Introduccin.- en la prctica, en el diseo de circuitos con transistores se
establece cuidadosamente el punto de reposo Q para que el transistor funcione en un margen determinado y para que se cumpla la linealidad (y a veces una excursin lineal mxima) y no se sobre pase la potencia P Cmax . Diseado el circuito, es necesario comprobar las variaciones del punto de reposo debido a las oscilaciones de temperatura y los parmetros de un transistor a otro. Estas variaciones deben de mantenerse dentro de lmites aceptables tal como determinan las normas o especificaciones. Entre los parmetros independientes que pueden producir un desplazamiento del punto Q en un transistor de unin estn los siguientes. 1. La amplia variacin de amplificacin de corriente (5 a 1 ms) en un tipo particular d transistor. 2. Variacin de la corriente de corte de colector I CBO debido a su dependencia de su temperatura. 3. Variacin de la tensin base-emisor en reposo V BEQ debidas a su dependencia de la temperatura. 4. Variaciones de las tensiones de alimentacin debidas a una imperfecta regulacin. 5. Variacin de las resistencias debidas a la tolerancia y/o a los efectos de la temperatura. Alguno de estos parmetros, por ejemplo, los efectos de temperatura, son importantes para todos los diseos mientras otros, por ejemplo, la tolerancia de las resistencias y la variacin de , son ms importantes cuando se trata de una produccin en serie de cierto nmero de amplificadores idnticos. En un FET, la tensin umbral y el parmetro de corriente k son funciones de la temperatura, estos parmetros tambin varan algo entre una y otra unidad a conciencias de la diferencias de fabricacin. En este captulo estudiaremos todos estos factores, as como los mtodos para neutralizar el efecto de sus cambios sobre el punto de reposo. DESPLAZAMIENTO DL PUNTO DE REPOSO DEBIDO A LA INCERTIDUMBRE DE Cuando aparecieron los transistores, los diseadores usaban las caractersticas del emisor, como las representadas en la fig. 1, para fijar el punto de reposo Q de un amplificador, tal como se indica, se trazaba una recta de carga de corriente continua adecuada y el punto de reposo se estableca para una corriente de base I BQ . El circuito de entrada se diseaba para mantener la corriente de reposo de base en ese valor.
Cuando estudiamos el amplificador en emisor comn, encontramos que la corriente de reposo del colector poda estabilizarse, contra las variaciones de de uno a otro transistor, utilizando una resistencia de emisor y manteniendo una cierta relacin entre las resistencias de los circuitos de base y emisor. Esta relacin viene dada por la relacin. R b << R e .1 Veremos ahora que cuando esta desigualdad se satisface, el punto de reposo es prcticamente independiente de las caractersticas del transistor. El circuito empleado se ha representado en la Figura. Obsrvese que la Figura puedo representar un circuito de emisor comn, y tambin el circuito equivalente en continua de la configuracin de base comn, y si hacemos R. igual a cero, el circuito representa la configuracin en seguidor de emisor. As la Figura 2 y todos los resultados que siguen pueden aplicarse igualmente a las tres formas de conexin. Utilizando los resultados obtenidos en la Seccin 2.3, tenemos: Para la corriente de colector. I C = i B + ( + 1)I CBQ ..2
v cc R C +R E
v cc V BB I b R b Para el circuito de colector utilizando la ley de Kirchhoff de tensiones:
V cc = I C R C + I e R e + V CE ..3
Para el circuito de base utilizando la ley de Kirchhoff de tensiones:
V BB = I B R B + I e R e + V BE .4 De I B = I E __ - I CBQ 5
+ 1
Combinando (4, y (5). se obriene:
V BB = V BE I CBQ R b + I C (R e + R b ) ..6 + 1 Utilizando ahora
I C = I E + I CBQ 7 + 1
la corriente de colector en reposo es:
I CQ = (V BB V BE ) + ( + 1)I CBQ (R e + R b ) .8 ( + 1)R e + R b
La tensin esttica colector-emisor V CEQ se puede obtener de ecuaciones 3 y 8 estas ecuaciones se pueden simplificar considerablemente admitiendo tres suposiciones
= 1 ya que >>1 9a + 1
y como I CBO es muy pequea en los transistores de silicio, tambin supondremos que:
I C I E I E . 9b + 1
Adems supongamos que en el numerador de 8
I CBO (R e + R b ) << (V BB V BE ) V BB V BE ..9c
Con estos supuestos (3) se convierte en
V CC V CE + I C (R c + R e ) ..10
y (8) en
I CQ V BB V BE___ ..11a
R e + R b /( + 1)
si se cumple la desigualdad (1) (11) se simplifica y puesto que se supone V BE es igual a 0,7 para transistores de silicio.
I CQ V BB V BE V BB 0.7 ..11b
R e R e
por consiguinte: __R b = R e ..12a
min + 1 10
R b
min R e
10
EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE EL PUNTO DE REPOSO En la seccin anterior se analiz el desplazamiento del punto Q debido a variaciones de Q de un transistor a otro y una disposicin del circuito de polarizacin que minimizaba estas variaciones. Otra causa importante de la variacin del punto Q es la temperatura de trabajo del transistor. En esta seccin estudiaremos la variacin del punto Q debida a que I CBO y V EB depende de la temperatura. Comenzaremos el anlisis con la expresin exacta de la corriente de reposo de colector ecuac. 8. Esta expresin puede simplificarse teniendo en cuenta que normalmente R e >> R b , de forma que R e + Rb/( + 1) ya que el circuito ha sido estabilizado contra las variaciones de Q como se ve Luego la expresin (8) se convierte en:
I CQ = (V BB V BE )+ I CBQ (1+ R b ) R e R e
COMPEITISACIOITI DE tAS VARIACIOTIIES DE TEMPERATURA MEDIAITITE LA POTARIZACION POR DIODO En las secciones anteriores hemos visto que los cambios de temperatuaa amt ie.:. :\:ji3n producir una variacin importante en la coriente de reposo de colector. Est: r:::_- .- :s debida principalmente a la tensin base-emisor tr/ru, que es funcin de la rem::.::::. :_ efccto de lcso es generalmente despreciable). Un mtodo para reducir esta variacin dc coriente resulta ob!io .1, :::.::::: : fac'io de estabilidd S, de (4.3-5b).lji R. aumenla. S. disinurc e l/:,, ;,.::':.:::, l : er(lbargo, se cduce iambi la aorrirntc an il cqutlibrr(,. -\s'. cn c.r r l, ::.,. .:.: - : -:. Sn no se colsiguc dcmasiado.