I.I.S. E.

Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar



Appunti Sui Transistor A Giunzione Bipolare








A cura di Galasso Omar


Appunti del corso di Elettronica del prof. E. Azzimonti A.S. 2009-2010 ed
approfondimenti




Istituto Industriale Statale E. Mattei San Donato Milanese


Anno 2010
I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

2
Sommario:


1.0 Generalit del BJT ......................................................................................................................... 3

1.1 Configurazione ad emettitore comune ....................................................................................... 5

1.2 Caratteristica di ingresso............................................................................................................ 6

1.3 Caratteristica di uscita................................................................................................................ 7

2.0 Funzionamento in On -OFF o commutazione................................................................................ 8

3.0 Esercizio di progetto: BJT come interruttore comandato ............................................................ 10

4.0 Studio della polarizzazione per via grafica.................................................................................. 13

5.0 Polarizzazione ad emettitore comune con alimentazione singola................................................ 15

6.0 Eliminare le variazioni di corrente indesiderate .......................................................................... 16

7.0 Circuito amplificatore nella configurazione ad emettitore comune............................................. 18

8.0 Studio dellamplificatore ad emettitore comune (trattazione non approssimata) ........................ 21
I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

3

1.0 Generalit del BJT

Il BJT (dallinglese Transistor a Giunzione Bipolare) un componente
elettronico attivo, ovvero in grado di controllare tramite un controllo in
ingresso una variabile in uscita maggiore di quella in ingresso. un tripolo
costituito dai tre terminali denominati base, collettore ed emettitore e pu
essere classificato in base ai modelli di generatori pilotati come un CCCS
(Current Controlled Current Source) cio come generatore di corrente
pilotato in corrente. Il BJT di natura non lineare ma mediante un
adeguata rete di polarizzazione formata da componenti passivi come
resistenze pu esserlo reso. Questi transistor possono essere utilizzati
principalmente come interruttori controllati da una corrente (sfruttando il
naturale stato di non linearit) o come amplificatori (attribuendogli una
rete di polarizzazione) studiando per questultimo il modello statico e
dinamico se si tratta di un amplificatore di segnale. Esistono due tipi di
BJT, il PNP e lNPN: questi due hanno tra loro una notevole differenza di
funzionamento dato che hanno differenti versi di correnti. Nel caso del
transistor NPN si ha una corrente di base
B
I
entrante, una corrente di
collettore
C
I
entrante e una corrente di emettitore
E
I
uscente a contrario
del PNP che deve essere utilizzato con una
E
I
entrante, una
B
I
uscente e
una
C
I
uscente.
B
C
E
IB
IC
IE
B
C
E
IB
IC
IE

Figura 1 - BJT NPN e BJT PNP

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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

4
Quando si osserva lo schema del BJT si pu notare che le tre correnti
convergono in uno stesso punto centrale e da ci si pu applicare il primo
principio di Kirchhoff ad una superficie immaginata quindi come un nodo
ottenendo unequazione identica sia per il PNP che per lNPN:
B C E
I I I + =


Come detto in precedenza, il transistor un componente tripolare ma pu
essere visto come un quadripolo mettendo in comune un terminale con gli
altri due riuscendo cos a vederlo non solo come quadripolo ma come
doppio bipolo e mettendo in evidenza una porta di ingresso e una di uscita.
Esistono tre possibili configurazioni: a collettore comune, a base comune e
ad emettitore comune. Questultima configurazione quella che viene
maggiormente utilizzata: ponendo lemettitore a massa si nota una porta di
ingresso condizionata da una tensione
BE
V
e da una corrente
B
I
e una
porta di uscita caratterizzata da una tensione
CE
V
e una corrente
C
I
.
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5
1.1 Configurazione ad emettitore comune

B
C
E
+
+
RC
RB
VBE
VCE
I B
I C
IE
VBB
VCC

Figura 2 - Configurazione ad emettitore comune


Nella configurazione ad emettitore comune esistono tre relazioni
fondamentali che legano le variabili espresse fino adesso e sono le
seguenti:

) (
) (
) (
b c
CE c
BE b
I f I
V f I
V f I
=
=
=


Dalle prime due relazioni si comprende che le due correnti b
I
e c
I
sono
in funzione rispettivamente di
BE
V
e CE
V
cio dipendono da queste
ultime; nellultima relazione si nota invece in legame tra la corrente di
collettore e quella di base.
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6
1.2 Caratteristica di ingresso

Per studiare il comportamento delle variabili nella porta di ingresso nel
caso della configurazione ad emettitore comune si pu procedere ponendo
al circuito una CE
V
costante e una corrente b
I
variabile entrante nella
base che di conseguenza produrr una tensione
BE
V
proporzionale alla
b
I
stessa .

VBE
I B
VCE
0.7 V

Figura 3 - Caratteristica di ingresso

Da questo grafico si osserva che a tensioni di
BE
V
minori di 0.7 Volt la
corrente risulta essere molto bassa o addirittura nulla mentre con
laumentare della
BE
V
si nota il massimo passaggio di corrente nella base;
da ci si intuisce che ai capi Base-Emettitore presente una giunzione di
tipo PN come quella dei diodi e pertanto una tensione posta in ingresso
avr su essa una caduta di potenziale pari a 0.7 Volt. Si pu inoltre notare
che attribuendo diversi valori a CE
V
la curva si sposter di poco rendendo
praticamente trascurabile la relazione tra la tensione CE
V
(posta nella
seconda maglia - porta di uscita) e la tensione
BE
V
(posta nella prima
maglia - porta di ingresso).
Procediamo analizzando la porta di uscita.
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7
1.3 Caratteristica di uscita

IC
VCE
IB0
IB1
IB2
IB3
IB4
IB5
Interdizione
S
a
t
u
r
a
z
i
o
n
e
Z
o
n
a

A
t
t
i
v
a

Figura 4 - Transcaratteristica di uscita

La transcaratteristica di uscita mette in relazione sia la corrente di
collettore con la CE
V
che la corrente di collettore con quella di base, ed
per il variare di questultima che si producono molte curve. In questo
grafico possibile individuare tre distinte zone di lavoro del BJT: la zona
di interdizione, la zona attiva e la zona di saturazione. In interdizione il
BJT presenta una corrente c
I
molto piccola circa pari a 0 e fisicamente
come se ci fosse un circuito aperto tra il collettore e lemettitore. In zona
attiva si nota una c
I
dipendente dalla b
I
formulabile con la seguente
relazione: b FE c
I h I =
dove
FE
h
un numero puro ed chiamato
guadagno statico di corrente; questa zona di funzionamento viene
utilizzata nellambito delle amplificazioni. In saturazione si nota una forte
dipendenza di c
I
dalla CE
V
che, anche con piccole variazioni, pu di
conseguenza determinare una grande variazione della corrente di
collettore; in questo modo si pu vedere la giunzione Collettore Emettitore
come un corto circuito data la bassa resistenza.
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8
2.0 Funzionamento in On -OFF o commutazione

Come stato detto in precedenza, un transistor BJT pu essere utilizzato
come interruttore comandato da una corrente spostando il suo punto di
funzionamento dalla zona di interdizione ( corrente
0
c
I
) a quella di
saturazione (corrente cMAX c
I I =
) . Per spostare verso lalto il punto di
funzionamento statico
Q
nella configurazione ad emettitore comune
necessario aumentare la corrente b
I
e quindi diminuire il valore di
b
R
ottenendo cos un aumento di c
I
espresso dalla formula
b FE c
I h I =
. Ci si accorge di trovarsi in saturazione quando un
ulteriore aumento di b
I
non comporta laumento di c
I
, in tal caso la
massima corrente di collettore c
I
raggiunta viene chiamata cMAX
I
e la
porta di uscita della nostra configurazione pu essere considerata come un
cortocircuito. Analiticamente la cMAX
I
sar data dalla seguente formula:
c
cMAX
R
Vcc
I =
e la formula precedente pu essere riscritta in questo modo:
b FE cMAX
I h I
. In un circuito reale, a causa delle cadute di tensione
interne al transistor (come quella tra il collettore e lemettitore
denominata ceSAT
V
) e di tolleranze dei componenti, la saturazione
potrebbe discostarsi dal valore calcolato, perci per essere sicuri che si
verifichi la saturazione si pu attribuire al
FE
h
( ha il difetto di variare con
la temperatura) il suo valore minimo che si trova nel data sheet del
transistor:
MIN
FE
cMAX
b
h
I
I
.
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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

9
Per ottenere una saturazione sicura considerando anche le possibili
tolleranze delle resistenze si aumenta la b
I
di un 20% (chiamata
SAT
b
I
) :
MIN
FE
cMAX
b
h
I
I 2 . 1

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10
3.0 Esercizio di progetto: BJT come interruttore comandato

Dato un dispositivo TTL avente funzione di controllo (tensione di uscita 5
Volt), realizzare un opportuna rete resistiva ad un transistor (TIP142) in
grado di comandare una lampada alogena funzionante con una tensione di
12 Volt ad una potenza di 20 Watt. La lampada dovr essere spenta alla
presenza di 0 Volt e accesa alla presenza di 5 Volt in ingresso al transistor.

B
C
E
+
+
RC
RB
VBE
VCE
I B
I C
I E
5V
12V
12V
20W

Figura 5 - Schema elettrico di una lampada comandata

Come prima cosa scriviamo un sistema di equazioni che interessa tutte le
variabili utili per la risoluzione:

+ =
=
=
=
B C E
B FE C
CE C C CC
BE B B BB
I I I
I h I
V I R V
V I R V
0
0


I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

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11
La prima equazione applicata alla maglia di ingresso ed la seconda
legge di Kirchhoff, la seconda applicata alla maglia di uscita, la terza
lequazione del guadagno statico di corrente mentre lultima lequazione
fondamentale delle correnti di un transistor.

Conosciamo la potenza e lalimentazione della lampada e da ci
calcoliamo la corrente da fornire (questa sar poi la nostra c
I
)
I V P =

V
P
I =
quindi
A
V
W
I 66 . 1
12
20
= =


Per conoscere il valore di
FE
h
necessario cercarlo nel data sheet del
componente in questione: nel nostro caso si utilizza un TIP 142 e il suo
FE
h
risulta essere di 1000.
Ora si procede sostituendo i valori nel sistema:

+ =
=
=
=
B E
B
CESAT C
B B
I A I
I A
V A R
V I R V
66 . 1
1000 66 . 1
0 66 . 1 12
0 7 . 0 5

+ =
= =
=
=

A A A I
A
A
I
V A R
V A R V
E
B
C
B
66 . 1 10 66 . 1 66 . 1
10 66 . 1
1000
66 . 1
0 2 66 . 1 12
0 7 . 0 10 66 . 1 5
3
3
3


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12

+ =
= =
=

=
=

A A A I
A
A
I
A
V V
R
A
V V
R
E
B
C
B
66 . 1 10 66 . 1 66 . 1
10 66 . 1
1000
66 . 1
6
66 . 1
2 12
2590
10 66 . 1
7 . 0 5
3
3
3



Nota: la CESAT
V
un dato che varia a seconda della corrente di base e di
collettore e si trova nel datasheet del componente (per il TIP 142 equivale
a CESAT
V
= 2V)

Se si vuole costruire il circuito, dato che la
B
R
e la
C
R
calcolate non
esistono in commercio, consiglio di utilizzare un valore di
B
R
pi piccolo
di 2590 come 2200 . Sconsiglio di applicare al circuito una
C
R
in
quanto questa disperderebbe molto calore e dovrebbe necessariamente
essere di potenza:
W A P 43 . 15 ) 66 . 1 ( 6 . 5
2
= =

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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

13
4.0 Studio della polarizzazione per via grafica

Il transistor a giunzione bipolare oltre ad essere utilizzato come interruttore
comandato pu essere utilizzato anche come amplificatore, polarizzandolo
in modo da spostare il suo punto di lavoro in zona lineare ossia in zona
attiva. Per comprendere meglio quanto appena detto possiamo
rappresentare il punto di funzionamento sulle due caratteristiche.

VBE
IB
VBB
VBB
RB
Q
VBEQ
IBQ
IC
VCE
I BQ
VCC VCEQ
VCC
RC
ICQ Q

Figura 6 - Caratteristiche con retta di carico e punto di funzionamento statico


Nella prima figura notiamo nella curva della porta di ingresso una
semiretta che passando dallasse delle ascisse a quello delle ordinate
incrocia la curva determinando un punto, chiamato punto di
funzionamento statico in ingresso; linclinazione della curva data dalla
corrente di base (nel caso generale espressa come
b
BB
b
R
V
I =
) e dal valore di
tensione applicata alla porta di ingresso. Questa prima rappresentazione
rende maggiormente lidea di come, se non si superi la tensione di 0.7 Volt
in ingresso non si abbiano variazioni di corrente inoltre determina i valori
di una BEQ
V
e di una BQ
I
.

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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

14
Nella seconda figura notiamo la transcaratteristica di uscita attraversata da
una retta che come nella prima figura attraversa il grafico. Questa ha un
inclinazione dipendente dalla corrente di collettore (nel caso generale
espressa come
c
cc
R
V
Ic =
) e dal valore di tensione imposto sulla porta di
uscita. Questo punto, noto come punto di funzionamento statico in uscita,
determina una CEQ
V
una CQ
I
alla presenza di una certa BQ
I
determinata
nella prima caratteristica.
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15
5.0 Polarizzazione ad emettitore comune con alimentazione
singola

Oltre ad usare due alimentatori distinti per polarizzare un BJT possibile
utilizzare ununica fonte di alimentazione utilizzando la regola del
partitore di tensione.


Figura 7 - Circuito con alimentazione singola

Il circuito rappresentato in figura non contiene pi la resistenza
B
R
bens
due resistenze denominate
1
R
ed
2
R
. Guardando la figura si nota che la
maglia di ingresso ha una resistenza equivalente Thevenin
eq
R
pari al
parallelo delle due resistenze
1
R
ed
2
R
e una
eq
E
pari al partitore di
tensione ovvero
2 1
2
R R
R
Vcc E
eq
+
=

I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

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16
6.0 Eliminare le variazioni di corrente indesiderate

Una volta studiato in teoria il comportamento ideale del transistor,
passando alla fase di progettazione si potrebbero riscontrare dei valori
piuttosto differenti da quelli ipotizzati. Il BJT non quindi un componente
del tutto ideale, e ci dipende da determinate tolleranze dei valori di
FE
h
e
BE
V
che assumono differenti valori anche al variare della temperatura. Per
evitare questo imprevisto si utilizza una resistenza
E
R
che retroaziona
negativamente il transistor e ne limita la corrente di fuga.

B
C
E
RC R1
R2
VCC
RE

Figura 8 - Circuito retroazionato negativamente

Siccome il circuito possiede una resistenza in pi, si deve aggiornare nel
modo seguente il sistema precedentemente esposto utile per trovare il
punto di funzionamento statico :


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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

17

+ =
=
=
=
B C E
B FE C
E E CE C C CC
E E BE B B BB
I I I
I h I
I R V I R V
I R V I R V
0
0


Ponendo la resistenza
E
R
allemettitore nel caso aumenti la corrente di
collettore, la caduta di tensione su
E
R
aumenta, facendo diminuire la
corrente di base. Di conseguenza, per la formula b FE c
I h I =

diminuisce anche la corrente di collettore. Nel caso opposto, se la corrente
di collettore diminuisce, la caduta di tensione su
E
R
diminuisce, facendo
aumentare la corrente di base e di conseguenza sempre per la stessa legge
la corrente di collettore. Per stabilizzare al meglio il punto di
funzionamento si devono verificare i due seguenti casi:
CC RE
V V =
10
1


20 =
E
B
R
R

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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

18
7.0 Circuito amplificatore nella configurazione ad emettitore
comune

La configurazione ad emettitore comune pu essere studiata con un
modello equivalente detto a parametri h in cui la si descrive con un
circuito puramente resistivo, trascurando quindi le reattanze del BJT del
modello reale; ed operando quindi con frequenze relativamente basse.























Figura 9 - Circuito amplificatore di segnale ad emettitore comune

Procedendo con lanalisi dinamica del circuito precedente (spegnendo il
generatore di tensione continua e cortocircuitando i condensatori di
bypass) si ottiene un circuito equivalente di questo tipo:

B
C
E
R1
RS
RL
RC
C1
C2
Vcc
Vs
Vin
Vout
R2
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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

19
B
C
E
RS
RL RC
Vs
Vin
Vout
RB

Figura 10 - Modello dinamico dell'amplificatore ad emettitore comune


La figura seguente rappresenta il circuito equivalente di un BJT a
parametri h in configurazione ad emettitore comune:

B
hie
h
E
be
hreVce
C
E
h I
I
I
b
c
oe
b fe
V
ce V

Figura 11 - Circuito equivalente a parametri h





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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

20

Significato dei parametri del circuito equivalente:

Il Parametro h
ie
: Rappresenta la resistenza dinamica presente tra la
base e lemettitore e rappresenta la resistenza di
ingresso del transistor che agisce sul segnale di
ingresso. Essendo questa una resistenza, pu essere
calcolata nel seguente modo (si deve cortocircuitare
luscita):
b
be
ie
I
V
h =


Il Parametro h
re
: Rappresenta lamplificazione inversa di tensione
mettendo in evidenza la capacit del transistor di
trasferire parte della tensione di uscita al proprio
ingresso. Generalmente questo parametro
trascurabile ma possibile calcolarlo attraverso
questa formula:
ce
be
re
V
V
h =


Il Parametro h
fe
: Rappresenta il guadagno statico di corrente
(solitamente simile al guadagno dinamico h
FE)
e
quindi lamplificazione della corrente di collettore in
funzione di quella di base. La formula per calcolarla
la seguente:
b
c
fe
I
I
h =


Il Parametro h
oe
: Rappresenta la conduttanza di uscita della
configurazione ad emettitore comune e pu essere
calcolata con la seguente formula (spegnendo il
generatore in ingresso):
ce
c
oe
V
I
h =

Solitamente questo parametro molto piccolo
(nellordine delle decine di
1
m
) e per ci viene
trascurato.
I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

21
8.0 Studio dellamplificatore ad emettitore comune (trattazione
non approssimata)

Lanalisi del modello dinamico a parametri h precedentemente trattata,
pu essere migliorata prendendo in considerazione gli effetti della
resistenza del generatore in ingresso e di un carico collegato in uscita
stabilendo cos il guadagno complessivo di corrente e di tensione.


Il circuito rappresentato sotto mette in evidenza la presenza nel modello
dinamico di un generatore di tensione variabile (nel nostro caso
sinusoidale) di una sua resistenza serie S
R
(dove S sta per source) e di
una resistenza di carico
L
R
.











Considerando il parallelo tra
1
R
ed
2
R
uguale ad
B
R
e il parallelo tra
C
R
ed
L
R
uguale ad
P
R
ridisegniamo il circuito:








+
RS
R1 R2
RC RL
VS
i B
i C i L
+
RS
RB
RP
i B
i C
VBE
VCE
VS
Figura 12 - Circuito dinamico amplificatore ad emettitore comune
Figura 13 Rappresentazione del circuito precedente con parallelo dei resistori
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Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

22
Ridisegnando il precedente circuito con la rappresentazione a parametri
h otteniamo il modello equivalente finale:













Calcolo del guadagno di corrente totale:

fe
P oe
fe
P oe B
B fe
i
P oe C B fe C P oe C
C P oe B fe oe CE B fe C
B
C
i
h
R h
h
R h i
i h
A
R h i i h i R h i
i R h i h h V i h i
i
i
A

+
=
+

=
+ = = +
= + =
=
1 ) 1 (
) 1 (


Il guadagno di corrente si avvicina a fe
h
nel caso si ha una p
R
molto pi
bassa dellinverso della conduttanza oe
h
( p
R
<<
oe
h
1
)
+
RS
RB
i B
VBE
hie
+
hre vce
hfe
VS
i B
B
E
i C
hoe
Rp
VCE
C
E
Figura 14 - Modello a parametri h finale
I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

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23
Calcolo del guadagno di corrente sul carico:


B
L
iL
i
i
A =


Sapendo che la corrente
L
i
pari al partitore di corrente:


C L
C
C L
R R
R
i i
+
=



Il guadagno sul carico risulta essere:

i
C L
C
B
C
C
L
C
C
B
L
B
L
iL
A
R R
R
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
A
+
= = = =



Calcolo della resistenza dingresso:


i p re ie
B
B i p re B ie
B
C p re B ie
B
CE re B ie
B
BE
in
A R h h
i
i A R h i h
i
i R h i h
i
v h i h
i
v
R
=

=
=

=
+
= =

Il secondo termine del secondo membro delluguaglianza pu essere
trascurato nel caso p
R
non risulti molto elevata dato che re
h
un numero
molto piccolo. In tal caso la resistenza di ingresso sar uguale a ie
h
.
I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

24

La resistenza vista ai capi del generatore in ingresso cortocircuitando
luscita vale invece:

B in
B in
in
R R
R R
R
+

=
'



Calcolo del guadagno di tensione:

i
in
p
B
c
in
p
B in
c p
BE
CE
v
A
R
R
i
i
R
R
i R
i R
v
v
A = =

= =



Si pu notare che il guadagno di tensione risulta pi grande di quello di
corrente nel caso p
R
sia maggiore di in
R
.

Se si vuole utilizzare il modello semplificato ( in
R
= ie
h
ed i
A
= fe
h
) si
otterr la seguente espressione:

fe
ie
p
v
h
h
R
A =


Calcolo del guadagno di tensione totale:

Prendendo esempio dal calcolo del guadagno di tensione precedente,
determiniamo il guadagno di tensione totale dellamplificatore tenendo
conto degli effetti che provoca la resistenza del generatore.



I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

25
s
BE
v
s
BE
BE
CE
BE
BE
s
CE
s
CE
vt
v
v
A
v
v
v
v
v
v
v
v
v
v
A = = = =











s in
in
s BE
R R
R
V V
+
=
'
'

s in
in
s
BE
R R
R
V
V
+
=
'
'


Il guadagno complessivo di tensione viene espresso quindi con la seguente
espressione:

=
+
=
v
s in
in
v vt
A
R R
R
A A
'
'
con

< 1
+
RS
R Rin VBE S
B
+
RS
R'in VBE VS =Rin // RB
Figura 15 - Interazione tra la resistenza del generatore, la resistenza di base e la resistenza di ingresso del
BJT
I.I.S. E. Mattei San Donato Milanese

Appunti sui Transistor a Giunzione Bipolare Galasso Omar

26
Calcolo della resistenza duscita:

Per procedere al calcolo della resistenza duscita si deve analizzare il
modello a parametri h con il generatore di tensione s
v
cortocircuitato.















c
ce
out
i
v
R =


Applichiamo il primo principio di Kirchhoff al nodo K:


B fe CE oe C
i h V h i + =



Applichiamo il secondo principio di Kirchhoff alla maglia di ingresso:

RS RB
i B
VBE
hie
+
hre vce
hfe i B
B
E
i c
hoe
VCE
C
E
K
Figura 16 - Modello a parametri h con generatore in ingresso cortocircuitato
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) (
0 ) (
0 ) (
ie
B s
B s
CE re
B
CE re ie
B s
B s
B
CE re ie B
B s
B s
B
h
R R
R R
v h
i
v h h
R R
R R
i
v h h i
R R
R R
i
+
+

=
= + +
+

= + +
+

Uniamo le due espressioni in un sistema e risolviamo:

+
+

=
+ =
) (
ie
B s
B s
CE re
B
B fe CE oe C
h
R R
R R
v h
i
i h V h i



) (
ie
B s
B s
CE re
fe CE oe C
h
R R
R R
v h
h V h i
+
+

=



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(
(
(
(

+
+

=
) (
ie
B s
B s
fe re
oe CE C
h
R R
R R
h h
h V i



) (
1
ie
B s
B s
fe re
oe
out
h
R R
R R
h h
h
R
+
+