Des Matriaux (3

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dition) Corrig des exercices
Jean-Paul Balon Presses Internationales de Polytechnique de 2 1
Chapitre 9 - Proprits physiques
EXERCICE 9-9
a) Nombre N datomes de Si par unit de volume :
Le silicium ayant la mme structure cristalline que le carbone (diamant), dont la maille lmentaire est
prsente la figure 3.19 du livre, il est ais den dduire le nombre datomes de Si appartenant en propre
cette maille :
Sommets : 8x(1/8) = 1; Centre des faces : 6x(1/2) = 3; Intrieur maille : 4
Donc, un total de 8 atomes en propres par maille.
Le volume V de cette maille tant gal a
3
, on en dduit la valeur N du nombre datomes de Si par
unit de volume :
N = 8/a
3
= 8/(5,43x10
-8
cm)
3
= 4,997x10
22
at/cm
3


b) Nombre de porteur de charges (n
e
ou n
t
) par unit de volume (cm
3
) de Si intrinsque :
Dans le silicium intrinsque, chaque fois quun atome de Si est ionis quand un de ses lectrons
de liaison passe dans la bande de conduction, il y a simultanment cration dun trou (ou lacune lectronique)
dans la bande de valence (fig. 9.25 du livre Des Matriaux ). Les nombres de porteurs de charges n
e
et n
t

sont donc gaux n
i
et on peut crire lquation 9.57 de cette faon :
= n
e
e
e
+ n
t
e
t
= n
i
e(
e
+
t
) (1)
Connaissant la valeur de la conductivit et celle des mobilits
e
et
t
20 C (tableau 9.7 du livre),
on en dduit la valeur de n
i
, donc de n
e
et de n
t
:
n
i
= /[e(
e
+
t
)] = (4,3x10
-4
)/[1,6x10
-19
(0,14 + 0,04)]
n
i
= 1,493x10
16
m
-3


c) Rapport r datomes de Si ioniss au nombre total datomes de Si 20 C :
Le nombre datomes de Si ionis est gale n
i
le nombre de porteurs de charge par unit de volume
(calcul la question b) et le nombre N datomes de Si par unit de volume a t calcul la question (a). Le
rapport r est donc gal :
r = n
i
/N = (1,493x10
10
cm
-3
)/( 4,997x10
22
)

Remarque : 20 C, il ny a donc que 1/3 de millionime de millionime datomes de Si qui assurent la
conduction intrinsque !!!

d) Rapport des conductivits intrinsques 1400 et 20 C:
Pour calculer ce rapport, il suffit dutiliser lquation 9.63 donnant la variation de la conductivit
intrinsque en fonction de la temprature absolue T :
N 5x10
22
at./cm
3

r = 3x10
-13

n
i
= n
e
= n
t
= 1,493x10
10
cm
-3

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1
g
2
g
1
2
2kT
E -
exp
2kT
E -
exp
Donc :

2 1
g
1
2
T
1
-
T
1
2k
E
ln (2)

Ici, T
2
= 1673 K et T
1
= 293 K et les autres grandeurs (E
g
, k) sont connues. On obtient donc :
ln(
2
/
1
) = 17,94 Donc:


e) Type de semi-conducteur pour le Si dop au phosphore:
Le phosphore tant un lment pentavalent, il introduit un excs dlectrons quand il dope le silicium.
Chaque atome de phosphore introduit un lectron supplmentaire, libre de se dplacer plus aisment que les
lectrons intrinsques du Si (voir fig. 9.27b du livre). Les porteurs de charge majoritaires tant des lectrons
chargs ngativement, le silicium extrinsque dop au phosphore est donc de type n.

f) Concentration C
d
en phosphore requise:
La conductivit extrinsque
ext
20 C doit tre gale la conductivit intrinsque
int
1400 C. En
utilisant le rsultat de la question (d), on peut donc crire :
(
ext
)
20 C
= 6,027x10
7
(
int
)
20 C
(3)
Dans le cas dun semi-conducteur extrinsque, la conductivit
ext
est assure essentiellement par les
porteurs de charge introduits par le dopant (ici, des lectrons) car le nombre n
d
de porteurs de charge
majoritaires est bien suprieur au nombre de porteurs de charge intrinsques n
e
ou n
t
(n
d
>> n
e
= n
t
);
lquation 9.57 applique la conductivit extrinsque scrit alors:
(
ext
)
20 C
= n
d
e
e
(4)
En combinant les quations (3) et (4), on obtient le nombre n
d
de porteurs de charges majoritaires par
unit de volume :

( )
( )
3 - 18
e
C 20
int
7
e
C 20
ext
d
cm 1,107x10
e
6,027x10

e
n =

Ce nombre n
d
est aussi gal au nombre datomes de phosphore qui a t ajout par unit de volume de
silicium. La concentration atomique C
d
requise pour le dopage est donc gale :
C
d
= n
d
/N = (1,107x10
18
)/(4,997x10
22
) = 2,215x10
-5
= 22,15 ppm at.




Remarque : il suffit dajouter seulement 22 ppm at. de phosphore au silicium pour multiplier la conductivit de ce
dernier 20 C par 60 millions de fois !!!




(
2
/
1
) = 6,027x10
7

C
d
= 22,15 ppm at