ELE-16 Eletrnica Aplicada

Aula : Transistor de Efeito de Campo

ELE-16 Eletrnica
Aplicada
Prof. Olympio L. Coutino Aulas !: Transistor de Efeito de Campo
Transistor efeito de campo
Transistor bipolar de juno Transistor efeito de campo
Corrente de
sa"da
controlada
por corrente
de entrada
Corrente de
sa"da controlada
por tens#o de
entrada
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Aplicada
Aulas !: Transistor de Efeito de Campo Prof. Olympio L. Coutino
Figuras: Robert L. Boylestad and Louis Nashelsy
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
$ispositi%o unipolar
$ispositi%o &ipolar
Transistor '(ET )'unction (ield Effect*
!onstruo do "F#T $!anal N%
&'mbolo do "F#T
'(ET canal +
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'(ET canal P
Princ"pio de funcionamento do '(ET )Canal +*
E,emplo
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Estran-ulamento do canal do '(ET )Canal +*
E,emplo
Estran-ulamento do canal
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Princ"pio de funcionamento do '(ET )Canal +*
.e-i#o de
satura/#o
.e-i#o
omica
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E,emplo
omica
Princ"pio de funcionamento do '(ET )Canal +*
Aplica/#o de uma tens#o
ne-ati%a no -ate
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Princ"pio de funcionamento do '(ET )Canal +*
Tens#o 0$1 aumenta e
causa a ruptura do canal
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Cur%as caracter"sticas do '(ET
!ur(as de dreno
2
1

=
GS
V
I I
#)uao de &chocey
!ur(a de transfer*ncia
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1

=
P
GS
DSS D
V
I I
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Cur%a caracter"stica de transfer2ncia
2
1

=
GS
V
I I
Corrente de satura/#o para
0-s i-ual a 3ero
)caracter"stica do dispositi%o*
#)uao de &chocey
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1

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
Tens#o de estran-ulamento do
canal para 0-s i-ual a 3ero
)caracter"stica do dispositi%o*
P DS
V V
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.esist2ncia do canal na re-i#o mica
2

=
o
D
V
r
r
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1

P
GS
V
V
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Transistor 4O1(ET de deple/#o
!onstruo do +,&F#T depleo canal N
&'mbolo do +,&F#T depleo
4O1(ET deple/#o canal +
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4O1(ET deple/#o canal P
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(uncionamento do 4O1(ET de deple/#o )canal +*
Aplica/#o de potencial ne-ati%o
no -ate atrai lacunas do su&strato
para o canal e com isso aumenta a
ta,a de recom&ina/#o.
5sso fa3 redu3ir a 6uantidade de
el7trons li%res no canal.
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Cur%as do 4O1(ET de deple/#o )canal +*
Cur%as de dreno
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2
1

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
Cur%a de transfer2ncia
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Transistor 4O1(ET de intensifica/#o
!onstruo do +,&F#T intensificao canal N
&'mbolo do +,&F#T intensificao
4O1(ET intensifica/#o canal +
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4O1(ET intensifica/#o canal P
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(uncionamento do 4O1(ET de intensifica/#o )canal +*
Aplica/#o de potencial positi%o
no -ate atrai el7trons li%res
)portadores minorit8rios*
A partir de uma %alor de 0-s9
forma-se o canal + )0t*
Corrente de aumenta o
potencial de dreno e causa
estran-ulamento do canal.
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(uncionamento do 4O1(ET de intensifica/#o )canal +*
[ ]
2
th GS D
V V K I =
Para tens#o de -ate maior 6ue a tens#o de limiar
Constante
caracter"stica
do dispositi%o
0alor
caracter"stico
do dispositi%o
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