Você está na página 1de 3

LIGAES METLICAS

1. CARACTERSTICAS

A alta eletrpositividade dos metais levou os cientistas a estabelecer um modelo de ligao qumica de
natureza eltrica baseado na atrao entre ons positivos (ctions do metal e eltrons semilivres).
Assim, na ligao entre tomos de um elemento metlico, ocorre liberao parcial de eltrons mais externos
(da camada de valncia), com a conseqente formao de ctions (ctions fixos).
Esses eltrons liberados so chamados de semilivres (ou mesmo de eltrons livres) porque possuem
mobilidade na estrutura, mas no consegue abandonar o
cristal.
Os ctions do metal agrupam-se segundo um arranjo
geomtrico definido, denominado estrutura cristalina ou
clula unitria.No sdio metlico, por exemplo, cada
clula unitria formada de 9 ctions Na
+
(rodeado por 9
eltrons livres).
Os ctions metlicos que formam clulas unitrias tm
suas cargas positivas estabilizadas pelos eltrons
semilivres, que ficam envolvidos a estrutura como uma
nuvem eletrnica. Cada amostra de metal constituda
por um nmero imenso de clulas unitrias. Os metais em
geral so representados por seus smbolos , sem a
indicao da quantidade de tomos envolvidos, que
muito grande e indeterminada. Exemplos: Na
(s)
; Fe
(s)
;
Cu
(s)
; Au
(s)
; etc.
Os eltrons semilivres so dotados de
certo movimento, o que justifica a
propriedade que os metais possuem
de conduzir corrente eltrica na fase
slida.






2. ALGUMAS PROPRIEDADES DOS METAIS
So excelentes condutores de corrente eltrica, tanto na fase slida como na fase lquida.
Praticamente todos os metais se apresentam na fase slida nas condies ambientes; exceto o
mercrio que lquido.
A maioria dos metais possui alto ponto de fuso e de ebulio.
Em geral os metais so slidos moles (so facilmente riscados por outros materiais) com algumas
excees como o Irdio e o Crmio, cuja dureza elevada.
Possuem alta tenacidade
Os metais so resistentes a trao, isto , so resistentes as foras aplicadas ao se puxar ou
alongar uma barra de fio metlico.
So facilmente transformados em lminas (so maleveis)
Possuem elevada ductibilidade, ou seja aquecendo um metal a altas temperaturas consegue-se
transforma-lo num fio, fazendo-o passar em furos cada vez menores.
Os metais so insolveis em gua, leo ou qualquer solvente semelhante, embora possam reagir
com certos solventes (cidos, bases e at com a gua como ocorre com os metais alcalinos e
alcalinos terrosos), sofrendo uma transformao qumica.

3. LIGAS METLICAS
Raramente um metal puro apresenta todas as qualidades necessrias para determinada aplicao.Por
exemplo: o ferro puro reage facilmente com oxignio e quebradio, o magnsio inflamvel e muito
reativo, o ouro e a prata so muito moles, o crmio e o irdio so excessivamente duros.
Quando misturamos dois ou mais metais ou um metal com outra substncia simples ( no necessariamente
metlica), podemos conseguir um material com certas propriedades que cada substncia no tinha
individualmente e que sero teis para determinada aplicao.
A essa mistura de substncias com propriedades especficas, cujo componente principal um metal, d-se
o nome de liga metlica.
Liga metlica uma mistura de substncias cujo componente principal um metal
Para obter uma liga metlica, necessrio submeter as substncias que formaro a liga a uma temperatura
elevada, at a fuso completa de todos os componentes para , em seguida, deixara mistura esfriar e
solidificar totalmente.
Exemplo de ligas importantes:
Ao: mistura de Fe (98,5), C( 0,5 a 17%) e traos de Si, S e P
Ao inox: mistura de ao (74%), Cr(18%) e Ni (8%)
Ouro de 18 quilates: mistura de Au(75%), Ag(12,5%) e Cu(12,5%)
Bronze: mistura de Cu (90%) e Sn (10%)
Lato: Cu (67%) e Zn (33%)






4. COMPOSTOS DE SEMIMETAIS

Os semimetais possuem eletronegatividade mdia, isto faz com que tenham tendncia tanto em atrair
eltrons (na ligao com um elemento de baixa eletronegatividade como os metais) como em ceder eltrons
(na ligao com um elemento de alta eletronegatividade como os ametais).
A principal aplicao dos semimetais atualmente (principalmente o silcio e germnio) est na fabricao de
componentes eletrnicos, como diodo, transistores e microprocessadores (os chips para circuito de
computador), que funcionam com base na propriedade de semiconduo de corrente eltrica.
4.1. SEMICONDUO DE ELETRICIDADE
O silcio e o germnio possuem 4 eltrons na camada de valncia. Na forma de substncia simples , os
tomos do cristal ficam em vibrao constante e no uniforme. Ao sofrer uma variao de presso e
temperatura, alguns eltrons podem ganhar energia suficiente para liberar e ficar vagando pelo cristal.
Os lugares vagos deixados pelos eltrons, denominados lacunas, podem ento ser preenchidos por outros
eltrons vizinhos criando uma nova lacuna que tambm pode vagar pelo cristal at encontrar outro eltron
excedente. Quando isso ocorre, eltron e lacuna anulam-se mutuamente.
Esse processo de formao e aniquilao de pares eltrons-lacunas constante. Para que o semiconduo
de corrente eltrica seja otimizada e contnua, costuma-se dopar o matria semicondutor.
Dopagem a formao de cristais de silcio ou germnio misturados com boro (B) fsforo
(P) ou com o Arsnio (As)
Os microprocessadores (chips), por exemplo, so feitos de silcio ou germnio dopados e so eficientes e
rpidos porque a corrente eltrica precisa percorrer apenas pequenas distncias ao longo do circuito.

4.2. SEMICONDUO DO TIPO P
O boro,
5
B: 1s
2
2s
2
2p
1
, possui apenas 3 eltrons na camada de
valncia. Se misturarmos com o silcio ele ir provocar uma deficincia
de eltrons na estrutura, dando origem ao semicondutor do tipo-P
(positivo).
A conduo de corrente eltrica ocorre porque um tomo de boro em
um grupo de tomos de silcio deixa uma lacuna onde falta um eltron.
possvel que o eltron de um tomo prximo se desloque
preenchendo essa lacuna formando outra lacuna, que ser preenchida
por outro eltron e assim sucessivamente.










4.3. SEMICONDUO DO TIPO N
O fsforo,
15
P: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
3
, possui 5 eltrons na camada de
valncia . Se o misturarmos com o silcio, ele ir causar um aumento
de carga negativa na estrutura dando origem ao que chamamos do
semicondutor do tipo-N (negativo).
O transporte de corrente eltrica ocorre porque o tomo de fsforo
em um grupo de tomos de silcio doa um eltron extra. Esse
eltron extra pode se mover pelo cristal com relativa facilidade.