Fsica de Semiconductores (333 ) Curso 2005

Ing. Electrnica- 3er. Ao, V cuat.

Trabajo Prctico Nro. 12: Tipos de diodos. Conmutacin en la untura.
Objetivos! Estudiar el comportamiento " caracteri#ar distintos tipos de diodos de untura
$%. Anali#ar los transitorios de cone&in " descone&in en un diodo de untura $%.
ib!io"ra#a su"erida!
El diodo $% de unin - '. %eudec(
)ispositi*os electrnicos para Circuitos Integrados - +,ller " -amins
.emiconductor p/"sics 0 de*ices. 1asic principles. - ). %eamen
.emiconductor de*ices an introduction.- 2. .ing/
34sica del estado slido " de semiconductores - 2. +c-el*e"
$ntroducci%n:
1& 'iodos de ru(tura
En una untura $% ideal polari#ada en 5orma in*ersa la corriente in*ersa 6Is7 es
pr8cticamente independiente de la tensin aplicada. En una untura $% real esto es cierto
/asta 9ue se alcan#a un *alor cr4tico de tensin 6V17, para el cual ocurre el 5enmeno de
ruptura, " la corriente in*ersa se incrementa en 5orma a:rupta. ;os diodos 9ue tra:aan es
esta #ona son denominados diodos de ruptura. .i :ien este 5enmeno de ruptura in*ersa
puede ocurrir, :8sicamente, por dos tipos de mecanismos! e5ecto <ener " multiplicacin por
a*alanc/a, a los diodos 9ue operan en dic/a regin de ruptura se los conoce,
gen=ricamente, como diodos <ener, si :ien la ruptura por e5ecto <ener se mani5iesta en los
diodos 9ue tienen una tensin de ruptura menor a >V.
)e la 3igura ? puede o:ser*arse 9ue en polari#acin directa el diodo de ruptura se
comporta como un diodo com@n, mani5est8ndose el e5ecto de ruptura en polari#acin
in*ersa. $ara pe9ueos *alores de tensin in*ersa se alcan#a la corriente de saturacin, de
magnitud desprecia:le a los e5ectos pr8cticos. Al aumentar la tensin de polari#acin
in*ersa se llega a un *alor denominado Atensin de codoB 6V17, donde los aumentos de
?
I
V
ideal
real
V1
Is
3igura ?
Cegin de ruptura
A 6Dnodo7 - 6C8todo7
.4m:olo circuital
corriente comien#an a ser considera:les 5rente a los aumentos de tensin. A partir de esta
#ona, a pe9ueos incrementos de tensin corresponden aumentos importantes de la
corriente I. En la regin de tra:ao del diodo se de:en cumplir determinadas condiciones.
E&iste un *alor de corriente m4nima, Im4n, por de:ao de la cual, el diodo no opera en su
regin normal. )el mismo modo no puede so:repasarse la corriente m8&ima, Im8&, 9ue
asegura la no-destruccin del dispositi*o. Estos *alores de I lle*an asociados *alores de V1
correspondientes. En 5orma apro&imada el *alor medio de ellos representa la tensin
nominal V1nom denominada com@nmente como V< 6tensin de <ener7.
1.1& )u(tura (or e#ecto de ava!anc*a
El proceso de ruptura por a*alanc/a ocurre cuando electrones o /uecos 9ue se mue*en a
tra*=s de la regin de carga espacial ad9uieren su5iciente energ4a del campo el=ctrico como
para crear pares electrn-/ueco por colisiones con 8tomos del cristal. Estos portadores
ad9uieren energ4a cin=tica " *uel*en a repetir del proceso, produciendo una a*alanc/a de
portadores, 9ue contri:u"en a la corriente in*ersa.
.i un electrn entra en la regin de agotamiento en &E0 63igura 2 a7 7 se multiplica por el
5enmeno de a*alanc/a mientras *iaa /asta alcan#ar la regin % 63igura 2 :7 7. En &E F,
la corriente de electrones ser8!
In6F7 E +n In607
donde +n es el 5actor de multiplicacin.
$ara los /uecos el proceso es similar en direccin de % a $.
El 5actor de multiplicacin de portadores + se puede calcular por medio de una relacin
2
&E0 &E F
/
G
e
-
e
-
/
G
e
-
e
-
e
-
e
-
/
G
/
G
/
G
e
-
e
-
e
-
e
-
$ %
E
Cegin de carga espacial
&E0 &E F
3igura 2 a7
3igura 2 :7
emp4rica!
1.2& )u(tura (or e#ecto +ener
El 5enmeno de ruptura por e5ecto <ener ocurre para unturas 5uertemente dopadas, a tra*=s
del mecanismo t@nel. $ara unturas mu" dopadas, las :andas de conduccin 61C7 " de
*alencia 61V7 so:re los lados opuestos de la untura est8n los su5icientemente cerca como
para 9ue los electrones puedan pasar directamente por e5ecto t@nel de la 1V del lado $ a la
1C del lado %. ;as condiciones para 9ue se produ#ca la ruptura <ener son untura mu"
a:rupta " dopae ele*ado de modo de tener una regin de carga espacial F mu" delgada, "a
9ue la pro:a:ilidad de 9ue se produ#ca e5ecto t@nel depende del anc/o de la :arrera.
.eg@n el modelo del enlace co*alente, el e5ecto <ener se produce por ioni#acin por
campo. ;a polari#acin in*ersa de una untura 5uertemente dopada produce un ele*ado
campo el=ctrico en F 9ue puede romper los enlaces co*alentes " producir portadores 9ue
contri:u"en a la circulacin de la corriente in*ersa. El *alor del campo re9uerido es del
orden de ?0
>
VHcm para silicio. El diagrama de :andas de energ4a es el mostrado en la
3igura 3.
1.3& ,#ecto de !a tem(eratura
En general los coe5icientes de temperatura de estos dispositi*os pueden ser negati*os o
positi*os pudiendo *ariar en un margen de apro&imadamente t 0.?IHJC. .i la tensin de
re5erencia es superior a >V ", por lo tanto, el mecanismo 54sico predominante es la
multiplicacin por a*alanc/a, el coe5iciente de temperatura es positi*o. $or de:ao de >V,
donde tiene lugar la ruptura por e5ecto <ener, el coe5iciente de temperatura es negati*o.
$uede darse una e&plicacin cualitati*a del signo del coe5iciente de temperatura de V#.
3
m
V
V
- ?
?
+
1C
C
1
]
1

VC! tensin in*ersa aplicada

V1C ! tensin de ruptura
m! *ar4a entre 3 " > seg@n el material
E'
E'
E3
E3
EC
EV
EC
EV
Cegin de carga
espacial mu"
estrec/a
F
Cegin $ Cegin %
/
G
e
-
Cruce de la :arrera
por e5ecto t@nel
3igura 3
Kna unin con una #ona de agotamiento F estrec/a " en presencia de un campo ele*ado
6?0
>
VHcm7 se romper8 por mecanismo <ener. Kn aumento de temperatura aumenta las
energ4as de los electrones de *alencia ", por lo tanto, es m8s 58cil para ellos escapar de los
enlaces co*alentes. $or lo tanto, se necesita una tensin menor para e&traer a estos
electrones de sus posiciones en la red cristalina " la tensin de ruptura <ener disminuir8 al
aumentar la temperatura.
.i el anc/o de la regin de agotamiento F es grande " el campo el=ctrico no es demasiado
ele*ado el mecanismo de ruptura predominante es el de a*alanc/a. ;os portadores
intr4nsecos c/ocan con los electrones de *alencia pro*ocando una multiplicacin por
a*alanc/a. Al aumentar la temperatura crece la *i:racin de los 8tomos del cristal " esta
*i:racin aumenta la pro:a:ilidad de c/o9ue de las part4culas li:res con los 8tomos de la
red. Entonces, los electrones " los /uecos li:res tienen menos oportunidad de ganar energ4a
su5iciente entre sus colisiones para pro*ocar el proceso de a*alanc/a. $or tanto, la tensin
de a*alanc/a aumenta al aumentar la temperatura.
2& 'iodo t-ne!
El diodo t@nel es una untura $% en la cual am:os tipos de semiconductor se encuentran
5uertemente dopados 6semiconductores degenerados7
?
, de modo 9ue el ni*el de 3ermi E3
se encuentra 5uera de la :anda pro/i:ida 6E'7. ;a 3igura L muestra el diagrama de :andas
de energ4a a circuito a:ierto " en e9uili:rio t=rmico.
2.1& .aracterstica $&/
?
Kn semiconductor es no degenerado si el ni*el de 3ermi E3 se encuentra en el inter*alo
de5inido por! EV G 3 (T E3 EC - 3(T.
.i el semiconductor est8 5uertemente dopado E3 puede u:icarse 5uera de la :anda pro/i:ida
E'. $or eemplo para un semiconductor de tipo %! E3 E EC - (T ln6%CH%)7.
.i %) M %C, resulta 9ue! ln6%CH%)7 es un n@mero negati*o " entonces E3 M EC. $or lo
tanto, el ni*el de 3ermi se encuentra dentro de la :anda de conduccin. )el mismo modo,
para un semiconductor de tipo $ si %A M %V el ni*el de 3ermi E3 se encuentra dentro de la
:anda de *alencia.

L
E'
E'
E3 E3
EC
EV
EC
EV
Cegin de carga
espacial
Cegin $ Cegin %
Estados llenos
Estados *ac4os
Eo
3igura L
$ara una pe9uea polari#acin directa, los ni*eles de energ4a del lado % se mue*en /acia
arri:a con respecto al lado $, 3igura 5 a7. Estados ocupados en la :anda de conduccin
61C7 del lado % 9uedan 5rente a estados *ac4os de la misma energ4a en la :anda de *alencia
61V7 del lado $ " los electrones pueden pasar del lado % al $ por e#ecto t-ne!. ;a 5igura 5
:7 muestra las condiciones de polari#acin nula, punto ? de la caracter4stica I-V, " una
pe9uea polari#acin directa, punto 2.
Aumentando el *alor de la polari#acin directa aplicada, el n@mero m8&imo de electrones
9ue pueden pasar al lado $ atra*esando la :arrera es igual al m8&imo de estados *ac4os,
3igura > a7, circulando la corriente pico Ip, punto 3, 3igura > :7.
Al aumentar a@n m8s la polari#acin directa aplicada, el n@mero de electrones en5rentados
a estados *ac4os de la :anda de *alencia se /ace menor, 3igura N a7, " la corriente por
e5ecto t@nel disminu"e, punto L, 3igura N :7.
5
EC
E'
E'
E3
E3
EV
EC
EV
,#ecto t-ne!
Estados llenos
Estados *ac4os
?
2
I
V
3igura 5 a7
3igura 5 :7
E'
E'
E3
E3
EC
EV
EC
EV
Estados llenos
Estados *ac4os
,#ecto t-ne!
?
2
I
V
3 Ip
3igura > a7 3igura > :7
E'
E'
E3
E3
EC
EV
EC
EV
?
2
I
V
3
Ip
L
3igura N a7 3igura N :7
3inalmente, aumentando m8s la polari#acin directa "a no /a" estados permitidos *ac4os
5rente a estados llenos del otro lado, 3igura O a7 " la corriente por e5ecto t@nel cae a cero,
punto 5, 3igura O :7.
;a porcin de la caracter4stica I-V en la cual la corriente decrece presenta una resistencia
di5erencial negati*a, aun9ue esa regin suele ser mu" pe9uea, entre los puntos 3 a 5 de la
3igura O :7.
Adem8s de la corriente por e5ecto t@nel e&iste una corriente propia de la untura $% 9ue
predomina para *alores ma"ores de la polari#acin directa. ;a caracter4stica I-V total se
o:tiene sumando las dos corrientes, 3igura P.
;a caracter4stica I-V total se muestra en la 3igura ?0.
>
E'
E'
E3
E3
EC
EV EC
EV
?
2
I
V
3
Ip
L
5
3igura O a7 3igura O :7
?
2
I
V
3 Ip
L
5
Corriente por e5ecto t@nel
Corriente normal
de la untura $%
3igura P
;a 5igura ?? a7 muestra el s4m:olo es9uem8tico " la 3igura ?? :7 el circuito e9ui*alente del
diodo t@nel.

donde!
dVHdI! in*ersa de la pendiente de la caracter4stica I-V
Cs! resistencia serie del diodo
C! capacidad de la untura
;s! inductancia serie, depende de los terminales " de la geometr4a del dispositi*o
.e puede encontrar una relacin emp4rica 9ue represente la caracter4stica I-V!
En el primer t=rmino Ip " Vp son la corriente " la tensin en el punto de pico, " el segundo
t=rmino representa la caracter4stica de una untura $% normal. ;a resistencia di5erencial
negati*a puede o:tenerse deri*ando el primer t=rmino de la ecuacin anterior!
3& .e!das so!ares
N
$(! corriente de pico, la pendiente de la
caracter4stica I-V cam:ia de positi*o a
negati*o
/(! tensin de pico, correspondiente a Ip
$v! corriente de *alle, la pendiente de la
caracter4stica I-V cam:ia de negati*o a
positi*o
/v! tensin de *alle, correspondiente a I*
Cs -
dI
dV
C
T
s
p
p
p
V
V
e I
V
V
- ?
e
V
V
I I +
1
]
1

,
_

?
p
?
V
V
- ?
e
Ip
I
? -
Vp
V

dV
dI
C

,
_

1
1
1
1
]
1

1
]
1

1
]
1

3igura ?? a7
3igura ?? :7
I
V
Ip
I*
Vp V*
<ona de resistencia
di5erencial negati*a
3igura ?0
Kna celda solar es, :8sicamente, una untura $% 9ue no est8 polari#ada " 9ue con*ierte
energ4a radiante en potencia el=ctrica 9ue entrega a una carga.
$ara entender el 5uncionamiento de una celda solar repasamos algunos conceptos de
generacin " recom:inacin de portadores en un semiconductor.
Cuando un 5otn colisiona con un electrn de *alencia puede impartirle una energ4a
su5iciente como para ele*ar al electrn a la :anda de conduccin. .e produce as4 la creacin
de un par electrn-/ueco " se crea una concentracin de portadores en e&ceso.
.in em:argo, cuando un semiconductor se ilumina los 5otones pueden ser a:sor:idos o
pueden propagarse a tra*=s del semiconductor, dependiendo de la energ4a del 5otn " del
anc/o de la :anda pro/i:ida E'. .i la energ4a del 5otn es menor 9ue E', no ser8
a:sor:ido. .i la energ4a de un 5otn de 5recuencia es! E E / M E', el 5otn puede
interactuar con el electrn de *alencia " ele*arlo a la :anda de conduccin, siendo E' la
energ4a m4nima necesaria para pro*ocar este proceso. En el caso 9ue / M E' la energ4a en
e&ceso da energ4a cin=tica a la part4cula " se disipar8 en 5orma de calor. Estos son los
procesos :8sicos presentes en los materiales 5otoconducti*os, " 9ue se aplicar8n en
particular al caso de una celda solar, denominada tam:i=n celda 5oto*oltaica.
;a 5igura ?2 muestra una seccin trans*ersal de una 5otocelda.
En la 5igura ?3 se muestra es9uem8ticamente el diagrama de :andas de energ4a en la
oscuridad 6sin energ4a radiante so:re la celda7. Como el dispositi*o se encuentra en
e9uili:rio t=rmico los ni*eles de 3ermi de las regiones $ " % se de:en igualar. Esta
igualacin de los ni*eles de 3ermi origina un campo el=ctrico interno 9ue se opone a la
di5usin de portadores " una di5erencia de potencial denominada potencial de contacto o de
:arrera.
Cuando se irradia la 5otocelda se estimular8n los electrones internos si el ni*el de la
O
$
% 2untura $%
Cu:ierta de *idrio
Contactos
Cadiacin solar incidente
3igura ?2
E'
$otencial de
contacto
Cegin de
carga espacial
EC
EC
EV
EV
E3 E3
E'
EC
EC
EV
EV
/
Cegin % Cegin % Cegin $ Cegin $
3igura ?3
3igura ?L
radiacin es ma"or o igual 9ue el salto de energ4a E'. .e generar8n as4 pares electrn-
/ueco a lo largo de los materiales % " $ " en la regin de carga espacial. ;os portadores
minoritarios en su #ona de generacin pueden atra*esar la regin de agotamiento
impulsados por el campo, 5igura ?L. .i la regin % es mu" estrec/a la ma"or4a de los
5otones ser8n a:sor:idos dentro de la regin de agotamiento " la regin $, generando pares
electrn-/ueco en dic/as regiones. ;os pares generados en la regin de agotamiento son
separados por el campo interno " se di5unden. ;os electrones llegan a la regin % /aciendo
esta regin negati*a. )el mismo modo, los /uecos se di5unden " llegan a la regin $
/aciendo esta regin positi*a. .e desarrolla as4 una tensin en circuito a:ierto 6Voc7 entre
los terminales del dispositi*o con el lado $ positi*o respecto al lado %. .i se intercala una
carga circular8 una corriente. .i los terminales de la celda se cortocircuitan circular8 una
corriente conocida como corriente de cortocircuito 6Isc7.
;os pares electrn-/ueco 5otogenerados para longitudes de onda largas, 9ue son a:sor:idos
en la regin $, slo pueden di5undirse en esta regin donde no /a" campo el=ctrico.
A9uellos electrones 9ue se encuentran a la distancia de una longitud de di5usin, ;e, de la
regin de agotamiento se di5undir8n " llegar8n a esa regin donde ser8n :arridos por el
campo el=ctrico /acia la regin %. Entonces, slo a9uellos pares electrn-/ueco 9ue se
encuentren a una longitud de di5usin de la regin de agotamiento contri:uir8n al e5ecto
5oto*oltaico.
El mismo principio se puede aplicar para los pares electrn-/ueco 5otogenerados por
longitudes de onda cortas en la regin %. ;os /uecos 5otogenerados dentro de una longitud
de di5usin ;/ pueden llegar a la regin de agotamiento " ser8n :arridos por el campo /acia
la regin de tipo $. En consecuencia, la 5otogeneracin de pares electrn-/ueco 9ue
contri:u"e al e5ecto 5oto*oltaico ocurre en la regin! ;/ G F G ;e como se muestra en la
5igura ?5.
3.1& .aracterstica $&/ de !a ce!da so!ar
Consideremos una celda solar con carga resisti*a como la mostrada en al 5igura ?>.
P
;/
F
ln
;e
lp
E
corta media larga
&
0
Cegin
neutra %
Cegin
neutra $
Cegin de
carga espacial
3igura ?5
$ %
E
I;
I3
C I
G V -
/
.in polari#acin aplicada, e&iste un campo el=ctrico E en la regin de carga espacial. ;os
5otones de la iluminacin incidente crean pares electrn-/ueco en la regin de carga
espacial, 9ue son :arridos por el campo el=ctrico produciendo una 5otocorriente I; en la
direccin de polari#acin in*ersa, como muestra la 5igura ?>. Esta 5otocorriente I; produce
una ca4da de potencial a tra*=s de una carga resisti*a C 9ue polari#a en 5orma directa a la
untura. Esta polari#acin directa produce una corriente directa I3 a tra*=s de la untura $%.
;a corriente neta resultante ser8!
donde se /a representado la corriente I3 en la untura como la correspondiente a un diodo
ideal con una corriente in*ersa de saturacin Is. ;a 5otocorriente I; circula siempre en
sentido de polari#acin in*ersa " la corriente neta I 9ue circula por la celda tiene siempre
esa direccin. En 5orma general, puede calcularse la 5otocorriente I; por medio de la
relacin!
I; E 9 A '; 6;p G ;e G F7
donde '; es la tasa de generacin de pares electrn-/ueco, ;p " ;e son las longitudes de
di5usin de /uecos " electrones " F es el anc/o de la regin de carga espacial, como se
muestra en la 5igura ?5.
Considerando nue*amente la 5igura ?>, se presentan dos casos de inter=s. Cuando CE 0
resulta VE 0 " la corriente I 9ue circula se denomina corriente de cortocircuito Isc, dada
por!
I E Is/ E I;
El segundo caso ocurre cuando C resultando la condicin de circuito a:ierto. ;a
corriente neta es cero " la tensin 9ue se produce se denomina tensin de circuito a:ierto
Voc. ;a 5otocorriente I; est8 :alanceada por la corriente en la untura, tal 9ue!
de donde resulta Voc!
;a 5igura ?N a7 muestra la caracter4stica I-V en condiciones de oscuridad 6cur*a ?7 " :ao
iluminacin 6cur*a 27, la tensin en circuito a:ierto " la corriente en cortocircuito.
En general, se tra:aa la caracter4stica I-V en el primer cuadrante resultando la cur*a de la
?0
?7 -
VHV
6e I - I I - I I
T
s ; 3 ;
?7 -
HV V
6e I - I 0 I
T oc
s ;
7
I
I
6? ln V V
s
;
T oc +
3igura ?>
5igura ?N :7.
1& ,! diodo en comutaci%n: an!isis cua!itativo de! transitorio de descone2i%n
En el circuito de la 3igura ?O la seal de entrada *i cam:ia en 5orma a:rupta de *i E GV? a
*i E -V2. Este cam:io a:rupto a5ecta la respuesta temporal de la tensin " corriente por el
diodo.
)urante un tiempo largo el diodo estu*o polari#ado en directa de modo 9ue la tensin so:re
=l *d " la corriente ser8 apro&imadamente Id? E 6V? - *d7HC; V?HC;, suponiendo 9ue la
ca4da de tensin so:re C; es muc/o ma"or 9ue la tensin en :ornes del diodo.
En el instante t E to la tensin aplicada *i cam:ia en 5orma a:rupta a -V2, manteni=ndose en
este *alor para t M to.
$ara polari#acin directa /a" un gran n@mero de portadores 9ue atra*iesan la untura " la
densidad de portadores minoritarios en e&ceso es alta.
En polari#acin in*ersa el e&ceso de portadores minoritarios en las cercan4as de la unin es
desprecia:le, como se muestra en las 3iguras ?P a7 " :7!

??
*i
-V2
t E to
GV?
id *i C;
t
3igura ?O
npo
npo
&E0
&
$ %
pno
&E0
&
$ %
pno
pn
np
pn
np
3igura ?P a7 polari#acin directa 3igura ?P 6:7 polari#acin in*ersa
? 2
Isc
Voc
I
V V
I
Isc
Voc
3igura ?N a7 3igura ?N :7
Cuando se produce la in*ersin de la tensin *i, /acia el *alor -V2, el n@mero de portadores
minoritarios en e&ceso no puede desaparecer en 5orma instant8nea. $or ello, la corriente no
alcan#ar8 su *alor de r=gimen permanente /asta 9ue la distri:ucin de minoritarios, 9ue en
el momento de in*ertir la tensin ten4a la 5orma de la 3igura ?P a7 se redu#ca a la
distri:ucin de portadores de la 3igura ?P :7. Es decir, /asta 9ue la densidad de portadores
minoritarios en e&ceso! p E pn - pno E 0, 6 n E np - npo E07, el diodo continuar8
conduciendo " la corriente estar8 determinada por la resistencia e&terna del circuito del
diodo.
El per4odo de tiempo durante el cual el e&ceso de portadores minoritarios decrece /asta
cero se denomina! ts! tiempo de almacenamiento. )urante este tiempo el diodo sigue
conduciendo 58cilmente " la corriente 9ueda determinada por la tensin aplicada " la
resistencia de carga! Id2 -V2HC;, 3igura 20. En el instante t E ts el e&ceso de densidad de
portadores se anula. ;a tensin en el diodo se anula " comien#a a in*ertirse /acia -V2Q la
corriente decrecer8 /asta Is.
El tiempo transcurrido entre ts " el momento en 9ue el diodo se /a recuperado
completamente se denomina tiempo de transicin! tt. Este tiempo de recuperacin se
completa cuando los portadores minoritarios 9ue se /allan a alguna distancia de la unin se
/an di5undido " atra*esado la unin " cuando adem8s, la capacidad de transicin de la
unin polari#ada in*ersamente se cargue a tra*=s de C; a la tensin -V2.
El tiempo ts 9ue es una consecuencia del almacenamiento del e&ceso de portadores
minoritarios en las regiones neutras del diodo tiene una gran importancia pr8ctica para la
aplicacin de los diodos en los circuitos de conmutacin r8pida.
.e puede reducir el tiempo ts e&tra"endo m8s r8pidamente los portadores almacenados, por
?2
t
tt
t to
*d6t7
I2-V2HC;
0
i
Is
I?V?HC;
ts
ts
0.? I2
trr
*d -V2
3igura 20
eemplo, reduciendo la *ida media de los portadores.
;os 5a:ricantes especi5ican el tiempo de recuperacin in*ersa del diodo! trr, como el
inter*alo desde 9ue la corriente se in*ierte en t E to /asta 9ue el diodo se /a recuperado a
un ni*el especi5icado en 5uncin de la corriente, por eemplo 0.? I2.
Cuando la corriente se apro&ima al *alor de e9uili:rio 9ue corresponde a la polari#acin
in*ersa, la constante de tiempo de este proceso 9ueda determinada por la constante del
diodo E Cs CT, donde CT es la capacidad de transicin " Cs la resistencia del dispositi*o.
Est8 claro 9ue para disear un diodo m8s r8pido en la conmutacin se de:e reducir el
tiempo de recom:inacin de los portadores minoritarios 6agregando m8s impure#as 9ue
sir*en como centros de recom:inacin7 o /acer m8s cortas las regiones neutras. E&isten
otros procesos m8s compleos como elegir di5erentes per5iles de dopae tales 9ue produ#can
campos el=ctricos internos 9ue a"uden a remo*er m8s r8pidamente a los portadores
minoritarios durante el proceso de conmutacin.
$ara un diodo del tipo $
G
% puede encontrarse 9ue el tiempo de almacenamiento
?
est8 dado
por!
;a 3igura 2? muestra el camino 9ue sigue la corriente al producirse la conmutacin de la
seal de entrada *i.
,jercicios (ro(uestos
,jercicio 1
Kn *alor estimado de la tensin de ruptura en una untura $% se o:tiene suponiendo 9ue
=sta ocurre cuando el campo el=ctrico en la unin polari#ada en in*ersa supera cierto *alor
cr4tico o m8&imo E1C. )emostrar 9ue para una untura a:rupta con dopaes %A " %) la
tensin de ruptura puede estimarse por!
,jercicio 2
Kna untura a:rupta de silicio est8 dopada con %AE %)E ?0
?O
cm
-3
. ;a ruptura <ener ocurre
cuando el pico de campo el=ctrico es ?0
>
VHcm. )eterminar el *alor de la polari#acin
in*ersa aplicada a la untura.
?3
1
]
1

+
2
?
p s
I
I
? ln t
Is
I2
I?
Vd
3igura 2?

,
_

+
%
?

%
?

9 2
E V
) A
s
2
1C 1C

,jercicio 3
.e tiene una untura a:rupta de silicio 6niE ?0
?0
cm
-3
, mEL, rE ??.N7 a TE 300 R-, dopada
con %AE ?0
?N
cm
-3
" %)E 5&?0
?5
cm
-3
, cu"o campo cr4tico es Ecr4tE L&?0
5
VHcm.
a7 Calcular la tensin de ruptura V1C.
:7 S$ara 9u= *alor de la tensin in*ersa aplicada VC *aldr8 +E ?0, +E ?00T
,jercicio 1
E&plicar si es 5also o *erdadero el siguiente enunciado " usti5icar la respuesta! ULa tensin
de ruptura por avalancha VBR se incrementa cuando se incrementa la temperaturaU.
,jercicio 3
En una untura $% para 9ue tenga lugar el e5ecto t@nel el ni*el de 3ermi en el material de
tipo % de:e ser al menos igual a EC. $ara un diodo t@nel de silicio impuri5icado
sim=tricamente 6%A E %)7 calcular la concentracin m4nima de impure#as necesaria para
9ue tenga lugar el e5ecto t@nel.
,jercicio 4
.ea una untura $% a:rupta de silicio a TE 300 R- cu"o dopae es %AE %) E 5&?0
?P
cm
-3
.
.uponiendo *8lida la apro&imacin de *aciamiento, calcular el anc/o de la regin de carga
espacial F para una polari#acin directa VAE0.LV. S$odr8n los portadores pasar por e5ecto
t@nelT 2usti5icar la respuesta.
,jercicio 5
.e tiene una celda solar de silicio a TE 300R- con los siguientes par8metros! AreaE ? cm
2
,
%AE 5&?0
?N
cm
-3
, %)E ?0
?>
cm
-3
, )nE 20 cm
2
Hs, )pE ?0 cm
2
Hs, nE 3&?0
-N
s, pE ?0
-N
s, I;E
25 mA. Calcular la tensin a circuito a:ierto de la celda.
,jercicio 6
Kna celda solar de silicio tiene los siguientes par8metros medidos a TE300 R-! AreaE ?
cm
2
, %AE 2&?0
?>
cm
-3
, %)E ?0
?>
cm
-3
, niE ?.5&?0
?0
cm
-3
, )nE 20 cm
2
Hs, )pE ?2 cm
2
Hs, nE
pE ?0
-O
s, ';E ?0
22
cm
-3
s
-?
. Calcular la 5otocorriente " comparar con la corriente de
saturacin in*ersa de la untura.
,jercicio 7
.e conmuta una untura a:rupta $
G
% de polari#acin directa a polari#acin in*ersa de modo
9ue la relacin I2HI? E 0.2. )eterminar cu8l ser8 la relacin tsHp, entre el tiempo de
almacenamiento " el tiempo de *ida de los portadores minoritarios. Cepetir para I2HI? E ?,
comparar resultados " sacar conclusiones. Calcular ts en am:os casos si p E ? s.
,jercicio 18
.e 9uiere emplear una untura a:rupta $
G
% de modo 9ue al conmutar de polari#acin
directa a polari#acin in*ersa ts E 0.2 p. )eterminar la relacin I2HI? re9uerida para
cumplir con la especi5icacin deseada.
?L