ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRONICA LABORATOTIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS N 3 ANLISIS DE CA DE UN BJT OBJETIVOS Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con divisor de voltaje independiente de beta para el transistor bipolar y comparar estos valores con los calculados tericamente. Analizar, simular y finalmente comprobar el comportamiento de un transistor BJT con una seal de entrada variante en el tiempo (AC). El objetivo de la prctica es que el alumno monte y analice el circuito de polarizacin de un transistor bipolar y analizar los distintos puntos de trabajo en los que se puede situar. MARCO TEORICO Configuraciones del BJT Dependiendo del Terminal por donde se aplique la seal de entrada y del Terminal del cual se tome la seal de salida, se diferencias tres configuraciones bsicas para el BJT: - Configuracin en Emisor Comn - Configuracin en Colector Comn - Configuracin en Base Comn Configuracin en Emisor Comn Cuando la seal de entrada se aplica por la base del transistor y la seal de salida se toma del Colector, se tiene una configuracin en Emisor Comn, la cual se caracteriza por ser el amplificador por excelencia debido a que amplifica voltaje como corriente. El diagrama circuital de esta configuracin se ve en figura1. Figura 1. ANLISIS DE CA DE UN BJT LAB. CIRCUITOS ELECTRNICOS I Configuracin en Colector Comn Cuando la seal de entrada se aplica por la base del transistor y la seal de salida se toma del Emisor, se tiene una configuracin en Colector Comn, la cual se caracteriza por ser presentar una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, por lo que se usa como adaptador de impedancias y como amplificador de corriente. El diagrama circuital de esta configuracin se ve en la figura2. Figura 2. Configuracin en Base Comn Cuando la seal de entrada se aplica por el emisor del transistor y la seal de salida se toma del Colector, se tiene una configuracin en Base Comn, la cual se utiliza para amplificar voltaje. El diagrama circuital de esta configuracin se ve en la figura 3. Figura 3. ANLISIS DE CA DE UN BJT LAB. CIRCUITOS ELECTRNICOS I Polarizacin del BJT y regiones de operacin De manera general la polarizacin de un circuito hace referencia a las fuentes de corriente directa (fuentes reguladas, bateras, pilas) que se utilicen para alimentar el circuito. Para el caso particular del transistor bipolar, la polarizacin busca obtener un punto de funcionamiento en una regin especfica, es decir busca establecer un valor fijo de voltaje entre el terminal de colector y emisor y un valor fijo de corriente de colector, que hagan que el punto de operacin del transistor est en una regin de operacin especfica. Las regiones de operacin del transistor se muestran en la figura 4. Figura 4. Regin Activa: para nuestro propsito como amplificador, deberamos tratar de ubicar el punto de operacin de DC del transistor en esta regin. Es una regin de comportamiento lineal, donde la corriente de colector es directamente proporcional a la corriente de base en un factor conocido como (ganancia de corriente del transistor en directa). Regin de Corte: es una regin donde no hay flujo de corriente de colector a emisor. Tericamente es como si tuviramos un circuito abierto entre los terminales de colector y emisor. Regin de Saturacin: es una regin donde el flujo de corriente entre colector y emisor es mximo y solo est limitado por la red de polarizacin (valor de la fuente de voltaje y de las resistencias). Tericamente es como si tuviramos un corto circuito entre los terminales de colector y emisor. BUSCAR UN CIRCUITO Y DISEAR A. Configuracin en emisor comn B. Configuracin en base comn C. Configuracin en colector comn LLENAR LAS TABLAS Y ANALIZAR LAS TABLAS DE RESULTADOS Configuracin emisor comn ANLISIS DE CA DE UN BJT LAB. CIRCUITOS ELECTRNICOS I Configuracin base comn Configuracin colector comn SIMULACION CONCLUSIONES i V B I E I C I o r o V i V B I E I C I o r o V i V B I E I C I o r o V Tabla 1 Tabla 2 Tabla 3