentados pela Tabela 4.2. Tamb em apresenta os par ametros utilizados por Kanda em
seu prot otipo[1].
Tabela 4.4: Par ametros apresentados pelos casos rodados utilizando Algoritmo Gen etico em
comparac ao com os par ametros da antena apresentada por Kanda
Casos Kanda Caso 1 Caso 2 Caso 3 Caso 4 Caso 5
resistividade do sensor [/sq.] 9.5 3.086 3 3.173 3 3.173
largura inicial do dipolo [mm] 0.15 0.467 0.495 0.481 0.482 0.492
comprimento do dipolo [mm] 8 22.636 16.424 13.318 13.318 13.318
comprimento das linhas resistivas [mm] 40 134.196 93.019 142.431 74.902 124.314
resistividade das linhas resistivas [/sq.] 250 1401.76 2172.94 328.824 2430 876.471
largura das linhas resistivas [mm] 0.025 0.00006 0.00002 0.00002 0.00007 0.00002
espacamento entre as linhas resistivas [mm] 0.025 0.00009 0.00013 0.00008 0.00015 0.00017
Os resultados para estes casos se encontram na Figura 4.11. Percebe-se que os resultados
apresentados pelo algoritmo gen etico possuem um ganho signicativamente menor que o mo-
delo proposto por Kanda[1], por em uma largura de banda consideravelmente maior, mostrando
assim a eci encia deste algoritmo.
4.1 Resultados com algoritmo gen etico 70
1e+06 1e+09
Freq [Hz]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
d
c

[
d
B
m
V
]
Kanda
Caso 1
Caso 2
Caso 3
Caso 4
Caso 5
Indivduos Encontrados com Algoritmo Gentico
Figura 4.11: Indivduos encontrados em comparac ao com a curva para o sensor com os
par ametros da antena de Kanda[1].
71
5 ENSAIOS
Alguns ensaios foram realizados na pr atica com as seguintes nalidades:
obter a curva de resposta do transdutor, e com esta curva obter a equac ao do compor-
tamento do transdutor. Com essa equac ao, pode-se calcular o valor de campo el etrico
correspondente ao nvel de tens ao no transdutor.
realizar o teste de isotropia, que consiste em medir os tr es transdutores ao mesmo tempo
e comparar o valor de campo resultante com o valor obtido com o medidor padr ao.
realizar o teste de resposta em freq u encia, onde se varia a freq u encia dentro da faixa
especicada para o sensor isotr opico, e compara-se o valor obtido por ele com o valor
medido com o sensor padr ao.
Os ensaios iniciais foram realizados na UFES, utilizando uma C elula TEM (Transver-
sal El etroMagn etica) construda Pelo Aluno Thobias Tose em seu Projeto de graduac ao, sob
orientac ao do Prof. Antonio Manoel Ferreira Frasson, e auxlio do autor desta dissertac ao.
O restante dos ensaios foram realizados tanto para transdutores confeccionados em lme
no quanto para transdutores em lme espesso, na c elula GTEM do laborat orio do CPqD, pela
equipe do CPqD.
Os resultados destes ensaios ser ao apresentados no decorrer do Captulo.
A seguir, tem-se uma breve introduc ao sobre as C elulas TEM e GTEM utilizadas nos en-
saios.
5.1 C elulas TEM
O nome TEM prov em do comportamento dos campos el etrico e magn etico no seu interior,
o campo interno da C elula TEM e caracterizado como sendo um campo aberto, isto e, na pr atica
5.1 C elulas TEM 72
o equipamento sob teste dever a estar submetido a um campo constante, esta condic ao a priori
ir a caracterizar um campo em espaco livre para uma determinada freq u encia.
O comportamento do campo dentro da c elula e proporcionado pela conduc ao do campo
atrav es do gerador ` a carga, este sinal e propagado atrav es de um condutor (cabo coaxial) onde
ao encontrar a c elula, a sua conduc ao prov e um campo distante onde o campo eletromagn etico
existente e uma onda plana. Os vetores de campo el etrico e magn etico s ao perpendiculares
um ao outro, perpendiculares na direc ao da propagac ao, produzindo desta forma uma campo
constante dentro da c elula.
Existemdiversos tipos de C elula TEM. Amais simples e a C elula Stripline, a qual e essenci-
almente constituda por duas placas paralelas e entre elas e desenvolvido o modo de propagac ao
TEM, por em na mesma s o podem ser realizados os testes de susceptibilidade eletromagn etica.
A c elula stripline e recomendada para freq u encia de at e 200MHz.
A c elula TEM que foi construda na UFES e a C elula Crawford, a qual e construda por
um condutor exterior fechado e um condutor interno (Septum), este condutor interno e a grande
diferenca entre esta c elula e a Stripline. Por possuir esta construc ao ela pode realizar teste de
susceptibilidade e de emissividade, este ultimo n ao pode ser feito por uma c elula Stripline. po-
dem ser encontrados v arios fabricantes de c elula Crawford pelo mundo, a maioria delas operam
de DC at e 200 MHz, por em alguns fabricantes intensicaram suas pesquisas para melhorar o
seus produtos e oferecer mais opc oes para seus clientes. Um bom exemplo e a Frankonia, que
mudou algumas caractersticas da c elula Crawford para atingir uma freq u encia m axima de teste
de 2GHz. Assim como na c elula Stripline o campo dentro da c elula Crawford e um campo
TEM (transversal campo eletromagn etico), que e a onda cujo campo el etrico e perpendicular ao
magn etico. Sua distribuic ao de campo pode ser observada na Figura 5.1.
Figura 5.1: Distribuic ao de campo no interior da c elula TEM.
No CPqD foram realizados ensaios em uma c elula GTEM. A c elula GTEM permite testes
de emissividade e imunidade numa faixa de freq u encia bem superior, atingindo a marca de 20
5.2 Ensaios na UFES 73
GHz.
O nome GTEM e uma derivac ao da c elula TEM (Transverse Electro-Magnetic) e a letra
G foi colocada pois esta c elula suporta freq u encias at e gigaHertz (GHz).
Os sinais de RF s ao injetados nesse guia de onda, onde as ondas se propagam ao redor do
condutor interno o conhecido como Septum (Separac ao), dando condic oes de campo distante,
onde o campo eletromagn etico existente e uma onda plana.
A intensidade do campo em Volts por metro e diretamente proporcional ` a tens ao aplicada
e a dist ancia entre o condutor interno e a superfcie inferior da c elula. O formato de pir amide
n ao foi escolhido por acaso: com este formato e utilizando metais especiais na sua construc ao,
garante-se que a c elula GTEM possua imped ancia caracterstica de 50.
Embora a c elula GTEM possua protec ao contra interfer encia do meio externo e das re-
ex oes, o seu maior problema de interfer encia e devido ao gerador de sinais e a interfer encia
no cabo de alimentac ao da c elula (cabo de sinais). O campo gerado na c elula GTEM e caracte-
rizado pela sua homogeneidade e pela sua repetibilidade.
5.2 Ensaios na UFES
A c elula TEM utilizada para os ensaios foi a construda pelo aluno Thobias[2], suportando
at e 250MHz e est a sendo mostrada na Figura 5.2.
Figura 5.2: Foto da c elula TEM construda na UFES[2].
Antes de iniciar os testes com o sensor acoplado na c elula, utilizou-se o Analisador de
Espectro para calibrar os geradores de onda que iriam alimentar os equipamentos. Foi veri-
5.2 Ensaios na UFES 74
cado para diversas freq u encias a pot encia em dBm entregue a c elula para posteriormente fazer
a medic ao com o sensor e com a c elula casada. As Figuras 5.3 e 5.4 mostram respectivamente
o gerador e o analisador de espectro utilizado.
Figura 5.3: Gerador utilizado nos ensaios.
Figura 5.4: Analisador de Espectro (Spectrum Analyzer - HP).
Ap os todos esses procedimentos, foi alocada a antena medidora no centro da c elula TEM,
e ao circuito acoplado um Multmetro na escala de Tens ao DC para testes com o prot otipo
desenvolvido conforme mostra a Figura 5.5.
Com todos os par ametros estudados, iniciou-se ent ao a medida dos valores apresentados
para uma faixa de freq u encia que variou de 1 MHz a 250 MHz. A Tabela 5.1 mostra os resulta-
dos obtidos.
5.3 Ensaios no CPqD 75
Figura 5.5: Antena no centro da c elula e multmetro acoplado ao circuito.
Os ensaios na UFES foram realizados para validar o sensor at e 250 MHz, e vericar se
ele se comporta como o esperado. Os ensaios realizados no CPqD ter ao validade para testar a
isotropia e banda do sensor.
5.3 Ensaios no CPqD
A c elula GTEM utilizada nos ensaios do CPqD trabalha em freq u encias at e 20 GHz e com
pot encia m axima de entrada de 200 W. A Figura 5.6 ilustra a c elula GTEM utilizada.
Figura 5.6: C elula GTEM utilizada nos ensaios
Para a gerac ao do campo el etrico est avel e sem modulac ao (CW Continuous Wave) dentro
da c elula GTEM foi utilizado um gerador e um amplicador de RF.
Para que os testes cobrissem toda a faixa de freq u encia desejada foram utilizados v arios
equipamentos, pois cada gerador e amplicador suportam apenas uma parte da faixa de fre-
q u encias utilizadas no teste. Na Tabela 5.2 e na Tabela 5.3 temos as listas dos amplicadores e
5.3 Ensaios no CPqD 76
Tabela 5.1: Variac oes dos par ametros do sensor
Freq u encia do Gerador (MHz) Pot encia do Gerador (dBm) Valor Medido pelo Sensor (V)
1 0,400 0,225
5 0,400 0,235
10 0,350 0,210
15 0,700 0,255
20 0,755 0,260
30 0,600 0,290
40 1,300 0,213
50 1,140 0,200
60 1,200 0,319
70 2,200 0,343
80 2,820 0,395
90 3,300 0,447
100 3,520 0,500
110 3,670 0,545
120 3,300 0,530
150 0,700 0,598
200 3,000 0,600
250 0,170 0,320
dos geradores, respectivamente, utilizados.
Tabela 5.2: Amplicadores utilizados
Fabricante Pot encia Faixa de Freq u encia Ganho
Amplied Research 150 W 10 kHz a 220 MHz Vari avel
Amplied Research 10 W 1 a 1.000 MHz Fixo
Amplied Research 250 W 80 a 1.000 MHz Vari avel
Amplied Research 25 W 800 MHz a 4,2 GHz Vari avel
Tabela 5.3: Geradores Utilizados
Fabricante Modelo Faixa de Freq u encia
Agilent 83752A 0,01 20 GHz
Agilent 8657B 0,1 2.060 MHz
Primeiramente foi realizado o levantamento dos pontos com o medidor de campo el etrico
padr ao, o medidor utilizado foi o da Wandel & Goltermann (W&G) modelo EMR-300 com
ponta isotr opica. Este medidor e apropriado para medidas at e 3GHz, o fabricante alerta sobre
diminuic ao de precis ao na medida quando o mesmo se aproxima do m desta faixa. A Tabela
5.4 apresenta os dados do medidor padr ao.
Por comodidade, a partir deste ponto, o medidor padr ao ser a referenciado apenas por EMR
300 ou simplesmente Medidor Padr ao.
Para a obtenc ao dos pontos foram gerados sinais na freq u encia de 100 MHz e, a amplitude
foi variada para se obter campos el etricos com intensidade entre 0 e 60 V/m. Com os pontos
obtidos foi gerada uma tabela com os valores de intensidade de campo, amplitudes dos sinais
5.3 Ensaios no CPqD 77
Tabela 5.4: Dados do Medidor Padr ao
Fabricante Modelo Descric ao S erie Rastreabilidade
W&G 2244/31 EM Radiation Meter EMR 300 I 0046 22443100 I 00460310
W&G 2244/90.21 Electric Field Probe G 0008 22443100 G 00460310
gerados e o ganho do amplicador. Para medir a pot encia entregue pelo conjunto gerador
e amplicador, foi utilizado um medidor de pot encia NAP, para garantir a repetibilidade dos
resultados nos ensaios futuros.
Durante a execuc ao dos testes, o prot otipo foi xado na c elula GTEM de modo que apenas o
prisma com os transdutores (sensor isotr opico) casse dentro da c elula para evitar perturbac oes
no campo eletromagn etico, conforme mostra a Figura 5.7.
Figura 5.7: Posicionamento do sensor dentro da c elula GTEM
O suporte de xac ao do prot otipo na c elula GTEM possui um mecanismo de rotac ao que
permite girar o sensor em seu pr oprio eixo, como mostrado na Figura 5.8. Com esse dispositivo,
pode-se posicionar o transdutor de modo a acoplar ` as linhas de campo. Oacoplamento do sensor
com as linhas de campo ocorre onde se obt em o nvel de campo mais alto.
5.3 Ensaios no CPqD 78
Figura 5.8: Fixac ao do prot otipo no suporte da c elula GTEM
Realizou-se com o prot otipo o mesmo teste realizado com o medidor padr ao, utilizando os
mesmos pontos da tabela gerada. A tens ao el etrica na sada do prot otipo foi medida com um
voltmetro e com esses valores formou-se uma tabela relacionando o nvel de tens ao el etrica
com o valor de campo el etrico. Um gr aco do valor de campo el etrico (V/m) pelo nvel de
tens ao medido em dBmV foi criado, obtendo-se a curva de resposta do transdutor.
Para obter-se a equac ao do comportamento de cada transdutor do sensor foi calculada uma
curva de ajuste logartmica
1
pelo m etodo de mnimos quadrados com o uso de uma planilha
eletr onica.
Os tr es transdutores que comp oem o prisma passaram pelos mesmos testes. Ap os obter as
equac oes de cada transdutor, foi realizado o teste de isotropia.
O teste de isotropia consistiu em vericar se o resultado obtido durante a medida de um
1
Linha de tend encia logartmica: calcula o ajuste por mnimos quadrados atrav es de pontos usando a seguinte
equac ao, y = c.ln(x) +b, onde c e b s ao constantes, e ln e a func ao do logaritmo natural.
5.3 Ensaios no CPqD 79
campo el etrico pelo sensor e independente da direc ao de propagac ao do campo, ou seja ele apre-
senta um comportamento isotr opico atrav es da medic ao dos tr es transdutores ao mesmo tempo.
O valor medido para cada um dos transdutores foi aplicado a sua equac ao correspondente e
com os tr es valores de campo el etrico obtidos pelas equac oes fez-se uma m edia quadr atica para
obter o campo el etrico resultante. Comparou-se ent ao o valor do campo resultante com o valor
medido com o padr ao.
Para vericar se o prot otipo e isotr opico e necess ario realizar o mesmo teste no mnimo em
outra posic ao do sensor em relac ao ao campo propagante. Ent ao, o prot otipo foi rotacionado
em seu pr oprio eixo, deixando-o em uma posic ao qualquer diferente da primeira posic ao. Se os
valores obtidos em ambas medidas forem pr oximos aos valores obtidos pelo medidor padr ao,
ent ao pode-se dizer que o prot otipo e isotr opico.
Realizou-se tamb em o teste de resposta em freq u encia, que consiste em vericar se os
transdutores respondem em toda a faixa de freq u encia possvel de medic ao com os equipamen-
tos disponveis (100 kHz a 3 GHz). Para este teste criaram-se novos pontos com o medidor
padr ao, onde para cada ponto o sinal gerado possuiu uma freq u encia diferente. Com a mudanca
da freq u encia do sinal gerado se faz necess ario alterar a amplitude do sinal para que se man-
tenha sempre em um determinado valor de campo el etrico, rmado em 27,5 V/m. Uma nova
tabela foi criada com os novos pontos obtidos com o medidor padr ao.
O mesmo teste foi realizado com o prot otipo e novamente os valores de campos obtidos fo-
ram comparados com os valores obtidos no medidor padr ao. Para reforcar o teste de isotropia,
pode-se repetir este teste de freq u encia com o prot otipo em posic oes diferentes. Os procedimen-
tos de teste, descritos anteriormente, foram realizados nos sensores montados com transdutores
de lme no e de lme espesso.
5.3.1 Sensor com Transdutor de Filme Fino
Extrac ao da Curva Caracterstica dos Transdutores
Para se obter a curva caracterstica dos transdutores, realizou-se o teste de variac ao de
amplitude na freq u encia de 100 MHz.
Realizou-se nestas medidas o ajuste do offset, j a que cada transdutor apresenta um valor
de offset diferente. H a casos onde o valor do offset deve ser adicionado ou descontado ao
valor medido.
Para se obter a equac ao do comportamento dos transdutores utilizou-se os dados medidos
para criar o gr aco da curva caracterstica de cada transdutor, obtendo-se portanto sua equac ao.
5.3 Ensaios no CPqD 80
Os dados do incio do gr aco n ao se encontram na faixa de resposta linear da curva de
tend encia, como pode ser observado na Figura 5.9 (para o caso do sensor 1), portanto a equac ao
s o poder a ser utilizada para campos a partir do valor em que encontra na faixa de resposta linear
da curva de caracterizac ao.
Apesar dos dados descartados n ao se encontrarem na regi ao linear, pode-se aproximar esta
curva por algum software de melhor aproximac ao ou simplesmente tabelar estes valores em um
microprocessador para que campos de intensidade baixa possam tamb em ser medidos.
Ainda para o Sensor 1, a Figura 5.10 mostra melhor este comportamento, a equac ao para
obtenc ao do campo deste sensor e dada por,
0 10 20 30 40 50 60 70
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=15.32Ln(x)-35.693
Sensor 1
Figura 5.9: Curva caracterstica do Sensor 1.
1 10 100
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=15.32Ln(x)-35.693
Sensor 1
Figura 5.10: Curva caracterstica do Sensor 1 em escala logartmica.
Campo(V/m) = e
V
ENTRADA
(dBmV) +35, 7
15, 32
(5.1)
5.3 Ensaios no CPqD 81
No caso do sensor 2, as Figuras 5.11 e 5.12 expressam seus resultados, e a equac ao para
obtenc ao do campo deste sensor e dada por,
0 10 20 30 40 50 60 70
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=15.737Ln(x)-37.414
Sensor 2
Figura 5.11: Curva caracterstica do Sensor 2.
1 10 100
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=15.737Ln(x)-37.414
Sensor 2
Figura 5.12: Curva caracterstica do Sensor 2 em escala logartmica.
Campo(V/m) = e
V
ENTRADA
(dBmV) +37, 41
15, 74
(5.2)
J a o sensor 3, as Figuras 5.13 e 5.14 expressam seus resultados, e a equac ao para obtenc ao
do campo deste sensor e dada por,
Campo(V/m) = e
V
ENTRADA
(dBmV) +39, 12
16, 68
(5.3)
5.3 Ensaios no CPqD 82
0 10 20 30 40 50 60
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-30
-20
-10
0
10
20
30
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=16.677Ln(X)-39.116
Sensor 3
Figura 5.13: Curva caracterstica do Sensor 3.
1 10 100
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-30
-20
-10
0
10
20
30
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=16.677Ln(X)-39.116
Sensor 3
Figura 5.14: Curva caracterstica do Sensor 3 em escala logartmica.
Teste de Isotropia
Obtidas as tr es equac oes, faz-se o teste de isotropia medindo os tr es transdutores ao mesmo
tempo e em v arias posic oes. Os testes s ao realizados da mesma maneira utilizando os mesmos
pontos de medidas.
Atrav es da equac ao obtida para cada sensor, calcula-se o campo correspondente ao nvel de
tens ao medido. Com os valores das tr es componentes encontra-se o valor resultante do campo
el etrico atrav es da m edia quadr atica das componentes com os valores de campo calculados de
cada sensor, e o erro do prot otipo em relac ao ao medidor padr ao.
Na Figura 5.15 e mostrada a diferenca entre os valores medidos pelo prot otipo em v arias
posic oes e o medidor padr ao EMR 300. Fazendo uma an alise percebe-se que o valor medido
pelo prot otipo sempre foi maior que o medido pelo padr ao.
5.3 Ensaios no CPqD 83
0 10 20 30 40 50 60 70
Valor EMR [V/m]
0
10
20
30
40
50
60
70
V
a
l
o
r

M
e
d
i
d
o

[
V
/
m
]
EMR
Posio 1
Posio 2
Posio 3
Grfico Comparativo em [V/m]
Figura 5.15: Diferenca em V/m entre o prot otipo e o medidor padr ao.
Na Figura 5.16 e mostrado o erro em dB do prot otipo em relac ao ao medidor padr ao nas
tr es posic oes. Com esse gr aco percebe-se que o erro do prot otipo n ao e muito grande e que
e muito parecido nas tr es posic oes em que foram realizados os testes. Pode-se ent ao concluir
atrav es deste gr aco que o sensor est a medindo isotropicamente.
0 10 20 30 40 50 60 70
Campo no EMR [V/m]
0
0.5
1
1.5
2
E
r
r
o

[
d
B
]
Posio 1
Posio 2
Posio 3
Erro em relao ao medidor padro (EMR)
Figura 5.16: Gr aco dos erros do prot otipo nas Posic oes 1, 2 e 3.
Testes com Variac ao de Freq u encia
Ap os a realizac ao dos testes de isotropia foram executados os testes de variac ao de freq u en-
cia. Foram criados novos pontos com o medidor padr ao, variando a freq u encia do sinal gerado
e regulando a amplitude de forma que a manter a intensidade de campo el etrico em torno de
27, 5V/m.
5.3 Ensaios no CPqD 84
Aplicando as Equac oes 5.1, 5.2 e 5.3 nos valores obtidos no teste de freq u encia, s ao obtidos
os valores de campos el etricos, e os erros obtidos com relac ao ao medidor padr ao para cada
freq u encia medida.
As Figuras 5.17 e 5.18 mostram estes resultados, e a comparac ao entre o prot otipo em lme
no do sensor e o medidor padr ao EMR 300.
Percebe-se que h a um erro maior nas freq u encias mais baixas, notadamente nos valores
menores que 1, 00MHz.
A Figura 5.17 traz o erro do prot otipo em relac ao ao Medidor padr ao EMR 300 em dB.
Percebe-se o aumento do erro quando o mesmo se aproxima do m da faixa de medida do
sensor EMR 300 (At e 3GHz) podendo ser este aumento de erro portanto n ao do prot otipo mas
sim devido ao erro do EMR 300.
O Gr aco 5.18 traz a diferenca em valores de campo el etrico entre o medidor padr ao EMR
300 e o prot otipo. O mesmo erro pode ser obtido pr oximo aos 3GHz, o que pode ser acarretado
pelo EMR 300.
0.1 1 10 100 1000 10000
Frequncia [MHz]
-20
-15
-10
-5
0
5
E
r
r
o

[
d
B
]
Posio 1
Posio 2
Posio 3
Erro em Relao ao Medidor Padro (EMR)
Figura 5.17: Representac ao do erro em dB obtido em cada freq u encia medida.
Os testes ocorreram sempre em posic oes diferentes, este procedimento foi utilizado para
testar a isotropia do prot otipo.
5.3.2 Sensor com Transdutor de Filme Espesso
Para este transdutor foram realizados os mesmos testes que nos transdutores de Filme Fino.
As medic oes foramrealizadas novamente para garantir a exatid ao dos testes, pois os equipamen-
tos para gerac ao e amplicac ao dos sinais podem apresentar diferencas e os valores medidos
com os medidores padr oes sofrem alterac oes.
5.3 Ensaios no CPqD 85
0.1 1 10 100 1000 10000
Frequncia [MHz]
0
10
20
30
40
V
a
l
o
r

d
o

C
a
m
p
o

[
V
/
m
]
EMR
Posio 1
Posio 2
Posio 3
Diferena do nvel de campo entre o prottipo e o EMR
Figura 5.18: Diferenca entre a medida do prot otipo e o medidor padr ao.
Extrac ao da Curva Caracterstica dos Transdutores
Para se obter a curva caracterstica dos transdutores, realizou-se o mesmo teste de variac ao
de amplitude na freq u encia de 100 MHz utilizado nos sensores de lme no.
Realizou-se nestas medidas o ajuste do offset, j a que cada transdutor apresenta um valor
de offset diferente. H a casos onde o valor do offset deve ser adicionado ou descontado ao
valor medido.
Para se obter a equac ao do comportamento dos transdutores utilizou-se os dados medidos
para criar o gr aco da curva caracterstica de cada transdutor, obtendo-se portanto sua equac ao.
Os dados do incio do gr aco n ao se encontram na faixa de resposta linear da curva de
tend encia, como pode ser observado na Figura 5.19 (para o caso do sensor 1), portanto a equac ao
s o poder a ser utilizada para campos a partir do valor em que encontra na faixa de resposta linear
da curva de caracterizac ao.
Ainda para o Sensor 1, a Figura 5.20 mostra melhor este comportamento, a equac ao para
obtenc ao do campo deste sensor e dada por,
Campo(V/m) = e
V
ENTRADA
(dBmV) +49, 3
17, 38
(5.4)
No caso do sensor 2, as Figuras 5.21 e 5.22 expressam seus resultadoe, e a equac ao para
obtenc ao do campo deste sensor e dada por,
Campo(V/m) = e
V
ENTRADA
(dBmV) +48, 3
17, 44
(5.5)
5.3 Ensaios no CPqD 86
0 10 20 30 40 50 60 70
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-60
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=17,376Ln(x)-49,28
Sensor 1
Figura 5.19: Curva caracterstica do Sensor 1.
1 10 100
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-60
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=17,376Ln(x)-49,28
Sensor 1
Figura 5.20: Curva caracterstica do Sensor 1 em escala logartmica.
0 10 20 30 40 50 60 70
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-80
-60
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=17,436Ln(x)-48,281
Sensor 2
Figura 5.21: Curva caracterstica do Sensor 2.
J a o sensor 3, as Figuras 5.23 e 5.24 expressam seus resultados e a equac ao para obtenc ao
do campo deste sensor e dada por,
5.3 Ensaios no CPqD 87
1 10 100
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-80
-60
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=17,436Ln(x)-48,281
Sensor 2
Figura 5.22: Curva caracterstica do Sensor 2 em escala logartmica.
0 10 20 30 40 50 60 70
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-80
-60
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=17,532Ln(x)-48,093
Sensor 3
Figura 5.23: Curva caracterstica do Sensor 3.
1 10 100
Nvel de Campo Eltrico [V/m]
-80
-60
-40
-20
0
20
N

v
e
l

d
e

T
e
n
s

o

[
d
B
m
V
]
Valor Medido
y=17,532Ln(x)-48,093
Sensor 3
Figura 5.24: Curva caracterstica do Sensor 3 em escala logartmica.
Campo(V/m) = e
V
ENTRADA
(dBmV) +48, 1
17, 53
(5.6)
5.3 Ensaios no CPqD 88
Teste de Isotropia
Obtidas as tr es equac oes, faz-se o teste de isotropia medindo os tr es transdutores ao mesmo
tempo e em v arias posic oes. Os testes s ao realizados da mesma maneira utilizando os mesmos
pontos de medidas.
Atrav es da equac ao obtida para cada sensor, calcula-se o campo correspondente ao nvel
de tens ao medido. Com os valores das tr es componentes encontra-se o valor resultante do
campo el etrico atrav es da m edia quadr atica das componentes e o erro do prot otipo em relac ao
ao medidor padr ao.
Na Figura 5.25 e mostrada a diferenca entre os valores medidos pelo prot otipo em v arias
posic oes e o medidor padr ao EMR 300. Percebe-se em comparac ao com os resultados obtidos
para lme no (Figura 5.15) que estes resultados com lme espesso foram mais pr oximos dos
resultados do medidor padr ao.
0 10 20 30 40 50 60 70
Valor EMR [V/m]
0
10
20
30
40
50
60
70
V
a
l
o
r

M
e
d
i
d
o

[
V
/
m
]
EMR
Posio 1
Posio 2
Posio 3
Grfico Comparativo em [V/m]
Figura 5.25: Diferenca em V/m entre o prot otipo e o medidor padr ao.
Na Figura 5.26 e mostrado o erro em dB do prot otipo em relac ao ao medidor padr ao nas
tr es posic oes. O erro para campos de baixa intensidade e um pouco maior que para campos
maiores, mas percebe-se que as medidas nas tr es posic oes foram praticamente id enticas, assim
pode-se concluir que o prot otipo e isotr opico. Mais uma vez percebe-se em relac ao ao sensor
de lme no (Figura 5.16) que o sensor de lme espesso apresentou um erro de 0.5dB menor
que o sensor em lme no em relac ao ao medidor padr ao.
5.3 Ensaios no CPqD 89
0 10 20 30 40 50 60 70
Campo no EMR [V/m]
0
1
2
3
4
5
6
E
r
r
o

[
d
B
]
Posio 1
Posio 2
Posio 3
Erro em relao ao medidor padro (EMR)
Figura 5.26: Gr aco dos erros do prot otipo nas Posic oes 1, 2 e 3.
Testes com Variac ao de Freq u encia
Ser ao apresentados agora os resultados dos testes de variac ao de freq u encia. nas posic oes
1 e 2. Este teste, conforme o teste para o transdutor de lme no, foi realizado variando a
freq u encia do sinal gerado e regulando a amplitude de forma que a manter a intensidade de
campo el etrico em torno de 27, 5V/m.
No teste da posic ao 2, bem como nos testes para a posic ao 3 n ao foi possvel completar toda
a faixa de freq u encia por motivos de disponibilidade do equipamento, cando portanto apenas
os dados da posic ao 1 e posic ao 2 parcialmente completa.
Aplicando as equac oes 5.4, 5.5 e 5.6 nos valores obtidos no teste de freq u encia, obt em-se os
valores de campos el etricos e o erro obtido em relac ao ao medidor padr ao para cada freq u encia
medida.
As Figuras 5.27 e 5.28 mostram os resultados das medidas, bem como a comparac ao entre
o prot otipo em lme espesso do sensor e o medidor padr ao EMR 300.
Assim como no transdutor de Filme Fino, ocorreu tamb em neste transdutor um erro maior
nas freq u encias baixas e nas freq u encias acima de 2 GHz, mantendo-se est avel a faixa de
freq u encia intermedi aria.
A Figura 5.27 traz o erro do Prot otipo em relac ao ao Medidor padr ao EMR 300 em dB.
O Gr aco 5.28 traz a diferenca em valores de campo el etrico entre o medidor padr ao EMR
300 e o prot otipo.
5.4 Resultados 90
0.1 1 10 100 1000 10000
Frequncia [MHz]
-8
-6
-4
-2
0
2
4
E
r
r
o

[
d
B
]
Posio 1
Posio 2
Erro em relao ao medidor padro (EMR)
Figura 5.27: Representac ao do erro em dB obtido em cada freq u encia medida.
0.1 1 10 100 1000 10000
Frequncia [MHz]
10
15
20
25
30
35
40
V
a
l
o
r

d
o

C
a
m
p
o

[
V
/
m
]
EMR
Posio 1
Posio 2
Diferena do nvel de campo entre o Prottipo e o EMR
Figura 5.28: Diferenca entre a medida do prot otipo e o medidor padr ao.
5.4 Resultados
Percebe-se que a diferenca do erro para lme no e para lme espesso e signicativa em
freq u encias baixas, sendo o sensor construdo com lme espesso mais preciso que o sensor de
lme no, como mostra a Figura 5.29.
5.4 Resultados 91
0.1 1 10 100 1000 10000
Frequncia [MHz]
-15
-12.5
-10
-7.5
-5
-2.5
0
2.5
5
E
r
r
o

[
d
B
]
Filme Espesso
Filme Fino
Erro em Relao ao Medidor Padro (EMR)
Figura 5.29: Diferenca do erro em relac ao ao medidor padr ao, entre o prot otipo construdo com
lme no e lme espesso.
92
6 CONCLUS

AO
Durante o desenvolvimento do projeto aqui proposto, e pelo fato deste trabalho ser um
trabalho experimental, onde a parte pr atica foi desenvolvida e testada, houveram v arias di-
culdades nas diversas etapas do projeto, como obtenc ao de componentes para a etapa de
eletr onica, diculdades nas medic oes devido aos equipamentos, construc ao e congurac ao do
cluster, paralelizac ao do programa e obtenc ao dos resultados, todos estes fatores atrasaram e
muito o desenvolvimento das diversas etapas deste projeto mas no nal o prot otipo do medidor
se mostrou vi avel em lme espesso.
O prot otipo foi montado e enviado ao CPqD e atrav es dos testes aqui apresentados pode-
se concluir que o mesmo se comportou como o esperado, tendo uma resposta plana para uma
ampla faixa de freq u encias, e tamb em possua a isotropia esperada.
Atrav es das simulac oes pode-se perceber sua resposta faixa larga, al em de se observar o
diagrama de radiac ao do sensor o que cou claro e que mesmo com a variac ao da freq u encia ou
sua espessura o mesmo continua com suas caractersticas iniciais.
A partir do prot otipo inicial, v arios outros j a foram produzidos e calibrados pelo CPqD e
utilizados no projeto de Monitorac ao RNI (Radiac ao N ao Ionizante), atrav es da plataforma RNI
Monitor[21], onde v arios sensores s ao espalhados ao longo de uma cidade e os mesmos est ao
conectados ` a uma base de dados online onde se pode observar o ndice do capo el etrico nos
diversos locais da cidade atrav es de um mapa.
93
REFER

ENCIAS BIBLIOGR

AFICAS
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for broad-band use, 100 khz to 18 ghz. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., MTT-35(2),
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El etrico. Projeto de graduac ao, DEL-CT-UFES, 2005.
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tromagn eticos na faixa de radiofrequ encias entre 9 khz e 300 ghz. Resoluc ao n umero 303,
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eletromagn eticos no tempo e na freq u encia. Tese de doutorado, DMO-FEEC-UNICAMP,
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Refer encias Bibliogr acas 94
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xiaoye/SuperLU/.
[21] Cpqd, rni monitor. http://www.cpqd.com.br/1/1308+rni-monitor-rni.html.
95
AP

ENDICE A -- RESITIVIDADE
A resist encia entre os pontos A e B na Figura A.1 e dada por,
Figura A.1: Bloco resistivo com resistividade .
R
AB
=
h
t w
(A.1)
se h = w, R
AB
= R que e a resistividade dada em /sq., portanto,
R =

t
(A.2)
96
AP

ENDICE B -- FLUXOGRAMA DO
PROGRAMA PARA C

ALCULO
DO ESPALHAMENTO
ELETROMAGN

ETICO