Você está na página 1de 19

INFORME N5: AMPLIFICADOR EN CASCADA DE UN BJT

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL


CALLAO
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
E. P. INGENIERA ELECTRNICA








ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRNICOS I
GRUPO/TURNO: 90G / 08:00-11:00
PROFESOR: CUZCANO RIVAS, ABILIO
INTEGRANTE: PEA LANDEO, VICTOR DANIEL 1113220333
RUIZ RODRIGUEZ, OMAR ARTEMIO 1113220574
YSLACHE GALVN, MIGUEL ANGEL 1113220101




UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


AMPLIFICADORES BJT EN CASCADA

OBJ ETI VO:
Determinar las caractersticas de Operacin del amplificador en cascada (Multietapas).


DESCRI PCI ON DE UNA CONEXI N CASCADA

Una conexin popular entre etapas de amplificadores es la conexin en cascada. Bsi-
camente una conexin en cascada es aquella en la cual la salida de una etapa se conecta
a la entrada de la segunda etapa y as sucesivamente segn la utilidad.
La conexin en cascada proporciona una multiplicacin de la ganancia en cada una de
las etapas para tener una mayor ganancia en total.
La impedancia de entrada (Zi) del amplificador en cascada es la de la etapa 1, mientras
la impedancia de salida (Zo) es la de la etapa 2.
La funcin principal de las etapas en cascada es conseguir la mayor ganancia total.
Puesto que la polarizacin de c.d y los clculos de c.a para un amplificador en cascada
se siguen de aquellos deducidos para las etapas individuales

VENTAJ AS A UTI LI ZAR LA CONEXI N CASCADA
El presente laboratorio nos introduce a la necesidad de emplear dos o ms ampli-
ficadores conectados en cascada con el propsito de que nuestro sistema ampli-
ficador pueda reunir las caractersticas que con el empleo de un solo amplifica-
dor (con un solo elemento activo) no se podran obtener: por ejemplo si el pro-
blema de diseo consiste en construir un amplificador que tenga una impedancia
de entrada muy alta (por ejemplo 1M) y que a su vez nos proporcione una ga-
nancia de voltaje considerable (por ejemplo 80) entonces podemos percatarnos
que ningn amplificador de una sola etapa ( de los vistos anteriormente) resolve-
ra el problema. Sin embargo, para este caso, si conectamos en cascada un am-
plificador fuente comn con amplificador emisor comn, el propsito de diseo
podra cumplirse. Ahora bien, si el problema de diseo consistiera adems en
que dicho amplificador tenga una impedancia de salida muy baja ( por ejemplo
10 ), se agregara entonces una tercera etapa en cascada, la cual sera un ampli-
ficador en configuracin de colector comn.
DESVENTAJ AS
Sabemos que a ms etapas conectadas tenemos mayor amplificacin, pero hay
que tener en cuenta que tambin estamos amplificando el ruido que siempre est
presente en la seal de entrada o los que se introducen en cada etapa; estos se
hacen ms notorios mientras ms etapas tengan el diseo.

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


ANALISIS DEL CIRCUITO A UTILIZAR
Procedimiento:
1. Implementar el siguiente circuito.

2. Realizar el anlisis del circuito experimental en DC y AC.
Evaluar la ganancia de: Av1, Av2.
Determinar Zi, Zo.
Tericamente:
Anlisis en DC:
En anlisis en DC, los condensadores se comportan como circuitos abiertos.







UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


Por divisor de tensin:
VB=20 V*22 K / (150 K + 22 K)
VB=2.56 V

VBE=VB-VE
VE=VB-VBE
VE=2.56 V 0.7 V
VE=1.86 V

IE=VE / RE
IE=1.86 V / 1.2 K
IE=1.55 mA Como IE es aproximadamente igual a IC:

IC=1.55 mA

Vcc=VC + IC*RC
VC=Vcc IC*RC
VC=20 V (1.55 mA*4.7 K)
VC=12.72 V

VC=VCE + VE
VCE=12.72 V 1.86 V
VCE=10.86 V


Anlisis en AC:
En el anlisis en AC los condensadores se comportan como circuitos cerrados.
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I




Donde:
150 K // 22 K..........19.2 K
RC4.7 K
RL (Resistencia de Carga)1 K

Usando el modelo Hbrido:










Usamos un =100 para los dos transistores.
hie1 hfe1 ib1
ib1
ib2
hie2
hfe2 ib2
Vi
Vo
Impedancia de entrada
Impedancia de salida
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


hie1 = *re
hie1 = 100(26 mV / IE). IE=1.55 mA
hie1 = 100(26 mV / 1.55 mA)
hie1 = 1.68 K

Como es 100 para los dos transistores, entonces:
hie1 = hie2 = 1.68 K
hfe1 = hfe2 = hfe =

Zi = 19.2 K // hie
Zi = 19.2 K // 1.68 K
Zi = 1.55 K

El valor de Zo siempre va a ser el valor de la Resistencia de colector (RC), en caso hubiera o no
resistencia de carga (RC) se sigue considerando Zo = RC; para nuestro caso:
RC = 4.7 K
Zo = 4.7 K
Evaluar Av1 Y Av2:

Av1 = Vo1 / Vi1

Vo1 = -hfe*ib1*4.7 K

Vi1 =






hie1 hfe1 ib1
ib1
ib2
hie2
hfe2 ib2
Vi
Vo
4.7 K // 1 K = 0.83 K 4.7 K // 19.2 K // hie2 = 1.16 K
Vo1 Vi 2 Vi 1
Vo2
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


Av1 = Vo1 / Vi 1

Vo1 = -hfe * ib1 * 1.16 K
Vo1 = -100 * ib1 * 1.16 Kvoltaje de salida del transistor 1

Vi 1 = ib1*hie1
Vi 1 = ib1 * 1.68 K voltaje de entrada del transistor 1

Av1 = (-100*ib1*1.16 K) / (ib1*1.68 K)
Av1 = -69.05
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Av2 = Vo2 / Vi 2

Vo2 = -hfe * ib2 * 0.83 K
Vo2 = -100 * ib2 * 0.83 K

Vi 2 = -hfe*ib2*hie2
Vi 2 = ib2*1.68 K
Av2 = (-100 * ib2 * 0.83 K) / (ib2 * 1.68 K)
Av2 = -49.41










UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


Experimentalmente:
Los datos experimentales sern hallados ms adelante, ya que las preguntas que siguen a con-
tinuacin estn referidas a la parte experimental.
3. Aplique una seal Vi Senoidal en la entrada de manera que no se produzca distor-
sin en la salida f=1Khz.

Tenemos que aplicar una seal en la entrada, de manera tal que la seal de salida no
sea distorsionada.
Probamos primero con una seal de 2 mV.





UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I







Observamos que la seal sale distorsionada. Probamos con 10.0 mV





UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I








La seal de salida sigue saliendo distorsionada. Por lo tanto atenemos que probar con
otra seal de entrada; probamos con una seal de 0.1 mV.





UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I





Al parecer esta seal es la adecuada; entonces trabajaremos con 0.1 mV.




4. Anote los datos experimentales de la polarizacin correspondiente a los transisto-
res.

Tabla 1
TR1 TR2
VCE(Vol.) 11.33 11.32
VB(Vol.) 2.43 2.43
VBE(Vol.) 0.66 0.65
IE(mA) 1.48 1.95









UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


Como nos piden polarizacin correspondiente a los transistores, trabajaremos en DC.

VCE:



Para TR1:
VC=13.1 V
VE =1.77 V

Para TR2:
VC = 13.1 V
VE = 1.78 V

Por lo tanto el voltaje de colector emisor ser:


Para TR1:
VCE = VC VE
VCE = 13.1 V 1.77 V
VCE = 11.33 V

Para TR2:
VCE = VC VE
VCE = 13.1 V 1.78 V
VCE = 11.32 V

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


VB:



Para TR1:
VB = 2.43 V

Para TR2:
VB = 2.43 V


















UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


VBE:



Para TR1:
VB=2.43 V
VE =1.77 V

Para TR2:
VB = 2.43 V
VE = 1.78 V



Por lo tanto el voltaje de base emisor ser:

Para TR1:
VBE = VB VE
VBE = 2.43 V 1.77 V
VBE = 0.66 V


Para TR2:
VBE = VB VE
VBE = 2.43 V 1.78 V
VBE = 0.65 V

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


IE:



Para TR1:
IE = 1.48 mA

Para TR2:
IE = 1.95 mA












5. Registre en la tabla 2 los datos obtenidos con seal:


Vin Vo1 Vo2 Ai1 Ai2 Av1 Av2 Avt
1.41 mV -13.13 mV 414.57 mV 94.48 145.99 -94.57 -32.67 3089.6
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I



Vin:




Al aplicarle una seal de 0.1 mV, obtenemos una seal mxima de:


UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I


Seal mxima = 1.10 mV
Vin = 1.10 mV



Ahora nosotros sabemos que la salida de voltaje para un transistor con configuracin
emisor-comn, es siempre negativa, es por eso que observamos en el grafico anterior
que el voltaje de salida para TR1 toma el valor de -13.1286 mV, y es correcto el signo
negativo, ya que la seal sale en forma desfasada.

Ahora la seal de salida para TR2 debera ser tambin negativa, pero observemos que
su seal de entrada (Vi2), va a tomar el valor de la seal de salida de TR1, o sea el valor
de Vo1:
Vo 1 = Vi 2
Vo 1 =-13.1286 mV
Vi 2 =-13.1286 mV

Dijimos anteriormente, que para un transistor con configuracin emisor-comn, la se-
al de salida sale en forma desfasada, entonces si tenemos una seal de entrada nega-
tiva (-13.1286 mV), su correspondiente seal de salida saldr desfasada en forma posi-
tiva y obviamente amplificada, para nuestro caso ser: 414.5676 mV.

En conclusin:

Vo 1 =-13.1286 mV
Vo 2 = 414.5676 mV


Ai 1= io / ii
Ai 1 = 2.173 uA / 0.023 uA
Ai 1 = 94.48


Ai 2= io / ii
Ai 2 = 316.7 uA / 2.173 uA
Ai 2 = 145.99


Av1 = Vo / Vi
Av1 = -13.24 mV / 0.14 mV
Av1 = -94.57

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I



Av2 = Vo / Vi
Av2 = 432.55 mV / -13.24 mV
Av2 = -32.67


Avt = Av1*Av2
Avt = (-94.57)*(-32.67)
Avt = 3089.6


6. Medir:
Zin
Zo

Los valores de Zin y Zo, fueron hallados en la parte (2)(Teoricamente)
Zi = 19.2 K // hie
Zi = 19.2 K // 1.68 K
Zi = 1.55 K
El valor de Zo siempre va a ser el valor de la Resistencia de colector (RC), en caso hu-
biera o no resistencia de carga (RC) se sigue considerando Zo = RC; para nuestro caso:
RC = 4.7 K
Zo = 4.7 K
Podemos obtener los valores experimentales de las impedancias con las siguientes
mediciones:
Para Zi:
Zi=99.64 uV / 0.023 uA
Zi=4332.17
Zi=4.33 K

Para Zo:
Zo=312.4 mV / 312.7 uA
Zo=4332.17
Zo=0.999 K 1K

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO LABORATORIO DE
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA C. ELECTONICOS I







7. Observaciones y Conclusiones.

Tenemos que tener en cuenta la teora de transistores, para poder entender
que comportamiento tienen dentro del circuito.
Observamos que la ganancia de voltaje total(Avt) toma una valor gran-
de(3089.6), por lo tanto podemos concluir que este tipo de amplificador(en
Cascada) es usado para aplicaciones en la cual necesitamos una salida real-
mente grande.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (espe-
cialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin,
para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respecti-
vamente.
No se puede decir que una configuracin es mejor que la otra, dependa del
uso que se le quiera dar, aprovechando sus particulares caractersticas.




Av1 Av2 Avt
TEORICO -69.05 -49.41 3411.76
REAL -94.57 -32.67 3089.6
ERROR - - 9.44%

Você também pode gostar