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Relatrio n 11

Relatrio de Eletrnica


Nome: Arthur Reis de Carvalho
Matrcula: 201210071011
Turma: 07












Objetivos
Verificar a operao de um transistor JFET
Determinar os parmetros que definem a caracterstica do JFET

Material
1 Fonte de Alimentao CC varivel PS6000 Icel Manaus
1 Transistor BF245A
1 resistor de 2k2 de 1/2W
1 resistor de 470 de 1/2W
1 Multmetro Digital MD6400

Introduo
Os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e eltrons, e so
utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicaes nos quais os transistores
unipolares com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor
depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar.
H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field
Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET). Falaremos neste
relatrio sobre o JFET.

JFET
Na Figura abaixo, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de juno ou
simplesmente JFET.



a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D),
atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com
canal n (conduo por eltrons) ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o
dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.

Polarizao de um JFET
A Figura a seguir mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma
alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente
atravs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal.
Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma
polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre
a porta e a fonte. A polarizao reversa cria camadas de depleo em volta da regies p e isto
estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o canal.



Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S)
desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o corte
simbolizada por VGS(Off).

Curva Caracterstica de Dreno
Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio
hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de
estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece
aproximadamente constante.
Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto
(VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Na Figura 7-3,
mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica),
VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V)
igual intensidade da tenso de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma propriedade
inerente a todos os JFETs.
Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o
mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a
regio de trabalho o trecho da curva, na <colocar figura>, aps a condio de pinamento e
esquerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio
de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.



Curva de Transcondutncia
A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada versus a tenso de
entrada, ID em funo de VGS. A sua equao :




Autopolarizao
A polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante polarizao de transistor
bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o transistor JFET como se fosse um transistor bipolar.
Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo deve estar
reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 7-5 vemos um JFET polarizado, ou seja, com
resistores ligados ao terminais para limitar tenses e correntes convenientemente, como visto na
polarizao de transistores bipolares.



Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao de corrente,
pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta em VRS.
Essa tenso, distribui-se entre RG e a juno reversa, que, como tal, possui uma alta resistncia.
Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS.


o diodo porta-fonte est reversamente polarizado e a corrente IG uma pequena corrente de fuga
aproximadamente igual a zero.


unindo estas duas equaes, temos:


A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corrente de dreno
muito maior que a de porta. Ento:


Anlise da malha do lado direito do circuito:


Reta de Autopolarizao
Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para encontrar o
ponto Q de operao. Seja a curva ID x VGS a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno
mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte de -4V. Isso significa que a tenso da
porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir este valor, pode-se fazer o grfico da Figura abaixo
e ver onde ela intercepta a curva de transcondutncia.

Exemplo : Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarizao for de 300. Qual o ponto Q. Usar
o grfico ID x VGS que apresentamos anteriormente.


SOL.: A equao de VGS :


para traar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e para o outro valor de
ID, VGS= 13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q :


Seleo RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q fique no na
regio central, como o do exemplo. O mtodo mais simples para escolher um valor para RS :


Este valor de RS no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas aceitvel para a
maioria dos circuitos.


Esquema das montagens
Circuito 1 Circuito 2





Descrio da experincia
Para que obtivssemos um tenso de +12V e -12V foi feito o seguinte
esquema com a fonte PS6000. Cabe ressaltar que o seletor de trabalho das fontes
dever estar selecionado em modo independente. Esse tipo de fonte, cujo temos
duas tenses iguais em mdulo mas diferente em sinais, chamada de fonte
simtrica. Segue abaixo o esquema para a montagem dessa fonte
Depois da montagem da fonte, foi montado o circuito descrito na Circuito 1.
Em seguida, utilizando o multmetro foi medido os valores de tenso de V em
relao ao ponto de referncia e a tenso em cima do diodo D2. O mesmo foi feito
para o circuito da Circuito 2.

Resultado das medies


Observaes
Foi observado que o Idss um parmetro to importante quanto o para o BJT.
com ele que dimensionaremos os resistores nas portas do JFET.